Настройки

Укажите год
-

Небесная энциклопедия

Космические корабли и станции, автоматические КА и методы их проектирования, бортовые комплексы управления, системы и средства жизнеобеспечения, особенности технологии производства ракетно-космических систем

Подробнее
-

Мониторинг СМИ

Мониторинг СМИ и социальных сетей. Сканирование интернета, новостных сайтов, специализированных контентных площадок на базе мессенджеров. Гибкие настройки фильтров и первоначальных источников.

Подробнее

Форма поиска

Поддерживает ввод нескольких поисковых фраз (по одной на строку). При поиске обеспечивает поддержку морфологии русского и английского языка
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Укажите год
Укажите год
Применить Всего найдено 1166. Отображено 100.
21-11-2016 дата публикации

액처리 장치, 액처리 방법, 및 그 액처리 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 기록 매체

Номер: KR0101678229B1
Автор: 히가시지마 지로
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 본 발명은 기판의 상면측에서 가스를 공급하고 기판의 하면측에서 처리액을 공급하여, 공급된 처리액에 의해 기판의 하면을 처리하는 액처리 장치에 있어서, 톱플레이트의 위치를 고정밀도로 위치 결정할 수 있는 액처리 장치 및 액처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 기판(W)의 상면측에서 가스를 공급하고 기판(W)의 하면측에서 처리액을 공급하여, 공급된 처리액에 의해 기판(W)의 하면을 처리하는 액처리 장치(22)에서, 상면에 개구(105)를 갖는 처리 용기(100)와, 처리 용기(100) 안에 설치되며, 기판(W)의 둘레 가장자리부(WE)를 지지하는 지지부(70, 72)와, 승강 가능하게 설치되며, 하강한 상태로 개구(105)를 막는 상판부(110)와, 상판부(110)가 하강할 때에, 처리 용기(100)에 대한 상판부(110)의 상대 위치를 정해진 위치에 위치 결정하는 위치 결정 기구(130)를 갖는다.

Подробнее
Номер записи: 1
07-08-2017 дата публикации

도금 처리 장치, 도금 처리 방법 및 기억 매체

Номер: KR0101765572B1
Автор: 이나토미 유이치로, 타나까 타카시, 구로다 오사무, 이와시타 미츠아키, 사이토 유스케
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 도금액 중의 암모니아 성분의 농도를 일정하게 유지하여 도금액을 순환하여 사용할 수 있는 도금 처리 장치를 제공한다. 도금 처리 장치(20)는, 기판(2)을 회전 보지하는 기판 회전 보지 기구(110)와, 기판(2)으로 도금액(35)을 공급하는 도금액 공급 기구(30)를 구비하고 있다. 이 중 도금액 공급 기구(30)는, 기판(2)으로 공급되는 도금액(35)을 저류하는 공급 탱크(31)와, 도금액(35)을 기판(2)에 토출하는 토출 노즐(32)과, 공급 탱크(31)의 도금액(35)을 토출 노즐(32)로 공급하는 도금액 공급관(33)을 가지고 있다. 또한 공급 탱크(31)에는, 암모니아 가스 저류부(170)가 접속되고, 공급 탱크(31)에 저류된 도금액(35) 중의 암모니아 성분의 농도를 목적의 농도 범위로 유지한다.

Подробнее
Номер записи: 2
08-06-2017 дата публикации

에칭 방법

Номер: KR0101744625B1
Автор: 토무라 마주, 와타나베 히카루, 카토 타카히코, 혼다 마사노부
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 산화 실리콘으로 구성된 제 1 영역을 질화 실리콘으로 구성된 제 2 영역에 대하여 선택적으로 에칭하는 에칭 방법이 제공된다. 이 에칭 방법은 공정(a)과 공정(b)을 포함한다. 공정(a)에서는, 플루오르카본 가스의 플라즈마에 피처리체가 노출되고, 제 2 영역 상에 제 1 영역 상에 형성되는 보호막보다 두꺼운 보호막이 형성된다. 공정(b)에서는, 플루오르카본 가스의 플라즈마에 의해 제 1 영역이 에칭된다. 공정(a)에서는, 피처리체의 온도가 60 ℃ 이상 250 ℃ 이하의 온도로 설정된다.

Подробнее
Номер записи: 3
23-11-2015 дата публикации

SURFACE TREATING METHOD AND FILM DEPOSITION METHOD

Номер: KR0101571020B1
Автор: 야마구치 타츠야, 하시모토 히로유키
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 처리 용기 내의 기판의 표면을 처리하는 방법으로서, 상기 처리 용기 내에 물을 포함하지 않는 분위기를 생성하는 공정 및 상기 물을 포함하지 않는 분위기 중에서, 상기 처리 용기 내의 상기 기판을 가열하고, 상기 처리 용기 내에 밀착 촉진제 가스를 공급함으로써, 상기 기판과 상기 밀착 촉진제 가스를 반응시키는 공정을 갖는 표면 처리 방법이다.

Подробнее
Номер записи: 4
31-12-2018 дата публикации

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체

Номер: KR0101934237B1
Автор: 다카하시, 히로유키, 가자마, 가즈노리, 이와부치, 노리유키, 도다, 사토시, 다카하시, 데츠로
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 복수매의 피처리 기판에 대하여 복수의 처리부에서 각각 처리함에 있어서, 배기 기구를 공통화하면서, 서로 다른 가스 조건의 기판 처리를 실시할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공한다. 복수매의 피처리 기판(Wa, Wb)에 대하여 기판 처리를 실시하는 복수의 처리부(11a, 11b)와, 복수의 처리부(11a, 11b)로부터 가스를 공통으로 배기하는 배기 기구(15)와, 복수의 처리부(11a, 11b)에 대하여 가스를 독립적으로 공급하는 가스 공급 기구(14)와, 제어부(16)를 구비하고, 제어부(16)는, 복수매의 피처리 기판(Wa, Wb)에 대하여 기판 처리를 실시할 때, 복수의 처리부(11a, 11b)로부터 가스를 일괄해서 배기하도록 배기 기구(15)를 제어하면서, 복수의 처리부(11a, 11b)에 대하여 독립해서 처리 가스를 공급함과 함께, 복수의 처리부(11a, 11b)에서의 내부 압력차가 발생하는 것을 저지하도록, 가스 공급 기구(14)를 제어한다.

Подробнее
Номер записи: 5
09-02-2018 дата публикации

표면 평탄화 방법

Номер: KR0101828082B1
Автор: 하나오카 히데토시
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 표면의 폴리실리콘층의 막두께를 유지하여 기판의 표면을 평탄화할 수 있는 표면 평탄화 방법을 제공한다. 기판 처리 장치(10)의 챔버(11) 내에서 폴리실리콘층(40)을 표면에 갖는 웨이퍼(W)의 표면을 평탄화할 때, 웨이퍼(W)를 챔버(11) 내의 서셉터(12)에 얹고, 챔버(11) 내의 압력을 100 mTorr 이상 800 mTorr 이하 중 어느 것으로 설정하고, 산소 가스 및 아르곤 가스의 혼합 가스에서의 아르곤 가스의 유량비를 50% 이상 95% 이하 중 어느 것으로 설정하여 챔버(11) 내부에 도입하고, 주파수가 13 MHz 이상 100 MHz 이하 중 어느 것으로 설정되어 있는 플라즈마 생성용 고주파 전력을 서셉터(12)에 인가하여 도입된 혼합 가스를 여기하여 플라즈마를 생성하고, 생성된 플라즈마 중의 산소의 양이온(43)이나 아르곤의 양이온(44)에 의해 웨이퍼(W)의 표면을 스퍼터링한다.

Подробнее
Номер записи: 6
15-05-2018 дата публикации

플라즈마 처리 장치 및 그것에 이용하는 배기 구조

Номер: KR0101858316B1
Автор: 도조 도시히로, 우츠기 야스후미, 사사키 가즈오
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 탑재대에 고 파워의 고주파 전력을 인가하는 경우에도, 처리실내의 소망하지 않는 부분에서의 방전이나 배기 영역으로의 플라즈마의 침입을 효과적으로 방지한다. 처리실(4)내에서 탑재대(23)의 탑재면에 기판 G를 탑재하고, 처리실(4)내에서 기판 G에 대해서, 탑재대(23)에 바이어스용의 고주파 전력을 인가하면서 플라즈마 처리를 행하는 플라즈마 처리 장치로서, 탑재면의 하방 위치에 마련되고, 처리실(4)을, 기판 G에 대해서 플라즈마 처리를 행하는 처리 영역(41)과 배기계에 연결되는 배기 영역(42)으로 구획하는, 도전성 재료로 이루어지는 복수의 구획 부재(50)를 갖고, 복수의 구획 부재(50)는, 접지 전위에 접속되고, 또한 개구부를 갖지 않고, 인접하는 것 끼리가, 그 사이에, 처리 영역(41)에 공급된 처리 가스를 배기 영역(42)에 유도하는 개구(60)가 형성되도록 이간하여 배치되어 있다.

Подробнее
Номер записи: 7
19-02-2016 дата публикации

DEVELOPING APPARATUS AND DEVELOPING METHOD

Номер: KR0101596063B1
Автор: 후나코시 히데오, 마루야마 미츠아키
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 기판의 이면에 부착된 먼지에 기인하는 노광 시의 미스얼라이먼트를 방지하고, 기판 처리면에서 발생한 용해 생성물 등이나 오물이 기판의 이면을 오염하는 것을 방지한다. 기판(G)을 회전 가능하게 유지하는 회전 베이스(2)와, 회전 베이스와 함께 회전 가능하고, 회전 베이스에 유지된 기판의 외측 둘레부를 둘러싸며, 기판의 표면상으로부터 연속되는 액막을 형성하기 위한 둘레 조주(助走) 스테이지(3)와, 기판과 일정한 간극을 두고 대향하는 평면을 갖는 평면부(4)와, 기판의 표면을 따라서 이동하여, 기판에 대한 현상액의 공급과 흡인을 동시에 행하는 노즐 헤드(5)를 설치한다. 평면부는, 기판 이면과 일정한 간극을 두고 유지되고, 간극에 액체를 공급하는 복수의 액체 공급 구멍(40)과, 복수의 액체 공급 구멍의 사이에 끼워지도록 형성되고, 액체를 흡인 배출하기 위한 흡인 배출 구멍(41)을 포함한다. 액체 공급 구멍 및 흡인 배출 구멍에 접속되는 관로(42a, 42b)에 설치되는 유로 개폐 밸브(V1, V2)를 제어부(65)에 의해 개폐 제어한다.

Подробнее
Номер записи: 8
23-08-2018 дата публикации

기판 처리 장치 및 토출 기구 세정 방법

Номер: KR0101891128B1
Автор: 가이 요시히로, 이시카와 신야, 카미카와 유지, 나가미네 슈이치, 신도 나오키
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 기판을 처리하는 기판 처리 장치로서, 상기 기판을 둘러싸는 회수 컵을 포함하고, 상기 기판을 보지하는 기판 보지부와, 상기 회수 컵의 내측에서 상기 기판 보지부의 상방에 배치되고, 상기 기판을 향하여 처리액을 토출하는 토출 기구와, 상기 토출 기구를 상기 기판 보지부의 상방으로부터 상기 회수 컵 외측의 위치로 이동시키는 암 및 선회 승강 기구와, 상기 회수 컵의 외측에 배치되고, 상기 토출 기구의 선단면이 침지되는 세정액을 저류하는 저류조와, 상기 세정액이 상기 저류조로부터 배출된 후에, 상기 토출 기구의 상기 선단면에 잔류하는 상기 세정액을 제거하는 기체 분출부를 구비하고, 상기 기체 분출부가 상기 저류조 내에 있어서 상기 토출 기구를 향하여 기체를 분출한다.

Подробнее
Номер записи: 9
04-10-2018 дата публикации

플라즈마 에칭 방법

Номер: KR0101904576B1
Автор: 히라야마 유스케, 도노에 가즈히토
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 위쪽에 패터닝된 실리콘 산화막이 형성되는 피처리 기판에 있어서의 실리콘층을 제 1 처리 가스에 의해 에칭하여 구멍 부분을 형성하는 플라즈마 에칭 방법에 있어서, 일산화탄소 가스를 포함하는 제 2 처리 가스에 의해 실리콘 산화막의 표면에 보호막을 퇴적시키는 제 1 퇴적 스텝 S11과, 제 1 처리 가스에 의해 실리콘층을 에칭하는 제 1 에칭 스텝 S12와, 구멍 부분의 측벽에 제 2 처리 가스에 의해 보호막을 퇴적시키는 제 2 퇴적 스텝 S13과, 제 1 처리 가스에 의해 실리콘층을 더 에칭하는 제 2 에칭 스텝 S14를 갖고, 제 2 퇴적 스텝 S13과 제 2 에칭 스텝 S14를 적어도 2회씩 교대로 반복한다.

Подробнее
Номер записи: 10
27-12-2018 дата публикации

에칭 방법

Номер: KR0101933331B1
Автор: 다케야 고지, 니시무라 가즈아키, 다카하시 노부히로, 마츠나가 준이치로
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 에칭 방법은, 실리콘과 실리콘 게르마늄을 갖는 피처리 기판을 챔버 내에 배치하는 것과, 챔버 내에 H2 가스와 Ar 가스로 이루어지는 처리 가스를 여기된 상태로 공급하는 것과, 여기된 상태의 처리 가스에 의해 실리콘을 실리콘 게르마늄에 대하여 선택적으로 에칭하는 것을 포함한다. 이것에 의해, 실리콘 게르마늄에 대하여 실리콘을 고 선택비로 에칭할 수 있다.

Подробнее
Номер записи: 11
18-10-2017 дата публикации

ＴｉＮ막의 성막 방법 및 기억 매체

Номер: KR0101787806B1
Автор: 야마사키 히데아키, 오카베 신야, 야마모토 다케시, 오니시 도루
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 플라즈마 CVD법에 의해 TiN막을 성막할 때, 성막 매수가 증가해도 파티클의 발생을 억제할 수 있는 TiN막의 성막 방법을 제공한다. 처리 용기 내에 피처리 기판을 반입하고, Ti 함유 가스 및 질화 가스를 처리 용기 내에 공급함과 아울러, 이들 가스의 플라즈마를 생성해서 피처리 기판의 표면에 TiN막을 성막하는 공정을, 복수의 피처리 기판에 대해 반복해서 행하는 TiN막의 성막 방법에 있어서, 소정 매수의 피처리 기판에 대해 TiN막을 성막한 후, 처리 용기 내에 피처리 기판이 존재하지 않는 상태에서, 처리 용기 내에 Ti 함유 가스를 포함하는 처리 가스를 공급함으로써 Ti막을 형성하는 Ti막 형성 공정을 1회 이상 행한다.

