Methods of operating PRAMS using initial programmed resistances and PRAMS using the same
Номер патента: US8830724B2
Опубликовано: 09-09-2014
Автор(ы): Sang Hoan Chang
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 09-09-2014
Автор(ы): Sang Hoan Chang
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method of reading data from self-selecting memory, self-selecting memory performing the same and method of operating self-selecting memory using the same
Номер патента: US20240112709A1. Автор: Hwan Kim,Seulji SONG,Suhee Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-04.