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23-04-2018 дата публикации

NOVEL LACTOBACILLUS PLANTARUM LB41 STRAIN AND PHARMACEUTICAL COMPOSITION FOR PREVENTING AND TREATING OBESITY COMPRISING SAME

Номер: KR1020180040894A
Принадлежит:

The present invention relates to Lactobacillus plantarum Lb41 strain which is probiotics isolated from traditional fermented foods and a use of the same, and more specifically, to an anti-obesity use of the strain. According to the present invention, the Lactobacillus plantarum Lb41 strain isolated from traditional fermented foods such as kimchi may be used as probiotics; may suppress fat accumulation in adipocytes; and when administered in a mouse model for high-fat diet-induced obesity, may show the effect of significantly decreasing body fat, and thus the Lactobacillus plantarum Lb41 strain may be used as an active ingredient in a composition for preventing, treating and alleviating obesity. COPYRIGHT KIPO 2018 ...

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13-07-2016 дата публикации

METHOD AND SYSTEM FOR PROVIDING BOTTOM REFERENCE LAYER IN PERPENDICULAR MAGNETIC JUNCTION USABLE IN SPIN TRANSFER TORQUE MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY APPLICATIONS

Номер: KR1020160084317A
Принадлежит:

A magnetic junction and a method for providing the magnetic junction are described. The magnetic junction includes free and reference layers separated by a nonmagnetic spacer layer. The free layer is switchable between stable magnetic states when a write current flows in the magnetic junction. The reference layer has perpendicular magnetic anisotropy (PMA) energy greater than out-of-plane demagnetization energy of the reference layer. Providing the reference layer includes providing a bulk PMA (B-PMA) layer, providing a first interfacial PMA (I-PMA) layer on the B-PMA layer, and providing a sacrificial layer which serves as a sink of a constituent of the first I-PMA layer. Then, an annealing is performed. The sacrificial layer and a part of the first I-PMA layer are removed after the annealing. Additional I-PMA layer(s) is provided after the removing process. A remaining part of the first I-PMA layer and the additional I-PMA layer(s) have a thickness of twenty Angstroms or less. COPYRIGHT ...

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13-01-2016 дата публикации

METHOD AND SYSTEM FOR PROVIDING THIN PINNED LAYER IN PERPENDICULAR MAGNETIC JUNCTION USABLE IN SPIN TRANSFER TORQUE MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY APPLICATIONS

Номер: KR1020160004969A
Принадлежит:

According to an embodiment of the present invention, a magnetic junction which is usable in a magnetic device and provided on a substrate, includes a free layer, a nonmagnetic spacer layer, and a pinned layer. The free layer is switchable between a plurality of stable magnetic states when a write current passes through the magnetic junction. The nonmagnetic spacer layer is between the pinned layer and the free layer. The nonmagnetic spacer layer and the free layer are between the pinned layer and the substrate. The pinned layer has perpendicular magnetic anisotropy energy greater than demagnetization energy in an out-of-plane direction, and the thickness of 30 Å or smaller. COPYRIGHT KIPO 2016 (101) Substrate (102) Lower contact (104) Selective seed layer(s) (106) Selective capping layer(s) (108) Upper contact (110) Free layer (120) Nonmagnetic spacer layers (130) Thin layer to be fixed ...

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15-07-2016 дата публикации

MAGNETIC JUNCTION WHICH IS ARRANGED ON SUBSTRATE AND USABLE IN MAGNETIC DEVICE AND MAGNETIC MEMORY INCLUDING SAME AND METHOD FOR PROVIDING SAME

Номер: KR1020160085218A
Принадлежит:

Provided are a magnetic junction which is arranged on a substrate and usable in a magnetic device and a magnetic memory including the same and a method for providing the same. The magnetic junction which is arranged on a substrate and usable in a magnetic device, includes a free layer which includes at least Fe and at least Fe alloy, and excludes Co, a nonmagnetic spacer layer adjacent to the free layer and a reference layer. The nonmagnetic spacer layer is arranged between the free layer and the reference layer, and can switch the free layer between stable magnetic states, when a writing current flows through the magnetic junction. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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15-07-2016 дата публикации

