Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Rare-earth doped lithium niobate dbr laser

Номер патента: CA2194821C
Опубликовано: 20-11-2001
Автор(ы): Dietmar Hiller, Raffaele Corsini
Принадлежит: Pirelli Cavi e Sistemi SpA
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Rare-earth doped lithium niobate dbr laser

Номер патента: CA2194821A1. Автор: Dietmar Hiller,Raffaele Corsini. Владелец: Pirelli Cavi SpA. Дата публикации: 1997-07-13.

Temperature-compensated rare earth doped optical waveguide amplifiers

Номер патента: US6049414A. Автор: Jefferson Lynn Wagener,Thomas Andrew Strasser,Rolando Patricio Espindola,Paul Francis Wysocki. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2000-04-11.

Rare-earth-doped lithium niobate waveguide structures

Номер патента: CA2101541C. Автор: Wolfgang Sohler,Hubertus Suche. Владелец: Pirelli Cavi e Sistemi SpA. Дата публикации: 2002-07-30.

Rare earth-doped multicomponent fluorosilicate optical fiber for optical devices

Номер патента: US20190341737A1. Автор: John Ballato,Peter Dragic,Maxime Cavillon. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2019-11-07.

Shared pump and serial rare earth doped fiber optical amplifiers

Номер патента: US6580552B2. Автор: David F. Welch. Владелец: JDS Uniphase Corp. Дата публикации: 2003-06-17.

Rare earth doped temperature compensated waveguide amplifiers

Номер патента: DE69937182T2. Автор: Rolando Patricio Chatham Espindola,Thomas Andrew Warren Strasser,Jefferson Lynn Aberdeen Wagener,Paul Francis Flemington Wysocki. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2008-06-26.

Shared pump and serial rare earth doped fiber optical amplifiers

Номер патента: US20030039027A1. Автор: David Welch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-27.

Temperature-compensated rare earth doped optical waveguide amplifiers

Номер патента: EP1003253A3. Автор: Jefferson Lynn Wagener,Thomas Andrew Strasser,Rolando Patricio Espindola,Paul Francis Wysocki. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2003-08-06.

Rare-earth-doped lithium niobate waveguide structures

Номер патента: EP0569353B1. Автор: Wolfgang Prof. Dr. Sohler,Hubertus Dr. Suche. Владелец: Pirelli Cavi SpA. Дата публикации: 1995-12-06.

Fiber-based continuous optical beat laser source to generate terahertz waves using lithium niobate crystal embedded in the fiber

Номер патента: US20210066876A1. Автор: Muhammad Ali Ummy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-03-04.

Ultrashort pulse fiber amplifier with rare-earth doped gain fibers

Номер патента: US09812837B2. Автор: Tao Luo,Qing Wang,Lei Pan,Shibin Jiang. Владелец: Advalue Photonics Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Rare earth-doped fiber amplifier assemblies for fiberoptic networks

Номер патента: US5689595A. Автор: J. J. Pan. Владелец: E Tek Dynamics Inc. Дата публикации: 1997-11-18.

Optical Fiber Amplifier Including Rare-Earth-Doped Cladding Region

Номер патента: US20140063594A1. Автор: Thierry F. Taunay,Kwang S. Kim,Bera Palsdottir,Gabriel Puc,Soren Herstrom. Владелец: OFS FITEL LLC. Дата публикации: 2014-03-06.

Rare earth doped fiber and fiber optic amplifier

Номер патента: US20230042437A1. Автор: Kazuhide Nakajima,Takashi Matsui,Yoko Yamashita. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Rare-earth doped fiber and fiber laser apparatus

Номер патента: US20240079840A1. Автор: Rintaro KITAHARA. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Shorter wavelength photo-annealing apparatus for rare-earth-doped fiber and its optical assemblies under irradiation

Номер патента: TW201215935A. Автор: Ren-Young Liu,Lon Wang,Tz-Shiuan Peng. Владелец: Nat Applied Res Laboratories. Дата публикации: 2012-04-16.

ULTRASHORT PULSE FIBER AMPLIFIER USING RARE-EARTH DOPED GAIN FIBERS

Номер патента: US20170256906A1. Автор: Luo Tao,Wang Qing,Jiang Shibin,PAN Lei. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-07.

RARE EARTH-DOPED MULTICOMPONENT FLUOROSILICATE OPTICAL FIBER FOR OPTICAL DEVICES

Номер патента: US20190341737A1. Автор: Ballato John,Dragic Peter,Cavillon Maxime. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-07.

Reduced clad diameter rare earth doped fiber coils and optical amplifiers utilizing such coils

Номер патента: US20050152662A1. Автор: William Wood. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2005-07-14.

RECOVERING A RARE-EARTH-DOPED OPTICAL FIBER UNDER IRRADIATION

Номер патента: US20170077668A1. Автор: TAI Chao-Yi,Liu Ren-Young,CHEN Chii-Chang,CHANG SHENG HSIUNG. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-16.

RARE-EARTH DOPED GAIN FIBERS

Номер патента: US20170125965A1. Автор: Luo Tao,Wang Qing,Jiang Shibin,PAN Lei. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

RARE-EARTH DOPED GAIN FIBERS

Номер патента: US20170125966A1. Автор: Luo Tao,Wang Qing,Jiang Shibin,PAN Lei. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

ULTRASHORT PULSE FIBER AMPLIFIER USING RARE-EARTH DOPED GAIN FIBERS

Номер патента: US20170250515A1. Автор: Luo Tao,Wang Qing,Jiang Shibin,PAN Lei. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-31.

ULTRASHORT PULSE FIBER AMPLIFIER WITH RARE-EARTH DOPED GAIN FIBERS

Номер патента: US20170264067A1. Автор: Luo Tao,Wang Qing,Jiang Shibin,PAN Lei. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-14.

Integration of rare-earth doped amplifiers into semiconductor structures

Номер патента: WO2005079395A3. Автор: YIN Tang. Владелец: YIN Tang. Дата публикации: 2006-12-07.

Integration of rare-earth doped amplifiers into semiconductor structures and uses of same

Номер патента: MY144480A. Автор: Yin S Tang. Владелец: Yin S Tang. Дата публикации: 2011-09-30.

Integrated silicon structures with optical gain mediated by rare-earth-doped tellurium-oxide-coating

Номер патента: CA3155407A1. Автор: Andrew Knights,Jonathan Bradley,Henry Frankis,Dawson Bonneville,Khadijeh Miarabbas Kiani,Cameron Naraine. Владелец: MCMASTER UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-10-15.

CMOS COMPATIBLE RARE-EARTH-DOPED WAVEGUIDE AMPLIFIER

Номер патента: US20180083411A1. Автор: Kang Inuk. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-22.

Rare-earth doped multi-component glass optical fiber amplifiers using short active fiber length

Номер патента: WO2001097342A8. Автор: Nasser Peyghambarian,Shibin Jiang. Владелец: Shibin Jiang. Дата публикации: 2002-01-17.

Burst mode rare earth-doped fiber amplifier

Номер патента: EP2133963B8. Автор: Hideaki Furukawa,Naoya Wada,Peter Chan,Yoshinari Awaji,Ray Man,Eddie KONG. Владелец: Amonics Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Burst mode rare earth-doped fiber amplifier

Номер патента: EP2133963C0. Автор: Hideaki Furukawa,Naoya Wada,Peter Chan,Yoshinari Awaji,Ray Man,Eddie KONG. Владелец: Amonics Ltd. Дата публикации: 2024-05-01.

Burst mode rare earth-doped fiber amplifier

Номер патента: EP2133963B1. Автор: Hideaki Furukawa,Naoya Wada,Peter Chan,Yoshinari Awaji,Ray Man,Eddie KONG. Владелец: Amonics Ltd. Дата публикации: 2024-05-01.

SHORTER WAVELENGTH PHOTO-ANNEALING APPARATUS FOR RARE-EARTH-DOPED FIBER AND ITS OPTICAL ASSEMBLIES UNDER IRRADIATION

Номер патента: US20130293948A1. Автор: Peng Tz-Shiuan,Liu Ren-Young,Wang Lon. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-07.

RARE EARTH DOPED AND LARGE EFFECTIVE AREA OPTICAL FIBERS FOR FIBER LASERS AND AMPLIFIERS

Номер патента: US20140009822A1. Автор: Dong Liang,Peng Xiang. Владелец: IMRA AMERICA, INC.. Дата публикации: 2014-01-09.

FEW MODE RARE EARTH DOPED OPTICAL FIBERS FOR OPTICAL AMPLIFIERS, AND AMPLIFIERS USING SUCH FIBERS

Номер патента: US20140036348A1. Автор: Kuksenkov Dmitri Vladislavovich,Korolev Andrey Evgenievich,Bennett Kevin Wallace,Koreshkov Konstantin Sergeevich,Li Ming Jun,Nazarov Vladimir Nikolaevich. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2014-02-06.

ULTRASHORT PULSE FIBER AMPLIFIER USING RARE-EARTH DOPED GAIN FIBERS

Номер патента: US20160218478A1. Автор: Luo Tao,Wang Qing,Jiang Shibin,PAN Lei. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-28.

High power fiber chirped pulse amplification systems based on cladding pumped rare-earth doped fibers

Номер патента: US5696782A. Автор: Almantas Galvanauskas,Martin E. Fermann,Donald J. Harter. Владелец: IMRA America Inc. Дата публикации: 1997-12-09.

Efficient pumping for high power rare-earth doped fiber amplifiers

Номер патента: EP1111741A3. Автор: Jean-Marc Pierre Delavaux,Sandra Greenberg Kosinski,Aydin Yeniay. Владелец: Agere Systems Optoelectronics Guardian Corp. Дата публикации: 2002-12-04.

Rare earth doped fiber amplifier and multistage fiber amplifier

Номер патента: JP3936533B2. Автор: ピエール デラボウクス ジャン、マルク,グリーンバーグ コシンスキ サンドラ,ヤニアイ アイディン. Владелец: ルーセント テクノロジーズ インコーポレーテッド. Дата публикации: 2007-06-27.

Burst mode rare earth-doped fiber amplifier

Номер патента: US20100221012A1. Автор: Yoshinari Awaji. Владелец: Amonics Ltd. Дата публикации: 2010-09-02.

Multi-tone driven high-power narrow-linewidth rare earth doped fiber amplifier

Номер патента: US7764720B1. Автор: Thomas M. Shay,Timothy J. Bronder,Iyad A. Dajani,Clint M. Zeringue. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 2010-07-27.

Rare-earth doped gain fibers

Номер патента: US20170123148A1. Автор: Tao Luo,Qing Wang,Lei Pan,Shibin Jiang. Владелец: Advalue Photonics Inc. Дата публикации: 2017-05-04.

Rare-earth doped gain fibers

Номер патента: US20160216441A1. Автор: Tao Luo,Qing Wang,Lei Pan,Shibin Jiang. Владелец: Advalue Photonics Inc. Дата публикации: 2016-07-28.

OPTICAL-FIBER-BUNDLE STRUCTURE, RARE-EARTH-DOPED MULTI-CORE FIBER, CONNECTION STRUCTURE THEREFOR, METHOD FOR EXCITING RARE-EARTH-DOPED MULTI-CORE FIBERS, AND MULTI-CORE-OPTICAL-FIBER AMPLIFIER

Номер патента: US20160028206A1. Автор: TSUCHIDA Yukihiro,IMAMURA Katsunori,MAEDA Koichi,Watanabe Kengo,Saito Tsunetoshi. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-28.

PROCESS FOR PRODUCING RARE EARTH DOPE CORE MONOMODE OPTICAL FIBER AND RARE EARTH DOPE ROUND HEART OPTICAL FIBER

Номер патента: FR2954525B1. Автор: THIERRY Robin,Benoit Cadier. Владелец: IXFIBER. Дата публикации: 2012-05-25.

Method for manufacturing a single-mode optical fibre with rare-earth-doped core and single-mode optical fibre with rare-earth-doped core

Номер патента: EP2337166B1. Автор: THIERRY Robin,Benoit Cadier. Владелец: iXBlue SAS. Дата публикации: 2016-11-30.

Optical Fiber Amplifier Including Rare-Earth-Doped Cladding Region

Номер патента: US20140063594A1. Автор: Taunay Thierry F.,Puc Gabriel,Herstrom Soren,Palsdottir Bera,Kim Kwang S.. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-06.

CONNECTION STRUCTURE FOR MULTI-CORE FIBER AND OPTICAL-FIBER-BUNDLE STRUCTURE, CONNECTION STRUCTURE FOR MULTI-CORE FIBERS, METHOD FOR EXCITING RARE-EARTH-DOPED MULTI-CORE FIBERS, AND MULTI-CORE-OPTICAL-FIBER AMPLIFIER

Номер патента: US20160020573A1. Автор: TSUCHIDA Yukihiro,IMAMURA Katsunori,MAEDA Koichi,Watanabe Kengo,Saito Tsunetoshi. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-21.

RARE-EARTH DOPED GAIN FIBERS

Номер патента: US20170123148A1. Автор: Luo Tao,Wang Qing,Jiang Shibin,PAN Lei. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

HIGH-POWER, RARE-EARTH-DOPED CRYSTAL AMPLIFIER BASED ON ULTRA-LOW-QUANTUM-DEFECT PUMPING SCHEME UTILIZING SINGLE OR LOW-MODE FIBER LASERS

Номер патента: US20190326723A1. Автор: Samartsev Igor,Gapontsev Valentin,DERGACHEV Alex. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-24.

DOUBLE HEART OPTICAL FIBER WITH RARE EARTH DOPING RING

Номер патента: FR2829305A1. Автор: Lionel Provost,Laurent Gasca,Dominique Bayart,Christian Simonneau,Xavier Rejeaunier,Christine Moreau,Florence Leplingard,Philippe Bousselet. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2003-03-07.

DOUBLE HEART OPTICAL FIBER WITH RARE EARTH DOPING RING

Номер патента: FR2829305B1. Автор: Lionel Provost,Laurent Gasca,Dominique Bayart,Christian Simonneau,Xavier Rejeaunier,Christine Moreau,Florence Leplingard,Philippe Bousselet. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2004-10-22.

Triple-clad rare-earth doped optical fiber and applications

Номер патента: CA2293132A1. Автор: Andre Croteau,Jocelyn Lauzon. Владелец: Institut National dOptique. Дата публикации: 2001-06-24.

Rare earth doped core optical fiber

Номер патента: JPWO2008133242A1. Автор: 池田　正司,正司 池田,姫野　邦治,邦治 姫野,道弘 中居,成敏 山田,中居　道弘,和大 北林. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2010-07-29.

Complex rare - earths doped optical waveguide

Номер патента: KR100352373B1. Автор: 최용규,이학규,김경헌,임동성. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2002-09-11.

Dual core fiber with rare earth doped ring

Номер патента: EP1289077A1. Автор: Lionel Provost,Laurent Gasca,Dominique Bayart,Christian Simonneau,Xavier Rejeaunier,Christine Moreau,Florence Leplingard,Philippe Bousselet. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2003-03-05.

RARE EARTH DOPED OPTICAL FIBER DEVICE FOR TRANSMITTING OR AMPLIFYING A SIGNAL IN THE "S" BAND

Номер патента: FR2924866B1. Автор: Ekaterina Burov,Sebastien Fevrier,Christian Simmonneau. Владелец: Alcatel Lucent SAS. Дата публикации: 2014-04-04.

Reduced clad diameter rare earth doped fiber coils and optical amplifiers utiliying such coils

Номер патента: WO2004095655A1. Автор: William A. Wood. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2004-11-04.

High-power, rare-earth-doped crystal amplifier based on ultra-low-quantum-defect pumping scheme utilizing single or low-mode fiber lasers

Номер патента: EP3549209A1. Автор: Valentin Gapontsev,Igor Samartsev,Alex Dergachev. Владелец: IPG Photonics Corp. Дата публикации: 2019-10-09.

Recovering a rare-earth-doped optical fiber under irradiation

Номер патента: US10177523B2. Автор: Ren-Young Liu,Chii-Chang Chen,Sheng Hsiung Chang,Chao-Yi TAI. Владелец: NATIONAL APPLIED RESEARCH LABORATORIES. Дата публикации: 2019-01-08.

Ultrashort pulse fiber amplifier using rare-earth doped gain fibers

Номер патента: US09768578B1. Автор: Tao Luo,Qing Wang,Lei Pan,Shibin Jiang. Владелец: Advalue Photonics Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Integration of rare-earth doped amplifiers into semiconductor structures and uses of same

Номер патента: TW200530645A. Автор: Yin S Tang. Владелец: Yin S Tang. Дата публикации: 2005-09-16.

Method for making polymer-based rare earth-doped waveguide

Номер патента: TWI260435B. Автор: Ga-Lane Chen,Charles Leu. Владелец: Hon Hai Prec Ind Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-21.

Electric pumping of rare-earth-doped silicon for optical emission

Номер патента: KR100377716B1. Автор: 피카릭존제이,밸휴월터제이. Владелец: 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션. Дата публикации: 2003-03-26.

Electric pumping of rare-earth-doped silicon for optical emission

Номер патента: EP0945938A2. Автор: John J. Pekarik,Walter J. C/O Ibm U.K.Ltd. Varhue. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-09-29.

Electric pumping of rare earth doped silicon for optical emission

Номер патента: DE69924906D1. Автор: John J Pekarik,Walter J Varhue. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-06-02.

Ultrashort pulse fiber amplifier using rare-earth doped gain fibers

Номер патента: US9780520B2. Автор: Tao Luo,Qing Wang,Lei Pan,Shibin Jiang. Владелец: Advalue Photonics Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Electric pumping of rare-earth-doped silicon for optical emission

Номер патента: US6795468B2. Автор: John J. Pekarik,Walter J. Varhue. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-09-21.

Near-infrared band full-coverage rare earth-doped multilayer luminescent glass and preparation method and application thereof

Номер патента: CN109970336B. Автор: 张振,孙立忠,黄薄,臧春阳,徐昌富. Владелец: XIANGTAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-03-04.

Electric pumping of rare-earth-doped silicon for optical emission

Номер патента: US20040037335A1. Автор: John Pekarik,Water Varhue. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-02-26.

Method for making polymer-based rare earth-doped waveguide

Номер патента: US20030205555A1. Автор: Ga-Lane Chen,Charles Leu. Владелец: Charles Leu. Дата публикации: 2003-11-06.

Integrated rare earth doped optical waveguide amplifier array

Номер патента: WO2002101891A3. Автор: Renyuan Gao. Владелец: Photon X Inc. Дата публикации: 2003-10-23.

Integrated rare earth doped optical waveguide amplifier array

Номер патента: WO2002101891A2. Автор: Renyuan Gao. Владелец: Photon-X, Inc.. Дата публикации: 2002-12-19.

FIBER-BASED CONTINUOUS OPTICAL BEAT LASER SOURCE TO GENERATE TERAHERTZ WAVES USING LITHIUM NIOBATE CRYSTAL EMBEDDED IN THE FIBER

Номер патента: US20210066876A1. Автор: UMMY MUHAMMAD ALI. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-04.

Fluorinated rare earth doped glass and glass-ceramic articles

Номер патента: CA2288888A1. Автор: Nicholas Francis Borrelli,James Crawford Bange,Lauren Kay Cornelius,John White O'connell,Paul Author Tick. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-12-03.

Rare-earth-doped optical fiber, optical fiber amplifier, and method of manufacturing a preform for such fiber

Номер патента: US20090180174A1. Автор: Manabu Ishikawa,Tetsuya Haruna. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2009-07-16.

Rare-earth doped phosphate-glass lasers and associated methods

Номер патента: AU5721300A. Автор: Mark P. Bendett,Michael A. Mccoy,Norman A. Sanford,David L. Veasey. Владелец: Northstar Photonics Inc. Дата публикации: 2000-09-21.

Rare-earth doped phosphate-glass lasers

Номер патента: AU3583800A. Автор: Norman A. Sanford,David L. Veasey. Владелец: US Department of Commerce. Дата публикации: 2000-08-18.

Rare-earth doped phosphate-glass lasers

Номер патента: CA2361485A1. Автор: Mark P. Bendett,Norman A. Sanford,David L. Veasey. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-09-08.

Preparation method of distributed Bragg reflection laser based on erbium-doped lithium niobate thin film

Номер патента: CN111129920B. Автор: 陈建平,吴侃,蔡明璐. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2021-10-08.

Rare-earth-doped alumina-oxide laser gain media

Номер патента: WO2020154692A1. Автор: Yasuhiro Kodera,Javier E. Garay,Elias H. PENILLA. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2020-07-30.

Doped stoichiometric lithium niobate and lithium tantalate for self-frequency conversion lasers

Номер патента: US20050190805A1. Автор: Michael Scripsick,Barry Wechsler. Владелец: Nova Phase Inc. Дата публикации: 2005-09-01.

Doped stoichiometric lithium niobate and lithium tantalate for self-frequency conversion lasers

Номер патента: US20070153850A1. Автор: Barry Wechsler,Michale Scripsick. Владелец: Nova Phase Inc. Дата публикации: 2007-07-05.

RARE EARTH DOPED Lu2O3 POLYCRYSTALLINE CERAMIC LASER GAIN MEDIUM

Номер патента: US20140098411A1. Автор: Sanghera Jasbinder S.,Villalobos Guillermo R.,Kim Woohong,Sadowski Bryan,Aggarwal Ishwar D.,Shaw Leslie Brandon,Frantz Jesse A.,Baker Colin C.. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-10.

Rare earth doped optical glasses

Номер патента: US20020076192A1. Автор: Roger Bartholomew,Heather Boek,Michelle Pierson,Carlton Truesdale. Владелец: Truesdale Carlton M.. Дата публикации: 2002-06-20.

Process for synthesizing rare earth-doped cobalt-chromite pigments for capacitive and resistive humidity sensor applications

Номер патента: US12030787B2. Автор: Anuj Kumar,Mohd. Shkir,Thamraa Alshahrani,S. AlFaify,Mohd Ubaidullah,N. Senthilkumar,Jagadeesha Angadi. V. Владелец: Princess Nourah Bint Abdurahman University. Дата публикации: 2024-07-09.

Supersaturated Rare Earth Doped Semiconductor Layers by Chemical Vapor Deposition

Номер патента: CA2095449A1. Автор: David B. Beach. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1994-03-01.

Process for synthesizing rare earth-doped cobalt-chromite pigments for capacitive and resistive humidity sensor applications

Номер патента: US20230357047A1. Автор: Anuj Kumar,Mohd. Shkir,Thamraa Alshahrani,S. AlFaify,Mohd Ubaidullah,N. Senthilkumar,Jagadeesha Angadi.V. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-11-09.

Frequency-doubled neodymium doped glass laser utilizing a lithium niobate crystal

Номер патента: US3670258A. Автор: Peter C Magnante. Владелец: American Optical Corp. Дата публикации: 1972-06-13.

Optical waveguide laser comprising bragg gratings

Номер патента: WO2002049169A1. Автор: Jon Thomas Kringlebotn,Sigurd Weidemann LØVSETH. Владелец: Optoplan AS. Дата публикации: 2002-06-20.

Optical waveguide laser comprising bragg gratings

Номер патента: EP1350289A1. Автор: Jon Thomas Kringlebotn,Sigurd Weidemann LØVSETH. Владелец: Optoplan AS. Дата публикации: 2003-10-08.

Rare earth doped layer or substrate for light conversion

Номер патента: EP1979956A1. Автор: Bernd Keller,Brian Thibeault,Eric J. Tarsa,Michael Mack,Steven P. DenBaars,Adam W. Saxler. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2008-10-15.

HIGHLY RARE-EARTH-DOPED OPTICAL FIBERS FOR FIBER LASERS AND AMPLIFIERS

Номер патента: US20130301115A1. Автор: FERMANN Martin E.,Dong Liang,Suzuki Shigeru,McKay Hugh,Fu Libin. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-14.

RARE EARTH-DOPED DOUBLE-CLAD OPTICAL FIBER AND PREPARATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20200018897A1. Автор: WANG Peng,YANG Yucheng,CAO Beibei,ZHANG Xinben,HUANG Hongqi,YUE Tianyong. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-16.

Rare Earth-Doped Fiber Amplifier With Integral Optical Metrology Functionality

Номер патента: US20160197673A1. Автор: McClean Ian Peter,Gurusami Aravanan. Владелец: II-VI Incorporated. Дата публикации: 2016-07-07.

Rare-Earth-Doped Optical Fiber Having Small Numerical Aperture

Номер патента: US20110116160A1. Автор: Alain Pastouret,Ekaterina Burov,David Boivin,Cedric Gonnet. Владелец: Draka Comteq BV. Дата публикации: 2011-05-19.

Rare earth doped aluminosilicate glasses, especially for use as active lasant material in high performance bulk lasers

Номер патента: DE102013015934A1. Автор: Andreas Herrmann,Stefan Kuhn,Christian Rüssel,Mirko Tiegel. Владелец: Friedrich Schiller Universtaet Jena FSU. Дата публикации: 2015-03-19.

RARE EARTH DOPED SILICA FIBER WITH LOW DIGITAL OPENING

Номер патента: FR2952634A1. Автор: Alain Pastouret,Ekaterina Burov,David Boivin,Cedric Gonnet. Владелец: Draka Comteq France SAS. Дата публикации: 2011-05-20.

Rare-earth-doped, large-mode-area, multimode, hybrid optical fibers and devices using the same

Номер патента: EP1811616B1. Автор: Andrew D. Yablon,Robert S. Windeler. Владелец: OFS FITEL LLC. Дата публикации: 2017-01-04.

A rare-earth-doped optical fiber having small numerical aperture

Номер патента: CN102087378B. Автор: 大卫·博易文,阿兰·帕斯托特,艾卡特丽娜·伯罗乌,锡德里克·戈奈特. Владелец: Alcatel CIT SA. Дата публикации: 2014-04-30.

Rare earth doped optical fiber

Номер патента: WO2008042143A2. Автор: Ji Wang,Stuart Gray,Luis A. Zenteno,Donnell T. Walton. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2008-04-10.

Rare-earth-doped optical fiber having small numerical aperture

Номер патента: US8675275B2. Автор: Alain Pastouret,Ekaterina Burov,David Boivin,Cedric Gonnet. Владелец: Draka Comteq BV. Дата публикации: 2014-03-18.

Rare earth-doped core optical fiber and method for manufacture thereof

Номер патента: EP1947065A1. Автор: Masashi Ikeda,Kuniharu Himeno,Michihiro Nakai,Naritoshi Yamada,Tomoharu Kitabayashi. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2008-07-23.

Rare earth doped semiconductor laser

Номер патента: EP0261875A2. Автор: Won-Tien Tsang. Владелец: AT&T Corp. Дата публикации: 1988-03-30.

Rare earth doped and large effective area optical fibers for fiber lasers and amplifiers

Номер патента: US20100329618A1. Автор: Liang Dong,Xiang Peng. Владелец: IMRA America Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Rare earth doped optical fibres and large effective area optical fibers for fiber lasers and amplifiers

Номер патента: EP2292566B1. Автор: Liang Dong,Xiang Peng. Владелец: IMRA America Inc. Дата публикации: 2016-08-24.

Highly rare-earth-doped optical fibers for fiber lasers and amplifiers

Номер патента: US20110069723A1. Автор: Liang Dong,Shigeru Suzuki,Martin E. Fermann,Libin Fu,Hugh McKay. Владелец: IMRA America Inc. Дата публикации: 2011-03-24.

Rare earth doped optical fibre amplifiers

Номер патента: GB2273389B. Автор: Giacomo Stefano Roba. Владелец: Pirelli Cavi SpA. Дата публикации: 1996-07-17.

Rare earth-doped, stabilized cadmium halide glasses

Номер патента: CA2105906A1. Автор: Bruce G. Aitken,Mark A. Newhouse,Roger F. Bartholomew,Frank A. Annunziata,Mark L. Powley,Andrea L. Sadd. Владелец: Andrea L. Sadd. Дата публикации: 1994-03-22.

RARE EARTH DOPED SILICA FIBER WITH LOW DIGITAL OPENING

Номер патента: FR2952634B1. Автор: Alain Pastouret,Ekaterina Burov,David Boivin,Cedric Gonnet. Владелец: Draka Comteq France SAS. Дата публикации: 2011-12-16.

Fluorinated rare earth doped glass and glass-ceramic articles

Номер патента: TW506951B. Автор: Paul Arthur Tick,Nicholas Francis Borrelli,James Crawford Bange,Lauren Kay Cornelius,John White O'connell. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2002-10-21.

Rare earth doped core optical fiber and manufacturing method thereof

Номер патента: JPWO2007049705A1. Автор: 池田　正司,正司 池田,姫野　邦治,邦治 姫野,道弘 中居,成敏 山田,中居　道弘,和大 北林. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2009-04-30.

Connection structure for multi-core fiber and optical-fiber-bundle structure, connection structure for multi-core fibers, method for exciting rare-earth-doped multi-core fibers, and multi-core-optical-fiber amplifier

Номер патента: WO2014132989A1. Автор: 勝徳 今村,幸一 前田,齋藤　恒聡,健吾 渡辺,幸寛 土田. Владелец: 古河電気工業株式会社. Дата публикации: 2014-09-04.

Rare earth doped optical fibre amplifiers

Номер патента: EP0602467B1. Автор: Giacomo Stefano Roba. Владелец: Pirelli Cavi e Sistemi SpA. Дата публикации: 1998-05-13.

Fiber- or rod-based optical source featuring a large-core, rare-earth-doped photonic-crystal device for generation of high-power pulsed radiation and method

Номер патента: US20070041083A1. Автор: Christopher Brooks,Fabio Di Teodoro. Владелец: Aculight Corp. Дата публикации: 2007-02-22.

Rare earth doped layer or substrate for light conversion

Номер патента: WO2007094928A1. Автор: Bernd Keller,Brian Thibeault,Eric J. Tarsa,Michael Mack,Steven P. DenBaars,Adam W. Saxler. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2007-08-23.

Rare earth doped single polarization double clad optical fiber with plurality of air holes

Номер патента: EP1805537A2. Автор: Xin Chen,Ming-Jun Li,Ji Wang,Joohyun Koh,George E Berkey,Daniel A Nolan,Luis A Zenteno,Donnell T Walton. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2007-07-11.

Rare earth doped double clad optical fiber with plurality of air holes and stress rods

Номер патента: US20070177846A1. Автор: Xin Chen,Ming-Jun Li,Ji Wang,Joohyun Koh,Luis Zenteno,Daniel Nolan,Donnell Walton. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2007-08-02.

Rare earth doped single polarization double clad optical fiber with plurality of air holes

Номер патента: WO2006135433A3. Автор: Xin Chen,Ming-Jun Li,Ji Wang,Joohyun Koh,George E Berkey,Daniel A Nolan,Luis A Zenteno,Donnell T Walton. Владелец: Donnell T Walton. Дата публикации: 2007-05-24.

Absorption resonant rare earth-doped micro-cavities

Номер патента: CA2127614A1. Автор: John Milo Poate,George John Zydzik,Erdmann Frederick Schubert,Neil Edmund James Hunt,Alastair Malcolm Glass. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1995-03-31.

Absorption resonant rare earth-doped micro-cavities

Номер патента: HK77397A. Автор: John Milo Poate,George John Zydzik,Erdmann Frederick Schubert,Neil Edmund James Hunt,Alastair Malcolm Glass. Владелец: At & T Corp. Дата публикации: 1997-06-13.

Fiber optic amplifier

Номер патента: US20240072507A1. Автор: Kazuhide Nakajima,Takashi Matsui,Taiji Sakamoto,Shinichi Aozasa. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Optical amplifier and optical amplification method

Номер патента: US20110063721A1. Автор: Tomoaki Takeyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-03-17.

Optical fiber lasers

Номер патента: US9627839B2. Автор: Rafal CIESLAK,William Andrew Clarkson. Владелец: University of Southampton. Дата публикации: 2017-04-18.

