Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Phase change memory device with voltage control elements

Phase change memory device with voltage control elements

Номер патента: US09525007B2
Опубликовано: 20-12-2016
Автор(ы): Antonino Rigano, Fabio Pellizzer
Принадлежит: Micron Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Phase-change random access memory device and method of making the same

Номер патента: US20210249592A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING VARIABLE RESISTANCE ELEMENT OR PHASE-CHANGE ELEMENT AS MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130163323A1. Автор: YASUTAKE Nobuaki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-06-27.

PHASE CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220140235A1. Автор: Yen Chun-Hsu,Hsu Yu-Chuan,Yang Chen-Hui. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-05.

NOVEL PHASE CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200091423A1. Автор: Yen Chun-Hsu,Hsu Yu-Chuan,Yang Chen-Hui. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-19.

PHASE-CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20220285613A1. Автор: WU Jau-Yi. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-08.

PHASE-CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20210249592A1. Автор: WU Jau-Yi. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-12.

Phase change random access memory (PRAM) device

Номер патента: US20060285380A1. Автор: Byung-Gil Choi,Choong-Keun Kwak,Du-Eung Kim,Beak-Hyung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-12-21.

Self-aligned process for manufacturing a phase change memory cell and phase change memory cell thereby manufactured

Номер патента: EP1469532A1. Автор: Fabio Pellizzer. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2004-10-20.

Phase change material for use in a phase change random access memory, the phase change material having uniformly distributed insulating impurities

Номер патента: US7956342B2. Автор: Yoon-Ho Khang,Dong-Seok Suh,Sang-mock Lee,Jin-seo Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-07.

Memory devices with reduced operational energy in phase change material and methods of operation

Номер патента: US09865339B2. Автор: Roy E. Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Memory device and method for thermoelectric heat confinement

Номер патента: US09548110B2. Автор: Daniel Krebs,Aravinthan Athmanathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Phase change memory with metastable set and reset states

Номер патента: US20160125938A1. Автор: Wanki Kim,Chung H. Lam,Sangbum Kim,Matthew J. BrightSky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-05.

Phase-change memory with selectors in bjt technology and differential-reading method thereof

Номер патента: US20200126616A1. Автор: Antonino Conte. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-04-23.

Sb—Te—Ti phase-change memory material and Ti—Sb2Te3 phase-change memory material

Номер патента: US10276234B2. Автор: Cheng Peng,Feng Rao,Min Zhu,Kun REN,Zhitang Song,Xilin ZHOU,Liangcai Wu,Songlin Feng. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2019-04-30.

Phase-change memory with selectors in bjt technology and differential-reading method thereof

Номер патента: US20190096480A1. Автор: Antonino Conte. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-03-28.

Memory and electronic devices with reduced operational energy in chalcogenide material

Номер патента: US20180144796A1. Автор: Roy E. Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-24.

Storage nodes including a phase chang layer and methods of manufacturing and operating the same, phase change memory devices and methods of manufacturing and operating the same

Номер патента: US7871906B2. Автор: Jong-wook Lee,Jun-Ho Lee,Sung-Kwan Kang,Hion-suck Baik. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-01-18.

Phase change memory using multiple phase change layers and multiple heat conductors

Номер патента: US20200395537A1. Автор: Wei Wang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Kevin W. Brew,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-17.

Phase change memory with supply voltage regulation circuit

Номер патента: US11107525B2. Автор: Michele La Placa,Fabio Enrico Carlo Disegni,Federico Goller. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-08-31.

Phase change memory device

Номер патента: US9779805B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Roberto Gastaldi,Fabio Pellizzer,Roberto Bez. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Phase change memory structures and methods

Номер патента: US20140097399A1. Автор: Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-10.

Method for fabricating phase change memory

Номер патента: US20140162428A1. Автор: Yoshihiro Hirota,Kenichi Oyama,Hajime Nakabayashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-06-12.

Phase change memory

Номер патента: US09515259B2. Автор: Yang Wu,Kai-Li Jiang,Shou-Shan Fan,Peng Liu,Jia-Ping Wang,Qun-Qing Li. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Set/reset methods for crystallization improvement in phase change memories

Номер патента: US20200365203A1. Автор: Neil Leslie Robertson,Gerardo A. Bertero,Michael K. Grobis,Mac D. Apodaca,Michael Nicolas Albert Tran,Zhaoqiang BAI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-11-19.

Keyhole-free sloped heater for phase change memory

Номер патента: US20130286726A1. Автор: Jong Won Lee,Tim Minvielle,Jinwook Lee,Soonwoo Cha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-10-31.

Phase change memory cell with double active volume

Номер патента: US20230284541A1. Автор: Kevin W. Brew,Ching-Tzu Chen,Timothy Mathew Philip,Injo OK,Jin Ping HAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Phase-change memory device, phase-change channel transistor, and memory cell array

Номер патента: US20080049490A1. Автор: Takashi Ono,Sumio Hosaka,Masaki Yoshimaru,Mayumi Nakasato,Hayato Sone. Владелец: Semiconductor Technology Academic Research Center. Дата публикации: 2008-02-28.

Phase change memory structures and methods

Номер патента: US09437816B2. Автор: Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Phase-change memory device having reversed phase-change characteristics and phase-change memory having highly integrated three-dimensional architecture using same

Номер патента: US20200168792A1. Автор: Yun Heub Song. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2020-05-28.

Phase-change memory device having reversed phase-change characteristics and phase-change memory having highly integrated three-dimensional architecture using same

Номер патента: US20220029094A1. Автор: Yun Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-27.

Bipolar switching operation of confined phase change memory for a multi-level cell memory

Номер патента: US20190325954A1. Автор: Wanki Kim,Yu Zhu,Yujun Xie,Matthew Joseph BrightSky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Phase change memory having gradual reset

Номер патента: US20230123642A1. Автор: Ning Li,Wanki Kim,Devendra K. Sadana. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-04-20.

Memory cell with a variable element and a phase change memory

Номер патента: US20240215462A1. Автор: Ning Li,Kangguo Cheng,Juntao Li,Kevin W. Brew,Timothy Mathew Philip,Injo OK,Nicole Saulnier,Jin Ping HAN,Andrew Herbert Simon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Phase change memory with inter-granular switching

Номер патента: US09672906B2. Автор: Hsiang-Lan Lung,Yung-Han Ho. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Phase-change memory device, phase-change channel transistor and memory cell array

Номер патента: US8120007B2. Автор: Takashi Ono,Sumio Hosaka,Masaki Yoshimaru,Mayumi Nakasato,Hayato Sone. Владелец: Semiconductor Technology Academic Research Center. Дата публикации: 2012-02-21.

Phase change memory devices including two-dimensional material and methods of operating the same

Номер патента: US20180061490A1. Автор: Changhyun KIM,Hyeonjin Shin,Seongjun Park,Seunggeol NAM,Yeonchoo CHO,Jinseong Heo,Minhyun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-01.

Semiconductor stack incorporating phase change material

Номер патента: US20140061580A1. Автор: Abu Sebastian,Daniel Krebs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Phase-change memory including phase-change elements in series with respective heater elements and methods for manufacturing, programming, and reading thereof

Номер патента: US12120967B2. Автор: Giovanni Campardo,Massimo Borghi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-10-15.

Pahse chang material for phase chang memory and preparation method therefor

Номер патента: US20180315921A1. Автор: Feng Rao,Yong Wang,Zhitang Song,Keyuan Ding. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2018-11-01.

Phase change memory devices, method for encoding, and methods for storing data

Номер патента: US20130155766A1. Автор: Zhiyong Liu. Владелец: INTERMEC IP CORP. Дата публикации: 2013-06-20.

Phase-change memory device with drive circuit

Номер патента: US10658032B2. Автор: Davide Manfre,Fabio Enrico Carlo Disegni,Cesare Torti,Massimo Fidone. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-05-19.

Phase-Change Memory Device with Drive Circuit

Номер патента: US20190043574A1. Автор: Davide Manfre,Fabio Enrico Carlo Disegni,Cesare Torti,Massimo Fidone. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-02-07.

Phase-change memory device with drive circuit

Номер патента: US20180151223A1. Автор: Fabio Enrico Carlo Disegni,Cesare Torti,Davide Manfre',Massimo Fidone. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-05-31.

Phase-change memory device with drive circuit

Номер патента: US10115460B2. Автор: Davide Manfre′,Fabio Enrico Carlo Disegni,Cesare Torti,Massimo Fidone. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-10-30.

Resistive memory device, method of fabricating the same, and memory apparatus and data processing system having the same

Номер патента: US09378813B2. Автор: Sung Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Phase change memory with supply voltage regulation circuit

Номер патента: US20210012836A1. Автор: Michele La Placa,Fabio Enrico Carlo Disegni,Federico Goller. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-01-14.

Phase change memory using multiple phase change layers and multiple heat conductors

Номер патента: US20220102627A1. Автор: Wei Wang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Kevin W. Brew,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Phase change storage device with multiple serially connected storage regions

Номер патента: US09882126B2. Автор: Sangbum Kim,Wei-Chih Chien,Matthew J. BrightSky,Chiao-Wen Yeh,Huai-Yu Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Phase change memory with gradual resistance change

Номер патента: US10720575B2. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-21.

Phase change memory with gradual resistance change

Номер патента: US20200006646A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Phase change memory coding

Номер патента: US20140119110A1. Автор: Hsiang-Lan Lung,Ming-Hsiu Lee,Yen-Hao Shih,Chao-I Wu,Tien-Yen Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-01.

Phase change memory with gradual resistance change

Номер патента: US10923653B2. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-16.

Phase change memory with gradual resistance change

Номер патента: US20200006645A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Phase change memory array with integrated polycrystalline diodes

Номер патента: US20190165043A1. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Chung H. Lam,Matthew J. BrightSky,Fabio Carta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-30.

