Structure semiconductrice du type photodiode a avalanche a haut rapport signal sur bruit et procede de fabrication d'une telle photodiode
Номер патента: FR3000609A1
Опубликовано: 04-07-2014
Автор(ы): Johan Rothman
Принадлежит: Commissariat a lEnergie Atomique CEA, Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 04-07-2014
Автор(ы): Johan Rothman
Принадлежит: Commissariat a lEnergie Atomique CEA, Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Solar cell and method of manufacturing the same
Номер патента: US20140352752A1. Автор: Min-Kyu Kim,Young-Su Kim,Su-Yeon Kim,Ku-Hyun Kang. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-04.