Bi-directionally pumped polarization maintaining fiber amplifier

Номер патента: GB2558790A. Автор: STAMPOULIDIS LEONTIOS,KEHAYAS EFSTRATIOS. Владелец: Gooch And Housego Torquay Ltd. Дата публикации: 2018-07-18.

Pulsed light generator and pulsed fiber laser

Номер патента: US20100284429A1. Автор: Michihiro Nakai. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2010-11-11.

Mid-infrared optical frequency comb generation system and method based on lithium niobate microcavity

Номер патента: CN110854662A. Автор: 赵卫,曾超,王擂然,范炜晨,孙启兵,张文富. Владелец: XiAn Institute of Optics and Precision Mechanics of CAS. Дата публикации: 2020-02-28.

Gradient periodically polarised lithium niobate

Номер патента: RU2614199C1. Автор: Валерий Викторович Галуцкий,Елена Валерьевна Строганова,Сергей Андреевич Шмаргилов,Виталий Федорович Кузора. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "КУБАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ФГБОУ ВО "Кубанский государственный университет"). Дата публикации: 2017-03-23.

Method and device for performing wavelength modulation with distributed bragg reflector (DBR) laser

Номер патента: US20060120416A1. Автор: Chung-En Zah,Martin Hu. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2006-06-08.

Method and device for performing wavelength modulation with a distributed Bragg reflector (DBR) laser

Номер патента: CN101194401B. Автор: M·H·胡,C·乍. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2010-06-02.

Methods and devices for evaluating the operating characteristics of a dbr laser diode

Номер патента: WO2010117667A3. Автор: Paul W Smith,Martin H Hu,Hong K Nguyen. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2011-01-27.

Methods And Devices For Evaluating The Operating Characteristics Of A DBR Laser Diode

Номер патента: US20100250166A1. Автор: Martin Hai Hu,Hong Ky Nguyen,Paul Willard Smith. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2010-09-30.

Methods and devices for evaluating the operating characteristics of a dbr laser diode

Номер патента: WO2010117667A2. Автор: Paul W Smith,Martin H Hu,Hong K Nguyen. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2010-10-14.

Two-kappa dbr laser

Номер патента: DE102020125578A1. Автор: Yasuhiro Matsui. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Lockerless tuneable DBR laser

Номер патента: GB2554653A. Автор: Cannon Carter Andrew. Владелец: OCLARO TECHNOLOGY LTD. Дата публикации: 2018-04-11.

Stimmbarer dbr-laser und verfahren zum betreiben eines stimmbaren dbr-lasers

Номер патента: WO2013113437A1. Автор: Martin Schell,Patrick Runge. Владелец: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.. Дата публикации: 2013-08-08.

Thermal compensators for waveguide DBR laser sources

Номер патента: US5914972A. Автор: Steven Sanders,Sabeur Siala,Mehrdad Ziari. Владелец: SDL Inc. Дата публикации: 1999-06-22.

Alternating grating tunable dbr laser

Номер патента: CA2137596C. Автор: Jean-Pierre Weber. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2005-02-22.

Multi-wavelength dbr laser

Номер патента: WO2013070484A3. Автор: Feng Xie,Chung-En Zah,Catherine G. Caneau. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2013-07-04.

Multi-wavelength dbr laser

Номер патента: EP2777107A2. Автор: Feng Xie,Chung-En Zah,Catherine G. Caneau. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2014-09-17.

Multi-wavelength dbr laser

Номер патента: WO2013070484A2. Автор: Feng Xie,Chung-En Zah,Catherine G. Caneau. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2013-05-16.

Optical amplifier

Номер патента: US20170294759A1. Автор: Lijie Qiao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-12.

Optical amplifier

Номер патента: US20170294758A1. Автор: Lijie Qiao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-12.

System and method for high-power, pulsed ring fiber oscillator

Номер патента: US20160204564A1. Автор: Matthias P. Savage-Leuchs,Christopher D. Brooks,Fabio Di Teodoro,Tracy W. Vatter,Robert W. Royse. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Low-voltage laminated lithium niobate electro-optical Q switch

Номер патента: CN112382920B. Автор: 苏丽霞,杨金凤,陈铃,商继芳,郝好山. Владелец: Henan Institute of Engineering. Дата публикации: 2021-07-23.

Phase cover layer for DFB / DBR laser diodes.

Номер патента: DE68906207T2. Автор: Ingrid Albertina Frans M Baele,Wilma Van Es-Spiekman,Petrus Paulus Gerardus Mols,Pieter Ids Kuindersma. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1993-11-11.

RARE EARTH-DOPED MATERIALS WITH ENHANCED THERMOELECTRIC FIGURE OF MERIT

Номер патента: US20130186449A1. Автор: VENKATASUBRAMANIAN Rama,COOK Bruce Allen,LEVIN Evgenii M.,HARRINGA Joel Lee. Владелец: Research Triangle Institute. Дата публикации: 2013-07-25.

METHOD OF FABRICATING RARE-EARTH DOPED PIEZOELECTRIC MATERIAL WITH VARIOUS AMOUNTS OF DOPANTS AND A SELECTED C-AXIS ORIENTATION

Номер патента: US20140132117A1. Автор: III John D.,LARSON. Владелец: Avago Technologies General IP (Singapore) Pte. Ltd. Дата публикации: 2014-05-15.

FABRICATING LOW-DEFECT RARE-EARTH DOPED PIEZOELECTRIC LAYER

Номер патента: US20150311046A1. Автор: NIKKEL Phil,FENG Chris,CHOY John,GRANNEN Kevin J.,Yeh Tangshiun. Владелец: Avago Technologies General IP (Singapore) Pte. Ltd.. Дата публикации: 2015-10-29.

Top-emitting White Light Emitting Devices Using Nano-structures of Rare-earth Doped Transparent Conducting ZnO And Method Of Manufacturing Thereof

Номер патента: KR100750933B1. Автор: 송준오. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-08-22.

Preparation method of rare earth doped perfluorosulfonic acid membrane

Номер патента: CN111342094A. Автор: 陈婧. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-06-26.

Rare earth doped permanent magnetic ferrite and preparation method thereof

Номер патента: CN114195502A. Автор: 刘立新. Владелец: Shenzhen Xinyi Magnetic Material Co ltd. Дата публикации: 2022-03-18.

Rare earth-doped materials with enhanced thermoelectric figure of merit

Номер патента: WO2012037235A1. Автор: Rama Venkatasubramanian,Bruce Allen Cook,Evgenii M. Levin,Joel Lee Harringa. Владелец: Government Of The United States As Represented By The United States Department Of Energy. Дата публикации: 2012-03-22.

Rare earth doped luminescent material

Номер патента: WO2012039815A1. Автор: Alok Mani Srivastava,Holly Ann Comanzo,Gopi Chandran Ramachandran,Nagaveni Karkada,William Winder Beers,Katalin Toth,István Károly Deme,Swarnagowri Addepalli,Lazslo Balazs. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2012-03-29.

Rare earth-doped titanium dioxide photo-anode for dye-sensitized solar cell and preparation method thereof

Номер патента: CN101819885B. Автор: 林建明,吴季怀,黄妙良,谢桂香. Владелец: HUAQIAO UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-07-11.

Multi-layer capacitor with silver and rare earth doped barium titanate

Номер патента: DE19737324A1. Автор: Peter Dr Hansen. Владелец: Philips Patentverwaltung GmbH. Дата публикации: 1999-03-04.

Method of fabricating rare-earth doped piezoelectric material with various amounts of dopants and a selected C-axis orientation

Номер патента: US9679765B2. Автор: John D. Larson, III,Stefan Bader,Jyrki Kaitila. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Preparation method of rare earth doped solid electrolyte for all-solid-state lithium ion battery

Номер патента: CN110048157B. Автор: 胡家强,张渊君. Владелец: Henan Solid Lithium Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-03-12.

Rare earth-doped materials with enhanced thermoelectric figure of merit

Номер патента: CN103201864A. Автор: R·文卡塔苏伯拉玛尼安,B·A·库克,E·M·莱温,J·L·哈林佳. Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 2013-07-10.

Rare-Earth Doped Semiconductor Material, Thin-Film Transistor, and Application

Номер патента: US20230094925A1. Автор: Hong Tao,Miao Xu,Min Li,Lei Wang,HUA Xu,Junbiao Peng,Jian Hua Zou. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2023-03-30.

Optical amplifier and optical amplification method

Номер патента: EP4362246A1. Автор: Hitoshi Takeshita. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2024-05-01.

Optical amplifier and optical amplification method

Номер патента: US20240146015A1. Автор: Hitoshi Takeshita. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Tilt control through optical pump power adjustment

Номер патента: US20140268308A1. Автор: Wayne S. Pelouch,Stephen Michael Webb,Do-Il Chang. Владелец: Xtera Communications Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Tilt control through optical pump power adjustment

Номер патента: EP2974082A1. Автор: Wayne S. Pelouch,Stephen Michael Webb,Do-Il Chang. Владелец: Xtera Communications Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Lightwave transmission system employing raman and rare-earth doped fiber amplification

Номер патента: US6038356A. Автор: Morten Nissov,Franklin W. Kerfoot, III. Владелец: Tyco Submarine Systems Ltd. Дата публикации: 2000-03-14.

Ase light source

Номер патента: US20090278056A1. Автор: Hideyuki Okamoto,Yoshinori Kubota,Takuya Teshima. Владелец: CENTAL GLASS Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-12.

Semiconductor devices formed of iii-nitride compounds, lithium-niobate-tantalate, and silicon carbide

Номер патента: WO2003071605A3. Автор: William Alan Doolittle. Владелец: Georgia Tech Res Inst. Дата публикации: 2007-11-29.

Method for dry-etching lithium niobate

Номер патента: EP4290556A1. Автор: Jian Liu,Kaidong Xu,Dongchen CHE,Taiyan PENG,Yingxiong FENG,Haicheng DAI. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Lithium niobate solution and method for producing same

Номер патента: EP4332064A1. Автор: Daiki Arakawa,Syuhei HARA,Ryuji Motono. Владелец: Mitsui Mining and Smelting Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

Method for etching lithium niobate and method for forming lithium niobate pattern using the same

Номер патента: US20230307214A1. Автор: Sang Wook Han,Min Kyo Seo,Ho Joong JUNG,Hyeon Hwang,Hansuek Lee,Hyung Jun HEO. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-09-28.

Lithium niobate solution and method for producing same

Номер патента: US20240208839A1. Автор: Daiki Arakawa,Syuhei HARA,Ryuji Motono. Владелец: Mitsui Mining and Smelting Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Lithium niobate and method for producing the same

Номер патента: US11901558B2. Автор: Kazuki Muraishi,Kengo Matsuo,Koichi Sugiura,Nariaki MIKI. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Co-doped lithium aluminum titanium phosphate solid electrolyte material for lithium ion battery and method for preparing the same

Номер патента: US20240006655A1. Автор: Sea-Fue Wang,Yi-An KO,Ting-Kai SHIEH. Владелец: NATIONAL TAIPEI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-01-04.

Grain boundary- and surface-doped lithium-lanthanum-zirconium composite oxide electrolyte, preparation method therefor, and application thereof

Номер патента: US20240363896A1. Автор: Yang Xu,Ning Wang,Xiaowei Huang,Xiaobao Zhang,Qiang ZHONG,Zongyu FENG,Juanyu Yang,Yiyang XIAO. Владелец: Rare Earth Functional Materials Xiong 'an Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of processing a lithium tantalate and/or lithium niobate wafer by subjecting the wafer to heat and a reducing agent

Номер патента: US12012669B2. Автор: Xuewu Wang,Mingxin Chen. Владелец: Fujian Jingan Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Powder including niobium complex and lithium and production method thereof, and production method of lithium secondary battery positive electrode active material having coated layer containing lithium niobate

Номер патента: US20240228316A9. Автор: Masahiro Yoshida,Hidefumi Fujita,Koji Tanoue. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Transversely excited film bulk acoustic resonator using rotated Y-X cut lithium niobate

Номер патента: US10790802B2. Автор: Bryant Garcia,Viktor Plesski,Ventsislav Yantchev. Владелец: Resonant Inc. Дата публикации: 2020-09-29.

Fluorine-doped lithium positive electrode material, preparation method therefor and use thereof

Номер патента: US20240239688A1. Автор: Pengfei Wang,Feng Guo,Xinpei Xu,Hongxin Yang,Qiqi QIAO,Zetao SHI,Zitan LI. Владелец: Svolt Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Sulfide-based all-solid-state battery including positive electrode active material coated with lithium niobate precursor and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4197042A1. Автор: Wang Mo JUNG,Chi Ho Jo,Ying Shirley Meng,Hyuk In Moon,Hye Seung CHUNG. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-06-21.

Powder including niobium complex and lithium and production method thereof, and production method of lithium secondary battery positive electrode active material having coated layer containing lithium niobate

Номер патента: US20240132368A1. Автор: Masahiro Yoshida,Hidefumi Fujita,Koji Tanoue. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Tungsten-doped lithium manganese iron phosphate-based particulate, tungsten-doped lithium manganese iron phosphate-based powdery material including the same, and method for preparing powdery material

Номер патента: US11094936B2. Автор: Chih-Tsung Hsu,Hsin-Ta HUANG,Chien-Wen JEN,Yi-Hsuan WANG. Владелец: Hcm Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-17.

Doped lithium iron phosphate encapsulated in ligand, and preparation method therefor and use thereof

Номер патента: US20240222626A1. Автор: Bo Li,Changdong LI,Aixia LI,Haijun YU,Yinghao Xie,Yingsheng Zhong. Владелец: Hunan Bangpu Automobile Circulation Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Particles of doped lithium cobalt oxide, method for preparing the same and their use in lithium ion batteries

Номер патента: CA2766030C. Автор: Ismail Akalay,Intissar Benzakour,Abderahmane Kaddami,Hakim Faqir,Khalid Ouzaouit. Владелец: REMINEX SA. Дата публикации: 2018-08-07.

Doped lithium iron phosphate encapsulated in ligand, and preparation therefor and use thereof

Номер патента: GB2617290A. Автор: Li Bo,Yu Haijun,LI Changdong,XIE YINGHAO,LI Aixia,ZHONG Yingsheng. Владелец: Hunan Bangpu Automobile Circulation Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-04.

Iron-doped lithium titanate as a cathode material

Номер патента: US20130168252A1. Автор: Ulrich Eisele,Ingo Kerkamm,Hideki Ogihara,Jitti Kasemchainan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-07-04.

Process for manufacturing doped lithium titanate

Номер патента: GB2596918A. Автор: STEVENS James,R Hawkins Christopher. Владелец: JOHNSON MATTHEY PLC. Дата публикации: 2022-01-12.

Fluorine-doped lithium positive electrode material, preparation method therefor and use thereof

Номер патента: EP4321486A1. Автор: Pengfei Wang,Feng Guo,Xinpei Xu,Hongxin Yang,Qiqi QIAO,Zetao SHI,Zitan LI. Владелец: Svolt Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-14.

Aluminum-doped lithium ion conductor based on a garnet structure

Номер патента: CA3112248C. Автор: Jörg Schumacher,Andreas Roters,Wolfgang Schmidbauer,Bernd Rudinger,Meike Schneider,Sebastian Leukel. Владелец: SCHOTT AG. Дата публикации: 2023-10-31.

Process for manufacturing doped lithium titanate

Номер патента: WO2021250412A1. Автор: James Stevens,Christopher R. HAWKINS. Владелец: JOHNSON MATTHEY PUBLIC LIMITED COMPANY. Дата публикации: 2021-12-16.

Tungsten-doped lithium manganese iron phosphate-based particulate and tungsten-doped lithium manganese iron phosphate-based powdery material including the same

Номер патента: US11967717B2. Автор: Chih-Tsung Hsu,Hsin-Ta HUANG,Chien-Wen JEN,Yi-Hsuan WANG. Владелец: Hcm Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Tungsten-doped lithium manganese iron phosphate-based particulate, tungsten-doped lithium manganese iron phosphate-based powdery material including the same, and method for preparing powdery material

Номер патента: US20210119212A1. Автор: Chih-Tsung Hsu,Hsin-Ta HUANG,Chien-Wen JEN,Yi-Hsuan WANG. Владелец: Hcm Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Doped lithium manganese iron phosphate-based particulate, doped lithium manganese iron phosphate-based powdery material including the same, and method for preparing powdery material

Номер патента: EP3808701A1. Автор: Chih-Tsung Hsu,Hsin-Ta HUANG,Chien-Wen JEN,Yi-Hsuan WANG. Владелец: Hcm Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-21.

Tungsten-doped lithium manganese iron phosphate-based particulate, tungsten-doped lithium manganese iron phosphate-based powdery material including the same, and method for preparing powdery material

Номер патента: EP3808702A1. Автор: Chih-Tsung Hsu,Hsin-Ta HUANG,Chien-Wen JEN,Yi-Hsuan WANG. Владелец: Hcm Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-21.

Copper-doped lithium cobalt oxide precursor, positive electrode material, and preparation method therefor and use thereof

Номер патента: GB2624733A. Автор: Zhang Xuemei,Yu Haijun,LI Changdong,XIE YINGHAO,LI Aixia. Владелец: Guangdong Brunp Recycling Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-29.

Process for preparing doped lithium lanthanum zirconium oxide

Номер патента: US20210198117A1. Автор: Albert L. Lipson,Ozgenur Kahvecioglu,Jessica L. DURHAM. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2021-07-01.

Preparation method for and application of tellurium-doped lithium cobalt oxide precursor

Номер патента: GB2619454A. Автор: Zhang Xuemei,Yu Haijun,LI Changdong,XIE YINGHAO,LI Aixia. Владелец: Hunan Bangpu Automobile Circulation Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Device

Номер патента: WO2011030157A2. Автор: Animesh Jha,Gin Jose,David Paul Steenson. Владелец: UNIVERSITY OF LEEDS. Дата публикации: 2011-03-17.

Wavelength stabilizer for TWDM-PON burst mode DBR laser

Номер патента: US09843397B2. Автор: Feng Wang,Xuejin Yan,Bo Gao,Frank Effenberger. Владелец: FutureWei Technologies Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Terahertz radiation source based on non-periodically polarized lithium niobate crystal and acquisition method

Номер патента: CN113839291A. Автор: 肖勇,李召阳,易翀,张镜水,梅嘉林,王宇芃. Владелец: Beijing Institute of Remote Sensing Equipment. Дата публикации: 2021-12-24.

Resonant-based photonic intensity modulators integrated with fully etched thin-film lithium niobate waveguides

Номер патента: US11693180B2. Автор: Lynford L. Goddard,Songbin Gong,Meisam Bahadori. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2023-07-04.

METHOD, SYSTEM AND APPARATUS FOR AUTOMATICALLY DETERMINING OPERATING CONDITIONS OF A PERIODICALLY POLED LITHIUM NIOBATE CRYSTAL IN A LASER SYSTEM

Номер патента: US20150139259A1. Автор: ROBINSON Wayne. Владелец: CHRISTIE DIGITAL SYSTEMS CANADA INC.. Дата публикации: 2015-05-21.

Integrated lithium niobate based optical transmitter

Номер патента: US20050111773A1. Автор: Jean-Marc Verdiell. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-05-26.

Continuous tilt impulse wave face-pumping lithium niobate produces the method and device of THz wave

Номер патента: CN106953224A. Автор: 柴路,王清月,胡明列,宋琦,栗岩锋. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-07-14.

Integrated lithium niobate based optical transmitter

Номер патента: US7019907B2. Автор: Jean-Marc Verdiell. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-03-28.

Semiconductor DBR Laser

Номер патента: US20150288140A1. Автор: Andrew Ward,Andrew Carter,Sam Davies. Владелец: OCLARO TECHNOLOGY LTD. Дата публикации: 2015-10-08.

Heating elements for multi-wavelength dbr laser

Номер патента: EP2777105A1. Автор: Dmitri Vladislavovich Kuksenkov,Shenping Li,Chung-En Zah,Hong Ky Nguyen. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2014-09-17.

Heating elements for multi-wavelength dbr laser

Номер патента: WO2013070827A1. Автор: Dmitri Vladislavovich Kuksenkov,Shenping Li,Chung-En Zah,Hong Ky Nguyen. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2013-05-16.

TUNABLE DBR LASER AND A METHOD OF OPERATING A TUNABLE DBR LASER

Номер патента: US20150023382A1. Автор: Schell Martin,Runge Patrick. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-22.

Semiconductor dbr laser

Номер патента: WO2014068332A3. Автор: Andrew Ward,Andrew Carter,Sam Davies. Владелец: OCLARO TECHNOLOGY LTD. Дата публикации: 2014-07-17.

Semiconductor dbr laser

Номер патента: EP2915227A2. Автор: Andrew Ward,Andrew Carter,Sam Davies. Владелец: OCLARO TECHNOLOGY LTD. Дата публикации: 2015-09-09.

Semiconductor dbr laser

Номер патента: WO2014068332A2. Автор: Andrew Ward,Andrew Carter,Sam Davies. Владелец: OCLARO TECHNOLOGY LTD. Дата публикации: 2014-05-08.

Methods and devices for evaluating the operating characteristics of a DBR laser diode

Номер патента: TW201108536A. Автор: Martin Hai Hu,Hong Ky Nguyen,Paul Willard Smith. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2011-03-01.

Co-modulation of DBR Laser and Integrated Optical Amplifier

Номер патента: US20130308178A1. Автор: Matsui Yasuhiro. Владелец: FINISAR CORPORATION. Дата публикации: 2013-11-21.

TWO-KAPPA DBR LASER

Номер патента: US20210098969A1. Автор: Matsui Yasuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-01.

Wavelength Stabilizer For TWDM-PON Burst Mode DBR Laser

Номер патента: US20160142151A1. Автор: Gao Bo,Effenberger Frank,Wang Feng,Yan Xuejin. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-19.

VERNIER EFFECT DBR LASERS INCORPORATING INTEGRATED TUNING ELEMENTS

Номер патента: US20180183207A1. Автор: Arbore Mark Alan,Audet Ross M.,Bidaux Yves,BISMUTO Alfredo,GRESCH Tobias,TARDY Camille,MÜLLER Antoine Jean André. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-28.

Tuneable DBR Laser Without External Frequency Locker

Номер патента: US20190207367A1. Автор: Carter Andrew Cannon. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-04.

Semiconductor DBR Laser

Номер патента: US20150288140A1. Автор: Davies Sam,Carter Andrew,Ward Andrew. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-08.

ASYMMETRIC OPTICAL WAVEGUIDE GRATING RESONATORS & DBR LASERS

Номер патента: US20160380407A1. Автор: Sysak Matthew,Bovington Jock. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-29.

Vernier effect dbr lasers incorporating integrated tuning elements

Номер патента: WO2016176364A1. Автор: Mark Alan ARBORE,Ross M. Audet,Alfredo Bismuto,Yves BIDAUX,Antoine Jean André MULLER,Camille TARDY,Tobias GRESCH. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2016-11-03.

A kind of tunable DBR laser being thermally isolated and its processing method and application method

Номер патента: CN107453202B. Автор: 岳爱文,王任凡,张明洋,赵建宜. Владелец: Wuhan Telecommunication Devices Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-04.

Co-modulation of DBR laser and integrated optical amplifier

Номер патента: US9231367B2. Автор: Yasuhiro Matsui. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2016-01-05.

Control system for use with DBR lasers

Номер патента: US6697388B1. Автор: Scott L. Broutin,James K. Plourde,John W. Stayt. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2004-02-24.

Asymmetric optical waveguide grating resonators and DBR lasers

Номер патента: US10109981B2. Автор: Jock BOVINGTON,Matthew Sysak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-10-23.

A kind of iii-v silicon substrate low-refraction gap structure DBR laser and integrated approach

Номер патента: CN110277731A. Автор: 冯佩,黄卫平,李俣,曲莫. Владелец: Shandong University. Дата публикации: 2019-09-24.

DBR Laser with Improved Thermal Tuning Efficiency

Номер патента: US20100311195A1. Автор: Yasuhiro Matsui,Parviz Tayebati,Kevin J. Mccallion. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2010-12-09.

Tunable DBR laser with alternating gratings

Номер патента: DE69500401T2. Автор: Jean-Pierre Weber. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 1997-10-23.

Asymmetric optical waveguide grating resonators & dbr lasers

Номер патента: KR101980950B1. Автор: 매슈 시사크,조크 보빙턴. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2019-08-30.

Method and device for performing DBR laser wavelength modulation free of thermal effect

Номер патента: US20070133629A1. Автор: Nobuhiko Nishiyama,Chung-En Zah,Martin Hu. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2007-06-14.

Asymmetric optical waveguide grating resonator and DBR laser

Номер патента: CN105794057B. Автор: M·西萨克,J·波维顿. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-06.

Asymmetrische optische Wellenleitergitterresonatoren und DBR-Laser

Номер патента: DE112013007730B4. Автор: Jock BOVINGTON,Matthew Sysak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor dbr laser

Номер патента: EP2915227B1. Автор: Andrew Ward,Andrew Carter,Sam Davies. Владелец: OCLARO TECHNOLOGY LTD. Дата публикации: 2017-12-20.

Heating elements for multi-wavelength dbr laser

Номер патента: EP2777105B1. Автор: Dmitri Vladislavovich Kuksenkov,Shenping Li,Chung-En Zah,Hong Ky Nguyen. Владелец: Thorlabs Quantum Electronics Inc. Дата публикации: 2019-04-17.

Fiber laser device

Номер патента: US8571074B2. Автор: Kensuke Shima. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2013-10-29.

Fiber laser device

Номер патента: EP2256878A3. Автор: Kensuke Shima. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2011-03-23.

Rare-earth-added fiber and fiber laser device

Номер патента: EP4287423A1. Автор: Rintaro KITAHARA. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Fiber laser device

Номер патента: US20100303103A1. Автор: Kensuke Shima. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2010-12-02.

Preparation method for lanthanide rare earth doped indium zinc oxide nano-powder

Номер патента: LU504173B1. Автор: Yang Liu,Jie Chen,Zhijun Wang,Miao Liu,Jilin He,Benshuang SUN,Xueyun ZENG,Chengduo WANG,Bingxue Han,Hongming Song. Владелец: Univ Zhengzhou. Дата публикации: 2023-11-10.

Fibre laser having excellent reflected light resistance

Номер патента: RU2460186C2. Автор: Томохару КИТАБАЯСИ. Владелец: Фудзикура Лтд.. Дата публикации: 2012-08-27.

Radioactive medical isotope labeled rare-earth doped nanomaterial, pet imaging diagnosis and treatment agent, preparation method therefor and application thereof

Номер патента: EP4424793A1. Автор: Guowei Li,Yongsheng Liu,Maochun Hong,Shihui JIANG. Владелец: Amonmed Rare Earth Biotechnology Hebei Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Rare-earth doped phosphor based on alkali-earth element and silicon nitride, method for production thereof and radiation converting device containing said phosphor

Номер патента: RU2470980C2. Автор: Детлеф ШТАРИК,Свен РЁСЛЕР,Ченг-Джун ДУАН,Зильке РЕСЛЕР,Хубертус Терезия ХИНТЦЕН,Анна Шарлотта Ануанетта ДЕЛСИНГ. Владелец: Ледон Лайтинг Йеннерсдорф Гмбх. Дата публикации: 2012-12-27.

Gated recording of holograms using rare-earth doped ferroelectric materials

Номер патента: WO1997013251A1. Автор: Lambertus Hesselink,Yu Sheng Bai,Ravinder Kachru,Roger M. Macfarlane. Владелец: SRI INTERNATIONAL. Дата публикации: 1997-04-10.

Microheater comprising a rare earth-doped optical fiber

Номер патента: US11880062B2. Автор: John Ballato,Peter Dragic,Andrey Mironov,Courtney Kucera,Matthew Tuggle. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2024-01-23.

Microheater comprising a rare earth-doped optical fiber

Номер патента: US20200174184A1. Автор: John Ballato,Peter Dragic,Andrey Mironov,Courtney Kucera,Matthew Tuggle. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2020-06-04.

A method of fabricating rare earth doped optical fibre

Номер патента: EP1487751A1. Автор: Ranjan Cent. Glass & Ceramic Res. Inst. SEN,Mrinmay Cent. Glass & Ceramic Res. Inst. PAL,Mukul C. Cent. Glass & Ceramic Res. Inst. PAUL,Shyamal Cent. Glass & Ceramic Res. Inst. BHADRA,Somesh Cent. Glass & Ceramic Res.Inst CHATTERJEE,Kamal Cent. Glass & Ceramic Res. Inst. DASGUPTA. Владелец: Ministry Of Information Techno. Дата публикации: 2004-12-22.

A method of fabricating rare earth doped optical fibre

Номер патента: WO2003082756A1. Автор: Mrinmay Pal,Ranjan Sen,Mukul Chandra Paul,Shyamal Kumar Bhadra,Kamal Dasgupta,Somesh Chatterjee. Владелец: Ministry Of Information Technology. Дата публикации: 2003-10-09.

Rare earth-doped up-conversion nanoparticles for therapeutic and diagnostic applications

Номер патента: WO2011063356A3. Автор: Qiang Wang,Patrick Y. Lu,Harry Hongjun Yang. Владелец: Sirnaomics, Inc.. Дата публикации: 2011-08-18.

Rare earth doped caso4 phosphors having high efficiency under the vacuum ultraviolet ray excitation

Номер патента: WO2007102666A1. Автор: Dong Sung Seo,Seon Bae Kim,Soon Yeong Heo,Hyun Myung Jang,Byung Gon KUM. Владелец: EXAX INC.. Дата публикации: 2007-09-13.

Optical systems and devices employing spectrally flattened amplified spontaneous emission

Номер патента: US5668821A. Автор: Craig W. Hodgson,Ashish Madhukar Vengsarkar. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1997-09-16.

Method of growing rare earth doped orthosilicates(ln2-xrexsio5)

Номер патента: US5164041A. Автор: George W. Berkstresser,Charles D. Brandle, Jr.. Владелец: AT&T Bell Laboratories Inc. Дата публикации: 1992-11-17.

Quantitative detection method of rare earth doped calcium phosphate fluorescent nanoparticles in organisms

Номер патента: US11921123B2. Автор: Xinyu Wang,Yingchao Han,Qingguo XING. Владелец: Wuhan University of Technology WUT. Дата публикации: 2024-03-05.

A method of fabricating rare earth doped optical fibre

Номер патента: CA2481204C. Автор: Mrinmay Pal,Ranjan Sen,Mukul Chandra Paul,Shyamal Kumar Bhadra,Kamal Dasgupta,Somesh Chatterjee. Владелец: Ministry Of Information Technology. Дата публикации: 2011-02-15.

Method of amplifying optical signals using doped materials with extremely broad bandwidths

Номер патента: US20030112499A1. Автор: Michel Digonnet,Martin Fejer,Yannick Feillens. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-19.

Pulse laser apparatus, terahertz measuring apparatus, and terahertz tomographic apparatus

Номер патента: US20110210252A1. Автор: Toshihiko Ouchi,Takashi Katagiri,Kentaro Furusawa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2011-09-01.

Multiple stage optical fiber amplifier

Номер патента: WO2001065646A3. Автор: Stephen G Grubb,David F Welch,Bernard G Fidric. Владелец: JDS Uniphase Corp. Дата публикации: 2002-04-18.

Pulsed bias current for gain switched semiconductor lasers for amplified spontaneous emission reduction

Номер патента: US09853411B2. Автор: Timothy S. McComb,Dennis McCal. Владелец: NLight Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Optical fiber amplifier and optical communication system using the same

Номер патента: CA2369906C. Автор: Makoto Shimizu,Atsusi Mori,Hiroji Masuda. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2012-05-15.