Phase change memory structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US11127790B2. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-21.

Phase change memory structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US20190363136A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-28.

Memory cell and manufacturing method thereof and memory device

Номер патента: US20200328254A1. Автор: Chun-Chih Liu,Yi-Cheng Lee,Yu-Cheng Liao. Владелец: Jiangsu Advanced Memory Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Phase-change memory device with reduced programming voltage

Номер патента: US20220293853A1. Автор: CHENG Chi,Takashi Ando,Praneet Adusumilli,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Phase-change memory cells

Номер патента: US20140369114A1. Автор: Charalampos Pozidis,Chung Hon Lam,Sangbum Kim,Daniel Krebs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-18.

Phase-change memory cells

Номер патента: US20150001457A1. Автор: Abu Sebastian,Daniel Krebs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

Memory device and programming method thereof

Номер патента: US20220367807A1. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Phase change memory structure and the same

Номер патента: US11276818B2. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-15.

Phase change memory structure and the same

Номер патента: US20200287130A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Phase change memory material and system for embedded memory applications

Номер патента: US20140376309A1. Автор: Che-Min Lin,Hsiang-Lan Lung,Huai-Yu Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-25.

Set/reset methods for crystallization improvement in phase change memories

Номер патента: US20200365204A1. Автор: Neil Leslie Robertson,Gerardo A. Bertero,Michael K. Grobis,Mac D. Apodaca,Michael Nicolas Albert Tran,Zhaoqiang BAI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-11-19.

Phase change memory structure and the same

Номер патента: US20220199901A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Multistage set procedure for phase change memory

Номер патента: US09892785B2. Автор: LU LIU,Sanjay Rangan,Kiran Pangal,Gayathri Rao Subbu,Nevil N Gajera. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Method, system, and device for heating a phase change memory cell

Номер патента: US09620709B2. Автор: Jun Liu,JIAN Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Method, system and device for phase change memory with shunt

Номер патента: US09444043B2. Автор: Andrea Ghetti,Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Methods of forming a phase change memory with vertical cross-point structure

Номер патента: US20200303459A1. Автор: Federico Nardi,Christopher J. Petti,Gerrit Jan Hemink. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-09-24.

Memory device with improved phase change material nucleation rate

Номер патента: US20210305318A1. Автор: Dan Gealy,Kumar R. Virwani. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Resistance change nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US9025369B2. Автор: Daisaburo Takashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-05-05.

Phase change material cell with piezoelectric or ferroelectric stress inducer liner

Номер патента: US20130309782A1. Автор: Martin M. Frank,Alejandro G. Schrott,Bipin Rajendran,Catherine A. Dubourdieu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Phase change memory cell with self-aligned vertical heater and low resistivity interface

Номер патента: US20150188040A1. Автор: Barbara Zanderighi,Francesco Pipia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

Thinned phase change material in bridge cell memory as a weight for artificial intelligence application

Номер патента: US20240147876A1. Автор: Michael RIZZOLO,Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Phase change memory cell with self-aligned vertical heater and low resistivity interface

Номер патента: US09412941B2. Автор: Barbara Zanderighi,Francesco Pipia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Method for programming a phase change memory

Номер патента: US20220165946A1. Автор: Gabriele Navarro,Chiara Sabbione,Guillaume Bourgeois,Anna-Lisa Serra. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2022-05-26.

Phase change memory stack with treated sidewalls

Номер патента: US20190355902A1. Автор: SHU QIN,Yongjun Jeff Hu,Tsz W. Chan,Everett Allen McTeer,Swapnil Lengade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

Phase change memory stack with treated sidewalls

Номер патента: US20190088867A9. Автор: SHU QIN,Yongjun Jeff Hu,Tsz W. Chan,Everett Allen McTeer,Swapnil Lengade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-21.

Phase change memory stack with treated sidewalls

Номер патента: US20180166629A1. Автор: SHU QIN,Yongjun Jeff Hu,Tsz W. Chan,Everett Allen McTeer,Swapnil Lengade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-14.

Phase change memory stack with treated sidewalls

Номер патента: US10079340B2. Автор: SHU QIN,Yongjun Jeff Hu,Tsz W. Chan,Everett Allen McTeer,Swapnil Lengade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-18.

Phase change memory structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US20210320147A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Resistive memory device

Номер патента: US20190097128A1. Автор: Abu Sebastian,Wabe W. Koelmans,Vara S. P. Jonnalagadda,Benedikt J. Kersting,Martin Salinga. Владелец: Rheinisch Westlische Technische Hochschuke RWTH. Дата публикации: 2019-03-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20210066586A1. Автор: Hiroyuki Ode. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Second-layer phase change memory array on top of a logic device

Номер патента: EP1326158A3. Автор: Stanford R. Ovshinsky,Guy Wicker. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 2004-05-06.

Phase-change material-based xor logic gates

Номер патента: US20220173309A1. Автор: Takashi Ando,Guy M. Cohen,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-06-02.

Multistage set procedure for phase change memory

Номер патента: US20180182456A1. Автор: LU LIU,Sanjay Rangan,Nevil N. Gajera,Kiran Pangal,Gayathri Rao Subbu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-06-28.

Method, system and device for phase change memory with shunt

Номер патента: US20140198565A1. Автор: Andrea Ghetti,Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-17.

Method, system and device for phase change memory with shunt

Номер патента: US20150162531A1. Автор: Andrea Ghetti,Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-06-11.

Semiconductor device having reset gate and phase change layer

Номер патента: US9825222B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Global heater for phase change memory

Номер патента: US20230180644A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Method, system, and device for heating a phase change memory cell

Номер патента: US20160172586A1. Автор: Jun Liu,JIAN Li. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-06-16.

Method, system, and device for heating a phase change memory cell

Номер патента: US20150155484A1. Автор: Jun Liu,JIAN Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-06-04.

A multi-stack three-dimensional phase-change memory and methods for making the same

Номер патента: WO2024098366A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Advanced Memory Industrial Innovation Center Co., Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Phase change memory using multiple stacks of pcm materials

Номер патента: US20210257547A1. Автор: TIAN Shen,Jingyun Zhang,Heng Wu,Kevin W. Brew. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-08-19.

Multi-level phase change memory

Номер патента: US09747975B2. Автор: Charles C. Kuo,Ilya V. Karpov. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2017-08-29.

Phase change memory with conductive bridge filament

Номер патента: US20210050518A1. Автор: Takashi Ando,Guy M. Cohen,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-02-18.

Phase-Change Random Access Memory Device and Methods of Making the Same

Номер патента: US20240206351A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Phase-change random access memory device and method of making the same

Номер патента: US11950518B2. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Phase change random access memory device

Номер патента: US11765988B2. Автор: Yu-Chuan Hsu,Chun-Hsu YEN,Chen-Hui YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Phase change random access memory device

Номер патента: US12089513B2. Автор: Yu-Chuan Hsu,Chun-Hsu YEN,Chen-Hui YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Phase change random access memory device with transistor, and method for fabricating a memory device

Номер патента: US20080142776A1. Автор: Harald Seidl. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-06-19.

Phase change random access memory device

Номер патента: US20240040939A1. Автор: Yu-Chuan Hsu,Chun-Hsu YEN,Chen-Hui YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Resistance change memory, memory device, and memory system

Номер патента: US20240038286A1. Автор: Masami Kuroda,Hiroyuki Tezuka,Haruko Takahashi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Resistance memory element, phase change memory element, resistance random access memory device, information reading method thereof, phase change random access memory device, and information reading method thereof

Номер патента: US20100008132A1. Автор: Cheol-Seong Hwang,Tae-Joo Park. Владелец: SNU R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2010-01-14.

Multi bit phase-change random access memory devices and methods of forming the same

Номер патента: TW200835006A. Автор: Chang-Wook Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-16.

Memory device, in particular, phase change random access memory device with transistor, and method for fabricating memory device

Номер патента: JP2008172218A. Автор: Harald Seidl,ザイドル ハラルド. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-07-24.

Phase-change random access memory device having multi-levels and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130248805A1. Автор: Min Seok Son. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-26.

Multi-level phase change random access memory device

Номер патента: KR101430171B1. Автор: 이태연. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2014-08-14.

Phase-Change Random Access Memory Device And Method of Manufacturing The Same

Номер патента: KR100951660B1. Автор: 이민용,이영호,이형석,채수진,이금범,안태항. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-04-07.

Phase-change random access memory device and method of operating the same

Номер патента: US20070133270A1. Автор: Fai Yeung,Jae-Hyun Park,Chang Jeong,Won-Cheol Jeong,Su-Youn Lee,Su-Jin Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-06-14.

Multi Bit Phase Change Random Access Memory Device

Номер патента: KR101094902B1. Автор: 김형준. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-12-15.

Phase change random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: KR20100044004A. Автор: 이기정,김진혁,길덕신. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-04-29.

Phase-change random access memory device and method of operating the same

Номер патента: TWI307552B. Автор: Fai Yeung,Jae-Hyun Park,Won-Cheol Jeong,Su-Youn Lee,Chang-Wook Jeong,Su-Jin Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-11.

Phase-change random access memory device

Номер патента: US20100124101A1. Автор: Kwang-Ho Kim,Mu-hui Park,Soo-Guil Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-20.

Phase change random access memory device

Номер патента: US20120081955A1. Автор: Dong Keun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-04-05.

High throughput programming system and method for a phase change non-volatile memory device

Номер патента: US09697896B2. Автор: Antonino Conte,Kailash Khairnar,Alberto Jose′ Di Martino. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Phase change random access memory device and related methods of operation

Номер патента: US7961504B2. Автор: Hye-jin Kim,Kwang-Jin Lee,Du-Eung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-14.

Phase change random access memory device and related methods of operation

Номер патента: US20080055971A1. Автор: Hye-jin Kim,Kwang-Jin Lee,Du-Eung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-06.

