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23-09-2022 дата публикации

반도체 소자의 제조 방법

Номер: KR20220129147A
Принадлежит:

... 본 발명은 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 가상의 넷리스트를 이용하여 표준 셀들을 배치 및 라우팅하여 제1 가상 레이아웃을 생성하는 것; 상기 제1 가상 레이아웃 내에서 제1 중복 패턴 영역들을 찾고, 이들 중 하나를 제1 대표 패턴 영역으로 선정하는 것; 상기 제1 대표 패턴 영역에 대해 OPC를 수행하여, 제1 OPC 결과물을 획득하는 것; 실제 넷리스트를 이용하여 표준 셀들을 배치 및 라우팅하여 실제 레이아웃을 생성하는 것; 상기 실제 레이아웃에 OPC를 수행하는 것; 및 보정된 상기 실제 레이아웃으로 제작된 포토마스크를 이용하여, 기판 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 것을 포함한다.

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16-03-2023 дата публикации

반도체 소자 및 그의 제조 방법

Номер: KR20230037103A
Принадлежит:

... 본 발명은 반도체 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 기판 상의 로직 셀, 상기 로직 셀은 PMOSFET 영역 및 NMOSFET 영역을 포함하고; 및 상기 로직 셀 상의 제1 금속 층을 포함한다. 상기 제1 금속 층은: 제1 방향으로 서로 평행하게 연장되는 제1 파워 배선 및 제2 파워 배선; 및 상기 제1 파워 배선과 상기 제2 파워 배선 사이에 정의된 제1 배선 트랙, 제2 배선 트랙 및 제3 배선 트랙 상에 각각 배치되는 제1 하부 배선, 제2 하부 배선 및 제3 하부 배선을 포함한다. 상기 제1 내지 제3 배선 트랙들은 상기 제1 방향으로 서로 평행하게 연장되며, 상기 제1 하부 배선은, 제1 거리만큼 상기 제1 방향으로 서로 이격된 제1 배선 및 제2 배선을 포함하고, 상기 제3 하부 배선은, 상기 제1 거리와 다른 제2 거리만큼 상기 제1 방향으로 서로 이격된 제3 배선 및 제4 배선을 포함하며, 상기 제1 배선은 상기 제2 배선을 마주보는 제1 단을 갖고, 상기 제3 배선은 상기 제4 배선을 마주보는 제2 단을 가지며, 상기 제1 단의 곡률과 상기 제2 단의 곡률은 서로 실질적으로 동일하다.

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30-05-2017 дата публикации

METHOD TO FORM PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер: KR1020170059246A
Принадлежит:

According to the present invention, a method to form patterns of a semiconductor device includes: a step of classifying sample pattern data into a standard normal group and a standard weak group in accordance with a first standard; a step of calculating a normal group determination function by calculating an image parameter for each of the sample pattern data included in the standard normal group, and calculating a weak group determination function by calculating the image parameter for each of the sample pattern data included in the standard weak group; and a step of classifying target pattern data into a normal group and a weak group based on a first proximity degree between the normal group determination function and the target pattern data and a second proximity degree between the weak group determination function and the target pattern data by calculating the image parameter for the target pattern data. As such, the present invention is capable of reducing the developing period for ...

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12-10-2018 дата публикации

SPOKELESS WHEEL

Номер: KR1020180112564A
Принадлежит:

The disclosed invention relates to a spokeless wheel and comprises: an inner wheel having an annular shape and having a first groove along the outer circumferential surface thereof; an annular outer wheel surrounding the inner wheel so as to be concentrically formed and having a second groove along the inner circumferential surface thereof; an intermediate wheel interposed between the inner and outer wheels, and including an inner rim coupled to the first groove and an outer rim coupled to the second groove; a plurality of rolling balls inserted between the inner rim and the outer rim of the intermediate wheel to perform rolling motion; a tire member detachably coupled to the outer peripheral surface of the outer wheel; and a cast joined to the inner wheel. COPYRIGHT KIPO 2018 ...

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21-03-2023 дата публикации

집적 회로의 레이아웃 설계 방법

Номер: KR20230038905A
Принадлежит:

... 집적 회로의 레이아웃 설계 방법이 제공된다. 상기 집적 회로의 레이아웃 설계 방법은, 복수의 더미 셀을 각각의 더미 셀의 밀도 및 면적에 따라 분류한 더미 셀 라이브러리를 생성하고, 복수의 표준 셀 및 복수의 표준 셀 사이의 공간을 포함하는 레이아웃을 제공받고, 레이아웃을 세그먼트로 분할하고, 세그먼트 별 밀도를 분석하고, 분석된 세그먼트 별 밀도에 따라, 공간의 적어도 일부에 더미 셀을 배치하는 것을 포함한다.

