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19-10-2017 дата публикации

LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHTING SYSTEM

Номер: KR1020170116412A
Автор: LEE, SANG YOUL, KIM, CHUNG SONG, MOON, JI HYUNG, PARK, SUN WOO, SONG, JUNE O
Принадлежит:

The present invention relates to a light emitting device, a manufacturing method thereof, and a lighting system. According to an embodiment of the present invention, the light emitting device comprises: a first conductive semiconductor layer; an active layer on the first conductive semiconductor layer; a second conductive semiconductor layer on the active layer; a first electrode on one surface of the first conductive semiconductor layer exposed from the active layer; a second electrode on the second conductive semiconductor layer; a first light extraction structure having a random size on the other surface of the first conductive semiconductor layer; a resin layer in contact with the first light extraction structure; and a substrate disposed on the resin layer. Therefore, the light emitting device improves light extraction efficiency and light emitting efficiency. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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Номер записи: 1
23-01-2020 дата публикации

LIGHT-EMITTING ELEMENT PACKAGE AND LIGHT SOURCE MODULE

Номер: WO2020017922A1
Автор: KIM, Won Jung, SONG, June O, LEE, Yeong June
Принадлежит:

A light-emitting element package according to an embodiment comprises: a body comprising a cavity; the cavity; a first frame and a second frame arranged on the bottom surface of the cavity; a first metal layer disposed on the first frame; an ultraviolet light-emitting element disposed on the first metal layer; and a second metal layer disposed on the second frame and electrically connected to the second frame, wherein the body comprises a separation portion between the first frame and the second frame, the second metal layer extends over the sloping surface of the cavity and the separation portion of the body, and the second metal layer is spaced apart from the first metal layer in the cavity and surrounds the first metal layer.

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Номер записи: 2
03-01-2019 дата публикации

LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND LIGHT SOURCE APPARATUS

Номер: WO2019004518A1
Автор: LEE, Tae Sung, LIM, Chang Man, SONG, June O
Принадлежит:

A light emitting device package according to an embodiment may comprise: a first and a second frame disposed to be spaced apart from each other; a body disposed between the first and the second frame; a light emitting device including a first and a second electrode; and an adhesive agent disposed between the body and the light emitting device, wherein: the first and the second frame comprise a first and a second opening formed through an upper surface and a lower surface thereof, respectively; the body comprises a recess concavely formed from an upper surface to a lower surface thereof; the adhesive agent is disposed in the recess; the first electrode is disposed on the first opening; and the second electrode is disposed on the second opening.

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Номер записи: 3
01-08-2018 дата публикации

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер: KR1020180086973A
Автор: KANG, DAE SUNG, SONG, JUNE O, LEE, SANG YOUL
Принадлежит:

The present invention provides a semiconductor device capable of reducing a cost, and a manufacturing method thereof. According to an embodiment of the present invention, the manufacturing method of a semiconductor device comprises the following steps of: locating a sacrifice layer and a semiconductor structure including a first conductive semiconductor layer, an active layer and a second conductive semiconductor layer on a substrate (S10); and separating the substrate and the semiconductor structure (S20). The substrate includes GaAs and the sacrifice layer has an empirical formula of In_xGa_(1-x)As_(1-y)N_y (0.02 <= x < 1, 0.03 <= y < 1). COPYRIGHT KIPO 2018 ...

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Номер записи: 4
19-07-2017 дата публикации

THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, AND DISPLAY PANEL AND DISPLAY DEVICE HAVING SAME

Номер: KR1020170083750A
Автор: LEE, SANG YOUL, KIM, CHUNG SONG, MOON, JI HYUNG, PARK, SUN WOO, SONG, JUNE O
Принадлежит:

According to an embodiment of the present invention, a thin film transistor substrate comprises: a substrate; and a thin film transistor arranged on the substrate, and including a channel layer having a nitride-based semiconductor layer, a source electrode electrically connected to a first area of the channel layer, a drain electrode electrically connected to a second area of the channel layer, a gate electrode arranged on the channel layer, and a depletion formation layer arranged between the channel layer and the gate electrode. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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Номер записи: 5
06-12-2017 дата публикации

LIGHT-EMITTING DEVICE

Номер: KR1020170133765A
Автор: PARK, SUN WOO, KIM, CHUNG SONG, MOON, JI HYUNG, SONG, JUNE O, LEE, SANG YOUL, HAN, MYUNG HO
Принадлежит:

According to one embodiment of the present invention, a light-emitting device comprises: a plurality of light-emitting cells which are spaced apart from each other, and include a light-emitting structure, wherein the light-emitting structure includes a first conductivity type semiconductor layer, an active layer, and a second conductivity type semiconductor layer; an insulation layer which is disposed below the second conductivity type semiconductor layer of the light-emitting cells; one or more first electrodes which are disposed between two adjacent light-emitting cells, and are in contact with the first conductivity type semiconductor layers of the two adjacent light-emitting cells; first electrode pads and second electrode pads which are disposed below the insulation layer, and are spaced apart from each other; and a passivation layer which is disposed between at least one of the first electrodes and a side of the light-emitting structure of the light-emitting cells, wherein one end ...

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Номер записи: 6
19-07-2017 дата публикации

THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, AND DISPLAY PANEL AND DISPLAY DEVICE INCLUDING SAME

Номер: KR1020170083754A
Автор: LEE, SANG YOUL, KIM, CHUNG SONG, MOON, JI HYUNG, PARK, SUN WOO, SONG, JUNE O
Принадлежит:

According to an embodiment of the present invention, a thin film transistor substrate comprises: a substrate; a switching thin film transistor disposed on the substrate, and including a first channel layer including a nitride-based semiconductor layer, a first source electrode electrically connected to a first region of the first channel layer, a first drain electrode electrically connected to a second region of the first channel layer, a first gate electrode disposed on the first channel layer, and a first depletion forming layer disposed between the first channel layer and the first gate electrode; and a driving thin film transistor disposed on the substrate, and including a second channel layer including the nitride-based semiconductor layer, a second source electrode electrically connected to a first region of the second channel layer, a second drain electrode electrically connected to a second region of the second channel layer, a second gate electrode disposed on the second channel ...

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Номер записи: 7
22-02-2017 дата публикации

발광소자의 제조방법

Номер: KR0101702943B1
Автор: 문지형, 정환희, 최광기, 이상열, 송준오
Принадлежит: 엘지이노텍 주식회사

... 실시예는 발광소자의 제조방법에 관한 것이다. 실시예에 따른 발광소자의제조방법은, 제1 기판상에 제1 도전성 반도체층 중 제1 층을 형성하는 단계와, 제1 층위에 결합층을 형성하고; 제2 기판을 형성하는 단계와, 제1 기판을 분리하는 단계와, 제1 기판을 분리하여 드러난 제1 층 상에 제3 기판을 형성하는 단계와, 제2 기판 및 결합층을 분리하는 단계와, 제2 기판을 분리하여 드러난 제1 층 상에 활성층 및 제2 도전성 반도체층을 형성하는 단계를 포함한다. 이에 의해, 상대적으로 저렴한 기판을 이용하며, 질화갈륨 반도체층 중 갈륨층 상에 반도체층을 형성하여 발광효율을 상승시킬 수 있다.

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18-07-2017 дата публикации

LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND DISPLAY DEVICE USING SAME AS LIGHT SOURCE

Номер: KR1020170083354A
Автор: PARK, SUN WOO, SONG, JUNE O
Принадлежит:

Embodiments relate to a light emitting device package having an improved color reproduction range and a display device using the same. The light emitting device package of the present invention comprises: a body including a cavity; a light emitting element disposed in the body and emitting blue light; and a wavelength conversion layer covering the light emitting device and including wavelength conversion particles of red, green and cyan to realize white light. Thereby, the present invention can improve the color reproduction range of white light. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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Номер записи: 9
04-04-2024 дата публикации

전기적 불량 검출이 용이한 에피택시 다이 및 이를 이용한 반도체 발광 소자의 제조 방법

Номер: KR20240044299A
Автор: 송준오, 윤형선, 한영훈, 문지형
Принадлежит:

... 본 발명은 전기적 불량 검출이 용이한 에피택시 다이에 관한 것으로, 지지기판; 상기 지지기판 위에 형성되어 일측이 기 설정된 깊이로 식각되고, 빛을 생성하는 발광부; 상기 발광부 위에 형성되고, 상기 발광부와 전기적으로 연결되는 오믹 전극; 상기 발광부의 일측의 식각된 부분에 형성되어 상기 발광부와 전기적으로 연결되고, 일측 단부에서 절곡되어 연장 형성되는 절곡부를 가지는 접촉 전극; 상기 오믹 전극과 상기 접촉 전극을 덮고, 일부가 개구되어 상기 오믹 전극의 일부가 노출되는 패시베이션층; 노출된 상기 오믹 전극 위에 형성되어 상기 오믹 전극과 전기적으로 연결되고, 외부에 노출되어 수직칩(Vertical Chip) 본딩 패드로 기능하는 본딩 패드층을 포함하고, 상기 접촉 전극은, 상기 패시베이션층과 상기 발광부 사이에 개재되어 외부에 노출되지 않는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 두 전극, 즉 양극과 음극 모두가 외부에 노출되는 종래의 칩 다이(Chip Die)와는 다르게, 본 발명의 에피택시 다이(Epitaxy Die)는 하나의 전극만이 외부에 노출되는 구조를 가지고 있으므로, 전기적으로는 분류(Sorting)되어 있지 않지만, 광학적으로는 분류될 수 있어 광학적 특성(파장, 반치폭, 강도 등)만을 이용하여 고속의 PL 측정 방식 등으로 1차적으로 불량(NG)을 용이하게 판별할 수 있으며, 상부 배선 공정 이전에 에피택시 다이의 전기적 불량 검출 및 불량 에피택시 다이의 수리 또는 교체를 용이하게 할 수 있다.

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Номер записи: 10
28-09-2022 дата публикации

박막 트랜지스터 기판, 이를 포함하는 표시패널 및 표시장치

Номер: KR102448473B1
Автор: 이상열, 김청송, 문지형, 박선우, 송준오
Принадлежит: 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드

... 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은, 지지기판; 지지기판 위에 배치된 본딩층; 본딩층 위에 배치되며, 질화물계 반도체층을 포함하는 제1 채널층, 제1 채널층의 제1 영역에 전기적으로 연결된 제1 소스 전극, 제1 채널층의 제2 영역에 전기적으로 연결된 제1 드레인 전극, 제1 채널층 아래에 배치된 제1 게이트 전극, 제1 채널층과 제1 게이트 전극 사이에 배치된 제1 디플리션 형성층을 포함하는 스위칭 박막 트랜지스터; 본딩층 위에 배치되며, 질화물계 반도체층을 포함하는 제2 채널층, 제2 채널층의 제1 영역에 전기적으로 연결된 제2 소스 전극, 제2 채널층의 제2 영역에 전기적으로 연결된 제2 드레인 전극, 제2 채널층 아래에 배치된 제2 게이트 전극, 제2 채널층과 제2 게이트 전극 사이에 배치된 제2 디플리션 형성층을 포함하는 구동 박막 트랜지스터; 구동 박막 트랜지스터 위에 배치되며 구동 박막 트랜지스터에 전기적으로 연결된 하부 전극; 하부 전극 위에 배치된 발광층; 발광층 위에 배치된 상부 전극; 을 포함할 수 있다.

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Номер записи: 11
18-04-2019 дата публикации

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGE

Номер: WO2019039914A3
Автор: LEE, Chang Hyeong, SONG, June O, LEE, Tae Sung, LIM, Chang Man, JUNG, Se Yeon, CHOI, Byung Yeon, HWANG, Sung Min
Принадлежит:

A semiconductor device according to an embodiment may comprise: a light emitting structure; a light-transmissive electrode layer disposed on the light emitting structure; and a reflective layer disposed on the light-transmissive electrode layer and including a plurality of first openings and a plurality of second openings. The semiconductor device according to the embodiment may comprise: a first electrode coming into contact with a first conductive semiconductor layer of the light emitting structure; and a second electrode coming into contact with the light-transmissive electrode layer through the plurality of first openings. The first electrode may comprise a first sub-electrode and a plurality of first branch electrodes, wherein the plurality of first branch electrodes are arranged to extend from the first sub-electrode in the direction of the second electrode; the second electrode may comprise a second sub-electrode and a plurality of second branch electrodes, wherein the plurality ...

