Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Integrated Avalanche Photodiode Arrays

Номер патента: US20140312448A1
Опубликовано: 23-10-2014
Автор(ы): Harmon Eric S.
Принадлежит: LightSpin Technologies, Inc.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Horizontal avalanche photodiode

Номер патента: US09881963B1. Автор: Gang Chen,Duli Mao,Eric A. G. Webster,Vincent Venezia,Dyson H. Tai. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Avalanche photodiode in geiger counter mode

Номер патента: RU2416840C2. Автор: Прабхат АГАРВАЛ,Ян СОНСКИ,Лассе Юхана КАУППИНЕН. Владелец: Конинклейке Филипс Электроникс, Н.В.. Дата публикации: 2011-04-20.

Doped multiplier avalanche photodiode

Номер патента: US09847441B2. Автор: Andrew Huntington. Владелец: Voxtel Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Avalanche photodiode array

Номер патента: CA1177148A. Автор: Paul P. Webb,Robert J. Mcintyre. Владелец: RCA Inc. Дата публикации: 1984-10-30.

Production method of a photodiode array

Номер патента: EP1608022B1. Автор: Katsumi c/o Hamamatsu Photonics K.K. SHIBAYAMA. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2011-03-02.

Photodiode array and production method thereof, and radiation detector

Номер патента: US20070040192A1. Автор: Katsumi Shibayama. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2007-02-22.

Back illuminated photodiode array and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030209652A1. Автор: Akira Sakamoto,Kouji Okamoto,Yoshimaro Fujii. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2003-11-13.

Avalanche photodiode

Номер патента: US10847668B2. Автор: Takahiro Takimoto,Kazuhiro Natsuaki,Masayo UCHIDA. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2020-11-24.

Avalanche photodiode detector array with a crosstalk reduction layer

Номер патента: US20190027527A1. Автор: SULIGOJ Tomislav,Osrecki Zeljko,Knezevic Tihomir. Владелец: University of Zagreb, Faculty of Electrical Engineering and Computing. Дата публикации: 2019-01-24.

Avalanche photodiode

Номер патента: US20200028019A1. Автор: Takahiro Takimoto,Kazuhiro Natsuaki,Masayo UCHIDA. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2020-01-23.

DOPED MULTIPLIER AVALANCHE PHOTODIODE

Номер патента: US20170033253A1. Автор: Huntington Andrew. Владелец: Voxtel, Inc.. Дата публикации: 2017-02-02.

MULTI-PIXEL AVALANCHE PHOTODIODE

Номер патента: US20150048472A1. Автор: Sadygov Ziraddin Yegub-Ogly,Sadygov Azar. Владелец: Zecotek Photonics Inc.. Дата публикации: 2015-02-19.

Avalanche photodiode pixel

Номер патента: US20240334087A1. Автор: Raul Andres Bianchi,Mohammed AL-RAWHANI,Raffaele BIANCHINI. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-03.

Light-receiving device having avalanche photodiodes of different types

Номер патента: US9899434B1. Автор: Koichi Kokubun. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Low noise InGaAs photodiode array

Номер патента: US09935151B2. Автор: Martin H. Ettenberg. Владелец: PRINCETON INFRARED TECHNOLOGIES Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Photodiode array, method for manufacturing same, and radiation detector

Номер патента: US7696620B2. Автор: Katsumi Shibayama. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2010-04-13.

Integrated Avalanche Photodiode Arrays

Номер патента: US20160329369A1. Автор: Eric Harmon. Владелец: Lightspin Technologies Inc. Дата публикации: 2016-11-10.

Avalanche photodiode array

Номер патента: US4458260A. Автор: Paul P. Webb,Robert J. Mcintyre. Владелец: RCA Inc. Дата публикации: 1984-07-03.

Geiger-Mode Avalanche Photodiode Arrays Fabricated on Silicon-on-Insulator Substrates

Номер патента: US20230299225A1. Автор: Brian F. Aull,Kevin Ryu,Joseph S. Ciampi,Kevan Donlon,Renee D. Lambert. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2023-09-21.

Backside illuminated avalanche photodiode and manufacturing method thereof

Номер патента: US12132131B2. Автор: Sang Hwan Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-29.

AVALANCHE PHOTODIODE IMAGE SENSORS

Номер патента: US20190082128A1. Автор: OH Minseok. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2019-03-14.

Array of mutually isolated, geiger-mode, avalanche photodiodes and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140252524A1. Автор: Delfo Nunziato Sanfilippo,Piero Giorgio Fallica. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2014-09-11.

Avalanche photodiode and photomultiplier detector

Номер патента: CN113270507B. Автор: 马喆,胡海帆,秦秀波,刘鹏浩,赵宏鸣,李志垚,王智斌. Владелец: Second Research Institute Of Casic. Дата публикации: 2022-11-22.

Systems and methods for reducing crosstalk in an avalanche photodiode detector array

Номер патента: US8279411B2. Автор: PING Yuan,Paul A. McDonald. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2012-10-02.

Avalanche photodiode and photomultiplier detector

Номер патента: CN113270507A. Автор: 马喆,胡海帆,秦秀波,刘鹏浩,赵宏鸣,李志垚,王智斌. Владелец: Second Research Institute Of Casic. Дата публикации: 2021-08-17.

Array of mutually isolated, geiger-mode, avalanche photodiodes and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090184384A1. Автор: Delfo Nunziato Sanfilippo,Piero Giorgio Fallica. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2009-07-23.

Avalanche photodiode and photomultiplier detector

Номер патента: CN113270508A. Автор: 马喆,肖柯,胡海帆,秦秀波,刘鹏浩,赵宏鸣,李志垚. Владелец: Second Research Institute Of Casic. Дата публикации: 2021-08-17.

PHOTODIODE, PHOTODIODE ARRAY, AND SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20170229599A1. Автор: KATO Yoshihisa,HIROSE Yutaka,MORI MITSUYOSHI,USUDA Manabu,SAKATA Yusuke. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-10.

LOW NOISE CDHGTE PHOTODIODE ARRAY

Номер патента: US20160020241A1. Автор: MOLLARD Laurent,Boulard Francois,Bourgeois Guillaume. Владелец: Commissariat A L'Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives. Дата публикации: 2016-01-21.

Photodiode array

Номер патента: US9184190B2. Автор: Kazuhisa Yamamura,Kenichi Sato,Shinji Ohsuka. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2015-11-10.

Photodiode, photodiode array, and solid-state image pickup element

Номер патента: WO2016013170A1. Автор: 廣瀬　裕,加藤　剛久,三佳 森,学 薄田,祐輔 坂田. Владелец: パナソニックＩｐマネジメント株式会社. Дата публикации: 2016-01-28.

Photodiode array

Номер патента: JP5562207B2. Автор: 和久 山村,慎二 大須賀,健一 里. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2014-07-30.

Photodiode, photodiode array, and solid-state image pickup element

Номер патента: CN106537614A. Автор: 广濑裕,加藤刚久,薄田学,坂田祐辅,森三佳. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-22.

Current isolating epitaxial buffer layers for high voltage photodiode array

Номер патента: US20020182768A1. Автор: Gregory Cooper,Jeffrey Morse. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Photodiode array

Номер патента: TW201232800A. Автор: Kazuhisa Yamamura,Kenichi Sato,Shinji Ohsuka. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2012-08-01.

Photodiode array

Номер патента: CN103190000B. Автор: 里健一,山村和久,大须贺慎二. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2015-09-09.

Photodiode array and production method thereof and radiation detector

Номер патента: IL171136A. Автор: Katsumi Shibayama. Владелец: Katsumi Shibayama. Дата публикации: 2012-08-30.

Avalanche photodiode joined with with an integrated circuit package and method of fabrication

Номер патента: EP0697743A1. Автор: Yutaka C/O Seiko Instruments Inc. Saitoh,Masaaki C/O Seiko Instruments Inc. Mandai,Tomoyuki C/O Seiko Instruments Inc. Yoshino,Tadao C/O Seiko Instruments Inc. Akamine,Junko C/O Seiko Instruments Inc. Yamanaka,Osamu C/O Seiko Instruments Inc. Koseki. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 1996-02-21.

PHOTODIODE ARRAY HAVING A CHARGE-ABSORBING DOPED REGION

Номер патента: US20150372047A1. Автор: NI YANG. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

Multicolor photodiode array and method of manufacturing

Номер патента: US7535033B2. Автор: Achyut Kumar Dutta. Владелец: Banpil Photonics Inc. Дата публикации: 2009-05-19.

PHOTODIODE AND PHOTODIODE ARRAY

Номер патента: US20150214395A1. Автор: Sakamoto Akira,Ishikawa Yoshitaka,Yamamura Kazuhisa,Kawai Satoshi,NAGANO Terumasa. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-30.

Graded gap inversion layer photodiode array

Номер патента: EP0264437A1. Автор: Ichiro Kasai,Joseph P. Rosbeck. Владелец: Santa Barbara Research Center. Дата публикации: 1988-04-27.

Graded gap inversion layer photodiode array

Номер патента: IL82182A0. Автор: . Владелец: Santa Barbara Res Center. Дата публикации: 1987-10-30.

Photodiode array with a charge-absorbing doped zone

Номер патента: DE112014000624T5. Автор: YANG Ni. Владелец: New Imaging Technologies SAS. Дата публикации: 2015-11-05.

Photodiode array having a charge-absorbing doped region

Номер патента: CN104956484A. Автор: Y·尼. Владелец: New Imaging Technologies SAS. Дата публикации: 2015-09-30.

Photodiode array with charge absorbing inclusion region

Номер патента: CN104956484B. Автор: Y·尼. Владелец: New Imaging Technologies SAS. Дата публикации: 2018-09-28.

Front-side illuminated, back-side contact double-sided pn-junction photodiode arrays

Номер патента: US20080099871A1. Автор: Peter Steven Bui,Narayan Dass Taneja. Владелец: UDT Sensors Inc. Дата публикации: 2008-05-01.

Photodiode array

Номер патента: US20140117484A1. Автор: Kazuhisa Yamamura,Kenichi Sato,Koei Yamamoto,Terumasa Nagano,Ryutaro Tsuchiya. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2014-05-01.

Low noise geiger-mode avalanche photodiode and manufacturing process

Номер патента: US20240266459A1. Автор: Massimo Cataldo MAZZILLO,Valeria Cinnera Martino. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-08-08.

Low noise Geiger-mode avalanche photodiode and manufacturing process

Номер патента: US11961933B2. Автор: Massimo Cataldo MAZZILLO,Valeria Cinnera Martino. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-04-16.

Avalanche photodiode

Номер патента: US20230178676A1. Автор: Arthur Arnaud,Gabriel MUGNY. Владелец: STMicroelectronics Grenoble 2 SAS. Дата публикации: 2023-06-08.

Photo detector array of geiger mode avalanche photodiodes for computed tomography systems

Номер патента: US20120267746A1. Автор: Delfo Nunziato Sanfilippo,Giovanni Condorelli. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2012-10-25.

Array of mutually insulated Geiger-mode avalanche photodiodes, and corresponding manufacturing process

Номер патента: US8574945B2. Автор: Delfo Nunziato Sanfilippo,Piero Giorgio Fallica,Emilio Antonio SCIACCA,Salvatore Antonio LOMBARDO. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2013-11-05.

Geiger-mode photodiode with integrated and jfet-effect-adjustable quenching resistor, photodiode array, and corresponding manufacturing method

Номер патента: US20100271108A1. Автор: Massimo Cataldo MAZZILLO,Delfo Nunziato Sanfilippo,Piero Giorgio Fallica. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2010-10-28.

Photodiode array

Номер патента: JP4841834B2. Автор: 嘉隆 石川. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2011-12-21.

Avalanche photodiode operating in geiger mode including a structure for electro-optical confinement for crosstalk reduction, and array of photodiodes

Номер патента: US09899557B2. Автор: Massimo Cataldo MAZZILLO,Anna Muscara'. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-02-20.

Linear mode avalanche photodiodes without excess noise

Номер патента: WO2020013815A1. Автор: Winston K. Chan. Владелец: SRI INTERNATIONAL. Дата публикации: 2020-01-16.

Linear mode avalanche photodiodes without excess noise

Номер патента: US20210217918A1. Автор: Winston K. Chan. Владелец: SRI International Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Linear mode avalanche photodiodes without excess noise

Номер патента: EP3821472A1. Автор: Winston K. Chan. Владелец: Stanford Research Institute. Дата публикации: 2021-05-19.

Avalanche photodiode operating in geiger mode including a structure for electro-optical confinement for crosstalk reduction, and array of photodiodes

Номер патента: US20160163906A1. Автор: Massimo Cataldo MAZZILLO,Anna Muscara'. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-06-09.

Nano avalanche photodiode architecture for photon detection

Номер патента: US20190131480A1. Автор: Brian Wagner,Andre Berghmans,David J. Knuteson,David Kahler,Narsingh B. Singh,John V. Veliadis,Bettina Nechay,Marc Sherwin. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2019-05-02.

Nano avalanche photodiode architecture for photon detection

Номер патента: US20150236186A1. Автор: Brian Wagner,Andre Berghmans,David J. Knuteson,David Kahler,Narsingh B. Singh,John V. Veliadis,Bettina Nechay,Marc Sherwin. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Geiger-mode avalanche photodiode with high signal-to-noise ratio, and corresponding manufacturing process

Номер патента: US9236519B2. Автор: Massimo Cataldo MAZZILLO,Delfo Nunziato Sanfilippo. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-01-12.

Avalanche photodiodes and methods of making the same

Номер патента: US20240006548A1. Автор: John D. Cressler,Patrick Stephen Goley. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

과잉 잡음이 없는 선형 모드 아발란체 포토다이오드들(linear mode avalanche photodiodes without excess noise)

Номер патента: KR102379905B1. Автор: 윈스턴 케이. 찬. Владелец: 에스알아이 인터내셔널. Дата публикации: 2022-03-29.

Photodiode array, method for manufacturing photodiode array, epitaxial wafer, and method for manufacturing epitaxial wafer

Номер патента: US20120196398A1. Автор: Takashi Ishizuka,Hideaki Nakahata,Katsushi Akita,Youichi Nagai,Kei Fujii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-08-02.

Fuse-Protected Electronic Photodiode Array

Номер патента: US20170084645A1. Автор: Michael J. Grzesik. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2017-03-23.

Optical detector with photodiode array having avalanche photodiodes connected to quenching resistors

Номер патента: US9825083B2. Автор: Kenichi Sato,Terumasa Nagano,Ryutaro Tsuchiya. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2017-11-21.

Silicon avalanche photodiode array

Номер патента: US5021854A. Автор: Gerald C. Huth. Владелец: Xsirius Photonics Inc. Дата публикации: 1991-06-04.

Light-receiving device having avalanche photodiodes of different types

Номер патента: US20180061871A1. Автор: Koichi Kokubun. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

SiC AVALANCHE PHOTODIODE WITH IMPROVED EDGE TERMINATION

Номер патента: US20110024768A1. Автор: John V. Veliadis. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2011-02-03.

Photodiode array, method for manufacturing same, and radiation detector

Номер патента: CN1759485A. Автор: 柴山胜己. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2006-04-12.

PHOTODIODE ARRAY

Номер патента: US20170033137A1. Автор: Sato Kenichi,Yamamura Kazuhisa. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-02.

Low Noise InGaAs Photodiode Array

Номер патента: US20180122851A1. Автор: Ettenberg Martin H.. Владелец: Princeton Infrared Technologies, Inc.. Дата публикации: 2018-05-03.

Low Noise InGaAs Photodiode Array

Номер патента: US20160218139A1. Автор: Ettenberg Martin H.. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-28.

Photodiode array

Номер патента: US20150311358A1. Автор: Akira Sakamoto,Tatsumi Yamanaka,Noburo Hosokawa. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2015-10-29.

PHOTODIODE ARRAY

Номер патента: US20180331134A1. Автор: Sato Kenichi,Yamamura Kazuhisa. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-15.

Photodiode array manufacturing method and radiation detector

Номер патента: JP4224060B2. Автор: 勝己 柴山. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2009-02-12.

Photodiode array, method for manufacturing same, and radiation detector

Номер патента: CN100418229C. Автор: 柴山胜己. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2008-09-10.

Photodiode array

Номер патента: US20090256223A1. Автор: Kazuhisa Yamamura,Kenichi Sato. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2009-10-15.

Photodiode array, method for manufacturing same, and radiation detector

Номер патента: CN100438054C. Автор: 柴山胜己. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2008-11-26.

Photodiode array

Номер патента: JP6068955B2. Автор: 坂本　　明,辰己 山中,暢郎 細川,明 坂本. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2017-01-25.

Photodiode array, method for manufacturing same, and radiation detector

Номер патента: US20070090477A1. Автор: Katsumi Shibayama. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2007-04-26.

Photodiode array

Номер патента: EP2040308A4. Автор: Kazuhisa Yamamura,Kenichi Sato. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2012-03-07.

Photodiode array

Номер патента: TW200822354A. Автор: Kazuhisa Yamamura,Kenichi Sato. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2008-05-16.

Photodiode array

Номер патента: JP2014225714A. Автор: Kazuhisa Yamamura,和久 山村,Kenichi Sato,山村　和久,健一 里. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2014-12-04.

Photodiode array, method for manufacturing same, and radiation detector

Номер патента: CN101311749B. Автор: 柴山胜己. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2011-04-13.

Photodiode array, method for manufacturing same, and radiation detector

Номер патента: US20070158708A1. Автор: Katsumi Shibayama. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2007-07-12.

Photodiode array, method of manufacturing the same, and radiation detector

Номер патента: EP2169720A1. Автор: Katsumi Shibayama. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2010-03-31.

Method of fabricating low dark current photodiode arrays

Номер патента: US20020192848A1. Автор: Michael Lange,Jonas Bentell. Владелец: FINISAR SENSORS Inc. Дата публикации: 2002-12-19.

Integrated Avalanche Photodiode Arrays

Номер патента: US20150270430A1. Автор: Eric S. Harmon. Владелец: Lightspin Technologies Inc. Дата публикации: 2015-09-24.

Integrated avalanche photodiode array

Номер патента: JP6383516B2. Автор: ハーモン、エリック、エス．. Владелец: ライトスピン テクノロジーズ、インク．. Дата публикации: 2018-08-29.

Photodiode and photodiode array

Номер патента: US8994135B2. Автор: Kazuhisa Yamamura,Akira Sakamoto,Yoshitaka Ishikawa,Satoshi Kawai,Terumasa Nagano. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2015-03-31.

Low crosstalk, front-side illuminated, back-side contact photodiode array

Номер патента: US20120104532A1. Автор: Peter Steven Bui,Narayan Dass Taneja. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-05-03.

BACKSIDE ILLUMINATED AVALANCHE PHOTODIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20220271182A1. Автор: Lee Sang Hwan. Владелец: . Дата публикации: 2022-08-25.

IMPLEMENTATION OF AN OPTIMIZED AVALANCHE PHOTODIODE (APD)/SINGLE PHOTON AVALANCHE DIODE (SPAD) STRUCTURE

Номер патента: US20200135956A1. Автор: Piemonte Claudio. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

Implementation of an optimized avalanche photodiode (APD)/single photon avalanche diode (SPAD) structure

Номер патента: US10971643B2. Автор: Claudio Piemonte. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2021-04-06.

Coplanar electrode photodiode array and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3399552B1. Автор: Jun Li,Yuanjing Li,Yinong Liu,Lan Zhang,Haifan Hu. Владелец: Nuctech Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-30.

PHOTODIODE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME, PHOTODIODE ARRAY, SPECTROPHOTOMETER AND SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20140097510A1. Автор: Sugawa Shigetoshi,Kuroda Rihito. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-10.

Fabrication Of Photodiode Array On Spherical Platform For 4-PI Detection Awareness

Номер патента: US20180114803A1. Автор: Stephen R. Forrest,Kyusang Lee. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2018-04-26.

Photodiode array structure for cross talk suppression

Номер патента: WO2018031093A3. Автор: Robert J. Bailey,Joseph P. Donnelly,William D. Goodhue,Erik K. Duerr,Lisa A. Wright,K. Alex MCINTOSH. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2018-03-22.

Rapid prototyping of single-photon-sensitive silicon avalanche photodiodes

Номер патента: WO2020205045A1. Автор: Christopher Leitz,Brian F. Aull,Daniel R. Schuette,Kevin Ryu,David Volfson,Steven Rabe,Joseph S. Ciampi,Renee D. Lambert,Karl Alexander McIntosh. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2020-10-08.

Rapid Prototyping of Single-Photon-Sensitive Silicon Avalanche Photodiodes

Номер патента: US20200319355A1. Автор: Christopher Leitz,Brian F. Aull,Daniel R. Schuette,Kevin Ryu,David Volfson,Steven Rabe,Joseph S. Ciampi,Renee D. Lambert,Karl Alexander McIntosh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-10-08.

Image sensor based on avalanche photodiodes

Номер патента: US20200357840A1. Автор: Peiyan CAO,Yurun LIU. Владелец: Shenzhen Xpectvision Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

An image sensor based on avalanche photodiodes

Номер патента: EP3475987A1. Автор: Peiyan CAO,Yurun LIU. Владелец: Shenzhen Xpectvision Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-01.

Image sensor based on avalanche photodiodes

Номер патента: US20190355777A1. Автор: Peiyan CAO,Yurun LIU. Владелец: Shenzhen Xpectvision Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-21.

Image sensor based on avalanche photodiodes

Номер патента: US11114494B2. Автор: Peiyan CAO,Yurun LIU. Владелец: Shenzhen Xpectvision Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-07.

Image sensor based on avalanche photodiodes

Номер патента: US10797098B2. Автор: Peiyan CAO,Yurun LIU. Владелец: Shenzhen Xpectvision Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-06.

Image sensor based on avalanche photodiodes

Номер патента: US20180374890A1. Автор: Peiyan CAO,Yurun LIU. Владелец: Shenzhen Xpectvision Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-27.

Photodiode and photodiode array

Номер патента: US09972729B2. Автор: Kazuhisa Yamamura,Akira Sakamoto,Yoshitaka Ishikawa,Satoshi Kawai,Terumasa Nagano. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2018-05-15.

Photodiode and photodiode array

Номер патента: JP5185208B2. Автор: 和久 山村,坂本　　明,輝昌 永野,哲 河合,嘉隆 石川. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2013-04-17.

Mesa photodiode array with improved mtf

Номер патента: EP2950347B1. Автор: Laurent Mollard,Nicolas Baier. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-10-17.

Photodiode and photodiode array

Номер патента: US9614109B2. Автор: Kazuhisa Yamamura,Akira Sakamoto,Yoshitaka Ishikawa,Satoshi Kawai,Terumasa Nagano. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2017-04-04.

Photodiode and photodiode array

Номер патента: CN102334198B. Автор: 永野辉昌,坂本�明,山村和久,石川嘉隆,河合哲. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2016-05-11.

InGaAs photodiode array

Номер патента: JP2014521216A. Автор: ヤン、ニ. Владелец: ニュー イメージング テクノロジーズ. Дата публикации: 2014-08-25.

Ingaas photodiode array

Номер патента: EP2732473A1. Автор: YANG Ni. Владелец: New Imaging Technologies SAS. Дата публикации: 2014-05-21.

Photodiode and photodiode array

Номер патента: EP2403012A4. Автор: Kazuhisa Yamamura,Akira Sakamoto,Yoshitaka Ishikawa,Satoshi Kawai,Terumasa Nagano. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2013-04-03.

Structures and methods to improve the crosstalk between adjacent pixels of back-illuminated photodiode arrays

Номер патента: US7576371B1. Автор: Alexander O. Goushcha. Владелец: Array Optronix Inc. Дата публикации: 2009-08-18.

Avalanche photodiode sensor and sensor device

Номер патента: US11830960B2. Автор: Yusuke Otake,Mutsumi Okazaki. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Avalanche photodiode using silicon nanowire and silicon nanowire photomultiplier using the same

Номер патента: US09960299B2. Автор: Min Ho Lee,Suk Won Jung,Yeon Shik Choi,Ki Man Jeon,Jae Gi Son,Hyuck Ki Hong,Young Chang Jo,Woo Kyeong SEONG,Kook Nyung Lee. Владелец: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2018-05-01.

Array of geiger-mode avalanche photodiodes for detecting infrared radiation

Номер патента: US09899544B1. Автор: Salvatore Lombardo,Massimo Cataldo MAZZILLO,Piero Fallica. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-02-20.

Devices and methods for ultra thin photodiode arrays on bonded supports

Номер патента: WO2010053881A1. Автор: Frederick A. Flitsch,Alexander O. Goushcha. Владелец: Array Optronix, Inc.. Дата публикации: 2010-05-14.

AVALANCHE PHOTODIODE

Номер патента: DE102021105574A1. Автор: John J. Ellis-Monaghan,Vibhor Jain,Mark D. Levy,Rajendran Krishnasamy,Ramsey HAZBUN,Siva P. Adusumilli,Pernell Dongmo,Cameron E. LUCE,Steven M . Shank. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Devices and methods for ultra thin photodiode arrays on bonded supports

Номер патента: EP2353182A1. Автор: Frederick A. Flitsch,Alexander O. Goushcha. Владелец: Array Optronix Inc. Дата публикации: 2011-08-10.

Ultra thin back-illuminated photodiode array structures and fabrication methods

Номер патента: EP1636856A2. Автор: Alexander O. Goushcha,Richard A. Metzler,Dan Tulbure,Mark Kalatsky,Chris Hicks,Eddie Bartley. Владелец: SEMICOA. Дата публикации: 2006-03-22.

Ultra thin back-illuminated photodiode array structures and fabrication methods

Номер патента: IL172495A0. Автор: . Владелец: SEMICOA. Дата публикации: 2006-04-10.

Photodiode array and image pickup device using the same

Номер патента: US20100258707A1. Автор: Hiroshi Inada. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-10-14.

Active large area avalanche photodiode array

Номер патента: CA2294929A1. Автор: Andrzej J. Dabrowski,Vladimir K. Eremin,Anatoly I. Sidorov. Владелец: Advanced Photonix Inc. Дата публикации: 1998-12-30.

AVALANCHE PHOTODIODE OPERATING IN GEIGER MODE INCLUDING A STRUCTURE FOR ELECTRO-OPTICAL CONFINEMENT FOR CROSSTALK REDUCTION, AND ARRAY OF PHOTODIODES

Номер патента: US20140339398A1. Автор: Mazzillo Massimo Cataldo,"Muscara Anna". Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2014-11-20.