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27-12-2022 дата публикации

광 근접 보정을 수행하여 마스크를 제작하는 방법

Номер: KR102481295B1
Автор: 신혜진, 정노영
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 본 발명은 마스크 제작 방법을 제공한다. 마스크 제작 방법은 대상 레이어를 위한 제 1 설계 레이아웃의 윤곽을 복수의 세그먼트로 분할하는 단계, 대상 레이어의 하부 레이어를 위한 제 2 설계 레이아웃의 윤곽에 가까워지는 방향으로 바이어스될 하나 이상의 관심 세그먼트들을 선택하는 단계, 일반 세그먼트들 각각에 할당된 제 1 비용 함수 및 관심 세그먼트들 각각에 할당된 제 2 비용 함수에 기초하여 광 근접 보정을 수행하는 단계, 및 광 근접 보정의 결과에 기초하여 갱신된 제 1 설계 레이아웃에 대응하는 마스크를 제작하는 단계를 포함한다. 제 2 비용 함수는 관심 세그먼트들 각각과 제 2 설계 레이아웃의 윤곽 사이에서 허용되는 마진에 관한 모델을 포함한다. 광 근접 보정을 수행하는 단계에서, 관심 세그먼트들 각각은 허용되는 마진에 의해 정의되는 허용 경계까지 바이어스된다. 본 발명에 따르면, 광 근접 보정이 여러 레이어를 함께 고려하여 수행된다.

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19-02-2018 дата публикации

반도체 장치 및 이의 제조 방법의 최적화된 채널 임플란트

Номер: KR0101829278B1
Автор: 정무경, 정노영, 김경우
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 반도체 장치는 기판, 상기 기판 상에 형성되고, 서로 이격되어 배치되는 다수의 폴리실리콘 부분, 상기 다수의 폴리실리콘 부분 중 인접한 폴리실리콘 부분 사이의 상기 기판 내에 형성되는 다수의 소오스 / 드레인 영역, 상기 다수의 폴리실리콘 부분과 상기 다수의 소오스 / 드레인 영역 상에 형성된 유전체층을 포함하고, 상기 유전체층은 전도성 물질로 채워진 캐비티를 포함하여 컨택 영역을 형성하고, 상기 컨택 영역은 상기 다수의 소오스 / 드레인 영역 중 하나의 소오스 / 드레인 영역의 일부 및 상기 인접한 폴리실리콘 부분 중 하나의 폴리실리콘 부분의 일부와 오버랩되어, 상기 하나의 폴리실리콘 부분과 상기 하나의 소오소 / 드레인 영역을 전기적으로 연결하고, 상기 컨택 영역의 일부는 상기 기판의 상부 표면 아래로 연장되어, 상기 하나의 소오스 / 드레인 영역과 동일하게 도핑된 임플란트 영역에 접촉한다. 상기 임플란트 영역은 상기 하나의 소오스 / 드레인 영역의 옆에 위치하고, 상기 하나의 폴리실리콘 부분의 아래의 상기 기판 내에 위치한 채널 영역의 일부를 포함한다.

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02-03-2023 дата публикации

EUV 리소그래피의 결함 예측 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법

Номер: KR20230028647A
Автор: 김우석, 정노영, 정병제
Принадлежит:

... 본 발명은 EUV 리소그래피의 결함 예측 방법을 이용한 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 제1 레이아웃 내의 중복되는 패턴 영역들을 그룹으로 그룹화하는 것, 상기 패턴 영역들 각각은 무작위 결함이 발생할 수 있는 취약 영역을 포함하고; 상기 패턴 영역들의 결함 확률들을 각각 산출하는 것; 상기 패턴 영역들의 상기 결함 확률들을 이용하여, 상기 그룹의 결함 빈도 및 결함률을 산출하는 것; 상기 결함 확률을 이용하여 상기 그룹의 결함 빈도 및 결함률을 산출하는 것; 상기 결함 빈도 및 상기 결함률을 바탕으로 제2 레이아웃의 결함 정도를 예측하는 것; 및 상기 제2 레이아웃을 바탕으로 기판 상에 EUV 리소그래피 공정을 수행하는 것을 포함한다.

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02-02-2018 дата публикации

BRAKE APPARATUS FOR WALKING AID DEVICE

Номер: KR101824536B1
Принадлежит: ARTIFEX CO., LTD.

Disclosed is a brake apparatus for a walking aid device, comprising: an operation handle including a brake lever extending about a pivot axis, and a parking lever extending opposite to the brake lever about the pivot axis, and a wire coupling part disposed on a free end side of the parking lever and on which a braking wire is installed, wherein the braking wire is connected to the brake mechanism; and a housing covering the pivot axis and including a body having an arm with a pivot hole penetrating through, wherein the pivot hole is formed as a supporting point with respect to the pivot axis. The pivot hole connects a first point forming a point of action for the brake lever and a second point located at the greatest distance from the brake mechanism and a third point forming a point of action for the parking lever to form a convex curve shape with respect to the ground. COPYRIGHT KIPO 2018 ...