Подробнее
Номер записи: 12
17-05-2016 дата публикации

LIQUID PROCESSING APPARATUS FOR SUBSTRATE, METHOD FOR CONTROLLING THE SAME AND STORAGE MEDIUM FOR PERFORMING THE METHOD

Номер: KR0101621990B1
Автор: 오가타 노부히로, 나가미네 슈이치
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 본 발명에 따른 기판 액처리 장치는, 기판을 유지하는 배치대와, 배치대를 회전시키는 회전 구동부와, 배치대에 배치된 상기 기판에 액체를 공급하는 액체 공급부와, 배치대에 배치되어 회전하는 기판으로부터 비산되는 액체를 아래쪽으로 안내하기 위해서, 위에서부터 차례로 마련된, 액체 안내 상부컵과, 액체 안내 중앙컵 및 액체 안내 하부컵을 포함하고 있다. 액체 안내 상부컵, 액체 안내 중앙컵 및 액체 안내 하부컵은, 구동 기구에 의해 승강하도록 되어 있다. 구동 기구는, 액체 안내 중앙컵에 접속되어 있다.

Подробнее
Номер записи: 13
18-12-2017 дата публикации

프로브 카드 장착 방법

Номер: KR0101810099B1
Автор: 야마다 히로시, 오비 히로키
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 프로브 카드의 반송 스테이지에의 탈착을 용이하게 행할 수 있는 프로브 카드 장착 방법을 제공한다. 웨이퍼 검사 장치(10)에서, 반송 스테이지(18)를 이동시켜 스테이지측 카메라(28) 및 테스터(15)측에 배치된 테스터측 카메라(16)를 서로 대향시켜 기준 위치를 확정하고, 스테이지측 카메라(28)에 의해 테스터(15)의 핀 마크(24)를 확인하여 기준 위치로부터 테스터(15)에서의 포고 프레임(19)의 중심까지의 제 1 거리를 확정하고, 테스터측 카메라(16)에 의해 반송 스테이지(18)에 장착된 프로브 카드(20)의 타겟 마크(32)를 확인하여 기준 위치로부터 프로브 카드(20)의 중심까지의 제 2 거리를 확정하고, 확정된 기준 위치, 제 1 거리 및 제 2 거리에 기초하여 반송 스테이지(18)를 이동시켜 프로브 카드(20)를 포고 프레임(19)에 대향시킨다.

Подробнее
Номер записи: 14
06-10-2016 дата публикации

열처리 장치

Номер: KR0101663349B1
Автор: 아사리, 신지, 사토, 히데카즈, 시오바라, 도모히로
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 처리 용기의 하부에 분체나 액상의 퇴적물이 부착되는 것을 억제하는 것이 가능한 열처리 장치를 제공한다. 주위에 가열 수단이 설치된 종형의 처리 용기 내에 그 하방으로부터 상방을 향하여 불활성 가스를 흐르게 하면서 유지 수단에 유지된 복수매의 피처리체에 대하여 열처리를 실시하도록 한 열처리 장치는, 상기 가열 수단을 제어하는 주 온도 제어부와, 상기 처리 용기 내에 상기 불활성 가스를 흘리는 불활성 가스 유로와, 상기 불활성 가스 유로에 설치되고 상기 불활성 가스를 가열하는 불활성 가스 가열부와, 상기 불활성 가스 가열부에 설치된 제1 온도 측정 수단과, 상기 제1 온도 측정 수단의 측정값에 기초하여 상기 불활성 가스 가열부를 제어하는 온도 제어부를 포함한다. 이에 의해, 처리 용기의 하부에 분체나 액상의 퇴적물이 부착되는 것을 억제한다.

Подробнее
Номер записи: 15
03-04-2018 дата публикации

그래포-에피택셜 애플리케이션에서의 블록 공중합체들의 유도성 조립에 대한 토포그래피의 사용

Номер: KR0101845180B1
Автор: 래스색 벤자민 엠, 서머벨 마크 에이치
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 기판 상에 패터닝된 토포그래피를 형성하기 위한 방법이 제공된다. 기판에는, 현재 존재하는 토포그래피를 구성하는, 맨 위에 형성된 피쳐들이 제공되며, 유도성 자기 조립(DSA)을 위한 템플릿은 노출된 토포그래피를 둘러싸고 형성된다. 방법에 더하여, 템플릿은 노출된 토포그래피를 커버하기 위하여 블록 공중합체(BCP)로 채워지며, 그 후, BCP는 자기 조립이 토포그래피와 동일 선상에 있게 만들기 위하여 템플릿 내에서 어닐링된다. 어닐링된 BCP의 현상은 토포그래피 바로 위에 놓인 DSA 패턴을 노출시킨다. 일 실시예에서, 템플릿 또는 토포그래피의 표면들은 그 표면 특성을 변경하도록 처리된다.

Подробнее
Номер записи: 16
20-02-2019 дата публикации

포토레지스트 공급 시스템에서의 증가한 재순환 및 필터링을 위한 방법 및 장치

Номер: KR0101950565B1
Автор: 카르카시 마이클 에이., 프린츠 월리스 피., 후게 조슈아 에스.
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 기판 상에 액체를 디스펜스하기 위한 장치는 디스펜스될 액체를 저장하기 위한 저장소; 유입구 및 유출구를 포함하는 필터 ― 필터 유입구는 제 1 밸브를 통해 저장소와 유동 가능하게 연결됨 ― ; 유입구, 제 1 유출구 및 제 2 유출구를 포함하는 도우징 펌프 ― 도우징 펌프 유입구는 저장소와 유동 가능하게 연결되고 도우징 펌프 제 2 유출구는 제 2 밸브를 통해 필터 유입구와 유동 가능하게 연결되고, 도우징 펌프는 액체량을 도우징하고 액체를 펌핑하도록 구성됨 ― ; 및 도우징 펌프 제 1 유출구와 유동 가능하게 연결되는 디스펜스 노즐을 포함하고, 디스펜스 노즐은 기판 상에 액체를 디스펜스하도록 구성된다.

Подробнее
Номер записи: 17
29-12-2016 дата публикации

방향성 자기 조립 적용을 위한 용매 어닐링 프로세싱

Номер: KR0101691320B1
Автор: 서머벨 마크 에이치.
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 블록 공중합체 층을 포함하는 층상 기판을 용매 어닐링 하기 위한 방법(10) 및 장치(100)가 제공된다. 이 방법(10)은 (a) 프로세싱 챔버에 어닐링 가스를 주입하는 단계(20); (b) 제1 기간 동안 프로세싱 챔버에 어닐링 가스를 유지하는 단계(30); (c) 프로세싱 챔버로부터 어닐링 가스를 제거하는 단계(40); 및 (d) 블록 공중합체를 유도하여 순환 자기 조립을 경험하기 위해 여러 차례 단계(a) 내지 단계(c)를 반복하는 단계(50)를 포함한다. 이 장치(100)는 프로세스 공간(126)을 포함하는 프로세싱 챔버(112); 프로세스 공간(126) 내의 기판 지지 표면(134); 프로세스 공간(126)과 유체 연통하는 유체 용매 어닐링 가스 공급부(170) 및 퍼지 가스 공급부(178); 프로세싱 챔버(112) 내에 위치하는 가열 소자(220), 프로세싱 챔버(112) 내의 배기 포트(190); 및 어닐링 가스 공급 밸브(175), 가열 소자(220), 배기 포트 밸브(194) 및 퍼지 가스 공급 밸브(180)을 제어하도록 프로그래밍된 시퀀싱 디바이스(216)를 포함한다.

Подробнее
Номер записи: 18
01-11-2016 дата публикации

기판 처리 방법 및 기억 매체

Номер: KR0101671316B1
Автор: 시미즈 와타루
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 저유전율막인 SiCOH막과 Cu 배선과의 각각의 노출면에 탄소가 탈락한 데미지층 및 산화물이 각각 형성된 기판에 대하여 데미지층을 회복시키고 또한 산화물을 환원하는 것이다. SiCOH를 포함한 층간 절연막(4)과 Cu를 포함한 배선(2)의 각각의 노출면에 탄소가 탈락한 데미지층(15) 및 산불화층(16)이 각각 형성된 웨이퍼(W)에 대하여, H2 가스의 공급과 실리콘 및 탄소를 포함한 TMSDMA 가스의 공급을 동일한 처리 용기(51)에서 이 순서로 연속하여 행함으로써, 산불화층(16)의 환원 처리 및 데미지층(15)의 회복 처리를 행한다.

Подробнее
Номер записи: 19
01-08-2018 дата публикации

에칭 방법

Номер: KR0101884510B1
Автор: 다카하시, 노부히로, 마츠모토, 마사시, 하기와라, 아야노, 다케야, 고지, 마츠나가, 준이치로
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 본 발명의 과제는, SiGe 및 Si이 공존하는 피처리 기판에 있어서, Si에 대한 SiGe의 선택적 에칭 및 SiGe에 대한 Si의 선택적 에칭을 동일한 가스계를 사용하여 동일한 장치로 행할 수 있는 에칭 방법을 제공하는 것이다. 실리콘과 실리콘게르마늄을 갖는 피처리 기판을 챔버 내에 배치하고, 에칭 가스의 가스계를 F2 가스 및 NH3 가스로 하고, F2 가스와 NH3 가스의 비율을 변화시킴으로써, 실리콘에 대한 실리콘게르마늄의 선택적 에칭과, 실리콘게르마늄에 대한 실리콘의 선택적 에칭을 행한다.

Подробнее
Номер записи: 20
23-03-2017 дата публикации

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 그 기판 처리 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체

Номер: KR0101719383B1
Автор: 세키 신이치, 도미타 히로시, 후쿠나가 노부타카, 소하라 도시후미
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 본 발명은 주변 노광과 기판 검사 중 어느 한쪽의 처리에 이용되는 부분에 이상이 발생했을 때에, 기판 처리가 정지하는 것을 방지할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 기판 유지부(33)에 유지된 기판을 회전 구동부(34)에 의해 회전시키면서, 기판의 주변부에 광을 조사하여 주변 노광 처리를 수행하는 주변 노광부(50)와, 기판을 이동 구동부(35)에 의해 이동시키면서, 기판을 촬상한 화상에 기초하여 기판 검사 처리를 수행하는 기판 검사부(70)와, 제어부(80)를 갖는다. 제어부(80)는 정해진 기판 처리에 주변 노광 처리가 포함되어 있으면, 정해진 기판 처리를 정지시키고, 기판 검사부(70)에 이상이 발생했을 때, 주변 노광부(50) 및 반송부(32) 모두에 이상이 발생하지 않았고, 정해진 기판 처리에 기판 검사 처리가 포함되어 있으면, 기판 검사 처리를 스킵하도록 제어한다.

Подробнее
Номер записи: 21
15-03-2018 дата публикации

프로브 카드 반송 장치, 프로브 카드 반송 방법 및 프로브 장치

Номер: KR0101839214B1
Автор: 야마가타 가즈미, 나가사카 무네토시
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 간이한 구성으로, 공간 절약화가 가능함과 함께, 다른 부재와의 간섭이 발생하기 어려운 구조의 프로브 카드의 반송 장치를 제공한다. 반송 장치(50)는 제1 플레이트(63), 제2 플레이트(65), 제3 플레이트(67) 및 제4 플레이트(69)를 슬라이드 이동시키기 위한 가동체(70B)를 갖는 구동부(70)를 구비하고 있다. 조인트(71)에 의해, 가동체(70B)를 제1 플레이트(63)에 연결시킨 상태에서, 가동체(70B)를 F 방향으로 이동시키면, 제1 플레이트(63)는 동일 방향으로 가동체(70B)의 이동량과 동일한 이동량으로 제2 플레이트(65)에 대하여 상대 이동한다. 한편, 조인트(71)에 의해, 가동체(70B)를 제3 플레이트(67)에 연결시킨 상태에서, 가동체(70B)를 F 방향으로 이동시키면, 제3 플레이트(67)는 동일 방향으로 가동체(70B)의 이동량과 동일한 이동량으로 제2 플레이트(65)에 대하여 상대 이동한다.

Подробнее
Номер записи: 22
30-01-2018 дата публикации

펄스화 가스 플라즈마 도핑 방법 및 장치

Номер: KR0101815746B1
Автор: 벤트젝 피터, 네모토 다케나오, 우에다 히로카즈, 고바야시 유우키, 호리고메 마사히로
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 본 발명은 도펀트로 기판의 표면을 도핑하기 위한 방법 및 장치에 관한 것으로, 도펀트는 예를 들어, 포스핀 또는 아르신이다. 도핑은 낮은 농도의 도펀트로 주로 헬륨 또는 아르곤과 같은 불활성 가스로 수행된다. 등각의 도핑을 제공하기 위해, 바람직하게 도펀트의 모노층(monolayer)을 형성하기 위해, 가스 흐름 유입 위치는 도핑 프로세스 동안 스위칭되고, 가스 혼합물은 주로 제 1 시간 주기 동안 프로세스 챔버에서 중심 최상부 포트를 통해 유입된 다음에 제 2 시간 주기 동안 주로 주변 또는 에지 분사 포트를 통해 가스 혼합물이 유입되고, 스위칭은 플라즈마 프로세스로서 교번 방식으로 계속한다.

Подробнее
Номер записи: 23
01-09-2017 дата публикации

마이크로파 플라즈마원 및 플라즈마 처리 장치

Номер: KR0101774089B1
Автор: 고마츠, 도모히토, 이케다, 다로, 후지노, 유타카
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 플라즈마의 확대를 확보하여, 마이크로파 방사부의 수를 적게 해도 균일한 표면파 플라즈마를 형성할 수 있는 마이크로파 플라즈마원을 제공한다. 마이크로파 플라즈마원(2)은, 마이크로파 출력부(30)와, 마이크로파 공급부(40)와, 마이크로파 방사판(50)을 갖는다. 마이크로파 공급부(40)는, 마이크로파 방사 부재(50)의 주연부(50a)의 위에 원주 방향을 따라 복수 설치된 마이크로파 도입 기구(43)를 갖고, 마이크로파 방사판(50)은, 마이크로파 도입 기구 배치 영역을 따라서 전체 형상이 원주 형상으로 되도록 복수 형성된 마이크로파 방사용의 슬롯(123)을 갖는 슬롯 안테나부(124)와, 마이크로파 도입 기구 배치 영역에 대응하는 위치에, 슬롯(123)을 덮도록 원주 형상으로 설치되고, 슬롯(123)으로부터 방사된 마이크로파를 투과하는 마이크로파 투과 부재(122)를 갖는다.

Подробнее
Номер записи: 24
01-02-2016 дата публикации

SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS

Номер: KR0101590648B1
Автор: 이시다 세이키, 사이토 유키요시
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 본 발명은 작업 처리량의 향상을 도모하고, 문제가 발생한 경우에도, 장치 전체의 가동률의 저하를 억제할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다. 캐리어(C)에 대하여 웨이퍼를 전달하는 반입ㆍ반출 아암(B)을 포함하는 기판 반입 블록의 후단측에, 제1 처리 블록(31)과 제2 처리 블록(32)과 제3 처리 블록(33)을 순서대로 배치한다. 기판 반입 블록에, 상기 반입ㆍ반출 아암(B)으로부터 제1 처리 블록(31)에 웨이퍼를 전달하기 위한 전달 스테이지(21a, 21b)와, 제2 처리 블록에 웨이퍼를 전달하기 위한 전달 스테이지(22)와, 제3 처리 블록에 웨이퍼를 전달하기 위한 전달 스테이지(23)를 설치하여, 전달 스테이지(22) 상의 웨이퍼를 제1 직접 반송 기구(A1)에 의해 제2 처리 블록(32)에 직접 반송하고, 전달 스테이지(23) 상의 웨이퍼를 제2 직접 반송 기구(A2)에 의해 제3 처리 블록(33)에 직접 반송한다.