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Номер записи: 12
30-01-2019 дата публикации

발광소자 패키지

Номер: KR1020190010353A
Автор: 이태성, 김영신, 송준오, 임창만
Принадлежит:

... 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 제1 및 제2 프레임; 제1 및 제2 프레임 사이에 배치되며 리세스를 포함하는 몸체; 리세스 상에 배치되는 제1 접착제; 제1 접착제 상에 배치되는 발광소자; 제1 및 제2 프레임과 발광소자 사이에 배치된 제2 접착제; 및 제2 접착제 및 발광소자의 일부 영역을 감싸며 배치되는 수지부; 를 포함하고, 발광소자는, 발광 구조물물의 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 본딩부; 및 발광 구조물의 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2 본딩부; 를 포함하고, 제1 프레임은 제1 상부 리세스를 포함하고, 제2 프레임은 제2 상부 리세스를 포함하고, 제1 상부 리세스는 발광 구조물의 하면과 수직한 제1 방향으로 발광 구조물과 중첩되며 발광 구조물의 측면과 평행한 제1 내측면을 포함하고, 발광 구조물의 측면과 제1 본딩부의 측면이 제1 본딩부의 측면과의 제2 방향으로의 제1 거리가 40 마이크로 미터 보다 같거나 크면, 발광 구조물의 측면과 제1 내측면과의 제2 방향으로의 거리가 제1 거리보다 작고, 발광 구조물의 측면과 제1 본딩부의 측면이 제1 본딩부의 측면과의 제2 방향으로 제1 거리가 40 마이크로 미터 보다 작으면, 발광 구조물의 측면과 제1 내측면과의 제2 방향으로의 거리가 제1 거리보다 크게 제공될 수 있다.

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Номер записи: 13
30-01-2019 дата публикации

발광소자 패키지 및 그 제조방법

Номер: KR1020190010352A
Автор: 이태성, 송준오, 김기석, 임창만
Принадлежит:

... 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법은, 상면과 하면을 관통하는 제1 개구부를 포함하는 제1 프레임, 상면과 하면을 관통하는 제2 개구부를 포함하는 제2 프레임, 제1 프레임과 제2 프레임 사이에 배치되며 상면에서 하면으로 오목한 리세스를 포함하는 몸체를 형성하는 단계; 리세스에 접착제가 제공되는 단계; 제1 본딩부와 제2 본딩부를 포함하는 발광소자가 몸체 위에 제공되며, 제1 본딩부는 제1 개구부 위에 배치되고, 제2 본딩부는 제2 개구부 위에 배치되고, 발광소자의 하면이 접착제에 접촉되어 부착되는 단계; 접착제를 경화시키는 단계; 제1 및 제2 프레임의 상에서 제1 및 제2 본딩부 주위에 수지부가 제공되는 단계; 제1 및 제2 개구부에 제1 및 제2 도전층이 각각 제공되는 단계; 를 포함할 수 있다.

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Номер записи: 14
17-01-2023 дата публикации

비발광 3족 질화물 반도체 적층체를 제조하는 방법

Номер: KR20230008964A
Автор: 송준오
Принадлежит:

... 본 개시는 비발광 3족 질화물 반도체 적층체를 제조하는 방법에 있어서, 성장 기판을 준비하는 단계; 성장 기판에 복수의 돌기를 형성하는 단계; 성장 기판에 복수의 돌기를 덮도록 제1 버퍼층을 성장하는 단계; 제1 버퍼층 위에 복수의 성장 억제막을 형성하는 단계; 복수의 성장 억제막으로부터 노출된 제1 버퍼층으로부터 제2 버퍼층을 성장하는 단계; 그리고, 제2 버퍼층 위에 비발광 3족 질화물 반도체 적층체를 형성하는 단계;를 포함하는, 비발광 3족 질화물 반도체 적층체를 제조하는 방법에 관한 것이다.

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Номер записи: 15
12-11-2009 дата публикации

LIGHT-EMITTING ELEMENT AND A PRODUCTION METHOD THEREFOR

Номер: WO2009136719A3
Автор: SONG, June O
Принадлежит:

According to an embodiment of this invention, a light-emitting element comprises: a growth substrate; a first electrically conductive semiconductor layer on the growth substrate; an active layer on the first electrically conductive semiconductor layer; a second electrically conductive semiconductor layer on the active layer; and an ohmic contact layer formed with a welded structure on the second electrically conductive semiconductor layer.

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Номер записи: 16
07-07-2015 дата публикации

fabrication of vertical structured light emitting diodes using group 3 nitride-based semiconductors and its related methods

Номер: KR0101534846B1
Автор: 송준오
Принадлежит: 엘지이노텍 주식회사

... 본 발명은 수직구조의 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 부분 n형 오믹접촉 전극구조체; 상기 부분 n형 오믹접촉 전극구조체 하부에 하부 질화물계 클래드층, 질화물계 활성층, 상부 질화물계 클래드층, 슈퍼래티스 구조, 질화물계 커런트인젝션층으로 구성된 발광다이오드 소자용 발광구조체; 상기 발광구조체 하부에 커런트 블라킹 구조와 반사성 커런트스프레딩층을 포함한 p형 전극구조체; 상기 p형 전극구조체 하부에 형성된 히트씽크 지지대;로 구비된 것을 주요한 특징으로 함으로써, 질화물계 활성층에서의 빛 생성 효율 및 외부 양자 효율을 증가시킬 수 있는 이점이 있다. 또 다른 수직구조의 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 전면 n형 오믹접촉 전극구조체; 상기 전면 n형 오믹접촉 전극구조체 하부에 하부 질화물계 클래드층, 질화물계 활성층, 상부 질화물계 클래드층, 슈퍼래티스 구조, 질화물계 커런트인젝션층으로 구성된 발광다이오드 소자용 발광구조체; 상기 발광구조체 하부에 커런트 블라킹 구조와 반사성 커런트스프레딩층을 포함한 p형 전극구조체; 상기 p형 전극구조체 하부에 형성된 히트씽크 지지대;로 구비된 것을 주요한 특징으로 함으로써, 질화물계 활성층에서의 빛 생성 효율 및 외부 양자 효율을 증가시킬 수 있는 이점이 있다. 더 상세하게 말하면, 성장기판 상부에 상기 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자용 발광구조체가 성장된 성장기판 웨이퍼(growth substrate wafer)와 기능성 결합 웨이퍼(functional bonding wafer)를 웨이퍼 대 웨이퍼로 결합(wafer to wafer bonding)하는 공정과 기판 분리(lift-off) 공정을 접목하여 수직구조의 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자 제조 및 그 제조방법을 제공하고자 한다.

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Номер записи: 17
06-10-2016 дата публикации

발광 소자

Номер: KR0101663192B1
Автор: 이상열, 정환희, 문지형, 최광기, 송준오
Принадлежит: 엘지이노텍 주식회사

... 발광 소자는 제2 도전형 반도체층, 활성층, 및 제1 도전형 반도체층이 적층된 발광 구조물, 상기 발광 구조물 아래의 상기 제2 도전형 반도체층과 접하는 제2 전극층, 상기 제2 전극층, 상기 제2 도전형 반도체층, 상기 활성층을 관통하여 상기 제1 도전형 반도체층에 접하는 상기 제2 전극층 아래의 제1 전극층, 상기 제1 전극층, 상기 제2 도전형 반도체층, 및 상기 활성층 각각과 상기 제1 도전형 전극 사이의 절연층, 및 상기 발광 구조물 상의 재흡수 방지층을 포함한다.

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Номер записи: 18
05-06-2015 дата публикации

fabrication of vertical structured light emitting diodes using group 3 nitride-based semiconductors and its related methods

Номер: KR0101526566B1
Автор: 송준오
Принадлежит: 엘지이노텍 주식회사

... 본 발명은 수직구조 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, n형 오믹접촉 전극구조체; 상기 n형 오믹접촉 전극구조체 하부에 n형 질화물계 클래드층, 질화물계 활성층, p형 질화물계 클래드층, 커런트스프레딩층이 순차적으로 적층된 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자용 다층구조체; 상기 발광다이오드 소자용 다층구조체의 상부에 형성된 참호(trench) 형태의 커런트 블라킹 구조를 포함한 p형 전극구조체; 상기 p형 전극구조체가 형성된 발광다이오드 소자용 다층구조체 하부에 형성된 히트씽크 지지대;로 구비된 것을 주요한 특징으로 함으로써, 질화물계 활성층에서의 빛 생성 효율 및 외부 양자 효율을 증가시킬 수 있는 이점이 있다. 또 다른 수직구조 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, n형 오믹접촉 전극구조체; 상기 n형 오믹접촉 전극구조체 하부에 n형 질화물계 클래드층, 질화물계 활성층, p형 질화물계 클래드층, 계면개질층, 커런트스레딩층이 순차적으로 적층된 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자용 다층구조체; 상기 발광다이오드 소자용 다층구조체의 상부에 형성된 참호(trench) 형태의 커런트 블라킹 구조를 포함한 p형 전극구조체; 상기 p형 전극구조체가 형성된 발광다이오드 소자용 다층구조체 하부에 형성된 히트씽크 지지대;로 구비된 것을 주요한 특징으로 함으로써, 질화물계 활성층에서의 빛 생성 효율 및 외부 양자 효율을 증가시킬 수 있는 이점이 있다. 더 상세하게 말하면, 성장기판 상부에 상기 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자용 다층구조체가 성장된 성장기판 웨이퍼(growth substrate wafer)와 기능성 결합 웨이퍼(functional bonding wafer)를 웨이퍼 대 웨이퍼로 결합(wafer to wafer bonding)하는 공정과 기판 분리(liftoff) 공정을 접목하여 수직구조 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자 제조 및 그 제조방법을 ...

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Номер записи: 19
15-03-2018 дата публикации

발광소자 및 발광소자의 제조방법

Номер: KR0101838990B1
Автор: 오정탁, 김동욱, 김형준, 송준오
Принадлежит: 엘지이노텍 주식회사

... 실시예는 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템에 관한 것이다. 실시예에 따른 발광소자는 상면에 복수의 핏(pit)을 포함하는 버퍼층; 상기 핏이 형성된 버퍼층 상에 질화알루미늄층; 상기 질화알루미늄층 상에 제1 도전형 반도체층; 상기 제1 도전형 반도체층 상에 활성층; 및 상기 활성층 상에 제2 도전형 반도체층;을 포함한다.

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Номер записи: 20
26-10-2016 дата публикации

LIGHT EMITTING DEVICE, LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE, AND LIGHTING SYSTEM

Номер: KR1020160124065A
Автор: KIM, SO JUNG, SONG, JUNE O, CHOI, KWANG KI, JEONG, HWAN HEE
Принадлежит:

A light emitting device according to an embodiment comprises: a conductive support member; a light emitting structure including a first conductive type semiconductor layer, an active layer, and a second conductive type semiconductor layer on the conductive support member; a passivation layer formed on a surface of the light emitting structure; an electrode on the light emitting structure; and a protection member on a circumference region between the light emitting structure and the conductive support member. The first conductive type semiconductor layer is disposed to be adjacent to the electrode, the second conductive type semiconductor layer is disposed to be adjacent to the conductive support member, and the active layer is disposed between the first conductive type semiconductor layer and the second conductive type semiconductor layer. The first conductive type semiconductor layer includes a plurality of recesses. The recess includes a lower region inclined at a first angle with respect ...

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Номер записи: 21
30-06-2017 дата публикации

THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, AND DISPLAY PANEL AND DISPLAY DEVICE INCLUDING SAME

Номер: KR1020170074626A
Автор: LEE, SANG YOUL, KIM, CHUNG SONG, MOON, JI HYUNG, PARK, SUN WOO, SONG, JUNE O
Принадлежит:

A thin film transistor substrate according to an embodiment of the present invention comprises: a support substrate; a bonding layer disposed on the support substrate; a switching thin film transistor including a first channel layer disposed on the bonding layer and having a nitride-based semiconductor layer and a first recess region dented in an upward direction on the bottom surface thereof, a first source electrode electrically connected to a first region of the first channel layer, a first drain electrode electrically connected to a second region on the bottom surface of the first channel layer, and a first gate electrode disposed in the first recess region of the first channel layer; a driving thin film transistor including a second channel layer disposed on the bonding layer and having a nitride-based semiconductor layer and a second recess region dented in an upward direction on the bottom surface thereof, a second source electrode electrically connected to a first region on the ...