Phase change random access memory device and related methods of operation

Номер патента: US20110213922A1. Автор: Hye-jin Kim,Kwang-Jin Lee,Du-Eung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-01.

Phase change random access memory device and related methods of operation

Номер патента: US20130039124A1. Автор: Hye-jin Kim,Kwang-Jin Lee,Du-Eung Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-02-14.

Phase change random access memory device and related methods of operation

Номер патента: US8320168B2. Автор: Hye-jin Kim,Kwang-Jin Lee,Du-Eung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-11-27.

Phase change random access memory device and related methods of operation

Номер патента: US20100220521A1. Автор: Hye-jin Kim,Kwang-Jin Lee,Du-Eung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-02.

Driving stage for phase change non-volatile memory devices provided with auto-calibration feature

Номер патента: US8942033B2. Автор: Antonino Conte,Kailash Khairnar,FrancescoNino Mammoliti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2015-01-27.

Driving stage for phase change non-volatile memory devices provided with auto-calibration feature

Номер патента: US20130229864A1. Автор: Antonino Conte,Kailash Khairnar,FrancescoNino Mammoliti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2013-09-05.

High-efficiency driving stage for phase change non-volatile memory devices

Номер патента: US20130229863A1. Автор: Antonino Conte,Maria GIAQUINTA,Loredana CHIARAMONTE. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2013-09-05.

Methods, structures, and devices for reducing operational energy in phase change memory

Номер патента: US20120002465A1. Автор: Roy E. Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Phase change memory with finite annular conductive path

Номер патента: US20100328994A1. Автор: Chung H. Lam,Bipin Rajendran,Matthew J. Breitwisch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-30.

Phase change memory devices, methods of manufacturing and methods of operating the same

Номер патента: US20110068317A1. Автор: Ji-hyun Hur,Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Hyuk-soon Choi,Yoon-Ho Kang,Hyo-sug Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-24.

Multi-value recording phase-change memory device, multi-value recording phase-change channel transistor, and memory cell array

Номер патента: US20100283027A1. Автор: Takashi Ono,Sumio Hosaka,Masaki Yoshimaru,Mayumi Nakasato,Hayato Sone. Владелец: Semiconductor Technology Academic Research Center. Дата публикации: 2010-11-11.

Phase change memory device

Номер патента: US8263963B2. Автор: Sung-Lae Cho,Byoung-Jae Bae,Jin-Il Lee,Hye-Young Park,Young-Lim Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-09-11.

Phase Change Memory Device

Номер патента: US20110180774A1. Автор: Sung-Lae Cho,Byoung-Jae Bae,Jin-Il Lee,Hye-Young Park,Young-Lim Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-07-28.

Phase-change memory cell with asymmetric structure, a memory device including the phase-change memory cell, and a method for manufacturing the phase-change memory cell

Номер патента: US20230240160A1. Автор: Andrea Redaelli,Mario Allegra. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-07-27.

Phase change memory device accounting for volume change of phase change material and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090225589A1. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-09-10.

Phase change memory device accounting for volume change of phase change material and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120077324A1. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-03-29.

Phase change memory device accounting for volume change of phase change material and method for manufacturing the same

Номер патента: US8093632B2. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-10.

Phase change memory, electronic device, and preparation method for phase change memory

Номер патента: EP4354525A1. Автор: Xiang Li,Ping Ma. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

Phase change memory, electronic device, and preparation method for phase change memory

Номер патента: US20240130253A1. Автор: Xiang Li,Ping Ma. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Nonvolatile logic gate circuit based on phase change memory

Номер патента: US09369130B2. Автор: Yi Li,Lei Xu,Xiaomin Cheng,Huajun Sun,Xiangshui Miao,Yingpeng ZHONG. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2016-06-14.

Phase change material with filament electrode

Номер патента: US20090275168A1. Автор: Eric A. Joseph,Gerhard Ingmar Meijer,Chung H. Lam,Alejandro G. Schrott,Matthew J. Breitwisch,Roger W. Cheek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-11-05.

Phase-change memory cell, phase-change memory, electronic device and preparation method

Номер патента: EP4343869A1. Автор: Xiang Li,Xin Chen. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-27.

Memory device

Номер патента: US20080157072A1. Автор: Shoaib Hasan Zaidi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-07-03.

Phase change memory device with reinforced adhesion force

Номер патента: US20090020741A1. Автор: Hae Chan PARK,Nam Kyun PARK,Cheol Seong Hwang,Byung Joon Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-01-22.

Method for manufacturing a phase change memory device

Номер патента: US20240215461A1. Автор: Gabriele Navarro,Guillaume Bourgeois. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-06-27.

Methods, structures, and devices for reducing operational energy in phase change memory

Номер патента: US20120002465A1. Автор: Roy E. Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Phase change memory device with reinforced adhesion force

Номер патента: US7687795B2. Автор: Hae Chan PARK,Nam Kyun PARK,Cheol Seong Hwang,Byung Joon Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-30.

Memory device and method for thermoelectric heat confinement

Номер патента: US20160104529A1. Автор: Daniel Krebs,Aravinthan Athmanathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-14.

Phase change memory cell with heater and method therefor

Номер патента: US20120007031A1. Автор: Ramachandran Muralidhar,Dharmesh Jawarani,Leo Mathew,Tushar P. Merchant. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-01-12.

Doped phase change material and pram including the same

Номер патента: US20080149908A1. Автор: Matthias Wuttig,Yoon-Ho Khang,Ki-Joon Kim,Dong-Seok Suh,Daniel Wamwangi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-26.

Phase-change memory devices

Номер патента: US20240276892A1. Автор: Tung Ying Lee,yu chao Lin,Shao-Ming Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Phase change memory structures and methods

Номер патента: WO2012030379A3. Автор: Sanh D. Tang. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-05-24.

High-density phase change cell array and phase change memory device having the same

Номер патента: US7136299B2. Автор: Jung Ho Kim,Eu Gene Chu,Ju Ho Mo,Seong Taek Park,Hyun Yong Lim,Pyeong Han Lee,Ja Choon Jeong. Владелец: BeyondMicro Inc. Дата публикации: 2006-11-14.

Phase change memory structures and methods

Номер патента: WO2012030379A2. Автор: Sanh D. Tang. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-03-08.

Phase change memory device having phase change material layer containing phase change nano particles and method of fabricating the same

Номер патента: US20090278108A1. Автор: Yoon-Ho Khang,Dong-Seok Suh,Wil-Liam Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-12.

Phase-change memory cell

Номер патента: US12114580B2. Автор: Paolo Giuseppe Cappelletti,Gabriele Navarro. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-10-08.

Reduced power consumption phase change memory and methods for forming the same

Номер патента: WO2007109021A1. Автор: Jun Liu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2007-09-27.

Phase-change memory with supply-voltage regulation circuit

Номер патента: EP3767627A1. Автор: Mr. Michele LA PLACA,Mr. Fabio Enrico Carlo DISEGNI,Mr. Federico GOLLER. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-01-20.

Sb-te-ti phase-change memory material and ti-sb2te3 phase-change memory material

Номер патента: US20160099050A1. Автор: Cheng Peng,Feng Rao,Min Zhu,Kun REN,Zhitang Song,Xilin ZHOU,Liangcai Wu,Songlin Feng. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2016-04-07.

Multi-value recording phase-change memory device, multi-value recording phase-change channel transistor, and memory cell array

Номер патента: US7932508B2. Автор: Takashi Ono,Sumio Hosaka,Masaki Yoshimaru,Mayumi Nakasato,Hayato Sone. Владелец: Semiconductor Technology Academic Research Center. Дата публикации: 2011-04-26.

Multi-bit phase change memory devices

Номер патента: US20100220520A1. Автор: Hong-Sik Jeong,Gi-Tae Jeong,Young-Nam Hwang,Soon-Oh Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-02.

Multi-value recording phase-change memory device, multi-value recording phase-change channel transistor, and memory cell array

Номер патента: US7781753B2. Автор: Takashi Ono,Sumio Hosaka,Masaki Yoshimaru,Mayumi Nakasato,Hayato Sone. Владелец: Semiconductor Technology Academic Research Center. Дата публикации: 2010-08-24.

Logic gates and stateful logic using phase change memory

Номер патента: WO2021205456A1. Автор: Shahar Kvatinsky,Barak HOFFER,Eilam Yalon,Nicolas WAINSTEIN. Владелец: TECHNION RESEARCH & DEVELOPMENT FOUNDATION LIMITED. Дата публикации: 2021-10-14.

Logic gates and stateful logic using phase change memory

Номер патента: EP4133599A1. Автор: Shahar Kvatinsky,Barak HOFFER,Eilam Yalon,Nicolas WAINSTEIN. Владелец: Technion Research and Development Foundation Ltd. Дата публикации: 2023-02-15.

Phase change memory having gradual reset

Номер патента: GB2609776A. Автор: LI NING,Sadana Devendra,KIM WANKI. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-02-15.

Phase change memory device with reduced unit cell size and improved transistor current flow and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080101112A1. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-05-01.

Phase-change memory device having reversed phase-change characteristics and phase-change memory having highly integrated three-dimensional architecture using same

Номер патента: US11812661B2. Автор: Yun Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-07.

Phase change memory cell with high read margin at low power operation

Номер патента: EP1846961A1. Автор: Thomas Happ. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-10-24.

Phase change memory having gradual reset

Номер патента: AU2021234173A1. Автор: Ning Li,Devendra Sadana,Wanki Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Phase change memory having gradual reset

Номер патента: WO2021181173A1. Автор: Ning Li,Devendra Sadana,Wanki Kim. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2021-09-16.

Phase-change memory cell and method for fabricating the same

Номер патента: US20240257871A1. Автор: Jian-Hong Lin,Pei-Chun Liao,Chun-Wei Chang,Yung-Huei Lee,Chih-Hung Nien,Wen-Hsien Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Phase-change memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120009757A1. Автор: Jin-Ki Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-12.

