Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

3D integrated ultra high-bandwidth memory

Номер патента: US11043472B1
Опубликовано: 22-06-2021
Автор(ы): Amrita MATHURIYA, Debo Olaosebikan, Rajeev Kumar Dokania, Sasikanth Manipatruni
Принадлежит: Kepler Compute Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Intelligent high bandwidth memory appliance

Номер патента: US20190050325A1. Автор: Robert Brennan,Hongzhong Zheng,Jinhyun Kim,Krishna T. MALLADI,Hyungseuk KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-14.

Techniques to couple high bandwidth memory device on silicon substrate and package substrate

Номер патента: US11557333B2. Автор: Shigeki Tomishima,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis,Chong J. ZHAO. Владелец: Tahoe Research Ltd. Дата публикации: 2023-01-17.

Techniques to couple high bandwidth memory device on silicon substrate and package substrate

Номер патента: US20240029785A1. Автор: Shigeki Tomishima,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis,Chong J. ZHAO. Владелец: Tahoe Research Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Techniques to couple high bandwidth memory device on silicon substrate and package substrate

Номер патента: US11776619B2. Автор: Shigeki Tomishima,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis,Chong J. ZHAO. Владелец: Tahoe Research Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Techniques to couple high bandwidth memory device on silicon substrate and package substrate

Номер патента: US11056179B2. Автор: Shigeki Tomishima,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis,Chong J. ZHAO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-07-06.

Techniques to couple high bandwidth memory device on silicon substrate and package substrate

Номер патента: US20210335414A1. Автор: Shigeki Tomishima,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis,Chong J. ZHAO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Techniques to couple high bandwidth memory device on silicon substrate and package substrate

Номер патента: US12087352B2. Автор: Shigeki Tomishima,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis,Chong J. ZHAO. Владелец: Tahoe Research Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Off-package high density, high bandwidth memory access using optical links

Номер патента: US20220092016A1. Автор: Sergey Yuryevich Shumarayev,Md Altaf Hossain,Sandeep Sane,Dheeraj Subbareddy,Ankireddy Nalamalpu,Anshuman Thakur,Conor O'keeffe,Mahesh K. Kumashikar,Casey G. THIELEN,Daniel S. Klowden,Kevin P. Ma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

High bandwidth memories and systems including the same

Номер патента: US20210193615A1. Автор: Youngcheon Kwon,Kyomin Sohn,Yaeyoun Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-24.

Techniques to couple high bandwidth memory device on silicon substrate and package substrate

Номер патента: US20200143870A1. Автор: Shigeki Tomishima,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis,Chong J. ZHAO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Flash-integrated high bandwidth memory appliance

Номер патента: US11921638B2. Автор: Hongzhong Zheng,Krishna T. MALLADI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-05.

Flash-integrated high bandwidth memory appliance

Номер патента: US20220300426A1. Автор: Hongzhong Zheng,Krishna T. MALLADI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-22.

High bandwidth memory package for high performance processors

Номер патента: WO2019199471A1. Автор: Nam Hoon Kim,Teckgyu Kang,Woon seong Kwon. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2019-10-17.

High Bandwidth Memory Package For High Performance Processors

Номер патента: US20200098715A1. Автор: Nam Hoon Kim,Teckgyu Kang,Woon seong Kwon. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2020-03-26.

High bandwidth memory package for high performance processors

Номер патента: EP3776650A1. Автор: Nam Hoon Kim,Teckgyu Kang,Woon seong Kwon. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2021-02-17.

Apparatus including multiple high bandwidth memory cubes

Номер патента: US20240371410A1. Автор: Raghukiran Sreeramaneni,Nevil N. Gajera,Lingming Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Integrated circuit device and high bandwidth memory device

Номер патента: US20200132432A1. Автор: Jong Pil Son,Woo Yeong Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-30.

High bandwidth memory (HBM) bandwidth aggregation switch

Номер патента: US09911465B1. Автор: Sagheer Ahmad,Rafael C. Camarota,Martin Newman. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

HIGH BANDWIDTH MEMORY (HBM) BANDWIDTH AGGREGATION SWITCH

Номер патента: US20180358313A1. Автор: Ahmad Sagheer,Newman Martin. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2018-12-13.

MONOLITHIC THREE DIMENSIONAL (3D) INTEGRATED CIRCUITS (ICs) (3DICs) WITH VERTICAL MEMORY COMPONENTS, RELATED SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20150109843A1. Автор: Yang Du,Kambiz Samadi,Pratyush Kamal. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-04-23.

Monolithic three dimensional (3d) integrated circuits (ics) (3dics) with vertical memory components

Номер патента: EP3060967A1. Автор: Yang Du,Kambiz Samadi,Pratyush Kamal. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-08-31.

Memory system having combined high density, low bandwidth and low density, high bandwidth memories

Номер патента: EP4432354A2. Автор: Farid Nemati,Sukalpa Biswas. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-09-18.

Memory system having combined high density, low bandwidth and low density, high bandwidth memories

Номер патента: EP3852107B1. Автор: Farid Nemati,Sukalpa Biswas. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Memory system having combined high density, low bandwidth and low density, high bandwidth memories

Номер патента: US11468935B2. Автор: Farid Nemati,Sukalpa Biswas. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2022-10-11.

Memory system having combined high density, low bandwidth and low density, high bandwidth memories

Номер патента: US11830534B2. Автор: Farid Nemati,Sukalpa Biswas. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Memory System Having Combined High Density, Low Bandwidth and Low Density, High Bandwidth Memories

Номер патента: US20240161804A1. Автор: Farid Nemati,Sukalpa Biswas. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Memory System Having Combined High Density, Low Bandwidth and Low Density, High Bandwidth Memories

Номер патента: US20210125657A1. Автор: Farid Nemati,Sukalpa Biswas. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2021-04-29.

Memory System Having Combined High Density, Low Bandwidth and Low Density, High Bandwidth Memories

Номер патента: US20200143866A1. Автор: Farid Nemati,Sukalpa Biswas. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Memory System Having Combined High Density, Low Bandwidth and Low Density, High Bandwidth Memories

Номер патента: US20190198083A1. Автор: Farid Nemati,Sukalpa Biswas. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Memory system with combined high density, low bandwidth and low density, high bandwidth memories

Номер патента: KR102273002B1. Автор: 수칼파 비스와스,파리드 네마티. Владелец: 애플 인크.. Дата публикации: 2021-07-06.

Memory system having combined high density, low bandwidth and low density, high bandwidth memories

Номер патента: KR20210083406A. Автор: 수칼파 비스와스,파리드 네마티. Владелец: 애플 인크.. Дата публикации: 2021-07-06.

3d high bandwidth memory and optical connectivity stacking

Номер патента: EP4312260A1. Автор: HONG Liu,Biao He,Sukalpa Biswas,Georgios Konstadinidis,Zuowei Shen,Jaesik Lee,Teckgyu Kang,Yujeong Shim,Horia Alexandru TOMA. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-01-31.

3D High Bandwidth Memory and Optical Connectivity Stacking

Номер патента: US20240036278A1. Автор: HONG Liu,Biao He,Sukalpa Biswas,Georgios Konstadinidis,Zuowei Shen,Jaesik Lee,Teckgyu Kang,Yujeong Shim,Horia Alexandru TOMA. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-02-01.

High-bandwidth memory application with controlled impedance loading

Номер патента: US09484080B1. Автор: Zhuowen Sun,Yong Chen,Kyong-Mo Bang. Владелец: Invensas LLC. Дата публикации: 2016-11-01.

INTERPOSER HEATER FOR HIGH BANDWIDTH MEMORY APPLICATIONS

Номер патента: US20180108642A1. Автор: Sauter Wolfgang,ARSOVSKI Igor. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-19.

High-bandwidth memory application with controlled impedance loading

Номер патента: US20170133081A1. Автор: Zhuowen Sun,Yong Chen,Kyong-Mo Bang. Владелец: Invensas LLC. Дата публикации: 2017-05-11.

High-bandwidth memory application with controlled impedance loading

Номер патента: EP3374994A1. Автор: Zhuowen Sun,Yong Chen,Kyong-Mo Bang. Владелец: Invensas LLC. Дата публикации: 2018-09-19.

High-bandwidth memory application with controlled impedance loading

Номер патента: WO2017083230A1. Автор: Zhuowen Sun,Yong Chen,Kyong-Mo Bang. Владелец: INVENSAS CORPORATION. Дата публикации: 2017-05-18.

High-bandwidth memory application with controlled impedance loading

Номер патента: EP3374994A4. Автор: Zhuowen Sun,Yong Chen,Kyong-Mo Bang. Владелец: Invensas LLC. Дата публикации: 2019-06-19.

Latch-up suppression and substrate noise coupling reduction through a substrate back-tie for 3D integrated circuits

Номер патента: US09817928B2. Автор: Victor Moroz,Jamil Kawa. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Power gate placement techniques in three-dimensional (3D) integrated circuits (ICs) (3DICs)

Номер патента: US09754923B1. Автор: Yang Du,Javid Jaffari,Jing Xie,Kambiz Samadi,Pratyush Kamal. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Latch-up suppression and substrate noise coupling reduction through a substrate back-tie for 3d integrated circuits

Номер патента: US20160034620A1. Автор: Victor Moroz,Jamil Kawa. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2016-02-04.

Clock distributing network for 3D integrated circuit

Номер патента: CN104937596B. Автор: Y·杜,J·谢,K·萨马迪,S·A·潘. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-08-24.

Energy Efficient Power Distribution for 3D INTEGRATED CIRCUIT Stack

Номер патента: US20120250443A1. Автор: SUPRIYANTO SUPRIYANTO,Andre Schaefer,Ruchir Saraswat. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-04.

Energy efficient power distribution for 3d integrated circuit stack

Номер патента: KR101566259B1. Автор: 안드레 쉐퍼,루쳐 사라스와트,수프리얀토 수프리얀토. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2015-11-05.

Energy efficient power distribution for 3d integrated circuit stack

Номер патента: WO2012135772A2. Автор: SUPRIYANTO SUPRIYANTO,Andre Schaefer,Ruchir Saraswat. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2012-10-04.

High bandwidth memory having plural channels

Номер патента: US10943622B2. Автор: Seiji Narui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-09.

High bandwidth memory having plural channels

Номер патента: WO2020163227A1. Автор: Seiji Narui. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-08-13.

High Bandwidth Memory Having Plural Channels

Номер патента: US20200411062A1. Автор: Seiji Narui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

High bandwidth memory having plural channels

Номер патента: US20200251148A1. Автор: Seiji Narui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-06.

Memory System Having Combined High Density, Low Bandwidth and Low Density, High Bandwidth Memories

Номер патента: US20220415379A1. Автор: Biswas Sukalpa,Nemati Farid. Владелец: . Дата публикации: 2022-12-29.

Apparatus including multiple high bandwidth memory cubes

Номер патента: WO2024228879A1. Автор: Raghukiran Sreeramaneni,Nevil N. Gajera,Lingming Yang. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-11-07.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND HIGH BANDWIDTH MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200132432A1. Автор: SON Jong Pil,CHO Woo Yeong. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

TECHNIQUES TO COUPLE HIGH BANDWIDTH MEMORY DEVICE ON SILICON SUBSTRATE AND PACKAGE SUBSTRATE

Номер патента: US20200143870A1. Автор: Bains Kuljit S.,McCALL James A.,VERGIS George,Tomishima Shigeki,ZHAO Chong J.. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-07.

HIGH BANDWIDTH MEMORY HAVING PLURAL CHANNELS

Номер патента: US20200251148A1. Автор: NARUI Seiji. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-08-06.

High Bandwidth Memory Having Plural Channels

Номер патента: US20200411062A1. Автор: NARUI Seiji. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-12-31.

High bandwidth memory system using multilevel signaling

Номер патента: US11631444B2. Автор: Cheolmin Park,Byungsuk Woo,Changkyu Seol,SuCheol Lee,Chanik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-18.

High bandwidth memory system using multi-level signaling

Номер патента: KR20220108265A. Автор: 이수철,박찬익,박철민,설창규,우병석. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-08-03.

High bandwidth memory package for high performance processors

Номер патента: US10515920B2. Автор: Nam Hoon Kim,Teckgyu Kang,Woon seong Kwon. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2019-12-24.

High bandwidth memory package for high performance processors

Номер патента: TW201946169A. Автор: 權雲勝,泰奎 姜,金南宏. Владелец: 美商谷歌有限責任公司. Дата публикации: 2019-12-01.

Memory interface with configurable high-speed serial data lanes for high bandwidth memory

Номер патента: US11810640B2. Автор: Aran Ziv,Dean Gans. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Three-dimensional (3D) memory cell separation among 3D integrated circuit (IC) tiers, and related 3D integrated circuits (3DICs), 3DIC processor cores, and methods

Номер патента: US09583179B2. Автор: Yang Du,Jing Xie. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Memory controller placement in a three-dimensional (3D) integrated circuit (IC) (3DIC) employing distributed through-silicon-via (TSV) farms

Номер патента: US09626311B2. Автор: Yang Du,Kambiz Samadi,Sung Kyu Lim,Karamvir Singh Chatha. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Memory controller placement in a three-dimensional (3d) integrated circuit (ic) (3dic) employing distributed through-silicon-via (tsv) farms

Номер патента: WO2016118262A1. Автор: Yang Du,Kambiz Samadi,Sung Kyu Lim,Karamvir Singh Chatha. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-07-28.

Multiple rank high bandwidth memory

Номер патента: US09934842B2. Автор: James A. McCall,Randy B. Osborne,Christopher P. Mozak,Michael Gutzmann. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Packaging method and packaging structure of multi-layer stacked high-bandwidth memory

Номер патента: US20240321853A1. Автор: Maohua Du. Владелец: Tongfu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Graphics Processing Unit and High Bandwidth Memory Integration Using Integrated Interface and Silicon Interposer

Номер патента: US20210050339A1. Автор: Chan H. Yoo,Owen R. Fay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Graphics Processing Unit and High Bandwidth Memory Integration Using Integrated Interface and Silicon Interposer

Номер патента: US20200144241A1. Автор: Chan H. Yoo,Owen R. Fay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Integrated Circuit Package For High Bandwidth Memory

Номер патента: US20240250082A1. Автор: Nam Hoon Kim,Teckgyu Kang,Woon seong Kwon,Yujeong Shim. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

Integrated circuit package for high bandwidth memory

Номер патента: US11990461B2. Автор: Nam Hoon Kim,Woon-Seong Kwon,Teckgyu Kang,Yujeong Shim. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-05-21.

Integrated Circuit Package For High Bandwidth Memory

Номер патента: US20230042856A1. Автор: Nam Hoon Kim,Woon-Seong Kwon,Teckgyu Kang,Yujeong Shim. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-02-09.

Method for improving endurance performance of 3d integrated resistive switching memory

Номер патента: US20190006584A1. Автор: LING Li,QI Liu,Hangbing Lv,Shibing Long,Nianduan Lu,Pengxiao Sun,Ming Iiu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2019-01-03.

Intellectual property block design with folded blocks and duplicated pins for 3D integrated circuits

Номер патента: US09483598B2. Автор: Yang Du,Kambiz Samadi,Sung Kyu Lim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Intellectual property block design with folded blocks and duplicated pins for 3d integrated circuits

Номер патента: EP3256969A1. Автор: Yang Du,Kambiz Samadi,Sung Kyu Lim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-12-20.

Intellectual property block design with folded blocks and duplicated pins for 3d integrated circuits

Номер патента: WO2016130289A1. Автор: Yang Du,Kambiz Samadi,Sung Kyu Lim. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-08-18.

Multi-processor core three-dimensional (3D) integrated circuits (ICs) (3DICs), and related methods

Номер патента: US10176147B2. Автор: Yang Du,Kambiz Samadi,Amin Ansari. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-01-08.

Digital delay line calibration with duty cycle correction for high bandwidth memory interface

Номер патента: US20230163764A1. Автор: Virendra Kumar,Vipul Katyal,Hao-Yi Wei,Ish CHADHA,Abhijith Kashyap. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Digital delay line calibration with duty cycle correction for high bandwidth memory interface

Номер патента: US11936379B2. Автор: Virendra Kumar,Vipul Katyal,Hao-Yi Wei,Ish CHADHA,Abhijith Kashyap. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Method and apparatus for repairing high capacity/high bandwidth memory devices

Номер патента: US20140298119A1. Автор: Paul A. Laberge,Joseph M. Jeddeloh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-10-02.

Method and apparatus for repairing high capacity/high bandwidth memory devices

Номер патента: KR20110038119A. Автор: 폴 에이. 라버지,조세프 엠. 제델로. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크.. Дата публикации: 2011-04-13.

Method and apparatus for repairing high capacity/high bandwidth memory devices

Номер патента: US9146811B2. Автор: Paul A. Laberge,Joseph M. Jeddeloh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-09-29.

Method and apparatus for repairing high capacity/high bandwidth memory devices

Номер патента: KR101234444B1. Автор: 폴 에이. 라버지,조세프 엠. 제델로. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크.. Дата публикации: 2013-02-18.

Method and apparatus for repairing high capacity/high bandwidth memory devices

Номер патента: WO2010002561A2. Автор: Paul A. Laberge,Joseph M. Jeddeloh. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2010-01-07.

High bandwidth memory device and system device having the same

Номер патента: SG10201901508YA. Автор: Reum Oh,Jun Gyu Lee,Ki Heung Kim,Moon Hee Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-30.

Apparatuses and methods for signal encryption in high bandwidth memory

Номер патента: US20230351063A1. Автор: Kazuhiro Kurihara,Chikara Kondo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Per-group delay line architecture to de-skew input/output timing between a high bandwidth memory (HBM) physical (PHY) interface and the HBM device

Номер патента: US09881664B1. Автор: Ying Li,Guangxi Ying,Yanjuan Zhan,Zhehong Qian. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

High bandwidth memory system

Номер патента: US20220414030A1. Автор: Dimin Niu,Hongzhong Zheng,Krishna T. MALLADI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-29.

High bandwidth memory system

Номер патента: US20200349093A1. Автор: Dimin Niu,Hongzhong Zheng,Krishna T. MALLADI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-05.

High performance, high bandwidth memory bus architecture utilizing SDRAMs

Номер патента: US5870350A. Автор: Claude L. Bertin,Erik L. Hedberg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-02-09.

High bandwidth memory device and system device having the same

Номер патента: US20190278511A1. Автор: Reum Oh,Jun Gyu Lee,Ki Heung Kim,Moon Hee Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-12.

High bandwidth memory device and system device having the same

Номер патента: US20210165597A1. Автор: Reum Oh,Jun Gyu Lee,Ki Heung Kim,Moon Hee Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-03.

High bandwidth memory device and system device having the same

Номер патента: US20210165596A1. Автор: Reum Oh,Jun Gyu Lee,Ki Heung Kim,Moon Hee Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-03.

Cooling system for high power application specific integrated circuit with embedded high bandwidth memory

Номер патента: US20180286844A1. Автор: Vic Chia,Baris Dogruoz,M. Onder Cap. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-04.

Stacked-die neural network with integrated high-bandwidth memory

Номер патента: EP4128234A4. Автор: Steven C. Woo,Thomas Vogelsang,Liji GOPALAKRISHNAN. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-06-26.

Stacked-die neural network with integrated high-bandwidth memory

Номер патента: WO2021202160A1. Автор: Steven C. Woo,Thomas Vogelsang,Liji GOPALAKRISHNAN. Владелец: RAMBUS INC.. Дата публикации: 2021-10-07.

Through-silicon via (TSV) crack sensors for detecting TSV cracks in three-dimensional (3D) integrated circuits (ICs) (3DICs), and related methods and systems

Номер патента: US09869713B2. Автор: Yang Du,Sung Kyu Lim,Ratibor Radojcic. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

THROUGH-SILICON VIA (TSV) CRACK SENSORS FOR DETECTING TSV CRACKS IN THREE-DIMENSIONAL (3D) INTEGRATED CIRCUITS (ICs) (3DICs), AND RELATED METHODS AND SYSTEMS

Номер патента: WO2016140767A1. Автор: Yang Du,Ratibor Radojcic,Sung; Kyu LIM. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-09-09.

3D stacked compute and memory with copper-to-copper hybrid bond

Номер патента: US11784164B2. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Debo Olaosebikan. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor devices including application processor connected to high-bandwidth memory and low-bandwidth memory, and channel interleaving method thereof

Номер патента: US09606916B2. Автор: Sung Hyun Lee,Jun Hee Yoo,Il Park,Dongsoo Kang,Kiyeon Lee,Euicheol Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Through silicon via sharing in a 3D integrated circuit

Номер патента: US09871020B1. Автор: Sebastian T. Ventrone,Sudeep Mandal. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Through silicon via sharing in a 3d integrated circuit

Номер патента: US20180019227A1. Автор: Sebastian T. Ventrone,Sudeep Mandal. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-18.

Package dies including vertical interconnects for signal and power distribution in a three-dimensional (3d) integrated circuit (ic) package

Номер патента: WO2024177728A1. Автор: Mustafa Badaroglu,Zhongze Wang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-08-29.

Package dies including vertical interconnects for signal and power distribution in a three-dimensional (3d) integrated circuit (ic) package

Номер патента: US20240282729A1. Автор: Mustafa Badaroglu,Zhongze Wang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Interlayer communications for 3d integrated circuit stack

Номер патента: CN103828046A. Автор: N.林科维特施,G.德罗伊格,A.沙伊弗. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-05-28.

The interlayer communication being stacked for 3D integrated circuits

Номер патента: CN103828046B. Автор: N.林科维特施,G.德罗伊格,A.沙伊弗. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Interlayer communications for 3d integrated circuit stack

Номер патента: US20130293292A1. Автор: Guido Droege,Niklas Linkewitsch,Andre Schaefer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-11-07.

Interlayer communications for 3d integrated circuit stack

Номер патента: US20150130534A1. Автор: Guido Droege,Niklas Linkewitsch,Andre Schaefer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-05-14.

Interlayer communications for 3D integrated circuit stack

Номер патента: US9000577B2. Автор: Guido Droege,Niklas Linkewitsch,Andre Schaefer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-04-07.

Hybrid high bandwidth memories

Номер патента: WO2023025462A1. Автор: Wei Wang,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Heng Wu. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-03-02.

Power management and delivery for high bandwidth memory

Номер патента: US20240231459A1. Автор: Rajesh H. Kariya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Scale-out high bandwidth memory system

Номер патента: US12032497B2. Автор: Dimin Niu,Hongzhong Zheng,Peng GU,Krishna T. MALLADI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Automatic channel identification of high-bandwidth memory channels for auto-routing

Номер патента: US12118283B1. Автор: Xun Liu,Gary K. Yeap. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

ISA extension for high-bandwidth memory

Номер патента: US11940922B2. Автор: Mu-Tien Chang,Dimin Niu,Hongzhong Zheng,Krishna T. MALLADI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-26.

Isa extension for high-bandwidth memory

Номер патента: US20190114265A1. Автор: Mu-Tien Chang,Dimin Niu,Hongzhong Zheng,Krishna T. MALLADI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-18.

Isa extension for high-bandwidth memory

Номер патента: US20210096999A1. Автор: Mu-Tien Chang,Dimin Niu,Hongzhong Zheng,Krishna T. MALLADI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-01.

Scale-out high bandwidth memory system

Номер патента: US20200097417A1. Автор: Dimin Niu,Hongzhong Zheng,Peng GU,Krishna T. MALLADI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-26.

Automatic channel identification of high-bandwidth memory channels for auto-routing

Номер патента: US11816407B1. Автор: Xun Liu,Gary K. Yeap. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Dynamically controlling voltage provided to three-dimensional (3d) integrated circuits (ics) (3dics) to account for process variations measured across interconnected ic tiers of 3dics

Номер патента: WO2018164810A1. Автор: Xia Li,Yang Du,Wei-Chuan Chen,Wah Nam Hsu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-09-13.

Solar cell and battery 3D integration

Номер патента: US8829329B2. Автор: Hariklia Deligianni,Fei Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-09.

Computer architecture using rapidly reconfigurable circuits and high-bandwidth memory interfaces

Номер патента: US09698790B2. Автор: David A. Roberts. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Computer architecture using rapidly reconfigurable circuits and high-bandwidth memory interfaces

Номер патента: WO2016209406A1. Автор: David A. Roberts. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2016-12-29.

THREE-DIMENSIONAL (3D) MEMORY CELL SEPARATION AMONG 3D INTEGRATED CIRCUIT (IC) TIERS, AND RELATED 3D INTEGRATED CIRCUITS (3DICs), 3DIC PROCESSOR CORES, AND METHODS

Номер патента: US20150302919A1. Автор: Xie Jing,Du Yang. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-22.

3D integrated circuit design method and 3D integrated circuit design program

Номер патента: JP5305806B2. Автор: 忍 藤田. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-10-02.

CLOCK DISTRIBUTION NETWORK FOR 3D INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20140145347A1. Автор: Xie Jing,Samadi Kambiz,Du Yang,Panth Shreepad A.. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-05-29.

METHOD FOR PROCESSING A 3D INTEGRATED CIRCUIT AND STRUCTURE

Номер патента: US20210159108A1. Автор: OR-BACH Zvi,Sekar Deepak C.,Cronquist Brian. Владелец: MonolithIC 3D Inc.. Дата публикации: 2021-05-27.

PLACEMENT OF MONOLITHIC INTER-TIER VIAS (MIVs) WITHIN MONOLITHIC THREE DIMENSIONAL (3D) INTEGRATED CIRCUITS (ICs) (3DICs) USING CLUSTERING TO INCREASE USABLE WHITESPACE

Номер патента: US20150145143A1. Автор: Kamal Pratyush,Samadi Kambiz,Du Yang,Panth Shreepad Amar. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-05-28.

