Cmos compatible biofet.

Cmos compatible biofet

Номер патента: US20200150080A1
Опубликовано: 14-05-2020
Автор(ы): Alexander Kalnitsky, Chia-Hua Chu, Chun-Ren Cheng, Chun-Wen Cheng, Kai-Chih Liang, Yi-Shao LIU
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

CMOS compatible BioFET

Номер патента: US09791406B2. Автор: Chia-Hua Chu,Yi-Shao LIU,Alexander Kalnitsky,Chun-Wen Cheng,Kai-Chih Liang,Chun-Ren Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

CMOS compatible BioFET

Номер патента: US09459234B2. Автор: Chia-Hua Chu,Yi-Shao LIU,Alexander Kalnitsky,Chun-Wen Cheng,Kai-Chih Liang,Chun-Ren Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

CMOS compatible BioFET

Номер патента: US09910009B2. Автор: Chia-Hua Chu,Yi-Shao LIU,Alexander Kalnitsky,Chun-Wen Cheng,Kai-Chih Liang,Chun-Ren Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Cmos compatible biofet

Номер патента: US20180195998A1. Автор: Chia-Hua Chu,Yi-Shao LIU,Alexander Kalnitsky,Chun-Wen Cheng,Kai-Chih Liang,Chun-Ren Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-12.

Cmos compatible biofet

Номер патента: US20230081170A1. Автор: Chia-Hua Chu,Yi-Shao LIU,Alexander Kalnitsky,Chun-Wen Cheng,Kai-Chih Liang,Chun-Ren Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-16.

Cmos compatible biofet

Номер патента: US20170023521A1. Автор: Chia-Hua Chu,Yi-Shao LIU,Alexander Kalnitsky,Chun-Wen Cheng,Kai-Chih Liang,Chun-Ren Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-26.

CMOS Compatible BioFET

Номер патента: US20170322177A1. Автор: Chia-Hua Chu,Yi-Shao LIU,Alexander Kalnitsky,Chun-Wen Cheng,Kai-Chih Liang,Chun-Ren Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-09.

Cmos compatible biofet

Номер патента: US20200150080A1. Автор: Chia-Hua Chu,Yi-Shao LIU,Alexander Kalnitsky,Chun-Wen Cheng,Kai-Chih Liang,Chun-Ren Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-14.

Cmos compatible biofet

CMOS compatible ultraviolet sensor device and method of producing a CMOS compatible ultraviolet sensor device

Номер патента: US09577135B2. Автор: Friedrich Peter LEISENBERGER. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-02-21.

CMOS-compatible polycide fuse structure and method of fabricating same

Номер патента: US09881927B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya D. YEH,Joodong Park. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Cmos-compatible polycide fuse structure and method of fabricating same

Номер патента: US20160056162A1. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya D. YEH,Joodong Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-02-25.

Backside CMOS compatible BioFET with no plasma induced damage

Номер патента: US09709525B2. Автор: Fei-Lung Lai,Yi-Shao LIU,Chun-Wen Cheng,Chun-Ren Cheng,Yi-Hsien Chang,Ching-Ray Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Backside CMOS Compatible BioFET With No Plasma Induced Damage

Номер патента: US20160011144A1. Автор: Fei-Lung Lai,Yi-Shao LIU,Chun-Wen Cheng,Chun-Ren Cheng,Yi-Hsien Chang,Ching-Ray Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-01-14.

Backside CMOS Compatible BioFET with No Plasma Induced Damage

Номер патента: US20200072789A1. Автор: Fei-Lung Lai,Yi-Shao LIU,Chun-Wen Cheng,Chun-Ren Cheng,Yi-Hsien Chang,Ching-Ray Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Backside CMOS Compatible BioFET with No Plasma Induced Damage

Backside CMOS Compatible BioFET With No Plasma Induced Damage

Номер патента: US20170315085A1. Автор: Cheng Chun-Wen,Liu Yi-Shao,Cheng Chun-Ren,Chen Ching-Ray,CHANG Yi-Hsien,Lai Fei-Lung. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

Backside CMOS Compatible BioFET With No Plasma Induced Damage

Номер патента: US20160011144A1. Автор: Cheng Chun-Wen,Liu Yi-Shao,Cheng Chun-Ren,Chen Ching-Ray,CHANG Yi-Hsien,Lai Fei-Lung. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-14.

CMOS Compatible BioFET

Номер патента: US20170322177A1. Автор: Chu Chia-Hua,Cheng Chun-Wen,Kalnitsky Alexander,Liu Yi-Shao,Liang Kai-Chih,Cheng Chun-Ren. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-09.

CMOS COMPATIBLE BIOFET

Номер патента: US20170023521A1. Автор: Chu Chia-Hua,Cheng Chun-Wen,Kalnitsky Alexander,Liu Yi-Shao,Liang Kai-Chih,Cheng Chun-Ren. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-26.

Post CMOS Compatible Ferroelectric Field Effect Transistor With AIScN Dielectric And 2D Material Channel

Номер патента: US20210399138A1. Автор: III Roy H.,KIM Kwan-Ho,Jariwala Deep,Olsson,Liu Xiwen,Stach Eric Andrew. Владелец: . Дата публикации: 2021-12-23.

Method for fabricating CMOS compatible contact layers in semiconductor devices

Номер патента: US09698309B2. Автор: Celso Cavaco,Brice De Jaeger,Marleen Van Hove,Vasyl Motsnyi. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-07-04.

CMOS compatible low-resistivity Al—Sc metal etch stop

Номер патента: US12034050B1. Автор: Giovanni Esteves,Travis Ryan Young. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

CMOS COMPATIBLE ULTRAVIOLET SENSOR DEVICE AND METHOD OF PRODUCING A CMOS COMPATIBLE ULTRAVIOLET SENSOR DEVICE

Номер патента: US20160254406A1. Автор: LEISENBERGER Friedrich Peter. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2016-09-01.

Shallow-trench cmos-compatible super junction device structure for low and medium voltage power management applications

Номер патента: US20130011985A1. Автор: Perumal Ratnam. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-10.

WURTZITE HETEROEPITAXIAL STRUCTURES WITH INCLINED SIDEWALL FACETS FOR DEFECT PROPAGATION CONTROL IN SILICON CMOS-COMPATIBLE SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20170236704A1. Автор: Then Han Wui,Chu-Kung Benjamin,Pillarisetty Ravi,Radosavljevic Marko,Chau Robert S.,DASGUPTA Sansaptak,SUNG Seung Hoon,GARDNER Sanaz K.. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-17.

CMOS compatible device based on four-terminal switching lattices

Номер патента: US10720522B1. Автор: Mustafa Altun,Serzat Safaltin,Ismail Cevik. Владелец: ISTANBUL TEKNIK UNIVERSITESI. Дата публикации: 2020-07-21.

CMOS-COMPATIBLE POLYCIDE FUSE STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20160056162A1. Автор: Jan Chia-Hong,Park Joodong,Yeh Jeng-Ya D.,Hafez Walid M.. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

CMOS COMPATIBLE LOW GATE CHARGE HIGH VOLTAGE PMOS

Номер патента: US20180286860A1. Автор: McGregor Joel M.,Giles Frederick Perry,McCormack Stephen. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-04.

