半導体不揮発性メモリ
Номер патента: JPH01186572A
Опубликовано: 30-03-1999
Автор(ы): Hiroshi Toyoda, 宏 豊田
Принадлежит: NEC Corp
Опубликовано: 30-03-1999
Автор(ы): Hiroshi Toyoda, 宏 豊田
Принадлежит: NEC Corp
Реферат: (57)【要約】
【課題】 半導体不揮発性メモリにおいて、非選択メモ リセルのディスターブ耐性を向上させる。
【解決手段】 例えば選択メモリセルM00のデータを 消去する場合、選択メモリセルの選択ワード線に0Vが 与えられると同時にこの選択メモリセルとビット線を介 して接続される非選択メモリセルのワード線W1に対し VPP/2を印加し第1の時間t1経過後に選択メモリ セルのビット線に対しVPPを印加する。また、選択メ モリセルへデータを記録する場合、選択メモリセルの選 択ビット線に0Vが与えられると同時に選択メモリセル とワード線を介して接続される非選択メモリセルのビッ ト線B1に対しVPP/2を印加し、第1の時間t1経 過後に選択メモリセルのワード線にVPPを印加する。
Intelligent lead-acid battery module and method of operating the same
Номер патента: US20240304875A1. Автор: Lu Feng,Perry Wyatt,Wei Song,Zhihong Jin,Jason Fuhr,Joseph E. Liedhegner,Arunraj Varatharajah,Craig W. Rigby,Dharmendra B. Patel,Roderique DUELL,Kathryn Marie CIURLIK,Jason D. Searl,Tyler Thiel. Владелец: Clarios Germany GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-09-12.