Semiconductor body, avalanche photodiode and method for fabricating a semiconductor body

Номер патента: US12132132B2. Автор: Georg Röhrer. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2024-10-29.

LOW NOISE GEIGER-MODE AVALANCHE PHOTODIODE AND MANUFACTURING PROCESS

Номер патента: US20200020821A1. Автор: Mazzillo Massimo Cataldo,Cinnera Martino Valeria. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-16.

Ultraviolet avalanche photodiode detector and its detection method with drift channel

Номер патента: CN106960852A. Автор: 袁俊,张敬伟,倪炜江,李明山,牛喜平,徐妙玲,胡羽中. Владелец: Century Goldray Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

LOW NOISE GEIGER-MODE AVALANCHE PHOTODIODE AND MANUFACTURING PROCESS

Номер патента: US20220085229A1. Автор: Mazzillo Massimo Cataldo,Cinnera Martino Valeria. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2022-03-17.

Ultraviolet avalanche photodiode detector with drift channel and detection method thereof

Номер патента: CN106960852B. Автор: 袁俊,张敬伟,倪炜江,李明山,牛喜平,徐妙玲,胡羽中. Владелец: Beijing Century Goldray Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2021-01-29.

LIGHT-RECEIVING SEMICONDUCTOR DEVICE WITH BUIT-IN BiCMOS AND AVALANCHE PHOTODIODE

Номер патента: WO1999039391A1. Автор: Takashi Suzuki,Masanori Sahara. Владелец: HAMAMATSU PHOTONICS K.K.. Дата публикации: 1999-08-05.

Low noise Geiger-mode avalanche photodiode and manufacturing process

Номер патента: US11189744B2. Автор: Massimo Cataldo MAZZILLO,Valeria Cinnera Martino. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-11-30.

Semiconductor body, avalanche photodiode and method for fabricating a semiconductor body

Номер патента: EP3748698A1. Автор: Georg Röhrer. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2020-12-09.

Photodiode array, reference voltage determining method, and recommended operation voltage determining method

Номер патента: TW201304180A. Автор: Shigeyuki Nakamura,Kenichi Sato,Hiroki Suzuki,Tsuyoshi Ohta,Shunsuke Adachi,Shogo Kamakura,Michito Hirayanagi. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2013-01-16.

PHOTODIODE ARRAY

Номер патента: US20160284744A1. Автор: Sato Kenichi,Yamamura Kazuhisa,NAGANO Terumasa,TSUCHIYA Ryutaro,YAMAMOTO Koei. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-29.

Photodetector having an Avalanche Photodiode, Radiation Detector, Positron Emission Tomograph and Method for Operating a Photodetector

Номер патента: US20230282655A1. Автор: Guntram Pausch,David WEINBERGER,Toni Kögler. Владелец: Helmholtz Zentrum Dresden Rossendorf eV. Дата публикации: 2023-09-07.

Systems and methods for breakdown voltage correction in geiger-mode avalanche photodiode (apd) focal plane arrays (fpa)

Номер патента: US20240313029A1. Автор: Mark Itzler,Harold HWANG,Matthew T. O'Grady,Brian Edward PICCIONE. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Systems and Methods for Breakdown Voltage Correction in Geiger-Mode Avalanche Photodiode (APD) Focal Plane Arrays (FPA)

Номер патента: US20230395641A1. Автор: Mark Itzler,Harold HWANG,Matthew T. O'Grady,Brian Edward PICCIONE. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Systems and methods for breakdown voltage correction in geiger-mode avalanche photodiode (apd) focal plane arrays (fpa)

Номер патента: WO2023234755A1. Автор: Mark Itzler,Harold HWANG,Matthew T. O'Grady,Brian Edward PICCIONE. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2023-12-07.

Systems and methods for breakdown voltage correction in Geiger-mode avalanche photodiode (APD) focal plane arrays (FPA)

Номер патента: US12021107B2. Автор: Mark Itzler,Harold HWANG,Matthew T. O'Grady,Brian Edward PICCIONE. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Photodetektor mit avalanche-photodiode, strahlungsdetektor, positronen-emissions-tomograph und betriebsverfahren für einen photodetektor

Номер патента: WO2022028896A1. Автор: Guntram Pausch,David WEINBERGER,Toni Kögler. Владелец: Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf E.V.. Дата публикации: 2022-02-10.

Avalanche photodiode image sensors

Номер патента: EP3625583A1. Автор: Minseok Oh. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-03-25.

Semiconductor photodetection device having a plurality of avalanche photodiodes

Номер патента: US12046612B2. Автор: Takashi Baba,Terumasa Nagano,Ryutaro Tsuchiya. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-07-23.

Signal processing device having counter counting pulses from avalanche photodiode

Номер патента: US11855106B2. Автор: Yasuharu Ota,Shintaro Maekawa,Yu Maehashi,Tomoya Sasago. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Front-illuminated-type photodiode array

Номер патента: US7274081B2. Автор: Yasuhiro Iguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2007-09-25.

Avalanche photodiode operating in geiger mode including a structure for electro-optical confinement for crosstalk reduction, and array of photodiodes

Номер патента: US20160163906A1. Автор: Massimo Cataldo MAZZILLO,Anna Muscara'. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-06-09.

Clamped Avalanche Photodiode

Номер патента: US20160218236A1. Автор: Leonard Forbes,Drake Miller,Vinit DHULLA. Владелец: Voxtel Inc. Дата публикации: 2016-07-28.

GEIGER-MODE AVALANCHE PHOTODIODE WITH HIGH SIGNAL-TO-NOISE RATIO, AND CORRESPONDING MANUFACTURING PROCESS

Номер патента: US20150325737A1. Автор: Mazzillo Massimo Cataldo,Sanfilippo Delfo Nunziato. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-12.

ARRAY OF GEIGER-MODE AVALANCHE PHOTODIODES FOR DETECTING INFRARED RADIATION

Номер патента: US20180033895A1. Автор: LOMBARDO SALVATORE,Mazzillo Massimo Cataldo,Fallica Piero. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-01.

NANO AVALANCHE PHOTODIODE ARCHITECTURE FOR PHOTON DETECTION

Номер патента: US20190131480A1. Автор: VELIADIS John V.,NECHAY BETTINA,Wagner Brian,SINGH NARSINGH B.,BERGHMANS ANDRE,KNUTESON DAVID J.,KAHLER DAVID,SHERWIN MARC. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2019-05-02.

ARRAY OF GEIGER-MODE AVALANCHE PHOTODIODES FOR DETECTING INFRARED RADIATION

Номер патента: US20180138327A1. Автор: LOMBARDO SALVATORE,Mazzillo Massimo Cataldo,Fallica Piero. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-17.

Cross-Talk Suppression in Geiger-Mode Avalanche Photodiodes

Номер патента: US20160181458A1. Автор: Verghese Simon,McIntosh K. Alexander,Chapman David C.,Donnelly Joseph P.,Oakley Douglas C.,Napoleone Antonio,Duerr Erik K.,Younger Richard D.. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2016-06-23.

NANO AVALANCHE PHOTODIODE ARCHITECTURE FOR PHOTON DETECTION

Номер патента: US20170194527A1. Автор: VELIADIS John V.,NECHAY BETTINA,Wagner Brian,SINGH NARSINGH B.,BERGHMANS ANDRE,KNUTESON DAVID J.,KAHLER DAVID,SHERWIN MARC. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2017-07-06.

NANO AVALANCHE PHOTODIODE ARCHITECTURE FOR PHOTON DETECTION

Номер патента: US20150236186A1. Автор: VELIADIS John V.,NECHAY BETTINA,Wagner Brian,SINGH NARSINGH B.,BERGHMANS ANDRE,KNUTESON DAVID J.,KAHLER DAVID,SHERWIN MARC. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2015-08-20.

RADIATION AND TEMPERATURE HARD MULTI-PIXEL AVALANCHE PHOTODIODES

Номер патента: US20150280045A1. Автор: BENSAOULA Abdelhak,Pillai Rajeev,Starikov David. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-01.

LIGHT RECEIVER HAVING GEIGER-MODE AVALANCHE PHOTODIODES AND METHOD FOR READING OUT

Номер патента: US20170363467A1. Автор: Seitz Stefan,CLEMENS Klaus,HUG Gottfried. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-21.

Clamped avalanche photodiode

Номер патента: US10217889B2. Автор: Leonard Forbes,Drake Miller,Vinit DHULLA. Владелец: Ladarsystems Inc. Дата публикации: 2019-02-26.

Cross-talk suppression in Geiger-mode avalanche photodiodes

Номер патента: US10361334B2. Автор: Simon Verghese,David C. Chapman,Joseph P. Donnelly,K. Alexander McIntosh,Douglas C. Oakley,Antonio Napoleone,Erik K. Duerr,Richard D. Younger. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2019-07-23.

PHOTODIODE AND PHOTODIODE ARRAY

Номер патента: US20170162726A1. Автор: Sakamoto Akira,Ishikawa Yoshitaka,Yamamura Kazuhisa,Kawai Satoshi,NAGANO Terumasa. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-08.

Rear surface irradiation photodiode array and method for producing the same

Номер патента: WO2003096427A1. Автор: Akira Sakamoto,Kouji Okamoto,Yoshimaro Fujii. Владелец: HAMAMATSU PHOTONICS K.K.. Дата публикации: 2003-11-20.

Back illuminated photodiode array and method of manufacturing the same

Номер патента: CN100388503C. Автор: 藤井义磨郎,冈本浩二,坂本�明. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2008-05-14.

PHOTODIODE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME, PHOTODIODE ARRAY, SPECTROPHOTOMETER AND SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20160076939A1. Автор: Sugawa Shigetoshi,Kuroda Rihito. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOHOKU UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-03-17.

Fuse-Protected Electronic Photodiode Array

Номер патента: US20170084645A1. Автор: Grzesik Michael J.. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2017-03-23.

CDHGTE PHOTODIODES ARRAY

Номер патента: US20150303322A1. Автор: MOLLARD Laurent,Bourgeois Guillaume,Destefanis Gerard. Владелец: Commissariat A L'Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives. Дата публикации: 2015-10-22.

There is the radiation detector of the stacked body of scintillator elements and photodiode array

Номер патента: CN101893718B. Автор: C·赫尔曼,C·博伊默,R·斯特德曼布克,O·米尔亨斯. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2016-04-27.

Photodiode array and optical receiver device including the same

Номер патента: US20050285123A1. Автор: Yoshiki Kuhara,Akira Yamaguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2005-12-29.

Heterojunction photodiode array

Номер патента: EP0406696B1. Автор: Joseph P. Rosbeck,Charles A. Cockrum. Владелец: Santa Barbara Research Center. Дата публикации: 1993-12-08.

Heterojunction photodiode array

Номер патента: EP0406696A3. Автор: Joseph P. Rosbeck,Charles A. Cockrum. Владелец: Santa Barbara Research Center. Дата публикации: 1991-04-03.

Photodiode array and optical receiver device including the same

Номер патента: US20030160248A1. Автор: Yoshiki Kuhara,Akira Yamaguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2003-08-28.

Silicon avalanche photodiode array

Номер патента: WO1992009109A1. Автор: Gerald C. Huth. Владелец: Xsirius Scientific Corporation. Дата публикации: 1992-05-29.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, photodiode array, and imaging apparatus

Номер патента: US09941324B2. Автор: Shuhei NARA. Владелец: NLT Technologeies Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, PHOTODIODE ARRAY, AND IMAGING APPARATUS

Номер патента: US20160322416A1. Автор: NARA Shuhei. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-03.

PHOTODIODE ARRAY

Номер патента: US20160284760A1. Автор: Sato Kenichi,Yamamura Kazuhisa,NAGANO Terumasa,TSUCHIYA Ryutaro,YAMAMOTO Koei. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-29.

Photodiode array

Номер патента: JP5984617B2. Автор: 晃永 山本,和久 山村,輝昌 永野,山村　和久,健一 里,龍太郎 土屋. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2016-09-06.

Photodiode array, production method therefor, and radiation detector

Номер патента: WO2004019411A1. Автор: Katsumi Shibayama. Владелец: HAMAMATSU PHOTONICS K.K.. Дата публикации: 2004-03-04.

Photodiode array and production method thereof, and radiation detector

Номер патента: CN1768429A. Автор: 柴山胜己. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2006-05-03.

Photodiode array and production method thereof, and radiation detector

Номер патента: CN1768429B. Автор: 柴山胜己. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2011-03-23.

Photodiode array and radiation detector

Номер патента: IL171135A. Автор: Katsumi Shibayama. Владелец: Katsumi Shibayama. Дата публикации: 2010-11-30.

Photodetector device having avalanche photodiodes two-dimensionally arranged on a compound semiconductor layer and quenching element connected in series to the photodiodes

Номер патента: US11860032B2. Автор: Takashi Baba,Kenji Makino,Takuya Fujita,Koei Yamamoto,Yusei Tamura. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-01-02.

Optoelectronic device arranged as a multi-spectral light sensor having a photodiode array with aligned light blocking layers and n-well regions

Номер патента: US11862648B2. Автор: Koon-Wing Tsang,Yuh-Min Lin. Владелец: Vishay Intertechnology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Silicon interposer for capacitive coupling of photodiode arrays

Номер патента: US20210384132A1. Автор: Michael Renne Ty Tan,Binhao Wang,Wayne Victor Sorin. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2021-12-09.

MULTICOLOR IMAGING DEVICE USING AVALANCHE PHOTODIODE

Номер патента: US20170069780A1. Автор: Grzesik Michael. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-09.

AVALANCHE PHOTODIODE SENSOR AND DISTANCE MEASURING DEVICE

Номер патента: US20220140156A1. Автор: Wakano Toshifumi,Yagi Shinichiro. Владелец: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION. Дата публикации: 2022-05-05.

Photodiode and photodiode array

Номер патента: US20140110808A1. Автор: Kazuhisa Yamamura,Akira Sakamoto,Yoshitaka Ishikawa,Satoshi Kawai,Terumasa Nagano. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2014-04-24.

INGAAS PHOTODIODE ARRAY

Номер патента: US20140217543A1. Автор: NI YANG. Владелец: NEW IMAGING TECHNOLOGIES. Дата публикации: 2014-08-07.

STRUCTURES AND METHODS OF FORMING PHOTODIODE ARRAYS HAVING THROUGH-SEMICONDUCTOR VIAS

Номер патента: US20150263056A1. Автор: Reinsma Gerald. Владелец: Aeroflex Colorado Springs Inc.. Дата публикации: 2015-09-17.

Photodiode array

Номер патента: EP3467875B1. Автор: Kazuhisa Yamamura,Akira Sakamoto,Yoshitaka Ishikawa,Satoshi Kawai,Terumasa Nagano. Владелец: SiOnyx LLC. Дата публикации: 2023-07-12.

Rear-Illuminated -Type Photodiode Array

Номер патента: US20070096178A1. Автор: Yasuhiro Iguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2007-05-03.

Optical sensor comprising a photodiode array

Номер патента: US12125862B2. Автор: Daniel Gäbler. Владелец: X Fab Global Services GmbH. Дата публикации: 2024-10-22.

Photodiode arrays

Номер патента: US20200203433A1. Автор: Guillaume Fichet,Elizabeth SPEECHLEY. Владелец: FlexEnable Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

IMAGE SENSOR BASED ON AVALANCHE PHOTODIODES

Номер патента: US20200357840A1. Автор: CAO Peiyan,LIU Yurun. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-12.

Rapid Prototyping of Single-Photon-Sensitive Silicon Avalanche Photodiodes

Номер патента: US20200319355A1. Автор: AULL Brian F.,Ciampi Joseph S.,Lambert Renee D.,Leitz Christopher,McIntosh Karl Alexander,Rabe Steven,Ryu Kevin,SCHUETTE Daniel R.,Volfson David. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-08.

IMAGE SENSOR BASED ON AVALANCHE PHOTODIODES

Номер патента: US20190355777A1. Автор: CAO Peiyan,LIU Yurun. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-21.

IMAGE SENSOR BASED ON AVALANCHE PHOTODIODES

Номер патента: US20180374890A1. Автор: CAO Peiyan,LIU Yurun. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-27.

Photoelectric conversion apparatus having avalanche photodiode

Номер патента: US20230117198A1. Автор: Masahiro Kobayashi,Keisuke Ito,Yasuharu Ota. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

Avalanche photodiode based image sensor

Номер патента: CN112018142A. Автор: 曹培炎,刘雨润. Владелец: Shenzhen Xpectvision Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-01.

Optical sensor comprising a photodiode array

Номер патента: GB2595671A. Автор: GABLER Daniel. Владелец: X Fab Global Services GmbH. Дата публикации: 2021-12-08.

Optical sensor comprising a photodiode array

Номер патента: US20210375968A1. Автор: Daniel Gäbler. Владелец: X Fab Global Services GmbH. Дата публикации: 2021-12-02.

Improved backside illuminated photodiode array

Номер патента: EP1284022A1. Автор: Bo Pi,Richard L. Conwell,Timothy C. Collins. Владелец: Digirad Corp. Дата публикации: 2003-02-19.

Infrared to visible converter - with germanium photodiode array,silicon switching diodes and light emitters

Номер патента: FR2104946A2. Автор: . Владелец: Compagnie Generale dElectricite SA. Дата публикации: 1972-04-28.

Photodiode array and method for manufacturing the same

Номер патента: EP2768025A1. Автор: Katsumi Shibayama. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2014-08-20.

Photodiode array

Номер патента: JPS59219957A. Автор: Shigeru Sonobe,Iwao Kato,園部　茂,加藤　厳. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1984-12-11.

Photodiode Array Structure for Cross Talk Suppression

Номер патента: US20180040663A1. Автор: Robert J. Bailey,Joseph P. Donnelly,William D. Goodhue,K. Alexander McIntosh,Erik K. Duerr,Lisa A. Wright. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2018-02-08.

PHOTODIODE ARRAY FOR SPECTROMETRIC MEASUREMENTS AND SPECTROMETRIC MEASUREMENT SYSTEM

Номер патента: US20150048239A1. Автор: Sugawa Shigetoshi,Tominaga Hideki,Takubo Kenji,Hirose Ryuta,Kuroda Rihito. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-19.

PHOTODIODE ARRAY DETECTOR

Номер патента: US20160064445A1. Автор: OWA Michiaki. Владелец: SHIMADZU CORPORATION. Дата публикации: 2016-03-03.

PHOTODIODE ARRAYS

Номер патента: US20170125460A1. Автор: Huang Wei,Mushini Prabhu. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

High Speed Backside Illuminated, Front Side Contact Photodiode Array

Номер патента: US20150137302A1. Автор: Bui Peter Steven,Taneja Narayan Dass. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

PHOTODIODE ARRAY

Номер патента: US20140306314A1. Автор: Sato Kenichi,Yamamura Kazuhisa,NAGANO Terumasa,TSUCHIYA Ryutaro,YAMAMOTO Koei. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-16.

Photodiode arrays

Номер патента: US20200203433A1. Автор: Guillaume Fichet,Elizabeth SPEECHLEY. Владелец: FlexEnable Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Photodiode array and method of making the same

Номер патента: US20040129992A1. Автор: Katsumi Shibayama. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2004-07-08.

Photodiode array, preparation method, sensor, camera and electronic equipment

Номер патента: CN115148753A. Автор: 刘艳丽,李玉鹏,祁春超. Владелец: Hangzhou Hikvision Digital Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-04.

Photodiode arrays

Номер патента: GB201820987D0. Автор: . Владелец: FlexEnable Ltd. Дата публикации: 2019-02-06.

Optical sensor comprising a photodiode array

Номер патента: GB202008270D0. Автор: . Владелец: X Fab Global Services GmbH. Дата публикации: 2020-07-15.

Avalanche photodiode array

Номер патента: US20240234616A1. Автор: Hironori Sonobe. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-07-11.

Avalanche photodiode array

Номер патента: EP4354503A1. Автор: Hironori Sonobe. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-04-17.

Light side incident blue light sensitization silicon avalanche photodiode array device

Номер патента: CN109545804B. Автор: 张军,王维彪,梁静秋,陶金,高丹,秦余欣,吕金光,王浩冰. Владелец: Changchun Institute of Optics Fine Mechanics and Physics of CAS. Дата публикации: 2021-04-02.

Photodiode array and method for manufacturing photodiode array

Номер патента: US20240347504A1. Автор: Naoyoshi KOMATSU,Genshitaro KAWAMURA. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

ARRAY OF GEIGER-MODE AVALANCHE PHOTODIODES FOR DETECTING INFRARED RADIATION

Номер патента: US20190148568A1. Автор: LOMBARDO SALVATORE,Mazzillo Massimo Cataldo,Fallica Piero. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-16.

Ge/Si Avalanche Photodiode With Integrated Heater And Fabrication Thereof

Номер патента: CN105140316A. Автор: 潘栋,陈旺,石拓,蔡鹏飞,王良波,张耐,栗粟,洪菁吟,黄梦园. Владелец: Silicon Optoelectronics Technology Inc Co. Дата публикации: 2015-12-09.

AVALANCHE PHOTODIODE USING SILICON NANOWIRE AND SILICON NANOWIRE PHOTOMULTIPLIER USING THE SAME

Номер патента: US20170186895A1. Автор: JUNG Suk Won,Son Jae Gi,JEON Ki Man,HONG Hyuck Ki,LEE Min Ho,Choi Yeon Shik,Jo Young Chang,Seong Woo Kyeong,Lee Kook Nyung. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-29.

Avalanche photodiode sensor and sensor device

Номер патента: WO2020202880A1. Автор: 悠介 大竹,睦 岡崎. Владелец: ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社. Дата публикации: 2020-10-08.

Radiation and temperature hard multi-pixel avalanche photodiodes

Номер патента: WO2015148527A1. Автор: Abdelhak Bensaoula,David Starikov,Rajeev PILLAI. Владелец: UNIVERSITY OF HOUSTON SYSTEM. Дата публикации: 2015-10-01.

Integrated single-photon avalanche photodiode type optical sensor and method of manufacturing

Номер патента: FR3103284A1. Автор: Didier Dutartre. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2021-05-21.

Avalanche photodiode sensor and sensor device

Номер патента: TW202044572A. Автор: 大竹悠介,岡崎睦. Владелец: 日商索尼半導體解決方案公司. Дата публикации: 2020-12-01.

PHOTODIODE ARRAY MODULE AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

Номер патента: US20140021575A1. Автор: Ishihara Masatoshi,Inoue Nao,Yamamoto Hirokazu. Владелец: HAMAMATSU PHOTONICS K.K.. Дата публикации: 2014-01-23.

Photodiode array module and manufacturing method for same

Номер патента: EP2693479A1. Автор: Hirokazu Yamamoto,Nao Inoue,Masatoshi Ishihara. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2014-02-05.

HIGH BANDWIDTH, MONOLITHIC TRAVELING WAVE PHOTODIODE ARRAY

Номер патента: US20130113063A1. Автор: Beling Andreas,Cambell Joe C.,Pan Huapu. Владелец: University of Virginia Patent Foundation, d/b/a University of Virginia Licensing & Ventures Group. Дата публикации: 2013-05-09.

MANUFACTURE OF A CDHGTE MULTISPECTRAL PHOTODIODE ARRAY BY CADMIUM DIFFUSION

Номер патента: US20170104026A1. Автор: ROCHETTE Florent. Владелец: Commissariat A L'Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives. Дата публикации: 2017-04-13.

PHOTODIODE ARRAY

Номер патента: US20150340402A1. Автор: Sakamoto Akira,YAMANAKA Tatsumi,HOSOKAWA Noburo. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-26.

COPLANAR ELECTRODE PHOTODIODE ARRAY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20180342542A1. Автор: LIU Yinong,LI JUN,Li Yuanjing,Zhang Lan,Hu Haifan. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-29.

Photodiode device and photodiode array for photosensor using the same

Номер патента: KR100723137B1. Автор: 강신재,박득희,고주열,최원태. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2007-05-30.

Method of manufacturing a photodiode array with through-wafer vias

Номер патента: WO2008021973A2. Автор: Robin Wilson,Conor Brogan,Hugh J. Griffin,Cormac Macnamara. Владелец: Icemos Technology Corporation. Дата публикации: 2008-02-21.

Photodiode array, method of manufacturing the same, and detecting device

Номер патента: US8022449B2. Автор: Youichi Nagai. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-09-20.

Structures and methods to improve the crosstalk between adjacent pixels of back-illuminated photodiode arrays

Номер патента: US7875890B1. Автор: Alexander O. Goushcha. Владелец: Array Optronix Inc. Дата публикации: 2011-01-25.

Method for manufacturing a photodiode array made of germanium and with low dark current

Номер патента: EP3660930B1. Автор: Abdelkader Aliane,Jean-Louis Ouvrier-Buffet,Julie Widiez,Jean-Michel Hartmann. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2021-03-31.

Back-Illuminated, Thin Photodiode Arrays with Trench Isolation

Номер патента: US20090057801A1. Автор: George Papadopoulos,Alexander O. Goushcha,Perry A. Denning. Владелец: SEMICOA. Дата публикации: 2009-03-05.

Back-illuminated, thin photodiode arrays with trench isolation

Номер патента: WO2009023603A1. Автор: George Papadopoulos,Alexander O. Goushcha,Perry A. Denning. Владелец: SEMICOA. Дата публикации: 2009-02-19.

Photodiode array, method of manufacturing the same, and detecting device

Номер патента: US20100044677A1. Автор: Youichi Nagai. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-02-25.

Photodiode array module and manufacturing method thereof

Номер патента: JP5486542B2. Автор: 直 井上,宙和 山本,正敏 石原. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2014-05-07.

AVALANCHE PHOTODIODE IMAGE SENSORS

Номер патента: US20200162686A1. Автор: OH Minseok. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2020-05-21.

Methods and systems for reducing crosstalk in avalanche photodiode detector arrays

Номер патента: US9395182B1. Автор: PING Yuan,Joseph Charles Boisvert. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2016-07-19.

Electrical interconnects for photodiode arrays and readout interface circuits in focal plane array assemblies

Номер патента: US9831281B2. Автор: Peter Dixon,Robert Rozploch. Владелец: Sensors Unlimited Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Photodiode array module and its manufacturing method

Номер патента: TWI523215B. Автор: Hirokazu Yamamoto,Nao Inoue,Masatoshi Ishihara. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2016-02-21.

Photodiode array module and method for manufacturing same

Номер патента: TW201248842A. Автор: Hirokazu Yamamoto,Nao Inoue,Masatoshi Ishihara. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2012-12-01.

