Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Word line coupling prevention using 3d integrated circuit

Word line coupling prevention using 3d integrated circuit

Номер патента: US20150145139A1
Опубликовано: 28-05-2015
Автор(ы): Kuoyuan (Peter) Hsu
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Methods of forming an integrated circuit chip having two types of memory cells

Номер патента: US09935001B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Integrated circuit chip having two types of memory cells

Номер патента: US09576644B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Apparatus and method for integrated circuit bit line sharing

Номер патента: US09583494B2. Автор: Yi-Tzu Chen,Hao-I Yang,Yu-Hao Hu,Cheng-Jen Chang,Geng-Cing Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Floating staircase word lines and process in a 3D non-volatile memory having vertical bit lines

Номер патента: US09748172B2. Автор: Seje TAKAKI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-29.

Word line lead-out structure and method for preparing same

Номер патента: US11862281B2. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Tchnologies Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Integrated circuit device

Номер патента: US11830567B2. Автор: Wonseok Yoo,Chunhyung Chung,Daeyoung MOON,Jamin KOO,Kyuwan KIM,Jinwon MA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-28.

Word line lead-out structure and method for preparing same

Номер патента: US20210375329A1. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Word line lead-out structure and preparation method therefor

Номер патента: EP4002453A1. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-05-25.

Resistance reduction for word lines in memory arrays

Номер патента: US20210265278A1. Автор: Owen W. Jungroth,Sung-taeg Kang,Pranav Kalavade,Prasanna Srinivasan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Resistance reduction for word lines in memory arrays

Номер патента: EP3869510A1. Автор: Sung-taeg Kang,Pranav Kalavade,Prasanna Srinivasan,Owen Jungroth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-08-25.

Static random access memory (sram) bit cells employing asymmetric width read and write word lines, and related methods

Номер патента: EP4205115A1. Автор: Sunil Sharma,Sonia Ghosh,Rahul Biradar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-07-05.

Static random access memory (sram) bit cells employing asymmetric width read and write word lines, and related methods

Номер патента: WO2022046288A1. Автор: Sunil Sharma,Sonia Ghosh,Rahul Biradar. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-03-03.

Method and apparatus to mitigate word line staircase etch stop layer thickness variations in 3d nand devices

Номер патента: EP4186095A1. Автор: Sha Tao,Qun Li,Hong Ma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-05-31.

Sram cell word line structure with reduced rc effects

Номер патента: US20230380129A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Chih-Yu Lin,Hidehiro Fujiwara,Wei-Min CHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

SRAM cell word line structure with reduced RC effects

Номер патента: US11778802B2. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Chih-Yu Lin,Hidehiro Fujiwara,Wei-Min CHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Method and apparatus to mitigate word line staircase etch stop layer thickness variations in 3d nand devices

Номер патента: US20230232629A1. Автор: Sha Tao,Qun Li,Hong Ma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Three-dimensional (3D) memory cell separation among 3D integrated circuit (IC) tiers, and related 3D integrated circuits (3DICs), 3DIC processor cores, and methods

Номер патента: US09583179B2. Автор: Yang Du,Jing Xie. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Three-dimensional (3d) memory cell with read/write ports and access logic on different tiers of the integrated circuit

Номер патента: EP2973706A1. Автор: Yang Du,Jing Xie. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Word line structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200273868A1. Автор: Kuang-Chao Chen,Yung-Tai Hung,Tuung Luoh,Ta-Hung Yang,Chi-Min Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Integrated circuit including three-dimensional memory device

Номер патента: US11856786B2. Автор: Yih Wang,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Yi-Ching Liu,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Integrated circuit including three-dimensional memory device

Номер патента: US20240090231A1. Автор: Yih Wang,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Yi-Ching Liu,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Integrated circuit, system and method of forming the same

Номер патента: US20240257840A1. Автор: Yen-Huei Chen,Kao-Cheng LIN,Wei Min Chan,Yen Lin CHUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Three dimensional storage cell array with highly dense and scalable word line design approach

Номер патента: US20180331034A1. Автор: Mark Helm,Deepak Thimmegowda,Aaron Yip,Yongna LI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Three dimensional storage cell array with highly dense and scalable word line design approach

Номер патента: US20170287833A1. Автор: Mark Helm,Deepak Thimmegowda,Aaron Yip,Yongna LI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-05.

Word line structures for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US11804252B2. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Word line structures for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20240029772A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Word line structures for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20230307025A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Self-aligned interconnection for integrated circuits

Номер патента: US20180366370A1. Автор: Fabio Pellizzer,Roberto Somaschini,Antonino Rigano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-12-20.

Self-aligned interconnection for integrated circuits

Номер патента: US20160181156A1. Автор: Fabio Pellizzer,Roberto Somaschini,Antonino Rigano. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-06-23.

Self-aligned interconnection for integrated circuits

Номер патента: US10157788B2. Автор: Fabio Pellizzer,Roberto Somaschini,Antonino Rigano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-18.

Three dimensional storage cell array with highly dense and scalable word line design approach

Номер патента: WO2017171969A1. Автор: Mark Helm,Deepak Thimmegowda,Aaron Yip,Yongna LI. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-10-05.

Three dimensional storage cell array with highly dense and scalable word line design approach

Номер патента: EP3440700A1. Автор: Mark Helm,Deepak Thimmegowda,Aaron Yip,Yongna LI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-13.

Integrated circuit device

Номер патента: US20220271056A1. Автор: Jinsoo Lim,Byunggon PARK,SangJun HONG,Jisung Cheon,Joowon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-25.

Three-dimensional memory device with word lines extending through sub-arrays, semiconductor device including the same and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230345732A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Integrated circuit device

Номер патента: US20200411540A1. Автор: Jinsoo Lim,Byunggon PARK,SangJun HONG,Jisung Cheon,Joowon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-31.

Integrated circuit device

Номер патента: US11335695B2. Автор: Jinsoo Lim,Byunggon PARK,SangJun HONG,Jisung Cheon,Joowon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-17.

Integrated word line contact structures in three-dimensional (3d) memory array

Номер патента: US20210143100A1. Автор: Abhinav Tripathi,Ebony Lynn Mays,Jessica Sevanne Kachian,Nanda Kumar Chakravarthi,Kwame Nkrumah Eason,Ralf Buengener. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-05-13.

Integrated word line contact structures in three-dimensional (3d) memory array

Номер патента: US20230402389A1. Автор: Abhinav Tripathi,Ebony Lynn Mays,Jessica Sevanne Kachian,Nanda Kumar Chakravarthi,Kwame Nkrumah Eason,Ralf Buengener. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Integrated circuit chip and semiconductor device including the same

Номер патента: US10761132B2. Автор: Dong-Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-09-01.

Integrated circuit including backside wiring and method of designing the same

Номер патента: US20240312493A1. Автор: Taehyung Kim,Youngrok Park,Hoyoung Tang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Integrated circuits including backside wiring

Номер патента: US20240363531A1. Автор: Soyeon Kim,Taehyung Kim,Hoyoung Tang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing same

Номер патента: US20200357466A1. Автор: Sung-Woo Kim,Hyeong-Sun HONG,Yoo-Sang Hwang,Jae-Kyu Lee,Gwan-Hyeob Koh,Ki-Seok SUH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-12.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing same

Номер патента: US20190362791A1. Автор: Sung-Woo Kim,Hyeong-Sun HONG,Yoo-Sang Hwang,Jae-Kyu Lee,Gwan-Hyeob Koh,Ki-Seok SUH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-11-28.

Word line decoder circuitry under a three-dimensional memory array

Номер патента: US20200294599A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Takuya Ariki,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-09-17.

Word line decoder circuitry under a three-dimensional memory array

Номер патента: US09721663B1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Takuya Ariki,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-01.

Double-sided segmented line architecture in 3D integration

Номер патента: US09559040B2. Автор: Toshiaki Kirihata,John W. Golz,Pooja R. Batra,Mark Jacunski. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Self-aligned flash memory device with word line having reduced height at outer edge opposite to gate stack

Номер патента: US09646978B2. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

L-shaped stepped word line structure, method of manufacturing the same, and three-dimensional memory

Номер патента: US12107046B2. Автор: Gang Zhang,Zongliang Huo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-10-01.

Integrated circuit including backside wires

Номер патента: US20240365528A1. Автор: Taehyung Kim,Changhoon Sung,Hoyoung Tang,Eojin LEE,Hyojin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Vertical non-volatile memory device including plural word line stacks

Номер патента: US09711188B2. Автор: Sung-Min Hwang,Han-Soo Kim,Ki-Hyun Kim,Jae-Hoon Jang,Won-Seok Cho,Jae-Hun Jeong,Sun-Il Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device with composite word line structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240365537A1. Автор: Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Memory device having word line with dual conductive materials

Номер патента: US20230298998A1. Автор: Jhen-Yu Tsai,Yu-Ping Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Stacked bit line dual word line nonvolatile memory

Номер патента: US09799663B2. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Stacked bit line dual word line nonvolatile memory

Номер патента: US09466566B2. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Power Routing for 2.5D or 3D Integrated Circuits Including a Buried Power Rail and Interposer with Power Delivery Network

Номер патента: US20240258206A1. Автор: Xi-Wei Lin,Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device with composite word line structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230328970A1. Автор: Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Word Line Decoder Circuitry under a Three-Dimensional Memory Array

Номер патента: US20190057741A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Takuya Ariki,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-02-21.

Word line decoder circuitry under a three-dimensional memory array

Номер патента: EP3660901A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Takuya Ariki,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-06-03.

Word line decoder circuitry under a three-dimensional memory array

Номер патента: EP3375012A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Takuya Ariki,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-09-19.

Word line decoder circuitry under a three-dimensional memory array

Номер патента: WO2017142617A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Takuya Ariki,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-24.

Using split word lines and switches for reducing capacitive loading on a memory system

Номер патента: US20240274179A1. Автор: Sheng-Chen Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Double-sided segmented line architecture in 3D integration

Номер патента: US9870979B2. Автор: Toshiaki Kirihata,John W. Golz,Pooja R. Batra,Mark Jacunski. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Buried word line structure and method of making the same

Номер патента: US20190067293A1. Автор: Feng-Yi Chang,Chi-Mao Hsu,Shih-Fang Tzou,Tsuo-Wen Lu,Ger-Pin Lin,Tien-Chen Chan,Shu-Yen Chan,Fu-Che Lee,Kuan-Chun Lin,Shih-Kuei Yen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Reducing neighboring word line in interference using low-k oxide

Номер патента: US09831118B1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Jayavel Pachamuthu,Ching-Huang Lu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-11-28.

Buried word line structure and method of making the same

Номер патента: US10217750B1. Автор: Feng-Yi Chang,Chi-Mao Hsu,Shih-Fang Tzou,Tsuo-Wen Lu,Ger-Pin Lin,Tien-Chen Chan,Shu-Yen Chan,Fu-Che Lee,Kuan-Chun Lin,Shih-Kuei Yen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-26.

Stacked bit line dual word line nonvolatile memory

Номер патента: US20140120665A1. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-01.

Stacked Bit Line Dual Word Line Nonvolatile Memory

Номер патента: US20110241078A1. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Stacked bit line dual word line nonvolatile memory

Номер патента: US20160365349A1. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-15.

Semiconductor device having buried word line and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210242211A1. Автор: Chih-Wei Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-08-05.

Using split word lines and switches for reducing capacitive loading on a memory system

Номер патента: US12002499B2. Автор: Sheng-Chen Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Buried word line structure and method of forming the same

Номер патента: US20140159140A1. Автор: Inho Park,Lars Heineck. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2014-06-12.

Method of forming buried word line structure

Номер патента: US20140213035A1. Автор: Inho Park,Lars Heineck. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2014-07-31.

Semiconductor memory device including a dummy word line

Номер патента: US20180182722A1. Автор: Sung Ho Kim,Young Min Kim,Sung Soo Chi,Duk Su Chun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Combination of TSV and back side wiring in 3D integration

Номер патента: US09543229B2. Автор: Subramanian S. Iyer,Douglas C. La Tulipe, Jr.,John W. Golz,Spyridon Skordas,Kevin R. Winstel,Pooja R. Batra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Combination of TSV and back side wiring in 3D integration

Номер патента: US09536809B2. Автор: Subramanian S. Iyer,Douglas C. La Tulipe, Jr.,John W. Golz,Spyridon Skordas,Kevin R. Winstel,Pooja R. Batra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Power routing for 2.5d or 3d integrated circuits

Номер патента: WO2023038647A1. Автор: Xi-Wei Lin,Victor Moroz. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2023-03-16.

Power routing for 2.5d or 3d integrated circuits

Номер патента: EP4371151A1. Автор: Xi-Wei Lin,Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2024-05-22.

Power routing for 2.5D or 3D integrated circuits including a buried power rail and interposer with power delivery network

Номер патента: US11984384B2. Автор: Xi-Wei Lin,Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

METHODS FOR CONSTRUCTING THREE DIMENSIONAL (3D) INTEGRATED CIRCUITS (ICs) (3DICs) AND RELATED SYSTEMS

Номер патента: US20160225741A1. Автор: Yang Du,Karim Arabi. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-08-04.

METHODS FOR CONSTRUCTING THREE DIMENSIONAL (3D) INTEGRATED CIRCUITS (ICs) (3DICs) AND RELATED SYSTEMS

Номер патента: WO2015179052A1. Автор: Yang Du,Karim Arabi. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-11-26.

Through silicon via design for stacking integrated circuits

Номер патента: US20220302108A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Alexander Kalnitsky,Kong-Beng Thei,Hsiao-Chin Tuan,Fu-Jier Fan,Hsing-Chih LIN,Yi-Sheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Through silicon via design for stacking integrated circuits

Номер патента: US20210343707A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Alexander Kalnitsky,Kong-Beng Thei,Hsiao-Chin Tuan,Fu-Jier Fan,Hsing-Chih LIN,Yi-Sheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Deep trench via for three-dimensional integrated circuit

Номер патента: US12100705B2. Автор: Tahir Ghani,Yih Wang,Mauro J. Kobrinsky,Mark Bohr,Rishabh Mehandru,Marni NABORS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Hybrid bonding technology for stacking integrated circuits

Номер патента: US20240355784A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Ching-Chun Wang,I-Nan Chen,Yung-Lung Lin,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN,Shih-Han Huang,Kuo-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Seal-ring structure for stacking integrated circuits

Номер патента: US09972603B2. Автор: Pao-Tung Chen,Shuang-Ji Tsai,Kuan-Chieh Huang,Yi-Shin Chu,Yi-Hao Chen,Feng-Kuei Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Three-dimensional integrated circuit module and fabrication method therefor

Номер патента: US20240038631A1. Автор: Jun Zhou,Peng Sun,Sheng Hu,Qiong Zhan. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Method for manufacturing monolithic three-dimensional (3d) integrated circuits

Номер патента: US20190393215A1. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz,Ta-Pen Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Method for manufacturing monolithic three-dimensional (3d) integrated circuits

Номер патента: US20180374845A1. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz,Ta-Pen Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-27.

Method for manufacturing monolithic three-dimensional (3d) integrated circuits

Номер патента: US20200098749A1. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz,Ta-Pen Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Seal-ring structure for stacking integrated circuits

Номер патента: US20190109121A1. Автор: Pao-Tung Chen,Shuang-Ji Tsai,Kuan-Chieh Huang,Yi-Shin Chu,Yi-Hao Chen,Feng-Kuei Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-11.

Semiconductor device having word line separation layer

Номер патента: US20210193678A1. Автор: Jinsoo Lim,Daehyun Jang,SangJun HONG,Jisung Cheon,Jiye Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-24.

Semiconductor device having word line separation layer

Номер патента: US12010849B2. Автор: Jinsoo Lim,Daehyun Jang,SangJun HONG,Jisung Cheon,Jiye Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Word line structure and method for forming same and semiconductor structure

Номер патента: US20230134208A1. Автор: Deyuan Xiao,Semyeong Jang,Joonsuk Moon,Jo-Lan CHIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-04.

Three-dimensional (3d) integrated circuit device having a backside power delivery network

Номер патента: US20220020735A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Jonghae Kim,Periannan Chidambaram,Pratyush Kamal. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Latch-up suppression and substrate noise coupling reduction through a substrate back-tie for 3D integrated circuits

Номер патента: US09817928B2. Автор: Victor Moroz,Jamil Kawa. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Latch-up suppression and substrate noise coupling reduction through a substrate back-tie for 3d integrated circuits

Номер патента: US20160034620A1. Автор: Victor Moroz,Jamil Kawa. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2016-02-04.

Integrated circuit with power saving feature

Номер патента: US09806019B2. Автор: Anis M. Jarrar,Jeff L. Warner,David R. Tipple. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Integrated circuit with power saving feature

Номер патента: US20170084535A1. Автор: Anis M. Jarrar,Jeff L. Warner,David R. Tipple. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-03-23.

Vertical memory device with a double word line structure

Номер патента: US12131774B2. Автор: Seung-Hwan Kim,Su-Ock Chung,Seon-Yong Cha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Three dimensional integrated circuit with monolithic inter-tier vias (miv)

Номер патента: US20240055348A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Kam-Tou SIO,Wei-An Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Three dimensional integrated circuit with monolithic inter-tier vias (MIV)

Номер патента: US11769723B2. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Kam-Tou SIO,Wei-An Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Integrated circuit device

Номер патента: US20230413538A1. Автор: Hyeran Lee,Kiseok LEE,Junhyeok Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-21.

Connection propagation for inter-logical block connections in integrated circuits

Номер патента: US09929733B1. Автор: Yang Du,Jing Xie,Kambiz Samadi,Pratyush Kamal. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Power gate placement techniques in three-dimensional (3D) integrated circuits (ICs) (3DICs)

Номер патента: US09754923B1. Автор: Yang Du,Javid Jaffari,Jing Xie,Kambiz Samadi,Pratyush Kamal. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

3D integrated circuit device

Номер патента: US09954080B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Dynamically controlling voltage provided to three-dimensional (3d) integrated circuits (ics) (3dics) to account for process variations measured across interconnected ic tiers of 3dics

Номер патента: WO2018164810A1. Автор: Xia Li,Yang Du,Wei-Chuan Chen,Wah Nam Hsu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-09-13.

Process for word line connections in 3D memory

Номер патента: US09825048B2. Автор: Raul Adrian Cernea. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-11-21.

Through-dielectric-vias (TDVs) for 3D integrated circuits in silicon

Номер патента: US12087629B2. Автор: Cyprian Emeka Uzoh. Владелец: Adeia Semiconductor Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

CAPPED THROUGH-SILICON-VIAs FOR 3D INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20180012824A1. Автор: Paul S. Ho,Tengfei Jiang. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2018-01-11.

Capped through-silicon-vias for 3D integrated circuits

Номер патента: US10170399B2. Автор: Paul S. Ho,Tengfei Jiang. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2019-01-01.

Three-dimensional (3d) integrated circuit (ic) (3dic) package employing a redistribution layer (rdl) interposer facilitating semiconductor die stacking, and related fabrication methods

Номер патента: WO2023196114A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Je-Hsiung Lan,Jonghae Kim,Periannan Chidambaram. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-10-12.

Three-dimensional (3d) integrated circuit (ic) (3dic) package employing a redistribution layer (rdl) interposer facilitating semiconductor die stacking, and related fabrication methods

Номер патента: US20230317677A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Je-Hsiung Lan,Jonghae Kim,Periannan Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Integrated circuit devices and electronic systems including the same

Номер патента: US12075622B2. Автор: Haemin LEE,Hyeonjoo SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

3D flash memory device having different dummy word lines and data storage devices including same

Номер патента: US09812206B2. Автор: Kitae Park,Sang-Wan Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

3D flash memory device having different dummy word lines and data storage devices including same

Номер патента: US09697901B2. Автор: Kitae Park,Sang-Wan Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Electrical coupling of memory cell access devices to a word line

Номер патента: US20140252418A1. Автор: Jing Li,Chung H. Lam,Edward W. Kiewra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Buried low-resistance metal word lines for cross-point variable-resistance material memories

Номер патента: US09666800B2. Автор: Jun Liu,Michael P. Violette. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Split gate non-volatile memory cell having a floating gate, word line, erase gate, and method of manufacturing

Номер патента: US09793279B2. Автор: Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su,Mandana TADAYONI. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

3D flash memory device having different dummy word lines and data storage devices including same

Номер патента: US9984753B2. Автор: Kitae Park,Sang-Wan Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-29.

Buried low-resistance metal word lines for cross-point variable-resistance material memories

Номер патента: US20090072341A1. Автор: Jun Liu,Michael P. Violette. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-03-19.

Sub word-line driver circuit of semiconductor memory device and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US11818881B2. Автор: Sangwook Park,Donggeon Kim,Kyoungmin Kim,Myeongsik Ryu,Inseok Baek,Bokyeon Won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-14.

Method and apparatus for word line driver with decreased gate resistance

Номер патента: US20120037997A1. Автор: Jung-Hsuan Chen,Shao-Yu Chou,Yen-Huei Chen,You-Cheng Xiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-02-16.

Word line drivers for multiple-die memory devices

Номер патента: US20240071468A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Integrated circuits having reduced dimensions between components

Номер патента: US09859210B2. Автор: Stanley Seungchul SONG,Da YANG,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Process of manufacturing a three dimensional integrated circuit from stacked SOI wafers using a temporary silicon substrate

Номер патента: US5426072A. Автор: Ronald M. Finnila. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1995-06-20.

