Procedure for the manufacturing of double layer resistive thin film integrated resistors through ion erosion
Номер патента: EP0175654B1
Опубликовано: 03-10-1990
Автор(ы): Carlo Misiano, Enrico Simonetti
Принадлежит: Selenia Industrie Elettroniche Associate SpA
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 03-10-1990
Автор(ы): Carlo Misiano, Enrico Simonetti
Принадлежит: Selenia Industrie Elettroniche Associate SpA
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Low-cost method of making a hard mask for high resolution and low dimensional variations for the fabrication and manufacturing of micro- and nano-devices and -systems
Номер патента: US11990344B2. Автор: Michael A. Huff. Владелец: Corp for National Research Initiatives. Дата публикации: 2024-05-21.