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Космические корабли и станции, автоматические КА и методы их проектирования, бортовые комплексы управления, системы и средства жизнеобеспечения, особенности технологии производства ракетно-космических систем

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18-08-2017 дата публикации

MEMBRANE STRUCTURE MANUFACTURING METHOD, MEMBRANE STRUCTURE, AND PATTERN FORMING METHOD

Номер: KR1020170094541A
Принадлежит:

Provided are a membrane structure manufacturing method, a membrane structure thereby, a pattern forming method using the membrane structure, and a semiconductor element manufactured by the pattern forming method. The membrane structure manufacturing method comprises the steps of: applying a first composition containing an organic compound on a substrate having a plurality of patterns to form a first organic layer; removing a part of the first organic layer by applying a solvent to the first organic layer; and forming a second organic layer by applying a second composition containing an organic compound on the first organic layer and performing a curing process. Therefore, the membrane structure can exhibit excellent planarization characteristics without an extra etchback process or a chemical mechanical polishing process. COPYRIGHT KIPO 2017 (S1) Step of applying a first composition on a substrate to form a first organic layer (S2) Step of removing a part of the first organic layer by applying ...

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19-10-2016 дата публикации

COMPOSITION FOR ORGANIC FILMS, ORGANIC FILM, AND PATTERN FORMATION METHOD

Номер: KR1020160121283A
Принадлежит:

The present invention relates to a composition for organic films, including: a polymer including a portion represented by chemical formula 1; a monomer represented by chemical formula 2, and a solvent. The present invention further relates to an organic film produced by the composition of the present invention, and to a pattern formation method using the composition. The definition of chemical formula 1 and 2 is the same as described in the description. According to the present invention, it is possible to produce organic films securing etching resistance, heat resistance, and flattening properties. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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30-04-2018 дата публикации

WATERMARK INSERTING APPARATUS, WATERMARK DETECTING APPARATUS AND METHOD THEREOF

Номер: KR1020180043725A
Принадлежит:

Disclosed are a watermark inserting apparatus, a watermark detecting apparatus and a method thereof. The watermark inserting method comprises the following steps: aligning a 3D model in the printing direction based on the stacking direction of a stacked 3D model; and inserting watermarks of a predetermined pattern in the direction orthogonal to the printing direction in the aligned 3D model to prevent the watermark to be inserted from being related to the printing direction. COPYRIGHT KIPO 2018 ...

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01-10-2015 дата публикации

MONOMER, HARDMASK COMPOSITION COMPRISING MONOMER AND METHOD FOR FORMING PATTERN USING HARDMASK COMPOSITION

Номер: KR1020150109225A
Принадлежит:

The present invention relates to a monomer for a hardmask composition expressed by chemical formula 1, a hardmask composition comprising the monomer, and a method for forming a pattern using the hardmask composition. The definition of A, B, B′, L, L′, X and X′ are the same as defined in the specification. COPYRIGHT KIPO 2015 ...

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21-11-2016 дата публикации

MONOMER FOR HARDMASK COMPOSITION, HARDMASK COMPOSITION COMPRISING MONOMER, AND METHOD FOR FORMING PATTERN USING HARDMASK COMPOSITION

Номер: KR1020160132803A
Принадлежит:

The present invention relates to a monomer for a hardmask composition, a hardmask composition comprising the monomer, and to a method for forming a pattern using the same. In chemical formula 1, the definitions of A, A′, L, X, X′, X″, k, m and n are the same as defined in the specification. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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05-12-2019 дата публикации

ELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR DISPLAYING OBJECT ASSOCIATED WITH EXTERNAL ELECTRONIC DEVICE ON BASIS OF POSITION AND MOVEMENT OF EXTERNAL ELECTRONIC DEVICE

Номер: WO2019231090A1
Принадлежит:

An electronic device according to various embodiments of the present disclosure comprises one or more cameras having a designated field of view, a display, a communication circuit and a processor. The processor can be configured so as to confirm an external electronic device among one or more external objects comprised in the designated field of view by means of the camera, display a graphical object corresponding to the external electronic device by means of the display on the basis of first position information of the external electronic device confirmed at least on the basis of the image information obtained by means of the camera, and, if the external electronic device is outside the designated field of view, display the graphical object by means of the display on the basis of second position information of the external electronic device confirmed by means of the camera before the external electronic device has moved outside the designated field of view and information relating to the ...

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19-10-2015 дата публикации

HARDMASK COMPOSITION, AND PATTERN FORMING METHOD BY USING HARDMASK COMPOSITION

Номер: KR1020150117174A
Принадлежит:

The present invention relates to a hard mask composition comprising: a polymer comprising a structural unit represented in the chemical formula 1 and a structural unit represented in the chemical formula 2; and a solvent. [Chemical formula 1] [Chemical formula 2] In the formula l 1 and 2, Ar 1, Ar 2, M 1 and M2 are the same as defined in the specification. COPYRIGHT KIPO 2016 (A□) Calculation formula 1 ...

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04-04-2017 дата публикации

POLYMER, ORGANIC FILM COMPOSITION, AND PATTERN FORMATION METHOD

Номер: KR1020170037441A
Принадлежит:

The present invention relates to a polymer consisting of a structural unit represented by chemical formula 1 and a structural unit represented by chemical formula 2. The present invention further relates to an organic film composition containing the polymer, and to a pattern formation method using the organic film composition. According to the present invention, it is possible to provide organic film materials securing gap-filling and flattening properties as well as mechanical properties such as etching resistance and film density. The detailed description of the chemical formulas 1 and 2 is the same as defined in the present specification. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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12-12-2016 дата публикации

ORGANIC LAYER COMPOSITION, ORGANIC LAYER, AND METHOD FOR FORMING PATTERN

Номер: KR1020160142105A
Принадлежит:

The present invention relates to an organic layer composition, an organic layer formed from the organic layer composition, and a method for forming a pattern using the organic layer composition. The organic layer composition comprises: a first compound having a thermal contraction rate of 10-70%; a second compound having a thermal contraction rate smaller than the thermal contraction rate of the first compound; and a solvent. A method to measure the thermal contraction rate is the same as described in the specification. COPYRIGHT KIPO 2016 (AA) Formula 2 (BB) Drop value = Layer thickness in a peri area (h1) - Layer thickness in central point of a cell (h2) ...

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07-01-2016 дата публикации

COMPOSITION FOR FORMING SILICA BASED INSULATING LAYER COMPRISING SAME, SILICA BASED INSULATING LAYER AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICA BASED INSULATING LAYER

Номер: KR0101583225B1
Принадлежит: 제일모직 주식회사

... 열에 의해 분해될 수 있는 보호기로 보호되어 있는 열염기 발생제를 포함하는 실리카계 절연층 형성용 조성물을 제공한다. 상기 실리카계 절연층 형성용 조성물은 고온에서 산화반응에 의해 치밀한 실리카 글래스로 전환되었을 때, 기재의 수축률 및 실리카계 절연층의 수축률을 감소시키고, 보관안정성을 개선시킬 수 있다.

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19-10-2017 дата публикации

모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법

Номер: KR0101788093B1
Принадлежит: 제일모직 주식회사

... 하기 화학식 1로 표현되는 하드마스크 조성물용 모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용한 패턴 형성 방법에 관한 것이다. [화학식 1] A, B, B′, L, L′, X 및 X′의 정의는 명세서에 기재된 바와 같다.