METHOD AND SYSTEM FOR PROVIDING MAGNETIC JUNCTIONS USING THERMALLY ASSISTED SPIN TRANSFER TORQUE SWITCHING

Номер: KR1020160085219A
Принадлежит:

Provided are a magnetic junction usable in a magnetic apparatus and a method for providing the magnetic junction. The magnetic junction includes a multi layer, and includes a free layer switchable between a plurality of stable magnetic states when a write current flows through the magnetic junction, a nonmagnetic spacer layer, and a pinned layer. The spacer layer is arranged between the pinned layer and the free layer. The write current generates joule heating in the free layer such that the free layer has the switching temperature higher than the room temperature. The free layer has perpendicular magnetic anisotropy energy of the free layer which is greater than out-of-plane device energy of the free layer. The multi layer is sensitive to the temperature and includes at least one bilayer, in which each bilayer includes first and second layers, the first layer includes an alloy of a magnetic transition metal and a rare earth, and the second layer includes a magnetic layer. The multilayer ...

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25-05-2016 дата публикации

magnetic memory device

Номер: KR0101623882B1

... 자기 메모리 소자가 제공된다. 이 자기 메모리 소자는 기판, 기판 상의 기준층과 자유층을 포함한다. 자유층은 기준층에 인접한 제1 자성층, 제1 자성층과 이격된 제2 자성층, 그리고 제1 자성층과 제2 자성층 사이의 비자성층을 포함할 수 있다. 제1 자성층의 포화 자화량과 제1 자성층의 두께의 곱은, 제2 자성층의 포화 자화량과 제2 자성층의 두께의 곱의 1/2보다 작을 수 있다.

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19-09-2017 дата публикации

반도체 소자의 제조 방법 및 그 제조 장치

Номер: KR0101779566B1
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 반도체 소자의 제조 방법이 제공된다. 반도체 소자의 제조 방법은 서로 이격된 자기 메모리 패턴들을 기판 상에 형성하고, 상기 자기 메모리 패턴들에 자장 열처리 공정을 수행하는 것, 및 상기 자기 메모리 패턴들 상에 보호막을 형성하는 것은 하나의 리액터(reactor) 내에서 동시에 수행되는 것을 포함한다.

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24-05-2017 дата публикации

MAGNETIC JUNCTION DISPOSED ON SUBSTRATE AND USABLE FOR MAGNETIC DEVICE, MAGNETIC MEMORY INCLUDING SAME, AND METHOD OF PROVIDING SAME

Номер: KR1020170057112A
Принадлежит:

Provided is a magnetic junction usable for a magnetic device. The magnetic junction comprises a reference layer, a non-magnetic spacer layer, and a free layer. The non-magnetic spacer layer is disposed between the reference layer and the free layer. The free layer has a length along a first direction, a width, an aspect ratio, and an exchange stiffness along a second direction. The aspect ratio is obtained by dividing the length by the width, and is greater than one. The exchange stiffness is greater than or equal to 2 x 10^-6 erg/cm. When a write current flows through the magnetic junction, the free layer is configured to be switchable among a plurality of stable magnetic states. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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30-09-2015 дата публикации

METHOD FOR PROVIDING MAGNETIC JUNCTION AND MAGNETIC MEMORY ON SUBSTRATE USABLE IN MAGNETIC DEVICE AND MAGNETIC JUNCTION

Номер: KR1020150108793A
Принадлежит:

Provided are a magnetic junction used in a magnetic device, a method for providing a magnetic memory on a substrate, and a magnetic junction. The method for providing a magnetic junction on a substrate provides a free layer switched between multiple stable magnetic states, when a writing current flows through a magnetic junction, provides a non-magnetic spacer layer, provides a pinned layer. the non-magnetic spacer layer is arranged between the free layer and a pinned layer, and any one among providing the free layer and providing the pinned layer includes multiple steps. The multiple steps included in providing the free layer includes a first multiple steps, and multiple steps included in providing the pinned layer includes a second multiple steps. The first multiple steps deposits a first area of the free layer, deposits a first sacrifice layer, anneals the first area and the first sacrifice layer at a first temperature greater than the 25°C, removes the first sacrifice layer, and deposits ...