MEMORY CONTROLLER PLACEMENT IN A THREE-DIMENSIONAL (3D) INTEGRATED CIRCUIT (IC) (3DIC) EMPLOYING DISTRIBUTED THROUGH-SILICON-VIA (TSV) FARMS

Номер патента: US20160217087A1. Автор: Samadi Kambiz,Du Yang,LIM Sung Kyu,Chatha Karamvir Singh. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-28.

SRAM WITH HIERARCHICAL BIT LINES IN MONOLITHIC 3D INTEGRATED CHIPS

Номер патента: US20190273084A1. Автор: Wang Yih. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-09-05.

PLACEMENT OF MONOLITHIC INTER-TIER VIAS (MIVs) WITHIN MONOLITHIC THREE DIMENSIONAL (3D) INTEGRATED CIRCUITS (ICs) (3DICs) USING CLUSTERING TO INCREASE USABLE WHITESPAC

Номер патента: US20150333005A1. Автор: Yang Du,Kambiz Samadi,Shreepad Amar Panth,Pratyush Kamal. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-11-19.

Word line coupling prevention using 3d integrated circuit

Номер патента: US20150145139A1. Автор: Kuoyuan (Peter) Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-05-28.

High bandwidth memory interface

Номер патента: US8654573B2. Автор: Peter B. Gillingham,Bruce Millar. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2014-02-18.

High bandwidth memory interface

Номер патента: US20100268906A1. Автор: Peter Gillingham,Bruce Millar. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2010-10-21.

Memory stack structure including power distribution structures and a high-bandwidth memory including the memory stack structure

Номер патента: US20240213219A1. Автор: Jin HO KIM,Bum Su Kim,Je Min BANG,Jea Hoon PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Integrated circuit package with flipped high bandwidth memory device

Номер патента: EP4152390A1. Автор: Omkar G. Karhade,Chandra Mohan JHA,Andrew Paul Collins,Krishna Vasanth VALAVALA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-22.

Integrated circuit package for high bandwidth memory

Номер патента: EP4033534A1. Автор: Woon-Seong Kwon,Teckgyu Kang,Yujeong Shim,Namboon KIM. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2022-07-27.

Process variation power control in three-dimensional (3D) integrated circuits (ICs) (3DICs)

Номер патента: US09712168B1. Автор: YU PU,Yang Du,Giby Samson. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

A 3d integrated circuit

Номер патента: EP4351295A1. Автор: Francky Catthoor,Dawit Burusie Abdi. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-04-10.

The clock skew in three-dimensional (3D) integrated circuit (IC) (3DIC) with adaptive body bias is compensated

Номер патента: CN107210300A. Автор: 杜杨,李圣奎. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

3d integrated circuit stack-wide synchronization circuit

Номер патента: US20130234767A1. Автор: Matthew R. Wordeman,Joel A. Silberman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-09-12.

3d integrated circuit stack-wide synchronization circuit

Номер патента: US20130049825A1. Автор: Matthew R. Wordeman,Joel A. Silberman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-02-28.

3D Integrated Circuit

Номер патента: US20240119998A1. Автор: Francky Catthoor,Dawit Burusie Abdi. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-04-11.

3d integrated circuit stack-wide synchronization circuit

Номер патента: US20130049825A1. Автор: Matthew R. Wordeman,Joel A. Silberman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-02-28.

3d integrated circuit stack-wide synchronization circuit

Номер патента: US20130234767A1. Автор: Matthew R. Wordeman,Joel A. Silberman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-09-12.

THROUGH SILICON VIA SHARING IN A 3D INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20180019227A1. Автор: VENTRONE Sebastian T.,Mandal Sudeep. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-18.

MONOLITHIC THREE DIMENSIONAL (3D) INTEGRATED CIRCUITS (ICs) (3DICs) WITH VERTICAL MEMORY COMPONENTS, RELATED SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20150109843A1. Автор: Kamal Pratyush,Samadi Kambiz,Du Yang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-04-23.

3d integrated circuit random-access memory

Номер патента: US20200185392A1. Автор: Jean-Philippe Noel,Bastien Giraud,Adam Makosiej. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2020-06-11.

CONTROL SYSTEM AND ARCHITECTURE FOR INCORPORATING MICROELECTROMECHANICAL (MEM) SWITCHES IN FLUID-BASED COOLING OF 3D INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20170371386A1. Автор: Jayasena Nuwan,Zhang Dong Ping,Breslow Alexander D.. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2017-12-28.

Method for processing a 3D integrated circuit and structure

Номер патента: US11211279B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2021-12-28.

3D integrated circuit

Номер патента: US9666562B2. Автор: Oscar Law,Chunchen Liu,Ju-Yi Lu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Intellectual property block design with folding blocks and duplicate pins for 3D integrated circuits

Номер патента: KR102527749B1. Автор: 성 규 임,캄비즈 사마디,양 두. Владелец: 퀄컴 인코포레이티드. Дата публикации: 2023-04-28.

Intellectual property block design with folded blocks and duplicated pins for 3d integrated circuits

Номер патента: SG11201705146YA. Автор: Yang Du,Kambiz Samadi,Sung Kyu Lim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-09-28.

Bandwidth boosted stacked memory

Номер патента: US20210141735A1. Автор: Mu-Tien Chang,Dimin Niu,Hongzhong Zheng,Krishna T. MALLADI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-13.

Bandwidth boosted stacked memory

Номер патента: US20230087747A1. Автор: Mu-Tien Chang,Dimin Niu,Hongzhong Zheng,Krishna T. MALLADI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-23.

Bandwidth boosted stacked memory

Номер патента: US20200356488A1. Автор: Mu-Tien Chang,Dimin Niu,Hongzhong Zheng,Krishna T. MALLADI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-12.

Mitigating duty cycle distortion degradation due to device aging on high-bandwidth memory interface

Номер патента: US12027198B2. Автор: Virendra Kumar,Vipul Katyal,Ish CHADHA,Abhijith Kashyap. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Low-Pincount High-Bandwidth Memory And Memory Bus

Номер патента: US20230385224A1. Автор: Richard DeWitt Crisp. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Mitigating duty cycle distortion degradation due to device aging on high-bandwidth memory interface

Номер патента: US20230162780A1. Автор: Virendra Kumar,Vipul Katyal,Ish CHADHA,Abhijith Kashyap. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Low-Pincount High-Bandwidth Memory And Memory Bus

Номер патента: US20210294773A1. Автор: Crisp Richard Dewitt. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-23.

Low-Pincount High-Bandwidth Memory And Memory Bus

Номер патента: US20200301870A1. Автор: Crisp Richard Dewitt. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-24.

Low-pincount High-bandwidth Memory And Memory Bus

Номер патента: US20190303337A1. Автор: Crisp Richard Dewitt. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-03.

LOW-PINCOUNT HIGH-BANDWIDTH MEMORY AND MEMORY BUS

Номер патента: US20170364469A1. Автор: Crisp Richard Dewitt. Владелец: ETRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2017-12-21.

Low-pincount high-bandwidth memory and memory bus

Номер патента: TWI660272B. Автор: 查理 德維 奎斯比. Владелец: 鈺創科技股份有限公司. Дата публикации: 2019-05-21.

Low-pincount high-bandwidth memory and memory bus

Номер патента: TW201800953A. Автор: 查理 德維 奎斯比. Владелец: 鈺創科技股份有限公司. Дата публикации: 2018-01-01.

OFF-PACKAGE HIGH DENSITY, HIGH BANDWIDTH MEMORY ACCESS USING OPTICAL LINKS

Номер патента: US20220092016A1. Автор: "OKeeffe Conor",Hossain MD Altaf,Nalamalpu Ankireddy,Subbareddy Dheeraj,THAKUR Anshuman,Kumashikar Mahesh K.,Thielen Casey G.,SANE Sandeep,KLOWDEN Daniel S.,MA Kevin P.,SHUMARAYEV Sergey Yuryevich. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

APPARATUSES AND METHODS FOR SIGNAL ENCRYPTION IN HIGH BANDWIDTH MEMORY

Номер патента: US20210097209A1. Автор: Kondo Chikara,KURIHARA Kazuhiro. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-04-01.

HIGH BANDWIDTH MEMORY DEVICE AND SYSTEM DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20210165596A1. Автор: KIM KI HEUNG,LEE Jun Gyu,OH Reum,OH MOON HEE. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-03.

HIGH BANDWIDTH MEMORY DEVICE AND SYSTEM DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20210165597A1. Автор: KIM KI HEUNG,LEE Jun Gyu,OH Reum,OH MOON HEE. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-03.

High bandwidth memory and system having the same

Номер патента: US20210225429A1. Автор: Sukhan Lee,Seongil O,Namsung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-22.

HIGH BANDWIDTH MEMORY DEVICE AND SYSTEM DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20190278511A1. Автор: KIM KI HEUNG,LEE Jun Gyu,OH Reum,OH MOON HEE. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-12.

High bandwidth memory and system having the same

Номер патента: US11069400B1. Автор: Sukhan Lee,Seongil O,Namsung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-20.

High bandwidth memory and system having the same

Номер патента: US20210287735A1. Автор: Sukhan Lee,Seongil O,Namsung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-16.

High performance, high bandwidth memory bus architecture utilizing sdrams

Номер патента: TW409203B. Автор: Erik L Hedberg,Claude L Bertin. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2000-10-21.

COOLING SYSTEM FOR HIGH POWER APPLICATION SPECIFIC INTEGRATED CIRCUIT WITH EMBEDDED HIGH BANDWIDTH MEMORY

Номер патента: US20180286844A1. Автор: Chia Vic,Dogruoz Baris,Cap M. Onder. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-04.

Semiconductor die including an asymmetric pad arrays, a semiconductor die stack including the semiconductor die, and a high bandwidth memory including the semiconductor die stack

Номер патента: US20240071967A1. Автор: Choung Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

THROUGH-SILICON VIA (TSV) CRACK SENSORS FOR DETECTING TSV CRACKS IN THREE-DIMENSIONAL (3D) INTEGRATED CIRCUITS (ICs) (3DICs), AND RELATED METHODS AND SYSTEMS

Номер патента: US20160258996A1. Автор: Radojcic Ratibor,Du Yang,LIM Sung Kyu. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-08.

Capacitive touch/proximity sensor with integrated ultra-high frequency antenna

Номер патента: WO2019160900A1. Автор: Olivier Gerardiere,Maxime Micheau,John Lackey. Владелец: CONTINENTAL AUTOMOTIVE SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2019-08-22.

CAPPED THROUGH-SILICON-VIAs FOR 3D INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20180012824A1. Автор: Paul S. Ho,Tengfei Jiang. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2018-01-11.

Capped through-silicon-vias for 3D integrated circuits

Номер патента: US10170399B2. Автор: Paul S. Ho,Tengfei Jiang. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2019-01-01.

3d integrated circuit (3dic) structures and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240258222A1. Автор: Jongkook Kim,Chengtar WU,ChoongBin YIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Wafer-level asic 3d integrated substrate, packaging device and preparation method

Номер патента: US20220415816A1. Автор: Yenheng CHEN,Chengchung LIN,Jangshen LIN,Mingchih CHEN. Владелец: SJ Semiconductor Jiangyin Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

3d integrated circuit (3dic) structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240258221A1. Автор: Jongkook Kim,Chengtar WU,ChoongBin YIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

3d integrated circuit (3dic) structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240379635A1. Автор: Jongkook Kim,Chengtar WU,ChoongBin YIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-14.

Methods of interconnect for high density 2.5d and 3d integration

Номер патента: US20180286826A1. Автор: Jaspreet Singh Gandhi,Suresh Ramalingam,Henley Liu. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2018-10-04.

Methods of interconnect for high density 2.5d and 3d integration

Номер патента: EP3580779A1. Автор: Jaspreet Singh Gandhi,Suresh Ramalingam,Henley Liu. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2019-12-18.

Methods of interconnect for high density 2.5d and 3d integration

Номер патента: WO2018183453A1. Автор: Jaspreet Singh Gandhi,Suresh Ramalingam,Henley Liu. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2018-10-04.

High bandwidth memory system with dynamically programmable distribution scheme

Номер патента: US20230251903A1. Автор: Aravind Kalaiah,Abdulkadir Utku Diril,Olivia Wu,Pankaj Kansal,Krishnakumar Narayanan Nair,Anup Ramesh Kadkol. Владелец: Meta Platforms Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

High bandwidth memory system with dynamically programmable distribution scheme

Номер патента: US20210165691A1. Автор: Aravind Kalaiah,Abdulkadir Utku Diril,Olivia Wu,Pankaj Kansal,Krishnakumar Narayanan Nair,Anup Ramesh Kadkol. Владелец: Facebook Inc. Дата публикации: 2021-06-03.

High bandwidth memory system with dynamically programmable distribution scheme

Номер патента: EP3832470A1. Автор: Aravind Kalaiah,Olivia Wu,Pankaj Kansal,Krishnakumar Nair,Abdulkadir DIRIL,Anup KADKOL. Владелец: Facebook Inc. Дата публикации: 2021-06-09.

Graphics Processing Unit and High Bandwidth Memory Integration Using Integrated Interface and Silicon Interposer

Номер патента: US20210050339A1. Автор: Fay Owen R.,Yoo Chan H.. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-18.

High Bandwidth Memory Package For High Performance Processors

Номер патента: US20200098715A1. Автор: KIM Nam Hoon,Kang Teckgyu,Kwon Woon Seong. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2020-03-26.

Graphics Processing Unit and High Bandwidth Memory Integration Using Integrated Interface and Silicon Interposer

Номер патента: US20200144241A1. Автор: Fay Owen R.,Yoo Chan H.. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-07.

Graphics Processing Unit and High Bandwidth Memory Integration Using Integrated Interface and Silicon Interposer

Номер патента: US20220375917A1. Автор: Fay Owen R.,Yoo Chan H.. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-24.

Multilayer high-bandwidth memory and manufacturing method thereof

Номер патента: CN115394768A. Автор: 苏梅英,吕锡明. Владелец: National Center for Advanced Packaging Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-25.

Wafer-integrated, ultra-low profile concentrated photovoltaics (cpv) for space applications

Номер патента: US20170098729A1. Автор: Matthew Meitl,Brent Fisher,Scott Burroughs,Miroslav Samarskiy. Владелец: X Celeprint Ltd. Дата публикации: 2017-04-06.

Graphics Processing Unit and High Bandwidth Memory Integration Using Integrated Interface and Silicon Interposer

Номер патента: US20200144189A1. Автор: Fay Owen R.,Yoo Chan H.. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-07.

HIGH BANDWIDTH MEMORIES AND SYSTEMS INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20210193615A1. Автор: SOHN KYOMIN,KWON Youngcheon,YOUN YAEYOUN. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-24.

Bridge die design for high bandwidth memory interface

Номер патента: US20190229056A1. Автор: Dae-woo Kim,Kemal Aygun,Zhiguo Qian,Jackie C. Preciado. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-07-25.

HIGH BANDWIDTH MEMORY PACKAGE FOR HIGH PERFORMANCE PROCESSORS

Номер патента: US20190312002A1. Автор: KIM Nam Hoon,Kang Teckgyu,Kwon Woon Seong. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-10.

Bridge die design for high bandwidth memory interface

Номер патента: US20190229056A1. Автор: Dae-woo Kim,Kemal Aygun,Zhiguo Qian,Jackie C. Preciado. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-07-25.

Combination of TSV and back side wiring in 3D integration

Номер патента: US09543229B2. Автор: Subramanian S. Iyer,Douglas C. La Tulipe, Jr.,John W. Golz,Spyridon Skordas,Kevin R. Winstel,Pooja R. Batra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Combination of TSV and back side wiring in 3D integration

Номер патента: US09536809B2. Автор: Subramanian S. Iyer,Douglas C. La Tulipe, Jr.,John W. Golz,Spyridon Skordas,Kevin R. Winstel,Pooja R. Batra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Through-dielectric-vias (TDVs) for 3D integrated circuits in silicon

Номер патента: US12087629B2. Автор: Cyprian Emeka Uzoh. Владелец: Adeia Semiconductor Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

Complete system-on-chip (SOC) using monolithic three dimensional (3D) integrated circuit (IC) (3DIC) technology

Номер патента: US09583473B2. Автор: Yang Du. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Complete system-on-chip (soc) using monolithic three dimensional (3d) integrated circuit (ic) (3dic) technology

Номер патента: WO2015009614A1. Автор: Yang Du. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-01-22.

Latch-up suppression and substrate noise coupling reduction through a substrate back-tie for 3d integrated circuits

Номер патента: US20140061943A1. Автор: Victor Moroz,Jamil Kawa. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

Three-dimensional (3d) integrated circuit (ic) (3dic) package employing a redistribution layer (rdl) interposer facilitating semiconductor die stacking, and related fabrication methods

Номер патента: WO2023196114A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Je-Hsiung Lan,Jonghae Kim,Periannan Chidambaram. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-10-12.

Three-dimensional (3d) integrated circuit (ic) (3dic) package employing a redistribution layer (rdl) interposer facilitating semiconductor die stacking, and related fabrication methods

Номер патента: US20230317677A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Je-Hsiung Lan,Jonghae Kim,Periannan Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Power distribution networks for a three-dimensional (3d) integrated circuit (ic) (3dic)

Номер патента: US20190027435A1. Автор: Yang Du,Jing Xie,Kambiz Samadi,Pratyush Kamal. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-01-24.

3D INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND STRUCTURE WITH BONDING

Номер патента: US20210104517A1. Автор: OR-BACH Zvi,Cronquist Brian. Владелец: MonolithIC 3D Inc.. Дата публикации: 2021-04-08.

DYNAMICALLY CONTROLLING VOLTAGE PROVIDED TO THREE-DIMENSIONAL (3D) INTEGRATED CIRCUITS (ICs) (3DICs) TO ACCOUNT FOR PROCESS VARIATIONS MEASURED ACROSS INTERCONNECTED IC TIERS OF 3DICs

Номер патента: US20180259581A1. Автор: Li Xia,Chen Wei-Chuan,Hsu Wah Nam,Du Yang. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-13.

METHOD TO FORM A 3D INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20200350310A1. Автор: OR-BACH Zvi,Sekar Deepak C.,Cronquist Brian,Wurman Zeev. Владелец: MonolithIC 3D Inc.. Дата публикации: 2020-11-05.

3D INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20200365583A1. Автор: OR-BACH Zvi,Sekar Deepak C.,Cronquist Brian. Владелец: MonolithIC 3D Inc.. Дата публикации: 2020-11-19.

3D integrated circuit

Номер патента: US11018133B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2021-05-25.

Method to form a 3D integrated circuit

Номер патента: US11374118B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar,Zeev Wurman. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2022-06-28.

Page migration acceleration using a two-level bloom filter on high bandwidth memory systems

Номер патента: US20180081585A1. Автор: Mauricio Breternitz,Leonardo Piga. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2018-03-22.

High-bandwidth memory module architecture

Номер патента: EP4445368A1. Автор: Aaron John Nygren. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-10-16.

High bandwidth memory and glitch-less differential XOR

Номер патента: US09753667B2. Автор: Myron Buer,Carl Monzel,Richard John Stephani,Travis Hebig. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Scalable Network-on-Chip for High-Bandwidth Memory

Номер патента: US20240296140A1. Автор: Chee Hak Teh,Yu Ying Ong,George Chong Hean Ooi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Performing Operations for Handling Data using Processor in Memory Circuitry in a High Bandwidth Memory

Номер патента: US20230359556A1. Автор: Jagadish B. Kotra,Marko Scrbak. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

High bandwidth memory system with distributed request broadcasting masters

Номер патента: EP3835966A1. Автор: Aravind Kalaiah,Abdulkadir Utku Diril,Olivia Wu,Pankaj Kansal,Krishnakumar Narayanan Nair,Anup Ramesh Kadkol. Владелец: Facebook Inc. Дата публикации: 2021-06-16.

High-bandwidth memory module architecture

Номер патента: WO2023107218A1. Автор: Aaron John Nygren. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2023-06-15.

High bandwidth memory system with distributed request broadcasting masters

Номер патента: US20210181957A1. Автор: Aravind Kalaiah,Abdulkadir Utku Diril,Olivia Wu,Pankaj Kansal,Krishnakumar Narayanan Nair,Anup Ramesh Kadkol. Владелец: Facebook Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

High bandwidth memory system with crossbar switch for dynamically programmable distribution scheme

Номер патента: EP3839717A1. Автор: Aravind Kalaiah,Abdulkadir Utku Diril,Olivia Wu,Pankaj Kansal,Krishnakumar Narayanan Nair,Anup Ramesh Kadkol. Владелец: Facebook Inc. Дата публикации: 2021-06-23.

High bandwidth memory system with crossbar switch for dynamically programmable distribution scheme

Номер патента: EP4209888A1. Автор: Aravind Kalaiah,Abdulkadir Utku Diril,Olivia Wu,Pankaj Kansal,Krishnakumar Narayanan Nair,Anup Ramesh Kadkol. Владелец: Meta Platforms Inc. Дата публикации: 2023-07-12.

Scalable network-on-chip for high-bandwidth memory

Номер патента: US11995028B2. Автор: Chee Hak Teh,Yu Ying Ong,George Chong Hean Ooi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-28.

Low Latency, High Bandwidth Memory Subsystem Incorporating Die-Stacked DRAM

Номер патента: US20150279436A1. Автор: Karthik Ganesan,Jee Ho Ryoo,Yao-Min Chen. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING APPLICATION PROCESSOR CONNECTED TO HIGH-BANDWIDTH MEMORY AND LOW-BANDWIDTH MEMORY, AND CHANNEL INTERLEAVING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150081989A1. Автор: Park Il,Lim Euicheol,LEE Sung Hyun,KANG Dongsoo,YOO Jun Hee,LEE Kiyeon. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-19.

High-bandwidth prefetcher for high-bandwidth memory

Номер патента: US20190163637A9. Автор: Sanyam Mehta,James Robert Kohn,Daniel Jonathan Ernst,Heidi Lynn Poxon,Luiz DeRose. Владелец: Cray Inc. Дата публикации: 2019-05-30.

High-bandwidth prefetcher for high-bandwidth memory

Номер патента: US20190042435A1. Автор: Sanyam Mehta,James Robert Kohn,Daniel Jonathan Ernst,Heidi Lynn Poxon,Luiz DeRose. Владелец: Cray Inc. Дата публикации: 2019-02-07.

High-bandwidth prefetcher for high-bandwidth memory

Номер патента: US09946654B2. Автор: Sanyam Mehta,James Robert Kohn,Daniel Jonathan Ernst,Heidi Lynn Poxon,Luiz DeRose. Владелец: Cray Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

HIGH BANDWIDTH MEMORY INTERFACE

Номер патента: US20130329482A1. Автор: GILLINGHAM Peter B.,MILLAR Bruce. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2013-12-12.

System and Method to Allocate Available High Bandwidth Memory to UEFI Pool Services

Номер патента: US20190012088A1. Автор: Chaluvaiah Swamy Kadaba,Chalfant David K.. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-10.

Data Block Sizing for Channels in a Multi-Channel High-Bandwidth Memory

Номер патента: US20180024935A1. Автор: Meswani Mitesh R.,Ryoo Jee Ho. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-25.

HIGH-BANDWIDTH PREFETCHER FOR HIGH-BANDWIDTH MEMORY

Номер патента: US20190042435A1. Автор: Kohn James Robert,Ernst Daniel Jonathan,Mehta Sanyam,DeRose Luiz,Poxon Heidi Lynn. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-07.

DIMM FOR A HIGH BANDWIDTH MEMORY CHANNEL

Номер патента: US20190042500A1. Автор: McCALL James A.,Agarwal Rajat,VERGIS George,NALE Bill,ZHAO Chong J.. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-07.

INTELLIGENT HIGH BANDWIDTH MEMORY APPLIANCE

Номер патента: US20190050325A1. Автор: Zheng Hongzhong,KIM JINHYUN,Brennan Robert,MALLADI Krishna T.,KIM Hyungseuk. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-14.

COMPUTATION HARDWARE WITH HIGH-BANDWIDTH MEMORY INTERFACE

Номер патента: US20150067273A1. Автор: Strauss Karin,Fowers Jeremy. Владелец: MICROSOFT CORPORATION. Дата публикации: 2015-03-05.

HIGH BANDWIDTH MEMORY INTERFACE

Номер патента: US20150078057A1. Автор: GILLINGHAM Peter B.,MILLAR Bruce. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-19.

HIGH-BANDWIDTH PREFETCHER FOR HIGH-BANDWIDTH MEMORY

Номер патента: US20180074963A1. Автор: Kohn James Robert,Ernst Daniel Jonathan,Mehta Sanyam,DeRose Luiz,Poxon Heidi Lynn. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-15.

Page migration acceleration using a two-level bloom filter on high bandwidth memory systems

Номер патента: US20180081585A1. Автор: Mauricio Breternitz,Leonardo Piga. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2018-03-22.

ISA EXTENSION FOR HIGH-BANDWIDTH MEMORY

Номер патента: US20210096999A1. Автор: Zheng Hongzhong,NIU Dimin,MALLADI Krishna T.,Chang Mu-Tien. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-01.

SCALE-OUT HIGH BANDWIDTH MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20200097417A1. Автор: Zheng Hongzhong,Gu Peng,NIU Dimin,MALLADI Krishna T.. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-26.