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01-10-2015 дата публикации

COMPOSITION FOR FORMING SILICA BASED INSULATING LAYER, METHOD FOR MANUFACTURING COMPOSITION FOR FORMING SILICA BASED INSULATING LAYER, SILICA BASED INSULATING LAYER AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICA BASED INSULATING LAYER

Номер: KR0101556672B1
Принадлежит: 제일모직 주식회사

... 수소화폴리실라잔 또는 수소화폴리실록사잔을 포함하며, 중량 평균 분자량 400 이하의 환형 화합물의 농도가 1200ppm 이하인 실리카계 절연층 형성용 조성물을 제공한다. 상기 실리카계 절연층 형성용 조성물은 실리카계 절연층 형성 시 두께 산포를 감소시킬 수 있으며, 이로써 반도체 제조 공정시 화학적 연마(CMP) 공정 후 막 결함을 줄일 수 있다.

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04-12-2017 дата публикации

중합체, 유기막 조성물, 유기막, 및 패턴형성방법

Номер: KR0101804257B1
Принадлежит: 삼성에스디아이 주식회사

... 화학식 1로 표현되는 부분을 포함하는 중합체, 상기 중합체를 포함하는 유기막 조성물, 상기 유기막 조성물로부터 제조된 유기막, 및 상기 유기막 조성물을 사용하는 패턴형성방법에 관한 것이다. 상기 화학식 1의 정의는 명세서 내에 기재한 바와 같다.

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17-10-2016 дата публикации

하드마스크 조성물용 모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법

Номер: KR0101666484B1
Принадлежит: 제일모직 주식회사

... 하기 화학식 1로 표현되는 하드마스크 조성물용 모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 이를 사용한 패턴 형성 방법에 관한 것이다. [화학식 1] 상기 화학식 1에서, A, A', A″, L, L', X, X′, m 및 n은 명세서에서 정의한 바와 같다.

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09-12-2016 дата публикации

하드마스크 조성물, 이를 사용한 패턴 형성 방법 및 상기 패턴을 포함하는 반도체 집적회로 디바이스

Номер: KR0101684978B1
Принадлежит: 제일모직 주식회사

... 하기 화학식 1로 표현되는 모노머, 하기 화학식 2로 표현되는 부분을 가지는 중합체, 그리고 용매를 포함하는 하드마스크 조성물을 제공한다. [화학식 1] [화학식 2] 상기 화학식 1 및 2에서, A, A', A″, L, L', X, X′, m, n, Ar 및 B는 명세서에서 정의한 바와 같다.

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04-03-2016 дата публикации

METHODS OF PRODUCING POLYMERS AND COMPOSITIONS FOR FORMING SILICA INSULATION FILMS

Номер: KR0101599952B1
Принадлежит: 제일모직 주식회사

... 주쇄에 Si-N 연결(linkage)을 가지는 폴리실라잔 중합체의 제조 방법으로서, 하기 화학식 1로 나타내어지는 아미노 실란 단량체를, 상기 아미노 실란 단량체의 Si원자를 배위할 수 있는 친핵성 화합물의 존재 하에, 하기 화학식 2로 나타내어지는 질소 함유 화합물과 반응시키는 단계를 포함하는 중합체 제조 방법 및 이로부터 제조된 중합체를 포함하는 중합체 제조 방법이 제공된다: [화학식 1] NR1R2R3 상기 화학식 1에서, R1, R2, 및 R3 는 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로, 수소, -Si(R4)3, C1 내지 C30의 알킬기, C6 내지 C20의 아릴기, C1 내지 C10의 알콕시기, C6 내지 C20의 아릴옥시기, C1 내지 C20의 알킬 또는 아릴 옥시카르보닐기, C1 내지 C20의 아실기, 또는 C1 내지 C20의 아실옥시기이되, R1, R2, 및 R3 중 하나 이상은 -Si(R4)3이고, 여기서 R4 는 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로, 수소, C1 내지 C30의 알킬기, C6 내지 C20의 아릴기, C1 내지 C10의 알콕시기, 또는 C6 내지 C20의 아릴옥시기이되, R4중 하나 이상은 수소이고; [화학식 2] NH2R5 상기 화학식 2에서, R5는 R5는 수소, C1 내지 C30의 알킬기, C1 내지 C10의 알콕시기, C6 내지 C20의 아릴옥시기, C1 내지 C20의 알킬 또는 아릴 옥시카르보닐기, -NH2, C1 내지 C20의 아실기, C1 내지 C20의 아실옥시기, 히드록시기, 또는 아민기임.

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04-01-2017 дата публикации

절연막용 린스액 및 절연막의 린스 방법

Номер: KR0101692757B1
Принадлежит: 제일모직 주식회사

... 하기 화학식 1로 표현되는 용제를 포함하는 절연막용 린스액, 상기 린스액을 사용한 절연막의 린스 방법에 관한 것이다. [화학식 1] 상기 화학식 1에서, R1 및 Ra 내지 Re는 명세서에서 정의된 바와 같다.

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09-11-2016 дата публикации

POLYMER, ORGANIC FILM COMPOSITION, ORGANIC FILM, AND PATTERN FORMATION METHOD

Номер: KR1020160129677A
Принадлежит:

Provided is a polymer which shows excellent etching resistance and favorable solubility, and includes: a first part represented by chemical formula 1; and a second part including a substituted or non-substituted cyclic group having 6-60 carbon atoms, a substituted or non-substituted heterocyclic group having 6-60 carbon atoms, or a combination thereof. The chemical formula 1 is the same as defined in the present specification. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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18-05-2018 дата публикации

ORGANIC FILM COMPOSITION, ORGANIC FILM, AND METHOD FOR FORMING PATTERN

Номер: KR1020180052486A
Принадлежит:

The present invention relates to an organic film composition, and provides an organic film composition comprising an aromatic ring compound, an additive containing a perfluoroalkyl group in the structure thereof, and a solvent, wherein the amount of fluorine (F) group contained in the additive is greater than 0 and not more than 30 wt% on the basis of the 100% total weight of the additive, and the rate of surface tension reduction of the additive, measured according to a condition 1, is 0.1-30%. The definition of the condition 1 is the same as described in the specification. An embodiment provides the organic film composition capable of realizing a film with a small edge bead removal hump. COPYRIGHT KIPO 2018 ...

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06-07-2017 дата публикации

하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법

Номер: KR0101754903B1
Принадлежит: 삼성에스디아이 주식회사

... 하기 화학식 1로 표현되는 중합체 및 용매를 포함하는 하드마스크 조성물에 관한 것이다. [화학식 1] 상기 화학식 1에서, A0, A1, A2, A3, X1, X2, L1, L2, Y, l, m 및 n은 명세서 내에서 정의한 바와 같다.

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15-11-2017 дата публикации

중합체, 유기막 조성물, 유기막, 및 패턴형성방법

Номер: KR0101788091B1
Принадлежит: 삼성에스디아이 주식회사

... 화학식 1로 표현되는 부분을 포함하는 중합체, 상기 중합체를 포함하는 유기막 조성물, 상기 유기막 조성물로부터 제조된 유기막, 및 상기 유기막 조성물을 사용하는 패턴형성방법에 관한 것이다. 상기 화학식 1의 정의는 명세서 내에 기재한 바와 같다.

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29-11-2016 дата публикации

하드마스크 조성물, 이를 사용한 패턴 형성 방법 및 상기 패턴을 포함하는 반도체 집적회로 디바이스

Номер: KR0101680274B1
Принадлежит: 제일모직 주식회사

... 하기 화학식 1로 표현되는 하드마스크 조성물용 모노머, 첨가제, 그리고 용매를 포함하는 하드마스크 조성물을 제공한다. 또한 상기 조성물을 사용한 패턴 형성 방법 및 상기 방법에 따른 반도체 집적회로 디바이스를 제공한다. [화학식 1] 상기 화학식 1에서, A, A′, A″, L, L′, X, X′, m 및 n은 명세서에서 정의한 바와 같다.

