Настройки

Укажите год
-

Небесная энциклопедия

Космические корабли и станции, автоматические КА и методы их проектирования, бортовые комплексы управления, системы и средства жизнеобеспечения, особенности технологии производства ракетно-космических систем

Подробнее
-

Мониторинг СМИ

Мониторинг СМИ и социальных сетей. Сканирование интернета, новостных сайтов, специализированных контентных площадок на базе мессенджеров. Гибкие настройки фильтров и первоначальных источников.

Подробнее

Форма поиска

Поддерживает ввод нескольких поисковых фраз (по одной на строку). При поиске обеспечивает поддержку морфологии русского и английского языка
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Укажите год
Укажите год
Применить Всего найдено 3. Отображено 3.
21-09-2011 дата публикации

Method for growing varied buffer layer on substrate

Номер: CN0102194671A
Автор: JIFANG HE, XIANGJUN SHANG, HAIQIAO NI, HAILI WANG, MIFENG LI, YAN ZHU, LIJUAN WANG, YING YU, ZHENGHONG HE, YINGQIANG XU, ZHICHUAN NIU, HE JIFANG, SHANG XIANGJUN, NI HAIQIAO, WANG HAILI, LI MIFENG, ZHU YAN, WANG LIJUAN, YU YING, HE ZHENGHONG, XU YINGQIANG, NIU ZHICHUAN
Принадлежит:

The invention discloses a method for growing a varied buffer layer on a substrate. The method comprises the following steps: 1, preparing a substrate; 2, growing a buffer layer on the substrate; 3, growing a varied buffer layer on the buffer layer; 4, growing an epitaxial layer on the varied buffer layer to form a chip and 5, finally cooling the chip.

Подробнее
Номер записи: 1
27-04-2011 дата публикации

Method for epitaxial growth of molecular beam of low-density InAs quantum dots

Номер: CN0102034909A
Автор: Niu Zhichuan, Ni Haiqiao, Wang Haili, He Jifang, Zhu Yan, Li Mifeng, Wang Pengfei, Huang Shesong, Xiong Yonghua
Принадлежит:

The invention discloses a method for epitaxial growth of a molecular beam of low-density InAs quantum dots, which comprises the following steps of: putting a GaAs substrate on a sample support, and introducing the GaAs substrate into a sample introduction room for baking; after baking, introducing the GaAs substrate into a preparation room, and degassing the GaAs substrate; introducing degassed GaAs substrate into a growth room, heating a heater of the GaAs substrate, and deoxidizing the GaAs substrate under the protection of As; cooling the heater of the GaAs substrate to the growth temperature, growing a GaAs buffer layer, and doping Si; growing a plurality of pairs of GaAs/AlGaAs distributed Bragg reflectors; reducing the growth temperature, and growing low-density quantum dots; growing an InGaAs(Sb) covering layer; growing coupled quantum dots to expand the wavelength; growing a doped GaAs layer; and manufacturing upper and lower electrodes. By using the method, the luminous efficiency ...

Подробнее
Номер записи: 2
15-08-2012 дата публикации

Method for growing varied buffer layer on substrate

Номер: CN0102194671B
Автор: JIFANG HE, XIANGJUN SHANG, HAIQIAO NI, HAILI WANG, MIFENG LI, YAN ZHU, LIJUAN WANG, YING YU, ZHENGHONG HE, YINGQIANG XU, ZHICHUAN NIU, HE JIFANG, SHANG XIANGJUN, NI HAIQIAO, WANG HAILI, LI MIFENG, ZHU YAN, WANG LIJUAN, YU YING, HE ZHENGHONG, XU YINGQIANG, NIU ZHICHUAN
Принадлежит:

The invention discloses a method for growing a varied buffer layer on a substrate. The method comprises the following steps: 1, preparing a substrate; 2, growing a buffer layer on the substrate; 3, growing a varied buffer layer on the buffer layer; 4, growing an epitaxial layer on the varied buffer layer to form a chip and 5, finally cooling the chip.

Подробнее
Номер записи: 3