ISA EXTENSION FOR HIGH-BANDWIDTH MEMORY

Номер патента: US20190114265A1. Автор: Zheng Hongzhong,NIU Dimin,MALLADI Krishna T.,Chang Mu-Tien. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-18.

HIGH BANDWIDTH MEMORY SYSTEM WITH DYNAMICALLY PROGRAMMABLE DISTRIBUTION SCHEME

Номер патента: US20210165691A1. Автор: KALAIAH Aravind,Wu Olivia,Nair Krishnakumar Narayanan,Diril Abdulkadir Utku,Kadkol Anup Ramesh,Kansal Pankaj. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-03.

MULTIPLE RANK HIGH BANDWIDTH MEMORY

Номер патента: US20170140809A1. Автор: Mozak Christopher P.,McCALL James A.,Osborne Randy B.,GUTZMANN MICHAEL. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-05-18.

Scalable Network-on-Chip for High-Bandwidth Memory

Номер патента: US20190138493A1. Автор: Teh Chee Hak,Ong Yu Ying,Ooi George Chong Hean. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

HIGH BANDWIDTH MEMORY SYSTEM WITH DISTRIBUTED REQUEST BROADCASTING MASTERS

Номер патента: US20210181957A1. Автор: KALAIAH Aravind,Wu Olivia,Nair Krishnakumar Narayanan,Diril Abdulkadir Utku,Kadkol Anup Ramesh,Kansal Pankaj. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-17.

HIGH BANDWIDTH MEMORY SYSTEM WITH CROSSBAR SWITCH FOR DYNAMICALLY PROGRAMMABLE DISTRIBUTION SCHEME

Номер патента: US20210182196A1. Автор: KALAIAH Aravind,Wu Olivia,Nair Krishnakumar Narayanan,Diril Abdulkadir Utku,Kadkol Anup Ramesh,Kansal Pankaj. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-17.

FLASH-INTEGRATED HIGH BANDWIDTH MEMORY APPLIANCE

Номер патента: US20220300426A1. Автор: Zheng Hongzhong,MALLADI Krishna T.. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-22.

HIGH-BANDWIDTH PREFETCHER FOR HIGH-BANDWIDTH MEMORY

Номер патента: US20190163637A9. Автор: Kohn James Robert,Ernst Daniel Jonathan,Mehta Sanyam,DeRose Luiz,Poxon Heidi Lynn. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-30.

Flash-Integrated High Bandwidth Memory Appliance

Номер патента: US20180210830A1. Автор: Zheng Hongzhong,MALLADI Krishna T.. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-26.

MULTIPLE RANK HIGH BANDWIDTH MEMORY

Номер патента: US20180226118A1. Автор: Mozak Christopher P.,McCALL James A.,Osborne Randy B.,GUTZMANN MICHAEL. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-08-09.

HIGH BANDWIDTH MEMORY AND GLITCH-LESS DIFFERENTIAL XOR

Номер патента: US20160246506A1. Автор: BUER Myron,Stephani Richard John,Monzel Carl,HEBIG TRAVIS. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-25.

High bandwidth memory system with distributed request broadcasting masters

Номер патента: US20210326051A1. Автор: Aravind Kalaiah,Abdulkadir Utku Diril,Olivia Wu,Pankaj Kansal,Krishnakumar Narayanan Nair,Anup Ramesh Kadkol. Владелец: Facebook Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Low Latency, High Bandwidth Memory Subsystem Incorporating Die-Stacked DRAM

Номер патента: US20150279436A1. Автор: Ganesan Karthik,Ryoo Jee Ho,Chen Yao-Min. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-01.

HIGH BANDWIDTH MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20200349093A1. Автор: Zheng Hongzhong,NIU Dimin,MALLADI Krishna T.. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-05.

TECHNOLOGY TO PROVIDE ACCURATE TRAINING AND PER-BIT DESKEW CAPABILITY FOR HIGH BANDWIDTH MEMORY INPUT/OUTPUT LINKS

Номер патента: US20200393997A1. Автор: LANKA Narasimha,BAINS Kuljit,YERVA Lohit. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-17.

Method and apparatus for testing high capacity/high bandwidth memory devices

Номер патента: US7979757B2. Автор: Joseph M. Jeddeloh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-07-12.

System and method to allocate available high bandwidth memory to UEFI pool services

Номер патента: US10572151B2. Автор: Swamy Kadaba Chaluvaiah,David K. Chalfant. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2020-02-25.

Asynchronous, high-bandwidth memory component using calibrated timing elements

Номер патента: US7830735B2. Автор: Frederick A. Ware,Craig E. Hampel,Donald C. Stark,Ely K. Tsern. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2010-11-09.

Asynchronous, high-bandwidth memory component using calibrated timing elements

Номер патента: WO2002071407A2. Автор: Frederick A. Ware,Craig E. Hampel,Donald C. Stark,Ely K. Tsern. Владелец: Rambus, Inc.. Дата публикации: 2002-09-12.

Scalable high bandwidth memory in a network device

Номер патента: US9658951B1. Автор: Gil Levy,Carmi Arad,Evgeny Shumsky,Ehud SIVAN. Владелец: Marvell Israel MISL Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

High bandwidth memory management using multi-bank DRAM devices

Номер патента: US7296112B1. Автор: Ramesh Yarlagadda,Shwetal Desai,Harish R. Devanagondi. Владелец: Greenfield Networks LLC. Дата публикации: 2007-11-13.

Circuit and method for column redundancy for high bandwidth memories

Номер патента: EP1216477A1. Автор: Donald C. Stark. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2002-06-26.

High bandwidth memory system with distributed request broadcasting masters

Номер патента: US11537301B2. Автор: Aravind Kalaiah,Abdulkadir Utku Diril,Olivia Wu,Pankaj Kansal,Krishnakumar Narayanan Nair,Anup Ramesh Kadkol. Владелец: Meta Platforms Inc. Дата публикации: 2022-12-27.

Technology to provide accurate training and per-bit deskew capability for high bandwidth memory input/output links

Номер патента: WO2022051046A1. Автор: Kuljit Bains,Narasimha LANKA,Lohit Yerva. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2022-03-10.

Technology to provide accurate training and per-bit deskew capability for high bandwidth memory input/output links

Номер патента: US11954360B2. Автор: Kuljit Bains,Narasimha LANKA,Lohit Yerva. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Computation hardware with high-bandwidth memory interface

Номер патента: WO2015031547A1. Автор: Karin Strauss,Jeremy FOWERS. Владелец: MICROSOFT CORPORATION. Дата публикации: 2015-03-05.

Computation hardware with high-bandwidth memory interface

Номер патента: EP3039546A1. Автор: Karin Strauss,Jeremy FOWERS. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2016-07-06.

High-bandwidth prefetcher for high-bandwidth memory

Номер патента: US20180074963A1. Автор: Sanyam Mehta,James Robert Kohn,Daniel Jonathan Ernst,Heidi Lynn Poxon,Luiz DeRose. Владелец: Cray Inc. Дата публикации: 2018-03-15.

Ultra-high bandwidth multi-port memory system for image scaling applications

Номер патента: US6903733B1. Автор: Michael G. West,Robert Y. Greenberg. Владелец: Pixelworks Inc. Дата публикации: 2005-06-07.

High bandwidth memory controller using synchronous dynamic random access memory

Номер патента: KR100564560B1. Автор: 정현승. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-03-28.

Optical bus in 3d integrated circuit stack

Номер патента: WO2012003530A9. Автор: Aron Michael,Chee Yee Kwok,Yiwei Xu. Владелец: NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LIMITED. Дата публикации: 2012-03-08.

Optical bus in 3D integrated circuit stack

Номер патента: US09401346B2. Автор: Aron Michael,Chee Yee Kwok,Yiwei Xu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-07-26.

Post-cmos processing and 3d integration based on dry-film lithography

Номер патента: WO2014020479A3. Автор: Carlotta Guiducci,Yuksel Temiz,Yusuf Leblebici. Владелец: ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERALE DE LAUSANNE (EPFL). Дата публикации: 2014-04-10.

Post-cmos processing and 3d integration based on dry-film lithography

Номер патента: US20150371978A1. Автор: Carlotta Guiducci,Yuksel Temiz,Yusuf Leblebici. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2015-12-24.

OPTICAL BUS IN 3D INTEGRATED CIRCUIT STACK

Номер патента: US20130108211A1. Автор: Kwok Chee Yee,Michael Aron,Xu Yiwei. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-02.

WAFER ALIGNMENT AND BONDING TOOL FOR 3D INTEGRATION

Номер патента: US20140370624A1. Автор: Skordas Spyridon,Farooq Mukta G.. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-18.

POST-CMOS PROCESSING AND 3D INTEGRATION BASED ON DRY-FILM LITHOGRAPHY

Номер патента: US20150371978A1. Автор: LEBLEBICI Yusuf,Temiz Yuksel,Guiducci Carlotta. Владелец: ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERALE DE LAUSANNE (EPFL). Дата публикации: 2015-12-24.

Optical bus in 3D integrated circuit stack

Номер патента: US8958667B2. Автор: Aron Michael,Chee Yee Kwok,Yiwei Xu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-02-17.

3D integrated circuit device

Номер патента: US09954080B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Three-dimension (3d) integrated circuit (ic) package

Номер патента: US20150171031A1. Автор: Ming-Dou Ker,Che-Hao Chuang. Владелец: Amazing Microelectronic Corp. Дата публикации: 2015-06-18.

Cu3Sn VIA METALLIZATION IN ELECTRICAL DEVICES FOR LOW-TEMPERATURE 3D-INTEGRATION

Номер патента: US20240203790A1. Автор: Andrew Clarke,John J. Drab,Faye WALKER. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-06-20.

Three-dimensional (3d) integrated teaching field system based on flipped platform and method for operating same

Номер патента: US20240038086A1. Автор: Xu Chen,ZHENG Zhong,Di Wu,Zongkai YANG. Владелец: CENTRAL CHINA NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-02-01.

Three-dimensional (3D) integrated teaching field system based on flipped platform and method for operating same

Номер патента: US11908344B1. Автор: Xu Chen,ZHENG Zhong,Di Wu,Zongkai YANG. Владелец: CENTRAL CHINA NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-02-20.

Cu3Sn via metallization in electrical devices for low-temperature 3D-integration

Номер патента: US11854879B2. Автор: Andrew Clarke,John J. Drab,Faye WALKER. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2023-12-26.

Method of fabricating a 3d integrated electronic device structure including increased thermal dissipation capabilities

Номер патента: US20140170811A1. Автор: Christopher Fred Keimel,Kaustubh Ravindra Nagarkar. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2014-06-19.

3d integrated electronic device structure including increased thermal dissipation capabilities

Номер патента: EP2575164A3. Автор: Christopher Fred Keimel,Kaustubh Ravindra Nagarkar. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2016-01-13.

Power distribution networks for a three-dimensional (3d) integrated circuit (ic) (3dic)

Номер патента: WO2018182847A1. Автор: Yang Du,Jing Xie,Kambiz Samadi,Pratyush Kamal. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-10-04.

Method for manufacturing monolithic three-dimensional (3d) integrated circuits

Номер патента: US20190393215A1. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz,Ta-Pen Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Method for manufacturing monolithic three-dimensional (3d) integrated circuits

Номер патента: US20180374845A1. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz,Ta-Pen Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-27.

Method for manufacturing monolithic three-dimensional (3d) integrated circuits

Номер патента: US20200098749A1. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz,Ta-Pen Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Method and apparatus for managing power in a multi-dimensional packaging

Номер патента: US12019492B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Christopher B. Wilkerson,Debo Olaosebikan. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Method and apparatus to process an instruction for a distributed logic having tightly coupled accelerator core and processor core in a multi-dimensional packaging

Номер патента: US11899613B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Christopher B. Wilkerson,Debo Olaosebikan. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Method and apparatus for cycle-by-cycle clock gating of ferroelectric or paraelectric logic and CMOS based logic

Номер патента: US11841757B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Christopher B. Wilkerson,Debo Olaosebikan. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Method to segregate logic and memory into separate dies for thermal management in a multi-dimensional packaging

Номер патента: US11829699B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Christopher B. Wilkerson,Debo Olaosebikan. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Ferroelectric or paraelectric memory and logic chiplet with thermal management in a multi-dimensional packaging

Номер патента: US11791233B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Christopher B. Wilkerson,Debo Olaosebikan. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Method and apparatus for managing power of ferroelectric or paraelectric logic and CMOS based logic

Номер патента: US12001266B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Christopher B. Wilkerson,Debo Olaosebikan. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Method and apparatus for heuristic-based power gating of non-CMOS logic and CMOS based logic

Номер патента: US12026034B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Christopher B. Wilkerson,Debo Olaosebikan. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

메모리 시스템

Номер патента: KR102693213B1. Автор: 이동욱. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2024-08-09.

3d-integrated optical sensor and method of producing a 3d-integrated optical sensor

Номер патента: US20190237500A1. Автор: Mario Manninger,Hubert Enichlmair,Martin Schrems,Thomas Bodner,Gregor Toschkoff. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2019-08-01.

3D integrated thermoelectric generator operating in an out-of-plane heat flux configuration with internal voids and heat conduction paths conditioning vias

Номер патента: US09997691B2. Автор: Danilo Mascolo,Giuseppe LATESSA,Simone Di Marco,Marco GIUSTI. Владелец: CONSORZIO DELTA TI RESEARCH. Дата публикации: 2018-06-12.

A 3d integrated charge-coupled device memory

Номер патента: EP4231353A1. Автор: Jiwon Lee,Maarten Rosmeulen,Gouri Sankar Kar,Swaraj Bandhu Mahato. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-08-23.

3d integrated charge-coupled device memory and method of fabricating the same

Номер патента: US20230262996A1. Автор: Jiwon Lee,Maarten Rosmeulen,Gouri Sankar Kar,Swaraj Bandhu Mahato. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-08-17.

Three-dimensional (3d) integrated circuit (ic) (3dic) package with a bottom die layer employing an extended interposer substrate, and related fabrication methods

Номер патента: US20230299048A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Yangyang Sun,Lily Zhao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Manufacturing of self aligned interconnection elements for 3D integrated circuits

Номер патента: US09761583B2. Автор: Claire Fenouillet-Beranger,Bernard Previtali,Olivier Rozeau. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-09-12.

3d integration structure and method using bonded metal planes

Номер патента: US20100289144A1. Автор: Mukta G. Farooq,Subramanian S. Lyer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-11-18.

Damascene process for aligning and bonding through-silicon-via based 3d integrated circuit stacks

Номер патента: US20130069232A1. Автор: Huang Liu,Hong Yu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2013-03-21.

Low-stress dielectric layer, planarization method, and low-temperature processing for 3d-integrated electrical device

Номер патента: US20220416095A1. Автор: Andrew Clarke,Sean P. Kilcoyne,Eric Miller,Chad Fulk,Stuart FARRELL. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2022-12-29.

Monolithic 3d integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230335550A1. Автор: Junseok HEO. Владелец: Ajo University Insdustry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2023-10-19.

Low-stress dielectric layer, planarization method, and low-temperature processing for 3d-integrated electrical device

Номер патента: WO2023278003A1. Автор: Andrew Clarke,Sean P. Kilcoyne,Eric Miller,Chad Fulk,Stuart FARRELL. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2023-01-05.

Low-stress dielectric layer, planarization method, and low-temperature processing for 3d-integrated electrical device

Номер патента: EP4364207A1. Автор: Andrew Clarke,Sean P. Kilcoyne,Eric Miller,Chad Fulk,Stuart FARRELL. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-05-08.

Method for providing secure and trusted ASICs using 3D integration

Номер патента: US20080148073A1. Автор: Anastasios P. Goutzoulis,Harold Hasely Ball,Michael Robert Lucas. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2008-06-19.

Butler matrix for 3D integrated RF front-ends

Номер патента: US8013784B2. Автор: Alexandros Margomenos,Ruihua Ding. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2011-09-06.

Performance matching in three-dimensional (3d) integrated circuit (ic) using back-bias compensation

Номер патента: US20180082007A1. Автор: Jeanne P. Bickford,Sudeep Mandal. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-22.

Temperature margin setting method for 3d integrated circuit

Номер патента: US20230385497A1. Автор: Ki-Ok Kim,Jingon Lee,Mijeong Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Automation methods for 3D integrated circuits and devices

Номер патента: US12093628B2. Автор: Zvi Or-Bach,Zeev Wurman. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

INTEGRATED ULTRA WIDEBAND, WAFER SCALE, RHCP-LHCP ARRAYS

Номер патента: US20130307716A1. Автор: Mohamadi Farrokh. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-21.

INTEGRATED ULTRA WIDEBAND, WAFER SCALE, RHCP-LHCP ARRAYS

Номер патента: US20160178745A1. Автор: Mohamadi Farrokh. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

Integrated ultra wideband, wafer scale, RHCP-LHCP arrays

Номер патента: US10267909B2. Автор: Farrokh Mohamadi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-04-23.

Design automation methods for 3d integrated circuits and devices

Номер патента: US20230325572A1. Автор: Zvi Or-Bach,Zeev Wurman. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Method and apparatus for ultra high bandwidth acoustic communication and power transfer

Номер патента: US20180145770A1. Автор: Andrew Singer,Thomas Riedl,Michael L. Oelze. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2018-05-24.

ULTRA-HIGH BANDWIDTH CURRENT SHUNT

Номер патента: US20180284160A1. Автор: Chen Chingchi,LU Xi,Degner Michael W.,LEI Guangyin,KAUTZ Richard William,Yu Lan,XU ZHUXIAN. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-04.

Ultra-high bandwidth current sensor

Номер патента: CN115362374A. Автор: 莱昂内尔·西马. Владелец: Safran Electrical and Power SAS. Дата публикации: 2022-11-18.

Optically interconnected high bandwidth memory architectures

Номер патента: US20240345344A1. Автор: Bardia Pezeshki,Robert Kalman,Emad Afifi,Sunghwan MIN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-17.

Optically interconnected high bandwidth memory architectures

Номер патента: WO2024215908A1. Автор: Bardia Pezeshki,Emad Afifi,Sunghwan MIN,Rob Kalman. Владелец: Avicenatech, Corp.. Дата публикации: 2024-10-17.

Seismic image orientation using 3d integration operations

Номер патента: US20180321403A1. Автор: Jinsong Wang,Saleh Al-Dossary. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2018-11-08.

Seismic image orientation using 3d integration operations

Номер патента: EP3619559A1. Автор: Jinsong Wang,Saleh Al-Dossary. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2020-03-11.

3D integrated DC-DC power converters

Номер патента: US09819269B1. Автор: Hariklia Deligianni,Devendra K. Sadana,Edmund J. Sprogis,Naigang Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

3D integrated DC-DC power converters

Номер патента: US09654004B1. Автор: Hariklia Deligianni,Devendra K. Sadana,Edmund J. Sprogis,Naigang Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

2d/3d integrated contour editor

Номер патента: CN101065773A. Автор: W·K·谢. Владелец: BRACCO IMAGING SPA. Дата публикации: 2007-10-31.

THREE-DIMENSIONAL (3D) INTEGRATED CIRCUIT (IC) INTEGRATION OF AN EMBEDDED CHIP AND A PREFORMED METAL ROUTING STRUCTURE

Номер патента: US20220022315A1. Автор: Kim Jonghae,SONG Stanley Seungchul,Chidambaram Periannan. Владелец: . Дата публикации: 2022-01-20.

3D integrations and methods of making thereof

Номер патента: US12068231B2. Автор: Farhang Yazdani. Владелец: Broadpak Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

2D / 3D integrated contour editor

Номер патента: JP2008521462A. Автор: キー チア ウィー. Владелец: BRACCO IMAGING SPA. Дата публикации: 2008-06-26.

2d / 3d integrated contour editor

Номер патента: CA2580445A1. Автор: Wee Kee Chia. Владелец: Wee Kee Chia. Дата публикации: 2006-06-01.

3d integrations and methods of making thereof

Номер патента: US20220189864A1. Автор: Farhang Yazdani. Владелец: Broadpak Corp. Дата публикации: 2022-06-16.

Capacitive Touch/Proximity Sensor With Integrated Ultra-High Frequency Antenna

Номер патента: US20190250737A1. Автор: Gerardiere Olivier,Lackey John,Micheau Maxime. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-15.

METHOD AND APPARATUS FOR ULTRA HIGH BANDWIDTH ACOUSTIC COMMUNICATION AND POWER TRANSFER

Номер патента: US20180145770A1. Автор: Riedl Thomas,Singer Andrew,OELZE Michael L.. Владелец: The Board of Trustees of the University of Illinois. Дата публикации: 2018-05-24.

Method and apparatus for distributed intrusion protection system for ultra high bandwidth networks

Номер патента: US20070300298A1. Автор: Frank L. Greitzer,Craig A. Goranson,John R. Burnette,Bryan H. McMillan. Владелец: Battelle Memorial Institute Inc. Дата публикации: 2007-12-27.

Method and apparatus for distributed intrusion protection system for ultra high bandwidth networks

Номер патента: US8561189B2. Автор: Frank L. Greitzer,Craig A. Goranson,John R. Burnette,Bryan H. McMillan. Владелец: Battelle Memorial Institute Inc. Дата публикации: 2013-10-15.

Ultra-high bandwidth inductorless amplifier

Номер патента: EP4292216A1. Автор: LI Sun,HAO LIU,Dong Ren. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-12-20.

Ultra-high bandwidth inductorless amplifier

Номер патента: WO2022173540A1. Автор: LI Sun,HAO LIU,Dong Ren. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-08-18.

COMPUTER ARCHITECTURE USING RAPIDLY RECONFIGURABLE CIRCUITS AND HIGH-BANDWIDTH MEMORY INTERFACES

Номер патента: US20160380635A1. Автор: Roberts David A.. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-29.

METHODS AND SYSTEMS FOR HUMAN ACTION RECOGNITION USING 3D INTEGRAL IMAGING

Номер патента: US20160360186A1. Автор: Javidi Bahram,Carmona Pedro Latorre,Balaguer Eva Salvador,Bañon Fiberto Pla. Владелец: University of Connecticut. Дата публикации: 2016-12-08.

Memory package expansion

Номер патента: EP4432279A1. Автор: Douglas Joseph,Casey THIELEN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Methods and Circuits for Aggregating Processing Units and Dynamically Allocating Memory

Номер патента: US20230342310A1. Автор: Steven C. Woo,Thomas Vogelsang. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-10-26.

Optical Communication for Memory Disaggregation in High Performance Computing

Номер патента: US20230343768A1. Автор: HONG Liu,Igor Arsovski,Biao He,Sukalpa Biswas,Georgios Konstadinidis,Zuowei Shen,Jaesik Lee,Teckgyu Kang,Yujeong Shim,Horia Alexandru TOMA. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-10-26.

Optical communication for memory disaggregation in high performance computing

Номер патента: EP4270207A1. Автор: HONG Liu,Igor Arsovski,Biao He,Sukalpa Biswas,Georgios Konstadinidis,Zuowei Shen,Jaesik Lee,Teckgyu Kang,Yujeong Shim,Horia Alexandru TOMA. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-11-01.

Memory device transmitting and receiving data at high speed and low power

Номер патента: US11769547B2. Автор: Jihye Kim,Byongmo Moon,Beomyong Kil,Je Min RYU,SungOh Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-26.

Memory device transmitting and receiving data at high speed and low power

Номер патента: US20230410891A1. Автор: Jihye Kim,Byongmo Moon,Beomyong Kil,Je Min RYU,SungOh Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-21.

Memory device transmitting and receiving data at high speed and low power

Номер патента: US20220310154A1. Автор: Jihye Kim,Byongmo Moon,Beomyong Kil,Je Min RYU,SungOh Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-29.

고성능 컴퓨팅에서의 메모리 분해를 위한 광 통신

Номер патента: KR20230151435A. Автор: 홍 리우,수칼파 비스와스,재식 이,호리아 알렉산드루 토마,주오웨이 셴,유정 심,비아오 허,게오르기오스 콘스타디니디스,택규 강,이고르 아르소프스키. Владелец: 구글 엘엘씨. Дата публикации: 2023-11-01.

Monolithic 3D integration inter-tier vias insertion scheme and associated layout structure

Номер патента: US09691695B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz,Ta-Pen Guo,Yi-Hsiung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Three-dimensional (3d) integrated circuit device having a backside power delivery network

Номер патента: US20220020735A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Jonghae Kim,Periannan Chidambaram,Pratyush Kamal. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Monolithisches 3D Integrations-Zwischenebenen-Durchkontkaktierungs-Einsetzschema und zugehörige Lauyout-Struktur

Номер патента: DE102015114913A1. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz,Ta-Pen Guo,Yi-Hsiung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-02.

3d integrated circuit package with window interposer

Номер патента: CN104011851A. Автор: S·斯里尼瓦桑,M·T·博尔,D·马利克,R·S·维斯瓦纳斯,A·W·耶欧,S·阿格拉哈拉姆. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-08-27.

Method Of Making 3D Integration Microelectronic Assembly For Integrated Circuit Devices

Номер патента: US20140004646A1. Автор: Vage Oganesian. Владелец: Optiz Inc. Дата публикации: 2014-01-02.

Method Of Making 3D Integration Microelectronic Assembly For Integrated Circuit Devices

Номер патента: US20140004646A1. Автор: Vage Oganesian. Владелец: Optiz Inc. Дата публикации: 2014-01-02.

Method Of Forming 3D Integrated Circuit Package With Panel Type Lid

Номер патента: US20170077078A1. Автор: Kim Hong Chen,Han-Ping Pu,Tsung-Ding Wang,Chien Ling Hwang,Jung Wei Cheng,Hsin-Yu Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-16.

