EDRAM with integrated generation and control of write enable and column latch signals and method for making same
Номер патента: US5835442A
Опубликовано: 10-11-1998
Автор(ы): Dion Nickolas Heisler, Doyle James Heisler, James Dean Joseph
Принадлежит: Enhanced Memory Systems Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 10-11-1998
Автор(ы): Dion Nickolas Heisler, Doyle James Heisler, James Dean Joseph
Принадлежит: Enhanced Memory Systems Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor memory devices and methods for generating column enable signals thereof
Номер патента: US20070036009A1. Автор: Kyung-Woo Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-15.