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05-06-2015 дата публикации

METHOD OF CONTROLLING PROCESS UNIFORMITY, PLASMA PROCESSING APPARATUS AND METHOD OF LOCALLY DEFORMING A SUBSTRATE

Номер: KR0101526615B1
Автор: 순다라라잔 라드하, 첸 리, 펑크 메릿
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 시스템 또는 처리로부터 발생하는 불균일성을 포함한 불균일한 결과를 보상하기 위해 처리 중에 기판 전체에 걸쳐 반경 방향 또는 비반경 방향의 온도 분포의 제어가 이루어진다. 웨이퍼 전체에 걸쳐 열전도를 변경하기 위해 웨이퍼 지지 척[기판 지지 테이블(20, 20a)] 위의 상이한 영역들 전체에 걸쳐 후면 가스를 상이하게 흐르게 함으로써 온도를 바람직하게는 동적으로 제어한다. 지지 테이블(20, 20a) 내의 포트(26, 26a)가 그룹화되고, 시스템 및 처리 불균일성을 보상하기 위해 상기 영역 각각에서의 가스압을 제어하여 웨이퍼 온도를 공간적으로 그리고 바람직하게는 동적으로 제어하는 컨트롤러(35)에 응답하는 상이한 밸브(32)에 의해 그룹에 대한 가스가 개별적으로 제어된다. 포트(26, 26a)와 상기 포트(26, 26a) 주변의 포트(26, 26a)에의 가스 흐름에 영향을 미치는 밸브(32)를 동적으로 개별 제어함으로써, 기판의 후면에 가해진 국소력을 제어하기 위하여 상이한 포트(26, 26a)에서 후면 가스압을 개별적으로 제어하여 웨이퍼 변형에 영향을 미친다.

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Номер записи: 1
12-04-2017 дата публикации

신규한 3,3-다이메틸 테트라하이드로퀴놀린 유도체

Номер: KR0101726469B1
Автор: 첸 리, 펑 리춘, 후앙 멍웨이, 리우 용푸, 우 구오롱, 우 짐 젠, 조우 밍웨이
Принадлежит: 후아 메디슨

... 하기 화학식 I의 화합물 및 그의 약학적으로 허용가능한 염은 약제로서 사용될 수 있다: I 상기 식에서, R1 내지 R5는 특허청구범위 제1항에 제시된 의미를 갖는다.

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Номер записи: 2
25-07-2018 дата публикации

신경망 모델에 대한 훈련 방법, 장치 및 전자 장치

Номер: KR1020180084969A
Автор: 첸 리, 왕 송, 판 웨이, 선 준, 나오이 사토시
Принадлежит:

... 본 출원은 신경망 모델에 대한 훈련 방법, 장치와 전자 장치에 관한 것이다. 상기 방법은, 신경망 모델의 일부를 추출하여 신경망 서브모델을 형성하는 단계; 상기 신경망 서브모델에 대해 훈련을 하여 최적화된 신경망 서브모델을 형성하는 단계; 상기 최적화된 신경망 서브모델에서의 각 가중치에 의해 상기 신경망 모델에서의 각 가중치를 초기화하여 초기화 신경망 모델을 형성하되, 상기 초기화 신경망 모델과 상기 최적화된 신경망 서브모델이 동일한 출력 특성을 가지는 단계; 이미 알고 있는 훈련 집합에 의해 상기 초기화 신경망 모델에서의 각 가중치에 대해 조정을 진행하는 단계를 포함한다. 상기 방법에 따르면, 대규모 신경망 모델의 훈련 시간을 축소시킬 수 있고 과적합 문제를 방지할 수 있다.

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Номер записи: 3
26-12-2016 дата публикации

중력에 의한 가스 확산 분리(ＧＩＧＤＳ) 기술에 의해 제어되는 플라즈마 발생 시스템

Номер: KR0101689916B1
Автор: 자오 지안핑, 첸 리, 펑크 메리트, 노자와 도시히사
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 본 발명은, 중력에 의한 가스 확산 분리 기술을 통하여 플라즈마를 발생하는 것을 이용하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공할 수 있다. 이러한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에서는, 중력값(즉, 가스상 성분의 분자량과 기준 분자량간의 비)이 서로 다른 불활성 가스와 프로세스 가스를 포함하는 가스를 추가하고 사용함으로써, 2구역 혹은 다구역 플라즈마가 형성될 수 있고, 이 2구역 혹은 다구역 플라즈마에서는, 중력에 의한 확산이 서로 다르기 때문에, 한 종류의 가스가 플라즈마 발생 영역 부근에 많이 구속될 수 있으며, 다른 종류의 가스가 상기 한 종류의 가스로부터 크게 분리될 수 있고 상기 한 종류의 가스보다 웨이퍼 프로세스 영역에 더 근접하게 구속되어 있다.