Nonvolatile logic gate circuit based on phase change memory

Номер патента: US20150236697A1. Автор: Yi Li,Lei Xu,Xiaomin Cheng,Huajun Sun,Xiangshui Miao,Yingpeng ZHONG. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2015-08-20.

Phase-change memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120007036A1. Автор: Jin-Ki Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-12.

Chalcogenide phase change materials and their use

Номер патента: WO2011114173A1. Автор: Konstantin B. Borisenko. Владелец: ISIS INNOVATION LIMITED. Дата публикации: 2011-09-22.

Phase Change Memory Cell Design with Adjusted Seam Location

Номер патента: US20080179591A1. Автор: Alejandro Gabriel Schrott,Thomas Happ,Matthew J. Breitwisch. Владелец: Qimonda North America Corp. Дата публикации: 2008-07-31.

Memory Device and Method of Making Same

Номер патента: US20110227027A1. Автор: Wolodymyr Czubatyj,Tyler Lowrey,Sergey Kostylev. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2011-09-22.

Multi-terminal phase change memory device

Номер патента: US11812676B2. Автор: Lawrence A. Clevenger,Kevin W. Brew,Timothy Mathew Philip. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Multi-terminal phase change memory device

Номер патента: AU2021244850A1. Автор: Lawrence Clevenger,Kevin BREW,Timothy Matthew PHILIP. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-09-01.

Multi-terminal phase change memory device

Номер патента: AU2021244850B2. Автор: Lawrence Clevenger,Kevin BREW,Timothy Matthew PHILIP. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Multi-terminal phase change memory device

Номер патента: WO2021191696A1. Автор: Lawrence Clevenger,Kevin BREW,Timothy Matthew PHILIP. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2021-09-30.

Multi-terminal phase change memory device

Номер патента: CA3168067A1. Автор: Lawrence Clevenger,Kevin BREW,Timothy Matthew PHILIP. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-30.

Multi-terminal phase change memory device

Номер патента: GB2608771A. Автор: CLEVENGER Lawrence,Brew Kevin,Matthew Philip Timothy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-01-11.

Phase change memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20080121863A1. Автор: Wei-Su Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-05-29.

Phase change memory device suitable for high temperature operation

Номер патента: WO2011060032A1. Автор: Chung H. Lam,Alejandro G. Schrott,Simone Raoux,Bipin Rajendran,Matthew J. Breitwisch,Daniel Krebs. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORP.. Дата публикации: 2011-05-19.

Storage device with 2D configuration of phase change memory integrated circuits

Номер патента: US09773549B2. Автор: Peter Mueller,Evangelos Eleftheriou,Roman A. Pletka,Ioannis Koltsidas,Theodoros A. Antonakopoulos,Aspasia Palli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Storage device with 2d configuration of phase change memory integrated circuits

Номер патента: US20170117040A1. Автор: Peter Mueller,Evangelos Eleftheriou,Roman A. Pletka,Ioannis Koltsidas,Theodoros A. Antonakopoulos,Aspasia Palli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-27.

Storage device with 2D configuration of phase change memory integrated circuits

Номер патента: US09633721B2. Автор: Peter Mueller,Evangelos Eleftheriou,Roman A. Pletka,Ioannis Koltsidas,Theodoros A. Antonakopoulos,Aspasia Palli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Storage device with 2D configuration of phase change memory integrated circuits

Номер патента: US09595322B2. Автор: Peter Mueller,Evangelos Eleftheriou,Roman A. Pletka,Ioannis Koltsidas,Theodoros A. Antonakopoulos,Aspasia Palli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Phase change memory element and method of making the same

Номер патента: US7456460B2. Автор: Yi-Chou Chen,Hsiang-Lan Lung,Geoffrey W. Burr. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-25.

Multi-layer phase change memory device

Номер патента: US11889773B2. Автор: Kevin W. Brew,Timothy Mathew Philip,Injo OK,Nicole Saulnier,Matthew Joseph BrightSky,Jin Ping HAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Multi-layer phase change memory device

Номер патента: WO2022142647A1. Автор: Kevin W. Brew,Timothy Mathew Philip,Injo OK,Nicole Saulnier,Matthew Joseph BrightSky,Jin Ping HAN. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2022-07-07.

Multi-layer phase change memory device

Номер патента: GB2617946A. Автор: OK Injo,Saulnier Nicole,Ping Han Jin,Joseph Brightsky Matthew,W Brew Kevin,Mathew Philip Timothy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-25.

Phase change memory device

Номер патента: EP1878065A1. Автор: Shoaib Hasan Zaidi. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-01-16.

Phase change memory device

Номер патента: WO2006117063A1. Автор: Shoaib Hasan Zaidi. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-11-09.

Phase change memory device, manufacturing method thereof and operating method thereof

Номер патента: US20090067228A1. Автор: Hee Bok Kang,Suk Kyoung Hong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-12.

Multi-level programming of phase change memory device

Номер патента: WO2023104452A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Juntao Li,Ching-Tzu Chen. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-06-15.

Cross-Point Self-Aligned Reduced Cell Size Phase Change Memory

Номер патента: US20120087181A1. Автор: Erh-Kun Lai,Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-12.

Phase change memory device

Номер патента: US20060203541A1. Автор: Haruki Toda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Symmetric phase-change memory devices

Номер патента: US11769046B2. Автор: Guy M. Cohen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Phase-change storage unit, phase-change memory, electronic device, and preparation method

Номер патента: US20240114808A1. Автор: Xiang Li,Xin Chen. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Phase change memory cell with double active volume

Номер патента: WO2023165853A1. Автор: Ching-Tzu Chen,Timothy Mathew Philip,Injo OK,Jin Ping HAN,Kevin BREW. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-09-07.

A non-volatile memory cell comprising a dielectric layer and a phase change material in series

Номер патента: WO2006078505A3. Автор: S Brad Herner. Владелец: S Brad Herner. Дата публикации: 2009-06-04.

Phase change memory device

Номер патента: US20080067488A1. Автор: Tsuyoshi Kawagoe. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-03-20.

Phase change memory cell including multiple phase change material portions

Номер патента: EP1783844A3. Автор: Thomas Happ,Jan Boris Philip. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2010-12-08.

Phase change memory structure with multiple resistance states and methods of programming and sensing same

Номер патента: WO2008150576A1. Автор: Jun Liu,Mike Violette. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2008-12-11.

Phase change memory cell with an airgap to allow for the expansion and restriction of the pcm material

Номер патента: US20230284542A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Phase change memory cell with an airgap to allow for the expansion and restriction of the PCM material

Номер патента: US11963469B2. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Memory device

Номер патента: US7718467B2. Автор: Shoaib Hasan Zaidi. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2010-05-18.

Accessing phase change memories

Номер патента: US20060002173A1. Автор: Charles Dennison,Ward Parkinson,Stephen Hudgens. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-05.

Phase change memory element and method for forming the same

Номер патента: US20090250691A1. Автор: Chen-Ming Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-10-08.

Contact resistance of a metal liner in a phase change memory cell

Номер патента: US11957069B2. Автор: Oleg Gluschenkov,Soon-Cheon Seo,Alexander Reznicek,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Phase-change memory device with reduced programming voltage

Номер патента: WO2022189300A1. Автор: CHENG Chi,Takashi Ando,Praneet Adusumilli,Reinaldo Vega. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2022-09-15.

Memory device and programming method thereof

Номер патента: US12029143B2. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Memory device and formation method thereof

Номер патента: US20240315153A1. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Phase change memory device having Schottky diode and method of fabricating the same

Номер патента: US7804703B2. Автор: Gi-Tae Jeong,Dae-Won Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-28.

Phase-change memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20100019217A1. Автор: Woo-Yeong Cho,Chang-Soo Lee,Byung-Gil Choi,Du-Eung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-28.

Phase-change memory cell

Номер патента: US20230389450A1. Автор: Paolo Giuseppe Cappelletti,Gabriele Navarro. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-11-30.

Phase change material cell with stress inducer liner

Номер патента: US20120147666A1. Автор: Martin M. Frank,Alejandro G. Schrott,Bipin Rajendran,Catherine A. Dubourdieu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

Phase change material cell with piezoelectric or ferroelectric stress inducer liner

Номер патента: WO2012078456A1. Автор: Martin M. Frank,Alejandro G. Schrott,Bipin Rajendran,Catherine A. Dubourdieu. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-06-14.

Phase-change memory devices, systems, and methods of operating thereof

Номер патента: US11929117B2. Автор: Xuwen PAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Phase change memory apparatus having row control cell

Номер патента: US20120081954A1. Автор: Kyoung Wook Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-04-05.

Phase change memory and phase change recording medium

Номер патента: US20060289850A1. Автор: Tomio Iwasaki,Hideyuki Matsuoka,Hiroshi Moriya,Norikatsu Takaura. Владелец: Norikatsu Takaura. Дата публикации: 2006-12-28.

Phase change memory and phase change recording medium

Номер патента: US20050156150A1. Автор: Tomio Iwasaki,Hideyuki Matsuoka,Hiroshi Moriya,Norikatsu Takaura. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-07-21.

Drift-insensitive or invariant material for phase change memory

Номер патента: US20130314983A1. Автор: Jing Li,Binquan Luan,Chung H. Lam,Glenn J. Martyna,Dennis M. Newns. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-28.

Phase change memory structures and methods

Номер патента: US20120074370A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-03-29.

Drift-insensitive or invariant material for phase change memory

Номер патента: US20130313501A1. Автор: Jing Li,Binquan Luan,Chung H. Lam,Glenn J. Martyna,Dennis M. Newns. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-28.