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07-04-2016 дата публикации

POLYMER, ORGANIC FILM COMPOSITION, ORGANIC FILM, AND METHOD FOR FORMING PATTERNS

Номер: KR1020160038462A
Принадлежит:

The present invention relates to: a polymer comprising a part represented by chemical formula 1; an organic film composition comprising the polymer; an organic film produced from the organic film composition; and a method for forming patterns, using the organic film composition. The definition of the chemical formula 1 is the same as described in the specification. In addition, the polymer has both etching resistance and planarization properties. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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04-03-2016 дата публикации

COMPOSITION FOR FORMING SILICA BASED INSULATING LAYER, SILICA BASED INSULATING LAYER AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICA BASED INSULATING LAYER

Номер: KR0101599953B1
Принадлежит: 제일모직 주식회사

... 하기 화학식 1로 표현되는 구조단위를 포함하는 유기 실란계 축중합체; 그리고 용매를 포함하는 실리카계 절연층 형성용 조성물을 제공한다. [화학식 1] 상기 화학식 1에서, R1내지 R4, m, x, y 및 z의 정의는 명세서에 기재한 바와 같다.

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05-09-2017 дата публикации

하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법

Номер: KR0101771542B1
Принадлежит: 삼성에스디아이 주식회사

... 하기 화학식 1로 표현되는 부분을 포함하는 중합체, 그리고 용매를 포함하는 하드마스크 조성물에 관한 것이다. [화학식 1] 상기 화학식 1에서, A 및 R은 명세서 내에서 정의한 바와 같다.

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19-07-2018 дата публикации

시간 도메인 기반의 시각 암호화를 이용한 보안 이미지 처리 방법 및 그 장치

Номер: KR0101879954B1
Принадлежит: 한국과학기술원

... 시간 도메인 기반의 시각 암호화를 이용한 보안 이미지 처리 방법 및 그 장치가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 처리 방법은 입력 이미지를 수신하는 단계; 상기 수신된 입력 이미지를 노이즈 패턴을 이용하여 복수의 이미지들로 분할하는 단계; 및 상기 분할된 복수의 이미지들에 대한 시간 도메인 기반으로 상기 입력 이미지에 대한 보안 이미지를 생성하는 단계를 포함하고, 사용자의 시각에서 상기 입력 이미지의 콘텐츠가 인지되도록, 상기 보안 이미지에 포함된 시각 암호화(visual cryptography)된 이미지들을 시간 도메인 상에서 연속적으로 제공하는 단계를 더 포함할 수 있다.

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23-08-2016 дата публикации

POLYMER, ORGANIC FILM COMPOSITION, ORGANIC FILM, AND METHOD TO FORM PATTERNS

Номер: KR1020160099997A
Принадлежит:

The present invention relates to a polymer comprising a part represented by chemical formula 1, an organic film composition comprising the polymer, an organic film manufactured from the organic film composition, and a method to form patterns using the organic film composition. The definition of chemical formula 1 is the same as defined in the specification. The polymer of the present invention has excellent etching resistance, and favorable solubility characteristics, thereby being applicable to a spin-on coating method. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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02-11-2018 дата публикации

흰점박이꽃무지(Protaetia brevitarsis) 유충의 단백 가수분해물, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 조성물

Номер: KR0101914858B1
Принадлежит: 계명대학교 산학협력단

... 본 발명은 단백질 가수분해효소인 플라보르자임(Flavourzyme) 또는 알칼라아제(Alcalase) 중 어느 하나 이상을 처리하여 가수분해된 흰점박이꽃무지(Protaetiabrevitarsis) 유충의 단백 가수분해물, 이를 포함하는 약학 조성물 또는 건강기능식품 조성물, 또는 이의 제조방법에 관한 것으로, 특정한 효소를 사용함으로써, 다양한 생리 활성 및 기능성을 나타내는 저분자 펩타이드가 포함된 단백 가수분해물을 제조할 수 있고, 본 발명에 따른 흰점박이꽃무지 유충의 단백 가수분해물은 항산화 효과, 간세포 보호효과 내지는 지방 전구세포 분화 억제 효과를 나타내므로, 다양한 용도의 조성물로 활용될 수 있다.

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12-04-2018 дата публикации

중합체, 유기막 조성물, 및 패턴형성방법

Номер: KR0101848345B1
Принадлежит: 삼성에스디아이 주식회사

... 화학식 1로 표현되는 구조단위 및 화학식 2로 표현되는 구조단위를 포함하는 중합체, 상기 중합체를 포함하는 유기막 조성물, 그리고 상기 유기막 조성물을 사용하는 패턴형성방법에 관한 것이다. 상기 화학식 1 및 2의 정의는 명세서 내에 기재한 바와 같다.

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28-03-2017 дата публикации

MULTI-STAGE CONTAINER CAPABLE OF HEAT OR COLD CONSERVATION

Номер: KR1020170033953A
Принадлежит:

The present invention relates to a multi-stage container capable of heat or cold conservation, which is capable of stacking and combining a plurality of containers in multi-stages, and each container being capable of maintaining a temperature of food contents stored therein. More specifically, the present invention includes a food container (10) in which food is stored and a body (20) coupled to a lower end portion of the food container (10), and comprises a heating panel (21c) and a copper pipe (21a) storing a coolant therein are formed in the body (20) so as to be able to maintain a temperature of the food contents, and comprises a temperature adjusting unit (22a) to control the temperature to keep the food contents warm or cold. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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12-12-2018 дата публикации

PROTEIN HYDROLYSATE OF ALLOMYRINA DICHOTOMA LARVA, METHOD FOR PREPARING SAME AND COMPOSITION COMPRISING SAME

Номер: KR1020180132325A
Принадлежит:

The present invention relates to a protein hydrolysate of an Allomyrina dichotoma larva, which has been hydrolyzed by treating a protein hydrolyzing enzyme alcalase, to a pharmaceutical composition or health functional food composition containing the same, or to a method for preparing the same. By using a specific enzyme, it is possible to produce the protein hydrolyzate containing a low molecular peptide exhibiting various physiological activities and functions, wherein the protein hydrolyzate of the Allomyrina dichotoma larva according to the present invention exhibits an antioxidant effect, a cell stress reduction effect, a hepatocyte protective effect or a lipid precursor differentiation inhibiting effect, and thus can be utilized as a composition for various purposes. COPYRIGHT KIPO 2019 ...

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31-05-2018 дата публикации

유기막 조성물, 유기막, 및 패턴형성방법

Номер: KR0101850890B1
Принадлежит: 삼성에스디아이 주식회사

... 치환 또는 비치환된 플루오렌 구조를 포함하는 중합체, 화학식 1로 표현되는 첨가제, 그리고 용매를 포함하는유기막 조성물, 상기 유기막 조성물로부터 제조된 유기막, 및 상기 유기막 조성물을 사용하는 패턴형성방법에 관한 것이다. 상기 화학식 1의 정의는 명세서 내에 기재한 바와 같다.