WURTZITE HETEROEPITAXIAL STRUCTURES WITH INCLINED SIDEWALL FACETS FOR DEFECT PROPAGATION CONTROL IN SILICON CMOS-COMPATIBLE SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20190287789A1. Автор: Then Han Wui,Chu-Kung Benjamin,Pillarisetty Ravi,Radosavljevic Marko,Chau Robert S.,DASGUPTA Sansaptak,SUNG Seung Hoon,GARDNER Sanaz K.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-09-19.

A CMOS compatible 3D image sensing system using quantum efficiency modulation

Номер патента: JP4533582B2. Автор: サイラスバンジ,エドアードチャーボン. Владелец: カネスタインコーポレイテッド. Дата публикации: 2010-09-01.

System and method for improving CMOS compatible non volatile memory retention reliability

Номер патента: US7910420B1. Автор: Jiankang Bu,David Courtney Parker,Henry G. Prosack, Jr.,Heather McCulloh. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-03-22.

FinFET transistor with high-voltage capability and CMOS-compatible method for fabricating the same

Номер патента: US8541267B2. Автор: Anco Heringa,Jan Sonsky. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2013-09-24.

High-voltage CMOS-compatible capacitors

Номер патента: US7071507B2. Автор: Christopher J. Diorio,Frédéric J. Bernard. Владелец: Impinj Inc. Дата публикации: 2006-07-04.

Wurtzite heteroepitaxial structures with inclined sidewall facets for defect propagation control in silicon cmos-compatible semiconductor devices

Номер патента: EP3195364A4. Автор: Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Sanaz K. Gardner,Benjamin Chu-Kung,Hoon Sung. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-25.

High-voltage CMOS-compatible capacitors

Номер патента: US20050093094A1. Автор: Frédéric Bernard,Christopher Diorio. Владелец: Impinj Inc. Дата публикации: 2005-05-05.

CMOS compatible device based on four-terminal switching lattices

Номер патента: US10847428B2. Автор: Mustafa Altun,Serzat Safaltin,Ismail Cevik. Владелец: Istanbul Teknik Universitesi ITU. Дата публикации: 2020-11-24.

Wurtzite heteroepitaxial structures with inclined sidewall facets for defect propagation control in silicon cmos-compatible semiconductor devices

Номер патента: KR102248478B1. Автор: 로버트 에스. 차우,라비 필라리세티,벤자민 추-쿵,마르코 라도사블제빅,한 위 텐,산삽탁 다스굽타,사나즈 케이. 가드너,훈 성. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2021-05-06.

Cmos-compatible three-dimensional image sensing using quantum efficiency modulation

Номер патента: WO2002049339A2. Автор: Cyrus Bamji,Edoardo Charbon. Владелец: Canesta, Inc.. Дата публикации: 2002-06-20.

Memristive neural network computing engine using cmos-compatible charge-trap-transistor (ctt)

Номер патента: US20200364548A1. Автор: Li Du,Mau-Chung Frank Chang,Yuan Du. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2020-11-19.

Memristive neural network computing engine using cmos-compatible charge-trap-transistor (ctt)

Номер патента: WO2019100036A1. Автор: Li Du,Mau-Chung Frank Chang,Yuan Du. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2019-05-23.

CMOS-compatible polycide fuse structure and method of fabricating same

Номер патента: GB201520616D0. Автор: . Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-01-06.

Cmos-compatible rram devices

Номер патента: US20230422641A1. Автор: Ning Ge,Minxian Zhang,Mingche Wu. Владелец: Tetramem Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

CMOS compatible non-filamentary resistive memory stack

Номер патента: US10505112B1. Автор: Takashi Ando,Eduard A. Cartier,John Bruley,Adam M. Pyzyna. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-10.

CMOS Compatible Non-Filamentary Resistive Memory Stack

Номер патента: US20190393413A1. Автор: Takashi Ando,Eduard A. Cartier,John Bruley,Adam M. Pyzyna. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Cmos compatible memory cells

Номер патента: US20160049403A1. Автор: Gil Asa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-02-18.

CMOS compatible memory cells

Номер патента: US09666586B2. Автор: Gil Asa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-05-30.

System and method for providing a CMOS compatible single poly EEPROM with an NMOS program transistor

Номер патента: US7447064B1. Автор: Jiankang Bu,Lee Jacobson,David Courtney Parker. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-11-04.

Cmos-compatible integration of silicon-based optical devices with electronic devices

Номер патента: CA2520972C. Автор: Prakash Gothoskar,Robert Keith Montgomery,Margaret Ghiron,Vipulkumar Patel,Kalpendu Shastri,Soham Pathak,Katherine A. Yanushefski. Владелец: SiOptical Inc. Дата публикации: 2010-01-26.

CMOS compatible single-layer polysilicon non-volatile memory

Номер патента: CN101329913A. Автор: 李迪,周显峰. Владелец: Nantronics Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-12-24.

Cmos-compatible integration of silicon-based optical devices with electronic devices

Номер патента: CA2520972A1. Автор: Prakash Gothoskar,Robert Keith Montgomery,Margaret Ghiron,Vipulkumar Patel,Kalpendu Shastri,Soham Pathak,Katherine A. Yanushefski. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-04.

Cmos-compatible display system and method

Номер патента: WO2014039508A1. Автор: Kenneth W. Kayser. Владелец: Tagnetics, Inc.. Дата публикации: 2014-03-13.

Cmos compatible near-infrared sensor system

Номер патента: US20230014361A1. Автор: Gernot Fasching. Владелец: ams International AG. Дата публикации: 2023-01-19.

Cmos compatible near-infrared sensor system

Номер патента: EP4026175A1. Автор: Gernot Fasching. Владелец: ams International AG. Дата публикации: 2022-07-13.

Cmos compatible near-infrared sensor system

Номер патента: WO2021122657A1. Автор: Gernot Fasching. Владелец: ams International AG. Дата публикации: 2021-06-24.

CMOS compatible resonant interband tunneling cell

Номер патента: US09536886B2. Автор: Christopher Bowen. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Cmos-compatible integration of silicon-based optical devices with electronic devices

Номер патента: EP1625615A4. Автор: Prakash Gothoskar,Robert Keith Montgomery,Margaret Ghiron,Vipulkumar Patel,Kalpendu Shastri,Soham Pathak,Katherine A Yanushefski. Владелец: SiOptical Inc. Дата публикации: 2007-05-16.

Cmos compatible resonant interband tunneling cell

Номер патента: US20160260721A1. Автор: Christopher Bowen. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-08.

Cmos-compatible display system and method

Номер патента: US20140062849A1. Автор: Kenneth W. Kayser. Владелец: Tagnetics Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

CMOS Compatible Material Platform for Photonic Integrated Circuits

Номер патента: US20210080648A1. Автор: Li Dong,Yi Ge. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-18.

MEMRISTIVE NEURAL NETWORK COMPUTING ENGINE USING CMOS-COMPATIBLE CHARGE-TRAP-TRANSISTOR (CTT)

Номер патента: US20200364548A1. Автор: Chang Mau-Chung Frank,DU Li,Du Yuan. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2020-11-19.