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Номер записи: 22
02-12-2022 дата публикации

발광소자 패키지 및 광원 장치

Номер: KR102473399B1
Автор: 이태성, 송준오, 임창만
Принадлежит: 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드

... 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 서로 이격되어 배치된 제1 및 제2 프레임; 제1 및 제2 프레임 사이에 배치된 몸체; 제1 및 제2 전극을 포함하는 발광소자; 및 몸체와 발광소자 사이에 배치되는 접착제;를 포함하고, 제1 및 제2 프레임 각각은 상면과 하면을 관통하는 제1 및 제2 개구부를 포함하고, 몸체는 상면에서 하면으로 오목한 리세스를 포함하고, 접착제는 리세스에 배치되고, 제1 전극은 제1 개구부 상에 배치되고, 제2 전극은 제2 개구부 상에 배치될 수 있다.

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Номер записи: 23
20-07-2017 дата публикации

THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, AND DISPLAY PANEL AND DISPLAY DEVICE INCLUDING SAME

Номер: WO2017122918A1
Автор: LEE, Sang Youl, KIM, Chung Song, MOON, Ji Hyung, PARK, Sun Woo, SONG, June O
Принадлежит:

A thin film transistor substrate according to an embodiment may comprise: a substrate; and a thin film transistor including a channel layer disposed on the substrate and including a nitride-based semiconductor layer, a source electrode electrically connected to a first region of the channel layer, a drain electrode electrically connected to a second region of the channel layer, a gate electrode disposed on the channel layer, and a depletion forming layer disposed between the channel layer and the gate electrode.

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03-01-2019 дата публикации

LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE

Номер: WO2019004608A1
Автор: LEE, Tae Sung, LIM, Chang Man, KIM, Ki Seok, KIM, Young Shin, KIM, Won Jung, SONG, June O
Принадлежит:

A light emitting device package according to an embodiment may comprise: a first and a second frame; a body disposed between the first and the second frame and including a recess; a first adhesive agent disposed on the recess; a light emitting device disposed on the first adhesive agent; a second adhesive agent disposed between the first frame and the light emitting device and between the second frame and the light emitting device; and a resin part disposed to surround a partial area of the second adhesive agent and the light emitting device.

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07-02-2019 дата публикации

SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGE AND LIGHT SOURCE DEVICE

Номер: WO2019027192A1
Автор: KIM, Ki Seok, PARK, Hee Jeong, SONG, June O, LIM, Chang Man
Принадлежит:

A semiconductor device package provided in an embodiment comprises: a first and a second frame disposed to be spaced apart from each other; a body disposed between the first and the second frame; and a semiconductor devicedisposed on the first and the second frame and comprising a semiconductor layer and a first and a second electrode arranged on the semiconductor layer, wherein the first and the second frame comprise a first metal layer having multiple pores, and the first metal layer of the first and the second frame may comprise coupling parts in areas where the first metal layer overlaps the first and the second electrode, respectively.

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18-04-2019 дата публикации

LIGHT EMITTING ELEMENT PACKAGE AND LIGHT SOURCE ELEMENT

Номер: WO2019074149A1
Автор: SONG, June O, KIM, Ki Seok, LIM, Chang Man
Принадлежит:

A light emitting element package disclosed in an embodiment may comprise first to third frames which have at least one through-hole; a body which supports the first to third frames; a first light emitting element which is disposed on the first and second frames; and a second light emitting element which is disposed on the second and third frames, wherein the body may comprise a first recess which is disposed between the first and second frames and vertically overlaps with the first light emitting element, and a second recess which is disposed between the second and third frames and vertically overlaps with the second light emitting element, the first light emitting element may comprise a first bonding portion which is disposed on a through-hole of the first frame, and a second bonding portion which is disposed on a through-hole of the second frame, and the second light emitting element may comprise a third bonding portion which is disposed on the through-hole of the second frame and a fourth ...

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16-05-2019 дата публикации

LIGHT-EMITTING DEVICE PACKAGE AND LIGHTING MODULE

Номер: WO2019059703A3
Автор: LIM, Chang Man, SONG, June O, KIM, Won Jung, KIM, Hyoung Jin, JEONG, Hwan Hee
Принадлежит:

A light-emitting device package, disclosed in one embodiment, comprises: first and second frames; a body for supporting the first and second frames; and a light-emitting device on the second frame, wherein the body may comprise a lower surface, a first lateral surface, and a second lateral surface facing the first lateral surface. The first frame comprises a first recess concavely formed from a first lateral part adjacent to the first lateral surface, towards the direction of the second lateral surface, and the second frame comprises a second recess concavely formed from a second lateral part adjacent to the second lateral surface, towards the direction of the first lateral surface. The first lateral part of the first frame comprises a plurality of protrusion parts exposed towards the first lateral surface of the body, wherein the first recess is disposed between the protrusion parts of the first lateral part. The second lateral part of the second frame comprises a plurality of protrusion ...

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01-10-2009 дата публикации

LIGHT-EMITTING ELEMENT AND A PRODUCTION METHOD THEREFOR

Номер: WO2009120044A3
Автор: SONG, June O
Принадлежит:

According to an embodiment of this invention, a light emitting element comprises: a supporting substrate; a second electrode layer on the supporting substrate; a current-spreading layer on the supporting substrate; a second electrically conductive semiconductor layer on the second electrode layer and current-spreading layer; an active layer on the second electrically conductive semiconductor layer; a first electrically conductive semiconductor layer on the active layer; and a first electrode layer on the first electrically conductive semiconductor layer.

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15-02-2017 дата публикации

발광소자 및 그 발광 소자의 제조 방법

Номер: KR0101707118B1
Автор: 정환희, 이상열, 송준오, 최광기
Принадлежит: 엘지이노텍 주식회사

... 실시예는 제1 도전형 반도체층과 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물; 상기 발광 구조물을 중심으로 측면에 형성되는 보호층; 및 상기 보호층의 외측면에 형성되는 제1 전극을 포함하는 발광 소자를 제공한다.

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21-09-2022 дата публикации

박막 트랜지스터 기판, 이를 포함하는 표시패널 및 표시장치

Номер: KR102445546B1
Автор: 이상열, 김청송, 문지형, 박선우, 송준오
Принадлежит: 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드

... 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은, 지지기판; 지지기판 위에 배치된 본딩층; 본딩층 위에 배치되며, 질화물계 반도체층을 포함하는 제1 채널층, 제1 채널층의 제1 영역에 전기적으로 연결된 제1 소스 전극, 제1 채널층의 제2 영역에 전기적으로 연결된 제1 드레인 전극, 제1 채널층 아래에 배치된 제1 게이트 전극, 제1 채널층과 제1 게이트 전극 사이에 배치된 제1 디플리션 형성층, 제1 채널층 위에 배치되어 샤키 접합으로 상기 제1 채널층의 질화물계 반도체층에 직접 접촉된 이중 게이트 전극을 포함하는 스위칭 박막 트랜지스터; 본딩층 위에 배치되며, 질화물계 반도체층을 포함하는 제2 채널층, 제2 채널층의 제1 영역에 전기적으로 연결된 제2 소스 전극, 제2 채널층의 제2 영역에 전기적으로 연결된 제2 드레인 전극, 제2 채널층 아래에 배치된 제2 게이트 전극, 제2 채널층과 제2 게이트 전극 사이에 배치된 제2 디플리션 형성층을 포함하는 구동 박막 트랜지스터; 구동 박막 트랜지스터 위에 배치되며 구동 박막 트랜지스터에 전기적으로 연결된 하부 전극; 하부 전극 위에 배치된 발광층; 발광층 위에 배치된 상부 전극; 을 포함할 수 있다.

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06-06-2019 дата публикации

LIGHT-EMITTING ELEMENT PACKAGE

Номер: WO2019108010A1
Автор: LIM, Chang Man, SONG, June O, KIM, Ki Seok
Принадлежит:

A light-emitting element package according to an embodiment may comprise first and second frames, a body, a light-emitting element, first and second conductive portions, and first and second conductors. According to an embodiment, the first and second frames may be arranged to be spaced apart from each other, and may comprise first and second openings, respectively. The body may be arranged between the first and second frames. The light-emitting element may be arranged on the body and may comprise first and second bonding portions. The first and second conductive portions may be arranged below the first and second bonding portions. The first and second conductors may be arranged in the first and second openings, respectively. According to an embodiment, the first and second conductive portions may extend from the first and second bonding portions into the first and second openings, respectively, and the first and second conductors may be arranged between the first and second conductive ...

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07-03-2019 дата публикации

LIGHT-EMITTING DEVICE PACKAGE

Номер: WO2019045166A1
Автор: LIM, Chang Man, KIM, Ki Seok, KIM, Won Jung, SONG, June O
Принадлежит:

A light-emitting device package according to an embodiment comprises: a first frame including a first opening penetrating the upper surface and the lower surface thereof, and a second frame spaced apart from the first frame and including a second opening; first and second conductive layers respectively disposed in the first and second openings; a body disposed between the first and second frames; a first resin disposed on the body; and a light-emitting device disposed on an adhesive. A light-emitting device according to an embodiment includes a first bonding portion electrically connected to the first frame and a second bonding portion spaced apart from the first bonding portion and electrically connected to the second frame, wherein the first and second bonding portions are respectively disposed on the first and second openings, and a first alloy layer made of an alloy of the first conductive layer and the first frame can be disposed between the first conductive layer and the first frame ...

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05-09-2017 дата публикации

LIGHT EMITTING MODULE AND DISPLAY DEVICE

Номер: KR1020170101065A
Автор: PARK, JONG SEOK, SONG, JUNE O, LEE, SANG YOUL, LIM, CHANG MAN, HAN, MYUNG HO
Принадлежит:

The present invention relates to a light emitting module, a method for manufacturing the light emitting module, and a display device. According to an embodiment of the present invention, the light emitting module comprises: a substrate; a plurality of light emitting parts disposed on the substrate; and a first black matrix surrounding each of the plurality of light emitting parts. Each of the plurality of the light emitting parts includes: a first light emitting element emitting blue light disposed on the substrate; a second light emitting element emitting the blue light disposed on the substrate; a red phosphor layer disposed on the first light emitting element; and a second black matrix disposed between the first and second light emitting elements, and having the height higher than the red phosphor layer from an upper surface of the substrate. A color difference can be improved by the light emitting elements having similar thermal characteristics and electrical characteristics. COPYRIGHT ...

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14-10-2022 дата публикации

박막 트랜지스터 기판, 이를 포함하는 표시패널 및 표시장치

Номер: KR102455095B1
Автор: 이상열, 김청송, 문지형, 박선우, 송준오
Принадлежит: 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드

... 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은, 기판; 기판 위에 배치되며, 질화물계 반도체층을 포함하고 상부 면에 하부 방향으로 함몰된 제1 리세스 영역을 갖는 제1 채널층, 제1 채널층의 상부 면 제1 영역에 전기적으로 연결된 제1 소스 전극, 제1 채널층의 상부 면 제2 영역에 전기적으로 연결된 제1 드레인 전극, 제1 채널층의 제1 리세스 영역에 배치된 제1 게이트 전극을 포함하는 스위칭 박막 트랜지스터; 기판 위에 배치되며, 질화물계 반도체층을 포함하고 상부 면에 하부 방향으로 함몰된 제2 리세스 영역을 갖는 제2 채널층, 제2 채널층의 상부 면 제1 영역에 전기적으로 연결된 제2 소스 전극, 제2 채널층의 상부 면 제2 영역에 전기적으로 연결된 제2 드레인 전극, 제2 채널층의 제2 리세스 영역에 배치된 제2 게이트 전극을 포함하는 구동 박막 트랜지스터; 를 포함할 수 있다.