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28-09-2016 дата публикации

ORGANIC FILM COMPOSITION, ORGANIC FILM, AND METHOD FOR FORMING PATTERNS

Номер: KR1020160112847A
Принадлежит:

The present invention relates to an organic film composition, an organic film produced from the organic film composition, and a method for forming patterns using the organic film composition. The organic film composition comprises: a first polymer including a part represented by chemical formula 1; a second polymer including a part represented by chemical formula 2; and a solvent. The definition of the chemical formula 1 and the chemical formula 2 is the same as described in the specification. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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30-06-2017 дата публикации

하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법

Номер: KR0101752833B1
Принадлежит: 삼성에스디아이 주식회사

... 하기 화학식 1로 표현되는 부분을 포함하는 중합체, 그리고 용매를 포함하는 하드마스크 조성물에 관한 것이다. [화학식 1] 상기 화학식 1에서, M1, M2, a 및 b는 명세서 내에서 정의한 바와 같다.

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13-02-2017 дата публикации

하드마스크 조성물용 모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법

Номер: KR0101705756B1
Принадлежит: 제일모직 주식회사

... 하기 화학식 1로 표현되는 하드마스크 조성물용 모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 이를 사용한 패턴 형성 방법에 관한 것이다. [화학식 1] 상기 화학식 1에서, A, A′, A″, L, L′, X, X′, m 및 n은 명세서에서 정의한 바와 같다.

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27-07-2017 дата публикации

POLYMER, ORGANIC LAYER COMPOSITION, AND METHOD FOR FORMING PATTERNS

Номер: WO2017126779A1
Принадлежит:

The present invention provides a polymer comprising a structure unit represented by chemical formula 1 below and a structure unit represented by chemical formula 2 below, an organic layer composition comprising the polymer, and a method for forming patterns using the organic layer composition. In the chemical formula 1 and 2, A1 and A2 are each independently a divalent group comprising at least one substituted or unsubstituted benzene ring, A3 is a divalent group each containing a quaternary carbon and a ring, symbol * is a point of connection.

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02-11-2016 дата публикации

MONOMER, ORGANIC MEMBRANE COMPOSITION, ORGANIC MEMBRANE, AND PATTERN FORMATION METHOD

Номер: KR1020160126353A
Принадлежит:

The present invention relates to a monomer represented by chemical formula 1, an organic membrane composition including the monomer, an organic membrane produced by using the organic membrane composition, and a pattern formation method using the organic membrane composition. The chemical formula 1 is defined and described in the description. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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02-08-2017 дата публикации

METHOD FOR MANUFACTURING LAYER STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING PATTERN

Номер: KR1020170088630A
Принадлежит:

The present invention relates to a method for manufacturing a layer structure and a method for forming a pattern. The method for manufacturing a layer structure includes: a step (S1) of forming a first organic layer on a substrate which has a plurality of patterns and on which a first composition is applied and cured; a step (S2) of removing a part of the first organic layer by applying a liquid material to the first organic layer; and a step (S3) of forming a second organic layer by applying a second composition to the partially removed first organic layer and curing the second composition. The first and second compositions include at least two types of different monomers and a solvent, and the two types of different monomers include a first monomer and a second monomer. The molecules of the first monomer and the second monomer are individually less than or equal to 1,500, and at least three substituted or non-substituted benzene rings in the structure include a fused ring. COPYRIGHT KIPO ...

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10-05-2018 дата публикации

COMPOSITION FOR REMOVING PHOTORESIST AND METHOD OF REMOVING PHOTORESIST USING SAME

Номер: KR1020180047283A
Принадлежит:

An objective of the present invention is to provide a composition for removing a photoresist, the composition which is capable of minimizing generation of formaldehyde without deteriorating performance of removing the photoresist, and a method of removing the photoresist using the composition. The composition of the present invention comprises a polar organic solvent, alkyl ammonium hydroxide, and an indole-based compound represented by chemical formula 1. In chemical formula 1, R_1, R_2, R_3, R_4, R_5 and R_6 are each independently hydrogen, a substituted or unsubstituted C_1-C_20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C_6-C_20 aryl group, a substituted or unsubstituted C_7-C_20 alkylaryl group, or a substituted or unsubstituted C_7-C_20 arylalkyl group. COPYRIGHT KIPO 2018 ...

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03-01-2019 дата публикации

장수풍뎅이(Allomyrina dichotoma) 유충의 단백 가수분해물, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 조성물

Номер: KR0101935153B1
Принадлежит: 계명대학교 산학협력단

... 본 발명은 단백질 가수분해효소인 알칼라아제(Alcalase)를 처리하여 가수분해된 장수풍뎅이(Allomyrinadichotoma) 유충의 단백 가수분해물, 이를 포함하는 약학 조성물 또는 건강기능식품 조성물, 또는 이의 제조방법에 관한 것으로, 특정한 효소를 사용함으로써, 다양한 생리 활성 및 기능성을 나타내는 저분자 펩타이드가 포함된 단백 가수분해물을 제조할 수 있고, 본 발명에 따른 장수풍뎅이 유충의 단백 가수분해물은 항산화 효과, 세포 스트레스 감소 효과, 간세포 보호효과 내지는 지방 전구세포 분화 억제 효과를 나타내므로, 다양한 용도의 조성물로 활용될 수 있다.

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07-01-2016 дата публикации

SILICA FILM AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер: KR0101583227B1
Принадлежит: 제일모직 주식회사

... 실록산 화합물을 적용하는 단계, 규소-질소 함유 화합물을 적용하는 단계, 그리고 상기 실록산 화합물과 상기 규소-질소 함유 화합물을 동시에 열처리하여 상기 규소-질소 함유 화합물을 실리카로 변환하는 단계를 포함하는 실리카 막의 형성 방법, 상기 방법으로 형성된 실리카 막 및 상기 실리카 막을 포함하는 전자 소자에 관한 것이다.

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24-03-2023 дата публикации

포토레지스트용 첨가제, 그를 포함하는 EUV용 포토레지스트 조성물, 및 그를 이용하는 반도체 소자의 제조 방법

Номер: KR20230041205A
Принадлежит:

... 포토레지스트용 첨가제, 그를 포함하는 EUV용 포토레지스트 조성물, 및 그를 이용하는 반도체 소자의 제조 방법이 제공된다. 포토레지스트용 첨가제는, 하기 화학식 1-1로 표시되는 제1 반복단위 및 하기 화학식 2로 표시되는 제2 반복단위를 갖는 공중합체를 포함하되, 상기 제1 반복단위 대 상기 제2 반복단위의 몰비는 7:3 내지 2:8이다. [화학식 1-1] (상기 화학식 1-1에서, R1은 수소 원자, 하이드록시(hydroxy)기, 또는 탄소 원자 수 1~4의 치환 또는 비치환된 알킬(alkyl)기를 나타내고, Rf1은 플루오로알킬(perfluoroalkyl)기를 나타내거나, 플루오로알킬기를 치환기로 포함하는 불소화된 탄화수소기를 나타낸다.) [화학식 2] (상기 화학식 2에서, R2는 수소 원자, 하이드록시기, 또는 탄소 원자 수 1~4의 치환 또는 비치환된 알킬기를 나타내고, Rh는 하이드록시알킬(hydroxyalkyl)기, 알콕시(alkoxy)기, 고리형 에터기(cyclic ether), 고리형 에스터(cyclic ester)기 또는 폴리옥시알킬렌(polyoxyalkylene)기를 나타내거나, 이들 중 적어도 하나를 치환기로 포함하는 탄화수소기를 나타낸다.) ...

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04-01-2018 дата публикации

유기막 조성물, 유기막, 및 패턴형성방법

Номер: KR0101814671B1
Принадлежит: 삼성에스디아이 주식회사

... 10% 내지 70%의 열 수축률을 가지는 제1 화합물, 상기 제1 화합물의 열 수축률보다 작은 열 수축률을 가지는 제2 화합물, 그리고 용매를 포함하는 유기막 조성물, 상기 유기막 조성물로부터 제조된 유기막, 및 상기 유기막 조성물을 사용하는 패턴형성방법에 관한 것이다. 상기 열 수축률은 하기 측정방법은 명세서 내에 기재한 바와 같다.