CMOS-compatible integration of silicon-based optical devices with electronic devices

Номер патента: US20040207016A1. Автор: Prakash Gothoskar,Margaret Ghiron,Robert Montgomery,Vipulkumar Patel,Kalpendu Shastri,Soham Pathak,Katherine Yanushefski. Владелец: SiOptical Inc. Дата публикации: 2004-10-21.

Cmos-compatible short wavelength photodetectors

Номер патента: WO2022006553A1. Автор: Bardia Pezeshki,Robert Kalman,Cameron DANESH. Владелец: Avicenatech Corp.. Дата публикации: 2022-01-06.

CMOS-Compatible integration of silicon-based optical devices with electronic devices

Номер патента: KR100745275B1. Автор: 칼펜두 샤스트리,마가렛 기론,프라카시 고토스카,소함 파탁,비풀쿠마 파텔,로버트 키스 몽고메리,캐서린 에이. 야누세프스키. Владелец: 시옵티컬 인코포레이티드. Дата публикации: 2007-08-01.

Cmos-compatible light emitting aperiodic photonic structures

Номер патента: WO2005104147A2. Автор: Luca Dal Negro,Victor T. Nguyen,Jurgen Michel,Lionel C. Kimerling,Yasha Yi,Jae Hyung Yi. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2005-11-03.

Cmos-compatible protonic resistive devices

Номер патента: US20220209107A1. Автор: Ju Li,Oguzhan Murat Onen,Bilge Yildiz,Jesus DEL ALAMO. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2022-06-30.

Cmos-compatible light emitting aperiodic photonic structures

Номер патента: WO2005104147A3. Автор: Jurgen Michel,Yasha Yi,Lionel C Kimerling,Jae Hyung Yi,Negro Luca Dal,Victor T Nguyen. Владелец: Victor T Nguyen. Дата публикации: 2006-04-06.

Integration cmos compatible of micro/nano optical gain materials

Номер патента: US20130004781A1. Автор: Daniel N. Carothers. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2013-01-03.

Integration cmos compatible of micro/nano optical gain materials

Номер патента: EP2319142A1. Автор: Daniel N. Carothers. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2011-05-11.

Cmos-compatible high-speed and low-power random number generator

Номер патента: WO2020229996A1. Автор: Ghavam Shahidi,Bahman Hekmatshoartabari. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2020-11-19.

CMOS-Compatible High-Speed and Low-Power Random Number Generator

Номер патента: US20200364032A1. Автор: Ghavam Shahidi,Bahman Hekmatshoartabari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-11-19.

CMOS compatible rare-earth-doped waveguide amplifier

Номер патента: US09742144B1. Автор: Inuk Kang. Владелец: LGS Innovations LLC. Дата публикации: 2017-08-22.

BACKSIDE CMOS COMPATIBLE BIOFET WITH NO PLASMA INDUCED DAMAGE

Номер патента: US20140151755A1. Автор: Cheng Chun-Wen,Liu Yi-Shao,Cheng Chun-Ren,Chen Ching-Ray,CHANG Yi-Hsien,Lai Fei-Lung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-06-05.

Low-resistive, CMOS-compatible, Au-free ohmic contact to N—InP

Номер патента: US09917171B2. Автор: Utz Herwig Hahn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

CMOS compatible fuse or resistor using self-aligned contacts

Номер патента: US09876009B2. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

CMOS compatible fuse or resistor using self-aligned contacts

Номер патента: US09627373B2. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for Fabricating CMOS Compatible Contact Layers in Semiconductor Devices

Номер патента: US20160118542A1. Автор: CAVACO Celso,Van Hove Marleen,De Jaeger Brice,Motsnyi Vasyl. Владелец: IMEC VZW. Дата публикации: 2016-04-28.

Complex circuit element and capacitor utilizing CMOS compatible antiferroelectric high-k materials

Номер патента: US9318315B2. Автор: Johannes Mueller,Konrad Seidel,Dina H. Triyoso,Mark Gerard Nolan,Wenke Weinreich,Patrick Polakowski. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-04-19.

LOW-RESISTIVE, CMOS-COMPATIBLE, AU-FREE OHMIC CONTACT TO N-INP

Номер патента: US20180026111A1. Автор: Hahn Utz Herwig. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-25.

CMOS COMPATIBLE MEMORY CELLS

Номер патента: US20160049403A1. Автор: ASA Gil. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-18.

CMOS COMPATIBLE FUSE OR RESISTOR USING SELF-ALIGNED CONTACTS

Номер патента: US20170062409A1. Автор: Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Wang Junli,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

CMOS COMPATIBLE FUSE OR RESISTOR USING SELF-ALIGNED CONTACTS

Номер патента: US20170062413A1. Автор: Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Wang Junli,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

CMOS COMPATIBLE FUSE OR RESISTOR USING SELF-ALIGNED CONTACTS

Номер патента: US20170170169A1. Автор: Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Wang Junli,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-15.

CMOS COMPATIBLE RESONANT INTERBAND TUNNELING CELL

Номер патента: US20160260721A1. Автор: Bowen Christopher. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-08.

Cmos compatible method for manufacturing a hemt device and the hemt device thereof

Номер патента: US20150295076A1. Автор: Marleen Van Hove. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2015-10-15.

CMOS COMPATIBLE FUSE OR RESISTOR USING SELF-ALIGNED CONTACTS

Номер патента: US20180286856A1. Автор: Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Wang Junli,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-04.

SUB 59 MV / DECADE SI CMOS COMPATIBLE TUNNEL FET AS FOOTER TRANSISTOR FOR POWER GATING

Номер патента: US20170301672A1. Автор: Rakshit Titash,Sengupta Rwik,RODDER Mark. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-19.

CMOS COMPATIBLE FUSE OR RESISTOR USING SELF-ALIGNED CONTACTS

Номер патента: US20170330875A1. Автор: Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Wang Junli,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-16.

CMOS COMPATIBLE ISOLATION LEAKAGE IMPROVEMENTS IN GALLIUM NITRIDE TRANSISTORS

Номер патента: US20190371886A1. Автор: Then Han Wui,Radosavljevic Marko,DASGUPTA Sansaptak. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-05.

Method for fabricating cmos compatible contact layers in semiconductor devices

Номер патента: EP2881982B1. Автор: Celso Cavaco,Brice De Jaeger,Marleen Van Hove,Vasyl Motsnyi. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2019-09-04.

Method of fabricating micro-electromechanical switches on cmos compatible substrates

Номер патента: CN1575506A. Автор: 蒂莫西·J·多尔顿,理查德·P·沃兰特,约翰·C·比森,唐娜·R·科特,罗伯特·A·格罗夫斯,凯文·S·皮特拉卡,肯尼思·J·斯坦,塞沙德里·苏班纳. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-02-02.

Method of fabricating micro-electromechanical switches on cmos compatible substrates

Номер патента: EP1461828B1. Автор: Kevin S. Petrarca,Richard P. Volant,Timothy J. Dalton,Robert A. Groves,Kenneth J. Stein,Seshadri Subbanna,John C. Bisson,Donna R. Cote. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-01-23.