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13-01-2016 дата публикации

MAGNETIC MEMORY DEVICE

Номер: KR0101584747B1
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 자기 메모리 소자가 제공된다. 이 자기 메모리 소자는 기판 상의 제1 강자성층과 제2 강자성층, 및 제1 강자성층과 제2 강자성층 사이의 결정을 포함하는 터널 베리어층을 포함할 수 있다. 제1 강자성층은 터널 베리어층과 접하는 제1 층 및 제1 층과 접하는 제2 층을 포함하고, 제1 층은 제2 층을 구성하는 물질의 터널 베리어층에 대한 배향성보다 큰 배향성을 갖는 물질을 포함할 수 있다.

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15-01-2019 дата публикации

항산화, 항고혈압 및 미백활성을 갖는 오메기곡 발효 분획물 및 이의 제조방법

Номер: KR1020190004918A
Принадлежит:

... 본 발명은 항산화, 항고혈압 또는 미백활성을 갖는 오메기곡 발효 분획물의 제조방법 및 제조된 오메기곡 발효 분획물의 용도에 관한 것이다. 구체적으로 본 발명에 따른 오메기곡 발효 분획물의 제조방법은 (a) 오메기곡을 이용하여 발효물을 제조하는 단계; (b) 상기 (a)단계의 발효물로부터 1kDa 이하의 분자량을 갖는 발효물을 수득하는 단계; 및 (c) 상기 (b) 단계에서 수득한 발효물을 컬럼 크로마토그래피를 수행하여 분획화하는 단계를 포함하며, 상기 방법으로 제조된 오메기곡 발효 분획물은 우수한 항산화, 항고혈압 또는 미백활성을 갖는 특징이 있어 건강 기능성 식품, 화장품 및 의약품의 용도로 사용될 수 있는 효과가 있다.

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08-01-2016 дата публикации

METHOD FOR PREPARING BROWN ALGAE EXTRACT BY USING ULTRASONIC WAVES

Номер: KR1020160002558A
Принадлежит:

The present invention relates to an ultrasonic extraction method used to extract brown algae extracts. According to the present invention, the extraction method does not use an organic solvent in order to reduce the time and process while being eco-friendly. The extracts extracted by using the method have better functionality than the extracts extracted by using a conventional organic solvent extraction method. COPYRIGHT KIPO 2016 (AA) Comparative example 1 (BB) Example 2 (C1,C2) Sampling (DD) 85% EtOH treatment (EE) Extract for 24 hours (0.1N Hcl) (F1,F2) Neutralize (G1,G2) Dialysis (H1,H2) Freeze-dry (I1,I2) Analysis (JJ) Non-organic solvent and process reduction (KK) Shorten time and enhance functionality ...

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18-04-2018 дата публикации

외인성 수직 자화 구조를 구비하는 자기 메모리 장치 및 그 제조 방법

Номер: KR0101849599B1
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 외인성 수직 자화 구조를 구비하는 자기 메모리 장치 및 그 제조 방법가 제공된다. 이 장치는 터널 베리어 및 외인성 수직 자화 구조를 구비하는 자기터널접합을 포함하고, 외인성 수직 자화 구조는 수직자화 보존막, 수직자화 보존막과 터널 베리어 사이의 자성막, 그리고 수직자화 보존막과 자성막 사이의 수직자화 유도막을 포함할 수 있으며, 수직자화 보존막은 수직자화 유도막을 구성하는 금속보다 작은 산소 친화도를 갖는 물질들 중의 적어도 하나로 형성될 수 있다.