Подробнее
Номер записи: 25
01-10-2018 дата публикации

기판 반송실, 기판 처리 시스템, 및 기판 반송실 내의 가스 치환 방법

Номер: KR0101903338B1
Автор: 곤도 게이스케
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 구획 가변 장치(60)는, 복수의 개구를 갖고 전체적으로 직사각형을 이루는 배플판(61)과, 배플판(61)의 주위를 둘러싸는 직사각형의 프레임(62)과, 프레임(62)의 아래쪽에 연결된 벨로우즈(63)와, 벨로우즈(63)의 하단이 고정된 벨로우즈 지지부(64)를 구비하고 있다. 대기측 반송 장치(25)의 반송 암(26a)을 상승시키면, 반송 암(26a)에 결합한 구획 가변 장치(60)의 프레임(62)이 상승하고, 벨로우즈(63)를 신장시키기 때문에, 대기압 반송실(14)의 내부의 가스 유통 공간(S1)의 용적이 축소되고, 대기압 반송실(14)의 내부의 가스 유통 공간(S1)의 분위기를 단시간에 치환할 수 있다.

Подробнее
Номер записи: 26
24-08-2017 дата публикации

유도 자기 어셈블리 패턴 결함률을 감소시키기 위한 에칭 프로세스

Номер: KR0101771372B1
Автор: 차크라파니 비드햐, 고 아키테루, 쿠마르 카우쉬크
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 패터닝된 유도 자기 어셈블리(directed self-assembly; DSA) 층을 준비하기 위한 방법이 제공되며, 이 방법은 표면 상에 블록 코폴리머 층(block copolymer layer)을 갖고 있는 기판을 제공하는 단계로서, 상기 블록 코폴리머 층은 블록 코폴리머 층에서 제 1 패턴을 정의하는 제 1 위상-분리 폴리머(phase-separated polymer) 및 블록 코폴리머 층에서 제 2 패턴을 정의하는 제 2 위상-분리 폴리머를 포함하는, 상기 기판을 제공하는 단계; 및 기판의 표면 상에 제 1 위상-분리 폴리머의 제 1 패턴을 남겨두면서, 제 2 위상-분리 폴리머를 선택적으로 제거하기 위한 에칭 프로세스를 수행하는 단계를 포함하고, 에칭 프로세스는 약 20℃ 이하의 기판 온도에서 수행된다. 이 방법은 중앙 영역에서 제 1 온도를 제어하기 위한 제 1 온도 제어 엘리먼트 및 기판의 에지 영역의 제 2 온도 제어 엘리먼트를 갖는 기판 홀더를 제공하는 단계; 및 제 1 및 제 2 온도에 대한 타겟값을 선택하는 단계를 더 포함한다.

Подробнее
Номер записи: 27
27-12-2017 дата публикации

플라즈마 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법

Номер: KR0101812646B1
Автор: 야마모토 타카시
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... (과제) 반도체 웨이퍼 등의 기판과, 하부 전극의 기재 또는 그 주변의 구조물과의 사이에서 방전이 발생하는 것을 방지할 수 있고, 수율을 향상시켜 생산성의 향상을 도모할 수 있는 플라즈마 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다. (해결 수단) 처리 챔버와, 하부 전극과, 상부 전극과, 피(被)처리 기판을 지지하기 위한 복수의 리프터 핀을 구비하고, 리프터 핀은, 핀 본체부와, 당해 핀 본체부의 정수리부에 설치되고 핀 본체부의 외경보다 큰 외경을 갖는 덮개부를 구비하고, 하부 전극은, 덮개부의 외경보다 작은 내경을 갖고 핀 본체부를 수용하는 핀 본체 수용부와, 당해 핀 본체 수용부의 상부에 형성되어 덮개부를 수용하는 덮개 수용부를 갖고, 내부에 리프터 핀이 배설되는 리프터 핀용 투공(through hole)을 구비하여, 리프터 핀을 하강시킨 상태에서는 덮개부가 덮개 수용부 내에 수용되어, 핀 본체 수용부의 상부가 덮개부에 의해 폐색된 상태가 된다.

Подробнее
Номер записи: 28
28-12-2015 дата публикации

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер: KR0101580704B1
Автор: 히로따 요시히로, 사또오 요시히로, 오꾸무라 노부오
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 플라즈마 질화 처리 공정 후에, 선택 에칭 처리 공정에 있어서, 전극층에 형성된 질화규소막을 남기면서, 소자 분리막 및 절연막의 표면에 형성된 질화산화규소막이 제거된다. 선택 에칭 공정에 의해, 소자 분리막 및 절연막의 표면에 형성된 질화산화규소막이 제거된다.

Подробнее
Номер записи: 29
16-03-2017 дата публикации

로드 로크 장치

Номер: KR0101717322B1
Автор: 하라, 마사미치, 미야시타, 데츠야
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 본 발명은 간이한 구성으로 신속하게 고진공을 실현할 수 있는 로드 로크 장치를 제공한다. 로드 로크 장치(LL1)는 대기 분위기 및 진공실에 연통하는 챔버(1)와, 챔버(1) 내에 배치되어, 반도체 웨이퍼(W)를 보유 지지함과 함께, 챔버(1) 내를 상하 방향으로 이동 가능하게 설치된 보유 지지부(3)와, 보유 지지부(3)를 상하 방향으로 승강시키는 승강 기구(5)와, 챔버(1)와 보유 지지부(3)에 의해 구획 형성되는 공간(S1)을 진공화하는 압력 조정 기구(7)를 포함하고, 승강 기구(5)는 보유 지지부(3)에 연결되고, 상하 방향을 따라 설치되는 적어도 2개의 샤프트(24)와, 승강축 부재를 승강시키는 구동부를 포함하고, 챔버(1)의 천장부(1b)에는 공간(S1)과 연통하는 개구부(O1)가 형성되어 있고, 2개의 샤프트(24)는 개구부(O1)를 사이에 두는 위치에 배치되어 있다.

Подробнее
Номер записи: 30
07-10-2015 дата публикации

REDUCED-PRESSURE DRYING DEVICE AND REDUCED-PRESSURE DRYING METHOD

Номер: KR0101558596B1
Автор: 이께다 후미히꼬
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 본 발명의 과제는 처리액이 도포된 피처리 기판에 대해 상기 처리액의 건조 처리를 행하여, 도포막을 형성하는 감압 건조 장치에 있어서, 처리액의 건조 시간을 단축하고, 또한 균일한 막 두께를 얻을 수 있는 감압 건조 장치 및 감압 건조 방법을 제공한다. 피처리 기판(G)을 수용하여, 처리 공간을 형성하는 챔버(85, 86)와, 상기 챔버(85, 86) 내에 설치되어, 상기 피처리 기판(G)을 유지하는 유지부(88)와, 상기 챔버(85, 86) 내에 형성된 배기구(89)와, 상기 배기구(89)로부터 챔버 내의 분위기를 배기하는 배기 수단(91)과, 상기 챔버 내에 설치되어, 상기 배기 수단(91)의 배기 동작에 의해, 상기 기판 상면을 일방향으로 흐르는 기류의 유로를 형성하는 정류 수단(93, 94, 95)을 구비한다.

Подробнее
Номер записи: 31
20-03-2018 дата публикации

로드 로크 장치 및 기판 처리 시스템

Номер: KR0101840552B1
Автор: 와카바야시, 신지
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 본 발명은 간소한 구성으로 로드 로크실 내의 기판 용기로부터의 덮개의 착탈, 덮개가 제거된 기판 용기로부터의 기판의 출입을 행하는 것이 가능한 로드 로크 장치 등을 제공한다. 로드 로크 장치(2)는, 진공 반송실에 대하여 연통구(211)를 통해서 접속되고, 내부의 압력을 대기압 상태와 진공압 상태로 전환 가능한 로드 로크실을 구비하고, 로드 로크실 본체(21)는, 착탈 가능한 덮개(62)가 측면에 설치된 기판 용기(6)의 반출입이 행하여지는 반입출구(212)와, 그 개폐를 행하는 개폐 도어(22)를 구비하고, 덮개 착탈 기구(4)는, 상기 연통구(211)와 상하 방향으로 배열하는 높이 위치에 설치되고, 상기 기판 용기에 대한 덮개의 착탈을 실행한다. 승강 기구(3)는, 기판 용기(6)가 적재되는 적재대(31)를 구비하고, 기판 용기(6)의 덮개(62)측의 측면을, 연통구(211)에 대향하는 높이 위치와, 덮개 착탈 기구(4)에 대향하는 높이 위치로 이동시키도록 적재대(31)를 승강시킨다.

Подробнее
Номер записи: 32
04-07-2017 дата публикации

처리 장치 및 성막 방법

Номер: KR0101753736B1
Автор: 와무라 유, 모로즈미 유이치로, 사토 이즈미, 아사리 신지
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 복수매의 피(被)처리체에 소정의 처리를 행하기 위한 처리 장치는, 처리 공간의 일측에 노즐 수용 에어리어가 형성됨과 함께 타측에 노즐 수용 에어리어로부터 수평 방향으로 방출된 가스를 배기시키기 위한 배기구가 형성된 처리 용기를 갖는 처리 용기 구조와, 처리 용기 구조의 하단의 개구부측을 막는 덮개부와, 피처리체를 지지함과 함께, 처리 용기 구조 내로 삽입 및 이탈가능하게 이루어진 지지체 구조와, 노즐 수용 에어리어 내에 수용되어 가스를 도입하는 가스 노즐을 갖는 가스 도입 수단과, 처리 용기 구조 내의 분위기를 배기하기 위한 복수의 배기계를 갖는 배기 수단과, 피처리체를 가열하기 위한 가열 수단과, 장치 전체를 제어하는 제어 수단을 구비한다.

Подробнее
Номер записи: 33
02-06-2016 дата публикации

METHOD FOR EVALUATING DISCHARGE AMOUNT OF LIQUID DROPLET DISCHARGING DEVICE

Номер: KR0101626838B1
Автор: 이토 요시히로
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... (과제) 토출량을 고(高)정밀도로 그리고 효율 좋게 평가하는 것이 가능한 방법을 제공한다. (해결 수단) 본 발명의 액적 토출 장치의 토출량 평가 방법은, 용질을 용매에 용해시킨 용액과 분산질(dispersoid)을 분산매에 분산시킨 분산액과의 적어도 한쪽을 포함한 액상체를 토출하는 액적 토출 장치에 있어서, 토출되는 액상체의 토출량을 평가하는 방법이다. 액상체(Q1)에 포함되는 성분 중의 용매와 분산매와의 적어도 한쪽을 흡수하는 수리층(receiving layer; 21)과, 수리층(21)에 맞닿아 형성되며 액상체(Q1)에 포함되는 성분 중의 수리층(21)에 흡수되는 흡수 성분을 흡수하지 않는 베이스층(22)을 갖는 시험편(2)의 수리층(21)에, 액상체(Q1)를 액적 토출 장치에 의해 토출하는 토출 공정과, 흡수 성분이 수리층(21)에 퍼진 흡수부(Q21)의 면적을 평가하여, 이 평가 결과에 기초하여 액상체의 토출량을 평가하는 평가 공정을 구비하고 있다.

Подробнее
Номер записи: 34
03-11-2015 дата публикации

DIELECTRIC WINDOW FOR PLASMA PROCESSING DEVICE, PLASMA PROCESSING DEVICE, AND METHOD FOR ATTACHING DIELECTRIC WINDOW FOR PLASMA PROCESSING DEVICE

Номер: KR0101565432B1
Автор: 요시카와 와타루, 마츠모토 나오키, 요시카와 쥰
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 플라즈마 처리 장치용 유전체창(41) 중, 플라즈마를 생성하는 측의 면의 직경 방향 외측 영역에는, 환상으로 연장되고, 유전체창(41)의 판 두께 방향 내방측을 향해 테이퍼 형상으로 오목한 제 1 유전체창 오목부(47)가 형성되어 있다. 제 1 유전체창 오목부(47)와 유전체창(41)의 중심 사이에는, 플라즈마를 생성하는 측의 면으로부터 유전체창(41)의 판 두께 방향 내방측을 향해 오목한 복수의 제 2 유전체창 오목부(53a ~ 53g)가 형성되어 있다. 복수의 제 2 유전체창 오목부(53a ~ 53g)는, 유전체창(41)의 직경 방향의 중심(56)을 중심으로서 회전 대칭성을 가지도록, 각각 둘레 방향으로 간격을 두고 배치되어 있다.

Подробнее
Номер записи: 35
22-11-2018 дата публикации

실리콘 질화물 막의 성막 방법 및 성막 장치

Номер: KR0101921359B1
Автор: 가키모토, 아키노부, 하세베, 가즈히데
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 본 발명은, 하드의 개량에만 의존하지 않고, 또한, 막의 균일성, 전기적 또는 물리적 특성 및 가공성 등의 유저로부터의 요구를 충족하면서, 성막 장치의 생산성을 향상시키는 것이 가능한 실리콘 질화물 막의 성막 방법을 제공하는 것이다. (1) 피처리면을 향해, 실리콘을 포함하는 실리콘 원료 가스를 공급하는 공정(스텝 1)과, 피처리면을 향해, 실리콘 원료 가스의 분해를 촉진시키는 물질을 포함하는 분해 촉진 가스를 공급하는 공정(스텝 3)을 미리 정해진 제1 횟수 반복하는 공정과(단, n은 1 이상의 유한값), (2) 피처리면을 향해, 질소를 포함하는 질화 가스를 공급하는 공정을 미리 정해진 제2 횟수 행하는 공정(스텝 6)을 구비하고, (1) 공정으로부터 (2) 공정까지의 시퀀스를 1 사이클로 하여, 1 사이클을 미리 정해진 제3 횟수 행하여, 실리콘 질화물 막을 피처리면 위에 성막한다.

Подробнее
Номер записи: 36
31-12-2015 дата публикации

JIG FOR RETAINING LID

Номер: KR0101581993B1
Автор: 다나카 요시츠구, 하토리 가즈나리, 가사하라 도시히로
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 본 발명은, 처리실의 덮개를 안정적으로 유지하고, 반전시키는 것이 가능한 덮개 유지 지그를 제공한다. 처리실(81)의 상부에 설치된 덮개(83)를, 상기 처리실(81)로부터 제거된 상태로 유지하는 덮개 유지 지그(1)로서, 반전 프레임(2)은 덮개(83)의 둘레 가장자리부를 유지하고, 기체(31, 34, 53)는, 상기 반전 프레임(2)에 유지된 덮개(83)를 반전시키기 위해 상기 반전 프레임(2)을 수평한 회전축(52) 둘레에서 회전 가능하게 지지한다. 고정 기구(4)는, 상기 반전 프레임(2)에 대하여 덮개(83)를 고정하는 고정 위치와, 상기 덮개(83)의 고정이 해제되는 해제 위치의 사이에서 록샤프트(44)를 이동시킨다.