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Номер записи: 4
27-06-2016 дата публикации

DC AND RF HYBRID PROCESSING SYSTEM

Номер: KR0101633937B1
Автор: 첸 리, 펑크 메릿트
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 본 발명은, 적어도 하나의 직류(DC)/무선 주파수(RF) 하이브리드(DC/RFH) 처리 시스템과, 관련 DC/RFH 절차와, DC/RFH 프로세스 파라미터 및/또는 DC/RFH 모델을 이용하여 기판 및/또는 웨이퍼를 처리하는 장치 및 방법을 제공할 수 있다.

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Номер записи: 5
24-08-2016 дата публикации

플라즈마 밀도를 제어하는 시스템 및 방법

Номер: KR1020160101021A
Автор: 첸 리, 벤트젝 피터 엘.지., 레인 바톤 지.
Принадлежит:

... 본 개시는, 프로세싱되는 기판의 엣지 또는 주위 근방의 플라즈마 밀도를 제어하기 위한 플라즈마 프로세싱 시스템과 관련된다. 플라즈마 프로세싱 시스템은 기판을 수용하고 프로세싱할 수 있는 플라즈마 챔버를 포함할 수 있고, 기판을 에칭하기 위해 플라즈마를 사용하고, 기판을 도핑하고, 또는 기판 상에 필름을 퇴적한다. 본 개시는 기판을 둘러싸는 포커스 링 전극과 바이어스 전극의 맞은편이 될 수 있는 파워 전극을 포함할 수 있는 플라즈마 프로세싱 시스템에 관한 것이다. 일 실시형태에서 파워 전극은 직류(DC) 소스에 연결될 수 있다. 바이어스 전극에 인가되는 파워는 기판으로 이온을 견인하기(draw) 위해 사용될 수 있다. 기판 및/또는 바이어스 전극 주위에 배치되는 포커스 링에 포커스 링 전압을 인가함으로써 플라즈마 밀도가 더 균일하게 만들어질 수 있다.

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Номер записи: 6
23-07-2015 дата публикации

METHOD AND APPARATUS FOR SEMI-PERSISTENT SCHEDULING TRANSMISSION

Номер: KR0101538996B1
Автор: 첸 리
Принадлежит: 차이나 아카데미 오브 텔레커뮤니케이션즈 테크놀로지

... 본 출원은 MBSFN 서브 프레임을 통해 반지속적 스케줄링 전송을 구현하는 반지속적 스케줄링 전송의 구현 방법 및 장치를 제공한다. 본 출원에 따른 반지속적 스케줄링 전송의 구현 방법은 사용자 장치(UE)가 멀티미디어 브로캐스트 멀티캐스트 서비스 싱글 주파수 네트워크(MBSFN) 서브 프레임을 확정하는 단계와, UE가 MBSFN 서브 프레임에서 SPS 전송 데이터 패킷을 수신하는 단계를 포함한다.

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Номер записи: 7
18-11-2015 дата публикации

마이크로파 공진기 플라즈마 소스에서의 플라즈마 튜닝 로드

Номер: KR1020150129022A
Автор: 자오 지안핑, 첸 리, 펑크 메리트, 이와오 도시히코, 벤트젝 피터 엘 지
Принадлежит:

... 플라즈마에 인접한 공진 캐비티에서 공진 마이크로파 에너지를 생성하는 것에 의해 소망의 EM파 모드의 전자기(EM) 에너지를 플라즈마에 커플링하도록 구성되는 하나 이상의 공진 캐비티를 갖는 공진기 시스템(100, 200, 300, 400, 1000, 1100, 1200, 1300)이 제공된다. 공진기 시스템은 하나 이상의 인터페이스 어셈블리(165a, 165b, 265a, 265b, 365a, 365b, 465a, 465b, 1065) 및 분리 어셈블리(164a-c, 264a-c, 364a-c, 464a-d, 1164a)를 사용하여 프로세스 챔버(110, 210, 310, 410, 1010, 1110, 1210, 1310)에 커플링될 수 있고, 각각의 공진 캐비티는 자신에게 커플링되는 복수의 플라즈마 튜닝 로드(170a-c와 175a-c, 270a-c와 275a-c, 370a-c와 375a-c, 470a-d와 475a-d, 570a-d와 575a-d, 670a-d와 675a-d, 770a-d와 775a-d, 1070a와 1075a, 1170a와 1175a)를 구비할 수 있다. 플라즈마 튜닝 로드는 공진 캐비티로부터의 EM 에너지를 프로세스 챔버 내의 프로세스 공간(115, 215, 315, 415)으로 커플링하도록 구성될 수 있다.

