Capacitor structure and method of manufacturing the same
Номер патента: US20080123244A1
Опубликовано: 29-05-2008
Автор(ы): Jung-hyeon Kim, Keun-Bong Lee
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 29-05-2008
Автор(ы): Jung-hyeon Kim, Keun-Bong Lee
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Nanostructured carbon electrode, methods of fabricating and applications of the same
Номер патента: US9966549B2. Автор: Robert P. H. Chang,Donald B. Buchholz,Byunghong Lee. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2018-05-08.