Подробнее
Номер записи: 37
24-02-2016 дата публикации

SUBSTRATE CONVEYING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM

Номер: KR0101597368B1
Автор: 야노 미쯔떼루, 도오끼 유우이찌, 도미따 히로시
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 본 발명의 과제는 기판의 반송을 행하는 데 있어서, 기판에 파티클이 부착되는 것을 억제하여, 기판의 처리 시스템에서 제조되는 제품의 수율을 향상시키는 것이다. 기판 반송 장치는, 내부에 기판을 수용하고, 측면에 기판의 반입출구(98)가 형성된 기판 수용 용기(91)와, 기판 수용 용기 내(91)의 기판(W)의 이면을 향해 소정의 가스를 분사하는 가스 분사부(92)와, 가스 분사부(92)로부터 공급되는 상기 소정의 가스의 공급량을 조정하여 상기 기판 수용 용기 내(91)의 기판(W)을 소정의 높이로 제어하는 제어부(93)를 갖고 있다.

Подробнее
Номер записи: 38
29-09-2016 дата публикации

기판 처리 장치

Номер: KR0101661222B1
Автор: 하야시 다이스케
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 이동 전극 및 통 형상 용기의 일방의 단벽(端壁) 간의 공간에서의 플라즈마의 발생을 억제할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다. 기판 처리 장치(10)는, 웨이퍼(W)를 수용하는 통 형상의 챔버(11)와, 이 챔버(11) 내에서 챔버(11)의 중심축을 따라 이동 가능한 샤워 헤드(23)와, 챔버(11) 내에서 샤워 헤드(23)에 대향하는 서셉터(12)와, 샤워 헤드(23) 및 챔버(11)의 덮개(14)를 접속시키는 신축 가능한 벨로즈(31)를 구비하고, 샤워 헤드(23) 및 서셉터(12)의 사이에 존재하는 처리 공간(PS)에 고주파 전력이 인가되고 처리 가스가 도입되고, 샤워 헤드(23) 및 챔버(11)의 측벽(13)은 비접촉이며, 샤워 헤드(23) 및 덮개(14) 사이에 존재하는 상부 공간(US)에 제 1 캐패시터층(32) 및 제 2 캐패시터층(33)이 배설된다.

Подробнее
Номер записи: 39
06-12-2017 дата публикации

주연부 도포 장치, 주연부 도포 방법 및 기억 매체

Номер: KR0101805931B1
Автор: 다카야나기 고지, 요시하라 고우스케, 노다 도모히로
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 원형 기판의 주연부에 도포액을 도포하여 링 형상의 도포막을 형성하는 데 있어서, 그 폭을 균일성 높게 형성할 수 있는 기술을 제공하는 것. 기판의 회전 및 노즐로부터의 도포액의 공급을 행하면서, 도포액의 공급 위치를 기판의 외측으로부터 기판의 주연부를 향하여 이동시키고, 그 기판을 평면에서 보았을 때에 그 각도가 10°이하인 쐐기형으로 도포액을 도포하며, 이어서, 기판의 회전 및 도포액의 공급을 계속한 채로 노즐의 이동을 정지하고, 기판의 주연부를 따라 띠 형상으로 도포액을 도포하며, 이 띠 형상으로 도포된 도포액의 단부를 상기 쐐기형으로 도포된 도포액에 접촉시켜, 기판의 전체 둘레에 걸쳐 도포액을 도포한다.

Подробнее
Номер записи: 40
03-04-2018 дата публикации

광 민감형 화학적 증폭 레지스트 내에 산 산탄 잡음으로 복제되는 EUV 산탄 잡음의 완화

Номер: KR0101845188B1
Автор: 카르카시 마이클 에이., 소머벨 마크 에이치.
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 광 민감형 화학적 증폭 레지스트(PS-CAR)의 극자외선(EUV) 리소그래피 및 패터닝에 있어서 산탄 잡음을 완화하기 위한 방법이 설명된다. 이 방법은 감광제를 생성하기 위한 제1 EUV 패턴 노출과, 제1 EUV 패턴 노출 동안 노출된 영역들 내에 산을 생성하기 위해, 제1 EUV 패턴 노출의 파장과 상이한 파장에서의 제2 전면 노출을 포함하고, 감광제는 산 생성을 증폭하고 콘트라스트를 향상시키도록 작용한다. 레지스트는 제1 EUV 패턴 노출 동안 축적될 수 있는 감광제 농도 상의 EUV 산탄 잡음의 영향을 완화하기 위해 열, 액체 용매, 용매 분위기, 또는 진공에 노출될 수 있다.

Подробнее
Номер записи: 41
08-03-2018 дата публикации

에칭 방법

Номер: KR0101836591B1
Автор: 다카하시, 노부히로, 다카하시, 테쯔로, 모리야, 슈지, 마츠모토, 마사시, 마츠나가, 준이치로
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 표면에 질화실리콘막을 갖고, 질화실리콘막에 인접해서 형성된 폴리실리콘막 및/또는 산화실리콘막을 갖는 피처리 기판(W)을 챔버(40) 내에 배치하고, 챔버(40) 내에, F 함유 가스와 O2 가스를, 적어도 O2 가스를 여기한 상태로 해서 공급하고, 이에 의해 질화실리콘막을 폴리실리콘막 및/또는 산화실리콘막에 대하여 선택적으로 에칭한다.

Подробнее
Номер записи: 42
27-10-2016 дата публикации

액 처리 장치

Номер: KR0101670095B1
Автор: 요시무라 고오끼, 다끼구찌 야스시, 야마모또 다로오
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 본 발명의 과제는 액 처리 장치에 있어서, 상기 처리액 노즐에 부착된 처리액으로부터의 석출물에 의해 기판이 오염되는 것을 방지하여, 수율의 저하를 방지하는 것이다.컵체의 중에 기판을 수평으로 보유 지지하는 기판 보유 지지부를 설치하여 구성되는 액 처리부와, 처리액 노즐과, 상기 컵체의 외측에 설치되고, 상기 처리액 노즐을 대기시키기 위한 대기부와, 상기 액 처리부의 각각의 상방 영역과, 대기부 사이에서 처리액 노즐을 이동시키기 위한 이동 수단과, 상기 대기부에 설치되고, 처리액 노즐에 세정액을 공급하여 세정하는 세정액 공급 수단과, 상기 대기부에 설치되고, 당해 대기부에서 대기하는 처리액 노즐로부터 매달린 상기 세정액의 액적에 접촉하여, 당해 액적을 처리액 노즐로부터 제거하는 액 제거부를 구비하도록 장치를 구성하고, 석출물을 씻어 내고, 또한 사용한 세정액의 액적을 제거한다.

Подробнее
Номер записи: 43
22-02-2018 дата публикации

플라즈마 처리 장치

Номер: KR0101831576B1
Автор: 이케다, 다로, 가사이, 시게루, 하라, 에미코, 후지노, 유타카, 오사다, 유키, 나카고미, 준, 고마츠, 도모히토
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 처리 용기 내에 제1 가스와 제2 가스를 공급하는 샤워 플레이트를 구비한 플라즈마 발생용 안테나를 갖고, 마이크로파의 공급에 의해 그 샤워 플레이트 표면에 형성된 표면파에 의해 플라즈마를 형성해서 기판을 처리하는 플라즈마 처리 장치로서, 샤워 플레이트의 하단면으로부터 하방으로 돌출되는 도전체의 수하 부재를 갖고, 상기 수하 부재의 외측면은, 상단부로부터 하단부를 향해서 외측으로 퍼지고, 샤워 플레이트는, 복수의 제1 가스 공급구와 복수의 제2 가스 공급구를 구비하고, 제1 가스 공급구는 수하 부재의 외측면보다 내측에 배치되고, 제2 가스 공급구는 수하 부재의 외측면보다 외측에 배치되어 있다.

Подробнее
Номер записи: 44
14-03-2017 дата публикации

슬릿 노즐 청소 장치 및 도포 장치

Номер: KR0101716509B1
Автор: 모또다 기미오, 미야자끼 후미히로, 오오따 요시하루, 가와우찌 다꾸오
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 본 발명의 과제는 슬릿 노즐의 슬릿 내를 파티클의 발생을 억제하면서 자동적이고 또한 효율적으로 청소하는 것이다. 슬릿 노즐 청소 장치(70)는 노즐 청소 유닛(56)과, 프라이밍 처리부의 전체를 기판 반송 방향(X방향)에서 이동시키기 위한 X방향 이동부(54)와, 케이싱(44) 중에서 노즐 청소 유닛(56)을 노즐 길이 방향(Y방향)에서 이동시키기 위한 Y방향 이동부(60)로 구성되어 있다. 노즐 청소 유닛(56)은 슬릿 노즐(32)의 슬릿(32a) 내에 외부로부터 삽입 발출 가능한 박판 형상의 스크레이퍼(74)와, 이 스크레이퍼(74)를 보유 지지하는 보유 지지부(76)와, 스크레이퍼(74)를 보유 지지부(76)와 일체로 슬릿 노즐(32)의 토출 방향에서 이동시키기 위한 승강 기구(78)와, 스크레이퍼(74)를 선회시키기 위한 선회 기구(82)를 구비하고 있다.

Подробнее
Номер записи: 45
21-12-2017 дата публикации

액처리 장치, 액처리 방법 및 기억 매체

Номер: KR0101811469B1
Автор: 안도, 료지, 사토, 타카미
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 본 발명은, 기판에 대하여 처리액에 의해 처리하는데 있어서, 처리액의 유량을 고정밀도로 계측하고 처리액의 토출 상태를 감시할 수 있는 액처리 장치, 액처리 방법 및 기록 매체를 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 액처리 장치는 기판 유지부에 유지된 기판에 대하여, 처리액 공급원으로부터 유로 부재 및 노즐을 통해 처리액을 공급하여 액처리를 행하는 장치에 있어서, 상기 유로 부재에 설치되고, 상기 처리액을 상기 노즐까지 송출하기 위한 송액 기구와, 상기 유로 부재에 있어서의 상기 송액 기구의 하류측에 설치되고, 측정 가능한 유량의 하한값이 1㎖/sec 이하인 초음파 유량계를 구비하고, 상기 초음파 유량계는, 상기 처리액의 흐름 방향으로 서로 이격되고 또한 각각 상기 유로 부재의 외주를 둘러싸도록 환 형상으로 설치된 제1 및 제2 압전 소자와, 초음파를 상기 제1 압전 소자로부터 상기 제2 압전 소자로 전파할 때의 전파 시간과 해당 초음파를 상기 제2 압전 소자로부터 상기 제1 압전 소자로 전파할 때의 전파 시간과의 시간 차에 기초하여, 상기 처리액의 유량을 측정하는 측정부를 구비한다.

Подробнее
Номер записи: 46
25-03-2016 дата публикации

METHOD OF DEPOSITING A FILM AND FILM DEPOSITION APPARATUS

Номер: KR0101606617B1
Автор: 가토 히토시, 다나카 게이이치, 기쿠치 히로유키
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Si―H 결합을 절단 가능한 제1 온도로 설정된 대략 원통형의 챔버 내에, 서로 이격된 제1 처리 영역과 제2 처리 영역이 둘레 방향을 따라 배치되고, 상기 제1 처리 영역과 상기 제2 처리 영역을 회전 통과 가능한 회전 테이블 상에 적재된 기판 상에 실리콘막을 형성하는 성막 방법이며, 상기 기판이 상기 제1 처리 영역을 통과할 때, 상기 제1 온도보다도 낮은 제2 온도로 설정된 Si2H6 가스를 공급하고, 상기 기판의 표면 상에 SiH3의 분자층을 형성하는 분자층 퇴적 스텝과, 표면 상에 상기 SiH3의 분자층이 형성된 상기 기판에 제1 온도로 유지된 상기 제2 처리 영역을 통과시키고, 상기 SiH3의 분자층의 Si―H 결합을 절단하고, 표면 상에 실리콘 원자층만을 남기는 수소 이탈 스텝을 포함한다.

Подробнее
Номер записи: 47
28-12-2016 дата публикации

도포 현상 장치, 현상 방법 및 기억 매체

Номер: KR0101685961B1
Автор: 타키구치 야스시, 야마모토 타로, 아리마 히로시, 요시하라 코우스케, 요시다 유이치
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 기판 표면 전체에 균일성 높게 현상액의 액막을 형성하고 또한 높은 스루풋을 얻을 수 있는 도포 현상 장치를 제공한다. 현상 모듈과, 세정 모듈과, 상기 현상 모듈에 의해 현상된 기판을 상기 세정 모듈로 반송하는 반송 기구를 구비하고, 상기 현상 모듈은, 처리 분위기를 형성하는 기밀한 처리 용기와, 이 처리 용기 내에 설치되며 기판을 재치하여 냉각시키기 위한 온조 플레이트와, 상기 처리 용기 내로 현상액의 미스트를 포함하는 분위기 가스를 공급하는 증기 공급부와, 상기 온조 플레이트를 상기 증기가 기판 상에 결로되는 온도로 조정하기 위한 온조부를 구비하도록 도포 현상 장치를 구성한다. 현상 모듈과 세정 모듈에서 병행하여 처리를 행할 수 있으므로, 높은 스루풋을 얻을 수 있다.

Подробнее
Номер записи: 48
06-11-2015 дата публикации

METHOD FOR ETCHING FILM HAVING TRANSITION METAL

Номер: KR0101567199B1
Автор: 구 순, 사무카와 세이지
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤, 도호쿠 다이가쿠

... 기판 처리 장치를 이용하여 전이 금속을 포함하는 막을 에칭하는 방법이 제공된다. 기판 처리 장치는, 처리실 및 플라즈마 생성실을 구획하는 처리 용기와, 처리실과 플라즈마 생성실의 사이에 설치되어 있고, 처리실과 플라즈마 생성실을 연통시키는 복수의 개구를 가지며, 자외선에 대한 차폐성을 갖는 차폐부를 구비하고 있다. 이 방법은, (a) 플라즈마 생성실에서 산소를 함유하는 제1 가스의 플라즈마를 발생시킴으로써, 상기 막을 갖는 피처리체를 수용한 처리실에, 산소 원자의 중성 입자를 공급하는 공정과, (b) 상기 처리실에, 산화된 전이 금속을 착화시키기 위한 제2 가스를 공급하는 공정과, (c) 상기 플라즈마 생성실에서 희가스의 플라즈마를 생성시킴으로써, 상기 처리실에 희가스 원자의 중성 입자를 공급하는 공정을 포함한다.

Подробнее
Номер записи: 49
21-09-2018 дата публикации

기판 반송 방법 및 기판 처리 시스템

Номер: KR0101901509B1
Автор: 고다마 도시아키
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 본 발명은 기판의 중심의 위치를 정확하게 산출할 수 있는 기판 반송 방법을 제공한다. 웨이퍼(W)가 반송될 때에 회전하는 기판 처리 시스템(10)에 있어서, 직진 방향 좌표계에 있어서 특정된 웨이퍼(W)의 에지 상의 각 점의 위치를, 직진 방향 좌표계에 대한 포크 좌표계의 회전각(θf)만큼 회전 이동시킨다.

