Low crosstalk PMOS pixel structure
Номер патента: JP5295105B2
Опубликовано: 18-09-2013
Автор(ы): エリック ゴードン スティーブンズ, 寛文 小森
Принадлежит: オムニヴィジョン テクノロジーズ インコーポレイテッド
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High sensitivity and high dynamic-range cmos image sensor pixel structure with dynamic c-v characteristics
Номер патента: US20080029794A1. Автор: Sung-Sik Lee,Kyoung-Hoon Yang. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2008-02-07.