Rare-Earth Doped Semiconductor Infrared Radiation Thick-Film Electronic Paste and Preparation Method Therefor

Номер патента: US20190007998A1. Автор: Jian Liu,Guanxian SU. Владелец: Corehelm Electronic Material Co ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Rare earth doped reinforced glass ceramic and preparation method and application thereof

Номер патента: CN111087175A. Автор: 胡伟,谈宝权,张延起,陈芳华. Владелец: Shenzhen Donglihua Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-05-01.

Rare earth doped reinforced glass ceramic and preparation method and application thereof

Номер патента: CN111087175B. Автор: 胡伟,谈宝权,张延起,陈芳华. Владелец: Chongqing Aureavia Hi Tech Glass Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-11.

Rare earth-doped reinforced glass-ceramic, and preparation method and use therefor

Номер патента: EP4079697A1. Автор: WEI Hu,Fanghua Chen,Yanqi ZHANG,Baoquan Tan. Владелец: Chongqing Aureavia Hi Tech Glass Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-26.

Rare earth-doped fiber amplifier with integral optical metrology functionality

Номер патента: US9503181B2. Автор: Aravanan Gurusami,Ian Peter McClean. Владелец: II VI Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Rare earth-doped reinforced glass-ceramic, and preparation method and use therefor

Номер патента: EP4079697A4. Автор: WEI Hu,Fanghua Chen,Yanqi ZHANG,Baoquan Tan. Владелец: Chongqing Aureavia Hi Tech Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Laser cooling of silica glass

Номер патента: WO2021080998A2. Автор: Mansoor Sheik-Bahae,Arash Mafi,Mostafa PEYSOKHAN,Esmaeil Mobini SOUCHELMAEI,Saeid ROSTAMI. Владелец: UNM Rainforest Innovations. Дата публикации: 2021-04-29.

Laser cooling of silica glass

Номер патента: US20220371946A1. Автор: Mansoor Sheik-Bahae,Arash Mafi,Mostafa PEYSOKHAN,Esmaeil Mobini SOUCHELMAEI,Saeid ROSTAMI. Владелец: UNM Rainforest Innovations. Дата публикации: 2022-11-24.

Waveguide design for line selection in fiber lasers and amplifiers

Номер патента: WO2017155626A3. Автор: Michael J. Messerly,Jay W. Dawson,Graham S. Allen,Derrek Reginald Drachenberg,Victor V. Khitrov,Paul H. Pax,Nick Schenkel. Владелец: Lawrence Livermore National Security, LLC. Дата публикации: 2017-12-21.

Waveguide design for line selection in fiber lasers and amplifiers

Номер патента: WO2017155626A4. Автор: Michael J. Messerly,Jay W. Dawson,Graham S. Allen,Derrek Reginald Drachenberg,Victor V. Khitrov,Paul H. Pax,Nick Schenkel. Владелец: Lawrence Livermore National Security, LLC. Дата публикации: 2018-03-01.

Waveguide design for line selection in fiber lasers and amplifiers

Номер патента: WO2017155626A2. Автор: Michael J. Messerly,Jay W. Dawson,Graham S. Allen,Derrek Reginald Drachenberg,Victor V. Khitrov,Paul H. Pax,Nick Schenkel. Владелец: Lawrence Livermore National Security, LLC. Дата публикации: 2017-09-14.

Waveguide design for line selection in fiber lasers and amplifiers

Номер патента: EP3411931A2. Автор: Michael J. Messerly,Jay W. Dawson,Graham S. Allen,Derrek Reginald Drachenberg,Victor V. Khitrov,Paul H. Pax,Nick Schenkel. Владелец: Lawrence Livermore National Security LLC. Дата публикации: 2018-12-12.

Short wavelength diode-pumped solid-state laser

Номер патента: WO2005117216A3. Автор: David E Hargis,Eric B Takeuchi. Владелец: Eric B Takeuchi. Дата публикации: 2007-02-01.

Double clad optical fiber with rare earth metal doped glass core

Номер патента: EP1708971A1. Автор: Ji Wang,Joohyun Koh,Luis A Zenteno,Donnell T Walton,Christine L Tennent. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2006-10-11.

Erbium doped fibers for extended l-band amplification

Номер патента: US20030076580A1. Автор: Bera Palsdottir,Matthew Andrejco,Inger Byriel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

High sbs threshold optical fiber

Номер патента: EP1891471A2. Автор: Xin Chen,Ming-Jun Li,Luis A. Zenteno,Donnell T. Walton. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2008-02-27.

Method for producing a monocrystalline layer of lithium niobate by transferring a seed layer of yttria-stabilized zirconia to a silicon carrier substrate and epitaxially growing the monocrystalline layer of lithium niobate and substrate for epitaxial growth of a monocrystalline layer of lithium niobate

Номер патента: US11828000B2. Автор: Bruno Ghyselen. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2023-11-28.

Method for producing a monocrystalline layer of lithium niobate by transferring a seed layer of yttria-stabilized zirconia to a silicon carrier substrate and epitaxially growing the monocrystalline layer of lithium niobate and substrate for epitaxial growth of a monocrystalline layer of lithium niobate

Номер патента: US20240044043A1. Автор: Bruno Ghyselen. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2024-02-08.

Method for fabricating gallium-doped lithium lanthanum zirconium oxide, and all-solid-state battery including the same

Номер патента: US12068450B2. Автор: Chun-Chen Yang,Yi-Shiuan Wu,Kumlachew Zelalem WALLE. Владелец: Ming Chi University of Technology. Дата публикации: 2024-08-20.

Grain boundary- and surface-doped lithium-lanthanum-zirconium composite oxide electrolyte, preparation method therefor, and application thereof

Номер патента: EP4451406A1. Автор: Yang Xu,Ning Wang,Xiaowei Huang,Xiaobao Zhang,Qiang ZHONG,Zongyu FENG,Juanyu Yang,Yiyang XIAO. Владелец: Rare Earth Functional Materials Xiong'an Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Multiple doped lithium manganese oxide compounds and methods of preparing same

Номер патента: EP1135334A1. Автор: Yuan Gao,Marina Yakovleva. Владелец: FMC Corp. Дата публикации: 2001-09-26.

Doped lithium positive electrode active material and process for manufacture thereof

Номер патента: EP3790846A1. Автор: Jakob Weiland Hoj,Soren Dahl,Jonathan HØJBERG,Christian Fink ELKJAER. Владелец: Haldor Topsoe AS. Дата публикации: 2021-03-17.

Cathode active material coated with lithium borate doped lithium carbonate and sulfide all-solid-state battery comprising same

Номер патента: US20240186498A1. Автор: Fang Hao,Joanna Burdynska,Minh Nguyen. Владелец: Factorial Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Cathode active material coated with lithium borate doped lithium carbonate and sulfide all-solid-state battery comprising same

Номер патента: WO2024123725A1. Автор: Fang Hao,Joanna Burdynska,Minh Nguyen. Владелец: Factorial Inc.. Дата публикации: 2024-06-13.

Sulfide-based all-solid-state battery including positive electrode active material coated with lithium niobate precursor and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4197042A4. Автор: Wang Mo JUNG,Chi Ho Jo,Ying Shirley Meng,Hyuk In Moon,Hye Seung CHUNG. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

Doped lithium positive electrode active material and process for manufacture thereof

Номер патента: WO2019215083A1. Автор: Jakob Weiland Hoj,Soren Dahl,Jonathan HØJBERG,Christian Fink ELKJAER. Владелец: Haldor Topsoe A/S. Дата публикации: 2019-11-14.

Method for fabricating gallium-doped lithium lanthanum zirconium oxide, and all-solid-state battery including the same

Номер патента: US20230387452A1. Автор: Chun-Chen Yang,Yi-Shiuan Wu,Kumlachew Zelalem WALLE. Владелец: Ming Chi University of Technology. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for fabricating gallium-doped lithium lanthanum zirconate, and all-solid-state battery including the same

Номер патента: US11799170B2. Автор: Chun-Chen Yang,Yi-Shiuan Wu,Kumlachew Zelalem WALLE. Владелец: Ming Chi University of Technology. Дата публикации: 2023-10-24.

Method for dry-etching lithium niobate

Номер патента: EP4290556A4. Автор: Jian Liu,Kaidong Xu,Dongchen CHE,Taiyan PENG,Yingxiong FENG,Haicheng DAI. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Aluminum-doped lithium cobalt manganese oxide batteries

Номер патента: US11757096B2. Автор: Yan Li,Hongli Dai,John David Carter,James A. Gilbert,Christopher S. Johnson,Huiming Wu,Chi-Kai Lin,Xiaoping Wang,Zhenzhen YANG,Hakim H. IDDIR,Arthur Jeremy KROPF,Anh D. VU,Yanjie CUI,Fulya Dogan-Key. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Doped lithium anode, battery having a doped lithium anode, and methods of use thereof

Номер патента: EP3956936B1. Автор: Tao Xu,Ke Lu,Yingwen Cheng,Haiping Xu. Владелец: Northern Illinois University. Дата публикации: 2024-09-11.

Method for Manufacturing a High-Temperature Ultrasonic Transducer Using a Lithium Niobate Crystal Brazed with Gold and Indium

Номер патента: US20140215784A1. Автор: Lhuillier Christian. Владелец: Commissariat A L'Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives. Дата публикации: 2014-08-07.

LITHIUM NIOBATE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND METHOD OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20180175822A1. Автор: Kajigaya Tomio. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.. Дата публикации: 2018-06-21.

Method for thinning lithium niobate wafer

Номер патента: CN111900078A. Автор: 汪洋,赵亚东,钟志明,陈楚杰,罗立辉,何肇阳. Владелец: NINGBO CHIPEX SEMICONDUCTOR Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-06.

Lithium niobate thin film etching method

Номер патента: CN114823350A. Автор: 郑煜,段吉安,成杰,唐昕. Владелец: CENTRAL SOUTH UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-07-29.

Integration of electronics with lithium niobate photonics

Номер патента: EP4143630A1. Автор: Thomas Kazior,Moe Soltani,Jeffrey Laroche. Владелец: Raytheon BBN Technologies Corp. Дата публикации: 2023-03-08.

METHOD OF PRODUCING LITHIUM NIOBATE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE

Номер патента: US20190007025A1. Автор: Kajigaya Tomio. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.. Дата публикации: 2019-01-03.

SULFIDE-BASED ALL-SOLID-STATE BATTERY INCLUDING POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL COATED WITH LITHIUM NIOBATE PRECURSOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20220052322A1. Автор: JUNG Wang Mo,Jo Chi Ho,Moon Hyuk In,Meng Ying Shirley,Chung Hye Seung. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-17.

Tunable Lithium Niobate Resonators and Filters Via Lithiation and Delithiation

Номер патента: US20180069166A1. Автор: Samarao Ashwin. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-08.

LITHIUM NIOBATE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20200075956A1. Автор: Sugiura Koichi,Miki Nariaki,MATSUO Kengo,MURAISHI Kazuki. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2020-03-05.

Lithium niobate single crystal substrate and method of producing the same

Номер патента: US20180135204A1. Автор: Tomio Kajigaya. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2018-05-17.

SOLIDLY-MOUNTED TRANSVERSELY EXCITED FILM BULK ACOUSTIC RESONATOR USING ROTATED Y-X CUT LITHIUM NIOBATE

Номер патента: US20200358426A1. Автор: Garcia Bryant,Plesski Viktor,Yantchev Ventsislav. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-12.

Preparation method of 8-inch lithium niobate wafer

Номер патента: CN111230598B. Автор: 李春忠,朱莉,吴皓. Владелец: Deqing Jinghui Photoelectric Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-06.

Lithium niobate single crystal substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: JP6507877B2. Автор: 富男 梶ヶ谷. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2019-05-08.

Lithium niobate single crystal substrate and method of producing the same

Номер патента: US10711371B2. Автор: Tomio Kajigaya. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2020-07-14.

Process for Treating Lithium Niobate.

Номер патента: GB1172980A. Автор: Hyman Joseph Levinstein,Kurt Nassau. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1969-12-03.

Lithium niobate single crystal substrate and method for producing same

Номер патента: WO2016204040A1. Автор: 富男 梶ヶ谷. Владелец: 住友金属鉱山株式会社. Дата публикации: 2016-12-22.

Lithium niobate and method for producing same

Номер патента: CN110872134A. Автор: 杉浦功一,三木成章,村石一生,松尾谦吾. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2020-03-10.

Method for preparing lithium niobate single crystal film domain wall enhanced force electric coupling response device

Номер патента: CN115116829B. Автор: 陆昊,穆继亮,丑修建,何剑,耿文平,侯晓娟,毕开西,乔骁骏,牛丽雅. Владелец: NORTH UNIVERSITY OF CHINA. Дата публикации: 2022-11-22.

Manufacture of lithium niobate single crystal element

Номер патента: JPS58211736A. Автор: Takeshi Shoroku,松緑　剛. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1983-12-09.

DEVICE FOR ACOUSTIC SURFACE WAVES IN A LITHIUM NIOBATE PLATE, WITH MASS WAVE suppression.

Номер патента: NL179326B. Автор: . Владелец: Nihon Dempa Kogyo Co. Дата публикации: 1986-03-17.

Integration of electronics with lithium niobate photonics

Номер патента: US11747704B2. Автор: Thomas Kazior,Moe Soltani,Jeffrey Laroche. Владелец: Raytheon BBN Technologies Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Integration of electronics with lithium niobate photonics

Номер патента: US20210333681A1. Автор: Thomas Kazior,Moe Soltani,Jeffrey Laroche. Владелец: Raytheon BBN Technologies Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Integration of electronics with lithium niobate photonics

Номер патента: US20230408885A1. Автор: Thomas Kazior,Moe Soltani,Jeffrey Laroche. Владелец: Raytheon BBN Technologies Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Integration of electronics with lithium niobate photonics

Номер патента: WO2021222000A1. Автор: Thomas Kazior,Moe Soltani,Jeffrey Laroche. Владелец: Ryatheon Bbn Technologies Corp.. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor devices formed of iii-nitride compounds, lithium-niobate-tantalate, and silicon carbide

Номер патента: AU2003217412A8. Автор: William Alan Doolittle. Владелец: Georgia Tech Research Institute. Дата публикации: 2003-09-09.

Lithium niobate single crystal substrate and method for producing same

Номер патента: EP3312312A4. Автор: Tomio Kajigaya. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2018-11-14.

Doped lithium transition metal oxides containing sulfur

Номер патента: CA2694000C. Автор: Jens Martin Paulsen,Thomas Lau. Владелец: Umicore NV SA. Дата публикации: 2014-01-07.

GALLIUM DOPED LITHIUM MANGANESE OXIDE SPINELS (LiGaxMn2-xO4) AS ACTIVE CATHODE MATERIAL FOR LITHIUM OR LITHIUM-ION RECHARGEABLE BATTERIES WITH IMPROVED CYCLING PERFORMANCE

Номер патента: WO1997037394A1. Автор: Gianfranco Pistoia,Carlo Bellitto,Alessandra Antonini. Владелец: CONSIGLIO NAZIONALE DELLE RICERCHE. Дата публикации: 1997-10-09.

Fabrication method of pole-inversion layer of lithium niobate crystal

Номер патента: KR0161897B1. Автор: 신상영,이상윤,윤두협,진용성. Владелец: 심상철. Дата публикации: 1998-12-01.

Gallium doped lithium manganese oxide spinels (ligaxmn2-xo4) as active cathode material for lithium or lithium-ion rechargeable batteries with improved cycling performance

Номер патента: AU1938797A. Автор: Gianfranco Pistoia,Carlo Bellitto,Alessandra Antonini. Владелец: Consiglio Nazionale delle Richerche CNR. Дата публикации: 1997-10-22.

Metal/Non-Metal Co-Doped Lithium Titanate Spheres with Hierarchical Micro/Nano Architectures for High Rate Lithium Ion Batteries

Номер патента: US20140342228A1. Автор: Chenmin Liu,Lifeng CAI,Shing Yan Choi. Владелец: Nano and Advanced Materials Institute Ltd. Дата публикации: 2014-11-20.

CATHODE ACTIVE MATERIAL COATED WITH FLUORINE-DOPED LITHIUM METAL MANGANESE OXIDE AND LITHIUM-ION SECONDARY BATTERY COMPRISING THE SAME

Номер патента: US20160329563A1. Автор: CHO Byung Won,CHUNG Kyung Yoon,OH Si Hyoung,LEE Hae Ri. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-10.

Doped lithium anode, battery having a doped lithium anode, and methods of use thereof

Номер патента: US20200335775A1. Автор: Tao Xu,Ke Lu,Yingwen Cheng,Haiping Xu. Владелец: Northern Illinois University. Дата публикации: 2020-10-22.

A method of synthesis of high dispersed spherical Y or Nb doped lithium titanate oxide using titanium tetrachloride and lithium hydroxide

Номер патента: KR101369172B1. Автор: 권용진,김은경,정성헌,최병현,안용태,지미정. Владелец: 한국세라믹기술원. Дата публикации: 2014-03-04.

A kind of lithium, aluminium and fluorin-doped lithium iron phosphate positive material and preparation method

Номер патента: CN110021752A. Автор: 王聪,蔡浩,杨志远,张天赐. Владелец: Hubei Lithium Nuo Amperex Technology Ltd. Дата публикации: 2019-07-16.

Sodium doped lithium-rich manganese based cathode material for lithium ion battery and preparation method thereof

Номер патента: CN104201337A. Автор: 韩恩山,朱令之,景其鸣. Владелец: HEBEI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2014-12-10.

Phosphorus-doped lithium-rich manganese-based positive electrode material for lithium ion battery and preparation method thereof

Номер патента: CN109244390B. Автор: 赵磊,王振波,王敏君,玉富达,隋旭磊. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2021-04-13.

Boron-doped lithium-rich positive electrode material for lithium-ion battery and preparation method therefor

Номер патента: WO2015018137A1. Автор: 李彪,夏定国,马进. Владелец: 北京大学. Дата публикации: 2015-02-12.

Preparation method of rubdium- and cesium-doped lithium-rich ternary cathode material for lithium-ion battery

Номер патента: CN105609758A. Автор: 李南,汪小平,马紫峰,何雨石,张维民. Владелец: Shanghai Ruge Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-25.

Metal/non-metal co-doped lithium titanate spheres with hierarchical micro/nano architectures for high rate lithium ion batteries

Номер патента: EP2803639B1. Автор: Chenmin Liu,Lifeng CAI,Shing Yan Choi. Владелец: Nano and Advanced Materials Institute Ltd. Дата публикации: 2017-05-24.

Preparation method of nickel-doping lithium manganate anode material for lithium ion battery

Номер патента: CN103943849A. Автор: 张萍. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-07-23.

Boron-doped lithium-rich anode material for lithium ion batteries and preparation method of material

Номер патента: CN103413931A. Автор: 李彪,夏定国,马进. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-11-27.

Mn-doped lithium ferrate, lithium supplement positive electrode material, and preparation and application thereof

Номер патента: CN110459762B. Автор: 张凯,张治安,赖延清,李劼,洪波,王大鹏,李煌旭. Владелец: CENTRAL SOUTH UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-03-26.

New boron-doped lithium insertion compounds, useful as positive electrode materials in lithium batteries and as active materials in electrochromic devices

Номер патента: FR2848205A1. Автор: Cras Frederic Le,Carole Bourbon,Sylvain Franger. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2004-06-11.

Doped lithium anode, battery having a doped lithium anode, and methods of use thereof

Номер патента: US20220158180A1. Автор: Tao Xu,Ke Lu,Yingwen Cheng,Haiping Xu. Владелец: Northern Illinois University. Дата публикации: 2022-05-19.

Preparation method of high-performance aluminum-doped lithium-rich spinel lithium manganate positive electrode material

Номер патента: CN106997949B. Автор: 李刚,白玮,刘晓芳,冯涛,刘金涛,段开娇,郭俊明,白红丽,苏长伟. Владелец: Yunnan Minzu University. Дата публикации: 2020-01-17.

Doped lithium iron phosphate encapsulated in ligand, and preparation therefor and use thereof

Номер патента: GB202309731D0. Автор: . Владелец: Hunan Bangpu Automobile Circulation Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-09.

Preparation method for and application of tellurium-doped lithium cobalt oxide precursor

Номер патента: GB202314106D0. Автор: . Владелец: Hunan Bangpu Automobile Circulation Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-01.

Method of pre-doping lithium ion into electrode and method of manufacturing electrochemical capacitor using the same

Номер патента: US20120042490A1. Автор: Sang Kyun Lee,Bae Kyun Kim,Ji Sung Cho. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-23.

IRON-DOPED LITHIUM TITANATE AS A CATHODE MATERIAL

Номер патента: US20130168252A1. Автор: OGIHARA Hideki,Eisele Ulrich,Kerkamm Ingo,Kasemchainan Jitti. Владелец: . Дата публикации: 2013-07-04.

TRANSITION-METALS DOPED LITHIUM-RICH ANTI-PEROVSKITES FOR CATHODE APPLICATIONS

Номер патента: US20180006306A1. Автор: ZHU Jinlong,Li Shuai,Zhao Yusheng,LEMMON John Patrick. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-04.

ALUMINUM-DOPED LITHIUM COBALT MANGANESE OXIDE BATTERIES

Номер патента: US20210057745A1. Автор: Li Yan,GILBERT JAMES A.,CARTER John David,JOHNSON Christopher S.,Dai Hongli,Wang Xiaoping,Wu Huiming,Iddir Hakim H.,Kropf Arthur Jeremy,Vu Anh D.,Cui Yanjie,Lin Chi-Kai,YANG Shenzhen,Dogan-Keys Fulya. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-25.

Chromium-doped lithium titanate as cathode material

Номер патента: US20160141617A1. Автор: VERMA Pallavi,Eckl Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-19.

PROCESS FOR PREPARING DOPED LITHIUM LANTHANUM ZIRCONIUM OXIDE

Номер патента: US20210198117A1. Автор: Durham Jessica L.,Lipson Albert L.,KAHVECIOGLU Ozgenur. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

BORON-DOPED LITHIUM-RICH MANGANESE BASED MATERIALS AND PREPARATION METHODS FOR LI-ION BATTERY CATHODE

Номер патента: US20160181605A1. Автор: Li Biao,Ma Jin,Xia Dingguo. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

Doped Lithium Titanium Spinel Compound And Electrode Comprising Same

Номер патента: US20140312269A1. Автор: Wendrich Genovefa,Holzapfel Michael,LAUMANN Andreas. Владелец: Clariant International, Ltd.. Дата публикации: 2014-10-23.

Doped Lithium-Rich Layered Composite Cathode Materials

Номер патента: US20150270545A1. Автор: Lengyel Miklos,Axelbaum Richard L.. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-24.

DOPED LITHIUM POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL AND PROCESS FOR MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: US20190348674A1. Автор: Høj Jakob Weiland,DAHL Søren,HØJBERG Jonathan,ELKJÆR Christian Fink. Владелец: Haldor Topsoe A/S. Дата публикации: 2019-11-14.

Vanadium doping lithium nickel cobalt manganese oxide nano material and its preparation method and application

Номер патента: CN105280898B. Автор: 麦立强,胡正耀,王洛洛. Владелец: Wuhan University of Technology WUT. Дата публикации: 2018-05-01.

Fluorine-doped lithium cathode material and preparation method and application thereof

Номер патента: CN112919554A. Автор: 王鹏飞,许鑫培,乔齐齐,施泽涛,郭丰,杨红新,李子郯. Владелец: Svolt Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-08.

Cation-anion co-doping lithium manganite positive electrode material and preparation method thereof

Номер патента: CN104143626A. Автор: 张海朗,田建坤,杨世万. Владелец: Xinyang Vocational and Technical College. Дата публикации: 2014-11-12.

A kind of doped lithium iron phosphate anode material and preparation method thereof

Номер патента: CN107887583A. Автор: 刘倩,黄友元,席小兵,杨才德,孟少敏. Владелец: Bate Rui (tianjin) Nano Material Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-06.

Halogen anion doped lithium-rich positive electrode material as well as preparation method and application of positive electrode material

Номер патента: CN103956456A. Автор: 高学平,张洪周,李国然,叶世海. Владелец: Nankai University. Дата публикации: 2014-07-30.

Carbon-doped Lithium Cobalt Oxide and Method of Making the Same

Номер патента: KR960037572A. Автор: 정유경,최성욱,박동곤,김건,임성연. Владелец: 김건. Дата публикации: 1996-11-19.

Metal element co-doped lithium manganese phosphate/carbon composite cathode material and preparation method thereof

Номер патента: CN107706402B. Автор: 刘欢,王庆,王志远,刘延国,张亚辉,郝爱民,罗绍华,李俊哲,闫绳学,刘颖颖,于顺志,祁鸿飞. Владелец: Northeastern University Qinhuangdao Branch. Дата публикации: 2020-09-18.

Preparation method of fluoride ion-doped lithium iron phosphate material

Номер патента: CN110957491A. Автор: 李翔,张宁波,盘茂森,吴文秀,葛雅莉,曹更玉,严丹林,林泽锋,林博濠. Владелец: Guangdong University of Petrochemical Technology. Дата публикации: 2020-04-03.

Preparation method of wheat straw/carbon nano tube for sulfur-doped lithium battery negative electrode material

Номер патента: CN111554935A. Автор: 黄剑锋,曹丽云,欧阳海波,马闯,甘雨,钟辛子,邵宇飞,石泓彬. Владелец: SHAANXI UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2020-08-18.

Preparation method and application for aluminium phosphate-cladded cerium-fluorine-doped lithium iron phosphate

Номер патента: CN104269522A. Автор: 徐一丹,刘志坚,马毅,李宏斌,徐士民,都云,陈俊桦. Владелец: XI'AN ZHONGKE NEW ENERGY SCIENCE & TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-07.

Zinc-doped lithium iron phosphate/carbon composite material and preparation method thereof

Номер патента: CN110620217A. Автор: 刘航,高川,胡培,徐杉,史德友. Владелец: Hubei Hongrun High Tech New Materials Co ltd. Дата публикации: 2019-12-27.

Fluorine doped lithium rich metal oxide positive electrode battery materials with high specific capacity and corresponding batteries

Номер патента: US8916294B2. Автор: Sujeet Kumar,Herman Lopez,Subramanian Venkatachalam,Deepak Karthikeyan. Владелец: Envia Systems Inc. Дата публикации: 2014-12-23.

Method for preparing cathode material of graphene-doped lithium sulfur battery by adopting microwave liquid phase process

Номер патента: CN105514395A. Автор: 付欣,许云华,杨蓉,吕梦妮,王黎晴. Владелец: Xian University of Technology. Дата публикации: 2016-04-20.

A kind of Fluorin doped lithium-rich anode material and the preparation method and application thereof

Номер патента: CN110350185A. Автор: 杨伟,陈胜洲,邹汉波,谢宇翔,廖梓君,林卓盈. Владелец: Guangzhou University. Дата публикации: 2019-10-18.

Doped lithium positive electrode active material and process for manufacture thereof

Номер патента: EP3567658A1. Автор: Jakob Weiland Hoj,Soren Dahl,Jonathan HØJBERG,Christian Fink ELKJAER. Владелец: Haldor Topsoe AS. Дата публикации: 2019-11-13.

Vanadium-doped lithium nickel cobalt manganese oxide nanometer material and preparation method and application thereof

Номер патента: CN105280898A. Автор: 麦立强,胡正耀,王洛洛. Владелец: Wuhan University of Technology WUT. Дата публикации: 2016-01-27.

Cathode material of pentafluoromagnesium aluminum/nitrogen carbon-doped lithium sulfur battery and preparation method thereof

Номер патента: CN111261837A. Автор: 杨华明,张士林,唐爱东. Владелец: CENTRAL SOUTH UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-06-09.

Air-stable multi-element rare earth oxide doped lithium sulfur phosphorus solid electrolyte material and preparation method thereof

Номер патента: CN112582669A. Автор: 徐宁,吴孟涛,高学平,吕菲. Владелец: Tianjin B&M Science and Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-30.

Preparation method for neodymium, nickel and boron-doped lithium manganese phosphate composite positive electrode material

Номер патента: CN103872320A. Автор: 张萍. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-06-18.

Doped lithium iron phosphate and preparation method

Номер патента: CN104409731A. Автор: 李春霞,王春飞,卢道焕,李华成,闫冠杰. Владелец: Daxin Manganese Branch of CITIC Dameng Mining Industries Ltd. Дата публикации: 2015-03-11.

Aluminum-doped lithium ion conductors based on garnet structures

Номер патента: CN113562762A. Автор: M·施耐德,J·舒马赫,S·洛伊克尔,A·罗特斯,W·施密特保尔,B·吕丁格. Владелец: SCHOTT AG. Дата публикации: 2021-10-29.

Preparation method and application of precursor of aluminum and zirconium doped lithium nickelate cathode material

Номер патента: CN113809321A. Автор: 王浩,李宝华,秦显营. Владелец: Shenzhen Graphene Innovation Center Co ltd. Дата публикации: 2021-12-17.

Preparation method of improved alkali metal ion-doped lithium titanate

Номер патента: CN104538610B. Автор: 张春明,余震,金彩虹,何丹农,黄昭,贺旷驰. Владелец: Shanghai National Engineering Research Center for Nanotechnology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-11.

A kind of preparation method of polyanion doping lithiumation molybdenum trioxide positive electrode

Номер патента: CN108376766A. Автор: 向勇,张晓晴,张晓琨,史家远. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2018-08-07.

Doped lithium transition metal oxides containing sulfur

Номер патента: KR101271852B1. Автор: 젠스 마르틴 파울센,토마스 라우. Владелец: 유미코르. Дата публикации: 2013-06-07.

Rare earth element co-doped lithium manganese phosphate/carbon composite cathode material and preparation method thereof

Номер патента: CN107919468B. Автор: 刘欢,王庆,王志远,刘延国,张亚辉,郝爱民,罗绍华,李俊哲,闫绳学,刘颖颖,于顺志,祁鸿飞. Владелец: Northeastern University Qinhuangdao Branch. Дата публикации: 2020-03-17.

Cr (chromium)3+Doped lithium indium germanate near-infrared luminescent material and preparation method thereof

Номер патента: CN111394097B. Автор: 宋振,毛宁,刘泉林,余懿. Владелец: University of Science and Technology Beijing USTB. Дата публикации: 2021-05-07.

Preparation method of fluorine-doped lithium-rich manganese-based positive electrode material

Номер патента: CN112701273B. Автор: 张莹,李国华,王建涛,权威,王振尧,任志敏. Владелец: China Automotive Battery Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-02.

Preparation method of Ti and V element composite doped lithium iron phosphate

Номер патента: CN110911680A. Автор: 李健,张仁国,余奔,岳有涛. Владелец: Guizhou Only High New Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-24.

Sulfur-doped lithium titanate/graphene oxide composite material, and preparation method and application thereof

Номер патента: CN110620221A. Автор: 梁康,任玉荣. Владелец: CHANGZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-12-27.

CeO (CeO)2Iron-coated nickel-doped lithium manganate positive electrode material and preparation method thereof

Номер патента: CN112811459A. Автор: 刘岩. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-05-18.

Doped lithium ion battery anode material and preparation method thereof

Номер патента: CN105047871A. Автор: 程新群,尹鸽平,高金龙,林春华,杜春雨,左朋建,娄帅锋. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2015-11-11.

Aluminum trifluoride coated ternary doped lithium manganate cathode material and preparation method thereof

Номер патента: CN111403710A. Автор: 陈召勇,周灿凯. Владелец: CHANGSHA UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2020-07-10.

Carbon coating ion doping lithium manganese phosphate electrode material and preparation method thereof

Номер патента: CN107482182A. Автор: 常凤真,芮益民. Владелец: Nanjing Hongbaoli Group Li Tai Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-15.

A kind of fluorine doped lithium ion solid electrolyte and preparation method thereof

Номер патента: CN106129465B. Автор: 李文龙,刘欢,王红飞,张洪,王浩静,杨利青. Владелец: XiAn Institute of Optics and Precision Mechanics of CAS. Дата публикации: 2019-09-20.

