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04-04-2018 дата публикации

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체

Номер: KR1020180034438A
Автор: 이토 노리히로, 히가시지마 지로, 오가타 노부히로, 오츠카 타카히사, 도키 유이치, 하시모토 유스케, 아이우라 카즈히로, 고토 다이스케
Принадлежит:

... 기판 처리 장치는, 기판 유지부(31)를 둘러싸서 기판에 공급된 처리액 또는 처리액의 미스트를 받는 처리 용기에 대하여 상대적으로 부동인 고정 컵체(51)와, 미스트 가드(80)와, 미스트 가드를 승강시키는 가드 승강 기구(84)를 구비한다. 미스트 가드는, 고정 컵체를 둘러싸도록 고정 컵체의 외측에 마련되고, 고정 컵체의 상방을 넘어 외방으로 비산하는 액을 차단한다. 미스트 가드가, 통 형상의 통부(81)와, 통부의 상단으로부터 고정 컵체를 향하여 돌출하는 돌출부(82)를 가진다.

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Номер записи: 1
25-07-2018 дата публикации

기판 액 처리 장치, 기판 액 처리 방법 및 기억 매체

Номер: KR1020180084797A
Автор: 코사이 카즈키, 가이 요시히로, 고시 겐타로, 코미야 히로시, 후지모토 세이야, 오츠카 타카히사
Принадлежит:

... 기판 처리 장치는, 기판(W)을 유지하는 기판 유지부(31)와, 기판 유지부에 의해 유지된 기판의 외주연보다 외측의 위치로부터, 기판의 표면의 적어도 중심부가 토출된 처리액의 액막에 의해 덮이도록, 기판의 표면을 향하여 처리액을 토출하는 외측 노즐(45)과, 외측 노즐의 높이 위치 또는 토출 각도를 변경할 수 있는 액추에이터(46, 90)를 구비한다.

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Номер записи: 2
28-03-2017 дата публикации

SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND CLEANING METHOD OF PROCESSING CHAMBER

Номер: KR1020170034331A
Автор: SUZUKI HIROYUKI, OTSUKA TAKAHISA, TATEYAMA KIYOHISA, NAKAZAWA TAKASHI
Принадлежит:

A drying time after cleaning a surface of a cleaning target unit including a wall which constitutes a processing chamber of a substrate processing apparatus and an apparatus provided in the processing chamber can be shortened. After performing a cleaning process of dissolving a removal target attached to the surface of the cleaning target unit with water by allowing the surface of the cleaning target unit (42, 20a, and 53) to be wet with the water by discharging the water into the processing chamber (20), a solvent supplying process of supplying a solvent having higher volatility than that of the water to the water attached to the surface of the cleaning target unit is performed by discharging the solvent into the processing chamber. Then, a drying process of drying the surface of the cleaning target unit is performed. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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Номер записи: 3
19-02-2019 дата публикации

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체

Номер: KR0101949722B1
Автор: 오츠카 타카히사, 오가타 노부히로, 마루모토 히로시, 와키야마 테루후미
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 프로세스 성능을 희생하지 않고, 청정 가스의 공급 유량을 감소시킨다. 기판(W)에 액 처리를 행하고 있을 때 청정 가스 공급 장치(70, 78)로부터 하우징(60)의 내부 공간으로 공급되는 청정 가스(70)의 유량보다, 기판에 건조 처리를 행하고 있을 때 청정 가스 공급 장치로부터 공급되는 저습도의 청정 가스(78)의 유량을 작게 하고, 또한 액 처리를 행하고 있을 때 하우징 배기로(64)를 통하여 배기되는 가스의 유량보다, 건조 처리를 행하고 있을 때 하우징 배기로를 통하여 배기되는 가스의 유량을 작게 한다.

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Номер записи: 4