Multi-Gate Devices with Replaced-Channels and Methods for Forming the Same
Номер патента: US20180269112A1
Опубликовано: 20-09-2018
Автор(ы): CHAO Yuan-Shun, CHEN Hou-Yu, Kuo Chih-Wei, YANG Shyh-Horng
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 20-09-2018
Автор(ы): CHAO Yuan-Shun, CHEN Hou-Yu, Kuo Chih-Wei, YANG Shyh-Horng
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Stacked multi-gate device with barrier layers
Номер патента: US20240321990A1. Автор: Chia-Hao Yu,Wei-Yen Woon,Che Chi Shih,Szuya Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.