Multichip packages with 3d integration

Номер патента: EP4383316A1. Автор: Zhiwei Gong,Wen Hung HUANG,Antonius Hendrikus Jozef Kamphuis,Leo van Gemert,Scott M Hayes,Michael B Vincent. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-06-12.

Coaxial through via with novel high isolation cross coupling method for 3D integrated circuits

Номер патента: US12074125B2. Автор: Chewn-Pu Jou,William Wu Shen,Wen-Shiang Liao,Feng Wei KUO,Huan-Neng CHEN,Lan-Chou Cho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Method of forming 3D integrated circuit package with panel type lid

Номер патента: US09859266B2. Автор: Kim Hong Chen,Han-Ping Pu,Tsung-Ding Wang,Chien Ling Hwang,Jung Wei Cheng,Hsin-Yu Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

3D integration of fanout wafer level packages

Номер патента: US09589936B2. Автор: Jun Zhai,Kunzhong Hu,Flynn P. CARSON. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

3D integrated circuit package processing with panel type lid

Номер патента: US09502383B2. Автор: Kim Hong Chen,Han-Ping Pu,Tsung-Ding Wang,Chien Ling Hwang,Jung Wei Cheng,Hsin-Yu Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Compliant spring interposer for wafer level three dimensional (3d) integration and method of manufacturing

Номер патента: US20120193776A1. Автор: Koji Shiozaki,Sang Won Yoon. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2012-08-02.

3D Integrated Microelectronic Assembly With Stress Reducing Interconnects And Method Of Making Same

Номер патента: US20120313209A1. Автор: Vage Oganesian. Владелец: Optiz Inc. Дата публикации: 2012-12-13.

Process For Enhanced 3D Integration and Structures Generated Using the Same

Номер патента: US20130341791A1. Автор: Purushothaman Sampath,Colgan Evan George,Yu Roy R.. Владелец: International Bushiness Machines Corporation. Дата публикации: 2013-12-26.

Method Of Forming 3D Integrated Microelectronic Assembly With Stress Reducing Interconnects

Номер патента: US20140004647A1. Автор: Vage Oganesian. Владелец: Optiz Inc. Дата публикации: 2014-01-02.

CAPPED THROUGH-SILICON-VIAs FOR 3D INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20180012824A1. Автор: Paul S. Ho,Tengfei Jiang. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2018-01-11.

MONOLITHIC 3D INTEGRATION INTER-TIER VIAS INSERTION SCHEME AND ASSOCIATED LAYOUT STRUCTURE

Номер патента: US20170062319A1. Автор: Colinge Jean-Pierre,DIAZ Carlos H.,Lin Yi-Hsiung,GUO Ta-Pen. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

Method Of Forming 3D Integrated Circuit Package With Panel Type Lid

Номер патента: US20170077078A1. Автор: Hwang Chien Ling,WANG Tsung-Ding,Chen Kim Hong,Cheng Jung Wei,Pan Hsin-Yu,Pu Han-Ping. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-16.

ESD PROTECTION FOR 2.5D/3D INTEGRATED CIRCUIT SYSTEMS

Номер патента: US20160093606A1. Автор: CHEN Chia-Hui,Chu Fang-Tsun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2016-03-31.

3D INTEGRATED CIRCUIT PACKAGE WITH WINDOW INTERPOSER

Номер патента: US20140191419A1. Автор: Mallik Debendra,Bohr Mark T.,Srinivasan Sriram,Viswanath Ram S.,Agraharam Sairam,YEOH Andrew W.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2014-07-10.

Monolithic 3D Integration Inter-Tier Vias Insertion Scheme and Associated Layout Structure

Номер патента: US20190131230A1. Автор: Colinge Jean-Pierre,DIAZ Carlos H.,Lin Yi-Hsiung,GUO Ta-Pen. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-02.

3D INTEGRATION OF FANOUT WAFER LEVEL PACKAGES

Номер патента: US20160148904A1. Автор: Zhai Jun,Carson Flynn P.,Hu Kunzhong. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-26.

CAPPED THROUGH-SILICON-VIAs FOR 3D INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20190139864A1. Автор: Ho Paul S.,JIANG Tengfei. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

Coaxial through via with novel high isolation cross coupling method for 3d integrated circuits

Номер патента: US20210175187A1. Автор: Chewn-Pu Jou,William Wu Shen,Wen-Shiang Liao,Feng Wei KUO,Huan-Neng CHEN,Lan-Chou Cho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

COAXIAL THROUGH VIA WITH NOVEL HIGH ISOLATION CROSS COUPLING METHOD FOR 3D INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20170278806A1. Автор: JOU Chewn-PU,CHEN Huan-Neng,KUO Feng Wei,CHO Lan-Chou,Shen William Wu,Liao Wen-Shiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2017-09-28.

MONOLITHIC 3D INTEGRATION INTER-TIER VIAS INSERTION SCHEME AND ASSOCIATED LAYOUT STRUCTURE

Номер патента: US20170287826A1. Автор: Colinge Jean-Pierre,DIAZ Carlos H.,Lin Yi-Hsiung,GUO Ta-Pen. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-05.

METHODS OF INTERCONNECT FOR HIGH DENSITY 2.5D AND 3D INTEGRATION

Номер патента: US20180286826A1. Автор: Ramalingam Suresh,Gandhi Jaspreet Singh,Liu Henley. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2018-10-04.

3D INTEGRATED CIRCUIT PACKAGE WITH WINDOW INTERPOSER

Номер патента: US20150332994A1. Автор: Mallik Debendra,Bohr Mark T.,Srinivasan Sriram,Viswanath Ram S.,Agraharam Sairam,YEOH Andrew W.. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-19.

Die stacking for multi-tier 3d integration

Номер патента: US20190371763A1. Автор: Rahul Agarwal,Milind S. Bhagavat. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-12-05.

Monolithic 3D Integration Inter-Tier Vias Insertion Scheme and Associated Layout Structure

Номер патента: US20200402899A1. Автор: Colinge Jean-Pierre,DIAZ Carlos H.,Lin Yi-Hsiung,GUO Ta-Pen. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-24.

3D integrated circuit with logic

Номер патента: US8492886B2. Автор: Zvi Or-Bach,Ze'ev Wurman. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2013-07-23.

3d integrated circuit (3dic) structure and method of making same

Номер патента: KR101791748B1. Автор: 첸화 위,충시 리우,웬치 치어우. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2017-10-30.

Die stacking for multi-layer 3D integration

Номер патента: CN112005371A. Автор: 拉胡尔·阿加瓦尔,米林德·S·巴格瓦特. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2020-11-27.

Compliant spring interposer for wafer level three dimensional (3D) integration and method of manufacturing

Номер патента: US8564117B2. Автор: Koji Shiozaki,Sang Won Yoon. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2013-10-22.

3d integrated circuit package with window interposer

Номер патента: TWI512936B. Автор: Sriram Srinivasan,Mark Bohr,Debendra Mallik,Ram S Viswanath,Andrew W Yeoh,Sairam Agraharam. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-12-11.

Packages and methods for 3D integration including two stacked dies with a portion of one die extending into a hole of the other die

Номер патента: US8946879B2. Автор: Thomas Goida. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2015-02-03.

Coaxial through via with novel high isolation cross coupling method for 3D integrated circuits

Номер патента: US10930603B2. Автор: Chewn-Pu Jou,William Wu Shen,Wen-Shiang Liao,Feng Wei KUO,Huan-Neng CHEN,Lan-Chou Cho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-23.

Semiconductor device and manufacturing method, 3D integrated circuit

Номер патента: KR20220140641A. Автор: 핑-헝 우. Владелец: 창신 메모리 테크놀로지즈 아이엔씨. Дата публикации: 2022-10-18.

Method for three-dimensional (3D) integration of e.g. chips mounted in printed circuit board, involves patterning composite layer prior to lamination, and performing gluing or melting by laser or by cutting or punching process

Номер патента: DE102012023639A1. Автор: wird später genannt werden Erfinder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-06-05.

Compliant spring interposer for wafer level three dimensional (3d) integration and method of manufacturing

Номер патента: US20110241196A1. Автор: Koji Shiozaki,Sang Won Yoon. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2011-10-06.

Die stacking for multi-tier 3d integration

Номер патента: EP3803972B1. Автор: Rahul Agarwal,Milind S. Bhagavat. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-03-20.

Package architectures with glass cores for thickness reduction and 3d integration

Номер патента: US20240063203A1. Автор: Gang Duan,Navneet Singh,Ravindranath V. Mahajan,Srinivas V. Pietambaram,Brandon C. MARIN,Suddhasattwa NAD,Jeremy D. Ecton,Samarth Alva,Sushil PADMANABHAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Coaxial through via with novel high isolation cross coupling method for 3d integrated circuits

Номер патента: US20230307390A1. Автор: Chewn-Pu Jou,William Wu Shen,Wen-Shiang Liao,Feng Wei KUO,Huan-Neng CHEN,Lan-Chou Cho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Glass-based cavity and channels for cooling of embedded dies and 3d integrated modules using package substrates with glass core

Номер патента: WO2022265714A1. Автор: Georgios C. Dogiamis,Aleksandar Aleksov,Telesphor Kamgaing,Veronica Strong,Neelam Prabhu Gaunkar. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2022-12-22.

3d integrated circuit package processing with panel type lid

Номер патента: US20150262973A1. Автор: Kim Hong Chen,Han-Ping Pu,Tsung-Ding Wang,Chien Ling Hwang,Jung Wei Cheng,Hsin-Yu Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-17.

Multichip packages with 3d integration

Номер патента: US20240186303A1. Автор: Michael B. Vincent,Zhiwei Gong,Wen Hung HUANG,Antonius Hendrikus Jozef Kamphuis,Leo van Gemert,Scott M Hayes. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

3d integration of fanout wafer level packages

Номер патента: WO2016081182A1. Автор: Jun Zhai,Kunzhong Hu,Flynn P. CARSON. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2016-05-26.

Glass-based cavity and channels for cooling of embedded dies and 3d integrated modules using package substrates with glass core

Номер патента: EP4356424A1. Автор: Georgios C. Dogiamis,Aleksandar Aleksov,Telesphor Kamgaing,Veronica Strong,Neelam Prabhu Gaunkar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-24.

Tunable diplexers in three-dimensional (3d) integrated circuits (ic) (3dic) and related components and methods

Номер патента: US20160204758A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Xiangdong Zhang,Changhan Yun,Chengjie Zuo,Jonghae Kim,Mario Francisco Velez,Puay H. See,Daeik D. KIM,David F. BERDY,Robert P. MIKULKA,Matthew M. Nowak. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-07-14.

Tunable diplexers in three-dimensional (3D) integrated circuits (IC) (3DIC) and related components and methods

Номер патента: US09813043B2. Автор: Je-Hsiung Lan,Xiangdong Zhang,Changhan Yun,Chengjie Zuo,Jonghae Kim,Mario Francisco Velez,Puay H. See,Daeik D. KIM,David F. BERDY,Robert P. MIKULKA,Matthew M. Nowak. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Tunable diplexers in three-dimensional (3D) integrated circuits (IC) (3DIC) and related components and methods

Номер патента: US09634640B2. Автор: Je-Hsiung Lan,Xiangdong Zhang,Changhan Yun,Chengjie Zuo,Jonghae Kim,Mario Francisco Velez,Puay H. See,Daeik D. KIM,David F. BERDY,Robert P. MIKULKA,Matthew M. Nowak. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for testing through silicon vias in 3D integrated circuits

Номер патента: US09588174B1. Автор: Raphael Peter ROBERTAZZI. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Monolithic 3D integrated circuit for gas sensing and method of making and system using

Номер патента: US12013367B2. Автор: Max SHULAKER,Mindy Deanna Bishop. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2024-06-18.

Excavator 3d integrated laser and radio positioning guidance system

Номер патента: WO2008091395A3. Автор: Mark E Nichols. Владелец: Caterpillar Trimble Control. Дата публикации: 2008-10-16.

Excavator 3d integrated laser and radio positioning guidance system

Номер патента: EP2054555A2. Автор: Mark E. Nichols. Владелец: Caterpillar Trimble Control Technologies LLC. Дата публикации: 2009-05-06.

Excavator 3d integrated laser and radio positioning guidance system

Номер патента: WO2008091395A2. Автор: Mark E. Nichols. Владелец: Caterpillar Trimble Control Technologies LLC. Дата публикации: 2008-07-31.

Monolithic 3d integrated circuit for gas sensing and method of making and system using

Номер патента: US20230204536A1. Автор: Max SHULAKER,Mindy Deanna Bishop. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2023-06-29.

Tunable diplexers in three-dimensional (3d) integrated circuits (ic) (3dic) and related components and methods

Номер патента: US20140327496A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Xiangdong Zhang,Changhan Yun,Chengjie Zuo,Jonghae Kim,Mario Francisco Velez,Puay H. See,Daeik D. KIM,David F. BERDY,Robert P. MIKULKA,Matthew M. Nowak. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-11-06.

Tunable diplexers in three-dimensional (3d) integrated circuits (ic) (3dic) and related components and methods

Номер патента: EP2995002A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Xiangdong Zhang,Changhan Yun,Chengjie Zuo,Jonghae Kim,Mario Francisco Velez,Puay H. See,Daeik D. KIM,David F. BERDY,Robert P. MIKULKA,Matthew M. Nowak. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-03-16.

Tunable diplexers in three-dimensional (3d) integrated circuits (ic) (3dic) and related components and methods

Номер патента: WO2014182556A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Xiangdong Zhang,Changhan Yun,Chengjie Zuo,Jonghae Kim,Mario Francisco Velez,Puay H. See,Daeik D. KIM,David F. BERDY,Robert P. MIKULKA,Matthew M. Nowak. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-11-13.

Integrated ultra wideband transceiver

Номер патента: US09681389B2. Автор: David D. Wentzloff,Kuo-Ken Huang,Jonathan K. Brown,Elnaz Ansari,Ryan R. Rogel. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2017-06-13.

Power Routing for 2.5D or 3D Integrated Circuits Including a Buried Power Rail and Interposer with Power Delivery Network

Номер патента: US20240258206A1. Автор: Xi-Wei Lin,Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Power routing for 2.5d or 3d integrated circuits

Номер патента: WO2023038647A1. Автор: Xi-Wei Lin,Victor Moroz. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2023-03-16.

Power routing for 2.5d or 3d integrated circuits

Номер патента: EP4371151A1. Автор: Xi-Wei Lin,Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2024-05-22.

Power routing for 2.5D or 3D integrated circuits including a buried power rail and interposer with power delivery network

Номер патента: US11984384B2. Автор: Xi-Wei Lin,Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Metal to metal bonding for stacked (3D) integrated circuits

Номер патента: US09673176B2. Автор: John A. Fitzsimmons,Mukta G. Farooq,Tien-Jen Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Metal to metal bonding for stacked (3D) integrated circuits

Номер патента: US09666563B2. Автор: John A. Fitzsimmons,Mukta G. Farooq,Tien-Jen Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Metal to metal bonding for stacked (3D) integrated circuits

Номер патента: US09653432B2. Автор: John A. Fitzsimmons,Mukta G. Farooq,Tien-Jen Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Double-sided segmented line architecture in 3D integration

Номер патента: US09559040B2. Автор: Toshiaki Kirihata,John W. Golz,Pooja R. Batra,Mark Jacunski. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Metal to metal bonding for stacked (3D) integrated circuits

Номер патента: US09515051B2. Автор: John A. Fitzsimmons,Mukta G. Farooq,Tien-Jen Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Method and device for manufacturing 3D integrated circuit device using interface wafer as permanent carrier

Номер патента: CN102124562B. Автор: A·扬,刘菲,M·法罗克,S·J·科伊斯特,S·皮鲁肖查曼,R·哈农,虞蓉卿,S·赖伊尔. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-04-24.

Complete system-on-chip (SOC) using monolithic three dimensional (3D) integrated circuit (IC) (3DIC) technology

Номер патента: CN105378918A. Автор: Y·杜. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-03-02.

Double-sided segmented line architecture in 3D integration

Номер патента: US9870979B2. Автор: Toshiaki Kirihata,John W. Golz,Pooja R. Batra,Mark Jacunski. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Interconnecting mechanism for 3D integrated circuit

Номер патента: US8736059B2. Автор: Hsin-Hung Lee,Bo-Shiang Fang,Li-Fang Lin,Ming-Fan Tsai. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-27.

Through silicon via (tsv) isolation structures for noise reduction in 3d integrated circuit

Номер патента: US20130147057A1. Автор: Chung-Hui Chen,Der-Chyang Yeh,Jaw-Juinn Horng,Yung-Chow Peng,Chia-Lin Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-06-13.

THREE-DIMENSIONAL (3D) INTEGRATED CIRCUIT WITH ENHANCED COPPER-TO-COPPER BONDING

Номер патента: US20130200520A1. Автор: Nguyen Son V.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-08-08.

Through silicon via (tsv) isolation structures for noise reduction in 3d integrated circuit

Номер патента: US20140008817A1. Автор: Chung-Hui Chen,Der-Chyang Yeh,Jaw-Juinn Horng,Yung-Chow Peng,Chia-Lin Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-01-09.

LATCH-UP SUPPRESSION AND SUBSTRATE NOISE COUPLING REDUCTION THROUGH A SUBSTRATE BACK-TIE FOR 3D INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20140061943A1. Автор: Moroz Victor,Kawa Jamil. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2014-03-06.

POWER DISTRIBUTION NETWORKS FOR A THREE-DIMENSIONAL (3D) INTEGRATED CIRCUIT (IC) (3DIC)

Номер патента: US20190027435A1. Автор: Xie Jing,Kamal Pratyush,Samadi Kambiz,Du Yang. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

METAL TO METAL BONDING FOR STACKED (3D) INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20160086925A1. Автор: Fitzsimmons John A.,Farooq Mukta G.,Cheng Tien-Jen. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

METAL TO METAL BONDING FOR STACKED (3D) INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20140191418A1. Автор: Fitzsimmons John A.,Farooq Mukta G.,Cheng Tien-Jen. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-07-10.

3D INTEGRATED CIRCUIT PACKAGE WITH THROUGH-MOLD FIRST LEVEL INTERCONNECTS

Номер патента: US20140217585A1. Автор: Sankman Robert L.,Mallik Debendra. Владелец: . Дата публикации: 2014-08-07.

Double-sided segmented line architecture in 3d integration

Номер патента: US20150187642A1. Автор: Toshiaki Kirihata,John W. Golz,Pooja R. Batra,Mark Jacunski. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-07-02.

Combination of tsv and back side wiring in 3d integration

Номер патента: US20150187733A1. Автор: Subramanian S. Iyer,Douglas C. La Tulipe, Jr.,John W. Golz,Spyridon Skordas,Kevin R. Winstel,Pooja R. Batra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-07-02.

3D INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20180204930A1. Автор: OR-BACH Zvi,Sekar Deepak C.,Cronquist Brian. Владелец: MonolithIC 3D Inc.. Дата публикации: 2018-07-19.

TSV WITH END CAP, METHOD AND 3D INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20150262911A1. Автор: Gambino Jeffrey P.,Stamper Anthony K.,Chen Fen,He Zhong-Xiang,GRIFFIN CHARLES W.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-09-17.

3D INTEGRATED CIRCUIT PACKAGE PROCESSING WITH PANEL TYPE LID

Номер патента: US20150262973A1. Автор: Hwang Chien Ling,WANG Tsung-Ding,Chen Kim Hong,Cheng Jung Wei,Pan Hsin-Yu,Pu Han-Ping. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

POWER DISTRIBUTION NETWORKS FOR A THREE-DIMENSIONAL (3D) INTEGRATED CIRCUIT (IC) (3DIC)

Номер патента: US20180286800A1. Автор: Xie Jing,Kamal Pratyush,Samadi Kambiz,Du Yang. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-04.

COMPLETE SYSTEM-ON-CHIP (SOC) USING MONOLITHIC THREE DIMENSIONAL (3D) INTEGRATED CIRCUIT (IC) (3DIC) TECHNOLOGY

Номер патента: US20160351553A1. Автор: Du Yang. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-01.

DOUBLE-SIDED SEGMENTED LINE ARCHITECTURE IN 3D INTEGRATION

Номер патента: US20150364401A1. Автор: Kirihata Toshiaki,Batra Pooja R.,Golz John W.,Jacunski Mark. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-17.

COMBINATION OF TSV AND BACK SIDE WIRING IN 3D INTEGRATION

Номер патента: US20150371927A1. Автор: Skordas Spyridon,JR. Douglas C.,Winstel Kevin R.,Iyer Subramanian S.,La Tulipe,Batra Pooja R.,Golz John W.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-12-24.

3D integrated circuit system with connecting via structure and method for forming the same

Номер патента: US8637993B2. Автор: Chun Yu Wong,Ramakanth Alapati,Teck Jung Tang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-01-28.

Backside dummy plugs for 3d integration

Номер патента: CN102822942A. Автор: 刘菲,S.J.科伊斯特. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-12-12.

Backside dummy plugs for 3d integration

Номер патента: GB201218896D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-12-05.

3D integrated circuit device fabrication using interface wafer as permanent carrier

Номер патента: US8298914B2. Автор: Fei Liu,Sampath Purushothaman,Mukta G. Farooq,Roy R. Yu,Albert M. Young,Steven J. Koester,Subramanian S. Iyer,Robert Hannon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-10-30.

Three-dimensional (3D) integrated heat spreader for multichip packages

Номер патента: CN104716112A. Автор: H·K·达瓦莱斯瓦拉普,R·D·弗林,S·K·萨哈. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-06-17.

Backside dummy plugs for 3d integration

Номер патента: WO2011119192A1. Автор: Fei Liu,Steven J. Koester. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2011-09-29.

3D integrated circuit package with through-mold first level interconnects

Номер патента: US9530758B2. Автор: Robert L. Sankman,Debendra Mallik. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Metal to metal bonding for stacked (3D) integrated circuits

Номер патента: US9653431B2. Автор: John A. Fitzsimmons,Mukta G. Farooq,Tien-Jen Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

3D integrated circuit structure, semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US9064849B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-06-23.

Complete system-on-chip (soc) using monolithic three dimensional (3d) integrated circuit (ic) (3dic) technology

Номер патента: CA2917586A1. Автор: Yang Du. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-01-22.

Three-dimensional (3D) integrated circuit with enhanced copper-to-copper bonding

Номер патента: US8431436B1. Автор: Son V. Nguyen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-04-30.

Interconnecting mechanism for 3d integrated circuit

Номер патента: TWI449143B. Автор: 李信宏,方柏翔,蔡明汎,林麗芳. Владелец: 矽品精密工業股份有限公司. Дата публикации: 2014-08-11.

Power routing for 2.5d or 3d integrated circuits

Номер патента: US20230074159A1. Автор: Xi-Wei Lin,Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2023-03-09.

Techniques for heat dispersion in 3d integrated circuit

Номер патента: US20230378016A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Chun-Yang Tsai,Kuo-Ching Huang,Yi Ching Ong,Chien Ta Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Structure and method for integrating ultra-low dielectric constant (k) dielectrics with improved reliability

Номер патента: JP4328725B2. Автор: ステファン・マッコネル・ゲート,ソン・バン・グエン. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-09-09.

Graphene-based 3D integrated circuit devices

Номер патента: JP5870046B2. Автор: ギュオ、デチャオ,ハン、シュージェン,リン、チャンスン,スー、ニン. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-02-24.

3D integrated video display device

Номер патента: KR100875415B1. Автор: 두드니코프세르게이,체르넨코발레리,페도로프알렉산더,고렐릭세르게이,카클릿안톤,쿠즈네츠소프에브게니,포포프알렉산더. Владелец: 주식회사 엘지이아이. Дата публикации: 2008-12-23.

Processes for Enhanced 3D Integration and Structures Generated Using the Same

Номер патента: US20110188209A1. Автор: Sampath Purushothaman,Roy R. Yu,Evan G. Colgan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-08-04.

Imaging device and electronic device using three dimentional (3D) integration

Номер патента: US10020336B2. Автор: Takayuki Ikeda,Naoto Kusumoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-10.

Using 3D integrated diffractive gratings in solar cells

Номер патента: TW200947724A. Автор: Thomas Morf,Thomas Pflueger,Matthias Fertig,Nikolaj Moll. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2009-11-16.

Using 3d integrated diffractive gratings in solar cells

Номер патента: WO2009090123A3. Автор: Thomas Pflueger,Matthias Fertig,Nikolaj Moll,Thomas E. Morf. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2010-01-14.

Using 3d integrated diffractive gratings in solar cells

Номер патента: WO2009090123A2. Автор: Thomas Pflueger,Matthias Fertig,Nikolaj Moll,Thomas E. Morf. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2009-07-23.

Using 3d integrated diffractive gratings in solar cells

Номер патента: EP2229697A2. Автор: Thomas Pflueger,Matthias Fertig,Nikolaj Moll,Thomas E. Morf. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-09-22.

Bio-implantable hermetic integrated ultra high density device

Номер патента: US9224664B2. Автор: Tirunelveli S. Sriram,Brian R. Smith,Bryan L. MCLAUGHLIN. Владелец: Charles Stark Draper Laboratory Inc. Дата публикации: 2015-12-29.

METHODS FOR CONSTRUCTING THREE DIMENSIONAL (3D) INTEGRATED CIRCUITS (ICs) (3DICs) AND RELATED SYSTEMS

Номер патента: US20160225741A1. Автор: Yang Du,Karim Arabi. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-08-04.

