Low crosstalk, front-side illuminated, back-side contact photodiode array
Номер патента: US20120104532A1
Опубликовано: 03-05-2012
Автор(ы): Narayan Dass Taneja, Peter Steven Bui
Принадлежит: Individual
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 03-05-2012
Автор(ы): Narayan Dass Taneja, Peter Steven Bui
Принадлежит: Individual
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Geiger-Mode Avalanche Photodiode Arrays Fabricated on Silicon-on-Insulator Substrates
Номер патента: US20230299225A1. Автор: Brian F. Aull,Kevin Ryu,Joseph S. Ciampi,Kevan Donlon,Renee D. Lambert. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2023-09-21.