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30-08-2022 дата публикации

반도체 발광소자를 지지 기판으로 이전하는 방법

Номер: KR102437208B1
Автор: 송준오
Принадлежит: 웨이브로드 주식회사

... 본 개시는 캐리어를 통해 반도체 발광소자를 지지 기판에 옮겨 놓는 단계;로서, 반도체 발광소자는 자성을 가지는 전극을 구비하며, 지지 기판은 몸체를 구비하고, 몸체에는 자성을 띠는 금속성 물질이 구비되어 있으며, 전극은 몸체의 자성을 띠는 금속성 물질 위에 구비되는 접착제와 접착되는, 옮겨 놓는 단계; 그리고, 캐리어와 반도체 발광소자 사이의 결합력보다, 전극과 접착제 사이의 결합력과 전극과 몸체의 자성을 띠는 금속성 물질 사이의 결합력의 합이 커서, 반도체 발광소자를 지지 기판에 남겨두고 캐리어만을 지지 기판으로부터 분리하는 단계;를 포함하는, 반도체 발광소자를 지지 기판으로 이전하는 방법에 관한 것이다.

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10-03-2023 дата публикации

발광소자 패키지 및 이를 포함하는 조명장치

Номер: KR102509064B1
Автор: 송준오, 김원중, 임창만
Принадлежит: 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드

... 실시예는 발광소자 패키지 및 조명장치에 관한 것이다. 실시예에 따른 발광소자 패키지는, 제1 개구부를 포함하는 제1 프레임; 상기 제1 프레임과 이격되고, 제2 개구부를 포함하는 제2 프레임; 상기 제1 및 제2 프레임을 지지하고, 캐비티를 포함하는 몸체; 상기 캐비티 내에 배치되는 발광소자; 상기 몸체와 상기 발광소자 사이에 배치되는 제1 수지층; 상기 캐비티의 측면에 배치되며, 유선형의 경사면을 포함하는 반사층; 및 상기 반사층 상에 배치되고, 상기 발광소자를 에워싸는 몰딩부;를 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 개구부는 상기 발광소자와 서로 중첩될 수 있다. 상기 몸체는 상기 제1 및 제2 개구부 사이에 리세스(R)를 포함할 수 있다. 상기 제1 수지층은 상기 리세스에 배치될 수 있다.

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24-09-2009 дата публикации

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A FABRICATION METHOD THEREFOR

Номер: WO2009116830A3
Автор: SONG, June O.
Принадлежит:

A semiconductor device fabrication method according to an embodiment of the invention comprises: preparing a growth substrate having a single crystalline semiconductor film formed thereon, a support substrate and a temporary substrate; coupling the growth, support and temporary substrates by the medium of a functional wafer-bonded layer with the support substrate in-between; removing the growth substrate from the single crystalline semiconductor film; and removing the temporary substrate from the support substrate.

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14-09-2017 дата публикации

SEMICONDUCTOR ELEMENT, DISPLAY PANEL, AND DISPLAY PANEL PRODUCTION METHOD

Номер: WO2017155284A1
Автор: LEE, Sang Youl, KIM, Chung Song, MOON, Ji Hyung, PARK, Sun Woo, SONG, June O
Принадлежит:

The semiconductor element according to an embodiment comprises: a light-emitting structure comprising a p-type semiconductor layer, an active layer disposed under the p-type semiconductor layer, and an n-type semiconductor layer disposed under the active layer; a protective layer disposed on the side surface and upper surface of the light-emitting structure; a p-type contact layer disposed over the p-type semiconductor layer; and an n-type contact layer disposed under the n-type semiconductor layer, wherein: the width of the lower surface of the n-type semiconductor layer is provided greater than that of the lower surface of the p-type semiconductor layer; the width of the upper surface of the n-type contact layer is provided greater than that of the upper surface of the n-type semiconductor layer; and the angle between the lower surface of the n-type semiconductor layer and the side surface of the light-emitting structure may be 30-80 degrees.

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25-04-2019 дата публикации

LIGHT-EMITTING ELEMENT PACKAGE

Номер: WO2019078575A1
Автор: SONG, June O, KIM, Ki Seok, KIM, Won Jung
Принадлежит:

A light-emitting element package according to an embodiment may comprise: a first frame comprising a first opening that penetrates the upper and lower surfaces thereof; a second frame which is spaced apart from the first frame, and which comprises a second opening; first and second conductive layers arranged in the first and second openings, respectively; a body arranged between the first and second frames; a first resin arranged on the body; and a light-emitting element arranged on the first resin. According to an embodiment, the light-emitting element may comprise a first bonding portion electrically connected to the first frame and a second bonding portion spaced apart from the first bonding portion and electrically connected to the second frame, and the first and second bonding portions may be arranged in the first and second openings, respectively. According to an embodiment, the first and second frames may comprise first and second metal layers having third and fourth openings that ...

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19-10-2022 дата публикации

박막 트랜지스터 기판, 이를 포함하는 표시패널 및 표시장치

Номер: KR102456552B1
Автор: 이상열, 김청송, 문지형, 박선우, 송준오
Принадлежит: 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드

... 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은, 기판; 기판 위에 배치되며, 질화물계 반도체층을 포함하는 제1 채널층, 제1 채널층의 제1 영역에 전기적으로 연결된 제1 소스 전극, 제1 채널층의 제2 영역에 전기적으로 연결된 제1 드레인 전극, 제1 채널층 위에 배치된 제1 게이트 전극, 제1 채널층과 제1 게이트 전극 사이에 배치된 제1 디플리션 형성층, 제1 채널층 아래에 배치된 제1 이중 게이트 전극을 포함하는 스위칭 박막 트랜지스터; 기판 위에 배치되며, 질화물계 반도체층을 포함하는 제2 채널층, 제2 채널층의 제1 영역에 전기적으로 연결된 제2 소스 전극, 제2 채널층의 제2 영역에 전기적으로 연결된 제2 드레인 전극, 제2 채널층 위에 배치된 제2 게이트 전극, 제2 채널층과 제2 게이트 전극 사이에 배치된 제2 디플리션 형성층, 제2 채널층 아래에 배치된 제2 이중 게이트 전극을 포함하는 구동 박막 트랜지스터; 를 포함할 수 있다.

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Номер записи: 41
14-10-2022 дата публикации

박막 트랜지스터 기판, 이를 포함하는 표시패널 및 표시장치

Номер: KR102455093B1
Автор: 이상열, 김청송, 문지형, 박선우, 송준오
Принадлежит: 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드

... 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은, 기판; 기판 위에 배치되며, 질화물계 반도체층을 포함하는 채널층, 채널층의 제1 영역에 전기적으로 연결된 소스 전극, 채널층의 제2 영역에 전기적으로 연결된 드레인 전극, 채널층 위에 배치된 제1 게이트 전극, 채널층과 상기 제1 게이트 전극 사이에 배치된 디플리션 형성층, 채널층 아래에 배치된 제2 게이트 전극을 포함하는 박막 트랜지스터; 를 포함할 수 있다.

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Номер записи: 42
15-10-2009 дата публикации

LIGHT-EMITTING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер: WO2009125983A3
Автор: SONG, June, O
Принадлежит:

A light-emitting device disclosed in the embodiment of this invention includes: a first conductive semiconductor layer, an active layer on the first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer on the active layer, a current-spreading layer of the second conductive semiconductor layer, a first electrode layer on the first conductive semiconductor layer, and a second electrode layer on the current-spreading layer.

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Номер записи: 43
01-06-2017 дата публикации

발광소자

Номер: KR0101742617B1
Автор: 정환희, 이상열, 송준오, 최광기
Принадлежит: 엘지이노텍 주식회사

... 실시예는 제1 도전형 반도체층과 활성층과 제2 도전형 반도체층 및 상기 제1 도전형 반도체층 상의 제1 전극을 포함하는 제1 발광 구조물; 제1 도전형 반도체층과 활성층과 제2 도전형 반도체층 및 상기 제1 도전형 반도체층 상의 제1 전극을 포함하는 제2 발광 구조물; 및 상기 제1 발광 구조물의 제2 도전형 반도체층과 상기 제2 발광 구조물의 제2 도전형 반도체층에 공통된 제2 전극을 포함하는 발광 소자를 제공한다.

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Номер записи: 44
02-01-2019 дата публикации

반도체 소자 패키지

Номер: KR1020190000032A
Автор: 문지형, 송준오, 한명호
Принадлежит:

... 실시 예는, 기판; 상기 기판의 제1면에 배치되는 복수 개의 제1 반도체 구조물; 상기 기판의 제2면에 배치되는 복수 개의 제2 반도체 구조물; 상기 복수 개의 제1 반도체 구조물을 전기적으로 연결하는 제1 연결전극; 상기 복수 개의 제2 반도체 구조물을 전기적으로 연결하는 제2 연결전극; 상기 기판과 상기 복수 개의 제1반도체 소자 사이에 배치되는 제1 접합층; 및 상기 기판과 상기 복수 개의 제2 반도체 구조물 사이에 배치되는 제2 접합층을 포함하고, 상기 제1 접합층의 용융점은 상기 제2 접합층의 용융점보다 높은 반도체 소자 패키지를 개시한다.

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Номер записи: 45
06-12-2017 дата публикации

LIGHT EMITTING DEVICE

Номер: KR1020170133746A
Автор: PARK, SUN WOO, KIM, CHUNG SONG, MOON, JI HYUNG, SONG, JUNE O, LEE, SANG YOUL, HAN, MYUNG HO
Принадлежит:

Provided is a light emitting device which can prevent an electrode pad from being damaged, and can reduce the thickness of a chip. According to an embodiment of the present invention, the light emitting device comprises: a light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer, and an active layer arranged between the first and second conductive semiconductor layers; an insulating layer arranged under the second conductive semiconductor layer; first and second electrode pads arranged by separating from each other under the insulating layer; a first electrode passing through the light emitting structure and the insulating layer, and connected to the first electrode pad; and a passivation layer arranged between the first electrode and the light emitting structure. The first electrode is in contact with the first conductive semiconductor layer by passing through the passivation layer. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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Номер записи: 46
24-12-2018 дата публикации

SEMICONDUCTOR ELEMENT AND SEMICONDUCTOR ELEMENT PACKAGE

Номер: KR1020180136053A
Автор: KANG, DAE SUNG, MOON, JI WOOK, SONG, KI YOUNG, SONG, JUNE O, OH, JEONG TAK
Принадлежит:

The present invention relates to a semiconductor element capable of emitting at least two color light to minimize the size thereof and a semiconductor element package. The semiconductor element comprises: a first wavelength conversion layer on a substrate; a first semiconductor layer on the first wavelength conversion layer; an active layer on the first semiconductor layer; a second semiconductor layer on the active layer; a first electrode electrically connected to the first semiconductor layer; and a second electrode electrically connected to the second semiconductor layer, wherein an active layer can emit light in a first wavelength area, the first wavelength conversion layer can be formed of two different semiconductor layers, the first wavelength conversion layer can emit light in a second wavelength area by light in the first wavelength range generated in the active layer, and the first wavelength area and the second wavelength area can be different from each other. COPYRIGHT KIPO ...

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Номер записи: 47
22-12-2022 дата публикации

비발광 3족 질화물 반도체 적층체를 제조하는 방법

Номер: KR20220168121A
Автор: 송준오
Принадлежит:

... 본 개시는 비발광 3족 질화물 반도체 적층체를 제조하는 방법에 있어서, 실리콘(Si)을 함유하는 성장 기판을 준비하는 단계; 성장 기판에 복수의 돌기를 형성하는 단계; 성장 기판에 복수의 돌기를 덮도록 제1 버퍼층을 성장하는 단계; 제1 버퍼층 위에 복수의 성장 방지막을 형성하는 단계; 성장 방지막을 통해 노출된 제1 버퍼층으로부터 제2 버퍼층을 성장하는 단계; 그리고, 제2 버퍼층 위에 비발광 3족 질화물 반도체 적층체를 형성하는 단계;를 포함하는, 비발광 3족 질화물 반도체 적층체를 제조하는 방법에 관한 것이다.