Подробнее
Номер записи: 50
28-09-2016 дата публикации

성막 장치

Номер: KR0101661076B1
Автор: 이와사키 마사히데, 이와오 도시히코, 야마기시 고지, 요네쿠라 사토시
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 일 측면에 따른 성막 장치에서는, 배치대가 축선 중심으로 회전함으로써, 기판 배치 영역에 배치된 기판이 처리 용기 내의 제1 영역 및 제2 영역을 순서대로 통과한다. 제1 영역에는, 전구체 가스가 공급된다. 제2 영역에서는, 플라즈마 생성부에 의해, 반응 가스의 플라즈마가 생성된다. 플라즈마 생성부는, 플라즈마원으로서 마이크로파를 공급하는 안테나를 갖는다. 안테나는, 유전체제의 창 부재 및 도파관을 포함하고 있다. 창 부재는, 제2 영역 위에 설치되어 있다. 도파관은, 창 부재 상에 설치되어 있다. 도파관은, 축선에 대하여 방사 방향으로 연장되는 도파로를 획정하고 있다. 도파관에는, 도파로로부터 창 부재를 향해 마이크로파를 통과시키기 위한 복수의 슬롯 구멍이 형성되어 있다. 창 부재의 하면은, 축선에 대하여 방사 방향으로 연장되는 홈을 획정하고 있다.

Подробнее
Номер записи: 51
22-09-2016 дата публикации

성막 방법, 기록 매체 및 성막 장치

Номер: KR0101658270B1
Автор: 이케가와 히로아키, 가미니시 마사히코, 다카하시 고스케, 사사키 유, 오가와 준
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 분리 가스 공급부 및 제1 가스 공급부로부터 분리 가스 및 제1 반응 가스를 공급하면서, 회전 테이블을 제1 각도까지 회전시키고, 상기 분리 가스 공급부 및 상기 제1 가스 공급부로부터 상기 분리 가스 및 상기 제1 반응 가스를 공급하면서, 제2 가스 공급부로부터 제2 반응 가스를 공급하고, 또한, 상기 회전 테이블을 제2 각도까지 회전시키고, 상기 분리 가스 공급부 및 상기 제1 가스 공급부로부터 상기 분리 가스 및 상기 제1 반응 가스를 공급하면서, 상기 회전 테이블을 제3 각도까지 회전시키고, 상기 분리 가스 공급부 및 상기 제1 가스 공급부로부터 상기 분리 가스 및 상기 제1 반응 가스를 공급하면서, 상기 제2 가스 공급부로부터 제3 반응 가스를 공급하고, 또한, 상기 회전 테이블을 제4 각도까지 회전시키는, 성막 방법.

Подробнее
Номер записи: 52
24-07-2018 дата публикации

실리콘 질화막의 성막 방법, 유기 전자 디바이스의 제조 방법 및 실리콘 질화막의 성막 장치

Номер: KR0101881470B1
Автор: 이시카와 히라쿠
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 처리 용기 내에 수용된 기판 상에 실리콘 질화막을 성막하는 실리콘 질화막의 성막 방법으로서, 상기 처리 용기 내로 실란계 가스, 질소 가스 및 수소 가스를 포함하는 처리 가스를 공급하고, 상기 처리 가스를 여기시켜 플라즈마를 생성하고, 상기 플라즈마에 의한 플라즈마 처리를 행하여 기판 상에 실리콘 질화막을 성막한다. 상기 실리콘 질화막은 유기 전자 디바이스의 밀봉막으로서 이용된다. 상기 플라즈마에 의한 플라즈마 처리 중, 상기 처리 용기 내의 압력을 20 Pa ~ 60 Pa로 유지한다.

Подробнее
Номер записи: 53
06-07-2017 дата публикации

유도 결합 플라즈마 처리 방법 및 유도 결합 플라즈마 처리 장치

Номер: KR0101754439B1
Автор: 사토 료, 사이토 히토시
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 본 발명의 목적은 소망하는 처리 분포로 유도 결합 플라즈마 처리를 행하는 것이다. 본 발명은, 고주파 전력이 공급되어 외측 유도 전계를 형성하는 나선 형상을 이루는 외측 안테나와, 외측 안테나의 내측에 동심 형상으로 마련되고, 고주파 전력이 공급되어 내측 유도 전계를 형성하는 나선 형상을 이루는 내측 안테나를 가지는 고주파 안테나를 구비한 유도 결합 플라즈마 처리 장치에 의해, 내측 안테나에 상대적으로 큰 전류값의 전류를 흘려 내측 안테나에 대응하는 부분에 형성한 내측 유도 전계에 의해 국소적인 플라즈마를 생성하여 처리를 행하는 제 1 처리와, 외측 안테나에 상대적으로 큰 전류값의 전류를 흘려 상기 외측 안테나에 대응하는 부분에 형성한 외측 유도 전계에 의해 국소적인 플라즈마를 생성하여 처리를 행하는 제 2 처리를, 시간을 달리하여 실시하고, 처리 종료 시점에서 기판에 대해 소망하는 처리 분포가 얻어지도록 한다.

Подробнее
Номер записи: 54
04-12-2017 дата публикации

플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법

Номер: KR0101804341B1
Автор: 야마와쿠 쥰, 마츠도 다츠오, 고시미즈 치시오
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 플라즈마 처리 장치는 제 1 및 제 2 안테나 소자를 구비한 고주파 안테나를 포함한다. 제 1 안테나 소자의 일단부는 접지되고, 타단부는 고주파 전원에 접속된다. 제 2 안테나 소자의 일단부는 개방단이고, 또한 타단부는 제 1 안테나 소자의 일단부 및 타단부의 한쪽에 접속되고, 제 2 안테나 소자의 선로 길이는 ((λ/4) + nλ/2)(λ는 진공중의 고주파의 파장이며, n는 자연수)에 단축율을 곱한 값이다. 고주파 전원으로부터 고주파 안테나측을 보았을 때의 회로는, 고주파 전력의 주파수를 변경했을 때에, 임피던스 조정부의 조정에 의해 2개의 공진 주파수가 나타나도록 구성되어 있다.

Подробнее
Номер записи: 55
26-02-2018 дата публикации

성막 장치, 성막 방법 및 기억 매체

Номер: KR0101832555B1
Автор: 후쿠시마, 고헤이
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 반응 용기 내에 수납된 기판에 대하여 진공 분위기에서 성막용의 원료 가스를 공급하여 박막의 성막을 행함에 있어서, 당해 박막의 막 두께 치수를 용이하게 조정하는 것이다. 반응관(12) 내에 원료 가스를 공급할 때, 당해 반응관(12) 내의 압력이 처리 압력(P1)으로 유지되도록 함과 함께, 표면에 패턴이 형성된 제품 웨이퍼이든, 표면이 평활한 베어 웨이퍼이든, 상기 처리 압력(P1)에서 원료 가스의 흡착량이 포화되도록 원료 가스의 공급량(V1)을 조정한다. 구체적으로는, 반응관(12) 내를 진공 배기하는 진공 배기로(22)에, 릴리프 밸브(83)가 배치된 바이패스 라인(81)을 설치하고, 반응관(12) 내의 압력이 처리 압력(P1)을 초과했을 때에는 당해 릴리프 밸브(83)가 개방되도록 한다. 또한, 원료 가스를 공급하는 공급로(70)에, 버퍼 탱크(73)와 유량 조정부(71)를 설치한다.

Подробнее
Номер записи: 56
26-02-2018 дата публикации

플라즈마 처리의 공간 분해 방사 분광

Номер: KR0101832640B1
Автор: 바오 준웨이, 멍 칭링, 투잇제 홀게르, 미하이로프 미하일, 첸 얀, 얀 젱, 주 하이싱, 추 한유
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 반도체 플라즈마 처리실 내의 플라즈마로부터 광학 방사의 2차원 분포를 측정하는 방법, 컴퓨터 방법, 시스템 및 장치가 개시된다. 플라즈마 광학 방사의 획득된 2차원 분포는 플라즈마에 존재하는 소정의 관심 대상 화학종의 2차원 농도 분포를 추론하고, 그에 따라서 프로세스 개발 및 또한 새로운 및 개선된 처리 도구 개발을 위한 유용한 도구를 제공하기 위해 사용될 수 있다. 개시된 기술은 연산적으로 단순하고 비싸지 않으며, 광 강도의 주변 변화를 허용하는 기저 함수의 합으로 상기 추정된 광 강도 분포의 확장의 사용을 수반한다. 적당한 기저 함수의 예는 제르니케 다항식이다.

Подробнее
Номер записи: 57
15-11-2017 дата публикации

촉매의 흡착 처리 방법 및 흡착 처리 장치

Номер: KR0101788586B1
Автор: 신구하라 쇼소, 이노우에 후미히로, 미야케 히로시, 아리마 료헤이, 이와시타 미츠아키, 타나까 타카시
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤, 더 스쿨 코포레이션 칸사이 유니버시티

... 기판에 형성된 오목부의 하부에까지 충분히 촉매를 흡착시킬 수 있는 흡착 처리 방법을 제공한다. 먼저, 오목부(22)가 형성된 기판(20)을 준비한다. 이어서, 촉매 흡착 장치(10)에 의해 기판(20)과, 분산제로 피복된 나노 입자로 이루어지는 촉매를 포함하는 촉매 용액(12)을 접촉시키고, 이에 의해 기판(20)의 표면에 촉매(23)를 흡착시킨다. 이 때, 촉매 용액(12)에 고주파 진동이 부여된다.

Подробнее
Номер записи: 58
21-07-2017 дата публикации

기판 전달 장치, 기판 전달 방법 및 기억 매체

Номер: KR0101760311B1
Автор: 이이다 나루아키, 테라모토 아키히로
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 기판 전달 장치의 높이를 억제할 수 있는 기술을 제공하는 것이다. 격벽에 형성된 개구부에, 기판 반송 용기의 전면에 형성된 기판 취출구를 당해 격벽의 일면측으로부터 대향시키고, 상기 기판 반송 용기의 덮개체를 상기 격벽의 타면측으로 분리하여 기판의 전달을 행하는 장치에서, 상기 개구부를 상기 격벽의 타면측으로부터 개폐하는 도어와, 상기 도어를, 상기 개구부를 폐색하는 제 1 위치와 당해 위치로부터 전방으로 떨어진 제 2 위치와의 사이에서 진퇴시키기 위한 진퇴부와, 상기 도어를, 제 2 위치와 상기 개구부의 전방 영역으로부터 벗어난 제 3 위치와의 사이에서, 당해 도어의 진퇴 방향을 따른 회동축을 중심으로 회동시키는 회동 기구를 구비하도록 장치를 구성한다. 이와 같이 구성함으로써, 도어를 승강시킬 필요가 없으므로, 장치의 높이를 억제할 수 있다.

Подробнее
Номер записи: 59
05-02-2016 дата публикации

FILM DEPOSITION APPARATUS, CLEANING METHOD FOR THE SAME, AND COMPUTER READABLE STORAGE MEDIUM

Номер: KR0101592583B1
Автор: 가또오 히또시, 혼마 마나부
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 개시되는 성막 장치는 용기 내에 회전 가능하게 설치되어 기판이 적재되는 기판 적재부를 하나의 면에 갖는 서셉터와, 상기한 하나의 면에 대해 원료 가스를 공급하는 가스 공급계와, 서셉터의 상방에 배치되어, 서셉터의 상면을 향해 개방되어 역오목 형상의 공간을 구획하는 제1 오목 형상 부재와, 제1 오목 형상 부재의 상방에 제1 오목 형상 부재를 향해 개방하여 제1 오목 형상 부재와의 사이에 가스 유로를 구획하는 제2 오목 형상 부재와, 역오목 형상의 공간에 클리닝 가스를 공급하는 가스 공급부와, 가스 유로에 연통하여 용기의 외부로 연장되는 배기관을 포함하는 클리닝용 구조체 및 용기에 형성되어 원료 가스를 배기하는 배기구를 구비한다.

Подробнее
Номер записи: 60
20-11-2017 дата публикации

기판 반송 장치

Номер: KR0101790787B1
Автор: 이나마스 도시후미, 오자사 이사오, 다까끼 다까오, 요시또미 와따루
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 본 발명의 과제는, 부상 스테이지에 있어서의 흡인구의 막힘을 제거하는 작업을 장치 내에서 수시 혹은 적시에 자동적 또한 효율적으로 행하는 것이다. 부상 스테이지 흡인구 청소 동작에 있어서, 컨트롤러는, 도포 처리에 관계되는 동작을 일단 모두 오프 상태로 한 후, 제2 급기부를 작동시킨다. 제2 급기부가 작동함으로써, 정압 기체 공급원으로부터의 에어(압축 공기)가 제1 급기 라인 및 제2 매니폴드(64)를 경유하여 도포 영역 내의 각 흡인구(18)로 송입된다. 막힘을 일으키고 있는 흡인구(18)에 있어서는, 제2 매니폴드(64)측으로부터의 에어의 압력에 의해, 가스 통로(18a)에 끼어 있던 이물질(Q)이 밀어 내어지도록 하여 상방으로 방출된다. 이때, 제1 급기부(44)도 작동하고 있으므로, 흡인구(18)로부터 토출된 이물질(Q)이 부근의 분출구(16)로 들어갈 우려는 없다.

Подробнее
Номер записи: 61
25-07-2018 дата публикации

자기 어닐링 장치

Номер: KR0101882057B1
Автор: 야마자키 미츠루, 클라크 배리, 콜간 이안, 에이레스 조지, 돔사 이오안
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 본 발명은 균열성(均熱性)을 유지하면서, 다수 매의 기판의 자기 어닐링 처리가 가능한 자기 어닐링 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 자계 중에서 복수의 기판을 어닐링하기 위한 자기 어닐링 장치로서, 상기 복수의 기판을 수용한 상태에서 자기 어닐링 처리하기 위한 가로로 긴 통 형상의 처리 용기와, 상기 처리 용기의 길이 방향으로 연장되는 면의 적어도 일부를 외부로부터 덮도록 설치된 가열 수단과, 상기 가열 수단을 또한 외부로부터 덮도록 설치된 자석과, 상기 처리 용기 내에서 상기 복수의 기판을 유지 가능한 기판 유지구와, 상기 기판 유지구의 적어도 일부를 둘러싸도록 설치된 차열판(遮熱板)을 갖는다.

Подробнее
Номер записи: 62
30-11-2018 дата публикации

성막 장치

Номер: KR0101905242B1
Автор: 후쿠시마, 고헤이, 모토야마, 유타카, 초우, 파오-화
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 종형의 반응 용기 내에, 복수의 기판을 선반 형상으로 유지한 기판 유지구를 배치한 상태에서 성막을 행하는 성막 장치에 있어서, 장치의 생산성의 향상을 도모한다. 기판의 배열 방향을 따른 제1 기판 유지 영역 및 제2 기판 유지 영역 중, 제1 기판 유지 영역, 제2 기판 유지 영역에 각각 한정적으로 원료 가스를 공급하는 제1 원료 가스 공급부, 제2 원료 가스 공급부와, 반응 가스 공급부와, 제1 기판 유지 영역 및 제2 기판 유지 영역 중 어느 한쪽에 원료 가스가 공급되고 있을 때, 다른 쪽에 퍼지 가스를 공급하는 퍼지 가스 공급부와, 상기 기판 유지구에 있어서 제1 기판 유지 영역과 제2 기판 유지 영역의 사이에 유지되는 구획용 기판을 구비하도록 장치를 구성한다. 그리고, 제1 기판 유지 영역, 제2 기판 유지 영역에의 원료 가스의 공급과 반응 가스의 공급으로 이루어지는 사이클이, 각각 복수회 행해지도록 제어한다.

