Настройки

Укажите год
-

Небесная энциклопедия

Космические корабли и станции, автоматические КА и методы их проектирования, бортовые комплексы управления, системы и средства жизнеобеспечения, особенности технологии производства ракетно-космических систем

Подробнее
-

Мониторинг СМИ

Мониторинг СМИ и социальных сетей. Сканирование интернета, новостных сайтов, специализированных контентных площадок на базе мессенджеров. Гибкие настройки фильтров и первоначальных источников.

Подробнее

Форма поиска

Поддерживает ввод нескольких поисковых фраз (по одной на строку). При поиске обеспечивает поддержку морфологии русского и английского языка
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Укажите год
Укажите год
Применить Всего найдено 2. Отображено 2.
21-09-2011 дата публикации

Method for growing varied buffer layer on substrate

Номер: CN0102194671A
Автор: JIFANG HE, XIANGJUN SHANG, HAIQIAO NI, HAILI WANG, MIFENG LI, YAN ZHU, LIJUAN WANG, YING YU, ZHENGHONG HE, YINGQIANG XU, ZHICHUAN NIU, HE JIFANG, SHANG XIANGJUN, NI HAIQIAO, WANG HAILI, LI MIFENG, ZHU YAN, WANG LIJUAN, YU YING, HE ZHENGHONG, XU YINGQIANG, NIU ZHICHUAN
Принадлежит:

The invention discloses a method for growing a varied buffer layer on a substrate. The method comprises the following steps: 1, preparing a substrate; 2, growing a buffer layer on the substrate; 3, growing a varied buffer layer on the buffer layer; 4, growing an epitaxial layer on the varied buffer layer to form a chip and 5, finally cooling the chip.

Подробнее
Номер записи: 1
15-08-2012 дата публикации

Method for growing varied buffer layer on substrate

Номер: CN0102194671B
Автор: JIFANG HE, XIANGJUN SHANG, HAIQIAO NI, HAILI WANG, MIFENG LI, YAN ZHU, LIJUAN WANG, YING YU, ZHENGHONG HE, YINGQIANG XU, ZHICHUAN NIU, HE JIFANG, SHANG XIANGJUN, NI HAIQIAO, WANG HAILI, LI MIFENG, ZHU YAN, WANG LIJUAN, YU YING, HE ZHENGHONG, XU YINGQIANG, NIU ZHICHUAN
Принадлежит:

The invention discloses a method for growing a varied buffer layer on a substrate. The method comprises the following steps: 1, preparing a substrate; 2, growing a buffer layer on the substrate; 3, growing a varied buffer layer on the buffer layer; 4, growing an epitaxial layer on the varied buffer layer to form a chip and 5, finally cooling the chip.

Подробнее
Номер записи: 2