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13-01-2016 дата публикации

MAGNETIC JUNCTION FOR SPIN TORQUE MEMORY USING ASYMMETRIC FREE LAYERS

Номер: KR1020160004905A
Автор: LEE, JANG EUN, TANG XUETI
Принадлежит:

Provided is a magnetic junction for a spin torque memory using asymmetric free layers. The magnetic junction includes a fixing layer, a nonmagnetic spacer layer, an asymmetric free layer and a perpendicular magnetic anisotropy (PMA) induction layer. The nonmagnetic spacer layer is between the PMA induction layer and the asymmetric free layer. The asymmetric free layer includes a ferromagnetic layer having a first boron content and a second ferromagnetic layer having a second boron content. The second content is less than the first boron content. The first and the second boron content are greater than zero atomic percent. The free layer exists between the PMA induction layer and the nonmagnetic space layer. The magnetic junction allows the asymmetric free layer to be switchable between stable magnetic states, when a write current is passed through the magnetic junction. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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08-06-2017 дата публикации

초음파를 이용한 갈조류 추출물의 제조방법

Номер: KR0101744082B1
Принадлежит: 한국식품연구원

... 본 발명은 갈조류 추출물의 초음파 추출 방법에 관한 것이다. 본 발명의 추출 방법은 유기용매를 사용하지 않아 공정 및 시간이 단축되었고, 친환경적이며, 이를 이용하여 추출한 추출물이 종래의 유기용매 추출방법으로 추출한 추출물보다 기능성이 더 우수한 효과가 있다.

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13-01-2016 дата публикации

METHOD AND SYSTEM FOR PROVIDING RARE EARTH MAGNETIC JUNCTION USED IN SPIN TRANSFER TORQUE MAGNETIC RAM APPLICATIONS

Номер: KR1020160004959A
Автор: TANG XUETI, LEE, JANG EUN
Принадлежит:

The present invention relates to a magnetic junction used in a magnetic device, and a method for providing the magnetic junction. The magnetic junction includes: a free layer, a pinned layer, and a nonmagnetic spacer layer between the free and pinned layers. The free layer is switchable between a plurality of stable magnetic states when a write current is applied to the magnetic junction. Each of the free and pinned layers has perpendicular magnetic anisotropy energy greater than out-of-plane demagnetization energy. At least one of the pinned and free layers includes a multilayer which includes at least one bilayer. Each of the bilayers has a first layer and a second layer. The first layer includes an alloy of a magnetic transition metal and a rare earth. The second layer includes an amorphous magnetic layer. The multilayer has a nonzero perpendicular magnetic anisotropy up to at least 400°C. COPYRIGHT KIPO 2016 (106) Selective capping layer(s) (108) Upper contact (110) Free layer selectively ...

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20-05-2015 дата публикации

METHOD AND SYSTEM FOR PROVIDING BULK PERPENDICULAR MAGNETIC ANISOTROPY FREE LAYER IN PERPENDICULAR MAGNETIC JUNCTION USABLE IN SPIN TRANSFER TORQUE MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY APPLICATIONS

Номер: KR1020150054664A
Автор: TANG XUETI, LEE, JANG EUN
Принадлежит:

A magnetic junction usable in a magnetic device and a method for providing the magnetic junction are described. The magnetic junction includes a free layer, a pinned layer and nonmagnetic spacer layer between the free and pinned layers. The free layer includes at least one of a hybrid perpendicular magnetic anisotropy (PMA) structure and tetragonal bulk perpendicular magnetic anisotropy (B-PMA) structure. At least one of the free layer and the pinned layer has a perpendicular magnetic anisotropy energy greater than an out-of-plane demagnetization energy. The magnetic junction is configured such that the free layer is switchable between a plurality of stable magnetic states when a write current is passed through the magnetic junction. COPYRIGHT KIPO 2015 (101) Substrate (102) Lower contact (104) Optional seed layer(s) (106) Optional capping layer(s) (108) Upper contact (110) Complicated PMA / tetragonal B-PMA free layer (120) Nonmagnetic spacer layer (130) Pinned layer ...