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Номер записи: 8
13-12-2018 дата публикации

복합 알코올 아민류 용액을 사용하여 기체 중의 SOx를 제거하는 방법

Номер: KR0101929100B1
Автор: 웨이 셩후이, 조 메이후아, 순 샤오양, 순 용, 리우 지아수, 왕 준, 샤오 지안바이, 리 리팡, 첸 리, 후 춘, 리 샹빈, 완 밍진
Принадлежит: 베이징 보위안 헝셩 하이-테크놀로지 컴퍼니 리미티드, 융펑 보위안 인더스트리 컴퍼니 리미티드 장시 프로빈스, 페킹 유니버시티

... 본 발명은 복합 알코올 아민류 용액으로 기체 중의 SOx를 제거하는 방법을 제공한다. 에틸렌글리콜 및/또는 폴리에틸렌글리콜을 질소 함유 염기성기를 갖는 히드록실기 및/또는 카르복시기 유기 화합물과 혼합하여 복합 알코올 아민류 용액을 만들고, 상기 복합 알코올 아민류 용액은 SOx를 함유하는 기체와 접촉하게 하여 기체 중의 SOx를 흡수하며, 그 중의 x=2 및/또는 x=3이다. SOx를 흡수한 복합 알코올 아민류 용액은 가열법, 진공법, 스트리핑법, 초음파법, 마이크로파법 및 방사법 중의 하나 또는 복수의 방법을 사용하여 재생되며, 이산화황 및 삼산화황의 부산물을 생산하고, 재생 후의 복합 알코올 아민류 용액은 순환 사용한다. 상기 방법은 연도 가스, 연소 가스, 코크스로 가스, 염료공장 합성 폐가스, 화학 섬유 공장 배기 오염 가스, 및 SOx를 함유한 기타 공업용 원료 가스 또는 폐가스 중의 SOx를 제거하는데 사용될 수 있다.

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Номер записи: 9
11-06-2018 дата публикации

SOLUTION MIXING METHOD FOR MICROFLUIDIC DEVICES, AND DEVICE THEREFOR

Номер: KR1020180062936A
Автор: KOBAYASHI KAZUHISA, ETO DAISUKE, HENRY G. WADA, CHEN LI, YU LIU, ZHI LI, WARREN WU
Принадлежит:

The present invention relates to a microfluidic device which is to mix solutions and has a first chamber connected to a second chamber fluidically connected only with a first chamber through a connecting channel. The present invention further relates to a system and a method. According to the present invention, the solution in the first chamber is forcibly extruded into the second chamber, air trapped into the second chamber is compressed, and then the solution is returned to the first chamber. When returning to the first chamber, the solution exits the connecting channel and causes mixing in the first chamber. COPYRIGHT KIPO 2018 ...

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Номер записи: 10
29-03-2017 дата публикации

스위쳐블 중성빔 소스

Номер: KR1020170034916A
Автор: 첸 리, 펑크 메리트
Принадлежит:

... 본 발명은, 포토레지스트층의 에칭 내성을 향상시키기 위해 스위쳐블 준중성빔 시스템을 이용하여 실시간으로 기판을 처리하는 장치 및 방법을 제공할 수 있다. 또한, 게이트 및/또는 스페이서 임계 치수(CDs)를 더 정밀하게 제어하고, 게이트 및/또는 스페이서 CD 균일성을 제어하며, 선 에지 조도(LER) 및 선폭 조도(LWR)를 제거하기 위해, 개선된 포토레지스트층이 에칭 절차에서 이용될 수 있다.

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Номер записи: 11
08-01-2019 дата публикации

서비스 데이터의 전송 방법, 단말기 및 네트워크측 기기

Номер: KR1020190002706A
Автор: 첸 리, 바오 웨이, 수 팡리, 판 쉐밍
Принадлежит:

... 본 공개는 서비스 데이터의 전송 방법, 단말기 및 네트워크측 기기를 제공한다. 상기 방법은 네트워크측 기기가 송신한 상향링크 자원의 스케줄링 명령을 수신한 경우, 현재의 전송 대기 서비스 데이터 패킷의 속성 정보로서 지연을 포함하는 속성 정보를 획득하는 단계; 현재의 전송 대기 서비스 데이터 패킷의 지연 요구에 따라, 상기 전송 대기 서비스 데이터 패킷을 상기 상향링크 자원에 맵핑하여 전송하는 단계를 포함한다.