Photodiode array module and method for manufacturing same

Номер патента: EP2693480B1. Автор: Hirokazu Yamamoto,Nao Inoue,Masatoshi Ishihara. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2019-03-20.

SEMICONDUCTOR IMAGING DEVICE HAVING A PHOTODIODES ARRAY.

Номер патента: FR2681980A1. Автор: Hisa Yoshihiro,YOSHIDA Yasuaki,Kumada Norimasa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-04-02.

Photodiode array for spectroscopic measurement, and spectroscopic measurement apparatus

Номер патента: EP2833106A4. Автор: Shigetoshi Sugawa,Rihito Kuroda,Hideki Tominaga,Kenji Takubo,Ryuta Hirose. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-04-22.

PHOTODIODE ARRAY MODULE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20140008754A1. Автор: Ishihara Masatoshi,Inoue Nao,Yamamoto Hirokazu. Владелец: HAMAMATSU PHOTONICS K.K.. Дата публикации: 2014-01-09.

PHOTODIODE ARRAY

Номер патента: US20190244991A1. Автор: HELMICK Robert Allen. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2019-08-08.

IMAGE SENSOR WITH PHOTODIODE ARRAY

Номер патента: FR2781929B1. Автор: Pierrick Descure. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2002-08-30.

Photodiode array with integrated backside lens and multichannel transceiver module implementing the same

Номер патента: CN110888203B. Автор: 李秦,王修哲,马伦特斯·艾尔西. Владелец: Applied Optoelectronics Inc. Дата публикации: 2022-10-28.

Radiation sensitive transducer e.g. CCD or photodiode array

Номер патента: DE19546423C1. Автор: Hartmut Dipl Ing Sklebitz,Klaus Dipl Phys Ecker. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1997-02-20.

Fully Integrated Avalanche Photodiode Receiver

Номер патента: US20180180805A1. Автор: Pan Dong,Cai Pengfei,Huang Mengyuan,Su Tzung-I,Chen Wang,Li Su,Hong Ching-yin,Zhang Naichuan. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-28.

Apparatus and method for single photon avalanche photodiode detector

Номер патента: CN107895743B. Автор: 陈刚,毛杜立,文森特·威尼斯,戴幸志,张博微. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2020-07-10.

Photodiode array and production method thereof, and radiation detector

Номер патента: CN1768428A. Автор: 柴山胜己. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2006-05-03.

OPTOELECTRONIC DEVICE ARRANGED AS A MULTI-SPECTRAL LIGHT SENSOR HAVING A PHOTODIODE ARRAY WITH ALIGNED LIGHT BLOCKING LAYERS AND N-WELL REGIONS

Номер патента: US20200403013A1. Автор: Lin Yuh-Min,Tsang Koon-Wing. Владелец: Vishay Intertechnology, Inc.. Дата публикации: 2020-12-24.

Photodiode array

Номер патента: GB0100227D0. Автор: . Владелец: SPECTRAL FUSION TECHNOLOGIES L. Дата публикации: 2001-02-14.

Photodiode array with algorithm-based crosstalk reduction

Номер патента: WO2012092080A1. Автор: Peter Wigley,Deepak Devicharan. Владелец: OCLARO TECHNOLOGY LIMITED. Дата публикации: 2012-07-05.

Lidar System with AlInAsSb Avalanche Photodiode

Номер патента: US20190310368A1. Автор: LaChapelle Joseph G.. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-10.

PHOTODIODE ARRAY

Номер патента: US20130187251A1. Автор: Sato Kenichi,Yamamura Kazuhisa. Владелец: HAMAMATSU PHOTONICS K.K.. Дата публикации: 2013-07-25.

PHOTODIODE ARRAY

Номер патента: US20130270666A1. Автор: Sato Kenichi,Yamamura Kazuhisa,Ohsuka Shinji. Владелец: HAMAMATSU PHOTONICS K.K.. Дата публикации: 2013-10-17.

PHOTODIODE ARRAY

Номер патента: US20140117484A1. Автор: Sato Kenichi,Yamamura Kazuhisa,NAGANO Terumasa,TSUCHIYA Ryutaro,YAMAMOTO Koei. Владелец: HAMAMATSU PHOTONICS K.K.. Дата публикации: 2014-05-01.

Structure of photodiode array

Номер патента: US20110049663A1. Автор: Wen-Long Chou,Ni-Ting Chu,Chiung-Jeng Wang. Владелец: Tyntek Corp. Дата публикации: 2011-03-03.

Very high speed photodetector system using a PIN photodiode array for position sensing

Номер патента: US6831263B2. Автор: David Skurnik,Eric Charles Abbott,Geoffrey Hugh Jones,Randall Brian Sprague,Waisiu Law. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-12-14.

Very high speed photodetector system using a PIN photodiode array for position sensing

Номер патента: US20030222200A1. Автор: Randall Sprague,David Skurnik,Eric Abbott,Geoffrey Jones,Waisiu Law. Владелец: TRANSPARENT NETWORKS. Дата публикации: 2003-12-04.

Color cmos image sensor with diffractive microlenses over subpixel photodiode arrays adapted for autofocus

Номер патента: US20220239840A1. Автор: Victor Lenchenkov,Andreas Suess. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Image sensor comprising a plurality of spad photodiodes

Номер патента: US20230343799A1. Автор: Cédric Giroud-Garampon,Norbert Moussy,Olivier SAXOD. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-10-26.

Image sensor comprising a plurality of SPAD photodiodes

Номер патента: US11830891B2. Автор: Cédric Giroud-Garampon,Norbert Moussy,Olivier SAXOD. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-11-28.

Avalanche photodiode and method for its manufacture

Номер патента: RU2769749C1. Автор: Наталья Александровна Валишева,Татьяна Александровна Левцова,Евгений Александрович Емельянов,Игорь Борисович Чистохин,Михаил Альбертович Путято,Валерий Владимирович Преображенский,Игорь Ильич Рябцев,Михаил Олегович Петрушков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2022-04-05.

Micropixel avalanche photodiode

Номер патента: RU2770147C1. Автор: Азер Зираддин оглы Садыгов. Владелец: Садыгов Зираддин Ягуб оглы. Дата публикации: 2022-04-14.

Microchannel avalanche photodiode

Номер патента: RU2316848C1. Автор: Зираддин Ягуб-оглы Садыгов. Владелец: Зекотек Медикал Системс Сингапур Пте.Лтд. Дата публикации: 2008-02-10.

TOF-Bauelement mit einer Avalanche-Photodiode und einem n-dotiertem Volumen

Номер патента: DE102022112711A1. Автор: Matthias Franke,Gerrit Lükens. Владелец: PMDTECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-11-24.

Avalanche photodiode

Номер патента: US12040421B2. Автор: Yuki Yamada,Masahiro Nada,Shoko Tatsumi. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Multi-element avalanche photodiode having reduced electrical noise

Номер патента: CA1080836A. Автор: Paul P. Webb. Владелец: RCA Inc. Дата публикации: 1980-07-01.

Multi-element avalanche photodiode having reduced electrical noise

Номер патента: US4129878A. Автор: Paul P. Webb. Владелец: RCA Inc. Дата публикации: 1978-12-12.

Avalanche photodiode and method of making same

Номер патента: CA1182199A. Автор: Paul P. Webb. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1985-02-05.

Butt-coupled avalanche photodiode

Номер патента: US20230327038A1. Автор: Vincent Lecoeuche. Владелец: VIAVI SOLUTIONS INC. Дата публикации: 2023-10-12.

Avalanche photodiode with a guard ring structure and method thereof

Номер патента: US20150079722A1. Автор: Eun Soo Nam,Yong-Hwan Kwon,Kisoo Kim,Bongki Mheen,MyoungSook Oh,Jae-Sik SIM. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2015-03-19.

Method for fabricating avalanche photodiode

Номер патента: US20020001911A1. Автор: Seung-Kee Yang,Dong-Soo Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-01-03.

Starved source diffusion for avalanche photodiode

Номер патента: US20060084187A1. Автор: David Young,Sunil Thomas,Daniel Francis,Roman Dimitrov,Rashit Nabiev,Richard Ratowsky. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-20.

Mid-infrared avalanche photodiodes with low dark currents

Номер патента: US20240170601A1. Автор: Andrew H. Jones,Joe C. Campbell. Владелец: UNIVERSITY OF VIRGINIA PATENT FOUNDATION. Дата публикации: 2024-05-23.

Avalanche photodiode and method of making same

Номер патента: US4383267A. Автор: Paul P. Webb. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1983-05-10.

Avalanche photodiode

Номер патента: CA1289233C. Автор: Stephen R. Forrest. Владелец: University of Southern California USC. Дата публикации: 1991-09-17.

Avalanche photodiode having controlled breakdown voltage

Номер патента: US8044436B2. Автор: Mark Allen Itzler. Владелец: Princeton Lightwave LLC. Дата публикации: 2011-10-25.

Planar avalanche photodiode

Номер патента: CA2474560C. Автор: Cheng C. Ko,Barry Levine. Владелец: Picometrix LLC. Дата публикации: 2012-03-20.

Method for fabricating avalanche photodiode

Номер патента: US6492239B2. Автор: Seung-Kee Yang,Dong-Soo Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-10.

Photodiode of the type avalanche photodiode

Номер патента: EP2481097A1. Автор: Niklas Karlsson,Jacob Larsson. Владелец: SVEDICE AB. Дата публикации: 2012-08-01.

An avalanche photodiode device

Номер патента: GB2629561A. Автор: Robbins David,White Benjamin,Collins Xiao. Владелец: Phlux Tech Ltd. Дата публикации: 2024-11-06.

Sam avalanche photodiode detector with absorption region and multiplication region in individual isolated mesas

Номер патента: CA2670462C. Автор: PING Yuan,Joseph C. Boisvert,Dmitri D. Krut,Rengarajan Sudharsanan. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2016-08-16.

Avalanche photodiode with moisture resistant passivation coating disposed to cover the outer periphery of the photodiode body except at a selected top contact area

Номер патента: US5288989A. Автор: Robert F. Kwasnick,A. Nadeem Ishaque. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1994-02-22.

Avalanche photodiode

Номер патента: CA2040767A1. Автор: Kikuo Makita. Владелец: Kikuo Makita. Дата публикации: 1991-10-19.

Avalanche photodiode

Номер патента: CA1195414A. Автор: Shuzo Kagawa,Takashi Mikawa,Takao Kaneda,Katsuji Honma. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1985-10-15.

Avalanche photodiode with special lateral doping concentration

Номер патента: US20140186991A1. Автор: Dong Pan,Pengfei Cai,Mengyuan Huang. Владелец: SiFotonics Technologies USA Inc. Дата публикации: 2014-07-03.

Avalanche photodiodes having separate absorption charge and multiplication (sacm) heterostructures

Номер патента: WO2024054256A3. Автор: Sanjay Krishna,Seunghyun Lee,Hyemin JUNG. Владелец: Ohio State Innovation Foundation. Дата публикации: 2024-04-18.

Method of operating an avalanche photodiode for reducing gain normalized dark current

Номер патента: US20070029485A1. Автор: Michael Kinch,Chang-Feng Wan,Pradip Mitra,Jeffrey Beck. Владелец: DRS Sensors and Targeting Systems Inc. Дата публикации: 2007-02-08.

Method and system for a focused field avalanche photodiode

Номер патента: WO2019108404A1. Автор: Attila Mekis,Subal Sahni,Gianlorenzo Masini,Kam-Yan Hon. Владелец: Luxtera, Inc.. Дата публикации: 2019-06-06.

Avalanche photodiode

Номер патента: US20020003240A1. Автор: Asamira Suzuki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-10.

Control circuits for dynamically biased avalanche photodiodes

Номер патента: US20160284878A1. Автор: Majeed M. Hayat,Payman Zarkesh-Ha,Robert EFROYMSON. Владелец: Dynamic Photonics Inc. Дата публикации: 2016-09-29.

Avalanche Photodiode with Cascaded Multiplication Layers for High Speed and Wide Dynamic Range Applications

Номер патента: US20240274742A1. Автор: Jin-Wei Shi. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2024-08-15.

An avalanche photodiode device

Номер патента: GB2629340A. Автор: Robbins David,White Benjamin,Collins Xiao. Владелец: Phlux Tech Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Control circuits for dynamically biased avalanche photodiodes

Номер патента: US09997644B2. Автор: Majeed M. Hayat,Payman Zarkesh-Ha,Robert EFROYMSON. Владелец: Dynamic Photonics Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Silicon avalanche photodiode with low multiplication noise

Номер патента: CA1301895C. Автор: Robert J. Mcintyre. Владелец: EG&G Canada Ltd. Дата публикации: 1992-05-26.

Mesa avalanche photodiode with sidewall passivation

Номер патента: US20230327041A1. Автор: Alexandre W. WALKER,Oliver James PITTS. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 2023-10-12.

Lidar system with low-noise avalanche photodiode

Номер патента: WO2022066481A1. Автор: Stephen D. Gaalema,Jason M. Eichenholz,Joseph G. LaChapelle,James L. Gates. Владелец: Luminar, Llc. Дата публикации: 2022-03-31.

Avalanche photodiode for detecting ultraviolet radiation and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170098730A1. Автор: Massimo Cataldo MAZZILLO,Antonella SCIUTO,Dario Sutera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-04-06.

Method for Preparing Avalanche Photodiode

Номер патента: US20210036177A1. Автор: JIA Li,Xin Tan,Yuangang WANG,Zhihong FENG,Xubo Song,Xingye Zhou,Yuanjie Lv,Yulong FANG. Владелец: CETC 13 Research Institute. Дата публикации: 2021-02-04.

Avalanche photodiode and an optical receiver having the same

Номер патента: US20220271186A1. Автор: Yuan Yuan,Zhihong Huang,Di Liang,Xiaoge Zeng. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2022-08-25.

Method of operating an avalanche photodiode for reducing gain normalized dark current

Номер патента: WO2007016612A2. Автор: Michael A. Kinch,Chang-Feng Wan,Pradip Mitra,Jeffrey Don Beck. Владелец: Drs Infrared Technologies, Lp. Дата публикации: 2007-02-08.

Method and system for a focused field avalanche photodiode

Номер патента: EP3718144A1. Автор: Attila Mekis,Subal Sahni,Gianlorenzo Masini,Kam-Yan Hon. Владелец: Luxtera LLC. Дата публикации: 2020-10-07.

Lateral avalanche photodiode structure

Номер патента: US20130026604A1. Автор: Ching-Wen Wang,Yue-Ming Hsin,Fang-Ping Chou,Zi-Ying Li. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2013-01-31.

Avalanche photodiodes having separate absorption charge and multiplication (sacm) heterostructures

Номер патента: WO2024054256A2. Автор: Sanjay Krishna,Seunghyun Lee,Hyemin JUNG. Владелец: Ohio State Innovation Foundation. Дата публикации: 2024-03-14.

AlInAsSb Avalanche Photodiode and Related Method thereof

Номер патента: US20170244002A1. Автор: Min Ren,Scott Maddox,Joe C. Campbell,Yaojia Chen,Madison Woodson,Seth Bank. Владелец: UNIVERSITY OF VIRGINIA PATENT FOUNDATION. Дата публикации: 2017-08-24.

Manufacturing method of avalanche photodiode

Номер патента: US20160155888A1. Автор: Susumu HATAKENAKA,Harunaka Yamaguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-06-02.

Method of forming an integrated avalanche photodiode

Номер патента: WO2024128976A1. Автор: Yue Chen,Xiao Gong,Jishen ZHANG,Haiwen Xu. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2024-06-20.

Avalanche photodiode

Номер патента: US20240204127A1. Автор: Dominique Golanski,Sebastien Place,Antonin Zimmer,Guillaume MARCHAND. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-06-20.

Avalanche photodiode receiver

Номер патента: US20160141430A1. Автор: George Williams,Andrew S. Huntington. Владелец: Voxtel Inc. Дата публикации: 2016-05-19.

In-situ power monitor providing an extended range for monitoring input optical power incident on avalanche photodiodes

Номер патента: EP1929419A2. Автор: Shinkyo Kaku,Vitali Tikhonov. Владелец: Allied Telesis Inc. Дата публикации: 2008-06-11.

Apparatus and method for allowing avalanche photodiode based single-photon detectors to be driven by the same electrical circuit in gated and in free-running modes

Номер патента: US9246041B1. Автор: Alexis Rochas,Bernard Clausen,Laurent Monat. Владелец: ID QUANTIQUE SA. Дата публикации: 2016-01-26.

Power monitor for monitoring input optical power incident on avalanche photodiodes

Номер патента: CA2617993A1. Автор: Shinkyo Kaku,Vitali Tikhonov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-15.

An avalanche photodiode device

Номер патента: WO2024218488A1. Автор: David Robbins,Benjamin White,Xiao COLLINS. Владелец: Phlux Technology Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Systems and methods for mitigating avalanche photodiode (APD) blinding

Номер патента: US11906626B2. Автор: Kiran Kumar Gunnam,Kanke Gao,Roger Jullian Pinto,Nitinkumar Sagarbhai Barot,Rajesh Ramalingam Varadharajan. Владелец: Velodyne Lidar USA Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Method of fabricating an avalanche photodiode employing single diffusion

Номер патента: US11837681B2. Автор: Oliver PITTS,Omid SALEHZADEH EINABAD. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 2023-12-05.

Control of avalanche photodiodes bias voltage

Номер патента: EP1483851A1. Автор: Graham Butler,Peter Nicholls. Владелец: Marconi UK Intellectual Property Ltd. Дата публикации: 2004-12-08.

Control of avalanche photodiodes bias voltage

Номер патента: AU2003209492A1. Автор: Graham Butler,Peter Nicholls. Владелец: Marconi UK Intellectual Property Ltd. Дата публикации: 2003-09-29.

Control of avalanche photodiodes bias voltage

Номер патента: EP1483851B1. Автор: Graham Butler,Peter Nicholls. Владелец: Marconi UK Intellectual Property Ltd. Дата публикации: 2006-07-26.

Systems and methods for mitigating avalanche photodiode (apd) blinding

Номер патента: EP3735593A1. Автор: Kiran Kumar Gunnam,Kanke Gao,Roger Jullian Pinto,Nitinkumar Sagarbhai Barot,Rajesh Ramalingam Varadharajan. Владелец: Velodyne Lidar Inc. Дата публикации: 2020-11-11.

Systems and methods for mitigating avalanche photodiode (apd) blinding

Номер патента: US20190250256A1. Автор: Kiran Kumar Gunnam,Kanke Gao,Roger Jullian Pinto,Nitinkumar Sagarbhai Barot,Rajesh Ramalingam Varadharajan. Владелец: Velodyne Lidar Inc. Дата публикации: 2019-08-15.

Cascaded Avalanche Photodiode with High Responsivity and High Saturation Current

Номер патента: US20230335664A1. Автор: Jin-Wei Shi. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2023-10-19.

Control of avalanche photodiodes bias voltage

Номер патента: WO2003079581A1. Автор: Graham Butler,Peter Nicholls. Владелец: Marconi UK Intellectual Property Ltd. Дата публикации: 2003-09-25.

Photodiode Array and Optical Microwave Transmission System Receiver

Номер патента: US20090121118A1. Автор: Tsutomu Nagatsuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2009-05-14.

Device, system, and moving body

Номер патента: US20240006456A1. Автор: Kazuhiro Morimoto. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Microstructure enhanced absorption photosensitive devices

Номер патента: US12094903B2. Автор: Shih-Yuan Wang,Shih-Ping Wang. Владелец: W&w Sens Devices Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

A waveguide-integrated avalanche photodiode

Номер патента: WO2023249564A1. Автор: Xiao Gong,Jishen ZHANG,Haiwen Xu. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2023-12-28.

Photodetector including a geiger mode avalanche photodiode and an integrated resistor and related manufacturing method

Номер патента: US20190319158A1. Автор: Massimo Cataldo MAZZILLO,Valeria Cinnera Martino. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-10-17.

Dual mode iii-v superlattice avalanche photodiode

Номер патента: WO2017007516A1. Автор: Siddhartha Ghosh. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2017-01-12.

Dual mode III-V superlattice avalanche photodiode

Номер патента: US09859453B2. Автор: Siddhartha Ghosh. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2018-01-02.

Dual mode iii-v superlattice avalanche photodiode

Номер патента: US20170012162A1. Автор: Siddhartha Ghosh. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-01-12.

Avalanche photodiodes with lower excess noise and lower bandwidth variation

Номер патента: US12057518B2. Автор: Sean Sebastian O'Keefe,Michael Vitic,Alireza SAMANI. Владелец: Ciena Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Avalanche photodiodes with lower excess noise and lower bandwidth variation

Номер патента: US20220336691A1. Автор: Sean Sebastian O'Keefe,Michael Vitic,Alireza SAMANI. Владелец: Ciena Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Avalanche photodiodes with defect-assisted silicon absorption regions

Номер патента: EP2878015A1. Автор: Raymond G. Beausoleil,Charles M. Santori,Marco Fiorentino,Zhihong Huang. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2015-06-03.

Photocoupled circuit with photodiode arrays driving a MOSFET switch and current limiting circuit

Номер патента: US5418381A. Автор: Yoshiaki Aizawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-05-23.

Solid-state image sensor and imaging device

Номер патента: US20200106982A1. Автор: Shigetaka Kasuga,Kentaro Nakanishi,Manabu USUDA. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Photodetector circuits

Номер патента: CA2492731A1. Автор: John Lewis Glasper,David John Robbins,Weng Yee Leong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-22.

Bias circuit for an avalanche photodiode

Номер патента: US4730128A. Автор: Yoshihito Seki. Владелец: Iwatsu Electric Co Ltd. Дата публикации: 1988-03-08.

Avalanche photodiode receiver

Номер патента: US09995622B2. Автор: George Williams. Владелец: Voxtel Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Avalanche photodiodes with adaptive quenching of photocurrent

Номер патента: WO2021178434A1. Автор: Supratik Guha,Joe C. Campbell,Jiyuan ZHENG. Владелец: The University Of Virgina Patent Foundation. Дата публикации: 2021-09-10.

Avalanche photodiode with low breakdown voltage

Номер патента: US20170256671A1. Автор: Han-Din Liu,Yimin Kang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Biasing voltage generating circuit for avalanche photodiode and related control circuit

Номер патента: US09882069B2. Автор: Shih-Wei Wang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Avalanche-photodiode sensor and distance measurement device

Номер патента: EP4242692A3. Автор: Shinichiro Yagi,Toshifumi Wakano. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-02-28.

Avalanche-photodiode sensor and distance measurement device

Номер патента: EP4242692A2. Автор: Shinichiro Yagi,Toshifumi Wakano. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-09-13.

Photodiode and Photodiode Array with Improved Performance Characteristics

Номер патента: US20110248369A1. Автор: Peter Steven Bui,Narayan Dass Taneja. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-13.

Photodiode and Photodiode Array with Improved Performance Characteristics

Номер патента: US20130277786A1. Автор: Peter Steven Bui,Narayan Dass Taneja. Владелец: OSI Optoelectronics Inc. Дата публикации: 2013-10-24.

Waveguide-Integrated Avalanche Photodiode

Номер патента: US20200185561A1. Автор: Pan Dong,Huang Mengyuan,Su Tzung-I,Hong Ching-yin,Chiu Te-huang,Li Zuoxi. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-11.

Integrated avalanche germanium photodetector

Номер патента: US20160204298A1. Автор: Roelkens Gunther,Van Campenhout Joris,Chen Hongtao. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

A kind of silicon substrate hybrid integrated avalanche photodetector

Номер патента: CN105789366B. Автор: 何婷婷,韩勤,杨晓红,吕倩倩,尹冬冬. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2017-07-28.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE OF THE AVALANCHE PHOTODIODE TYPE AT HIGH SIGNAL TO NOISE RATIO AND METHOD OF MANUFACTURING SUCH PHOTODIODE

Номер патента: FR3000609A1. Автор: Johan Rothman. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2014-07-04.

Method for combined fabrication of indium gallium arsenide / indium phosphide avalanche photodiodes and P-I-N photodiodes

Номер патента: US20030183855A1. Автор: Michael Lange,J. Dries. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2003-10-02.

Avalanche photodiode semiconductor structure having a high signal-to-noise ratio and method for manufacturing such a photodiode

Номер патента: US20150340537A1. Автор: Johan Rothman. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2015-11-26.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE OF THE AVALANCHE PHOTODIODE TYPE AT HIGH SIGNAL TO NOISE RATIO AND METHOD OF MANUFACTURING SUCH PHOTODIODE

Номер патента: FR3000609B1. Автор: Johan Rothman. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2015-01-30.

Avalanche photodiode semiconductor structure having a high signal-to-noise ratio and method for manufacturing such a photodiode

Номер патента: WO2014102353A3. Автор: Johan Rothman. Владелец: Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives. Дата публикации: 2014-10-09.

Avalanche photodiode and method for manufacturing the avalanche photodiode

Номер патента: US8698268B2. Автор: Eitaro Ishimura,Eiji Yagyu,Masaharu Nakaji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-04-15.

Photodiode of the type avalanche photodiode

Номер патента: EP2481097A4. Автор: Niklas Karlsson,Jacob Larsson. Владелец: SVEDICE AB. Дата публикации: 2018-01-24.

Avalanche photodiode and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210066528A1. Автор: Hideaki Matsuzaki,Masahiro Nada. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Semi-planar avalanche photodiode

Номер патента: TW200814346A. Автор: Alexandre Pauchard,Gadi Sarid,yi-min Kang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-03-16.

Avalanche photodiode for photon counting applications and method thereof

Номер патента: EP1449260A2. Автор: James Vickers. Владелец: Optonics Inc. Дата публикации: 2004-08-25.

Avalanche photodiodes for microscopes

Номер патента: AU2001286112A1. Автор: Jason M. Smith,Ivair Gontijo,Gerald S. Buller. Владелец: Heriot Watt University. Дата публикации: 2002-03-26.

Avalanche photodiode

Номер патента: EP4064369A4. Автор: Yuki Yamada,Masahiro Nada,Shoko Tatsumi. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2023-07-12.

Semi-planar avalanche photodiode

Номер патента: TWI367568B. Автор: Alexandre Pauchard,Yimin Kang,Gadi Sarid. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2012-07-01.

Semi-planar avalanche photodiode

Номер патента: WO2008011323A2. Автор: Alexandre Pauchard,Yimin Kang,Gadi Sarid. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2008-01-24.

Avalanche photodiode and method for preparing same

Номер патента: EP3680941A4. Автор: Hideaki Matsuzaki,Masahiro Nada. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2020-12-30.