Method of fabricating micro-electromechanical switches on CMOS compatible substrates

Номер патента: US6635506B2. Автор: Kevin S. Petrarca,Richard P. Volant,Timothy J. Dalton,Robert A. Groves,Kenneth J. Stein,Seshadri Subbanna,John C. Bisson,Donna R. Cote. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-10-21.

Cmos-compatible gold-free contacts

Номер патента: WO2013095523A1. Автор: John Heck,Richard Jones,John Bowers,Michael Geva,Matthew Sysak,Siddharth Jain,Ran FELDESH,Yoel Shetrit. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2013-06-27.

Complementary metal-oxide semiconductor (cmos) compatible rf switch and high voltage control circuit (hvcc)

Номер патента: US20210050846A1. Автор: Yan Guo,Patrick T. Clancy. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Ttl/cmos compatible input buffer

Номер патента: CA1267196A. Автор: Hung-Cheng Hsieh. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 1990-03-27.

CMOS-compatible read only memory and method for fabricating the same

Номер патента: EP1463119A1. Автор: Hsin-Ming Chen,Ching-Hsiang Hsu,Shih-Jye Shen,Ming-Chou Ho,Wei-Zhe Wong,Shih-Chan Huang. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2004-09-29.

Short-wave infrared detector and its integration with cmos compatible substrates

Номер патента: EP3738147A1. Автор: Claude MEYLAN. Владелец: Iris Industries SA. Дата публикации: 2020-11-18.

Short-wave infrared detector and its integration with CMOS compatible substrates

Номер патента: US11888014B2. Автор: Claude MEYLAN. Владелец: Zedel Sarl. Дата публикации: 2024-01-30.

Cmos compatible thermopile with low impedance contact

Номер патента: US20150349023A1. Автор: Kenneth J. Maggio,Henry Litzmann Edwards,Jeffrey R. DeBord. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-12-03.

Cmos compatible thermopile with low impedance contact

Номер патента: US20160372516A1. Автор: Kenneth J. Maggio,Henry Litzmann Edwards,Jeffrey R. DeBord. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-12-22.

CMOS compatible thermopile with low impedance contact

Номер патента: US09818795B2. Автор: Kenneth J. Maggio,Henry Litzmann Edwards,Jeffrey R. DeBord. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

CMOS compatible thermopile with low impedance contact

Номер патента: US09437652B2. Автор: Kenneth J. Maggio,Henry Litzmann Edwards,Jeffrey R. DeBord. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Structure for and method of fabricating a high-speed cmos-compatible ge-on-insulator photodetector

Номер патента: CN1918713A. Автор: A·格里尔,欧阳齐庆,J·O·初,G·K·德林格尔,S·J·克斯特,J·D·绍布. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-02-21.

CMOS compatible wafer bonding layer and process

Номер патента: CN104377163A. Автор: R·库马尔,P·R·耶勒汉卡,卢家辉,陈福勤,R·纳加拉贾,易俊豪,吴稼祺,田晶泽. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2015-02-25.

CMOS compatible process with different-voltage devices

Номер патента: US20060030107A1. Автор: Jenn-Yu Lin,Ta-Yung Yang,Chih-Feng Huang,Tuo-Hsin Chien. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-09.

Cmos-compatible graphene structures, interconnects and fabrication methods

Номер патента: EP4214158A2. Автор: Kaustav Banerjee,Junkai JIANG,Kunjesh AGASHIWALA. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2023-07-26.

Large-area wafer-scale cmos-compatible 2d-material intercalation doping tools, processes, and methods, including doping of synthesized graphene

Номер патента: US20240258118A1. Автор: Satish Sundar,Kaustav Banerjee,Ravi Iyengar. Владелец: Destination 2d Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Cmos-compatible bulk-micromachining process for single-crystal mems/nems devices

Номер патента: WO2009117218A1. Автор: Demetrios P. Papageorgiou. Владелец: Solid-State Research. Дата публикации: 2009-09-24.

Different-voltage device manufactured by a cmos compatible process and high-voltage device used in the different-voltage device

Номер патента: US20070178648A1. Автор: Jenn-Yu Lin,Ta-Yung Yang,Chih-Feng Huang,Tuo-Hsin Chien. Владелец: System General Corp Taiwan. Дата публикации: 2007-08-02.

Large-area/wafer-scale cmos-compatible 2d-material intercalation doping tools, processes, and methods, including doping of synthesized graphene

Номер патента: WO2024158578A1. Автор: Satish Sundar,Kaustav Banerjee,Ravi Iyengar. Владелец: Destination 2D Inc.. Дата публикации: 2024-08-02.

CMOS-compatible germanium tunable laser

Номер патента: US09985416B2. Автор: Thomas Schröder,Christian Wenger,Giovanni Capellini,Grzegorz Kozlowski. Владелец: IHP GMBH. Дата публикации: 2018-05-29.

Fully integrated CMOS-compatible photodetector with color selectivity and intrinsic gain

Номер патента: US09806217B2. Автор: Nancy J. Halas,Peter Nordlander,Yumin Wang,Bob Yi Zheng. Владелец: William Marsh Rice University. Дата публикации: 2017-10-31.

Cmos-compatible graphene structures, interconnects and fabrication methods

Номер патента: WO2022140026A3. Автор: Kaustav Banerjee,Junkai JIANG,Kunjesh AGASHIWALA. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2022-09-15.

CMOS compatible shallow-trench e-fuse structure and method of manufacturing the same

Номер патента: CN100483715C. Автор: 杨智超,许履尘,杰克·阿兰·迈德曼,威廉·罗伯特·汤迪. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-04-29.

CMOS compatible shallow-trench efuse structure and method

Номер патента: US20070120218A1. Автор: Louis Hsu,Chih-Chao Yang,Jack Mandelman,William Tonti. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-05-31.

Monolithic, multi-mode, cmos-compatible imager with active, per-pixel drive and sense circuitry for transducers

Номер патента: US20230353903A1. Автор: Amit Lal,Serhan Ardanuc,Justin Kuo. Владелец: Geegah LLC. Дата публикации: 2023-11-02.

Cmos compatible light emitting tunnel junction (letj)

Номер патента: WO2020231926A1. Автор: Volker J. Sorger,Hasan GOKTAS. Владелец: The George Washington University. Дата публикации: 2020-11-19.

CMOS-COMPATIBLE GOLD-FREE CONTACTS

Номер патента: US20140050243A1. Автор: Jones Richard,HECK John,Bowers John,Jain Siddharth,Sysak Matthew,Feldesh Ran,Shetrit Yoel,Geva Michael. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-20.

COMPLEX CIRCUIT ELEMENT AND CAPACITOR UTILIZING CMOS COMPATIBLE ANTIFERROELECTRIC HIGH-K MATERIALS

Номер патента: US20150014813A1. Автор: Mueller Johannes,Triyoso Dina H.,Polakowski Patrick,SEIDEL Konrad,Nolan Mark Gerard,Weinreich Wenke. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-01-15.

