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07-11-2018 дата публикации

플라즈마 프레스 장치 및 이를 이용한 접합방법

Номер: KR0101915693B1
Принадлежит: 성균관대학교 산학협력단

... 본 발명은 플라즈마 프레스 장치 및 이를 접합방법에 관한 것으로, 플라즈마 를 발생한 상태에서 접합되는 두 기재를 가압하면서 접합하여 종래보다 현저하게 향상된 접합력을 제공하며, 별도의 가열 공정 없이도 접합이 가능하여 접합하는 기재에 열손상을 방지할 수 있는 것을 특징으로 한다.

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13-11-2017 дата публикации

PLASMA PRESS DEVICE AND BONDING METHOD USING SAME

Номер: KR1020170124967A
Принадлежит:

The present invention relates to a plasma press device, and a bonding method using the same. The present invention provides a significantly improved bonding force when compared to an existing press device by bonding and pressing two base materials bonded while plasma is generated. The present invention is able to bond the two base materials without an additional process to prevent thermal damage to the bonded base material. The present invention comprises: a plasma generation unit; a driving unit; and a control unit. COPYRIGHT KIPO 2017 (50) Control unit ...

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10-11-2016 дата публикации

MANUFACTURING METHOD OF TRANSPARENT ELECTRODE AND TRANSPARENT ELECTRODE MANUFACTURED BY SAME

Номер: KR1020160130017A
Принадлежит:

The present invention relates to a manufacturing method of a transparent electrode and a transparent electrode manufactured by the same. The manufacturing method of a transparent electrode includes: a material preparation step of preparing a material; a material processing step of (1) treating the surface of the material or (2) forming an organic solvent layer by coating an organic solvent onto the material; a metal coating step of coating metal nanowire or metal nanomesh onto the material; a first electrode layer forming step of forming a first electrode layer by coating a material containing at least polymers, oxides, and nitrides onto the metal nanowire or metal nanomesh; and a material removal step of removing the material. According to the present invention, the present invention provides a transparent electrode with improved surface roughness applicable to a display device or flexible device. COPYRIGHT KIPO 2016 (AA) Start (BB) End (S11) Material preparation step (S12) Material processing ...

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07-11-2017 дата публикации

ATOMIC LAYER ETCHING METHOD

Номер: KR1020170122910A
Принадлежит:

Provided is an atomic layer etching method. The atomic layer etching method according to the present invention can simultaneously remove an upper surface and a side surface of a material layer to be etched through heating using a light source of a lamp when removing an atomic layer, thereby easily reducing the plane size in spite of a several nanometer scale pattern. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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09-11-2017 дата публикации

PLASMA PRESS APPARATUS AND BONDING METHOD USING SAME

Номер: WO2017191942A1
Принадлежит:

The present invention relates to a plasma press apparatus and a bonding method using same, by which two substrates being bonded in a state where plasma is generated are bonded while being pressurized, and thus notably improved bonding force compared to existing inventions is provided, and thermal damage to a substrate being bonded may be prevented since bonding may be performed without a separate heating process.

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26-03-2025 дата публикации

Canister for semiconductor processing

Номер: KR20250041762A
Автор: 문무겸, 김희선, 손진철
Принадлежит:

... 본 발명의 실시예는 반도체 공정용 캐니스터를 제공한다. 반도체 공정용 캐니스터는 원료물질이 수용되는 수용공간을 갖는 밀폐 용기; 및 상기 밀폐 용기 내부의 원료물질을 가열하도록 상기 밀폐 용기에 제공되는 가열부재를 포함하되; 상기 가열 부재는 유도기전력에 의한 유도 가열에 의해 상기 밀폐 용기를 가열하는 유도가열코일을 포함할 수 있다.

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08-05-2017 дата публикации

DIRECT PATTERNING METHOD USING DIFFERENCE OF SURFACE ENERGY

Номер: KR1020170048183A
Принадлежит:

The present invention relates to a patterning method capable of modifying the properties of a substrate surface under atmospheric pressure at room temperature without using expensive equipment and patterning in a specific region. The present invention comprises: a step of preparing the substrate; a step of reforming the substrate so that patterning solution is rolled off by applying a group 14 element material to a region of the substrate except a pattern region where a pattern is to be formed; a step of treating the modified substrate with a patterning solution; and a step of removing the group 14 element material to form the pattern on the substrate. COPYRIGHT KIPO 2017 (S100) Step of preparing a substrate (S200) Step of reforming the substrate (S300) Step of treating with a patterning solution (S400) Step of forming a pattern ...

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16-01-2019 дата публикации

이온빔 식각 장치

Номер: KR0101939481B1
Принадлежит: 성균관대학교산학협력단

... 본 발명의 이온빔 식각 장치는 공정 가스로부터 플라즈마를 형성하고, 적어도 하나의 플라즈마 밸브를 구비하는 플라즈마 챔버; 상기 플라즈마 챔버와 연결되고, 바이어스가 인가되는 경우 플라즈마로부터 이온을 추출하여 이온빔을 형성하는 이온 소스; 상기 이온 소스와 연결되고, 적어도 하나의 식각 밸브를 구비하며, 식각 물질이 배치되는 식각 챔버; 및 상기 플라즈마 챔버 및 상기 식각 챔버 중 적어도 어느 하나와 각각 상기 플라즈마 밸브 및 상기 식각 밸브를 통해 연결되어, 상기 플라즈마 챔버 및 상기 식각 챔버 중 적어도 어느 하나의 챔버 내의 라디칼을 상기 플라즈마 밸브 및 상기 식각 밸브를 통해 배기하는 배기펌프를 포함한다.

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