利用CVI法或CVD法制备SiC基体或SiC涂层用尾气处理装置和尾气处理方法
Номер патента: CN114053818B
Опубликовано: 05-07-2022
Автор(ы): 庞生洋, 李建, 汤素芳, 胡成龙, 赵日达
Принадлежит: Institute of Metal Research of CAS
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 05-07-2022
Автор(ы): 庞生洋, 李建, 汤素芳, 胡成龙, 赵日达
Принадлежит: Institute of Metal Research of CAS
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Integrated device and system for propellant waste gas treatment and application
Номер патента: CN110448999B. Автор: 陈建峰,初广文,邹海魁,罗勇,张亮亮,孙宝昌,陈文聪. Владелец: Beijing University of Chemical Technology. Дата публикации: 2020-09-11.