CMOS COMPATIBLE WAFER BONDING LAYER AND PROCESS

Номер патента: US20150048509A1. Автор: Kumar Rakesh,Wu Jiaqi,Yelehanka Pradeep Ramachandramurthy,NAGARAJAN Ranganathan,TAN Fu Chuen,LOW Kia Hwee Samuel,YIK Chun Hoe,TIAN Jingze. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-19.

Method for Fabricating CMOS Compatible Contact Layers in Semiconductor Devices

Номер патента: US20150162212A1. Автор: CAVACO Celso,Van Hove Marleen,De Jaeger Brice,Motsnyi Vasyl. Владелец: IMEC VZW. Дата публикации: 2015-06-11.

SHORT-WAVE INFRARED DETECTOR AND ITS INTEGRATION WITH CMOS COMPATIBLE SUBSTRATES

Номер патента: US20210210544A1. Автор: FONTCUBERTA MORRAL Anna,CHUNG Mintae. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-08.

FULLY INTEGRATED CMOS-COMPATIBLE PHOTODETECTOR WITH COLOR SELECTIVITY AND INTRINSIC GAIN

Номер патента: US20150318415A1. Автор: Nordlander Peter,WANG Yumin,Zheng Bob Yi,Halas Naomi J.. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-05.

CMOS COMPATIBLE DEVICE BASED ON FOUR-TERMINAL SWITCHING LATTICES

Номер патента: US20200312728A1. Автор: ALTUN Mustafa,SAFALTIN Serzat,CEVIK Ismail. Владелец: ISTANBUL TEKNIK UNIVERSITESI. Дата публикации: 2020-10-01.

CMOS COMPATIBLE THERMOPILE WITH LOW IMPEDANCE CONTACT

Номер патента: US20150349023A1. Автор: Edwards Henry Litzmann,Debord Jeffrey R.,MAGGIO KENNETH J.. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

CMOS COMPATIBLE THERMOPILE WITH LOW IMPEDANCE CONTACT

Номер патента: US20160372516A1. Автор: Edwards Henry Litzmann,Debord Jeffrey R.,MAGGIO KENNETH J.. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-22.

SHORT-WAVE INFRARED DETECTOR AND ITS INTEGRATION WITH CMOS COMPATIBLE SUBSTRATES

Номер патента: US20200357841A1. Автор: MEYLAN Claude. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-12.

CMOS Compatible Non-Filamentary Resistive Memory Stack

Номер патента: US20190393413A1. Автор: Ando Takashi,Bruley John,Cartier Eduard A.,Pyzyna Adam M.. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-26.

FERROELECTRIC MATERIAL, MEMS COMPONENT COMPRISING A FERROELECTRIC MATERIAL, MEMS DEVICE COMPRISING A FIRST MEMS COMPONENT, METHOD OF PRODUCING A MEMS COMPONENT, AND METHOD OF PRODUCING A CMOS-COMPATIBLE MEMS COMPONENT

Номер патента: US20200411747A1. Автор: LOFINK Fabian,KADEN Dirk,WAGNER BERNHARD,FICHTNER Simon. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-31.

How to fabricate a CMOS compatible with salicide with a differential oxide implant mask

Номер патента: KR0143408B1. Автор: 류 티안-아이,텡 치-시에. Владелец: 존 지. 웨브. Дата публикации: 1998-07-01.

Structure for and method of fabricating a high-speed CMOS-compatible Ge-on-insulator photodetector

Номер патента: US7138697B2. Автор: Alfred Grill,Jack O. Chu,Gabriel K. Dehlinger,Steven J. Koester,Qiging Ouyang,Jeremy D. Schaub. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-11-21.

Cmos compatible microchannel heat sink for electronic cooling and its fabrication

Номер патента: WO2012005706A1. Автор: Haluk Kulah,Aziz Koyuncuoglu,Tuba Ozyurt Okutucu. Владелец: Tuba Ozyurt Okutucu. Дата публикации: 2012-01-12.

A CMOS-compatible germanium tunable Laser

Номер патента: EP2626917A1. Автор: Thomas Schröder,Christian Wenger,Giovanni Capellini,Grzegorz Kozlowski. Владелец: IHP GMBH. Дата публикации: 2013-08-14.

Cmos compatible microchannel heat sink for electronic cooling and its fabrication

Номер патента: EP2591500A1. Автор: Haluk Kulah,Aziz Koyuncuoglu,Tuba Ozyurt Okutucu. Владелец: Ozyurt Okutucu Tuba. Дата публикации: 2013-05-15.

Method of chemical doping that uses CMOS-compatible processes

Номер патента: US11798808B1. Автор: Andrew Jay Leenheer,Tzu-Ming Lu,Shashank MISRA,Daniel Robert Ward,DeAnna Marie Campbell,Scott William Schmucker,Evan Michael Anderson,Jeffrey Andrew Ivie. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2023-10-24.

Cmos-compatible graphene structures, interconnects and fabrication methods

Номер патента: US20240014071A1. Автор: Kaustav Banerjee,Junkai JIANG,Kunjesh AGASHIWALA. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-01-11.

Cmos-compatible resistive random-access memory devices with a via device structure

Номер патента: US20240114813A1. Автор: Ning Ge,Minxian Zhang,Mingche Wu. Владелец: Tetramem Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Cmos-compatible three-dimensional image sensor ic

Номер патента: EP1218692A4. Автор: Cyrus Bamji. Владелец: Canesta Inc. Дата публикации: 2002-12-04.

Random access memory with cmos-compatible nonvolatile storage element and parallel storage capacitor

Номер патента: US20120262980A1. Автор: G. R. Mohan Rao. Владелец: S Aqua Semiconductor LLC. Дата публикации: 2012-10-18.

Random access memory with cmos-compatible nonvolatile storage element and parallel storage capacitor

Номер патента: WO2009154833A2. Автор: G.R. Mohan Rao. Владелец: S. Aqua Semiconductor Llc. Дата публикации: 2009-12-23.

CMOS-compatible MEM switches and method of making

Номер патента: US6396368B1. Автор: Tsung-Yuan Hsu,Adele Schmitz,Lap-Wai Chow,Daniel J. Hyman,Robert Y. Loo,Paul Ouyang,James H. Schaffner,Robert N. Schwartz. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2002-05-28.

CMOS-COMPATIBLE GERMANIUM TUNABLE LASER

Номер патента: US20150063382A1. Автор: Capellini Giovanni,Wenger Christian,Schroder Thomas,Kozlowski Grzegorz. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-05.

CMOS COMPATIBLE RARE-EARTH-DOPED WAVEGUIDE AMPLIFIER

Номер патента: US20180083411A1. Автор: Kang Inuk. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-22.

Method of fabricating micro-electromechanical switches on cmos compatible substrates

Номер патента: US20040126921A1. Автор: Timothy Dalton,Richard Volant,Seshadri Subbanna,Kenneth Stein,Robert Groves,Kevin Petrarca,John Bisson,Donna Cote. Владелец: Cote Donna R.. Дата публикации: 2004-07-01.

Inkjet nozzle with CMOS compatible actuator voltage

Номер патента: US20050024434A1. Автор: Kia Silverbrook. Владелец: SILVERBROOK RESEARCH PTY LTD. Дата публикации: 2005-02-03.