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Номер записи: 48
13-05-2024 дата публикации

칼라필터가 불필요한 수직 적층형 마이크로디스플레이 패널 및 그 제조 방법

Номер: KR102665039B1
Автор: 송준오, 문지형
Принадлежит: 웨이브로드 주식회사

... 본 발명은 칼라필터가 불필요한 수직 적층형 마이크로디스플레이 패널 에 관한 것으로, 상면에 복수의 CMOS 전극 패드가 정렬된 백 웨이퍼; 상기 백 웨이퍼 위에 복수의 발광부와 접합층이 수직 방향으로 적층되며, 복수의 상기 CMOS 전극 패드 상에 각각 정렬되는 복수의 LED 적층체; 및 복수의 상기 LED 적층체 위에 형성된 공통전극을 포함하고, 복수의 상기 LED 적층체 각각은, 복수의 상기 발광부 중 적어도 하나의 상기 발광부에서 생성된 광을 차단시키거나, 복수의 상기 발광부 중 적어도 하나의 상기 발광부에 쇼트(Short) 통로가 형성되어 상기 발광부로 전류가 주입되지 않도록 전류를 우회시킴으로써 특정 색만을 발광하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 본 발명에 따르면, 수직 적층된 탠덤(Tandem) 구조를 채용함에도 불구하고 칼라필터가 불필요하게 되므로, 마이크로디스플레이의 색질이 대폭적으로 향상될 수 있으며, 공정 복잡성 및 생산성이 대폭적으로 개선될 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면, 정렬 이슈가 존재하는 기존의 모노리식 집적화 방식 또는 혼성화 방식과 다르게, 엔지니어링 모노리식 에피택시 웨이퍼 상의 적층체를 식각하여 기 설정된 단위로 분리시킴으로써 복수의 LED 적층체가 복수의 CMOS 전극 패드 상에 정렬되도록 하므로, 6인치 이하의 소구경 웨이퍼 뿐만 아니라, 8인치 이상의 대구경 웨이퍼를 이용할 수 있게 되어 제품의 수율이 대폭적으로 증대될 수 있는 효과가 있다.

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Номер записи: 49
08-05-2024 дата публикации

반도체 성장용 템플릿을 이용한 전력반도체 소자 제조 방법

Номер: KR20240061586A
Автор: 송준오, 윤형선, 한영훈, 문지형
Принадлежит:

... 본 발명은 반도체 성장용 템플릿을 이용한 전력반도체 소자 제조 방법에 관한 것으로, 제1 성장기판과 제2 성장기판을 준비하는 준비단계; 상기 제1 성장기판과 상기 제2 성장기판을 본딩층을 통해 접합시키는 접합단계; 상기 제2 성장기판이 시드층으로 기능하도록, 상기 제2 성장기판을 초박형(Ultra-thin)으로 성형하여 템플릿을 제조하는 성형단계; 및 상기 템플릿의 상기 제2 성장기판 위에 전력반도체 소자를 형성시키는 소자형성단계를 포함한다. 본 발명에 따르면, 초박형(Ultra-thin Type)의 사파이어 시드층을 포함하는 반도체 성장용 템플릿을 이용하여 전력반도체 소자를 제조함으로써, 고방열 지지기판이 접합된 전력반도체 소자의 결함이 대폭적으로 저감될 수 있다.

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Номер записи: 50
16-05-2019 дата публикации

LIGHT-EMITTING DEVICE PACKAGE

Номер: WO2019059690A3
Автор: LIM, Chang Man, SONG, June O, KIM, Won Jung
Принадлежит:

A semiconductor device package comprises: a light-emitting device disposed above a body; and at least one resin disposed between the body and the light-emitting device. The body may comprise: first and second opening parts passing through the body from the upper surface of the body; and at least one recess concavely formed from the upper surface of the body towards the lower surface of the body. The light-emitting device may comprise: a first bonding part disposed above the first opening part; and a second bonding part disposed above the second opening part. The at least one recess may be disposed between the first and second opening parts, and along the circumferences of the first and second opening parts. The at least one resin may be provided to the at least one recess. The at least one resin may comprise a reflective material.

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Номер записи: 51
13-06-2019 дата публикации

LIGHT-EMITTING ELEMENT PACKAGE AND LIGHT SOURCE DEVICE

Номер: WO2019112250A1
Автор: KIM, Won Jung, SONG, June O, LIM, Chang Man, KIM, Ki Seok
Принадлежит:

A light-emitting element package provided by an embodiment comprises: a first frame having a first through-hole; a second frame having a second through-hole; a body disposed between the first and second frames; and a light-emitting element disposed on each of the first and second frames, wherein each of the first and second through-holes has a lower surface larger in area than an upper surface, the first through-hole has upper and lower surfaces, the centers of which may not be aligned with each other in the vertical direction, and the second through-hole has upper and lower surfaces, the centers of which may be not be aligned with each other in the vertical direction.

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30-03-2018 дата публикации

발광소자

Номер: KR0101843731B1
Автор: 정환희, 이상열, 송준오, 최광기
Принадлежит: 엘지이노텍 주식회사

... 실시예에 따른 발광소자는, 지지 기판과, 지지 기판상에 형성된 제1 전극층과, 제1 전극층 상에 형성되며 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함한 발광 구조물과, 발광 구조물 상에 형성된 투광성 전극층과, 투광성 전극층 상에 형성된 제3 반도체층, 및 제3 반도체층 상에 형성된 광 추출 구조를 포함한다.

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26-10-2022 дата публикации

발광소자 패키지 및 광원 장치

Номер: KR102459103B1
Автор: 김원중, 김민식, 송준오, 임창만
Принадлежит: 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드

... 발명의 실시 예에 개시된 발광소자 패키지는, 하부에 제1 및 제2본딩부를 갖는 발광소자; 상기 발광소자 방향으로 돌출된 돌출부와, 상기 돌출부 내에 상기 제1본딩부와 대면하는 제1관통홀, 상기 제2본딩부와 대면하는 제2관통홀을 갖는 몸체; 상기 몸체의 상면, 상기 돌출부의 측면 및 상기 발광소자의 상면에 배치된 접착층; 및 상기 접착층 상에 배치된 몰딩부를 포함하며, 상기 몰딩부는 상기 발광소자를 감싸며, 상기 몰딩부는 상기 발광소자의 측면과 대면하는 복수의 측면을 포함할 수 있다.

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21-01-2019 дата публикации

발광소자 패키지

Номер: KR1020190006889A
Автор: 이태성, 송준오, 임창만
Принадлежит:

... 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 상면과 하면을 관통하는 제1 및 제2 개구부를 포함하는 몸체; 몸체 상에 배치된 발광소자; 및 반사물질을 포함하는 접착제; 를 포함하고, 몸체는 제1 개구부와 제2 개구부 사이에 배치되는 제1 리세스를 포함하고, 접착제는 제1 리세스에 배치될 수 있다. 실시 예에 의하면, 발광소자는, 제1 개구부 상에 배치된 제1 전극; 제2 개구부 상에 배치된 제2 전극; 제1 전극과 전기적으로 연결되는 제1 반도체층, 제2 전극과 전기적으로 연결되는 제2 반도체층, 및 제1 및 제2 반도체층 사이에 배치된 활성층을 포함하는 반도체 구조물; 및 반도체 구조물 상에 배치된 기판; 을 포함할 수 있다. 실시 예에 의하면, 제1 전극은 제1 방향으로 제1 개구부와 중첩되는 제1 본딩부 및 제1 본딩부에서 연장되는 제1 가지전극을 포함하고, 제2 전극은 제1 방향으로 제2 개구부와 중첩되는 제2 본딩부를 포함하고, 제1 방향은 몸체의 하면에서 몸체의 상면으로 향하는 방향이고, 제1 및 제2 본딩부의 면적의 합은 기판의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 제공될 수 있다.

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13-02-2019 дата публикации

반도체 소자 패키지 및 광원 장치

Номер: KR1020190014957A
Автор: 김기석, 박희정, 송준오, 임창만
Принадлежит:

... 실시 예에 개시된 반도체 소자 패키지는, 서로 이격되어 배치되는 제1 및 제2 프레임; 상기 제1 및 제2 프레임 사이에 배치되는 몸체; 및 상기 제1 및 제2 프레임 상에 배치되며, 반도체층, 상기 반도체층 상에 배치되는 제1 및 제2 전극을 포함하는 반도체 소자; 를 포함하고, 상기 제1 및 제2 프레임은 다수의 기공을 갖는 제1 금속층을 포함하며, 상기 제1 및 제2 프레임의 제1 금속층은 상기 제1 및 제2 전극과 중첩하는 각각의 영역에 형성되는 결합부를 포함할 수 있다.

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04-01-2019 дата публикации

발광소자 패키지 및 광원 장치

Номер: KR1020190001384A
Автор: 이태성, 송준오, 임창만
Принадлежит:

... 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 서로 이격되어 배치된 제1 및 제2 프레임; 제1 및 제2 프레임 사이에 배치된 몸체; 제1 및 제2 프레임과 전기적으로 연결되는 발광소자; 몸체와 발광소자 사이에 배치된 제1 접착제; 및 제1 및 제2 프레임과 발광소자 사이에 배치된 제2 접착제; 를 포함하고, 제1 접착제는 몸체의 상면에 형성된 리세스에 배치되고, 제1 및 제2 접착제는 서로 다른 물질을 포함할 수 있다.

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30-06-2017 дата публикации

THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, DISPLAY PANEL INCLUDING SAME, AND DISPLAY DEVICE

Номер: KR1020170074619A
Автор: LEE, SANG YOUL, KIM, CHUNG SONG, MOON, JI HYUNG, PARK, SUN WOO, SONG, JUNE O
Принадлежит:

The present invention relates to a thin film transistor substrate. According to an embodiment of the present invention, the thin film transistor substrate comprises: a support substrate; a bonding layer disposed on the support substrate; a thin film transistor disposed on the bonding layer, and including a channel layer containing nitride-based semiconductor layer, a source electrode electrically connected to a first region of the channel layer, a drain electrode electrically connected to a second region of the channel layer, a first gate electrode disposed underneath the channel layer, a depletion formation layer disposed between the channel layer and the first gate electrode, and a second gate electrode disposed on the channel layer; and a pixel electrode disposed on the thin film transistor and electrically connected to the drain electrode of the thin transistor. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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06-12-2022 дата публикации

반도체 소자 및 제조 방법

Номер: KR102474696B1
Автор: 이건화, 송준오
Принадлежит: 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드

... 실시예는 반도체 소자에 관한 것으로서, 금속, 실리콘 또는 AlN으로 이루어지는 기판; 상기 기판 상에 배치되는 제1 도전형의 제1 반사층; 상기 제1 반사층 상에 배치되는 활성층; 상기 활성층 상에 배치되고 중앙부에 도전영역이 형성된 차단영역; 및 상기 차단영역 상에 배치되는 제2 도전형의 제2 반사층을 포함하고, 상기 도전영역의 둘레의 영역에서 상기 제2 반사층으로부터 상기 차단영역과 상기 활성층 및 상기 제1 반사층의 일부까지 메사 식각된다.

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Номер записи: 59
24-04-2023 дата публикации

비발광 3족 질화물 반도체 적층체를 제조하는 방법

Номер: KR20230054079A
Автор: 송준오
Принадлежит:

... 본 개시는 비발광 3족 질화물 반도체 적층체를 제조하는 방법에 있어서, 순차로 드레인 영역과 드리프트 영역을 성장하는 단계; 드리프트 영역의 일부를 제거하여 채널을 형성하는 단계; 그리고 일부가 제거된 드리프트 영역에 게이트 영역을 재성장하는 단계;를 포함하며, 재성장하는 단계에 앞서, 게이트 영역과 드리프트 영역 사이에 위치하는 개재층을 형성하는 단계;를 더 포함하는, 비발광 3족 질화물 반도체 적층체를 제조하는 방법에 관한 것이다.

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Номер записи: 60
22-10-2009 дата публикации

LIGHT-EMITTING DEVICE AND FABRICATING METHOD THEREOF

Номер: WO2009128669A3
Автор: SONG, June O
Принадлежит:

A light-emitting device according to an embodiment of the invention comprises a supporting substrate; a wafer-bond layer over the supporting substrate; a second electrode layer over the wafer-bond layer, the second electrode layer including a current blocking layer and a reflective current spreading layer; a current injection layer over the second electrode layer; a superlattice-structure layer over the current injection layer; a second conductive type semiconductor layer over the superlattice-structure layer; an active layer over the second conductive type semiconductor layer; a first conductive type semiconductor layer over the active layer; and a first electrode layer over the first conductive type semiconductor layer.

