基于掺杂钛酸锶薄膜的低功耗电阻开关存储单元及其制备方法和应用
Номер патента: CN108447983B
Опубликовано: 31-01-2020
Автор(ы): 江雪, 邱晓燕, 魏明龙
Принадлежит: SOUTHWEST UNIVERSITY
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 31-01-2020
Автор(ы): 江雪, 邱晓燕, 魏明龙
Принадлежит: SOUTHWEST UNIVERSITY
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Ag/[ SnS 2 /PMMA]/Cu low-power-consumption resistive random access memory and preparation method thereof
Номер патента: CN113328036B. Автор: 冯浩,赵婷,常洪龙,坚增运,坚佳莹,董芃凡. Владелец: Xian Technological University. Дата публикации: 2022-11-08.