Avalanche photodiode

Номер патента: EP3029745B1. Автор: XU Pan. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-08.

Avalanche photodiode absorbing region band gap

Номер патента: NZ194140A. Автор: R Dorn,K Losch. Владелец: Int Standard Electric Corp. Дата публикации: 1983-09-30.

Avalanche photodiodes for microscopes

Номер патента: WO2002023166A1. Автор: Jason M. Smith,Ivair Gontijo,Gerald S. Buller,Philip Anthony HISKETT. Владелец: Heriot-Watt University. Дата публикации: 2002-03-21.

Inverted planar avalanche photodiode

Номер патента: TW200814345A. Автор: Alexandre Pauchard,Michael T Morse. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-03-16.

Avalanche Photodiode with Special Lateral Doping Concentration

Номер патента: US20120326259A1. Автор: Dong Pan,Pengfei Cai,Mengyuan Huang. Владелец: SiFotonics Technologies USA Inc. Дата публикации: 2012-12-27.

AVALANCHE PHOTODIODE

Номер патента: US20200259038A1. Автор: Takimoto Takahiro,NATSUAKI Kazuhiro,UCHIDA Masayo. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-13.

AVALANCHE PHOTODIODE

Номер патента: US20190280145A1. Автор: Takimoto Takahiro,NATSUAKI Kazuhiro,UCHIDA Masayo. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2019-09-12.

Avalanche photodiode

Номер патента: JPS5654080A. Автор: Kazuo Sakai,Yuichi Matsushima,Shigeyuki Akiba,Akiya Yamamoto. Владелец: Kokusai Denshin Denwa KK. Дата публикации: 1981-05-13.

Avalanche photodiode

Номер патента: JPWO2006046276A1. Автор: 柳生　栄治,栄治 柳生,石村　栄太郎,栄太郎 石村,中路　雅晴,雅晴 中路. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2008-05-22.

Compound semiconductor avalanche photodiode

Номер патента: JPS5731183A. Автор: Nobuhiko Susa,Hiroaki Ando. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1982-02-19.

Planar avalanche photodiode with reverse layer structure

Номер патента: KR100424455B1. Автор: 오경석,범진욱,조승룡. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-03-26.

Avalanche photodiode

Номер патента: CN102257640A. Автор: 石桥忠夫,安藤清后,村本好史,中岛史人,横山春喜. Владелец: NTT Electronics Corp. Дата публикации: 2011-11-23.

AVALANCHE PHOTODIODE HGCDTE SENSITIVE TO WAVELENGTH RADIATION GREATER THAN 2 MM

Номер патента: FR2598558A1. Автор: Michel Royer,Yves Carpentier. Владелец: Societe Anonyme de Telecommunications SAT. Дата публикации: 1987-11-13.

Avalanche photodiode with central zone in active and absorptive layers

Номер патента: US4914494A. Автор: Paul P. Webb. Владелец: RCA Inc. Дата публикации: 1990-04-03.

Avalanche photodiode

Номер патента: CN101048878A. Автор: 柳生荣治,石村荣太郎,中路雅晴. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2007-10-03.

Manufacture of avalanche photodiode

Номер патента: JPS5658283A. Автор: Kazuhisa Takahashi,Seiichi Nagai,Wataru Suzaki,Saburo Takamiya. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1981-05-21.

Planar avalanche photodiode

Номер патента: CA2873841A1. Автор: Barry Levine. Владелец: Picometrix LLC. Дата публикации: 2013-11-28.

An avalanche photodiode structure

Номер патента: WO2021099769A2. Автор: Chee Hing Tan. Владелец: THE UNIVERSITY OF SHEFFIELD. Дата публикации: 2021-05-27.

Avalanche photodiode

Номер патента: KR101366998B1. Автор: 모핸드 아쇼스. Владелец: 탈레스. Дата публикации: 2014-02-24.

Planar avalanche photodiode

Номер патента: EP1470575A4. Автор: Barry Levine,Cheng C Ko. Владелец: Picometrix LLC. Дата публикации: 2010-05-05.

Avalanche Photodiode Long Wavelength Photodetector

Номер патента: KR970054572A. Автор: 박찬용,남은수,김홍만. Владелец: 한국전기통신공사. Дата публикации: 1997-07-31.

Avalanche photodiode

Номер патента: JP7024918B1. Автор: 晴央 山口. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Mesa avalanche photodiode with sidewall passivation

Номер патента: WO2022043944A1. Автор: Alexandre W. WALKER,Oliver James PITTS. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 2022-03-03.

Avalanche photodiode structure

Номер патента: US20110284926A1. Автор: Ching Kean CHIA. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2011-11-24.

Avalanche photodiode

Номер патента: JPS51140587A. Автор: Dou Kuremoo Boodouan. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1976-12-03.

Avalanche photodiode-type semiconductor structure and process for producing such a structure

Номер патента: IL230188A0. Автор: . Владелец: Johan Rothman. Дата публикации: 2014-08-31.

Point source diffusion for avalanche photodiodes

Номер патента: US20060121683A1. Автор: Sunil Thomas,Daniel Francis,Ashish Verma,Roman Dimitrov,Richard Ratowsky. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2006-06-08.

Avalanche photodiode

Номер патента: CN102257641A. Автор: 莫昂·阿舒什. Владелец: Alcatel Optical Networks Israel Ltd. Дата публикации: 2011-11-23.

Avalanche photodiode and method for preparing same

Номер патента: EP3680941A1. Автор: Hideaki Matsuzaki,Masahiro Nada. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2020-07-15.

AVALANCHE PHOTODIODE RECEIVER

Номер патента: US20130221193A1. Автор: WILLIAMS George M.,HUNTINGTON Andrew S.. Владелец: Voxtel, Inc.. Дата публикации: 2013-08-29.

AVALANCHE PHOTODIODE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130299936A1. Автор: Ishimura Eitaro,TAKEMURA Ryota. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2013-11-14.

AVALANCHE PHOTODIODE TYPE STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING SUCH A STRUCTURE

Номер патента: US20180013030A1. Автор: Rothman Johan. Владелец: Commissariat A L'Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives. Дата публикации: 2018-01-11.

AVALANCHE PHOTODIODE FOR DETECTING ULTRAVIOLET RADIATION AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20200013915A1. Автор: Mazzillo Massimo Cataldo,Sciuto Antonella,Sutera Dario. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-09.

Avalanche photodiode gain control

Номер патента: US20220037540A1. Автор: Srinath Ramaswamy,Baher Haroun,Gerd Schuppener,Miaad ALIROTEH. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Avalanche Photodiode and Method for Manufacturing Same

Номер патента: US20220037549A1. Автор: Fumito Nakajima,Yuki Yamada. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2022-02-03.

A Ge-Si Avalanche Photodiode With Silicon Buffer Layer And Edge Electric Field Buffer Region

Номер патента: US20150028443A1. Автор: Pan Dong,Cai Pengfei,Huang Mengyuan,Chen Wang,Shi Tuo,Li Su,Hong Ching-yin,Wang Liangbo. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-29.

Method for Preparing Avalanche Photodiode

Номер патента: US20210036177A1. Автор: Wang Yuangang,Li Jia,Zhou Xingye,Feng Zhihong,LV Yuanjie,Tan Xin,Song Xubo,Fang Yulong. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-04.

RESONANCE AVALANCHE PHOTODIODES FOR DYNAMIC BIASING

Номер патента: US20190051783A1. Автор: ZARKESH-HA Payman,Hayat Majeed M.. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-14.

AVALANCHE PHOTODIODE AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: US20140131827A1. Автор: Yamaguchi Harunaka,TAKEMURA Ryota. Владелец: . Дата публикации: 2014-05-15.

AVALANCHE PHOTODIODE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210066528A1. Автор: Matsuzaki Hideaki,Nada Masahiro. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-04.

GALLIUM ARSENIDE AVALANCHE PHOTODIODE

Номер патента: US20150076647A1. Автор: Biard James R.,Tatum James A.. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-19.

Avalanche photodiode with low breakdown voltage

Номер патента: US20140151839A1. Автор: Han-Din Liu,Yimin Kang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-06-05.

AVALANCHE PHOTODIODE WITH A GUARD RING STRUCTURE AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20150079722A1. Автор: Nam Eun Soo,Kwon Yong-hwan,KIM Kisoo,OH MyoungSook,MHEEN Bongki,SIM Jae-Sik. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2015-03-19.

LIDAR SYSTEM WITH LOW-NOISE AVALANCHE PHOTODIODE

Номер патента: US20220099813A1. Автор: Gaalema Stephen D.,LaChapelle Joseph G.,Eichenholz Jason M.,Gates James L.. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-31.

AVALANCHE PHOTODIODE

Номер патента: US20140175511A1. Автор: KIM Kisoo,OH MyoungSook,MHEEN Bongki,SIM Jae-Sik. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2014-06-26.

AVALANCHE PHOTODIODE RECEIVER

Номер патента: US20170097263A1. Автор: Williams George. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-06.

Apparatus And Method For Single-Photon Avalanche-Photodiode Detectors With Reduced Dark Count Rate

Номер патента: US20180097132A1. Автор: Chen Gang,Mao Duli,Venezia Vincent,ZHANG Bowei,Tai Dyson H.. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-05.

AVALANCHE PHOTODIODE FOR DETECTING ULTRAVIOLET RADIATION AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170098730A1. Автор: Mazzillo Massimo Cataldo,Sciuto Antonella,Sutera Dario. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-06.

Avalanche photodiode-type semiconductor structure with low response time and process for producing such a structure

Номер патента: US20140183682A1. Автор: Johan Rothman. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2014-07-03.

AVALANCHE PHOTODIODE-TYPE SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND PROCESS FOR PRODUCING SUCH A STRUCTURE

Номер патента: US20140183683A1. Автор: Rothman Johan. Владелец: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENE ALT. Дата публикации: 2014-07-03.

AVALANCHE PHOTODIODE WITH SPECIAL LATERAL DOPING CONCENTRATION

Номер патента: US20140186991A1. Автор: Pan Dong,Cai Pengfei,Huang Mengyuan. Владелец: SIFOTONICS TECHNOLOGIES CO., LTD.. Дата публикации: 2014-07-03.

PLANAR AVALANCHE PHOTODIODE

Номер патента: US20150115319A1. Автор: Levine Barry. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-30.

Avalanche photodiodes and methods of fabricating the same

Номер патента: US20140206130A1. Автор: Mi-Ran Park,O-Kyun Kwon. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2014-07-24.

AVALANCHE PHOTODIODE AND AN OPTICAL RECEIVER HAVING THE SAME

Номер патента: US20220271186A1. Автор: Huang Zhihong,Yuan Yuan,Zeng Xiaoge,LIANG DI. Владелец: . Дата публикации: 2022-08-25.

AVALANCHE PHOTODIODE RECEIVER

Номер патента: US20160141430A1. Автор: HUNTINGTON Andrew S.,Williams George. Владелец: Voxtel, Inc.. Дата публикации: 2016-05-19.

MANUFACTURING METHOD OF AVALANCHE PHOTODIODE

Номер патента: US20160155888A1. Автор: Yamaguchi Harunaka,HATAKENAKA Susumu. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2016-06-02.

High-Speed Germanium On Silicon Avalanche Photodiode

Номер патента: US20160172525A1. Автор: Pan Dong,Cai Pengfei,Huang Mengyuan,Chen Wang,Li Su,Hong Ching-yin,Wang Liangbo. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-16.

Method And System For A Focused Field Avalanche Photodiode

Номер патента: US20190165200A1. Автор: Masini Gianlorenzo,Mekis Attila,Sahni Subal,Hon Kam-Yan. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-30.

AVALANCHE PHOTODIODE

Номер патента: US20190165201A1. Автор: PARK Chan Yong,PARK Seoung Hwan. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-30.

Avalanche Photodiode Detector

Номер патента: US20150179862A1. Автор: Yuan Ping,Sudharsanan Rengarajan,Boisvert Joseph C.,Krut Dmitri D.. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-25.

AVALANCHE PHOTODIODE UTILIZING INTERFACIAL MISFIT ARRAY

Номер патента: US20150179863A1. Автор: Huffaker Diana L.,Reyner Charles J.,Craig Adam P.,Marshall Andrew R. J.. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-25.

SEPARATE ABSORPTION CHARGE AND MULTIPLICATION AVALANCHE PHOTODIODE STRUCTURE AND METHOD OF MAKING SUCH A STRUCTURE

Номер патента: US20210202778A1. Автор: JACOB Ajey Poovannummoottil,Bian Yusheng. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

High Performance GeSi Avalanche Photodiode Operating Beyond Ge Bandgap Limits

Номер патента: US20140291682A1. Автор: Pan Dong,Cai Pengfei,Huang Mengyuan,Chen Wang,Shi Tuo,Li Su,Hong Ching-yin,Wang Liangbo,Su Tzung I. Владелец: SIFOTONICS TECHNOLOGIES CO., LTD.. Дата публикации: 2014-10-02.

LATERAL AVALANCHE PHOTODIODE DEVICE AND METHOD OF PRODUCTION

Номер патента: US20140312449A1. Автор: Teva Jordi,JONAK-AUER Ingrid. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2014-10-23.

Avalanche photodiode

Номер патента: US20140319638A1. Автор: Ching Kean CHIA. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2014-10-30.

BIAS CONTROL STRUCTURE FOR AVALANCHE PHOTODIODES

Номер патента: US20190229227A1. Автор: SAMANI Alireza,PLANT David,AYLIFFE Michael. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-25.

AlInAsSb Avalanche Photodiode and Related Method thereof

Номер патента: US20170244002A1. Автор: REN Min,Chen Yaojia,Bank Seth,Maddox Scott,Campbell Joe C.,Woodson Madison. Владелец: UNIVERSITY OF VIRGINIA PATENT FOUNDATION. Дата публикации: 2017-08-24.

SYSTEMS AND METHODS FOR MITIGATING AVALANCHE PHOTODIODE (APD) BLINDING

Номер патента: US20190250256A1. Автор: GUNNAM Kiran Kumar,GAO Kanke,RAMALINGAM VARADHARAJAN Rajesh,Barot Nitinkumar Sagarbhai,Pinto Roger Jullian. Владелец: Velodyne LiDAR, Inc.. Дата публикации: 2019-08-15.

AVALANCHE PHOTODIODE

Номер патента: US20210320217A1. Автор: Ellis-Monaghan John J.,SHANK Steven M.,KRISHNASAMY Rajendran,LUCE Cameron E.,Jain Vibhor,ADUSUMILLI Siva P.,Dongmo Pernell,Hazbun Ramsey,Levy Mark D.. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-14.

AVALANCHE PHOTODIODE SENSOR

Номер патента: US20200249083A1. Автор: ITO Kyosuke,Wakano Toshifumi,OTAKE Yusuke. Владелец: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION. Дата публикации: 2020-08-06.

CONTROL CIRCUITS FOR DYNAMICALLY BIASED AVALANCHE PHOTODIODES

Номер патента: US20160284878A1. Автор: ZARKESH-HA Payman,Hayat Majeed M.,Efroymson Robert. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-29.

Avalanche Photodiode Receiver

Номер патента: US20170328768A1. Автор: Williams George. Владелец: Voxtel, Inc.. Дата публикации: 2017-11-16.

AVALANCHE PHOTODIODE

Номер патента: US20180331246A1. Автор: Matsuzaki Hideaki,Muramoto Yoshifumi,Nada Masahiro,Nakajima Fumito. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-15.

STAIRCASE AVALANCHE PHOTODIODE WITH A STAIRCASE MULTIPLICATION REGION COMPOSED OF AN AlInAsSb ALLOY

Номер патента: US20160372623A1. Автор: Bank Seth,Maddox Scott,Sun Wenlu,Campbell Joe. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-22.

Avalanche photodiode

Номер патента: JPS5635479A. Автор: Masanori Ito,Takao Kaneda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1981-04-08.

Planar type heterojunction avalanche photodiode

Номер патента: EP0343970A3. Автор: Toshitaka Torikai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1990-05-23.

Avalanche photodiode and manufacturing method thereof

Номер патента: CN106711274A. Автор: 岳爱文,胡艳,钟行. Владелец: Accelink Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-24.

Avalanche photodiode

Номер патента: JPH0777271B2. Автор: 敦彦 日下部. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-08-16.

Avalanche photodiode

Номер патента: JPS62205673A. Автор: Tetsuo Sadamasa,定政　哲雄. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1987-09-10.

Avalanche photodiode

Номер патента: JP4728386B2. Автор: 忠夫 石橋,清後 安藤,好史 村本,史人 中島,春喜 横山. Владелец: NTT Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-20.

Avalanche photodiode and method of forming the same

Номер патента: KR101371401B1. Автор: 박미란,권오균. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2014-03-10.

Low dark-current avalanche photodiode

Номер патента: KR101783648B1. Автор: 문성욱,한상욱,정해용,박경호,김민수,신찬수,전동환,박원규,김상인. Владелец: (재)한국나노기술원. Дата публикации: 2017-10-10.

Avalanche photodiode and manufacturing method thereof

Номер патента: JP2682253B2. Автор: 真司 船場. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-11-26.

Avalanche photodiode

Номер патента: JPS55124278A. Автор: Hiroshi Kanbe,Hiroaki Ando. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1980-09-25.

Planar avalanche photodiode

Номер патента: JP2020107901A. Автор: Levine Barry,レヴィン、バリー. Владелец: Picometrix LLC. Дата публикации: 2020-07-09.

Avalanche photodiode

Номер патента: CN101180740A. Автор: 柳生荣治,石村荣太郎,中路雅晴. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2008-05-14.

SiC avalanche photodiode and fabrication method thereof

Номер патента: CN106653932A. Автор: 倪炜江. Владелец: Century Goldray Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-10.

Avalanche photodiode and its manufacture method

Номер патента: KR101080882B1. Автор: 김효진,기현철,김태언,김선훈,김회종,고항주. Владелец: 한국광기술원. Дата публикации: 2011-11-08.

A kind of ultraviolet avalanche photodiode

Номер патента: CN109037385A. Автор: 陆海,周东,渠凯军. Владелец: Zhenjiang Jia Xin Electro-Optical Technology Inc (us) 62 Martin Road Concord Massachusetts 017. Дата публикации: 2018-12-18.

Charge controlled avalanche photodiode and method of making the same

Номер патента: CA2473223A1. Автор: Cheng C. Ko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-07.

Low bulk leakage current avalanche photodiode

Номер патента: ES360557A1. Автор: . Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1970-07-16.

AVALANCHE PHOTODIODE WITH SILICON WITH LOW NOISE OF MULTIPLICATION

Номер патента: FR2641647A1. Автор: Robert John Mcintyre. Владелец: RCA Inc. Дата публикации: 1990-07-13.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE OF THE AVALANCHE PHOTODIODE TYPE AND PROCESS FOR PRODUCING SUCH A STRUCTURE

Номер патента: FR3000608A1. Автор: Johan Rothman. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2014-07-04.

HGCDTE AVALANCHE PHOTODIODE SENSITIVE TO WAVELENGTH RADIATION GREATER THAN 2 MM

Номер патента: FR2598558B1. Автор: Michel Royer,Yves Carpentier. Владелец: Societe Anonyme de Telecommunications SAT. Дата публикации: 1988-11-10.

Avalanche photodiode of the homo:junction type - based on gallium indium arsenide phosphide layers on an indium phosphide substrate

Номер патента: FR2406895A1. Автор: Thomas Pearsall. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1979-05-18.

AVALANCHE PHOTODIODE.

Номер патента: FR2618257B1. Автор: Paul Perry Webb. Владелец: RCA Inc. Дата публикации: 1992-02-14.

Avalanche photodiodes

Номер патента: EP0053513B1. Автор: Fukunobu Osaka,Tatsunori Shirai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1987-10-28.

Sequential mesa avalanche photodiode capable of realizing high sensitization and method of manufacturing the same

Номер патента: CA2403496A1. Автор: Yuichi Sasaki,Kazuo Mizuno,Jun Hiraoka. Владелец: Anritsu Corp. Дата публикации: 2003-03-18.

Planar avalanche photodiode

Номер патента: CN108075010A. Автор: 巴里·莱维尼. Владелец: Picometrix LLC. Дата публикации: 2018-05-25.

Avalanche photodiode structure

Номер патента: US7432537B1. Автор: Andrew S. Huntington. Владелец: Voxtel Inc. Дата публикации: 2008-10-07.

Heterojunction avalanche photodiode

Номер патента: EP0131437B1. Автор: Kenko Taguchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1988-05-25.

Avalanche photodiode

Номер патента: EP1713133A1. Автор: Tadao; c/o NTT ELECTRONICS CORPORATION ISHIBASHI,Seigo; Ando,Yukihiro; C/O NTT Intellectual Property HIROTA. Владелец: NTT Electronics Corp. Дата публикации: 2006-10-18.

Superlattice avalanche photodiode (APD)

Номер патента: US5543629A. Автор: Hitoshi Nakamura,Shoichi Hanatani,Koji Ishida,Shigehisa Tanaka,Tsukuru Ohtoshi,Yausunobu Matsuoka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1996-08-06.

method of manufacturing Avalanche Photodiode

Номер патента: KR101553817B1. Автор: 박찬용. Владелец: 주식회사 우리로. Дата публикации: 2015-10-01.

Avalanche photodiode

Номер патента: JP5045436B2. Автор: 栄治 柳生,栄太郎 石村,雅晴 中路. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2012-10-10.

Planar type avalanche photodiode

Номер патента: JP3177962B2. Автор: 功 渡邊. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-06-18.

Epitaxially grown avalanche photodiode

Номер патента: US20020070384A1. Автор: William Clark,Serguei An. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-13.

Avalanche photodiode

Номер патента: US7795639B2. Автор: Johan Rothman. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2010-09-14.

Sam avalanche photodiode detector with absorption region and multiplication region in individual isolated mesas

Номер патента: CA2670462A1. Автор: PING Yuan,Joseph C. Boisvert,Dmitri D. Krut,Rengarajan Sudharsanan. Владелец: Rengarajan Sudharsanan. Дата публикации: 2008-06-05.

Microchannel avalanche photodiode

Номер патента: KR101301897B1. Автор: 지라딘 야굽-오글리 사디고프. Владелец: 지코텍 메디컬 시스템즈 싱가포르 피티이. 리미티드. Дата публикации: 2013-08-29.

Method for silicon substrate APD (Avalanche Photodiode) infrared sensitivity enhancement

Номер патента: CN103746041A. Автор: 孙芳魁. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2014-04-23.

IMPROVED p-i-n AND AVALANCHE PHOTODIODES

Номер патента: EP0163720A1. Автор: Mcdonald Robinson,Gee-Kung Chang,Adrian Ralph Hartman. Владелец: AT&T Corp. Дата публикации: 1985-12-11.

A kind of III nitride semiconductor avalanche photodiode detector

Номер патента: CN106711253B. Автор: 江灏,李顺峰,罗睿宏. Владелец: Jiangsu Hua Hua Third Generation Semiconductor Industry Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-27.

Ge avalanche photodiode on Si substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: CN115188842A. Автор: 苗渊浩,亨利·H·阿达姆松. Владелец: Guangzhou Nuoer Optoelectronics Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-10-14.

Avalanche-photodiode semiconductor structure and method for manufacturing such a structure

Номер патента: EP2752893A1. Автор: Johan Rothman. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2014-07-09.

Silicon avalanche photodiode

Номер патента: JPS56158487A. Автор: Seiichi Nagai,Saburou Takamiya. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1981-12-07.

Method of fabricating a planar avalanche photodiode

Номер патента: US3514846A. Автор: William T Lynch. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1970-06-02.

Silicon carbide avalanche photodiode with novel small-dip-angle half mesa structure

Номер патента: CN104882510A. Автор: 陆海,杨森,周东,李良辉. Владелец: Zhenjiang Jia Xin Electro-Optical Technology Inc (us) 62 Martin Road Concord Massachusetts 017. Дата публикации: 2015-09-02.

Avalanche photodiode

Номер патента: US20050230706A1. Автор: Eitaro Ishimura,Nobuyuki Tomita,Eiji Yagyu,Masaharu Nakaji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2005-10-20.

Mesa avalanche photodiode with sidewall passivation

Номер патента: CA3191020A1. Автор: Alexandre W. WALKER,Oliver James PITTS. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 2022-03-03.

Avalanche photodiode

Номер патента: CA1237511A. Автор: Kazuo Nakajima,Takao Kaneda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1988-05-31.

Bonded wafer avalanche photodiode and method for manufacturing same

Номер патента: EP2013915A4. Автор: Henri Dautet,Richard Seymour. Владелец: PerkinElmer Canada Inc. Дата публикации: 2011-08-03.

Bonded wafer avalanche photodiode and method for manufacturing same

Номер патента: US20080012087A1. Автор: Henri Dautet,Richard Seymour. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-17.

Photodetection circuit using avalanche photodiode

Номер патента: JP3421103B2. Автор: 剛 太田,重樹 仲瀬,重幸 中村. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2003-06-30.

Avalanche photodiodes

Номер патента: EP0156156A1. Автор: Fukunobu c/o FUJITSU LIMITED Osaka,Tatsunori c/o FUJITSU LIMITED Shirai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1985-10-02.

Planar avalanche photodiode

Номер патента: EP1741127A1. Автор: Cheng C. Ko,Barry Levine. Владелец: Picometrix LLC. Дата публикации: 2007-01-10.

Avalanche photodiode detector

Номер патента: US20090008738A1. Автор: PING Yuan,Joseph C. Boisvert,Dmitri D. Krut,Rengarajan Sudharsanan. Владелец: Krut Dmitri D. Дата публикации: 2009-01-08.

Avalanche photodiodes

Номер патента: EP0043734A2. Автор: Fukunobu Osaka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1982-01-13.

MOUNTING OF AVALANCHE PHOTODIODE FOR THE DETECTION OF SINGLE PHOTONS

Номер патента: FR2984610A1. Автор: Andrew Holmes,John Brunel. Владелец: STMicroelectronics Grenoble 2 SAS. Дата публикации: 2013-06-21.

Low capacitance avalanche photodiode

Номер патента: US7049640B2. Автор: Joseph C. Boisvert,Rengarajan Sudharsanan. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2006-05-23.

Burying type avalanche photodiode and fabrication method thereof

Номер патента: US6635908B2. Автор: Kazuhiro Ito,Shinji Tsuji,Shigehisa Tanaka,Yasunobu Matsuoka,Tsukuru Ohtoshi,Sumiko Fujisaki,Tomohiro Ohno,Akira Taike. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-10-21.