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23-11-2017 дата публикации

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер: KR1020170128719A
Принадлежит:

The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device. More specifically, the method comprises: obtaining a design layout for a target layer of an optical proximity correction, wherein the design layout contains a first block and a second block which is a repetition block of the first block; dividing the design layout into a plurality of patches; performing an optical proximity correction for patches of the first block; applying corrected patches of the first block to patches of the second block; performing an optical proximity correction for boundary patches of the second block to form a correction layout; using the correction layout to manufacture a photomask; and using the photomask to form patterns on a substrate. Each of the patches is a basic unit of performing an optical proximity correction. The purpose of the present invention is to provide a method for manufacturing a semiconductor device which can reduce time taken in performing an optical proximity ...

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20-09-2016 дата публикации

ANTI-VIBRATION HANDLE

Номер: KR101657904B1

According to one embodiment of the present invention, an anti-vibration handle comprises: a strap unit connected to a pipe installed on the ceiling of a bus; a bus handle connected to the strap unit; a handle support unit having a cylindrical structure surrounding the strap unit to be installed between the bus handle and the pipe to prevent vibration of the bus handle; and a rubber pad attached to an upper end of the handle support unit. The rubber pad is closely attached to the pipe since the bus handle pulls the strap units. Therefore, it is preferred to restrain a coupling position of the handle support unit with respect to the pipe by using a frictional force with the pipe. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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24-04-2023 дата публикации

포토마스크 제작 방법

Номер: KR20230053907A
Принадлежит:

... 포토마스크 제작 방법에서, 웨이퍼 상에 구현될 패턴들의 레이아웃을 설계할 수 있다. 상기 패턴들의 레이아웃에 광 근접 보정(OPC)을 수행하여 상기 레이아웃을 1차 보정할 수 있다. 상기 레이아웃의 인덱스를 체크하여 원하는 기준을 충족시키지 않으면 상기 레이아웃을 2차 보정할 수 있다. 상기 레이아웃 인덱스는 표준화된 이미지 기울기(Normalized Image Log Scale: NILS), 마스크 결함 강화 인자(Mask Error Enhancement factor: MEEF), 비아 오버랩(via overlap) 지수, 및 최소 강도에 대한 최대 강도의 비(Imax/Imin) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 레이아웃을 2차 보정하는 것은 상기 패턴들 중에서 일정한 영역 내에 배치된 제1 패턴들 사이의 피치를 증가시키는 것을 포함할 수 있다.

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30-12-2022 дата публикации

집적회로 소자

Номер: KR20220170661A
Принадлежит:

... 집적회로 소자는 기판의 소자 영역 상에서 제1 수평 방향으로 연장된 핀형 활성 영역과, 상기 핀형 활성 영역 상에서 상기 제1 수평 방향에 교차하는 제2 수평 방향으로 연장된 게이트 라인과, 상기 게이트 라인의 일측에 인접한 위치에서 상기 핀형 활성 영역 위에 배치된 소스/드레인 영역과, 상기 게이트 라인 위에 배치되고 상기 게이트 라인에 연결되도록 구성된 게이트 콘택과, 상기 소스/드레인 영역 위에 배치되고, 상기 게이트 콘택에 대면하는 제1 세그먼트와 상기 제1 세그먼트에 일체로 연결되고 상기 제1 세그먼트로부터 상기 제2 수평 방향으로 연장된 제2 세그먼트를 포함하는 소스/드레인 콘택을 포함하고, 상기 제1 수평 방향에서 상기 제1 세그먼트로부터 상기 게이트 라인까지의 제1 이격 거리는 상기 제2 세그먼트로부터 상기 게이트 라인까지의 제2 이격 거리보다 더 크다.

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23-05-2017 дата публикации

METHOD FOR MANUFACTURING MASK BY PERFORMING OPTICAL PROXIMITY CORRECTION

Номер: KR1020170056073A
Принадлежит:

The present invention provides a method for manufacturing a mask. The method for manufacturing a mask comprises the following steps: a step of dividing an outline of a first design layout for a target layer into a plurality of segments; a step of selecting one or more segments of interest to be biased in a direction approaching an outline of a second design layout for a lower layer of the target layer; a step of performing optical proximity correction based on a first cost function assigned to each of common segments and a second cost function assigned to each of the segments of interest; and a step of manufacturing the mask corresponding to the updated first design layout based on the result of the optical proximity correction. The second cost function includes a model of the margins allowed between each of the segments of interest and the outline of the second design layout. At the step of performing the optical proximity correction, each of the segments of interest is biased to an allowed ...