Phase change memory using multiple stacks of pcm materials

Номер патента: WO2021161117A1. Автор: TIAN Shen,Jingyun Zhang,Heng Wu,Kevin BREW. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2021-08-19.

Global heater for phase change memory

Номер патента: EP4430932A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

Multistage set procedure for phase change memory

Номер патента: US09583187B2. Автор: LU LIU,Sanjay Rangan,Kiran Pangal,Gayathri Rao Subbu,Nevil N Gajera. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Carbon-containing interfacial layer for phase-change memory

Номер патента: US20030164515A1. Автор: Daniel Xu. Владелец: Daniel Xu. Дата публикации: 2003-09-04.

Phase change random access memory and layout method of the same

Номер патента: US20090231899A1. Автор: Hae Chan PARK. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-09-17.

Phase change memory using multiple stacks of PCM materials

Номер патента: GB2608308A. Автор: Wu Heng,Zhang Jingyun,Shen Tian,Wayne Brew Kevin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-12-28.

Phase-change memory cell and method for fabricating the same

Номер патента: US11978511B2. Автор: Jian-Hong Lin,Pei-Chun Liao,Chun-Wei Chang,Yung-Huei Lee,Chih-Hung Nien,Wen-Hsien Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Phase-change memory device and method

Номер патента: US11997933B2. Автор: Tung Ying Lee,yu chao Lin,Shao-Ming Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Phase change memory

Номер патента: US20100133503A1. Автор: Yung-Chang Lin,Chien-Li Kuo,Kuei-Sheng Wu,Chien-Hsien Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-06-03.

Planar phase-change memory cell with parallel electrical paths

Номер патента: US8685785B2. Автор: Michele M. Franceschini,John P. Karidis. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-04-01.

Phase-change memory (PCM) including liner reducing resistance drift

Номер патента: US11805711B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Kevin W. Brew,Joel P. de Souza. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

Phase change memory fabricated using self-aligned processing

Номер патента: US7362608B2. Автор: Thomas Happ,Ulrike Gruening-Von Schwerin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-04-22.

Pillar phase change memory cell

Номер патента: EP1844500A1. Автор: Thomas Happ. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-10-17.

Voltage divider circuits, comparators, and analog-to-digital converters utilizing non-volatile memory devices

Номер патента: WO2024092044A1. Автор: Ning Ge,Sangsoo Lee,Wenbo Yin,Hengfang Zhu. Владелец: TETRAMEM INC.. Дата публикации: 2024-05-02.

Variable resistance memory device with an interfacial adhesion heating layer, systems using the same and methods of forming the same

Номер патента: WO2008147595A1. Автор: Jun Liu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2008-12-04.

Reduced power consumption phase change memory

Номер патента: EP2383811B1. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-11-13.

Reduced power consumption phase change memory and methods for forming the same

Номер патента: EP2002491A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-12-17.

Reduced power consumption phase change memory

Номер патента: EP2383811B9. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-06-11.

Method of forming phase change material layer using ge(ii) source, and method of fabricating phase change memory device

Номер патента: US20130005112A1. Автор: Sung-Lae Cho,Do-Hyung Kim,Byoung-Jae Bae,Jin-Il Lee,Hye-Young Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-01-03.

Reduced power consumption phase change memory and methods for forming the same

Номер патента: EP2002491B1. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-10-19.

Voltage divider circuits utilizing non-volatile memory devices

Номер патента: US20240137038A1. Автор: Ning Ge,Sangsoo Lee,Wenbo Yin,Hengfang Zhu. Владелец: Tetramem Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Bottom electrode geometry for phase change memory

Номер патента: US20110299329A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-12-08.

Shallow trench type quadri-cell of phase-change random access memory (pram)

Номер патента: WO2010118346A3. Автор: Xia Li. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-03-03.

Phase change memory cell

Номер патента: US20240099168A1. Автор: Marie-Claire Cyrille,Gabriele Navarro,Guillaume Bourgeois. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-03-21.

Phase change memory cell

Номер патента: US20240099164A1. Автор: Marie-Claire Cyrille,Gabriele Navarro,Guillaume Bourgeois. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-03-21.

Method for programming a phase change memory

Номер патента: US11800820B2. Автор: Gabriele Navarro,Chiara Sabbione,Guillaume Bourgeois,Anna-Lisa Serra. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-10-24.

Phase change memory materials, devices and methods

Номер патента: EP1969602A1. Автор: Robert E. Simpson,Daniel William Hewak,Richard J. Curry,Mohammed Khawar Arshad Mairaj. Владелец: University of Southampton. Дата публикации: 2008-09-17.

Spike-timing-dependent plasticity using inverse resistivity phase-change material

Номер патента: WO2023011885A1. Автор: Takashi Ando,Guy Cohen,Nanbo Gong. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-02-09.

Phase change memory structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US11856795B2. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Resistive memory device

Номер патента: WO2019064111A1. Автор: Abu Sebastian,Benedikt Kersting,Martin Salinga,Wabe Koelmans,Vara JONNALAGADDA. Владелец: Ibm (China) Investment Company Ltd.. Дата публикации: 2019-04-04.

Phase change material containing carbon, memory device including the phase change material, and method of operating the memory device

Номер патента: US7737527B2. Автор: Dong-Seok Suh,Youn-Seon Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-06-15.

Phase-change material-based xor logic gates

Номер патента: US20230189669A1. Автор: Takashi Ando,Guy M. Cohen,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Phase-change material-based xor logic gates

Номер патента: CA3194448A1. Автор: Takashi Ando,Guy Cohen,Nanbo Gong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-06-09.

Phase-change material-based xor logic gates

Номер патента: WO2022117264A1. Автор: Takashi Ando,Guy Cohen,Nanbo Gong. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2022-06-09.

Phase-change material-based XOR logic gates

Номер патента: US12058943B2. Автор: Takashi Ando,Guy M. Cohen,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor memory device and method for fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US20080089104A1. Автор: Hiroyasu Tanaka,Ryota Katsumata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-17.

Phase change memory cells delineated by regions of modified film resistivity

Номер патента: US20090179186A1. Автор: Tricia Breen Carmichael,John Christopher Arnold. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-07-16.

Cell-state determination in phase-change memory

Номер патента: WO2012029007A1. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Abu Sebastian,Evangelos S. Eleftheriou,Angeliki Pantazi. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-03-08.

Global heater for phase change memory

Номер патента: WO2023104550A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Nanbo Gong. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-06-15.

Isolating phase change material memory cells

Номер патента: US20030203558A1. Автор: Tyler Lowrey. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-30.

Phase change memory structure and the same

Номер патента: US11974510B2. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Phase change memory device

Номер патента: US20110305076A1. Автор: Haruki Toda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-15.

Memory device including switching material and phase change material

Номер патента: US20240046986A1. Автор: Bonwon KOO,Kiyeon YANG,Changseung LEE,Young Jae Kang,Wooyoung Yang,Minwoo Choi,Yongyoung PARK,Hajun SUNG,Dongho Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-08.

Materials and components in phase change memory devices

Номер патента: US09741930B2. Автор: Davide Erbetta,Valter Soncini. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Voltage controlled spin switches for low power applications

Номер патента: US09646666B2. Автор: Deepanjan DATTA,Vinayak Bharat Naik,Murali V R M KOTA. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Single Crystal Phase Change Material

Номер патента: US20110108792A1. Автор: Alejandro G. Schrott,Chieh-Fang Chen,Chung Hon Lam. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-12.

Methods for a phase-change memory array

Номер патента: US20140376306A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Claudio Resta,Marco Ferraro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-12-25.

Cu-doped Sb-Te system phase change material, phase change memory and preparation method thereof

Номер патента: US11807798B2. Автор: Xiaomin Cheng,Xiangshui Miao,Yuntao ZENG. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-11-07.

Cu-DOPED Sb-Te SYSTEM PHASE CHANGE MATERIAL, PHASE CHANGE MEMORY AND PREPARATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20230287253A1. Автор: Xiaomin Cheng,Xiangshui Miao,Yuntao ZENG. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-09-14.

Y-branch type phase-change all-optical boolean logic device and all-binary logic implementation method therefor

Номер патента: US20240319563A1. Автор: Han Li,Xiaomin Cheng,Xiangshui Miao,Yunlai ZHU,Zhuli HE. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-09-26.

Comparators and analog-to-digital converters using non-volatile memory devices

Номер патента: US20240137037A1. Автор: Ning Ge,Sangsoo Lee,Wenbo Yin,Hengfang Zhu. Владелец: Tetramem Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Phase change memory structures and devices

Номер патента: EP3803993A1. Автор: Yao Jin,Stephen Russell,Andrea Redaelli,Pengyuan Zheng,Davide Fugazza,Yongiun J. HU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-04-14.

Phase change memory with conductive bridge filament

Номер патента: US11805714B2. Автор: Takashi Ando,Guy M. Cohen,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

Novel phase change magnetic material

Номер патента: WO2007046769A1. Автор: Tow Chong Chong,Wendong Song,Xiangshui Miao,Luping Shi. Владелец: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH. Дата публикации: 2007-04-26.

Multi-port phase change random access memory cell and multi-port phase change random access memory device including the same

Номер патента: TW200832407A. Автор: Qi Wang,Kwang-Jin Lee,Chang-Soo Lee,Du-Eung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-01.

Write verify method of phase change random access memory device and phase change random access memory device using the same

Номер патента: KR100809333B1. Автор: 이광진,조우영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-03-05.

Phase change random access memory device capable of change the number of charge pump and method thereof

Номер патента: KR100699872B1. Автор: 이광진,강상범,오형록,김두응. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-03-28.

Phase change random access memory device capable of changing driving voltage

Номер патента: KR100674992B1. Автор: 이광진,조우영,곽충근,김두응. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-01-29.