A planar type heterostructure avalanche photodiode

Номер патента: EP0304048A3. Автор: Toshitaka C/O Nec Corporation Torikai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1990-05-23.

Bonded wafer avalanche photodiode and method for manufacturing same

Номер патента: CA2643938A1. Автор: Henri Dautet,Richard Seymour. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-25.

Avalanche photodiode

Номер патента: DE2456084C2. Автор: Baudouin de Orsay Cremoux. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1985-06-20.

Planar avalanche photodiode

Номер патента: US20040251483A1. Автор: Barry Levine,Cheng Ko. Владелец: Picometrix LLC. Дата публикации: 2004-12-16.

Avalanche photodiode

Номер патента: JP4220688B2. Автор: 康信 松岡,和弘 伊藤,彰 大家,寿美子 藤崎,創 大▲歳▼,滋久 田中,伸二 辻,智弘 大野. Владелец: 日本オプネクスト株式会社. Дата публикации: 2009-02-04.

Microchannel avalanche photodiode

Номер патента: CA2654034A1. Автор: Ziraddin Yagub-Ogly Sadygov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-06.

Planar heterojunction avalanche photodiode

Номер патента: JPH06101578B2. Автор: 喜正 杉本,俊敬 鳥飼,剣申 田口. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-12-12.

Three-terminal avalanche photodiode

Номер патента: US6794631B2. Автор: William R. Clark. Владелец: Corning Lasertron Inc. Дата публикации: 2004-09-21.

Avalanche photodiode with low breakdown voltage

Номер патента: KR20140106625A. Автор: 이민 캉,한-딘 딘 리우. Владелец: 인텔 코오퍼레이션. Дата публикации: 2014-09-03.

Sequential mesa avalanche photodiode capable of realizing high sensitization and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1294027A2. Автор: Yuichi Sasaki,Kazuo Mizuno,Jun Hiraoka. Владелец: Anritsu Corp. Дата публикации: 2003-03-19.

Avalanche photodiode

Номер патента: US20070096236A1. Автор: Eitaro Ishimura,Eiji Yagyu,Masaharu Nakaji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2007-05-03.

Avalanche photodiode and its manufacturing method

Номер патента: EP0159544B1. Автор: Yoshimasa Sugimoto,Toshitaka Torikai,Kenko Taguchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1988-12-28.

Sequential mesa avalanche photodiode capable of realizing high sensitization and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030052390A1. Автор: Yuichi Sasaki,Kazuo Mizuno,Jun Hiraoka. Владелец: Anritsu Corp. Дата публикации: 2003-03-20.

Silicon avalanche photodiode

Номер патента: GB9000633D0. Автор: . Владелец: RCA Inc. Дата публикации: 1990-03-14.

AlGaN-based avalanche photodiode with low noise and preparation method thereof

Номер патента: CN109148623B. Автор: 王玲,张燕,孙晓宇,李向阳,马丁,杨晓阳,刘福浩,许金通,刘诗嘉. Владелец: Shanghai Institute of Technical Physics of CAS. Дата публикации: 2020-06-26.

Platinum doped silicon avalanche photodiode

Номер патента: EP0571142A1. Автор: Ahmad Nadeem Ishaque. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1993-11-24.

Avalanche photodiode bias voltage control circuit

Номер патента: JP3956923B2. Автор: 守保 市野. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2007-08-08.

Electron avalanche photodiode

Номер патента: JPS5475995A. Автор: Pearusaru Toma. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1979-06-18.

Low-noise wide-spectral-response single photon avalanche photodiode and manufacturing method thereof

Номер патента: CN110246903B. Автор: 汪洋,金湘亮. Владелец: Hunan Normal University. Дата публикации: 2021-05-28.

Sequential mesa avalanche photodiode capable of realizing high sensitization and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040183095A1. Автор: Yuichi Sasaki,Kazuo Mizuno,Jun Hiraoka. Владелец: Anritsu Corp. Дата публикации: 2004-09-23.

Avalanche-photodiode

Номер патента: JPS61276272A. Автор: 裕司 高田,Yuji Takada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-12-06.

Silicon avalanche photodiode of 905 nm and manufacturing method thereof

Номер патента: CN104576809A. Автор: 李睿智,曾武贤. Владелец: CETC 44 Research Institute. Дата публикации: 2015-04-29.

Avalanche photodiode for photon counting applications and method thereof

Номер патента: TW586242B. Автор: James Vickers. Владелец: Optonics Inc. Дата публикации: 2004-05-01.

Avalanche photodiode having guard ring and method of manufacturing the same

Номер патента: EP0451852B1. Автор: Haruhiko C/O Intellectual Prop. Div. Okazaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-09-10.

Control circuits for dynamically biased avalanche photodiodes

Номер патента: WO2016154594A1. Автор: Majeed M. Hayat,Payman Zarkesh-Ha,Robert EFROYMSON. Владелец: Dynamic Photonics, Inc.. Дата публикации: 2016-09-29.

Semi-planar avalanche photodiode

Номер патента: GB2454121B. Автор: Alexandre Pauchard,Yimin Kang,Gadi Sarid. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2011-07-27.

Avalanche photodiode structure and method for manufacturing such a structure

Номер патента: EP3267493A1. Автор: Johan Rothman. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-01-10.

Avalanche photodiode

Номер патента: US8575650B2. Автор: Seigo Ando,Fumito Nakajima,Tadao Ishibashi,Haruki Yokoyama,Yoshifumi Muramoto. Владелец: NTT Electronics Corp. Дата публикации: 2013-11-05.

Process for the production of avalanche photodiodes

Номер патента: DE2457929C2. Автор: Oskar Dr.-Ing. 7900 Ulm Krumpholz,Stefan Dr.-Ing. 7911 Aufheim Maslowski. Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1985-02-14.

Avalanche photodiode structure

Номер патента: EP0426747B1. Автор: Lynn Davis,Myles Donald Angus Macbean. Владелец: British Telecommunications plc. Дата публикации: 1996-11-06.

Sam avalanche photodiode detector with absorption region and multiplication region in individual isolated mesas

Номер патента: WO2008066696A3. Автор: PING Yuan,Rengarajan Sudharsanan,Dmitri D Krut,Joseph C Boisvert. Владелец: Joseph C Boisvert. Дата публикации: 2008-11-06.

Avalanche photodiode structure and method

Номер патента: GB201008349D0. Автор: . Владелец: University of Sheffield. Дата публикации: 2010-07-07.

An avalanche photodiode structure

Номер патента: WO2021099769A3. Автор: Chee Hing Tan. Владелец: THE UNIVERSITY OF SHEFFIELD. Дата публикации: 2021-07-01.

Avalanche photodiode

Номер патента: JP4234116B2. Автор: 忠夫 石橋,幸弘 廣田,精後 安藤,好史 村本. Владелец: NTT Electronics Corp. Дата публикации: 2009-03-04.

Avalanche photodiode

Номер патента: EP2613365A1. Автор: Seigo Ando,Tadao Ishibashi,Haruki Yokoyama,Yoshifumi Muramoto,Masahiro Nada. Владелец: NTT Electronics Corp. Дата публикации: 2013-07-10.

Planar avalanche photodiode

Номер патента: AU2003214995A1. Автор: Cheng C. Ko,Barry Levine. Владелец: Picometrix LLC. Дата публикации: 2003-09-02.

Silicon avalanche photodiode with low multiplication noise

Номер патента: US4972242A. Автор: Robert J. Mcintyre. Владелец: RCA Inc. Дата публикации: 1990-11-20.

Avalanche photodiode gain control

Номер патента: WO2022029501A8. Автор: Srinath Ramaswamy,Baher Haroun,Gerd Schuppener,Miaad ALIROTEH. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2022-04-07.

Avalanche photodiode gain control

Номер патента: WO2022029501A1. Автор: Srinath Ramaswamy,Baher Haroun,Gerd Schuppener,Miaad ALIROTEH. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2022-02-10.

Avalanche photodiode

Номер патента: US20100163925A1. Автор: Seigo Ando,Tadao Ishibashi,Yoshifumi Muramoto,Yukihiro Hirota. Владелец: NTT Electronics Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Avalanche photodiode

Номер патента: EP2613365A4. Автор: Seigo Ando,Tadao Ishibashi,Haruki Yokoyama,Yoshifumi Muramoto,Masahiro Nada. Владелец: NTT Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-14.

Method and system for a focused field avalanche photodiode

Номер патента: EP3718144A4. Автор: Attila Mekis,Subal Sahni,Gianlorenzo Masini,Kam-Yan Hon. Владелец: Luxtera LLC. Дата публикации: 2021-09-22.

Avalanche-Photodiode und Methode zu deren Herstellung

Номер патента: DE69802739T2. Автор: Ghulam Hasnain,Chung-Yi Su,James N Hollenhorst. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2002-09-05.

Method of making a planar avalanche photodiode having a longwave sensitivity limit above 1.3 um

Номер патента: DE3377961D1. Автор: Reiner Dr Trommer. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1988-10-13.

Avalanche-Photodiode und Methode zu deren Herstellung

Номер патента: DE69802739D1. Автор: Ghulam Hasnain,Chung-Yi Su,James N Hollenhorst. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2002-01-17.

InGaAsSbN PHOTODIODE ARRAYS

Номер патента: US20110169048A1. Автор: John E. Bowers,Jonathan Geske,Michael MacDougal. Владелец: Aerius Photonics LLC. Дата публикации: 2011-07-14.

Waveguide integrated avalanche photodiode

Номер патента: CN110880539B. Автор: 潘栋,洪菁吟,黄梦园,苏宗一,邱德煌,李左玺. Владелец: Xifeng Photoelectric Technology Nanjing Co ltd. Дата публикации: 2021-09-24.

HgMnCdTe avalanche photodiode

Номер патента: US4862236A. Автор: Soo H. Shin,John G. Pasko,J. R. Anderson. Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1989-08-29.

On-p-GaAs substrate Zn1-xMgxSySe1-y pin photodiode and on-p-GaAs substrate Zn1-xMgxSySe1-y avalanche photodiode

Номер патента: US6861681B2. Автор: Takao Nakamura,Tomoki Abe,Koshi Ando. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2005-03-01.

Avalanche photodiode

Номер патента: EP2613366A4. Автор: Seigo Ando,Tadao Ishibashi,Haruki Yokoyama,Yoshifumi Muramoto,Masahiro Nada. Владелец: NTT Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-14.

DUAL MODE III-V SUPERLATTICE AVALANCHE PHOTODIODE

Номер патента: US20170012162A1. Автор: Ghosh Siddhartha. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2017-01-12.

Single photon avalanche photodiode

Номер патента: FR3091024A1. Автор: Denis Rideau,Dominique Golanski,Younes BENHAMMOU. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2020-06-26.

Avalanche Photodiodes with Defect-assisted Silicon Absorption Regions

Номер патента: US20150076641A1. Автор: Santori Charles M.,Fiorentino Marco,Beausoleil Raymond G.,Huang Zhihong. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-19.

METHOD OF FABRICATING AN AVALANCHE PHOTODIODE EMPLOYING SINGLE DIFFUSION

Номер патента: US20220093815A1. Автор: PITTS Oliver,SALEHZADEH EINABAD Omid. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 2022-03-24.

Avalanche photodiode structure

Номер патента: US20210175384A1. Автор: Guomin Yu. Владелец: Rockley Photonics Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Ge/Si Avalanche Photodiode With Integrated Heater And Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20160155883A1. Автор: Pan Dong,Cai Pengfei,Huang Mengyuan,Chen Wang,Shi Tuo,Li Su,Zhang Nai,Hong Ching-yin,Wang Liangbo. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-02.

BIASING VOLTAGE GENERATING CIRCUIT FOR AVALANCHE PHOTODIODE AND RELATED CONTROL CIRCUIT

Номер патента: US20160163886A1. Автор: WANG Shih-Wei. Владелец: Realtek Semiconductor Corp.. Дата публикации: 2016-06-09.

LOW VOLTAGE AVALANCHE PHOTODIODE WITH RE-ENTRANT MIRROR FOR SILICON BASED PHOTONIC INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20140252411A1. Автор: Kang Yimin,Liu Ansheng,Liu Han-Din D.. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-11.

Separate absorption charge and multiplication avalanche photodiode structure and method of making such a structure

Номер патента: US20210202764A1. Автор: Yusheng Bian,Ajey Poovannummoottil Jacob. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

LINEAR MODE AVALANCHE PHOTODIODES WITHOUT EXCESS NOISE

Номер патента: US20210217918A1. Автор: Chan Winston K.. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-15.

Microchannel avalanche photodiode (variants)

Номер патента: US20140291794A1. Автор: Ziraddin Yegub-Ogly Sadygov,Abdelmounairne Faouzi Zerrouk. Владелец: Zecotek Imaging Systems Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2014-10-02.

SINGLE-PHOTON AVALANCHE PHOTODIODE

Номер патента: US20200203547A1. Автор: Rideau Denis,Golanski Dominique,BENHAMMOU Younes. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-25.

Ge/Si Avalanche Photodiode With Integrated Heater And Fabrication Thereof

Номер патента: US20150243800A1. Автор: Pan Dong,Cai Pengfei,Huang Mengyuan,Chen Wang,Shi Tuo,Li Su,Zhang Nai,Hong Ching-yin,Wang Liangbo. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-27.

Quantum-Dot Based Avalanche Photodiodes on Silicon

Номер патента: US20200243701A1. Автор: Huang Zhihong,Zhang Chong,Zeng Xiaoge,LIANG DI,Tossoun Bassem,KURCZVEIL Geza,Beausoleil Raymond. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-30.

CYTOMETER SPERM SEX SENSING APPARATUS WITH AN AVALANCHE PHOTODIODE

Номер патента: US20190259901A1. Автор: Xia Zheng,Savage Frederick Hershel,Szejna Glenn J.. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-22.

AVALANCHE PHOTODIODE SENSOR, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20200295218A1. Автор: Wakano Toshifumi,OTAKE Yusuke. Владелец: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION. Дата публикации: 2020-09-17.

Avalanche photodiode with periodic nanostructure

Номер патента: CN106057957A. Автор: 张强,马健,潘建伟,江晓,丁迅,臧凯,霍秩杰,喻宗夫,詹姆斯S.哈里斯. Владелец: University of Science and Technology of China USTC. Дата публикации: 2016-10-26.

Planar avalanche photodiode and producting method thereof

Номер патента: KR101393080B1. Автор: 이기원,양경훈. Владелец: 한국과학기술원. Дата публикации: 2014-05-09.

Germanium-based avalanche photodiode structure coupled to Si-waveguide

Номер патента: GB2562481B. Автор: Yu Guomin. Владелец: Rockley Photonics Ltd. Дата публикации: 2020-04-01.

GaN (Gallium Nitrogen) avalanche photodiode assembly and manufacturing method thereof

Номер патента: CN106684203A. Автор: 吕强,吕志勤,黄臻. Владелец: Center (wuhan) Photoelectric Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-17.

Method of fabricating an avalanche photodiode employing single diffusion

Номер патента: CA3123461A1. Автор: Oliver PITTS,Omid SALEHZADEH EINABAD. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 2020-06-25.

Avalanche photodiode

Номер патента: US10297705B2. Автор: Fumito Nakajima,Hideaki Matsuzaki,Yoshifumi Muramoto,Masahiro Nada. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2019-05-21.

Avalanche photodiode and method for manufacturing same

Номер патента: WO2020195954A1. Автор: 史人 中島,允洋 名田,松崎　秀昭,友輝 山田. Владелец: 日本電信電話株式会社. Дата публикации: 2020-10-01.

Single-photon avalanche photodiode

Номер патента: US20230178677A1. Автор: Denis Rideau,Dominique Golanski,Younes BENHAMMOU. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-06-08.

Monolithic quantum cascade laser (QCL)/avalanche photodiode (APD) infrared transceiver

Номер патента: US11456577B2. Автор: Steven M. Stoltz,Terrell D. Neal. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2022-09-27.

Avalanche photodiode device with a curved absorption region

Номер патента: EP3940798A1. Автор: Joris Van Campenhout,Ashwyn SRINIVASAN,Maria Ioanna Pantouvaki. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-01-19.

Avalanche photodiode operating voltage selection algorithm

Номер патента: EP2556540A2. Автор: Aaron Johnson,Jr. James H. STEENSON,David Schorr. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2013-02-13.

Avalanche photodiode and method for manufacturing same

Номер патента: US11799047B2. Автор: Fumito Nakajima,Hideaki Matsuzaki,Yuki Yamada,Masahiro Nada. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Systems and methods for mitigating avalanche photodiode (apd) blinding

Номер патента: IL276620B1. Автор: Kiran Kumar Gunnam,Kanke Gao,Roger Jullian Pinto,Nitinkumar Sagarbhai Barot,Varadharajan Rajesh Ramalingam. Владелец: Varadharajan Rajesh Ramalingam. Дата публикации: 2024-02-01.

Systems and methods for mitigating avalanche photodiode (apd) blinding

Номер патента: EP3735593A4. Автор: Kiran Kumar Gunnam,Kanke Gao,Roger Jullian Pinto,Nitinkumar Sagarbhai Barot,Rajesh Ramalingam Varadharajan. Владелец: Velodyne Lidar USA Inc. Дата публикации: 2021-09-01.

Systems and methods for mitigating avalanche photodiode (apd) blinding

Номер патента: IL276620A. Автор: Kiran Kumar Gunnam,Kanke Gao,Roger Jullian Pinto,Nitinkumar Sagarbhai Barot,Varadharajan Rajesh Ramalingam. Владелец: Varadharajan Rajesh Ramalingam. Дата публикации: 2020-09-30.

Avalanche photodiode operating voltage selection algorithm

Номер патента: US20120080583A1. Автор: Aaron Johnson,James H. Steenson, Jr.,David Schorr. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2012-04-05.

Systems and methods for mitigating avalanche photodiode (apd) blinding

Номер патента: IL276620B2. Автор: Kiran Kumar Gunnam,Kanke Gao,Roger Jullian Pinto,Nitinkumar Sagarbhai Barot,Varadharajan Rajesh Ramalingam. Владелец: Varadharajan Rajesh Ramalingam. Дата публикации: 2024-06-01.

Photodiode array and optical microwave transmission system receiver

Номер патента: EP1879236A4. Автор: Eitaro Ishimura,Tomohiro Akiyama,Tsutomu Nagatsuka,Ryuji Ishii,Yoshihito Hirano,Masahito Sato,Toshitaka Aoyagi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2013-01-09.

High Speed Backside Illuminated, Front Side Contact Photodiode Array

Номер патента: US20140061843A1. Автор: Bui Peter Steven,Taneja Narayan Dass. Владелец: OSI OPTOELECTRONICS. Дата публикации: 2014-03-06.

Photodiode structure and photodiode array

Номер патента: JP3614184B2. Автор: ウエ・エッフェルシュバーグ. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2005-01-26.

METHOD FOR FORMING PASSIVATION AREA ON SEMICONDUCTOR DEVICE, INFRARED RADIATION SENSITIVE PHOTODIODE ARRAY, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND METHOD FOR PASSIVATING SURFACE OF BODY

Номер патента: FR2872345A1. Автор: Charles Cockrum,David R Rhiger,Eric F Schulte. Владелец: Santa Barbara Research Center. Дата публикации: 2005-12-30.

Photodiode array configured to increase electrical output power and optical microwave transmission system receiver utilizing the same

Номер патента: US7723666B2. Автор: Eitaro Ishimura,Tomohiro Akiyama,Tsutomu Nagatsuka,Ryuji Ishii,Yoshihito Hirano,Masahito Sato,Toshitaka Aoyagi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2010-05-25.

Photociode device and method of manufacture

Номер патента: GB2557303A. Автор: ZIMMER Alexander,GABLER Daniel,Henkel Christoph. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2018-06-20.

Cytometer sperm sex sensing apparatus with an avalanche photodiode

Номер патента: EP3682227A1. Автор: ZHENG Xia,Frederick SAVAGE,Glenn J. Szejna. Владелец: ABS Global Inc. Дата публикации: 2020-07-22.

Avalanche photodiode and cytometer sperm sex sensing apparatus

Номер патента: US20200220038A1. Автор: ZHENG Xia,Frederick SAVAGE,Glenn J. Szejna. Владелец: ABS Global Inc. Дата публикации: 2020-07-09.

Methods of sperm cell sensing utilizing an avalanche photodiode and cytometer apparatus

Номер патента: US20220246785A1. Автор: ZHENG Xia,Frederick SAVAGE,Glenn J. Szejna. Владелец: ABS Global Inc. Дата публикации: 2022-08-04.

Methods of sperm cell sensing utilizing an avalanche photodiode and cytometer apparatus

Номер патента: US20210098645A1. Автор: ZHENG Xia,Frederick SAVAGE,Glenn J. Szejna. Владелец: ABS Global Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Cytometer sperm sex sensing apparatus with an avalanche photodiode

Номер патента: US10333018B2. Автор: ZHENG Xia,Frederick Hershel Savage,Glenn J. Szejna. Владелец: Premium Genetics UK Ltd. Дата публикации: 2019-06-25.

Cytometer sperm sex sensing apparatus with an avalanche photodiode

Номер патента: US20190088813A1. Автор: ZHENG Xia,Frederick Hershel Savage,Glenn J. Szejna. Владелец: Premium Genetics UK Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Photodiode array output signal multiplexing

Номер патента: WO2008029284A3. Автор: Iiro Hietanen,Mikko Juntunen. Владелец: Mikko Juntunen. Дата публикации: 2008-07-24.

Photodiode array output signal multiplexing

Номер патента: WO2008029284A2. Автор: Iiro Hietanen,Mikko Juntunen. Владелец: DETECTION TECHNOLOGY OY. Дата публикации: 2008-03-13.

Photodetector array and method of manufacture

Номер патента: US09917118B2. Автор: Abdelmounaime Faouzi Zerrouk,Serge Khorev,Ziraddin Yagub-Ogly Sadygov,Azar Sadygov,Azman Mohd ARIFFIN. Владелец: Zecotek Imaging Systems Pte Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Low voltage avalanche photodiode with re-entrant mirror for silicon based photonic integrated circuits

Номер патента: EP2973729A1. Автор: Ansheng Liu,Han-Din D. Liu,Yamin Kang. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2016-01-20.

Avalanche photodiode structure

Номер патента: US12100773B2. Автор: Guomin Yu. Владелец: Rockley Photonics Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

SYSTEMS AND METHODS FOR MITIGATING AVALANCHE PHOTODIODE (APD) BLINDING

Номер патента: US20210231809A1. Автор: GUNNAM Kiran Kumar,GAO Kanke,RAMALINGAM VARADHARAJAN Rajesh,Barot Nitinkumar Sagarbhai,Pinto Roger Jullian. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-29.

PHOTODETECTOR INCLUDING A GEIGER MODE AVALANCHE PHOTODIODE AND AN INTEGRATED RESISTOR AND RELATED MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20190319158A1. Автор: Mazzillo Massimo Cataldo,Cinnera Martino Valeria. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-17.

Avalanche photodiode

Номер патента: US10686092B2. Автор: Salim BOUTAMI,Karim Hassan. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2020-06-16.

AVALANCHE PHOTODIODE WITH A GUARD RING STRUCTURE AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20140042581A1. Автор: Nam Eun Soo,Kwon Yong-hwan,KIM Kisoo,OH MyoungSook,MHEEN Bongki,SIM Jae-Sik. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2014-02-13.

Method for Fabricating an Avalanche Photodiode Device

Номер патента: US20220013682A1. Автор: Peter Verheyen,Joris Van Campenhout,Philippe Absil,Ashwyn SRINIVASAN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-01-13.

SILICON WAVEGUIDE INTEGRATED WITH SILICON-GERMANIUM (Si-Ge) AVALANCHE PHOTODIODE DETECTOR

Номер патента: US20190019903A1. Автор: Liao Shirong,Ye Jinlin. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-17.

Avalanche photodiode

Номер патента: US20190074397A1. Автор: Salim BOUTAMI,Karim Hassan. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2019-03-07.

AVALANCHE PHOTODIODE STRUCTURE

Номер патента: US20220140157A1. Автор: Yu Guomin. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-05.

Avalanche Photodiode and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20160351743A1. Автор: ZHAO Yanli,Liao Zhenxing,Yu Changliang. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-01.

Avalanche photodiode

Номер патента: EP3451389B1. Автор: Salim BOUTAMI,Karim Hassan. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2020-07-01.

A method for fabricating an avalanche photodiode device

Номер патента: EP3937262A1. Автор: Peter Verheyen,Joris Van Campenhout,Philippe Absil,Ashwyn SRINIVASAN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-01-12.

A kind of silicon avalanche photodiode component and preparation method thereof

Номер патента: CN106684172B. Автор: 吕强,吕志勤,黄臻. Владелец: Center (wuhan) Photoelectric Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-27.

Silicon avalanche photodiode assembly and manufacturing method therefor

Номер патента: CN106684172A. Автор: 吕强,吕志勤,黄臻. Владелец: Center (wuhan) Photoelectric Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-17.

Low voltage avalanche photodiode with re-entrant mirror for silicon based photonic integrated circuits

Номер патента: US9761746B2. Автор: Ansheng Liu,Yimin Kang,Han-Din D. Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

SURFACE MOUNT (SMT) CONNECTOR FOR VCSEL AND PHOTODIODE ARRAYS

Номер патента: US20130223800A1. Автор: Mohammed Edris M.. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-29.

Photodiode and Photodiode Array with Improved Performance Characteristics

Номер патента: US20130277786A1. Автор: Bui Peter Steven,Taneja Narayan Dass. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-24.

Photodiode and method for producing the same, photodiode array, spectrophotometer and solid-state imaging device

Номер патента: US9214489B2. Автор: Shigetoshi Sugawa,Rihito Kuroda. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-12-15.

Photodiode and manufacturing method thereof, photodiode array, spectrophotometer, and solid-state imaging device

Номер патента: JP5692880B2. Автор: 成利 須川,須川　成利,理人 黒田. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-04-01.

Photodiode array for e.g. X=ray computer tomographic machine

Номер патента: DE4442853A1. Автор: Martin Dipl Ing Schmidt,Werner Dipl Phys Dr Kuhlmann,Rolf Dipl Phys Dr Lindner,Roland Dipl Ing Ziegler. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1995-10-26.

Photodiodes without excess noise

Номер патента: US11362232B2. Автор: Winston K. Chan. Владелец: SRI International Inc. Дата публикации: 2022-06-14.