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20-05-2015 дата публикации

METHOD AND SYSTEM FOR PROVIDING TOP PINNED LAYER PERPENDICULAR MAGNETIC ANISOTROPY MAGNETIC JUNCTION USABLE IN SPIN TRANSFER TORQUE MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY APPLICATIONS

Номер: KR1020150054665A
Принадлежит:

A method for providing a magnetic junction usable in a magnetic device and the magnetic junction are described. A free layer and nonmagnetic spacer layer are provided. The free layer and nonmagnetic spacer layer are annealed at an annealing temperature of at least three hundred fifty degrees Celsius. A pinned layer is provided after the annealing step. The nonmagnetic spacer layer is between the pinned layer and the free layer. The magnetic junction is configured such that the free layer is switchable between a plurality of stable magnetic states when a write current is passed through the magnetic junction. COPYRIGHT KIPO 2015 (201) Substrate (202) Lower contact (204) Optional seed layer(s) (206) Optional capping layer(s) (208) Upper contacts (210) Free layer (220) Nonmagentic spacer layer (230) Pinned layer ...

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02-11-2018 дата публикации

OMEGI YEAST FOR MANUFACTURING FERMENTED LIQUOR AND FERMENTED LIQUOR HAVING ANTI-OXIDATIVE ACTIVITY MANUFACTURED BY USING SAME

Номер: KR1020180119548A
Принадлежит:

The present invention relates to omegi yeast for manufacturing functional fermented liquor and fermented liquor by using the same. According to the present invention, the omegi yeast for manufacturing functional fermented liquor can be manufactured by the steps of: (a) grinding and washing uncracked grains of barley, and immersing the uncracked grains of barley in water for 8-12 hours; (b) removing moisture, and adding flour to mix and stir; (c) removing dough with a predetermined size to mold; and (d) putting the dough into a yeast mold to ferment. Therefore, the fermented liquor manufactured by using the omegi yeast has the excellent quality, and excellent characteristics in an anti-oxidative activity. Accordingly, the present invention provides new fermented liquor native to Korea with improved palatability and functionality, and omegi yeast for manufacturing the new fermented liquor. COPYRIGHT KIPO 2018 (AA) Jugok yeast (BB) Chumo yeast (CC) Omegi yeast ...

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18-11-2016 дата публикации

자기 메모리 소자

Номер: KR0101676824B1
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 자기 메모리 소자가 제공된다. 기판 상의 기준 자성층, 기준 자성층 상의 터널 배리어층, 터널 배리어층 상의 수평 자유층, 상기 수평 자유층 상의 상부 전극, 및 상기 터널 배리어층과 상기 상부 전극 사이의 자화 반전 보조층이 제공된다. 자화 반전 보조층의 자화 방향은 기판의 상부 평면에 실질적으로 수직한 방향으로 고정된다.

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12-12-2016 дата публикации

자기 기억 소자

Номер: KR0101684915B1
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 자기 기억 소자를 제공한다. 이 소자에 따르면, 자유 패턴 내에 자유 패턴의 일 면에 비평행한 원자-자기 모멘트들을 증가시킬 수 있다. 이로써, 임계 전류 밀도를 감소시켜 저소비전력화 및/또는 고집적화에 최적화된 자기 기억 소자를 구현할 수 있다.

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26-02-2018 дата публикации

외인성 수직 자화 구조를 구비하는 자기 메모리 장치

Номер: KR0101831931B1
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 외인성 수직 자화 구조를 구비하는 자기 메모리 장치가 제공된다. 이 장치는 스토리지 구조체, 레퍼런스 구조체 및 이들 사이의 터널 베리어를 구비하는 자기터널접합을 포함하고, 스토리지 및 레퍼런스 구조체들 중의 적어도 하나는 외인성 수직 자화 구조를 갖도록 구성될 수 있다. 외인성 수직 자화 구조는 적어도 두 개의 자성막들 및 적어도 하나의 수직자화 유도체를 포함하고, 수직자화 유도체는 자성막들의 주 표면들 중의 적어도 하나를 덮을 수 있다.