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14-06-2017 дата публикации

하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법

Номер: KR0101747229B1
Автор: 남연희, 김혜정, 송현지
Принадлежит: 삼성에스디아이 주식회사

... 하기 화학식 1로 표현되는 부분을 포함하는 중합체, 그리고 용매를 포함하는 하드마스크 조성물에 관한 것이다. [화학식 1] 상기 화학식 1에서, A, B, R1 및 R2는 명세서 내에서 정의한 바와 같다.

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04-09-2017 дата публикации

COMPOUND, ORGANIC LAYER COMPOSITION, AND METHOD FOR FORMING PATTERNS

Номер: KR1020170100273A
Принадлежит:

The present invention relates to a compound for an organic layer composition represented by chemical formula 1, and to an organic film composition comprising the compound. In chemical formula 1, the definitions of R^1 to R^4, and a to d are the same as described in the specification. One embodiment provides a compound for an organic layer composition having excellent corrosion resistance and good planarization characteristics. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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08-05-2017 дата публикации

METHOD FOR PRODUCING MEMBRANE STRUCTURE, AND METHOD FOR FORMING PATTERN

Номер: KR1020170047746A
Принадлежит:

According to an embodiment, provided is a method for producing a membrane structure, wherein the method comprises the steps of: (S1) producing a first organic layer by applying and hardening a first composition on a substrate having a plurality of patterns; (S2) removing a part of the first organic layer by applying a liquid material to the first organic layer; and (S3) producing a second organic layer by applying and hardening a second composition on the first organic layer of which the part has been removed. The first composition and the second composition independently include a polymer including a structure unit represented by chemical formula 1, and a solvent. In the chemical formula 1, the definitions of A^1, B^1, and * are the same as defined in the specification. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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25-01-2016 дата публикации

HARDMASK COMPOSITION AND METHOD FOR FORMING PATTERNS USING HARDMASK COMPOSITION

Номер: KR1020160008930A
Принадлежит:

The present invention relates to a hardmask composition which comprises: a polymer containing a portion represented by chemical formula 1; and a solvent. In the chemical formula 1, A and R are the same as defined in the present specification. COPYRIGHT KIPO 2016 (AA) Calculation formula 3 ...

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21-07-2017 дата публикации

COMPOSITION FOR FORMING SILICA LAYER, METHOD FOR MANUFACTURING SILICA LAYER, AND SILICA LAYER

Номер: KR1020170084843A
Принадлежит:

The present invention relates to a composition for forming a silica layer comprising a silica-containing polymer formed by polymerizing compounds represented by chemical formula 1: N[SiR^1R^2R^3]_3, and a solvent. In the chemical formula 1, R^1, R^2 and R^3 are independently hydrogen, a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, a substituted or unsubstituted vinyl group, a substituted or unsubstituted phenyl group or combinations thereof. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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09-08-2016 дата публикации

METHOD TO FORM HARD-MASK MATERIAL LAYER

Номер: KR1020160094220A
Принадлежит:

The present invention relates to a method to form a hard-mask material layer. More specifically, the method includes: a step of providing a substrate including a first area having relatively denser topology patterns, and a second area having relatively less dense topology patterns or not having any topology pattern; a step of forming a first hard-mask material layer to cover front sides of the first and second areas while filling gaps between the topology patterns of the first area; a step of thermally treating the first hard-mask material film to differentiate solvent solubility between parts between the topology patterns of the first area and the other parts; a step of removing the first hard-mask material layer formed on the front sides of the first and second areas, to make at least part of the first hard-mask material layer remain between the topology patterns of the first area; and a step of forming a second hard-disk material layer to cover the front sides of the first and second ...

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25-11-2015 дата публикации

HARDMASK COMPOSITION AND METHOD FOR FORMING PATTERN USING SAID HARDMASK COMPOSITION

Номер: KR1020150131916A
Принадлежит:

The present invention relates to a hardmask composition and a method for forming patterns using the hardmask composition and, more specifically, to a hardmask composition comprising a polymer including a part represented by chemical formula 1 and a solvent. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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13-01-2017 дата публикации

하드마스크 조성물, 이를 사용한 패턴 형성 방법 및 상기 패턴을 포함하는 반도체 집적회로 디바이스

Номер: KR0101696197B1
Принадлежит: 제일모직 주식회사

... 하기 화학식 1로 표현되는 모노머, 하기 화학식 2로 표현되는 부분을 포함하는 중합체, 그리고 용매를 포함하는 하드마스크 조성물을 제공한다. [화학식 1] [화학식 2] 상기 화학식 1 및 2에서, A, A′, A″, L, L′, X, X′, Xa, Xb, m 및 n은 명세서에서 정의한 바와 같다.

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25-08-2016 дата публикации

MONOMER, ORGANIC LAYER COMPOSITION, ORGANIC LAYER, AND METHOD OF FORMING PATTERN

Номер: KR1020160101582A
Принадлежит:

The present invention relates to a monomer represented by chemical formula 1, to an organic layer composition comprising the monomer, to an organic layer manufactured from the organic layer composition, and to a method for forming a pattern using the organic layer composition. The definition of chemical formula 1 is the same as described in the specification. Provided in an embodiment is the monomer, which has excellent etching resistance and excellent solubility, thereby being applied to a spin-on coating method. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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04-03-2016 дата публикации

COMPOSITION FOR FORMING SILICA BASED INSULATING LAYER, SILICA BASED INSULATING LAYER AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICA BASED INSULATING LAYER

Номер: KR0101599954B1
Принадлежит: 제일모직 주식회사

... 하기 화학식 1로 표현되는 화합물 및 하기 화학식 2로 표현되는 화합물을 포함하는 유기 실란계 축중합체; 그리고 용매를 포함하는 실리카계 절연층 형성용 조성물. [화학식 1] (R1)3SiXSi(R1)3 [화학식 2] R2n(Si)(OR3)4-n 상기 화학식 1 및 2에서, R1내지 R3, X 및 n의 정의는 명세서에 기재한 바와 같다.

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08-07-2015 дата публикации

HARD MASK COMPOSITION, AND METHOD OF FORMING PATTERN USING SAME

Номер: KR1020150079208A
Принадлежит:

Provided are a polymer comprising a portion represented by the following formula 1; and a hard disk composition comprising a solvent. [Formula 1] In the formula 1, A and B are as defined in the specification. COPYRIGHT KIPO 2015 ...

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25-11-2015 дата публикации

HARDMASK COMPOSITION AND METHOD FOR FORMING PATTERN USING SAID HARDMASK COMPOSITION

Номер: KR1020150131867A
Принадлежит:

The present invention relates to a hardmask composition and a method for forming patterns using the hardmask composition and, more specifically, to a hardmask composition comprising a polymer including a part represented by chemical formula 1 and a solvent. [Chemical formula 1]: -A-B- In the chemical formula 1, A and B are the same as defined in the specification. COPYRIGHT KIPO 2016 (AA) Calculation formula 1 (BB) Gap(Sum/nm) = (h1-h2)+(h1-h3)+(h1-h4)+(h1-h5) ...

