Electrostatic chuck with electrostatic fluid seal for containing backside gas
Номер патента: US20170047867A1
Опубликовано: 16-02-2017
Автор(ы): John M. White, Zuoqian WANG
Принадлежит: Applied Materials Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 16-02-2017
Автор(ы): John M. White, Zuoqian WANG
Принадлежит: Applied Materials Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Aluminum nitride electrostatic chuck used in high temperature and high plasma power density semiconductor manufacturing process
Номер патента: US09972520B2. Автор: Yi-Hsiuan Yu,Yang-Kuao Kuo,Jian-Long Ruan. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2018-05-15.