Nonvolatile CMOS-compatible logic circuits and related operating methods

Номер патента: TW201236012A. Автор: An Chen,Zoran Krivokapic. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2012-09-01.

Non-volatile CMOS-compatible logic circuits and associated operating methods

Номер патента: DE102012201789A1. Автор: An Chen,Zoran Krivokapic. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-08-09.

CMOS-Compatible High-Speed and Low-Power Random Number Generator

Номер патента: US20200364032A1. Автор: Hekmatshoartabari Bahman,SHAHIDI Ghavam. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-19.

Nonvolatile cmos-compatible logic circuits and related operating methods

Номер патента: KR101310339B1. Автор: 안 첸,조란 크리보카픽. Владелец: 글로벌파운드리즈 인크.. Дата публикации: 2013-09-23.

Standard cmos compatible band gap reference

Номер патента: AU2001277144A1. Автор: Sam Ochi. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2002-02-05.

Cmos compatible biofet

Номер патента: US20160209355A1. Автор: Chung-Yen Chou,Yuan-Chih Hsieh,Lee-Chuan Tseng,Che-Ming CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-21.

CMOS compatible biofet

Номер патента: US09714914B2. Автор: Chung-Yen Chou,Yuan-Chih Hsieh,Lee-Chuan Tseng,Che-Ming CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Backside CMOS Compatible BioFET with No Plasma Induced Damage

Номер патента: US20140252421A1. Автор: Cheng Chun-Wen,Liu Yi-Shao,Cheng Chun-Ren,Chen Ching-Ray,CHANG Yi-Hsien,Lai Fei-Lung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-09-11.

CMOS COMPATIBLE BIOFET

Номер патента: US20160209355A1. Автор: HSIEH Yuan-Chih,Tseng Lee-Chuan,CHOU Chung-Yen,Chang Che-Ming. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-21.

CMOS Compatible Microneedle Structures

Номер патента: US20080319298A1. Автор: Roeland Huys,Carmen Bartic,Josine Loo. Владелец: KU Leuven Research and Development. Дата публикации: 2008-12-25.

CMOS-COMPATIBLE DEW POINT SENSOR DEVICE AND METHOD OF DETERMINING A DEW POINT

Номер патента: US20190094164A1. Автор: VAN STEENWINCKEL David,SOCCOl Dimitri,DAAMEN Roel,Bancken Pascal,Nguyen Hoang Viet. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-28.

CMOS Compatible Dew Point Sensor Device and Method of Determining a Dew Point

Номер патента: US20210223193A1. Автор: VAN STEENWINCKEL David,SOCCOl Dimitri,DAAMEN Roel,Bancken Pascal,Nguyen Hoang Viet. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-22.

CMOS compatible microneedle structures

Номер патента: EP1967581A1. Автор: Roeland Huys,Carmen Bartic,Josine Loo. Владелец: KU Leuven Research and Development. Дата публикации: 2008-09-10.

Integrated CMOS-compatible biochip

Номер патента: US20060223168A1. Автор: Patrice Parris. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-05.

Cmos compatible silicon differential condenser microphone and its manufacture method

Номер патента: CN103563399B. Автор: 王喆. Владелец: Goertek Inc. Дата публикации: 2017-06-09.

Cmos compatible pressure sensor for low pressures

Номер патента: WO2011079078A1. Автор: Holger Doering,Rainer Cholewa. Владелец: Silicon Microstructures, Inc.. Дата публикации: 2011-06-30.

Fabrication of RRAM Cell Using CMOS Compatible Processes

Номер патента: US20120241710A1. Автор: Nagarajan Raghavan,Chee Mang NG,Kin-Leong Pey,Wenhu Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2012-09-27.

Low temperature bi-cmos compatible process for mems rf resonators and filters

Номер патента: US20120270351A1. Автор: Christopher Vincent Jahnes,Leena Paivikki Buchwalter,Kevin Kok Chan,Timothy Joseph Dalton,James Francis Ziegler,James Louis Speidell,Kevin Shawn Petrarca,Jennifer Louise Lund. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-10-25.

OPTICAL DEVICE WITH A CMOS-COMPATIBLE ECHELLE GRATING

Номер патента: US20140086585A1. Автор: Zheng Xuezhe,Krishnamoorthy Ashok V.,Li Guoliang,Luo Ying L.. Владелец: ORACLE INTERNATIONAL CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-27.

CMOS COMPATIBLE CAPACITIVE ABSOLUTE PRESSURE SENSORS

Номер патента: US20180022600A1. Автор: ALSAIARY TARIQ SALIM,ALHOMOUDI IBRAHIM ABDULLAH. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-25.

CMOS COMPATIBLE MEMS MICROPHONE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150031160A1. Автор: Wang Zhe. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-29.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) COMPATIBLE RF SWITCH AND HIGH VOLTAGE CONTROL CIRCUIT (HVCC)

Номер патента: US20210050846A1. Автор: Guo Yan,Clancy Patrick T.. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-18.

DECISION FEEDBACK EQUALIZER USING CURRENT MODE PROCESSING WITH CMOS COMPATIBLE OUTPUT LEVEL

Номер патента: US20140177697A1. Автор: Nguyen Nam D.,Ozguc Ismail H.. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-26.

CMOS COMPATIBLE SILICON DIFFERENTIAL CONDENSER MICROPHONE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140239352A1. Автор: Wang Zhe. Владелец: GOERTEK INC.. Дата публикации: 2014-08-28.

CMOS compatible capacitive absolute pressure sensors

Номер патента: US10556791B2. Автор: Tariq Salim Alsaiary,Ibrahim Abdullah Alhomoudi. Владелец: King Abdulaziz City for Science and Technology KACST. Дата публикации: 2020-02-11.

Cmos compatible pressure sensor for low pressures

Номер патента: EP2517026A1. Автор: Holger Doering,Rainer Cholewa. Владелец: Silicon Microstructures Inc. Дата публикации: 2012-10-31.

Low Temperature BI-CMOS Compatible Process For MEMS RF Resonators and Filters

Номер патента: US20110109405A1. Автор: Christopher Vincent Jahnes,Leena Paivikki Buchwalter,Kevin Kok Chan,Timothy Joseph Dalton,James Francis Ziegler,James Louis Speidell,Kevin Shawn Petrarca,Jennifer Louise Lund. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-05-12.

FERROELECTRIC MATERIAL, MEMS COMPONENT WITH A FERROELECTRIC MATERIAL, MEMS DEVICE WITH A FIRST MEMS COMPONENT, METHOD FOR PRODUCING A MEMS COMPONENT, AND METHOD FOR PRODUCING A CMOS COMPATIBLE MEMS COMPONENT

Номер патента: DE102018203812A1. Автор: Fabian LOFINK,Bernhard Wagner,Dirk Kaden,Simon Fichtner. Владелец: Christian Albrechts Universitaet Kiel. Дата публикации: 2019-09-19.

Low temperature bi-CMOS compatible process for MEMS RF resonators and filters

Номер патента: US20090108381A1. Автор: Christopher Vincent Jahnes,Leena Paivikki Buchwalter,Kevin Kok Chan,Timothy Joseph Dalton,James Francis Ziegler,James Louis Speidell,Kevin Shawn Petrarca,Jennifer Louise Lund. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-04-30.