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29-03-2016 дата публикации

HARDMASK COMPOSITION AND METHOD OF FORMING PATTERNS USING HARDMASK COMPOSITION

Номер: KR1020160034095A
Принадлежит:

The present invention relates to a hardmask composition composed of a solvent and a polymer represented by chemical formula 1. In the chemical formula 1, A^0, A^1, A^2, A^3, X^1, X^2, L^1, L^2, Y, l, m, and n are the same as defined in the present specification. According to the present invention, etching resistance and chemical resistance can be secured even when coating by a spin-on coating method. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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01-06-2018 дата публикации

SECURITY IMAGE PROCESSING METHOD USING VISUAL CRYPTOGRAPHY BASED ON TIME DOMAIN AND APPARATUS THEREOF

Номер: KR1020180058463A
Принадлежит:

Disclosed are a security image processing method using visual cryptography based on a time domain and an apparatus thereof. The image processing method according to an embodiment of the present invention includes the following steps: receiving an input image; dividing the received input image into a plurality of images using a noise pattern; and generating a security image for the input image based on the time domain for the plurality of divided images. The image processing method further includes the step of continuously providing visually cryptographed images included in the security image on the time domain. Accordingly, the present invention can enhance security on a screen shot. COPYRIGHT KIPO 2018 (AA) Start (BB) End (S110) Receiving an input image (S120) Determining a critical duration (S130) Generating a security image for the input image visually cryptographing the input image based on the critical duration and a noise pattern (S140) Continuously providing visually cryptographed ...

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25-01-2016 дата публикации

MONOMER, HARDMASK COMPOSITION COMPRISING MONOMER, AND PATTERN FORMATION METHOD USING HARDMASK COMPOSITION

Номер: KR1020160008928A
Принадлежит:

The present invention relates to a monomer which is used in a hardmask composition and is represented by chemical formula 1. The present invention further relates to a hardmask composition comprising the monomer, and to a pattern formation method using the hardmask composition. In the chemical formula 1, T, R^1, R^2 and R^3 are the same as defined in the specification. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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26-10-2016 дата публикации

ORGANIC LAYER COMPOSITION, ORGANIC LAYER, AND METHOD FOR FORMING PATTERNS

Номер: KR1020160123950A
Принадлежит:

The present invention relates to an organic layer composition, an organic layer formed from the organic layer composition, and to a method for forming patterns. The organic layer composition includes: a polymer including a substituted or unsubstituted fluorene structure; an additive represented by chemical formula 1; and a solvent. The definition of chemical formula 1 is the same as defined in the specification. The organic layer composition has excellent resistance against etching, gap-fill properties, and planarization properties. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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17-11-2017 дата публикации

유기막 조성물, 유기막, 및 패턴형성방법

Номер: KR0101798935B1
Принадлежит: 삼성에스디아이 주식회사

... 화학식 1로 표현되는 부분을 포함하는 중합체, 화학식 2로 표현되는 모노머, 그리고 용매를 포함하는 유기막 조성물, 상기 유기막 조성물로부터 제조된 유기막, 및 상기 유기막 조성물을 사용하는 패턴형성방법에 관한 것이다. 상기 화학식 1 및 2의 정의는 명세서 내에 기재한 바와 같다.

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23-01-2017 дата публикации

하드마스크 조성물용 모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법

Номер: KR0101698510B1
Принадлежит: 제일모직 주식회사

... 하기 화학식 1로 표현되는 하드마스크 조성물용 모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 이를 사용한 패턴 형성 방법에 관한 것이다. [화학식 1] 상기 화학식 1에서, A, A′, L, X, X′, k, l, m 및 n은 명세서에서 정의한 바와 같다.

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24-01-2018 дата публикации

유기막 조성물, 유기막, 및 패턴형성방법

Номер: KR0101821735B1
Принадлежит: 삼성에스디아이 주식회사

... 화학식 1로 표현되는 부분을 포함하는 제1 중합체, 화학식 2로 표현되는 부분을 포함하는 제2 중합체, 그리고 용매를 포함하는 유기막 조성물, 상기 유기막 조성물로부터 제조된 유기막, 및 상기 유기막 조성물을 사용하는 패턴형성방법에 관한 것이다. 상기 화학식 1 및 2의 정의는 명세서 내에 기재한 바와 같다.

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14-07-2017 дата публикации

모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법

Номер: KR0101757809B1
Принадлежит: 삼성에스디아이 주식회사

... 하기 화학식 1로 표현되는 하드마스크 조성물용 모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용한 패턴 형성 방법에 관한 것이다. [화학식 1] 상기 화학식 1에서, T, R1, R2 및 R3의 정의는 명세서에 기재된 바와 같다.

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10-08-2017 дата публикации

개질 수소화 폴리실록사잔을 포함하는 실리카계 절연층 형성용 조성물, 실리카계 절연층 형성용 조성물의 제조방법, 실리카계 절연층 및 실리카계 절연층의 제조방법

Номер: KR0101767083B1
Принадлежит: 제일모직주식회사

... 수소화 폴리실록사잔에 폴리실란, 폴리사이클로실란 및 실란올리고머로 이루어진 군에서 선택되는 실란 화합물을 반응시켜 제조되는 개질 수소화 폴리실록사잔을 제공한다. 상기 개질 수소화 폴리실록사잔은, 실리콘 원자에 대한 질소 원자의 몰비가 작기 때문에 실리카계 절연층 형성용 조성물에 적용되어 실리카계 절연층 형성시 막 수축률을 현저히 감소시킬 수 있다.

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10-08-2017 дата публикации

하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법

Номер: KR0101767080B1
Принадлежит: 제일모직 주식회사

... 하기 화학식 1로 표현되는 구조 단위 및 하기 화학식 2로 표현되는 구조 단위를 포함하는 중합체, 그리고 용매를 포함하는 하드마스크 조성물에 관한 것이다. [화학식 1] [화학식 2] 상기 화학식 1 및 2에서, Ar1, Ar2, M1 및 M2는 명세서 내에서 정의한 바와 같다.

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12-04-2018 дата публикации

중합체, 유기막 조성물, 유기막, 및 패턴형성방법

Номер: KR0101848343B1
Принадлежит: 삼성에스디아이 주식회사

... 화학식 1로 표현되는 제1 부분, 그리고 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60 고리기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60 헤테로 고리기, 또는 이들의 조합을 포함하는 제2 부분을 포함하는 중합체를 제공한다. 상기 화학식 1의 정의는 명세서 내에서 설명한 바와 같다.

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19-10-2016 дата публикации

하드마스크 조성물 및 이를 사용한 패턴 형성 방법

Номер: KR0101667788B1
Принадлежит: 제일모직 주식회사

... 하기 화학식 1로 표현되는 부분을 가지는 중합체, 그리고 용매를 포함하는 하드마스크 조성물을 제공한다. [화학식 1] 상기 화학식 1에서, A 및 B는 명세서 내에서 정의한 바와 같다.

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11-05-2016 дата публикации

METHOD FOR MANUFACTURING LAYER STRUCTURE, LAYER STRUCTURE, AND METHOD FOR FORMING PATTERN

Номер: KR1020160051143A
Принадлежит:

Provided are a method for manufacturing a layer structure, a layer structure manufactured thereby, a method for forming a pattern using the layer structure, and a semiconductor device manufactured by the method for forming a pattern. The method for manufacturing a layer structure includes the steps of: (S1) forming a first organic layer by applying a first composition including an organic compound on a substrate having a plurality of patterns; (S2) removing part of the first organic layer by applying a solvent to the first organic layer; and (S3) forming a second organic layer by conducting a hardening process after applying a second composition including an organic compound on the first organic layer of which the part is removed. So, excellent planarization characteristics of the layer structure can be obtained without an etchback or chemical mechanical polishing process. COPYRIGHT KIPO 2016 (S1) Step of forming a first organic layer by applying a first composite on a substrate (S2) Step ...