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23-08-2022 дата публикации

전도성 라인 패턴을 형성하는 방법

Номер: KR20220117058A
Принадлежит:

... 전도성 라인 패턴을 형성하는 방법이 제공된다. 이 방법은 하부 구조체 상에 절연 층을 형성하는 단계, 상기 절연 층 상에 제1 수평 방향으로 각각 연장되는 복수의 제1 라인 트렌치를 가지는 제1 패턴 층을 형성하는 단계, 상기 제1 패턴 층 상에 적어도 하나의 유효 블록 및 적어도 하나의 더미 블록을 형성하는 단계, 상기 제1 패턴 층, 상기 적어도 하나의 유효 블록, 및 상기 적어도 하나의 더미 블록을 사용하여 상기 절연 층 내에 절단된 복수의 제2 라인 트렌치를 형성하는 단계, 및 상기 절연 층 내의 절단된 상기 복수의 제2 라인 트렌치 내에 절단된 전도성 라인 패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.

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23-01-2019 дата публикации

OPC 방법, 및 그 OPC 방법을 이용한 마스크 제조방법

Номер: KR1020190007761A
Автор: 김기수, 정노영
Принадлежит:

... 본 발명의 기술적 사상은 정확도가 높은 OPC 모델을 생성할 수 있는 OPC 방법, 및 그 OPC 방법을 이용한 마스크 제조방법을 제공한다. 그 OPC 방법은 OPC(Optical Proximity Correction)를 위한 기본 데이터를 준비하는 단계; 샘플에 대하여 PR(Photo Resist) 패턴의 ADI(After Development Inspection) CD(Critical Dimension)와 상기 PR 패턴을 이용하여 형성된 웨이퍼 패턴의 ACI(After Cleaning Inspection) CD를 SEM(Scanning Electron Microscope)으로 측정하고, 상기 PR 패턴의 ADI CD와 상기 웨이퍼 패턴의 ACI CD를 이용하여, 상기 SEM 측정에 의한 PR 축소(Shrink)를 반영한 상기 샘플의 CD 데이터를 생성하는 단계; 및 상기 기본 데이터 및 상기 샘플의 CD 데이터에 기초하여 OPC 모델을 생성하는 단계;를 포함한다.

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21-09-2018 дата публикации

배관용 내진장치

Номер: KR0101900397B1
Принадлежит: 충북대학교 산학협력단

... 배관용 내진장치가 개시되어 있다. 본 발명은, 관이음부에 접하여 설치되며 각각 반원형 형상을 갖는 내측상부틀 및 내측하부틀; 상기 내측상부틀 및 내측하부틀의 외주면에 설치되는 다수의 완충부재; 및 상기 다수의 완충부재를 사이에 두고 상기 내측상부틀 및 내측하부틀의 외각에 설치되며 각각 반원형 형상을 갖는 외측상부틀 및 외측하부틀;을 포함하고, 상기 외측상부틀 및 외측하부틀의 일측은 힌지결합부에 의해 결합되고, 타측은 개방될 수 있는 구조로서 결합장치에 의해서 결합되거나 개방될 수 있는 것을 특징으로 한다.

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15-03-2023 дата публикации

광 근접 보정 방법. 그것을 이용하는 마스크 제작 방법 및 반도체 칩

Номер: KR20230036578A
Автор: 임원주, 정노영, 이상화
Принадлежит:

... 본 발명에 따른 반도체 칩을 제조하는 방법은, 반도체 칩에 대한 레이아웃을 설계하는 단계, 상기 레이아웃에 대한 OPC(Optical Proximity Correction)을 수행하는 단계, 상기 OPC를 수행한 후, 마스크를 제조하는 단계, 및 상기 마스크를 이용하여 상기 반도체 칩을 제조하는 단계를 포함하고, 상기 마스크의 직사각형 패턴에 대응하는 복수의 OPC 형상들이 포함되고, 상기 복수의 OPC 형상들 중에서 적어도 하나는 멀티-엣지 코너 라운딩(multi-edge corner rounding) OPC 형상을 포함할 수 있다.

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19-06-2018 дата публикации

VIBRATION ABSORBING APPARATUS FOR PIPE

Номер: KR1020180066346A
Принадлежит:

Disclosed is a vibration absorbing apparatus for a pipe, which comprises: an inner upper frame and an inner lower frame coming in contact with a pipe connector and having a semicircular shape; a plurality of absorbing members installed on an outer circumferential surface of the inner upper frame and the inner lower frame; and an outer upper frame and an outer lower frame installed outer edges of the inner upper frame and the inner lower frame leaving the plurality of absorbing members therebetween and having a semicircular shape. Moreover, one side of the outer upper frame and the outer lower frame can be coupled by a hinge coupling unit. Furthermore, the other side of the frames, capable of being opened, can be coupled or opened by a coupling apparatus. COPYRIGHT KIPO 2018 ...

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