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Номер записи: 61
07-03-2019 дата публикации

LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND LIGHT SOURCE DEVICE

Номер: WO2019045506A1
Автор: KIM, Young Shin, SONG, June O, LIM, Chang Man, KIM, Won Jung, KIM, Ki Seok
Принадлежит:

A light emitting device package disclosed in an embodiment comprises first and second frames which are spaced apart from each other; a body which is disposed between the first and second frames; a light emitting device which includes first and second bonding portions at a lower portion thereof; and a first resin which is disposed between the body and the light emitting device, wherein the first frame may comprise a first protrusion portion which faces the first bonding portion of the light emitting device, the second frame may comprise a second protrusion portion which faces the second bonding portion of the light emitting device, and a first conductive layer may be included between the first frame and the first protrusion portion, and a second conductive layer may be included between the second frame and the second protrusion portion.

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Номер записи: 62
10-12-2018 дата публикации

LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND LIGHT SOURCE DEVICE

Номер: KR1020180131303A
Автор: LEE TAE SUNG, SONG JUNE O, LIM CHANG MAN
Принадлежит:

A light emitting device package according to an embodiment may include a body, a light emitting device disposed on the body, and an adhesive disposed between the body and the light emitting device. According to an embodiment of the present invention, the body includes first and second through holes penetrating from the upper surface of the body to the lower surface of the body, and a first recess recessed from the upper surface of the body toward the lower surface of the body. The first recess may be disposed between the first and second through holes. The adhesive may be disposed in the first recess. According to the embodiment, the light emitting device may include first and second electrodes overlapping the first and second through holes with respect to a first direction from the lower surface of the body toward the upper surface. It is possible to improve light extraction efficiency and electrical characteristics. COPYRIGHT KIPO 2019 ...

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06-12-2017 дата публикации

LIGHT EMITTING ELEMENT

Номер: KR1020170133717A
Автор: PARK, SUN WOO, KIM, CHUNG SONG, MOON, JI HYUNG, SONG, JUNE O, LEE, SANG YOUL, HAN, MYUNG HO
Принадлежит:

Provided is a display device which comprises: a pixel array; and a control unit. The display device can reduce the thickness, and can increase visibility. An embodiment of the present invention relates to the pixel array which comprises: a substrate; and a plurality of light emitting elements arranged in a matrix form by separating from each other on the substrate. Each of the light emitting elements includes: a light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer; an insulating layer arranged under the second conductive semiconductor layer; first and second electrode pads arranged by separating from each other under the insulating layer, and arranged on the substrate; a first electrode passing through the light emitting structure and the insulating layer, and connected to the first electrode pad; a second electrode arranged between the second conductive semiconductor layer and the second electrode pad; and ...

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Номер записи: 64
12-10-2017 дата публикации

SEMICONDUCTOR DEVICE, AND DISPLAY PANEL, DISPLAY DEVICE AND COMMUNICATION DEVICE INCLUDING SAME

Номер: KR1020170111930A
Автор: LEE, SANG YOUL, KIM, CHUNG SONG, MOON, JI HYUNG, PARK, SUN WOO, SONG, JUNE O
Принадлежит:

A semiconductor device according to an embodiment includes: a light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, an active layer disposed on the first conductive semiconductor layer, and a second conductive semiconductor layer disposed on the active layer; a transistor disposed on the light emitting structure and including a semiconductor layer, a source electrode, a gate electrode, and a drain electrode; a first electrode electrically connected to the first conductive semiconductor layer; and a second electrode disposed on the second conductive semiconductor layer and electrically connected to the drain electrode and the second conductive semiconductor layer. Accordingly, the present invention can improve light extraction efficiency. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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Номер записи: 65
18-08-2022 дата публикации

발광소자 패키지

Номер: KR102433841B1
Автор: 송준오, 김기석, 김원중
Принадлежит: 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드

... 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 상면과 하면을 관통하는 제1 개구부를 포함하는 제1 프레임 및 제1 프레임과 이격되고 제2 개구부를 포함하는 제2 프레임; 제1 및 제2 개구부 내에 각각 배치된 제1 및 제2 도전층; 제1 및 제2 프레임 사이에 배치된 몸체; 몸체 상에 배치된 제1 수지; 및 제1 수지 상에 배치된 발광소자; 를 포함할 수 있다. 실시 예에 의하면, 발광소자는 제1 프레임과 전기적으로 연결된 제1 본딩부 및 제1 본딩부와 이격되어 제2 프레임과 전기적으로 연결된 제2 본딩부를 포함하고, 제1 및 제2 본딩부는 제1 및 제2 개구부 상에 각각 배치될 수 있다. 실시 예에 의하면, 제1 및 제2 프레임은, 제1 및 제2 개구부 둘레에 상면과 하면을 관통하는 제3 및 제4 개구부를 갖는 제1 및 제2 금속층을 각각 포함하고, 제1 및 제2 본딩부의 수평 방향의 폭은 제1 및 제2 개구부 상면의 수평 방향의 폭보다 크게 제공될 수 있다.

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Номер записи: 66
28-04-2023 дата публикации

상이한 게이트 구조를 갖는 갈륨나이트라이드계 접합형 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조 방법

Номер: KR102526721B1
Автор: 송준오, 윤형선, 한영훈, 문지형
Принадлежит: 웨이브로드 주식회사

... 본 발명은 상이한 게이트 구조를 갖는 갈륨나이트라이드계 접합형 전계 효과 트랜지스터에 관한 것으로, 지지기판; 상기 지지기판의 일면에 배치되고, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층; 상기 지지기판과 상기 제1 반도체층의 사이에 배치되고, 상기 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지고 일면이 상기 제1 반도체층의 제1 면에 접하도록 배치되는 제2 반도체층; 상기 제1 반도체층의 제2 면에 접하도록 배치되는 소스전극; 상기 제1 반도체층의 제3 면에 접하도록 배치되는 드레인전극, 상기 지지기판과 상기 제2 반도체층의 사이에 배치되고, 상기 제2 반도체층의 타면에 접하도록 배치되는 제1 게이트전극; 및 상기 제1 반도체층의 상기 제2 면 측에 배치되는 제2 게이트전극을 포함하고, 상기 제1 면으로부터 상기 제3 면까지의 길이는, 상기 제1 면으로부터 상기 제2 면까지의 길이보다 긴 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 유기금속화학증착(Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD) 기법을 이용한 재성장 공정 없이, 후막 에피택시(Epitaxy) 성장 기법 및 레이저 리프트 오프(Laser Lift Off, LLO) 기법을 통해 전류 채널 게이트를 형성하고, 동시에 성능이 대폭적으로 개선될 수 있는 상이한 게이트 구조를 갖는 갈륨나이트라이드계 접합형 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조 방법을 제공할 수 있다.

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Номер записи: 67
17-05-2024 дата публикации

그룹3족 질화물 반도체 템플릿의 제조 방법

Номер: KR20240067808A
Автор: 송준오, 윤형선, 한영훈, 문지형
Принадлежит:

... 본 발명은 그룹3족 질화물 반도체 템플릿의 제조 방법에 관한 것으로, 성장기판 위에 상면이 질소 극성 표면(nitrogen polar surface)을 갖는 시드층을 성장시키는 성장단계; 상기 시드층 위에 보호층을 성막하는 성막단계; 본딩층을 통해 상기 보호층과 지지기판을 본딩시키는 본딩단계; 및 상기 성장기판을 제거하여 상기 시드층의 금속 극성 표면(metal polar surface)을 노출시키는 제거단계를 포함한다. 본 발명에 따르면, 유전체 본딩 및 에피택시 전사 공정을 통해 고내열성 및 고내식성을 가진 최종 지지기판의 상부에 격자상수 차이가 없는 동종의 시드층을 형성시킬 수 있으므로, 시드층 위에 성장되는 그룹3족 질화물 반도체 소자의 성능과 품질을 대폭적으로 개선할 수 있는 효과가 있다.

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Номер записи: 68
24-01-2018 дата публикации

DISPLAY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер: KR1020180008185A
Автор: LEE, SANG YOUL, KIM, CHUNG SONG, MOON, JI HYUNG, PARK, SUN WOO, SONG, JUNE O, HAN, MYUNG HO
Принадлежит:

An embodiment discloses a display device. The display device includes a display panel; at least one first light emitting element disposed on the display panel; at least one second light emitting element disposed on the display panel; and at least one third light emitting element disposed on the display panel. The first light emitting device and the third light emitting device are arranged to overlap in a first direction and a second direction. The first direction and the second direction intersect each other. The second light emitting element is not overlapped with the first light emitting element and the third light emitting element in the first direction and the second direction. Manufacturing costs can be reduced. COPYRIGHT KIPO 2018 ...

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Номер записи: 69
06-12-2017 дата публикации

LUMINESCENT DEVICE

Номер: KR1020170133758A
Автор: PARK, SUN WOO, KIM, CHUNG SONG, MOON, JI HYUNG, SONG, JUNE O, LEE, SANG YOUL, HAN, MYUNG HO
Принадлежит:

An embodiment of the present invention comprises: a luminescent structure including a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer, and an activate layer disposed between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer; a passivation layer disposed on the first conductive semiconductor layer; a first electrode disposed on the passivation layer, contacting to the first conductive semiconductor layer through the passivation layer at one end thereof, and expanded to the bottom of the luminescent structure by being expanded in a side portion direction of the luminescent structure at the other end thereof; a second electrode disposed at the bottom of the second conductive semiconductor layer; an electrode pad disposed at the bottom of the second electrode; and an insulating layer disposed at a side surface of the luminescent structure, wherein the other end of the first electrode is separated from the insulating layer that ...

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Номер записи: 70
14-10-2022 дата публикации

박막 트랜지스터 기판, 이를 포함하는 표시패널 및 표시장치

Номер: KR102455088B1
Автор: 이상열, 김청송, 문지형, 박선우, 송준오
Принадлежит: 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드

... 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은, 기판; 기판 위에 배치되며, 질화물계 반도체층을 포함하는 채널층, 채널층의 제1 영역에 전기적으로 연결된 소스 전극, 채널층의 제2 영역에 전기적으로 연결된 드레인 전극, 채널층 위에 배치된 게이트 전극, 채널층과 게이트 전극 사이에 배치된 디플리션 형성층을 포함하는 박막 트랜지스터를 포함할 수 있다.

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Номер записи: 71
07-09-2022 дата публикации

박막 트랜지스터 기판, 이를 포함하는 표시패널 및 표시장치

Номер: KR102441150B1
Автор: 이상열, 김청송, 문지형, 박선우, 송준오
Принадлежит: 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드

... 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은, 지지기판; 지지기판 위에 배치된 본딩층; 본딩층 위에 배치되며, 질화물계 반도체층을 포함하고 하부 면에 상부 방향으로 함몰된 리세스 영역을 갖는 채널층, 채널층의 하부 면 제1 영역에 전기적으로 연결된 소스 전극, 채널층의 하부 면 제2 영역에 전기적으로 연결된 드레인 전극, 채널층의 리세스 영역에 배치된 게이트 전극을 포함하는 박막 트랜지스터; 박막 트랜지스터 위에 배치되며 박막 트랜지스터의 드레인 전극에 전기적으로 연결된 화소전극; 을 포함할 수 있다.

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Номер записи: 72
07-03-2023 дата публикации

발광 소자 및 이를 포함하는 조명 장치 및 디스플레이 장치

Номер: KR20230031858A
Автор: 박선우, 김청송, 문지형, 송준오, 이상열, 한명호
Принадлежит:

... 실시 예는 제1 도전형 반도체층, 제1 도전형 반도체층 아래에 배치되는 활성층 및 활성층 아래에 배치되는 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물, 제2 도전형 반도체층 아래에 배치되는 제1 전극 패드, 제1 도전형 반도체층 상에 배치되는 상부 전극 및 제1 도전형 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형 반도체층을 관통하여 상부 전극과 제1 전극 패드를 서로 연결하는 관통 전극을 포함하는 제1 전극 및 제1 도전형 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형 반도체층을 관통하고 관통 전극을 감싸는 제1 패시베이션층을 포함하고, 제1 패시베이션층의 외주면의 직경은 제1 도전형 반도체층에서 제1 전극 패드를 향하는 방향으로 감소한다.