A kind of carbon-nitrogen doped lithium titanate electrode material, preparation method and application

Номер патента: CN106252623A. Автор: 赵晓锋,王燕,李志�,原东甲,吴英鹏,龙官奎. Владелец: Shenzhen Boleida New Energy Science & Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-21.

A kind of N doping lithium sulfur battery anode material, preparation method and applications

Номер патента: CN110336034A. Автор: 陈帅,谷翠萍,翟慕衡. Владелец: Anhui Normal University. Дата публикации: 2019-10-15.

Ruthenium and aluminum co-doped lithium cobalt oxide positive electrode material and preparation method thereof

Номер патента: CN111370689A. Автор: 向勇,张祎,张晓琨,马祥. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2020-07-03.

Fluorine-doped lithium cathode material and preparation method and application thereof

Номер патента: CN112919554B. Автор: 王鹏飞,许鑫培,乔齐齐,施泽涛,郭丰,杨红新,李子郯. Владелец: Svolt Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-15.

Preparation method of wheat straw/carbon nano tube for sulfur-doped lithium battery negative electrode material

Номер патента: CN111554935B. Автор: 黄剑锋,曹丽云,欧阳海波,马闯,甘雨,钟辛子,邵宇飞,石泓彬. Владелец: SHAANXI UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2021-04-20.

Cr (chromium)3+Doped lithium indium germanate near-infrared luminescent material and preparation method thereof

Номер патента: CN111394097A. Автор: 宋振,毛宁,刘泉林,余懿. Владелец: University of Science and Technology Beijing USTB. Дата публикации: 2020-07-10.

Atomic-level doped lithium nickel manganese oxide positive electrode material and preparation method and application thereof

Номер патента: CN114156481B. Автор: 李明涛,郑申拓. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2023-04-07.

Preparation method of rubidium-doped lithium battery composite diaphragm

Номер патента: CN111952516A. Автор: 陈志华,陈智伟,唐浩林,王仲明,詹心泉. Владелец: Guangding Rubidium Industry Guangzhou Group Co ltd. Дата публикации: 2020-11-17.

Double-anion co-doped lithium-rich manganese-based composite material, preparation method and application

Номер патента: CN114620775A. Автор: 李宁,卢赟,吴锋,陈来,黄擎,董锦洋,曹端云,苏岳峰. Владелец: Chongqing Innovation Center of Beijing University of Technology. Дата публикации: 2022-06-14.

Preparation method of modified nickel-doped lithium manganate

Номер патента: CN104319399A. Автор: 吴坚,易鉴荣,唐臻,林荔琍,任文忠. Владелец: Liuzhou Haoxiangte Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-28.

Preparation method of nano-doped lithium iron phosphate

Номер патента: CN113292058A. Автор: 黄亚军,刘永东,高秋燕,曲冬雪,夏艳圆,韦江梅. Владелец: Quzhou Huayou Cobalt New Material Co ltd. Дата публикации: 2021-08-24.

Doped lithium positive electrode active material and process for manufacture thereof

Номер патента: PL3567658T3. Автор: Jakob Weiland Hoj,Soren Dahl,Jonathan HØJBERG,Christian Fink ELKJAER. Владелец: Haldor Topsoe A/S. Дата публикации: 2021-06-14.

Doped lithium positive electrode active material and process for manufacture thereof

Номер патента: JP2020191297A. Автор: HØJBERG Jonathan,ヨーナタン・ホイベアウ,ヤコプ・ヴァイラント・ホイ,Weiland Hoj Jakob,セーアン・デール,Dahl Soeren,クレスチャン・フィンク・エルケーア,Fink Elkjaer Christian. Владелец: Haldor Topsoe AS. Дата публикации: 2020-11-26.

Cerium-bismuth composite oxide doped lithium ion battery positive electrode material and preparation method therefor

Номер патента: WO2023016580A1. Автор: 唐波,谭欣欣,蔡振勇,刘淑慧,宁漂. Владелец: 巴斯夫杉杉电池材料有限公司. Дата публикации: 2023-02-16.

Aluminum-doped lithium ion conductor based on a garnet structure

Номер патента: CA3112248A1. Автор: Jörg Schumacher,Andreas Roters,Wolfgang Schmidbauer,Bernd Rudinger,Meike Schneider,Sebastian Leukel. Владелец: SCHOTT AG. Дата публикации: 2021-10-29.

Nickel-doped lithium vanadate nanorod with large specific surface area as well as preparation method and application thereof

Номер патента: CN112047390A. Автор: 刘峰,罗明生,宋焕巧. Владелец: Beijing Institute of Petrochemical Technology. Дата публикации: 2020-12-08.

Method for preparing multi-element doped lithium manganese phosphate-carbon composite positive electrode material

Номер патента: CN103779566A. Автор: 张萍. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-05-07.

Material of phosphorus-doped lithium titanium oxide with spinel structure and method of manufacturing the same

Номер патента: TWI441779B. Автор: Shih Chieh Liao,Jin Ming Chen,Kuan Yu Ko,Chia Jung Cheng. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2014-06-21.

Metallic tin and carbon nanotube co-doped lithium-sulfur battery interlayer material and preparation method and application thereof

Номер патента: CN111900390B. Автор: 王栋,敬波,曹琪,黄田柳,彭细桂. Владелец: Hunan Xibei New Material Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-04-01.

Preparation method of carbon nanotube doped lithium ion battery cathode material

Номер патента: CN111333055A. Автор: 杨闯,刘国庆,周国华,钟丽,相江峰. Владелец: Jiangxi Far East Battery Co ltd. Дата публикации: 2020-06-26.

Preparation method and application of double-doped lithium titanate composite material

Номер патента: CN106058186A. Автор: 黄小兵,丁建宁,卢鹏,任玉荣. Владелец: CHANGZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-10-26.

Rare earth metal or transition metal doped lithium titanium phosphate/carbon composite material and preparation method and application thereof

Номер патента: CN112103482B. Автор: 李晶晶,孙丽侠,邱滢,胡佳艳,宋忠诚. Владелец: Jiangsu University of Technology. Дата публикации: 2022-02-11.

Sulfur/carbon doped lithium nickelate cathode material and preparation method thereof

Номер патента: CN104064740A. Автор: 李岩,孙琦,孙慧英. Владелец: QINGDAO QIANYUN HIGH-TECH NEW MATERIAL Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-24.

Micron-sized binary doped lithium-rich material and preparation method and application thereof

Номер патента: CN112062167A. Автор: 刘聪,杨刚,郭召鑫. Владелец: CHANGSHU INSTITUTE OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2020-12-11.

A kind of modified boron doping lithium-rich manganese-based anode material and the preparation method and application thereof

Номер патента: CN110429268A. Автор: 夏定国,卢世刚,王振尧,任志敏. Владелец: China Automotive Battery Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-08.

Preparation method of carbon-doped lithium iron phosphate

Номер патента: CN108306019B. Автор: 蒋央芳. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-03-27.

Preparation method of boron-doped lithium lanthanum zirconate-coated graphite composite material

Номер патента: CN113889594A. Автор: 陈和平,徐军红. Владелец: LUOYANG YUEXING NEW ENERGY TECHNOLOGY CO LTD. Дата публикации: 2022-01-04.

Concentration gradient doped lithium-rich manganese-based positive electrode material and preparation method thereof

Номер патента: CN113213553A. Автор: 李宁,李永健,苏岳锋,卢赟,徐利锋,陈来,黄擎,韩淼,曹端云,杨晨星,房友友. Владелец: Chongqing Innovation Center of Beijing University of Technology. Дата публикации: 2021-08-06.

Process for manufacturing doped lithium titanate

Номер патента: GB202108278D0. Автор: . Владелец: JOHNSON MATTHEY PLC. Дата публикации: 2021-07-28.

Solid state ring laser gyroscope using rare-earth gain dopants in glassy hosts

Номер патента: US20200056888A1. Автор: Jianfeng Wu,Teresa Marta,Alan Bruce Touchberry,Dean E. Johnson. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2020-02-20.

Wavelength-selective and loss-less optical add/drop multiplexer

Номер патента: CA2244478C. Автор: Mohammad T. Fatehi. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2002-05-28.

Fiber optic conductor for optical intensification of radiation at wavelengths ranging between 1000 and 1700 nm, methods for its manufacture, and fiber laser

Номер патента: RU2302066C1. Автор: Алексей Николаевич Гурьянов,Евгений Михайлович Дианов,Владислав Владимирович Двойрин,Валерий Михайлович Машинский,нов Алексей Николаевич Гурь,Андрей Александрович Умников. Владелец: Научный центр волоконной оптики при Институте общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук. Дата публикации: 2007-06-27.

Optical transmission device based on lithium niobate modulation method

Номер патента: US20240171283A1. Автор: Hao Jin,FAN YANG,Qikun Huang. Владелец: Global Technology Inc USA. Дата публикации: 2024-05-23.

Transversely-excited acoustic resonator with z-cut lithium niobate plate

Номер патента: US20230344414A1. Автор: Bryant Garcia,Viktor Plesski,Ventsislav Yantchev. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Solidly-mounted transversely-excited film bulk acoustic resonator with recessed interdigital transducer fingers using rotated-y-x cut lithium niobate

Номер патента: US20230291388A1. Автор: Bryant Garcia,Viktor Plesski,Ventsislav Yantchev. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Thin-film surface-acoustic-wave filter using lithium niobate

Номер патента: EP4205278A1. Автор: Ingo Bleyl,Ulrike Monika Roesler. Владелец: RF360 Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-07-05.

Thin-film surface-acoustic-wave filter using lithium niobate

Номер патента: WO2022043054A1. Автор: Ingo Bleyl,Ulrike Monika Roesler. Владелец: RF360 Europe GmbH. Дата публикации: 2022-03-03.

Thin-Film Surface-Acoustic-Wave Filter Using Lithium Niobate

Номер патента: US20220069804A1. Автор: Ingo Bleyl,Ulrike Monika Roesler. Владелец: RF360 Europe GmbH. Дата публикации: 2022-03-03.

Photonic neural network on thin-film lithium niobate

Номер патента: WO2024211410A2. Автор: Marko Loncar,Benjamin Vakoc,Yaowen Hu,Norman LIPPOK. Владелец: President and Fellows of Harvard College. Дата публикации: 2024-10-10.

Tunable lithium niobate resonators and filters via lithiation and delithiation

Номер патента: WO2018046561A1. Автор: Ashwin Samarao. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-03-15.

Transversely-excited film bulk acoustic resonator using yx-cut lithium niobate for high power applications

Номер патента: US20240258993A1. Автор: Bryant Garcia. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Thickness-shear mode lithium niobate piezoelectric transformer

Номер патента: WO1997032345A1. Автор: Jin Huang,Brian M. Mancini. Владелец: Motorola Inc.. Дата публикации: 1997-09-04.

Integrated Lithium Niobate Microwave Photonic Processing Engine

Номер патента: US20240348341A1. Автор: Cheng Wang,Tong Ge,Xiaoqing GUO,Yixuan Yuan,Hanke FENG. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2024-10-17.

Lithium niobate or lithium tantalate fbar structure and fabricating method thereof

Номер патента: US20220158613A1. Автор: Jian Wang. Владелец: Newsonic Technologies Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

High power transversely-excited film bulk acoustic resonators on rotated z-cut lithium niobate

Номер патента: US20210013868A1. Автор: Bryant Garcia,Patrick Turner,Viktor Plesski,Ventsislav Yantchev,Neal Fenzi,Robert Hammond. Владелец: Resonant Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Transversely-excited film bulk acoustic resonator using yx-cut lithium niobate for high power applications

Номер патента: US20210006228A1. Автор: Bryant Garcia. Владелец: Resonant Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

Surface acoustic wave devices with lithium niobate piezoelectric material

Номер патента: US20240113679A1. Автор: Rei GOTO,Hironori Fukuhara,Benjamin Paul Abbott. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Transversely excited film bulk acoustic resonator using rotated z-cut lithium niobate

Номер патента: US20190386633A1. Автор: Viktor Plesski. Владелец: Resonant Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Filter using lithium niobate and lithium tantalate transversely-excited film bulk acoustic resonators

Номер патента: US20210399718A1. Автор: Neal Fenzi,Andrew Guyette. Владелец: Resonant Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Filter using lithium niobate and rotated lithium tantalate transversely-excited film bulk acoustic resonators

Номер патента: US11996825B2. Автор: Bryant Garcia,Neal Fenzi,Andrew Guyette. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Transversely-excited film bulk acoustic resonator using yx-cut lithium niobate for high power applications

Номер патента: US20210391845A1. Автор: Bryant Garcia. Владелец: Resonant Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Resonator using YX-cut lithium niobate for high power applications

Номер патента: US11990888B2. Автор: Bryant Garcia. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

High power transversely-excited film bulk acoustic resonators on z-cut lithium niobate

Номер патента: US20200228091A1. Автор: Bryant Garcia,Patrick Turner,Viktor Plesski,Ventsislav Yantchev,Neal Fenzi,Robert Hammond. Владелец: Resonant Inc. Дата публикации: 2020-07-16.

Bulk acoustic wave resonator with piezoelectric layer comprising lithium niobate or lithium tantalate

Номер патента: US20190103853A1. Автор: John Choy,Dariusz Burak,Kevin J. Grannen. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2019-04-04.

Multi-channel light emitting module including lithium niobate modulator

Номер патента: US11799555B2. Автор: Juan Zhang,jian-hong Luo,Dong-Biao JIANG,Jiahang SHAO. Владелец: Global Technology Inc USA. Дата публикации: 2023-10-24.

Optical amplifier and optical communication system provided with the optical amplifier

Номер патента: US5546213A. Автор: Masuo Suyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1996-08-13.

Optical pulse generator

Номер патента: US6101021A. Автор: Eiji Yoshida,Yoshihiro Kumagai,Akio Ichikawa,Masataka Nakazawa,Rikihiro Iida. Владелец: Ando Electric Co Ltd. Дата публикации: 2000-08-08.

Highly rare-earth doped fiber

Номер патента: US20110129179A1. Автор: Shibin Jiang. Владелец: Advalue Photonics Inc. Дата публикации: 2011-06-02.

Highly rare-earth doped fiber array

Номер патента: US20110129180A1. Автор: Shibin Jiang. Владелец: Advalue Photonics Inc. Дата публикации: 2011-06-02.

Rare-earth doped metal oxide ceramic waveguide quantum memories and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11958780B2. Автор: Haitao Zhang,Jun Yang,Sean Matthew Garner,Bruce Gardiner Aitken,Daniel Aloysius Nolan,Thomas Dale Ketcham. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Rare-earth doped metal oxide ceramic waveguide quantum memories and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20220033311A1. Автор: Haitao Zhang,Jun Yang,Sean Matthew Garner,Bruce Gardiner Aitken,Daniel Aloysius Nolan,Thomas Dale Ketcham. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Writing photonic device through coating of rare earth doped fibre

Номер патента: WO2003019254A1. Автор: Justin Blows. Владелец: THE UNIVERSITY OF SYDNEY. Дата публикации: 2003-03-06.

Rare-earth doped thermal barrier coating bond coat for thermally grown oxide luminescence sensing

Номер патента: US20210180191A1. Автор: Quentin Fouliard,Ranajay Ghosh,Seetha Raghavan. Владелец: University of Central Florida Research Foundation Inc UCFRF. Дата публикации: 2021-06-17.

Rare earth doped glasses and their application

Номер патента: US20240279109A1. Автор: Arash Mafi,Brian TOPPER,Johann Richard WEBER,Stephen Kenneth WILKE. Владелец: UNM Rainforest Innovations. Дата публикации: 2024-08-22.

Rare-earth doped thermal barrier coating bond coat for thermally grown oxide luminescence sensing, and including temperature monitoring and measuring a temperature gradient

Номер патента: WO2021133454A2. Автор: Quentin Fouliard,Ranajay Ghosh,Seetha Raghavan. Владелец: UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA RESEARCH FOUNDATION, INC.. Дата публикации: 2021-07-01.

The wide temperature lithium-ion-power cell of rare-earth doped lithium iron phosphate Soft Roll

Номер патента: CN206961955U. Автор: 刘素国. Владелец: Hebei Green New Energy Ltd By Share Ltd. Дата публикации: 2018-02-02.

RADIATION-RESISTANT RARE-EARTH-DOPED OPTICAL FIBER AND METHOD OF RADIATION-HARDENING A RARE-EARTH-DOPED OPTICAL FIBER

Номер патента: US20130101261A1. Автор: Girard Sylvain,Cadier Benoit,Laurent Arnaud,Robin Thierry,Marcandella Claude. Владелец: IXFIBER. Дата публикации: 2013-04-25.

Optical sensor utilizing rare-earth-doped integrated-optic lasers

Номер патента: US5677769A. Автор: Mark Bendett. Владелец: IMRA America Inc. Дата публикации: 1997-10-14.

Full gas phase doping device and doping method for preparing rare earth doped optical fiber

Номер патента: CN111233317B. Автор: 俞娟,倪力,林傲祥. Владелец: Chengdu Aoxiang Tuochuang Photoelectric Technology Partnership LP. Дата публикации: 2023-08-25.

Rare-earth doped alkaline-earth silicon nitride phosphor, method for producing and radiation converting device comprising such a phosphor

Номер патента: EP2212400B9. Автор: Detlef Starick,Hubertus Theresia Hintzen,Sylke RÖSLER,Sven RÖSLER,Cheng-Jun Duan,Anne Charlotte Anoinette Delsing. Владелец: LEUCHTSTOFFWERK BREITUNGEN GMBH. Дата публикации: 2014-04-16.

Rare Earth-Doped Up-Conversion Nanoparticles for Therapeutic and Diagnostic Applications

Номер патента: US20130115295A1. Автор: Wang Qiang,Lu Patrick Y.,Yang Harry Hongjun. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-09.

RARE-EARTH DOPED METAL OXIDE CERAMIC WAVEGUIDE QUANTUM MEMORIES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20220033311A1. Автор: YANG Jun,ZHANG Haitao,Nolan Daniel Aloysius,Aitken Bruce Gardiner,Garner Sean Matthew,Ketcham Thomas Dale. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-03.

Rare Earth Doped Nanoparticles for Use in Hyperthermia Treatment of Cells

Номер патента: US20160015839A1. Автор: Orlovskiy Yury,Vanetsev Alexander,Sildos Ilmo,Popov Alexandr,Loschenov Viktor,Anastaslya Ryabova,Pukhov Konstantin. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-21.

Optical rare-earth doped fiber long period grating based ionizing radiation dose sensor device

Номер патента: US20180045835A1. Автор: Srikant M. OAK,Sanjay Kher,Smita Chaubey,Jai Kishore. Владелец: Secretary Department Of Atomic Enery Government Of India. Дата публикации: 2018-02-15.

HETEROGENEOUS RARE-EARTH DOPED SYSTEMS

Номер патента: US20220291450A1. Автор: ZHONG Tian,WICKER Christina. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-15.

RARE-EARTH DOPED THERMAL BARRIER COATING BOND COAT FOR THERMALLY GROWN OXIDE LUMINESCENCE SENSING

Номер патента: US20210180191A1. Автор: Raghavan Seetha,FOULIARD Quentin,Ghosh Ranajay. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-17.

MICROHEATER COMPRISING A RARE EARTH-DOPED OPTICAL FIBER

Номер патента: US20200174184A1. Автор: Ballato John,Dragic Peter,Mironov Andrey,Kucera Courtney,Tuggle Matthew. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-04.

RARE-EARTH DOPED GAIN FIBERS

Номер патента: US20160216441A1. Автор: Luo Tao,Wang Qing,Jiang Shibin,PAN Lei. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-28.

QUANTITATIVE DETECTION METHOD OF RARE EARTH DOPED CALCIUM PHOSPHATE FLUORESCENT NANOPARTICLES IN ORGANISMS

Номер патента: US20200200777A1. Автор: Wang Xinyu,HAN Yingchao,XING Qingguo. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-25.

ENHANCING UPCONVERSION LUMINESCENCE IN RARE-EARTH DOPED PARTICLES

Номер патента: US20150252259A1. Автор: Jin Dayong,ZHAO Jiangbo. Владелец: Macquarie University. Дата публикации: 2015-09-10.

SOLARIZATION RESISTANT RARE EARTH DOPED GLASSES

Номер патента: US20190337835A1. Автор: Borrelli Nicholas Francis,Schroeder Joseph Francis,Senaratne Wageesha. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-07.

Process of making rare earth doped optical fiber

Номер патента: US6889528B2. Автор: Mrinmay Pal,Aharon Gedanken,Ranjan Sen,Minati Chatterjee,Milan Kanti Naskar,Mukul Chandra Paul,Shyamal Kumar Bhadra,Kamal Dasgupta,Dibyendu Ganguli,Tarun Bandyopadhyay. Владелец: Council of Scientific and Industrial Research CSIR. Дата публикации: 2005-05-10.

Process of making rare earth doped optical fibre

Номер патента: US20040187524A1. Автор: Mrinmay Pal,Aharon Gedanken,Ranjan Sen,Minati Chatterjee,Kamal Dasgupta,Dibyendu Ganguli,Tarun Bandyopadhyay,Milan Naskar,Mukul Paul,Shyamal Bhadra. Владелец: Council of Scientific and Industrial Research CSIR. Дата публикации: 2004-09-30.

Preparation method of rare earth doped clay mineral-based bismuth yellow hybrid pigment with adjustable fluorescence and color

Номер патента: CN111057399A. Автор: 许江,王爱勤,汪琴,王晓雯,牟斌. Владелец: Lanzhou Institute of Chemical Physics LICP of CAS. Дата публикации: 2020-04-24.

Preparation method of rare earth doped modified polyimide film

Номер патента: CN110734643A. Автор: 沈丽尧. Владелец: Jiaxing University. Дата публикации: 2020-01-31.

Rare earth doped bismuth germanate single crystal optical fiber and cladding method

Номер патента: CN112723751B. Автор: 徐军,王东海,吴锋,王庆国,唐慧丽,徐晓东,李纳. Владелец: Nanjing Tongli Crystal Material Research Institute Co ltd. Дата публикации: 2022-03-11.

Single-core multiple rare-earth-doped ion region double-clad optical fiber and manufacturing method thereof

Номер патента: CN101694534A. Автор: 李晶,胡旭东,周倩,宁提纲,裴丽,魏淮,祁春慧. Владелец: Beijing Jiaotong University. Дата публикации: 2010-04-14.

Machine purifying biological materials magnetically, employs conventional microtitration plates in conjunction with array of powerful rare earth doped permanent magnets

Номер патента: DE19834584A1. Автор: Philippe Sauer,Roland Fabis,Kerstin Steinert,Oliver Venschott,Helge Lubenow. Владелец: QIAGEN GmbH. Дата публикации: 2000-02-03.

Method for preparing rare earth doped fluoride nanocrystalline on large scale by one-pot method

Номер патента: CN110452682B. Автор: 郑伟,陈学元,游文武,涂大涛,周山勇. Владелец: Fujian Institute of Research on the Structure of Matter of CAS. Дата публикации: 2021-04-02.

Rare earth doped scandium oxide nano material and preparation method and application thereof

Номер патента: CN111592885B. Автор: 冯蕊. Владелец: FUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-07-06.

A kind of 3D printing original position rare-earth doped titanium-base composite active bone implant and manufacturing process

Номер патента: CN108705092A. Автор: 陈中,林岳宾,刘爱辉,夏木建,李年莲,丁红燕,丁钲炜. Владелец: Huaiyin Institute of Technology. Дата публикации: 2018-10-26.

Method for manufacturing rare-earth-doped fiber precast rod

Номер патента: CN102086089A. Автор: 张立永,潘晋,冯高锋,葛锡良. Владелец: Futong Group Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-08.

Rare-earth doped fluorides and process for preparing

Номер патента: US7625503B2. Автор: Michael Karl Crawford,Kurt Richard Mikeska,Changzai Chi. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2009-12-01.

A process of making rare earth doped optical fibre

Номер патента: EP1441991B1. Автор: Ranjan Central Glass and Ceramic Research SEN,Miss Minati Central Glass and Ceramic CHATTERJEE,Milan Kanti Central Glass and Ceramic NASKAR,Mrinmay Central Glass and Ceramic Research PAL,Mukul Chandra Central Glass and Ceramic PAUL,Shyamal Kumar Central Glass and Ceramic BHADRA,Kamal Central Glass and Ceramic Research DASGUPTA,Dibyendu Central Glass and Ceramic GANGULI,Tarun Central Glass and Ceramic BANDYOPADHYAY,Aharon Bar-Ilan University GEDANKEN. Владелец: Council of Scientific and Industrial Research CSIR. Дата публикации: 2006-02-08.

Rare earth doped yttria-gadolinia ceramic scintillators and methods for making

Номер патента: EP0097295A1. Автор: Dominic Anthony Cusano,Charles David Greskovich,Frank Anthony Dibianca. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1984-01-04.

Preparation method of rare-earth-doped yttrium oxide laser ceramic optical fiber

Номер патента: CN105565810A. Автор: 张伟,罗辉,张志斌,谢修敏,官周国. Владелец: South West Institute of Technical Physics. Дата публикации: 2016-05-11.

A kind of rare earth-doped titanium dioxide modified polyvinyl-chloride composite material and preparation method

Номер патента: CN110054846A. Автор: 张超,刘旭,谢胜利,戈晴晴. Владелец: Suqian Liansheng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-26.

Yttrium-excess rare earth-doped YAG microwave dielectric ceramic material and preparation method thereof

Номер патента: CN115504785A. Автор: 唐斌,张树人,钟朝位,周沫轲,司峰,李恩竹. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2022-12-23.

Rare earth doped yttria-gadolinia ceramic scintillators and methods for making

Номер патента: EP0097295B1. Автор: Dominic Anthony Cusano,Charles David Greskovich,Frank Anthony Dibianca. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1987-01-07.

A process for making rare earth doped optical fibre

Номер патента: CA2436579A1. Автор: Ranjan Sen,Mukul Chandra Paul,Shyamal Kumar Bhadra,Kamal Dasgupta,Tarun Bandyopadhyay. Владелец: Ministry Of Information Technology. Дата публикации: 2002-08-08.

Preparation of novel green rare earth doped carbon point corrosion inhibitor and method for modifying carbon point corrosion inhibitor by ionic liquid

Номер патента: CN115504454A. Автор: 王志坤,孙霜青,周熠. Владелец: China University of Petroleum East China. Дата публикации: 2022-12-23.

Process for the production of rare earth-doped glass by the solgel process

Номер патента: DE69026911T2. Автор: Masumi Ito,Hiroshi Yokota,Tatsuhiko Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1996-10-24.

Method of growing rare earth doped orthosilicates (Ln2-xRExSio5)

Номер патента: EP0493903B1. Автор: George Wayne Berkstresser,Charles David Brandle, Jr.. Владелец: AT&T Corp. Дата публикации: 1994-12-07.

Optical fiber of single-mode multi-ring fiber core coupled to multiple rare-earth-doped segmented fiber cores

Номер патента: CN105589127A. Автор: 李晶,李超,袁瑾,宁提纲,张传彪,马绍朔,祝小光. Владелец: Beijing Jiaotong University. Дата публикации: 2016-05-18.

III group-III nitride monocrystalline of rare earth doped element and its preparation method and application

Номер патента: CN108866629A. Автор: 王建峰,高晓冬,徐科,刘宗亮,任国强,李腾坤,苏旭军. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2018-11-23.

Rare earth doped RGO/titanium dioxide efficient photocatalyst and preparation method thereof

Номер патента: CN111111643A. Автор: 任建,韩锐,李光照,杜发鑫,洋汉军. Владелец: XIHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-05-08.

Rare earth doped YAG high-crystallinity transparent glass ceramics and preparation method thereof

Номер патента: CN112811821A. Автор: 韩磊,张骞,赵玉磊,强耀春. Владелец: Jiangxi University of Science and Technology. Дата публикации: 2021-05-18.

Rare earth-doped yttrium aluminum garnet microcrystalline glass material and application thereof in white LED

Номер патента: CN102040337B. Автор: 梁晓娟,向卫东,陈兆平,黄海宇,金怀东. Владелец: Wenzhou University. Дата публикации: 2012-08-08.

Rare-earth doped thermal barrier coating bond coat for thermally grown oxide luminescence sensing, and including temperature monitoring and measuring a temperature gradient

Номер патента: EP4065943A2. Автор: Quentin Fouliard,Ranajay Ghosh,Seetha Raghavan. Владелец: University of Central Florida Research Foundation Inc UCFRF. Дата публикации: 2022-10-05.

Rare earth doped host materials

Номер патента: EP1200536A4. Автор: John Ballato,Richard E Riman. Владелец: Rutgers State University of New Jersey. Дата публикации: 2005-03-16.

It is a kind of using rare earth doped houghite as hydrogen sulfide selective oxidation catalyst of presoma and preparation method thereof

Номер патента: CN108579720A. Автор: 李翔,沈丽娟,江莉龙,曹彦宁. Владелец: FUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-09-28.

A kind of method that uses nanoassemble fabrication techniques rare-earth doped optical fibre

Номер патента: CN103553319B. Автор: 魏淮. Владелец: Beijing Jiaotong University. Дата публикации: 2016-05-11.

Equipment for preparing rare-earth-doped optical fiber prefabricated rod

Номер патента: CN102092935B. Автор: 文雁平,申云华,肖兰. Владелец: Shanghai Hengtong Photoelectric Technology Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-26.

Process of making rare earth doped optical fibre

Номер патента: CN100503494C. Автор: 兰詹·森,密斯·米纳提·查特吉,米兰·坎蒂·纳斯卡尔,米尔梅·帕尔,穆库尔·钱德拉·保罗,西尔玛·库马尔·巴德拉,卡迈勒·达斯古普塔,迪比亚杜·甘古利,塔伦·班迪奥帕迪亚雅,阿哈龙·热当基安. Владелец: University Bar Ilan. Дата публикации: 2009-06-24.

Solarization resistant rare earth doped glasses

Номер патента: EP3562791A1. Автор: Wageesha Senaratne,Nicholas Francis Borrelli,Joseph Francis Schroeder Iii. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2019-11-06.

Rare earth doped material and preparation method of coating thereof

Номер патента: CN111235567A. Автор: 刘洪喜,罗璇,付艳慧,余登德. Владелец: KUNMING UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2020-06-05.

Polygonal-fiber-core rare-earth-doped optical fiber and preparation method thereof

Номер патента: CN104678489A. Автор: 李进延,彭景刚,戴能利,李海清,赵楠,廖雷,刘业辉,王一礡. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2015-06-03.

Manufacturing method of rare earth doped fiber and preform thereof

Номер патента: JP2591529B2. Автор: 浩司 岡村,忠夫 有馬. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1997-03-19.

A kind of Forecasting Methodology of rare-earth-doped modification titanio stannic oxide electrode performance

Номер патента: CN106096279A. Автор: 李国平,薛娟琴,张晓�,毕强,于丽花,唐长斌,郭莹娟. Владелец: Xian University of Architecture and Technology. Дата публикации: 2016-11-09.

Method for preparing rare earth doped microstructure optical fiber

Номер патента: CN102351414A. Автор: 周桂耀,夏长明,侯峙云. Владелец: SOUTH CHINA NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-02-15.

Rare earth doped host materials

Номер патента: US20040000662A1. Автор: John Ballato,Richard E. Riman. Владелец: Rutgers State University of New Jersey. Дата публикации: 2004-01-01.

Rare earth doped glass with excellent optical properties and method for preparing same

Номер патента: CN115304271A. Автор: 王雪,孙淼,陈昕蕊. Владелец: Qilu University of Technology. Дата публикации: 2022-11-08.

Enhancing upconversion luminescence in rare-earth doped particles

Номер патента: CN104781729A. Автор: 赵江波,金大勇. Владелец: Macquarie University. Дата публикации: 2015-07-15.