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Номер записи: 12
18-04-2016 дата публикации

저전력에서의 자립식 비-2극성 직류(DC) 플라즈마

Номер: KR1020160042124A
Автор: 첸 지잉, 첸 리, 펑크 메리트
Принадлежит:

... 전자빔을 발생하도록 플라즈마를 여기하는 전자빔 소스 챔버 및 기판을 수용하고 이온빔을 발생하도록 또한 여기하는 이온빔 소스 챔버를 갖는 프로세싱 시스템이 개시된다. 프로세싱 시스템은 전자빔 소스 챔버를 이온빔 소스 챔버에 결합하고, 전자빔 및 이온빔을 동시에 주입하고 대향 방향으로 전자빔 및 이온빔을 추진하는 유전성 인젝터를 또한 포함한다. 전자빔 소스 챔버와 이온빔 소스 챔버 사이의 전압 전위 구배는 플라즈마가 기판을 처리함에 따라 전자빔 및 이온빔을 유지하는 데 충분한 에너지장을 발생하여, 전자빔을 발생하기 위해 프로세싱 시스템에 초기에 인가된 무선 주파수(RF) 전력이 종료될 수 있어 따라서 프로세싱 시스템의 전력 효율을 향상시킨다.

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Номер записи: 13
22-02-2017 дата публикации

패시베이션을 이용한 구리의 이방성 에칭

Номер: KR1020170020530A
Автор: 첸 리, 장 잉
Принадлежит:

... 본 발명에 따른 Cu-함유 층에 피처를 이방성 에칭하는 방법은, Cu-함유 층과, 상기 Cu-함유 층에 형성되어 있는 패터닝된 에칭 마스크를 구비하는 기판으로서, 노출된 Cu-함유 층에서, 상기 패터닝된 에칭 마스크를 통한 처리에 노출되는 것인 기판을 제공하는 단계, 상기 노출된 Cu-함유 층의 제1 면을 패시베이션하는 단계, 및 상기 Cu-함유 층의 제2 면의 패시베이션을 억제하는 단계를 포함한다. 상기 Cu-함유 층의 상기 제2 면 상에 Cu 화합물이 형성되고, 상기 Cu-함유 층에 피처를 이방성 에칭하도록 상기 Cu 화합물이 상기 Cu-함유 층의 제2 면으로부터 제거된다.

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Номер записи: 14
26-06-2015 дата публикации

UPLINK TRANSMISSION METHOD AND DEVICE FOR CARRIER AGGREGATION SYSTEM

Номер: KR0101531982B1
Автор: 쟈오 얄리, 수 팡리, 첸 리, 리우 지아민
Принадлежит: 차이나 아카데미 오브 텔레커뮤니케이션즈 테크놀로지

... 본 발명은 반송파 결합 시스템에서의 업링크 전송 방법 및 장치를 개시하는바, 무선 통신 기술 분야에 관한 것으로서, 기지국이 단말을 위해 부가 셀을 추가 설정할 때 그 부가 셀에서 어떻게 업링크 전송을 수행해야 하는가 하는 문제를 해결하고자 한다. 본 발명은 기지국이 본 단말에 부가 셀을 추가 설정한 후, 단말이 미리 설정된 타이밍 기준 반송파 선택 규칙에 따라, 기지국과의 다운링크 동기화가 이미 형성된 셀들에 대응되는 다운링크 반송파들 중에서 하나의 반송파를 선택하여 상기 부가 셀에서 사용될 타이밍 기준 다운링크 반송파로 하는 단계; 및 단말이 상기 타이밍 기준 다운링크 반송파의 다운링크 타이밍에 따라 상기 부가 셀에서 업링크 전송을 수행하는 단계를 포함한다. 본 발명을 이용하면 추가 설정된 부가 셀에서 업링크 전송을 수행하는 데 사용되는 타이밍 기준 다운링크 반송파를 확정할 수 있으며, 상기 타이밍 기준 다운링크 반송파에 따라 업링크 전송을 수행할 수 있다.

