Multi-gate device and related methods
Номер патента: KR102289286B1
Опубликовано: 17-08-2021
Автор(ы): 시 닝 주, 치-하오 왕, 칭-웨이 차이, 쿠안-룬 쳉, 쿠오-쳉 치앙
Принадлежит: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
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Опубликовано: 17-08-2021
Автор(ы): 시 닝 주, 치-하오 왕, 칭-웨이 차이, 쿠안-룬 쳉, 쿠오-쳉 치앙
Принадлежит: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
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Multi-gate device structure including a fin-embedded isolation region and methods thereof
Номер патента: US09704755B2. Автор: Hou-Yu Chen,Chih-Wei Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.