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20-05-2015 дата публикации

DUAL PERPENDICULAR MAGNETIC ANISOTROPY MAGNETIC JUNCTION USABLE IN SPIN TRANSFER TORQUE MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY APPLICATIONS

Номер: KR1020150054695A
Автор: TANG XUETI, LEE, JANG EUN
Принадлежит:

A method for providing a dual magnetic junction usable in a magnetic device and the dual magnetic junction are described. First and second nonmagnetic spacer layers, a free layer and pinned are provided. The first pinned layer, free layer and nonmagnetic spacer layer may be annealed at an anneal temperature of at least three hundred fifty degrees Celsius before a second pinned layer is provided. The second pinned layer may include Co, Fe and Tb. The magnetic junction is configured such that the free layer is switchable between a plurality of stable magnetic states when a write current is passed through the magnetic junction. COPYRIGHT KIPO 2015 (12) Normal substrate (14) Normal lower contact (16) Normal layers to be fixed (18) Normal tunneling barrier layers (20) Normal free layer (22) Normal upper contact ...

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27-12-2017 дата публикации

OMEGI YEAST FOR PRODUCING FERMENTED WINE AND FERMENTED WINE HAVING ANTIOXIDANT ACTIVITY PRODUCED USING SAME

Номер: KR1020170142115A
Принадлежит:

The present invention relates to an Omegi yeast for producing a functional fermented wine, and a fermented wine using the Omegi yeast. The Omegi yeast for producing a functional fermented wine may be prepared by: (a) a step in which whole barley is ground, washed, and immersed in water for 8-12 hours; (b) a step in which the barley is dewatered, mixed with flour, and kneaded; (c) a step in which dough is torn in a uniform size, and molded; and (d) a step in which the molded dough is fermented in a yeast mold. Further, the fermented wine produced using the Omegi yeast has excellent quality and excellent antioxidant activity. Accordingly, the present invention provides a novel traditional Korean fermented wine having improved palatability and functionality, and an Omegi yeast for producing the fermented wine. COPYRIGHT KIPO 2018 (AA) Jugok yeast (BB) Chumo yeast (CC) Omegi yeast ...

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10-03-2017 дата публикации

ESTERS-ENHANCED DISTILLED SPIRIT PRODUCED BY USING YEAST SACCHAROMYCES CEREVISIAE HDSY-03

Номер: KR101715040B1
Принадлежит: KOREA FOOD RESEARCH INSTITUTE

The present invention relates to an esters-enhanced distilled spirit produced by using novel yeast Saccharomyces cerevisiae strain. According to the present invention, the distilled spirit uses novel Saccharomyces cerevisiae HDSY-03 strain during alcohol fermentation so ester components, which are main flavor contribution components of a distilled spirit, are reinforced, thereby being widely used in related industrial fields such as a food industry or the like. COPYRIGHT KIPO 2017 (AA) Koji (BB) Water (CC) Yeast culture medium (DD) First fermentation (EE) Second fermentation (FF) Rice-wine mash (GG) Distillation (HH) Filtration (II) Alcohol adjustment (JJ) Rice (KK) Steam (LL) Steamed rice (MM) Water ...

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30-08-2016 дата публикации

자기 기억 소자 및 그 제조 방법

Номер: KR0101652006B1
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 자기 기억 소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 이 소자는 기판 상에 배치되고 제1 결정 구조를 포함하는 시드 패턴, 시드 패턴 상에 배치되고 제2 결정 구조를 포함하는 수직 자성 패턴, 및 시드 패턴 및 수직 자성 패턴 사이에 개재된 층간 패턴을 포함한다. 층간 패턴은 제1 및 제2 결정 구조들의 수평 격자 상수들의 차이로 인한 스트레스를 감소시킬 수 있다.