Phase Change Random Access Memory device capable of changing driving voltage

Номер патента: KR100674983B1. Автор: 강상범,조우영,곽충근,김두응. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-01-29.

System and method for extending lifetime of memory device

Номер патента: US11972826B2. Автор: Jian-Hong Lin,Pei-Chun Liao,Dawei Heh,Yung-Huei Lee,Wenhsien Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

HIGH-EFFICIENCY DRIVING STAGE FOR PHASE CHANGE NON-VOLATILE MEMORY DEVICES

Номер патента: US20130229863A1. Автор: Conte Antonino,GIAQUINTA Maria,CHIARAMONTE Loredana. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2013-09-05.

DRIVING STAGE FOR PHASE CHANGE NON-VOLATILE MEMORY DEVICES PROVIDED WITH AUTO-CALIBRATION FEATURE

Номер патента: US20130229864A1. Автор: Conte Antonino,Khairnar Kailash,Mammoliti FrancescoNino. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2013-09-05.

Row Decoding Architecture for a Phase-Change Non-Volatile Memory Device and Corresponding Row Decoding Method

Номер патента: US20190206488A1. Автор: Conte Antonino. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-04.

HIGH THROUGHPUT PROGRAMMING SYSTEM AND METHOD FOR A PHASE CHANGE NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150243356A1. Автор: Conte Antonino,Khairnar Kailash,"Di Martino Alberto Jose". Владелец: . Дата публикации: 2015-08-27.

Phase change Random Access Memory device

Номер патента: KR100597636B1. Автор: 조백형,김두응. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-07-05.

Phase change random access memory device

Номер патента: KR100763231B1. Автор: 오형록,조백형,박무희. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-10-04.

Phase Change Random Access Memory device having reduced core layout size

Номер патента: KR100688553B1. Автор: 이광진,조백형,박무희. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-03-02.

Internal voltage generating circuit of phase change random access memory device and method thereof

Номер патента: US20100165721A1. Автор: Yoon-Jae Shin. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-07-01.

Internal voltage generating circuit of phase change random access memory device and method thereof

Номер патента: US20130121069A1. Автор: Yoon-Jae Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-05-16.

Internal voltage generating circuit of phase change random access memory device and method thereof

Номер патента: US20140104940A1. Автор: Yoon-Jae Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-04-17.

Internal voltage generating circuit of phase change random access memory device and method thereof

Номер патента: US8345502B2. Автор: Yoon-Jae Shin. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-01-01.

Phase change random access memory device and related methods of operation

Номер патента: TW200820255A. Автор: Hye-jin Kim,Kwang-Jin Lee,Du-Eung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-01.

Nonvolatile phase change magnetic material, manufacturing method thereof, and nonvolatile phase change magnetic memory using the same

Номер патента: US8105704B2. Автор: Hidenori Takagi,Tomohiro Takayama. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2012-01-31.

DECODING ARCHITECTURE AND METHOD FOR PHASE CHANGE NON-VOLATILE MEMORY DEVICES

Номер патента: US20130258766A1. Автор: Conte Antonino,"DIMARTINO Alberto Jose",SIGNORELLO Alfredo,GRANDE Francesca. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-03.

ROW DECODER CIRCUIT FOR A PHASE CHANGE NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130301348A1. Автор: Perroni Maurizio Francesco,Desandre Guido,Polizzi Salvatore,Castagna Giuseppe. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2013-11-14.

Electric-field-induced switching of antiferromagnetic memory devices

Номер патента: US20210383850A1. Автор: Pedram Khalili Amiri. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2021-12-09.

Phase-change random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140175358A1. Автор: Hyun Min Lee,Jung Taik Cheong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Phase-change random access memory device and method of forming the same

Номер патента: US20230403956A1. Автор: Yao-Wen Chang,Huan-Chieh CHEN,Chia-Wen Zhong,Chin I WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Phase-change random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140175368A1. Автор: Doo Kang KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Content addressable memory cell and content addressable memory using phase change memory

Номер патента: US7978490B2. Автор: Kwang-Jin Lee,Du-Eung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-12.

Content addressable memory cell and content addressable memory using phase change memory

Номер патента: US20080068872A1. Автор: Kwang-Jin Lee,Du-Eung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-20.

Phase change memory system, phase change memory device, and phase change memory device refresh method

Номер патента: US20210118500A1. Автор: Kwang Jin Lee,Yoon Sung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-22.

Phase change memory device and computing system having the same

Номер патента: US20130058160A1. Автор: Joo-young Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-03-07.

Phase change memory device with improved performance that minimizes cell degradation

Номер патента: US20110255333A1. Автор: Hee Bok Kang,Suk Kyoung Hong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Content addressable memory using phase change devices

Номер патента: US20100002481A1. Автор: Chung H. Lam,Brian L. Ji,Bipin Rajendran,Robert K. Montoye. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-07.

Phase change memory device and control method

Номер патента: EP2291846A1. Автор: Ludovic Goux. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-03-09.

Phase change memory devices and systems having reduced voltage threshold drift and associated methods

Номер патента: US09627055B1. Автор: Mattia Robustelli. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Memory device based on phase change memory for deep neural network and method for storing weight thereof

Номер патента: US20240161823A1. Автор: Joon-Sung Yang. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-05-16.

Phase change memory device with dummy cell array

Номер патента: US20090190393A1. Автор: Hee Bok Kang,Suk Kyoung Hong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-30.

Sensing circuit of a phase change memory and sensing method thereof

Номер патента: US7796454B2. Автор: Shyh-Shyuan Sheu,Lieh-Chiu Lin,Pei-Chia Chiang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-09-14.

Method of programming a phase change memory and phase change memory device

Номер патента: US09472271B2. Автор: Quentin Hubert,Carine Jahan. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-10-18.

Non-volatile memory circuit including voltage divider with phase change memory devices

Номер патента: EP2377128A1. Автор: John C. Costello,Peter J. McElheny,Richard G. Smolen. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2011-10-19.

Non-volatile memory circuit including voltage divider with phase change memory devices

Номер патента: WO2010083087A1. Автор: John C. Costello,Peter J. McElheny,Richard G. Smolen. Владелец: Altera Corporation. Дата публикации: 2010-07-22.

Self-referenced and regulated sensing solution for phase change memory with ovonic threshold switch

Номер патента: US20230260574A1. Автор: Philippe Boivin,Jean-Michel PORTAL,Vincenzo DELLA MARCA,Jean-Pierre WALDER,Julien GASQUEZ. Владелец: Aix Marseille Universite. Дата публикации: 2023-08-17.

Self-referenced and regulated sensing solution for phase change memory with ovonic threshold switch

Номер патента: US11875847B2. Автор: Philippe Boivin,Jean-Michel PORTAL,Vincenzo DELLA MARCA,Jean-Pierre WALDER,Julien GASQUEZ. Владелец: Stmicroelectro Crolles 2 Sas. Дата публикации: 2024-01-16.

Phase-change memory device

Номер патента: US20100149860A1. Автор: Ho-Seok EM. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-06-17.

Phase change memory device

Номер патента: US20120120724A1. Автор: Hyuck-Soo Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-05-17.

Phase change memory device, operation method thereof, and data storage device having the same

Номер патента: US20130155765A1. Автор: Dong Keun Kim,Sun Hyuck Yon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-06-20.

Three-dimensional convolution operation device and method based on three-dimensional phase change memory

Номер патента: US20220351026A1. Автор: Hao Tong,Qing Hu,Xiangshui Miao,Yuhui He. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2022-11-03.

Writing method and system for a phase change memory

Номер патента: US20080219046A1. Автор: Ming-Jung Chen,Te-Sheng Chao,Philip H. Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-09-11.

Writing method and system for a phase change memory

Номер патента: US7773409B2. Автор: Ming-Jung Chen,Te-Sheng Chao,Philip H. Yeh. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-08-10.

Technique and apparatus for performing write operations to a phase change material memory device

Номер патента: US20030081451A1. Автор: Tyler Lowrey,Ward Parkinson,Manzur Gill. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2003-05-01.

Data storage method and phase change memory

Номер патента: US09899084B2. Автор: ZHEN Li,Junfeng Zhao,Qiang He,Xiangshui Miao,Shujie Zhang,Ronggang Xu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Methods and systems for verifying cell programming in phase change memory

Номер патента: US09747977B2. Автор: Raymond W. Zeng,Doyle Rivers,Daniel J. Chu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Energy adjusted write pulses in phase-change memories

Номер патента: US7327623B2. Автор: Thomas Happ,Zaidi Shoaib. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-02-05.

Phase-change memory element and method of storing data therein

Номер патента: US20040145944A1. Автор: Boil Pashmakov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-29.

Driver circuit for phase-change memory cells and method of driving phase-change memory cells

Номер патента: US20230021601A1. Автор: Antonino Conte,Francesco Tomaiuolo,Agatino Massimo Maccarrone,Marco Ruta,Michelangelo Pisasale. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-01-26.

Phase change memory system, phase change memory device, and phase change memory device refresh method

Номер патента: US11417395B2. Автор: Kwang Jin Lee,Yoon Sung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-16.

Energy adjusted write pulses in phase-change memories

Номер патента: US20070014173A1. Автор: Thomas Happ,Zaidi Shoaib. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-01-18.

Energy adjusted write pulses in phase-change memory cells

Номер патента: US20080106928A1. Автор: Thomas Happ,Zaidi Shoaib. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-05-08.

Phase change memory apparatus and read control method to reduce read disturb and sneak current phenomena

Номер патента: US20190066778A1. Автор: Yung-Feng Lin,Hsin-Yi Ho,Yun-Chen Chou. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Method and apparatus for healing phase change memory devices

Номер патента: US09336878B2. Автор: Chao-I Wu,Hsiang-Pang Li,Tzu-Hsiang Su,Win San Khwa. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-10.

Voltage control circuit for phase change memory

Номер патента: US20110149644A1. Автор: Roger Cuppens. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-06-23.