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Номер записи: 15
11-05-2016 дата публикации

METHOD AND APPARATUS FOR PROVIDING ANISOTROPIC AND MONO-ENERGETIC NEUTRAL BEAM BY USING NON-AMBIPOLAR ELECTRON PLASMA

Номер: KR1020160051619A
Автор: CHEN LEE, FUNK MERRITT, CHEN ZHIYING
Принадлежит:

Embodiments include a chemical processing apparatus and method using the chemical processing apparatus to treat a substrate by means of a mono-energetic space-charge neutralized neutral beam-activated chemical process including a substantially anisotropic beam of neutral particles. The chemical processing apparatus comprises a first plasma chamber for forming a first plasma at a first plasma potential, and a second plasma chamber for forming a second plasma at a second plasma potential higher than the first plasma potential, wherein the second plasma is formed using electron flux from the first plasma. Furthermore, the chemical processing apparatus comprises an ungrounded dielectric (insulator) neutralizer grid configured to expose a substrate in the second plasma chamber to the substantially anisotropic beam of neutral particles traveling from the neutralizer grid. COPYRIGHT KIPO 2016 (205) Dispose a substrate in a processing chamber having an undergrounded dielectric holder (210) Form ...

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Номер записи: 16
05-02-2016 дата публикации

MONO-ENERGETIC NEUTRAL BEAM ACTIVATED CHEMICAL PROCESSING SYSTEM AND METHOD OF USING

Номер: KR0101592613B1
Автор: 첸 리
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 화학적 처리 시스템과, 기판을 단일 에너지의 공간 전하 중성화된 중성 빔 활성화된 화학적 처리로 처리하기 위하여 화학적 처리 시스템을 사용하는 방법을 설명한다. 화학적 처리 시스템은, 제1 플라즈마를 제1 플라즈마 전위에서 형성하기 위한 제1 플라즈마 챔버, 및 제1 플라즈마 전위보다 큰 제2 플라즈마 전위에서 제1 플라즈마로부터의 전자 플럭스를 사용하여 형성된 제2 플라즈마를 형성하기 위한 제2 플라즈마 챔버를 포함한다. 또한, 화학적 처리 시스템은 기판을 제2 플라즈마 챔버에 위치 결정하도록 구성된 기판 홀더를 포함한다.

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Номер записи: 17
26-04-2017 дата публикации

마이크로파 공진기 플라즈마 소스에서의 플라즈마 튜닝 로드

Номер: KR0101730755B1
Автор: 자오 지안핑, 첸 리, 펑크 메리트, 이와오 도시히코, 벤트젝 피터 엘 지
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

... 플라즈마에 인접한 공진 캐비티에서 공진 마이크로파 에너지를 생성하는 것에 의해 소망의 EM파 모드의 전자기(EM) 에너지를 플라즈마에 커플링하도록 구성되는 하나 이상의 공진 캐비티를 갖는 공진기 시스템(100, 200, 300, 400, 1000, 1100, 1200, 1300)이 제공된다. 공진기 시스템은 하나 이상의 인터페이스 어셈블리(165a, 165b, 265a, 265b, 365a, 365b, 465a, 465b, 1065) 및 분리 어셈블리(164a-c, 264a-c, 364a-c, 464a-d, 1164a)를 사용하여 프로세스 챔버(110, 210, 310, 410, 1010, 1110, 1210, 1310)에 커플링될 수 있고, 각각의 공진 캐비티는 자신에게 커플링되는 복수의 플라즈마 튜닝 로드(170a-c와 175a-c, 270a-c와 275a-c, 370a-c와 375a-c, 470a-d와 475a-d, 570a-d와 575a-d, 670a-d와 675a-d, 770a-d와 775a-d, 1070a와 1075a, 1170a와 1175a)를 구비할 수 있다. 플라즈마 튜닝 로드는 공진 캐비티로부터의 EM 에너지를 프로세스 챔버 내의 프로세스 공간(115, 215, 315, 415)으로 커플링하도록 구성될 수 있다.

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Номер записи: 18
17-05-2016 дата публикации

변성 폴리에틸렌글리콜 용액을 사용하여 기체 중의 SOx를 제거하는 방법

Номер: KR1020160055207A
Автор: 웨이 셩후이, 순 샤오양, 조 메이후아, 샤오 지안바이, 리 리팡, 첸 리, 후 춘, 리 샹빈, 완 밍진
Принадлежит:

... 본 발명은 변성 폴리에틸렌글리콜 용액을 사용하여 기체 중의 SOx를 흡수하여 기체 중의 SOx를 제거하는 방법이며, 변성 폴리에틸렌글리콜 용액은 SOx를 함유한 기체와 접촉하여, 기체 중의 SOx를 제거하고, 그 중 x=2 및/또는 3이며; 변성 폴리에틸렌글리콜은 에틸렌글리콜 및/또는 폴리에틸렌글리콜 분자 중의 히드록실기를 에테르화하여 획득하는 생산물이며. 그 화학식은 R1-(O-C2H4)n-O-R2이고，n은 양의 정수이며, R1 및 R2는 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 아실기 또는 아릴기이다.