Photodiodes without excess noise

Номер патента: EP4027396A1. Автор: Winston K Chan. Владелец: Stanford Research Institute. Дата публикации: 2022-07-13.

Photodiodes without excess noise

Номер патента: WO2020013923A1. Автор: Winston K. Chan. Владелец: SRI INTERNATIONAL. Дата публикации: 2020-01-16.

Photodiodes and manufacture thereof

Номер патента: RU2468474C2. Автор: Томас ФРАХ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2012-11-27.

Photodiodes without excess noise

Номер патента: US20220209040A1. Автор: Winston K. Chan. Владелец: SRI International Inc. Дата публикации: 2022-06-30.

Photodiodes without excess noise

Номер патента: EP3821474A1. Автор: Winston K. Chan. Владелец: Stanford Research Institute. Дата публикации: 2021-05-19.

Sensor and distance measuring device

Номер патента: US20200292670A1. Автор: Hiroshi Kubota,Nobu Matsumoto. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Systems, methods, and devices for reducing optical and electrical crosstalk in photodiodes

Номер патента: EP4428934A2. Автор: John Hostetler,Xudong Jiang,Mark Itzler,Brian Piccione,Krystyna SLOMKOWSKI,Harold Y. Hwang. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-11.

Low-level light detector and low-level light imaging apparatus

Номер патента: US20060163454A1. Автор: Mikio Fujiwara,Makoto Akiba. Владелец: National Institute of Information and Communications Technology. Дата публикации: 2006-07-27.

Low-level light detector and low-level light imaging apparatus

Номер патента: US20070034781A1. Автор: Mikio Fujiwara,Makoto Akiba. Владелец: National Institute of Information and Communications Technology. Дата публикации: 2007-02-15.

Solid-state imaging element and imaging device with avalanche photodiode

Номер патента: US11799046B2. Автор: Atsushi Toda,Susumu Inoue,Yuhi Yorikado. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Microfabricated vacuum photodiode arrays for solar power

Номер патента: US12002255B1. Автор: David Roberts Winn. Владелец: Nvizix LLC. Дата публикации: 2024-06-04.

Microfabricated vacuum photodiode arrays for solar power

Номер патента: US10790403B1. Автор: David Roberts Winn. Владелец: Nvizix LLC. Дата публикации: 2020-09-29.

Avalanche photodiode circuits

Номер патента: EP2313929A1. Автор: David Dyer. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2011-04-27.

Optical differential amplifier for avalanche photodiodes and SiPM

Номер патента: DE102014103770B4. Автор: Frederic Laforce. Владелец: Excelitas Canada Inc. Дата публикации: 2018-10-31.

AVALANCHE PHOTODIODE

Номер патента: US20130168793A1. Автор: Ishibashi Tadao,Muramoto Yoshifumi,Nada Masahiro,Ando Seigo,Yokoyama Haruki. Владелец: NTT Electronics Corporation. Дата публикации: 2013-07-04.

SINGLE PHOTON DETECTOR IN THE NEAR INFRARED USING AN INGAAS/INP AVALANCHE PHOTODIODE OPERATED WITH A BIPOLAR RECTANGULAR GATING SIGNAL

Номер патента: US20130221221A1. Автор: Bouzid Abdessattar,Moon Sung Wook,Yi Dong Hoon,Kim Se Min. Владелец: KOREA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2013-08-29.

Differential Optical Receiver for Avalanche Photodiode and SiPM

Номер патента: US20140291487A1. Автор: Laforce Frederic. Владелец: EXCELITAS CANADA INC.. Дата публикации: 2014-10-02.

Avalanche photodiode with low breakdown voltage

Номер патента: US20170256671A1. Автор: Han-Din Liu,Yimin Kang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Detecting light using multiple avalanche photodiode elements

Номер патента: CN110888117B. Автор: 萨沙·施泰因科格勒,马丁·马拉,克劳斯·克莱门斯. Владелец: SICK AG. Дата публикации: 2022-11-15.

Method for calibrating and operating an uncooled avalanche photodiode optical receiver

Номер патента: US6313459B1. Автор: Ronald D. Hoffe,Collin G. Kelly,Marc A. Nadeau,Ping W. Wan,Ashley A. Truscott. Владелец: Nortel Networks Ltd. Дата публикации: 2001-11-06.

Single photon detector in the near infrared using an ingaas/inp avalanche photodiode operated with a bipolar rectangular gating signal.

Номер патента: WO2013002430A1. Автор: Abdessattar BOUZID,Sung Wook Moon,Dong Hoon Yi,Se Min Kim. Владелец: KOREA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2013-01-03.

Quantum dot based avalanche photodiode on silicon

Номер патента: CN111490114A. Автор: 张冲,G·库兹韦尔,梁迪,B.托森,曾小鸽,黄志宏,R·博索莱伊. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2020-08-04.

Avalanche photodiode package

Номер патента: JPS57188887A. Автор: Keijiro Nishimura. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1982-11-19.

Avalanche photodiode for use in harsh environments

Номер патента: CA2451295A1. Автор: Peter M. Sandvik,Dale M. Brown,Stephen D. Arthur,Kevin S. Matocha,James W. Kretchmer. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2004-06-10.

Avalanche photodiode optical receiver

Номер патента: CA2258260A1. Автор: Alistair John Price. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-12-11.

Avalanche photodiode sensor and distance measuring device

Номер патента: CN113287204A. Автор: 八木慎一郎,若野寿史. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-08-20.

METHOD AND DEVICE FOR STABILIZING AN AVALANCHE PHOTODIODE

Номер патента: FR2533073A1. Автор: Didier Beaudet,Pierre Nicole. Владелец: Societe Anonyme de Telecommunications SAT. Дата публикации: 1984-03-16.

QUANTUM POINT-BASED AVALANCHE PHOTODIODS ON SILICON

Номер патента: DE102020101240A1. Автор: Zhihong Huang,Di Liang,Geza Kurczveil,Chong Zhang,Raymond Beausoleil,Xiaoge Zeng,Bassem Tossoun. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2020-07-30.

Avalanche photodiode and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3089224A4. Автор: Zhenxing Liao,Changliang Yu,Yanli Zhao. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-26.

FRONT-SIDE ILLUMINATED, BACK-SIDE CONTACT DOUBLE-SIDED PN-JUNCTION PHOTODIODE ARRAYS

Номер патента: US20140093994A1. Автор: Bui Peter Steven,Taneja Narayan Dass. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-03.

Back illuminated photodiode array, manufacturing method and semiconductor device thereof

Номер патента: CN1714454A. Автор: 柴山胜己,能野隆文,石田雅之. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2005-12-28.

PHOTODIODE ARRAY

Номер патента: US20140110810A1. Автор: Sato Kenichi,Yamamura Kazuhisa,NAGANO Terumasa,TSUCHIYA Ryutaro,YAMAMOTO Koei. Владелец: HAMAMATSU PHOTONICS K.K.. Дата публикации: 2014-04-24.

Backside-illuminated photodiode array, method for manufacturing same, and semiconductor device

Номер патента: AU2003280857A1. Автор: Masayuki Ishida,Katsumi Shibayama,Takafumi Yokino. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2004-06-15.

Light detection device

Номер патента: US20210134862A1. Автор: Takashi Baba,Atsushi Ishida,Terumasa Nagano. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2021-05-06.

Apparatus and method for controlling the voltage applied to a single photon avalanche photodiode (spad)

Номер патента: EP3660473B1. Автор: John Kevin Moore. Владелец: STMicroelectronics Research and Development Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

AVALANCHE PHOTODIODE

Номер патента: US20130154045A1. Автор: Ishibashi Tadao,Muramoto Yoshifumi,Nada Masahiro,Ando Seigo,Yokoyama Haruki. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-20.

Avalanche photodiode sensor, and electronic device

Номер патента: EP3721483B1. Автор: Yusuke Otake,Toshifumi Wakano. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-11-30.

Radio frequency transmitter with on-chip photodiode array

Номер патента: US20080056734A1. Автор: Ahmadreza (Reza) Rofougaran. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2008-03-06.

Radio frequency transmitter with on-chip photodiode array

Номер патента: US7877026B2. Автор: Ahmadreza (Reza) Rofougaran. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2011-01-25.

Radio frequency transmitter with on-chip photodiode array

Номер патента: EP1895670A3. Автор: Ahmadreza Rofougaran. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2011-12-21.

High spatial resolution solid-state image sensor with distributed photomultiplier

Номер патента: US12094911B2. Автор: Matteo Perenzoni. Владелец: Fondazione Bruno Kessler. Дата публикации: 2024-09-17.

High spatial resolution solid-state image sensor with distributed photomultiplier

Номер патента: WO2020240302A1. Автор: Matteo Perenzoni. Владелец: Fondazione Bruno Kessler. Дата публикации: 2020-12-03.

Light detection device

Номер патента: US09825071B2. Автор: Takashi Baba,Tomofumi Suzuki,Noburo Hosokawa,Terumasa Nagano. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2017-11-21.

Light detecting device and system

Номер патента: US12107174B2. Автор: Dan Luo,Tatsuki Nishino. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Light detecting device and system

Номер патента: EP4034908A1. Автор: Dan Luo,Tatsuki Nishino. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-08-03.

Process of manufacturing an avalanche diode

Номер патента: US20180309012A1. Автор: Kevin Michael O'neill,John Carlton Jackson,Liam Wall. Владелец: Sensl Technologies Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Image sensor and control method thereof, image capturing apparatus, and image processing apparatus

Номер патента: US20200288077A1. Автор: Norio Negishi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-09-10.

Photoelectric conversion apparatus, photoelectric conversion system, and moving body

Номер патента: US20240171880A1. Автор: Takuya Hara,Masanori Ogura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Improved solid-state photomultiplier device and method for controlling said photomultiplier device

Номер патента: EP3061132A1. Автор: Alberto Gola,Claudio Piemonte. Владелец: Fondazione Bruno Kessler. Дата публикации: 2016-08-31.

Improved solid-state photomultiplier device and method for controlling said photomultiplier device

Номер патента: WO2015059663A1. Автор: Alberto Gola,Claudio Piemonte. Владелец: Fondazione Bruno Kessler. Дата публикации: 2015-04-30.

Photoelectric sensor and manufacturing method therefor, and display device

Номер патента: EP3633726A1. Автор: Xue Dong,Rui Xu,Haisheng Wang,Yingming Liu,Chunwei Wu,Yuzhen GUO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-08.

Temperature compensated avalanche photodiode optical receiver circuit

Номер патента: US4438348A. Автор: William B. Ashley,Paul W. Casper. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1984-03-20.

Photoelectric conversion apparatus using avalanche photodiodes with different sensitivity to light

Номер патента: US11846542B2. Автор: Kazuo Yamazaki,Yukihiro Kuroda. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Method to identify wavelength of incoming light by avalanche photodiode, method to control optical transceiver, and optical transceiver performing the same

Номер патента: US20140332686A1. Автор: Shimako Anzai. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2014-11-13.

Electric circuit arrangement and method for checking the intactness of a photodiode array

Номер патента: US20040004178A1. Автор: Christian Schirp,Frank BLÄSING. Владелец: Leopold Kostal GmbH and Co KG. Дата публикации: 2004-01-08.

Method to identify wavelength of incoming light by avalanche photodiode, method to control optical transceiver, and optical transceiver performing the same

Номер патента: US9178621B2. Автор: Shimako Anzai. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2015-11-03.

Active quench circuit and reset circuit for avalanche photodiode

Номер патента: US5532474A. Автор: Henri P. E. G. Dautet,Joseph D. P. DesChamps. Владелец: EG&G Ltd Canada. Дата публикации: 1996-07-02.

In-situ power monitor having an extended range to stabilize gain of avalanche photodiodes across temperature variations

Номер патента: EP1929506A2. Автор: Shinkyo Kaku,Vitali Tikhonov. Владелец: Allied Telesis Inc. Дата публикации: 2008-06-11.

In-situ power monitor having an extended range to stabilize gain of avalanche photodiodes across temperature variations

Номер патента: CA2618208A1. Автор: Shinkyo Kaku,Vitali Tikhonov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-15.

Dynamic measurement of and compensation for impairments to optical data communication pulses using photon-counting silicon avalanche photodiode

Номер патента: US20040151495A1. Автор: Chunhui Xu,Jeffrey Roth,Wayne Knox. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2004-08-05.

Compact imager including a plurality of photodiode arrays

Номер патента: US5241377A. Автор: Osamu Kaneda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-08-31.

CYTOMETER SPERM SEX SENSING APPARATUS WITH AN AVALANCHE PHOTODIODE

Номер патента: US20190088813A1. Автор: Xia Zheng,Savage Frederick Hershel,Szejna Glenn J.. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-21.

MONOLITHIC QUANTUM CASCADE LASER (QCL)/AVALANCHE PHOTODIODE (APD) INFRARED TRANSCEIVER

Номер патента: US20220037858A1. Автор: Stoltz Steven M.,Neal Terrell D.. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-03.

METHODS OF SPERM CELL SENSING UTILIZING AN AVALANCHE PHOTODIODE AND CYTOMETER APPARATUS

Номер патента: US20210098645A1. Автор: Xia Zheng,Szejna Glenn J.,Savage Frederick. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-01.

AVALANCHE PHOTODIODE AND CYTOMETER SPERM SEX SENSING APPARATUS

Номер патента: US20200220038A1. Автор: Xia Zheng,Szejna Glenn J.,Savage Frederick. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-09.

Photomultiplier tube with an avalanche photodiode, a flat input end and conductors which simulate the potential distribution in a photomultiplier tube having a spherical-type input end

Номер патента: EP0761013A1. Автор: Dennis E. Persyk. Владелец: Siemens Medical Systems Inc. Дата публикации: 1997-03-12.

Time Constant Decreasing Method Of Driving Circuit For Driving Laser Diode or Avalanche Photodiode And Driving Circuit Thereof

Номер патента: KR101251202B1. Автор: 김태경,조병모,최안식. Владелец: (주)큐에스아이. Дата публикации: 2013-04-08.

Solid-state image sensor and imaging device

Номер патента: US20230300494A1. Автор: Kazuki HIZU. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Light sensing device

Номер патента: WO2024128103A1. Автор: Ryoichi Nakamura,Hajime Yamagishi,Hidenobu Tsugawa,Yoshiki Ebiko. Владелец: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION. Дата публикации: 2024-06-20.

Photoelectric conversion device, photoelectric conversion system, and moving body

Номер патента: US20240267651A1. Автор: Tomoya Sasago. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Photodetection device, semiconductor photodetection element, and method for driving semiconductor photodetection element

Номер патента: US20240304644A1. Автор: Shigeyuki Nakamura,Terumasa Nagano,Shunsuke Adachi,Ryutaro Tsuchiya,Shinya IWASHINA. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor Device and Method for Making the Same

Номер патента: EP2709154A3. Автор: Alexey Vert,Peter Almern Losee,Ahmed Elasser,Stanislav Ivanovich Soloviev,Alexander Viktorovich Bolotnikov. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-10-18.

Hybrid photodiode/APD focal plane array for solid state low light level imagers

Номер патента: US20130048858A1. Автор: Michael Gertsenshteyn. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2013-02-28.

Hybrid photodiode/APD focal plane array for solid state low light level imagers

Номер патента: US8471205B2. Автор: Michael Gertsenshteyn. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2013-06-25.

Photodetector device

Номер патента: US20200370954A1. Автор: Takashi Baba,Kenji Makino,Takuya Fujita,Koei Yamamoto,Yusei Tamura. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2020-11-26.

Photodetector device

Номер патента: EP4230974A1. Автор: Takashi Baba,Kenji Makino,Takuya Fujita,Koei Yamamoto,Yusei Tamura. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-08-23.

Photodetector device

Номер патента: EP3745102A1. Автор: Takashi Baba,Kenji Makino,Takuya Fujita,Koei Yamamoto,Yusei Tamura. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2020-12-02.

Photodetector device

Номер патента: US20230358607A1. Автор: Takashi Baba,Kenji Makino,Takuya Fujita,Yusei Tamura,Koel Yamamoto. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-11-09.

Light receiving element and ranging system

Номер патента: US20240313022A1. Автор: Hiroki Hiyama,Shohei SHIMADA. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Light-receiving element and ranging system

Номер патента: EP4276905A1. Автор: Hiroki Hiyama,Shohei SHIMADA. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-11-15.

High-sensitive (single-photon) integrated avalanche photodetector

Номер патента: RU2333570C1. Автор: Владимир Александрович Зимогляд,Игорь Валерьевич Ванюшин,Юрий Иванович Тишин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью ООО "Юник Ай Сиз". Дата публикации: 2008-09-10.

SILICON PHOTOMULTIPLIER (SiPM) HAVING AN IMPROVED SIGNAL-TO-NOISE RATIO

Номер патента: WO2024073653A2. Автор: Erez Tadmor,Colin Barry,Steven John BUCKLEY,Vincenzo SESTA. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

SILICON PHOTOMULTIPLIER (SiPM) HAVING AN IMPROVED SIGNAL-TO-NOISE RATIO

Номер патента: WO2024073653A3. Автор: Erez Tadmor,Colin Barry,Steven John BUCKLEY,Vincenzo SESTA. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2024-05-02.

Butt-coupled avalanche photodiode

Номер патента: EP4258031A1. Автор: Vincent Lecoeuche. Владелец: VIAVI SOLUTIONS INC. Дата публикации: 2023-10-11.

Discriminating photo counts and dark counts in an avalanche photodiode

Номер патента: US09835490B2. Автор: George Williams,Andrew Huntington. Владелец: Voxtel Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Spectrophotometer including photodiode array

Номер патента: US20150138546A1. Автор: Masahide Gunji. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2015-05-21.

Optical encoder using ring-configured photodiode array

Номер патента: GB2432664A. Автор: Chee Foo Lum,Weng Fei Wong. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2007-05-30.

Method for operating a photodiode array spectrometer and photodiode array spectrometer

Номер патента: US5116123A. Автор: Hubert Kuderer. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1992-05-26.

Light detection and ranging receiver with avalanche photodiodes

Номер патента: US12013495B2. Автор: Jimmy ZHENG,Srikanth Ramakrishnan. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2024-06-18.

Active quenching circuit for avalanche photodiodes

Номер патента: US4963727A. Автор: Sergio Cova. Владелец: Consiglio Nazionale delle Richerche CNR. Дата публикации: 1990-10-16.

Avalanche photodiode biasing system including a current mirror, voltage-to-current converter circuit, and a feedback path sensing an avalanche photodiode voltage

Номер патента: US8901475B1. Автор: Daniel Joffe,Phillip Herron. Владелец: Adtran Inc. Дата публикации: 2014-12-02.

Avalanche photodiode controller circuit for fiber optics transceiver

Номер патента: AU2003215192A1. Автор: Andreas Weber,Anthony Ho,James Stewart,Rudolf J. Hofmeister,Darin J. Douma,Lucy Grace Hosking,Jeffrey B. Price. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2003-09-04.

Automatic avalanche photodiode bias setting system based on unity-gain noise measurement

Номер патента: IL220418A. Автор: . Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2016-04-21.

Quantum key distribution information leakage due to backflashes in single photon avalanche photodiodes

Номер патента: US12015700B2. Автор: Daniel T. Stack,Stephen P. Pappas,Brandon V. RODENBURG,Colin P. LUALDI. Владелец: Mitre Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Automatic avalanche photodiode bias setting system based on unity-gain noise measurement

Номер патента: IL195988A0. Автор: . Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2009-09-01.

Avalanche photodiode controller circuit for fiber optics transceiver

Номер патента: AU2003215192A8. Автор: Andreas Weber,Anthony Ho,James Stewart,Lucy Grace Hosking,Rudolf J Hofmeister,Darin J Douma,Jeffrey B Price. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2003-09-04.

Avalanche photodiode based imager with increased field-of-view

Номер патента: US20170026556A1. Автор: Igor Kudryashov,Samuel Richard Wilton,Evgenii Yuryevich Kotelnikov,Sabbir Sajjad Rangwala. Владелец: Princeton Lightwave LLC. Дата публикации: 2017-01-26.

Automatic avalanche photodiode bias setting system based on unity-gain noise measurement

Номер патента: EP2052477A2. Автор: Robert W. Byren. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2009-04-29.

Avalanche photodiode based imager with increased field-of-view

Номер патента: US09851556B2. Автор: Igor Kudryashov,Samuel Richard Wilton,Evgenii Yuryevich Kotelnikov,Sabbir Sajjad Rangwala. Владелец: Argo AI LLC. Дата публикации: 2017-12-26.

AVALANCHE PHOTODIODE BASED IMAGER WITH INCREASED FIELD-OF-VIEW

Номер патента: US20170026556A1. Автор: KUDRYASHOV Igor,Kotelnikov Evgenii Yuryevich,Wilton Samuel Richard,Rangwala Sabbir Sajjad. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-26.

Quantum key distribution information leakage due to backflashes in single photon avalanche photodiodes

Номер патента: US20210075602A1. Автор: Daniel T. Stack,Stephen P. Pappas,Brandon V. RODENBURG,Colin P. LUALDI. Владелец: Mitre Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Logarithmic scale analog to digital converter for wide dynamic range avalanche photodiode current companding

Номер патента: US10794761B2. Автор: Xin Qi,Eric Stephen Young,Qiuzhong Wu. Владелец: Linear Technology Holding LLC. Дата публикации: 2020-10-06.

Avalanche Photodiode Bias Control in Passive Optical Networks

Номер патента: US20140003808A1. Автор: Cheng Ning,Wei Guo,Liao Zhenxing. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-02.

NETWORK MONITORING USING THIN FILM SPLITTERS AND AVALANCHE PHOTODIODE DETECTORS IN MULTIMODE APPLICATION

Номер патента: US20150050017A1. Автор: Vuppuladhadium Rama,Wang Chi-Luen,Chung Jeff,MARCOLINA JOHN. Владелец: Virtual Instruments Corporation. Дата публикации: 2015-02-19.

QUANTUM KEY DISTRIBUTION INFORMATION LEAKAGE DUE TO BACKFLASHES IN SINGLE PHOTON AVALANCHE PHOTODIODES

Номер патента: US20210075602A1. Автор: Stack Daniel T.,PAPPAS Stephen P.,RODENBURG Brandon V.,LUALDI Colin P.. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-11.

LOGARITHMIC SCALE ANALOG TO DIGITAL CONVERTER FOR WIDE DYNAMIC RANGE AVALANCHE PHOTODIODE CURRENT COMPANDING

Номер патента: US20200149958A1. Автор: Qi Xin,Young Eric Stephen,Wu Qiuzhong. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-14.

QUANTUM KEY DISTRIBUTION INFORMATION LEAKAGE DUE TO BACKFLASHES IN SINGLE PHOTON AVALANCHE PHOTODIODES

Номер патента: US20190190706A1. Автор: Stack Daniel T.,Pappas Stephen,Rodenburg Brandon,Lualdi Colin. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

QUANTUM KEY DISTRIBUTION INFORMATION LEAKAGE DUE TO BACKFLASHES IN SINGLE PHOTON AVALANCHE PHOTODIODES

Номер патента: US20200244449A1. Автор: Stack Daniel T.,PAPPAS Stephen P.,RODENBURG Brandon V.,LUALDI Colin P.. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-30.

PHOTOELECTRIC CONVERSION APPARATUS USING AVALANCHE PHOTODIODES WITH DIFFERENT SENSITIVITY TO LIGHT

Номер патента: US20210389176A1. Автор: Kuroda Yukihiro,Yamazaki Kazuo. Владелец: . Дата публикации: 2021-12-16.

Circuit structure used for driving silicon-based avalanche photodiode

Номер патента: CN105827236A. Автор: 谢峰. Владелец: Hefei Huixin Semiconductor Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-03.

Avalanche photodiode optimizing apparatus for receiving multilevel optical signal and method thereof

Номер патента: KR101953859B1. Автор: 박성훈,백준현,서인식. Владелец: (주)자람테크놀로지. Дата публикации: 2019-03-05.

Precision avalanche photodiode current monitor

Номер патента: US6919716B1. Автор: Kevin Buehler. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2005-07-19.

Local Oscillator for the Generation of an HF-Signal to be Directly Mixed by Avalanche-Photodiodes

Номер патента: EP1191697A2. Автор: Andreas Winter,Torsten Gogolla,Helmut Seifert. Владелец: Hilti AG. Дата публикации: 2002-03-27.

Light receiver and a method for reading out avalanche photodiodes

Номер патента: EP3339820A1. Автор: Gottfried Hug,Klaus Clemens,Stefan Seitz. Владелец: SICK AG. Дата публикации: 2018-06-27.

Controlling the multiplication factor of avalanche photodiodes in optical receivers

Номер патента: EP0282801B1. Автор: Jürgen Dipl.-Ing. Burgmeier,Franz-Josef Dipl.-Ing. Quirin. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1992-04-29.

Unit cells with avalanche photodiode detectors

Номер патента: WO2012087717A3. Автор: James T. Woolaway,John D. Schlesselmann. Владелец: FLIR SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2012-09-27.

In-situ power monitor having an extended range to stabilize gain of avalanche photodiodes across temperature variations

Номер патента: US20070057160A1. Автор: Shinkyo Kaku,Vitali Tikhonov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-15.

Avalanche photodiode gain compensation for wide dynamic range

Номер патента: US20230062555A1. Автор: Kevin A. Gomez,Walter R. Eppler,Adam R. BUSH. Владелец: Luminar Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

In-situ power monitor having an extended range to stabilize gain of avalanche photodiodes across temperature variations

Номер патента: IL189319A0. Автор: . Владелец: Allied Telesis Inc. Дата публикации: 2008-08-07.

Logarithmic scale analog to digital converter for wide dynamic range avalanche photodiode current companding

Номер патента: US20200149958A1. Автор: Xin Qi,Eric Stephen Young,Qiuzhong Wu. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2020-05-14.

Quantum key distribution information leakage due to backflashes in single photon avalanche photodiodes

Номер патента: US20200244449A1. Автор: Daniel T. Stack,Stephen P. Pappas,Brandon V. RODENBURG,Colin P. LUALDI. Владелец: Mitre Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

CONVERTER ARRAY, DETECTOR, AND PHOTODIODE ARRAY

Номер патента: US20210011179A1. Автор: NISHIJIMA Akira. Владелец: Canon Medical Systems Corporation. Дата публикации: 2021-01-14.

Converter array, detector, and photodiode array

Номер патента: US11650337B2. Автор: Akira Nishijima. Владелец: Canon Medical Systems Corp. Дата публикации: 2023-05-16.