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06-07-2017 дата публикации

하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법

Номер: KR0101754901B1
Принадлежит: 제일모직 주식회사

... 하기 화학식 1로 표현되는 부분을 포함하는 중합체, 그리고 용매를 포함하는 하드마스크 조성물에 관한 것이다. [화학식 1] 상기 화학식 1에서, A 및 B는 명세서 내에서 정의한 바와 같다.

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03-07-2014 дата публикации

MODIFIED HYDROGENATED POLYSILOXAZANE, COMPOSITION COMPRISING SAME FOR FORMING SILICA-BASED INSULATION LAYER, METHOD FOR PREPARING COMPOSITION FOR FORMING SILICA-BASED INSULATION LAYER, SILICA-BASED INSULATION LAYER, AND METHOD FOR PREPARING SILICA-BASED INSULATION LAYER

Номер: WO2014104510A1
Принадлежит:

Provided is modified hydrogenated polysiloxazane prepared by reacting hydrogenated polysiloxazane with a silane compound selected from a group consisting of polysilane, polycyclosilane, and silane oligomer. The modified hydrogenated polysiloxazane is configured such that the mole ratio of nitrogen atom to silicon atom is small, and therefore, the modified hydrogenated polysiloxazane can be applied to a composition for forming a silica-based insulation layer so as to significantly reduce film shrinkage when the silica-based insulation layer is formed.

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03-07-2014 дата публикации

COMPOSITION FOR FORMING SILICA-BASED INSULATING LAYER, METHOD FOR PREPARING COMPOSITION FOR FORMING SILICA-BASED INSULATING LAYER, SILICA-BASED INSULATING LAYER, AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICA-BASED INSULATING LAYER

Номер: WO2014104528A1
Принадлежит:

Provided is a composition for forming a silica-based insulating layer comprising hydrogenated polysilazane or hydrogenated polysiloxazane, and having a concentration of 1,200 ppm or less of a cyclic compound having a weight average molecular weight of 400 or less. The composition for forming a silica-based insulating layer may decrease thickness distribution during the formation of a silica-based insulating layer, thereby decreasing defects in layers after chemical mechanical polishing (CMP) process during the process of manufacturing a semiconductor.

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04-12-2017 дата публикации

모노머, 유기막 조성물, 유기막, 및 패턴형성방법

Номер: KR0101804260B1
Принадлежит: 삼성에스디아이 주식회사

... 화학식 1로 표현되는 모노머, 상기 모노머를 포함하는 유기막 조성물, 상기 유기막 조성물로부터 제조된 유기막, 및 상기 유기막 조성물을 사용하는 패턴형성방법에 관한 것이다. 상기 화학식 1의 정의는 명세서 내에 기재한 바와 같다.

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28-07-2017 дата публикации

POLYMER, ORGANIC FILM COMPOSITION, AND METHOD FOR FORMING PATTERN

Номер: KR1020170087294A
Принадлежит:

The present invention relates to a polymer comprising a structural unit represented by chemical formula 1 and a structural unit represented by chemical formula 2; an organic film composition comprising the polymer; and a method for forming a pattern using the organic film composition. The definitions of the chemical formula 1 and 2 are the same as described in the specification. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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17-05-2018 дата публикации

ORGANIC FILM COMPOSITION, ORGANIC FILM, AND METHOD FOR FORMING PATTERN

Номер: WO2018088659A1
Принадлежит:

The present invention relates to an organic film composition, and provides an organic film composition comprising an aromatic ring compound, an additive containing a perfluoroalkyl group in the structure thereof, and a solvent, wherein the amount of fluorine (F) group contained in the additive is greater than 0 and less than or equal to 30 wt% on the basis of the 100% total weight of the additive, and the rate of surface tension reduction of the additive, measured according to the following condition 1, is 0.1-30%. The definition of condition 1 is the same as that described in the specification.

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24-10-2018 дата публикации

중합체, 유기막 조성물, 및 패턴형성방법

Номер: KR0101895908B1
Принадлежит: 삼성에스디아이 주식회사

... 하기 화학식 1로 표현되는 구조 단위를 포함하는 중합체, 이를 포함하는 유기막 조성물을 제공한다. [화학식 1] 상기 화학식 1의 정의는 명세서 내에서 설명한 바와 같다.

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25-01-2016 дата публикации

HARDMASK COMPOSITION AND PATTERN FORMATION METHOD USING HARDMASK COMPOSITION

Номер: KR1020160008927A
Принадлежит:

The present invention relates to a hardmask composition which comprises: a polymer containing a portion represented by chemical formula 1; and a solvent. In the chemical formula 1, A, B, R^1, and R^2 are the same as defined in the present specification. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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20-12-2016 дата публикации

POLYMER, ORGANIC LAYER COMPOSITION AND METHOD FORMING PATTERNS

Номер: KR1020160145480A
Принадлежит:

Provided are a polymer having a structure unit of chemical formula 1 and an organic layer composition containing the same. Chemical formula 1 is defined as explained in the specification. The novel polymer has excellent etch resistance, thermal resistance and good solubility, thereby being applied to a spin-on coating method. COPYRIGHT KIPO 2016 (AA) Formula ·,2 ...

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07-01-2016 дата публикации

METHODS OF PRODUCING POLYMERS AND COMPOSITIONS FOR FORMING SILICA INSULATION FILMS

Номер: KR0101583232B1
Принадлежит: 제일모직 주식회사

... 주쇄에 Si-N 연결(linkage)을 가지는 폴리실라잔 중합체의 제조 방법으로서, 하기 화학식 1로 나타내어지는 아미노 실란 단량체를, 상기 아미노 실란의 Si원자를 배위할 수 있는 친핵성 화합물의 존재 하에 활성화시켜 불균등화 반응 및 재배열 반응을 통해 중합시키는 단계를 포함하는 중합체 제조 방법 및 이렇게 제조된 중합체를 포함하는 절연막 형성용 조성물이 제공된다: [화학식 1]NR1R2R3 상기 화학식 1에서, R1, R2, 및 R3 는 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로, 수소, -Si(R4)3, C1 내지 C30의 알킬기, C6 내지 C20의 아릴기, C1 내지 C10의 알콕시기, C6 내지 C20의 아릴옥시기, C1 내지 C20의 알킬 또는 아릴 옥시카르보닐기, C1 내지 C20의 아실기, 또는 C1 내지 C20의 아실옥시기이되, R1, R2, 및 R3 중 하나 이상은 -Si(R4)3이고, 여기서 R4 는 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로, 수소, C1 내지 C30의 알킬기, C6 내지 C20의 아릴기, C1 내지 C10의 알콕시기, 또는 C6 내지 C20의 아릴옥시기이되, R4중 하나 이상은 수소이다.

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09-12-2016 дата публикации

하드마스크 조성물, 이를 사용한 패턴 형성 방법 및 상기 패턴을 포함하는 반도체 집적회로 디바이스

Номер: KR0101684977B1
Принадлежит: 제일모직 주식회사

... 하기 화학식 1로 표현되는 모노머, 하기 화학식 2로 표현되는 모노머, 그리고 용매를 포함하는 하드마스크 조성물을 제공한다. [화학식 1] [화학식 2] 상기 화학식 1 및 2에서, A, A', A″, L, L′, X, X′, m, n, B, Y, R1 및 R2은 명세서에서 정의한 바와 같다.