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Номер записи: 19
17-06-2016 дата публикации

복합 알코올 아민류 용액을 사용하여 기체 중의 SOx를 제거하는 방법

Номер: KR1020160070129A
Автор: 웨이 셩후이, 조 메이후아, 순 샤오양, 순 용, 리우 지아수, 왕 준, 샤오 지안바이, 리 리팡, 첸 리, 후 춘, 리 샹빈, 완 밍진
Принадлежит:

... 본 발명은 복합 알코올 아민류 용액으로 기체 중의 SOx를 제거하는 방법을 제공한다. 에틸렌글리콜 및/또는 폴리에틸렌글리콜을 질소 함유 염기성기를 갖는 히드록실기 및/또는 카르복시기 유기 화합물과 혼합하여 복합 알코올 아민류 용액을 만들고, 상기 복합 알코올 아민류 용액은 SOx를 함유하는 기체와 접촉하게 하여 기체 중의 SOx를 흡수하며, 그 중의 x=2 및/또는 x=3이다. SOx를 흡수한 복합 알코올 아민류 용액은 가열법, 진공법, 스트리핑법, 초음파법, 마이크로파법 및 방사법 중의 하나 또는 복수의 방법을 사용하여 재생되며, 이산화황 및 삼산화황의 부산물을 생산하고, 재생 후의 복합 알코올 아민류 용액은 순환 사용한다. 상기 방법은 연도 가스, 연소 가스, 코크스로 가스, 염료공장 합성 폐가스, 화학 섬유 공장 배기 오염 가스, 및 SOx를 함유한 기타 공업용 원료 가스 또는 폐가스 중의 SOx를 제거하는데 사용될 수 있다.

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Номер записи: 20
12-02-2016 дата публикации

시스 전위를 가진 기판의 비양극성 전자 플라즈마(NEP) 처리를 위한 프로세싱 시스템

Номер: KR1020160015249A
Автор: 첸 리, 펑크 메리트, 첸 즈잉
Принадлежит:

... 소스 플라즈마를 여기시켜 전자 빔을 생성하는 플라즈마 소스 챔버, 및 전자 빔에 대한 기판의 노출을 위해 기판을 수용하는 프로세스 챔버를 구비하는 프로세싱 시스템이 개시된다. 프로세싱 시스템은 또한, 전자 빔이 프로세스 챔버에 들어갈 때 소스 플라즈마로부터 전자 빔 안으로 전자를 주입하는 전자 주입기를 포함한다. 전자 빔은 프로세스 챔버에서 실질적으로 동일한 수의 전자 및 정으로 하전된 이온을 포함한다. 일 실시형태에서, 프로세싱 챔버는 또한, 전자 빔에 포함되는 전자를 포획하여 자기장 생성기와 기판 사이에 전압 전위를 생성하기 위해, 프로세스 챔버에 자기장을 생성하는 자기장 생성기를 포함한다. 전압 전위는 정으로 하전된 이온을 기판으로 가속시키고 기판에 도달하는 전자를 최소로 한다.

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Номер записи: 21
11-12-2015 дата публикации

CELL RESELECTION METHOD AND DEVICE

Номер: KR0101576876B1
Автор: 리앙 징, 첸 리
Принадлежит: 차이나 아카데미 오브 텔레커뮤니케이션즈 테크놀로지

... 본 출원의 실시예는 셀 재선택 방법 및 장치를 공개하며 무선 통신 기술 분야에 관하고 UE의 MBMS 데이터 수신 연속성을 향상한다. 본 출원에서 유휴 상태인 단말이 전송되고 있는 멀티미디어 브로드캐스트 멀티캐스트 서비스(Multimedia Broadcast Multicast Service, MBMS)의 정보를 획득하고 상기 단말이 MBMS가 전송되고 있는 주파수 포인트의 우선순위를 최고 우선순위로 설정하고 상기 단말이 설정된 주파수 포인트 우선순위에 따라 셀 재선택을 수행한다. 본 발명을 실시하면 UE의 MBMS 데이터 수신의 연속성을 향상할 수 있다.

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