Integrated circuits having reduced dimensions between components

Номер патента: US20160372414A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Da YANG,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-12-22.

Latch-up suppression and substrate noise coupling reduction through a substrate back-tie for 3d integrated circuits

Номер патента: US20140061943A1. Автор: Victor Moroz,Jamil Kawa. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

Word line architecture for three dimensional nand flash memory

Номер патента: US20210134828A1. Автор: Hiroki Yabe,Koichiro Hayashi,Toru Miwa,Naoki Ookuma,Takuya Ariki. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-05-06.

Integrated circuit and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20180166455A1. Автор: Chao-Sheng Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-14.

Integrated circuit and method for manufacturing thereof

Номер патента: US10056397B2. Автор: Chao-Sheng Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-08-21.

Integrated circuit and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20180012899A1. Автор: Chao-Sheng Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-11.

Integrated circuit and method for manufacturing thereof

Номер патента: US9929164B2. Автор: Chao-Sheng Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Control gate strap layout to improve a word line etch process window

Номер патента: US20240088246A1. Автор: Chia-Sheng Lin,Po-Wei Liu,Yong-Shiuan Tsair,Hung-Ling Shih,Wen-Tuo Huang,Yu-Ling Hsu,Ping-Cheng Li,Shih Kuang Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Control gate strap layout to improve a word line etch process window

Номер патента: US11869951B2. Автор: Chia-Sheng Lin,Po-Wei Liu,Yong-Shiuan Tsair,Hung-Ling Shih,Wen-Tuo Huang,Yu-Ling Hsu,Ping-Cheng Li,Shih Kuang Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Integrated circuit read only memory (ROM) structure

Номер патента: US11963348B2. Автор: Yen-Huei Chen,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG,Ze-Sian Lu,Geng-Cing Lin,Jung-Ping Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Memory device having word lines with improved resistance

Номер патента: US20230197570A1. Автор: Jung-Yu Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Memory device having word lines with improved resistance

Номер патента: US11901267B2. Автор: Jung-Yu Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

3d integrated circuit (3dic) structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240258221A1. Автор: Jongkook Kim,Chengtar WU,ChoongBin YIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory controller placement in a three-dimensional (3D) integrated circuit (IC) (3DIC) employing distributed through-silicon-via (TSV) farms

Номер патента: US09626311B2. Автор: Yang Du,Kambiz Samadi,Sung Kyu Lim,Karamvir Singh Chatha. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Memory controller placement in a three-dimensional (3d) integrated circuit (ic) (3dic) employing distributed through-silicon-via (tsv) farms

Номер патента: WO2016118262A1. Автор: Yang Du,Kambiz Samadi,Sung Kyu Lim,Karamvir Singh Chatha. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-07-28.

Integrated circuit and operating method thereof

Номер патента: US20210082495A1. Автор: Yih Wang,Yen-Huei Chen,Chia-En HUANG,Hidehiro Fujiwara,Jui-che Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Integrated circuit including memory cell and method of designing the same

Номер патента: US20220037339A1. Автор: Seunghan Park,Seunghun LEE,Hyejin Lee,Inhak LEE,Sangyeop BAECK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-03.

Integrated circuit device including vertical memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09859207B2. Автор: Kwang-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Integrated circuit device including a word line driving circuit

Номер патента: US20220139443A1. Автор: Minwoo Kwon,Junsoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-05.

Integrated circuit device including a word line driving circuit

Номер патента: US20230014583A1. Автор: Minwoo Kwon,Junsoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-19.

A 3d integrated circuit

Номер патента: EP4351295A1. Автор: Francky Catthoor,Dawit Burusie Abdi. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-04-10.

Integrated circuit device

Номер патента: US12027221B2. Автор: Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050007846A1. Автор: Masatoshi Hasegawa,Yousuke Tanaka,Tomofumi Hokari. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-01-13.

Memory array of three-dimensional nor memory strings with word line select device

Номер патента: US20240347109A1. Автор: Masahiro Yoshihara,Takashi Hirotani. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory array of three-dimensional nor memory strings with word line select device

Номер патента: WO2024215669A1. Автор: Masahiro Yoshihara,Takashi Hirotani. Владелец: SUNRISE MEMORY CORPORATION. Дата публикации: 2024-10-17.

Method for Fabricating Word Lines of NAND Memory and NAND Memory Comprising Word Lines Fabricated by Adopting the Same

Номер патента: US20200402842A1. Автор: Guanqun Huang,Shaokang Yao,Xiaohua Ju. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-12-24.

Determination of word line to word line shorts between adjacent blocks

Номер патента: US09653175B2. Автор: Khanh Nguyen,Jagdish Sabde,Sagar Magia. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-16.

Determination of word line to word line shorts between adjacent blocks

Номер патента: US09514835B2. Автор: Khanh Nguyen,Jagdish Sabde,Sagar Magia. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-06.

Sub word line driver of a semiconductor memory device

Номер патента: US9543306B1. Автор: HAN Kyu Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Integrated circuit including cell array with word line assist cells

Номер патента: US20220139442A1. Автор: Taemin CHOI,Seongook JUNG,Keonhee Cho. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2022-05-05.

Test key for validating the position of a word line overlaying a trench capacitor in DRAMs

Номер патента: US6946678B2. Автор: Yu-Wei Ting,Tie Jiang Wu,Chien-Chang Huang,Bo Ching Jiang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-09-20.

Structures for word line multiplexing in three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20240071423A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui,Richard E. Facekenthal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Fast search for leaky word line

Номер патента: US20240055064A1. Автор: Yan Li,Liang Li,William Mak,Zhen Qin,Xingyan ZHOU. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Test key and method for validating the position of a word line overlaying a trench capacitor in DRAMS

Номер патента: US6825053B2. Автор: Yu-Wei Ting,Tie Jiang Wu,Chien-Chang Huang,Bo Ching Jiang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-11-30.

Test key and method for validating the position of a word line overlaying a trench capacitor in DRAMs

Номер патента: US20050002221A1. Автор: BO Jiang,Yu-Wei Ting,Chien-Chang Huang,Tie Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-01-06.

Fast search for leaky word line

Номер патента: US12094550B2. Автор: Yan Li,Liang Li,William Mak,Zhen Qin,Xingyan ZHOU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-17.

Dummy word line bias ramp rate during programming

Номер патента: US09887002B1. Автор: Zhengyi Zhang,Yingda Dong. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-02-06.

Non-volatile memory with efficient word line hook-up

Номер патента: WO2023163731A1. Автор: Fumiaki TOYAMA,Shiqian SHAO. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-31.

Memory Array Word Line Routing

Номер патента: US20240274160A1. Автор: Yih Wang,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Yi-Ching Liu,Meng-Han LIN,Chenchen Jacob WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Diode structure for word-line protection in a memory circuit

Номер патента: WO2006073838A3. Автор: Sunil Mehta,Yongzhong Hu,Fabiano Fontana,Steven Fong. Владелец: Lattice Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-05-10.

Diode structure for word-line protection in a memory circuit

Номер патента: WO2006073838A2. Автор: Sunil Mehta,Yongzhong Hu,Fabiano Fontana,Steven Fong. Владелец: Lattice Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2006-07-13.

Integrated circuit device

Номер патента: US20210091105A1. Автор: Chanho Kim,Daeseok Byeon,Dongku Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor integrated circuit having two switch transistors formed between two diffusion-layer lines

Номер патента: US6894344B2. Автор: Masataka Kato,Yoshiaki Kamigaki,Kozo Katayama,Shinichi Minami. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-05-17.

Shared global read and write word lines

Номер патента: US09455026B2. Автор: Ping Liu,Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Reducing read disturb in two-tier memory device by modifying duration of channel discharge based on selected word line

Номер патента: US20200202961A1. Автор: Wei Zhao,Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-06-25.

Read operation or word line voltage refresh operation in memory device with reduced peak current

Номер патента: US20220366990A1. Автор: Abhijith Prakash. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-11-17.

Word line connection for memory device and method of making thereof

Номер патента: US09583539B2. Автор: Seje TAKAKI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-28.

Electrical coupling of memory cell access devices to a word line

Номер патента: US20140256100A1. Автор: Jing Li,Chung H. Lam,Edward W. Kiewra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Method for forming word line of semiconductor device

Номер патента: US20040082155A1. Автор: Won Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-29.

Integration of word line switches with word line contact via structures

Номер патента: US09595535B1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Makoto Yoshida,Toru Miwa,Takuya Ariki,Kazutaka Yoshizawa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-14.

Integrated circuit device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220122973A1. Автор: Yu-Ting Lin,Chiang-Lin Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040070026A1. Автор: Masataka Kato,Yoshiaki Kamigaki,Kozo Katayama,Shinichi Minami. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2004-04-15.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6674122B2. Автор: Masataka Kato,Yoshiaki Kamigaki,Kozo Katayama,Shinichi Minami. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2004-01-06.

Flash memory system and word line interleaving method thereof

Номер патента: US09792990B2. Автор: Yongjune Kim,Junjin Kong,Hong Rak Son,Seonghyeog Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Memory circuit having shared word line

Номер патента: US09449667B2. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Hidehiro Fujiwara,Li-Wen Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Electrical coupling of memory cell access devices to a word line

Номер патента: US09343545B2. Автор: Jing Li,Chung H. Lam,Edward W. Kiewra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Integrated circuit device

Номер патента: US20220359027A1. Автор: Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Integrated circuit device including vertical memory device

Номер патента: US20240224533A1. Автор: Dongseog EUN,Gihwan KIM,Changsun Hwang,Hansol Seok,JongHeun Lim,Youngjin Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Word line driver circuit and memory

Номер патента: US12027232B2. Автор: Guifen Yang,Sungsoo CHI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Non-volatile memory with program skip for edge word line

Номер патента: EP4397152A1. Автор: Xiang Yang,Deepanshu Dutta. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-10.

Word line overdrive in memory and method therefor

Номер патента: US09997239B1. Автор: Syed M. Alam,Yaojun Zhang. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

3D nonvolatile memory device having common word line

Номер патента: US09515084B2. Автор: Jin HO KIM,Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Memory integrated circuit

Номер патента: US11895832B2. Автор: Chia-En HUANG,Katherine H. Chiang,Ming-Yen Chuang,Yun-Feng KAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Memory device detecting defect by measuring line resistance of word line

Номер патента: US11835579B2. Автор: Sangwon Hwang,Jiseok Lee,Hwangju Song,Jaeeun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-05.

Fast search for leaky word line

Номер патента: WO2024035480A1. Автор: Yan Li,Liang Li,William Mak,Zhen Qin,Xingyan ZHOU. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor memory in which access to broken word line is inhibited

Номер патента: US6111799A. Автор: Shouzou Uchida. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-08-29.

Phase change memory device having an improved word line resistance, and methods of making same

Номер патента: US8415197B2. Автор: Jang Uk Lee,Mi Ra CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-04-09.

Phase change memory device having an improved word line resistance, and methods of making same

Номер патента: US8283651B2. Автор: Jang Uk Lee,Mi Ra CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2012-10-09.

Memory integrated circuit

Номер патента: US20230041409A1. Автор: Chia-En HUANG,Katherine H. Chiang,Ming-Yen Chuang,Yun-Feng KAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Sub-word-line drivers and semiconductor memory devices including the same

Номер патента: US11735248B2. Автор: Sangwook Park,Donggeon Kim,Bok-yeon Won,Kyoungmin Kim,Seokjae Lee,Myeongsik Ryu,Inseok Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-22.

Word line with air-gap for non-volatile memories

Номер патента: US20200006433A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Brian Doyle,Ravi Pillarisetty,Elijah V. KARPOV,Prashant Majhi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

On-chip word line voltage generation for dram embedded in logic process

Номер патента: EP1105875A1. Автор: Wingyu Leung,Fu-Chieh Hsu. Владелец: Monolithic System Technology Inc. Дата публикации: 2001-06-13.

Phase change memory device having an improved word line resistance, and methods of making same

Номер патента: US20120329222A1. Автор: Jang Uk Lee,Mi Ra CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2012-12-27.

Sub-word-line drivers and semiconductor memory devices including the same

Номер патента: US20220406360A1. Автор: Sangwook Park,Donggeon Kim,Bok-yeon Won,Kyoungmin Kim,Seokjae Lee,Myeongsik Ryu,Inseok Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-22.

Non-volatile memory with efficient word line hook-up

Номер патента: US11894056B2. Автор: Fumiaki TOYAMA,Shiqian SHAO. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-06.

Pillar and word line plate architecture for a memory array

Номер патента: US20240057348A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini,Thomas M. Graettinger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Non-volatile memory with different word line hook up regions based on pass through signals

Номер патента: US11817150B2. Автор: Fumiaki TOYAMA,Shiqian SHAO. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor memory device having transistors between bonding pads and word lines

Номер патента: US11929352B2. Автор: Hiroshi Maejima,Takashi Maeda,Masumi SAITOH,Tetsuaki Utsumi,Toshifumi Hashimoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-12.

Memory array word line routing

Номер патента: US12002534B2. Автор: Yih Wang,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Yi-Ching Liu,Meng-Han LIN,Chenchen Jacob WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Method and memory used for reducing program disturbance by adjusting voltage of dummy word line

Номер патента: US20210193237A1. Автор: SHAN Li,LEI Jin,An ZHANG,Jianquan Jia,Kaikai You,Ying Cui,Kaiwei LI,Yali SONG,Jinlong Zhang,XiangNan Zhao,Xueqing Huang,Meng Lou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Reducing neighbor word line interference in a two-tier memory device by modifying word line programming order

Номер патента: US20200202962A1. Автор: Zhengyi Zhang,Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-06-25.

Word line strap layout structure

Номер патента: US20040238863A1. Автор: Ken-Hui Chen,Chen-Chin Liu,Lan-Ting Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-02.

Semiconductor device including word line cut

Номер патента: US20200203366A1. Автор: JUNG Tae Sung,Young Woo Kim,Jung Hwan Lee,Joon Young Kwon,Ji Min Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

Non-volatile memory with dummy word line assisted pre-charge

Номер патента: US20240145006A1. Автор: Yanli Zhang,Peng Zhang,Dengtao Zhao,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-02.

Memory device, integrated circuit device and method

Номер патента: US20210399050A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN,Chenchen Jacob WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Word line driver, word line driver array, and semiconductor structure

Номер патента: US20230143797A1. Автор: Sungsoo CHI,Fengqin Zhang,Shuyan JIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-11.

Word line drivers for multiple-die memory devices

Номер патента: US20240274184A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Neighboring word line program disturb countermeasure for charge-trapping memory

Номер патента: US09552251B2. Автор: Jian Chen,Yingda Dong,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-01-24.

Reducing program disturb by modifying word line voltages at interface in two-tier stack after program-verify

Номер патента: US20190147962A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-05-16.

Three-dimensional memory device containing word line contacts which extend through drain-select-level isolation structures and methods of making the same

Номер патента: WO2023224796A1. Автор: Koichi Ito,Takuya Mori,Michiaki Sano. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-23.

Nonvolatile semiconductor memory having a word line bent towards a select gate line side

Номер патента: US20150162340A1. Автор: Takeshi Murata,Itaru Kawabata,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-06-11.

Nonvolatile semiconductor memory having a word line bent towards a select gate line side

Номер патента: US20160064393A1. Автор: Takeshi Murata,Takeshi Kamigaichi,ltaru KAWABATA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

Three-dimensional memory device containing word line contacts which extend through drain-select-level isolation structures and methods of making the same

Номер патента: US20230380151A1. Автор: Koichi Ito,Michiaki Sano,Takyua MORI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-23.

Word line and power conductor within a metal layer of a memory cell

Номер патента: US20130182484A1. Автор: Gus Yeung,Yew Keong Chong. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2013-07-18.

Method for making a high density ROM or EPROM integrated circuit

Номер патента: US5318921A. Автор: Chen-Chiu Hsue,Ming-Tzong Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1994-06-07.

Staggered word line architecture for reduced disturb in 3-dimensional NOR memory arrays

Номер патента: US10741582B2. Автор: Scott Brad Herner,Eli Harari. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2020-08-11.

Staggered word line architecture for reduced disturb in 3-dimensional NOR memory arrays

Номер патента: US11515328B2. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2022-11-29.

Non-volatile memory with program skip for edge word line

Номер патента: WO2023033883A1. Автор: Xiang Yang,Deepanshu Dutta. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-03-09.

Word line overdrive in memory and method therefor

Номер патента: US20180322918A1. Автор: Syed M. Alam,Yaojun Zhang. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2018-11-08.

Semiconductor device having word line structure

Номер патента: US20230299161A1. Автор: Wei-Tong Chen,Cheng-Yan Ji. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Staggered Word Line Architecture for Reduced Disturb in 3-Dimensional NOR Memory Arrays

Номер патента: US20200335519A1. Автор: Scott Brad Herner,Eli Harari. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

Staggered word line architecture for reduced disturb in 3-dimensional nor memory arrays

Номер патента: US11968837B2. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Staggered Word Line Architecture for Reduced Disturb in 3-Dimensional NOR Memory Arrays

Номер патента: US20210225873A1. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2021-07-22.

Buried word line and connection pad for memory device

Номер патента: US8698233B2. Автор: Hyoung Soon Yune,Joo Hong Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-04-15.

Boosting circuit improved to operate in a wider range of power supply voltage, and a semiconductor memory and a semiconductor integrated circuit device using the same

Номер патента: US5404329A. Автор: Yoshikazu Morooka,Tadato Yamagata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-04-04.

Integrated circuit device including vertical memory device

Номер патента: US20210375905A1. Автор: Dongseog EUN,Gihwan KIM,Changsun Hwang,Hansol Seok,JongHeun Lim,Youngjin Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-02.

Integrated circuit device including vertical memory device

Номер патента: US11963361B2. Автор: Dongseog EUN,Gihwan KIM,Changsun Hwang,Hansol Seok,JongHeun Lim,Youngjin Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-16.

Word line with multi-layer cap structure

Номер патента: US09401275B2. Автор: Hirotada Tobita,Keita Akasaki. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-07-26.

Word line drivers for multiple-die memory devices

Номер патента: US11984150B2. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Compact memory cell with a shared conductive word line and methods of making such a memory cell

Номер патента: US20220037348A1. Автор: Eng Huat Toh,Yongshun SUN,Shyue Seng Tan,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-02-03.

Memory cell with asymmetric word line and erase gate for decoupled program erase performance

Номер патента: WO2019135905A1. Автор: James Walls,Mel HYMAS,Sonu Daryanani. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2019-07-11.

Word line drivers for multiple-die memory devices

Номер патента: US20240071466A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Three-dimensional memory device having bent backside word lines

Номер патента: EP3891812A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-13.

Method for producing interconnections for 3D integrated circuit

Номер патента: US09793162B2. Автор: Philippe Coronel,Claire Fenouillet-Beranger. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-10-17.

Manufacturing of self aligned interconnection elements for 3D integrated circuits

Номер патента: US09761583B2. Автор: Claire Fenouillet-Beranger,Bernard Previtali,Olivier Rozeau. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-09-12.

Reconfigurable power distribution system for three-dimensional integrated circuits

Номер патента: US09665115B2. Автор: Saravanan Sethuraman,Kenneth L. Wright,Vijay A. Mathiyalagan,Siva Rama K. Pullelli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

3d integration structure and method using bonded metal planes

Номер патента: US20100289144A1. Автор: Mukta G. Farooq,Subramanian S. Lyer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-11-18.

Integrated circuit with guard ring

Номер патента: US11817385B2. Автор: HO-HSIANG Chen,Tzu-Jin Yeh,Ying-Ta Lu,Chi-Hsien Lin,Hsien-Yuan LIAO,Chiao-Han LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Three-dimensional (3d) integrated circuits (3dics) with graphene shield and related fabrication method

Номер патента: WO2014126800A1. Автор: Yang Du. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-08-21.

Power distribution networks for a three-dimensional (3d) integrated circuit (ic) (3dic)

Номер патента: US20190027435A1. Автор: Yang Du,Jing Xie,Kambiz Samadi,Pratyush Kamal. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-01-24.

Damascene process for aligning and bonding through-silicon-via based 3d integrated circuit stacks

Номер патента: US20130069232A1. Автор: Huang Liu,Hong Yu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2013-03-21.

Three-dimensional (3d) integrated circuits (3dics) with graphene shield and related fabrication method

Номер патента: EP2956961A1. Автор: Yang Du. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-12-23.

Thermoelectric spot coolers for rf and microwave communication integrated circuits

Номер патента: WO2002049105A3. Автор: Uttam Shyamalindu Ghoshal. Владелец: Ibm Uk. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030011004A1. Автор: Kenji Kamei,Shinsuke Anzai,Yasumichi Mori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-16.

