第iii族氮化物半导体发光器件及其制造方法
Номер патента: CN104603961A
Опубликовано: 06-05-2015
Автор(ы): 丰田达宪, 门胁嘉孝
Принадлежит: Dowa Electronics Materials Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 06-05-2015
Автор(ы): 丰田达宪, 门胁嘉孝
Принадлежит: Dowa Electronics Materials Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Nitride semiconductor multilayer structure, light emitting element, light source apparatus, and method for producing nitride semiconductor multilayer structure
Номер патента: US20200244043A1. Автор: Takeshi Kawashima. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.