Подробнее
Номер записи: 63
05-12-2016 дата публикации

성막 방법 및 성막 장치

Номер: KR0101682273B1
Автор: 무라카미, 히로키, 사사키, 고지, 스즈키, 게이스케, 모로즈미, 유이치로
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 본 발명은 박막 중의 산소 농도 및 탄소 농도도 향상시켜, 비유전율을 저하시키는 동시에 에칭 내성을 향상시키는 것이 가능한 성막 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 성막 방법은, 실란계 가스와 탄화수소 가스와 질화 가스와 산화 가스를 필요에 따라서 이용하여 진공화 가능하게 이루어진 처리 용기 내에서 피처리체의 표면에 적어도 실리콘(Si)과 산소(O)와 탄소(C)와 질소(N)를 포함하는 SiOCN층으로 이루어지는 박막을 형성하는 성막 방법에 있어서, 적어도 Si와 C와 N을 포함하는 제1막을 형성하는 제1 스텝과, 적어도 Si와 C와 O를 포함하는 제2막을 형성하는 제2 스텝을 1사이클로 하여 상기 사이클을 1회 이상 행하도록 한다. 이에 의해, 박막 중의 산소 농도 및 탄소 농도도 향상시켜, 비유전율을 저하시키는 동시에 에칭 내성을 향상시킨다.

Подробнее
Номер записи: 64
30-06-2015 дата публикации

SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS

Номер: KR0101532826B1
Автор: 에노키다 스구루, 나카하라다 마사히로, 나카시마 세이지, 미야타 아키라, 나카조 마사토
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 본 발명의 과제는 장치의 소형화 및 처리량의 향상이 도모되고, 또한 다른 노광 장치의 기판 전달부의 배치에 대응 가능하게 하는 것이다. 적층되는 복수의 기판의 도포 처리부 및 현상 처리부를 구비하는 처리 블록과, 기판의 노광 처리부를 구비하는 노광 블록(S4)과, 처리 블록에 연속 설치되어 처리 블록과 상기 노광 블록을 접속하는 인터페이스 블록(S3)을 구비하는 기판 처리 장치에 있어서, 인터페이스 블록은 도포 후의 기판을 적재하는 제1 적재부(TRS-COT), 현상 전의 기판을 적재하는 제2 적재부(TRS-DEV), 버퍼부(BF), 냉각부(ICPL) 및 기판 전달부(TRS)를 적층하는 선반 유닛(U6)과, 선반 유닛을 사이에 둔 양측에 배치되어, 각각이 선반 유닛에 대하여 기판의 전달이 가능하며, 한쪽이 노광 블록에 대하여 기판의 전달이 가능하게 형성되는 제1 기판 반송 기구(60A) 및 제2 기판 반송 기구(60B)를 구비한다.

Подробнее
Номер записи: 65
08-08-2016 дата публикации

기판 반송 설비

Номер: KR0101646824B1
Автор: 바바 노리오, 오바라 히데유키, 고콘 기요히코, 나카지마 와타루
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 본 발명의 과제는, 보유 지지부에 의해 기판을 보유 지지하여 반송하는 데 있어서, 보유 지지부를 승강시키기 위한 승강 기구에 있어서 발생하는 파티클에 의한 기판의 오염을 억제하는 것이다. 웨이퍼(W)를 보유 지지하여 반송하기 위한 아암(3)과, 당해 아암(3)을 승강시키기 위한 승강 기구인 볼 나사(4) 사이에, 파티클을 흡입하기 위한 가스 흡입구(53)가 볼 나사(4)측을 향하도록, 또한 당해 볼 나사(4)의 길이 방향을 따라 형성된 국소 배기 덕트(50)를 배치한다. 또한, 이 볼 나사(4)에 대해 국소 배기 덕트(50)를 근접 배치한다.

Подробнее
Номер записи: 66
31-05-2018 дата публикации

액처리 장치, 액처리 방법 및 기억 매체

Номер: KR0101851344B1
Автор: 구누기모토 유이치로
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 액처리 모듈(2)에 재치된 웨이퍼(W)에 대하여 처리액 노즐(11)로부터 처리액을 공급하여 액처리를 행함에 있어서, 처리액의 공급량을 안정시키고, 이에 의해 웨이퍼(W) 간에서의 도포의 균일성을 도모하는 것이다. 노즐(11)이 노즐 버스(15)에 대기하고 있을 때, 일정량만큼 석백 밸브(52)에 의해 석백을 행하여 노즐(11)의 선단부의 레지스트액의 액면을 인상한다. 노즐(11)을 액처리 모듈(2)의 상방으로 이동시킨 후, 노즐(11)을 지지하는 암(13)에 설치된 카메라(16)에 의해 당해 노즐(11)의 선단부를 촬상하여, 화상 데이터를 취득한다. 이 화상 데이터에 기초하여 액면 레벨을 검출하고, 그 검출 결과에 따라 액면 레벨이 미리 설정한 기준 레벨이 되도록 석백 밸브(52)를 제어한다. 이 때문에, 레지스트 토출 전의 액면 레벨이 일정화되어, 처리액의 토출량이 일정화된다.

Подробнее
Номер записи: 67
05-06-2015 дата публикации

METHOD OF CONTROLLING PROCESS UNIFORMITY, PLASMA PROCESSING APPARATUS AND METHOD OF LOCALLY DEFORMING A SUBSTRATE

Номер: KR0101526615B1
Автор: 순다라라잔 라드하, 첸 리, 펑크 메릿
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 시스템 또는 처리로부터 발생하는 불균일성을 포함한 불균일한 결과를 보상하기 위해 처리 중에 기판 전체에 걸쳐 반경 방향 또는 비반경 방향의 온도 분포의 제어가 이루어진다. 웨이퍼 전체에 걸쳐 열전도를 변경하기 위해 웨이퍼 지지 척[기판 지지 테이블(20, 20a)] 위의 상이한 영역들 전체에 걸쳐 후면 가스를 상이하게 흐르게 함으로써 온도를 바람직하게는 동적으로 제어한다. 지지 테이블(20, 20a) 내의 포트(26, 26a)가 그룹화되고, 시스템 및 처리 불균일성을 보상하기 위해 상기 영역 각각에서의 가스압을 제어하여 웨이퍼 온도를 공간적으로 그리고 바람직하게는 동적으로 제어하는 컨트롤러(35)에 응답하는 상이한 밸브(32)에 의해 그룹에 대한 가스가 개별적으로 제어된다. 포트(26, 26a)와 상기 포트(26, 26a) 주변의 포트(26, 26a)에의 가스 흐름에 영향을 미치는 밸브(32)를 동적으로 개별 제어함으로써, 기판의 후면에 가해진 국소력을 제어하기 위하여 상이한 포트(26, 26a)에서 후면 가스압을 개별적으로 제어하여 웨이퍼 변형에 영향을 미친다.

Подробнее
Номер записи: 68
17-11-2015 дата публикации

FILM DEPOSITION APPARATUS

Номер: KR0101569944B1
Автор: 가또오 히또시, 혼마 마나부, 기꾸찌 히로유끼
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 진공 용기 내에 설치되는 적재대이며, 당해 적재대의 중심부를 중심으로 하는 원을 따라서 형성된 기판의 적재 영역을 구비한 당해 적재대와, 상기 적재대의 상기 적재 영역에 반응 가스를 공급하기 위해, 상기 적재대에 대향하여 설치된 주가스 공급부와, 상기 주가스 공급부에 의해 공급된 반응 가스의 상기 적재대의 반경 방향에 있어서의 가스 농도 분포를 보상하기 위해, 상기 적재대의 표면에 대해 상기 반응 가스를 공급하는 보상용 가스 공급부와, 상기 적재대를, 상기 주가스 공급부 및 보상용 가스 공급부에 대해 상대적으로, 당해 적재대의 중심부를 회전축으로 하여 연직축 주위로 회전시키기 위한 회전 기구를 구비하는 성막 장치가 개시된다.

Подробнее
Номер записи: 69
23-02-2018 дата публикации

기판 세정 장치 및 기판 세정 방법

Номер: KR0101831784B1
Автор: 후쿠다 마사히로, 쿠보 아키히로, 후지모토 아키히로
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 기판의 이면을 세정하는 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법으로서, 기판의 이면을 세정하는 세정 수단 및 기판을 보지하는 기판 보지 수단을 세정할 수 있는 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법을 제공하는 것이다. 기판의 이면을 세정하는 기판 세정 장치로서, 상기 이면의 제 1 영역에 접촉하여 상기 기판을 보지하는 제 1 기판 보지 수단과, 상기 제 1 영역 이외의 상기 이면의 제 2 영역에 접촉하여 상기 기판을 보지하는 제 2 기판 보지 수단과, 상기 제 1 기판 보지 수단 또는 상기 제 2 기판 보지 수단에 의해 보지된 상기 기판의 이면을 세정하는 제 1 세정 수단과, 상기 기판과 접촉하는 상기 제 2 기판 보지 수단의 접촉면을 세정하는 제 2 세정 수단을 가지는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치에 의해 상기의 과제가 달성된다.

Подробнее
Номер записи: 70
06-12-2018 дата публикации

원료 가스 공급 장치, 원료 가스 공급 방법 및 기억 매체

Номер: KR0101926228B1
Автор: 야기 히로노리, 나루시마 겐사쿠, 마츠야마 아츠나리
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 본 발명의 과제는 고체 원료를 기화한 가스를 포함하는 원료 가스를 성막 처리부에 공급할 때, 기화된 원료 공급량을 안정시키는 기술을 제공하는 것이다. 해결 수단으로서, 원료 용기(14)에 캐리어 가스를 공급하기 위한 캐리어 가스 공급로(12)에 MFC(1)를 마련하고, 원료 가스 공급로(32)에 MFM(3)을 마련하고 있다. 또한, 원료 가스 공급로(32)에 희석 가스를 공급하기 위한 희석 가스 공급로(22)에 MFC(2)를 마련하고 있다. 그리고, MFM(3)의 측정값으로부터의 MFC(1) 측정값과 MFC(2)의 측정값의 합계값을 뺀 오프셋 값을 구하고, MFM(3)의 측정값으로부터 MFC(1)의 측정값 및 MFC(2)의 측정값의 합계값을 뺀 값에서, 오프셋 값을 빼서 원료 유량의 실측값을 구하고 있다. 그리고, 원료 유량의 실측값과 원료의 목표값의 차분에 따라, MFC(1)의 설정값을 조정하고 캐리어 가스의 유량을 조정하여, 원료 가스에 포함되는 원료의 양을 조정한다.

Подробнее
Номер записи: 71
20-10-2017 дата публикации

기판 처리 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 기판 처리 시스템

Номер: KR0101788908B1
Автор: 이와오 후미코, 시무라 사토루
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 본 발명의 과제는 기판 상에 레지스트 패턴을 적절하고 또한 효율적으로 형성하는 것이다. 웨이퍼(W)에 포토리소그래피 처리를 행하여, 당해 웨이퍼(W) 상에 제1 레지스트 패턴(402)을 형성한다[도 8의 (a)]. 제1 레지스트 패턴(402)의 측면의 중간 노광 영역(403)에 알코올을 진입시키고, 또한 중간 노광 영역(403)에 알코올을 통해 금속을 침윤시킨다[도 8의 (b)]. 제1 레지스트 패턴(402)에 있어서 중간 노광 영역(403)의 내측이며, 금속이 침윤하고 있지 않은 미노광 영역(404)을 제거하고, 웨이퍼(W) 상에 제2 레지스트 패턴(406)을 형성한다[도 8의 (c)]. 제2 레지스트 패턴(406)을 마스크로 하여 피처리막(400)을 에칭 처리하고, 당해 피처리막(400)에 소정의 패턴(408)을 형성한다[도 8의 (d)].

Подробнее
Номер записи: 72
27-08-2018 дата публикации

기판 처리 장치

Номер: KR0101892339B1
Автор: 혼마, 마나부
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 가스 노즐의 상하 방향의 방향의 조정 작업이 용이한 기술을 제공한다. 진공 용기(11) 내에 설치된 회전 테이블(2)에 대향하여 수평으로 전후 방향으로 신장되도록 설치된 원료 가스 노즐(31)의 일단측을 진공 용기(11)의 측벽의 관통 구멍에 삽입하고, 관통 구멍보다도 원료 가스 노즐(31)의 선단측에서 링 부재(5)의 내주면에 원료 가스 노즐(31)을 적재한다. 링 부재(5)의 외주면의 윤곽 형상은 소용돌이 곡선을 직선으로 근사한 다각형으로 설정되며, 그 둘레 방향으로 서로 이격된 좌측 위치 및 우측 위치에서 받침대부(52)에 적재된다. 링 부재(5)를 회동시켜 받침대부(52)와 접촉하는 위치를 변화시킴으로써, 받침대부(52)와 접촉하는 좌측 위치 및 우측 위치와, 원료 가스 노즐(31)이 적재되는 링 부재(5)의 지지 위치의 거리가 변화되므로, 원료 가스 노즐(31)의 지지 위치의 높이를 조정할 수 있다.

Подробнее
Номер записи: 73
18-01-2017 дата публикации

노즐의 위치 조정 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 도포 처리 장치

Номер: KR0101697795B1
Автор: 사카모토 야스히로, 구누기모토 유이치로
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 본 발명은 도포 처리 장치에 의해 기판에 대하여 도포 처리를 함에 있어서, 도포액을 공급하는 노즐의 위치 조정을 작업원의 숙련도에 상관없이 정확하고 신속하게 행하는 것을 목적으로 한다. 웨이퍼에 도포액을 공급하는 도포액 노즐(33)의 위치를 조정하는 방법으로서, 도포액 노즐(33)을, 웨이퍼가 유지되어 있지 않은 상태의 스핀척(20)의 중심부의 위쪽으로 이동시키고, 그 후, 스핀척(20)의 중심부에 대응하는 흡인구(20a) 및 도포액 노즐(33)의 선단부를 CCD 카메라(50, 51)로 촬상하며, 촬상된 화상에 있어서, 도포액 노즐(33)의 선단부 중심의 수평 방향의 위치와 스핀척(20)의 중심부인 흡인구(20a)의 수평 방향의 위치가 일치하도록 도포액 노즐(33)의 위치를 조정한다.