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Номер записи: 73
16-02-2023 дата публикации

비발광 3족 질화물 반도체 적층체

Номер: KR20230022482A
Автор: 송준오
Принадлежит:

... 본 개시는 비발광 3족 질화물 반도체 적층체에 있어서, 순차로 적층된 드레인 영역; 드리프트 영역; 및 게이트 영역; 드레인 영역에 전기적으로 연결되는 지지 기판; 게이트 영역에 전기적으로 연결되는 게이트 전극; 게이트 영역을 통해 노출된 드리프트 영역이 형성하는 채널에 전기적으로 연결되는 소스 전극; 게이트 전극과 소스 전극이 위치하는 적층체 전체를 덮고 있으며, 복수의 개구가 형성되어 있는 패시베이션 층; 복수의 개구 중 하나를 통해 게이트 전극에 전기적으로 연결되는 본딩용 게이트 전극; 그리고, 복수의 개구 중 다른 하나를 통해 소스 전극에 전기적으로 연결되는 본딩용 소스 전극;을 포함하는, 비발광 3족 질화물 반도체 적층체에 관한 것이다.

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Номер записи: 74
28-03-2019 дата публикации

LIGHT-EMITTING DEVICE PACKAGE

Номер: WO2019059690A2
Автор: LIM, Chang Man, SONG, June O, KIM, Won Jung
Принадлежит:

A semiconductor device package comprises: a light-emitting device disposed above a body; and at least one resin disposed between the body and the light-emitting device. The body may comprise: first and second opening parts passing through the body from the upper surface of the body; and at least one recess concavely formed from the upper surface of the body towards the lower surface of the body. The light-emitting device may comprise: a first bonding part disposed above the first opening part; and a second bonding part disposed above the second opening part. The at least one recess may be disposed between the first and second opening parts, and along the circumferences of the first and second opening parts. The at least one resin may be provided to the at least one recess. The at least one resin may comprise a reflective material.

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Номер записи: 75
03-12-2009 дата публикации

LIGHT EMITTING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

Номер: WO2009145465A3
Автор: SONG, June O
Принадлежит:

A light emitting device according to an embodiment of the present invention includes a base substrate; a reflective ohmic contact layer formed on the base substrate; a functional composite layer formed on the ohmic contact layer and including a process assistant region and ohmic contact regions divided by the process assistant region; and light emitting semiconductor layers formed on the ohmic contact regions and including a second conductive semiconductor layer, an active layer, and a first conductive semiconductor layer.

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Номер записи: 76
15-11-2017 дата публикации

발광 소자

Номер: KR0101798231B1
Автор: 정환희, 이상열, 문지형, 송준오, 최광기, 성태연, 정세연
Принадлежит: 엘지이노텍 주식회사

... 실시예에 따른 발광 소자는 제1 도전형의 반도체층과, 제2 도전형의 반도체층과, 상기 제1 도전형의 반도체층 및 상기 제2 도전형의 반도체층 사이에 활성층을 포함하는 발광 구조층; 상기 발광 구조층 상의 적어도 일부분에 배치되는 산화물 돌기; 및 상기 발광 구조층 및 산화물 돌기 상에 전류 퍼짐층을 포함한다.

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Номер записи: 77
06-01-2023 дата публикации

발광소자 패키지

Номер: KR102486038B1
Автор: 임창만, 송준오, 김기석
Принадлежит: 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드

... 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 제1 및 제2 프레임, 몸체, 발광소자, 제1 및 제2 도전부, 제1 및 제2 도전체를 포함할 수 있다. 실시 예에 의하면, 제1 및 제2 프레임은 서로 이격되어 배치되고, 제1 및 제2 개구부를 각각 포함할 수 있다. 몸체는 제1 및 제2 프레임 사이에 배치될 수 있다. 발광소자는 몸체 상에 배치되고, 제1 및 제2 본딩부를 포함할 수 있다. 제1 및 제2 도전부는 제1 및 제2 본딩부 아래에 배치될 수 있다. 제1 및 제2 도전체는 제1 및 제2 개구부 내에 각각 배치될 수 있다. 실시 예에 의하면, 제1 및 제2 도전부 각각은 제1 및 제2 본딩부에서 제1 및 제2 개구부 내로 연장되고, 제1 및 제2 도전체는 제1 및 제2 도전부와 제1 및 제2 프레임 사이에 각각 배치될 수 있다.

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Номер записи: 78
16-05-2024 дата публикации

반도체 소자, 표시패널, 표시장치 및 표시패널 제조방법

Номер: KR102666197B1
Автор: 이상열, 김청송, 문지형, 박선우, 송준오
Принадлежит: 엘지이노텍 주식회사

... 실시 예에 따른 반도체 소자는, p형 반도체층, p형 반도체층 아래에 배치된 활성층, 활성층 아래에 배치된 n형 반도체층을 포함하는 발광구조물; 발광구조물의 측면 및 상부 면에 배치된 보호층; p형 반도체층 위에 배치된 p형 접촉층; n형 반도체층 아래에 배치된 n형 접촉층; 을 포함하고, n형 반도체층의 하부 면의 폭이 p형 반도체층의 하부 면의 폭에 비해 더 크게 제공되고, n형 접촉층의 상부 면의 폭이 n형 반도체층의 상부 면의 폭에 비해 더 크게 제공되고, n형 반도체층의 하부 면과 발광구조물의 측면이 이루는 각도가 30도 내지 80도일 수 있다.

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22-05-2024 дата публикации

칼라필터가 불필요한 수직 적층형 마이크로디스플레이 패널 및 그 제조 방법

Номер: KR102668094B1
Автор: 송준오, 문지형
Принадлежит: 웨이브로드 주식회사

... 본 발명은 칼라필터가 불필요한 수직 적층형 마이크로디스플레이 패널 에 관한 것으로, 상면에 복수의 CMOS 전극 패드가 정렬된 백 웨이퍼; 상기 백 웨이퍼 위에 복수의 발광부와 접합층이 수직 방향으로 적층되며, 복수의 상기 CMOS 전극 패드 상에 각각 정렬되는 복수의 LED 적층체; 및 복수의 상기 LED 적층체 위에 형성된 공통전극을 포함하고, 복수의 상기 LED 적층체 각각은, 복수의 상기 발광부 중 적어도 하나의 상기 발광부에서 생성된 광을 차단시키거나, 상기 발광부의 외면을 따라 우회층이 형성되어 상기 발광부로 전류가 주입되지 않도록 전류를 우회시킴으로써 특정 색만을 발광하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 본 발명에 따르면, 수직 적층된 탠덤(tandem) 구조를 채용함에도 불구하고 칼라필터가 불필요하게 되므로, 마이크로디스플레이의 색질이 대폭적으로 향상될 수 있으며, 공정 복잡성 및 생산성이 대폭적으로 개선될 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면, 정렬 이슈가 존재하는 기존의 모노리식 집적화 방식 또는 혼성화 방식과 다르게, 엔지니어링 모노리식 에피택시 웨이퍼 상의 적층체를 식각하여 기 설정된 단위로 분리시킴으로써 복수의 LED 적층체가 복수의 CMOS 전극 패드 상에 정렬되도록 하므로, 6인치 이하의 소구경 웨이퍼 뿐만 아니라, 8인치 이상의 대구경 웨이퍼를 이용할 수 있게 되어 제품의 수율이 대폭적으로 증대될 수 있는 효과가 있다.

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09-05-2019 дата публикации

LIGHT-EMITTING DEVICE PACKAGE AND LIGHT SOURCE APPARATUS

Номер: WO2019088701A1
Автор: KIM, Won Jung, KIM, Ki Seok, SONG, June O, LIM, Chang Man
Принадлежит:

A light-emitting device package, disclosed in an embodiment, comprises: a package body including a first frame, a second frame, and a first body disposed between the first frame and the second frame; a second body disposed on the package body and including a cavity and a sub-cavity spaced from the cavity; a light-emitting device disposed in the cavity and including a first bonding part and a second bonding part; and a protective device disposed in the sub-cavity, wherein the package body and the second body may be coupled through an adhesive member.

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07-12-2016 дата публикации

발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템

Номер: KR0101683901B1
Автор: 정환희, 이상열, 송준오, 최광기
Принадлежит: 엘지이노텍 주식회사

... 실시예에 따른 발광소자는 전도성 지지기판; 상기 전도성 지지기판 상에 형성되고, 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조층; 상기 제1 도전형 반도체층 상에 전극; 및 상기 발광 구조층의 내부에 배치되는 내부 절연막을 포함하고, 상기 발광 구조층은 상기 발광 구조층의 상면으로부터 상기 제1 도전형 반도체층, 상기 활성층 및 상기 제2 도전형 반도체층이 제거된 일부 영역을 포함하고, 상기 내부 절연막은 상기 일부 영역의 측면에 배치되어 절연 영역을 형성한다.

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03-12-2009 дата публикации

LIGHT-EMITTING ELEMENT

Номер: WO2009145502A3
Автор: SONG, June O
Принадлежит:

According to an embodiment of this invention, a light emitting element comprises: a first electrically conductive semiconductor layer; an active layer on the first electrically conductive semiconductor layer; a second electrically conductive semiconductor layer on the active layer; a passivation layer wrapping around the first electrically conductive semiconductor layer, active layer and second electrically conductive semiconductor layer; a first light-extraction structural layer having a structure whereby it is welded onto the passivation layer; a first electrode layer which passes through the passivation layer and the first light-extraction structural layer and is electrically connected to the first electrically conductive semiconductor layer; and a second electrode layer which passes through the passivation layer and the first light-extraction structural layer and is electrically connected to the second electrically conductive semiconductor layer.

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Номер записи: 83
11-02-2019 дата публикации

반도체소자 패키지

Номер: KR1020190013196A
Автор: 이승재, 박희정, 송준오, 강대성, 문지욱, 송우석
Принадлежит:

... 반도체소자 패키지는 몸체, 제1 및 제2 리드프레임, 반도체소자 및 몰딩부재를 포함한다. 반도체소자는 제1 피크 파장의 광을 발광하는 제1 발광영역과 제1 발광영역의 아래에 배치되어 제2 피크 파장의 광을 발광하는 제2 발광영역을 포함할 수 있다. 제2 피크 파장의 광은 제1 피크 파장의 광에 의해 발광될 수 있다. 몰딩부재는 제3 피크 파장의 광을 생성하는 형광체를 포함할 수 있다. 제1 내지 제3 피크 파장은 서로 상이할 수 있다. 몰딩부재는 K2SiF6:Mn4+(KSF), (Ca,Sr)AlSiN3:Eu2+(CASN), (Sr,Ba)2Si5N8:Eu2+(SBSN), (Sr,Mg)4(GeSc)O3F2:Mn4+(SMGSOF) 및 Mg4(GeSc)O3F2:Mn4+(MGSOF)로 이루어지는 형광체 중 적어도 1종 이상을 포함할 수 있다.

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Номер записи: 84
26-02-2018 дата публикации

발광소자 및 그 발광 소자의 제조 방법

Номер: KR0101832305B1
Автор: 정환희, 이상열, 송준오, 최광기
Принадлежит: 엘지이노텍 주식회사

... 실시예는 제1 도전형 반도체층과 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물; 상기 제1 도전형 반도체층 상에 위치하는 전류 제한층; 및 상기 제1 도전형 반도체층 및 상기 전류 제한층의 적어도 일부를 감싸는 제1 전극을 포함하는 발광 소자 ...

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07-03-2019 дата публикации

LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND LIGHT SOURCE DEVICE HAVING SAME

Номер: WO2019045167A1
Автор: KIM, Won Jung, SONG, June O, KIM, Ki Seok, LIM, Chang Man
Принадлежит:

A light emitting device package disclosed in an embodiment may comprise: first to fourth frames spaced apart from each other; conductive layers disposed in first to fourth through holes passing through the top and bottom surfaces of the first to fourth frames, respectively; a body supporting the first to fourth frames; a first light emitting device which includes a first bonding portion electrically connected to the first frame and a second bonding portion electrically connected to the second frame; and a second light emitting device which includes a third bonding portion electrically connected to the third frame and a fourth bonding portion electrically connected to the fourth frame. Each of the first to fourth through holes may overlap with the first to fourth bonding portions in a vertical direction, and the first to fourth bonding portions may contact the conductive layers.

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Номер записи: 86
03-12-2009 дата публикации

LIGHT-EMITTING ELEMENT AND A PRODUCTION METHOD THEREFOR

Номер: WO2009145483A3
Автор: SONG, June O.
Принадлежит:

According to an embodiment of this invention, a light emitting element comprises: a supporting substrate; a reflective layer on the supporting substrate; an ohmic contact layer on the reflective layer; a light-emitting semiconductor layer comprising a second electrically conductive semiconductor layer, an active layer and a first electrically conductive semiconductor layer on the ohmic contact layer; a first passivation layer wrapping around the side surfaces of the light-emitting semiconductor layer; and a second passivation layer wrapping around the side surfaces of the first passivation layer and reflective layer.