Rare-earth-doped yttria-gadolinia ceramic scintillators and methods for making the same

Номер патента: IL68641A0. Автор: . Владелец: Gen Electric. Дата публикации: 1983-09-30.

Rare earth doped optical fiber for inhibiting mode instability effect and preparation method thereof

Номер патента: CN115611508B. Автор: 李强,雷敏,刘厚康,戴玉芬,夏哲,王锦航,胡金萌,郑保罗. Владелец: China Space Sanjiang Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-12.

Method for preparing rare earth doped optical fibers by using nano self-assembly technique

Номер патента: CN103553319A. Автор: 魏淮. Владелец: Beijing Jiaotong University. Дата публикации: 2014-02-05.

Rare earth doped luminescent glass

Номер патента: US20050253113A1. Автор: Carol Click,Ulrich Peuchert,Wolfram Beier,Bernd Drapp,Axel Engel,Markus Schweizer,Martin Letz,Joseph Hayden,Karina Seneschal. Владелец: SCHOTT AG. Дата публикации: 2005-11-17.

Preparation method of rare earth doped few-mode optical fiber

Номер патента: CN111470769A. Автор: 黄宏琪. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-07-31.

Catalyst useful for removing nitrogen oxides from automobile exhaust gases comprises rare-earth-doped alumina, manganese, alkali metal and platinum

Номер патента: FR2845932A1. Автор: Catherine Hedouin,Thierry Lesage,Marco Daturi,Jacques Saussey. Владелец: Rhodia Electronics and Catalysis SAS. Дата публикации: 2004-04-23.

Rare earth-doped sapphire films and related methods

Номер патента: WO2011020175A1. Автор: Raveen Kumaran,Shawn Penson,Thomas Tiedje,Scott E. Webster. Владелец: The University of British Columbia. Дата публикации: 2011-02-24.

Method for preparing ceramic joint with temperature detection function by using rare earth doped oxide glass

Номер патента: CN110467476B. Автор: 邢丽丽,杨卫岐,敖润,刘易姝,马显锋. Владелец: Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2022-01-25.

3D printing in-situ rare earth doped titanium-based composite material active bone implant and forming method

Номер патента: CN108705092B. Автор: 陈中,林岳宾,刘爱辉,夏木建,李年莲,丁红燕,丁钲炜. Владелец: Huaiyin Institute of Technology. Дата публикации: 2021-06-01.

Non-rare earth doped high-temperature long-afterglow luminescent material and preparation method thereof

Номер патента: CN112342019B. Автор: 张辉,陈文波,赵红军,严娟,夏继宏,高昊天,聂明航. Владелец: Chongqing University of Arts and Sciences. Дата публикации: 2022-11-01.

The quantitative detecting method of rare earth doping phosphoric acid calcium fluorescent nano particle in vivo

Номер патента: CN109632739A. Автор: 王欣宇,韩颖超,邢庆国. Владелец: Wuhan University of Technology WUT. Дата публикации: 2019-04-16.

Rare earth doped molecular sieve catalyst, preparation method and application thereof

Номер патента: CN113174036B. Автор: 黄卫国,黄斌,吴文斌,童斌,陈多安,李美洲,俞快,姚素. Владелец: Zhejiang Realsun Chemical Stock Co ltd. Дата публикации: 2023-03-28.

Rare earth doped up-conversion luminescent powder and preparation method thereof

Номер патента: CN115557528A. Автор: 陈颖,王婕,黎珍,袁宁宁,覃锦兰,臧国凤. Владелец: Guangzhou Institute of Technology. Дата публикации: 2023-01-03.

Preparation method of ultra small scale rare earth-doped yttrium oxide-based nano phosphor

Номер патента: CN106635007A. Автор: 邱建华,李志伟,袁宁,丁建宁,袁宁一,陈智慧,朱媛媛. Владелец: CHANGZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-05-10.

Optical rare-earth doped fiber long period grating based ionizing radiation dose sensor device

Номер патента: US10101467B2. Автор: Srikant M. OAK,Sanjay Kher,Smita Chaubey,Jai Kishore. Владелец: SECRETARY DEPARTMENT OF ATOMIC ENERGY GOVERNMENT OF INDIA. Дата публикации: 2018-10-16.

MCVD (modified chemical vapor deposition) device for preparing rare earth doped optical fiber performs

Номер патента: CN104909557A. Автор: 陈苏,曹蓓蓓,杨玉诚,汪洪海,韦会峰. Владелец: Yangtze Optical Fibre and Cable Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-16.

High-glossiness rare earth doped fluorescent powder coated by polymethyl methacrylate and preparation method thereof

Номер патента: CN106634951A. Автор: 周以林. Владелец: Ma'anshan Hengxin Pressure Reducer Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-10.

Rare earth doped lead-free frit and electrical component sealing method utilizing the same

Номер патента: CN104628252A. Автор: 谢再锋. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-05-20.

Rare earth doped bismuth germanate single crystal optical fiber and cladding method

Номер патента: CN112723751A. Автор: 徐军,王东海,吴锋,王庆国,唐慧丽,徐晓东,李纳. Владелец: Nanjing Tongli Crystal Material Research Institute Co ltd. Дата публикации: 2021-04-30.

Application of rare earth doped photochromic material in X-ray detection

Номер патента: CN108624316B. Автор: 罗来慧,章园园. Владелец: Ningbo University. Дата публикации: 2021-05-07.

Rare earth doped host materials

Номер патента: CA2366362A1. Автор: John Ballato,Richard E. Riman. Владелец: Richard E. Riman. Дата публикации: 2000-09-28.

Rare earth doped host materials

Номер патента: AU2003255048A1. Автор: John Ballato,Richard E. Riman. Владелец: Rutgers State University of New Jersey. Дата публикации: 2003-11-13.

Rare earth doped near infrared luminous hydrogel and preparation method and application thereof

Номер патента: CN113201344B. Автор: 曹聪,江国华,谢瑜,李世文,蒋政烨. Владелец: Zhejiang Sci Tech University ZSTU. Дата публикации: 2023-05-05.

Rare-earth doped spinel type ferrite magnetic powder prepared based on NdFeB wastes and preparation method thereof

Номер патента: CN104446427A. Автор: 梁健,梁浩. Владелец: LIANYUNGANG ZHAOYU NEW MATERIAL INDUSTRIAL CO LTD. Дата публикации: 2015-03-25.

A process for making rare earth doped optical fibre.

Номер патента: ZA200305990B. Автор: Sen Ranjan,Paul Mukul Chandra,Kamal Dasgupta,Tarun Bandyopadhyay,Bhadra Shyamal Kumar. Владелец: Ministry Of Information Techno. Дата публикации: 2004-09-29.

Fiber laser apparatus, image display apparatus and method of exciting up-conversion fiber laser apparatus

Номер патента: US20040156402A1. Автор: Kiyoyuki Kawai,Masaki Tsuchida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-08-12.

Laser system utilizing highly doped laser glass

Номер патента: US6853659B2. Автор: Sally Pucilowski,Bianca Schreder,Ulrich Peuchert,Martin Letz,Ruediger Sprengard,Joseph Hayden. Владелец: Schott Glass Technologies Inc. Дата публикации: 2005-02-08.

Iron-doped lithium niobate single crystal, method for heat treatment thereof and hologram-application element containing the single crystal

Номер патента: US5904912A. Автор: Kenji Kitamura,Shigeyuki Kimura,Yasunori Furukawa,Nobuo Ii. Владелец: National Institute for Research in Inorganic Material. Дата публикации: 1999-05-18.

Lithium niobate monocrystal stoichiometry evaluating method

Номер патента: RU2743899C1. Автор: Николай Васильевич Сидоров,Михаил Николаевич Палатников,Любовь Александровна Бобрева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Федеральный исследовательский центр "Кольский научный центр Российской академии наук" (ФИЦ КНЦ РАН). Дата публикации: 2021-03-01.

Method for pressurized annealing of lithium niobate and resulting lithium niobate structures

Номер патента: WO1999063393A3. Автор: Lee J Burrows. Владелец: California Inst Of Techn. Дата публикации: 2000-09-21.

Lithium niobate having p-type nanowire region or n-type nanowire region, method for preparing the same, and method for converting charge carrier type of nanowire region

Номер патента: US11834755B2. Автор: Fang Bo,Jing-Jun Xu,Guo-Quan Zhang,Xiao-Jie Wang,Yue-Jian Jiao. Владелец: Nankai University. Дата публикации: 2023-12-05.

Lithium niobate having p-type nanowire region or n-type nanowire region, method for preparing the same, and method for converting charge carrier type of nanowire region

Номер патента: US20210238767A1. Автор: Fang Bo,Jing-Jun Xu,Guo-Quan Zhang,Xiao-Jie Wang,Yue-Jian Jiao. Владелец: Nankai University. Дата публикации: 2021-08-05.

Lithium niobate waveguide having weak phase drift

Номер патента: EP4020069A1. Автор: Shiwei Song,Weiqi Sun,Qingyang YU,Yingcong ZHOU,Hanxiao LIANG,Yipin SONG,Haicang WU,Wenhao MAO. Владелец: Shanghai Lycore Tech Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-29.

Lithium niobate waveguide having weak phase drift

Номер патента: US20220308371A1. Автор: Shiwei Song,Weiqi Sun,Qingyang YU,Yingcong ZHOU,Hanxiao LIANG,Yipin SONG,Haicang WU,Wenhao MAO. Владелец: Shanghai Lycore Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-29.

Lithium niobate having p-type nanowire region or n-type nanowire region and preparation method therefor, and method for converting carrier type thereof

Номер патента: EP4033013A1. Автор: Fang Bo,Xiaojie Wang,Guoquan Zhang,Jingjun Xu,Yuejian JIAO. Владелец: Nankai University. Дата публикации: 2022-07-27.

Method for pressurized annealing of lithium niobate and resulting lithium niobate structures

Номер патента: EP1078296A2. Автор: Lee J. Burrows. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2001-02-28.

Method and device for substantially eliminating optical damage in lithium niobate devices

Номер патента: US20220082755A1. Автор: Qiang Lin,Jingwei Ling. Владелец: UNIVERSITY OF ROCHESTER. Дата публикации: 2022-03-17.

High-speed and low-voltage electro-optical modulator based on lithium niobate-silicon wafer

Номер патента: US11940707B2. Автор: Jing Wang,Weiwen ZOU,Shaofu XU. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2024-03-26.

Hybrid electro-optic polymer / thin film lithium niobate integrated optical modulator

Номер патента: US11977283B2. Автор: Edward Wooten. Владелец: Photonic Systems Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Hybrid Electro-Optic Polymer / Thin Film Lithium Niobate Integrated Optical Modulator

Номер патента: US20220382083A1. Автор: Edward Wooten. Владелец: Photonic Systems Inc. Дата публикации: 2022-12-01.

Method and device for substantially eliminating optical damage in lithium niobate devices

Номер патента: US11366268B2. Автор: Qiang Lin,Jingwei Ling. Владелец: UNIVERSITY OF ROCHESTER. Дата публикации: 2022-06-21.

Solid state optical cavities with thin film lithium niobate layer for resonance tuning

Номер патента: WO2024107970A1. Автор: Thibault CHERVY,Puneet A. MURTHY. Владелец: Ntt Research, Inc.. Дата публикации: 2024-05-23.

Thin film lithium niobate and method of producing the same

Номер патента: US20020182322A1. Автор: Aref Chowdhury,Leon McCaughan,Thomas Kuech,Dovas Saulys,Vladimir Joshkin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Equilibration of lithium niobate crystals

Номер патента: US4725330A. Автор: Henry M. O'bryan, Jr.,Ronald J. A. Holmes,You S. Kim. Владелец: AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH COMPANY AT&T BELL LABORATORIES. Дата публикации: 1988-02-16.

Fabrication of optical waveguides in periodically poled lithium niobate

Номер патента: US7430356B2. Автор: Lu Ming,Corin Barry Edmund Gawith,Peter George Robin Smith. Владелец: University of Southampton. Дата публикации: 2008-09-30.

Fabrication of optical waveguides in periodically poled lithium niobate

Номер патента: EP1687672A1. Автор: P.G.R. c/o Univ. of Southampton SMITH,C.B.R. c/o Univ. of Southampton GAWITH,L. c/o Univ. of Southampton MING. Владелец: University of Southampton. Дата публикации: 2006-08-09.

Fabrication of optical waveguides in periodically poled lithium niobate

Номер патента: US20070092194A1. Автор: Lu Ming,Peter Smith,Corin Gawith. Владелец: University of Southampton. Дата публикации: 2007-04-26.

Lithium niobate harmonic generator and method

Номер патента: US3639776A. Автор: Homer Fay,Howard M Dess,Wilbur J Alford. Владелец: Union Carbide Corp. Дата публикации: 1972-02-01.

Monolithically integrated optical analog-to-digital conversion system based on lithium niobate-silicon wafer and method for manufacturing the same

Номер патента: US11874582B2. Автор: Jing Wang,Weiwen ZOU,Shaofu XU. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2024-01-16.

Optical frequency comb generation in integrated lithium niobate devices

Номер патента: US11537026B2. Автор: Cheng Wang,Marko Loncar,Mian ZHANG,Brandon Taylor Buscaino,Joseph M. Kahn. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2022-12-27.

System for reducing the electrical return loss of a lithium niobate traveling wave optical modulator with low characteristic impedance

Номер патента: US20050201653A1. Автор: Giovanni Gilardi,Paolo Milanese,Mario Bonazzoli,Luigi Gobbi,Simone Pensa. Владелец: Oclaro North America Inc. Дата публикации: 2005-09-15.

Micro-Machined Thin Film Lithium Niobate Electro-Optic Devices

Номер патента: US20230176404A1. Автор: Cheng Wang,Marko Loncar,Mian ZHANG. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2023-06-08.

Lithium niobate on insulator (lnoi) vertically tapered optical waveguide and method of forming the same

Номер патента: US20240027798A1. Автор: Peng Yao,Dennis Prather,Andrew Mercante. Владелец: Phase Sensitive Innovations Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Micro-machined thin film lithium niobate electro-optic devices

Номер патента: US20210255489A1. Автор: Cheng Wang,Marko Loncar,Mian ZHANG. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2021-08-19.

Optical frequency comb generation in integrated lithium niobate devices

Номер патента: US11809061B2. Автор: Cheng Wang,Marko Loncar,Mian ZHANG,Brandon Taylor Buscaino,Joseph M. Kahn. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2023-11-07.

Lithium niobate devices fabricated using deep ultraviolet radiation

Номер патента: US20210247545A1. Автор: Mian ZHANG,Kevin Luke. Владелец: Hyperlight Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Using condensed chemicals to precondition lithium niobate and lithium tantalate crystals

Номер патента: WO2005115919A3. Автор: Dieter Hans Jundt,Maria Claudia Custodi Kajiyama,Jason Louis Spitzer. Владелец: Crystal Tech Inc. Дата публикации: 2006-09-21.

Integration of Optoelectronic Devices Comprising Lithium Niobate or Other Pockels Materials

Номер патента: US20240142809A1. Автор: Edward Preisler,Oleg Martynov. Владелец: Newport Fab dba Tower Semiconductor Newport Beach LLC. Дата публикации: 2024-05-02.

Using condensed chemicals to precondition lithium niobate and lithium tantalate crystals

Номер патента: US20060107888A1. Автор: Dieter Jundt,Maria Custodio Kajiyama. Владелец: Crystal Technology Inc. Дата публикации: 2006-05-25.

Method of making thin film lithium niobate electro-optical modulators

Номер патента: US20230384646A1. Автор: Ke Huang,Leijun Yin,Henry H. Hung,Xiaoyan Ying. Владелец: Optilab LLC. Дата публикации: 2023-11-30.

Display system with tunable wavelength conversion in a nanophotonic periodically poled lithium niobate waveguide

Номер патента: US20230400748A1. Автор: Gareth John Valentine,Zhimin Shi,Xi Wu. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-14.

Non-hermetic packaging for lithium niobate-based devices

Номер патента: US20030063830A1. Автор: Christopher Jones,Glen Wilk. Владелец: Triquint Technology Holding Co. Дата публикации: 2003-04-03.

Gas species monitoring system including a multisection dbr laser

Номер патента: WO2006061681A2. Автор: William A. Von Drasek. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2006-06-15.

Gas species monitoring system including a multisection dbr laser

Номер патента: WO2006061681A3. Автор: Drasek William A Von. Владелец: Procedes Georges Claude L Air. Дата публикации: 2006-07-27.

ELASTIC SURFACE WAVE TRANSDUCER SPRAYING ON LITHIUM NIOBATE SUBSTRATE OR LITHIUM TANTALATE.

Номер патента: FR2998420A1. Автор: Sylvain Ballandras. Владелец: Université de Franche-Comté. Дата публикации: 2014-05-23.

TRANSVERSELY EXCITED FILM BULK ACOUSTIC RESONATOR USING ROTATED Z-CUT LITHIUM NIOBATE

Номер патента: US20190386633A1. Автор: Plesski Viktor. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-19.

ELASTIC SURFACE WAVE TRANSDUCER SPRAYING ON LITHIUM NIOBATE SUBSTRATE OR LITHIUM TANTALATE.

Номер патента: FR2998420B1. Автор: Sylvain Ballandras. Владелец: Université de Franche-Comté. Дата публикации: 2017-06-09.

Frequency control of spurious shear horizontal mode by adding high velocity layer in a lithium niobate filter

Номер патента: TWI801604B. Автор: 小松禎也. Владелец: 美商天工方案公司. Дата публикации: 2023-05-11.

Multi-channel light emitting module including lithium niobate modulator

Номер патента: US20230155684A1. Автор: Juan Zhang,jian-hong Luo,Dong-Biao JIANG,Jiahang SHAO. Владелец: GLOBAL TECHNOLOGY Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

TRANSVERSELY-EXCITED FILM BULK ACOUSTIC RESONATOR USING YX-CUT LITHIUM NIOBATE FOR HIGH POWER APPLICATIONS

Номер патента: US20210006228A1. Автор: Garcia Bryant. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-07.

HIGH POWER TRANSVERSELY-EXCITED FILM BULK ACOUSTIC RESONATORS ON ROTATED Z-CUT LITHIUM NIOBATE

Номер патента: US20210013868A1. Автор: Turner Patrick,Garcia Bryant,Plesski Viktor,Yantchev Ventsislav,Fenzi Neal,Hammond Robert. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-14.

Lithium niobate or lithium tantalate fbar structure and fabricating method thereof

Номер патента: US20220103147A1. Автор: Jian Wang. Владелец: Newsonic Technologies Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

LITHIUM NIOBATE OR LITHIUM TANTALATE FBAR STRUCTURE AND FABRICATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20220103157A1. Автор: WANG Jian. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-31.

BULK ACOUSTIC WAVE RESONATOR WITH PIEZOELECTRIC LAYER COMPRISING LITHIUM NIOBATE OR LITHIUM TANTALATE

Номер патента: US20190103853A1. Автор: BURAK Dariusz,CHOY John,GRANNEN Kevin J.. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-04.

LITHIUM NIOBATE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND METHOD OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20180148858A1. Автор: Kajigaya Tomio. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.. Дата публикации: 2018-05-31.

TRANSVERSELY EXCITED FILM BULK ACOUSTIC RESONATOR USING ROTATED Y-X CUT LITHIUM NIOBATE

Номер патента: US20200177162A1. Автор: Garcia Bryant,Plesski Viktor,Yantchev Ventsislav. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-04.

Bulk acoustic wave resonator with piezoelectric layer comprising lithium niobate or lithium tantalate

Номер патента: US20170214387A1. Автор: John Choy,Dariusz Burak,Kevin J. Grannen. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-07-27.

HIGH POWER TRANSVERSELY-EXCITED FILM BULK ACOUSTIC RESONATORS ON Z-CUT LITHIUM NIOBATE

Номер патента: US20200228091A1. Автор: Turner Patrick,Garcia Bryant,Plesski Viktor,Yantchev Ventsislav,Fenzi Neal,Hammond Robert. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-16.

FILTER USING LITHIUM NIOBATE AND LITHIUM TANTALATE TRANSVERSELY-EXCITED FILM BULK ACOUSTIC RESONATORS

Номер патента: US20210399718A1. Автор: Fenzi Neal,Guyette Andrew. Владелец: . Дата публикации: 2021-12-23.

SOLIDLY MOUNTED TRANSVERSELY EXCITED FILM BULK ACOUSTIC RESONATOR USING ROTATED Z-CUT LITHIUM NIOBATE

Номер патента: US20200373902A1. Автор: Plesski Viktor. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-26.

FREQUENCY CONTROL OF SPURIOUS SHEAR HORIZONTAL MODE BY ADDING HIGH VELOCITY LAYER IN A LITHIUM NIOBATE FILTER

Номер патента: US20190386642A1. Автор: Komatsu Tomoya. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-19.

Lithium niobate piezoelectric transducer - using two metal blocks attached to electrodes, previously heat treated to compensate for resonant frequency temp. coefft.

Номер патента: FR2388439A1. Автор: Bertrand D Albaret,Gerard Villela,Claude Beaudereau,Christian Bremon. Владелец: Compagnie Generale dElectricite SA. Дата публикации: 1978-11-17.

HIGH TEMPERATURE ULTRASONIC TRANSLATOR USING BRONZE LITHIUM NIOBATE CRYSTAL WITH GOLD AND INDIUM

Номер патента: FR2977377A1. Автор: Christian Lhuillier. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2013-01-04.

Spurious shear horizontal mode frequency control with high-speed layer added in lithium niobate filter

Номер патента: CN110601677A. Автор: 小松禎也. Владелец: Tiangong Program Co. Дата публикации: 2019-12-20.

The thin film bulk acoustic wave resonator and preparation method thereof of based single crystal lithium niobate thin slice

Номер патента: CN106209001B. Автор: 李�杰,张万里,吴传贵,罗文博,帅垚,龚朝官,白晓圆,潘忻强. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2019-02-15.

ACOUSTIC WAVE DEVICE COMPRISING LITHIUM NIOBATE MATERIAL AND / OR LITHIUM TANTALATE OF OPTIMIZED LOW COEFFICIENT TCF COMPOSITION AND PROCESS FOR PRODUCTION OF SAID MATERIAL

Номер патента: FR2988220B1. Автор: Ausrine Bartasyte,Mazria Omar El. Владелец: UNIVERSITE DE LORRAINE. Дата публикации: 2015-03-27.

Lithium niobate semiconductor structure and preparation method therefor

Номер патента: WO2022121014A1. Автор: 张国权,张煜晨,许京军,钱月照. Владелец: 南开大学. Дата публикации: 2022-06-16.

Low-loss and wide-band acoustic delay lines using z-cut lithium niobate piezoelectric thin films

Номер патента: US20210119601A1. Автор: Ruochen Lu,Tomas Manzaneque Garcia,Yansong Yang,Songbin Gong. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2021-04-22.

Frequency control of spurious shear horizontal mode by adding high velocity layer in a lithium niobate filter

Номер патента: GB2576401A. Автор: Komatsu Tomoya. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2020-02-19.

Acoustic wave device comprising a lithium niobate and/or lithium tantalate material with an optimised, low-tcf composition, and method for manufacturing said material

Номер патента: EP2826078A1. Автор: Ausrine Bartasyte,Omar EL MAZRIA. Владелец: UNIVERSITE DE LORRAINE. Дата публикации: 2015-01-21.

Method of producing high-temperature ultrasonic transducer using crystal of lithium niobate, fused with gold and indium

Номер патента: RU2595285C2. Автор: Кристиан ЛЮЙЕ. Владелец: Коммиссариат А Л'Энержи Атомик Э О Энержи Альтернатив. Дата публикации: 2016-08-27.

Frequency control of spurious shear horizontal mode by adding high velocity layer in a lithium niobate filter

Номер патента: GB2608512A. Автор: Komatsu Tomoya. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-01-04.

METHOD FOR PRODUCING A HIGH-TEMPERATURE ULTRASONIC TRANSDUCER USING A LITHIUM NIOBATE CRYSTAL MOLDED WITH GOLD AND INDIA

Номер патента: RU2014102953A. Автор: Кристиан ЛЮЙЕ. Владелец: Коммиссариат А Л'Энержи Атомик Э О Энержи Альтернатив. Дата публикации: 2015-08-10.

Manufacturing procedure of a high temperature ultrasonic transducer that uses a gold-indium-welded lithium niobate crystal

Номер патента: ES2551082T3. Автор: Christian Lhuillier. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2015-11-16.

Lithium niobate or lithium tantalate wafer blackening method based on ion implantation

Номер патента: CN111799364A. Автор: 孙嘉良,欧欣,林家杰,游天桂. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2020-10-20.

Acoustic wave device comprising a lithium niobate and/or lithium tantalate material with an optimised, low-tcf composition, and method for manufacturing said material

Номер патента: WO2013135886A1. Автор: Ausrine Bartasyte,Omar EL MAZRIA. Владелец: UNIVERSITE DE LORRAINE. Дата публикации: 2013-09-19.

Low-loss and wide-band acoustic delay lines using x-cut and y-cut lithium niobate piezoelectric thin films

Номер патента: US11942920B2. Автор: Ruochen Lu,Tomas Manzaneque Garcia,Yansong Yang,Songbin Gong. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2024-03-26.

Frequency control of spurious shear horizontal mode by adding high velocity layer in a lithium niobate filter

Номер патента: US12009806B2. Автор: Tomoya KOMATSU. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Optical transmission device and control method thereof for integrating multiple signal based on lithium niobate modulation

Номер патента: US20240171278A1. Автор: Hao Jin,FAN YANG,Qikun Huang. Владелец: Global Technology Inc USA. Дата публикации: 2024-05-23.

Thin-Film Surface-Acoustic-Wave Filter Using Lithium Niobate

Номер патента: US20220069804A1. Автор: Ingo Bleyl,Ulrike Monika Roesler. Владелец: RF360 Europe GmbH. Дата публикации: 2022-03-03.

Method for producing lithium niobate single crystal substrate

Номер патента: JP6493151B2. Автор: 富男 梶ヶ谷. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2019-04-03.

Surface acoustic wave devices using optimized cuts of lithium niobate (LiNbO3)

Номер патента: US20030080831A1. Автор: Benjamin Abbott,Natalya Naumenko. Владелец: Sawtek Inc. Дата публикации: 2003-05-01.

Doped lithium quinolate

Номер патента: AU2002343070A1. Автор: Poopathy Kathirgamanathan. Владелец: OLED-T Ltd. Дата публикации: 2003-06-10.

Doped lithium quinolate

Номер патента: US20070200096A1. Автор: Poopathy Kathirgamanathan,Subramaniam Ganeshamurugan,Gnanamoly Paramaswara,Muttulingham Kumaraverl,Arumugam Partheepan. Владелец: Arumugam Partheepan. Дата публикации: 2007-08-30.

Wavelength Stabilizer For TWDM-PON Burst Mode DBR Laser

Номер патента: US20150104179A1. Автор: Gao Bo,Effenberger Frank,Wang Feng,Yan Xuejin. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-16.

Key distribution system based on DBR laser wavelength keying synchronization

Номер патента: CN112615710A. Автор: 王云才,王龙生,王安帮,闫连山,贾志伟,郭亘立. Владелец: TAIYUAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2021-04-06.

Wavelength chaotic signal generating device based on DBR laser

Номер патента: CN110278037A. Автор: 王涛,徐浩,杨强,张建忠,张明江,乔丽君,柴萌萌. Владелец: TAIYUAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2019-09-24.

Erbium-doped fiber and preparation method for erbium-doped fiber

Номер патента: US20240097395A1. Автор: Shiyi Cao,Jinyan Li,Yehui LIU,Yingbo CHU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Structured silica clad silica optical fibers

Номер патента: EP4110737A1. Автор: Wolfgang Neuberger,Bolesh J. Skutnik,Andrey B Grischenko. Владелец: Biolitec Ag. Дата публикации: 2023-01-04.

Structured silica clad silica optical fibers

Номер патента: US20230086322A1. Автор: Wolfgang Neuberger,Bolesh J. Skutnik,Andrey B. Grischenko. Владелец: Biolitec Ag. Дата публикации: 2023-03-23.

Structured silica clad silica optical fibers

Номер патента: CA3173046A1. Автор: Wolfgang Neuberger,Bolesh J. Skutnik,Audrey Grishchenko. Владелец: Biolitec Ag. Дата публикации: 2021-09-02.

Structured silica clad silica optical fibers

Номер патента: WO2021171089A1. Автор: Wolfgang Neuberger,Bolesh J. Skutnik,Andrey B Grischenko. Владелец: Biolitec Unternehmensbeteiligungs II AG. Дата публикации: 2021-09-02.

Light source with WDM function, and optical amplifier and two-way optical transmission apparatus applied therewith

Номер патента: US6144785A. Автор: Masayuki Fujita. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-11-07.

High power three level fiber laser and method of making same

Номер патента: US6031849A. Автор: Paul Sanders,Gary A. Ball. Владелец: JDS Uniphase Corp. Дата публикации: 2000-02-29.

Erbium-doped fiber and preparation method for erbium-doped fiber

Номер патента: EP4336680A1. Автор: Shiyi Cao,Jinyan Li,Yehui LIU,Yingbo CHU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-13.

Doubly doped lithium niobate crystals

Номер патента: US6835368B2. Автор: Qian Sun,Hui Huang,Xiaojun Chen,Shaolin Chen,Jingjun Xu,Baiquan Tang,Guangyin Zhang,Ziheng Huang,Yongfa Kong,Guangao Li. Владелец: Nankai University. Дата публикации: 2004-12-28.

Method for the reduction of iron in iron-doped lithium niobate crystals

Номер патента: CA999218A. Автор: William Phillips. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1976-11-02.

BISMUTH AND MAGNESIUM CO-DOPED LITHIUM NIOBATE CRYSTAL, PREPARATION METHOD THEREOF AND APPLICATION THEREOF

Номер патента: US20170253994A1. Автор: Zhang Ling,Chen Shaolin,Liu Shiguo,XU Jingjun,KONG Yongfa,ZHENG Dahuai,XU Peiming,BIAN Zhiyong,LIU Hongde. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-07.

Method and device for growing magnesium-doped lithium niobate single crystal

Номер патента: CN111893560A. Автор: 夏文英,夏钰坤,夏宗仁,曹远虎,曹义育. Владелец: Jiangxi Junjing Photoelectric Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-11-06.

Indium chromium neodymium three-doping lithium niobate crystal and preparation method thereof

Номер патента: CN110230097A. Автор: 代丽,刘春蕊,韩县博,邵瑀. Владелец: Harbin University of Science and Technology. Дата публикации: 2019-09-13.

Rare earth element doped lithium niobate composite photocatalytic material and preparation method and application thereof

Номер патента: CN109589964B. Автор: 李霞章,姚超,刘文杰,左士祥,沈小华,何承溧. Владелец: CHANGZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-05-08.

Thin film lithium niobate hybrid photonics packaging

Номер патента: US20230400631A1. Автор: Roy Meade,Mian ZHANG,Christian Reimer. Владелец: Hyperlight Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Thin film of lithium niobate single crystal

Номер патента: WO1992009917A1. Автор: Satoshi Oono. Владелец: IBIDEN CO., LTD.. Дата публикации: 1992-06-11.

Lithium niobate SAW wafer containing Ta impurities

Номер патента: US20110059007A1. Автор: Stephane Chamaly,Dieter Hans Jundt,Maria Claudia Custodio Kajiyama. Владелец: Crystal Technology Inc. Дата публикации: 2011-03-10.

Lithium niobate single crystals with congruent structure and process for producing them

Номер патента: WO1989012120A1. Автор: Klaus Hofmann,Eberhard Born,Christa Grabmaier,Evelyn Willibald-Riha. Владелец: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 1989-12-14.