Photodiode Array Device Arranged in Matrix

Номер патента: KR840008859A. Автор: 포트히하이머(외 1) 로베르트. Владелец: 포트히하이머(외 1) 로베르트. Дата публикации: 1984-12-19.

Illumination level measurement using a photodiode array

Номер патента: FR2771513A1. Автор: Thierry Ducourant,Christophe Chaussat. Владелец: Trixell SAS. Дата публикации: 1999-05-28.

Photodiode array

Номер патента: EP0967793A1. Автор: Hubert Kuderer. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1999-12-29.

A method for improving the signal-to-noise ratio of measurements made using a self-scanning linear photodiode array

Номер патента: DE112005000309B4. Автор: Anthony C. Gilby. Владелец: Waters Technologies Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Noise reduction device for photodiode array

Номер патента: JP2771879B2. Автор: ジェイ・ダニエル・スミスコ. Владелец: HP Inc. Дата публикации: 1998-07-02.

Device for a matrix-arranged photodiode array

Номер патента: JPH0695012B2. Автор: ホルクハイメル，ロ−ベルト,エードマルク，アンデシユ. Владелец: アイヴィピー インテグレイテッド ヴイジョン プロダクツ アクチボラグ. Дата публикации: 1994-11-24.

Image sensor including photodiode array comprising a first transistor coupled to a photodiode to receive a column enable signal and a second transistor coupled to the photodiode to receive a column disable signal

Номер патента: US11815393B2. Автор: Neale Dutton. Владелец: STMicroelectronics Research and Development Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Avalanche photodiode array-based reading circuit and photoelectric detector

Номер патента: CN113138019A. Автор: 郭凡,鲁文高,张雅聪,陈中建. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-07-20.

Avalanche photodiode array-based reading circuit and photoelectric detector

Номер патента: CN113138019B. Автор: 郭凡,鲁文高,张雅聪,陈中建. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-04-15.

Resonant cavity photodiode array for rapid dna microarray readout

Номер патента: WO2004051241A2. Автор: Roger G. Little,Kurt J. Linden. Владелец: SPIRE CORPORATION. Дата публикации: 2004-06-17.

AVALANCHE PHOTODIODE

Номер патента: RU2020112372A. Автор: Азер Зираддин оглы Садыгов. Владелец: "Институт Радиационных Проблем" Национальной Академии Наук Азербайджана. Дата публикации: 2021-09-24.

Method for measuring optical input power by avalanche photodiode

Номер патента: US20110292381A1. Автор: Moriyasu Ichino,Tetsu Murayama. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

Photodiode array for an optical encoder, photodiode detection system, and optical encoder

Номер патента: US20090084945A1. Автор: Ruth E. Franklin. Владелец: Renco Encoders Inc. Дата публикации: 2009-04-02.

Textured pattern sensing and detection, and using a charge-scavenging photodiode array for the same

Номер патента: US20110261191A1. Автор: Robert W. Byren,Darin S. Williams. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2011-10-27.

Light Receiver Having a Plurality of Avalanche Photodiode Elements in Geiger Mode and Method for Temperature Compensation

Номер патента: US20180180471A1. Автор: Seitz Stefan,MARRA Martin. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-28.

Light Receiver Having a Plurality of Avalanche Photodiode Elements and Method for Supplying a Bias Voltage

Номер патента: US20180180473A1. Автор: Gottfried Hug,Klaus Clemens,Stefan Seitz,Sebastian Tschuch. Владелец: SICK AG. Дата публикации: 2018-06-28.

METHOD TO IDENTIFY WAVELENGTH OF INCOMING LIGHT BY AVALANCHE PHOTODIODE, METHOD TO CONTROL OPTICAL TRANSCEIVER, AND OPTICAL TRANSCEIVER PERFORMING THE SAME

Номер патента: US20140332686A1. Автор: Anzai Shimako. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC.. Дата публикации: 2014-11-13.

Image projection of reflective display using photodiode array light source

Номер патента: GB2397660A. Автор: Hsiao Yi Li,Hung Lung Cheng. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2004-07-28.

UNIT CELLS WITH AVALANCHE PHOTODIODE DETECTORS

Номер патента: US20130277561A1. Автор: Woolaway James T.,Schlesselmann John D.. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-24.

DISCRIMINATING PHOTO COUNTS AND DARK COUNTS IN AN AVALANCHE PHOTODIODE OUTPUT

Номер патента: US20130299673A1. Автор: WILLIAMS George M.,HUNTINGTON Andrew S.. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-14.

DETECTING LIGHT USING A PLURALITY OF AVALANCHE PHOTODIODE ELEMENTS

Номер патента: US20200057146A1. Автор: STEINKOGLER Sascha,CLEMENS Klaus,MARRA Martin. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-20.

LIGHT DETECTION AND RANGING RECEIVER WITH AVALANCHE PHOTODIODES

Номер патента: US20210063544A1. Автор: Zheng Jimmy,RAMAKRISHNAN Srikanth. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-04.

MODULATION OF INPUT TO GEIGER MODE AVALANCHE PHOTODIODE LIDAR USING DIGITAL MICROMIRROR DEVICES

Номер патента: US20160109561A1. Автор: Clifton William E.. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-21.

AVALANCHE PHOTODIODE IN A PHOTONIC INTEGRATED CIRCUIT WITH A WAVEGUIDE OPTICAL SAMPLING DEVICE

Номер патента: US20170122804A1. Автор: Cao Bin,LOGAN Dylan. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

GAMMA DETECTOR BASED ON GEIGERMODE AVALANCHE PHOTODIODES

Номер патента: US20140246594A1. Автор: PICHLER Bernd,KOLB Armin,LORENZ Eckart. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-04.

LIGHT RECEIVER HAVING A PLURALITY OF AVALANCHE PHOTODIODE ELEMENTS AND METHOD FOR DETECTING LIGHT

Номер патента: US20180180470A1. Автор: Seitz Stefan. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-28.

LIGHT RECEIVER AND METHOD FOR READING OUT AVALANCHE PHOTODIODES IN GEIGER MODE

Номер патента: US20180180472A1. Автор: Seitz Stefan,CLEMENS Klaus,HUG Gottfried. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-28.

DISCRIMINATING PHOTO COUNTS AND DARK COUNTS IN AN AVALANCHE PHOTODIODE

Номер патента: US20150338270A1. Автор: Williams George,Huntington Andrew. Владелец: Voxtel, Inc.. Дата публикации: 2015-11-26.

Device for measuring characteristics of avalanche photodiode

Номер патента: SU1051470A2. Автор: Владимир Станиславович Кретулис,Сергей Васильевич Свечников,Валентин Александрович Афанасьев,Александр Викторович Иевский,Владимир Николаевич Шапарь. Владелец: Институт Полупроводников Ан Усср. Дата публикации: 1983-10-30.

Avalanche photodiode

Номер патента: RU2294035C2. Автор: Зираддин Ягуб-оглы Садыгов. Владелец: Зираддин Ягуб-оглы Садыгов. Дата публикации: 2007-02-20.

Device for measuring avalanche photodiode characteristics

Номер патента: SU532064A1. Автор: Анатолий Павлович Чурсин,Михаил Алексеевич Тришенков,Ольга Михайловна Берлизова. Владелец: Предприятие П/Я А-3726. Дата публикации: 1976-10-15.

Avalanche photodiode bias voltage regulating circuit based on negative pressure regulation

Номер патента: CN110750128B. Автор: 杨涛,张波,甄少伟,杨芮,许王帅,谢泽亚. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2020-06-16.

METHOD AND DEVICE FOR HETERODYNE DETECTION, USING AN AVALANCHE PHOTODIODE, OF AMPLITUDE MODULATED LIGHT RADIATION, AND APPLICATIONS TO TELEMETRY

Номер патента: FR2580391B1. Автор: Charles,Jean-Pierre,Yvon Bouzinac,Bertrand Jean Xavier Morbieu. Владелец: Office National dEtudes et de Recherches Aerospatiales ONERA. Дата публикации: 1989-12-29.

QUENCH CIRCUIT FOR AVALANCHE PHOTODIODS.

Номер патента: DE3780647T2. Автор: Robin Jones,Dennis Ridley. Владелец: UK Secretary of State for Defence. Дата публикации: 1993-03-11.

Method of determining frequency characteristics of photodetecting device with avalanche photodiode

Номер патента: SU1429047A1. Автор: Андрей Владимирович Боголюбов. Владелец: Предприятие П/Я В-2548. Дата публикации: 1988-10-07.

Monolithic circuit of active quenching and active reset for avalanche photodiodes

Номер патента: EP1132725A2. Автор: Franco Zappa,Sergio Cova,Massimo Ghioni. Владелец: Politecnico di Milano. Дата публикации: 2001-09-12.

Avalanche photodiode

Номер патента: RU2102821C1. Автор: Зираддин Ягуб-оглы Садыгов. Владелец: Зираддин Ягуб-оглы Садыгов. Дата публикации: 1998-01-20.

Spectrometer including a geiger-mode avalanche photodiode

Номер патента: US9200953B2. Автор: Massimo Cataldo MAZZILLO. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2015-12-01.

Monolithic circuit of active quenching and active reset for avalanche photodiodes

Номер патента: US20010020673A1. Автор: Franco Zappa,Sergio Cova,Massimo Ghiono. Владелец: Politecnico di Milano. Дата публикации: 2001-09-13.

Data age compensation with avalanche photodiode

Номер патента: WO2007064643A2. Автор: Frank C. Demarest. Владелец: ZYGO CORPORATION. Дата публикации: 2007-06-07.

POLARIZATION CIRCUIT FOR AVALANCHE PHOTODIODE

Номер патента: FR2322403A1. Автор: . Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1977-03-25.

Method and device for heterodyne detection using an avalanche photodiode, of amplitude-modulated light radiation, and applications to telemetry

Номер патента: FR2580391A1. Автор: Charles,Jean-Pierre,Yvon Bouzinac,Bertrand Jean Xavier Morbieu. Владелец: Office National dEtudes et de Recherches Aerospatiales ONERA. Дата публикации: 1986-10-17.

Ionizing radiation detector e.g. X-ray or gamma ray detector has scintillator material in contact with avalanche photodiode through optical coupling

Номер патента: FR2924502A1. Автор: Guillaume Gautier,Jeremy Flamanc. Владелец: Saint Gobain Cristaux and Detecteurs SAS. Дата публикации: 2009-06-05.

Data age compensation with electronic avalanche photodiodes

Номер патента: JP2009517693A. Автор: シー． ディマレスト、フランク. Владелец: Zygo Corp. Дата публикации: 2009-04-30.

Dynamic calibration method of avalanche photodiodes on lidar

Номер патента: US20230341532A1. Автор: Jian Wen,Yufeng Li,Gang Zhou,Peng WAN,Xiandong Leng. Владелец: Innovusion Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Dynamic calibration method of avalanche photodiodes on lidar

Номер патента: WO2023205477A1. Автор: Jian Wen,Yufeng Li,Gang Zhou,Peng WAN,Xiandong Leng. Владелец: Innovusion, Inc.. Дата публикации: 2023-10-26.

Device for ascertaining the pattern and position of objects using a large surface linear photodiode array

Номер патента: DE3567732D1. Автор: Norbert Dipl Ing Roth,Rolf Dipl Ing Martin,Rudiger Dipl Ing Froese-Peeck. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1989-02-23.

IMAGE SENSOR INCLUDING PHOTODIODE ARRAY

Номер патента: US20220011160A1. Автор: Dutton Neale. Владелец: STMicroelectronics (Research & Development) Limited. Дата публикации: 2022-01-13.

CVD reactor comprising a photodiode array

Номер патента: US20060272578A1. Автор: Johannes Kaeppeler,Victor Saywell,John Mullins. Владелец: AIXTRON SE. Дата публикации: 2006-12-07.

Detector for photodiode array spectrophotometer

Номер патента: JPS59231425A. Автор: Koji Kuwata,Hideo Iwasaki,康敬 水戸,Yasutaka Mito,桑田　広治,岩崎　英雄. Владелец: Shimazu Seisakusho KK. Дата публикации: 1984-12-26.

Cvd reactor comprising a photodiode array

Номер патента: WO2005080632A1. Автор: Johannes Kaeppeler,Victor Saywell,John Trevor Mullins. Владелец: Aixtron Ag. Дата публикации: 2005-09-01.

Indoor three-dimensional optical positioning method based on photodiode array

Номер патента: CN111352070B. Автор: 吴亮,汪磊,张在琛,党建,匡青云,朱秉诚. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-02-22.

Resonant cavity photodiode array for rapid dna microarray readout

Номер патента: AU2003294509A1. Автор: Roger G. Little,Kurt J. Linden. Владелец: Spire Corp. Дата публикации: 2004-06-23.

SPECTROPHOTOMETER INCLUDING PHOTODIODE ARRAY

Номер патента: US20150138546A1. Автор: GUNJI Masahide. Владелец: SHIMADZU CORPORATION. Дата публикации: 2015-05-21.

Optical proximity sensors with reconfigurable photodiode array

Номер патента: US20150378013A1. Автор: Manoj Bikumandla,Celine Baron. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2015-12-31.

Video home system cassette or spool type magnetic tape reading device has photodiode array including reading segments that read portion of track along incidence segment of lower dimension and deliver corresponding reading signal

Номер патента: FR2889618A1. Автор: Jean Pierre Adi,Fernando Moreira,Marcel Guwang,Bertrand Navarro. Владелец: HI STOR TECHNOLOGIES SA. Дата публикации: 2007-02-09.

Photodiode array detector

Номер патента: JPS63243726A. Автор: Mitsuo Kitaoka,北岡　光夫. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 1988-10-11.

Photodiode array and optical encoder

Номер патента: CN1971922B. Автор: 王文飞,陆彻富. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2011-04-06.

Textured pattern sensing and detection, and using a charge-scavenging photodiode array for the same

Номер патента: EP2336805B1. Автор: Robert W. Byren,Darin S. Williams. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2014-12-10.

Imaging measurement system with a printed organic photodiode array

Номер патента: EP3006960A2. Автор: Simha Levene,Eliav Haskal,Dagobert M. de Leeuw,Naor Wainer,Ami Altman. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2016-04-13.

Optical encoder with a photodiode array that serves both as a light detector and as an index scale

Номер патента: DE19512258C2. Автор: Tatsuhiko Matsuura. Владелец: Mitutoyo Corp. Дата публикации: 2003-05-28.

Indoor three-dimensional optical positioning method based on photodiode array

Номер патента: CN111352070A. Автор: 吴亮,汪磊,张在琛,党建,匡青云,朱秉诚. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-06-30.

Photodiode array for an optical encoder and optical encoder

Номер патента: EP2045579A3. Автор: Ruth E. Franklin. Владелец: Dr Johannes Heidenhain GmbH. Дата публикации: 2017-05-17.

Optical inspection of transparent bodies with diffusing screen and linear photodiode array

Номер патента: NZ221206A. Автор: Theodore Caloyannis. Владелец: Saint Gobain Cinematique. Дата публикации: 1990-10-26.

Method for detecting optical signals

Номер патента: RU2755601C1. Автор: Валерий Григорьевич Вильнер,Михаил Михайлович Землянов,Евгений Викторович Кузнецов,Александр Ефремович Сафутин. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха". Дата публикации: 2021-09-17.

Optical sensor with transimpedance amplifier connection

Номер патента: US20200233064A1. Автор: Milos Davidovic,Reinhard Enne,Gunther Leopold Steinle. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

Photoelectric conversion apparatus

Номер патента: US20240035885A1. Автор: Mahito Shinohara. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

High reliability MESA photodiode

Номер патента: GB2590350A. Автор: Missous MOHAMED. Владелец: Integrated Compound Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2021-06-30.

Method for threshold detection of optical signals

Номер патента: RU2755602C1. Автор: Валерий Григорьевич Вильнер,Михаил Михайлович Землянов,Евгений Викторович Кузнецов,Александр Ефремович Сафутин. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха". Дата публикации: 2021-09-17.

Photodiodes with serpentine shaped electrical junction

Номер патента: US11967664B2. Автор: Eng Huat Toh,Ping Zheng,Kiok Boone Elgin Quek,Cancan Wu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-04-23.

Optoelectronic device

Номер патента: US4816890A. Автор: Kazuhiro Ito,Hirobumi Ouchi,Hiroshi Matsuda,Kazuyuki Nagatsuma,Ichiro Fujiwara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1989-03-28.

Photodiodes with serpentine shaped electrical junction

Номер патента: US20230343886A1. Автор: Eng Huat Toh,Ping Zheng,Kiok Boone Elgin Quek,Cancan Wu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor photodetector device and method of manufacturing the same

Номер патента: CA2007670C. Автор: Nobuo Suzuki,Kenji Matsumoto,Tetsuo Sadamasa,Keiji Takaoka,Motoyasu Morinaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-09-21.

Hyperspectral infrared sounders deployable as a constellation for low orbit mwir atmospheric measurements

Номер патента: US20190154576A1. Автор: Kevin R. Maschhoff,Gerard M. Perron,John J. Polizotti. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

Control of avalance photodiodes bias voltage

Номер патента: US20050222814A1. Автор: Graham Butler,Peter Nicholls. Владелец: Marconi UK Intellectual Property Ltd. Дата публикации: 2005-10-06.

Photo-assisted hydrogenation process

Номер патента: US20080268658A1. Автор: Terry D. Golding,Ronald P. Hellmer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-30.

Photoelectric conversion device, control method for photoelectric conversion device, and storage medium

Номер патента: US20240290893A1. Автор: Aihiko Numata,Ryota Sando. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Photoelectric conversion device, control method for photoelectric conversion device, and storage medium

Номер патента: EP4425950A1. Автор: Aihiko Numata,Ryota Sando. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-09-04.

Method of improving adhesion of indium microcontacts using ultrasound processing

Номер патента: RU2676222C2. Автор: Лариса Александровна Васильева,Виталий Владимирович Акимов,Евгений Алексеевич Климанов. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации. Дата публикации: 2018-12-26.

Optoelectronic component with current deflected to high-gain paths

Номер патента: US20210083138A1. Автор: Zhihong Huang,Di Liang,Xiaoge Zeng. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2021-03-18.

Photodetector device

Номер патента: EP3745101A1. Автор: Shigeyuki Nakamura,Takashi Baba,Kenji Makino,Yoshihito Suzuki,Tatsuya HASHI. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2020-12-02.

Photon detection system and method

Номер патента: GB2622244A. Автор: James Shields Andrew,Sanzaro Mirko,F Dynes James,Meayers Christopher,Simpkins Andrew. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-03-13.

Photodetector device

Номер патента: US11774283B2. Автор: Shigeyuki Nakamura,Takashi Baba,Kenji Makino,Yoshihito Suzuki,Tatsuya HASHI. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-10-03.

Method for stabilizing gain of apd in medical laser receiver

Номер патента: US20160373126A1. Автор: Albert E. Cerussi,Se-Hwan Kim,Pil Sang Chung. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Dankook University. Дата публикации: 2016-12-22.

Optical apparatus, on-board system, movable apparatus, control method of optical apparatus, and storage medium

Номер патента: US20240175747A1. Автор: Yoshinori Abe,Ryota Tanaka. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Photon detection system and method

Номер патента: EP4336155A1. Автор: Andrew James Shields,Mirko SANZARO,James F. DYNES,Christopher MEAYERS,Andrew SIMPKINS. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-03-13.

Light detection device

Номер патента: US11322635B2. Автор: Shigeyuki Nakamura,Takashi Baba,Koei Yamamoto,Terumasa Nagano,Shunsuke Adachi. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2022-05-03.

Photon detection system and method

Номер патента: US20240085240A1. Автор: Andrew James Shields,Mirko SANZARO,James F. DYNES,Christopher MEAYERS,Andrew SIMPKINS. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

First photon correlated time-of-flight sensor

Номер патента: US20200058698A1. Автор: Olivier BULTEEL. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2020-02-20.

Integrated high voltage capacitor

Номер патента: EP4404254A2. Автор: Christopher David Ainsworth. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2024-07-24.

Integrated high voltage capacitor

Номер патента: EP4404254A3. Автор: Christopher David Ainsworth. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2024-09-04.

Photodiode circuit arrangements

Номер патента: US4181863A. Автор: John C. Parker. Владелец: Ferranti PLC. Дата публикации: 1980-01-01.

Microstructure enhanced absorption photosensitive devices

Номер патента: US11830954B2. Автор: Shih-Yuan Wang,Shih-Ping Wang. Владелец: W&wsens Devices Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Passive alignment of photodiode active area in three axes using microscopic focus

Номер патента: US20080305562A1. Автор: David J. Savoia. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2008-12-11.

Integrated high voltage capacitor

Номер патента: US11967610B2. Автор: Christopher David Ainsworth. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Integrated High Voltage Capacitor

Номер патента: US20190319086A1. Автор: Christopher David Ainsworth. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Photodetectors with controllable resonant enhancement

Номер патента: US20210013356A1. Автор: Zhihong Huang,Wayne Victor Sorin,Xiaoge Zeng. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2021-01-14.

Sensor chip and electronic device

Номер патента: US12034017B2. Автор: Shinichiro Yagi,Yusuke Otake,Kyosuke Ito. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Impact ionization devices under dynamic electric fields

Номер патента: US20160254867A1. Автор: Sanjay Krishna,Majeed M. Hayat,Payman Zarkesh-Ha,John P. David,Luke F. Lester,David A. Ramirez. Владелец: STC UNM. Дата публикации: 2016-09-01.

Microstructure enhanced absorption photosensitive devices

Номер патента: US12087871B2. Автор: Shih-Yuan Wang,Shih-Ping Wang. Владелец: W&w Sens Devices Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Microstructure enhanced absorption photosensitive devices

Номер патента: US09818893B2. Автор: Shih-Yuan Wang,Shih-Ping Wang. Владелец: W&wsens Devices Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Microstructure enhanced absorption photosensitive devices

Номер патента: US20240063317A1. Автор: Shih-Yuan Wang,Shih-Ping Wang. Владелец: W&w Sens Devices Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Photoelectric conversion device, imaging system, light detection system, and mobile body

Номер патента: US11835386B2. Автор: Shogo YAMASAKI. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Light receiving element, distance measurement module, distance measurement system, and method for controlling light receiving element

Номер патента: US20240230856A1. Автор: Yasunori Tsukuda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

입자 탐지용 가이거모드 애벌런치 포토 다이오드의 바이어스 전압 제어장치

Номер патента: KR20170050021A. Автор: 이선용,강대석,주신철. Владелец: 주식회사 소모에너지엔테크놀러지. Дата публикации: 2017-05-11.

Low open area and coupon endpoint detection

Номер патента: US12080574B2. Автор: Varoujan Chakarian,Blake W Erickson. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Radiation detector, medical image diagnosis apparatus, detector package, scintillator array, scintillator array manufacturing method, and radiation detector manufacturing method

Номер патента: US20180267183A1. Автор: Kazuto Nishizawa. Владелец: Canon Medical Systems Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Charged Particle Beam Device

Номер патента: US20200266027A1. Автор: Takahiro Jingu. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2020-08-20.

Electron tube

Номер патента: US20200149959A1. Автор: Shigeru Ichikawa,Yasuharu Negi,Yasuyuki Egawa,Atsuhito Fukasawa. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2020-05-14.

Light receiving device

Номер патента: US09923642B2. Автор: Masaki Noda,Satoshi Shirai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Methods of sperm cell sensing utilizing a semiconductor detector and cytometer apparatus

Номер патента: US11862748B2. Автор: ZHENG Xia,Frederick SAVAGE,Glenn J. Szejna. Владелец: ABS Global Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Methods of sperm cell sensing utilizing a semiconductor detector and cytometer apparatus

Номер патента: US20230178678A1. Автор: ZHENG Xia,Frederick SAVAGE,Glenn J. Szejna. Владелец: ABS Global Inc. Дата публикации: 2023-06-08.

Methods of sperm cell sensing utilizing a semiconductor detector and cytometer apparatus

Номер патента: US20240113246A1. Автор: ZHENG Xia,Frederick SAVAGE,Glenn J. Szejna. Владелец: ABS Global Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Methods and Apparatus for X-Ray Imaging from Temporal Measurements

Номер патента: US20170248532A1. Автор: Ramesh Raskar,Rajiv Gupta,Achuta Kadambi,Adam Pan. Владелец: General Hospital Corp. Дата публикации: 2017-08-31.

High resolution, high frame rate, low power image sensor

Номер патента: US09952323B2. Автор: Peter Deane. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Imaging device for reducing variations of amounts of electric charges accumulated in floating diffusion regions

Номер патента: US12088946B2. Автор: Yutaka Hirose,Akito Inoue,Motonori Ishii,Shigetaka Kasuga,Shota Yamada. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Light detector having a photodiode with bias control

Номер патента: CA1243857A. Автор: Jean-Pierre Gerardin. Владелец: Electricite de France SA. Дата публикации: 1988-11-01.

Photoelectric conversion apparatus

Номер патента: US20230421919A1. Автор: Mahito Shinohara. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Photoelectric conversion apparatus

Номер патента: US12028631B2. Автор: Mahito Shinohara. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Imaging device

Номер патента: US20220182572A1. Автор: Yutaka Hirose,Akito Inoue,Motonori Ishii,Shigetaka Kasuga,Shota Yamada. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Distance measurement system and photodetection device

Номер патента: US20230324518A1. Автор: Takeshi Ohkawa,Akito Sekiya. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Optical detector

Номер патента: WO2006046013A1. Автор: Jianguo Yao,David Spokes,Alistair Frier,Steven Borley. Владелец: Bookham Technology PLC. Дата публикации: 2006-05-04.

High-speed autocompensation scheme of quantum key distribution

Номер патента: RU2671620C1. Автор: Юрий Владимирович Курочкин,Владимир Леонидович Курочкин,Александр Валерьевич Дуплинский,Василий Евгеньевич Устимчик,Александр Витальевич Миллер. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Международный центр квантовой оптики и квантовых технологий" (ООО "МЦКТ"). Дата публикации: 2018-11-02.

Photoelectric conversion device and photoelectric conversion system with expanded dynamic range

Номер патента: US12052507B2. Автор: Kazuhiro Morimoto,Yasuharu Ota. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Optical detector

Номер патента: US20070131847A1. Автор: Jianguo Yao,David Spokes,Alistair Frier,Steven Borley. Владелец: Bookham Technology PLC. Дата публикации: 2007-06-14.