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27-07-2017 дата публикации

ORGANIC FILM COMPOSITION, AND METHOD FOR FORMING PATTERNS

Номер: KR1020170086972A
Принадлежит:

The present invention relates to an organic film composition and a method for forming patterns. The organic film composition is that values of (D-peak B)/(D-peak K) and (G-peak B)/(G-peak K) are independently 5 or more. The definition of the (D-peak B), (D-peak K), (G-peak B), and (G-peak K) is the same as described in the specification. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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03-03-2017 дата публикации

절연막용 조성물, 절연막 및 전자 소자

Номер: KR0101711923B1
Принадлежит: 제일모직 주식회사

... 규소 함유 화합물, 실리콘 탄성체 및 용매를 포함하는 절연막용 조성물, 상기 절연막용 조성물로부터 형성된 절연막 및 상기 절연막을 포함하는 전자 소자에 관한 것이다.

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20-12-2017 дата публикации

모노머, 유기막 조성물, 유기막, 및 패턴형성방법

Номер: KR0101810610B1
Принадлежит: 삼성에스디아이 주식회사

... 화학식 1로 표현되는 모노머, 상기 모노머를 포함하는 유기막 조성물, 상기 유기막 조성물로부터 제조된 유기막, 및 상기 유기막 조성물을 사용하는 패턴형성방법에 관한 것이다. 상기 화학식 1의 정의는 명세서 내에 기재한 바와 같다.

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08-07-2015 дата публикации

HARD MASK COMPOSITION, METHOD FOR FORMING PATTERN USING SAME AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE INCLUDING PATTERN

Номер: KR1020150079199A
Принадлежит:

Provided are a polymer comprising a portion represented by one selected from 1a to 1c; a monomer represented by the below formula 2; and a hard mask composition comprising a solvent. In the formula 1a, 1b, 1c and 2, R^(1a), R^(1b), R^(4a), R^(4b), R^(2a), R^(2b), R^(5a), R^(5b) and R^3 are as defined in the specification. COPYRIGHT KIPO 2015 ...

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10-01-2019 дата публикации

하드마스크 조성물용 모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법

Номер: KR0101937319B1
Принадлежит: 제일모직 주식회사

... 하기 화학식 1로 표현되는 하드마스크 조성물용 모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 이를 사용한 패턴 형성 방법에 관한 것이다. [화학식 1] 상기 화학식 1에서, A, A′, L, X, X′, X″ 및 k, m 및 n은 명세서에서 정의한 바와 같다.

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06-12-2018 дата публикации

막 구조물 제조 방법 및 패턴형성방법

Номер: KR0101926023B1
Принадлежит: 삼성에스디아이 주식회사

... 일 구현예에 따르면, 복수의 패턴을 가지는 기판 위에 제1 조성물을 도포한 후 경화하여 제1 유기층을 형성하는 단계(S1); 상기 제1 유기층에 액상물질을 적용하여 상기 제1 유기층 일부를 제거하는 단계(S2); 그리고 일부가 제거된 상기 제1 유기층 위에 제2 조성물을 도포한 후 경화하여 제2 유기층을 형성하는 단계(S3)를 포함하고, 상기 제1 조성물은 및 상기 제2 조성물은 각각 독립적으로 하기 화학식 1로 표현되는 구조단위를 포함하는 중합체, 그리고 용매를 포함하는 막 구조물 제조 방법을 제공한다. [화학식 1] 상기 화학식 1에서, A1, B1 및 *의 정의는 명세서 내에 기재한 바와 같다.

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02-08-2018 дата публикации

우수한 린넨느낌 및 실크터치감을 가지는 직물의 제조방법

Номер: KR0101884973B1
Принадлежит: 이명진, 한국섬유개발연구원

... 본 발명은 우수한 린넨느낌 및 실크터치감을 가지는 직물의 제조방법에 관한 것으로서 경사로 폴리에스테르 융착사를 사용하고, 위사로 세섬도 폴리에스터계 해도사 연사물을 사용하여 직물을 제직하고 감량가공 및 와셔블가공을 하여 까칠한 터치로 접촉냉감이 우수하고, 표면마디로 인한 요철감을 가지는 린넨느낌의 외관과 극세사의 접촉감성이 우수한 실크라이크한 촉감과 드레이프성을 가지고, 자연스런 조직감과 구김효과를 가지는 직물을 제공한다.

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25-06-2015 дата публикации

PROCESS OF PRODUCING INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE THEREOF

Номер: KR0101531611B1
Принадлежит: 제일모직 주식회사

... (a) 기판 위에 재료층을 제공하는 단계; (b) 상기 재료층 위에 유기물로 이루어진 제1 레지스트 하층막을 형성하는 단계; (c) 상기 제1 레지스트 하층막 위에 실리콘계 레지스트 하층막용 조성물을 스핀-온-코팅하여 제2 레지스트 하층막을 형성하는 단계; (d) 상기 제2 레지스트 하층막 위에 캡핑 층(capping layer)을 형성하는 단계; (e) 상기 캡핑 층 위에 방사선-민감성 이미지화 층을 형성하는 단계; (f) 상기 방사선-민감성 이미지화 층을 패턴 방식으로 방사선에 노출시킴으로써 상기 방사선-민감성 이미지화 층 내에서 방사선-노출된 영역의 패턴을 생성시키는 단계; (g) 상기 방사선-민감성 이미지화 층 및 상기 제 2 레지스트 하층막의 부분을 선택적으로 제거하여 상기 제 1 레지스트 하층막의 부분을 노출시키는 단계; (h) 패턴화된 제 2 레지스트 하층막 및 상기 제 1 레지스트 하층막의 부분을 선택적으로 제거하여 재료층의 부분을 노출시키는 단계; (i) 제 1 레지스트 하층막을 마스크로 하여 재료층의 노출된 부분을 에칭함으로써 패턴화된 재료 형상을 형성시키는 단계; 및 (j) 잔존하는 상기 방사선-민감성 이미지화 층을 제거하는 단계를 포함하는 반도체 집적회로 디바이스의 제조방법을 제공한다.

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26-10-2017 дата публикации

2이상의 서로 다른 섬도를 갖는 원사로 제직한 통풍성이 우수한 경량직물의 제조방법

Номер: KR0101790574B1
Принадлежит: 이종각, 한국섬유개발연구원

... 본 발명은 일반섬유와 용해사를 복합한 복합사를 사용하여 제직 후, 상기 복합사에 함유된 용해사를 용해하는 통풍성이 우수한 경량직물의 제조방법에 관한 것으로서 본 발명에 의해 일반섬유와 지극히 가는실을 배열로 사용하는 효과외에 용해사와 일반섬유가 복합된 복합사에서 용해사가 차지하는 공간이 녹아서 빈공간이 남아 있기 때문에 통풍성이 우수하고 Pattern을 부여할 수 가 있기 때문에 다양한 제품전개가 가능하며 용해사의 용해후 가는 실이 남아있어서 은은한 투명감을 부여할 수 있다.

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12-09-2018 дата публикации

PROTEIN HYDROLYSATE OF PROTAETIA BREVITARSIS LARVA, METHOD FOR MANUFACTURING SAME AND COMPOSITION COMPRISING SAME

Номер: KR1020180100814A
Принадлежит:

The present invention relates to a protein hydrolysate of a hydrolyzed Protaetia brevitarsis larva by treating any one or more or protein hydrolyzing enzyme flavourzyme or alcalase, a pharmaceutical composition or health functional food composition comprising the same, or a method for manufacturing the same. The protein hydrolysate containing the low molecular weight peptides exhibiting various physiological activities and functions can be manufactured by using specific enzymes. The protein hydrolysate of Protaetia brevitarsis larva according to the present invention exhibits antioxidative effects, hepatocyte protective effects, and fat precursor cell differentiation inhibitory effect, and thus can be used as a composition for various purposes. COPYRIGHT KIPO 2018 ...

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