Lithium niobate saw wafer containing ta impurities

Номер патента: WO2011031701A1. Автор: Stephane Chamaly,Maria Claudia Custodio Kajiyama,Dieter Hans Jundt Jundt. Владелец: Crystal Technology Inc.. Дата публикации: 2011-03-17.

Method of making stoichiometric lithium niobate

Номер патента: AU2003225905A1. Автор: Kishor P Gadkaree,Kamal K Soni. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2003-10-27.

Stabilization gas environments in a proton-exchanged lithium niobate optical chip

Номер патента: US09817254B2. Автор: Paul S. Fechner,Stephen F. Yates,Steven J. Sanders,Nancy E. Iwamoto,Austin Taranta. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Nanocomposite-seeded epitaxial growth of single-domain lithium niobate thin films for surface acoustic wave devices

Номер патента: US11746437B2. Автор: Haiyan Wang,Aleem Siddiqui,Robynn-Lynne Paldi. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2023-09-05.

Integrated compound dbr laser for hamr applications

Номер патента: US20150380031A1. Автор: Thomas Dudley Boone, JR.,Juraj Topolancik. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2015-12-31.

Method for modifying surface of lithium niobate plate

Номер патента: KR101298050B1. Автор: 김재호,김보람,김효섭,이민수. Владелец: 아주대학교산학협력단. Дата публикации: 2013-08-20.

Method for evaluating a lithium niobate thin film and apparatus for preparing the same

Номер патента: EP0454499A2. Автор: Hironori Matsunaga,Yasunari Okamoto,Hirotaka Nishiyamoto Ohno. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1991-10-30.

Double-side polishing method for large-size ultrathin lithium niobate substrate

Номер патента: CN110744364B. Автор: 沈浩,朱海瀛,徐秋峰,曹焕,王勤峰,丁孙杰,汤卓伦. Владелец: TDG HOLDING CO Ltd. Дата публикации: 2021-07-13.

Thin film of lithium niobate single crystal and production thereof

Номер патента: EP0444209B1. Автор: Ryo Enomoto,Masaya Yamada,Satoshi Oono. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 2000-11-08.

THIN FILM SINGLE CRYSTAL FROM LITHIUM NIOBATE AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF

Номер патента: DE69033660D1. Автор: Ryo Enomoto,Masaya Yamada,Satoshi Oono. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 2000-12-14.

Lithium niobate doped modified Mg-based hydrogen storage material and preparation method thereof

Номер патента: CN114804019B. Автор: 潘复生,周世明,冉磊,陈玉安,杨修,房达瑞,万海毅,戴玉娟. Владелец: Chongqing University. Дата публикации: 2023-08-01.

Diffusion barrier layer in lithium niobate-containing photonic devices

Номер патента: US20230400716A1. Автор: Roy Meade,Mian ZHANG,Christian Reimer,Kevin Luke. Владелец: Hyperlight Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

METHOD AND DEVICE FOR SUBSTANTIALLY ELIMINATING OPTICAL DAMAGE IN LITHIUM NIOBATE DEVICES

Номер патента: US20220082755A1. Автор: LIN Qiang,Ling Jingwei. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-17.

High-speed and low-voltage electro-optical modulator based on lithium niobate-silicon wafer

Номер патента: US20220100048A1. Автор: Jing Wang,Weiwen ZOU,Shaofu XU. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2022-03-31.

OPTICAL FREQUENCY COMB GENERATION IN INTEGRATED LITHIUM NIOBATE DEVICES

Номер патента: US20210096444A1. Автор: Wang Cheng,Loncar Marko,Kahn Joseph M.,Zhang Mian,Buscaino Brandon Taylor. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-01.

SYSTEM AND METHOD FOR GENERATING MID-INFRARED OPTICAL FREQUENCY COMB BASED ON LITHIUM NIOBATE MICROCAVITY

Номер патента: US20210141283A1. Автор: Zhao Wei,Zeng Chao,Zhang Wenfu,WANG Leiran,SUN Qibing,FAN Weichen. Владелец: . Дата публикации: 2021-05-13.

LITHIUM NIOBATE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND METHOD OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20180135205A1. Автор: Kajigaya Tomio. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.. Дата публикации: 2018-05-17.

LITHIUM NIOBATE OPTICAL WAVEGUIDE CHIP

Номер патента: US20220291532A1. Автор: Chen Yifan,Huang Meng. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-15.

LITHIUM NIOBATE WAVEGUIDE HAVING WEAK PHASE DRIFT

Номер патента: US20220308371A1. Автор: Song Shiwei,LIANG Hanxiao,SONG Yipin,Sun Weiqi,ZHOU Yingcong,WU Haicang,MAO Wenhao,YU Qingyang. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-29.

STABLE LITHIUM NIOBATE WAVEGUIDE DEVICES, AND METHODS OF MAKING AND USING SAME

Номер патента: US20140270617A1. Автор: MULLER Heinrich G.,STAPLETON Andrew D.. Владелец: The Aerospace Corporation. Дата публикации: 2014-09-18.

ACTIVE PHOTONIC NETWORKS ON INTEGRATED LITHIUM NIOBATE PLATFORMS

Номер патента: US20210223657A1. Автор: Wang Cheng,Loncar Marko,Zhang Mian. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-22.

LITHIUM NIOBATE DEVICES FABRICATED USING DEEP ULTRAVIOLET RADIATION

Номер патента: US20210247545A1. Автор: Zhang Mian,Luke Kevin. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-12.

Micro-machined thin film lithium niobate electro-optic devices

Номер патента: US20210255489A1. Автор: Cheng Wang,Marko Loncar,Mian ZHANG. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2021-08-19.

MONOLITHICALLY INTEGRATED OPTICAL ANALOG-TO-DIGITAL CONVERSION SYSTEM BASED ON LITHIUM NIOBATE-SILICON WAFER AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210255523A1. Автор: Wang Jing,Zou Weiwen,Xu Shaofu. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-19.

STABILIZATION GAS ENVIRONMENTS IN A PROTON-EXCHANGED LITHIUM NIOBATE OPTICAL CHIP

Номер патента: US20160246079A1. Автор: Sanders Steven J.,Fechner Paul S.,Yates Stephen F.,Taranta Austin,Iwamoto Nancy E.. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-25.

LITHIUM NIOBATE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND METHOD OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20190233969A1. Автор: Kajigaya Tomio. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.. Дата публикации: 2019-08-01.

LITHIUM NIOBATE DEVICES FABRICATED USING DEEP ULTRAVIOLET RADIATION

Номер патента: US20210302624A1. Автор: Zhang Mian,Luke Kevin. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-30.

Low loss fiber-to-chip interfaces for lithium niobate photonic integrated circuits

Номер патента: US20210382232A1. Автор: Marko Loncar,Mian ZHANG,Lingyan He,Amirhassan S. Ansari. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2021-12-09.

SILICON-BASED LITHIUM NIOBATE FILM ELECTRO-OPTIC MODULATOR ARRAY AND INTEGRATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20200363693A1. Автор: Wang Jing,Chen Jianping,Zou Weiwen,Xu Shaofu. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-19.

NANOCOMPOSITE-SEEDED EPITAXIAL GROWTH OF SINGLE-DOMAIN LITHIUM NIOBATE THIN FILMS FOR SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICES

Номер патента: US20220364265A1. Автор: Wang Haiyan,Paldi Robynn-Lynne,Siddiqui Aleem. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-17.

A kind of low driving voltage lithium niobate electrooptic modulator and its manufacturing method

Номер патента: CN108241225A. Автор: 李萍,范宝泉,尚含予. Владелец: Tianjin Leader Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-03.

Method for growing superlattice lithium niobate crystal

Номер патента: CN111455453A. Автор: 刘宏,桑元华,孙德辉,陈玉客,王东周,王孚雷,刘齐鲁. Владелец: JINAN INSTITUTE OF QUANTUM TECHNOLOGY. Дата публикации: 2020-07-28.

Lithium niobate-silicon wafer-based photoelectric monolithic integration system

Номер патента: CN111273464B. Автор: 王静,邹卫文,刘建国,徐绍夫. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2021-09-07.

Thin-film lithium niobate electro-optical modulator and preparation method thereof

Номер патента: CN112764246A. Автор: 刘柳,阮子良,陈耿鑫,薛煜. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2021-05-07.

A kind of novel lithium niobate optical waveguide wafer and preparation method thereof

Номер патента: CN110133802A. Автор: 李萍,刘丹,史云玲. Владелец: Tianjin Leader Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-16.

On-chip polarizer based on thin-film lithium niobate and manufacturing method thereof

Номер патента: CN113848611B. Автор: 曾成,王宣皓,陶诗琦,孙昊骋. Владелец: Shanghai Anpai Xinyan Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-05-24.

OPTICAL FIBER SENSOR INTEGRATING LITHIUM NIOBATE WAVY SUB-LENGTH THICKNESS MEMBRANE

Номер патента: FR3057364A1. Автор: Thierry Grosjean,Artajona Maria-Pilar Bernal,Abdoulaye Ndao,Fadi Issam Baida. Владелец: Université de Franche-Comté. Дата публикации: 2018-04-13.

Periodically polarized lithium niobate thin film optical waveguide difference frequency amplifier

Номер патента: CN110879439A. Автор: 陈开鑫,胡哲峰,程书停. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2020-03-13.

Preparation method of lithium niobate photonic chip based on silicon oxide mask

Номер патента: CN111505767A. Автор: 王楚涵,金贤敏,李轩坤. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2020-08-07.

Method for growing stoichiometric lithium niobate and lithium tantalate single crystals and apparatus thereof

Номер патента: TWI236455B. Автор: Chung-Wen Lan. Владелец: Univ Nat Taiwan. Дата публикации: 2005-07-21.

It is realized using faraday rotation mirror and polarizes unrelated lithium niobate electro-optic phase modulator

Номер патента: CN108490648A. Автор: 华勇,田自君,郑帅峰,舒平. Владелец: CETC 44 Research Institute. Дата публикации: 2018-09-04.

Preparation method of three-dimensional wedge-shaped lithium niobate thin film waveguide

Номер патента: CN113917605A. Автор: 尹志军,许志城,崔国新,汤济. Владелец: Nanjing Nanzhi Institute Of Advanced Optoelectronic Integration. Дата публикации: 2022-01-11.

Blackening method for lithium tantalate or lithium niobate crystal substrate

Номер патента: CN106048735A. Автор: 沈浩,朱海瀛,姚志炎,归欢焕,顾潇威. Владелец: TDG HOLDING CO Ltd. Дата публикации: 2016-10-26.

Lithium niobate thin film photon chip based on metal hard mask and processing method thereof

Номер патента: CN113687466A. Автор: 黄鑫,息朝祥,何广强. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2021-11-23.

Lithium niobate wafers with narrow distribution of surface acoustic wave properties

Номер патента: WO2009117697A1. Автор: Dieter Hans Jundt,Maria Claudia Custodio Kajiyama,John Thomas Carella. Владелец: Crystal Technology, Inc.. Дата публикации: 2009-09-24.

Method for reducing transparency and resistivity of lithium niobate or lithium tantalate wafer

Номер патента: CN114737257A. Автор: 吴冰,吴剑波,张虞,倪荣萍,李胜雨. Владелец: Suzhou Nanzhi Core Material Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-07-12.

Frequency spectrum analysis system based on lithium niobate electro-optical F-P cavity

Номер патента: CN115480100A. Автор: 沈志强,张思琦,靳辰飞,丹丽智,隋新宇,唐勐. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2022-12-16.

Lithium niobate waveguide having high polarization extinction ratio and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2019061900A1. Автор: 王冲,杜闯,丁丽,陈小梅,傅力. Владелец: 武汉光迅科技股份有限公司. Дата публикации: 2019-04-04.

LITHIUM NIOBATE RESISTANT TO RADIATION PARTICULARLY FOR LASER AND PROCEDURE FOR ITS PRODUCTION

Номер патента: IT958852B. Автор: . Владелец: Western Electric Co. Дата публикации: 1973-10-30.

A kind of reciprocal feeding device of real-time controllable microlayer model and method based on lithium niobate sandwich chip

Номер патента: CN108246372A. Автор: 梁超,李菲菲,王旭亮,陈洪建,樊博麟,阎文博,李少北,昝知韬. Владелец: HEBEI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2018-07-06.

Lithium niobate up-conversion luminescent material with core-shell structure and preparation method thereof

Номер патента: CN112300783A. Автор: 张海燕,杨哲,徐明光,唐佳乐,唐巽泽,钱艳楠. Владелец: GUANGDONG UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2021-02-02.

Guided optical polarimetric sensor based on lithium niobate for measuring the ac/dc electric fields

Номер патента: WO2014081326A3. Автор: Angelo Barberis,Rudi BRATOVICH. Владелец: A.O.T. Advanced Optical Transducer Company S.R.L.. Дата публикации: 2014-09-12.

Lithium niobate crystal growth process

Номер патента: FR1486626A. Автор: . Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1967-06-30.

Monolithic integrated optical analog-digital conversion system based on lithium niobate-silicon wafer and preparation method

Номер патента: CN111176053A. Автор: 王静,邹卫文,王兴军,徐绍夫. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2020-05-19.

Holographic optical memory element - based on lithium niobate or tantalate crystal doped with chromium and metal with two valency states

Номер патента: DE2908585A1. Автор: Rolf Ing Grad Kobs,Reiner Dipl Phys Orlowski. Владелец: Philips Patentverwaltung GmbH. Дата публикации: 1980-09-18.

OPTICAL FIBER SENSOR INTEGRATING LITHIUM NIOBATE WAVY SUB-LENGTH THICKNESS MEMBRANE

Номер патента: FR3057364B1. Автор: Thierry Grosjean,Abdoulaye Ndao,Fadi Issam Baida,Maria-Pilar Bernal Artajona. Владелец: Université de Franche-Comté. Дата публикации: 2018-10-19.

Polarisation sensitive optical switch - uses lithium-niobate cut in the X-direction and has electrically stable and alterable properties

Номер патента: DE3937425A1. Автор: Thomas Dipl Ing Pohlmann,D Funke. Владелец: Pohlmann Thomas Dipl-Ing 4600 Dortmund De. Дата публикации: 1991-05-16.

Preparation method of lithium niobate crystal domain structure and photoelectric device

Номер патента: CN113943978B. Автор: 张国权,许京军,张子晴,钱月照. Владелец: Nankai University. Дата публикации: 2022-06-14.

Integrated high-speed polarization controller based on lithium niobate film and preparation method

Номер патента: CN112748589B. Автор: 刘柳,郑智文,郭昌建,李炽均,陈朋鑫. Владелец: SOUTH CHINA NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-07-05.

Double plate optics Whispering-gallery-mode lithium niobate microcavity and preparation method thereof

Номер патента: CN107748402B. Автор: 卢涛,程亚,汪旻,乔玲玲,林锦添,方致伟. Владелец: Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics of CAS. Дата публикации: 2019-10-18.

A kind of ferric iron doped single crystal silicate lithium niobate phase compound and preparation method

Номер патента: CN110028960A. Автор: 刘冰冰,姚明光,刘兆东,陈陆瑶,尚宇琛,沈方韧,侯旭远. Владелец: Jilin University. Дата публикации: 2019-07-19.

Thin-film lithium niobate single polarization waveguide and preparation method thereof

Номер патента: CN110989076A. Автор: 刘宇恒,曾成,夏金松. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2020-04-10.

Optical frequency comb generation in integrated lithium niobate devices

Номер патента: WO2019213137A1. Автор: Cheng Wang,Marko Loncar,Mian ZHANG. Владелец: President and Fellows of Harvard College. Дата публикации: 2019-11-07.

Method for manufacturing Y-transmission ridge type optical waveguide on Z-cut lithium niobate thin film

Номер патента: CN112130253B. Автор: 华平壤,姜唯臻. Владелец: Pioneer Science & Technology Tianjin Co ltd. Дата публикации: 2021-07-23.

Lithium niobate electro-optical switch with ultra-large bandwidth

Номер патента: CN111913309A. Автор: 何赛灵,黄强盛,陈楷旋,林宗兴. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2020-11-10.

Preparation method of lithium niobate waveguide based on internal diffusion and ion implantation

Номер патента: CN111722318A. Автор: 孙嘉良,欧欣,林家杰,游天桂. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2020-09-29.

Lithium niobate thin film chip with mode selection structure

Номер патента: CN114527538A. Автор: 李俊慧,杨德伟,王旭阳. Владелец: Beijing Shiweitong Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-05-24.

A kind of adjustable light wave-filter and its application based on lithium niobate

Номер патента: CN105629523B. Автор: 季伟,尹锐,李江月,公姿苏,王军宝. Владелец: Shandong University. Дата публикации: 2018-08-31.

A kind of high-speed electro-optic modulator and preparation method thereof based on lithium niobate thick film

Номер патента: CN109298551A. Автор: 曾健,雷成龙,华勇,舒平. Владелец: CETC 44 Research Institute. Дата публикации: 2019-02-01.

A kind of polarization-entangled source system of nondegenerate using periodically poled lithium niobate thin-film waveguide and its working method

Номер патента: CN109976066A. Автор: 陈思齐,逯鹤. Владелец: Shandong University. Дата публикации: 2019-07-05.

Method for processing large-size ultra-thin high-precision lithium niobate wafer

Номер патента: WO2022121012A1. Автор: 张艺,沈浩,朱海瀛,徐秋峰,宋岩岩,汪万盾,曹焕,丁孙杰. Владелец: 天通控股股份有限公司. Дата публикации: 2022-06-16.

Method for preparation of periodic waveguide optical gratings on lithium niobate crystal

Номер патента: CN104808289A. Автор: 张爱玲,闫广拓. Владелец: Tianjin University of Technology. Дата публикации: 2015-07-29.

A kind of heterogeneous integrated scanning chip of silicon-lithium niobate and preparation method thereof, application

Номер патента: CN109581584A. Автор: 梁焰,孙宇,曾和平,潘俊,冯吉军,张福领. Владелец: UNIVERSITY OF SHANGHAI FOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2019-04-05.

Potassium-lithium niobate crystals

Номер патента: EP0409339B1. Автор: Martin Ouwerkerk. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1994-10-26.

Thin-film lithium niobate single polarization waveguide and preparation method thereof

Номер патента: CN110989076B. Автор: 刘宇恒,曾成,夏金松. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2021-05-18.

Preparation method of large-size lithium niobate crystal

Номер патента: CN116200828B. Автор: 张鸿,张忠伟,徐秋峰,汪万盾,钱煜. Владелец: Tiantong Kaiju Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-07-07.

Method for slicing large-size ultrathin lithium niobate wafer

Номер патента: CN113386275A. Автор: 沈浩,朱海瀛,徐秋峰,王月辉,沈蒋松,顾立家,杜翔川. Владелец: TDG HOLDING CO Ltd. Дата публикации: 2021-09-14.

Method for obtaining thin films of lithium niobate on substrate

Номер патента: RU2762756C1. Автор: Валентин Михайлович Иевлев,Евгений Константинович Белоногов,Александр Викторович Костюченко,Владислав Анатольевич Дыбов,Дмитрий Владимирович Сериков,Максим Петрович Сумец. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2021-12-22.

Thin-film lithium niobate double-parallel electro-optical modulator integrated chip

Номер патента: CN114019703A. Автор: 张晓阳,张彤,陈泽贤,秦妍妍. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-02-08.

High-quality factor lithium niobate photonic crystal microcavity based on bicolor quasiperiodic potential field

Номер патента: CN114879306B. Автор: 陈险峰,葛睿,陈玉萍. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2023-03-24.

Local rapid blackening method for lithium niobate wafer/lithium tantalate wafer

Номер патента: CN114836836B. Автор: 刘晓燕,刘宏,赵莉莉,孙德辉,周伟家,王东周,辛笛,张运武. Владелец: University of Jinan. Дата публикации: 2023-07-14.

Buffer layer structures for stabilization of a lithium niobate device

Номер патента: AU2003206392A1. Автор: Vishal Agarwal,William K. Burns,Larry A. Hess. Владелец: Codeon Corp. Дата публикации: 2003-07-24.

Method of using microwave near-field technology to represent lithium niobate waveguide

Номер патента: CN105572425A. Автор: 韩旭,卢明辉,陈延峰,余思远. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-05-11.

Buffer layer structures for stabilization of a lithium niobate device

Номер патента: US20030128954A1. Автор: Vishal Agarwal,William Burns,Larry Hess. Владелец: Codeon Corp. Дата публикации: 2003-07-10.

Apparatus for growing stoichiometric lithium niobate and lithium tantalate single crystals and method of growing the same

Номер патента: US20030159645A1. Автор: Chung-Wen Lan. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2003-08-28.

Thin film transistor active matrix lithium niobate display chip and manufacturing method thereof

Номер патента: CN112255824A. Автор: 葛士军,郭清仪. Владелец: Nanjing Nanhui Intelligent Optical Sensing Research Institute Co ltd. Дата публикации: 2021-01-22.

Thin film lithium niobate optical device having an engineered substrate for heterogeneous integration

Номер патента: US20230384627A1. Автор: Mian ZHANG,Christian Reimer. Владелец: Hyperlight Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Lithium niobate having p-type nanowire region or n-type nanowire region and preparation method therefor, and method for converting carrier type thereof

Номер патента: EP4033013A4. Автор: Fang Bo,Xiaojie Wang,Guoquan Zhang,Jingjun Xu,Yuejian JIAO. Владелец: Nankai University. Дата публикации: 2022-10-19.

Stabilization gas environments in a proton-exchanged lithium niobate optical chip

Номер патента: US20160246079A1. Автор: Paul S. Fechner,Stephen F. Yates,Steven J. Sanders,Nancy E. Iwamoto,Austin Taranta. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2016-08-25.

Electromagnetic radiation absorbant crystals of lithium niobate and lithium tantalate and methods of preparing the same

Номер патента: AU8024400A. Автор: Peter F. Bordui,Richard G. Norwood,Dieter H. Jundt,Eugene M. Standifer. Владелец: Crystal Technology Inc. Дата публикации: 2001-04-23.

Lithium niobate waveguide having weak phase drift

Номер патента: EP4020069A4. Автор: Shiwei Song,Weiqi Sun,Qingyang YU,Yingcong ZHOU,Hanxiao LIANG,Yipin SONG,Haicang WU,Wenhao MAO. Владелец: Shanghai Lycore Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

Integration of electronics with lithium niobate photonics

Номер патента: US20240061310A1. Автор: Thomas Kazior,Moe Soltani,Jeffrey Laroche. Владелец: Raytheon BBN Technologies Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Preconditioned crystals of lithium niobate and lithium tantalate and methods of preparing the same

Номер патента: AU2922301A. Автор: Peter F. Bordui,Richard G. Norwood,Dieter H. Jundt,Eugene M. Standifer. Владелец: Crystal Technology Inc. Дата публикации: 2001-05-14.

Buffer layer structures for stabilization of a lithium niobate device

Номер патента: EP1463973A1. Автор: Vishal Agarwal,William K. Burns,Larry A. Hess. Владелец: Codeon Corp. Дата публикации: 2004-10-06.

Lithium niobate having p-type nanowire region or n-type nanowire region, method for preparing the same, and method for converting charge carrier type of nanowire region

Номер патента: US20210238767A1. Автор: Fang Bo,Jing-Jun Xu,Guo-Quan Zhang,Xiao-Jie Wang,Yue-Jian Jiao. Владелец: Nankai University. Дата публикации: 2021-08-05.

Using lithium niobate surface acoustic wave biosensor

Номер патента: KR102238114B1. Автор: 김재호,김보람,김효섭,이민수,박정균. Владелец: 아주대학교산학협력단. Дата публикации: 2021-04-08.

Lithium ion battery positive electrode material lithium-enriched doped lithium molybdate and preparation method thereof

Номер патента: CN102306779B. Автор: 邹建新,丁文江,张思,李斐,曾小勤,吴晓梅. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2014-08-06.

Chemical mechanical polishing solution for lithium niobate crystal

Номер патента: CN113185920A. Автор: 郭江,张鹏飞,司立坤,景浩. Владелец: Ningbo Research Institute of Dalian University of Technology. Дата публикации: 2021-07-30.

Composition for growth of homogeneous lithium niobate crystals

Номер патента: EP0355476A3. Автор: John L. Nightingale,Peter F. Bordui,Richard G. Norwood. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1991-08-07.

Electronically controlled adjustable polarization beam splitting method and device based on film lithium niobate

Номер патента: CN113534504B. Автор: 曾成,夏金松,王宣皓. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-06-02.

Method of manufacturing potassium-lithium-niobate crystals

Номер патента: EP0535738A2. Автор: Lucas J.A.M. c/o INT. OCTROOIBUREAU B.V. Beckers,J.F.M. C/O Int. Octrooibureau B.V. Cillesen,Martin c/o Int. Octrooibureau B.V. Ouwerkerk. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1993-04-07.

Lithium-niobate-based hybrid integration fiber-optic gyroscope optical chip

Номер патента: CN104931036A. Автор: 李珂,舒晓武,李贝,刘承,佘玄,段启航. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2015-09-23.

Lithium niobate crystal wafer, process for the preparation of the same, and method for the evaluation thereof.

Номер патента: EP0615005A3. Автор: Akira Koide. Владелец: Nihon Kessho Koogaku Co Ltd. Дата публикации: 1994-11-23.

Doped stoichiometric lithium niobate crystals and method for high-speed holographic data storage

Номер патента: US6906835B1. Автор: Tow Chong Chong,Sanjeev Solanki,Xuewu Xu. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2005-06-14.

Single crystal of lithium niobate or tantalate and its optical element, and process and apparatus for producing an oxide single crystal

Номер патента: US6464777B2. Автор: Kenji Kitamura,Shigeyuki Kimura,Yasunori Furukawa,Shunji Takekawa. Владелец: National Institute for Research in Inorganic Material. Дата публикации: 2002-10-15.

Broadband travelling-wave electrooptic modulator based on lithium niobate monocrystal film

Номер патента: CN107305297A. Автор: 李萍. Владелец: Tianjin Leader Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Ultra-broadband mid-infrared generation in dispersion-engineered thin-film lithium niobate

Номер патента: US20230367177A1. Автор: Martin M. Fejer,Timothy P. McKenna,Amir H. Safavi-Naeini,Jatadhari MISHRA,Marc JANKOWSKI,Alexander Y. HWANG,Hubert S. Stokowski. Владелец: Ntt Research Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Lithium ion secondary battery cathode material yttrium-doped lithium titanate and its preparation method and use

Номер патента: CN102891303A. Автор: 张鹏,王丹,王瑾,何丹农. Владелец: Shanghai National Engineering Research Center for Nanotechnology Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-23.

Lithium ion battery cathode material antimony-doped lithium iron phosphate and preparation method thereof

Номер патента: CN101789505B. Автор: 王庆军,张红,朱承飞,张建农. Владелец: NANJING LASTING BRILLIANCE NEW ENERGY TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-11.

Light metal doping lithium manganate positive electrode material of lithium ion battery and preparation method of positive electrode material

Номер патента: CN105895866A. Автор: 张海朗,唐婷. Владелец: JIANGNAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-08-24.

Method for preparing strontium salt doped lithium nickel manganese oxide cathode material of lithium ion battery

Номер патента: CN104681808B. Автор: 刘浩,史琳,梁兴华,华晓鸣,刘天骄,刘于斯,曾帅波,叶超超,宋清清. Владелец: LIUZHOU HUILIN TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-10.

Method of tuning the conversion temperature of cubic phase of aluminum-doped lithium lanthanum zirconium oxide

Номер патента: US11999630B2. Автор: Krzysztof Pupek,Trevor L. Dzwiniel,Joseph A. Libera,Stephen Cotty,Gregory K. Krumdick,Yujia Liang. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2024-06-04.

Nickel-cobalt-manganese multi-doped lithium ion battery cathode material and its preparation method thereof.

Номер патента: TW201125198A. Автор: Yu Wang,Yun Lu,Pin Xu,Jia-Xiang Wang,Kai-Ping Wu,xiao-bing You,Ru-Lan Liao. Владелец: Chcngdu Tingyuan New Matcrials Tcchnology Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-16.

Ion beam doped lithium tantalate or similar compounds

Номер патента: WO2004059835A3. Автор: Serguei Mikhailov,Samuel Jaccard. Владелец: Fond Cafi. Дата публикации: 2004-08-26.

Ion beam doped lithium tantalate or similar compounds

Номер патента: AU2003303406A8. Автор: Serguei Mikhailov,Samuel Jaccard. Владелец: Fond Cafi. Дата публикации: 2004-07-22.

Optically Stimulated Luminescence Dosimetry Using Doped Lithium Fluoride Crystals

Номер патента: US20140264045A1. Автор: Huston Alan L.,Justus Brian L.,Marcheschi Barbara A.. Владелец: The Government of the United States of America, as represented by the Secretary of the Navy. Дата публикации: 2014-09-18.

METHOD OF TUNING THE CONVERSION TEMPERATURE OF CUBIC PHASE OF ALUMINUM-DOPED LITHIUM LANTHANUM ZIRCONIUM OXIDE

Номер патента: US20200392014A1. Автор: Libera Joseph A.,Liang Yujia,DZWINIEL Trevor L.,PUPEK Krzysztof,KRUMDICK Gregory K.,Cotty Stephen. Владелец: UCHICAGO ARGONNE, LLC. Дата публикации: 2020-12-17.

Molybdenum-and barium-doped lithium iron phosphate nanometer cathode material and preparation method thereof

Номер патента: CN102683689A. Автор: 张健,张爱萍,李�杰,李安平,王晶,张雅静,何丽萍,吴润秀,张新球,李先兰,陶荣芝. Владелец: 陶荣芝. Дата публикации: 2012-09-19.

Polyanion-doped lithium-enriched layered oxide anode material as well as preparation and application thereof

Номер патента: CN103199229B. Автор: 高学平,张洪周,李国然,叶世海. Владелец: Nankai University. Дата публикации: 2015-04-15.

Cadmium and barium doped lithium iron phosphate nano anode material and preparation method thereof

Номер патента: CN102683691A. Автор: 张健,李�杰,李安平,王晶,张雅静,吴润秀,张新球,李先兰,严积芳,黄景诚,韦谷林,陶荣燕. Владелец: 陶荣燕. Дата публикации: 2012-09-19.

Silver and barium doped lithium iron phosphate nano positive material and preparation method thereof

Номер патента: CN102683692A. Автор: 张健,李�杰,李安平,王晶,张雅静,吴润秀,张新球,李先兰,陶荣燕. Владелец: 陶荣燕. Дата публикации: 2012-09-19.

Boron-barium doped lithium iron phosphate nano cathode material and preparation process thereof

Номер патента: CN102683679B. Автор: 张健,张爱萍,李�杰,李安平,王晶,张雅静,何丽萍,吴润秀,张新球,李先兰. Владелец: 李先兰. Дата публикации: 2015-04-29.

Preparation method of rare earth compound doped lithium ferrous silicate cathode material

Номер патента: CN101982410A. Автор: 李秀华,童庆松,施继成,陈梅蓉,伍仁强,黄行康,郑华杰. Владелец: Fujian Normal University. Дата публикации: 2011-03-02.

Method for preparing titanium nitride-doped lithium ferrous phosphate anode material

Номер патента: CN101969115A. Автор: 吴永文,童庆松,张贵萍,黄子欣,陈梅蓉,郑华杰,刘灿培. Владелец: YOKU ENERGY (ZHANGZHOU) CO Ltd. Дата публикации: 2011-02-09.

Preparation method of carbon-clad holmium-doped lithium titanate composite negative material

Номер патента: CN103346310A. Автор: 王媛媛. Владелец: Suzhou Yiyuan Hongda Intellectual Property Agency Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-09.

Graphene doped lithium iron phosphate positive electrode material and preparation method thereof

Номер патента: CN102544491A. Автор: 王振中,丁兆龙. Владелец: SIXTH ELEMENT (CHANGZHOU) Ltd. Дата публикации: 2012-07-04.