SRAM Structures with Improved Write Word Line Placement

Номер патента: US20240314997A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

SRAM structures with improved write word line placement

Номер патента: US11997844B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor memory devices including asymmetric word line pads

Номер патента: US09911750B2. Автор: Jaegoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Manufacturing method for buried word line structure, and semiconductor memory comprising buried word line structure

Номер патента: EP3958299A1. Автор: Jian Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-02-23.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20060050588A1. Автор: Shuji Ikeda,Koichiro Ishibashi,Masataka Minami,Kenichi Osada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-09.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09985038B2. Автор: Shuji Ikeda,Koichiro Ishibashi,Masataka Minami,Kenichi Osada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09646678B2. Автор: Shuji Ikeda,Koichiro Ishibashi,Masataka Minami,Kenichi Osada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09449678B2. Автор: Shuji Ikeda,Koichiro Ishibashi,Masataka Minami,Kenichi Osada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor memory device having word lines surrounded by memory layers and method of making the semiconductor memory device

Номер патента: US20230317616A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device having a stacked nanowire structure disposed over a buried word line and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210125995A1. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Method of manufacturing buried word line structure and semiconductor memory thereof

Номер патента: US11889678B2. Автор: Jian Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Method for manufacturing memory device having word line with dual conductive materials

Номер патента: US20230301072A1. Автор: Jhen-Yu Tsai,Yu-Ping Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20170179136A1. Автор: Shuji Ikeda,Koichiro Ishibashi,Masataka Minami,Kenichi Osada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20160329091A1. Автор: Shuji Ikeda,Koichiro Ishibashi,Masataka Minami,Kenichi Osada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-10.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20180261607A1. Автор: Shuji Ikeda,Koichiro Ishibashi,Masataka Minami,Kenichi Osada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-09-13.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050146961A1. Автор: Shuji Ikeda,Koichiro Ishibashi,Masataka Minami,Kenichi Osada. Владелец: Kenichi Osada. Дата публикации: 2005-07-07.

Integrated circuit devices and data storage systems including the same

Номер патента: US20240008274A1. Автор: Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Dohyung Kim,Sukkang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-04.

Non-volatile memory comprising bit line air gaps and word line air gaps and corresponding manufacturing method

Номер патента: EP2583302A1. Автор: Hiroyuki Kinoshita,Tuan Pham,Eli Harari,Vinod Robert Purayath,George Matamis. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2013-04-24.

Using isolated p-well transistor arrangements to avoid leakage caused by word line/bit line shorts

Номер патента: WO2004042736A3. Автор: Manfred Menke,Hartmud Terletzki. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-07-08.

Using isolated p-well transistor arrangements to avoid leakage caused by word line/bit line shorts

Номер патента: WO2004042736A2. Автор: Manfred Menke,Hartmud Terletzki. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-05-21.

MONOLITHIC THREE DIMENSIONAL (3D) INTEGRATED CIRCUITS (ICs) (3DICs) WITH VERTICAL MEMORY COMPONENTS, RELATED SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20150109843A1. Автор: Yang Du,Kambiz Samadi,Pratyush Kamal. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-04-23.

Power distribution networks for a three-dimensional (3d) integrated circuit (ic) (3dic)

Номер патента: WO2018182847A1. Автор: Yang Du,Jing Xie,Kambiz Samadi,Pratyush Kamal. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-10-04.

Monolithic three dimensional (3d) integrated circuits (ics) (3dics) with vertical memory components

Номер патента: EP3060967A1. Автор: Yang Du,Kambiz Samadi,Pratyush Kamal. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-08-31.

Integrated circuit including ESD protection modules

Номер патента: US11798934B2. Автор: Hongquan Sun,Wangsheng Xie. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Integrated circuit including esd protection modules

Номер патента: US20210272948A1. Автор: Hongquan Sun,Wangsheng Xie. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

Method for connecting integrated-circuit chip to antenna in radio-frequency device for identifying contactless intelligent card

Номер патента: RU2298254C2. Автор: Кристоф АЛОП,Фабьен ЗЮПАНЕК. Владелец: А.С.К. С.А.. Дата публикации: 2007-04-27.

Optical bus in 3d integrated circuit stack

Номер патента: WO2012003530A9. Автор: Aron Michael,Chee Yee Kwok,Yiwei Xu. Владелец: NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LIMITED. Дата публикации: 2012-03-08.

Optical bus in 3D integrated circuit stack

Номер патента: US09401346B2. Автор: Aron Michael,Chee Yee Kwok,Yiwei Xu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-07-26.

Through-silicon via (TSV) crack sensors for detecting TSV cracks in three-dimensional (3D) integrated circuits (ICs) (3DICs), and related methods and systems

Номер патента: US09869713B2. Автор: Yang Du,Sung Kyu Lim,Ratibor Radojcic. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Complete system-on-chip (SOC) using monolithic three dimensional (3D) integrated circuit (IC) (3DIC) technology

Номер патента: US09583473B2. Автор: Yang Du. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

THROUGH-SILICON VIA (TSV) CRACK SENSORS FOR DETECTING TSV CRACKS IN THREE-DIMENSIONAL (3D) INTEGRATED CIRCUITS (ICs) (3DICs), AND RELATED METHODS AND SYSTEMS

Номер патента: WO2016140767A1. Автор: Yang Du,Ratibor Radojcic,Sung; Kyu LIM. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-09-09.

Complete system-on-chip (soc) using monolithic three dimensional (3d) integrated circuit (ic) (3dic) technology

Номер патента: WO2015009614A1. Автор: Yang Du. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-01-22.

Monitoring physical operating parameters of an integrated circuit

Номер патента: US7928882B2. Автор: Marcel Pelgrom,Violeta Petrescu,Hendricus J M Veendrick. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-04-19.

Integrated circuit devices having buried word lines therein

Номер патента: US11889681B2. Автор: Yoosang Hwang,Taehoon Kim,Taejin Park,Sunghee Han,Kyujin KIM,Chulkwon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Integrated circuit devices having buried word lines therein and methods of forming the same

Номер патента: US20240114676A1. Автор: Yoosang Hwang,Taehoon Kim,Taejin Park,Sunghee Han,Kyujin KIM,Chulkwon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-04.

Memory device, integrated circuit device and method

Номер патента: US20210383048A1. Автор: Chia-En HUANG,Chien-Ying Chen,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Method for forming buried word line in semiconductor device

Номер патента: US20110027988A1. Автор: Sun-Hwan Hwang,Se-Aug Jang,Kee-Joon Oh,Soon-Young Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-02-03.

Enhanced ESD protection of integrated circuit in 3DIC package

Номер патента: US09412708B2. Автор: Shyh-An Chi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Intellectual property block design with folded blocks and duplicated pins for 3D integrated circuits

Номер патента: US09483598B2. Автор: Yang Du,Kambiz Samadi,Sung Kyu Lim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Method of preventing storage node to storage node shorts in fabrication of memory integrated circuitry having stacked capacitors and stacked capacitor memory integrated circuits

Номер патента: US5194753A. Автор: Tyler A. Lowrey,Howard E. Rhodes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1993-03-16.

Three-dimensional integrated circuit and tsv repairing method thereof

Номер патента: US20160071785A1. Автор: Joon-Sung Yang,Hyunseung HAN. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2016-03-10.

Three-dimensional integrated circuit and TSV repairing method thereof

Номер патента: US9704782B2. Автор: Joon-Sung Yang,Hyunseung HAN. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2017-07-11.

Process variation power control in three-dimensional (3D) integrated circuits (ICs) (3DICs)

Номер патента: US09712168B1. Автор: YU PU,Yang Du,Giby Samson. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Intellectual property block design with folded blocks and duplicated pins for 3d integrated circuits

Номер патента: EP3256969A1. Автор: Yang Du,Kambiz Samadi,Sung Kyu Lim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-12-20.

Intellectual property block design with folded blocks and duplicated pins for 3d integrated circuits

Номер патента: WO2016130289A1. Автор: Yang Du,Kambiz Samadi,Sung Kyu Lim. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-08-18.

Multi-processor core three-dimensional (3D) integrated circuits (ICs) (3DICs), and related methods

Номер патента: US10176147B2. Автор: Yang Du,Kambiz Samadi,Amin Ansari. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-01-08.

Integrated circuit structure, display module, and inspection method thereof

Номер патента: US20180188572A1. Автор: Neng-Yi Lin,Chien-Chih Liu. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2018-07-05.

Three-dimensional semiconductor device including a word line structure having a protruding portion

Номер патента: US20220231140A1. Автор: Nam Kyeong Kim,Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-07-21.

Three-dimensional memory device with angled word lines and method of making thereof

Номер патента: US09905573B1. Автор: Akira Takahashi,Shogo Mada,Motoki Umeyama. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-02-27.

3d integrated circuit (3dic) structures and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240258222A1. Автор: Jongkook Kim,Chengtar WU,ChoongBin YIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

3d integrated circuit (3dic) structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240379635A1. Автор: Jongkook Kim,Chengtar WU,ChoongBin YIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-14.

Methods of forming nitride read only memory and word lines thereof

Номер патента: US20090061609A1. Автор: Chi-Pin Lu,Ling-Wu Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-05.

Poly-silicon based word line for 3d memory

Номер патента: WO2022245639A1. Автор: Tomohiko Kitajima,Gill Yong Lee,Chang Seok Kang. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-11-24.

Amorphous silicon layer in memory device which reduces neighboring word line interference

Номер патента: US09859298B1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-02.

Group iii-n based semiconductor three-dimensional integrated circuit

Номер патента: US20240120333A1. Автор: Yen-Wei Liu,Tian-Li Wu. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-04-11.

Double patterning method of manufacturing select gates and word lines

Номер патента: US20240081056A1. Автор: Zih-Song Wang,Yi-Yeh Chuang,Li-Ta Chen,Shun-Yu Gao. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Method and system for forming straight word lines in a flash memory array

Номер патента: US7488657B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Kazuhiro Mizutani,Zhigang Wang,Kuo-Tung Chang,Shenqing Fang,Pavel Fastenko. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-02-10.

Buried word line of a dynamic random access memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20190267385A1. Автор: Feng-Yi Chang,Chun-Hsien Lin,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Buried word line of a dynamic random access memory and method for fabricating the same

Номер патента: US10332887B2. Автор: Feng-Yi Chang,Chun-Hsien Lin,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-25.

Split word line fabrication process

Номер патента: US20120052668A1. Автор: Chih-Hao Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-01.

Buried word line of a dynamic random access memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20190157274A1. Автор: Feng-Yi Chang,Chun-Hsien Lin,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Amorphous silicon layer in memory device which reduces neighboring word line interference

Номер патента: WO2017222605A1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-12-28.

Method of manufacturing integrated circuit device

Номер патента: US20240071771A1. Автор: Youngwoo KIM,Jiho Park,Geumjung Seong,Yonghan PARK,Seunguk Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Buried word line of a dynamic random access memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20210043632A1. Автор: Feng-Yi Chang,Chun-Hsien Lin,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Low resistivity dram buried word line stack

Номер патента: US20230141748A1. Автор: Yong Yang,Srinivas Gandikota,Joung Joo Lee,Seshadri Ganguli,Annamalai Lakshmanan,Jacqueline S. Wrench,Yixiong Yang,Feihu Wang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-05-11.

Low resistivity DRAM buried word line stack

Номер патента: US12022650B2. Автор: Yong Yang,Srinivas Gandikota,Joung Joo Lee,Seshadri Ganguli,Annamalai Lakshmanan,Jacqueline S. Wrench,Yixiong Yang,Feihu Wang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Thermal management of three-dimensional integrated circuits

Номер патента: US20240213221A1. Автор: Kambiz Vafai,Andisheh Tavakoli,Mohammad Reza Salimpour. Владелец: Kambix Innovations LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimension (3d) integrated circuit (ic) package

Номер патента: US20150171031A1. Автор: Ming-Dou Ker,Che-Hao Chuang. Владелец: Amazing Microelectronic Corp. Дата публикации: 2015-06-18.

Thermal management of three-dimensional integrated circuits

Номер патента: US11942453B2. Автор: Kambiz Vafai,Andisheh Tavakoli,Mohammad Reza Salimpour. Владелец: Kambix Innovations LLC. Дата публикации: 2024-03-26.

Thermal management of three-dimensional integrated circuits

Номер патента: US20230048534A1. Автор: Kambiz Vafai,Andisheh Tavakoli,Mohammad Reza Salimpour. Владелец: Kambix Innovations LLC. Дата публикации: 2023-02-16.

Monolithic 3d integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230335550A1. Автор: Junseok HEO. Владелец: Ajo University Insdustry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2023-10-19.

Thermal management of three-dimensional integrated circuits

Номер патента: US20230395570A1. Автор: Kambiz Vafai,Andisheh Tavakoli,Mohammad Reza Salimpour. Владелец: Kambix Innovations LLC. Дата публикации: 2023-12-07.

Integrated circuit device, packaging, and method for forming thereof

Номер патента: WO2024060058A1. Автор: Shu Zhang,Xiaojuan WANG,Shifang Liu. Владелец: Yangtze Advanced Memory Industrial Innovation Center Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-03-28.

Differential pair geometry for integrated circuit chip packages

Номер патента: US6054758A. Автор: Michael A. Lamson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2000-04-25.

Microwave hybrid integrated circuit

Номер патента: RU2750860C1. Автор: Виктор Анатольевич Иовдальский,Сергей Александрович Самохин,Иван Валентинович Горюнов,Евгений Валентинович Терешкин. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина"). Дата публикации: 2021-07-05.

Method and device for permanent connection of integrated circuit to substrate

Номер патента: RU2381592C2. Автор: Уве АУГСТ. Владелец: Муэлбауэр Аг. Дата публикации: 2010-02-10.

Integrated circuit package having stacked integrated circuits and method therefor

Номер патента: WO2005001935A2. Автор: Soochok Kee. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2005-01-06.

Structure for inspecting defects in word line array fabricated by SADP process and method thereof

Номер патента: US8748814B1. Автор: HONG Xiao,Jack Jau. Владелец: Hermes Microvision Inc. Дата публикации: 2014-06-10.

Transmission Line Coupler for Testing of Integrated Circuits

Номер патента: US20170199226A1. Автор: Seunghwan Yoon,Jesus Castaneda,Michael BOERS,Timothy Scranton. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2017-07-13.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240196603A1. Автор: Sungyeon KIM,Munjun KIM,Hyukwoo KWON,Younseok CHOI,Kwanghee CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Integrated circuit device and electronic system comprising the same

Номер патента: US20240023336A1. Автор: Kangmin KIM,Seungje OH,Joohang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Integrated circuit device and electronic system comprising the same

Номер патента: EP4307858A9. Автор: Kangmin KIM,Seungje OH,Joohang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-13.

Semiconductor integrated circuit device having reduced unit cell area

Номер патента: US09461162B2. Автор: Myoung Jin LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Integrated circuit structures with spin torque transfer magnetic random access memory having increased memory cell density and methods for fabricating the same

Номер патента: US20160133669A1. Автор: Eng Huat Toh,Elgin Kiok Boone Quek,Xuan Anh TRAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-05-12.

Integrated circuit structures with spin torque transfer magnetic random access memory having increased memory cell density and methods for fabricating the same

Номер патента: US09484530B2. Автор: Eng Huat Toh,Elgin Kiok Boone Quek,Xuan Anh TRAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor integrated circuit device and process for manufacturing the same

Номер патента: US20030183941A1. Автор: Satoru Yamada,Takafumi Tokunaga,Toshihiro Sekiguchi,Hiroyuki Enomoto,Kiyonori Oyu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-02.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240196602A1. Автор: Wonhee Choi,Sunguk JANG,Daejin NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same, and cell size calculation method for DRAM memory cells

Номер патента: US20020195669A1. Автор: Kazutami Arimoto,Toshinori Morihara,Hiroki Shimano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Integrated circuit devices and methods of forming the same

Номер патента: EP4391074A1. Автор: Jinseong Lee,Hyunjung Lee,Junsoo Kim,Dongsik Kong,Junbum Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-26.

Integrated circuit devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240206159A1. Автор: Jinseong Lee,Hyunjung Lee,Junsoo Kim,Dongsik Kong,Junbum Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Integrated circuit memory devices having dummy memory cells therein for inhibiting memory failures

Номер патента: US5867434A. Автор: Sang-Seok Kang,Jin-Seok Lee,Chang-hag Oh,Jeon-hyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-02-02.

Integrated circuit device and electronic system comprising the same

Номер патента: EP4307858A1. Автор: Kangmin KIM,Seungje OH,Joohang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-17.

Integrated circuit memory and preparation method therefor, and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: EP4068345A1. Автор: Qu LUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-05.

Resistive RAM including air gaps between word lines and between vertical bit lines

Номер патента: US09911790B1. Автор: Michiaki Sano,Seiji Shimabukuro,Kan Fujiwara. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-06.

Integrated circuit memory and manufacturing method thereof, and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US11862723B2. Автор: Qu LUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Apparatuses including passing word lines comprising a band offset material, and related methods and systems

Номер патента: US20220246727A1. Автор: Deepak Chandra Pandey,Venkata Naveen Kumar Neelapala. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-04.

Nonvolatile semiconductor memory device having word line hookup region with dummy word lines

Номер патента: US09620519B2. Автор: Hirofumi Inoue,Yasuyuki Baba,Kazuichi Komenaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Vertical bit line non-volatile memory with recessed word lines

Номер патента: US09450023B1. Автор: Michael Konevecki,Vance Dunton,Steve Radigan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-20.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20240032286A1. Автор: Jongmin Kim,Kiseok LEE,Chansic Yoon,Junhyeok Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Integrated circuit device

Номер патента: EP4344375A2. Автор: Bongsoo Kim,Bongjin Kuh,Dongsoo Woo,Yoonjae Kim,Joonsoo PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-27.

Integrated circuit device

Номер патента: EP4344375A3. Автор: Bongsoo Kim,Bongjin Kuh,Dongsoo Woo,Yoonjae Kim,Joonsoo PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-01.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240105790A1. Автор: Bongsoo Kim,Bongjin Kuh,Dongsoo Woo,Yoonjae Kim,Joonsoo PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor memory device having the structure of word-lines to avoid short circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230096256A1. Автор: Junya Suzuki,Takashi Sasaki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240015955A1. Автор: Jongin KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Ferroelectric memory device containing word lines and pass gates and method of forming the same

Номер патента: US20200411554A1. Автор: Yanli Zhang,Johann Alsmeier. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-12-31.

Method for preparing memory device having protrusion of word line

Номер патента: US20230389282A1. Автор: Jar-Ming Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor integrated circuit device and process for producing the same

Номер патента: US20050014326A1. Автор: Takashi Kobayashi,Hideaki Kurata,Hitoshi Kume,Katsutaka Kimura,Tokuo Kure,Yasushi Goto,Syunichi Saeki. Владелец: Hitachi Device Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-20.

Three-dimensional NOR array including vertical word lines and discrete memory elements and methods of manufacture

Номер патента: US12035535B2. Автор: Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

3d-integrated optical sensor and method of producing a 3d-integrated optical sensor

Номер патента: US20190237500A1. Автор: Mario Manninger,Hubert Enichlmair,Martin Schrems,Thomas Bodner,Gregor Toschkoff. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2019-08-01.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240324188A1. Автор: Kyounghwan Kim,Sangbin AHN,Kangin KIM,Youngseung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Microelectronic devices including passing word line structures, and related electronic systems and methods

Номер патента: US20210391337A1. Автор: Haitao Liu,Deepak Chandra Pandey,Venkata Naveen Kumar Neelapala. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Semiconductor memory device having stacked word lines and conductive pillar

Номер патента: US09634064B2. Автор: Shigeki Kobayashi,Takeshi Yamaguchi,Masaki Yamato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Vertical floating body storage transistors formed in bulk devices and having buried sense and word lines

Номер патента: US09484457B2. Автор: Till Schloesser,Peter Baars. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Method for manufacturing memory device having word line surrounding gate structure

Номер патента: US20240023322A1. Автор: Szu-Yao Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Memory device having word line surrounding gate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240023321A1. Автор: Szu-Yao Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor integrated circuit device having capacitance element and process of manufacturing the same

Номер патента: US5880497A. Автор: Takashi Hashimoto,Shuji Ikeda,Soichiro Hashiba,Toshiaki Yamanaka,Junichi Takano,Keiichi Yoshizumi,Chiemi Hashimoto,Yasuko Yoshida,Koichi Imato,Kazuo Yoshizaki,Fumiyuki Kanai,Kazushi Tomita,Tsuyoshi Tabata,Kousuke Okuyama,Kohji Yamasaki,Mitsugu Oshima,Kazushi Fukuda,Motoko Kawashima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1999-03-09.

Semiconductor integrated circuit device and process for producing the same

Номер патента: MY138321A. Автор: Takashi Kobayashi,Hideaki Kurata,Hitoshi Kume,Katsutaka Kimura,Tokuo Kure,Shunichi Saeki,Yasushi Goto. Владелец: Hitachi Device Eng. Дата публикации: 2009-05-29.

Method of manufacturing semiconductor device with word lines

Номер патента: US20230397389A1. Автор: Ying-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Flip-flop in a monolithic three-dimensional integrated circuit (3dic) and related method

Номер патента: WO2014137736A1. Автор: Yang Du,Jing Xie,Kambiz Samadi. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-09-12.

Three-dimensional (3d) integrated circuit (ic) (3dic) package with a bottom die layer employing an extended interposer substrate, and related fabrication methods

Номер патента: US20230299048A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Yangyang Sun,Lily Zhao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Three-dimensional integrated circuit with inter-layer vias and intra-layer coupled transistors

Номер патента: US9041078B1. Автор: Jam-Wem Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-05-26.

Three-dimensional (3d) integrated circuit with passive elements formed by hybrid bonding

Номер патента: US20210398957A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Jonghae Kim,Ranadeep Dutta. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Three-dimensional Integrated Circuit

Номер патента: US20230223402A1. Автор: chun chen Liu,Oscar Ming Kin Law. Владелец: Kneron Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Fabrication system of semiconductor integrated circuit, fabrication device, fabrication method, integrated circuit and communication system

Номер патента: US20100100219A1. Автор: Takashi Hashimoto,Takahiro Ichinomiya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-04-22.