Image capturing apparatus, image capturing method, and storage medium

Номер патента: US20240292108A1. Автор: Aihiko Numata,Ryota Sando. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Device having light intensity measurement in presence of shadows

Номер патента: US20150069921A1. Автор: Tennessee Carmel-Veilleux. Владелец: BlackBerry Ltd. Дата публикации: 2015-03-12.

Image sensor and control method of image sensor, and image capturing apparatus

Номер патента: US12081885B2. Автор: Kazuki Ohshitanai. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Imaging device

Номер патента: US12120448B2. Автор: Yutaka Hirose,Motonori Ishii,Shigetaka Kasuga,Masato Takemoto,Shota Yamada. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Wide-angle, high-speed, free-space optical communications system

Номер патента: US5359446A. Автор: Bruce E. Johnson,Randall E. Morton,David L. Brodeur,Thomas A. Lindsay,Mark A. Regnier. Владелец: Eldec Corp. Дата публикации: 1994-10-25.

Photoelectric conversion device, control method, and storage medium

Номер патента: US20240107199A1. Автор: Kan Takaiwa,Aihiko Numata. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Avalanche photoelectric conversion device, control method, and storage medium

Номер патента: EP4346225A1. Автор: Kan Takaiwa,Aihiko Numata. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-04-03.

Real-time image formation from geiger-mode ladar

Номер патента: WO2020236227A1. Автор: Eran Marcus,Arthur M. NEWMAN,Brian F. Boland. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2020-11-26.

High spatiotemporal resolution brain imaging

Номер патента: US12035996B2. Автор: Ning Zhang,Arto Nurmikko. Владелец: BROWN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-16.

LiDAR scanner calibration

Номер патента: US09772399B2. Автор: James A. Haslim,Nicholas M. Iturraran,Michael D. Karasoff,Brent S. Schwarz. Владелец: Uber Technologies Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Method for receiving optical signals

Номер патента: RU2750442C1. Автор: Валерий Григорьевич Вильнер,Михаил Михайлович Землянов,Алексей Владимирович Мамин,Галина Владимировна Турикова,Евгений Викторович Кузнецов,Александр Ефремович Сафутин,Надежда Валентиновна Седова,Любовь Владимировна Васильева. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха". Дата публикации: 2021-06-28.

Positron emission tomography system

Номер патента: RU2381525C2. Автор: ВАРЕЛА Жуан Мануэл Коэлью ДУШ-САНТУШ. Владелец: Инеги-Инштитуту Ди-Энгеньарья Меканика-И-Жештан Индуштрьял. Дата публикации: 2010-02-10.

Laser distance meter

Номер патента: RU2554279C2. Автор: Валерий Васильевич Баланюк,Игорь Витальевич Мещеряков. Владелец: Игорь Витальевич Мещеряков. Дата публикации: 2015-06-27.

Time-of-flight arrangement and method for a time-of-flight measurement

Номер патента: US12019190B2. Автор: Robert Kappel,Christian MAUTNER. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2024-06-25.

Correlated time-of-flight sensor

Номер патента: US20190324126A1. Автор: Eric A. G. Webster,Lindsay Grant,Olivier BULTEEL. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

A sensor for testing biomarkers in nano litre volumes of plasma based on luminescence

Номер патента: WO2023187005A1. Автор: Mark van Geffen,Danique Steeghs,Waander Van Heerde,Rachel VESTERING,Lisa VAN ENGELSHOVEN,Kees VAN 'T VEER,Steven KUIJPERS. Владелец: Enzyre BV. Дата публикации: 2023-10-05.

A photon detector

Номер патента: WO2011055126A2. Автор: Andrew James Shields,Zhiliang Yuan,Oliver Edward Thomas. Владелец: Toshiba Research Europe Limited. Дата публикации: 2011-05-12.

Method for Controlling Peak and Average Power Through Laser Receiver

Номер патента: US20180284239A1. Автор: Stephen D. Gaalema,Scott R. Campbell,Joseph G. LaChapelle. Владелец: Luminar Technologies Inc. Дата публикации: 2018-10-04.

Improved digital silicon photomultiplier

Номер патента: EP4453616A1. Автор: Robert Henderson,John Mullins,Edward Marsden,Aravind Venugopalan Nair Jalajakumari. Владелец: Kromek Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Method and arrangement for measuring the distance to an object

Номер патента: US20070182949A1. Автор: Cristiano Niclass. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2007-08-09.

Method of forming image onto light-emitting diode screen

Номер патента: RU2310925C1. Автор: Григорий Иванович Дерягин,Федор Петрович Литвиненко,гин Григорий Иванович Дер (RU),Федор Петрович Литвиненко (RU). Владелец: Федор Петрович Литвиненко. Дата публикации: 2007-11-20.

Lidar with segmented photodiode

Номер патента: US20230003861A1. Автор: Eric James Dahlberg,Daniel Joseph KLEMME. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2023-01-05.

Optical transmitter-receiver module, method of manufacturing said module, and data communication system including said module

Номер патента: EP2053434A3. Автор: Chris Keller,Takemasa Tamanuki. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-01.

Multi-stage avalanche photodetector

Номер патента: RU2386192C1. Автор: Александр Иванович Патрашин,Александр Иванович Патрашин (RU). Владелец: Александр Иванович Патрашин. Дата публикации: 2010-04-10.

High-speed, high-resolution optical scanner system

Номер патента: US5750980A. Автор: David Jonathan Swithers,Alex A. Rysin. Владелец: Computer Identics Inc. Дата публикации: 1998-05-12.

Optical transmitter-receiver module, method of manufacturing said module, and data communication system including said module

Номер патента: EP2053436A3. Автор: Chris Keller,Takemasa Tamanuki. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-23.

Optical transmitter-receiver module, method of manufacturing said module, and data communication system including said module

Номер патента: EP2053435A3. Автор: Chris Keller,Takemasa Tamanuki. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-29.

Combination photodetector arrays for extended dynamic range

Номер патента: EP3676632A1. Автор: Pierre-Yves Droz,Blaise Gassend,Caner Onal. Владелец: Waymo LLC. Дата публикации: 2020-07-08.

Dark current compensation

Номер патента: RU2734452C2. Автор: БУКЕР Роджер СТЕДМЭН,Эвальд РЕССЛЬ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2020-10-16.

Detector having programmable slice thickness and operational modes and method

Номер патента: US20020126795A1. Автор: David Hoffman,Donald Mcgrath. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2002-09-12.

Polarized photoplethysmography (ppg) with improved perfusion signal for advanced biosensing

Номер патента: US20240358292A1. Автор: Radwanul Hasan SIDDIQUE,Shailabh Kumar. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Lidar system and method employing late-lock geiger mode detection

Номер патента: EP3607349A1. Автор: Samuel Richard Wilton. Владелец: Argo AI LLC. Дата публикации: 2020-02-12.

LiDAR SYSTEM AND METHOD EMPLOYING LATE-LOCK GEIGER MODE DETECTION

Номер патента: US20180364337A1. Автор: Samuel Richard Wilton. Владелец: Argo AI LLC. Дата публикации: 2018-12-20.

Spad photodetector array with active quenching and output control

Номер патента: EP3796035A1. Автор: Hiroshi Kubota,Nobu Matsumoto. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-03-24.

Radiation detection apparatus

Номер патента: US20150226863A1. Автор: Kazuhiro Suzuki,Hideyuki Funaki,Go KAWATA,Risako Ueno,Honam Kwon. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-08-13.

Transresistive amplifier for signals of avalanche photodiodes

Номер патента: RU2515201C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Николай Владимирович Бутырлагин,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС"). Дата публикации: 2014-05-10.

Avalanche photodiode

Номер патента: RU2404487C1. Автор: Владимир Геннадьевич Шенгуров,Михаил Александрович Исаков,Дмитрий Олегович Филатов,Александр Васильевич Корнаухов,Владимир Геннадьевич Шенгуров (RU),Александр Васильевич Корнаухов (RU),Дмитрий Олегович Филатов (RU),Михаил Александрович Исаков (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского". Дата публикации: 2010-11-20.

Transresistive amplifier with paraphase input to convert signals of avalanche photodiodes

Номер патента: RU2534758C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Сергей Сергеевич Белич,Вячеслав Вячеславович Суворов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВО "ЮРГУЭС"). Дата публикации: 2014-12-10.

AVALANCHE PHOTODIODE AND AVALANCHE PHOTODIODE ARRAY

Номер патента: US20120299141A1. Автор: Sasahata Yoshifumi,NAKAJI Masaharu. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2012-11-29.

Back-illuminated avalanche photodiode array chip, receiving chip, ranging apparatus and movable platform

Номер патента: WO2023155099A1. Автор: 王国才,郑国光,黄潇,洪小平,曹伟东,潘子健. Владелец: 深圳市大疆创新科技有限公司. Дата публикации: 2023-08-24.

Preparation method of flip-chip visible light sensitization silicon-based avalanche photodiode array

Номер патента: CN109728132B. Автор: 张军,高丹. Владелец: Jinan University. Дата публикации: 2020-10-16.

PHOTODIODE OF THE TYPE AVALANCHE PHOTODIODE

Номер патента: US20120235267A1. Автор: . Владелец: SVEDICE AB. Дата публикации: 2012-09-20.

Method of measuring weak light by avalanche photodiode

Номер патента: JPS5471680A. Автор: Shintarou NAKAMURA,Keiichi Kitani. Владелец: Nittetsu Mining Co Ltd. Дата публикации: 1979-06-08.

Avalanche photodiode

Номер патента: JPH10233525A. Автор: Takashi Suzuki,高志 鈴木,Masaaki Sawara,正哲 佐原. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 1998-09-02.

Avalanche photodiode

Номер патента: JP4191564B2. Автор: 忠夫 石橋,幸弘 廣田,精後 安藤. Владелец: NTT Electronics Corp. Дата публикации: 2008-12-03.

Avalanche photodiode

Номер патента: CN101232057A. Автор: 柳生荣治,石村荣太郎,中路雅晴. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2008-07-30.

Device for shaping bias voltage for avalanche photodiode

Номер патента: SU1432725A1. Автор: Александр Михайлович Ктиторов,Леонид Яковлевич Костенко,Виталий Леонидович Зарецкий,Виктор Анатольевич Поудияйнен. Владелец: Предприятие П/Я Р-6856. Дата публикации: 1988-10-23.

Avalanche photodiode and manufacturing method thereof

Номер патента: JP3675223B2. Автор: 剣申 田口. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2005-07-27.

Avalanche photodiode

Номер патента: JP2754652B2. Автор: 俊敬 鳥飼. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1998-05-20.

Superlattice avalanche photodiode

Номер патента: JP2671555B2. Автор: 俊敬 鳥飼. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-10-29.

ARRAY OF MUTUALLY INSULATED GEIGER-MODE AVALANCHE PHOTODIODES, AND CORRESPONDING MANUFACTURING PROCESS

Номер патента: US20120009722A1. Автор: . Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2012-01-12.

AVALANCHE PHOTODIODE HAVING CONTROLLED BREAKDOWN VOLTAGE

Номер патента: US20120009727A1. Автор: . Владелец: PRINCETON LIGHTWAVE, INC.. Дата публикации: 2012-01-12.

Compact, all solid-state, avalanche photodiode emitter-detector pixel with electronically selectable, passive or active detection mode, for large-scale, high resolution, imaging focal plane arrays

Номер патента: US20120051383A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-03-01.

MULTI PIXEL PHOTO DETECTOR ARRAY OF GEIGER MODE AVALANCHE PHOTODIODES

Номер патента: US20120068050A1. Автор: Mazzillo Massimo Cataldo,Sanfilippo Delfo Nunziato,Condorelli Giovanni. Владелец: STMicroelectronics S.r.I.. Дата публикации: 2012-03-22.

AVALANCHE PHOTODIODE OPERATING VOLTAGE SELECTION ALGORITHM

Номер патента: US20120080583A1. Автор: Jr. James H.,Johnson Aaron,Schorr David,Steenson. Владелец: . Дата публикации: 2012-04-05.

AVALANCHE PHOTODIODES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120104531A1. Автор: Kwon O-Kyun,Park Mi-Ran. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-05-03.

Avalanche Photodiode Having Controlled Breakdown Voltage

Номер патента: US20120133014A1. Автор: Itzler Mark Allen. Владелец: PRINCETON LIGHTWAVE, INC.. Дата публикации: 2012-05-31.

METHOD OF FABRICATING AVALANCHE PHOTODIODE

Номер патента: US20120156826A1. Автор: Nam Eun Soo,SIM Jae Sik,KIM Ki Soo,MHEEN Bong Ki,OH Myoung Sook,KWON Yong Hwan. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-06-21.

LOW NOISE, STABLE AVALANCHE PHOTODIODE

Номер патента: US20120199932A1. Автор: . Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2012-08-09.

LATERAL AVALANCHE PHOTODIODE STRUCTURE

Номер патента: US20130026604A1. Автор: WANG Ching-Wen,Hsin Yue-Ming,Chou Fang-Ping,Li Zi-Ying. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2013-01-31.

SPECTROMETER INCLUDING A GEIGER-MODE AVALANCHE PHOTODIODE

Номер патента: US20130030763A1. Автор: Mazzillo Massimo Cataldo. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2013-01-31.

High Performance GeSi Avalanche Photodiode Operating Beyond Ge Bandgap Limits

Номер патента: US20130292741A1. Автор: Pan Dong,Cai Pengfei,Huang Mengyuan. Владелец: SIFOTONICS TECHNOLOGIES CO., LTD.. Дата публикации: 2013-11-07.

TRANSRESISTIVE AMPLIFIER WITH PARAFASE OUTPUT FOR TRANSFORMING SIGNALS OF AVALANCHE PHOTODIODES

Номер патента: RU2013116179A. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Сергей Сергеевич Белич,Вячеслав Вячеславович Суворов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВО "ЮРГУЭС"). Дата публикации: 2014-10-20.

Secondary packaging device of avalanche photodiode for infrared photodetection

Номер патента: CN100343983C. Автор: 廖常俊,李日豪,刘颂豪. Владелец: SOUTH CHINA NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2007-10-17.

Method and apparatus for measuring light flux by avalanche photodiode

Номер патента: SU1244505A1. Автор: Евгений Иванович Чернов. Владелец: Предприятие П/Я В-8769. Дата публикации: 1986-07-15.

Multi-division avalanche photodiode

Номер патента: JP3243952B2. Автор: 考二 小林. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2002-01-07.

Avalanche photodiode

Номер патента: JPS553658A. Автор: Masanori Ito,Takao Kaneda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1980-01-11.

Apparatus for measuring multiplication dark current of avalanche photodiode

Номер патента: JPS61139766A. Автор: Toshiaki Sekino,関野　俊明. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1986-06-27.

Avalanche photodiode

Номер патента: JP5992867B2. Автор: 忠夫 石橋,秀昭 松崎,好史 村本,春喜 横山,石橋　忠夫,允洋 名田,横山　春喜,松崎　秀昭. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2016-09-14.

Avalanche photodiode device

Номер патента: JP2001507168A. Автор: プライス，アリステアー・ジヨン. Владелец: アルカテル. Дата публикации: 2001-05-29.

Avalanche photodiode with three-mesa structure

Номер патента: CN212461704U. Автор: 李欣,陈景源,叶旺. Владелец: Fujian ZK Litecore Ltd. Дата публикации: 2021-02-02.

Diffusion-free avalanche photodiode and preparation method thereof

Номер патента: CN103094398B. Автор: 李晶,岳爱文,胡艳,王任凡. Владелец: Wuhan Telecommunication Devices Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-20.

Avalanche photodiode

Номер патента: JP2003023174A. Автор: Tatsuo Yokozuka,達男 横塚. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-24.

Avalanche photodiode and manufacturing method thereof

Номер патента: JP6560642B2. Автор: 好史 村本,史人 中島,圭穂 前田,広明 三条,俊英 吉松. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2019-08-14.

Double-gate-control avalanche photodiode signle photonic detection method

Номер патента: CN100363724C. Автор: 曾和平,吴光,李和祥,周春源,陈修亮. Владелец: EAST CHINA NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2008-01-23.

Avalanche photodiode gain stabilization control device and method

Номер патента: CN102098016A. Автор: 陈宇,陈柏,林尊琪,陈福昌. Владелец: Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics of CAS. Дата публикации: 2011-06-15.

Manufacturing method of avalanche photodiode

Номер патента: JP3055030B2. Автор: 山崎　　進. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2000-06-19.

Fast evaluating test device for light receiving component of avalanche photodiode

Номер патента: CN201215507Y. Автор: 程进. Владелец: Qunbang Electronics (Suzhou) Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-01.

Avalanche photodiode

Номер патента: JP4131191B2. Автор: 正紀 舟木. Владелец: Victor Company of Japan Ltd. Дата публикации: 2008-08-13.

Avalanche photodiode

Номер патента: JP2670557B2. Автор: 俊明 香川. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1997-10-29.

Manufacturing method of semiconductor light receiving element, photoelectric fusion module and avalanche photodiode

Номер патента: JP6793786B1. Автор: 英輝 小野. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-02.

InAs avalanche photodiode and method for manufacturing same

Номер патента: CN103022218A. Автор: 高晶,张冀,涂俊杰,赵彦立,文柯,向静静,张诗伯. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2013-04-03.

Avalanche photodiode

Номер патента: JPS6461965A. Автор: Eitaro Ishimura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1989-03-08.

Avalanche photodiode

Номер патента: JP2937166B2. Автор: 功 渡邊. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1999-08-23.

Avalanche photodiode bias circuit

Номер патента: JP3047525B2. Автор: 義則 須永,武彦 所. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2000-05-29.

Avalanche photodiode

Номер патента: JP2004031707A. Автор: Tadao Ishibashi,石橋　忠夫,Yukihiro Hirota,廣田　幸弘. Владелец: NTT Electronics Corp. Дата публикации: 2004-01-29.

Gain control system for avalanche photodiode

Номер патента: JPS6210939A. Автор: Noboru Shoji,庄子　昇. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1987-01-19.

Avalanche photodiode

Номер патента: JP2016213362A. Автор: Hideaki Matsuzaki,秀昭 松崎,Yuki Yamada,允洋 名田,友輝 山田,Masahiro Nada. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2016-12-15.

Strucrure of multi-layer avalanche photodiode

Номер патента: TWI224401B. Автор: Neng-Fu Shih. Владелец: Neng-Fu Shih. Дата публикации: 2004-11-21.

Avalanche photodiode

Номер патента: SG11201401586PA. Автор: Ching Kean CHIA. Владелец: Agency Science Tech & Res. Дата публикации: 2014-05-29.

Structure of multi-layer avalanche photodiode

Номер патента: TW200501442A. Автор: Neng-Fu Shih. Владелец: Neng-Fu Shih. Дата публикации: 2005-01-01.

PHOTODIODE ARRAY, METHOD FOR MANUFACTURING PHOTODIODE ARRAY, EPITAXIAL WAFER, AND METHOD FOR MANUFACTURING EPITAXIAL WAFER

Номер патента: US20120196398A1. Автор: Ishizuka Takashi,Akita Katsushi,Fujii Kei,Nakahata Hideaki,Nagai Youichi. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-08-02.

LOW CROSSTALK, FRONT-SIDE ILLUMINATED, BACK-SIDE CONTACT PHOTODIODE ARRAY

Номер патента: US20120104532A1. Автор: Bui Peter Steven,Taneja Narayan Dass. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-03.

PHOTODIODE, PHOTODIODE ARRAY AND METHOD OF OPERATION

Номер патента: US20120286144A1. Автор: . Владелец: NaMLab GmbH. Дата публикации: 2012-11-15.

Method for producing hybrid photodiode array around indium antimonide

Номер патента: RU2069028C1. Автор: Валерий Игнатьевич Туринов. Владелец: Валерий Игнатьевич Туринов. Дата публикации: 1996-11-10.

Waveguide-type photodiode array

Номер патента: JPH10107310A. Автор: Hiroaki Ishii,宏明 石井. Владелец: Japan Aviation Electronics Industry Ltd. Дата публикации: 1998-04-24.

IMAGING MEASUREMENT SYSTEM WITH A PRINTED ORGANIC PHOTODIODE ARRAY

Номер патента: US20120037809A1. Автор: . Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N. V.. Дата публикации: 2012-02-16.

FRONT-SIDE ILLUMINATED, BACK-SIDE CONTACT DOUBLE-SIDED PN-JUNCTION PHOTODIODE ARRAYS

Номер патента: US20120086097A1. Автор: Bui Peter Steven,Taneja Narayan Dass. Владелец: . Дата публикации: 2012-04-12.

PHOTODIODE ARRAY WITH ALGORITHM-BASED CROSSTALK REDUCTION

Номер патента: US20120173175A1. Автор: Devicharan Deepak,WIGLEY PETER G.. Владелец: . Дата публикации: 2012-07-05.

METHOD OF CADMIUM MOLECULAR BEAM BASED ANNEALS FOR MANUFACTURE OF HGCDTE PHOTODIODE ARRAYS

Номер патента: US20120264254A1. Автор: Wan Chang-Feng. Владелец: . Дата публикации: 2012-10-18.

MULTIPLEXED OUTPUT TWO TERMINAL PHOTODIODE ARRAY FOR IMAGING APPLICATIONS AND RELATED FABRICATION PROCESS

Номер патента: US20120270360A1. Автор: Mazzillo Massimo Cataldo. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2012-10-25.

PHOTODIODE ARRAY, METHOD FOR DETERMINING REFERENCE VOLTAGE, AND METHOD FOR DETERMINING RECOMMENDED OPERATING VOLTAGE

Номер патента: US20130009266A1. Автор: Suzuki Hiroki,OHTA Tsuyoshi,Sato Kenichi,Kamakura Shogo,Nakamura Shigeyuki,Hirayanagi Michito,Adachi Shunsuke. Владелец: HAMAMATSU PHOTONICS K.K.. Дата публикации: 2013-01-10.

PHOTODIODE ARRAY AND METHODS OF FABRICATION

Номер патента: US20130168750A1. Автор: Ikhlef Abdelaziz,Li Wen. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2013-07-04.

PHOTODIODE ARRAYS AND METHODS OF FABRICATION

Номер патента: US20130168796A1. Автор: Ikhlef Abdelaziz,Li Wen. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2013-07-04.

Photodiode array, solid-state imaging device, and radiation detector

Номер патента: JP4482253B2. Автор: 浩二 岡本,坂本　　明,義磨郎 藤井. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2010-06-16.

Photodiode array and spectrometer

Номер патента: JP4335104B2. Автор: 貞治 滝本. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2009-09-30.

Optical waveguide chip and PD (photodiode) array coupling packaging structure

Номер патента: CN102981223B. Автор: 石川,陈征,江雄,梁雪瑞,汪灵杰. Владелец: Accelink Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-01.

Photodiode array

Номер патента: JP5805681B2. Автор: 和久 山村,坂本　　明,輝昌 永野,明 坂本,山村　和久,哲 河合,嘉隆 石川. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2015-11-04.

Photodiode array

Номер патента: JP4602287B2. Автор: 和久 山村. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2010-12-22.

Photodiode array

Номер патента: JPS5371591A. Автор: Yasutsugu Oosumi. Владелец: Hamamatsu TV Co Ltd. Дата публикации: 1978-06-26.

Spectrometric gamma detector

Номер патента: RU2333514C1. Автор: Владимир Александрович Зимогляд,Игорь Валерьевич Ванюшин,Юрий Иванович Тишин,Виктор Матвеевич Гонтарь. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью ООО "Юник Ай Сиз". Дата публикации: 2008-09-10.

Imaging Arrangement and Microscope

Номер патента: US20120002031A1. Автор: CHU Steven,Pertsinidis Alexandros. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2012-01-05.

Laser pulse distance meter

Номер патента: RU2551700C1. Автор: Александр Владимирович Медведев,Николай Дмитриевич Жибарев. Владелец: Открытое Акционерное общество "Ростовский оптико-механический завод". Дата публикации: 2015-05-27.

OPTICAL DEMULTIPLEXING SYSTEM

Номер патента: US20120001083A1. Автор: Knapp Jamie. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OLIGONUCLEOTIDE SPOTTING ROBOT FOR WAFER-SCALE SPOTTING OF LOCS

Номер патента: US20120004145A1. Автор: Silverbrook Kia,Azimi Mehdi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Infrared laser scanning unit

Номер патента: RU2027202C1. Автор: А.Е. Соколов. Владелец: Соколов Александр Евгеньевич. Дата публикации: 1995-01-20.

Method of obtaining information on input optical signal, based on conversion of simulated optical signals using heterodyne of the photodetector, and device therefor

Номер патента: RU2593429C1. Автор: Владимир Васильевич Бузоверя. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2016-08-10.

SPECTRAL IMAGING

Номер патента: US20120001084A1. Автор: Herrmann Christoph,Proksa Roland,Ruetten Walter. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus and Method for Viewing an Object

Номер патента: US20120004513A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Photodetector

Номер патента: RU2589747C2. Автор: Александр Евгеньевич Соколов. Владелец: Александр Евгеньевич Соколов. Дата публикации: 2016-07-10.

Photoacoustic Joulemeter Utilizing Beam Deflection Technique

Номер патента: US20120002193A1. Автор: Elliott William Rowe,Glickman Randolph D.,Barsalou Norman,Maswadi Saher M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of lowering of ohmic resistance of indium microcontacts using thermal annealing

Номер патента: RU2537085C1. Автор: Лариса Александровна Васильева,Владимир Михайлович Акимов,Евгений Алексеевич Климанов,Ирина Васильевна Кочеткова,Сергей Денисович Коротин,Юрий Павлович Широков. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает государственный заказчик - Министерство промышленности и торговли Российской Федерации. Дата публикации: 2014-12-27.

RADIATION TOMOGRAPHY APPARATUS

Номер патента: US20120001077A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRABRIGHT FLUORESCENT OLEDS USING TRIPLET SINKS

Номер патента: US20120001536A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making indium microcontacts by ion etching

Номер патента: RU2492545C1. Автор: Константин Олегович Болтарь,Михаил Васильевич Седнев,Юрий Павлович Шаронов,Евгений Алексеевич Климанов,Никита Владимирович Кардонов,Богдан Васильевич Трошин. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает государственный заказчик - Министерство промышленности и торговли Российской Федерации. Дата публикации: 2013-09-10.

Phase light range finder

Номер патента: RU2139498C1. Автор: В.В. Тарасов,Г.Е. Рязанцев,Л.Д. Надолинец. Владелец: Государственный специализированный проектный институт. Дата публикации: 1999-10-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.