Cr3+Doped lithium-magnesium-based germanate ultra-wideband near-infrared luminescent material and preparation method thereof

Номер патента: CN112322290B. Автор: 宋振,蔡昊,刘泉林,刘天瑶. Владелец: University of Science and Technology Beijing USTB. Дата публикации: 2021-10-01.

Anode material made of doped lithium-iron phosphate active material and carbon and method for producing the same

Номер патента: CN101212049A. Автор: 黄富强,王耀明,刘战强,孙军康. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2008-07-02.

Preparation method of amphoteric metal element doped lithium-ion cathode material precursor

Номер патента: CN103259010A. Автор: 刘飞,文荣,贾效旭,沈立芳. Владелец: Ningxia Orient Tantalum Industry Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-21.

Fluorine and vanadium ion-doped lithium iron phosphate material and preparation method thereof

Номер патента: CN102583300A. Автор: 盘茂森,周震涛. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2012-07-18.

Mn and Ba-doped lithium ferric phosphate nanometer anode material and preparation method thereof

Номер патента: CN102683686A. Автор: 张健,张爱萍,李�杰,李安平,王晶,张雅静,何丽萍,吴润秀,张新球,李先兰,陶荣芝. Владелец: 陶荣芝. Дата публикации: 2012-09-19.

Zinc-doped lithium titanate material and preparation method thereof

Номер патента: CN101944609A. Автор: 张标,杜鸿达,李宝华,康飞宇. Владелец: Shenzhen Graduate School Tsinghua University. Дата публикации: 2011-01-12.

A kind of preparation method of niobium cation doping lithium manganate composite anode material

Номер патента: CN103151515B. Автор: 李成,张晓刚,仵晋. Владелец: Converge Feng New Energy Technology Co Ltd In Shaanxi. Дата публикации: 2015-09-16.

Preparation method of niobium-doped lithium manganese aluminum cobalt composite positive pole material

Номер патента: CN103326015A. Автор: 蒋涛. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-25.

Preparation method of modified doping lithium ferric phosphate

Номер патента: CN101630739B. Автор: 俞晓峰,金江剑,王国光,徐君,包大新,陆伟强. Владелец: Hengdian Group DMEGC Magnetics Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-01.

Zr-doped lithium titanate electrode material and preparation method thereof

Номер патента: CN102122710A. Автор: 李星,于作龙,瞿美臻. Владелец: Chengdu Organic Chemicals Co Ltd of CAS. Дата публикации: 2011-07-13.

Doped lithium fluoride monochromator for x-ray analysis

Номер патента: EP1708965B1. Автор: Guillaume Gautier,Philippe Derouineau. Владелец: Saint Gobain Cristaux and Detecteurs SAS. Дата публикации: 2018-08-15.

Method for preparing multi-element doping lithium iron phosphate by taking ferrous metallurgy sludge as main raw material

Номер патента: CN101651204A. Автор: 王平,李辽沙,武杏荣,吴照金. Владелец: Anhui University of Technology AHUT. Дата публикации: 2010-02-17.

Doped lithium fluoride monochromator for x-ray analysis

Номер патента: EP1708965A2. Автор: Guillaume Gautier,Philippe Derouineau. Владелец: Saint Gobain Cristaux and Detecteurs SAS. Дата публикации: 2006-10-11.

Synthetic method for preparing bismuth-doped lithium ferrous silicate cathode material by taking iron tailings as raw materials

Номер патента: CN107634221B. Автор: 瞿云华. Владелец: North China University of Science and Technology. Дата публикации: 2020-04-21.

Multiple ions co-doped lithium iron phosphate material and preparation method thereof

Номер патента: CN105152155A. Автор: 徐德生. Владелец: Wuxi Jiabang Electric Power Pipeline Factory. Дата публикации: 2015-12-16.

Doped lithium fluoride monochromator for X-ray analysis

Номер патента: US7889842B2. Автор: Guillaume Gautier,Philippe Derouineau. Владелец: Saint Gobain Cristaux and Detecteurs SAS. Дата публикации: 2011-02-15.

Indium-doped lithium manganese, and preparation method and application thereof

Номер патента: CN102122715A. Автор: 刘务华,彭天剑,唐素娟. Владелец: Hunan Huitong Science & Technology Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-13.

Preparation method of nanoscale zirconium-doped lithium titanate material

Номер патента: CN103151506A. Автор: 施利毅,刘洪江,程崇领,薛鑫. Владелец: UNIVERSITY OF SHANGHAI FOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2013-06-12.

A kind of preparation method of boron-doping lithium manganate having spinel structure positive electrode

Номер патента: CN106207151B. Автор: 汪正良,钟雷,何永辉,郭俊明,白红丽,苏长伟. Владелец: Yunnan Minzu University. Дата публикации: 2019-11-12.

Method for preparing carbon-coated nitrogen-doped lithium titanate composite material by novel carbon-nitrogen-doped titanium dioxide and application for same

Номер патента: CN103274453A. Автор: 马毅,陈光森,徐士民,付永丰,熊红波,乔校畅. Владелец: Advanced Electronics Energy Ltd. Дата публикации: 2013-09-04.

Preparation method of potassium and manganese doped lithium iron phosphate composite anode material with high conductivity

Номер патента: CN103474655A. Автор: 王媛媛. Владелец: Suzhou Yiyuan Hongda Intellectual Property Agency Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-25.

Preparation method of carbon nanomaterial-doped spherical iron phosphate and preparation method of carbon nanomaterial-doped lithium iron phosphate

Номер патента: CN102447110A. Автор: 陈猛,尹鸽平,杜春雨,史鹏飞,宋柏. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2012-05-09.

Vanadium-barium-doped lithium iron phosphate nano anode material and preparation method thereof

Номер патента: CN102683685A. Автор: 张健,张爱萍,李�杰,李安平,王晶,张雅静,何丽萍,吴润秀,张新球,李先兰,陶荣芝. Владелец: 陶荣芝. Дата публикации: 2012-09-19.

INTEGRATED COMPOUND DBR LASER FOR HAMR APPLICATIONS

Номер патента: US20150380031A1. Автор: Boone,JR. Thomas Dudley,Topolancik Juraj. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-31.

Signal and/or ground planes with double buried insulator layers and fabrication process

Номер патента: US20060246691A1. Автор: Petar Atanackovic,Michael Lebby. Владелец: Translucent Inc. Дата публикации: 2006-11-02.

Signal and/or ground planes with double buried insulator layers and fabrication process

Номер патента: US20080093670A1. Автор: Michael Lebby,Petar Atanakovic. Владелец: Translucent Inc. Дата публикации: 2008-04-24.

Electrochemical cell

Номер патента: WO2024057006A1. Автор: Per Hjalmarsson,Chandra Macauley. Владелец: Ceres Intellectual Property Company Limited. Дата публикации: 2024-03-21.

Electrochemical cell

Номер патента: GB2624503A. Автор: Hjalmarsson Per,Macauley Chandra. Владелец: Ceres Intellectual Property Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-22.

Method for forming metal supported solid oxide fuel cells

Номер патента: RU2670423C2. Автор: Роберт ЛИ,Майк ЛЭНКИН,Робин ПИРС,Адам Боун. Владелец: Серес Интеллектчуал Проперти Компани Лимитед. Дата публикации: 2018-10-23.

Metal supported solid oxide fuel cell

Номер патента: CA2922744A1. Автор: ROBERT Leah,Adam Bone,Mike LANKIN,Robin PIERCE. Владелец: Ceres Intellectual Property Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-12.

Anode

Номер патента: GB2557344A. Автор: Leah Robert,Bone Adam,Hammer Eva-Maria. Владелец: Ceres Intellectual Property Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-20.

Doped fiber scene projection system and method

Номер патента: US20070127529A1. Автор: Ishwar Aggarwal,Peter Thielen,Brandon Shaw,Jasbinder Sangtiera. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2007-06-07.

Solid oxide electrochemical cell and use thereof

Номер патента: CA3190843A1. Автор: Tsuneji Kameda,Koichi Kawahara,Masaya Suzuki,Norikazu Osada,Riko Inuzuka,Hiroaki Kawamori. Владелец: Japan Fine Ceramics Center. Дата публикации: 2023-09-02.

Solid oxide electrochemical cell and use thereof

Номер патента: AU2023201076A1. Автор: Tsuneji Kameda,Koichi Kawahara,Masaya Suzuki,Norikazu Osada,Riko Inuzuka,Hiroaki Kawamori. Владелец: Japan Fine Ceramics Center. Дата публикации: 2023-09-21.

Solid oxide electrochemical cell and use thereof

Номер патента: US20230282840A1. Автор: Tsuneji Kameda,Koichi Kawahara,Masaya Suzuki,Norikazu Osada,Riko Inuzuka,Hiroaki Kawamori. Владелец: Japan Fine Ceramics Center. Дата публикации: 2023-09-07.

Quantum memory systems and quantum repeater systems comprising doped polycrystalline ceramic optical devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20220270684A1. Автор: Haitao Zhang,Jun Yang,Wageesha Senaratne,Daniel Aloysius Nolan,Thomas Dale Ketcham,Stuart Gray,Jason Allen BROWN. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2022-08-25.

Optical amplifying apparatus

Номер патента: US20040091003A1. Автор: Hiroshi Ogiwara,Kenji Ohta. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-05-13.

Quantum memory systems and quantum repeater systems comprising doped polycrystalline ceramic optical devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200152268A1. Автор: Haitao Zhang,Jun Yang,Wageesha Senaratne,Daniel Aloysius Nolan,Thomas Dale Ketcham,Stuart Gray,Jason Allen BROWN. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Optical switched distributor

Номер патента: US5815613A. Автор: Wayne Harvey Knox,Mohammad T. Fatehi. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1998-09-29.

Silicon nitride core rib waveguides and methods of manufacturing the same

Номер патента: WO2024186512A1. Автор: Haitao Zhang,Bin Zhu,Barry J. Paddock,Sukru Ekin Kocabas. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2024-09-12.

Wavelength division multiplexed optical communication systems employing uniform gain optical amplifiers

Номер патента: US5696615A. Автор: Stephen B. Alexander. Владелец: Ciena Corp. Дата публикации: 1997-12-09.

Optical transmission system employing erbium-doped optical amplifiers and raman amplifiers

Номер патента: EP1535412A2. Автор: Stephen G. Evangelides, Jr.,Mark K. Young,Jonathan A. Nagel. Владелец: Red Sky Systems Inc. Дата публикации: 2005-06-01.

Optical transmission system employing erbium-doped optical amplifiers and raman amplifiers

Номер патента: EP1535412A4. Автор: Stephen G Evangelides Jr,Jonathan A Nagel,Mark K Young. Владелец: Red Sky Subsea Ltd. Дата публикации: 2006-09-06.

Optical transmission system employing erbium-doped optical amplifiers and raman amplifiers

Номер патента: WO2004019075A2. Автор: Stephen G. Evangelides, Jr.,Mark K. Young,Jonathan A. Nagel. Владелец: Red Sky Systems, Inc.. Дата публикации: 2004-03-04.

Bidirectional amplifier

Номер патента: US20170272159A1. Автор: Lijie Qiao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-09-21.

Adaptive solid-state luminescent phosphors

Номер патента: US11767471B2. Автор: James Anthony Dorman. Владелец: Louisiana State University and Agricultural and Mechanical College. Дата публикации: 2023-09-26.

Adaptive solid-state luminescent phosphors

Номер патента: US20240076544A1. Автор: James Anthony Dorman. Владелец: Louisiana State University and Agricultural and Mechanical College. Дата публикации: 2024-03-07.

Solid medium optical ring laser rotation sensor

Номер патента: US5408492A. Автор: Jerry L. Page,Gerald L. Vossler,Michael D. Olinger. Владелец: Smiths Industries Aerospace and Defense Systems Inc. Дата публикации: 1995-04-18.

Chemical compound based on oxyorthosilicate containing yttrium and scandium, for quantum electronics

Номер патента: RU2693875C1. Автор: Валерий Федорович Тарасов,Виктор Иванович Власов,Валерий Вениаминович Воронов,Алексей Алексеевич Калачёв,Сергей Александрович Кутовой,Юрий Дмитриевич Заварцев,Александр Иосифович Загуменный,Рушана Михайловна Ерёмина. Владелец: Рушана Михайловна Ерёмина. Дата публикации: 2019-07-08.

Method of producing extremely pure chalcogenide glass

Номер патента: RU2698340C1. Автор: Михаил Федорович Чурбанов,Александр Павлович Вельмужов,Максим Викторович Суханов,Элла Владимировна Караксина,Владимир Семенович Ширяев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г.Девятых Российской академии наук. Дата публикации: 2019-08-26.

Fabrication of doped transparent polycrystalline ceramic materials

Номер патента: WO2024172834A2. Автор: Haitao Zhang,David August Sniezek Loeber. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2024-08-22.

Methods for making environmental barrier coatings using sintering aids

Номер патента: CA2711975A1. Автор: Brett Allen Boutwell,Glen Harold Kirby,Jessica L. Subit. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2011-01-31.

Methods for making environmental barrier coatings using sintering aids

Номер патента: EP2287137A3. Автор: Brett Allen Boutwell,Glen Harold Kirby. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2015-11-04.

Method for suppressing quantum noise in optical quantum memory based on protocol for reconstructing suppressed photon echo in resonator (embodiments)

Номер патента: RU2766051C1. Автор: Алексей Михайлович Желтиков,Андрей Борисович Федотов,Сергей Андреевич Моисеев,Константин Игоревич Герасимов,Мансур Марселевич Миннегалиев,Равиль Василевич Урманчеев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Казанский национальный исследовательский технический университет им. А.Н. Туполева - КАИ". Дата публикации: 2022-02-07.

Rare earth ceramic for frequency conversion of radiation

Номер патента: US4032351A. Автор: Francois F. Auzel,Denise M. Morin,Dario C. Pecile. Владелец: Individual. Дата публикации: 1977-06-28.

Detection method and sensor based on interparticle distance

Номер патента: US20120288949A1. Автор: Mingyong Han,Enyi Ye,Suo Hon Lim,Yin Win Khin,Si Yin Tee. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2012-11-15.

Preparation method for poly(carbonate-ether)polyol

Номер патента: US20180215869A1. Автор: Lijun Qiao,Fosong Wang,Shunjie Liu,Yusheng QIN,Xianhong Wang. Владелец: Changchun Institute of Applied Chemistry of CAS. Дата публикации: 2018-08-02.

Method for writing high power resistant bragg gratings using short wavelength ultrafast pulses

Номер патента: EP2460038A1. Автор: Real Vallee,Martin Bernier. Владелец: UNIVERSITE LAVAL. Дата публикации: 2012-06-06.

Pyrochlore/defect fluorite zirconates

Номер патента: US20230257595A1. Автор: Mohandas Nayak,Sundeep Kumar,Arundhati Sengupta,Vipin Raju S. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2023-08-17.

Pyrochlore/defect fluorite zirconates

Номер патента: EP4230585A1. Автор: Mohandas Nayak,Sundeep Kumar,Arundhati Sengupta,Vipin Raju S. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2023-08-23.

Method of local nanocrystallization of barium-titanium-silicate glasses

Номер патента: RU2640606C1. Автор: Владимир Николаевич Сигаев,Алексей Сергеевич Липатьев,Сергей Викторович Лотарев,Сергей Сергеевич Федотов,Татьяна Олеговна Липатьева,Иван Алексеевич Моисеев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования - Российский химико-технологический университет имени Д.И. Менделеева (РХТУ им. Д.И. Менделеева). Дата публикации: 2018-01-10.

Antimony oxide glass with optical activity

Номер патента: CA2327297A1. Автор: Michel Prassas,Adam J. Ellison,James E. Dickinson,Alexandre M. Mayolet. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-10-14.

Low thermal conductivity, high toughness tbc compositions

Номер патента: EP4286352A1. Автор: Mohandas Nayak,Sundeep Kumar,Arundhati Sengupta,Vipin Raju S,Joshua SALISBURY,Julie Marie KUHN. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2023-12-06.

Low thermal conductivity, high toughness tbc compositions

Номер патента: US20230392020A1. Автор: Mohandas Nayak,Sundeep Kumar,Arundhati Sengupta,Vipin Raju S,Julie Marie KUHN,Joshua R. Salisbury. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2023-12-07.

Doped silicon carbide ceramic matrix composite

Номер патента: EP3693350A1. Автор: Ying She,Kathryn S. Read,Andrew J. Lazur. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2020-08-12.

Doped silicon carbide ceramic matrix composite

Номер патента: US20200255351A1. Автор: Ying She,Kathryn S. Read,Andrew J. Lazur. Владелец: Raytheon Technologies Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

Doped silicon carbide ceramic matrix composite

Номер патента: US20230373872A1. Автор: Ying She,Kathryn S. Read,Andrew J. Lazur. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Low thermal conductivity, high toughness tbc compositions

Номер патента: US20230392264A1. Автор: Narayanan Janakiraman,Mohandas Nayak,Sundeep Kumar,Arundhati Sengupta,Vipin Raju S,Julie Marie KUHN,Joshua R. Salisbury. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2023-12-07.

In vivo degradable upconversion nanomaterial, and preparation method therefor and use thereof

Номер патента: EP4086324A1. Автор: Yongsheng Liu,Maochun Hong,Pengfei Peng,Huhui FU. Владелец: Fujian Institute of Research on the Structure of Matter of CAS. Дата публикации: 2022-11-09.

Low thermal conductivity, high toughness tbc compositions

Номер патента: EP4286340A1. Автор: Narayanan Janakiraman,Mohandas Nayak,Sundeep Kumar,Arundhati Sengupta,Vipin Raju S,Joshua SALISBURY,Julie Marie KUHN. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2023-12-06.

Dual-mode Anti-counterfeiting Fluorescent Material and Preparation Method thereof

Номер патента: LU102740B1. Автор: Lu Yi,YANG Xiaofei,Ding Mingye. Владелец: Univ Nanjing Forestry. Дата публикации: 2021-10-06.

Inspection apparatus

Номер патента: US20140160470A1. Автор: Kei Shimura,Mizuki Oku. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2014-06-12.

Methods and materials for tracking manmade airborne plumes

Номер патента: WO2005083422A2. Автор: Per Onnerud,Mehmet Rona,Daniel J. Ehntholt,Kevin Beltis,William S. Barney,Peter RALBOVSKY. Владелец: TIAX LLC. Дата публикации: 2005-09-09.

Methods and materials for tracking manmade airborne plumes

Номер патента: WO2005083422A3. Автор: William S Barney. Владелец: William S Barney. Дата публикации: 2005-11-10.

Method and Kit for Fluorescence Detection of Small molecule Mycotoxin Based on Metal-organic Framework and Upconversion Nanoparticles

Номер патента: AU2021100186A4. Автор: YUAN PENG,Yu Wang,Shuang Li,Kang QIN,Tie Han,Zhi Xian Gao,Dian Peng Han,Shu Yue Ren,Xu Dong Zhao. Владелец: Tianjin Key Laboratory Of Risk Assessment And Control Technology For Environment And Food Safety Tia. Дата публикации: 2021-04-15.

Authentication/tracking of pharmaceutical packages using wave-shifting marker crystals

Номер патента: US20240269039A1. Автор: Peter J. Sagona,Robert S. Abrams,Josh Collins,Howard Bell,Thomas E. Fisk,Ahmad Taha,Alexandra Bell. Владелец: SIO2 Medical Products Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Rare earth doped fiber length determination method and rare earth doped fiber optical amplifier

Номер патента: JP3345739B2. Автор: 弘 鳥羽,一弘 織田,光師 福徳. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2002-11-18.

A kind of by synthetic rare earth doped Y 2o 3nano-powder prepares the method for rare-earth-dopping yttrium aluminum garnet transparent ceramic

Номер патента: CN103058644B. Автор: 辛红星,宋春军,秦晓英,刘永飞. Владелец: Hefei Institutes of Physical Science of CAS. Дата публикации: 2015-10-14.

Rare-earth doped spinel ferrite/aluminum-doped zinc oxide composite fiber and preparation method thereof

Номер патента: CN101545159A. Автор: 左敦稳,李军,朱永伟,林魁,朱昌洪. Владелец: Nanjing University of Aeronautics and Astronautics. Дата публикации: 2009-09-30.

Gas phase doping device for preparing rare earth doped optical fiber preform

Номер патента: CN211946811U. Автор: 俞娟,倪力,林傲祥. Владелец: Chengdu Aoxiang Tuochuang Photoelectric Technology Partnership LP. Дата публикации: 2020-11-17.

RARE-EARTH-DOPED ALUMINUM-GALLIUM-OXIDE FILMS IN THE CORUNDUM-PHASE AND RELATED METHODS

Номер патента: US20120045661A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-02-23.

RARE EARTH DOPED LUMINESCENT MATERIAL

Номер патента: US20120068592A1. Автор: Srivastava Alok Mani,Comanzo Holly Ann,BALÁZS László,Beers William Winder,Karkada Nagaveni,TÓTH Katalin,Ramachandran Gopi Chandran,Deme István Károly,Addepalli Swarnagowri. Владелец: General Electric Compnay. Дата публикации: 2012-03-22.

SHORTER WAVELENGTH PHOTO-ANNEALING APPARATUS FOR RARE-EARTH-DOPED FIBER AND ITS OPTICAL ASSEMBLIES UNDER IRRADIATION

Номер патента: US20120081781A1. Автор: Peng Tz-Shiuan,Liu Ren-Young,Wang Lon. Владелец: NATIONAL APPLIED RESEARCH LABORATORIES. Дата публикации: 2012-04-05.

Rare-Earth-Doped Optical Fiber

Номер патента: US20120148206A1. Автор: Boivin David,Burov Ekaterina,Pastouret Alain,Gonnet Cedric. Владелец: DRAKA COMTEQ, B.V.. Дата публикации: 2012-06-14.

Rare-Earth-Doped Amplifying Optical Fiber

Номер патента: US20120224254A1. Автор: de Montmorillon Louis-Anne,Burov Ekaterina,Pastouret Alain,BERGONZO Aurélien. Владелец: DRAKA COMTEQ, B.V.. Дата публикации: 2012-09-06.

RARE EARTH DOPED AND LARGE EFFECTIVE AREA OPTICAL FIBERS FOR FIBER LASERS AND AMPLIFIERS

Номер патента: US20120250143A1. Автор: Dong Liang,Peng Xiang. Владелец: IMRA AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-10-04.

NOVEL RARE-EARTH DOPED FLUORIDES AND PROCESS FOR PREPARING

Номер патента: US20120319046A1. Автор: . Владелец: E.I. Du Pont De Nemours and Company. Дата публикации: 2012-12-20.

METHOD AND APPARATUS FOR ESTIMATING A DOWNHOLE FLUID PROPERTY USING A RARE EARTH DOPED LASER

Номер патента: US20130118734A1. Автор: Csutak Sebastian. Владелец: BAKER HUGHES INCORPORATED. Дата публикации: 2013-05-16.

Preparation of rare earth doping Li2SrSiO4 luminescent material

Номер патента: CN101348716A. Автор: 邹志刚,张雪亮,雷思东,祝梅,李朝升. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2009-01-21.

Method for preparing rare earth-doped quartz glass microstructure optical fibers by laser melting technology

Номер патента: CN104591535A. Автор: 张卫,刘建涛,周桂耀,夏长明,侯峙云. Владелец: Guangzhou Huarenyihe Specialty Fiber Technology Co ltd. Дата публикации: 2015-05-06.

Preparation method of rare earth doped TiO*substrate luminescent material

Номер патента: CN101538465B. Автор: 胡晓云,江东,潘静,樊君,刘国敬. Владелец: NORTHWEST UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-04-03.

Method for preparing rare-earth doped dodecacalcium heptaluminate light-accumulating luminescent powder emitting indigo light

Номер патента: CN101735810B. Автор: 张建英,陈克正,严冬,韩荣江. Владелец: Qingdao University of Science and Technology. Дата публикации: 2013-05-01.

Coprecipitation preparation method of rare earth-doped yttrium aluminium garnet fluorescent powder

Номер патента: CN102079975A. Автор: 龙震,胡章贵,陆田野. Владелец: Technical Institute of Physics and Chemistry of CAS. Дата публикации: 2011-06-01.

Method for measuring rare earth-doped double clad fiber cladding pump absorption coefficient

Номер патента: CN101886974B. Автор: 李玉华,陆培祥,张志楠. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2011-12-14.

Method for preparing rare earth-doped yttrium aluminum garnet transparent ceramic

Номер патента: CN101985397A. Автор: 刘媛,黄志�,曹永革,郭旺,黄秋凤. Владелец: Fujian Institute of Research on the Structure of Matter of CAS. Дата публикации: 2011-03-16.

Rare earth-doped oxyfluoride germanate microcrystalline glass and preparation method thereof

Номер патента: CN104743885A. Автор: 高源�,邱建备,胡曰博. Владелец: KUNMING UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2015-07-01.

Preparation method of high-strength rare earth doped copper alloy

Номер патента: CN103526067B. Автор: 王增琪. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-07-08.

Rare earth doping luminescent glass for white radiation LED and producing thereof

Номер патента: CN101314519A. Автор: 陈国荣,杨云霞,梁晓峦,袁双龙. Владелец: EAST CHINA UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2008-12-03.

Method for liquid-solid-solution synthesis of rare earth doped fluorine zinc potassium luminescent material

Номер патента: CN106336865A. Автор: 闫景辉,邸克书. Владелец: Changchun University of Science and Technology. Дата публикации: 2017-01-18.

Method for growing large-sized rare-earth-doped barium yttrium fluoride single crystals

Номер патента: CN104562183A. Автор: 姚超,罗辉,官周国,官周牛,郭春艳. Владелец: South West Institute of Technical Physics. Дата публикации: 2015-04-29.

Method for preparing rare earth doped transparent halide glass host material

Номер патента: CN101318771A. Автор: 黄文静,宋志国,邱建备. Владелец: KUNMING UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2008-12-10.

Preparation method of high-strength rare earth doped copper alloy

Номер патента: CN103526068B. Автор: 王增琪. Владелец: 蒋荣. Дата публикации: 2015-07-08.

A kind of polarization-maintaining rare-earth doped optical fibre amplifier

Номер патента: CN208672999U. Автор: 肖倩,贾波,陈永超. Владелец: Guangdong Fu'an Technology Development Co ltd. Дата публикации: 2019-03-29.

Construction method of three-dimensional active coupling resonance loop structure with rare earth doped glass as matrix material

Номер патента: CN102253449B. Автор: 肖志松,燕路,邓思盛. Владелец: BEIHANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-04-23.

Method for preparing rare-earth doped hydrogel

Номер патента: CN101070391A. Автор: 张明,严长浩,高坡,武莉萍,焦联联,潘生林. Владелец: Yangzhou University. Дата публикации: 2007-11-14.

Preparation method of water-soluble red-green light tunable rare-earth doped up-conversion nano-material

Номер патента: CN103436263A. Автор: 李妍,孙玉绣,胡悦立. Владелец: Tianjin Normal University. Дата публикации: 2013-12-11.

Coprecipitation-rheological phase preparation method of rare earth-doped yttrium aluminum garnet fluorescent powder

Номер патента: CN102585824A. Автор: 龙震,宋浩亮,胡章贵,陆田野. Владелец: Technical Institute of Physics and Chemistry of CAS. Дата публикации: 2012-07-18.

Coprecipitation-rheological phase preparation method of rare earth-doped yttrium aluminum garnet fluorescent powder

Номер патента: CN102585824B. Автор: 龙震,宋浩亮,胡章贵,陆田野. Владелец: Technical Institute of Physics and Chemistry of CAS. Дата публикации: 2014-05-07.

Method for preparing rare-earth doped dodecacalcium heptaluminate light-accumulating luminescent powder emitting indigo light

Номер патента: CN101735810A. Автор: 张建英,陈克正,严冬,韩荣江. Владелец: Qingdao University of Science and Technology. Дата публикации: 2010-06-16.

Preparation method of up-conversion fluorescent material rare earth doped NaYF4 nanocrystal

Номер патента: CN102382654B. Автор: 许健,谢建军,郭婧,施鹰,马飞中. Владелец: UNIVERSITY OF SHANGHAI FOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2013-03-06.

Active Q-switching single-frequency optical fiber laser using rare earth-doped quartz optical fiber as gain medium

Номер патента: CN103236631A. Автор: 史伟,房强. Владелец: SHANDONG HAIFU PHOTON TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-07.

Rare earth-doped germanium-gallate RExLn1-xGaGe2O7 luminescent material and melt crystal growth method thereof

Номер патента: CN102071463A. Автор: 刘文鹏,孙敦陆,张庆礼,殷绍唐,罗建乔,宁凯杰. Владелец: Anhui Institute of Optics and Fine Mechanics of CAS. Дата публикации: 2011-05-25.

Rare-earth doped low-temperature denitration catalyst and preparation method thereof

Номер патента: CN103055848A. Автор: 石磊,李燕,刘雪松,陈洪锋. Владелец: ZHEJIANG HAILIANG ENVIRONMENT MATERIALS CO Ltd. Дата публикации: 2013-04-24.

Rare earth doped oxyfluoride tellurite scintillation glass and preparation method thereof

Номер патента: CN102584014B. Автор: 何伟,胡涛,夏海平,王实现,王金浩,张约品,章践立,王贻芳. Владелец: Ningbo University. Дата публикации: 2014-04-16.

Rare-earth doped titanium-base SnO2 electrolytic electrode and its preparation

Номер патента: CN1896320A. Автор: 冯玉杰,刘峻峰,崔玉虹. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2007-01-17.

Rare earth doping optical fiber light source light path structure

Номер патента: CN103199417A. Автор: 陈俊,卜勤练,余春平,马延峰. Владелец: Accelink Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-10.

Preparation of enamel coating modified by rare earth doping and nanometer effect

Номер патента: CN105271750A. Автор: 许越,何垚蒿. Владелец: BEIHANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-01-27.

Rare-earth-doped nano ceramic material and preparation method thereof

Номер патента: CN104311091A. Автор: 翟红波,杨振枢,韦洪屹. Владелец: Suzhou Polymer New Materials Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-28.

Rare earth-doped germanium-gallate RExLn1-xGaGe2O7 luminescent material and melt crystal growth method thereof

Номер патента: CN102071463B. Автор: 刘文鹏,孙敦陆,张庆礼,殷绍唐,罗建乔,宁凯杰. Владелец: Anhui Institute of Optics and Fine Mechanics of CAS. Дата публикации: 2012-10-31.

Rare-earth-doped calcium phosphate bioactive ceramic and preparation method thereof

Номер патента: CN104774004A. Автор: 李永超,郭玉芹,刘大学. Владелец: SUZHOU VIVOTIDE BIOTECHNOLOGIES CO Ltd. Дата публикации: 2015-07-15.

Rare earth doped barium titanate particles and preparation method thereof

Номер патента: CN101875558B. Автор: 匡建波,彭铁缆,汤育才. Владелец: Hu'nan Xiandao Electronic Ceramic Technology Industrial Park Development Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-08.

Rare-earth doped nitrogen oxide fluorescent powder and preparation method thereof

Номер патента: CN101864300B. Автор: 赵莉. Владелец: Irico Group Corp. Дата публикации: 2013-08-14.

Preparation method of rare earth doped TiO*substrate luminescent material

Номер патента: CN101538465A. Автор: 胡晓云,江东,潘静,樊君,刘国敬. Владелец: NORTHWEST UNIVERSITY. Дата публикации: 2009-09-23.

Method of preparing rare earth-doped Mg2Si powder by microwave thermal treatment

Номер патента: CN103553053A. Автор: 张雪峰,李保卫,任慧平,刘新保. Владелец: Inner Mongolia University of Science and Technology. Дата публикации: 2014-02-05.

