Gas-controlled bonding platform for edge defect reduction during wafer bonding
Номер патента: US10056272B2
Опубликовано: 21-08-2018
Автор(ы): Robert R. Young, Jr., Spyridon Skordas, Wei Lin
Принадлежит: International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 21-08-2018
Автор(ы): Robert R. Young, Jr., Spyridon Skordas, Wei Lin
Принадлежит: International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Gas-controlled bonding platform for edge defect reduction during wafer bonding
Номер патента: US09922851B2. Автор: Wei Lin,Spyridon Skordas,Robert R. Young, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-20.