METHODS FOR CONSTRUCTING THREE DIMENSIONAL (3D) INTEGRATED CIRCUITS (ICs) (3DICs) AND RELATED SYSTEMS

Номер патента: WO2015179052A1. Автор: Yang Du,Karim Arabi. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-11-26.

Architecture for monolithic 3D integration of semiconductor devices

Номер патента: CN112956024A. Автор: 安东·J·德维利耶,杰弗里·史密斯,拉尔斯·利布曼. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-06-11.

Three-dimensional (3d) integrated circuits (3dics) with graphene shield and related fabrication method

Номер патента: WO2014126800A1. Автор: Yang Du. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-08-21.

Three-dimensional (3d) integrated circuits (3dics) with graphene shield and related fabrication method

Номер патента: EP2956961A1. Автор: Yang Du. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-12-23.

Transmission line for 3D integrated circuit

Номер патента: US09472513B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

3d integrated electronic device structure including increased thermal dissipation capabilities

Номер патента: US20130082376A1. Автор: Christopher Fred Keimel,Kaustubh Ravindra Nagarkar. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2013-04-04.

3D INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20130193550A1. Автор: Sklenard Benoit,Batude Perrine. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-01.

3D Integrated Circuit and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20210013098A1. Автор: Chao Lan-Lin,Tsai Chia-Shiung,Tu Yeur-Luen,Liu Ping-Yin,Kuang Hsun-Chung,Chen Xiaomeng,Chu Yen-Chang,Hsiao Cheng-Tai. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-14.

TRANSMISSION LINE FOR 3D INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20170018514A1. Автор: Yen Hsiao-Tsung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2017-01-19.

ARCHITECTURE FOR MONOLITHIC 3D INTEGRATION OF SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20220052038A1. Автор: deVilliers Anton J.,Smith Jeffrey,LIEBMANN Lars. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2022-02-17.

3D Integrated Circuit and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20190035681A1. Автор: Chao Lan-Lin,Tsai Chia-Shiung,Tu Yeur-Luen,Liu Ping-Yin,Kuang Hsun-Chung,Chen Xiaomeng,Chu Yen-Chang,Hsiao Cheng-Tai. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-31.

Semiconductor Device and Method of Forming a 3D Integrated System-in-Package Module

Номер патента: US20190074267A1. Автор: Yang DeokKyung,Lee HunTeak,Lee HeeSoo. Владелец: STATS ChipPAC Pte. Ltd.. Дата публикации: 2019-03-07.

TRANSMISSION LINE FOR 3D INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20150097640A1. Автор: Yen Hsiao-Tsung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-04-09.

3D Integrated Circuit and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20150108644A1. Автор: Chao Lan-Lin,Tsai Chia-Shiung,Tu Yeur-Luen,Liu Ping-Yin,Kuang Hsun-Chung,Chen Xiaomeng,Chu Yen-Chang,Hsiao Cheng-Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2015-04-23.

METHOD FOR MANUFACTURING MONOLITHIC THREE-DIMENSIONAL (3D) INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20200098749A1. Автор: Colinge Jean-Pierre,DIAZ Carlos H.,GUO Ta-Pen. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-26.

WORD LINE COUPLING PREVENTION USING 3D INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20150145139A1. Автор: HSU Kuoyuan (Peter). Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2015-05-28.

ARCHITECTURE FOR MONOLITHIC 3D INTEGRATION OF SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20200135718A1. Автор: Smith Jeffrey,deVilliers Anton,LIEBMANN Lars. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2020-04-30.

THERMAL VIA FOR 3D INTEGRATED CIRCUITS STRUCTURES

Номер патента: US20140239457A1. Автор: Daubenspeck Timothy H.,Gambino Jeffrey P.,Muzzy Christopher D.,Sauter Wolfgang,Sullivan Timothy D.,HAUSER MICHAEL J.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-08-28.

Three-dimensional (3d) integrated heat spreader for multichip packages

Номер патента: US20150170989A1. Автор: Hemanth K. DHAVALESWARAPU,Sanjoy K. Saha,Roger D. FLYNN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-06-18.

THREE-DIMENSION (3D) INTEGRATED CIRCUIT (IC) PACKAGE

Номер патента: US20150171031A1. Автор: Ker Ming-Dou,Chuang Che-Hao. Владелец: AMAZING MICROELECTRONIC CORP.. Дата публикации: 2015-06-18.

3D Integrated Circuit and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20220310449A1. Автор: Chao Lan-Lin,Tsai Chia-Shiung,Tu Yeur-Luen,Liu Ping-Yin,Kuang Hsun-Chung,Chen Xiaomeng,Chu Yen-Chang,Hsiao Cheng-Tai. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-29.

EMBEDDED METAL-INSULATOR-METAL (MIM) DECOUPLING CAPACITOR IN MONOLITIC THREE-DIMENSIONAL (3D) INTEGRATED CIRCUIT (IC) STRUCTURE

Номер патента: US20180204796A1. Автор: Cheng Kangguo,Pei Chengwen,Wang Geng,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-19.

Novel 3D Integration Method Using SOI Substrates and Structures Produced Thereby

Номер патента: US20170229392A1. Автор: Purushothaman Sampath,YU Roy RONGUING. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2017-08-10.

Semiconductor Device and Method of Forming a 3D Integrated System-in-Package Module

Номер патента: US20200219859A1. Автор: Yang DeokKyung,Lee HunTeak,Lee HeeSoo. Владелец: STATS ChipPAC Pte. Ltd.. Дата публикации: 2020-07-09.

Cu3Sn VIA METALLIZATION IN ELECTRICAL DEVICES FOR LOW-TEMPERATURE 3D-INTEGRATION

Номер патента: US20210265206A1. Автор: Clarke Andrew,Drab John J.,WALKER Faye. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-26.

STRUCTURE AND METHOD FOR MAKING CRACK STOP FOR 3D INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20140339703A1. Автор: Zhu Huilong,Melville Ian D.,Farooq Mukta G.,Shaw Thomas M.,Griesemer John A.,Landers William F.. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-20.

3D INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20170287844A1. Автор: OR-BACH Zvi,Sekar Deepak C.,Cronquist Brian. Владелец: MonolithIC 3D Inc.. Дата публикации: 2017-10-05.

METHODS FOR CONSTRUCTING THREE DIMENSIONAL (3D) INTEGRATED CIRCUITS (ICs) (3DICs) AND RELATED SYSTEMS

Номер патента: US20150333056A1. Автор: Du Yang,Arabi Karim. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-11-19.

NOVEL 3D INTEGRATION METHOD USING SOI SUBSTRATES AND STRUCTURES PRODUCED THEREBY

Номер патента: US20180315655A1. Автор: Purushothaman Sampath,YU Roy RONGUING. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2018-11-01.

THROUGH-DIELECTRIC-VIAS (TDVs) FOR 3D INTEGRATED CIRCUITS IN SILICON

Номер патента: US20160343613A1. Автор: Uzoh Cyprian Emeka. Владелец: INVENSAS CORPORATION. Дата публикации: 2016-11-24.

NOVEL 3D INTEGRATION METHOD USING SOI SUBSTRATES AND STRUCTURES PRODUCED THEREBY

Номер патента: US20180337091A1. Автор: Purushothaman Sampath,YU Roy RONGUING. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2018-11-22.

3D INTEGRATED CIRCUIT DEVICE HAVING A BUTTRESS STRUCTURE FOR RESISTING DEFORMATION

Номер патента: US20180337140A1. Автор: Luoh Tuung,Yang Ta-Hung,Chen Kuang-Chao,HUNG Yung-Tai. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2018-11-22.

Novel 3D Integration Method Using SOI Substrates and Structures Produced Thereby

Номер патента: US20180374751A1. Автор: Purushothaman Sampath,YU Roy RONGUING. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2018-12-27.

METHOD FOR MANUFACTURING MONOLITHIC THREE-DIMENSIONAL (3D) INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20180374845A1. Автор: Colinge Jean-Pierre,DIAZ Carlos H.,GUO Ta-Pen. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-27.

METHOD FOR MANUFACTURING MONOLITHIC THREE-DIMENSIONAL (3D) INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20190393215A1. Автор: Colinge Jean-Pierre,DIAZ Carlos H.,GUO Ta-Pen. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-26.

3D INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: FR2986370A1. Автор: Perrine Batude,Benoit Sklenard. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2013-08-02.

3D integrated circuit and methods of forming the same

Номер патента: US9257399B2. Автор: Xiaomeng Chen,Ping-Yin Liu,Lan-Lin Chao,Chia-Shiung Tsai,Hsun-Chung KUANG,Yeur-Luen Tu,Yen-Chang Chu,Cheng-Tai Hsiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-09.

3d integration of a mim capacitor and a resistor

Номер патента: US20110204480A1. Автор: Mareike Klee,Robertus Adrianus Maria Wolters,Linda Van Leuken-Peters,Aarnoud Laurens Roest,Rudiger Gunter Mauczok. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-08-25.

3D INTEGRATION OF VERTICAL COMPONENTS IN RECONSTITUTED SUBSTRATES.

Номер патента: FR2917233B1. Автор: Francois Baleras,Gilles Poupon,Jean Charles Souriau,Sophie Verrun. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2009-11-06.

Clock tree synthesis for low cost pre-bond testing of 3D integrated circuits

Номер патента: US9508615B2. Автор: Yang Du,Kambiz Samadi,Sung Kyu Lim,Pratyush Kamal. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

3D INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: FR2986370B1. Автор: Perrine Batude,Benoit Sklenard. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2014-11-21.

Architecture for monolithic 3D integration of semiconductor devices

Номер патента: US11201148B2. Автор: Jeffrey Smith,Anton J. deVilliers,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-12-14.

3D Integrated Circuit and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20210151353A1. Автор: Xiaomeng Chen,Ping-Yin Liu,Lan-Lin Chao,Chia-Shiung Tsai,Hsun-Chung KUANG,Yeur-Luen Tu,Yen-Chang Chu,Cheng-Tai Hsiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Method for manufacturing monolithic three-dimensional (3D) integrated circuits

Номер патента: US10985159B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz,Ta-Pen Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-20.

DEVICE AND METHOD FOR AN INTEGRATED ULTRA-HIGH-DENSITY DEVICE

Номер патента: US20160049383A1. Автор: Shen Hong,Woychik Charles G.,Uzoh Cyprian Emeka,Katkar Rajesh,Gao Guilian,Lattin Christopher W.. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-18.

3D-INTEGRATED OPTICAL SENSOR AND METHOD OF PRODUCING A 3D-INTEGRATED OPTICAL SENSOR

Номер патента: US20190237500A1. Автор: MANNINGER Mario,Schrems Martin,Enichlmair Hubert,Bodner Thomas,TOSCHKOFF Gregor. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-01.

Method for producing interconnections for 3D integrated circuit

Номер патента: US09793162B2. Автор: Philippe Coronel,Claire Fenouillet-Beranger. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-10-17.

3d integrated circuit

Номер патента: US20220109447A1. Автор: Juergen Boemmels,Francky Catthoor,Julien Ryckaert,Edouard Giacomin. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-04-07.

Three-dimensional (3d) integrated circuit with passive elements formed by hybrid bonding

Номер патента: US20210398957A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Jonghae Kim,Ranadeep Dutta. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Alignment marks to enable 3D integration

Номер патента: US8546961B2. Автор: Kevin S. Petrarca,Richard P. Volant,William F. Landers,Mukta G. Farooq,Robert Hannon,Emily R. Kinser,Troy L. Graves-Abe,Kevin R. Winstel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-10-01.

3d ufet device for advanced 3d integration

Номер патента: US20230261113A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford,Partha MUKHOPADHYAY. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Method Of Making 3D Integration Microelectronic Assembly For Integrated Circuit Devices

Номер патента: US20140004664A1. Автор: Oganesian Vage. Владелец: Optiz, Inc.. Дата публикации: 2014-01-02.

Highly regular logic design for efficient 3d integration

Номер патента: US20210035967A1. Автор: Jeffrey Smith,Daniel Chanemougame,Anton Devilliers,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Highly regular logic design for efficient 3d integration related application data

Номер патента: WO2021021334A1. Автор: Jeffrey Smith,Daniel Chanemougame,Anton Devilliers,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2021-02-04.

Wafer-level 3D integration of high voltage optical transformer

Номер патента: US11810908B2. Автор: Andrew John Ouderkirk,Christopher Yuan Ting Liao,Maik Andre Scheller,Jonathan Robert Peterson,Anurag Tyagi,John Goward,Ehsan Vadiee. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-07.

Offset vertical interconnect and compression post for 3d-integrated electrical device

Номер патента: WO2022192107A1. Автор: Andrew Clarke,James PATTISON,Stuart FARRELL. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2022-09-15.

Offset vertical interconnect and compression post for 3d-integrated electrical device

Номер патента: US20220293661A1. Автор: Andrew Clarke,James PATTISON,Stuart FARRELL. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2022-09-15.

3d integrated in-package main memory

Номер патента: US20240332275A1. Автор: Rajendra D Pendse,Jaesik Lee. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-03.

3D integration using Al—Ge eutectic bond interconnect

Номер патента: US09754922B2. Автор: Peter Smeys,Mozafar Maghsoudnia. Владелец: InvenSense Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

3D Integrated circuit in planar process

Номер патента: US20120074505A1. Автор: Zhao Wang,Hang Yin,WenBo TIAN. Владелец: Vimicro Corp. Дата публикации: 2012-03-29.

Alignment marks to enable 3d integration

Номер патента: US20120175789A1. Автор: Richard P. Volant,William F. Landers,Mukta G. Farooq,Robert Hannon,Emily R. Kinser,Troy L. Graves-Abe,Kevin R. Winstel,Kevin S. Patrarca. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-12.

COMPUTER READABLE MEDIUM ENCODED WITH A PROGRAM FOR FABRICATING A 3D INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE

Номер патента: US20130189813A1. Автор: Purushothaman Sampath,Liu Fei,Farooq Mukta G.,Yu Roy R.,Hannon Robert,Iyer Subramanian S.,Koester Steven J.,Young Albert M.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-07-25.

METHOD TO ENABLE CONTROLLED SIDE CHIP INTERCONNECTION FOR 3D INTEGRATED PACKAGING SYSTEM

Номер патента: US20130341803A1. Автор: Cheah Bok Eng,Kong Jackson Chung Peng,OOI Kooi Chi,Periaman Shanggar Shaq. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-26.

LATCH-UP SUPPRESSION AND SUBSTRATE NOISE COUPLING REDUCTION THROUGH A SUBSTRATE BACK-TIE FOR 3D INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20140065821A1. Автор: Moroz Victor,Kawa Jamil. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2014-03-06.

METHOD FOR IMPROVING ENDURANCE PERFORMANCE OF 3D INTEGRATED RESISTIVE SWITCHING MEMORY

Номер патента: US20190006584A1. Автор: Long Shibing,Liu Qi,Lv Hangbing,Li Ling,LU Nianduan,SUN Pengxiao,IIU Ming. Владелец: Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Science. Дата публикации: 2019-01-03.

CAPPING COATING FOR 3D INTEGRATION APPLICATIONS

Номер патента: US20150011072A1. Автор: Purushothaman Sampath,Topol Anna W.. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-08.

3D INTEGRATED CIS

Номер патента: US20160020239A1. Автор: Liu Jerry,WU Phil,HUANG Herb He. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-21.

COMPLETE SYSTEM-ON-CHIP (SOC) USING MONOLITHIC THREE DIMENSIONAL (3D) INTEGRATED CIRCUIT (IC) (3DIC) TECHNOLOGY

Номер патента: US20150022262A1. Автор: Du Yang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-01-22.

COMPUTER READABLE MEDIUM ENCODED WITH A PROGRAM FOR FABRICATING 3D INTEGRATED CIRCUIT DEVICE USING INTERFACE WAFER AS PERMANENT CARRIER

Номер патента: US20150024548A1. Автор: Purushothaman Sampath,Liu Fei,Farooq Mukta G.,Yu Roy R.,Hannon Robert,Iyer Subramanian S.,Koester Steven J.,Young Albert M.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-01-22.

HIGHLY REGULAR LOGIC DESIGN FOR EFFICIENT 3D INTEGRATION

Номер патента: US20210035967A1. Автор: Smith Jeffrey,deVilliers Anton,LIEBMANN Lars,Chanemougame Daniel. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2021-02-04.

Novel 3D Integration Method Using SOI Substrates And Structures Produced Thereby

Номер патента: US20150054149A1. Автор: Purushothaman Sampath,Yu Roy R.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-02-26.

Semi-sequential 3D Integration

Номер патента: US20180068898A1. Автор: Collaert Nadine,Walke Amey Mahadev. Владелец: IMEC VZW. Дата публикации: 2018-03-08.

METAL TO METAL BONDING FOR STACKED (3D) INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20160086914A1. Автор: Fitzsimmons John A.,Farooq Mukta G.,Cheng Tien-Jen. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

METAL TO METAL BONDING FOR STACKED (3D) INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20160086915A1. Автор: Fitzsimmons John A.,Farooq Mukta G.,Cheng Tien-Jen. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

METAL TO METAL BONDING FOR STACKED (3D) INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20160086916A1. Автор: Fitzsimmons John A.,Farooq Mukta G.,Cheng Tien-Jen. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

METHOD OF FABRICATING A 3D INTEGRATED ELECTRONIC DEVICE STRUCTURE INCLUDING INCREASED THERMAL DISSIPATION CAPABILITIES

Номер патента: US20140170811A1. Автор: Nagarkar Kaustubh Ravindra,Keimel Christopher Fred. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2014-06-19.

Semi-sequential 3D Integration

Номер патента: US20190096764A1. Автор: Collaert Nadine,Walke Amey Mahadev. Владелец: IMEC VZW. Дата публикации: 2019-03-28.

3D INTEGRATED CIRCUIT PACKAGE WITH THROUGH-MOLD FIRST LEVEL INTERCONNECTS

Номер патента: US20170103970A1. Автор: Sankman Robert L.,Mallik Debendra. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-13.

METHOD FOR PRODUCING INTERCONNECTIONS FOR 3D INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20160111330A1. Автор: Coronel Philippe,Fenouillet-Beranger Claire. Владелец: Commissariat A L'Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives. Дата публикации: 2016-04-21.

ION REDUCED, ION CUT-FORMED THREE-DIMENSIONAL (3D) INTEGRATED CIRCUITS (IC) (3DICS), AND RELATED METHODS AND SYSTEMS

Номер патента: US20150132922A1. Автор: Du Yang. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-14.

3D INTEGRATED COUNT

Номер патента: US20220271755A1. Автор: Catthoor Francky,Ryckaert Julien,GIACOMIN Edouard,BOEMMELS Juergen. Владелец: . Дата публикации: 2022-08-25.

ION REDUCED, ION CUT-FORMED THREE-DIMENSIONAL (3D) INTEGRATED CIRCUITS (IC) (3DICS), AND RELATED METHODS AND SYSTEMS

Номер патента: US20140225218A1. Автор: Du Yang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-08-14.

HYBRID POCKET POST AND TAILORED VIA DIELECTRIC FOR 3D-INTEGRATED ELECTRICAL DEVICE

Номер патента: US20220285298A1. Автор: Clarke Andrew,Ramirez Aaron M.,Fulk Chad. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-08.

3D Integrated Circuit and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20160155665A1. Автор: Chao Lan-Lin,Tsai Chia-Shiung,Tu Yeur-Luen,Liu Ping-Yin,Kuang Hsun-Chung,Chen Xiaomeng,Chu Yen-Chang,Hsiao Cheng-Tai. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-02.

OFFSET VERTICAL INTERCONNECT AND COMPRESSION POST FOR 3D-INTEGRATED ELECTRICAL DEVICE

Номер патента: US20220293661A1. Автор: Clarke Andrew,Pattison James,FARRELL Stuart. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-15.

METHOD FOR FABRICATING AUTO-ALIGNED INTERCONNECTION ELEMENTS FOR A 3D INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20180158736A1. Автор: Coronel Philippe,Fenouillet-Beranger Claire,MATHIEU Benoit. Владелец: Commissariat A L'Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives. Дата публикации: 2018-06-07.

FLIP-FLOPS IN A MONOLITHIC THREE-DIMENSIONAL (3D) INTEGRATED CIRCUIT (IC) (3DIC) AND RELATED METHODS

Номер патента: US20140253196A1. Автор: Xie Jing,Samadi Kambiz,Du Yang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-09-11.

3D INTEGRATED CIRCUIT (3DIC) STRUCTURE AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: US20160197055A1. Автор: Liu Chung-Shi,Yu Chen-Hua,Chiou Wen-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-07.

OPTICAL BUS IN 3D INTEGRATED CIRCUIT STACK

Номер патента: US20150206856A1. Автор: Kwok Chee Yee,Michael Aron,Xu Yiwei. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-23.

3d integrated thermoelectric generator operating in an out-of-plane heat flux configuration with internal voids and heat conduction paths conditioning vias

Номер патента: US20170200879A1. Автор: Danilo Mascolo,Giuseppe LATESSA,Simone Di Marco,Marco GIUSTI. Владелец: CONSORZIO DELTA TI RESEARCH. Дата публикации: 2017-07-13.

System and Method for 3D Integrated Circuit Stacking

Номер патента: US20150214166A1. Автор: Ching Kai-Ming. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-30.

3D INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20160211241A1. Автор: Lu Ju-Yi,Liu Chunchen,Law Oscar. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-21.

METHODS FOR CONSTRUCTING THREE DIMENSIONAL (3D) INTEGRATED CIRCUITS (ICs) (3DICs) AND RELATED SYSTEMS

Номер патента: US20160225741A1. Автор: Du Yang,Arabi Karim. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-04.

CLOCK TREE SYNTHESIS FOR LOW COST PRE-BOND TESTING OF 3D INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20160233134A1. Автор: Kamal Pratyush,Samadi Kambiz,Du Yang,LIM Sung Kyu. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-11.

3D INTEGRATION USING Al-Ge EUTECTIC BOND INTERCONNECT

Номер патента: US20160233197A1. Автор: Smeys Peter,Maghsoudnia Mozafar. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-11.

3D INTEGRATED HETEROSTRUCTURES HAVING LOW-TEMPERATURE BONDED INTERFACES WITH HIGH BONDING ENERGY

Номер патента: US20140327113A1. Автор: Gaudin Gweltaz. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-06.

Novel 3D Integration Method using SOI Substrates and Structures Produced Thereby

Номер патента: US20150270172A1. Автор: Yu Roy R.,Purushotaman Sampath D.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-09-24.

CAPACITOR INTERPOSER LAYER (CIL) IN A DIE-TO-WAFER THREE-DIMENSIONAL (3D) INTEGRATED CIRCUIT (IC) (3DIC)

Номер патента: US20210335738A1. Автор: Kim Jonghae,Lan Je-Hsiung,Kim Jinseong,Chidambaram Periannan. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-28.

Novel 3D Integration Method Using SOI Substrates And Structures Produced Thereby

Номер патента: US20170271207A9. Автор: Sampath Purushothaman,Roy R. Yu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

BARRIER LAYER FOR INTERCONNECTS IN 3D INTEGRATED DEVICE

Номер патента: US20190267353A1. Автор: Drab John J.,Soares Edward R.. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-29.

METAL TO METAL BONDING FOR STACKED (3D) INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20140374903A1. Автор: Fitzsimmons John A.,Farooq Mukta G.,Cheng Tien-Jen. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-25.

3D INTEGRATED CIRCUIT PACKAGE WITH THROUGH-MOLD FIRST LEVEL INTERCONNECTS

Номер патента: US20150294958A1. Автор: Sankman Robert L.,Mallik Debendra. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-15.

3D INTEGRATED CIRCUIT (3DIC) STRUCTURE AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: US20190295989A1. Автор: Liu Chung-Shi,Yu Chen-Hua,Chiou Wen-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-26.

BARRIER LAYER FOR INTERCONNECTS IN 3D INTEGRATED DEVICE

Номер патента: US20170330859A1. Автор: Drab John J.,Soares Edward R.. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-16.

3D INTEGRATION USING Al-Ge EUTECTIC BOND INTERCONNECT

Номер патента: US20170330863A1. Автор: Smeys Peter,Maghsoudnia Mozafar. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-16.

MANUFACTURING OF SELF ALIGNED INTERCONNECTION ELEMENTS FOR 3D INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20160365342A1. Автор: Fenouillet-Beranger Claire,PREVITALI Bernard,ROZEAU Olivier. Владелец: Commissariat A L'Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives. Дата публикации: 2016-12-15.

DIE STACKING FOR MULTI-TIER 3D INTEGRATION

Номер патента: US20200350292A1. Автор: Agarwal Rahul,Bhagavat Milind S. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-05.

LOW-STRESS DIELECTRIC LAYER, PLANARIZATION METHOD, AND LOW-TEMPERATURE PROCESSING FOR 3D-INTEGRATED ELECTRICAL DEVICE

Номер патента: US20220416095A1. Автор: Miller Eric,Kilcoyne Sean P.,Clarke Andrew,FARRELL Stuart,Fulk Chad. Владелец: . Дата публикации: 2022-12-29.

3d integration structure and method using bonded metal planes

Номер патента: KR101201087B1. Автор: 묵타 지. 파루크,서브라매니안 에스. 아이어. Владелец: 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션. Дата публикации: 2012-11-13.

METHOD FOR TRANSFERRING MATERIAL LAYERS IN 3D INTEGRATION PROCESSES AND RELATED STRUCTURES AND DEVICES

Номер патента: FR2981501B1. Автор: Ionut Radu,Mariam Sadaka. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2016-05-13.