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25-06-2020 дата публикации

COMPOSITION FOR IMPROVING GUT FLORA, OR COMPOSITION FOR ALLEVIATING, PREVENTING OR TREATING GUT INFLAMMATION, LEAKY GUT SYNDROME, OBESITY, OR METABOLIC INTESTINAL DISORDERS, COMPRISING EXTRACT OF RADISH GREENS

Номер: WO2020130296A1
Принадлежит:

The present invention relates to a prebiotic composition, a composition for improving gut microbiota, and a composition for improving gut health or gut function, which comprise an extract of radish greens or a polymer fraction of radish greens as an effective component, and thus can induce propagation of beneficial bacteria in the gut to improve, prevent or treat the gut health or gut function. In addition, the compositions of the present invention have no toxicity and thus can be taken in a form of a food product. The present invention relates to a composition for alleviating, preventing, or treating obesity or metabolic disorder, and more specifically, to a composition comprising an extract of radish greens as an effective component for alleviating, preventing, or treating obesity or metabolic disorder, and a composition for enhancing intestinal immunity. The present invention relates to a composition for alleviating, preventing, or treating obesity or metabolic disorder, and more specifically ...

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23-03-2017 дата публикации

갈조류 초음파 추출물을 함유하는 항염증 조성물

Номер: KR0101715041B1
Принадлежит: 한국식품연구원

... 본 발명은 갈조류 초음파 추출물을 유효성분으로 함유하는 염증성 질환의 예방 및 치료용 약학적 조성물에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 갈조류 초음파 추출물을 유효성분으로 함유하는 염증성 질환의 예방 및 완화를 위한 건강기능식품에 관한 것이다. 본 발명의 조성물은 초음파로 추출함으로써, 종래의 추출물보다 항염증 활성이 우수한 효과가 있다.

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08-01-2016 дата публикации

ANTI-INFLAMMATORY COMPOSITION COMPRISING BROWN ALGAE ULTRASOUND EXTRACT

Номер: KR1020160002559A
Принадлежит:

The present invention relates to a pharmaceutical composition comprising a brown algae ultrasound extract as an active ingredient for preventing and treating inflammatory diseases. In addition, the present invention relates to a health functional food comprising a brown algae ultrasound extract as an active ingredient for preventing and alleviating inflammatory diseases. The composition of the present invention has excellent effects of anti-inflammatory activities in comparison with the conventional extract, by ultrasonic extraction. COPYRIGHT KIPO 2016 (AA) Conventional method : Average MW =582,507 (BB) Sonication Method : Average MW = 390,580 ...

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19-04-2018 дата публикации

자기 터널 접합 소자

Номер: KR0101849677B1
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 표류 자기장이 감소된 자기 터널 접합 소자가 제공된다. 상기 자기 터널 접합 소자는 절연층을 매개로 상하로 형성되고, 수직 자기 이방성을 가지는 제1 자성층 및 제2 자성층, 상기 제2 자성층 상에 형성되고, 수직 자기 이방성을 가지는 자기장 조절층, 및 상기 자기장 조절층과 상기 제2 자성층의 사이에 형성된 배리어층을 포함하고, 상기 제2 자성층과 상기 자기장 조절층이 자기적으로 상호 분리되어 있다.

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11-07-2016 дата публикации

MAGNETIC MEMORY DEVICES

Номер: KR0101635139B1
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 자기 메모리 소자가 제공된다. 이 자기 메모리 소자는, 기판 상의 터널 베리어, 터널 베리어의 일 면과 접하는 제1 접합 자성층과 제1 접합 자성층에 의해 터널 베리어와 이격되는 제1 수직 자성층, 터널 베리어의 다른 면과 접하는 제2 접합 자성층과 제2 접합 자성층에 의해 터널 베리어와 이격되는 제2 수직 자성층, 그리고 제1 접합 자성층과 제1 수직 자성층 사이의 비자성층을 포함한다.