Phase change memory

Номер патента: US20100165723A1. Автор: Wen-Pin Lin,Shyh-Shyuan Sheu,Pei-Chia Chiang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-07-01.

Optical memory device and method therefor

Номер патента: US20110044086A1. Автор: Franz Michael Schuette. Владелец: OCZ Technology Group Inc. Дата публикации: 2011-02-24.

Phase change memory

Номер патента: US20120230099A1. Автор: Wen-Pin Lin,Shyh-Shyuan Sheu,Pei-Chia Chinag. Владелец: Higgs Opl Capital Llc. Дата публикации: 2012-09-13.

Optical memory device and method therefor

Номер патента: US8335099B2. Автор: Franz Michael Schuette. Владелец: OCZ Technology Group Inc. Дата публикации: 2012-12-18.

Phase change random access memory apparatus and write control method for the same

Номер патента: US20110075474A1. Автор: Dong Keun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-31.

Phase change random access memory apparatus and write control method for the same

Номер патента: US8130540B2. Автор: Dong Keun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-03-06.

Path isolation in a memory device

Номер патента: US09978449B2. Автор: Hernan A. Castro. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Path isolation in a memory device

Номер патента: US09691481B2. Автор: Hernan A. Castro. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Path isolation in a memory device

Номер патента: US09466365B2. Автор: Hernan A. Castro. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Apparatus and method for reading a phase-change memory cell

Номер патента: US09431102B2. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Method for low power accessing a phase change memory device

Номер патента: US20100165713A1. Автор: Claudio Resta,Ferdinando Bedeschui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-01.

Descending set verify for phase change memory

Номер патента: US09552876B2. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Memory device including a programmable resistance element

Номер патента: US20090010048A1. Автор: Yukio Fuji. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-01-08.

Phase change memory dynamic resistance test and manufacturing methods

Номер патента: US20090175071A1. Автор: Chung Hon Lam,Bipin Rajendran,Ming-Hsiu Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-09.

Phase Change Memory

Номер патента: US20100165722A1. Автор: Wen-Pin Lin,Shyh-Shyuan Sheu,Pei-Chia Chiang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

High-speed and large-current adjustable pulse circuit, operating circuit and operating method of phase-change memory

Номер патента: US20240371438A1. Автор: FAN YANG,Xingsheng Wang,Xiangshui Miao,Yinghao Ma,Chengxu WANG,Menghua HUANG. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-11-07.

Self-adjusting phase change memory storage module

Номер патента: US09563371B2. Автор: Jing Li,Dinesh C. Verma. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Phase-change memory device for improving resistance drift and dynamic resistance drift compensation method of the same

Номер патента: US11848049B2. Автор: Yunheub Song,Yoonseong CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor memory device including phase change memory device and method of accessing phase change memory device

Номер патента: US20200066342A1. Автор: Jin-yong Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-27.

Phase change memory programming method and phase change memory

Номер патента: US8717809B2. Автор: Godferius Adrianus Maria Hurkx,Jesus Perez Gonzales. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2014-05-06.

Phase change memory programming method and phase change memory

Номер патента: US20120294074A1. Автор: Godferius Adrianus Maria Hurkx,Jesus Perez Gonzales. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2012-11-22.

Phase change memory programming method and phase change memory

Номер патента: WO2011095902A1. Автор: Godefridus Adrianus Hurkx,Jesus Perez Gonzalez. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2011-08-11.

Non-volatile memory device, in particular phase change memory, and reading method

Номер патента: US20190341103A1. Автор: Giovanni Campardo,Paola Zuliani,Roberto Annunziata. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-11-07.

Phase change memory

Номер патента: US8014194B2. Автор: Wen-Pin Lin,Shyh-Shyuan Sheu,Pei-Chia Chiang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2011-09-06.

Method for multilevel programming of phase change memory cells using a percolation algorithm

Номер патента: US7639526B2. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-29.

Linear phase change memory

Номер патента: US20230044919A1. Автор: Ning Li,Wanki Kim,Devendra K. Sadana. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Linear phase change memory

Номер патента: WO2023012011A1. Автор: Ning Li,Devendra Sadana,Wanki Kim. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-02-09.

Phase change memory mask

Номер патента: EP2973579A1. Автор: Daniel J. Chu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-01-20.

Phase change memory mask

Номер патента: US20150085570A1. Автор: Daniel J. Chu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-03-26.

Phase change memory mask

Номер патента: US20170025171A1. Автор: Daniel J. Chu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Systems and Methods to Reduce the Impact of Short Bits in Phase Change Memory Arrays

Номер патента: US20220319629A1. Автор: PENG Zhao,Nicola Ciocchini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Systems and methods to reduce the impact of short bits in phase change memory arrays

Номер патента: US11557369B2. Автор: PENG Zhao,Nicola Ciocchini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-17.

Phase change memory comprising a low-voltage column decoder

Номер патента: US20080062806A1. Автор: Thierry Giovinazzi,Christophe Rodat. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2008-03-13.

Immunity of phase change material to disturb in the amorphous phase

Номер патента: US09570163B2. Автор: Tyler A. Lowrey,James Reed,Ward D. Parkinson,Gianpaolo Spadini,Sergey Kostylev,Ilya V. Karpov,Semyon D. Savransky,George A. Gordon. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2017-02-14.

Seasoning phase change memories

Номер патента: US09536606B2. Автор: Ward D. Parkinson,Ilya V. Karpov,Semyon D. Savransky. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2017-01-03.

Program-disturb management for phase change memory

Номер патента: US09508426B2. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Writing multiple levels in a phase change memory

Номер патента: US09502107B2. Автор: Scott C. Lewis,Chung H. Lam,Thomas M. Maffitt,Jack R. MORRISH. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Phase change memory device with selector mos transistors and source line clustering

Номер патента: US20190051348A1. Автор: Fabio Enrico Carlo Disegni,Cesare Torti,Davide Manfre'. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-02-14.

Phase change memory current

Номер патента: US09792986B2. Автор: Raymond W. Zeng,Mase J. Taub,Sandeep K. Guliani,Kiran Pangal. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Three-dimensional convolution operation device and method based on three-dimensional phase change memory

Номер патента: US11989644B2. Автор: Hao Tong,Qing Hu,Xiangshui Miao,Yuhui He. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-05-21.

Techniques for a multi-step current profile for a phase change memory

Номер патента: US20210391005A1. Автор: Sanjay Rangan,Hemant P. Rao,Shylesh Umapathy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-12-16.

Techniques for a multi-step current profile for a phase change memory

Номер патента: US20220165335A1. Автор: Sanjay Rangan,Hemant P. Rao,Shylesh Umapathy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Sense amplifier for non-volatile memory devices and related methods

Номер патента: US10068643B2. Автор: Marco Pasotti,Chantal Auricchio,Marcella CARISSIMI,Rajat Kulshrestha. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2018-09-04.

Sensing phase-change memory/test cells for determining whether a cell resistance has changed due to thermal exposure

Номер патента: US09875794B2. Автор: Jason Snodgress,Jason Brand. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Refresh circuitry for phase change memory

Номер патента: US7894254B2. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-22.

Phase-change memory

Номер патента: US11817146B2. Автор: Matthias Wuttig,Xiaoling Lu,Julian Pries,Shuai WEI,Yudong CHENG. Владелец: Rheinisch Westlische Technische Hochschuke RWTH. Дата публикации: 2023-11-14.

Phase-change memory

Номер патента: US20220215878A1. Автор: Matthias Wuttig,Xiaoling Lu,Julian Pries,Shuai WEI,Yudong CHENG. Владелец: Rheinisch Westlische Technische Hochschuke RWTH. Дата публикации: 2022-07-07.

Single-ended phase-change memory device and reading method

Номер патента: EP3648108A1. Автор: Guido Torelli,Marco Pasotti,Riccardo Zurla,Alessandro Cabrini,Flavio Giovanni Volpe. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-05-06.

Single-ended phase-change memory device and reading method

Номер патента: US20200135273A1. Автор: Guido Torelli,Marco Pasotti,Riccardo Zurla,Alessandro Cabrini,Flavio Giovanni Volpe. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-04-30.

Sense amplifier for non-volatile memory devices and related methods

Номер патента: US20170178722A1. Автор: Marco Pasotti,Chantal Auricchio,Marcella CARISSIMI,Rajat Kulshrestha. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2017-06-22.

Enhancing nucleation in phase-change memory cells

Номер патента: US20190295642A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Anna Maria Conti,Davide Fugazza,Johannes A. Kalb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Enhancing nucleation in phase-change memory cells

Номер патента: US20160012888A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Anna Maria Conti,Davide Fugazza,Johannes A. Kalb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-01-14.

Enhancing nucleation in phase-change memory cells

Номер патента: EP3167451A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Anna Maria Conti,Davide Fugazza,Johannes A. Kalb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-17.

Reading Phase Change Memories

Номер патента: US20110176358A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Ward D. Parkinson,Roberto Gastaldi,Giulio Casagrande,Claudio Resta. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2011-07-21.

Pulsing synaptic devices based on phase-change memory to increase the linearity in weight update

Номер патента: WO2022268416A1. Автор: Wanki Kim,Sangbum Kim,Matthew Joseph BrightSky,Maxence Bouvier,Fabia CARTER. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2022-12-29.

Enhancing nucleation in phase-change memory cells

Номер патента: US20180268899A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Anna Maria Conti,Davide Fugazza,Johannes A. Kalb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-20.

Enhancing nucleation in phase-change memory cells

Номер патента: US20160254050A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Anna Maria Conti,Davide Fugazza,Johannes A. Kalb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Memory apparatus with gated phase-change memory cells

Номер патента: US20130322168A1. Автор: Daniel Krebs,Gael Close. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Processors and Systems Using Phase-Change Memory with and without Bitline-sharing

Номер патента: US20130314984A1. Автор: Christopher Scoville,Wolfgang Hokenmaier. Владелец: Being Advanced Memory Corp. Дата публикации: 2013-11-28.

