High-bandwidth memory application with controlled impedance loading
Номер патента: WO2017083230A1
Опубликовано: 18-05-2017
Автор(ы): Kyong-Mo Bang, Yong Chen, Zhuowen Sun
Принадлежит: INVENSAS CORPORATION
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 18-05-2017
Автор(ы): Kyong-Mo Bang, Yong Chen, Zhuowen Sun
Принадлежит: INVENSAS CORPORATION
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
High-bandwidth memory application with controlled impedance loading
Номер патента: US09484080B1. Автор: Zhuowen Sun,Yong Chen,Kyong-Mo Bang. Владелец: Invensas LLC. Дата публикации: 2016-11-01.