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10-08-2017 дата публикации

자기 메모리 소자

Номер: KR0101766899B1
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 자기 메모리 소자가 제공된다. 자기 메모리 소자는 기판 상의 제1 수직 자성막 및 제2 수직 자성막, 제1 수직 자성막 및 제2 수직 자성막 사이의 터널 베리어막, 및 제1 수직 자성막의 제1 서브막 및 제1 수직 자성막의 제2 서브막 사이의 교환 결합막을 포함한다.

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02-07-2015 дата публикации

MAGNETIC MEMORY DEVICE

Номер: KR0101532752B1
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 자기 메모리 소자가 제공된다. 자기 메모리 소자는 반도체 기판 상의 자유층을 포함하는 자기 터널 접합(magnetic tunnel junction) 구조체, 및 상기 반도체 기판 상의, 실리콘-저마늄(Si-Ge)으로 이루어진 전극을 포함하되, 상기 전극은 정보 저장시에 상기 자유층을 가열하여 상기 자유층의 보자력을 감소시킨다.

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10-11-2015 дата публикации

LACTOBACILLUS PLANTARUM JS1 AND SYNBIOTICS FUNCTIONAL MAKGEOLLI PRODUCED USING SAME

Номер: KR1020150125836A
Принадлежит:

The present invention relates to a novel Lactobacillus plantarum strain used in producing makgeolli, makgeolli produced by using the same, and a method for producing makgeolli by using the same. A novel Lactobacillus plantarum JS1 strain according to the present invention is an appropriate strain that is suitable in improving synbiotics functions of makgeolli, and has excellent probiotics properties compared to conventional makgeolli. Makgeolli produced by using the same has excellent functional flavors. Furthermore, a method for producing makgeolli using a novel lactobacillus plantarum JS1 strain according to the present invention has improved synbiotics functions, compared to conventional makgeolli, so added value in the industry of makgeolli can be improved. COPYRIGHT KIPO 2016 (AA,LL) Embarkation (BB) Yeast (CC) Lactobacillus (DD,NN) Brewing water (EE) Maturing (FF) 25°C, 2 days (GG) White rice (HH) Washing (II) Soaking (JJ) Water saving (KK) Pulverizing (MM) Coenzume material (OO) ...

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09-06-2017 дата публикации

패턴 구조물, 패턴 구조물 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법

Номер: KR0101740040B1
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 패턴 구조물, 패턴 구조물 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법에서, 패턴 구조물 형성 방법으로, 기판 상에 적어도 하나의 자성 물질을 포함하는 자성 물질막을 형성한다. 상기 자성 물질막 상에 금속을 포함하는 하드 마스크 패턴을 형성한다. 불소 함유 가스 및 암모니아 가스를 혼합한 식각 가스와, 하드 마스크의 소모를 방지하는 산소 가스를 사용하여 상기 자성 물질막을 플라즈마 반응성 식각함으로써 자성 패턴을 형성한다. 상기 방법에 의하면, 높은 신뢰성을 갖고 측벽 프로파일이 양호한 패턴 구조물을 형성할 수 있다.

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16-11-2015 дата публикации

Method of fabricating semiconductor device

Номер: KR0101566925B1
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 반도체소자의 제조방법을 제공한다. 이 방법은 기판 상에 하지 막을 형성하는 것을 구비한다. 상기 하지 막 상에 희생 막을 형성한다. 상기 희생 막을 패터닝하여 상기 하지 막의 소정 영역을 노출시키는 개구부를 형성한다. 상기 개구부 내에 마스크 막을 형성한다. 상기 마스크 막의 일부 또는 전부를 산화시키어 산화물 마스크를 형성한다. 상기 희생 막을 제거한다. 상기 산화물 마스크를 식각 마스크로 이용하여 상기 하지 막을 식각하여 하지막 패턴을 형성한다.

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