High gain read circuit for 3D integrated pixel

Номер патента: CN102124566A. Автор: 约翰·P·麦卡滕,约瑟夫·R·苏马,托德·安德森,克里斯蒂安·亚历山德鲁·蒂瓦鲁斯. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2011-07-13.

3d integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110284992A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2011-11-24.

High gain read circuit for 3d integrated pixel

Номер патента: KR101568350B1. Автор: 존 피. 맥카르텐,죠셉 알. 섬마,크리스티안 알렉산드루 티바루스,토드 앤더슨. Владелец: 옴니비전 테크놀러지즈 인코포레이티드. Дата публикации: 2015-11-12.

3D integration using Al—Ge eutectic bond interconnect

Номер патента: US10651151B2. Автор: Peter Smeys,Mozafar Maghsoudnia. Владелец: InvenSense Inc. Дата публикации: 2020-05-12.

High gain read circuit for 3d integrated pixel

Номер патента: US20100060764A1. Автор: Todd J. Anderson,Joseph R. Summa,John P. McCarten,Cristian A. Tivarus. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2010-03-11.

3D integrated circuit device having lower-cost active circuitry layers stacked before higher-cost active circuitry layer

Номер патента: US8492869B2. Автор: Fei Liu,Sampath Purushothaman,Mukta G. Farooq,Roy R. Yu,Albert M. Young,Steven J. Koester,Subramanian S. Iyer,Robert Hannon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-23.

Barrier layer for interconnects in 3d integrated device

Номер патента: TWI674636B. Автор: 愛德華Ｒ 蘇雅雷斯,約翰Ｊ 傑柏. Владелец: 美商瑞西恩公司. Дата публикации: 2019-10-11.

IMPROVED METHOD OF MAKING INTERCONNECTIONS FOR A 3D INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: FR3027449B1. Автор: Philippe Coronel,Claire Fenouillet-Beranger. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-10-20.

Barrier layer for interconnects in 3d integrated device

Номер патента: CA3022525A1. Автор: John J. Drab,Edward R. Soares. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-11-23.

Method of making a 3D integrated circuit

Номер патента: US9018078B2. Автор: Perrine Batude,Benoit Sklenard. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2015-04-28.

3d integrated circuit device fabrication

Номер патента: EP2313923A4. Автор: Robert Hannon,Mukta G Farooq,Subramanian S Iyer,Steven J Koester,Sampath Porushothaman,Roy R Yu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-02-20.

Methods of transferring layers of material in 3d integration processes and related structures and devices

Номер патента: KR101955375B1. Автор: 이오누트 라두,마리암 사다카. Владелец: 소이텍. Дата публикации: 2019-03-07.

3D integrated circuit (3DIC) structure

Номер патента: US11239201B2. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou,Chung-Shi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-01.

IMPROVED METHOD OF MAKING INTERCONNECTIONS FOR A 3D INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: FR3027449A1. Автор: Philippe Coronel,Claire Fenouillet-Beranger. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-04-22.

Barrier layer for interconnects in 3d integrated device

Номер патента: IL262669B. Автор: . Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2022-08-01.

High gain read circuit for 3d integrated pixel

Номер патента: EP2324506B1. Автор: Todd Anderson,Joseph R. Summa,John P. McCarten,Christian Alexandru Tivarus. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2013-05-08.

3D integrated circuit device fabrication with precisely controllable substrate removal

Номер патента: TW201017820A. Автор: Sampath Purushothaman,Robert Hannon,Mukta G Farooq,Subramanian S Iyer,Steven J Koester,Roy R Yu. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2010-05-01.

High gain read circuit for 3d integrated pixel

Номер патента: KR20110050670A. Автор: 존 피. 맥카르텐,죠셉 알. 섬마,크리스티안 알렉산드루 티바루스,토드 앤더슨. Владелец: 이스트맨 코닥 캄파니. Дата публикации: 2011-05-16.

Highly regular logic design for efficient 3d integration related application data

Номер патента: TW202121650A. Автор: 傑佛瑞 史密斯,安東 德維利耶,拉爾斯 利布曼,丹尼爾 查訥姆甘姆. Владелец: 日商東京威力科創股份有限公司. Дата публикации: 2021-06-01.

Barrier layer for interconnection in 3D integrated devices

Номер патента: KR102215288B1. Автор: 존 제이. 드랩,에드워드 알. 소아레스. Владелец: 레이던 컴퍼니. Дата публикации: 2021-02-15.

3D integrated circuit device fabrication with precisely controllable substrate removal

Номер патента: US8629553B2. Автор: Sampath Purushothaman,Mukta G. Farooq,Roy R. Yu,Steven J. Koester,Subramanian S. Iyer,Robert Hannon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-14.

3d integrated circuit system and method

Номер патента: US20110272775A1. Автор: Yi Ma,Kuo-Tung Chang,Rinji Sugino,Shenqing Fang,YouSeok Suh,Jean Yang,Jeremy Wahl,Eunha Kim. Владелец: Eunha Kim. Дата публикации: 2011-11-10.

Hybrid pocket post and tailored via dielectric for 3d-integrated electrical device

Номер патента: US20220285298A1. Автор: Andrew Clarke,Aaron M. Ramirez,Chad Fulk. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2022-09-08.

Semiconductor Device and Method of Forming a 3D Integrated System-in-Package Module

Номер патента: US20200219859A1. Автор: Heesoo Lee,HunTeak Lee,DeokKyung Yang. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2020-07-09.

3d integrated chips with microfluidic cooling

Номер патента: US20230338948A1. Автор: Eric C. Peterson,Christian L. Belady,Husam Atallah ALISSA,Bharath Ramakrishnan,Dennis TRIEU. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-10-26.

Hybrid pocket post and tailored via dielectric for 3D-integrated electrical device

Номер патента: US12002773B2. Автор: Andrew Clarke,Aaron M. Ramirez,Chad Fulk. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-06-04.

Offset vertical interconnect and compression post for 3d-integrated electrical device

Номер патента: IL305812A. Автор: Andrew Clarke,James PATTISON,Stuart FARRELL. Владелец: Stuart FARRELL. Дата публикации: 2023-11-01.

Offset vertical interconnect and compression post for 3d-integrated electrical device

Номер патента: EP4305665A1. Автор: Andrew Clarke,James PATTISON,Stuart FARRELL. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-01-17.

3d integrated chips with microfluidic cooling

Номер патента: WO2023204900A1. Автор: Eric C. Peterson,Christian L. Belady,Husam Atallah ALISSA,Bharath Ramakrishnan,Dennis TRIEU. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2023-10-26.

Device and method for an integrated ultra-high-density device

Номер патента: WO2016025499A1. Автор: HONG Shen,Cyprian Emeka Uzoh,Rajesh Katkar,Guilian Gao,Charles G. Woychik,Christopher W LATTIN. Владелец: INVENSAS CORPORATION. Дата публикации: 2016-02-18.

BIO-IMPLANTABLE HERMETIC INTEGRATED ULTRA HIGH DENSITY DEVICE

Номер патента: US20160086824A1. Автор: Smith Brian R.,Sriram Tirunelveli S.,McLaughlin Bryan L.. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

WAFER-INTEGRATED, ULTRA-LOW PROFILE CONCENTRATED PHOTOVOLTAICS (CPV) FOR SPACE APPLICATIONS

Номер патента: US20170098729A1. Автор: Burroughs Scott,MEITL Matthew,Fisher Brent,Samarskiy Miroslav. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-06.

Booster Integrated Ultra Capacitor Module

Номер патента: KR102217985B1. Автор: 유용현,강호림. Владелец: 엘에스엠트론 주식회사. Дата публикации: 2021-02-19.

Integrated ultra low leakage high voltage protection circuit

Номер патента: EP0569221A2. Автор: Guillermo Lao,Dale Sumida,Mohamad M. Mojardi. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1993-11-10.

Second-response type 3D integrated system

Номер патента: CN111325610A. Автор: 胡英姿. Владелец: Beijing Yabang Network Technology Development Co ltd. Дата публикации: 2020-06-23.

THREE-DIMENSIONAL (3D) MEMORY CELL SEPARATION AMONG 3D INTEGRATED CIRCUIT (IC) TIERS, AND RELATED 3D INTEGRATED CIRCUITS (3DICS), 3DIC PROCESSOR CORES, AND METHODS

Номер патента: US20140269022A1. Автор: Xie Jing,Du Yang. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

Methods and systems for computer aided design of 3d integrated circuits

Номер патента: WO2007014300A3. Автор: Lisa Mcilrath. Владелец: R3 Logic Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

3d integrated circuit with enhanced debugging capability

Номер патента: US20240005074A1. Автор: Pongstorn Maidee. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Design and verification of 3d integrated circuits

Номер патента: US20120036489A1. Автор: Chung-Hsing Wang,Kai-Yun Lin,Chih Sheng Tsai,Ying-Lin Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-02-09.

LATCH-UP SUPPRESSION AND SUBSTRATE NOISE COUPLING REDUCTION THROUGH A SUBSTRATE BACK-TIE FOR 3D INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20160034620A1. Автор: Moroz Victor,Kawa Jamil. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2016-02-04.

METHODS AND SYSTEMS FOR COMPUTER AIDED DESIGN OF 3D INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20140137061A1. Автор: McIlrath Lisa G.. Владелец: R3 Logic, Inc.. Дата публикации: 2014-05-15.

PERFORMANCE MATCHING IN THREE-DIMENSIONAL (3D) INTEGRATED CIRCUIT (IC) USING BACK-BIAS COMPENSATION

Номер патента: US20180082007A1. Автор: Bickford Jeanne P.,Mandal Sudeep. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-22.

METHODS OF DESIGNING THREE DIMENSIONAL (3D) INTEGRATED CIRCUITS (ICs) (3DICs) AND RELATED SYSTEMS AND COMPONENTS

Номер патента: US20150112646A1. Автор: Kamal Pratyush,Samadi Kambiz,Du Yang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-04-23.

MONOLITHIC THREE DIMENSIONAL (3D) INTEGRATED CIRCUIT (IC) (3DIC) CROSS-TIER CLOCK SKEW MANAGEMENT SYSTEMS, METHODS AND RELATED COMPONENTS

Номер патента: US20150121327A1. Автор: Kamal Pratyush,Du Yang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-04-30.

INTELLECTUAL PROPERTY BLOCK DESIGN WITH FOLDED BLOCKS AND DUPLICATED PINS FOR 3D INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20160232271A1. Автор: Samadi Kambiz,Du Yang,LIM Sung Kyu. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-11.

MULTI-PROCESSOR CORE THREE-DIMENSIONAL (3D) INTEGRATED CIRCUITS (ICs) (3DICs), AND RELATED METHODS

Номер патента: US20180260360A1. Автор: Samadi Kambiz,Du Yang,ANSARI Amin. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-13.

Automation methods for 3D integrated circuits and devices

Номер патента: US11720736B2. Автор: Zvi Or-Bach,Zeev Wurman. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-08-08.

Cell layout method and system for creating stacked 3D integrated circuit having two tiers

Номер патента: US10678987B2. Автор: Sheng-Hsiung Chen,Fong-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-06-09.

A method for automating the placement of a repeater device in an optimal location considering pre-defined blockages, in high frequency very large scale integration/ultra large scale integration (vlsi/ulsi) electronic designs

Номер патента: IL137597A0. Автор: . Владелец: Ibm. Дата публикации: 2001-07-24.

A method for automating the placement of a repeater device in a optimal location, considering pre-defined blockages. In high frequency very large scale integration/ultra large scale integration (VLSI/ULSI) electronic designs

Номер патента: TW464923B. Автор: Robert P Dwyer,Peter J Camporese. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2001-11-21.

Method for automating the placement of a repeater device in an optimal location considering pre-defined blockages, in high frequency very large scale integration/ultra large scale integration (vlsi/ulsi) electronic designs

Номер патента: IL137597A. Автор: . Владелец: Ibm. Дата публикации: 2003-07-31.

High-power 3D integrated three-phase EMI filter

Номер патента: CN108880207B. Автор: 张强,郑峰,崔梦珂,赵晓凡. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2020-04-07.

High-power 3D integrated form three-phase electromagnetic interface filter

Номер патента: CN108880207A. Автор: 张强,郑峰,崔梦珂,赵晓凡. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2018-11-23.

AUTOMATED 2D/3D INTEGRATION AND LIP SPLINE AUTOPLACEMENT

Номер патента: US20210045843A1. Автор: Sterental Rene M.,KUANBEKOV Artem,POKOTILOV Pavel,CHEKH Dmitry Yurievich,TEN Dmitriy Konstantinovich,BLANCO Samuel,LOPES David Patrick,KARNYGIN Evgenii Vladimirovich,Rmos Jason,Miryaha Vladislav Andreevich,Vysokanov Boris Aleksandrovich,Brailov Yury A.. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-18.

AUTOMATED 2D/3D INTEGRATION AND LIP SPLINE AUTOPLACEMENT

Номер патента: US20200085535A1. Автор: Sterental Rene M.,Ramos Jason,KUANBEKOV Artem,POKOTILOV Pavel,CHEKH Dmitry Yurievich,TEN Dmitriy Konstantinovich,BLANCO Samuel,LOPES David Patrick,KARNYGIN Evgenii Vladimirovich,Miryaha Vladislav Andreevich,Vysokanov Boris Aleksandrovich,Brailov Yury A.. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-19.

SEISMIC IMAGE ORIENTATION USING 3D INTEGRATION OPERATIONS

Номер патента: US20180321403A1. Автор: Wang Jinsong,Al-Dossary Saleh. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-08.

Embedded Filtering in PCB Integrated Ultra High Speed Dielectric Waveguides Using Photonic Band Gap Structures

Номер патента: US20200112075A1. Автор: Daniel M. Dreps,Jose A. Hejase,Junyan TANG,Joshua Myers. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-09.

Integrated Ultra-Compact VSWR Insensitive Coupler

Номер патента: US20190020316A1. Автор: Tero Tapio Ranta,Chih-Chieh Cheng. Владелец: PSemi Corp. Дата публикации: 2019-01-17.

Embedded Filtering in PCB Integrated Ultra High Speed Dielectric Waveguides Using Photonic Band Gap Structures

Номер патента: US20200112075A1. Автор: Dreps Daniel M.,Hejase Jose A.,TANG Junyan,Myers Joshua. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-09.

Semiconductor memory stacks connected to processing units and associated systems and methods

Номер патента: US12046559B2. Автор: Kyle K. Kirby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Memory package expansion

Номер патента: US20240315055A1. Автор: Douglas Joseph,Casey Glenn THIELEN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory stacks connected to processing units and associated systems and methods

Номер патента: US20230395516A1. Автор: Kyle K. Kirby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor memory stacks connected to processing units and associated systems and methods

Номер патента: US20220157728A1. Автор: Kyle K. Kirby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor memory stacks connected to processing units and associated systems and methods

Номер патента: US20220028789A1. Автор: Kyle K. Kirby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor memory stacks connected to processing units and associated methods

Номер патента: WO2022020118A1. Автор: Kyle K. Kirby. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-01-27.

Active Silicon D2D Bridge

Номер патента: US20230411297A1. Автор: Biao He,Sukalpa Biswas,Woon-Seong Kwon,Georgios Konstadinidis,Jaesik Lee,Teckgyu Kang,Yujeong Shim,Jin Y. Kim. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-12-21.

Double side integration semiconductor package and method of forming the same

Номер патента: US20230402438A1. Автор: Shin-puu Jeng,Shuo-Mao Chen,Monsen Liu,Shang-Lun Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Active silicon d2d bridge

Номер патента: EP4293717A1. Автор: Biao He,Sukalpa Biswas,Woon-Seong Kwon,Georgios Konstadinidis,Jaesik Lee,Teckgyu Kang,Yujeong Shim,Jin Y. Kim. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-12-20.

Satellite-borne active-passive integrated ultra-long-distance single photon space debris ranging and positioning system and method

Номер патента: CN115308759A. Автор: 孙杰,胡海鹰,强佳,张天赫,封家鹏,刘恩权,张晟宇. Владелец: Innovation Academy for Microsatellites of CAS. Дата публикации: 2022-11-08.

A kind of 3D integrates paper chip and visualization Quantitative detection target method

Номер патента: CN107449927A. Автор: 朱志,杨朝勇,宋彦龄,田恬,吴怡萍. Владелец: XIAMEN UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-12-08.

3D integration splicing LCDs

Номер патента: CN103268740B. Автор: 郭天彪. Владелец: Shenzhen Corich Technology Co ltd. Дата публикации: 2015-08-19.

Scan architecture for interconnect testing in 3d integrated circuits

Номер патента: US20200124668A1. Автор: Yun-Han Lee,Sandeep Kumar Goel,Saman M.I ADHAM,Marat GERSHOIG. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

METHOD FOR TESTING THROUGH SILICON VIAS IN 3D INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20170261549A1. Автор: Robertazzi Raphael P.. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-14.

SCAN ARCHITECTURE FOR INTERCONNECT TESTING IN 3D INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20170350939A1. Автор: Lee Yun-Han,Goel Sandeep Kumar,Adham Saman M.I.,GERSHOIG Marat. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2017-12-07.

Method for testing through silicon vias in 3D integrated circuits

Номер патента: US9784790B2. Автор: Raphael P. Robertazzi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Scan architecture for interconnect testing in 3D integrated circuits

Номер патента: US11899064B2. Автор: Yun-Han Lee,Sandeep Kumar Goel,Saman M. I. Adham,Marat GERSHOIG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Scan architecture for interconnect testing in 3d integrated circuits

Номер патента: US20170350939A1. Автор: Yun-Han Lee,Sandeep Kumar Goel,Marat GERSHOIG,Saman M.I. Adham. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-07.

Scan architecture for interconnect testing in 3d integrated circuits

Номер патента: US20200124668A1. Автор: Yun-Han Lee,Sandeep Kumar Goel,Saman M.I ADHAM,Marat GERSHOIG. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Scan architecture for interconnect testing in 3d integrated circuits

Номер патента: US20230113905A1. Автор: Yun-Han Lee,Sandeep Kumar Goel,Marat GERSHOIG,Saman M.I. Adham. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-13.

Scan architecture for interconnect testing in 3d integrated circuits

Номер патента: US20240133951A1. Автор: Yun-Han Lee,Sandeep Kumar Goel,Marat GERSHOIG,Saman M.I. Adham. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Excavator 3d integrated laser and radio positioning guidance system

Номер патента: EP2054555A4. Автор: Mark E Nichols. Владелец: Caterpillar Trimble Control Technologies LLC. Дата публикации: 2016-08-31.

Systems and methods for integrating ultra-wideband and free space optical communications

Номер патента: US20240056200A1. Автор: Khurram Karim Qureshi,Jawad AHMAD,Salman Ghafoor. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2024-02-15.

TUNABLE DIPLEXERS IN THREE-DIMENSIONAL (3D) INTEGRATED CIRCUITS (IC) (3DIC) AND RELATED COMPONENTS AND METHODS

Номер патента: US20160204758A1. Автор: Zuo Chengjie,Yun Changhan,Velez Mario Francisco,Kim Jonghae,Nowak Matthew M.,Zhang Xiangdong,See Puay H.,Lan Je-Hsiung,Kim Daeik D.,Berdy David F.,Mikulka Robert P.. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

TUNABLE DIPLEXERS IN THREE-DIMENSIONAL (3D) INTEGRATED CIRCUITS (IC) (3DIC) AND RELATED COMPONENTS AND METHODS

Номер патента: US20140327496A1. Автор: Zuo Chengjie,Yun Changhan,Velez Mario Francisco,Kim Jonghae,Nowak Matthew M.,Zhang Xiangdong,See Puay H.,Lan Je-Hsiung,Kim Daeik D.,Berdy David F.,Mikulka Robert P.. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-11-06.

Method for finding location of 3D integral image reconstruction and Apparatus thereof

Номер патента: KR100891161B1. Автор: 이광진,신동학,김은수,황동춘,박재성. Владелец: 황동춘. Дата публикации: 2009-04-06.

3d integrated thermoelectric generator operating in an out-of-plane heat flux configuration with internal voids and heat conduction paths conditioning vias

Номер патента: EP3204967A1. Автор: Danilo Mascolo,Giuseppe LATESSA,Simone Di Marco,Marco GIUSTI. Владелец: CONSORZIO DELTA TI RESEARCH. Дата публикации: 2017-08-16.

Reduction of power consumption in integral ultra-wideband power amplifiers

Номер патента: US20190140593A1. Автор: Ezra Zamir,Anatoly Sloushch,Yitzhak BOTVIN. Владелец: Elbit Systems Land and C4I Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Reduction of power consumption in integral ultra-wideband power amplifiers

Номер патента: SG11201803517SA. Автор: Ezra Zamir,Anatoly Sloushch,Yitzhak BOTVIN. Владелец: Elbit Systems Land & C4I Ltd. Дата публикации: 2018-05-30.

Reduction of power consumption in integral ultra-wideband power amplifiers

Номер патента: EP3360248A4. Автор: Ezra Zamir,Anatoly Sloushch,Yitzhak BOTVIN. Владелец: Elbit Systems Land and C4I Ltd. Дата публикации: 2018-10-24.

REDUCTION OF POWER CONSUMPTION IN INTEGRAL ULTRA-WIDEBAND POWER AMPLIFIERS

Номер патента: US20190140593A1. Автор: ZAMIR Ezra,SLOUSHCH Anatoly,BOTVIN Yitzhak. Владелец: Elbit Systems Land and C41 Ltd.. Дата публикации: 2019-05-09.

INTEGRATED ULTRA WIDEBAND TRANSCEIVER

Номер патента: US20150382296A1. Автор: Huang Kuo-Ken,Wentzloff David D.,Brown Jonathan K.,Ansari Elnaz,Rogel Ryan R.. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-31.

Method and apparatus for integrating Ultra Wide Band (UWB) signals

Номер патента: EP2506444B1. Автор: Norbert Daniele,Christophe Villien. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-10-10.

Three dimensional integrated circuit with monolithic inter-tier vias (miv)

Номер патента: US20240055348A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Kam-Tou SIO,Wei-An Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Three dimensional integrated circuit with monolithic inter-tier vias (MIV)

Номер патента: US11769723B2. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Kam-Tou SIO,Wei-An Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor Device and Methods of Manufacture

Номер патента: US20240241316A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chuei-Tang Wang,Chung-Hao Tsai,Chia-Chia Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Heat insulation integrated ultra-thin panel fixing structural and fabrication and installation method thereof

Номер патента: CN106284899A. Автор: 周荣,周平,周奇,周述文. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-04.

Remote memory architectures enabled by monolithic in-package optical i/o

Номер патента: US11916602B2. Автор: Chen Sun,Mark Wade,Roy Edward Meade,Vladimir Stojanovic,Hugo Saleh,Charles Wuischpard. Владелец: Ayar Labs Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Remote Memory Architectures Enabled by Monolithic In-Package Optical I/O

Номер патента: US20240187110A1. Автор: Chen Sun,Mark Wade,Roy Edward Meade,Vladimir Stojanovic,Hugo Saleh,Charles Wuischpard. Владелец: Ayar Labs Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

3d integrated facial beauty instrument

Номер патента: WO2016066051A1. Автор: 刘东光. Владелец: 刘东光. Дата публикации: 2016-05-06.

Methods for deposition and fabrication of 3D integrated composite structures

Номер патента: US11220044B2. Автор: Eric G. Barnes,Pedro A. Gonzalez,Todd L. Szallay,Steven J. Floyd,Sung S. Park,Brett G. Morham,Cody J. Brown,Reese R. Allen,Ryan L. Bischoff. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2022-01-11.

3D integrated into one piece gauze mask

Номер патента: CN111227385A. Автор: 霍战旗. Владелец: Dongguan Zhongda Textile Machinery Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-05.

SYSTEM FOR DEPOSITION AND FABRICATION OF 3D INTEGRATED COMPOSITE STRUCTURES

Номер патента: US20220080651A1. Автор: BARNES ERIC G.,Gonzalez Pedro A.,Szallay Todd L.,Floyd Steven J.,Park Sung S.,Morham Brett G.,Brown Cody J.,Allen Reese R.,Bischoff Ryan L.. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-17.

AUTOMATED 2D/3D INTEGRATION AND LIP SPLINE AUTOPLACEMENT

Номер патента: US20180263733A1. Автор: Sterental Rene M.,Ramos Jason,KUANBEKOV Artem,POKOTILOV Pavel,CHEKH Dmitry Yurievich,TEN Dmitriy Konstantinovich,BLANCO Samuel,LOPES David Patrick,KARNYGIN Evgenii Vladimirovich,Miryaha Vladislav Andreevich,Vysokanov Boris Aleksandrovich,Brailov Yury A.. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-20.

METHODS FOR DEPOSITION AND FABRICATION OF 3D INTEGRATED COMPOSITE STRUCTURES

Номер патента: US20200324458A1. Автор: BARNES ERIC G.,Gonzalez Pedro A.,Szallay Todd L.,Floyd Steven J.,Park Sung S.,Morham Brett G.,Brown Cody J.,Allen Reese R.,Bischoff Ryan L.. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-15.

METHODS AND APPARATUS FOR FABRICATION OF 3D INTEGRATED COMPOSITE STRUCTURES

Номер патента: US20200324459A1. Автор: BARNES ERIC G.,Gonzalez Pedro A.,Szallay Todd L.,Floyd Steven J.,Park Sung S.,Morham Brett G.,Brown Cody J.,Allen Reese R.,Bischoff Ryan L.. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-15.