Integrated circuit for driving semiconductor device and power converter

Номер патента: EP1594164A4. Автор: Yoshimasa Takahashi,Masahiro Iwamura,Mutsuhiro Mori,Masashi Yura,Naoki Sakurai. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2010-08-25.

Method of making a keepered word-line structure for a thin memory package

Номер патента: US3606675A. Автор: David J Crimmins. Владелец: Thomas and Betts Corp. Дата публикации: 1971-09-21.

Integrated circuit

Номер патента: US12132483B2. Автор: Hiroshi Nakamura,Hiroyuki Nakajima,Takanori Kohama,Yuya Abe. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Apparatus and method for combining analog neural net with fpga routing in a monolithic integrated circuit

Номер патента: WO2020153989A1. Автор: John L. Mccollum,Jonathan W. Greene,Gregory William Bakker. Владелец: Microsemi SoC Corp.. Дата публикации: 2020-07-30.

Adaptive word line underdrive control for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (sram)

Номер патента: US20230008275A1. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-01-12.

Apparatus and method for combining analog neural net with fpga routing in a monolithic integrated circuit

Номер патента: US20200242190A1. Автор: John L. Mccollum,Jonathan W. Greene,Gregory William Bakker. Владелец: Microsemi SoC Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Integrated circuit, system and method of forming the same

Номер патента: US20240331764A1. Автор: Wei-Cheng Wu,Wei Min Chan,Chien-Chen Lin,Chien Hui Huang,Yen Lin CHUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit device including a word line driving circuit

Номер патента: US11830539B2. Автор: Minwoo Kwon,Junsoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20040141366A1. Автор: Yoshiaki Asao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-22.

Adaptive word line underdrive control for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (sram)

Номер патента: EP4116975A1. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-01-11.

Memory device, integrated circuit device and method

Номер патента: US12080346B2. Автор: JEN-CHIEH LIU,Meng-Fan Chang,Jui-Jen Wu,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Nonvolatile memory device including memory cell array with upper and lower word line groups

Номер патента: US20120268988A1. Автор: Changkyu Seol,Junjin Kong,Hong Rak Son,Euncheol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-10-25.

Word line driver for dram embedded in a logic process

Номер патента: WO2007002509A3. Автор: Wingyu Leung. Владелец: Monolithic System Tech Inc. Дата публикации: 2007-06-21.

Memory block select using multiple word lines to address a single memory cell row

Номер патента: WO1998014950A1. Автор: John Christian Holst,Dennis Lee Wendell. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1998-04-09.

Word line driver for dram embedded in a logic process

Номер патента: EP1894202A2. Автор: Wingyu Leung. Владелец: Monolithic System Technology Inc. Дата публикации: 2008-03-05.

Semiconductor memory device, integrated circuit chip and method of manufacturing vertical memory structure

Номер патента: EP4163976A1. Автор: Chia-Jung Chiu,Kuan-Yuan SHEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-12.

Word line driver for dram embedded in a logic process

Номер патента: EP1894202A4. Автор: Wingyu Leung. Владелец: Mosys Inc. Дата публикации: 2009-03-25.

Word line driver for dram embedded in a logic process

Номер патента: WO2007002509A2. Автор: Wingyu Leung. Владелец: Monolithic System Technology, Inc.. Дата публикации: 2007-01-04.

Integrated semiconductor memory comprising at least one word line and comprising a multiplicity of memory cells

Номер патента: US20050281118A1. Автор: Herbert Benzinger,Stephan Schroder,Manfred Pröll,Jörg Kliewer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-12-22.

Pre-position dummy word line to facilitate write erase capability of memory apparatus

Номер патента: US12046305B2. Автор: Xiang Yang,Abhijith Prakash. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-23.

Memory device for controlling word line voltage and operating method thereof

Номер патента: EP4187541A1. Автор: Hyunkook Park,Sara Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-31.

Integrated semiconductor memory comprising at least one word line and comprising a multiplicity of memory cells

Номер патента: US7180820B2. Автор: Herbert Benzinger,Stephan Schroder,Manfred Pröll,Jörg Kliewer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-02-20.

Word line dependent channel pre-charge for memory

Номер патента: US09460805B1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-10-04.

Integrated circuit device and method

Номер патента: US20240251540A1. Автор: Yen-Huei Chen,Kao-Cheng LIN,Hidehiro Fujiwara,Wei Min Chan,Yen Lin CHUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Word line dependent channel pre-charge for memory

Номер патента: EP3332407A1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-06-13.

Proactive refresh of edge data word line for semi-circle drain side select gate

Номер патента: US20230102668A1. Автор: Xiang Yang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-03-30.

Structures for word line multiplexing in three-dimensional memory arrays

Номер патента: US12131794B2. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Richard E. Fackenthal,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Memory device, integrated circuit and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240357805A1. Автор: Te-Hsun Hsu. Владелец: Ipcell Corp Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Thyristor memory cell integrated circuit

Номер патента: WO2015013118A3. Автор: Geoff W. Taylor. Владелец: Opel Solar, Inc.. Дата публикации: 2015-11-05.

Thyristor Memory Cell Integrated Circuit

Номер патента: US20150138881A1. Автор: Geoff W. Taylor. Владелец: Opel Solar Inc. Дата публикации: 2015-05-21.

Thyristor memory cell integrated circuit

Номер патента: EP3025349A2. Автор: Geoff W. Taylor. Владелец: Opel Solar Inc. Дата публикации: 2016-06-01.

Thyristor memory cell integrated circuit

Номер патента: WO2015013118A2. Автор: Geoff W. Taylor. Владелец: Opel Solar, Inc.. Дата публикации: 2015-01-29.

Decoding architecture for word line tiles

Номер патента: US20240161801A1. Автор: Fabio Pellizzer,Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Integrated circuit device and methods

Номер патента: US11915787B2. Автор: Yih Wang,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Shih-Lien Linus Lu,Chia-En HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Memory device, integrated circuit device and method

Номер патента: US20230377645A1. Автор: JEN-CHIEH LIU,Meng-Fan Chang,Jui-Jen Wu,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4344377A1. Автор: Inseok Baek,Dongwon Lim,Sangbin AHN,Seokyeong CHOI,Seungyong HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-27.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240107753A1. Автор: Inseok Baek,Dongwon Lim,Sangbin AHN,Seokyeong CHOI,Seungyong HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Memory device, and integrated circuit device

Номер патента: US20240099025A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN,Chenchen Jacob WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Word-line-pickup structure and method for forming the same

Номер патента: WO2024017077A1. Автор: Wenxiang Xu,Fandong LIU,Dongmen SONG,Mingli DU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-01-25.

Nonvolatile memory device including memory cell array with upper and lower word line groups

Номер патента: US20150029789A1. Автор: Changkyu Seol,Junjin Kong,Hong Rak Son,Euncheol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2015-01-29.

Neighbor bit line coupling enhanced gate-induced drain leakage erase for memory apparatus with on-pitch semi-circle drain side select gate technology

Номер патента: US11881266B2. Автор: Xiang Yang,Ohwon KWON,Kou Tei. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-23.

Method and memory used for reducing program disturbance by adjusting voltage of dummy word line

Номер патента: US20230207027A1. Автор: SHAN Li,LEI Jin,An ZHANG,Jianquan Jia,Kaikai You,Ying Cui,Kaiwei LI,Yali SONG,Jinlong Zhang,XiangNan Zhao,Xueqing Huang,Meng Lou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Integrated circuit including cell array with write assist cell

Номер патента: US11636894B2. Автор: Taemin CHOI,Seongook JUNG,Keonhee Cho,Heekyung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-25.

Method and memory used for reducing program disturbance by adjusting voltage of dummy word line

Номер патента: US11848058B2. Автор: SHAN Li,LEI Jin,An ZHANG,Jianquan Jia,Kaikai You,Ying Cui,Kaiwei LI,Yali SONG,Jinlong Zhang,XiangNan Zhao,Xueqing Huang,Meng Lou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Integrated circuit including cell array with write assist cell

Номер патента: US20220148644A1. Автор: Taemin CHOI,Seongook JUNG,Keonhee Cho,Heekyung Choi. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2022-05-12.

Semiconductor integrated circuit including semiconductor memory

Номер патента: US20110176347A1. Автор: Toshiki Hisada,Hiromitsu Mashita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-07-21.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7420834B2. Автор: Noriaki Maeda,Masanori Isoda,Yoshihiro Shinozaki,Masanao Yamaoka,Yasuhisa Shimazaki,Koji Nii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-09-02.

Compensation word line driver

Номер патента: US11869581B2. Автор: Shih-Hao Lin,Chia-Hao Pao,Kian-Long Lim. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Determination of Word Line to Word Line Shorts Between Adjacent Blocks

Номер патента: US20160012904A1. Автор: Khanh Nguyen,Jagdish Sabde,Sagar Magia. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-01-14.

Determination of word line to word line shorts between adjacent blocks

Номер патента: US20170025182A1. Автор: Khanh Nguyen,Jagdish Sabde,Sagar Magia. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-01-26.

Word line drive circuit, word line driver, and storage apparatus

Номер патента: EP4325497A1. Автор: Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-21.

Method and memory used for reducing program disturbance by adjusting voltage of dummy word line

Номер патента: US20240062837A1. Автор: SHAN Li,LEI Jin,An ZHANG,Kaikai You,Ying Cui,Kaiwei LI,Yali SONG,Jinlong Zhang,XiangNan Zhao,Xueqing Huang,Meng Lou,Jianquan Ji. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Compensation Word Line Driver

Номер патента: US20220277789A1. Автор: Shih-Hao Lin,Chia-Hao Pao,Kian-Long Lim. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Word line driver array and memory

Номер патента: US12014801B2. Автор: YANG Zhao,Jaeyong Cha. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Apparatus for controlling activation period of word line of volatile memory device and method thereof

Номер патента: US20070280019A1. Автор: Hee Byun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-06.

Nonvolatile memory with block word line

Номер патента: US09978454B2. Автор: Won-Taeck JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Memory device, integrated circuit device and method

Номер патента: US11864393B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN,Chenchen Jacob WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Reducing read disturb in two-tier memory device by modifying ramp up rate of word line voltages during channel discharge

Номер патента: EP3711055A1. Автор: Wei Zhao,Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-09-23.

Reducing read disturb in two-tier memory device by modifying ramp up rate of word line voltages during channel discharge

Номер патента: WO2020131167A1. Автор: Wei Zhao,Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-06-25.

Proactive refresh of edge data word line for semi-circle drain side select gate

Номер патента: US11894073B2. Автор: Xiang Yang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-06.

Structures for word line multiplexing in three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20240071465A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Richard E. Fackenthal,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Sub word line driver of semiconductor memory device

Номер патента: US20180182448A1. Автор: Young Min Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Periodic reduced word line bias which increases channel boosting

Номер патента: US20220068390A1. Автор: Liang Li,Ming Wang,Yanli Zhang,Peng Zhang. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Decoding architecture for word line tiles

Номер патента: WO2022221821A1. Автор: Fabio Pellizzer,Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-10-20.

Decoding architecture for word line tiles

Номер патента: US11894103B2. Автор: Fabio Pellizzer,Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Reducing read disturb in two-tier memory device by modifying duration of channel discharge based on selected word line

Номер патента: EP3711054A1. Автор: Wei Zhao,Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-09-23.

Reducing read disturb in two-tier memory device by modifying duration of channel discharge based on selected word line

Номер патента: WO2020131168A1. Автор: Wei Zhao,Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-06-25.

Word line drivers for multiple-die memory devices

Номер патента: US12051459B2. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Memory structure with non-straight word line

Номер патента: US20200135241A1. Автор: Wei-Chih Wang,Tseng-Fu Lu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Word line zoned adaptive initial program voltage for non-volatile memory

Номер патента: US11854620B2. Автор: Han-Ping Chen,Henry Chin,Erika Penzo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-26.

Reducing program disturb by modifying word line voltages at interface in two-tier stack after program-verify

Номер патента: WO2019099105A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-05-23.

Nonvolatile semiconductor memory having a word line bent towards a select gate line side

Номер патента: US20140293694A1. Автор: Takeshi Murata,Itaru Kawabata,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-02.

Nonvolatile semiconductor memory having a word line bent towards a select gate line side

Номер патента: US20130294164A1. Автор: Takeshi Murata,Itaru Kawabata,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-07.

Nonvolatile semiconductor memory having a word line bent towards a select gate line side

Номер патента: US20120176839A1. Автор: Takeshi Murata,Itaru Kawabata,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-12.

Nonvolatile semiconductor memory having a word line bent towards a select gate line side

Номер патента: US20100103736A1. Автор: Takeshi Murata,Itaru Kawabata,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-29.

Memory device with fly word line

Номер патента: US20210098053A1. Автор: Yangsyu Lin,Chiting Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Memory device with fly word line

Номер патента: US20190311765A1. Автор: Yangsyu Lin,Chiting Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-10.

Reducing program disturb by modifying word line voltages at interface in two-tier stack after program-verify

Номер патента: EP3669366A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-06-24.

Word line boost circuit and method

Номер патента: US7697349B2. Автор: Yung-Feng Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-13.

Semiconductor devices with a double sided word line structure and methods of manufacture

Номер патента: US11856876B2. Автор: Cheng-Chun Chang,Shao-Ming Yu,Tung-Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Controlling word line voltages to reduce read disturb in a memory device

Номер патента: WO2022093320A1. Автор: Henry Chin,Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-05-05.

Word-line driver and storage apparatus

Номер патента: EP4322166A1. Автор: Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-14.

Word line ramping down scheme to purge residual electrons

Номер патента: WO2018004752A1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Xuehong Yu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-04.

Method and apparatus for reducing coupling between word lines and control gate lines in a flash memory system

Номер патента: EP3807879A1. Автор: Xiaozhou QIAN,Kaiman YUE,Guang Yan LUO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-21.

Method And Apparatus For Reducing Coupling Between Word Lines And Control Gate Lines In A Flash Memory System

Номер патента: US20190385679A1. Автор: Xiaozhou QIAN,Kai Man Yue,Guang Yan LUO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Method and apparatus for reducing coupling between word lines and control gate lines in a flash memory system

Номер патента: WO2019240893A8. Автор: Xiaozhou QIAN,Kaiman YUE,Guang Yan LUO. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2021-01-07.

Method and apparatus for reducing coupling between word lines and control gate lines in a flash memory system

Номер патента: WO2019240893A1. Автор: Kaiman YUE,Guang Yan LUO,Xiaozhou QUIAN. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2019-12-19.

Controlling word line voltages to reduce read disturb in a memory device

Номер патента: EP4055607A1. Автор: Henry Chin,Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-09-14.

Vertical nand device with shared word line steps

Номер патента: WO2015148307A1. Автор: Fumiaki TOYAMA,Yuki Mizutani. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2015-10-01.

Integrated circuit memory with low resistance, segmented power supply lines

Номер патента: US6157561A. Автор: Thomas Boehm,Heinz Hoenigschmid,Georg Braun,Tobias Schlager. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2000-12-05.

Flash devices with shared word lines

Номер патента: US7495294B2. Автор: Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2009-02-24.

Separate drain-side dummy word lines within a block to reduce program disturb

Номер патента: WO2018226280A1. Автор: Zhengyi Zhang,Yingda Dong,Henry Chin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-12-13.

Reducing Disturbs With Delayed Ramp Up Of Dummy Word Line After Pre-charge During Programming

Номер патента: US20190108883A1. Автор: Yingda Dong,Xuehong Yu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-04-11.

Reducing disturbs with delayed ramp up of dummy word line after pre-charge during programming

Номер патента: EP3669365A1. Автор: Yingda Dong,Xuehong Yu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-06-24.

Word line drivers for multiple-die memory devices

Номер патента: US20240071467A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Calculating soft metrics depending on threshold voltages of memory cells in multiple neighbor word lines

Номер патента: US11874736B2. Автор: Nir Tishbi,Yonathan Tate. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Word line drive circuit and dynamic random access memory

Номер патента: US11830553B2. Автор: Cheng-Jer Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Word line driver and memory device

Номер патента: US20230026502A1. Автор: Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Semiconductor integrated circuit, phase locked loop (PLL) circuit, and system

Номер патента: US12040806B2. Автор: Masatomo Eimitsu. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

State visibility and manipulation in integrated circuits

Номер патента: US20170103157A1. Автор: Michael Hutton,Sean Atsatt. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-04-13.

Integrated circuit, system and method of forming the same

Номер патента: US20240276696A1. Автор: Yen-Huei Chen,Kao-Cheng LIN,Wei Min Chan,Yen Lin CHUNG CHUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Apparatus and methods for electronic testing using beamforming integrated circuits as impedance tuners

Номер патента: US20240275500A1. Автор: Islam A. ESHRAH. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-08-15.

Capacitively coupled superconducting integrated circuits powered using alternating current clock signals

Номер патента: EP3909135A1. Автор: Quentin P. Herr,Anna Y. Herr,Joshua A. Strong. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-11-17.

Integrated circuit and semiconductor device

Номер патента: US11789061B2. Автор: Isao Saito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Special-purpose cryptographic integrated circuit, which includes encoded in the circuit conversion function

Номер патента: RU2708358C1. Автор: ДЕ КАСТРО Эдвард Л. РОДРИГЕС,Эдриан Джордж ПОРТ,Сагар В. РЕДДИ. Владелец: БЛОКЧЕЙН АСИКС ЭлЭЛСи. Дата публикации: 2019-12-05.

Special purpose cryptographic integrated circuit comprising conversion function encoded in chain

Номер патента: RU2746014C2. Автор: Эдриан Джордж ПОРТ,Сагар В. РЕДДИ,Эдвард Л. РОДРИГЕС ДЕ КАСТРО. Владелец: БЛОКЧЕЙН АСИКС ЭлЭЛСи. Дата публикации: 2021-04-05.

Integrated circuit including back side conductive lines for clock signals

Номер патента: US20210344346A1. Автор: Kam-Tou SIO,Jiun-Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Method for performing common mode voltage re-biasing in analog front-end circuit of receiver, associated common mode voltage re-biasing circuit, associated receiver and associated integrated circuit

Номер патента: US20230253939A1. Автор: Bing-Hung Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-08-10.

Manufacturing method for wireless communications devices employing potentially different versions of integrated circuits

Номер патента: EP1155583A1. Автор: Ronald D. Boesch. Владелец: Ericsson Inc. Дата публикации: 2001-11-21.

Integrated circuit with logic circuitry and multiple concealing circuits

Номер патента: US20130111224A1. Автор: Kiran Kumar Gunnam,Jay Scott Fuller. Владелец: Certicom Corp. Дата публикации: 2013-05-02.

Image Enhancement using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240267646A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240074163A1. Автор: Jungpyo Hong,Sangwuk PARK,Yangdoo KIM,Minkyu Suh,Geonyeop LEE,Dokeun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor integrated circuit device including a word line with variable widths

Номер патента: US20240215228A1. Автор: Seok Young KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240130112A1. Автор: Bongsoo Kim,Taejin Park,Huijung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Word-line-pickup structure and method for forming the same

Номер патента: US20240032285A1. Автор: Wenxiang Xu,Fandong LIU,Dongmen SONG,Mingli DU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Dram with staggered word line transitions for hybrid-bonded photosensor arrays

Номер патента: US20200154073A1. Автор: Chia-Ming Chen,Jong-sik Na. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Method of manufacturing memory device having word lines with improved resistance

Номер патента: US20240276701A1. Автор: Jung-Yu Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory device with word lines and contact landing

Номер патента: WO2024178724A1. Автор: Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-09-06.

Memory device with word lines and contact landing

Номер патента: US20240298443A1. Автор: Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Non-volatile memory with three dimensional stacked word line switches

Номер патента: US11943922B1. Автор: Fumiaki TOYAMA,Sudarshan Narayanan,Yuji TOTOKI,Guangyuan Li,Qinghua Zhao. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Direct word line contact and methods of manufacture for 3d memory

Номер патента: WO2023224816A1. Автор: Tomohiko Kitajima,Gill Yong Lee,Sung-Kwan Kang,Chang Seok Kang. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-11-23.

Direct word line contact and methods of manufacture for 3d memory

Номер патента: US20230371246A1. Автор: Tomohiko Kitajima,Gill Yong Lee,Sung-Kwan Kang,Chang Seok Kang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Fabrication method for a three-dimensional memory array of thin-film ferroelectric transistors using high-aspect-ratio local word line damascene process

Номер патента: US20240260275A1. Автор: Usha Raghuram,Jie Zhou,Kavita Shah,Eli Harari,Shohei KAMISAKA,Yosuke Nosho,Iting Lin. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory device having word line with improved adhesion between work function member and conductive layer

Номер патента: US11937420B2. Автор: Yueh Hsu,Wei-Tong Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor structure having word lines intersect with active regions

Номер патента: US11980024B2. Автор: Qu LUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020060334A1. Автор: Kenichi Kuroda,Shoji Shukuri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-23.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240130115A1. Автор: Hoju Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Method for manufacturing buried word line transistor, transistor and memory

Номер патента: US12041764B2. Автор: Yuchen Wang,Nan DENG,Gongyi WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Buried word line of a dynamic random access memory and method for fabricating the same

Номер патента: US12075613B2. Автор: Yi-Wei Chen,Tsun-Min Cheng,Chia-Chen Wu,Tzu-Chieh Chen,Pin-Hong Chen,Chih-Chieh Tsai,Kai-Jiun Chang,Yi-An Huang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Method of forming FLASH cell array having reduced word line pitch

Номер патента: US20070087502A1. Автор: Chen Chung-Zen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-19.

