Highly-doped p-type contact for high-speed, front-side illuminated photodiode
Номер патента: CA2345153A1
Опубликовано: 06-04-2000
Автор(ы): Janis A. Valdmanis, Kadhair Al Hemyari, Robert N. Sacks, Steven L. Williamson
Принадлежит: Janis A. Valdmanis, Kadhair Al Hemyari, MACOM Technology Solutions Holdings, Inc., Picometrix, Inc., PICOMETRIX, LLC, Robert N. Sacks, Steven L. Williamson
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 06-04-2000
Автор(ы): Janis A. Valdmanis, Kadhair Al Hemyari, Robert N. Sacks, Steven L. Williamson
Принадлежит: Janis A. Valdmanis, Kadhair Al Hemyari, MACOM Technology Solutions Holdings, Inc., Picometrix, Inc., PICOMETRIX, LLC, Robert N. Sacks, Steven L. Williamson
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Highly-doped p-type contact for high-speed, front-side illuminated photodiode
Номер патента: AU765715B2. Автор: Steven L. Williamson,Robert N. Sacks,Janis A. Valdmanis,Kadhair Al Hemyari. Владелец: Picometrix LLC. Дата публикации: 2003-09-25.