METHOD FOR FABRICATING MULTI-MATERIAL STRUCTURE FOR 3D INTEGRATED COMPOSITE STRUCTURES

Номер патента: US20200324460A1. Автор: BARNES ERIC G.,Gonzalez Pedro A.,Szallay Todd L.,Floyd Steven J.,Park Sung S.,Morham Brett G.,Brown Cody J.,Allen Reese R.,Bischoff Ryan L.. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-15.

PRINTING MACHINE FOR FABRICATING 3D INTEGRATED COMPOSITE STRUCTURES AND HAVING A ROTATABLE EXTRUDER MODULE

Номер патента: US20200324472A1. Автор: BARNES ERIC G.,Gonzalez Pedro A.,Szallay Todd L.,Floyd Steven J.,Park Sung S.,Morham Brett G.,Brown Cody J.,Allen Reese R.,Bischoff Ryan L.. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-15.

PRINTING MACHINE FOR FABRICATING 3D INTEGRATED COMPOSITE STRUCTURES AND HAVING A MULTIPLE EXTRUDER MODULE

Номер патента: US20200324473A1. Автор: BARNES ERIC G.,Gonzalez Pedro A.,Szallay Todd L.,Floyd Steven J.,Park Sung S.,Morham Brett G.,Brown Cody J.,Allen Reese R.,Bischoff Ryan L.. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-15.

Printing machine for fabricating 3D integrated composite structures and having a multiple extruder module

Номер патента: US11117319B2. Автор: Eric G. Barnes,Pedro A. Gonzalez,Todd L. Szallay,Steven J. Floyd,Sung S. Park,Brett G. Morham,Cody J. Brown,Reese R. Allen,Ryan L. Bischoff. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2021-09-14.

Methods and apparatus for fabrication of 3D integrated composite structures

Номер патента: US11167483B2. Автор: Eric G. Barnes,Pedro A. Gonzalez,Todd L. Szallay,Steven J. Floyd,Sung S. Park,Brett G. Morham,Cody J. Brown,Reese R. Allen,Ryan L. Bischoff. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2021-11-09.

Printing machine for fabricating 3D integrated composite structures and having a rotatable extruder module

Номер патента: US11167484B2. Автор: Eric G. Barnes,Pedro A. Gonzalez,Todd L. Szallay,Steven J. Floyd,Sung S. Park,Brett G. Morham,Cody J. Brown,Reese R. Allen,Ryan L. Bischoff. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2021-11-09.

Method for fabricating multi-material structure for 3D integrated composite structures

Номер патента: US11173654B2. Автор: Eric G. Barnes,Pedro A. Gonzalez,Todd L. Szallay,Steven J. Floyd,Sung S. Park,Brett G. Morham,Cody J. Brown,Reese R. Allen,Ryan L. Bischoff. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2021-11-16.

Printing machine for fabricating 3d integrated composite structures and having a rotatable extruder module

Номер патента: EP3953151B1. Автор: Eric G. Barnes,Todd L. Szallay,Steven J. Floyd,Sung S. Park,Brett G. Morham,Cody J. Brown,Reese R. Allen,Ryan L. Bischoff,Pedro A. GONZALES. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2024-01-24.

Connection propagation for inter-logical block connections in integrated circuits

Номер патента: US09929733B1. Автор: Yang Du,Jing Xie,Kambiz Samadi,Pratyush Kamal. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Three-dimensional (3d) memory cell with read/write ports and access logic on different tiers of the integrated circuit

Номер патента: EP2973706A1. Автор: Yang Du,Jing Xie. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

3D semiconductor device and system

Номер патента: US09953870B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar,Zeev Wurman. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Multi-tile memory management

Номер патента: US12099461B2. Автор: Varghese George,Valentin Andrei,SUBRAMANIAM MAIYURAN,Scott Janus,Joydeep Ray,Altug Koker,David Puffer,Abhishek R. Appu,Lakshminarayanan Striramassarma,Prasoonkumar Surti,Elmoustapha Ould-Ahmed-Vall,Kamal SINHA,Vasanth Ranganathan,Ankur N. Shah,Aravindh Anantaraman,James Valerio,Mike MacPherson,Nicolas Galoppo Von Borries,Brent Insko,Arthur Hunter. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory controller management techniques

Номер патента: EP4270201A2. Автор: Varghese George,Valentin Andrei,SUBRAMANIAM MAIYURAN,Joydeep Ray,Altug Koker,Elmoustapha Ould-Ahmed-Vall,Lakshminarayana Pappu,Abhishek R Appu,Guadalupe Garcia,Aravindh Anantaraman,Mike MacPherson,Nicolas Galoppo Von Borries. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-01.

Memory controller management techniques

Номер патента: EP4270201A3. Автор: Varghese George,Valentin Andrei,SUBRAMANIAM MAIYURAN,Joydeep Ray,Altug Koker,Elmoustapha Ould-Ahmed-Vall,Lakshminarayana Pappu,Abhishek R Appu,Guadalupe Garcia,Aravindh Anantaraman,Mike MacPherson,Nicolas Galoppo Von Borries. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-31.

Computer system having a common display memory and main memory

Номер патента: US6057862A. Автор: Neal Margulis. Владелец: Memtrax LLC. Дата публикации: 2000-05-02.

A monolithic three dimensional (3d) random access memory (ram) array architecture with bitcell and logic partitioning

Номер патента: WO2015006563A1. Автор: Yang Du,Pratyush Kamal. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-01-15.

A monolithic three dimensional (3d) random access memory (ram) array architecture with bitcell and logic partitioning

Номер патента: EP3020045A1. Автор: Yang Du,Pratyush Kamal. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-05-18.

Reconfigurable power distribution system for three-dimensional integrated circuits

Номер патента: US09665115B2. Автор: Saravanan Sethuraman,Kenneth L. Wright,Vijay A. Mathiyalagan,Siva Rama K. Pullelli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Monolithic three dimensional (3d) flip-flops with minimal clock skew and related systems and methods

Номер патента: WO2015009716A1. Автор: Yang Du,Pratyush Kamal. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-01-22.

Monolithic three dimensional (3d) flip-flops with minimal clock skew and related systems and methods

Номер патента: EP3022769A1. Автор: Yang Du,Pratyush Kamal. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-05-25.

Monolithic three dimensional (3d) flip-flops with minimal clock skew and related systems and methods

Номер патента: US20150022250A1. Автор: Yang Du,Pratyush Kamal. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-01-22.

Power delivery to three-dimensional chips

Номер патента: US20160161962A1. Автор: Saravanan Sethuraman,Kenneth L. Wright,Vijay A. Mathiyalagan,Siva Rama K. Pullelli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

System for differentiated thermal throttling of memory and method of operating same

Номер патента: US20240185895A1. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Jonathan Tsung-Yung Chang,Philex Ming-Yan Fan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Method of differentiated thermal throttling of memory and system therefor

Номер патента: US11901035B2. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Jonathan Tsung-Yung Chang,Philex Ming-Yan Fan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Multi-tier processor/memory package

Номер патента: WO2020159566A1. Автор: Shiqun Gu,Rui NIU,Tianqiang HUANG. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-08-06.

Low Cost Package Structure For High Performance ML Memory Interface To Improve Perf/TCO

Номер патента: US20220238504A1. Автор: Namhoon Kim,Woon-Seong Kwon,Teckgyu Kang,Yujeong Shim. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor packages, semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor package

Номер патента: US20240243068A1. Автор: Wei-Chih Chen,Tzu-Wei Chiu,Chun-Wei Chang,Che-Yen Huang. Владелец: Seriphy Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Backside interconnection interface die for integrated circuits package

Номер патента: US12051679B2. Автор: Namhoon Kim,Woon-Seong Kwon,Teckgyu Kang. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-07-30.

Electronic device package

Номер патента: US20190385997A1. Автор: Seung-yong Cha,Yun-Hee Lee,Eun-Seok Song,Ju-Youn Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-19.

Carbon-pad thermal-interface materials in multi-die packages

Номер патента: US20200286809A1. Автор: James C. Matayabas, Jr.,Shushan Gong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Chip package and methods for forming the same

Номер патента: US20240099030A1. Автор: Shang-Yun Hou,Sung-Hui Huang,Kuan-Yu Huang,Chia-Hao Hsu,Kuo-Chiang Ting,Chih-Ta SHEN,Hsien-Pin Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Apparatuses and methods for direct access hybrid testing

Номер патента: WO2021067610A1. Автор: Chiaki Dono,Roman A. Royer,Chikara Kondo. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-04-08.

Apparatuses and methods for direct access hybrid testing

Номер патента: US20210104293A1. Автор: Chiaki Dono,Roman A. Royer,Chikara Kondo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

High bandwidth chip-to-chip interface using hbm physical interface

Номер патента: EP3830707A1. Автор: Ygal Arbel,Sagheer Ahmad,Balakrishna Jayadev. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2021-06-09.

High bandwidth chip-to-chip interface using hbm physical interface

Номер патента: WO2020023937A1. Автор: Ygal Arbel,Sagheer Ahmad,Balakrishna Jayadev. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2020-01-30.

High-Speed Graph Processor

Номер патента: US20180121564A1. Автор: Jing Li,Jialiang Zhang,Soroosh Khoram. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2018-05-03.

직접 액세스 하이브리드 테스팅을 위한 장치 및 방법

Номер патента: KR20220053011A. Автор: 지까라 곤도,지아끼 도노,로만 에이. 로이어. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크.. Дата публикации: 2022-04-28.

Hbm 물리적 인터페이스를 사용하는 높은 대역폭 칩-칩 인터페이스

Номер патента: KR20210034660A. Автор: 이갈 아르벨,사기르 아흐마드,발라크리슈나 자야데브. Владелец: 자일링크스 인코포레이티드. Дата публикации: 2021-03-30.

Stacked devices and methods of fabrication

Номер патента: US11916054B2. Автор: Belgacem Haba,Paul M. Enquist. Владелец: Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Stacked devices and methods of fabrication

Номер патента: US20230282634A1. Автор: Belgacem Haba,Paul M. Enquist. Владелец: Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Stacked devices and methods of fabrication

Номер патента: US20240088120A1. Автор: Belgacem Haba,Paul M. Enquist. Владелец: Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Delayed optical logic gates for boolean algebra

Номер патента: US09500933B2. Автор: Byoung Seung Ham. Владелец: Inha University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2016-11-22.

Delayed optical logic gates for boolean algebra

Номер патента: US20120307327A1. Автор: Byoung-Seung Ham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-06.

Delayed optical logic gates for boolean algebra

Номер патента: US20150346581A1. Автор: Byoung Seung Ham. Владелец: Inha University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2015-12-03.

Techniques for video playback decoding surface prediction

Номер патента: US20170236499A1. Автор: Ning Luo,Changliang Wang,Penne Y. LEE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-17.

Memory lookup computing mechanisms

Номер патента: US20220164187A1. Автор: Hongzhong Zheng,Peng GU,Krishna T. MALLADI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-26.

Memory lookup computing mechanisms

Номер патента: US11188327B2. Автор: Hongzhong Zheng,Peng GU,Krishna T. MALLADI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-30.

Memory lookup computing mechanisms

Номер патента: US11775294B2. Автор: Hongzhong Zheng,Peng GU,Krishna T. MALLADI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory lookup computing mechanisms

Номер патента: US20190196953A1. Автор: Hongzhong Zheng,Peng GU,Krishna T. MALLADI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-27.

Heterogeneous accelerator for highly efficient learning systems

Номер патента: US20240193111A1. Автор: Hongzhong Zheng,Krishna T. MALLADI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Partial write management in a multi-tiled compute engine

Номер патента: US20210056028A1. Автор: Joydeep Ray,Lakshminarayanan Striramassarma,Ben ASHBAUGH,James Valerio. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Memory lookup computing mechanisms

Номер патента: US11947961B2. Автор: Hongzhong Zheng,Peng GU,Krishna T. MALLADI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-02.

Memory lookup computing mechanisms

Номер патента: US20200218644A1. Автор: Hongzhong Zheng,Peng GU,Krishna T. MALLADI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-09.

Memory lookup computing mechanisms

Номер патента: US20240028332A1. Автор: Hongzhong Zheng,Peng GU,Krishna T. MALLADI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Resource-aware compression

Номер патента: US20230110376A1. Автор: Shomit N. Das,Seyedmohammad Seyedzadehdelcheh,Bradford Michael Beckmann. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Heterogeneous accelerator for highly efficient learning systems

Номер патента: US11921656B2. Автор: Hongzhong Zheng,Krishna T. MALLADI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-05.

Resource-aware compression

Номер патента: US20210191869A1. Автор: Shomit N. Das,Seyedmohammad Seyedzadehdelcheh,Bradford Michael Beckmann. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Scaled compute fabric for accelerated deep learning

Номер патента: US20210248453A1. Автор: Michael Morrison,Sean Lie,Gary R. Lauterbach,Michael Edwin JAMES,Srikanth Arekapudi. Владелец: Cerebras Systems Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Semiconductor package assembly and method for forming the same

Номер патента: EP4235766A3. Автор: Tzu-Hung Lin,Chia-Cheng Chang,I-Hsuan Peng. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-10-04.

Semiconductor package assembly and method for forming the same

Номер патента: EP4235766A2. Автор: Tzu-Hung Lin,Chia-Cheng Chang,I-Hsuan Peng. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

Combined liquid and air cooling system for fail-safe operation of high power density asic devices

Номер патента: US20220240419A1. Автор: M. Baris Dogruoz,Joel Goergen. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Interconnection structures for high bandwidth data transfer

Номер патента: US12119335B2. Автор: Arvind Kumar,Steven Lorenz Wright,Mounir Meghelli,Joshua M Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Rapid Prototyping of Single-Photon-Sensitive Silicon Avalanche Photodiodes

Номер патента: US20200319355A1. Автор: Christopher Leitz,Brian F. Aull,Daniel R. Schuette,Kevin Ryu,David Volfson,Steven Rabe,Joseph S. Ciampi,Renee D. Lambert,Karl Alexander McIntosh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-10-08.

Rapid prototyping of single-photon-sensitive silicon avalanche photodiodes

Номер патента: WO2020205045A1. Автор: Christopher Leitz,Brian F. Aull,Daniel R. Schuette,Kevin Ryu,David Volfson,Steven Rabe,Joseph S. Ciampi,Renee D. Lambert,Karl Alexander McIntosh. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2020-10-08.

Data processing system and method for accessing heterogeneous memory system

Номер патента: EP4102377A1. Автор: Gun KO,Seokmin LEE,Wonseb Jeong,Hongju KAL,Wonwoo RO. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2022-12-14.

High bandwidth extended memory in a parallel processing system

Номер патента: US20230315328A1. Автор: Lacky V. Shah,Jeffrey M. Smith,Steven E. Molnar,Vyas Venkataraman,Mark HAIRGROVE,Piyush Patel,Geoffrey Gerfin,Jonathon Stuart Ramsay EVANS,Wishwesh Anil GANDHI,Hemayet HOSSAIN,Vikram Sethi,Terje Bergstrom. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Memory system performing cache bypassing operation and cache management method thereof

Номер патента: US20240256452A1. Автор: Shinhaeng KANG,Kyomin Sohn,Suk Han Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

HBM based memory lookup engine for deep learning accelerator

Номер патента: US12056379B2. Автор: Hongzhong Zheng,Peng GU,Krishna T. MALLADI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

System and Method for Improving Memory Transfer

Номер патента: US20100199054A1. Автор: Kevin D. Kissell,Karagada R. Kishore,Georgi Z. Beloev. Владелец: MIPS Technologies Inc. Дата публикации: 2010-08-05.

Data processing system and method for accessing heterogeneous memory system including processing unit

Номер патента: US11880590B2. Автор: Gun KO,Won Woo Ro,Seokmin LEE,Wonseb Jeong,Hongju KAL. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2024-01-23.

Data processing system and method for accessing heterogeneous memory system including processing unit

Номер патента: US20240103755A1. Автор: Gun KO,Won Woo Ro,Seokmin LEE,Wonseb Jeong,Hongju KAL. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2024-03-28.

Runtime extension for neural network training with heterogeneous memory

Номер патента: US11775799B2. Автор: Gabriel H. Loh,Sudhanva Gurumurthi,Abhinav Vishnu,Amin Farmahini-Farahani,Georgios Mappouras. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Cache for storing regions of data

Номер патента: US20200183848A1. Автор: Gabriel H. Loh. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Cache for storing regions of data

Номер патента: EP3895025A1. Автор: Gabriel H. Loh. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2021-10-20.

Cache for storing regions of data

Номер патента: WO2020123343A1. Автор: Gabriel H. Loh. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2020-06-18.

Hbm based memory lookup engine for deep learning accelerator

Номер патента: US20230289081A1. Автор: Hongzhong Zheng,Peng GU,Krishna T. MALLADI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Data packer for packing and aligning write data

Номер патента: US8135885B1. Автор: Raymond Hoi Man Wong,Samuel Hammond Duncan,Lukito Muliadi,Madhukiran V. Swarna. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2012-03-13.

Quasi-synchronous protocol for large bandwidth memory systems

Номер патента: US11893239B2. Автор: Hongzhong Zheng,Krishna T. MALLADI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-06.

Electro-optical high bandwidth ultrafast differential ram

Номер патента: EP4305625A1. Автор: Ajey Poovannummoottil Jacob,Sujith Chandran,Akhilesh Ramlaut Jaiswal,Ramesh KUDALIPPALLIYALIL. Владелец: University of Southern California USC. Дата публикации: 2024-01-17.

Quasi-synchronous protocol for large bandwidth memory systems

Номер патента: US20190079678A1. Автор: Hongzhong Zheng,Krishna T. MALLADI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-03-14.

Electro-optical high bandwidth ultrafast differential ram

Номер патента: US20240170055A1. Автор: Ajey Poovannummoottil Jacob,Sujith Chandran,Akhilesh Ramlaut Jaiswal,Ramesh KUDALIPPALLIYALIL. Владелец: University of Southern California USC. Дата публикации: 2024-05-23.

Quasi-synchronous protocol for large bandwidth memory systems

Номер патента: US20200174676A1. Автор: Hongzhong Zheng,Krishna T. MALLADI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-04.

Scaling interface architecture between memory and programmable logic

Номер патента: US20190197006A1. Автор: Chee Hak Teh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-06-27.

Latency processing unit

Номер патента: US12032925B1. Автор: Jung-Hoon Kim,Junseo Cha,Gyubin Choi. Владелец: Hyperaccel Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Machine Learning Inference Service Disaggregation

Номер патента: US20230409889A1. Автор: Arvind Krishnamurthy,Salem Elie Haykal,Chang LAN,Soroush Radpour. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-12-21.

Data packer for packing and aligning write data

Номер патента: US20120139928A1. Автор: Raymond Hoi Man Wong,Samuel Hammond Duncan,Lukito Muliadi,Madhukiran V. Swarna. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2012-06-07.

Data packer for packing and aligning write data

Номер патента: US20120147019A1. Автор: Raymond Hoi Man Wong,Samuel Hammond Duncan,Lukito Muliadi,Madhukiran V. Swarna. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

Data packer for packing and aligning write data

Номер патента: US8396993B2. Автор: Raymond Hoi Man Wong,Samuel Hammond Duncan,Lukito Muliadi,Madhukiran V. Swarna. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2013-03-12.

Data packer for packing and aligning write data

Номер патента: US20120147024A1. Автор: Raymond Hoi Man Wong,Samuel Hammond Duncan,Lukito Muliadi,Madhukiran V. Swarna. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

Data packer for packing and aligning write data

Номер патента: US8380895B2. Автор: Raymond Hoi Man Wong,Samuel Hammond Duncan,Lukito Muliadi,Madhukiran V. Swarna. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2013-02-19.

Machine learning inference service disaggregation

Номер патента: WO2023244292A1. Автор: Arvind Krishnamurthy,Salem Elie Haykal,Chang LAN,Soroush Radpour. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-12-21.

一种针对fpga上高带宽存储器的访问处理方法及装置

Номер патента: CN118133733. Автор: 徐鹏,王蔚,鲁赵骏,汪奕杰. Владелец: Wuhan Jinyin Lake Laboratory. Дата публикации: 2024-06-04.

一种针对fpga上高带宽存储器的访问处理方法及装置

Номер патента: CN118133733A. Автор: 徐鹏,王蔚,鲁赵骏,汪奕杰. Владелец: Wuhan Jinyin Lake Laboratory. Дата публикации: 2024-06-04.

Serial interfaces with shadow registers, and associated systems, devices, and methods

Номер патента: US20230063588A1. Автор: Daniel S. Miller,Kevin G. Werhane. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

인-메모리 명령 처리 방법, 이를 적용하는 고대역폭 메모리 및 시스템

Номер патента: KR102289095B1. Автор: 무-티엔 창,홍종 정,디민 니우,크리시나 말라디. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-08-12.

인-메모리 명령 처리 방법, 이를 적용하는 고대역폭 메모리 및 시스템

Номер патента: KR20190043072A. Автор: 무-티엔 창,홍종 정,디민 니우,크리시나 말라디. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2019-04-25.

Compact micro strip directional coupler with high directivity for broadband applications

Номер патента: US20140176255A1. Автор: Kameswara Rao Balijapalli,Ravi Kishore,Kumaralingam Ramamoorthy,Karthikeyan Shanmugavelu,Deepa Vedhanayagam. Владелец: HCL Technologies Ltd. Дата публикации: 2014-06-26.

Apparatus and method for communications via multiple millimeter wave signals

Номер патента: WO2007137147A3. Автор: Robert Hardacker,Robert Unger. Владелец: Robert Unger. Дата публикации: 2008-12-11.

Method and equipment for recognizing emotions in speech

Номер патента: RU2720359C1. Автор: Ян Чжан,Цянь Ли,Оксана ВЕРХОЛЯК,Алексей КАРПОВ. Владелец: Хуавэй Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-04-29.

Wearable 3D augmented reality display with variable focus and/or object recognition

Номер патента: US10469833B2. Автор: Bahram Javidi,Hong Hua. Владелец: Arizona Board of Regents of University of Arizona. Дата публикации: 2019-11-05.

Wearable 3D augmented reality display

Номер патента: AU2015227092A1. Автор: Bahram Javidi,Hong Hua. Владелец: Arizona Board of Regents of University of Arizona. Дата публикации: 2016-09-22.

Three-dimensional power distribution network (pdn) capacitor integration

Номер патента: WO2022231736A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Shree Krishna Pandey,Irfan Khan,Biancun Xie,Miguel Miranda Corbalan. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-11-03.

Three-dimensional power distribution network (pdn) capacitor integration

Номер патента: EP4331008A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Shree Krishna Pandey,Irfan Khan,Biancun Xie,Miguel Miranda Corbalan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-03-06.

Semiconductor packages

Номер патента: US20240290750A1. Автор: Su-chang LEE,Hyunggil Baek,Hyoeun LEE,Gyunghwan OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Multichip integration with through silicon via (TSV) die embedded in package

Номер патента: US09716084B2. Автор: Javier Soto Gonzalez,Digvijay A. Raorane,Yonggang Li,Rahul N. Manepalli. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Enhanced ESD protection of integrated circuit in 3DIC package

Номер патента: US09412708B2. Автор: Shyh-An Chi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Three-dimensional integrated circuit module and fabrication method therefor

Номер патента: US20240038631A1. Автор: Jun Zhou,Peng Sun,Sheng Hu,Qiong Zhan. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Three-dimensional high quality passive structure with conductive pillar technology

Номер патента: EP3830868A1. Автор: Kai Liu,Jonghae Kim,Mario Francisco Velez,Changhan Hobie Yun. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-06-09.

Three-dimensional high quality passive structure with conductive pillar technology

Номер патента: WO2020027975A1. Автор: Kai Liu,Jonghae Kim,Mario Francisco Velez,Changhan Hobie Yun. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2020-02-06.

Reconstituted substrate structure and fabrication methods for heterogeneous packaging integration

Номер патента: US20240021533A1. Автор: Guan Huei See,Han-Wen Chen,Steven Verhaverbeke,Kyuil Cho,Vincent DiCaprio,Giback Park,Giorgio Cellere,Diego Tonini. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Reconstituted substrate for radio frequency applications

Номер патента: US12051653B2. Автор: Guan Huei See,Ramesh Chidambaram. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Backside contact to improve thermal dissipation away from semiconductor devices

Номер патента: US11756936B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN,Yi-Shin Chu,Ping-Tzu Chen,Che-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Backside contact to improve thermal dissipation away from semiconductor devices

Номер патента: US20220216185A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN,Yi-Shin Chu,Ping-Tzu Chen,Che-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-07.

Backside contact to improve thermal dissipation away from semiconductor devices

Номер патента: US20230369293A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN,Yi-Shin Chu,Ping-Tzu Chen,Che-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Process of manufacturing a three dimensional integrated circuit from stacked SOI wafers using a temporary silicon substrate

Номер патента: US5426072A. Автор: Ronald M. Finnila. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1995-06-20.

Integrated circuit device, packaging, and method for forming thereof

Номер патента: WO2024060058A1. Автор: Shu Zhang,Xiaojuan WANG,Shifang Liu. Владелец: Yangtze Advanced Memory Industrial Innovation Center Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-03-28.

Carrier frequency offset compensation in beamforming systems

Номер патента: US20130106641A1. Автор: Srinath Hosur,Venugopal Gopinathan,Nirmal C. Warke. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-05-02.

Carrier frequency offset compensation in beamforming systems

Номер патента: WO2013063575A1. Автор: Srinath Hosur,Nirmal C. Warke. Владелец: Gopinathan, Venugopal. Дата публикации: 2013-05-02.