Method of manufacturing memory device having word lines with reduced leakage

Номер патента: US11832432B2. Автор: Chuan-Lin HSIAO. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Two square memory cells having highly conductive word lines

Номер патента: CA1321834C. Автор: Donald M. Kenney. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1993-08-31.

Method of manufacturing memory device having word line with improved adhesion between work function member and conductive layer

Номер патента: US11895820B2. Автор: Yueh Hsu,Wei-Tong Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Tunable diplexers in three-dimensional (3d) integrated circuits (ic) (3dic) and related components and methods

Номер патента: US20160204758A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Xiangdong Zhang,Changhan Yun,Chengjie Zuo,Jonghae Kim,Mario Francisco Velez,Puay H. See,Daeik D. KIM,David F. BERDY,Robert P. MIKULKA,Matthew M. Nowak. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-07-14.

Tunable diplexers in three-dimensional (3D) integrated circuits (IC) (3DIC) and related components and methods

Номер патента: US09813043B2. Автор: Je-Hsiung Lan,Xiangdong Zhang,Changhan Yun,Chengjie Zuo,Jonghae Kim,Mario Francisco Velez,Puay H. See,Daeik D. KIM,David F. BERDY,Robert P. MIKULKA,Matthew M. Nowak. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Tunable diplexers in three-dimensional (3D) integrated circuits (IC) (3DIC) and related components and methods

Номер патента: US09634640B2. Автор: Je-Hsiung Lan,Xiangdong Zhang,Changhan Yun,Chengjie Zuo,Jonghae Kim,Mario Francisco Velez,Puay H. See,Daeik D. KIM,David F. BERDY,Robert P. MIKULKA,Matthew M. Nowak. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Integrated circuit device with programmable analog subsystem

Номер патента: US09960773B2. Автор: Dennis R. Seguine,Eashwar Thiagarajan,Mark Hastings,Hans Klein,Jean-Paul Vanitegem,Jaskarn Singh Johal,Harold M. Kutz,Onur Ozbek,Kendall V. Castor-Perry,Amsby D. Richardson, JR.,Anasuya Pai Maroor,Ata Khan,Carl Ferdinand Liepold. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Tunable diplexers in three-dimensional (3d) integrated circuits (ic) (3dic) and related components and methods

Номер патента: US20140327496A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Xiangdong Zhang,Changhan Yun,Chengjie Zuo,Jonghae Kim,Mario Francisco Velez,Puay H. See,Daeik D. KIM,David F. BERDY,Robert P. MIKULKA,Matthew M. Nowak. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-11-06.

Tunable diplexers in three-dimensional (3d) integrated circuits (ic) (3dic) and related components and methods

Номер патента: EP2995002A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Xiangdong Zhang,Changhan Yun,Chengjie Zuo,Jonghae Kim,Mario Francisco Velez,Puay H. See,Daeik D. KIM,David F. BERDY,Robert P. MIKULKA,Matthew M. Nowak. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-03-16.

Tunable diplexers in three-dimensional (3d) integrated circuits (ic) (3dic) and related components and methods

Номер патента: WO2014182556A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Xiangdong Zhang,Changhan Yun,Chengjie Zuo,Jonghae Kim,Mario Francisco Velez,Puay H. See,Daeik D. KIM,David F. BERDY,Robert P. MIKULKA,Matthew M. Nowak. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-11-13.

Semiconductor integrated circuit device and method of detecting delay error in the same

Номер патента: US20040113670A1. Автор: Minari Arai. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2004-06-17.

PLL-VCO based integrated circuit aging monitor

Номер патента: US09432031B2. Автор: Yuejun Zhang,Pengjun WANG,Zhidi JIANG,Xuelong Zhang. Владелец: Ningbo University. Дата публикации: 2016-08-30.

COUPLING-TYPE SINGLE-POLE DOUBLE-THROW SWITCH ADAPTED fOR RADIO FREQUENCY INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20240259019A1. Автор: Yonggang Mao. Владелец: Xian Keruisheng Innovative Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit device of remote control type for driving a D.C. motor

Номер патента: US5218276A. Автор: Hee-Chol Yeom,Tae-Seop Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-06-08.

Integrated circuit device provided with series-connected TC parallel unit ferroelectric memory and method for testing the same

Номер патента: US7218546B2. Автор: Shinichiro Shiratake,Tadashi Miyakawa,Daisaburo Takashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-05-15.

Programming selective word lines during an erase operation in a memory device

Номер патента: US20230289062A1. Автор: Jonathan S. Parry,Kishore Kumar Muchherla,Violante Moschiano,Akira Goda,Ugo Russo,Silvia Beltrami,Niccolo' Righetti,Jeffrey S. McNeil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Programming selective word lines during an erase operation in a memory device

Номер патента: US12131028B2. Автор: Jonathan S. Parry,Kishore Kumar Muchherla,Violante Moschiano,Akira Goda,Ugo Russo,Silvia Beltrami,Niccolo' Righetti,Jeffrey S. McNeil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Sram word-line coupling noise restriction

Номер патента: US20110157963A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Hung-jen Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-06-30.

Apparatus to suppress concurrent read and write word line access of the same memory element in a memory array

Номер патента: US20140177346A1. Автор: Greg M. Hess,Hitesh Gupta,Aravind Kandala. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Second word line combined with y-mux signal in high voltage memory program

Номер патента: US20230377629A1. Автор: Yoshitaka Yamauchi,Hiroki Noguchi,Perng-Fei Yuh,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Word line drivers for memory devices

Номер патента: US20240194256A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui,Brenton P. Van Leeuwen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Word-line voltage regulating circuit and single power supply memory

Номер патента: US20130010536A1. Автор: Yi Xu,Lei Wang,Xiaojin GUAN. Владелец: Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2013-01-10.

Word line coupling for deep program-verify, erase-verify and read

Номер патента: WO2015065828A1. Автор: Jun Wan,Feng Pan,Bo Lei. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2015-05-07.

Method and Apparatus of Performing An Erase Operation On A Memory Integrated Circuit

Номер патента: US20120300553A1. Автор: Kuen-Long Chang,Chun-Hsiung Hung,Kuo Yu Liao,Su-Chueh Lo,Yi-Fan Chang,Ken Hui Chen,Cheng Ming Yih,Chu Ching Wu,Ta Kang Chu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor memory apparatus and semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US09293227B1. Автор: Atsushi Takasugi. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-03-22.

Cache memory device including word line driver circuit and method

Номер патента: US6738278B2. Автор: Jin Sung Kim,Kwang-Il Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-05-18.

Memory subword driver circuits with common transistors at word lines

Номер патента: US11942142B2. Автор: Shinichi Miyatake. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor memory device capable of controlling a floating state of adjacent word lines and an operating method thereof

Номер патента: US12124702B2. Автор: Hyunkook Park,Sara Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Read-current and word line delay path tracking for sense amplifier enable timing

Номер патента: US09576621B2. Автор: Anand Seshadri,Dharin Shah,Wah Kit Loh,Parvinder Rana. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Word line voltage detection circuit for enchanced read operation

Номер патента: US20230079077A1. Автор: Saied Hemati,Binh Ngo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-16.

Integrated circuit with asymmetric arrangements of memory arrays

Номер патента: US20230290395A1. Автор: Ching-Wei Wu,He-Zhou Wan,Xiu-Li Yang,Kuan Cheng. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Word line driver for vector-by-matrix multiplication array

Номер патента: US20240095508A1. Автор: Hieu Van Tran,Thuan Vu,Stanley Hong,Kha Nguyen,Hien Pham,Han Tran,Ahn Ly. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Memory device configured to apply first and second pass voltages to unselected word lines based on an operating voltage

Номер патента: US11875863B2. Автор: Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Serial word line actuation with linked source voltage supply modulation for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (SRAM)

Номер патента: US12087356B2. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-10.

Writing logically offset pages of data to N-level memory cells coupled to a common word line

Номер патента: US09905294B1. Автор: Alex Tang,Stephen Hanna,Timothy L. Canepa. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-02-27.

Integrated circuit memory devices having main and section row decoders for providing improved burst mode operation

Номер патента: US5859802A. Автор: Jin-ho Lee,Hee-Chul Pack. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-01-12.

Methods and devices for regulating the timing of control signals in integrated circuit memory devices

Номер патента: US20070280033A1. Автор: Chi-wook Kim,Tai-Young Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-12-06.

Integrated circuit with asymmetric arrangements of memory arrays

Номер патента: US11769539B2. Автор: Ching-Wei Wu,He-Zhou Wan,Xiu-Li Yang,Kuan Cheng. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Word line booster circuit and method

Номер патента: US12131770B1. Автор: Atul Katoch. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor memory having different read and write word line voltage levels

Номер патента: US4953127A. Автор: Yasuhiko Rai,Yasuhiko Nagahashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1990-08-28.

Integrated circuit including embedded memory device for performing dual-transient word line assist using triple power source and device having the same

Номер патента: US20170194047A1. Автор: Sung Hyun Park,Yong Ho Kim,Tae Joong Song,Woojin Rim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-06.

Word line driver circuit with reduced leakage

Номер патента: EP2179418A1. Автор: Dennis E. Dudeck,Donald Albert Evans,Hai Quang Pham,Wayne E. Werner,Ronald James Wozniak. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2010-04-28.

Semiconductor integrated circuit device capable of securing gate performance and channel length

Номер патента: US20110255324A1. Автор: Myoung Jin LEE. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Apparatus and method for selective sub word line activation for reducing testing time

Номер патента: US9595351B2. Автор: Don Hyun Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Memory and method for charging a word line thereof

Номер патента: US20090116293A1. Автор: Kuen-Long Chang,Chun-Hsiung Hung,Chun-yi Lee,Yung-Feng Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-07.

Word line driver, method for driving the word line driver, and semiconductor memory device having the word line driver

Номер патента: US20090323455A1. Автор: Kang-Seol Lee,Tae-Sik Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-12-31.

Asymmetric vreadk to reduce neighboring word line interference in a memory device

Номер патента: US20240371444A1. Автор: Xiang Yang,Peng Zhang,Dengtao Zhao. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09830977B2. Автор: Makoto Yabuuchi,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Local word line driver

Номер патента: US09570133B2. Автор: Chun-Hsiung Hung,Chung-Kuang Chen,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09455022B2. Автор: Makoto Yabuuchi,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Integrated circuit memory device with read-disturb control

Номер патента: US20140307500A1. Автор: Jason T Su,Jitendra KHARE. Владелец: Applied Micro Circuits Corp. Дата публикации: 2014-10-16.

Integrated circuit memory having a sense amplifier activated based on word line potentials

Номер патента: US6181624B1. Автор: Helmut Schneider,Thoai-Thai Le,J{umlaut over (u)}rgen Lindolf. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-01-30.

Word line compensation for non-volatile memory arrays

Номер патента: WO2017136438A1. Автор: Yingchang Chen,Chang SIAU,Anurag Nigam,Thomas Yan,Jeffrey Koonyee Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-10.

Programming Of Drain Side Word Line To Reduce Program Disturb And Charge Loss

Номер патента: US20160099058A1. Автор: Wei Zhao,Yingda Dong,Ching-Huang Lu,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-04-07.

Programming of drain side word line to reduce program disturb and charge loss

Номер патента: EP3204948A1. Автор: Wei Zhao,Yingda Dong,Ching-Huang Lu,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-16.

Programming of drain side word line to reduce program disturb and charge loss

Номер патента: WO2016057202A1. Автор: Wei Zhao,Yingda Dong,Ching-Huang Lu,Jiahui Yuan. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2016-04-14.

Non-volatile memory with adaptive dummy word line bias

Номер патента: US20240177778A1. Автор: PENG Wang,Jie Liu,Xiaoyu Yang,Feng Gao,Yihang Liu,Xiaochen Zhu,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-30.

Apparatus turning on word line decoder by reference bit line equalization

Номер патента: US20050036360A1. Автор: Chung-Zen Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-17.

Word line driver for semiconductor memories

Номер патента: WO2000026941A9. Автор: Jong-Hoon Oh. Владелец: Hyundai Electronics America. Дата публикации: 2000-09-28.

Reducing Hot Electron Injection Type Of Read Disturb In 3D Non-Volatile Memory For Edge Word Lines

Номер патента: US20160358662A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-08.

Word line defect detection and handling for a data storage device

Номер патента: EP3014626A1. Автор: Dana Lee,Idan Alrod,Eran Sharon,Seungjune Jeon. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-05-04.

Word line defect detection and handling for a data storage device

Номер патента: WO2014209778A1. Автор: Dana Lee,Idan Alrod,Eran Sharon,Seungjune Jeon. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-12-31.

Semiconductor device and operating method for controlling driving direction of word line

Номер патента: US20240265970A1. Автор: Moon Soo Sung,Chang Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory circuit and word line driver

Номер патента: US12112796B2. Автор: Wei-jer Hsieh,Zhi-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Reducing hot electron injection type of read disturb in 3D non-volatile memory for edge word lines

Номер патента: US09905305B2. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-02-27.

Memory having a plurality of memory cells and a plurality of word lines

Номер патента: US09799412B2. Автор: Makoto Kitagawa,Yogesh Luthra. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor memory device having dummy word lines and operating method thereof

Номер патента: US09741408B2. Автор: Yeonghun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Memory circuit and word line driver

Номер патента: US20240371435A1. Автор: Wei-jer Hsieh,Zhi-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Inter-word-line programming in arrays of analog memory cells

Номер патента: US20140160865A1. Автор: Eyal Gurgi,Yoav Kasorla,Yael Shur. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-06-12.

Apparatus and method for selective sub word line activation for reducing testing time

Номер патента: US09595351B2. Автор: Don Hyun Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Word line-dependent and temperature-dependent pass voltage during programming

Номер патента: US09583198B1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Jiahui Yuan,Jingjian Ren. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-28.

Determination of word line to local source line shorts

Номер патента: US09484086B2. Автор: Sagar Magia,Jagdish M. Sabde. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-01.

AC stress mode to screen out word line to word line shorts

Номер патента: US09460809B2. Автор: Jagdish Sabde,Sagar Magia. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-10-04.

Local word line driver

Номер патента: US09449666B2. Автор: Chun-Hsiung Hung,Chung-Kuang Chen,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Resistive memory device with word lines coupled to multiple sink transistors

Номер патента: US9311997B2. Автор: Yongkyu Lee,Sungyeon Lee,Yeongtaek Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-04-12.

Memory program-verify with adaptive sense time based on distance from a word line driver

Номер патента: US20240194278A1. Автор: Xiang Yang,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor memory device and layout structure of sub-word line control signal generator

Номер патента: US20110075505A1. Автор: In-Chul Jeong,Dong-Su Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-03-31.

Non-volatile memory with programmable resistance non-data word line

Номер патента: US20240103742A1. Автор: Ravi Kumar,Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin,Towhidur Razzak. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-28.

Apparatuses and methods for providing word line voltages

Номер патента: US20130215701A1. Автор: Harish N. Venkata. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-08-22.

Method and system for improving word line data retention for memory blocks

Номер патента: US11721402B2. Автор: Vinayak Bhat,Nikhil ARORA,Amiya Banerjee. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-08.

Method and system for improving word line data retention for memory blocks

Номер патента: US11386969B1. Автор: Vinayak Bhat,Nikhil ARORA,Amiya Banerjee. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-12.

Memory circuitry with auxiliary word line to obtain predictable array output when an invalid address is requested

Номер патента: US20020194443A1. Автор: Robert Barry,Steven Eustis,Peter Croce. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-12-19.

Semiconductor integrated circuit capable of testing with small scale circuit configuration

Номер патента: US20040184328A1. Автор: Yoshiaki Yamazaki,Yukihiko Shimazu,Soichi Kobayashi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-09-23.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20060203596A1. Автор: Hitoshi Shiga. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Semiconductor storage device having a divided word line structure

Номер патента: US6084821A. Автор: Tetsushi Hoshita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-07-04.

Memory circuitry with auxiliary word line to obtain predictable array output when an invalid addressis requested

Номер патента: SG128429A1. Автор: Robert Lloyd Barry,Steven Michael Eustis,Peter Francis Croce. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2007-01-30.

Non-volatile memory with early dummy word line ramp down after precharge

Номер патента: US12112812B2. Автор: Xiang Yang,Dengtao Zhao,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Word line auto-booting in a spin-torque magnetic memory having local source lines

Номер патента: US09601175B2. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Word line compensation for memory arrays

Номер патента: US09595323B1. Автор: Yingchang Chen,Chang SIAU,Anurag Nigam,Thomas Yan,Jeffrey Koonyee Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-14.

Word line dependent programming in a memory device

Номер патента: US09548124B1. Автор: Arash Hazeghi,Dana Lee,Gerrit Jan Hemink,Henry Chin,Bo Lei,Zhenming Zhou. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: CA2084713A1. Автор: Masato Yoneda. Владелец: Kawasaki Steel Corp. Дата публикации: 1993-06-19.

Semiconductor memory device which applies multiple voltages to the word line

Номер патента: US9792996B1. Автор: Hiroki Date. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for testing a multiplicity of word lines of a semiconductor memory configuration

Номер патента: US6370069B2. Автор: Helmut Schneider,Joachim Schnabel,Eckhard Brass,Thilo Schaffroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-04-09.

Word line charge integration

Номер патента: WO2024137192A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-06-27.

Control circuit for the adaptation of storage cells in bipolar integrated circuits

Номер патента: US4200918A. Автор: Hans Glock,Gerhard Hartel. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1980-04-29.

Word Line Driver for Low Voltage Operation

Номер патента: US20210249059A1. Автор: Sanjeev Kumar Jain. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

Semi-circle drain side select gate maintenance by selective semi-circle dummy word line program

Номер патента: US20230046677A1. Автор: Xiang Yang,Gerrit Jan Hemink,Deepanshu Dutta,Shubhajit Mukherjee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-02-16.

Semiconductor memory having a redundancy circuit for word lines and method for operating the memory

Номер патента: US20020021604A1. Автор: Jorg Stender. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-02-21.

Semiconductor device for detecting defect in word line driver

Номер патента: US20240290415A1. Автор: Byeong Cheol Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device with hierarchical word line scheme

Номер патента: US09691438B2. Автор: Seol Hee LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Word line driver circuit and resistance variable memory apparatus having the same

Номер патента: US09508411B2. Автор: Yoon Jae Shin,Chang Yong AHN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Three-dimensional flash memory device including dummy word line

Номер патента: US09496038B1. Автор: Sang-Wan Nam,Daeseok Byeon,Donghun Kwak,ChiWeon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

NAND flash word line management using multiple fragment pools

Номер патента: US09455048B2. Автор: Yigal Eli,Yong Peng,Damian Yurzola,Rajeev Nagabhirava,Tal Heller,Krishnamurthy Dhakshinamurthy,Talal Ahwal,Tucker Dean BERCKMANN,Arjun Hary. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor memory device having main word lines and sub-word lines

Номер патента: US09418711B2. Автор: Takeshi Ohgami. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Integrated circuit memory array with fast test mode utilizing multiple word line selection and method therefor

Номер патента: US6768685B1. Автор: Roy E. Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2004-07-27.

Integrated circuit with phase-change memory cells and method for addressing phase-change memory cells

Номер патента: WO2006043230A1. Автор: Martijn H. R. Lankhorst,Hendrik G. A. Huizing. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2006-04-27.

Phase change memory word line driver

Номер патента: US20130336055A1. Автор: Hong Beom Pyeon. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2013-12-19.

Cross-point ferroelectric memory that reduces the effects of bit line to word line shorts

Номер патента: WO2006007578B1. Автор: Richard Hiram Womack. Владелец: Richard Hiram Womack. Дата публикации: 2006-04-06.

Cross-point ferroelectric memory that reduces the effects of bit line to word line shorts

Номер патента: EP1774532A1. Автор: Richard Hiram Womack. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2007-04-18.

Cross-point ferroelectric memory that reduces the effects of bit line to word line shorts

Номер патента: US20060002178A1. Автор: Richard Womack. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2006-01-05.

Cross-point ferroelectric memory that reduces the effects of bit line to word line shorts

Номер патента: WO2006007578A1. Автор: Richard Hiram Womack. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2006-01-19.

Boosting word lines

Номер патента: US20130258744A1. Автор: Sergiy Romanovskyy. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Half-turn word line return for plated-wire memory array

Номер патента: US3742469A. Автор: C Crosby. Владелец: Sperry Rand Corp. Дата публикации: 1973-06-26.

Off-state word line voltage control for fixed plate voltage operation

Номер патента: US11749329B1. Автор: Makoto Kitagawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Word line zone dependent pre-charge voltage

Номер патента: US20230223084A1. Автор: Yu-Chung Lien,Jiahui Yuan,Fanqi WU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-07-13.

Memory word line boost using thin dielectric capacitor

Номер патента: US20120127806A1. Автор: Yue-Der Chih,Hung-Chang Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-05-24.

Apparatuses and methods for tracking word line accesses

Номер патента: US20240347100A1. Автор: YANG LU,Yuan He,Kang-Yong Kim,Dong Pan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Negative word line enabled pre-boosting strategy to improve nand program performance

Номер патента: US20240355401A1. Автор: Xiang Yang,Wei Cao,Peng Zhang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-24.

