Shallow, abrupt and highly activated tin extension implant junction
Номер патента: US20180175174A1
Опубликовано: 21-06-2018
Автор(ы): John Bruley, Kam-Leung Lee, Marinus J.P. Hopstaken
Принадлежит: International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 21-06-2018
Автор(ы): John Bruley, Kam-Leung Lee, Marinus J.P. Hopstaken
Принадлежит: International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Amorphous multicomponent dielectric based on the mixture of high band gap and high k materials, respective devices and manufacture
Номер патента: WO2011016741A2. Автор: Rodrigo Ferrao De Paiva Martins,Elvira Maria Correia Fortunato,Luis Miguel Nunes Pereira,Pedro Miguel Candido Barquinha,Danjela KUŠCER HROVATIN,Marija Kosec,Gonçalo Pedro GONÇALVES. Владелец: FACULDADE DE CIÊNCIAS E TECNOLOGIA DA UNIVERSIDADE NOVA DE LISBOA. Дата публикации: 2011-02-10.