Systems for CMOS-compatible three-dimensional image sensing using quantum efficiency modulation

Номер патента: US20030076484A1. Автор: Cyrus Bamji,Edoardo Charbon. Владелец: Canesta Inc. Дата публикации: 2003-04-24.

Ferroelectric material, mems component comprising a ferroelectric material, mems device comprising a first mems component, method of producing a mems component, and method of producing a cmos-compatible mems component

Номер патента: US20230354713A1. Автор: Fabian LOFINK,Bernhard Wagner,Dirk Kaden,Simon Fichtner. Владелец: Christian Albrechts Universitaet Kiel. Дата публикации: 2023-11-02.

Cmos-compatible resistive random-access memory devices with a via device structure

Номер патента: WO2024073681A1. Автор: Ning Ge,Minxian Zhang,Mingche Wu. Владелец: TETRAMEM INC.. Дата публикации: 2024-04-04.

Ultra low-loss CMOS compatible silicon waveguides

Номер патента: US20070280616A1. Автор: Prakash Gothoskar,Margaret Ghiron,Vipulkumar Patel,David Piede. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-06.

A hybrid cmos compatible electro-optic device

Номер патента: US20220252913A1. Автор: Patrick Guo Qiang Lo,Shawn Yohanes SIEW,Larry Lian Xi JIA. Владелец: Advanced Micro Foundry Pte Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

A hybrid cmos compatible electro-optic device

Номер патента: WO2020218975A1. Автор: Patrick Guo Qiang Lo,Shawn Yohanes SIEW,Larry Lian Xi JIA. Владелец: Advanced Micro Foundry Pte. Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Hybrid CMOS compatible electro-optic device

Номер патента: US11994757B2. Автор: Patrick Guo Qiang Lo,Shawn Yohanes SIEW,Larry Lian Xi JIA. Владелец: Advanced Micro Foundry Pte Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

METHOD AND SYSTEM FOR A HIGH-DENSITY, LOW-COST, CMOS COMPATIBLE MEMORY

Номер патента: US20140301133A1. Автор: Yang Jianping,Imura Kimihiko. Владелец: MaxLinear, Inc.. Дата публикации: 2014-10-09.

CMOS Compatible Optical Modulators

Номер патента: US20170315421A1. Автор: Popovic Milos,Pavanello Fabio. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

Low loss SOI/CMOS compatible silicon waveguide and method of making the same

Номер патента: US7118682B2. Автор: Vipulkumar Kantilal Patel,Prakash Gothoskar,Robert Keith Montgomery,Margaret Ghiron. Владелец: SiOptical Inc. Дата публикации: 2006-10-10.

CMOS compatible band gap reference

Номер патента: US6657480B2. Автор: Sam S. Ochi. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2003-12-02.

Random access memory with cmos-compatible nonvolatile storage element in series with storage capacitor

Номер патента: WO2009111270A1. Автор: G.R. Mohan Rao. Владелец: S. Aqua Semiconductor Llc. Дата публикации: 2009-09-11.

Optical field concentrator using multiple low-index nano-layer configuration for CMOS compatible laser devices

Номер патента: US20070248308A1. Автор: Jurgen Michel,Lionel Kimerling,Ning-Ning Feng. Владелец: MASSACHUESTTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2007-10-25.

CMOS compatible fabrication process for a planar hyperspectral optical filter

Номер патента: DE102011111883B4. Автор: Daniel Gäbler,Damiana Lerose. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2015-08-27.

CMOS-compatible labeling of process liquids

Номер патента: DE19832097C1. Автор: Franz Laermer,Wilhelm Frey,Lothar Weber. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2000-02-10.

CMOS Compatible Microchannel Heat Sink for Electronic Cooling and Its Fabrication

Номер патента: US20130105135A1. Автор: Kulah Haluk,Koyuncuoglu Aziz,Okutucu Tuba Ozyurt. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-02.

DMOS transistor

Номер патента: US7304348B2. Автор: Bernd Heinemann,Karl-Ernst Ehwald,Holger Rucker. Владелец: IHP GMBH. Дата публикации: 2007-12-04.

Amorphous germanium waveguides for spectroscopic sensing and data communication applications

Номер патента: US20220065793A1. Автор: Kazumi Wada,Jurgen Michel,Anuradha M. Agarwal,Lionel C. Kimerling,Eveline Postelnicu,Samarth Aggarwal,Michelle L. Clark. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2022-03-03.

Amorphous germanium waveguides for spectroscopic sensing and data communication applications

Номер патента: US20200158651A1. Автор: Kazumi Wada,Jurgen Michel,Anuradha M. Agarwal,Lionel C. Kimerling,Eveline Postelnicu,Samarth Aggarwal,Michelle L. Clark. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-05-21.

CMOS cap for MEMS devices

Номер патента: US11990498B2. Автор: Ilker Ender Ocak,Wan Chia ANG,Piotr Kropelnicki,Paul Simon Pontin. Владелец: Meridian Innovation Pte Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Device

Номер патента: US20240186440A1. Автор: Nir YAACOBI-GROSS. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device fabrication

Номер патента: US09954088B2. Автор: Sudhiranjan Tripathy,Surani Bin Dolmanan,Manippady Krishna Kumar,Lakshmi Kanta Bera,Rasanayagam Sivasayan KAJEN. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2018-04-24.

Optical scrambler having pyramids

Номер патента: US20200251602A1. Автор: Mark M. Tehranipoor,Domenic J. Forte,Haoting Shen,Navid Asadizanjani. Владелец: University of Florida Research Foundation Inc. Дата публикации: 2020-08-06.

A device and method for generating a supercontinuum

Номер патента: US20210302245A1. Автор: Benjamin Eggleton,Dawn Tan,Ezgi Sahin. Владелец: SINGAPORE UNIVERSITY OF TECHNOLOGY AND DESIGN. Дата публикации: 2021-09-30.

Device

Номер патента: GB2624158A. Автор: Yaacobi-Gross Nir. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Silicon wafer with embedded optoelectronic material for monolithic OEIC

Номер патента: US20020040983A1. Автор: Eugene Fitzergald. Владелец: Amber Wave Systems Inc. Дата публикации: 2002-04-11.

Programmable logic circuit architecture using resistive memory elements

Номер патента: US09461649B2. Автор: Bingjun Xiao,Jingsheng J. CONG. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2016-10-04.

Polycrystalline ferroelectric capacitor heterostructure employing hybrid electrodes

Номер патента: MY117284A. Автор: Ramamoorthy Ramesh. Владелец: Telcordia Tech Inc. Дата публикации: 2004-06-30.

Systems and methods for porous tool

Номер патента: WO2024126221A1. Автор: . Владелец: IQE plc. Дата публикации: 2024-06-20.

Optical control of an electrical waveguide switch using a photoconductive patch controlled by optical power supplied by an optical waveguide

Номер патента: US11936082B2. Автор: Hung-Hsi Lin,Yeshaiahu Fainman,Abdelkrim El Amili,Cheng-Yi FANG. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-03-19.