Подробнее
Номер записи: 74
14-07-2016 дата публикации

PLATING APPARATUS, PLATING METHOD, AND RECORDING MEDIUM HAVING PLATING PROGRAM RECOREDED THEREON

Номер: KR0101639628B1
Автор: 타나까 타카시, 사이토 유스케, 이와시타 미츠아키, 토시마 타카유키
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 본 발명은, 기판(2)의 표면으로 도금 처리액을 공급하여 도금 처리를 행하는 도금 처리 장치(1)이다. 도금 처리 장치(1)는, 기판(2)을 회전 보지하는 기판 회전 보지 수단(25)과, 기판(2)의 표면으로 조성이 상이한 복수 종류의 도금 처리액을 공급하는 복수의 도금 처리액 공급 수단(29, 30)과, 기판(2)으로부터 비산한 도금 처리액을 종류마다 배출하는 도금 처리액 배출 수단(31)과, 기판 회전 보지 수단(25), 복수의 도금 처리액 공급 수단(29, 30) 및 도금 처리액 배출 수단(31)을 제어하는 제어 수단(32)을 가진다. 기판(2)을 회전 보지한 상태인 채로 상이한 도금 처리액을 기판(2)의 표면으로 차례로 공급하여 기판(2)의 표면에 순차적으로 복수의 도금 처리를 실시한다.

Подробнее
Номер записи: 75
04-04-2016 дата публикации

METHOD AND SYSTEM FOR DETECTION OF TOOL PERFORMANCE DEGRADATION AND MISMATCH

Номер: KR0101609017B1
Автор: 카우살 산지브, 파텔 수케쉬 제이, 스기시마 겐지
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 성능 저하 및 미스매치의 분석 및 학습을 위해 이용되는 자율적인 생물학적 기반 학습 툴 시스템(들) 및 방법(들) 이 제공된다. 자율적인 생물학적 기반 학습 툴 시스템은 (a) 특정한 태스크들 또는 프로세스들의 세트를 수행하고 다양한 프로세스들 및 관련 툴 성능을 특징지우는 애셋들에 관련된 데이터 및 애셋들을 생성하는 하나 이상의 툴 시스템들; (b) 데이터를 수신하고 포맷팅하는 상호작용 관리기; (c) 생물학적 학습 원리들에 기초한 자율적인 학습 시스템을 포함한다. 합성 또는 생산 데이터로부터 모아진 객관적으로 생성된 지식이 이용되어 특정한 출력 변수와 관련된 영향 변수들의 세트간의 수학적 관계를 결정할 수 있다. 생성된 관계는 툴들의 세트의 성능 저하, 및 툴들간의 성능 미스매치의 평가를 촉진시킨다.

Подробнее
Номер записи: 76
26-07-2018 дата публикации

기판 처리 방법 및 기판 처리 장치

Номер: KR0101882531B1
Автор: 우가진 하지메, 도자와 시게키
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 본 발명은 화학적 제거 처리에 의해서 Si계 막을 효과적으로 제거한다. 처리실(21)내에 수납한 기판 표면의 Si계 막을 제거하는 기판 처리 방법은, 처리실(21)내에서, 할로겐 원소를 포함하는 가스와 염기성 가스에 의해, 기판 표면의 Si계 막을 반응 생성물로 변질시키는 제 1 공정 S1과, 상기 처리실(21)내를 제 1 공정 S1보다 감압하여, 상기 반응 생성물을 기화시키는 제 2 공정 S2을 2회 이상 반복하는 것을 포함한다. 이것에 의해, Si계 막의 제거 레이트가 높아지고, 생산성이 향상한다.

Подробнее
Номер записи: 77
19-02-2016 дата публикации

FILM FORMING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, FILM FORMING METHOD AND RECORDING MEDIUM

Номер: KR0101596045B1
Автор: 혼마 마나부
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 진공 용기 내에서 제1 및 제2 반응 가스를 공급하여 박막을 성막하는 성막 장치는, 회전 테이블과, 진공 용기를 내식 보호하기 위한 보호 천장판과, 회전 테이블의 주연으로부터 회전 중심을 향해 설치되는 제1 반응 가스 공급부 및 제2 반응 가스 공급부와, 그 사이에 설치되는 제1 분리 가스 공급부를 갖는다. 성막 장치에는 제1 반응 가스 공급부를 포함하고 제1 높이를 갖는 제1 공간과, 제2 반응 가스 공급부를 포함하고 제2 높이를 갖는 제2 공간과, 제1 분리 가스 공급부를 포함하고 제1 및 제2 높이보다 낮게 설치되는 제3 공간이 형성된다. 성막 장치는, 진공 용기를 내식 보호하기 위해 보호 천장판과 함께 회전 테이블, 제1, 제2 및 제3 공간을 둘러싸는 진공 용기 보호부를 더 구비한다.

Подробнее
Номер записи: 78
04-11-2016 дата публикации

기판 재치대의 온도 제어 시스템 및 온도 제어 방법

Номер: KR0101672859B1
Автор: 사사키 야스하루, 노나카 료, 나가야마 노부유키
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 기판의 온도 상승을 신속하게 행할 수 있고, 열 에너지의 손실을 저감할 수 있는 기판 재치대의 온도 제어 시스템을 제공한다. 히터 유닛(14)과 열 매체 유로(15)를 내장하고, 플라즈마 에칭 처리가 실시되는 웨이퍼(W)를 재치하는 서셉터(12)의 냉매 순환 시스템은, 열 매체 유로(15)에 접속되어 비교적 저온의 냉매를 열 매체 유로(15)로 공급하는 냉매 공급 장치(20)와, 열 매체 유로(15)와 냉매 공급 장치(20)의 사이에 배치되고 비교적 고온의 고온 매체를 저장하는 고온 매체 저장 탱크(21)와, 냉매 공급 장치(20) 및 고온 매체 저장 탱크(21)와 열 매체 유로(15)의 사이에 배치되고, 서셉터(12)의 온도를 상승시킬 때에 냉매 공급 장치(20)로부터 열 매체 유로(15)로의 냉매의 공급을 정지하고, 또한 고온 매체 저장 탱크(21)로부터 열 매체 유로(15)로 고온 매체를 공급하는 제 1 밸브군(23)을 구비한다.

Подробнее
Номер записи: 79
12-07-2017 дата публикации

루테늄막의 형성 방법 및 기억 매체

Номер: KR0101757515B1
Автор: 아시자와, 히로아키, 이와이, 다카아키
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 본 발명은 높은 스텝 커버리지로 처리량을 저하시키는 일 없이 루테늄막을 형성할 수 있는 루테늄막의 형성 방법을 제공한다. 본 발명의 일 실시형태에 따른 루테늄막의 형성 방법은 기판 위에 산화루테늄막을 형성하는 공정과, 형성된 상기 산화루테늄막을 루테늄막으로 환원하는 공정을 포함하고, 상기 산화루테늄막을 환원하는 공정은 적어도, 환원제로서 수소를 함유하는 루테늄 화합물 가스를 공급하는 것을 포함한다.

Подробнее
Номер записи: 80
17-08-2017 дата публикации

기판 처리 방법, 그 기판 처리 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 기록 매체, 기판 처리 장치 및 기판 처리 시스템

Номер: KR0101769166B1
Автор: 하야시 신이찌, 에노끼다 스구루
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 본 발명의 과제는, 기판마다 외경 치수가 변동된 경우라도, 기판의 주변부에 있어서의 도포막을 제거하는 영역의 폭 치수를 일정하게 할 수 있는 기판 처리 방법을 제공하는 것이다. 표면에 도포막이 형성된 기판을 회전시킨 상태에서, 기판의 주변부의 표면에 린스액 공급부(80)에 의해 린스액을 공급함으로써, 린스액을 공급한 위치의 도포막을 선택적으로 제거하는 기판 처리 방법에 있어서, 기판을 미리 기판 반송부(A3)에 의해 반송할 때에, 기판 반송부(A3)에 설치된 검출부(5)에 의해, 기판의 주변부의 위치를 검출하고, 검출한 위치에 기초하여, 주변부의 표면에 린스액을 공급할 때의 린스액 공급부(80)의 위치를 결정한다.

Подробнее
Номер записи: 81
02-07-2018 дата публикации

플라즈마 처리 장치

Номер: KR0101873485B1
Автор: 야마자와 요헤이
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 유도 결합형의 플라즈마 처리에서 챔버 내에서 생성되는 도너츠 형상 플라즈마 내의 플라즈마 밀도 분포, 나아가서는 기판 상의 플라즈마 밀도 분포를 다양 또한 세밀하게 제어한다. 이 유도 결합형 플라즈마 처리 장치에서는, 유전체창(52) 상에 설치되는 RF 안테나(54)가 직경 방향으로 내측 코일(58), 중간 코일(60) 및 외측 코일(62)로 분할되어 있다. 고주파 전원(72)으로부터 RF 급전 라인(68), RF 안테나(54) 및 어스 라인(70)을 통하여 접지 전위 부재까지 일주할 경우, 보다 단적으로는 제 1 노드(NA)로부터 제 2 노드(NB)까지 각 코일의 고주파 분기 전송로를 일주할 경우에, 내측 코일(58)을 통과할 때의 방향과 외측 코일(62)을 통과할 때의 방향이 주회(周回) 방향에서 반대가 된다. 제 1 및 제 2 노드(NA, NB)의 사이에서 내측 코일(58) 및 외측 코일(62) 중 어느 일방에는 콘덴서(88)가 전기적으로 직렬 접속된다.

Подробнее
Номер записи: 82
14-12-2018 дата публикации

플라즈마 처리 장치

Номер: KR0101929675B1
Автор: 고시미즈, 치시오, 마츠도, 다츠오
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 본 발명은, 피가공물에 대한 이온 에너지의 제어성이 우수한 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 일 실시 형태의 플라즈마 처리 장치는, 챔버 본체, 플라즈마 트랩, 적재대, 플라즈마원 및 포텐셜 조정부를 구비한다. 챔버 본체는, 그 내부 공간을 챔버로서 제공한다. 플라즈마 트랩은, 챔버를 제1 공간과 제2 공간으로 나누도록 설치되어 있다. 적재대는, 제2 공간에 설치되어 있다. 플라즈마원은, 제1 공간에 공급되는 가스를 여기시키도록 구성되어 있다. 포텐셜 조정부는, 전극을 갖는다. 이 전극은, 챔버 본체의 외측에 설치되어 있고, 제1 공간에서 생성되는 플라즈마와 용량적으로 결합된다. 포텐셜 조정부는, 제1 공간에서 생성되는 플라즈마의 포텐셜을 조정하도록 구성되어 있다.

Подробнее
Номер записи: 83
19-01-2016 дата публикации

RESIST COATING APPARATUS, COATING DEVELOPING SYSTEM HAVING THE SAME AND RESIST COATING METHOD

Номер: KR0101586872B1
Автор: 시바타 츠요시, 기바 유키오, 오오이시 고타로, 미야모토 데츠시, 하시모토 유사쿠, 히라오 다케시
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 본 발명은 높은 막두께 균일성을 갖는 컬러 레지스트막을 기판 상에 형성하는 것이 가능한 레지스트 도포 장치 및 레지스트막 형성 방법을 제공한다. 본 발명의 실시형태에 의한 레지스트 도포 장치는, 기판의 중앙부에서의 온도보다 기판의 주변부에서의 온도가 높아지도록 기판의 온도를 조정하도록 구성된 기판 온도 조정부와, 중앙부보다 주변부에서 온도가 높아지도록 기판 온도 조정부에 의해 온도 조정된 기판 상에 컬러 레지스트액을 공급하는 컬러 레지스트액 공급부와, 컬러 레지스트액이 공급된 기판을 회전시키는 기판 회전부를 포함한다.

Подробнее
Номер записи: 84
21-11-2016 дата публикации

액 처리 방법, 액 처리 장치 및 기억 매체

Номер: KR0101678248B1
Автор: 세키구치 겐지, 후지이 야스시, 사카자키 데츠야
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 본 발명은, 기판의 표면에 형성된 오목부의 내부를 약액에 의해 처리하는 데 있어서, 오목부 내부에 신속하게 약액을 침입시키는 것을 목적으로 한다. 액 처리 방법은, 약액보다 표면 장력이 작은 유기 용제를 기판에 공급하여 오목부의 내부를 적시는 프리웨트 공정과, 그 후, 약액을 포함하는 세정액을 기판에 공급하여, 오목부 내부의 액체를 약액으로 치환하여, 이 약액에 의해 상기 오목부의 내부를 세정하는 약액 세정 공정을 포함하고 있다.

Подробнее
Номер записи: 85
07-03-2017 дата публикации

ＳＦ６ 및 탄화수소를 이용하여 ＡＲＣ층을 패터닝하는 방법

Номер: KR0101713330B1
Автор: 콜 크리스토퍼, 고 아키테루
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 실리콘 함유 반사 방지 코팅(ARC)층을 패턴 에칭하는 방법을 개시한다.본 방법은 SF6 및 탄화수소 가스를 함유한 프로세스 가스로부터 형성된 플라즈마를 이용하여 실리콘 함유 ARC층에 특징부 패턴을 에칭하는 단계를 포함한다. 본 방법은 특징부 패턴의 내포형 구조에 대한 최종 CD와 특징부 패턴의 독립형 구조에 대한 최종 CD 간의 CD 바이어스를 줄이기 위하여 SF6의 유량에 대한 탄화수소 가스의 유량을 조절하는 단계를 더 포함한다.

Подробнее
Номер записи: 86
11-07-2017 дата публикации

기판 처리 시스템, 기판 반송 방법 및 컴퓨터 기억 매체

Номер: KR0101752513B1
Автор: 나까하라다 마사히로, 사까따 요오지, 미야따 아끼라, 하야시 신이찌, 에노끼다 스구루, 나까시마 쯔네나가
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 노광 전에 기판의 이면 세정을 행하는 기능을 구비한 기판 처리 시스템에 있어서, 기판 처리의 수율을 향상시키고, 기판 반송의 부하를 저감시킨다. 일양태에 따르면, 도포 현상 처리 시스템의 인터페이스 스테이션(5)은 웨이퍼를 노광 장치에 반입하기 전에 적어도 웨이퍼의 이면을 세정하는 세정 유닛(100)과, 세정 후의 웨이퍼의 이면에 대해서, 당해 웨이퍼의 노광이 가능한지 여부를 노광 장치에 반입 전에 검사하는 검사 유닛(101)과, 각 유닛(100, 101) 사이에서 기판을 반송하는 아암을 구비한 웨이퍼 반송 기구(120, 130)와, 웨이퍼 반송 기구(120, 130)의 동작을 제어하는 웨이퍼 반송 제어부를 갖고 있다. 웨이퍼 반송 제어부는, 검사 결과, 웨이퍼의 상태가 세정 유닛(100)에서의 재세정에 의해 노광 가능한 상태로 된다고 판정되면, 당해 웨이퍼를 세정 유닛(100)에 다시 반송하도록, 웨이퍼 반송 기구(120, 130)를 제어한다. 다른 양태에 따르면, 도포 현상 처리 시스템의 인터페이스 스테이션(5)은 웨이퍼를 노광 장치에 반입하기 전에 적어도 웨이퍼의 이면을 세정하는 웨이퍼 세정부(141)와, 세정 후의 웨이퍼의 이면에 대해서, 당해 웨이퍼의 노광이 가능한지 여부를 노광 장치에 반입 전에 검사하는 웨이퍼 검사부(142)와, 웨이퍼 세정부(141)와 웨이퍼 검사부(142) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 수단(143)을 갖고 있다. 웨이퍼 세정부(141), 웨이퍼 검사부(142) 및 반송 수단(143)은, 하우징(140)의 내부에 설치되어 있다.