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Номер записи: 87
19-07-2017 дата публикации

THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, AND DISPLAY PANEL AND DISPLAY DEVICE INCLUDING SAME

Номер: KR1020170083757A
Автор: LEE, SANG YOUL, KIM, CHUNG SONG, MOON, JI HYUNG, PARK, SUN WOO, SONG, JUNE O
Принадлежит:

According to an embodiment of the present invention, a thin film transistor substrate comprises: a substrate; a switching thin film transistor disposed on the substrate, and including a first channel layer including a nitride-based semiconductor layer, and having a first recessed region recessed downwardly on an upper surface thereof, a first source electrode electrically connected to a first region of the upper surface of the first channel layer, a first drain electrode electrically connected to a second region of the upper surface of the first channel layer, and a first gate electrode disposed on the first recessed region of the first channel layer; and a driving thin film transistor disposed on the substrate, and including a second channel layer including the nitride-based semiconductor layer, and having a second recessed region recessed downwardly on an upper surface thereof, a second source electrode electrically connected to a first region of the upper surface of the second channel ...

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Номер записи: 88
01-08-2018 дата публикации

SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGE AND LIGHT SOURCE MODULE

Номер: KR1020180086840A
Автор: MOON, JI HYUNG, PARK, SUN WOO, SONG, JUNE O, OH, SUN WOO, HAN, MYUNG HO
Принадлежит:

An embodiment of the present invention relates to a semiconductor device package and a light source module. According to an embodiment of the present invention, the semiconductor device package comprises: a semiconductor device emitting light; a wavelength conversion scattering unit arranged on an upper surface of the semiconductor device and four side surfaces surrounding the semiconductor device, receiving the light emitted by the semiconductor device to scatter the light, providing the light by converting a wavelength of the incident light, and emitting white light to the four side surfaces and an upper part; a transmission reflecting unit arranged on an upper surface of the wavelength conversion scattering unit, and reflecting a part of the white light incident from the wavelength conversion scattering unit and transmitting the part thereof. COPYRIGHT KIPO 2018 ...

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Номер записи: 89
26-09-2017 дата публикации

발광 소자

Номер: KR0101782081B1
Автор: 정환희, 이상열, 최광기, 송준오
Принадлежит: 엘지이노텍 주식회사

... 실시예는 제1 도전형 반도체층과 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물; 상기 제1 도전형 반도체층 상에 구비된 제1 오믹층과 제1 전극; 및 상기 제2 도전형 반도체층 상의 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 도전형 반도체층과 제1 오믹층의 컨택 영역에는 5% 원자비 이상의 산소 또는 50% 원자비 이상의 질소가 포함되는 발광소자를 제공한다.

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Номер записи: 90
14-10-2022 дата публикации

박막 트랜지스터 기판, 이를 포함하는 표시패널 및 표시장치

Номер: KR102455094B1
Автор: 이상열, 김청송, 문지형, 박선우, 송준오
Принадлежит: 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드

... 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은, 기판; 기판 위에 배치되며, 질화물계 반도체층을 포함하는 제1 채널층, 제1 채널층의 제1 영역에 전기적으로 연결된 제1 소스 전극, 제1 채널층의 제2 영역에 전기적으로 연결된 제1 드레인 전극, 제1 채널층 위에 배치된 제1 게이트 전극, 제1 채널층과 제1 게이트 전극 사이에 배치된 제1 디플리션 형성층을 포함하는 스위칭 박막 트랜지스터; 기판 위에 배치되며, 질화물계 반도체층을 포함하는 제2 채널층, 제2 채널층의 제1 영역에 전기적으로 연결된 제2 소스 전극, 제2 채널층의 제2 영역에 전기적으로 연결된 제2 드레인 전극, 제2 채널층 위에 배치된 제2 게이트 전극, 제2 채널층과 제2 게이트 전극 사이에 배치된 제2 디플리션 형성층을 포함하는 구동 박막 트랜지스터; 를 포함할 수 있다.

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Номер записи: 91
02-12-2022 дата публикации

발광소자 패키지

Номер: KR102473424B1
Автор: 김원중, 송준오, 김기석, 임창만
Принадлежит: 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드

... 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 상면, 하면, 상면과 하면을 연결하는 측면을 포함하고, 상면과 하면을 관통하는 제1 및 제2 개구부를 포함하는 몸체; 및 제1 및 제2 개구부 상에 각각 배치되는 제1 및 제2 본딩부를 포함하는 발광소자를 포함하고, 몸체는 하면에 제공된 리세스를 포함하고, 리세스는 제1 개구부 및 제2 개구부와 수직으로 중첩되고, 리세스는 몸체의 측면에 노출될 수 있다.

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Номер записи: 92
30-06-2017 дата публикации

발광소자 및 발광소자 제조방법

Номер: KR0101752663B1
Автор: 문지형, 이상열, 김청송, 최광기, 송준오
Принадлежит: 엘지이노텍 주식회사

... 본 발명의 실시예는 발광소자 및 발광소자 제조방법에 관한 것이다. 실시예의 발광소자는, 제2 도전형 반도체층, 활성층 및 제1 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물; 상기 발광 구조물 상에 형성되고 상기 제1 도전형 반도체층과 접하는 제1 전극층; 상기 발광 구조물의 아래에 형성되고 상기 제2 도전형 반도체층과 접하는 제2 전극층; 및 상기 발광구조물의 측면과 일부 영역이 접하고, 상기 제1 도전형 반도체층과 수직방향으로 적어도 일부 영역이 중첩되도록 형성되는 제1 보호층; 을 포함한다. 실시예에 따르면, 생산성을 향상시킬 수 있는 발광소자 및 발광소자 제조방법을 제공한다.

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Номер записи: 93
20-07-2018 дата публикации

SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR ELEMENT HAVING SAME

Номер: KR1020180083112A
Автор: KWON, OH MIN, SONG, JUNE O, OH, JEONG TAK, BONG, HA JONG, KIM, DAE SIK, BUN, DONG JIN, JEONG, WOO SEOP
Принадлежит:

An embodiment of the present invention relates to a substrate, a semiconductor element, a light emitting element package and a lighting device. According to an embodiment of the present invention, the substrate comprises: a growth substrate having an uneven structure on an upper part thereof; and a first semiconductor layer located on the uneven structure on the growth substrate. An air void is included between the growth substrate and the first semiconductor layer. The air void is located between the uneven structures. Therefore, light extraction efficiency can be improved. COPYRIGHT KIPO 2018 ...

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Номер записи: 94
01-10-2018 дата публикации

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер: KR1020180106163A
Автор: PARK, SUN WOO, SONG, JUNE O, HAN, MYUNG HO
Принадлежит:

The present invention relates to a semiconductor device applied to an electronic component such as an LED or the like, and more specifically, to a semiconductor device which has a curved surface of a wavelength conversion layer arranged on the upper surface of a light emitting device included in the semiconductor device to enhance the light output being output to the outside from the semiconductor device, increase the light reflection ratio by realizing a metal layer surrounding the wavelength conversion layer with a metal material, and output the light emitted from the light emitting device to the wavelength conversion layer arranged on the upper surface of the light emitting device. One objective of the present invention is to enhance the light output being output to the semiconductor device by forming the curved surface of the wavelength conversion layer arranged on the upper surface of the light emitting device. According to the present invention, the semiconductor device includes: ...

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Номер записи: 95
17-10-2022 дата публикации

발광소자 및 발광소자 패키지

Номер: KR102455096B1
Автор: 이상열, 김원중, 문지형, 박선우, 송준오, 임창만, 한명호
Принадлежит: 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드

... 실시예는 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명장치에 관한 것이다. 실시예에 따른 발광소자는 기판; 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하며 상기 기판 상에 배치된 발광구조물; 상기 제2 도전형 반도체층의 일부와 상기 활성층의 일부가 제거되어 노출된 상기 제1 도전형 반도체층의 상면에 배치된 제1 전극; 상기 제2 도전형 반도체층 상에 배치된 제2 전극; 상기 제1 전극 상에 배치된 제1 범프; 상기 제2 전극 상에 배치된 제2 범프; 상기 발광구조물 상에 배치된 제1 몰딩부;를 포함할 수 있다. 상기 제1 몰딩부는 광 반사성 몰딩부를 포함할 수 있고, 상기 제1 몰딩부는 반사재(161a)를 포함할 수 있다.

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Номер записи: 96
21-10-2022 дата публикации

반도체 발광소자용 지지 기판을 제조하는 방법

Номер: KR102457271B1
Автор: 송준오
Принадлежит: 웨이브로드 주식회사

... 본 개시는 제1 전극 및 제2 전극을 구비하는 반도체 발광소자를 지지하는 반도체 발광소자용 지지 기판에 있어서, 상면과 하면을 구비하며, 상면에서 반도체 발광소자를 지지하는 몸체; 몸체에 매입되어 있는 제1 도전성 포일 전극과 제2 도전성 포일 전극; 상면으로부터 각각 제1 도전성 포일 전극과 제2 도전성 포일 전극으로 이어져 있는 제1 상부홈과 제2 상부홈; 하면으로부터 각각 제1 도전성 포일 전극과 제2 도전성 포일 전극으로 이어져 있는 제1 하부홈과 제2 하부홈; 그리고, 각각이 제1 도전성 포일 전극과 제2 도전성 포일 전극으로부터 제1 하부홈과 제2 하부홈을 거쳐 하면으로 이어져 있는 제1 확장 전극과 제2 확장 전극;을 포함하는 반도체 발광소자용 지지 기판에 관한 것이다.

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Номер записи: 97
19-08-2022 дата публикации

반도체 소자

Номер: KR102434368B1
Автор: 이상열, 송준오, 오정탁
Принадлежит: 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드

... 실시 예는, 복수 개의 발광부를 포함하는 반도체 구조물; 상기 복수 개의 발광부 상에 배치되는 절연층; 및 상기 복수 개의 발광부를 전기적으로 연결하는 연결전극을 포함하고, 상기 복수 개의 발광부는 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하고, 상기 반도체 구조물은 상기 복수 개의 발광부의 측면에 형성된 절연영역을 포함하고, 상기 절연층은 상기 절연영역 상에 배치되고, 상기 절연영역은 이온(ion)이 주입되어 형성되는 반도체 소자를 개시한다.

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Номер записи: 98
14-09-2022 дата публикации

반도체 발광소자용 지지 기판

Номер: KR20220124421A
Автор: 송준오
Принадлежит:

... 본 개시는 제1 전극 및 제2 전극을 구비하는 반도체 발광소자를 지지하는 반도체 발광소자용 지지 기판에 있어서, 상면과 하면을 구비하며, 상면에서 반도체 발광소자를 지지하는 몸체; 몸체에 매입되어 있는 제1 도전성 포일 전극과 제2 도전성 포일 전극; 상면으로부터 각각 제1 도전성 포일 전극과 제2 도전성 포일 전극으로 이어져 있는 제1 상부홈과 제2 상부홈; 하면으로부터 각각 제1 도전성 포일 전극과 제2 도전성 포일 전극으로 이어져 있는 제1 하부홈과 제2 하부홈; 그리고, 각각이 제1 도전성 포일 전극과 제2 도전성 포일 전극으로부터 제1 하부홈과 제2 하부홈을 거쳐 하면으로 이어져 있는 제1 확장 전극과 제2 확장 전극;을 포함하는 반도체 발광소자용 지지 기판에 관한 것이다.

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Номер записи: 99
14-04-2023 дата публикации

반도체 소자, 이를 포함하는 표시패널, 표시장치, 통신장치

Номер: KR20230050306A
Автор: 이상열, 김청송, 문지형, 박선우, 송준오
Принадлежит:

... 실시 예에 따른 반도체 소자는, 제1 도전형 반도체층, 제1 도전형 반도체층 위에 배치된 활성층, 활성층 위에 배치된 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물; 발광구조물 위에 배치되며, 반도체층, 소스 전극, 게이트 전극, 드레인 전극을 포함하는 트랜지스터; 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 제1 전극; 제2 도전형 반도체층 위에 배치되며, 드레인 전극과 제2 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 제2 전극; 을 포함할 수 있다.

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Номер записи: 100