Full sequence program for edge word line quad-level memory cells

Номер патента: US20240363167A1. Автор: Yanjie Wang,Sisi Yang. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Non-volatile memory with dynamic repurpose of word line

Номер патента: US09910749B2. Автор: Bin Wu,Nian Niles Yang,Jiahui Yuan,Xinde Hu,Grishma Shah,Lanlan Gu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-06.

System for handling erratic word lines for non-volatile memory

Номер патента: US09910730B2. Автор: Chris Avila,Nian Niles Yang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor memory device that applies an initial pass voltage followed by a final pass voltage to non-selected word lines during a write operation

Номер патента: US09767908B2. Автор: SANAD Bushnaq,Masanobu Shirakawa,Hidehiro Shiga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

NAND boosting using dynamic ramping of word line voltages

Номер патента: US09530506B2. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani,Yingda Dong. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-27.

Non-volatile memory with multi-word line select for defect detection operations

Номер патента: US09449694B2. Автор: Khanh Nguyen,Jagdish Sabde,Sagar Magia,Rajan Paudel. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-20.

Serial word line actuation with linked source voltage supply modulation for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (sram)

Номер патента: EP4116978A1. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-01-11.

Serial word line actuation with linked source voltage supply modulation for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (sram)

Номер патента: US20230008833A1. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-01-12.

Memory device detecting defect of word line path and operating method thereof

Номер патента: US20240296898A1. Автор: Daeseok Byeon,Taehong KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Circuit configuration for controlling the word lines of a memory matrix

Номер патента: US20020141278A1. Автор: Peter Weitz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-10-03.

Method of accessing word line in semiconductor device

Номер патента: US20050232064A1. Автор: Yin Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-10-20.

Method for activating a plurality of word lines in a refresh cycle, and electronic memory device

Номер патента: US20060126414A1. Автор: Manfred Moser,Richard Antretter. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-06-15.

Word line segment select transistor on word line current source side

Номер патента: WO2006113093A3. Автор: YIN Rong,Po-Kang Wang,Xizeng Shi,Hsu Kai Yang. Владелец: Hsu Kai Yang. Дата публикации: 2007-01-11.

Word line segment select transistor on word line current source side

Номер патента: WO2006113093A2. Автор: YIN Rong,Po-Kang Wang,Xizeng Shi,Hsu Kai Yang. Владелец: Applied Spintronics, Inc.. Дата публикации: 2006-10-26.

Adaptive word line control circuit

Номер патента: US12106800B2. Автор: Wei Min Chan,Chien-Chen Lin,Pei-Yuan LI,Shang Lin Wu,Hsiang-Yun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Variable delay word line enable

Номер патента: US12119050B2. Автор: Hyunsung HONG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Word line precharging systems and methods

Номер патента: US12131765B2. Автор: Angelo Visconti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor memory device that applies same voltage to two adjacent word lines for access

Номер патента: US09947408B2. Автор: Tokumasa Hara,Masanobu Shirakawa,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Word-line enable pulse generator, SRAM and method for adjusting word-line enable time of SRAM

Номер патента: US09786363B1. Автор: Hyunsung HONG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Single port SRAM memory cell driven by two word lines in asynchronous manner and memory employing the same

Номер патента: US09715922B1. Автор: Chi-Ray Huang,Lih-Yih Chiou. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2017-07-25.

Word line divider and storage device

Номер патента: US09697878B2. Автор: Takanori Matsuzaki,Hiroki Inoue,Shuhei Nagatsuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Collision detection systems for detecting read-write collisions in memory systems after word line activation, and related systems and methods

Номер патента: US09666269B2. Автор: Manish Garg,Joshua Lance Puckett,Rahul Krishnakumar Nadkarni,Harish Shankar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Boundary word line search and open block read methods with reduced read disturb

Номер патента: US09449700B2. Автор: Deepanshu Dutta,Grishma Shah. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-20.

Word line voltage control for reduced voltage disturbance during memory operations

Номер патента: US20240212735A1. Автор: Makoto Kitagawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Techniques for memory cell reset using dummy word lines

Номер патента: US20230395123A1. Автор: Yuan He,Wenlun Zhang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Word line dependent two strobe sensing mode for nonvolatile storage elements

Номер патента: EP3213325A1. Автор: Gerrit Jan Hemink,Deepanshu Dutta,Xiaochang Miao. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-09-06.

Sense amp activation according to word line common point

Номер патента: US20150348614A1. Автор: Myung Gyoo WON,Heechoul Park,Thu Hanh NGUYEN. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2015-12-03.

Electronic driver circuit for word lines in a memory matrix, and memory apparatus

Номер патента: US6501686B2. Автор: Thomas Boehm,Thomas Roehr,Dietmar Gogl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-12-31.

World line segment select transistor on word line current source side

Номер патента: US20060227597A1. Автор: YIN Rong,Po-Kang Wang,Xizeng Shi,Hsu Kai Yang. Владелец: Applied Spintronics Inc. Дата публикации: 2006-10-12.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100034040A1. Автор: Hiroshi Furuta,Kenjyu Shimogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-02-11.

Non-volatile memory device for detecting defects of bit lines and word lines

Номер патента: EP4181143A3. Автор: Sangwan Nam,Junyoung Ko,Heewon Kim,Youse Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-26.

Non-volatile memory device for detecting defects of bit lines and word lines

Номер патента: US12131798B2. Автор: Sangwan Nam,Junyoung Ko,Heewon Kim,Youse Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-29.

Nonvolatile memory device and method of driving word line of the nonvolatile memory

Номер патента: US09779790B2. Автор: Kitae Park,Sang-Won Park,Sang-Won Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Interleaved grouped word lines for three dimensional non-volatile storage

Номер патента: US09627009B2. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-18.

Word line dependent temperature compensation scheme during sensing to counteract cross-temperature effect

Номер патента: US09543028B2. Автор: Biswajit Ray,Changyuan Chen,Mohan DUNGA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-01-10.

Word line driver circuitry and compact memory using same

Номер патента: US09455007B2. Автор: Chien-Hung Liu,Yu-Tsung Lin,Jyun-Siang Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Nonvolatile memory device and method of driving word line of the nonvolatile memory

Номер патента: US09431062B2. Автор: Kitae Park,Sang-Won Park,Sang-Won Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Synchronized redundancy decoding systems and methods for integrated circuit memory devices

Номер патента: US5777931A. Автор: Ig-Soo Kwon,Chul-Min Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-07-07.

Memory with single transistor sub-word line drivers, and associated systems, devices, and methods

Номер патента: US20240071469A1. Автор: Tae H. Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Headerless word line driver with shared word line underdrive control

Номер патента: WO2020101748A1. Автор: Tawfik Ahmed,Russell J. Schreiber,Ilango Jeyasubramanian. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2020-05-22.

Headerless word line driver with shared word line underdrive control

Номер патента: EP3881321A1. Автор: Tawfik Ahmed,Russell J. Schreiber,Ilango Jeyasubramanian. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2021-09-22.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20120155211A1. Автор: Norihiko Sumitani,Toshio Terano. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-06-21.

Memory system and method for read operation based on grouping of word lines

Номер патента: US20200185040A1. Автор: Fan Zhang,Naveen Kumar,Yu Cai,Aman BHATIA,Chenrong Xiong,Xuanxuan Lu. Владелец: SK Hynix Memory Solutions America Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Programmable write word line boost for low voltage memory operation

Номер патента: US20180226111A1. Автор: John J. Wuu,Russell Schreiber,Stephen Victor Kosonocky,Alexander W. Schaefer,David Hugh McIntyre,Ravi T. Jotwani,Samiul Haque Khan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Edge word line concurrent programming with verify for memory apparatus with on-pitch semi-circle drain side select gate technology

Номер патента: US12046302B2. Автор: Xiang Yang,Ken Oowada,Deepanshu Dutta. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8054705B2. Автор: Hiroshi Furuta,Kenjyu Shimogawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-11-08.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100034039A1. Автор: Hiroshi Furuta,Kenjyu Shimogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-02-11.

Electronic device including memory arrays with variable resistance storage elements arranged on different sides of a word line driving unit

Номер патента: US9535834B2. Автор: Dong-Keun Kim,Masahiro Takahashi,Tsuneo Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Word line driving unit with a boost voltage generator and memory device including the same

Номер патента: US10090032B2. Автор: Ching-Wei Wu,He-Zhou Wan,Ming-En Bu,Weiyang Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-02.

Circuit configuration for deactivating word lines in a memory matrix

Номер патента: US20020027827A1. Автор: HELMUT Fischer,Joachim Schnabel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-03-07.

Word Line Driving Unit With a Boost Voltage Generator and Memory Device Including the Same

Номер патента: US20170345473A1. Автор: Ching-Wei Wu,He-Zhou Wan,Ming-En Bu,Weiyang Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-30.

Sub-word line driver having common gate boosted voltage

Номер патента: US12131769B2. Автор: Tae H. Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Word line voltage generator for multiple-time programmable memory

Номер патента: US09990963B2. Автор: YU Cheng,Zijian Zhao,Hao Ni,Yijin Kwon. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Memory system with non-volatile memory device that is capable of single or simulataneous multiple word line selection

Номер патента: US09865351B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Automatic word line leakage measurement circuitry

Номер патента: US09704542B2. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Word line driver, semiconductor memory apparatus and test method using the same

Номер патента: US09620198B1. Автор: Sang Yun Nam. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Memory device with improved refresh scheme for redundancy word line

Номер патента: US09514850B2. Автор: Sang-Hee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Variable resistive memory device including controller for driving bitline, word line, and method of operating the same

Номер патента: US09496032B2. Автор: Ki Myung Kyung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Word line driver circuitry, and associated methods, devices, and systems

Номер патента: US11270746B2. Автор: Tae H. Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-08.

Dynamic word line reconfiguration for nand structure

Номер патента: US20240055051A1. Автор: Xiang Yang,James Kai,YenLung Li. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-15.

Memory array circuits including word line circuits for improved word line signal timing and related methods

Номер патента: WO2022250866A1. Автор: Chiaming Chai,Jason Philip Martzloff,Shaoping Ge. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2022-12-01.

Dynamic word line reconfiguration for nand structure

Номер патента: WO2024039431A1. Автор: Xiang Yang,James Kai,YenLung Li. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-22.

Complete word line look ahead with efficient data latch assignment in non-volatile memory read operations

Номер патента: WO2008083132A3. Автор: Man Lung Mui,Seungpil Lee. Владелец: Seungpil Lee. Дата публикации: 2008-10-02.

Sub-word line driver circuit

Номер патента: US20200350011A1. Автор: Tae H. Kim,Charles L. Ingalls. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Memory array circuits including word line circuits for improved word line signal timing and related methods

Номер патента: US20220383918A1. Автор: Chiaming Chai,Jason Philip Martzloff,Shaoping Ge. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2022-12-01.

Memory array circuits including word line circuits for improved word line signal timing and related methods

Номер патента: EP4348647A1. Автор: Chiaming Chai,Jason Philip Martzloff,Shaoping Ge. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-04-10.

Memory device including sub word line driving circuit

Номер патента: US11922992B2. Автор: Sangwook Park,Donggeon Kim,Kyoungmin Kim,Seokjae Lee,Myeongsik Ryu,Inseok Baek,Bokyeon Won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-05.

Dynamic word line reconfiguration for NAND structure

Номер патента: US11990185B2. Автор: Xiang Yang,James Kai,YenLung Li. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-21.

Row address decoder and word line driver unit with pull-down transistors operable in saturation region for rapidly driving word lines

Номер патента: US5295116A. Автор: Shinichi Iwashita. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-03-15.

Process and temperature compensated word line underdrive scheme for sram

Номер патента: US20240071480A1. Автор: Ashish Kumar,Dipti ARYA. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor memory device preventing a malfunction caused by a defective main word line

Номер патента: US6172934B1. Автор: Teruyuki Uchihira. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-01-09.

Dynamic random access memory (DRAM) having a structure for emplying a word line low voltage

Номер патента: US20020044488A1. Автор: Jong-Hyun Choi,Sang-Seok Kang,Jong-eon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-04-18.

Multi-port sram circuit with first and second word line

Номер патента: WO2016048680A1. Автор: Suresh Venkumahanti,Jentsung Lin,Paul Bassett. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-03-31.

Multi-port sram circuit with first and second word line

Номер патента: EP3198606A1. Автор: Suresh Venkumahanti,Jentsung Lin,Paul Bassett. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-08-02.

Method for Extending Word-Line Pulses

Номер патента: US20130003446A1. Автор: Chung-Yi Wu,Hsu-Shun Chen,Cheng-Hung Lee,Hong-Chen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-01-03.

Word line driver circuits for memory devices and methods of operating same

Номер патента: US20210225425A1. Автор: Youngsik Kim,Sangyun Kim,Seunghyun CHO,Sunggeun Do,Gongheum HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-22.

Method for extending word-line pulses

Номер патента: US9099168B2. Автор: Chung-Yi Wu,Hsu-Shun Chen,Cheng-Hung Lee,Hong-Chen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-08-04.

Silicon-on-insulator (soi) circuitry for low-voltage memory bit-line and word-line decoders

Номер патента: US20230162789A1. Автор: Lior Dagan. Владелец: Weebit Nano Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Multi-bank memory with word-line banking, bit-line banking and i/o multiplexing utilizing tilable interconnects

Номер патента: EP1194930A1. Автор: Adam Kablanian. Владелец: Virage Logic Corp. Дата публикации: 2002-04-10.

Multiple location repair word line redundancy circuit

Номер патента: US5774471A. Автор: Yong H. Jiang. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 1998-06-30.

Memory device and word line driver thereof

Номер патента: US11875854B2. Автор: Hang-Ting Lue,Chih-Ming Lin,Wu-Chin Peng,Teng Hao Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Method and apparatus of testing word line to detect fault after repair

Номер патента: US11984176B2. Автор: Yulong ZHAI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Word line fault detection

Номер патента: US20120327699A1. Автор: Ravindraraj Ramaraju,Alexander B. Hoefler. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-27.

Dynamic word line boosting during programming of a memory device

Номер патента: US20240079063A1. Автор: Han-Ping Chen,Yanjie Wang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory circuit and word line driver

Номер патента: US20230260571A1. Автор: Wei-jer Hsieh,Zhi-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Integrated circuit with phase-change memory cells and method for addressing phase-change memory cells

Номер патента: EP1807840A1. Автор: Martijn H. R. Lankhorst,Hendrik G. A. Huizing. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-07-18.

Integrated circuit with phase-change memory cells and method for addressing phase-change memory cells

Номер патента: EP1807840B1. Автор: Martijn H. R. Lankhorst,Hendrik G. A. Huizing. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-05-26.

Semiconductor memory device and layout structure of sub-word line control signal generator

Номер патента: US20090034313A1. Автор: In-Chul Jeong,Dong-Su Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-05.

Non-volatile memory with reduced word line switch area

Номер патента: US12032837B2. Автор: Yuki Mizutani,Kazutaka Yoshizawa,Eiichi Fujikura,Kiyokazu Shishido. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

Circuit and method for generating word line off voltage

Номер патента: US20090323438A1. Автор: Jun-Gi Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-12-31.

Non-volatile storage with broken word line screen and data recovery

Номер патента: EP2780912A1. Автор: Deepak Raghu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2014-09-24.

Reference voltage adjustment for word line groups

Номер патента: US20240242760A1. Автор: Tao Jiang,Bo Zhou,Guang Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor memory device and word line driving method thereof

Номер патента: US20100061177A1. Автор: Kang-Seol Lee,Tae-Sik Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-11.

Non-volatile memory with different word line to word line pitches

Номер патента: WO2024072503A1. Автор: Xiang Yang,Wei Cao,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Word line pump device of dynamic random access memory chip and clamp circuit thereof

Номер патента: US20240177763A1. Автор: Ting-Shuo Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Non-volatile storage with broken word line screen and data recovery

Номер патента: US20130128665A1. Автор: Nima Mokhlesi,Deepak Raghu,Lanlan Gu,Ashish Pal Singh Ghai. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2013-05-23.

Word line block select circuit with repair address decision unit

Номер патента: US20090003118A1. Автор: Seong Nyuh Yoo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-01-01.

Word line driving circuit and semiconductor storage device

Номер патента: US20110158029A1. Автор: Takahiko Sasaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-06-30.

Memory structure with word line buffers

Номер патента: WO2008150844A4. Автор: Pantas Sutardja. Владелец: Pantas Sutardja. Дата публикации: 2009-02-26.

Memory structure with word line buffers

Номер патента: WO2008150844A1. Автор: Pantas Sutardja. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2008-12-11.

Erasing non-volatile memory utilizing changing word line conditions to compensate for slower frasing memory cells

Номер патента: WO2006124122A3. Автор: Masaaki Higashitani. Владелец: Masaaki Higashitani. Дата публикации: 2006-12-28.

Semiconductor integrated circuit and unstable bit detection method for the same

Номер патента: US20090168539A1. Автор: Tomonori Hayashi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-07-02.

Word line pump device of dynamic random access memory chip and clamp circuit thereof

Номер патента: US12094517B2. Автор: Ting-Shuo Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

High voltage tolerant word-line driver

Номер патента: US09875783B2. Автор: Cyrille Dray,Liqiong Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Voltage self-boosting circuit for generating a boosted voltage for driving a word line write in a memory array for a memory write operation

Номер патента: US09633706B1. Автор: Jung Pill Kim,Sungryul KIM,Hyunsuk Shin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Variable pulse widths for word line activation using power state information

Номер патента: US09606742B1. Автор: Hoyeol Cho,Jinho Kwack,Jilong Shan. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Nonvolatile memory device and method controlling word line setup time based on difference in setup voltage levels

Номер патента: US09502124B2. Автор: Kitae Park,Sang-Won Park,Dongkyo Shim,Sang-Won Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Systems and methods for capture and replacement of hammered word line address

Номер патента: US12142313B2. Автор: John E. Riley,Joo-Sang Lee. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-11-12.

Transistors with source and word line voltage adjusting circuitry for controlling leakage currents and its method thereof

Номер патента: US09466342B2. Автор: Shinji Miyano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Word line dependent two strobe sensing mode for nonvolatile storage elements

Номер патента: US09443606B2. Автор: Gerrit Jan Hemink,Deepanshu Dutta,Xiaochang Miao. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor memory device and a method for stepping up its word lines

Номер патента: US5875133A. Автор: Takashi Kumagai,Yasunobu Tokuda,Koji Miyashita. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1999-02-23.

Circuit and method for an SRAM with two phase word line pulse

Номер патента: US7505345B2. Автор: Hung-jen Liao,Cheng Hung Lee,Fu-Chieh Hsu,Chia Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2009-03-17.

Semiconductor memory device of divided word line

Номер патента: US5282175A. Автор: Kenji Anami,Shuji Murakami,Koreaki Fujita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-01-25.

Precharge-enable self boosting word line driver for an embedded DRAM

Номер патента: US6058050A. Автор: John Wu,Peter B. Gillingham,Lidong Chen. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2000-05-02.

Word-line discharging circuit in a static-type semiconductor memory device

Номер патента: US4611303A. Автор: Kouichi Kitano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-09-09.

Method of reducing word line resistance of a semiconductor memory

Номер патента: US5631183A. Автор: Hyeun-Su Kim,Dong-Jae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-05-20.

Power consumption reducing circuit having word-line resetting ability regulating transistors

Номер патента: US5602784A. Автор: Makoto Kojima,Yoshitaka Mano. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1997-02-11.

Word line driving circuit

Номер патента: US5557580A. Автор: Takashi Inui,Shunichi Sukegawa,Kiyoshi Nakai,Yukihide Suzuki,Shigeki Numaga. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1996-09-17.

Semi-circle drain side select gate maintenance by selective semi-circle dummy word line program

Номер патента: US11894062B2. Автор: Xiang Yang,Gerrit Jan Hemink,Deepanshu Dutta,Shubhajit Mukherjee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-06.

Word line voltage detection for selection of read voltages in non-volatile memory

Номер патента: WO2018164744A1. Автор: Jun Wan,Idan Alrod,Deepanshu Dutta,Huai-Yuan Tseng,Sarath Puthenthermadam,Amul DESAI,Ken Cheah. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-09-13.

Adaptive negative word line voltage

Номер патента: US20240071527A1. Автор: Yanjie Wang,Xiaoyu Che,Runchen Fang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Detecting Programmed Word Lines Based On NAND String Current

Номер патента: US20150124527A1. Автор: Chris Avila,Yingda Dong,Man L Mui. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-05-07.

Detecting programmed word lines based on nand string current

Номер патента: WO2015002901A1. Автор: Yingda Dong,Man L. Mui,Chirs AVILA. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2015-01-08.

Nand flash word line management

Номер патента: WO2014209624A1. Автор: Yigal Eli,Yong Peng,Damian Yurzola,Rajeev Nagabhirava,Tal Heller,Krishnamurthy Dhakshinamurthy,Talal Ahwal,Tucker Dean BERCKMANN,Arjun Hary. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-12-31.

Word-line enable pulse generator, sram and method for adjusting word-line enable time of sram

Номер патента: US20180122459A1. Автор: Hyunsung HONG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-03.

Non-volatile memory with reduced word line switch area

Номер патента: US20240111440A1. Автор: Yuki Mizutani,Kazutaka Yoshizawa,Eiichi Fujikura,Kiyokazu Shishido. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Non-volatile memory with early dummy word line ramp down after precharge

Номер патента: WO2024035476A1. Автор: Xiang Yang,Dengtao Zhao,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-15.

Non-volatile memory with early dummy word line ramp down after precharge

Номер патента: US20240055059A1. Автор: Xiang Yang,Dengtao Zhao,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-15.

Static random access memory supporting a single clock cycle read-modify-write operation with a modulated word line assertion

Номер патента: US20230280915A1. Автор: Harsh Rawat,Praveen Kumar Verma. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-09-07.

Memory device and word line driver thereof

Номер патента: EP4254414A1. Автор: Hang-Ting Lue,Chih-Ming Lin,Wu-Chin Peng,Teng Hao Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-04.

Memory device and word line driver thereof

Номер патента: US20230317167A1. Автор: Hang-Ting Lue,Chih-Ming Lin,Wu-Chin Peng,Teng Hao Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Word line control circuit and semicondcutor apparatus including the same

Номер патента: US20220230667A1. Автор: Duck Hwa Hong,Chul Moon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-07-21.

Device and method for decoding an address word into word-line signals

Номер патента: US6873567B2. Автор: Juergen Pille,Christian Schweizer,Stefan Buettner,Jens Leenstra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-03-29.

Semiconductor memory device and word-line activation method

Номер патента: US20200294570A1. Автор: Jian-Sing Liou,Yi Heng LIU. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-17.

Word Line Voltage Boost System and Method for Non-Volatile Memory Devices and Memory Devices and Processor-Based System Using Same

Номер патента: US20100128534A1. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano,Ercole Di Iorio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-05-27.

Reducing disturbs with delayed ramp up of selected word line voltage after pre-charge during programming

Номер патента: EP3669362A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-06-24.

Electronic memory apparatus, and method for deactivating redundant bit lines or word lines

Номер патента: US20050243636A1. Автор: Sven Boldt,Erwin Thalmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-11-03.

Memory having circuitry controlling the voltage differential between the word line and array supply voltage

Номер патента: WO2009058991A1. Автор: Andrew Marshall,Theodore W. Houston. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2009-05-07.

Word line-dependent word line and channel read setup time in first read state of non-volatile memory

Номер патента: US20240212737A1. Автор: Henry Chin,Erika Penzo,Dong-il MOON. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

Eight transistor SRAM cell with improved stability requiring only one word line

Номер патента: US20070165445A1. Автор: Donald Plass,Yuen Chan,William Huott. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-07-19.

Dram with word line compensation

Номер патента: US20080266987A1. Автор: Esin Terzioglu,Melinda L. Miller. Владелец: Novelics Corp. Дата публикации: 2008-10-30.

Adaptation of word line pulse widths in memory systems

Номер патента: RU2455713C2. Автор: Мохамед Х. АБУ-РАХМА,Сей Сеунг ЙООН. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2012-07-10.

Random access memory dual word line recovery circuitry

Номер патента: CA1177910A. Автор: Warren R. Ong. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1984-11-13.

Word line dependent pass voltage ramp rate to improve performance of nand memory

Номер патента: WO2024049531A1. Автор: Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin,Towhidur Razzak. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-07.

Word line dependent pass voltage ramp rate to improve performance of nand memory

Номер патента: US20240071493A1. Автор: Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin,Towhidur Razzak. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Word line control method, word line control circuit device and semiconductor memory

Номер патента: US20210165602A1. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-06-03.

Memory system that differentiates voltages applied to word lines

Номер патента: US20180261275A1. Автор: Kazutaka Takizawa,Masaaki Niijima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-13.

Dual power rail word line driver and dual power rail word line driver array

Номер патента: US20100302880A1. Автор: Chia-Wei Wang,Paul William Hollis,Joseph Patrick Geisler,Matthew B. Rutledge. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2010-12-02.

Sub-Word Line Driver Placement For Memory Device

Номер патента: US20230267989A1. Автор: Hung-jen Liao,Ching-Wei Wu,Yi-Tzu Chen,Hau-Tai Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Method and apparatus for improving sram cell stabilty by using boosted word lines

Номер патента: US20080225611A1. Автор: Richard Q. Williams,Hussein I. Hanafi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-09-18.

Word line zone dependent pre-charge voltage

Номер патента: US11972803B2. Автор: Yu-Chung Lien,Jiahui Yuan,Fanqi WU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-30.

Word line drivers sharing a transistor, and related memory devices and systems

Номер патента: US20210057008A1. Автор: Tae H Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Memory device including booster circuit for tracking word line

Номер патента: US20230377638A1. Автор: Hyunsung HONG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Edge word line data retention improvement for memory apparatus with on-pitch semi-circle drain side select gate technology

Номер патента: US11961572B2. Автор: Xiang Yang,Abhijith Prakash,Shubhajit Mukherjee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-16.

Word line control method, word line control circuit device and semiconductor memory

Номер патента: US11693584B2. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-04.

Semiconductor device with word line degradation monitor and associated methods and systems

Номер патента: US11735247B2. Автор: Debra M. Bell,Gitanjali T. Ghosh,Roya Baghi,Arunmozhi R. Subramaniam,Deepika Thumsi Umesh,Sue-Fern Ng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Sub-Word Line Driver Placement For Memory Device

Номер патента: US20240185911A1. Автор: Hung-jen Liao,Ching-Wei Wu,Yi-Tzu Chen,Hau-Tai Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Sub-word line driver placement for memory device

Номер патента: US20220130446A1. Автор: Hung-jen Liao,Ching-Wei Wu,Yi-Tzu Chen,Hau-Tai Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Word line voltage boost system and method for non-volatile memory devices and memory devices and processor-based system using same

Номер патента: US20110170359A1. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano,Ercole Di lorio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-07-14.

Phase change memory word line driver

Номер патента: US20150049543A1. Автор: Hong Beom Pyeon. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2015-02-19.

Debiasing scheme for partial block erase based on word line groups

Номер патента: US20240194270A1. Автор: Pitamber Shukla,Fulvio Rori,Qun Su,Ryan Hrinya,Jose Nino N. Monje. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Word line charge integration

Номер патента: US20240212736A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device with word line degradation monitor and associated methods and systems

Номер патента: US20210201981A1. Автор: Debra M. Bell,Gitanjali T. Ghosh,Roya Baghi,Arunmozhi R. Subramaniam,Deepika Thumsi Umesh,Sue-Fern Ng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Memory cell array semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US5654914A. Автор: Hideshi Maeno,Koji Nii. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-08-05.

Semiconductor memory device having main word lines and sub word lines

Номер патента: US5764585A. Автор: Yasushi Matsubara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-06-09.

Array word line driver system

Номер патента: US4413191A. Автор: Russell J. Houghton. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1983-11-01.

Refresh scheme for redundant word lines

Номер патента: US6078543A. Автор: Dae-Jeong Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-06-20.

Word line drivers in non-volatile memory device and method having a shared power bank and processor-based systems using same

Номер патента: US20110110163A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-05-12.

Boundary word line voltage shift

Номер патента: US20190304550A1. Автор: Zhenlei Shen,Pitamber Shukla,Philip Reusswig,Anubhav Khandelwal,Niles N. Yang. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Semiconductor storage device including a voltage generator for applying first and second intermediate voltages to an adjacent word line in a program operation

Номер патента: US11869597B2. Автор: Junichi Sato,Takeshi Nakano,Hideyuki Kataoka,Hiroki Date,Yuzuru SHIBAZAKI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Nand logic word line selection

Номер патента: WO2012087484A3. Автор: Balaji Srinivasan,Fatih Hamzaoglu,Swaroop Ghosh,Dinesh SOMASOKHAR. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2013-02-14.

Nand logic word line selection

Номер патента: WO2012087484A2. Автор: Balaji Srinivasan,Fatih Hamzaoglu,Swaroop Ghosh,Dinesh SOMASOKHAR. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2012-06-28.

Word line group read counters

Номер патента: US11934689B2. Автор: Harish Reddy Singidi,Gianni Stephen Alsasua,Ashutosh Malshe,Renato Padilla, JR.,Kishore Kumar Muchherla,Michael G. Miller,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Non-volatile semiconductor memory device for selectively re-checking word lines

Номер патента: US20030012052A1. Автор: Toshihiro Tanaka,Yutaka Shinagawa,Yasuhiro Taniguchi,Kazuyoshi Shiba,Nozomu Matsuzaki. Владелец: HITACHI Ltd AND HITACHI ULSI SYSTEMS CO Ltd. Дата публикации: 2003-01-16.

Redundant random access memory device equipped with encoder coupled between programming circuits and redundant word line driving circuits

Номер патента: US5224073A. Автор: Hiroshi Nakayama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-06-29.

Adaptive word line control circuit

Номер патента: US20230260570A1. Автор: Irene Lin,Wei Min Chan,Chien-Chen Lin,Pei-Yuan LI,Shang Lin Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor DRAM with non-linear word line discharge

Номер патента: US9214218B2. Автор: Kazuhiko Kajigaya. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2015-12-15.

Sub-word line driver placement for memory device

Номер патента: US11929109B2. Автор: Hung-jen Liao,Ching-Wei Wu,Yi-Tzu Chen,Hau-Tai Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Configurable Control of Integrated Circuits

Номер патента: US20210241807A1. Автор: Yew Keong Chong,Andy Wangkun CHEN,Sriram Thyagarajan. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2021-08-05.

Boundary Word Line Search and Open Block Read Methods with Reduced Read Disturb

Номер патента: US20160240262A1. Автор: Deepanshu Dutta,Grishma Shah. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-08-18.

Word Line Precharging Systems and Methods

Номер патента: US20240071454A1. Автор: Angelo Visconti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory Array Having Word Lines with Folded Architecture

Номер патента: US20130044550A1. Автор: Chulmin Jung,Myron Buer. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-02-21.

Integrated circuit memory with built-in self-test (bist)

Номер патента: US20210407617A1. Автор: Arijit Banerjee,Russell Schreiber,Vance Threatt,James A. Wingfield,Keith A. Kasprak,William A. Halliday,Srinivas R. Sathu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Sub-word line driver placement for memory device

Номер патента: US20220199145A1. Автор: Hung-jen Liao,Ching-Wei Wu,Yi-Tzu Chen,Hau-Tai Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Modular memory architecture with more significant bit sub-array word line activation in single-cycle read-modify-write operation dependent on less significant bit sub-array data content

Номер патента: US20230135708A1. Автор: Praveen Kumar Verma. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-05-04.

Memory with multiple word line design

Номер патента: EP3036744A1. Автор: Sei Seung Yoon,Rakesh Kumar Sinha,Ritu Chaba,Chirag Gulati. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-06-29.

Local word line driver and flash memory array device thereof

Номер патента: US20120170377A1. Автор: Takao Akaogi. Владелец: Eon Silicon Solutions Inc. Дата публикации: 2012-07-05.

DRAM word line voltage control to insure full cell writeback level

Номер патента: US20020159301A1. Автор: William Tonti,Wayne Ellis,Mark Jacunski,Russell Houghton,Thomas Maffitt. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-10-31.

Memory circuit structure with supply voltage transmitted via word line

Номер патента: US20230082931A1. Автор: Vivek Raj,Shivraj Gurpadappa Dharne,Vinayak Rajendra Ganji. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Memory word line boost using thin dielectric capacitor

Номер патента: US20130121088A1. Автор: Yue-Der Chih,Hung-Chang Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-05-16.

?read after erase? method for catching single word line ?slow to erase? signature in non-volatile memory st

Номер патента: US20220415413A1. Автор: Parth AMIN,Anubhav Khandelwal. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-12-29.

Memory performing write operation in which a string transistor channel voltage is boosted before applying a program voltage to a word line

Номер патента: US09953708B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Nonvolatile semiconductor memory device capable of erasing by a word line unit

Номер патента: US5402382A. Автор: Shinichi Kobayashi,Yasushi Terada,Takeshi Nakayama,Yoshikazu Miyawaki,Tomoshi Futatsuya. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-03-28.

Dynamic RAM having word line voltage intermittently boosted in synchronism with an external clock signal

Номер патента: US6115319A. Автор: Hitoshi Tanaka,Kazumasa Yanagisawa,Kenji Nishimoto,Yoshitaka Kinoshita. Владелец: Hitachi ULSI Engineering Corp. Дата публикации: 2000-09-05.

Data recovery method after word line-to-word line short circuit

Номер патента: US9785493B1. Автор: Zhengyi Zhang,Yingda Dong. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-10.

Method and apparatus for redundancy word line replacement in a semiconductor memory device

Номер патента: US5555212A. Автор: Kirihata Toshiaki,Kato Daisuke. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1996-09-10.

Variable delay word line enable

Номер патента: US20210043249A1. Автор: Hyunsung HONG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Sub word line driving circuit and a semiconductor memory device using the same

Номер патента: US5835439A. Автор: Jung Won Suh. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-11-10.

Word line driving circuit with high access efficiency

Номер патента: US11810643B2. Автор: Chia-Wei Ho,Min-Chia Wang,Chung-Ming Lin,Hsiu-Ming Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Selected word line dependent select gate diffusion region voltage during programnming

Номер патента: EP2831883A1. Автор: Shinji Sato,Gerrit Jan Hemink,Shih-Chung Lee,Chun-Hung Lai. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-02-04.

Multiple word-line accessing and accessor

Номер патента: EP1421589A2. Автор: Vivek De,Dinesh Somasekhar,Shih-Lien Lu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-05-26.

Multiple word-line accessing and accessor

Номер патента: AU2002332457A1. Автор: Vivek De,Dinesh Somasekhar,Shih-Lien Lu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-03-18.

Interleaved grouped word lines for three dimesional non-volatile storage

Номер патента: US20160027477A1. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2016-01-28.

Nonvolatile memory apparatus capable of determining an application time of a program voltage applied to a selected word line

Номер патента: US8929150B2. Автор: Chul Woo Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-01-06.

Word line discharge skip for faster read time

Номер патента: US20200411100A1. Автор: Yosuke Kato,Norihiro Kamae. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-12-31.

Semiconductor memory device having hierarchical word line structure

Номер патента: US20020186611A1. Автор: Kengo Aritomi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-12.

Word line selection circuit and row decoder

Номер патента: US20140313815A1. Автор: Masahiro Yoshida,Hiroyuki Takahashi,Noriaki Takeda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-10-23.

Decoding drive circuit and method therefor, word line decoding circuit and semiconductor memory

Номер патента: EP4243020A1. Автор: Weibing SHANG,Minghao LI,Xianjun Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-13.

Hybrid dynamic word line start voltage

Номер патента: US20240282381A1. Автор: Deping He,Kulachet Tanpairoj,Chun Sum Yeung. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Reference word line and data propagation reproduction circuit for memories provided with hierarchical decoders

Номер патента: US5754483A. Автор: Luigi Pascucci,Paolo Rolandi,Marco Fontana,Antonio Barcella. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1998-05-19.

Proactive edge word line leak detection for memory apparatus with on-pitch semi-circle drain side select gate technology

Номер патента: US20230125748A1. Автор: Xiang Yang,Xiaochen Zhu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-04-27.

Method and a circuit architecture for testing an integrate circuit comprising a programmable, non-volatile memory

Номер патента: US20010015925A1. Автор: Albino Pidutti,Paolo Sandri,Alessandro Camera,Ignazio Bellomo. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2001-08-23.

Dynamic random access memory with shaped word-line waveform

Номер патента: US20200185021A1. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Electronic fuse semiconductor device for selecting failed redundancy word lines

Номер патента: US09401219B2. Автор: Young Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-26.

Methods of selectively activating word line segments enabled by row addresses and semiconductor memory devices having partial activation commands of word line

Номер патента: US7187615B2. Автор: Seong-Jin Jang,Min-Sang Park,Yu-Lim Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-06.

Precharge-enabled self boosting word line driver for an embedded dram

Номер патента: CA2225355C. Автор: John Wu,Peter Gillingham,Lidong Chen. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2005-11-15.

Nonvolatile semiconductor memory device and a method of word lines thereof

Номер патента: US7313027B2. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-12-25.

Semiconductor storage device comprising a control circuit for changing a rate of increase of a voltage applied to non-selected word lines

Номер патента: US11901020B2. Автор: Naofumi ABIKO,Emiri TAKADA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Sub-word line driver having common gate boosted voltage

Номер патента: US20240055043A1. Автор: Tae H. Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Temperature-dependent word line voltage and discharge rate for refresh read of non-volatile memory

Номер патента: WO2023229808A1. Автор: Wei Zhao,Henry Chin,Dong-II MOON,Abhijith Prakash. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-30.

Word line activation in memory devices

Номер патента: US20120044765A1. Автор: Giovanni Santin,Michele Incarnati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-02-23.

Defective word line detection

Номер патента: US20130114342A1. Автор: Manabu Sakai,Toru Miwa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2013-05-09.

Temperature-dependent word line voltage and discharge rate for refresh read of non-volatile memory

Номер патента: US11894051B2. Автор: Wei Zhao,Henry Chin,Dong-il MOON,Abhijith Prakash. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-06.

Systems and Methods for Memory Operation Using Local Word Lines

Номер патента: US20230307024A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hidehiro Fujiwara,Yi-Hsin Nien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Word-line inter-cell interference detector in flash system

Номер патента: US20150371714A1. Автор: Seyhan Karakulak,Anthony Dwayne WEATHERS,Richard David Barndt. Владелец: HGST Technologies Santa Ana Inc. Дата публикации: 2015-12-24.

Apparatuses and methods for providing word line voltages

Номер патента: US10734050B2. Автор: Tae H. Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-04.

Word-line driver for memory

Номер патента: US20140233321A1. Автор: Vikas RANA. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2014-08-21.

Temperature-dependent word line voltage and discharge rate for refresh read of non-volatile memory

Номер патента: US20230410901A1. Автор: Wei Zhao,Henry Chin,Dong-il MOON,Abhijith Prakash. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-21.

Word-line-potential control circuit

Номер патента: US20120236662A1. Автор: Osamu Hirabayashi,Miyako Shizuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-20.

Word line layer dependent stress and screen voltage

Номер патента: US20240161849A1. Автор: Liang Li,CHAO Xu,Yidan Liu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Apparatuses and methods for providing word line voltages

Номер патента: US20190259434A1. Автор: Tae H. Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-22.

Reducing program disturb by modifying word line voltages at interface in two-tier stack during programming

Номер патента: EP3685383A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-07-29.

Semiconductor memory device for reducing bit line coupling noise

Номер патента: US8467216B2. Автор: Sang-Yun Kim,Tai-Young Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-18.

Semiconductor memory device for reducing bit line coupling noise

Номер патента: US20110182099A1. Автор: Sang-Yun Kim,Tai-Young Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-28.

Electronic driver circuit for word lines in a memory matrix, and memory apparatus

Номер патента: US20020050448A1. Автор: Thomas Boehm,Thomas Roehr,Dietmar Gogl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-05-02.

Word line voltage generator for programmable memory array

Номер патента: US09837168B1. Автор: John A. Fifield,Eric D. Hunt-Schroeder. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Static RAM having word line driving circuitry shared by all the memory cells provided therein

Номер патента: US6212124B1. Автор: Kenji Noda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-04-03.

Integrated circuit memory device with write driver and method of operating same

Номер патента: US10535392B2. Автор: Artur ANTONYAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-14.

Memory device determining precharge time based on a number of times that a program voltage is applied to word line and operating method of memory device

Номер патента: US11848054B2. Автор: Jung Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

RAM row decode circuitry that utilizes a precharge circuit that is deactivated by a feedback from an activated word line driver

Номер патента: US5400283A. Автор: George B. Raad. Владелец: Micron Semiconductor Inc. Дата публикации: 1995-03-21.

Word line voltage supply circuit

Номер патента: US6078531A. Автор: Patrick Chuang,Hisanobu Tsukazaki,Yoshifumi Miyazima. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2000-06-20.

Dynamic cascode-managed high-voltage word-line driver circuit

Номер патента: US9025403B1. Автор: Abraham Mathews,Donald W. Plass,Gregory J. Fredeman,Kenneth J. Reyer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-05-05.

Enabling circuit for redundant word lines in a semiconductor memory array

Номер патента: US4538245A. Автор: George Perlegos,George Smarandoiu. Владелец: Seeq Technology Inc. Дата публикации: 1985-08-27.

Systems and methods for capture and replacement of hammered word line address

Номер патента: US20220157366A1. Автор: John E. Riley,Joo-Sang Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Voltage regulator for providing word line voltage

Номер патента: US11908539B2. Автор: Chih-Jen Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Techniques for erasing the memory cells of edge word lines

Номер патента: US11848059B2. Автор: Xiang Yang,Jiacen Guo,Abhijith Prakash. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-19.

Reference voltage adjustment for word line groups

Номер патента: US20230245695A1. Автор: Tao Jiang,Bo Zhou,Guang Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-03.

Reference voltage adjustment for word line groups

Номер патента: US11900992B2. Автор: Tao Jiang,Bo Zhou,Guang Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Memory device capable of repairing defective word lines

Номер патента: US20230079020A1. Автор: Sangho Shin,Kan-Yuan Cheng,Hee-Seong KIM,Tien-Chieh Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-03-16.

Voltage regulator for providing word line voltage

Номер патента: US20230386524A1. Автор: Chih-Jen Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Non-volatile memory with different word line to word line pitches

Номер патента: US20240112735A1. Автор: Xiang Yang,Wei Cao,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Erasing non-volatile memory utilizing changing word line conditions to compensate for slower frasing memory cells

Номер патента: EP1864292A2. Автор: Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2007-12-12.

Word line block/select circuit with repair address decision unit

Номер патента: US20110149664A1. Автор: Seong Nyuh Yoo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-23.

