Multi-gate device and related methods
Номер патента: US20230335553A1
Опубликовано: 19-10-2023
Автор(ы): Chih-Hao Wang, Jia-Chuan You, Kuo-Cheng Chiang, Li-Yang Chuang
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 19-10-2023
Автор(ы): Chih-Hao Wang, Jia-Chuan You, Kuo-Cheng Chiang, Li-Yang Chuang
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Multi-gate device structure including a fin-embedded isolation region and methods thereof
Номер патента: US09704755B2. Автор: Hou-Yu Chen,Chih-Wei Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.