White-light emitting diode rare earth doped luminescent glass and preparation method thereof

Номер патента: CN105217953B. Автор: 张瑜,胡丽丽,刘雪强,刘力挽,陈丹平,郑书培,廖喜立. Владелец: Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics of CAS. Дата публикации: 2018-03-20.

Method for reducing cracking degree of rare earth-doped halide single crystal

Номер патента: CN102102225A. Автор: 陈伟,郑熠,吴少凡,张志城. Владелец: Fujian Castech Crystals Inc. Дата публикации: 2011-06-22.

Water-soluble rare earth doped gadolinium sodium tetrafluoride fluorescent marked nano-crystal, and preparation method thereof

Номер патента: CN102703081A. Автор: 李春光,李菲菲,施展,冯守华. Владелец: Jilin University. Дата публикации: 2012-10-03.

Single-frequency optical fiber laser using rare earth-doped quartz optical fiber as gain medium

Номер патента: CN103236630A. Автор: 史伟,房强. Владелец: SHANDONG HAIFU PHOTON TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-07.

Multifunctional rare-earth doped silicon gadolinium oxide-base composite nanomaterial, as well as preparation method and application thereof

Номер патента: CN103215039A. Автор: 贾能勤,胡晓青. Владелец: Shanghai Normal University. Дата публикации: 2013-07-24.

Rare earth doped hydroxyfluorapatite monocrystal nanometer wire and preparation method thereof

Номер патента: CN102249205A. Автор: 王训,惠俊峰,庄京. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2011-11-23.

Rare earth-doped NaLaMgTeO6-based green fluorescent powder and preparation method thereof

Номер патента: CN104694126A. Автор: 史永胜,宁青菊,陈思秋. Владелец: SHAANXI UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2015-06-10.

Rare earth doped nanometer TiO2 photocatalyst emulsion

Номер патента: CN103861578A. Автор: 杨立新,张洪雨. Владелец: FAYANG SCIENCE & TECHNOLOGY ENVIRONMENTAL PROTECTION Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-18.

Preparation method of rare earth-doped calcium tungstate phosphor

Номер патента: CN101921590B. Автор: 李星,王冬杰,许兰平,卢越. Владелец: Ningbo University. Дата публикации: 2013-01-23.

Rare-earth doped oxyfluoride tellurate scintillation glass and preparation method thereof

Номер патента: CN101913767A. Автор: 何伟,胡涛,夏海平,王实现,王金浩,张约品,章践立,王贻芳. Владелец: Ningbo University. Дата публикации: 2010-12-15.

Multiferroic rare earth doped ferrate materials and preparation method thereof

Номер патента: CN102502856A. Автор: 杨丹丹,刘琦,吴玉娟,王利娟,郭雪,程美令. Владелец: CHANGZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-06-20.

Graphene-based multi-wavelength Q-modulation rare-earth-doped fiber laser

Номер патента: CN102306894A. Автор: 叶陈春,周敏,刘哲,蔡志平,许惠英,罗正钱,王金章. Владелец: XIAMEN UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-04.

Rare earth doped Ti-based manganese dioxide electrode and preparation method thereof

Номер патента: CN102225797A. Автор: 张艳艳,李环,周笑绿,谭小文,商菲. Владелец: Shanghai University of Electric Power. Дата публикации: 2011-10-26.

Rare earth doped fluoride micro-nano crystal-fluorophosphate glass composite material and preparation method thereof

Номер патента: CN103539359A. Автор: 王东东,彭波,韦玮,郑锐林,岳维彦,王中跃. Владелец: Nanjing Post and Telecommunication University. Дата публикации: 2014-01-29.

Rare-earth-doped microcrystalline glass separating out NaYF4 nanocrystalline and manufacturing method thereof

Номер патента: CN104961343A. Автор: 徐时清,赵士龙,黄立辉,孙潇,费勇. Владелец: China Jiliang University. Дата публикации: 2015-10-07.

Water soluble rare-earth-doped barium fluochloride nano light emitting material with surface functionalized by carboxylic acid and preparing method thereof

Номер патента: CN102260497A. Автор: 朱浩淼,陈学元,鞠强,李仁富. Владелец: Fujian Institute of Research on the Structure of Matter of CAS. Дата публикации: 2011-11-30.

Method for preparing rare earth-doped yag nano-powder by partial liquid phase precipitation method

Номер патента: CN101302019A. Автор: 刘宏,桑元华,王继扬,吕耀辉. Владелец: Shandong University. Дата публикации: 2008-11-12.

A process of making rare earth doped optical fibre.

Номер патента: ZA200403772B. Автор: Sen Ranjan,Mrinmay Pal,Aharon Gedanken,Milan Kanti Naskar,Mukul Chandra Paul,Shyamal Kumar Bhadra,Kamal Dasgupta,Dibyendu Ganguli,Tarun Bandyopadhyay,Miss Minati Chatterjee. Владелец: Univ Bar Ilan. Дата публикации: 2005-07-27.

Optic fiber structure for efficient use of optical pump energy in three-level rare-earth doped fiber laser

Номер патента: AU2002363686A1. Автор: Anatoly Patlakh,Vladimir V. Solodovnikov. Владелец: Rayteq Photonic Solutions Ltd. Дата публикации: 2003-05-26.

Method of producing mixture of lithium niobate for growing monocrystals

Номер патента: RU2576641C1. Автор: Софья Михайловна Маслобоева,Лариса Геннадьевна Арутюнян,Михаил Николаевич Палатников. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья им. И.В. Тананаева Кольского научного центра Российской академии наук (ИХТРЭМС КНЦ РАН). Дата публикации: 2016-03-10.

Method of making planar waveguide of zinc oxide in lithium niobate

Номер патента: RU2487084C1. Автор: Светлана Анатольевна Кузнецова,Владимир Васильевич Козик,Станислав Михайлович Шандаров,Веста Вячеславовна Щербина,Станислав Александрович Смычков,Николай Иванович Буримов,Максим Викторович Бородин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет". Дата публикации: 2013-07-10.

Process of formation of optical channel waveguides in lithium niobate

Номер патента: RU2089928C1. Автор: Н.А. Яковенко,В.П. Гладкий,А.Э. Розенсон. Владелец: Кубанский государственный университет. Дата публикации: 1997-09-10.

Optical biological detection method based on tri-doped lithium niobate crystal

Номер патента: CN102980872A. Автор: 李晓春,张玲玲,崔彩娥,于化忠. Владелец: TAIYUAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2013-03-20.

Hafnium, neodymium, ytterbium and thulium doped lithium niobate crystal and preparation method thereof

Номер патента: CN103668458A. Автор: 徐超,李大勇,代丽,王喜明,郝树伟,代旭,林家齐,焦珊珊. Владелец: Harbin University of Science and Technology. Дата публикации: 2014-03-26.

Indium cerium iron triple-doped lithium niobate crystal and preparation method thereof

Номер патента: CN101768780A. Автор: 毕卫红,赵岩,徐朝鹏,焦斌亮,韩富兴,巩洁. Владелец: YANSHAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2010-07-07.

Preparation of In, Fe and Cu three-doping lithium niobate crystal

Номер патента: CN101328612B. Автор: 王锐,王佳,刘维海,徐衍岭. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2011-03-23.

Process for preparing chemical-specific Mg-doped lithium niobate crystal with periodic polarizing microstructure

Номер патента: CN1190530C. Автор: 许京军,陈云琳,孔勇发,张光寅. Владелец: Nankai University. Дата публикации: 2005-02-23.

METHOD FOR FORMING PERIODICALLY POLARIZED LITHIUM NIOBATE AND TANTALATE FOR NONLINEAR OPTICAL ELEMENTS AND A DEVICE FOR LOCAL POLARIZATION OF LITHIUM NIOBATE AND TANTALATE

Номер патента: RU2009137628A. Автор: Евгений Николаевич Борисов,Алексей Викторович Курочкин,Алексей Валерьевич Поволоцкий,Олег Сергеевич Грунский,Алексей Викторович Курочкин (RU),Евгений Николаевич Борисов (RU),Олег Сергеевич Грунский (RU),Алексей Валерьевич Поволоцкий (RU). Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Санкт-Петербургский государственный у. Дата публикации: 2011-04-20.

Preparation of lithium niobate thin film and titanium solid solution lithium niobate thin film from aqueous precursor solution

Номер патента: JP3188615B2. Автор: さとみ 小野. Владелец: CITY OF NAGOYA. Дата публикации: 2001-07-16.

Optical device comprising lithium niobate single crystal wafer and method for producing lithium niobate single crystal for the wafer

Номер патента: JP4590531B2. Автор: 健二 北村,保典 古川,俊二 竹川,晃男 宮本,雅樹 寺尾,昇 須田. Владелец: Oxide Corp. Дата публикации: 2010-12-01.

Precision polishing composition for lithium tantalate / lithium niobate single crystal material and precision polishing method for lithium tantalate / lithium niobate single crystal material using the same

Номер патента: JP4290799B2. Автор: 良樹 林,良延 山口,晋 薄井. Владелец: Yamaguchi Seiken Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-08.

Repairing method of bonded and stripped lithium niobate wafer and lithium niobate wafer

Номер патента: CN112670183A. Автор: 刘昆,张大鹏,王兴龙,吉贵军,周赤,黄杭东,陆龙钊. Владелец: Zhuhai Guangku Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-04-16.

Method of obtaining monobulb monocrystals of lithium niobate exhibiting any orientation

Номер патента: PL291643A3. Автор: Izabela Pracka,Marek Swirkowicz,Waldemar Giersz. Владелец: Inst Tech Material Elekt. Дата публикации: 1993-03-08.

Growth of lithium niobate crystals

Номер патента: CA812199A. Автор: J. Levinstein Hyman,Nassau Kurt. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1969-05-06.

Growth of lithium niobate crystals

Номер патента: CA807108A. Автор: Nassau Kurt,M. Loiacono Gabriel. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1969-02-25.

Preparation of lithium niobate single crystal

Номер патента: JPS57183398A. Автор: Katsuyoshi Fukuda,Sadao Matsumura. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1982-11-11.

Lithium niobate TE/TM polarization splitter using nickel and zinc diffusions

Номер патента: TW344037B. Автор: wei-xin Wang,Jyh-Hwa Yang,Yuh-Pyng Liaw,Ruey-Cheang Luh,Ruey-Shin Chern. Владелец: Nat Science Council. Дата публикации: 1998-11-01.

METHOD FOR GROWING DIED CRYSTALS OF LITHIUM NIOBATE COMPOSITION CLOSE TO STOCHIOMETRIC AND DEVICE FOR ITS IMPLEMENTATION

Номер патента: RU2007143926A. Автор: Алексей Викторович Денисов,Олег Сергеевич Грунский,Цеден Викторович Бадмаев,Олег Сергеевич Грунский (RU),Алексей Викторович Денисов (RU),Цеден Викторович Бадмаев (RU). Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Санкт-Петербургский государственный у. Дата публикации: 2009-06-10.

Method for obtaining mono-domain monocrystals of lithium niobate with any orientation

Номер патента: PL272663A1. Автор: Marek Swierkowicz,Izabela Pracka,Waldemar Giersz,Czeslaw Janusz. Владелец: Inst Tech Material Elekt. Дата публикации: 1989-11-27.

Growth of lithium niobate crystals

Номер патента: CA812198A. Автор: J. Levinstein Hyman,Nassau Kurt. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1969-05-06.

Production of lithium niobate film

Номер патента: JPH1160386A. Автор: Ichiro Koiwa,一郎 小岩,Yutaka Okabe,豊 岡部. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1999-03-02.

UV ILLUMINATION FOR MITIGATION OF COLD TEMPERATURE PYROELECTRIC EFFECTS IN LITHIUM NIOBATE

Номер патента: US20120044960A1. Автор: . Владелец: UNITED STATES OF AMERICA, AS REPRESENTED BY THE SECRETARY OF THE ARMY. Дата публикации: 2012-02-23.

PYROELECTRIC MATERIAL, RADIATION SENSOR, METHOD OF MAKING A RADIATION SENSOR, USE OF LITHIUM TANTALATE AND LITHIUM NiOBATE

Номер патента: US20120068070A1. Автор: . Владелец: EXCELITAS TECHNOLOGIES GMBH & CO. KG. Дата публикации: 2012-03-22.

Device and method for writing gratings on lithium niobate waveguides by aid of femtosecond laser device

Номер патента: CN104199144B. Автор: 张爱玲,何培栋. Владелец: Tianjin University of Technology. Дата публикации: 2017-02-01.

Method of working anysotropic lithium niobate monocrystal

Номер патента: SU998128A1. Автор: Леонид Викторович Ишков,Игорь Владимирович Козлов,Вячеслав Николаевич Купин. Владелец: Войсковая Часть N44388-Р/П. Дата публикации: 1983-02-23.

Method for producing lithium niobate powder

Номер патента: JP2594555B2. Автор: 一実 加藤,真一 平野. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-03-26.

Method for decomposing lithium niobate

Номер патента: SU1011530A1. Автор: Артур Григорьевич Бабкин,Анатолий Ильич Агулянский,Петр Трофимович Стангрит,Валентина Афанасьевна Бессонова,Юрий Иванович Балабанов. Владелец: Институт Химии И Технологии Редких Элементов И Минерального Сырья Ордена Ленина Кольского Филиала Им.С.М.Кирова. Дата публикации: 1983-04-15.

Potassium-sodium lithium niobate-base lead-free piezoelectric ceramic complex with good temperature stability

Номер патента: CN101935215A. Автор: 李伟,陈倩,徐志军,刘泳,初瑞清,郝继功. Владелец: Liaocheng University. Дата публикации: 2011-01-05.

Method for measuring optical performance of multi-functional lithium niobate integrator

Номер патента: CN103743551A. Автор: 杨军,吴冰,彭峰,苑立波,苑勇贵,柴俊. Владелец: Harbin Engineering University. Дата публикации: 2014-04-23.

Method of processing holographic registering medium made of lithium niobate crystal

Номер патента: SU586731A1. Автор: В.С. Айрапетян,И.Б. Баркан,Л.С. Ибрагимова,С.И. Маренников,Е.В. Пестряков. Владелец: Новосибирский государственный университет. Дата публикации: 1978-11-15.

Method for producing lithium niobate

Номер патента: SU1101413A1. Автор: Юрий Николаевич Веневцев,Евгения Павловна Туревская,Наталья Яковлевна Турова,Мария Ильинична Яновская,Александра Васильевна Новоселова. Владелец: Ордена Трудового Красного Знамени Научно-Исследовательский Физико-Химический Институт Им.Л.Я.Карпова. Дата публикации: 1984-07-07.

Method for rapidly testing half-wave voltage value of lithium niobate optical modulator

Номер патента: CN101825656A. Автор: 文雁平. Владелец: Shanghai Hengtong Photoelectric Technology Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-08.

Lithium niobate thin film optical waveguide structure and chip

Номер патента: CN211786214U. Автор: 李萍. Владелец: Tianjin Lingxin Technology Development Co ltd. Дата публикации: 2020-10-27.

Method for determination of the unusual refractive exponent of lithium niobate crystals

Номер патента: BG51321A1. Автор: Ivanka T Savatinova,Radoslav B Todorov,Svetlen Kh Tonchev. Владелец: Inst Fiz Na Tvardoto Tjalo Aka. Дата публикации: 1993-04-15.

Method for making single domain lithium niobate single crystal

Номер патента: JPS6335498A. Автор: 保典 古川,Yasunori Furukawa,Ko Nakajima,中島　皇. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 1988-02-16.

Method for producing lithium niobate single crystal

Номер патента: JP2664508B2. Автор: 均 武田,徹郎 鈴木. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 1997-10-15.

Method for manufacturing multifunctional integral-optic element on crystal of lithium niobate

Номер патента: RU2248020C1. Автор: В.А. Федоров,Ю.Н. Коркишко,С.М. Кострицкий,А.Н. Алкаев,В.А. Федоров (RU),Ю.Н. Коркишко (RU),С.М. Кострицкий (RU),А.Н. Алкаев (RU). Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-Производственная Компания "Оптолинк". Дата публикации: 2005-03-10.

Method for growing single-domain crystals of lithium niobate from melt

Номер патента: SU958508A1. Автор: Мартин Гернанд. Владелец: Карл-Цейсс-Йена (Инопредприятие). Дата публикации: 1982-09-15.

Method of treating lithium niobate monocrystals

Номер патента: SU568309A1. Автор: Л.Н. Сафронов,И.Б. Баркан. Владелец: Новосибирский государственный университет. Дата публикации: 1978-11-15.

A kind of method that lithium niobate crysal near stoichiometric ratio is grown using the adjustable thermal field device of thermograde

Номер патента: CN105019024B. Автор: 刘宏,桑元华,梁龙跃,赵莉莉,乔永军,康学良,郭岱东,翟仲军. Владелец: Innowit Co ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Method for preparing lithium niobate thin-film materials

Номер патента: CN101880913A. Автор: 胡文. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-10.

Multi-wavelength intermediate infrared laser generation device based on periodically poled lithium niobate (PPLN) and control method thereof

Номер патента: CN103151692B. Автор: 陆洲,常建华,杨镇博,董时超. Владелец: Nanjing University of Information Science and Technology. Дата публикации: 2015-02-04.

Lithium niobate single crystal film and its production

Номер патента: JPH11322497A. Автор: Takashi Fujii,Mikio Shimokata,方 幹 生 下,井 高 志 藤. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 1999-11-24.

Application of lithium niobate pyroelectric material in atmospheric particulate adsorption on basis of temperature control

Номер патента: CN105195325A. Автор: 高雪,关丽,高迪,张美宁. Владелец: RENMIN UNIVERSITY OF CHINA. Дата публикации: 2015-12-30.

Method for growing lithium niobate single crystal

Номер патента: JP7275674B2. Автор: 富男 梶ヶ谷. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2023-05-18.

Method for manufacturing Y wave-guide integrated optics device lithium niobate chip

Номер патента: CN100458478C. Автор: 黄韬,王军龙,刘福民,徐宇新. Владелец: China Academy of Aerospace Electronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2009-02-04.

Lithium niobate longitudinal mode optical isolator

Номер патента: CN112698518A. Автор: 刘建国,李明轩,李金野,赵奕儒,戴双兴. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2021-04-23.

Method of growing doped crystals of lithium niobate with composition close stoichiometric, and device to this end

Номер патента: RU2367730C2. Автор: Алексей Викторович Денисов,Олег Сергеевич Грунский,Цеден Викторович Бадмаев. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Санкт-Петербургский государственный университет. Дата публикации: 2009-09-20.

Method for preparing lithium niobate super fine powder at low temperature

Номер патента: CN101168445A. Автор: 王芬,杨海波,朱建锋,林营. Владелец: SHAANXI UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2008-04-30.

Preparation method of lithium niobate optical waveguide

Номер патента: CN102253451B. Автор: 孙军强,冯力群,周钰杰. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2013-03-20.

Quasi-reciprocal optical closed-loop lithium niobate optical waveguide alternating electric field/voltage sensor

Номер патента: CN103207318A. Автор: 杨德伟,于佳,姜一真,刘汐敬. Владелец: BEIHANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-07-17.

Lithium niobate crystal chip with near stoichiometric ratio and its prepn process

Номер патента: CN1362546A. Автор: 王岩,黄晖,孙骞,陈晓军,许京军,陈云琳,阎文博,孔勇发,唐柏权,刘宏德,张光寅. Владелец: Nankai University. Дата публикации: 2002-08-07.

A kind of lithium niobate fiber waveguide polarizer

Номер патента: CN208224520U. Автор: 蒋海军. Владелец: Nanjing Fu Sun Software Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-11.

Laser amplifier based on lithium niobate crystals and application thereof

Номер патента: CN105048270A. Автор: 吴东,张行愚,王伟涛,陈晓寒,刘兆军,王青圃,丛振华,唐关琦. Владелец: Shandong University. Дата публикации: 2015-11-11.

Method for preparing stoichiometric proportion lithium niobate or lithium tantalate wafer

Номер патента: CN101275275A. Автор: 高峰,张玲,孙军,陈绍林,王占银,王红旗,许京军,孔勇发,刘宏德,黄自恒,刘士国,楼慈波. Владелец: Nankai University. Дата публикации: 2008-10-01.

Lithium niobate crysal with near stoichiometric ratio and its growth process

Номер патента: CN1151318C. Автор: 李兵,黄晖,张玲,陈绍林,孙骞,陈晓军,许京军,孔勇发,唐柏权,黄自恒,刘士国,张光寅. Владелец: Nankai University. Дата публикации: 2004-05-26.

Method of preparation of mixture for growing of monocrystals of lithium niobate or tantalate

Номер патента: RU1275931C. Автор: Л.А. Коток,Б.И. Моисеенко,Е.К. Салийчук,Н.Н. Федорова,Т.И. Коршикова,С.И. Романова. Владелец: Предприятие П/Я Р-6496. Дата публикации: 1993-11-15.

Lithium niobate pn junction and preparation method thereof

Номер патента: CN101165228A. Автор: 张玲,陈绍林,许京军,孔勇发,黄自恒,刘士国,肖罗生. Владелец: Nankai University. Дата публикации: 2008-04-23.

Air-gap type shear wave resonator based on lithium niobate

Номер патента: CN212012591U. Автор: 李国强,刘红斌,张铁林,刘鑫尧,衣新燕,赵利帅. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2020-11-24.

Batch synthesis method of lithium niobate uniformly-doped polycrystal material

Номер патента: CN103922405A. Автор: 刘宏,桑元华,梁龙跃,孙德辉,王东周,乔永军,康学良,冯彧. Владелец: Shandong University. Дата публикации: 2014-07-16.

Production of lithium niobate single crystal thin film

Номер патента: JPS63195198A. Автор: 顕知 伊藤,Akitomo Itou,Kazutami Kawamoto,Heikichi Tanei,平吉 種井,和民 川本. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1988-08-12.

Thin film transistor active matrix lithium niobate display chip

Номер патента: CN213457578U. Автор: 葛士军,郭清仪. Владелец: Nanjing Nanhui Intelligent Optical Sensing Research Institute Co ltd. Дата публикации: 2021-06-15.

Large lithium niobate single crystal for optical application, and method and apparatus of the same

Номер патента: JP2003221299A. Автор: Kazuhiro Yamada,Masao Uchida,田 一 博 山,田 雅 夫 内. Владелец: Mitsui Chemicals Inc. Дата публикации: 2003-08-05.

Optical directional coupler based on lithium niobate photon lines and preparation method thereof

Номер патента: CN102508338B. Автор: 陈明,刘子晨. Владелец: Xi'an Post & Telecommunication College. Дата публикации: 2013-02-20.

Lithium niobate crystals having improved optical properties

Номер патента: CA895042A. Автор: Fay Homer,J. Alford Wilbur,M. Dess Howard. Владелец: Union Carbide Corp. Дата публикации: 1972-03-07.

Method of polarization of single crystals of lithium niobate of orientation

Номер патента: PL136674B1. Автор: Izabella Pracka,Marek Swierkowicz,Zbigniew Kierlanczyk. Владелец: Inst Tech Material Elekt. Дата публикации: 1986-03-31.

Optic polarization splitter for lithium niobate

Номер патента: TW269059B. Автор: wei-xin Wang,Peir-Kuen Wey. Владелец: Nat Science Committee. Дата публикации: 1996-01-21.

Method of polarization of single crystals of lithium niobate of orientation

Номер патента: PL237159A1. Автор: Izabella Pracka,Marek Swierkowicz,Zbigniew Kierlanczyk. Владелец: Inst Tech Material Elekt. Дата публикации: 1984-01-02.

Lithium niobate optical polarization converter made by strain structure utilizing proton exchange

Номер патента: TWI235858B. Автор: Tz-Jian Wang,Jiun-Shiung Jung,Wen-Shau Lin. Владелец: Univ Nat Taipei Technology. Дата публикации: 2005-07-11.

Lithium niobate optical polarization converter made by strain structure utilizing proton exchange

Номер патента: TW200537150A. Автор: Tzyy-Jiann Wang,Wen-Shao Lin,Jun-Xiong Zhong. Владелец: Univ Nat Taipei Technology. Дата публикации: 2005-11-16.

Precision polishing composition for lithium tantalate / lithium niobate single crystal materials

Номер патента: JP4156175B2. Автор: 良樹 林,良延 山口. Владелец: Yamaguchi Seiken Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-24.

Method of growing near chemical gauge ratio lithium niobate monocrystal using crucible lowering method

Номер патента: CN1216185C. Автор: 徐军,司继良,王海丽,周圣明,周国清,杭寅,赵广军,张连翰. Владелец: Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics of CAS. Дата публикации: 2005-08-24.

Surface cleaning method after carrying out chemical-mechanical polishing (CMP) on lithium niobate wafer in alkalinity

Номер патента: CN101972754A. Автор: 刘玉岭,檀柏梅,孙鸣. Владелец: HEBEI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2011-02-16.

Method of manufacturing optical waveguide based on lithium niobate crystal

Номер патента: SU1295352A1. Автор: Александр Николаевич Морозов,Валерий Георгиевич Воеводин,Идея Матвеевна Винокурцева. Владелец: Сибирский физико-технический институт им.В.Д.Кузнецова при Томском государственном университете им.В.В.Куйбышева. Дата публикации: 1987-03-07.

Method of obtaining large-size monocrystals of lithium niobate

Номер патента: RU1468025C. Автор: А.Б. Левин,М.Б. Космына,А.И. Машков,Н.Ф. Ефремова. Владелец: Предприятие П/Я Р-6496. Дата публикации: 1993-03-15.

Method of lithium niobate preparation

Номер патента: SU1724581A1. Автор: Владимир Александрович Крохин,Анатолий Афанасьевич Щелконогов,Андрей Андреевич Титов,Владимир Николаевич Заиканов,Леонид Васильевич Мельников,Татьяна Викторовна Гостева,Дмитрий Леонидович Мельников,Наталья Александровна Улановская. Владелец: Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет". Дата публикации: 1992-04-07.

Method of processing holographic registering medium made of lithium niobate crystal

Номер патента: SU585753A1. Автор: В.С. Айрапетян,И.Б. Баркан,Л.С. Ибрагимова,С.И. Маренников,Е.В. Пестряков. Владелец: Новосибирский государственный университет. Дата публикации: 1978-11-15.

Lithium niobate modulator

Номер патента: CN203287647U. Автор: 徐晓辉,凌九红,王定理,赵明璐. Владелец: Accelink Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-13.

Method for treating lithium niobate single crystal substrate and method for producing electro-optical article

Номер патента: JP3479112B2. Автор: 美能留 今枝,竜生 川口. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2003-12-15.

Periodically poleddomain reverse lithium niobate optical waveguide

Номер патента: CN102169207B. Автор: 孙军强,冯力群,周钰杰. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2013-01-02.

Polarization beam splitter based on lithium niobate thin film ridge waveguide

Номер патента: CN116027483A. Автор: 刘洋,张强,王喜娜,杨志远,汪斌,焦旭峰,郑名扬,谢秀平. Владелец: JINAN INSTITUTE OF QUANTUM TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-04-28.

PARTICLES OF DOPED LITHIUM COBALT OXIDE, METHOD FOR PREPARING THE SAME AND THEIR USE IN LITHIUM ION BATTERIES

Номер патента: US20120156566A1. Автор: . Владелец: REMINEX SA. Дата публикации: 2012-06-21.

METHOD OF SYNTHESIS OF HIGH DISPERSED SPHERICAL Y OR Nb DOPED LITHIUM TITANATE OXIDE USING TITANIUM TETRACHLORIDE AND LITHIUM HYDROXIDE

Номер патента: US20140004346A1. Автор: CHOI Byung Hyun,Ji Mi Jung,Jung Sung Hun,Kim Eun Kyung,Kwon Young Jin,An Yong Tae. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-02.

Wavelength tunable narrow linewidth light source based on DBR laser

Номер патента: CN104143757A. Автор: 陆丹,余力强,周代兵,赵玲娟,潘碧玮. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2014-11-12.

MATERIAL OF PHOSPHORUS-DOPED LITHIUM TITANIUM OXIDE WITH SPINEL STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120153225A1. Автор: . Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-06-21.

Process for preparing titanium doped lithium aluminate wafer

Номер патента: CN1308499C. Автор: 徐军,邹军,周圣明,彭观良,张连翰. Владелец: Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics of CAS. Дата публикации: 2007-04-04.

Preparation method of Na-doped lithium silicate ceramic material

Номер патента: CN103570343A. Автор: 王芸,彭寿,彭程,沈洪雪. Владелец: China Triumph International Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-12.

Europium and samarium-doped lithium magnesium phosphate photostimulated luminescent material and preparation method thereof

Номер патента: CN103194230B. Автор: 陈朝阳,范艳伟,盖敏强. Владелец: Xinjiang Technical Institute of Physics and Chemistry of CAS. Дата публикации: 2014-09-10.

Method for preparing manganese doped lithium zinc phosphate yellow green fluorescent powder by adopting low heat solid-phase reaction

Номер патента: CN103881711B. Автор: 陈智鹏,柴倩,廖森,黄映恒. Владелец: GUANGXI UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-01-11.

Glass film containing rare-earth-ion-doped lithium iodide microcrystalline and preparation method thereof

Номер патента: CN105293943A. Автор: 张健,夏海平,王成,江东升,盛启国,冯治刚,何仕楠,汤庆阳. Владелец: Ningbo University. Дата публикации: 2016-02-03.

Scintillating material based on doped lithium iodide

Номер патента: CN1651548A. Автор: 鲍里斯·V·格林约夫,尼古莱·N·斯米尔诺夫. Владелец: Scintillating Material Instukraine National Academy. Дата публикации: 2005-08-10.

MULTI-WAVELENGTH DBR LASER

Номер патента: US20130114628A1. Автор: Caneau Catherine Genevieve,Xie Feng,Zah Chung-En. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-09.

DBR Laser Diode With Periodically Modulated Grating Phase

Номер патента: US20130114634A1. Автор: Pikula Dragan,Kuksenkov Dmitri Vladislavovich,Roussev Rostislav Vatchev. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-09.

Heating Elements For Multi-Wavelength DBR Laser

Номер патента: US20130114635A1. Автор: Li Shenping,Zah Chung-En,Kuksenkov Dmitri Vladislavovich,Nguyen Hong Ky. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-09.

DBR Laser Diode With Symmetric Aperiodically Shifted Grating Phase

Номер патента: US20130114636A1. Автор: Pikula Dragan,Kuksenkov Dmitri Vladislavovich,Roussev Rostislav Vatchev. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-09.

OPTICAL TRANSMISSION SYSTEM

Номер патента: US20120002270A1. Автор: SUGAYA Yasushi,FUJITA Takehiro. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Laser System

Номер патента: US20120002687A1. Автор: . Владелец: CYMER, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of intraoperative visualisation of pathological foci

Номер патента: RU2544094C2. Автор: Сергей Михайлович Деев,Андрей Васильевич Звягин,Анна Евгеньевна Гуллер,Надорт Аннемари. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Митрель-Люмитек". Дата публикации: 2015-03-10.

Bidirectional gain-clamped and gain-flattened optical amplifier

Номер патента: MY135461A. Автор: Asmahanim Bt Ahmad,Muhammad Zamzuri Abdul Kadir Jaafar,Maz Izyani Ali Md,Romli Bin Mohamad. Владелец: Telekom Malaysia Berhad. Дата публикации: 2008-04-30.

Method of producing thermoluminescent materials

Номер патента: RU2502777C2. Автор: Дмитрий Маркович Могнонов,Сергей Александрович Стельмах,Лариса Улзытовна Базарон,Ольга Доржицыреновна Чимитова,Мария Николаевна Григорьева,Алексей Карпович Субанаков,Александр Владимирович Перевалов,Баир Гармаевич Базаров,Жибзема Гармаевна Базарова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Байкальский институт природопользования Сибирского отделения Российской академии наук (БИП СО РАН). Дата публикации: 2013-12-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.