Device Discovery, Session Setup, and Maintenance in IEEE 802.15.4ab Communications

Номер патента: US20240106495A1. Автор: Yong Liu,Lochan VERMA,Robert Golshan. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Acceleration of microservice communications

Номер патента: US20230199078A1. Автор: Mrittika Ganguli,Beeresh Gopal,Monika KASHID,Utkarsha GANGTHADE,Manan Gupta. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Method and system for robust streaming of data

Номер патента: US20240283746A1. Автор: Krishnamurthy Subramanian. Владелец: Cornami Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Method and system for robust streaming of data

Номер патента: US20210297361A1. Автор: Krishnamurthy Subramanian. Владелец: Cornami Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Method and system for robust streaming of data

Номер патента: US11973692B2. Автор: Krishnamurthy Subramanian. Владелец: Cornami Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Through silicon via design for stacking integrated circuits

Номер патента: US20210343707A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Alexander Kalnitsky,Kong-Beng Thei,Hsiao-Chin Tuan,Fu-Jier Fan,Hsing-Chih LIN,Yi-Sheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Hybrid bonding technology for stacking integrated circuits

Номер патента: US20240355784A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Ching-Chun Wang,I-Nan Chen,Yung-Lung Lin,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN,Shih-Han Huang,Kuo-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for forming three-dimensional integrated wiring structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: WO2019041956A1. Автор: Zhenyu Lu,Jun Chen,Siping Hu,Jifeng Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-03-07.

Fan-out 3D IC integration structure without substrate and method of making the same

Номер патента: US09837378B2. Автор: Rezaur Rahman Khan,Sam Ziqun Zhao. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for forming three-dimensional integrated wiring structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: US20190067105A1. Автор: Zhenyu Lu,Jun Chen,Jifeng Zhu,Si Ping HU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Method for forming three-dimensional integrated wiring structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: US20200152515A1. Автор: Zhenyu Lu,Jun Chen,Jifeng Zhu,Si Ping HU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-14.

Shared pad/bridge layout for a 3d ic

Номер патента: US20230170328A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei Cheng Wu,Chung-Jen Huang,Chia-Sheng Lin,Wei Chuang Wu,Wen-Tuo Huang,Ping-Tzu Chen,Shih Kuang Yang,Shun-Kuan Lin,Chien Lin Liu,Yung Chun Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Through silicon via design for stacking integrated circuits

Номер патента: US20220302108A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Alexander Kalnitsky,Kong-Beng Thei,Hsiao-Chin Tuan,Fu-Jier Fan,Hsing-Chih LIN,Yi-Sheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Thermal management of three-dimensional integrated circuits

Номер патента: US20240213221A1. Автор: Kambiz Vafai,Andisheh Tavakoli,Mohammad Reza Salimpour. Владелец: Kambix Innovations LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional integrated circuit and tsv repairing method thereof

Номер патента: US20160071785A1. Автор: Joon-Sung Yang,Hyunseung HAN. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2016-03-10.

Three-dimensional integrated circuit and TSV repairing method thereof

Номер патента: US9704782B2. Автор: Joon-Sung Yang,Hyunseung HAN. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2017-07-11.

Electrical test structure applying 3D-ICS bonding technology for stacking error measurement

Номер патента: US8546952B2. Автор: Kuan-Neng Chen,Shih-Wei Li. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2013-10-01.

Stacked circuits of iii-v devices over silicon with high quality integrated passives with hybrid bonding

Номер патента: US20200381398A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Jonghae Kim,Ranadeep Dutta. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Thermal management of three-dimensional integrated circuits

Номер патента: US11942453B2. Автор: Kambiz Vafai,Andisheh Tavakoli,Mohammad Reza Salimpour. Владелец: Kambix Innovations LLC. Дата публикации: 2024-03-26.

Thermal management of three-dimensional integrated circuits

Номер патента: US20230048534A1. Автор: Kambiz Vafai,Andisheh Tavakoli,Mohammad Reza Salimpour. Владелец: Kambix Innovations LLC. Дата публикации: 2023-02-16.

Thermal management of three-dimensional integrated circuits

Номер патента: US20230395570A1. Автор: Kambiz Vafai,Andisheh Tavakoli,Mohammad Reza Salimpour. Владелец: Kambix Innovations LLC. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US8415806B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-04-09.

Holographic system for large image production

Номер патента: AU4013597A. Автор: Konstantin Roggatz. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-02-25.

Deep trench via for three-dimensional integrated circuit

Номер патента: US12100705B2. Автор: Tahir Ghani,Yih Wang,Mauro J. Kobrinsky,Mark Bohr,Rishabh Mehandru,Marni NABORS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Seal ring structures and methods of forming same

Номер патента: US20190109125A1. Автор: Kuan-Liang Liu,Wen-De Wang,Yung-Lung Lin,Kuo-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-11.

Seal ring structures and methods of forming same

Номер патента: US20200350302A1. Автор: Kuan-Liang Liu,Wen-De Wang,Yung-Lung Lin,Kuo-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Seal ring structures and methods of forming same

Номер патента: US20220278090A1. Автор: Kuan-Liang Liu,Wen-De Wang,Yung-Lung Lin,Kuo-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Seal ring structures and methods of forming same

Номер патента: US11842992B2. Автор: Kuan-Liang Liu,Wen-De Wang,Yung-Lung Lin,Kuo-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Seal-ring structure for stacking integrated circuits

Номер патента: US09972603B2. Автор: Pao-Tung Chen,Shuang-Ji Tsai,Kuan-Chieh Huang,Yi-Shin Chu,Yi-Hao Chen,Feng-Kuei Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for forming three-dimensional integrated wiring structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: US20220208677A1. Автор: Zhenyu Lu,Jun Chen,Jifeng Zhu,Si Ping HU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Method for forming three-dimensional integrated wiring structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: US20200381360A1. Автор: Zhenyu Lu,Jun Chen,Jifeng Zhu,Si Ping HU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Method for forming three-dimensional integrated wiring structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: US11791265B2. Автор: Zhenyu Lu,Jun Chen,Jifeng Zhu,Si Ping HU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Seal-ring structure for stacking integrated circuits

Номер патента: US20190109121A1. Автор: Pao-Tung Chen,Shuang-Ji Tsai,Kuan-Chieh Huang,Yi-Shin Chu,Yi-Hao Chen,Feng-Kuei Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-11.

Method for forming three-dimensional integrated wiring structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: US20200266147A1. Автор: Zhenyu Lu,Jun Chen,Jifeng Zhu,Si Ping HU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-20.

Bond pad structure for low temperature flip chip bonding

Номер патента: US09536848B2. Автор: Luke England,Christian KLEWER. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

MICROBOITIER FOR ENCAPSULATION OF LOGIC INTEGRATED CIRCUITS OPERATING IN VERY HIGH FREQUENCY

Номер патента: FR2529385A1. Автор: Maurice Gloanec,Jacques Jarry. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1983-12-30.

Method for metallisation of through holes in semi-insulating semiconductor substrates

Номер патента: RU2708677C1. Автор: Николай Анатольевич Торхов,Валентин Натанович Брудный. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ). Дата публикации: 2019-12-11.

Group iii-n based semiconductor three-dimensional integrated circuit

Номер патента: US20240120333A1. Автор: Yen-Wei Liu,Tian-Li Wu. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-04-11.

Flip-flop in a monolithic three-dimensional integrated circuit (3dic) and related method

Номер патента: WO2014137736A1. Автор: Yang Du,Jing Xie,Kambiz Samadi. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-09-12.

Thermal management of electronics using co-located microjet nozzles and electronic elements

Номер патента: US12100643B2. Автор: Bernard Malouin,Jordan Mizerak. Владелец: Jetcool Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Temporary bonding and debonding process to prevent deformation of metal connection in thermocompression bonding

Номер патента: US20220262755A1. Автор: Xiao Liu,Arthur O. SOUTHARD,Chen-Yu Wu,Chia-Hsin Lee,Alice Guerrero. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Method and device for the integration of semiconductor wafers

Номер патента: MY197514A. Автор: OSTHOLT Roman,Ambrosius Norbert. Владелец: LPKF LASER & ELECTRONICS AG. Дата публикации: 2023-06-19.

Method and device for the integration of semiconductor wafers

Номер патента: US20200266152A1. Автор: Norbert Ambrosius,Roman Ostholt. Владелец: LPKF Laser and Electronics AG. Дата публикации: 2020-08-20.

Three-dimensional Integrated Circuit

Номер патента: US20230223402A1. Автор: chun chen Liu,Oscar Ming Kin Law. Владелец: Kneron Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Three-dimensionally integrated structure and method for fabricating same

Номер патента: US20240194531A1. Автор: YU Zhou,Sheng Hu,Anna Zhang. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of handling a substrate

Номер патента: GB201209024D0. Автор: . Владелец: APPLIED MICROENGINEERING Ltd. Дата публикации: 2012-07-04.

Transfer of Epitaxial Compound Semiconductor Layers From a Van Der Waals Interface Using Direct Wafer Bonding

Номер патента: US20240047205A1. Автор: Kyusang Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-02-08.

Self-aligned hybrid substrate stacked gate-all-around transistors

Номер патента: WO2023099112A1. Автор: Dechao Guo,Junli Wang,Ruqiang Bao. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-06-08.

Integration Framework for Two-Dimensional and Three-Dimensional Elements in an Artificial Reality Environment

Номер патента: US20240273824A1. Автор: Rohan Mehta,Eric Griffith,Dalton Thorn FLANAGAN,Walter J. LUH,Zeya Peng,Lucas Switzer. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-15.

Integration framework for two-dimensional and three-dimensional elements in an artificial reality environment

Номер патента: EP4414835A1. Автор: Rohan Mehta,Eric Griffith,Dalton Thorn FLANAGAN,Walter J. LUH,Zeya Peng,Lucas Switzer. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-14.

Method for correcting timing skew in X-ray data read out of an X-ray detector in a rolling shutter mode

Номер патента: US09784698B2. Автор: Joerg KAERCHER,Roger D. Durst,Gregory A. WACHTER. Владелец: Bruker AXS Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

A system and method for automated and integrated plant design

Номер патента: WO2023175383A1. Автор: Alireza Sargheiny,Amir Sargheiny,Navid Sargheiny,Farshid Sargheiny. Владелец: Alireza Sargheiny. Дата публикации: 2023-09-21.

Thermal and stress gradient based rc extraction, timing and power analysis

Номер патента: US20130033277A1. Автор: Hongmei Liao,Riko Radojcic. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-02-07.

Thermal and stress gradient based rc extraction, timing and power analysis

Номер патента: WO2013020119A1. Автор: Hongmei Liao,Riko Radojcic. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-02-07.

Hardware resource configuration for processing system

Номер патента: US11966785B2. Автор: Dam Sunwoo,Jaekyu Lee,Saurabh Pijuskumar Sinha,Supreet Jeloka,Jose Alberto Joao,Krishnendra Nathella. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2024-04-23.

Method and system for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9934352B2. Автор: Yi-Kan Cheng,Hui Yu Lee,Jui-Feng Kuan,Chi-Wen Chang,Ya Yun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Measurement system, measurement device, measurement method, and measurement program

Номер патента: US20240003675A1. Автор: Xingdou FU. Владелец: Omron Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Measuring system, measuring device, measuring method, and measuring program

Номер патента: EP4245480A1. Автор: Xingdou FU. Владелец: Omron Tateisi Electronics Co. Дата публикации: 2023-09-20.

Light detection and ranging system

Номер патента: WO2023065004A1. Автор: Mahsa SALMANI,Armaghan ESHAGHI,Sreenil SAHA. Владелец: Huawei Technologies Canada Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-04-27.

Spatial integrating solid-state wave gyroscope

Номер патента: RU2763688C1. Автор: Александр Александрович Скрипкин,Сергей Егорович Переляев. Владелец: Сергей Егорович Переляев. Дата публикации: 2021-12-30.

Systems, devices, and methods for gas sensing

Номер патента: EP3803365A1. Автор: Max SHULAKER,Mindy Deanna Bishop. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2021-04-14.

Systems, devices, and methods for gas sensing

Номер патента: US20240353369A1. Автор: Max SHULAKER,Mindy Deanna Bishop. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2024-10-24.

Systems, devices, and methods for gas sensing

Номер патента: WO2019236974A8. Автор: Max SHULAKER,Mindy Deanna Bishop. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2021-09-23.

Systems, devices, and methods for gas sensing

Номер патента: US20210247356A1. Автор: Max SHULAKER,Mindy Deanna Bishop. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2021-08-12.

Enabling Resilient Microgrid Through Ultra-Fast Programmable Network

Номер патента: US20190182171A1. Автор: Bing Wang,Peng Zhang,Peter B. Luh,Yanyuan Qin,Lingyu Ren. Владелец: University of Connecticut. Дата публикации: 2019-06-13.

Multi-layer logic matrix based on a memristor switching cell

Номер патента: RU2682548C2. Автор: Александр Николаевич Бусыгин,Олег Васильевич Маевский,Александр Дмитриевич Писарев,Сергей Юрьевич Удовиченко. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Тюменский государственный университет". Дата публикации: 2019-03-19.

Method and apparatus for communication via inductive coupling

Номер патента: US20240162936A1. Автор: James Edward Myers,Shidhartha Das,Sahan Sajeewa Hiniduma Udugama Gamage,Benjamin James Fletcher. Владелец: Ecs Partners Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Method and apparatus for communication via inductive coupling

Номер патента: WO2022200763A1. Автор: James Edward Myers,Shidhartha Das,Sahan Sajeewa Hiniduma Udugama Gamage,Benjamin James Fletcher. Владелец: ECS Partners Limited. Дата публикации: 2022-09-29.

Method and apparatus for communication via inductive coupling

Номер патента: GB2605172A. Автор: Das Shidhartha,Edward Myers James,Sajeewa Hiniduma Udugama Gamage Sahan,James Fletcher Benjamin. Владелец: Ecs Partners Ltd. Дата публикации: 2022-09-28.

Isolation structure for MEMS 3D IC integration

Номер патента: US09446945B2. Автор: Chun-Wen Cheng,Tzu-Heng Wu,Chun-Ren Cheng,Yi-Hsien Chang,Wei-Cheng Shen,Yi-Heng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of local crystallization of glasses

Номер патента: RU2640604C2. Автор: Владимир Николаевич Сигаев,Алексей Сергеевич Липатьев,Сергей Викторович Лотарев,Татьяна Олеговна Липатьева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Российский химико-технологический университет имени Д.И. Менделеева" (РХТУ им. Д.И. Менделеева). Дата публикации: 2018-01-10.

Method and apparatus for treatment of contaminated liquid

Номер патента: US7981301B2. Автор: Scott W. Powell. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-07-19.

Integral microporous high void volume polycarbonate membranes and a dry process for forming same

Номер патента: GB1395530A. Автор: . Владелец: Chemical Systems Inc. Дата публикации: 1975-05-29.

Ultra-high-bandwidth low-power-consumption wireless communication systems

Номер патента: US20120076224A1. Автор: Leiba Yigal,Kirshenbaum Izhak,Schwartz Baruch. Владелец: SIKLU COMMUNICATION LTD.. Дата публикации: 2012-03-29.

ULTRA-HIGH BANDWIDTH, MULTIPLE-CHANNEL FULL-DUPLEX, SINGLE-CHIP CMOS OPTICAL TRANSCEIVER

Номер патента: US20120163811A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-06-28.

Decoupled Memory Modules: Building High-Bandwidth Memory Systems from Low-Speed Dynamic Random Access Memory Devices

Номер патента: US20120030396A1. Автор: ZHANG ZHAO,Zheng Hongzhong,Zhu Zhichun. Владелец: . Дата публикации: 2012-02-02.

3d integrated circuit package and method of fabrication thereof

Номер патента: SG172704A1. Автор: Subhash Gupta,Sangki Hong. Владелец: Tezzaron Semiconductor S Pte Ltd. Дата публикации: 2011-07-28.

3-dimensional (3D) integration broadcast platform of television

Номер патента: CN102946545A. Автор: 陈卫,安然,谈川玉. Владелец: WENGUANG INTERDYANMIC TV CO Ltd SHANGHAI. Дата публикации: 2013-02-27.

A kind of digital 3D integrated circuit silicon defective hole automatic testing method

Номер патента: CN103323731B. Автор: 王姣,余宁梅,胡梦南. Владелец: Xian University of Technology. Дата публикации: 2015-12-02.

Sub pixel-based 3D integrated imaging display device

Номер патента: CN103809293A. Автор: 王海涛,洪涛,焦少慧,周明才,李炜明,金智渊. Владелец: Beijing Samsung Telecommunications Technology Research Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-21.

Automatic detection method for through silicon via (TSV) defects of full-digital 3D integrated circuit

Номер патента: CN103323731A. Автор: 王姣,余宁梅,胡梦南. Владелец: Xian University of Technology. Дата публикации: 2013-09-25.

3D Integration Microelectronic Assembly For Integrated Circuit Devices And Method Of Making Same

Номер патента: US20120313207A1. Автор: Oganesian Vage. Владелец: . Дата публикации: 2012-12-13.

3D Integration Microelectronic Assembly For Integrated Circuit Devices And Method Of Making Same

Номер патента: US20120313255A1. Автор: Oganesian Vage. Владелец: . Дата публикации: 2012-12-13.

Optical bus in 3D integrated circuit stack

Номер патента: AU2010902977A0. Автор: Aron Michael,Chee Yee Kwok,Yiwei Xu. Владелец: NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LTD. Дата публикации: 2010-07-22.

SOLAR CELL AND BATTERY 3D INTEGRATION

Номер патента: US20120043814A1. Автор: Deligianni Hariklia,Liu Fei. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-02-23.

3D INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE AND METHOD FOR DETECTING CHIP MIS-ALIGNEMENT

Номер патента: US20120056177A1. Автор: Zhu Huilong. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-08.

METHOD AND APPARATUS FOR TESTING 3D INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20120110402A1. Автор: . Владелец: Syntest Technologies, Inc.. Дата публикации: 2012-05-03.

3D INTEGRATED CIRCUITS STRUCTURE

Номер патента: US20120126425A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-05-24.

3D INTEGRATED CIRCUIT DEVICE FABRICATION WITH PRECISELY CONTROLLABLE SUBSTRATE REMOVAL

Номер патента: US20120149173A1. Автор: Purushothaman Sampath,Farooq Mukta G.,Yu Roy R.,Hannon Robert,Iyer Subramanian S.,Koester Steven J.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-06-14.

3D INTEGRATED CIRCUIT DEVICE FABRICATION WITH PRECISELY CONTROLLABLE SUBSTRATE REMOVAL

Номер патента: US20120153429A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-06-21.

Novel 3D Integration Method Using SOI Substrates and Structures Produced Thereby

Номер патента: US20120193752A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-08-02.

3D INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120193797A1. Автор: Zhu Huilong. Владелец: . Дата публикации: 2012-08-02.

3D INTEGRATED CIRCUIT DEVICE HAVING LOWER-COST ACTIVE CIRCUITRY LAYERS STACKED BEFORE HIGHER-COST ACTIVE CIRCUITRY LAYER

Номер патента: US20120299200A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-29.

Process for Enhanced 3D Integration and Structures Generated using the Same

Номер патента: US20120307444A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-12-06.

Process for Enhanced 3D Integration and Structures Generated Using the Same

Номер патента: US20120308241A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-12-06.

METHOD FOR FABRICATING 3D INTEGRATED CIRCUIT DEVICE USING INTERFACE WAFER AS PERMANENT CARRIER

Номер патента: US20120309127A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-12-06.

Process for Enhanced 3D Integration and Structures Generated Using the Same

Номер патента: US20120314994A1. Автор: Purushothaman Sampath,Colgan Evan G.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-12-13.

METHODS AND SYSTEMS FOR COMPUTER AIDED DESIGN OF 3D INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20120317528A1. Автор: McIlrath Lisa G.. Владелец: R3 Logic, Inc.. Дата публикации: 2012-12-13.

Capping Coating for 3D Integration Applications

Номер патента: US20120329244A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-12-27.

INTERCONNECTING MECHANISM FOR 3D INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20130034971A1. Автор: Tsai Ming-Fan,Lee Hsin-Hung,Fang Bo-Shiang,Lin Li-Fang. Владелец: SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.. Дата публикации: 2013-02-07.

METHODS OF FORMING BONDED SEMICONDUCTOR STRUCTURES IN 3D INTEGRATION PROCESSES USING RECOVERABLE SUBSTRATES, AND BONDED SEMICONDUCTOR STRUCTURES FORMED BY SUCH METHODS

Номер патента: US20130037960A1. Автор: Sadaka Mariam,Nguyen Bich-Yen. Владелец: S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES. Дата публикации: 2013-02-14.

VERTICAL POWER BUDGETING AND SHIFTING FOR 3D INTEGRATION

Номер патента: US20130055185A1. Автор: RESTLE PHILLIP J.,Bose Pradip,CARPENTER GARY D.,Kursun Eren,Floyd Michael S.,SCHEUERMANN MICHAEL R.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-02-28.

System and Method for 3D Integrated Circuit Stacking

Номер патента: US20130062766A1. Автор: Ching Kai-Ming. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-03-14.

ESD PROTECTION FOR 2.5D/3D INTEGRATED CIRCUIT SYSTEMS

Номер патента: US20130063843A1. Автор: CHEN Chia-Hui,Chu Fang-Tsun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2013-03-14.

DAMASCENE PROCESS FOR ALIGNING AND BONDING THROUGH-SILICON-VIA BASED 3D INTEGRATED CIRCUIT STACKS

Номер патента: US20130069232A1. Автор: Liu Huang,Yu Hong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd.. Дата публикации: 2013-03-21.

METHODS OF TRANSFERRING LAYERS OF MATERIAL IN 3D INTEGRATION PROCESSES AND RELATED STRUCTURES AND DEVICES

Номер патента: US20130075868A1. Автор: Sadaka Mariam,Radu Ionut. Владелец: SOITEC. Дата публикации: 2013-03-28.

THREE-DIMENSIONAL (3D) INTEGRATED CIRCUIT WITH ENHANCED COPPER-TO-COPPER BONDING

Номер патента: US20130113106A1. Автор: Nguyen Son V.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-05-09.

3D INTEGRATED CIRCUIT SYSTEM WITH CONNECTING VIA STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20130277854A1. Автор: WONG Chun Yu,TANG Teck Jung,Alapati Ramakanth. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-10-24.

PACKAGES AND METHODS FOR 3D INTEGRATION

Номер патента: US20140027867A1. Автор: Goida Thomas. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2014-01-30.

Band Pass Filter for 2.5D/3D Integrated Circuit Applications

Номер патента: US20140029205A1. Автор: JOU Chewn-PU,CHEN Huan-Neng,Yeh Der-Chyang,Chen Shuo-Mao,KUO Feng Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-01-30.

LATCH-UP SUPPRESSION AND SUBSTRATE NOISE COUPLING REDUCTION THROUGH A SUBSTRATE BACK-TIE FOR 3D INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20140061936A1. Автор: Moroz Victor,Kawa Jamil. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-06.

3D integrated memory

Номер патента: JP2815184B2. Автор: 洋 中野,淳一 中村,力 中村,雅之 藤井,正晴 今井,正倫 森本. Владелец: Olympus Optic Co Ltd. Дата публикации: 1998-10-27.

3D integrated freeway traffic event automatic detection method

Номер патента: CN101188064A. Автор: 余勇,张琨,陈德旺,李世欣. Владелец: Beijing Jiaotong University. Дата публикации: 2008-05-28.

BIO-IMPLANTABLE HERMETIC INTEGRATED ULTRA HIGH DENSITY DEVICE

Номер патента: US20130329373A1. Автор: Smith Brian R.,Sriram Tirunelveli S.,McLaughlin Bryan L.. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-12.

Photocatalyst SOx/NOx control dust removal demercuration integration ultra -clean discharging equipment

Номер патента: CN205903776U. Автор: 刘欣. Владелец: BEIJING AVIC TIANYE TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-25.

Integrated ultra wide band voltage-controlled oscillator

Номер патента: CN203722605U. Автор: 李正,安天民. Владелец: TIANJIN ZHENGCHENG TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-16.

Energy-saving ammonia desulfurization and dust removal integrated ultra-clean discharge system

Номер патента: CN212119516U. Автор: 王晓东,曾辉,袁海燕,周洪涛,丁亮和. Владелец: Kunyue Internet Environmental Technology Jiangsu Co ltd. Дата публикации: 2020-12-11.

A kind of integrated ultra-low capacitance returns greatly the common mode filtering device of TVS suddenly

Номер патента: CN208093558U. Автор: 赵志方,王允,张啸,苏海伟,苏亚兵,赵德益,吕海凤,霍田佳,蒋骞苑. Владелец: SHANGHAI CHANGYUAN WAYON MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2018-11-13.

Integrated ultra-thin connector

Номер патента: CN212085349U. Автор: 蒋振华. Владелец: Shenzhen Yaguan Antenna Connector Co ltd. Дата публикации: 2020-12-04.

Integrated ultra-silent water supply device

Номер патента: CN215630325U. Автор: 王永亚,周嘉祺. Владелец: Nanjing Himag Energy Saving Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-01-25.

Method of coding and decoding video information based on three-dimensional discrete cosine transformation

Номер патента: RU2375838C1. Автор: Александр Константинович Цыцулин,Николай Николаевич Шипилов,Александр Ахатович Умбиталиев,Салих Мансурович Ибатуллин,Владимир Форитьевич Ибатулин,Шакиб Субхиевич Фахми. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт телевидения". Дата публикации: 2009-12-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.