Metal silicide nanowires and methods of their production

Номер патента: US20100279115A1. Автор: Song Jin,Andrew L. Schmitt,Yipu Song. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2010-11-04.

Silicon on insulator (soi) transcap integration providing front and back gate capacitance tuning

Номер патента: US20190035945A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-01-31.

Silicon on insulator (soi) transcap device providing front and back gate capacitance tuning

Номер патента: WO2019022877A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-01-31.

Using a compliant layer to eliminate bump bonding

Номер патента: US11735692B2. Автор: Winston K. Chan. Владелец: SRI International Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Using a compliant layer to eliminate bump bonding

Номер патента: EP3891779A1. Автор: Winston K. Chan. Владелец: Stanford Research Institute. Дата публикации: 2021-10-13.

Using a compliant layer to eliminate bump bonding

Номер патента: US20210359160A1. Автор: Winston K. Chan. Владелец: SRI International Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

Method for forming programmable cmos rom devices

Номер патента: US20010011749A1. Автор: Ross Alan Kohler. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2001-08-09.

MEMS-based, computer systems, clock generation and oscillator circuits and LC-tank apparatus for use therein

Номер патента: US20030210101A1. Автор: Richard Brown,Michael McCorquodale. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2003-11-13.

CMOS-MEMS process

Номер патента: US7435612B2. Автор: Chin-Fong Chiu,Ying-Zong Juang,Fu-Yuan Xiao. Владелец: NATIONAL APPLIED RESEARCH LABORATORIES NATIONAL CHIP IMPLEMENTATION CENTER. Дата публикации: 2008-10-14.

Method and structure for creating a self-aligned bicmos-compatible bipolar transistor with a laterally graded emitter structure

Номер патента: US5444003A. Автор: Ho-Yuan Yu,Ying-Tsong Loh,Chung S. Wang. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 1995-08-22.

Peak detection circuit

Номер патента: US5324994A. Автор: Steven K. Sullivan,Joseph R. Peter. Владелец: Tektronix Inc. Дата публикации: 1994-06-28.

Sputter deposited crystalline ordered topological insulator/ferromagnet (TI/FM) thin film heterostructures for spintronics applications

Номер патента: US11968905B2. Автор: Nian-Xiang Sun,Nirjhar Bhattacharjee. Владелец: NORTHEASTERN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-04-23.

Methods and devices for photonic M-ary pulse amplitude modulation

Номер патента: US09470951B2. Автор: Monireh MOAYEDI POUR FARD,Odile Liboiron-Ladouceur,Mohammad Shafiqul Hai. Владелец: Royal Institution for the Advancement of Learning. Дата публикации: 2016-10-18.

Gas-sensing semiconductor devices

Номер патента: GB2422017A. Автор: Florin Udrea,Julian William Gardner,James Anthony Covington. Владелец: University of Warwick. Дата публикации: 2006-07-12.

A cmos method of fabricating a combination of an ion sensitive field effect transistor (isfet) and mosfet device

Номер патента: WO2014189360A1. Автор: Zain Azlina Mohd,Mohd Rofei Mat Hussin,Muhamad Ramdzan Buyong,Zaini Khairil Mazwan MOHD,Sharaifah Kamariah WAN SABLI. Владелец: MIMOS BERHAD. Дата публикации: 2014-11-27.

Complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) multi-well apparatus for electrical cell assessment

Номер патента: CA3187266A1. Автор: Donhee Ham,Hongkun Park,Wenxuan Wu,Henry Julian HINTON,Jeffrey T. Abbott. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2021-12-23.

Complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) multi-well apparatus for electrical cell assessment

Номер патента: EP4168316A1. Автор: Donhee Ham,Hongkun Park,Wenxuan Wu,Henry Julian HINTON,Jeffrey T. Abbott. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2023-04-26.

Compact fluid analysis device and method to fabricate

Номер патента: US09617149B2. Автор: Liesbet Lagae,Peter Peumans. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-04-11.

Complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) multi-well apparatus for electrical cell assessment

Номер патента: US20230184739A1. Автор: Donhee Ham,Hongkun Park,Wenxuan Wu,Henry Julian HINTON,Jeffrey T. Abbott. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2023-06-15.

A method of fabricating ion sensitive field effect transistor (isfet) device

Номер патента: MY163969A. Автор: Binti Mohd Zain Azlina,Rofei Bin Mat Hussin Mohd,Ramdzan Bin Buyong Muhamad,Mazwan Bin Mohd Zaini Khairil,Kamariah Binti Wan Sabli Sharaifah. Владелец: MIMOS BERHAD. Дата публикации: 2017-11-15.

Cmos to ecl interface circuit

Номер патента: CA1262175A. Автор: Mehdi H. Sani,Donald G. Tipon. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1989-10-03.

Transmit-receive delay element apparatus, method, and applications

Номер патента: US20190074818A1. Автор: Amit Lal,Justin Kuo,Mamdouh ABDELMEJEED. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-03-07.

On-chip power converter circuit and on-chip power supply using the power converter circuit

Номер патента: US9450518B2. Автор: Faisal Khan,Abusaleh Imtiaz. Владелец: University of Utah Research Foundation UURF. Дата публикации: 2016-09-20.

ZPROM manufacture and design and methods for forming thin structures using spacers as an etching mask

Номер патента: US5851882A. Автор: Steven T. Harshfield. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-12-22.

Carbon Nanotube Field-Effect Transistors And Related Manufacturing Techniques

Номер патента: US20230232641A1. Автор: Max SHULAKER,Mindy BISHOP. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2023-07-20.

Apparatus and method of modulating polarization of light using magnetophoton meta-surfaces

Номер патента: RU2703487C1. Автор: Андрей Анатольевич Федянин,Александр Игоревич Мусорин,Александр Сергеевич ШОРОХОВ,Мария Геннадьевна Барсукова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2019-10-17.

Node-precise voltage regulation for a mos memory system

Номер патента: WO1999000797A3. Автор: Fu-Chang Hsu,Hsing-Ya Tsao,Peter W Lee. Владелец: Aplus Flash Technology Inc. Дата публикации: 1999-03-25.

Birefringent waveguide circuit having an optical hybrid

Номер патента: US20180341062A1. Автор: Po Dong,Argishti Melikyan. Владелец: NOKIA SOLUTIONS AND NETWORKS OY. Дата публикации: 2018-11-29.

Metalens with artificial focus pattern

Номер патента: US11933939B2. Автор: Mao Ye,Ya Sha YI. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2024-03-19.

Monolithically integrated optical analog-to-digital conversion system based on lithium niobate-silicon wafer and method for manufacturing the same

Номер патента: US11874582B2. Автор: Jing Wang,Weiwen ZOU,Shaofu XU. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2024-01-16.

Номер патента: RU2359359C1. Автор: Владимир Павлович Попов,Юрий Владимирович Настаушев,Ольга Викторовна Наумова,Светлана Федоровна Девятова. Владелец: Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2009-06-20.

Self-biased, high-gain differential amplifier with feedback

Номер патента: CA1289631C. Автор: Mel Bazes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1991-09-24.

Cmos compatible biofet

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты