Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Memory device with word lines and contact landing

Номер патента: WO2024178724A1
Опубликовано: 06-09-2024
Автор(ы): Di Wang, Wenxi Zhou, Zhong Zhang
Принадлежит: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Memory device with word lines and contact landing

Номер патента: US20240298443A1. Автор: Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Three-dimensional memory device containing etch stop structures for word line contacts and methods of employing the same

Номер патента: US20240251560A1. Автор: Hirofumi TOKITA,Toshiyuki Isome. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

Three-dimensional memory device with self-aligned word line contact via structures and method of making the same

Номер патента: WO2024118160A1. Автор: Koichi Matsuno,Kota Funayama. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240357823A1. Автор: Dae Sung EOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Three-dimensional memory device with reduced neighboring word line interference and methods of forming the same

Номер патента: US20240237344A1. Автор: Raghuveer S. Makala,Ramy Nashed Bassely SAID,Senaka Kanakamedala,Jiahui Yuan,Sarath Puthenthermadam,Longju LIU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Three-dimensional memory device with replacement select gate electrodes and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11968827B2. Автор: Tatsuya Hinoue. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-23.

Methods and apparatus for three-dimensional nand non-volatile memory devices with side source line and mechanical support

Номер патента: US20180006054A1. Автор: Jin Liu,Johann Alsmeier,Chun GE. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-04.

Methods and apparatus for three-dimensional NAND non-volatile memory devices with side source line and mechanical support

Номер патента: US09780112B2. Автор: Jin Liu,Johann Alsmeier,Chun GE. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20170278862A1. Автор: Hideaki Aochi,Jun Fujiki,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09876029B2. Автор: Hideaki Aochi,Jun Fujiki,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Three-dimensional memory device with self-aligned etch stop rings for a source contact layer and method of making the same

Номер патента: US12133388B2. Автор: Satoshi Shimizu,Koichi Matsuno,Kota Funayama. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-29.

Three-dimensional memory device including capped molybdenum word lines and method of making the same

Номер патента: US20230420370A1. Автор: Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Kartik SONDHI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180026044A1. Автор: Katsuaki Isobe,Tetsuaki Utsumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-25.

Three-dimensional memory device with self-aligned word line contact via structures and method of making the same

Номер патента: US20240178140A1. Автор: Koichi Matsuno,Kota Funayama. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor memory devices with electrically isolated stacked bit lines and methods of manufacture

Номер патента: US20230380310A1. Автор: Tung Ying Lee,Shao-Ming Yu,Kai-Tai Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor memory devices with electrically isolated stacked bit lines and methods of manufacture

Номер патента: US11849655B2. Автор: Tung Ying Lee,Shao-Ming Yu,Kai-Tai Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor memory device having the structure of word-lines to avoid short circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230096256A1. Автор: Junya Suzuki,Takashi Sasaki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Vertical NAND flash memory device

Номер патента: US09899406B2. Автор: Kyoung-hoon Kim,HongSoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Nonvolatile semiconductor memory device having word line hookup region with dummy word lines

Номер патента: US09620519B2. Автор: Hirofumi Inoue,Yasuyuki Baba,Kazuichi Komenaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Three-dimensional memory device with support structures in gate line slits and methods for forming the same

Номер патента: US20200395376A1. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Ping Yan,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Haohao YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20160260722A1. Автор: Hirofumi Inoue,Yasuyuki Baba,Kazuichi Komenaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Three-dimensional memory device with integrated contact and support structure and method of making the same

Номер патента: US20240276725A1. Автор: Koichi Matsuno,Senaka Kanakamedala,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-15.

3D NAND memory with decoder and local word line drivers

Номер патента: US09418743B1. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240215234A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Non-volatile memory device

Номер патента: US9773796B2. Автор: Jin-Kyu Kim,Chang Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Non-volatile memory device

Номер патента: US09773796B2. Автор: Jin-Kyu Kim,Chang Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Three-dimensional memory device with thickened word lines in terrace region and method of making thereof

Номер патента: US20190148392A1. Автор: Jin Liu,Yanli Zhang,Raghuveer S. Makala,Senaka Krishna Kanakamedala,Murshed CHOWDHURY,Yoshihiro Kanno. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-05-16.

Integration of word line switches with word line contact via structures

Номер патента: US09595535B1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Makoto Yoshida,Toru Miwa,Takuya Ariki,Kazutaka Yoshizawa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-14.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US12075621B2. Автор: LEI Liu,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Three-dimensional memory device with angled word lines and method of making thereof

Номер патента: US09905573B1. Автор: Akira Takahashi,Shogo Mada,Motoki Umeyama. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-02-27.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230282281A1. Автор: Junbao WANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor memory device having voids between word lines and a source line

Номер патента: US09728552B1. Автор: Atsushi Fukumoto,Hajime Nagano,Fumiki Aiso. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140301144A1. Автор: Hiroshi Maejima,Natsuki Sakaguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-09.

Memory device

Номер патента: US20240292621A1. Автор: Yugo Masuda,Takahito Nishimura,Shota URATANI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Three-dimensional memory device having parallel trench type capacitor and a method of manufacturing the three-dimensional memory device

Номер патента: US20220149052A1. Автор: Won Seok Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-12.

Three-dimensional memory device having parallel trench type capacitor

Номер патента: US11690233B2. Автор: Won Seok Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-06-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20070171701A1. Автор: Ryoutaka Kitou. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-07-26.

Contact formation for a memory device

Номер патента: US20240357837A1. Автор: ZHAO Zhao,Farrell M. Good,Nirav Vora,Kolya Yastrebenetsky,Darwin A. Clampitt,Stephen W. Russell,Steven P. Turini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor memory device including ferroelectric memory formed using ferroelectric capacitor

Номер патента: US20030185086A1. Автор: Daisaburo Takashima,Katsuhiko Hoya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-02.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887354B2. Автор: Jin-Woo Lee,Ji-Hyun Jeong,Gwan-Hyeob Koh,Dae-Hwan Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Memory device

Номер патента: US20190148456A1. Автор: Jin-Woo Lee,Dong-ho Ahn,Hideki Horii,Jeong-hee Park,Zhe Wu,Soon-Oh Park,Dong-Jun Seong,Seol Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor memory device and driving method for the same

Номер патента: US7948800B2. Автор: Keita Takahashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-05-24.

Semiconductor memory device and driving method for the same

Номер патента: US20090185427A1. Автор: Keita Takahashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-07-23.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100230742A1. Автор: Yukihiro Yamashita. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Non-volatile memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20040037147A1. Автор: Chien-Hung Liu,Tung-Cheng Kuo,Shyi-Shuh Pan,Shou-Wei Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-26.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030011025A1. Автор: Naoki Tsuji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-16.

Stairless three-dimensional memory device and method of making thereof by forming replacement word lines through memory openings

Номер патента: WO2024118177A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Koichi Matsuno,Takaaki IWAI,Naohiro Hosoda,Takayuki MAEKURA,Kazuki ISOZUMI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-06.

Process for fabricating electrically alterable floating gate memory devices

Номер патента: US4780424A. Автор: Simon M. Tam,Mark A. Holler. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1988-10-25.

Three-dimensional memory device with word line side-contact via structures and methods for forming the same

Номер патента: WO2024123476A1. Автор: Masanori Tsutsumi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240315002A1. Автор: Kwang-Ho Park,Seungjae Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240251544A1. Автор: Ilyoung Yoon,Sangjun Park,Kijong Park,Sungjoo An,Seungmin SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory device, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US11737287B2. Автор: Yu-Chao Lin,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Dynamic random access memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240224493A1. Автор: Wen-Yueh Chang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240315013A1. Автор: Seok Han PARK,Jin Woo Han,Ki Seok Lee,Hyun Geun Choi,Bo Won YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory device, method of manufacturing memory device, and electronic apparatus including memory device

Номер патента: US20240365534A1. Автор: Jun Luo,Huilong Zhu,Tianchun Ye. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240334682A1. Автор: Seok Han PARK,Jin Woo Han,Ki Seok Lee,Hyun Geun Choi,Bo Won YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Methods of fabricating memory devices

Номер патента: US9172039B2. Автор: Masayuki Terai,In-Gyu Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-27.

Three-dimensional memory device with word line side-contact via structures and methods for forming the same

Номер патента: US20240186237A1. Автор: Masanori Tsutsumi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-06.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8999745B2. Автор: Il Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-07.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20140166964A1. Автор: Il Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-19.

Ferroelectric memory device and method of making the same

Номер патента: US20030087480A1. Автор: Hee Kang. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-08.

Memory cell array structure having bit line for reducing signal resistance, memory device including the same, and method of forming the same

Номер патента: US20240196629A1. Автор: Bipul C. Paul,Sandeep Puri,Venkatesh Periyapatna Gopinath. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Three-dimensional memory device with backside word line contact via structures and methods of forming the same

Номер патента: US20240321742A1. Автор: Li Li,Takashi Inomata. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-26.

Three dimensional non-volatile memory device

Номер патента: US20240306398A1. Автор: Yukio Hayakawa,Yongseok Kim,Bongyong Lee,Minjun LEE,Siyeon Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory device for reducing thermal crosstalk

Номер патента: US20240244850A1. Автор: Yuan-Tai Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240251545A1. Автор: Jin-Seong Park,Seung Hee Lee,Dong-Gyu Kim,Tae Won Kim,Yu Rim KIM,Yong-Suk Tak,Dong-Hyeon Lee. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-07-25.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20150179929A1. Автор: Il Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Semiconductor memory device and method for forming semiconductor memory device

Номер патента: US20240268097A1. Автор: PENG Guo,Yuanbao WANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US09640758B2. Автор: Il Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor memory devices having contact plugs

Номер патента: US20240206157A1. Автор: Wonchul Lee,Dongsoo Woo,Hyejin Seong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12048143B2. Автор: Hyunyong KIM,Jiyoung Ahn,Yoonyoung CHOI,Yongseok AHN,Joonkyu Rhee,Ju Hyung We,Minsub UM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor Memory Device Having Auxiliary Conduction Region Of Deduced Area

Номер патента: US20020175349A1. Автор: Yoshinao Morikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-11-28.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US20060028856A1. Автор: Kinya Ashikaga. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-09.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US6972980B2. Автор: Kinya Ashikaga. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-06.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US20050098810A1. Автор: Kinya Ashikaga. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-12.

Semiconductor-element-including memory device

Номер патента: US20240292593A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada,Masakazu Kakumu. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory devices with reduced bit line capacitance and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240371412A1. Автор: Yen-Huei Chen,Yuichiro Ishii,Chih-Yu Lin,Koji Nii,Makoto Yabuuchi,Hidehiro Fujiwara,Masaya Hamada. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240373653A1. Автор: Yu-Ming Lin,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12114513B2. Автор: Yu-Ming Lin,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Concave word line and convex interlayer dielectric for protecting a read/write layer

Номер патента: US09666799B2. Автор: CHENG Feng,Steven J. Radigan,Eiji Hayashi,Akira Nakada,Michiaki Sano,Naohito Yanagida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-30.

Magnetic Memory Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20080157239A1. Автор: Song Hee Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Vertical 3d memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210225938A1. Автор: Corrado Villa,Paolo Tessariol,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Vertical 3D memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11158673B2. Автор: Corrado Villa,Paolo Tessariol,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-26.

Memory device, integrated circuit and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240357805A1. Автор: Te-Hsun Hsu. Владелец: Ipcell Corp Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Non-volatile memory device containing oxygen-scavenging material portions and method of making thereof

Номер патента: US09812505B2. Автор: Yukihiro Sakotsubo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-11-07.

Concave word line and convex interlayer dielectric for protecting a read/write layer

Номер патента: US09620712B2. Автор: Eiji Hayashi,Akira Nakada,Michiaki Sano,Naohito Yanagida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-11.

Fully isolated selector for memory device

Номер патента: US09437658B2. Автор: Yukihiro Sakotsubo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-06.

Memory device

Номер патента: US09406721B1. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Three-dimensional memory device with word-line etch stop liners and method of making thereof

Номер патента: WO2023086126A1. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-05-19.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160284410A1. Автор: Yeonghun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240237348A1. Автор: Hwayeong LEE,Seulji SONG,Hunmo Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230320080A1. Автор: Woojin JEONG,Hui-jung Kim,Junhyeok Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240292602A1. Автор: Sang Ho Lee,Moon Young Jeong,Yoon Gi HONG,Dong Soo WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Processing methods of forming integrated circuitry memory devices, methods of forming DRAM arrays, and related semiconductor masks

Номер патента: US20010051409A1. Автор: Kris Brown. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-13.

Processing methods of forming integrated circuitry memory devices, methods of forming DRAM arrays, and related semiconductor masks

Номер патента: US20030003654A1. Автор: Kris Brown. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240292598A1. Автор: Jihoon Kim,Suncheul KIM,Taeyeon KWON,Younjae CHO,Hongsung MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240334677A1. Автор: Sangho Lee,Moonyoung JEONG,Yoongi Hong,Ilgweon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240224494A1. Автор: Kyunghwan Lee,Yongseok Kim,Huijung Kim,Minhee Cho,Sungwon Yoo,Ilgweon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240196593A1. Автор: Sangho Lee,Moonyoung JEONG,Yoongi Hong,Hyungjun NOH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US5177575A. Автор: Yutaka Ikeda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-01-05.

Memory device using semiconductor element

Номер патента: US20240196591A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada,Masakazu Kakumu. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Phase-change random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120326112A1. Автор: Jang Uk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-27.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240292594A1. Автор: Sanghyun Lee,Dongjun Lee,Jinwoo Han,Kiseok LEE,Sung-Min Park,Seokhan Park,Iljae Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device having bit lines and isolation fins disposed on the substrate

Номер патента: US12114487B2. Автор: Yu-Cheng Tung,Li-Wei Feng,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240349490A1. Автор: Hyungki CHO,Huije Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

3d semiconductor memory devices and structures with memory cells

Номер патента: US20240260262A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240365531A1. Автор: Sangho Lee,Taejin Park,Hui-jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US12058850B2. Автор: Sangho Lee,Taejin Park,Hui-jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Self-aligned flash memory device

Номер патента: US09978761B2. Автор: Ming-Chyi Liu,Shih-Chang Liu,Sheng-Chieh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230084694A1. Автор: Chanmi LEE,Sangwuk PARK,Sanggyo Chung,Yejeong Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor memory device having stacked word lines and conductive pillar

Номер патента: US09634064B2. Автор: Shigeki Kobayashi,Takeshi Yamaguchi,Masaki Yamato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20210066333A1. Автор: Zhiliang Xia,Fandong LIU,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Memory device having buried source/drain region and fabrication thereof

Номер патента: US20030199142A1. Автор: Shui-Chin Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-23.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20240357800A1. Автор: Sangho Lee,Moonyoung JEONG,Yoongi Hong,SiHyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8294189B2. Автор: Hou-Hong Chou,Chien-Sung Chu. Владелец: Inotera Memories Inc. Дата публикации: 2012-10-23.

Memory device and method for making same

Номер патента: US12144182B2. Автор: Sheng-Chih Lai,Hung-Chang Sun,Yu-Wei Jiang,Kuo-Chang Chiang,TsuChing Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Phase change memory device capable of satisfying reset current characteristic and contact resistance characteristic

Номер патента: US20100117044A1. Автор: Hye Jin Seo,Keum Bum Lee,Hyung Suk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-05-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240341083A1. Автор: Jae Hyun Choi,Junsoo Kim,Jun-Bum LEE,Jihye Kwon,Hyun Seung CHOI,Dongsik Kong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Device fabrication method for a non-volatile memory device used for non-overlapping implant

Номер патента: US6300200B1. Автор: Ching-Yu Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2001-10-09.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240244831A1. Автор: Yongjin Lee,Min Hee Cho,Sanghoon Uhm,Younggeun SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Non-volatile memory device used for non-overlapping implant and device fabricating method

Номер патента: US20020053708A1. Автор: Ching-Yu Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240315045A1. Автор: Jungmin Park,HyungSuk Jung,Ji-Sung Kim,Hanjin Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Non-volatile memory device and methods for fabricating the same

Номер патента: US09812641B2. Автор: Hsiu-Han Liao,Ting-Ying SHEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Memory device having ultra-lightly doped region and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240196597A1. Автор: Chung-Lin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory device having ultra-lightly doped region

Номер патента: US20240196595A1. Автор: Chung-Lin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Phase-change memory devices

Номер патента: US20240276892A1. Автор: Tung Ying Lee,yu chao Lin,Shao-Ming Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Three-dimensional nonvolatile memory device

Номер патента: US09496273B2. Автор: Yoo Nam Jeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Vertical memory device with a double word line structure

Номер патента: US12131774B2. Автор: Seung-Hwan Kim,Su-Ock Chung,Seon-Yong Cha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Memory device including a ferroelectric semiconductor channel and methods of forming the same

Номер патента: US12127410B2. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-22.

Three-dimensional memory device with self-aligned word line contact via structures and method of making the same

Номер патента: US20240237354A1. Автор: Koichi Matsuno,Senaka Kanakamedala,Kartik SONDHI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Three-dimensional memory device with self-aligned word line contact via structures and method of making the same

Номер патента: US20240179916A1. Автор: Koichi Matsuno,Kota Funayama. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-30.

Electromechanical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20100165737A1. Автор: Dong-won Kim,Sung-Young Lee,Eunjung Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-01.

Resistive three-dimensional memory device with heterostructure semiconductor local bit line and method of making thereof

Номер патента: US09818801B1. Автор: Peter Rabkin,Christopher J. Petti,Masaaki Higashitani,Perumal Ratnam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-11-14.

Three-dimensional memory device with divided drain select gate lines and method for forming the same

Номер патента: WO2023108330A1. Автор: Yan Gu,Zhiliang Xia,Di Wang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-06-22.

Memory device, semiconductor die, and method of fabricating the same

Номер патента: US20230065769A1. Автор: Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory device, semiconductor die, and method of fabricating the same

Номер патента: US20240282770A1. Автор: Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor memory device and method for biasing same

Номер патента: US09559216B2. Автор: Timothy Thurgate,Michael A. Van Buskirk,Srinivasa Rao Banna. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Techniques for providing a semiconductor memory device

Номер патента: WO2012170409A2. Автор: Timothy Thurgate,Michael A. Van Buskirk,Srinivasa R. Banna. Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-12-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230397430A1. Автор: Kyunghwan Lee,Yongseok Kim,Kiseok LEE,Hyuncheol Kim,Keunnam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240357801A1. Автор: Jinwoo Han,Moonyoung JEONG,Kiseok LEE,Hanjin Lim,Seokhan Park,Keunnam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP4451821A1. Автор: Jinwoo Han,Moonyoung JEONG,Kiseok LEE,Hanjin Lim,Seokhan Park,Keunnam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20120147687A1. Автор: Toshiaki Douzaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

Ferroelectric memory device containing word lines and pass gates and method of forming the same

Номер патента: US20200411554A1. Автор: Yanli Zhang,Johann Alsmeier. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-12-31.

Methods of manufacturing semiconductor devices with improved metal gate fill-in for vertical memory cell and devices thereof

Номер патента: US09627220B1. Автор: Chih-Yuan Wu,Chun-Min Cheng,Jung-Yi Guo,Jr-Meng Wang,Kuanf-Wen Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Three-dimensional memory device with divided drain select gate lines and method for forming the same

Номер патента: EP4218056A1. Автор: Yan Gu,Zhiliang Xia,Di Wang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-02.

Three-dimensional memory device containing horizontal and vertical word line interconnections and methods of forming the same

Номер патента: WO2021158252A1. Автор: Koichi Ito,Yoshinobu Tanaka,Hirofumi TOKITA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-08-12.

Three-dimensional memory device having bonding structures connected to bit lines and methods of making the same

Номер патента: WO2020040838A1. Автор: Yan Li,Jian Chen,Johann Alsmeier,Tae-Kyung Kim,Jixin Yu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-02-27.

Three dimensional nand device with channel contacting conductive source line and method of making thereof

Номер патента: WO2015200021A1. Автор: Yanli Zhang,Johann Alsmeier,Yingda Dong,Jayavel Pachamuthu,Jiahui Yuan,Go SHOJI. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2015-12-30.

Three dimensional NAND device with channel contacting conductive source line and method of making thereof

Номер патента: US09748267B2. Автор: Yanli Zhang,Johann Alsmeier,Yingda Dong,Jayavel Pachamuthu,Jiahui Yuan,Go SHOJI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-29.

Three dimensional NAND device with channel contacting conductive source line and method of making thereof

Номер патента: US09455263B2. Автор: Yanli Zhang,Johann Alsmeier,Yingda Dong,Jayavel Pachamuthu,Jiahui Yuan,Go SHOJI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device with air gap between bit line and capacitor contact and method for forming the same

Номер патента: US20220262802A1. Автор: Cheng-Hsiang Fan. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Three dimensional nand device with channel contacting conductive source line and method of making thereof

Номер патента: EP3161868A1. Автор: Yanli Zhang,Johann Alsmeier,Yingda Dong,Jayavel Pachamuthu,Jiahui Yuan,Go SHOJI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-03.

Three dimensional nand device with channel contacting conductive source line and method of making thereof

Номер патента: US20160372482A1. Автор: Yanli Zhang,Johann Alsmeier,Yingda Dong,Jayavel Pachamuthu,Jiahui Yuan,Go SHOJI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-22.

Semiconductor memory device and erasing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210327805A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Nonvolatile memory devices and methods forming the same

Номер патента: US09754957B2. Автор: Changhyun LEE,Byoungkeun Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Non-volatile memory device

Номер патента: US12131784B2. Автор: Sangwon Park,Byungsoo Kim,Bongsoon LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180090220A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Hiroe MINAGAWA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-29.

Memory device, integrated circuit device and method

Номер патента: US12080346B2. Автор: JEN-CHIEH LIU,Meng-Fan Chang,Jui-Jen Wu,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Resistive memory device including reference cell to compensate for a leakage current

Номер патента: USRE50133E1. Автор: Artur ANTONYAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12125542B2. Автор: Takao Nakajima,Tadashi Someya,Masaki Fujiu,Fumihiro Kono,Kiyoaki Iwasa,Hayato Konno,Wataru Moriyama. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230206975A1. Автор: Jihun Byun,Yongjae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-29.

3-D non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9112044B2. Автор: Ki Hong Lee,Sung Jin Whang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-08-18.

3-d non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150311209A1. Автор: Ki Hong Lee,Sung Jin Whang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-29.

3-D non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09515074B2. Автор: Ki Hong Lee,Sung Jin Whang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Amorphous silicon layer in memory device which reduces neighboring word line interference

Номер патента: US09859298B1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-02.

Reducing neighboring word line in interference using low-k oxide

Номер патента: US09831118B1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Jayavel Pachamuthu,Ching-Huang Lu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-11-28.

Low power memory device with column and row line switches for specific memory cells

Номер патента: US20200194046A1. Автор: Chih-Cheng Hsiao. Владелец: Chih-Cheng Hsiao. Дата публикации: 2020-06-18.

Memory device with reduced area

Номер патента: US20240257877A1. Автор: Chia-En HUANG,Chun-Ying Lee,Chieh Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Dynamic random access memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240224509A1. Автор: Wen-Yueh Chang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Magnetic memory device

Номер патента: US12035540B2. Автор: Kangho Lee,JungHyuk Lee,Yoonjong Song,BoYoung Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Neighboring word line program disturb countermeasure for charge-trapping memory

Номер патента: US09552251B2. Автор: Jian Chen,Yingda Dong,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor memory device and erasing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US11804429B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Memory device with air gaps for reducing capacitive coupling

Номер патента: US20210407908A1. Автор: Chih-Wei Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-12-30.

Memory device with multiple layers

Номер патента: US10950617B2. Автор: Hideto Takekida. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-03-16.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20110286262A1. Автор: Makoto Kitayama. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-11-24.

Vertical memory device with gate lines at the same level connected

Номер патента: US09640549B2. Автор: Chang-Hyun Lee,Seok-Won Lee,Joon-Hee Lee,Dong-Seog Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Nonvolatile memory devices and methods forming the same

Номер патента: US20150214243A1. Автор: Changhyun LEE,Byoungkeun Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-30.

Nonvolatile memory devices and methods forming the same

Номер патента: US20140104945A1. Автор: Changhyun LEE,Byoungkeun Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-17.

Nonvolatile memory devices and methods forming the same

Номер патента: US20180019258A1. Автор: Changhyun LEE,Byoungkeun Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-18.

Semiconductor memory device having variable resistance elements provided at intersections of wiring lines

Номер патента: US09812502B2. Автор: Takuya Konno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Vertical memory device

Номер патента: US11830805B2. Автор: Bongsoon LIM,Dongha Shin,Jeawon JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor memory device and its manufacturing method

Номер патента: US20110084277A1. Автор: Nobuyoshi Takahashi,Koichi Kawashima,Yuichiro Higuchi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-04-14.

Sub word line driver of semiconductor memory device

Номер патента: US20180182448A1. Автор: Young Min Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20160322369A1. Автор: Noboru Shibata,Hiroshi Sukegawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

Memory device with different types of capacitors and method for forming the same

Номер патента: US20220157821A1. Автор: Jung-Hsing Chien. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Memory device, integrated circuit device and method

Номер патента: US20230377645A1. Автор: JEN-CHIEH LIU,Meng-Fan Chang,Jui-Jen Wu,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20140204653A1. Автор: Toshiharu Watanabe,Yoshiaki Asao. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-07-24.

Amorphous silicon layer in memory device which reduces neighboring word line interference

Номер патента: WO2017222605A1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-12-28.

Phase-change memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20100019217A1. Автор: Woo-Yeong Cho,Chang-Soo Lee,Byung-Gil Choi,Du-Eung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-28.

Three dimension memory device

Номер патента: US20230082248A1. Автор: Teng-Hao Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor memory device including a dummy word line

Номер патента: US20180182722A1. Автор: Sung Ho Kim,Young Min Kim,Sung Soo Chi,Duk Su Chun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Memory device with reduced area

Номер патента: US20230386577A1. Автор: Chia-En HUANG,Chun-Ying Lee,Chieh Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Memory device with reduced area

Номер патента: US11984165B2. Автор: Chia-En HUANG,Chun-Ying Lee,Chieh Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Non-volatile memory device having 3D memory cell array with improved wordline and contact layout

Номер патента: US9190150B2. Автор: Keishi Sakanushi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-11-17.

THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE INCLUDING LINER FREE MOLYBDENUM WORD LINES AND METHODS OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20200051993A1. Автор: Rabkin Peter,Higashitani Masaaki,Makala Raghuveer S.. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-13.

THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE CONTAINING PLURAL WORK FUNCTION WORD LINES AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20210183882A1. Автор: Zhang Peng,Zhao Wei,Zhang Yanli,Makala Raghuveer S.,Baraskar Ashish,MOON Dong-il. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-17.

THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE CONTAINING PLURAL WORK FUNCTION WORD LINES AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20210183883A1. Автор: Zhang Peng,Zhao Wei,Zhang Yanli,Makala Raghuveer S.,Baraskar Ashish,MOON Dong-il. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-17.

THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE INCLUDING LINER FREE MOLYBDENUM WORD LINES AND METHODS OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20200295039A1. Автор: Rabkin Peter,Higashitani Masaaki,Makala Raghuveer S.. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220336531A1. Автор: Takuya Konno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180047786A1. Автор: Takuya Konno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10115771B2. Автор: Takuya Konno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-10-30.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190259813A1. Автор: Takuya Konno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-08-22.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10325957B2. Автор: Takuya Konno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-06-18.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200227480A1. Автор: Takuya Konno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190035852A1. Автор: Takuya Konno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-01-31.

THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE CONTAINING A POLYGONAL LATTICE OF SUPPORT PILLAR STRUCTURES AND CONTACT VIA STRUCTURES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200303398A1. Автор: OTSU Yoshitaka,Nagata Koichiro,Kanazawa Junpei. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-24.

THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE CONTAINING HORIZONTAL AND VERTICAL WORD LINE INTERCONNECTIONS AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20210057336A1. Автор: TOKITA Hirofumi,Toyama Fumiaki,KIM Jee-Yeon,SHAO Shiqian. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-25.

THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE CONTAINING HORIZONTAL AND VERTICAL WORD LINE INTERCONNECTIONS AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20210242128A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,ITO Koichi,TOKITA Hirofumi. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-05.

THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE WITH STRADDLING DRAIN SELECT ELECTRODE LINES AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20190067025A1. Автор: SAKAKIBARA Kiyohiko,YADA Shinsuke,SAI Akihisa. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

Three-dimensional memory device with divided drain select gate lines and method for forming the same

Номер патента: EP4218056A4. Автор: Yan Gu,Zhiliang Xia,Di Wang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-04.

Low resistivity dram buried word line stack

Номер патента: US20230141748A1. Автор: Yong Yang,Srinivas Gandikota,Joung Joo Lee,Seshadri Ganguli,Annamalai Lakshmanan,Jacqueline S. Wrench,Yixiong Yang,Feihu Wang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-05-11.

Low resistivity DRAM buried word line stack

Номер патента: US12022650B2. Автор: Yong Yang,Srinivas Gandikota,Joung Joo Lee,Seshadri Ganguli,Annamalai Lakshmanan,Jacqueline S. Wrench,Yixiong Yang,Feihu Wang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Three-dimensional memory device having bonding structures connected to bit lines and methods of making the same

Номер патента: US20200066745A1. Автор: Yan Li,Jian Chen,Johann Alsmeier,Tae-Kyung Kim,Jixin Yu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-02-27.

Three-dimensional memory device having bonding structures connected to bit lines and methods of making the same

Номер патента: US20200295029A1. Автор: Yan Li,Jian Chen,Johann Alsmeier,Tae-Kyung Kim,Jixin Yu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-09-17.

Non-volatile memory devices having air gaps on common source lines and methods of fabricating the same

Номер патента: KR20120020550A. Автор: 신현철,송준의,유환배,유다훈. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2012-03-08.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE WITH SHIELD LINES ON DATA LINES AND THIN FILM TRANSISTOR COMPONENTS

Номер патента: US20130084683A1. Автор: LEE Seok Woo,Park Yung In. Владелец: LG DISPLAY CO., LTD.. Дата публикации: 2013-04-04.

THREE DIMENSIONAL NAND DEVICE WITH CHANNEL CONTACTING CONDUCTIVE SOURCE LINE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20160372482A1. Автор: Alsmeier Johann,Zhang Yanli,Dong Yingda,PACHAMUTHU Jayavel,Yuan Jiahui,SHOJI Go. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-22.

THREE DIMENSIONAL NAND DEVICE WITH CHANNEL CONTACTING CONDUCTIVE SOURCE LINE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20150380418A1. Автор: Alsmeier Johann,Zhang Yanli,Dong Yingda,PACHAMUTHU Jayavel,Yuan Jiahui,SHOJI Go. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-31.

Waveguide transition device with dual step end coaxial line and microwave circuit comprising such a device.

Номер патента: FR2531575A1. Автор: Jacky Tourneur,Brigitte Thifinau. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1984-02-10.

Nonvolatile memory device and method of driving word line of the nonvolatile memory

Номер патента: US09779790B2. Автор: Kitae Park,Sang-Won Park,Sang-Won Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Nonvolatile memory device and method of driving word line of the nonvolatile memory

Номер патента: US09431062B2. Автор: Kitae Park,Sang-Won Park,Sang-Won Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor memory device having memory strings coupled to bit lines and operating method thereof

Номер патента: US09899093B2. Автор: Jong Won Lee,Jin Su Park,Hyun Su WOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Non-volatile semiconductor memory device for selectively re-checking word lines

Номер патента: US20030012052A1. Автор: Toshihiro Tanaka,Yutaka Shinagawa,Yasuhiro Taniguchi,Kazuyoshi Shiba,Nozomu Matsuzaki. Владелец: HITACHI Ltd AND HITACHI ULSI SYSTEMS CO Ltd. Дата публикации: 2003-01-16.

Integrated circuit including embedded memory device for performing dual-transient word line assist using triple power source and device having the same

Номер патента: US20170194047A1. Автор: Sung Hyun Park,Yong Ho Kim,Tae Joong Song,Woojin Rim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-06.

Nonvolatile semiconductor memory device and a method of word lines thereof

Номер патента: US7313027B2. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-12-25.

Memory device capable of repairing defective word lines

Номер патента: US20230079020A1. Автор: Sangho Shin,Kan-Yuan Cheng,Hee-Seong KIM,Tien-Chieh Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-03-16.

Self-aligned flash memory device with word line having reduced height at outer edge opposite to gate stack

Номер патента: US09646978B2. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Three-dimensional memory device with word lines extending through sub-arrays, semiconductor device including the same and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230345732A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Phase change memory device with voltage control elements

Номер патента: US09525007B2. Автор: Fabio Pellizzer,Antonino Rigano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor memory device and electric device with the same

Номер патента: US20050105335A1. Автор: Riichiro Shirota,Masayuki Ichige,Kikuko Sugimae,Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-05-19.

NAND flash memory device with oblique architecture and memory cell array

Номер патента: US09613702B1. Автор: Kuan-Fu Chen,Ya-Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor memory devices with diode-connected mos

Номер патента: US20240249784A1. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh,Chia-En HUANG,Tung-Cheng Chang,Chun-Ying Lee,Gu-Huan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Fin field-effect transistor static random access memory devices with p-channel metal-oxide-semiconductor pass gate transistors

Номер патента: US20160133634A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-05-12.

Fin field-effect transistor static random access memory devices with p-channel metal-oxide-semiconductor pass gate transistors

Номер патента: WO2016022212A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-02-11.

Memory device with increased electrode resistance to reduce transient selection current

Номер патента: US20210151672A1. Автор: John Gorman,Fabio Pellizzer,Andrea Redaelli,Davide Mantegazza,Iniyan Soundappa Elango,Srivatsan Venkatesan,Davide Fugazza. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Nonvolatile memory device, storage device including nonvolatile memory device, and operating method of storage device

Номер патента: US20240321366A1. Автор: Kun-Woo Song,Jonghwa Kim,Kyungyong Jeoung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Nor-type memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200343260A1. Автор: Chen-Chih WANG,Li-Wei Ho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-10-29.

NOR-type memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11049874B2. Автор: Chen-Chih WANG,Li-Wei Ho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-06-29.

Semiconductor memory devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20230165005A1. Автор: Seong-hun Jeong,Joon Sung Kim,Byoung Il Lee,Jun Eon Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-25.

Sram device including buried bit line and buried word line using backside metal

Номер патента: US20240321344A1. Автор: Tae-hyung Kim,Ji-Hyun Choi,Eo Jin LEE,Ho Young TANG,Yu Tak Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Sram device including buried bit line and buried word line using backside metal

Номер патента: EP4436327A2. Автор: Tae-hyung Kim,Ji-Hyun Choi,Eo Jin LEE,Ho Young TANG,Yu Tak Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-25.

Memory device through use of semiconductor device

Номер патента: US12108589B2. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor memory devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US12058863B2. Автор: Seong-hun Jeong,Joon Sung Kim,Byoung Il Lee,Jun Eon Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Vertical memory devices, memory arrays, and memory devices

Номер патента: US09559201B2. Автор: Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Memory device including semiconductor element

Номер патента: US20240206150A1. Автор: Koji Sakui,Yoshihisa Iwata,Nozomu Harada,Masakazu Kakumu. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Non-volatile memory device and method for programming a non-volatile memory device

Номер патента: US20240145016A1. Автор: Junyong PARK,Sungmin JOE,Byungsoo Kim,Hyunggon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Non-volatile memory device and method of operation thereof

Номер патента: US20230170028A1. Автор: Jae Hun Lee,Yong Kyu Lee,Chang Min Jeon,Hyun Ik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-01.

Memory device with data mergers and aligner

Номер патента: US12002538B2. Автор: Seung Moon Yoo,Min Chul JUNG,Young Seung KIM. Владелец: Metacni Co ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09997248B2. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Memory device for adjusting magnitude of signal used to precharge bit line according to position of plug hole and operating method thereof

Номер патента: US12014782B2. Автор: Jung Hyeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Ferroelectric tunnel junction memory device with integrated ovonic threshold switches and methods of making the same

Номер патента: WO2021141616A1. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Seung-Yeul Yang,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-07-15.

Memory devices having low permittivity layers and methods of fabricating the same

Номер патента: US9362340B2. Автор: Masayuki Terai,Jung-Moo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-06-07.

High-density flash memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190371804A1. Автор: Hang-Ting Lue,Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Non-volatile memory device and method for programming the same using multiple program operations under different conditions

Номер патента: US11901021B2. Автор: Junyong PARK,Sungmin JOE,Byungsoo Kim,Hyunggon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Devices and methods for preventing errors and detecting faults within a memory device

Номер патента: US11769567B2. Автор: Jehoda Refaeli,Glenn Charles Abeln,Jorge Arturo Corso Sarmiento. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Method for manufacturing a magnetic memory device

Номер патента: US7211511B2. Автор: Hiroshi Horikoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-05-01.

Method for forming a split-gate flash memory cell device with a low power logic device

Номер патента: US20160365350A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-15.

Memory device and method of fabricating memory device

Номер патента: US20240282395A1. Автор: Jungpil LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor memory device and arrangement method thereof

Номер патента: US20080013357A1. Автор: Chul-woo Park,Sung-Hoon Kim,Jung-Bae Lee,Hyuk-joon Kwon,Youn-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-17.

Memory device, a memory system and an operation method

Номер патента: US20240345728A1. Автор: Ying Huang,Hongtao Liu,Ke Liang,Ling Chu,Zhipeng DONG,Manxi Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Socket design for a memory device

Номер патента: US20240347107A1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Amitava Majumdar,Radhakrishna Kotti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Through-memory-level via structures for a three-dimensional memory device

Номер патента: US09818759B2. Автор: Jin Liu,Hiroyuki Ogawa,James Kai,Johann Alsmeier,Jixin Yu,Yoko Furihata. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-11-14.

Through-memory-level via structures for a three-dimensional memory device

Номер патента: US09818693B2. Автор: Jin Liu,Hiroyuki Ogawa,James Kai,Johann Alsmeier,Fumiaki TOYAMA,Yuki Mizutani,Jixin Yu,Yoko Furihata. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-11-14.

Through-memory-level via structures for a three-dimensional memory device

Номер патента: US09806093B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Fumiaki TOYAMA,Yuki Mizutani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for forming a split-gate flash memory cell device with a low power logic device

Номер патента: US09741728B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Improved vertical 3d memory device and accessing method

Номер патента: US20240237358A1. Автор: Corrado Villa,Efrem Bolandrina,Paolo Fantini,Stefan Frederik Schippers. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory device that stores number of activation times of word lines

Номер патента: US12040008B2. Автор: Seong-Jin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Non-volatile memory device, storage device having the same, and reading method thereof

Номер патента: US20210272627A1. Автор: Kitaek LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-02.

Semiconductor memory device and arrangement method thereof

Номер патента: US20080013397A1. Автор: Chul-woo Park,Sung-Hoon Kim,Jung-Bae Lee,Hyuk-joon Kwon,Youn-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-17.

Semiconductor memory device and arrangement method thereof

Номер патента: US7679985B2. Автор: Chul-woo Park,Sung-Hoon Kim,Jung-Bae Lee,Hyuk-joon Kwon,Youn-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-03-16.

Nonvolatile memory device and method of operating nonvolatile memory device

Номер патента: EP4184512A1. Автор: Sangwan Nam,Bongsoon LIM,Hongsoo Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-24.

Memory device and a method for forming the memory device

Номер патента: US20210043637A1. Автор: Bin Liu,Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Memory device capable of performing in-memory computing

Номер патента: US20240304232A1. Автор: Shu-Sen Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Electromechanical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US7705372B2. Автор: Dong-won Kim,Sung-Young Lee,Eunjung Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-04-27.

Data recovery method for memory device

Номер патента: US20240136009A1. Автор: Wen-Jer Tsai,You-Liang CHOU. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Data recovery method for memory device

Номер патента: US20240233856A9. Автор: Wen-Jer Tsai,You-Liang CHOU. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140098612A1. Автор: Koji Hosono,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-04-10.

Nonvolatile memory device including memory cell array with upper and lower word line groups

Номер патента: US20120268988A1. Автор: Changkyu Seol,Junjin Kong,Hong Rak Son,Euncheol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-10-25.

Memory device for controlling word line voltage and operating method thereof

Номер патента: EP4187541A1. Автор: Hyunkook Park,Sara Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-31.

Memory device having different numbers of bits stored in memory cells

Номер патента: US20210043244A1. Автор: Bongsoon LIM,Yonghyuk Choi,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US6777285B2. Автор: Kent Kuohua Chang,Weng-Hsing Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-17.

[memory device and method for fabricating the same]

Номер патента: US20040110344A1. Автор: Kent Kuohua Chang,Weng-Hsing Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20070247889A1. Автор: Takashi Miki,Yasuo Murakuki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-25.

Nonvolatile memory device including sub common sources

Номер патента: US09837160B1. Автор: Jin-Ho Kim,Sung-Lae OH,Sang-Hyun Sung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Memory device

Номер патента: US09679662B1. Автор: Toshifumi Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Memory devices with improved bit line loading

Номер патента: US20240021240A1. Автор: Yen-Huei Chen,Chih-Yu Lin,Hidehiro Fujiwara,Yi-Hsin Nien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Three-dimensional memory device containing multi-level word line contact wells and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240290714A1. Автор: James Kai,Koichi Matsuno,Johann Alsmeier,Jixin Yu,Mark D. Kraman,Seyyed Ehsan Esfahani Rashidi,Ruogu Matthew ZHU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory device with a three-dimensional vertical structure and driving method thereof

Номер патента: WO2024153970A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Efrem Bolandrina. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-07-25.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20230282576A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Memory device and operating method of the same

Номер патента: US20240290408A1. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh,Chia-En HUANG,Tung-Cheng Chang,Chun-Ying Lee,Gu-Huan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor element memory device

Номер патента: US12096611B2. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Three-dimensional memory device containing multi-level word line contact wells and methods for manufacturing the same

Номер патента: WO2024182038A1. Автор: James Kai,Koichi Matsuno,Johann Alsmeier,Jixin Yu,Mark D. Kraman,Seyyed Ehsan Esfahani Rashidi,Ruogu Matthew ZHU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240304257A1. Автор: Hidehiro Shiga,Yuki Inuzuka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20240332232A1. Автор: WEI Liu,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory device and operation based on threshold voltage distribution of memory cells of adjacent states

Номер патента: US12106807B2. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Memory device

Номер патента: US12131773B2. Автор: Riichiro Shirota,Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor memory device and semiconductor memory array comprising the same

Номер патента: US09991266B2. Автор: Zhibiao Zhou,Ding-Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Deck selection layouts in a memory device

Номер патента: US20230292527A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Vertical memory device

Номер патента: US20210012828A1. Автор: Seung-Hwan Kim,Su-Ock Chung,Seon-Yong Cha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Memory device

Номер патента: US12069846B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Shuhei Nagatsuka,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20130148399A1. Автор: Kenichi Murooka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-06-13.

Semiconductor memory device with memory cells arranged in high density

Номер патента: US20040156255A1. Автор: Yasuhiko Tsukikawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-08-12.

Nonvolatile nand-type memory devices including charge storage layers connected to insulating layers

Номер патента: US20100128531A1. Автор: Changhyun LEE,Jungdal CHOI,Yoocheol Shin,Yongsik Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-27.

Non-volatile memory device and operating method of the same

Номер патента: US20230127162A1. Автор: Junhyung Kim,Jinyoung Park,Kibog PARK,Sungchul JUNG,Seokhyeong Kang,Wonho SONG,Jaehyeong JO. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240282391A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Non-volatile content addressable memory device having simple cell configuration and operating method of the same

Номер патента: US20240265967A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Taehwan MOON,Hagyoul BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor-element-including memory device

Номер патента: US12100443B2. Автор: Riichiro Shirota,Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory device and methods

Номер патента: US20240331786A1. Автор: Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09543022B2. Автор: Yusuke Umezawa,Toshifumi Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Variable resistance memory device

Номер патента: US09514807B2. Автор: Masayuki Terai,Youngbae Kim,Jungdal CHOI,Seungjae Jung,Jung Moo Lee,YounSeon KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09454999B2. Автор: Han Soo Joo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Three-dimensional memory device including laterally separated source lines and method of making the same

Номер патента: US20240127864A1. Автор: James Kai,Johann Alsmeier,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor memory device including memory string and plurality of select transistors and method including a write operation

Номер патента: US11335388B2. Автор: Hiroki Date. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-05-17.

Memory devices having vertical transistors in staggered layouts

Номер патента: US12082399B2. Автор: Tao Yang,Zhiliang Xia,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory device including memory string and plurality of select transistors and method including a write operation

Номер патента: US12051483B2. Автор: Hiroki Date. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor memory device and apparatus including the same

Номер патента: US12080649B2. Автор: Hyeonjin Shin,Kyung-Eun Byun,Changseok Lee,Minhyun LEE,Hyeonsuk Shin,Seokmo Hong. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory device and operation thereof

Номер патента: US20240274197A1. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory device including a plurality of stacked memory cells

Номер патента: US12080345B2. Автор: Dong Keun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US12087361B2. Автор: Jungyu Lee,Bilal Ahmad Janjua,Jongryul Kim,Venkataramana Gangasani. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory device including memory string and plurality of select transitstors and method including a write operation

Номер патента: US20240339139A1. Автор: Hiroki Date. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Memory device using semiconductor element

Номер патента: US12120864B2. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09911499B2. Автор: Kenichi Abe,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09704570B2. Автор: Kenichi Abe,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09659663B2. Автор: Koji Hosono,Takuya Futatsuyama,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09349465B2. Автор: Yoon Soo JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-24.

Reducing post-read disturb in a nonvolatile memory device

Номер патента: US20200258558A1. Автор: Wei Zhao,Deepanshu Dutta,Dengtao Zhao,Huai-Yuan Tseng,Anubhav Khandelwal,Abhijith Prakash. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-08-13.

Voltage generator and memory device including the same

Номер патента: US20230307068A1. Автор: Yoonjae Lee,ChiWeon Yoon,Cheonan Lee,Byungjoon Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Resistive memory device capable of improving sensing margin of data

Номер патента: US20150194200A1. Автор: Jae-Kyu Lee,Ki-Seok SUH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-09.

Nonvolatile memory device, system including the same and method of fabricating the same

Номер патента: US20220102306A1. Автор: Sung-Min Hwang,Ji Won Kim,Joon-Sung LIM,Jae Ho AHN,Suk Kang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-31.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10868196B2. Автор: Wen-Yueh Jang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2020-12-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200006379A1. Автор: Hiroshi TSUBOUCHI,Kenri Nakai,Kota NISHIKAWA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Techniques for refreshing a semiconductor memory device

Номер патента: WO2011140033A2. Автор: Yogesh Luthra. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2011-11-10.

Read operation or word line voltage refresh operation in memory device with reduced peak current

Номер патента: US20220366990A1. Автор: Abhijith Prakash. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-11-17.

Vertical memory devices and methods for operating the same

Номер патента: US20240282376A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200194598A1. Автор: Wen-Yueh Jang. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Nonvolatile memory device, system including the same and method of fabricating the same

Номер патента: US12094846B2. Автор: Sung-Min Hwang,Ji Won Kim,Joon-Sung LIM,Jae Ho AHN,Suk Kang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Vertical non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09966115B2. Автор: Sung-Min Hwang,Han-Soo Kim,Ki-Hyun Kim,Jae-Hoon Jang,Won-Seok Cho,Jae-Hun Jeong,Sun-Il Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09799403B2. Автор: Hiroshi Nakamura,Hiroshi Shinohara,Kenichi Abe,Yasuyuki Baba,Toshifumi Minami,Atsuhiro Sato,Takuya Futatsuyama,Masanobu Shirakawa,Keisuke Yonehama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Vertical non-volatile memory device including plural word line stacks

Номер патента: US09711188B2. Автор: Sung-Min Hwang,Han-Soo Kim,Ki-Hyun Kim,Jae-Hoon Jang,Won-Seok Cho,Jae-Hun Jeong,Sun-Il Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09680029B2. Автор: Toshihiko Saito. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US09576612B2. Автор: In-Mo Kim,Ansoo Park,Jung-Seok HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor memory device and method for accessing the same

Номер патента: US09542990B2. Автор: Zhijiong Luo,Zhengyong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-01-10.

Memory device and reading method thereof

Номер патента: US09520199B2. Автор: Kuo-Pin Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20170271522A1. Автор: Toshihiko Saito. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20150364607A1. Автор: Toshihiko Saito. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20150097183A1. Автор: Toshihiko Saito. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-09.

Semiconductor memory devices with different word lines

Номер патента: US12051464B2. Автор: Chia-En HUANG,Gu-Huan Li,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Memory device, integrated circuit device and method

Номер патента: US20210383048A1. Автор: Chia-En HUANG,Chien-Ying Chen,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Semiconductor memory devices with different word lines

Номер патента: US20240355385A1. Автор: Chia-En HUANG,Gu-Huan Li,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Variable resistance memory device

Номер патента: US12051455B2. Автор: Yong Jae Lee,Jihun Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor memory device tunnel insulating layers included in the plurality of memory cells having different thicknesses according to distances of the plurality of memory cells from the X-decoder

Номер патента: US09646698B2. Автор: Yeonghun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Memory device, memory cell and memory cell layout

Номер патента: US09620594B2. Автор: Hau-yan Lu,Shih-Hsien Chen,Chun-Yao Ko,Liang-Tai Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Techniques for providing a direct injection semiconductor memory device

Номер патента: US09425190B2. Автор: Serguei Okhonin,Mikhail Nagoga,Yogesh Luthra. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Vertical memory device having improved electrical characteristics and method of operating the same

Номер патента: US20210166768A1. Автор: Yo-Han Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-03.

Memory device using semiconductor element

Номер патента: US12048140B2. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Memory device with improved program performance and method of operating the same

Номер патента: US12046287B2. Автор: Sung-Min JOE,Kang-Bin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Layout of semiconductor memory device

Номер патента: US20230197153A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Li-Ping Huang,Chun-Yen TSENG,Yu-Tse Kuo,Hsin-Chih Yu,Shu-Ru Wang,Yu-Fang Chen,Meng-Ping Chuang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230320076A1. Автор: Jongmin Kim,Hyo-Sub Kim,Jihun Lee,Hui-jung Kim,Myeong-Dong LEE,Hongjun LEE,Kseok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-05.

Memory device

Номер патента: US20220399045A1. Автор: Seung Moon Yoo,Min Chul JUNG,Young Seung KIM. Владелец: Metacni Co ltd. Дата публикации: 2022-12-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240170074A1. Автор: Tadahiko Horiuchi,Kazuhiko Oyama. Владелец: NSCore Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory device with improved program performance and method of operating the same

Номер патента: US20240321361A1. Автор: Sung-Min JOE,Kang-Bin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Stacked bit line dual word line nonvolatile memory

Номер патента: US09799663B2. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Stacked bit line dual word line nonvolatile memory

Номер патента: US09466566B2. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Decoder architectures for three-dimensional memory devices

Номер патента: US20230395128A1. Автор: Fabio Pellizzer,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor memory devices and memory systems with enhanced error detection and correction

Номер патента: US20210191810A1. Автор: Kijun Lee,Sanguhn CHA,Sunghye CHO,Chanki Kim,Myungkyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-24.

Two-bit magnetoresistive random-access memory device architecture

Номер патента: US20220254396A1. Автор: Ashim Dutta,Eric Raymond EVARTS. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-08-11.

High density semiconductor memory devices

Номер патента: US20130141965A1. Автор: Youngmin KANG,Jaekyu Lee,Hyunju Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-06.

Microelectronic devices including contact structures, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: EP4417026A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-21.

Memory device and manufacturing thereof

Номер патента: US20220336474A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11562795B2. Автор: Kosuke Yanagidaira,Hiroshi TSUBOUCHI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-01-24.

Word line decoder circuitry under a three-dimensional memory array

Номер патента: US20200294599A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Takuya Ariki,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-09-17.

Method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US12100617B2. Автор: Yu-Cheng Tung,Tsung-Wen Chen,Chao-Wei Lin,Janbo Zhang,Chia-Yi Chu,Ken-Li Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09812458B2. Автор: Daisuke Matsubayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

3D flash memory device having different dummy word lines and data storage devices including same

Номер патента: US09812206B2. Автор: Kitae Park,Sang-Wan Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12150291B2. Автор: Yu-Cheng Tung,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Word line decoder circuitry under a three-dimensional memory array

Номер патента: US09721663B1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Takuya Ariki,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-01.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09425107B2. Автор: Daisuke Matsubayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Memory array and memory device

Номер патента: US12035532B2. Автор: Chih-Chieh Yeh,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240087649A1. Автор: Kyosuke Sano,Sumiko Domae. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11081188B2. Автор: Kosuke Yanagidaira,Hiroshi TSUBOUCHI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-08-03.

Three-dimensional memory device with deposited semiconductor plugs and methods for forming the same

Номер патента: US11758722B2. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Dynamic random access memory device

Номер патента: US09754943B1. Автор: Yi-Wei Chen,Tsun-Min Cheng,Wei-Hsin Liu,Chia-Lung Chang,Jui-Min Lee,Chih-Chieh Tsai,Kai-Jiun Chang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

3D flash memory device having different dummy word lines and data storage devices including same

Номер патента: US09697901B2. Автор: Kitae Park,Sang-Wan Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Three dimensional semiconductor memory device with line sharing scheme

Номер патента: US09484099B2. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Dual-mode memory devices and methods for operating same

Номер патента: US09461175B2. Автор: Hang-Ting Lue,Wei-Chen Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Three-dimensional NOR array including vertical word lines and discrete memory elements and methods of manufacture

Номер патента: US12035535B2. Автор: Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

Resistive memory devices using a carbon-based conductor line and methods for forming the same

Номер патента: US20210184111A1. Автор: Lain-Jong Li,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Resistive memory devices using a carbon-based conductor line and methods for forming the same

Номер патента: US20240155954A1. Автор: Lain-Jong Li,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Word line drivers for multiple-die memory devices

Номер патента: US12051459B2. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

3d semiconductor memory devices and structures

Номер патента: US20240260282A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor memory device, method for fabricating the same and electronic system including the same

Номер патента: US20240120007A1. Автор: Chul Min Choi,Sun Il Shim,Chang Hoon Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-11.

Vertical memory device and method of fabrication the same

Номер патента: US20200266212A1. Автор: Seok Cheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-20.

3d semiconductor memory devices and structures

Номер патента: US20240251572A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Three-dimensional memory device employing thinned insulating layers and methods for forming the same

Номер патента: US20210335999A1. Автор: James Kai,Johann Alsmeier,Senaka Kanakamedala. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-10-28.

SONOS memory device and method of erasing data from the same

Номер патента: US20040251490A1. Автор: Chung-woo Kim,Soo-doo Chae,Jo-won Lee,Moon-kyung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-12-16.

Three-dimensional memory device with integrated contact and support structure and method of making the same

Номер патента: US20240274191A1. Автор: Koichi Matsuno,Johann Alsmeier. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-15.

Word line drivers for multiple-die memory devices

Номер патента: US20240274184A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240324228A1. Автор: Chih-Chieh Yeh,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Three-dimensional memory device with integrated contact and support structure and method of making the same

Номер патента: WO2024172891A1. Автор: Koichi Matsuno,Johann Alsmeier. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-22.

Three-dimensional memory device and method

Номер патента: US12022659B2. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Non-volatile memory device, storage device having the same and operating method of non-volatile memory device

Номер патента: US20240242765A1. Автор: Sangsoo Park,ChiWeon Yoon,Chihyun Kim,Junehong PARK,Jayang Yoon,Hyeongdo CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Buried word line and connection pad for memory device

Номер патента: US8698233B2. Автор: Hyoung Soon Yune,Joo Hong Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-04-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12075611B2. Автор: Minsu Lee,Kiseok LEE,Wonsok Lee,Min Hee Cho,Min Tae RYU,Woo Bin Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Static random-access memory (sram) device and related sram-based compute-in-memory devices

Номер патента: US20240282364A1. Автор: Szuya Liao,Wei-Xiang YOU,Cheng-Yin WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Nonvolatile memory devices, operating methods thereof and memory systems including the same

Номер патента: US20230268017A1. Автор: Jae-Hoon Jang,Jaehun Jeong,Hansoo Kim,Donghyuk Chae,Sun-Il Shim,Youngho Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Non-volatile memory device, storage device having the same and operating method of non-volatile memory device

Номер патента: EP4401079A1. Автор: Sangsoo Park,ChiWeon Yoon,Chihyun Kim,Junehong PARK,Jayang Yoon,Hyeongdo CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-17.

Microelectronic devices including control logic circuitry overlying memory arrays, and related memory devices and electronic systems

Номер патента: US20230301053A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory devices and methods of manufacturing and operating thereof

Номер патента: US20240257866A1. Автор: JEN-CHIEH LIU,Meng-Fan Chang,Jui-Jen Wu,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang,Iuliana Radu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US09935116B2. Автор: Masaru Yano,Pin-Yao Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US09768184B2. Автор: Masaru Yano,Pin-Yao Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Nonvolatile memory devices, operating methods thereof and memory systems including the same

Номер патента: US09747995B2. Автор: Jae-Hoon Jang,Jaehun Jeong,Hansoo Kim,Donghyuk Chae,Sun-Il Shim,Youngho Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Memory device using spin hall effect and methods of manufacturing and operating the memory device

Номер патента: US09530478B2. Автор: Sung-Chul Lee,Kee-Won Kim,Kwang-Seok Kim,Young-man Jang,Ung-hwan Pi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-27.

Techniques for providing a semiconductor memory device

Номер патента: US09524971B2. Автор: Timothy Thurgate,Michael A. Van Buskirk,Srinivasa R. Banna. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2016-12-20.

3-D non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09397108B2. Автор: Sang Hyun Oh,Byung Soo Park,Sun Mi Park,Seo Hyun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Techniques for controlling a direct injection semiconductor memory device

Номер патента: US20120176845A1. Автор: Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-07-12.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20240282384A1. Автор: Takashi Maeda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory device and forming method thereof

Номер патента: US12133392B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09953713B2. Автор: Takashi Maeda. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09852797B2. Автор: Takashi Maeda. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09747988B2. Автор: Takashi Maeda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09595337B2. Автор: Takashi Maeda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09484105B2. Автор: Takashi Maeda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Memory device with electrically parallel source lines

Номер патента: US11910723B2. Автор: Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Memory Device With Source Lines in Parallel

Номер патента: US20240040936A1. Автор: Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Memory device for reducing active power

Номер патента: US20230326505A1. Автор: Yu-Hao Hsu,Tsung-Hsien Huang,Wei-jer Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240257876A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Decoding architecture for word line tiles

Номер патента: US20240161801A1. Автор: Fabio Pellizzer,Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230307434A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Hiroshi Maejima,Katsuaki Isobe,Nobuaki OKADA,Takahiro Tsurudo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory device

Номер патента: US20210287733A1. Автор: Daisaburo Takashima,Ryu Ogiwara,Takahiko IIZUKA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-16.

Nonvolatile memory device having multi-stack memory block and method of operating the same

Номер патента: US12119046B2. Автор: Yohan Lee,Yonghyuk Choi,Jaeduk Yu,Jiho Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

High sensing margin magnetic resistive memory device in which a memory cell read and write select transistors to provide different read and write paths

Номер патента: US09734881B2. Автор: Eng Huat Toh,Kiok Boone Elgin Quek,Vinayak Bharat Naik. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Techniques for providing a direct injection semiconductor memory device

Номер патента: US09679612B2. Автор: Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09620565B2. Автор: Keisuke Nakatsuka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Three-dimensional memory devices

Номер патента: US20240381656A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Operating methods of nonvolatile memory devices including a ground select transistor and first and second dummy memory cells

Номер патента: US09548123B2. Автор: Kihyun Kim,Byeong-In Choe,Sunil Shim,Jaehoon Jang,Woonkyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09449697B2. Автор: Masaru Yano,Pin-Yao Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200118929A1. Автор: Daeik Kim,Bong-Soo Kim,Yoosang Hwang,Eunjung Kim,Hui-jung Kim,Keunnam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11776909B2. Автор: Daeik Kim,Bong-Soo Kim,Yoosang Hwang,Eunjung Kim,Hui-jung Kim,Keunnam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor memory device and manufacturing method and read/write method therefor, and electronic device and memory circuit

Номер патента: EP4395490A1. Автор: Chao Zhao,Zhengyong Zhu,Guilei Wang,BokMoon Kang. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-07-03.

Memory device having asymmetric page buffer array architecture

Номер патента: EP4386752A1. Автор: Daeseok Byeon,Gyosoo Choo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-19.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20180033492A1. Автор: Ji Hyun Seo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-01.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12068263B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Split gate non-volatile memory cells, hv and logic devices with finfet structures, and method of making same

Номер патента: EP4238130A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-06.

Semiconductor Memory Device with Spin-Orbit Coupling Channel

Номер патента: US20240296878A1. Автор: Hyunsoo Yang,Rahul Mishra,Ung Hwan Pi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20090121281A1. Автор: Keita Takahashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-05-14.

Memory device

Номер патента: US20230260566A1. Автор: Buil JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-17.

Memory array of three-dimensional nor memory strings with word line select device

Номер патента: US20240347109A1. Автор: Masahiro Yoshihara,Takashi Hirotani. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory array of three-dimensional nor memory strings with word line select device

Номер патента: WO2024215669A1. Автор: Masahiro Yoshihara,Takashi Hirotani. Владелец: SUNRISE MEMORY CORPORATION. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240363555A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US09972399B2. Автор: Ji Hyun Seo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Vertical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09865540B2. Автор: Hyuk Kim,Seung-pil Chung,Jae-Ho Min,Jong-Kyoung PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Nonvolatile memory device including multi-plane

Номер патента: US09589643B2. Автор: Younghwan RYU,Pansuk Kwak,Chul-Jin Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09455257B2. Автор: Kenichi Murooka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Three-dimensional memory device and operating method of a storage device including the same

Номер патента: US09401214B2. Автор: Donghun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-26.

Non-volatile semiconductor memory device and method of making the same

Номер патента: WO2008096802A1. Автор: Masaru Kito,Mitsuru Sato,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2008-08-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240242769A1. Автор: Hideyuki Kataoka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory device with memory cell structure including ferroelectric data storage layer, and a first gate and a second gate

Номер патента: US10896711B2. Автор: Kohji Kanamori,Yong Seok Kim,Seung Hyun Kim,Kyung Hwan Lee,Jun Hee Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-19.

Variable programming clocks during a multi-stage programming operation in a nand memory device

Номер патента: US20230253048A1. Автор: Ravi Kumar,Sujjatul Islam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: EP1750272A3. Автор: Syusuke Iwata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-23.

Semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US20060065920A1. Автор: Taro Osabe,Takeshi Sakata,Hideaki Kurata,Tomoyuki Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-03-30.

Vertical memory devices and apparatuses

Номер патента: US20140070306A1. Автор: Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-03-13.

Semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US20070257306A1. Автор: Taro Osabe,Takeshi Sakata,Hideaki Kurata,Tomoyuki Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-11-08.

Semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US7238570B2. Автор: Taro Osabe,Takeshi Sakata,Hideaki Kurata,Tomoyuki Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-07-03.

Three-dimensional memory device including coaxial double contact via structures and methods for forming the same

Номер патента: US20240306392A1. Автор: Naoki Takeguchi,Kento Kitamura,Kentaro Yoshino,Ryo MIZUTSU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-12.

Staircase connection structure for three-dimensional memory devices

Номер патента: US20240355734A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Cuicui Kong. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Non-volatile one-time programmable memory device

Номер патента: US09876123B2. Автор: XIAO Lu,Xia Li,Jeffrey Junhao XU,Bin Yang,Jun Yuan,Zhongze Wang,Xiaonan Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

One-time programmable (otp) memory device and method of operating an otp memory device

Номер патента: US20220375948A1. Автор: Jinwoo Park,Hoonsung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-24.

Memory device having only the top poly cut

Номер патента: US20160372198A1. Автор: Cheng-Hsien Cheng,Chih-Wei Lee,Shaw-Hung Ku. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Memory device having physical unclonable function and memory system including the memory device

Номер патента: EP4105933A1. Автор: Daeseok Byeon,Jooyong PARK,Pansuk Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-21.

Memory device having physical unclonable function and memory system including the memory device

Номер патента: US20240145002A1. Автор: Daeseok Byeon,Jooyong PARK,Pansuk Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US11709629B2. Автор: Sangwan Nam,Sangwon Park,Daeseok Byeon,Bongsoon LIM,Yonghyuk Choi,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-25.

Memory device including vertical channel structure

Номер патента: US20230104865A1. Автор: Byungsoo Kim,Minjae Seo,Yongsung CHO,Kyoman KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-06.

Error correction memory device with fast data access

Номер патента: US20240303158A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Mixed signal neuromorphic computing with nonvolatile memory devices

Номер патента: US12106211B2. Автор: Dmitri Strukov,Xinjie Guo,Farnood Merrikh Bayat,Mohammad Reza Mahmoodi,Mohammad Bavandpour. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor memory device having coplanar digit line contacts and storage node contacts in memory array and method for fabricating the same

Номер патента: US09881924B2. Автор: Sanh Tang,Shih-Fan Kuan,Kuo-Chen Wang,Lars Heineck. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Memory device having only the top poly cut

Номер патента: US09548121B2. Автор: Cheng-Hsien Cheng,Chih-Wei Lee,Shaw-Hung Ku. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Low power memory device with column and row line switches for specific memory cells

Номер патента: US20180233182A1. Автор: Chih-Cheng Hsiao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-08-16.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US9899095B2. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Nonvolatile memory device for invalidating data stored therein, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US20200090746A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sang-Gu JO,Jae-Min Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-03-19.

Low power memory device

Номер патента: US09928886B2. Автор: Chih-Cheng Hsiao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-03-27.

Resistive memory device, resistive memory system, and method of operating resistive memory device

Номер патента: US09633726B2. Автор: Hyun-Kook PARK,Yeong-Taek Lee,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Magnetic memory device

Номер патента: US7903455B2. Автор: Tsutomu Sugawara,Daisuke Kurose,Masanori Furuta,Mai Nozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-03-08.

Memory device performing precharge operation, and operating method thereof

Номер патента: US20240312503A1. Автор: Duck Hwa Hong,Sang Hyun Ku,Do Hong Kim,Min Ho Seok,So Yoon KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Operation method for memory device

Номер патента: US20240274169A1. Автор: Shih-Chung Lee,Chi-Yuan Chin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Word line voltage control for reduced voltage disturbance during memory operations

Номер патента: US20240212735A1. Автор: Makoto Kitagawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Hybrid dynamic word line start voltage

Номер патента: US20240282381A1. Автор: Deping He,Kulachet Tanpairoj,Chun Sum Yeung. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Circuit and method for memory device with defect current isolation

Номер патента: US6154401A. Автор: Brent Keeth,Stephen L. Casper,David Pinney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-11-28.

Non-volatile memory device with single transistor memory cell

Номер патента: US20070253247A1. Автор: Michael Sommer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-11-01.

Semiconductor memory device provided with block write function

Номер патента: US5787046A. Автор: Akira Sugiura,Takaaki Furuyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1998-07-28.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US20150380100A1. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US9536615B2. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US9165651B2. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-20.

Method and system for reading from memory cells in a memory device

Номер патента: US20120218830A1. Автор: Cyrille Dray,Alexandre Ney. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-08-30.

Semiconductor memory device comprising different type memory cells

Номер патента: US4799196A. Автор: Yoshihiro Takemae. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-01-17.

Method for testing semiconductor memory device

Номер патента: US7813195B2. Автор: Shun-Ke WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2010-10-12.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US11361824B1. Автор: Wen-Jer Tsai,Cheng-Hsien Cheng,Shaw-Hung Ku,Chun-Chang LU. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-14.

Low power memory device

Номер патента: US20170372758A1. Автор: Chih-Cheng Hsiao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-12-28.

Semiconductor memory device with shortened time period of word line selection

Номер патента: US4707809A. Автор: Manabu Ando. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1987-11-17.

Sense amplifier activation timing scheme to suppress disturbance in memory cells of dram memory device

Номер патента: US11735250B2. Автор: Takahiko Sato. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor memory device preventing a malfunction caused by a defective main word line

Номер патента: US6172934B1. Автор: Teruyuki Uchihira. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-01-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP1158532A2. Автор: Minoru Yamashita,Hiromi Kawashima,Takao Akaogi,Nobuaki Takashina,Yasushi Kasa,Kiyoshi Itano,Shouichi Kawamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-11-28.

Memory device having a booster circuit and a booster circuit control method

Номер патента: US5610863A. Автор: Toyonobu Yamada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1997-03-11.

Magnetic memory device

Номер патента: US20090219753A1. Автор: Tsutomu Sugawara,Daisuke Kurose,Masanori Furuta,Mai Nozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220246197A1. Автор: Mario Sako. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Nonvolatile semiconductor memory device having electrically and collectively erasable characteristics

Номер патента: EP1158535A2. Автор: Minoru Yamashita,Hiromi Kawashima,Takao Akaogi,Nobuaki Takashina,Yasushi Kasa,Kiyoshi Itano,Shouichi Kawamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-11-28.

Non-volatile memory device and control method

Номер патента: US11862230B2. Автор: Jianquan Jia,Kaikai You,Ying Cui. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor memory device and methods of performing a stress test on the semiconductor memory device

Номер патента: WO2010068591A1. Автор: Nan Chen,ChangHo Jung,Zhiqin Chen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2010-06-17.

Method and system for writing to and reading from a memory device

Номер патента: US20200335149A1. Автор: Markus R. Silvestri,Terry L. Street,Alberto Rodriguez,Ron Edward Dufort,Christopher P. Caporale. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180277222A1. Автор: Shigeo Kondo. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080212393A1. Автор: Dong-Keun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-09-04.

Memory device and read operation method thereof

Номер патента: US20150023120A1. Автор: Kuen-Long Chang,Ken-Hui Chen,Su-Chueh Lo,Chia-Jung Chen,Chin-Hung Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-22.

Systems and methods for a magnetic memory device that includes a single word line transistor

Номер патента: TW200721160A. Автор: Chia-Hua Ho. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-01.

Systems and methods for a magnetic memory device that includes a single word line transistor

Номер патента: TWI309823B. Автор: Chia Hua Ho. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US5848011A. Автор: Yoshiaki Takeuchi,Masaru Koyanagi,Kazuyoshi Muraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-12-08.

Nonvolatile memory device and method of driving word line of the nonvolatile memory

Номер патента: US20150221351A1. Автор: Kitae Park,Sang-Won Park,Sang-Won Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-08-06.

Nonvolatile memory device and method of driving word line of the nonvolatile memory

Номер патента: US20160343419A1. Автор: Kitae Park,Sang-Won Park,Sang-Won Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-24.

Word line voltage generator,a flash memory device and method for generating word line voltage by the same

Номер патента: CN101017707A. Автор: 朴成济. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-08-15.

INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING EMBEDDED MEMORY DEVICE FOR PERFORMING DUAL-TRANSIENT WORD LINE ASSIST USING TRIPLE POWER SOURCE AND DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20170194047A1. Автор: Kim Yong Ho,Park Sung Hyun,Song Tae Joong,Rim Woojin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2017-07-06.

Integrated circuit including embedded memory device for performing dual-transient word line assist using triple power source and device having same

Номер патента: KR102423288B1. Автор: 박성현,김용호,임우진,송태중. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-07-20.

A semiconductor memory device capable of adjusting a word line enable time

Номер патента: KR970067357A. Автор: 박용진,강상석,곽병헌,정창영. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-10-13.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD DETECTING DEFECTIVE WORD LINE

Номер патента: US20150117105A1. Автор: BYEON Daeseok,JUNG BONG-KIL. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-30.

Non-volatile semiconductor memory device and driving method for word line thereof

Номер патента: US20170365325A1. Автор: Hiroki Murakami. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-21.

Flash memory device capable of repairing a word line

Номер патента: KR100460993B1. Автор: 이주엽. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-12-09.

Semiconductor Memory Device for applying temperature-compensated word line voltage in read operation and method thereof

Номер патента: KR102083496B1. Автор: 이응석,송영선,박일한. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2020-03-02.

Non-volatile semiconductor memory device for selectively re-checking word lines

Номер патента: KR101160634B1. Автор: 테츠후미 카와무라,요시타카 사사고. Владелец: 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤. Дата публикации: 2012-07-03.

Phase change memory device and method of driving word line thereof

Номер патента: US7417887B2. Автор: Woo-Yeong Cho,Du-Eung Kim,Beak-Hyung Cho,Jong-Soo Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-26.

Semiconductor memory device having stabilization circuit for word line activation voltage

Номер патента: KR970067368A. Автор: 쓰도무 이치가와. Владелец: 이데이 노부유키. Дата публикации: 1997-10-13.

Flash memory device for adjusting non-selected word line voltage during reading

Номер патента: US8018777B2. Автор: Yong-Hoon Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-13.

Nonvolatile semiconductor memory device and a method of word lines thereof

Номер патента: US20080084750A1. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-04-10.

Mobile electronic device with luminance control according to surrounding brightness and contact

Номер патента: US09406262B2. Автор: Kazuhiko Kobayashi. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor memory device having column direction data in-out line and fail cell reparing circuit and method thereof

Номер патента: KR100252053B1. Автор: 문병식,경계현. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-05-01.

Nand string based flash memory device, array and circuit having parallel bit lines and source lines

Номер патента: WO2009145923A1. Автор: Peter Wung Lee,Fu-Chang Hsu. Владелец: APLUS FLASH TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2009-12-03.

MOBILE ELECTRONIC DEVICE WITH LUMINANCE CONTROL ACCORDING TO SURROUNDING BRIGHTNESS AND CONTACT

Номер патента: US20150194098A1. Автор: Kobayashi Kazuhiko. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-09.

Memory device with progressive row reading and related reading method

Номер патента: US09805810B1. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-10-31.

Memory Device with Progressive Row Reading and Related Reading Method

Номер патента: US20180047455A1. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-02-15.

Memory device with progressive row reading and related reading method

Номер патента: US10002672B2. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-06-19.

Method for writing in mram-based memory device with reduced power consumption

Номер патента: RU2546572C2. Автор: Нил БЕРГЕР,БАРАДЖИ Мурад ЭЛЬ. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2015-04-10.

Random access memory device and method for driving a plate line segment therein

Номер патента: EP1408509A2. Автор: Chi-Ming Weng,Chin-Shi Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-14.

Random access memory device and method for driving a plate line segment therein

Номер патента: EP1408509A3. Автор: Chi-Ming Weng,Chin-Shi Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-21.

Non-volatile memory device with controlled discharge

Номер патента: US20110305092A1. Автор: Maurizio Francesco Perroni,Giuseppe Castagna. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2011-12-15.

Non-volatile memory device with controlled discharge

Номер патента: US8441865B2. Автор: Maurizio Francesco Perroni,Giuseppe Castagna. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2013-05-14.

Word line driver circuitry and compact memory using same

Номер патента: US09455007B2. Автор: Chien-Hung Liu,Yu-Tsung Lin,Jyun-Siang Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device with word line degradation monitor and associated methods and systems

Номер патента: US11735247B2. Автор: Debra M. Bell,Gitanjali T. Ghosh,Roya Baghi,Arunmozhi R. Subramaniam,Deepika Thumsi Umesh,Sue-Fern Ng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Nonvolatile memory devices with common source line voltage compensation and methods of operating the same

Номер патента: US8446769B2. Автор: BoGeun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-21.

Semiconductor device with word line degradation monitor and associated methods and systems

Номер патента: US20210201981A1. Автор: Debra M. Bell,Gitanjali T. Ghosh,Roya Baghi,Arunmozhi R. Subramaniam,Deepika Thumsi Umesh,Sue-Fern Ng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Non-volatile semiconductor memory device with multiple pass voltage and improved verification and programming operating method thereof

Номер патента: US09761313B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Memory device with source line control

Номер патента: US11776595B2. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Nonvolatile Semiconductor Memory Device

Номер патента: US20100149875A1. Автор: Yoshiki Kawajiri,Natsuo Ajika,Masaaki Mihara,Shoji Shukuri. Владелец: Genusion Inc. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor memory device and layout method of the same

Номер патента: US20040095836A1. Автор: Hyun-su Choi,Nak-woo Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-05-20.

Memory device, memory system including the memory device, and test operation of the memory device

Номер патента: US12125550B2. Автор: Jun Hyuk Lee,Min Kyu Lee,Deung Kak YOO,Dong Jae JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory device with self-boosted mechanism

Номер патента: US09659620B2. Автор: Wei-Cheng Wu,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Chih-Yu Lin,Jonathan Tsung-Yung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Memory devices and control methods thereof

Номер патента: US09437284B1. Автор: Jui-Lung Chen,Wei-Ting Chen,Yu-Hsi Ke. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Resistive memory device with word lines coupled to multiple sink transistors

Номер патента: US9311997B2. Автор: Yongkyu Lee,Sungyeon Lee,Yeongtaek Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-04-12.

Memory device with low power consumption and operation method thereof

Номер патента: US12040011B2. Автор: Meng-Fan Chang,Jui-Jen Wu,Win-San Khwa,Yen-Cheng Chiu,Yi-Lun Lu,Je-Min Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Nonvolatile memory device, memory system including nonvolatile memory device, and method of controlling nonvolatile memory device

Номер патента: US20200135281A1. Автор: Minsoo Kim,Kyunghoon Sung,Deahan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-30.

Memory device with high content density

Номер патента: US20230282292A1. Автор: Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Memory device

Номер патента: US20230134975A1. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Jonathan Tsung-Yung Chang,Tzu-Hsien YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Memory device with high content density

Номер патента: US12057179B2. Автор: Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Non-volatile memory devices and methods of operating non-volatile memory devices

Номер патента: US20090285027A1. Автор: Tae-Hee Lee,Won-joo Kim,June-mo Koo,Tae-eung Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-19.

Memory device

Номер патента: US12087354B2. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Jonathan Tsung-Yung Chang,Tzu-Hsien YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Non-volatile memory device

Номер патента: US12100452B2. Автор: Sangwon Park,Junho Choi,Kuihan KO,Minyong Kim,Jekyung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory device and program operation thereof

Номер патента: US20210295922A1. Автор: Gang Liu,Kaijin Huang,Jin LYU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Memory device and read method of memory device

Номер патента: US09741440B2. Автор: Kyung-Ryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Memory device and read method of memory device

Номер патента: US09478299B2. Автор: Kyung-Ryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

Memory device comprising an ecc for error correction based on hint data

Номер патента: EP4170660A1. Автор: YoungMin Lee,Jeongmin Seo,Changjun LEE,Eunkak Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-26.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240145008A1. Автор: Young Hwan Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Memory device including string select transistors having different threshold voltages and method of operating the memory device

Номер патента: US20240282383A1. Автор: Yohan Lee,Sangsoo Park,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory device including string select transistors having different threshold voltages and method of operating the memory device

Номер патента: EP4421808A1. Автор: Yohan Lee,Sangsoo Park,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-28.

Nonvolatile memory device with configuration to apply adjustable voltage to pass transistor gate

Номер патента: US12062395B2. Автор: Yohan Lee,ChaeHoon KIM,Jiho Cho,Jungyun Yun,Sanggi Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor memory devices having hierarchical bit-line structures

Номер патента: US20100124135A1. Автор: Jin-Young Kim,Ki-whan Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-20.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09824758B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Memory device with advanced refresh scheme

Номер патента: US09548099B2. Автор: Jae-il Kim,No-Guen JOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Memory device, system and method of operating the same

Номер патента: US20230024971A1. Автор: Kang Li,Xing Zhou,Wei Huang,Chan Wang,Cong Luo,Xueqing Huang,Fengxiang Gao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Memory cell, memory device, and electronic device having the same

Номер патента: US20180005692A1. Автор: Jong-Hoon Jung,Sung-Hyun Park,Woo-Jin Rim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-04.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240177780A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Memory device and a storage system using the same

Номер патента: US20200365211A1. Автор: Jun Yong Park,Yong Hyuk Choi,Sang Wan NAM,Jung No Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-19.

Non-volatile memory device, operating method thereof, controller for controlling the same, and storage device having the same

Номер патента: US12094552B2. Автор: Jinyoung Kim,Sangwan Nam,Ilhan Park,Sehwan Park,Kyoman KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Non-volatile memory device for detecting defects of bit lines and word lines

Номер патента: EP4181143A3. Автор: Sangwan Nam,Junyoung Ko,Heewon Kim,Youse Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-26.

Memory array with multiplexed select lines and two transistor memory cells

Номер патента: US12131766B2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Non-volatile memory device for detecting defects of bit lines and word lines

Номер патента: US12131798B2. Автор: Sangwan Nam,Junyoung Ko,Heewon Kim,Youse Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-29.

Memory device and reading method thereof

Номер патента: US20240371456A1. Автор: Wen-Jer Tsai,Chun-Chang LU,You-Liang CHOU. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Nonvolatile semiconductor memory device with read voltage setting controller

Номер патента: US09875804B2. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor memory device having dummy word lines and operating method thereof

Номер патента: US09741408B2. Автор: Yeonghun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12148482B2. Автор: Takeshi Hioka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09633720B2. Автор: Masashi Yoshida,Tomoaki Nakano,Shigefumi Irieda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Memory device and read operation thereof

Номер патента: WO2024138879A1. Автор: Ling Chu,Shuang Liu,Manxi Wang,Sanshan Jiao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory device and method of operating the memory device

Номер патента: US20240177775A1. Автор: Jae Hyeon Shin,Sung Hyun Hwang,In Gon YANG,Chang Han SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Memory device and method of managing temperature of the same

Номер патента: US20240203505A1. Автор: Jung Ae Kim,Jee Yul KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12020753B2. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Memory device for canceling sneak current

Номер патента: US20210383864A1. Автор: Tae Hyun Kim,Seong Ook Jung,Byung Kyu Song. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2021-12-09.

Memory device having an increased sensing margin

Номер патента: US20210012835A1. Автор: Makoto Hirano,Yongsung CHO,Junho SHIN,Taehui Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-14.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240028218A1. Автор: Se Chun Park,Chan Hui Jeong,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Phase change memory device with dummy cell array

Номер патента: US20090190393A1. Автор: Hee Bok Kang,Suk Kyoung Hong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-30.

Method for activating a plurality of word lines in a refresh cycle, and electronic memory device

Номер патента: US20060126414A1. Автор: Manfred Moser,Richard Antretter. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-06-15.

Flash memory device and bit line charging method thereof

Номер патента: US20210375369A1. Автор: Chih-Ting Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Flash memory device configured to be bonded to external semiconductor chip and computing device including flash memory device coupled to neural processor chip

Номер патента: US12100442B2. Автор: Chanho Kim,Daeseok Byeon,Hyunsurk Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240355394A1. Автор: Feng-Min Lee,Yu-Hsuan Lin,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Memory device and method of operating the memory device including detrapping operations during programming

Номер патента: US12068033B2. Автор: Jae Woong Kim,Shin Won SEO,Dong Jae JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory device and erasing and verification method thereof

Номер патента: US20240363169A1. Автор: Hongtao Liu,An ZHANG,Jianquan Jia,Kaiwei LI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Memory cell, memory device, and electronic device having the same

Номер патента: US09940998B2. Автор: Jong-Hoon Jung,Sung-Hyun Park,Woo-Jin Rim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Memory device performing post package repair (PPR) operation

Номер патента: US09870293B2. Автор: Yoo-Jung Lee,Seong-Jin Lee,Ju-Yun JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Non-volatile memory device having multiple string select lines

Номер патента: US09859007B2. Автор: Atsuhiro Suzuki,Chih-Wei Lee,Shaw-Hung Ku. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09818489B2. Автор: Yuka Suzuki,Masami Hanyu,Yoshihiro Nagai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Memory device and method for altering performance characteristic based on bandwidth demand

Номер патента: US09588888B2. Автор: Janice H. Nickel,Gilberto Ribeiro. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-03-07.

Nonvolatile memory device and read method thereof

Номер патента: US09564237B2. Автор: Byeong-In Choe,Changhyun LEE,Jungdal CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US09530508B2. Автор: Ya-Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US09524781B2. Автор: Seung-Bum Kim,Woopyo JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09472292B1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Memory device capable of operation in a burn in stress mode, method for performing burn in stress on a memory device, and method for detecting leakage current of a memory device

Номер патента: US20120163107A1. Автор: Shi-Huei Liu,Ming-Hong Kuo,Te-Yi Yu,Tzu-Hao Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-06-28.

Memory device and data erasing method thereof

Номер патента: US20160172040A1. Автор: Kuo-Pin Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-16.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US12068039B2. Автор: Jae Il TAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230307063A1. Автор: Jae Il TAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240296893A1. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor memory device and core layout thereof

Номер патента: US7391669B2. Автор: Hye-jin Kim,Sang-beom Kang,Woo-Yeong Cho,Choong-Keun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-24.

Flash memory device and programming method thereof

Номер патента: US20140126296A1. Автор: Hsing-Wen Chang,Yao-Wen Chang,Chu-Yung Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-08.

Semiconductor memory device for performing program operation

Номер патента: US20240312524A1. Автор: Hyung Jin Choi,In Gon YANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory array configuration for shared word lines

Номер патента: US20240329840A1. Автор: Marcello Mariani,Daniele Vimercati,Giorgio Servalli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Operating method of non-volatile memory device

Номер патента: US20240361946A1. Автор: Jaeyong Lee,Jihong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Nonvolatile memory device and method of controlling suspension of command execution of the same

Номер патента: US09928165B2. Автор: Dong-Hun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Method for operating a memory device

Номер патента: US09858995B1. Автор: Yao-Wen Chang,I-Chen Yang,Tao-Yuan Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device and weak cell detection method thereof

Номер патента: US09824776B1. Автор: Youk-Hee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor memory device for stably reading and writing data

Номер патента: US09672900B2. Автор: Shigeki Ohbayashi,Yasumasa Tsukamoto,Koji Nii,Makoto Yabuuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Memory device and stress testing method of same

Номер патента: US09627091B1. Автор: Johnny Chan,Hsi-Hsien Hung. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Resistive memory device and operation method thereof

Номер патента: US09613690B2. Автор: Se Ho LEE,Hae Chan PARK,Seung Yun Lee,Myoung Sub KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Nonvolatile memory device, memory system including the same, and method of operating nonvolatile memory device

Номер патента: US09543032B2. Автор: Soo-Woong Lee,Sangchul Kang,Seokcheon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor memory device including flag cells

Номер патента: US09496055B2. Автор: Sang Oh Lim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Memory device and data erasing method thereof

Номер патента: US09361989B1. Автор: Kuo-Pin Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-07.

Memory device to execute read operation using read target voltage

Номер патента: US20210343350A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-11-04.

Memory device to execute read operation using read target voltage

Номер патента: US20190115089A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-04-18.

Memory device to execute read operation using read target voltage

Номер патента: US20230352105A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Memory device to execute read operation using read target voltage

Номер патента: US20180182464A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-28.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20190304515A1. Автор: Hee Youl Lee,Sung In Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Word line charge integration

Номер патента: WO2024137192A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory device and method of operating the memory device

Номер патента: US20240185921A1. Автор: Young Hwan Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240242743A1. Автор: Jungyu Lee,Jihyun Park,ChiWeon Yoon,Yumin KIM,Eunchan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory address decoding circuit for a simultaneous operation flash memory device with a flexible bank partition architecture

Номер патента: WO2000017885A1. Автор: Johnny Chen,Yasushi Kasa,Tiao-Hua Kuo,Nancy Leong,Michael Van Buskirk. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2000-03-30.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20210090642A1. Автор: Osamu Nagao. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Non-destructive pattern identification at a memory device

Номер патента: US11935617B2. Автор: Takamasa Suzuki,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Non-volatile memory device which utilizes a pulse applied to a bit line and/or a common source line between read operations to reduce noise

Номер патента: US11538533B2. Автор: Se Jun Park,Jin-Kyu Kang,Jae Duk Lee,Rae young Lee,Gu Yeon HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-27.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20080043531A1. Автор: Yasushi Kameda,Ken Takeuchi,Koichi Kawai,Takuya Futatsuyama,Hitoshi Shiga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-02-21.

Memory device to execute read operation using read target voltage

Номер патента: US10186323B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-01-22.

Memory controller, memory device and method of operating

Номер патента: US20150131372A1. Автор: Cheng-Hsiung Kuo,Yue-Der Chih,Gu-Huan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-05-14.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20210304831A1. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US11355207B2. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-06-07.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20230102395A1. Автор: Sung Hyun Hwang,Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Memory device, related method, and related electronic device

Номер патента: US20170110167A1. Автор: Hong Yu,Hao Ni,Yi Jin Kwon,Chuntian YU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-04-20.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240257885A1. Автор: Sung Hyun Hwang,Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Nonvolatile memory device and operating method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20240282377A1. Автор: Woojae Jang,Jaeduk LEE,Sejun Park,YuJeong Seo,Chaehyeon LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory address decoding circuit for a simultaneous operation flash memory device with a flexible bank partition architecture

Номер патента: EP1125301A1. Автор: Johnny Chen,Yasushi Kasa,Tiao-Hua Kuo,Nancy Leong,Michael Van Buskirk. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-08-22.

Memory device to execute read operation using read target voltage

Номер патента: US10699792B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-06-30.

Non-destructive pattern identification at a memory device

Номер патента: US20230326494A1. Автор: Takamasa Suzuki,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor memory device which includes memory cell having charge accumulation layer and control gate

Номер патента: US20100296345A1. Автор: Hiroshi Maejima,Makoto Hamada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-25.

Memory device and memory system with a self-refresh function

Номер патента: US12094514B2. Автор: Chih-Chiang LAI. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory device configured to perform a search operation

Номер патента: US20240304239A1. Автор: Tomoya Sanuki,Yasuhito Yoshimizu. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US12125536B2. Автор: Se Chun Park,Chan Hui Jeong,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor memory device capable of controlling a floating state of adjacent word lines and an operating method thereof

Номер патента: US12124702B2. Автор: Hyunkook Park,Sara Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09972397B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Memory device, related method, and related electronic device

Номер патента: US09953689B2. Автор: Hong Yu,Hao Ni,Yi Jin Kwon,Chuntian YU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Asymmetric vreadk to reduce neighboring word line interference in a memory device

Номер патента: US20240371444A1. Автор: Xiang Yang,Peng Zhang,Dengtao Zhao. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Nonvolatile memory device and methods of operating the same including floating a common source line based on at least one of a program command and an access address

Номер патента: US09905298B2. Автор: Sang-Hyun Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Resistive memory device and operation method thereof

Номер патента: US09818481B2. Автор: Se Ho LEE,Hae Chan PARK,Seung Yun Lee,Myoung Sub KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Nonvolatile memory device and wordline driving method thereof

Номер патента: US09786372B2. Автор: Yoon-hee Choi,Sang-Wan Nam,Bongsoon LIM,Sun-Min YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor memory device that applies an initial pass voltage followed by a final pass voltage to non-selected word lines during a write operation

Номер патента: US09767908B2. Автор: SANAD Bushnaq,Masanobu Shirakawa,Hidehiro Shiga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Nonvolatile memory device, storage device having the same, operating method thereof

Номер патента: US09711235B2. Автор: Won-Tae Kim,Jin-Yub Lee,Yohan Lee,Venkataramana Gangasani,Sungwhan SEO,Dojeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Non-valatile semiconductor memory device and location based erasure methods

Номер патента: US09704579B1. Автор: Mathias Bayle. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09640274B1. Автор: Shigeo Kondo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Read methods of memory devices using bit line sharing

Номер патента: US09633704B2. Автор: Dongku Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09627069B1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor memory device and memory system including same

Номер патента: US09607678B2. Автор: Seung Hoon Oh,Jong Ho Lee,Tae Young Oh,Kwang Il Park,Su Yeon Doo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Memory device and memory system

Номер патента: US09508441B1. Автор: Dae-Seok Byeon,Sang-Wan Nam,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Memory device with stable writing and/or reading operation

Номер патента: US09496026B1. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Hidehiro Fujiwara,Mohammed Hasan TAUFIQUE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Systems and methods for capture and replacement of hammered word line address

Номер патента: US12142313B2. Автор: John E. Riley,Joo-Sang Lee. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-11-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US09355714B2. Автор: Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US12033707B2. Автор: Won-Taeck JUNG,Dongku Kang,Su Chang Jeon,Kyung-Min Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120002475A1. Автор: Hiroyuki Nagashima,Koki Ueno. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-05.

Magnetic memory device

Номер патента: US20200321041A1. Автор: Artur ANTONYAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-08.

Semiconductor memory device controlling the supply voltage on BIT lines

Номер патента: US5363336A. Автор: Tomoaki Yabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-11-08.

Memory device, memory system including the same and operating method thereof

Номер патента: US20240257886A1. Автор: Sung Yong Lim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Spiking neural network device, nonvolatile memory device, and operation method thereof

Номер патента: US20230215498A1. Автор: Byung-gook Park,Seunghwan Song,Bosung Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-06.

Memory devices and operation methods thereof including a write voltage selectively applied to a well of a column multiplexer circuit

Номер патента: US12051456B2. Автор: Suk-Soo Pyo,Gyuseong KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Flash memory device and programming method thereof

Номер патента: US20120243334A1. Автор: Hsing-Wen Chang,Yao-Wen Chang,Chu-Yung Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Programming selective word lines during an erase operation in a memory device

Номер патента: US20230289062A1. Автор: Jonathan S. Parry,Kishore Kumar Muchherla,Violante Moschiano,Akira Goda,Ugo Russo,Silvia Beltrami,Niccolo' Righetti,Jeffrey S. McNeil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20170263297A1. Автор: Kosuke Hatsuda,Katsuhiko Hoya,Nao Matsuoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Adaptive Programming For Non-Volatile Memory Devices

Номер патента: US20130250692A1. Автор: Danut Manea,Stephen Trinh,Dixie Nguyen,Erwin Castillon,Uday Mudumba,Sabina Centazzo. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2013-09-26.

Loop dependent bit line and read biases in a memory device

Номер патента: US20240304262A1. Автор: Xiang Yang,Abhijith Prakash. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory device and operating method for performing pre-program operation on over-erasure cells

Номер патента: US12087376B2. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Programming selective word lines during an erase operation in a memory device

Номер патента: US12131028B2. Автор: Jonathan S. Parry,Kishore Kumar Muchherla,Violante Moschiano,Akira Goda,Ugo Russo,Silvia Beltrami,Niccolo' Righetti,Jeffrey S. McNeil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Nonvolatile memory devices, memory systems and related control methods

Номер патента: US20160254038A1. Автор: Dongkyo Shim,Donghun Kwak,Hyun jun YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-01.

Error-resilient memory device with row and/or column folding with redundant resources and repair method thereof

Номер патента: US09905315B1. Автор: Sourav Roy,Prokash Ghosh,Neha Raj. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-02-27.

Nonvolatile memory device for supporting fast checking function and operating method of data storage device including the same

Номер патента: US09899094B2. Автор: Ji Man HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09818467B2. Автор: Kosuke Hatsuda,Katsuhiko Hoya,Nao Matsuoka. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US09595331B1. Автор: SUNG Wook Jung,Jin HO KIM,Go-Hyun LEE,Ji Hui Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Nonvolatile memory devices, memory systems and related control methods

Номер патента: US09520168B2. Автор: Dongkyo Shim,Donghun Kwak,Hyun jun YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor memory device and method of testing the same

Номер патента: US09455049B2. Автор: Sung-Yub LEE,Na-Yeon Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device with reduced crosstalk between lines

Номер патента: US5060189A. Автор: Yoshiji Ota. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1991-10-22.

Voltage supply circuit, memory device including the same, and operating method of memory device

Номер патента: US20240233804A1. Автор: Sangwan Nam,ChiWeon Yoon,Chihyun Kim,Jayang Yoon,Hyeongdo CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Non-volatile memory device and method for programming the device, and memory system

Номер патента: US20130279260A1. Автор: Sung-Won Yun,Dong-Hyuk Chae,Sang-Wan Nam,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-24.

Memory device and erasing and verification method thereof

Номер патента: US20230268007A1. Автор: Hongtao Liu,An ZHANG,Jianquan Jia,Kaiwei LI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Memory device for effectively checking program state and operation method thereof

Номер патента: US20240038312A1. Автор: Soo Yeol CHAI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Memory device

Номер патента: US20160284387A1. Автор: Wei-Cheng Wu,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Chih-Yu Lin,Jonathan Tsung-Yung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-29.

Memory device and programming method thereof

Номер патента: US20240221835A1. Автор: Kuan-Fu Chen,Ya-Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Non-volatile memory device and method for programming the device, and memory system

Номер патента: US8472247B2. Автор: Sung-Won Yun,Dong-Hyuk Chae,Sang-Wan Nam,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-25.

Voltage supply circuit, memory device including the same, and operating method of memory device

Номер патента: EP4398250A1. Автор: Sangwan Nam,ChiWeon Yoon,Chihyun Kim,Jayang Yoon,Hyeongdo CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

Nonvolatile semiconductor memory device having multi-level memory cells and page buffer used therefor

Номер патента: US20070195636A1. Автор: Ho Jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-23.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20200286542A1. Автор: Young Jin Woo,Won Yeol Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor memory device and method for reading data therefrom

Номер патента: US5459692A. Автор: Yasuhiro Shin,Hidetaka Kodama. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1995-10-17.

Memory device controlling pass voltage and operating method thereof

Номер патента: US20240265971A1. Автор: Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Intermediate re-verify for achieving tighter threshold voltage distributions in a memory device

Номер патента: US20240290402A1. Автор: Xiang Yang,Abhijith Prakash. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240290382A1. Автор: Koji KATO,Tomoki Nakagawa,Toshifumi Hashimoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device having source areas of memory cells supplied with a common voltage

Номер патента: US20020031009A1. Автор: Toshiro Futatsugi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-03-14.

Magnetic memory device

Номер патента: US20050146926A1. Автор: Tsuneo Inaba. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-07.

Memory device and program operation thereof

Номер патента: US20240282393A1. Автор: Ying Huang,Hongtao Liu,Wenzhe WEI,Dejia Huang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory device using a plurality of supply voltages and operating method thereof

Номер патента: US20240282367A1. Автор: Taehyun Kim,Taemin CHOI,Seongook JUNG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory device and program operation thereof

Номер патента: US20240272801A1. Автор: Jialiang DENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Nand flash memory device with enhanced data retention characteristics and operating method thereof

Номер патента: US20240265975A1. Автор: Sung Ho Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory device and program operation method thereof

Номер патента: US12094536B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory device

Номер патента: US20240321374A1. Автор: Manabu Sato. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Magnetic memory device

Номер патента: US6894923B2. Автор: Tsuneo Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-05-17.

Magnetic memory device

Номер патента: US7110285B2. Автор: Tsuneo Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-09-19.

Memory devices and methods for controlling row hammer

Номер патента: US12119044B2. Автор: Seongjin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US12135882B2. Автор: Hyung Jin Choi,Se Chun Park,Chan Hui Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240331785A1. Автор: Won-Taeck JUNG,Dongku Kang,Su Chang Jeon,Kyung-Min Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory device and erasing and verification method thereof

Номер патента: US12100456B2. Автор: Hongtao Liu,An ZHANG,Jianquan Jia,Kaiwei LI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory device and programming method thereof

Номер патента: US12112803B2. Автор: Kuan-Fu Chen,Ya-Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Nonvolatile memory device and calibration method for the same

Номер патента: US09972400B1. Автор: Albert Lee,Kang-Lung Wang,Hochul Lee. Владелец: Inston Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Nonvolatile memory device and storage device including the nonvolatile memory device

Номер патента: US09953712B2. Автор: Jong-Chul Park,Seung-Bum Kim,Myung-Hoon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor memory device and method for detecting weak cells

Номер патента: US09922726B2. Автор: Young-Geun Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09859011B1. Автор: Yoshikazu Harada,Yuko Utsunomiya,Kosuke Yanagidaira,Hayato Konno,Jiyun Nakai,Hiroe Kami. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Semicondutor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09824755B2. Автор: Chul-woo Park,Kwang-Il Park,Young-Soo Sohn,Hak-soo Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Nonvolatile memory device and storage device including the nonvolatile memory device

Номер патента: US09773560B2. Автор: Jong-Chul Park,Seung-Bum Kim,Myung-Hoon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor memory device including dummy memory cells and method of operating the same

Номер патента: US09679657B2. Автор: Kyoung Jin PARK,Byeong Il HAN,Sung Ho Bae. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09613713B2. Автор: Koji Hosono,Takuya Futatsuyama,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Nonvolatile memory devices and methods of programming and reading nonvolatile memory devices

Номер патента: US09576669B2. Автор: Chang-Bum Kim,Gyo-Soo Choo,Duk-Min Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Variable resistive memory device including controller for driving bitline, word line, and method of operating the same

Номер патента: US09496032B2. Автор: Ki Myung Kyung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Memory device with word line pulse recovery

Номер патента: US20240161822A1. Автор: Cheng Hung Lee,Yu-Hao Hsu,Wei-jer Hsieh,Zhi-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Memory device with word line pulse recovery

Номер патента: US11915746B2. Автор: Cheng Hung Lee,Yu-Hao Hsu,Wei-jer Hsieh,Zhi-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Nonvolatile memory devices having enhanced write drivers therein

Номер патента: US11908503B2. Автор: ANTONYAN Artur,Hyuntaek JUNG,Gyuseong KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Memory device for in-memory computing

Номер патента: US20240021244A1. Автор: Yu-Yu Lin,Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US9449708B2. Автор: Ryota Hirai,Yasuhiro Shiino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20060262635A1. Автор: Hidenari Kanehara. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-23.

Memory device

Номер патента: US20220115058A1. Автор: Sungkyu Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20100014375A1. Автор: Tomoaki Yabe,Akihito Tohata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-21.

Switching architecture for a nand flash memory device and a high voltage switch circuit

Номер патента: US20210287747A1. Автор: Moon Soo Sung,Miriam Sangalli,Yong Tae Kim,Marco Passerini,Dario Melchionni,Giulio Maria Iadicicco. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-16.

Word line drivers for memory devices

Номер патента: US20240194256A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui,Brenton P. Van Leeuwen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09543020B2. Автор: Yuya Suzuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Three-dimensional flash memory device including dummy word line

Номер патента: US09496038B1. Автор: Sang-Wan Nam,Daeseok Byeon,Donghun Kwak,ChiWeon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Non-volatile memory device and related read method using adjustable bit line connection signal

Номер патента: US09437313B2. Автор: Eun-Jin Yun,Sang-Chul Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020161981A1. Автор: Haruki Toda,Kenji Tsuchida,Hitoshi Kuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-10-31.

Memory devices performing repair operations and repair operation methods thereof

Номер патента: US20200111541A1. Автор: Kyungryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20050058003A1. Автор: Kouichi Yamada. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-17.

Memory device with unique read and/or programming parameters

Номер патента: US12057161B2. Автор: Wei Zhao,Henry Chin,Erika Penzo,Dong-II MOON. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-06.

Reference word line and data propagation reproduction circuit for memories provided with hierarchical decoders

Номер патента: US5754483A. Автор: Luigi Pascucci,Paolo Rolandi,Marco Fontana,Antonio Barcella. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1998-05-19.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020015333A1. Автор: Kazuto Furumochi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-02-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20030105916A1. Автор: Haruki Toda,Kenji Tsuchida,Hitoshi Kuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-06-05.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20090168527A1. Автор: Makoto Hamada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-02.

Memory device, memory system, and read operation method thereof

Номер патента: EP4437541A1. Автор: LEI Jin,Ying Huang,Hongtao Liu,Lei GUAN,XiangNan Zhao,Yuanyuan MIN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Low power semiconductor memory device

Номер патента: US09928900B2. Автор: Koichiro Ishibashi,Kenichi Osada,Shigezumi Matsui,Masanao Yamaoka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09899098B1. Автор: Mizuki Kaneko,Junji Musha. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor memory device which stores plural data in a cell

Номер патента: US09858992B2. Автор: Tomoharu Tanaka,Noboru Shibata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Memory chip, memory device, and reading method

Номер патента: US09685236B2. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Threshold based multi-level cell programming for a non-volatile memory device

Номер патента: US09672933B2. Автор: Sang-Soo Park,Joon-Soo KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor memory device capable of performing read operation and write operation simultaneously

Номер патента: US09633712B1. Автор: Chung-Hao Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor memory device which stores plural data in a cell

Номер патента: US09627048B2. Автор: Tomoharu Tanaka,Noboru Shibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Memory chip, memory device, and reading method

Номер патента: US09543027B2. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09530510B2. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Method for accessing flash memory and associated controller and memory device

Номер патента: US09489143B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Memory device for supporting cache read operation, operating method thereof, and memory system including the same

Номер патента: US20220342817A1. Автор: Gwan Park,Jeong Gil CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Memory device performing incremental step pulse program operation and operating method thereof

Номер патента: US11776630B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20210233597A1. Автор: Sang-Hyun Joo,Jae Woo Im,Myoung-Won Yoon,Jae-Hak Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-29.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120206968A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Non-volatile memory device and related read method

Номер патента: US20140321209A1. Автор: Eun-Jin Yun,Sang-Chul Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-10-30.

Memory device and program speed control method thereof

Номер патента: US12067258B2. Автор: Dong Hun Kwak,Hyun Seob SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20040078515A1. Автор: Haruki Toda,Kenji Tsuchida,Hitoshi Kuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-04-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20060221754A1. Автор: Wataru Abe,Shuji Nakaya,Mituaki Hayashi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-05.

Tree-structure memory device

Номер патента: US20100097834A1. Автор: Barry C. Stipe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-22.

Dynamic semiconductor memory device and method of controlling refresh thereof

Номер патента: US20030112690A1. Автор: Shyuichi Tsukada. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2003-06-19.

Semiconductor memory device and test method for the same

Номер патента: US20230115776A1. Автор: Haruyuki Okuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

Method of programming non-volatile memory device

Номер патента: US12125541B2. Автор: Sungmin JOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory device and program speed control method thereof

Номер патента: US20240361921A1. Автор: Dong Hun Kwak,Hyun Seob SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor memory device and test method for the same

Номер патента: US12073900B2. Автор: Haruyuki Okuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Path isolation in a memory device

Номер патента: US09978449B2. Автор: Hernan A. Castro. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Refresh control circuit for target refresh operation of semiconductor memory device, and operating method thereof

Номер патента: US09953696B2. Автор: Jung-Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Magnetic memory device and operating method thereof

Номер патента: US09875782B2. Автор: Hongil Yoon,Kangwook JO,Jongil HONG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2018-01-23.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09805798B2. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor memory device and semiconductor system

Номер патента: US09627075B1. Автор: Won-Sun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor memory device with dummy memory mat and refresh operating method thereof

Номер патента: US09472259B2. Автор: Ga-Ram Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Non-volatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240233831A1. Автор: ByungKyu Cho,Hyunkook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Nonvolatile memory device controlling common source line for improving read characteristic

Номер патента: US20060072358A1. Автор: Jin-Yub Lee,Sang-Chul Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-06.

Method of and apparatus for refreshing memory devices

Номер патента: US20240105249A1. Автор: Katherine H. Chiang,Ming-Yen Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Memory Device and Erasing and Verification Method Thereof

Номер патента: US20210335426A1. Автор: Hongtao Liu,An ZHANG,Jianquan Jia,Kaiwei LI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Apparatus and method for programming and verifying data in a nonvolatile memory device

Номер патента: US20240177773A1. Автор: Hyung Jin Choi,Gwi Han KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Phase change memory device, operation method thereof, and data storage device having the same

Номер патента: US20130155765A1. Автор: Dong Keun Kim,Sun Hyuck Yon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-06-20.

Memory device for performing read operation

Номер патента: US20240290394A1. Автор: Dong Hun Kwak,Jae Yeop Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory device and sense amplifier capable of performing logical not operation

Номер патента: US20240304236A1. Автор: Shu-Sen Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Path isolation in a memory device

Номер патента: US09691481B2. Автор: Hernan A. Castro. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Memory device to alleviate the effects of row hammer condition and memory system including the same

Номер патента: US09685240B1. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor memory device and refresh control method thereof

Номер патента: US09672889B2. Автор: Sung-Soo Chi,Sung-Yub LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor memory device, erasing methods thereof, and data storage device including the same

Номер патента: US09646696B2. Автор: Chan Woo Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Word line dependent programming in a memory device

Номер патента: US09548124B1. Автор: Arash Hazeghi,Dana Lee,Gerrit Jan Hemink,Henry Chin,Bo Lei,Zhenming Zhou. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-01-17.

Memory device with improved refresh scheme for redundancy word line

Номер патента: US09514850B2. Автор: Sang-Hee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Nonvolatile memory device and method of reading the same

Номер патента: US09508423B2. Автор: Boh-Chang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Path isolation in a memory device

Номер патента: US09466365B2. Автор: Hernan A. Castro. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Memory device pre-charging common source line and operating method of the same

Номер патента: US20240221836A1. Автор: Yohan Lee,Sangsoo Park,Jonghoon Park,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Wordline defect detection circuit, wordline defect detection method, and memory device including the same

Номер патента: EP4398253A2. Автор: Seongjin Kim,Chihyun Kim,Junehong PARK,Jayang Yoon,Hyeongdo CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

Techniques for memory cell reset using dummy word lines

Номер патента: US20230395123A1. Автор: Yuan He,Wenlun Zhang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Nonvolatile memory device and method of operating nonvolatile memory device

Номер патента: EP4177895A1. Автор: Sangwon Park,ChaeHoon KIM,Jiho Cho,Sanggi Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-10.

Wordline defect detection circuit, wordline defect detection method, and memory device including the same

Номер патента: US20240233850A1. Автор: Seongjin Kim,Chihyun Kim,Junehong PARK,Jayang Yoon,Hyeongdo CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Wordline defect detection circuit, wordline defect detection method, and memory device including the same

Номер патента: EP4398253A3. Автор: Seongjin Kim,Chihyun Kim,Junehong PARK,Jayang Yoon,Hyeongdo CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160042800A1. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-11.

Integrated circuit memory devices with per-bit redundancy and methods of operation thereof

Номер патента: US20020110029A1. Автор: Jae-Goo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-08-15.

Memory devices including tri-state memory cells

Номер патента: US20240282370A1. Автор: Yuan He,Jiyun Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory device with combined non-volatile memory (NVM) and volatile memory

Номер патента: US09823874B2. Автор: Anirban Roy,Michael A. Sadd. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor memory device and test operation method thereof

Номер патента: US09607718B2. Автор: Sung-Soo Chi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Memory device

Номер патента: US09478316B1. Автор: Hoon Ryu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09466339B2. Автор: Jong Soon Leem. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor memory device having bit cells

Номер патента: US20180068715A1. Автор: Yongho Kim,Jonghoon Jung,Hoonki KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-08.

Nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US20190164603A1. Автор: Suk-Soo Pyo,BoYoung Seo,Taejoong Song,Hyuntaek JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor memory device with memory cell having charge accumulation layer and control gate and memory system

Номер патента: US20100271876A1. Автор: Tomoji Takada,Hidetaka Tsuji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-28.

Semiconductor memory device with memory cell having charge accumulation layer and control gate and memory system

Номер патента: US20090010057A1. Автор: Tomoji Takada,Hidetaka Tsuji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-08.

Memory device and variable resistance element

Номер патента: US20190088324A1. Автор: Masamichi Suzuki,Reika Ichihara,Kensuke Ota. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Memory device and method for operating selective erase scheme

Номер патента: US12046293B2. Автор: Wei-Liang Lin,Wen-Jer Tsai,Chun-Chang LU. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP1619690A3. Автор: Hitoshi Ikeda,Shinya Fujioka,Masato Matsumiya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-10-17.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230307069A1. Автор: Han Soo Joo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8503214B2. Автор: Yasuo Kobayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-08-06.

Memory device and operating method using application of pass voltage according to program loops

Номер патента: US12080357B2. Автор: Han Soo Joo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory device and method of operating wordlines

Номер патента: US20240312540A1. Автор: Daehan Kim,Jongho AN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Sense amplifier, and nonvolatile memory device and system including the same

Номер патента: US09997243B2. Автор: Seung Han OAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09972405B2. Автор: Tae Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Memory system with non-volatile memory device that is capable of single or simulataneous multiple word line selection

Номер патента: US09865351B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09812223B2. Автор: Tae Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09786380B2. Автор: Shinji Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor memory device capable of shortening erase time

Номер патента: US09595344B2. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Nonvolatile memory device with reduced coupling noise and driving method thereof

Номер патента: US09570168B2. Автор: Kwang-Jin Lee,Beak-Hyung Cho,Dong-Hoon Jeong,Woo-Jung SUN,Jae-Yun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Multiple programming pulse per loop programming and verification method for non-volatile memory devices

Номер патента: US09466389B2. Автор: Jung Ryul Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Voltage control in semiconductor memory device

Номер патента: US12027208B2. Автор: Hiroki Date. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor memory device capable of lowering a write voltage

Номер патента: US20110261619A1. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-27.

Semiconductor memory device capable of lowering a write voltage

Номер патента: US20090316479A1. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-24.

Volatile memory devices and methods of operating same to improve reliability

Номер патента: US20240212775A1. Автор: Junyoung Ko,Jungmin Bak,Changhwi Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for detecting memory device, computer storage medium, and electronic device

Номер патента: US11990174B2. Автор: Tianhao DIWU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Multi-pass programming operation sequence in a memory device

Номер патента: US12046279B2. Автор: Huiwen Xu,Jun Wan,Bo Lei. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-23.

Word line driver circuits for memory devices and methods of operating same

Номер патента: US20210225425A1. Автор: Youngsik Kim,Sangyun Kim,Seunghyun CHO,Sunggeun Do,Gongheum HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-22.

Nonvolatile memory devices and storage devices

Номер патента: US20230197158A1. Автор: Eun Chu Oh,Junyeong Seok,Younggul SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-22.

Nonvolatile memory devices and storage devices

Номер патента: EP4198987A1. Автор: Junyeong Seok,Younggul SONG,Eunchu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-21.

Control method for nonvolatile memory device with vertically stacked structure

Номер патента: US9218853B2. Автор: Chrong-Jung Lin,Hsin-Wei Pan. Владелец: Lite On Technology Corp. Дата публикации: 2015-12-22.

Control method for nonvolatile memory device with vertically stacked structure

Номер патента: US20150187398A1. Автор: Chrong-Jung Lin,Hsin-Wei Pan. Владелец: Lite On IT Corp. Дата публикации: 2015-07-02.

Access schemes for access line faults in a memory device

Номер патента: US20200051659A1. Автор: Yasushi Matsubara. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-13.

Integrated dynamic memory device and method for operating an integrated dynamic memory

Номер патента: US20020141229A1. Автор: Robert Feurle,Andreas Täuber,Paul Schmölz,Jean-Marc Dortu. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-10-03.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240304249A1. Автор: Hyung Jin Choi,Se Chun Park,Chan Hui Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor memory device outputting status fail signal and operating method thereof

Номер патента: US09959938B2. Автор: Chan Woo Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Memory device that performs sensing operation during a bit line pre-charge operation to determine adjustment to the bit line charging voltage

Номер патента: US09941013B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Non-volatile memory device and method of programming the same

Номер патента: US09858993B2. Автор: Dong-ku Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09798600B2. Автор: Yoshikazu Saito,Yuichiro Ishii,Atsushi Miyanishi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09601211B1. Автор: Chang Won YANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Nonvolatile memory device, storage device having the same, operating method thereof

Номер патента: US09570176B2. Автор: Ohsuk Kwon,Won-Taeck JUNG,Tae-Hong Kwon,Tae-Min Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Memory device, operation method of memory device, and operation method of test device configured to test memory device

Номер патента: US20240233857A1. Автор: Sang-Won Park,Bongsoon LIM,Won-Taeck JUNG,Kuihan KO,Heewon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device for applying voltage to select line based on number of times program loops are performed and method of operating the same

Номер патента: US12040022B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Row decoder and a memory device having the same

Номер патента: US20170084335A1. Автор: Wook-ghee Hahn,Chang-Yeon YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-23.

Reducing Hot Electron Injection Type Of Read Disturb In 3D Non-Volatile Memory For Edge Word Lines

Номер патента: US20160358662A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160293243A1. Автор: Jae-il Kim,No-Guen JOO,Do-Hong KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-06.

Flash memory device

Номер патента: US20020091906A1. Автор: Weon-Hwa Jeong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-07-11.

Apparatus and methods for testing memory devices

Номер патента: US20070168778A1. Автор: Sathya Kaginele. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-19.

Memory device

Номер патента: US20240274207A1. Автор: Masumi SAITOH,Reika Tanaka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US12125525B2. Автор: Yu-Hao Hsu,Tsung-Hsien Huang,Wei-jer Hsieh,Tsung-Yuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09953709B2. Автор: Yuji Nagai,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Reducing hot electron injection type of read disturb in 3D non-volatile memory for edge word lines

Номер патента: US09905305B2. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-02-27.

Non-volatile memory device for detecting progressive error, memory system, and method of operating the non-volatile memory device

Номер патента: US09842659B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Byung-Gil Jeon,Sang-Wan Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Row decoder and a memory device having the same

Номер патента: US09818483B2. Автор: Wook-ghee Hahn,Chang-Yeon YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Operation method operating nonvolatile memory device having plurality of memory blocks

Номер патента: US09805807B2. Автор: Ji-Young Lee,Yoon-hee Choi,Mu-hui Park,Jiho Cho,Cheon An LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Flash memory device revising program voltage, three-dimensional memory device, memory system including the memory device, and methods of programming the memory device

Номер патента: US09779833B2. Автор: Sang-Hyun Joo,Jae-Woo Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09761318B1. Автор: Shigeo Kondo. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor memory device with address latch circuit

Номер патента: US09721633B2. Автор: Naoki Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Automatic word line leakage measurement circuitry

Номер патента: US09704542B2. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Nonvolatile memory device maintaining a bitline precharge during program verification periods for multi-level memory cells and related programming method

Номер патента: US09418747B2. Автор: Dong-ku Kang,Seung-Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-16.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20230108946A1. Автор: Se Chun Park,Sung Hyun Hwang,Jae Yeop Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-06.

Nonvolatile memory device and opeation method thereof

Номер патента: US20240177764A1. Автор: Sangkwon Moon,Heewon Lee,Seungkyung Ro,Su Chang Jeon,Woohyun Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Write-read circuit with a bit line multiplexer for a memory device

Номер патента: US20240170034A1. Автор: Mohit Gupta,Stefan Cosemans. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory device with voltage boosting circuit

Номер патента: US11158360B1. Автор: Wen-Pin Hsieh,Shih-Hao Chen. Владелец: Digwise Technology Corp Ltd. Дата публикации: 2021-10-26.

Programming techniques in a memory device to reduce a hybrid slc ratio

Номер патента: US20240242764A1. Автор: JIA Li,Huiwen Xu,Ken Oowada,Bo Lei,Deepanshu Dutta. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

Read techniques to reduce read errors in a memory device

Номер патента: US11972806B2. Автор: Xiang Yang,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-30.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170263318A1. Автор: SANAD Bushnaq,Takayuki Akamine,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US11929126B2. Автор: Se Chun Park,Sung Hyun Hwang,Jae Yeop Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Memory device and power management method using the same

Номер патента: US20210241803A1. Автор: Sanjeev Kumar Jain. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Second word line combined with y-mux signal in high voltage memory program

Номер патента: US20230377629A1. Автор: Yoshitaka Yamauchi,Hiroki Noguchi,Perng-Fei Yuh,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory access method and semiconductor memory device

Номер патента: US20090296498A1. Автор: Hiroshi Nakadai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-12-03.

Multi-stage erase operation for a memory device

Номер патента: US20220051724A1. Автор: Shinji Sato,Foroozan S. Koushan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Memory device and method for managing read counts of memory device

Номер патента: US20210365213A1. Автор: Yen-Hsiang Chen,Nai-Ping Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Generation of quick pass write biases in a memory device

Номер патента: US20240304251A1. Автор: Xiang Yang,Abhijith Prakash. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Nonvolatile memory devices for reducing degradation due to difference of threshold voltage distributions between outer cells and inner cells

Номер патента: US12094535B2. Автор: Eun Chu Oh,Junyeong Seok,Younggul SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Adaptive word line control circuit

Номер патента: US12106800B2. Автор: Wei Min Chan,Chien-Chen Lin,Pei-Yuan LI,Shang Lin Wu,Hsiang-Yun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Memory device, the operation method thereof and memory system

Номер патента: US12112802B2. Автор: JING Wei,Zhihong Li,Masao Kuriyama. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US12125543B2. Автор: Jong Woo Kim,Eun Woo JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory device, memory system, method of operating the memory device, and method of operating the memory system

Номер патента: US09824765B2. Автор: Yoon Kim,Sang-Soo Park,Won-Bo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09767910B1. Автор: SANAD Bushnaq,Takayuki Akamine,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Variable pulse widths for word line activation using power state information

Номер патента: US09606742B1. Автор: Hoyeol Cho,Jinho Kwack,Jilong Shan. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Nonvolatile memory device and method of erasing the same

Номер патента: US09424940B1. Автор: Moosung Kim,Dongku Kang,Sungwhan SEO,Gyosoo Choo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor memory device having main word lines and sub-word lines

Номер патента: US09418711B2. Автор: Takeshi Ohgami. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Method for programming selected memory cells in nonvolatile memory device and nonvolatile memory device thereof

Номер патента: US09378822B2. Автор: Chung-Shan Kuo. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Memory device for performing program operation including program loops and method of operating the same

Номер патента: US20240233830A1. Автор: Chan Sik Park,Hyung Jin Choi,Gwi Han KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US12014796B2. Автор: Meng-Sheng CHANG,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Memory device with command buffer

Номер патента: US20010003512A1. Автор: Casey Kurth,Scott Derner,Patrick Mullarkey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-06-14.

Semiconductor memory device and layout structure of sub-word line control signal generator

Номер патента: US20110075505A1. Автор: In-Chul Jeong,Dong-Su Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-03-31.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20110292747A1. Автор: Ju-Young Seo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

Methods for programming a memory device and memory devices using inhibit voltages that are less than a supply voltage

Номер патента: US20100271871A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-28.

Semiconductor memory device and method of controlling semiconductor memory device

Номер патента: US20220270693A1. Автор: Hideyuki Kataoka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Methods for programming a memory device and memory devices using inhibit voltages that are less than a supply voltage

Номер патента: US20110164456A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-07-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP2793231A3. Автор: Hitoshi Ikeda,Shinya Fujioka,Masato Matsumiya. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-02-25.

Methods for programming a memory device and memory devices using inhibit voltages that are less than a supply voltage

Номер патента: US8194446B2. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-06-05.

Semiconductor memory device and driving method thereof

Номер патента: US20050249004A1. Автор: Ju-Young Seo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-11-10.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20160260483A1. Автор: Tokumasa Hara,Masanobu Shirakawa,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Semiconductor memory device and method of controlling semiconductor memory device

Номер патента: US11676673B2. Автор: Hideyuki Kataoka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240290407A1. Автор: Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240312497A1. Автор: Meng-Sheng CHANG,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Non-volatile memory device with a plurality of cache latches and switches and method for operating non-volatile memory device

Номер патента: US09997250B2. Автор: Kang-Woo PARK,Eun-Ji Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor memory device that applies same voltage to two adjacent word lines for access

Номер патента: US09947408B2. Автор: Tokumasa Hara,Masanobu Shirakawa,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Three-dimensional (3D) non-volatile semiconductor memory device for loading improvement

Номер патента: US09805768B2. Автор: Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Non-volatile semiconductor memory device and improved verification and programming method for the same

Номер патента: US09646701B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09607711B1. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Method and device for detecting word line shorts in memory device

Номер патента: US20240202909A1. Автор: Wenlong Li,Zongliang Huo,Yanli Wang,Wenqi Wang,Jinxing Chen,Ban Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory device

Номер патента: US20240005979A1. Автор: Ying-Te Tu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12033702B2. Автор: Yoshikazu Harada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Mimicking program verify drain resistance in a memory device

Номер патента: US20070258287A1. Автор: Frankie Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-11-08.

Mimicking program verify drain resistance in a memory device

Номер патента: WO2007130556A2. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2007-11-15.

Memory device and memory device operating method

Номер патента: US20240242766A1. Автор: Hyun SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240203492A1. Автор: Yu Wang,Ke Jiang,Zhichao DU,Weijun Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230229344A1. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Transient and stable state read operations of a memory device

Номер патента: US20240062829A1. Автор: Ugo Russo,Shyam Sunder Raghunathan,Karan Banerjee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Memory device and programming method thereof

Номер патента: EP4394773A1. Автор: Kuan-Fu Chen,Ya-Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Sensing of memory cells in a solid state memory device by fixed discharge of a bit line

Номер патента: US20100039866A1. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-02-18.

Memory device performing program operation

Номер патента: US20240265980A1. Автор: Se Chun Park,Yeong Jo MUN,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Operation method for memory device

Номер патента: US20240282380A1. Автор: Yi-Chen Fan,Chieh-Yen Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory device performing leakage detection operation

Номер патента: US20240274209A1. Автор: Hyunee LEE,Wondong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor memory device and refresh control method

Номер патента: US7760572B2. Автор: Gen Koshita. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-07-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US7826272B2. Автор: Takashi Sakoh. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-11-02.

Flash memory device capable of reduced programming time

Номер патента: US20060126399A1. Автор: Myong-Jae Kim,Ji-Ho Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-06-15.

Memory device performing leakage detection operation

Номер патента: EP4414986A1. Автор: Wandong Kim,Hyunee LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-14.

Non-volatile semiconductor memory device capable of suppressing writing and erasure failure rate

Номер патента: US20020036921A1. Автор: Tatsuya Saeki,Satoru Tamada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-03-28.

Semiconductor memory device with reduced power consumption for refresh operation

Номер патента: US20050157582A1. Автор: Kuninori Kawabata,Masato Takita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-07-21.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20080198667A1. Автор: Takuya Futatsuyama,Yoshikazu HOSOMURA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-08-21.

A memory device

Номер патента: EP1288960A1. Автор: Tetsuya Uemura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-03-05.

Memory device, memory system, and read/verify operation method of the memory device

Номер патента: US09978458B2. Автор: Ji-Su Kim,Se-heon BAEK,Seong-Ook Jung,Yo-Han Lee,Jin-Young Chun,Ji-Suk Kim,Jun-young Ko,Chang-Yeon YU. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2018-05-22.

3D multi-layer non-volatile memory device with planar string and method of programming

Номер патента: US09859010B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory system including semiconductor memory device for performing refresh operation

Номер патента: US09830984B2. Автор: Jung-Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Memory device and memory system including the memory device

Номер патента: US09741425B2. Автор: Nak-Kyu Park,Sun-Hye Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor memory device capable of determining an initial program condition for different memory cells

Номер патента: US09679651B2. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09672914B1. Автор: Eun Young Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor memory device for performing refresh operation and semiconductor memory system including the same

Номер патента: US09508415B2. Автор: Jung-Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

NAND flash word line management using multiple fragment pools

Номер патента: US09455048B2. Автор: Yigal Eli,Yong Peng,Damian Yurzola,Rajeev Nagabhirava,Tal Heller,Krishnamurthy Dhakshinamurthy,Talal Ahwal,Tucker Dean BERCKMANN,Arjun Hary. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor memory device with cache memory addressable by block within each column

Номер патента: US4926385A. Автор: Hideto Hidaka,Kazuyasu Fujishima,Yoshio Matsuda,Mikio Asakura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1990-05-15.

Nonvolatile semiconductor memory device having a column decoder with multiple data bus portions connected via a switch

Номер патента: US9001582B2. Автор: Naofumi ABIKO,Tomofumi FUJIMURA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-07.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210366551A1. Автор: Jong Hoon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Nonvolatile memory cell, nonvolatile memory device, and method of programming the nonvolatile memory device

Номер патента: US20100014358A1. Автор: Dong-il Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-21.

Refresh method capable of reducing memory cell access time in semiconductor memory device

Номер патента: US20020141269A1. Автор: Jong-Yul Park,Seong-kue Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-10-03.

Nonvolatile semiconductor memory device and overerase correction method

Номер патента: EP1316965A9. Автор: Makoto Yamamoto,Susumu Takeuchi,Kiyohiko Sakakibara,Yukio Nakamoto,Kunio Tani,Tomohisa c/o Mitsubishi Electric Engineering Iba. Владелец: Mitsubishi Electric Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-01.

Nonvolatile memory device and method of programming a nonvolatile memory

Номер патента: US20240241649A1. Автор: Yonghyuk Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Reducing Hot Electron Injection Type Of Read Disturb In 3D Memory Device Having Connected Source-End Select Gates

Номер патента: US20190057749A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-02-21.

Temperature dependent programming techniques in a memory device

Номер патента: US12046306B2. Автор: Ravi Kumar,Sujjatul Islam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-23.

Memory device with charge-recycling arrangement

Номер патента: US20210295881A1. Автор: Hung-Chang Yu,Ta-Ching Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Method and signal generator for controlling timing of signal in memory device

Номер патента: US11398261B2. Автор: Ming-Hung Chang,He-Zhou Wan,Xiu-Li Yang,Mu-Yang YE,Lu-Ping KONG. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-26.

Memory device having reduced power noise in refresh operation and operating method thereof

Номер патента: US12056371B2. Автор: Jungmin YOU,Seongjin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory device and wrap around read method thereof

Номер патента: US20240265954A1. Автор: Chung-Zen Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory device detecting defect of word line path and operating method thereof

Номер патента: US20240296898A1. Автор: Daeseok Byeon,Taehong KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor memory device and method for adjusting threthold voltage thereof

Номер патента: US11100975B2. Автор: Yutaka Shimizu,Makoto Morimoto,Rui Ito,Ryuichi Fujimoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-08-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080037335A1. Автор: Takashi Sakoh. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-02-14.

Semiconductor memory device and information processing apparatus

Номер патента: US20140078834A1. Автор: Hirotoshi Sasaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-03-20.

Non-volatile semiconductor memory device capable of improving failure-relief efficiency

Номер патента: US20130308384A1. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Memory device, method of generating log of command signals/address signals of memory device, and method of analyzing errors of memory device

Номер патента: US20160172060A1. Автор: Kwang-Hyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080084730A1. Автор: Daisaburo Takashima,Katsuhiko Hoya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-10.

Flash memory device capable of reduced programming time

Номер патента: US20080181011A1. Автор: Myong-Jae Kim,Ji-Ho Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-31.

Non-volatile semiconductor memory device capable of improving failure-relief efficiency

Номер патента: US20150098273A1. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-09.

Memory device, memory system, method of operating memory device, and method of operating memory system

Номер патента: US09916900B2. Автор: Yoon Kim,Dong-Chan Kim,Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-13.

Control circuit, peripheral circuit, semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09859008B1. Автор: Da U Ni Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Nonvolatile memory device and method for sensing the same

Номер патента: US09728254B2. Автор: Mu-hui Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US09627025B2. Автор: Jae-il Kim,Sang-Ah HYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of operating memory device and refresh method of the same

Номер патента: US09589625B2. Автор: Hyun-Ki Kim,Hyung-Sik You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US09552867B2. Автор: Chul-woo Park,Kwang-Il Park,Uk-Song KANG,Young-Soo Sohn,Hak-soo Yu,Jae-Youn Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor memory device with reduced chip area

Номер патента: US5724291A. Автор: Tatsuya Matano. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-03-03.

Integrated circuit memory device with write driver and method of operating same

Номер патента: US10535392B2. Автор: Artur ANTONYAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-14.

Semiconductor system including a phase changeable memory device

Номер патента: US20200185029A1. Автор: Yun Seok Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Word line driver having a divided bias line in a non-volatile memory device and method for driving word lines

Номер патента: TWI293760B. Автор: Kim Jong-jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-21.

NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD CONTROLLING DUMMY WORD LINE VOLTAGE ACCORDING TO LOCATION OF SELECTED WORD LINE

Номер патента: US20120307561A1. Автор: CHOI KI HWAN,JOO Sang-Hyun,KIM Moo Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-12-06.

Semiconductor memory device capable of high-speed word line drive

Номер патента: JP3642804B2. Автор: 泰星 張,東一 徐. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-04-27.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING VERTICAL TRANSISTOR AND BURIED BIT LINE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120007171A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-12.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002478A1. Автор: Isobe Katsuaki,Kojima Masatsugu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CHARGE EQUILIBRIUM ACCELERATION IN A FLOATING GATE MEMORY DEVICE VIA A REVERSE FIELD PULSE

Номер патента: US20120002482A1. Автор: Kalavade Pranav,Franklin Nathan R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Circuit and method for eliminating bit line leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002496A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002469A1. Автор: IMAMOTO Akihiro,Abiko Naofumi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002472A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002475A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PROGRAMMING A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002481A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTANCE CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002458A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002470A1. Автор: Honma Mitsuaki,Futatsuyama Takuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Three-dimensional phase-change memory devices and controlling method thereof

Номер патента: WO2024216434A1. Автор: Jianping Li,Xiaojun Sun,Zuqi DONG. Владелец: Yangtze Advanced Memory Industrial Innovation Center Co., Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Three-dimensional phase-change memory devices and controlling method thereof

Номер патента: WO2024216432A1. Автор: Jianping Li,Xiaojun Sun,Zuqi DONG. Владелец: Yangtze Advanced Memory Industrial Innovation Center Co., Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

STRESS-ENGINEERED RESISTANCE-CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120001148A1. Автор: . Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.