Procédé pour la fabrication en particulier de transistors en alliage et dispositifs conformes à ceux fabriqués d'après ce procédé
Номер патента: FR1166785A
Опубликовано: 14-11-1958
Автор(ы):
Принадлежит: SIEMENS AG, Siemens and Halske AG
Опубликовано: 14-11-1958
Автор(ы):
Принадлежит: SIEMENS AG, Siemens and Halske AG
Conductive compositions and processes for use in the manufacture of semiconductor devices
Номер патента: EP2220655A1. Автор: Yueli Wang,Alan Frederick Carroll,Kenneth Warren Hang,Brian J. Laughlin. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2010-08-25.