Подробнее
Номер записи: 87
18-06-2018 дата публикации

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체

Номер: KR0101868642B1
Автор: 하시모토 유스케, 나가미네 슈이치, 이토 노리히로
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 본 발명은, 제1 처리부와, 그 위에 있는 제2 처리부를 갖는 기판 처리 장치에 있어서, 처리액 공급 노즐을, 실행되는 처리에 따른 적합한 위치에 위치시키는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 기판 처리 장치(100)는, 기판(W)의 하면에 제2 액처리를 위한 제2 처리액을 공급하는 처리액 공급 노즐(40)과, 처리액 공급 노즐을 승강시키는 노즐 승강 기구(44)를 포함하고, 제1 처리부(1)에서 제1 액처리를 행할 때에 처리액 공급 노즐이 하강 위치에 위치하며, 제2 처리부(2)에서 제2 액처리를 행할 때에 처리액 공급 노즐이 하강 위치보다도 높은 상승 위치에 위치한다.

Подробнее
Номер записи: 88
14-08-2018 дата публикации

스페이서 프로파일을 변경하기 위한 방법

Номер: KR0101888750B1
Автор: 모한티 니하, 고 아키테루
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 본 명세서의 기법들은 정확한 패턴 전사를 위해 대칭적 스페이서들을 생성하는 정사각 프로파일을 형성하기 위하여 비대칭 스페이서들을 리폼하거나 평평하게 하기 위한 프로세스를 제공한다. 처음의 스페이서 형성은 통상적으로 곡선형 또는 경사형 상부면들을 갖는 스페이서 프로파일들을 초래한다. 이러한 비대칭 상부면은 스페이서의 나머지 하부 부분을 보호하면서 분리된다. 상부면은 추가적 패터닝 및/또는 정확한 패턴 전사를 가능하게 하는 사각화된(squared) 프로파일을 갖는 스페이서들을 초래하는 플라즈마 프로세싱 단계를 사용하여 제거된다.

Подробнее
Номер записи: 89
10-10-2017 дата публикации

플라즈마 에칭용의 전극판 및 플라즈마 에칭 처리 장치

Номер: KR0101783886B1
Автор: 사토 나오유키, 나가야마 노부유키, 나가쿠보 케이이치
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... (과제) 전극판을 관통하는 복수 타입의 가스 구멍의 배치를 최적화하는 것이 가능한, 플라즈마 에칭용의 전극판을 제공한다. (해결 수단) 플라즈마 에칭용의 전극판(160)은, 소정의 두께를 갖는 원판 형상이며, 동심원 형상의 복수의 상이한 원주 상에는, 전극판(160)의 한쪽의 면을 수직으로 관통하는 복수의 가스 구멍이 형성되고, 전극판(160)을 지름 방향으로 2 이상의 영역으로 나눈 각 영역에 상이한 타입의 가스 구멍이 형성되어 있다.

Подробнее
Номер записи: 90
24-05-2017 дата публикации

기판 처리 방법, 기판 처리 장치, 기판 처리 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체

Номер: KR0101739611B1
Автор: 센바 쇼헤이, 후키노 야스히코
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 복수의 처리 가스를 이용하여 기판에 연속적으로 복수의 처리를 실시할 때에 필요로 하는 시간을 단축할 수 있는 기판 처리 방법을 제공한다. 챔버(11)와, 상기 챔버(11)에 처리 가스를 도입하는 처리 가스 도입 라인(12)의 도입관(19)을 구비하는 기판 처리 장치(10)에 있어서, 제 1 층, 제 2 층 및 제 3 층이 상측으로부터 이 순서로 적층되는 기판 S에 연속적으로 에칭 처리를 실시할 때, 제 1 층의 에칭 후, 치환 가스를 도입관(19)에 유입시켜 도입관(19)이나 챔버(11)에 잔류하는 제 1 에칭 가스를 압출하여 배출하고, 제 2 층의 에칭 후, 치환 가스를 도입관(19)에 유입시켜 도입관(19)이나 챔버(11)에 잔류하는 제 2 에칭 가스를 압출하여 배출하고, 제 3 층의 에칭 후, 치환 가스를 도입관(19)에 유입시켜 도입관(19)이나 챔버(11)에 잔류하는 제 3 에칭 가스를 압출하여 배출한다.

Подробнее
Номер записи: 91
01-11-2017 дата публикации

산화 티탄막의 제거 방법 및 제거 장치

Номер: KR0101792444B1
Автор: 도바시 가즈야, 하기와라 아키히토
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 산화 티탄막(10)이 존재하는 실리콘 기판(W)을 스핀 척(3)에 보지시키고, 스핀 척(3)과 함께 실리콘 기판(W)을 회전시키면서, 실리콘 기판(W)에, 불화수소산과 비산화성의 산을 포함한 제 1 혼합 수용액, 또는 불화수소산과 유기산을 포함한 제 2 혼합 수용액을 공급한다. 이것에 의해 산화 티탄막(10)에 제 1 또는 제 2 혼합 수용액이 접촉하고, 제 1 또는 제 2 혼합 수용액과 산화 티탄막(10)과의 화학 반응에 의해 산화 티탄막(10)이 제거된다.

Подробнее
Номер записи: 92
20-10-2016 дата публикации

액처리 방법, 액처리 장치 및 기억매체

Номер: KR0101668212B1
Автор: 미즈타니 노부타카, 오모리 츠타에, 오리이 다케히코, 후지타 아키라
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 본 발명은 린스액을 건조할 때, 피처리 기판의 볼록형부가 도괴되는 것을 방지하는 것이 가능한 액처리 방법, 액처리 장치 및 기억매체를 제공하는 것을 목적으로 한다. 기판 본체부(Wi)와, 기판 본체부(Wi)에 돌출된 복수의 볼록형부(Wm)를 가지며, 기판 본체부(Wi) 위에 있어서 볼록형부(Wm)의 사이에 하지면(Wf)이 형성된 피처리 기판(W)에 대하여 표면 처리를 행함으로써, 피처리 기판(W)의 하지면(Wf)이 친수화되고, 볼록형부(Wm)의 표면이 발수화된 상태가 되도록 한다. 다음에, 표면 처리된 피처리 기판(W)에 대하여 린스액을 공급한다. 그 후, 피처리 기판(W)으로부터 린스액을 제거한다.

Подробнее
Номер записи: 93
01-11-2016 дата публикации

액적 토출 장치의 제어 방법, 액적 토출 장치

Номер: KR0101671226B1
Автор: 이토 타츠야, 이와타 유지, 가스가 오사무
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... (과제) 특성이 상이한 복수종의 기능액을 전환하여 토출하는 경우에, 어느 쪽의 기능액을 토출해도, 소정의 토출 특성으로 안정되게 기능액을 토출 가능한 액적 토출 장치의 제어 방법을 제공한다. (해결 수단) 액적 토출 장치(IJ)의 제어부(11)는, 기억부(미(微)진동 제어 테이블)(15)를 참조한다. 그리고, 입력 공정에서 입력된 기능액의 종류의 정보에 기초하여, 대응하는 미진동 제어 프로그램을 취출한다(선택 공정). 액적 토출 헤드(5)가 대기 상태가 되어 플러싱부(12)에 이동하면, 액적 토출 헤드(5)는 다음 컬러 필터 기판(P)(토출 대상물)에 대한 기능액의 토출에 대비하여, 소량의 기능액을 토출(플러싱)한다. 그리고, 기능액의 점도 상승을 방지하기 위해, 제어부(11)는 선택 공정에서 선택한 미진동 제어 프로그램에 따라, 액적 토출 헤드(5)를 미진동시킨다(미진동 공정).

Подробнее
Номер записи: 94
30-11-2018 дата публикации

기판 처리 시스템 및 기판 처리 장치

Номер: KR0101906077B1
Автор: 가와카미 사토루
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 기판 처리 시스템(10)은 피처리 기판을 반송하는 TM(12)과, TM(12)의 측면을 따라서 상하 방향으로 나열되고, 복수 장착되며, 각각이 피처리 기판을 처리하는 복수의 처리 유닛(30)을 구비한다. 각각의 처리 유닛(30)은 챔버(300)와, 샤워 헤드(311)와, 스테이지(321)를 갖는다. 챔버(300)는, 챔버(300) 내에 공간을 형성하는 측벽(301)의 일부를 포함하며, 샤워 헤드(311)가 마련된 상부 유닛(31)과, 챔버(300) 내의 측벽(301)의 나머지의 부분을 포함하며, 스테이지(321)가 마련된 하부 유닛(32)을 갖는다. 상부 유닛(31)과 하부 유닛(32)은 복수의 처리 유닛(30)의 배열 방향과는 상이한 방향으로 분리 가능하다.

Подробнее
Номер записи: 95
14-09-2018 дата публикации

성막 방법 및 성막 장치

Номер: KR0101899187B1
Автор: 구마가이 야스노리, 다루타니 고헤이, 가메오카 다카시, 야나기타 도모코, 마츠이 료헤이
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤, 레르 리키드 쏘시에떼 아노님 뿌르 레?드 에렉스뿔라따시옹 데 프로세데 조르즈 클로드

... 본 발명의 과제는, 안정적으로 원료 가스를 공급할 수 있는 성막 방법을 제공하는 것이다. 복수의 원료 모노머를, 각각 대응하는 기화기 내에서 기화시켜 성막 장치 내에 공급하고, 증착 중합에 의해 기초 상에 유기막을 성막하는 성막 방법이며, 상기 증착 중합 전에, 상기 복수의 원료 모노머 중 적어도 하나의 원료 모노머 중의 불순물을 제거하는, 불순물 제거 공정을 갖는 성막 방법.

Подробнее
Номер записи: 96
04-09-2017 дата публикации

액처리 장치, 액처리 방법 및 기억 매체

Номер: KR0101774368B1
Автор: 사사가와 노리히코, 이나다 히로이치, 타키구치 야스시
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 액처리 장치에 있어서, 기판의 처리 중에 사용하고 있지 않은 처리 노즐을 메인터넌스할 수 있고, 스루풋의 향상을 도모하고 또한 공간 절약화를 도모하는 것이다. 수직축 중심으로 회동 가능한 회동 기체와, 제 1 처리 영역 및 제 2 처리 영역의 외측에서 대기한 상태로 상기 회동 기체에 설치되고, 상기 제 1 처리 영역 및 제 2 처리 영역에 공용되고 또한 기판으로 각각 상이한 처리액을 공급하기 위한 복수의 처리 노즐과, 상기 회동 기체에 설치되고 또한 진퇴 가능한 노즐 보지부를 구비하고, 복수의 처리 노즐로부터 선택된 처리 노즐을 상기 노즐 보지부에 의해 보지하여 제 1 처리 영역 및 제 2 처리 영역으로부터 선택된 처리 영역으로 반송하는 노즐 반송 기구를 구비하도록 액처리 장치를 구성하고, 대기부에서 대기하고 있는 처리 노즐에 대하여 메인터넌스를 행한다.

Подробнее
Номер записи: 97
19-12-2016 дата публикации

플라즈마 처리 장치

Номер: KR0101687566B1
Автор: 야마자와 요헤이, 마츠모토 나오키, 이와사키 마사히데, 오쿠니시 나오히코
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 처리 용기 내의 고주파 전극 그 외의 전기적 부재로부터 급전 라인 또는 신호선 등의 선로 상에 들어오는 고주파 노이즈에 대하여 병렬 공진 주파수를 임의로 조정할 수 있도록 하여, 상이한 주파수의 고주파 노이즈를 모두 효율적으로 안정되고 확실하게 차단한다. 필터(102(1))는, 통 형상의 외도체(110) 내에 코일(104(1))을 동축에 수용하고, 코일(104(1))과 외도체(110) 간에 링 부재(122)를 동축에 설치한다. 링 부재(122)는, 바람직하게는 외도체(110)의 축방향과 직교하는 평면 상에 원환 형상으로 연장되는 판체로서 구성되고, 바람직하게는 구리, 알루미늄 등의 도체로 이루어지고, 외도체(110)에 전기적으로 접속되고 코일(104(1))과는 전기적으로 절연되어 있다.

Подробнее
Номер записи: 98
08-06-2016 дата публикации

HIGHLY SELECTIVE SPACER ETCH PROCESS WITH REDUCED SIDEWALL SPACER SLIMMING

Номер: KR0101628593B1
Автор: 라레이 안젤리크 데니스, 모리 다쿠야, 오타케 히로토
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 스페이서 에칭 공정을 수행하는 방법에 대하여 설명한다. 이 방법은 기판 상의 게이트 구조 위에 스페이서 물질을 등각적으로 도포하는 단계, 및 게이트 구조의 측벽을 따라 위치한 스페이서 측벽을 유지하면서, 게이트 구조의 캡핑 영역 및 게이트 구조의 베이스에 인접한 기판 상의 기판 영역으로부터 스페이서 물질을 부분적으로 제거하기 위해 스페이서 에칭 공정 순서(sequence)를 수행하는 단계를 포함한다. 이 스페이서 에칭 공정 순서는, 스페이서 산화층을 형성하기 위해 스페이서 물질의 노출면을 산화시키는 단계, 기판 상의 기판 영역에서의 스페이서 물질 및 게이트 구조의 캡핑 영역에서의 스페이서 물질로부터 스페이서 산화층을 이방적으로 제거하기 위해 제 1 에칭 공정을 수행하는 단계, 및 게이트 구조의 측벽에 스페이서 측벽을 남겨 두기 위해 기판 상의 기판 영역 및 게이트 구조의 캡핑 영역으로부터 스페이서 물질을 선택적으로 제거하도록 제 2 에칭 공정을 수행하는 단계를 포함할 수 있다.

Подробнее
Номер записи: 99
20-09-2018 дата публикации

도포 현상 장치, 도포 현상 방법 및 기억 매체

Номер: KR0101900771B1
Автор: 구로이와 게이조오, 오가타 구니에, 마츠오카 노부아키, 다사키 노부유키, 미야타 아키라
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 본 발명은 처리 블록에서 기판에 도포막을 형성한 후, 이 기판을 노광 장치에 전달하고, 노광 후의 기판에 대하여 처리 블록에서 현상 처리를 행하고, 그 후 캐리어에 전달하도록 구성되며, 동일 시간당 기판의 처리 매수가 노광 장치보다도 많은 도포 현상 장치에 있어서, 노광 전의 기판을 일단 임시 적재하는 임시 적재부와, 기판의 반송 경로에서의, 기판이 놓이는 모듈에 대하여 메인터넌스를 행하기 위해서, 당해 상류측의 기판의 반송을 정지하는 시간의 길이를 설정하기 위한 정지 시간 설정부와, 임시 적재부에 놓인 기판의 매수가 정지 시간의 길이에 따른, 처리 블록에 의한 기판의 처리 매수에 도달했는지 여부를 감시하고, 소정의 처리 매수에 도달한 후에 임시 적재부의 상류측의 기판의 반송을 정지하도록 제어 신호를 출력하는 제어부를 구비하고 있다.

Подробнее
Номер записи: 100