Read operation of cache mram using a reference word line

Номер патента: EP3198602A1. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM,Xiangyu Dong. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-08-02.

Read operation of cache mram using a reference word line

Номер патента: WO2016048662A1. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM,Xiangyu Dong. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-03-31.

Word line and control gate line tandem decoder for analog neural memory in deep learning artificial neural network

Номер патента: US11935594B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Word line and control gate line tandem decoder for analog neural memory in deep learning artificial neural network

Номер патента: US20210383869A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Word line and control gate line tandem decoder for analog neural memory in deep learning artificial neural network

Номер патента: EP4162491A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-12.

Driving adjacent word lines of a nand string to target voltage levels

Номер патента: WO2020214434A1. Автор: Xiaojiang Guo,Michele Piccardi. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-10-22.

Driving adjacent word lines of a nand string to target voltage levels

Номер патента: EP3956895A1. Автор: Xiaojiang Guo,Michele Piccardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-23.

Word-line pre-charging in power-on read operation to reduce programming voltage leakage

Номер патента: US20190066789A1. Автор: Manabu Sakai,Yen-Lung Li,Qui Vi Nguyen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-02-28.

Circuit and method to detect word-line leakage and process defects in non-volatile memory array

Номер патента: US11935607B2. Автор: Vikas RANA,Vivek Tyagi. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-03-19.

Non-volatile memory (nvm) with word line driver/decoder using a charge pump voltage

Номер патента: US20140269140A1. Автор: Padmaraj Sanjeevarao,David W. Chrudimsky. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-09-18.

Dynamic word line allocation in memory systems

Номер патента: US20240249789A1. Автор: Scott Anthony Stoller,Pitamber Shukla,Fulvio Rori,Justin Bates,Tarun Singh Yadav,Attila A. Herrera. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory array with compensated word line access delay

Номер патента: US12080330B2. Автор: John D. Porter,Si Hong Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of managing independent word line read operation in flash memory and related memory controller and storage device

Номер патента: US12067247B2. Автор: Tzu-Yi Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Dynamic word line allocation in memory systems

Номер патента: WO2024158647A1. Автор: Scott Anthony Stoller,Pitamber Shukla,Fulvio Rori,Justin Bates,Tarun Singh Yadav,Attila A HERRERA. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-08-02.

Improving data retention of last word line of non-volatile memory arrays

Номер патента: EP2340537A1. Автор: Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2011-07-06.

MRAM word line power control scheme

Номер патента: US09672885B2. Автор: Seung H. Kang,Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM,Matthew M. Nowak,Manoj Bhatnagar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Reparir device and method capable of repairing fail cell by the unit section word line)

Номер патента: KR20080006113A. Автор: 이승민,박철성,유병욱,김영승. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-01-16.

Dynamic word line driver for cache

Номер патента: US6122710A. Автор: Manoj Kumar,Huy Van Pham. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2000-09-19.

Semiconductor memory device with shortened time period of word line selection

Номер патента: US4707809A. Автор: Manabu Ando. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1987-11-17.

Semiconductor memory device and method for selecting multiple word lines in a semiconductor memory device

Номер патента: US20020145933A1. Автор: Yuji Nakagawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-10-10.

Duo-level word line driver

Номер патента: US20230343391A1. Автор: Yi-Chun Shih,Chia-Fu Lee,Po-Hao Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Method of controlling a semiconductor memory including memory cells and a word line

Номер патента: US11682464B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-20.

Word line driving circuit and dynamic random access memory

Номер патента: EP4195208A1. Автор: Cheng-Jer Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-14.

Voltage regulator having a low noise discharge switch for non-volatile memories, in particular for discharging word lines from negative voltages

Номер патента: US20070242520A1. Автор: Carmelo Chiavetta. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2007-10-18.

Voltage regulator having a low noise discharge switch for non-volatile memories, in particular for discharging word lines from negative voltages

Номер патента: US7502265B2. Автор: Carmelo Chiavetta. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2009-03-10.

Proactive edge word line leak detection for memory apparatus with on-pitch semi-circle drain side select gate technology

Номер патента: US11783903B2. Автор: Xiang Yang,Xiaochen Zhu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-10.

Word-line deficiency detection method for semiconductor memory device

Номер патента: US20010009525A1. Автор: Yoshiharu Kato,Shinji Nagai,Satoru Kawamoto,Motoki Mizutani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-07-26.

Word line selection circuit and row decoder

Номер патента: US20140029329A1. Автор: Masahiro Yoshida,Hiroyuki Takahashi,Noriaki Takeda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-01-30.

Method of controlling a semiconductor memory including memory cells and a word line

Номер патента: US20230274784A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Word line cache mode

Номер патента: US10366733B1. Автор: Gregg D. Wolff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-30.

Circuit configuration and method for automatic recognition and elimination of word line/bit line short circuits

Номер патента: US6125066A. Автор: Patrick Heyne,Dieter Härle,Thoralf Grätz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2000-09-26.

Semiconductor integrated circuit device and method of testing the same

Номер патента: US5155701A. Автор: Hideaki Takahashi,Minoru Fukuda,Satoshi Meguro,Kazuhiro Komori,Yuji Hara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1992-10-13.

Semiconductor integrated circuit with multi test

Номер патента: US8045408B2. Автор: Jong-Won Lee,Shin-Ho Chu. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-10-25.

Memory array with compensated word line access delay

Номер патента: US20240071431A1. Автор: John D. Porter,Si Hong Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Integrated circuit memory access mechanisms

Номер патента: US20100220542A1. Автор: David Theodore Blaauw,Gregory Kengho Chen,Dennis Michael Sylvester. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-02.

Memory device with word line pulse recovery

Номер патента: US20240161822A1. Автор: Cheng Hung Lee,Yu-Hao Hsu,Wei-jer Hsieh,Zhi-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Memory device with word line pulse recovery

Номер патента: US11915746B2. Автор: Cheng Hung Lee,Yu-Hao Hsu,Wei-jer Hsieh,Zhi-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Mask rom semiconductor memory device capable of synchronizing the activation of the sense amplfier and of the word line

Номер патента: US20010053107A1. Автор: Takaki Kohno. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

Local word line decoder for memory with 2 MOS devices

Номер патента: US5867445A. Автор: Howard C. Kirsch,Yen-Tai Lin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 1999-02-02.

Adapting word line pulse widths in memory systems

Номер патента: CA2709424C. Автор: Sei Seung Yoon,Mohamed H. Abu-Rahma. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-12-10.

circuit for driving word line and driving method used the same

Номер патента: KR101559909B1. Автор: 박현호,변영용,야마다. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2015-10-15.

Addressable word line pull-down circuit

Номер патента: US4168490A. Автор: Jonathan J. Stinehelfer. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1979-09-18.

Loop dependent word line ramp start time for program verify of multi-level nand memory

Номер патента: WO2024049533A1. Автор: Toru Miwa,Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-07.

Word line driving circuit and dynamic random access memory

Номер патента: US20220310152A1. Автор: Cheng-Jer Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Word line driving circuit and dynamic random access memory

Номер патента: US11869576B2. Автор: Cheng-Jer Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Word Line Delay Interlock Circuit for Write Operation

Номер патента: US20230335178A1. Автор: Atul Katoch,Sergiy Romanovskyy. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Mram word line power control scheme

Номер патента: WO2014039571A1. Автор: Seung H. Kang,Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM,Matthew M. Nowak,Manoj Bhatnagar. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-03-13.

Loop dependent word line ramp start time for program verify of multi-level NAND memory

Номер патента: US11875043B1. Автор: Toru Miwa,Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-16.

Multiple word-line accessing and accessor

Номер патента: WO2003021602A2. Автор: Vivek De,Dinesh Somasekhar,Shih-Lien Lu. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2003-03-13.

Data Recovery in Three Dimensional Non-Volatile Memory Array After Word Line Short

Номер патента: US20170228299A1. Автор: Idan Alrod,Eran Sharon,Ofer Shapira. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-10.

Integrated circuit with asymmetric arrangements of memory arrays

Номер патента: US20230377623A1. Автор: Ching-Wei Wu,He-Zhou Wan,Xiu-Li Yang,Kuan Cheng. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Sensing for nand memory based on word line position

Номер патента: WO2012044635A2. Автор: Haibo Li. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2012-04-05.

Memory array with compensated word line access delay

Номер патента: US20240071456A1. Автор: John D. Porter,Si Hong Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor storage memory having a reference voltage generation circuit generating the word line voltage

Номер патента: US6181625B1. Автор: Kenji Hibino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-01-30.

Decoding drive circuit and method therefor, word line decoding circuit and semiconductor memory

Номер патента: US20230186970A1. Автор: Weibing SHANG,Minghao LI,Xianjun Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Bus structure, memory chip and integrated circuit

Номер патента: US20080181044A1. Автор: Christian Sichert,Rainer Bartenschlager,Jens Polney. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-07-31.

Integrated circuit memory devices having improved data masking capability

Номер патента: US5844848A. Автор: Il-Jae Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-12-01.

Integrated circuit for mirroring and amplifying a sensing current and operation method thereof

Номер патента: US09697904B2. Автор: Sung-Hoon AHN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20010046156A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Masayuki Miyazaki,Goichi Ono. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-11-29.

Memory integrated circuit with a page register/status memory capable of storing only a subset of row blocks of main column blocks

Номер патента: US20150380112A1. Автор: Chi Lo,Chun-Hsiung Hung,Shou-Nan Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-31.

Semiconductor memory integrated circuit

Номер патента: US20080198684A1. Автор: Tatsuya Sakamoto. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-08-21.

Circuit for and method of enabling the transfer of data by an integrated circuit

Номер патента: WO2013081683A1. Автор: Sanjay A. KULKARNI. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2013-06-06.

Partial good integrated circuit and method of testing same

Номер патента: US20080010571A1. Автор: Michael Ouellette,Pamela Gillis,Benjamin LYNCH,Carl Barnhart,Leonard Farnsworth,Michael Felske,Thomas St. Pierre,Tad Wilder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-10.

Optical disc recording and reproducing semiconductor integrated circuit and operating method thereof

Номер патента: US20120236699A1. Автор: Tomokazu Yokoyama,Misuzu Mochizuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-20.

Method for providing secure and trusted ASICs using 3D integration

Номер патента: US20080148073A1. Автор: Anastasios P. Goutzoulis,Harold Hasely Ball,Michael Robert Lucas. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2008-06-19.

Non-volatile memory with programmable resistance non-data word line

Номер патента: US12099728B2. Автор: Ravi Kumar,Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin,Towhidur Razzak. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory array configuration for shared word lines

Номер патента: US20240329840A1. Автор: Marcello Mariani,Daniele Vimercati,Giorgio Servalli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Method and device for detecting word line shorts in memory device

Номер патента: US20240202909A1. Автор: Wenlong Li,Zongliang Huo,Yanli Wang,Wenqi Wang,Jinxing Chen,Ban Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

IDDQ testing of integrated circuits

Номер патента: US5757816A. Автор: Waleed K. Al-Assadi,Anura P. Jayasumura,Yashwant K. Malaiya. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1998-05-26.

Read schemes with adjustment for neighboring word line sanitization

Номер патента: US20240143229A1. Автор: Ravi J. Kumar,Sujjatul Islam,Md Raquibuzzaman. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-02.

Circuits for and methods of processing data in an integrated circuit device

Номер патента: US09606572B2. Автор: Santosh Kumar Sood. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of managing independent word line read operation in flash memory and related memory controller and storage device

Номер патента: US20240192856A1. Автор: Tzu-Yi Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Seismic image orientation using 3d integration operations

Номер патента: US20180321403A1. Автор: Jinsong Wang,Saleh Al-Dossary. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2018-11-08.

Seismic image orientation using 3d integration operations

Номер патента: EP3619559A1. Автор: Jinsong Wang,Saleh Al-Dossary. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2020-03-11.

Method for testing through silicon vias in 3D integrated circuits

Номер патента: US09588174B1. Автор: Raphael Peter ROBERTAZZI. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Dynamically optimizing bus frequency of an inter-integrated circuit ('i2c') bus

Номер патента: US20150127963A1. Автор: Gregory D. Sellman,Michael Decesaris,Luke D. Remis,Steven C. Jacobson. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-05-07.

Dynamically optimizing bus frequency of an inter-integrated circuit (‘I2C’) bus

Номер патента: US09880607B2. Автор: Gregory D. Sellman,Michael Decesaris,Luke D. Remis,Steven C. Jacobson. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Monolithic 3D integrated circuit for gas sensing and method of making and system using

Номер патента: US12013367B2. Автор: Max SHULAKER,Mindy Deanna Bishop. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2024-06-18.

Performance matching in three-dimensional (3d) integrated circuit (ic) using back-bias compensation

Номер патента: US20180082007A1. Автор: Jeanne P. Bickford,Sudeep Mandal. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-22.

Automation methods for 3D integrated circuits and devices

Номер патента: US12093628B2. Автор: Zvi Or-Bach,Zeev Wurman. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Interconnect bridge assembly for photonic integrated circuits

Номер патента: US09389441B2. Автор: Jie Tang,Jiaming Zhang,Radhakrishnan L. Nagarajan,David Gerald Coult,Timothy Butrie,Joseph Edward Riska,Donald J. Pavinski, Jr.. Владелец: Infinera Corp. Дата публикации: 2016-07-12.

Methods and systems for computer aided design of 3d integrated circuits

Номер патента: WO2007014300A3. Автор: Lisa Mcilrath. Владелец: R3 Logic Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Method of transferring files between devices using 3d marker

Номер патента: RU2573242C2. Автор: Дмитрий Александрович Гертнер. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Лаборатория Эландис". Дата публикации: 2016-01-20.

Clock distribution load buffer for an integrated circuit

Номер патента: US6011441A. Автор: Uttam Shyamalindu Ghoshal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2000-01-04.

Design automation methods for 3d integrated circuits and devices

Номер патента: US20230325572A1. Автор: Zvi Or-Bach,Zeev Wurman. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

3d integrated circuit with enhanced debugging capability

Номер патента: US20240005074A1. Автор: Pongstorn Maidee. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Temperature margin setting method for 3d integrated circuit

Номер патента: US20230385497A1. Автор: Ki-Ok Kim,Jingon Lee,Mijeong Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Monolithic 3d integrated circuit for gas sensing and method of making and system using

Номер патента: US20230204536A1. Автор: Max SHULAKER,Mindy Deanna Bishop. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2023-06-29.

Method of detecting an integrated circuit in failure among integrated circuits, apparatus of doing the same, and recording medium storing program for doing the same

Номер патента: US20030093237A1. Автор: Kazuhiro Sakaguchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-05-15.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20150097593A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-04-09.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7733110B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-06-08.

Circuit layer for a card with integrated circuit

Номер патента: RU2725617C2. Автор: Финн Нильсен. Владелец: Кардлаб Апс. Дата публикации: 2020-07-03.

Method for measuring transient thermal characteristics of digital integrated circuits

Номер патента: RU2697028C2. Автор: Вячеслав Андреевич Сергеев,Виктор Васильевич Юдин,Ярослав Геннадьевич Тетенькин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2019-08-08.

Circuit configured to determine a test voltage suitable for very low voltage (vlv) testing in an integrated circuit

Номер патента: US20220057448A1. Автор: KUMAR ABHISHEK,Srikanth Jagannathan,Gayathri Bhagavatheeswaran. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Semiconductor integrated circuit device and electronic system mounted the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20130138943A1. Автор: Hiroshi Nakayama,Masahiro Nishio,Jin Takahashi,Junji Ichimiya,Shintaro Itozawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

Security system for at least an ic integrated circuit, securely integrated circuit card and method of secure wireless communication

Номер патента: EP2603881A1. Автор: Giovanni Girlando,Alberto Pagani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2013-06-19.

Integrated circuit with self-testing circuit

Номер патента: EP1472552A2. Автор: Friedrich Hapke. Владелец: Philips Intellectual Property and Standards GmbH. Дата публикации: 2004-11-03.

Integrated circuit device, electro optical device and electronic apparatus

Номер патента: US8462143B2. Автор: Akira Morita. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2013-06-11.

An integrated circuit arrangement with feature control

Номер патента: EP1399828A2. Автор: Neal T. Wingen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-03-24.

An integrated circuit arrangement with feature control

Номер патента: WO2002097638A3. Автор: Neal T Wingen. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2003-10-23.

An integrated circuit arrangement with feature control

Номер патента: WO2002097638A2. Автор: Neal T. Wingen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2002-12-05.

Failure prediction circuit and method, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7908538B2. Автор: Masayuki Mizuno,Koichi Nose,Toru Nakura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2011-03-15.

Method and apparatus for generating a solid state circuit layout with in-design variability associated to the setting of analog signal processing parameters, and an integrated circuit design and an integrated circuit produced by applying such method

Номер патента: US20040177329A1. Автор: Wolfdietrich Kasperkobitz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-09.

Test logic method for an integrated circuit device

Номер патента: EP4256356A1. Автор: Ovidiu SIMA. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2023-10-11.

Semiconductor integrated circuit, and semiconductor system including that semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7343547B2. Автор: Hisato Yoshida,Kimihiko Aiba,Yoichiro Mae. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-11.

Method of orthodontic treatment by direct arc method using 3d modeling and individual elements of bracket system for its implementation

Номер патента: RU2730969C1. Автор: Сергей Викторович Борзов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Ортосмайл". Дата публикации: 2020-08-26.

Method of using 3d model of left ventricular cavity (lv)

Номер патента: RU2580218C2. Автор: В.М. Фомин,Александр Михайлович Чернявский,Александр Михайлович Караськов,А.С. Садовский,А.Е. Медведев,К.А. Пархоменко,Мария Анатольевна Денисова,Владислав Петрович Курбатов,Юлия Евгеньевна Карева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Новосибирский научно-исследовательский институт патологии кровообращения имени академика Е.Н. Мешалкина" Минздрава Росси). Дата публикации: 2016-04-10.

Fuel line coupling system

Номер патента: US6527305B1. Автор: Kenneth Robert Smith. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-04.

The circuit of word-line driver and the supply method of source voltage in semiconductor integrated circuit

Номер патента: KR950009204B1. Автор: 배명호. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1995-08-16.

Power control of an integrated circuit memory

Номер патента: US20120002499A1. Автор: Chong Yew Keong,Kinkade Martin Jay,Yeung Gus. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

3d integrated circuit package and method of fabrication thereof

Номер патента: SG172704A1. Автор: Subhash Gupta,Sangki Hong. Владелец: Tezzaron Semiconductor S Pte Ltd. Дата публикации: 2011-07-28.

METHOD AND SYSTEM FOR ALIGNMENT OF INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20120001340A1. Автор: . Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

FREQUENCY SPECIFIC CLOSED LOOP FEEDBACK CONTROL OF INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20120001651A1. Автор: Burr James B.,Koniaris Kleanthes G.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Systems and Methods for Minimizing Static Leakage of an Integrated Circuit

Номер патента: US20120001684A1. Автор: Caplan Randy J.,Schwake Steven J.. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT WAFER DICING METHOD

Номер патента: US20120003817A1. Автор: Lin Ching-San,Wu Kun-Tai,Wang Chih-Chao. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE ELECTRODE AND GATE CONTACT PLUG LAYOUTS FOR INTEGRATED CIRCUIT FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20120001271A1. Автор: YAMADA Satoru,Chae Kyo-Suk,CHOI Young-Jin,Kim Wook-Je,HAN Sang-Yeon. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120001696A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

REPRODUCER, INTEGRATED CIRCUIT, REPRODUCTION METHOD, APPLICATION PROGRAM, RECORDING MEDIUM, RECORDER, AND RECORDING METHOD

Номер патента: US20120002949A1. Автор: Sasaki Taiji,Matsuura Yasuyuki,Kiyosawa Yuta,Matsumoto Tomohiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Packaging Electronic Devices and Integrated Circuits

Номер патента: US20120003791A1. Автор: . Владелец: WAFER-LEVEL PACKAGING PORTFOLIO LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for evaluating vertebral deformity with using 3d scanner complex

Номер патента: RU2445919C2. Автор: Александр Алексеевич Кулешов,Марчел Степанович Ветрилэ,Михаил Борисович Цыкунов,Сергей Владимирович Андреев. Владелец: Федеральное государственное учреждение Центральный научно-исследовательский институт травматологии и ортопедии имени Н.Н. Приорова Росмедтехнологий. Дата публикации: 2012-03-27.

Method for selecting integration circuits of increased reliability

Номер патента: RU2269790C1. Автор: Митрофан Иванович Горлов,нов Антон Викторович Емель,Антон Викторович Емельянов,Николай Николаевич Козьяков,Евгений Николаевич Горлов,ков Николай Николаевич Козь. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2006-02-10.

Method for producing multilevel thin-film integrated circuits

Номер патента: RU2264676C1. Автор: А.А. Штурмин,В.Г. Трудников,М.Б. Караулов,А.Б. Челноков. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Нижегородский Научно-Исследовательский Институт Радиотехники". Дата публикации: 2005-11-20.

Device to remove heat from crystal of semiconductor integrated circuit

Номер патента: RU2440641C1. Автор: Дмитрий Павлович Шматов,Игорь Геннадьевич Дроздов,Валерий Александрович Небольсин,Андрей Юрьевич Савинков,Дмитрий Альбертович Коновалов,Николай Николаевич Кожухов,Сергей Викторович Дахин. Владелец: Закрытое акционерное общество "Кодофон". Дата публикации: 2012-01-20.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.