Enhancing nucleation in phase-change memory cells

Номер патента: US09990989B2. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Anna Maria Conti,Davide Fugazza,Johannes A. Kalb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Sense amplifier for non-volatile memory devices and related methods

Номер патента: US09613692B1. Автор: Marco Pasotti,Chantal Auricchio,Marcella CARISSIMI,Rajat Kulshrestha. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2017-04-04.

Phase change memory devices and systems having reduced voltage threshold drift and associated methods

Номер патента: US20170243643A1. Автор: Mattia Robustelli. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Integrated circuit with phase-change memory cells and method for addressing phase-change memory cells

Номер патента: WO2006043230A1. Автор: Martijn H. R. Lankhorst,Hendrik G. A. Huizing. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2006-04-27.

Calibration system for writing and reading multiple states into phase change memory

Номер патента: WO2007103220A3. Автор: Pantas Sutardja. Владелец: Pantas Sutardja. Дата публикации: 2007-11-01.

Set and reset operation in phase change memory and associated techniques and configurations

Номер патента: US9613698B2. Автор: DerChang Kau,Prashant Damle,Kiran Pangal,Davide Mantegazza,Davide Fugazza,Gerard H. Joyce. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Set and reset operation in phase change memory and associated techniques and configurations

Номер патента: US20160254052A1. Автор: DerChang Kau,Prashant Damle,Kiran Pangal,Davide Mantegazza,Davide Fugazza,Gerard H. Joyce. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-09-01.

Integrated circuit with phase-change memory cells and method for addressing phase-change memory cells

Номер патента: EP1807840A1. Автор: Martijn H. R. Lankhorst,Hendrik G. A. Huizing. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-07-18.

Integrated circuit with phase-change memory cells and method for addressing phase-change memory cells

Номер патента: EP1807840B1. Автор: Martijn H. R. Lankhorst,Hendrik G. A. Huizing. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-05-26.

Calibration system for writing and reading multiple states into phase change memory

Номер патента: WO2007103220A2. Автор: Pantas Sutardja. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2007-09-13.

Phase change memory devices and systems, and related programming methods

Номер патента: US7529124B2. Автор: Hye-jin Kim,Kwang-Jin Lee,Woo-Yeong Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-05-05.

Accessing a Phase Change Memory

Номер патента: US20100020595A1. Автор: Tyler Lowrey,Ward Parkinson. Владелец: Ward Parkinson. Дата публикации: 2010-01-28.

Phase change memory device, system including the memory device, and method for operating the memory device

Номер патента: US11756614B2. Автор: Davide Manfre,Maurizio Francesco Perroni,Fabio Enrico Carlo Disegni,Cesare Torti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-09-12.

Phase Change Memory Device

Номер патента: US20100290272A1. Автор: Hyuck-Soo Yoon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-11-18.

Using an mos select gate for a phase change memory

Номер патента: WO2004055826A1. Автор: Tyler A. Lowrey,Manzur Gill. Владелец: Ovonyx, Inc.. Дата публикации: 2004-07-01.

Using an mos select gate for a phase change memory

Номер патента: MY134505A. Автор: Tyler Lowrey,Manzur Gill. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2007-12-31.

Method of accelerating phase change memory writes

Номер патента: EP2204816A3. Автор: Gutala Ravi,Ferdinando Bedeschi,Meenatchi Jagasivamani,Anthony Ko,Rich E. Fackenthal,Enzo Donze'. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2010-07-28.

Accelerating phase change memory writes

Номер патента: US20100169740A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Meenatchi Jagasivamani,Anthony Ko,Rich E. Fackenthal,Enzo Donze,Ravi Gutala. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2010-07-01.

Single transistor driver for address lines in a phase change memory and switch (pcms) array

Номер патента: WO2012128884A2. Автор: Raymond W. Zeng,DerChang Kau. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2012-09-27.

Conditioning phase change memory cells

Номер патента: US09558817B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Phase change memory devices and systems, and related programming methods

Номер патента: US8159867B2. Автор: Hye-jin Kim,Kwang-Jin Lee,Woo-Yeong Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-04-17.

Calibration system for writing and reading multiple states into phase change memory

Номер патента: US7679953B2. Автор: Pantas Sutardja. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2010-03-16.

Write Operation Method and Device for Phase Change Memory

Номер патента: US20150117096A1. Автор: Yansong Li. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-30.

Accessing a phase change memory

Номер патента: US8120943B2. Автор: Tyler Lowrey,Ward Parkinson. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2012-02-21.

Method for reading phase change memories and phase change memory

Номер патента: US20080084735A1. Автор: Ward Parkinson. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2008-04-10.

Use of decreasing verify currents in a set programming cycle of a phase change memory

Номер патента: WO2011080770A1. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Ferdinando Bedeschi. Дата публикации: 2011-07-07.

Method and apparatus for healing phase change memory devices

Номер патента: US20150371704A1. Автор: Chao-I Wu,Hsiang-Pang Li,Tzu-Hsiang Su,Win San Khwa. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-24.

Method and apparatus for healing phase change memory devices

Номер патента: US9620210B2. Автор: Chao-I Wu,Hsiang-Pang Li,Win-San Khwa,Tzu-Hsiang Su. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Method, apparatus and system to determine access information for a phase change memory

Номер патента: US20120075924A1. Автор: Albert Fazio,DerChang Kau. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-29.

Method, apparatus and system to determine access information for a phase change memory

Номер патента: EP2619764A1. Автор: Albert Fazio,DerChang Kau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-07-31.

Adaptive Wordline Programming Bias of a Phase Change Memory

Номер патента: US20110080777A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Richard E. Fackenthal,Meenatchi Jagasivamani,Ravi Annavajjhala,Enzo M. Donze. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-04-07.

Adaptive Wordline Programming Bias of a Phase Change Memory

Номер патента: US20110292721A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Richard E. Fackenthal,Meenatchi Jagasivamani,Ravi Annavajjhala,Enzo M. Donze. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-01.

Adaptive Wordline Programming Bias of a Phase Change Memory

Номер патента: US20120268984A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Richard E. Fackenthal,Meenatchi Jagasivamani,Ravi Annavajjhala,Enzo M. Donze. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-25.

Multilevel programming of phase change memory

Номер патента: US20130083594A1. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Abu Sebastian,Evangelos S. Eleftheriou,Angeliki Pantazi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-04-04.

Multilevel programming of phase change memory

Номер патента: US8446760B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Abu Sebastian,Evangelos S. Eleftheriou,Angeliki Pantazi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-21.

Block erase for phase change memory

Номер патента: US7755935B2. Автор: Hsiang-Lan Lung,Chung Hon Lam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-07-13.

Phase change memory apparatus and read control method to reduce read disturb and sneak current phenomena

Номер патента: US10297316B2. Автор: Yung-Feng Lin,Hsin-Yi Ho,Yun-Chen Chou. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-21.

Memory device including phase change memory cell and operation method thereof

Номер патента: US11948632B2. Автор: Jungyu Lee,Jongryul Kim,Hyunkook Parak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-02.

Phase change memory and control method thereof

Номер патента: US7773411B2. Автор: Wen-Pin Lin,Shyh-Shyuan Sheu,Lieh-Chiu Lin,Pei-Chia Chiang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-08-10.

Read and write circuit of three-dimensional phase-change memory

Номер патента: US20220383951A1. Автор: FAN YANG,Lingjun Zhou,Xingsheng Wang,Xiangshui Miao,Chengxu WANG. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2022-12-01.

Reading phase change memories with select devices

Номер патента: US20090027951A1. Автор: DerChang Kau. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-29.

Multilevel programming of phase change memory

Номер патента: US20130077394A1. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Abu Sebastian,Evangelos S. Eleftheriou,Angeliki Pantazi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-03-28.

Implementing enhanced performance with read before write to phase change memory

Номер патента: US09754682B2. Автор: Robert Eugeniu Mateescu,Cyril Guyot,Dejan Vucinic. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Memory device including decoder for a program pulse and related methods

Номер патента: US09613696B1. Автор: Vikas RANA,Marco Pasotti,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2017-04-04.

Apparatus and method for programming a multi-level phase change memory (PCM) cell based on an actual resistance value and a reference resistance value

Номер патента: US09576655B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Abu Sebastian,Evangelos S. Eleftheriou,Angeliki Pantazi,Haris Pozidis. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2017-02-21.

Modified reset state for enhanced read margin of phase change memory

Номер патента: US09520190B2. Автор: Fabio Pellizzer,Daniele Ielmini,Andrea Redaelli,Agostino Pirovano,Mattia Boniardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Row decoder for non-volatile memory devices and related methods

Номер патента: US09466347B1. Автор: Vikas RANA,Marco Pasotti. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2016-10-11.

Phase change memory with bipolar junction transistor select device

Номер патента: US7848133B2. Автор: Richard Fackenthal,Meenatchi Jagasivamani. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-12-07.

Phase change memory with bipolar junction transistor select device

Номер патента: US20090168503A1. Автор: Richard Fackenthal,Meenatchi Jagasivamani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-02.

Phase change memory and operation method of the same

Номер патента: US20110044097A1. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-24.

Immunity of phase change material to disturb in the amorphous phase

Номер патента: US8861293B2. Автор: Tyler A. Lowrey,James Reed,Ward D. Parkinson,Gianpaolo Spadini,Sergey Kostylev,Ilya V. Karpov,Semyon D. Savransky,George A. Gordon. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2014-10-14.

Phase change memory array blocks with alternate selection

Номер патента: WO2011134079A1. Автор: Hong Beom Pyeon. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2011-11-03.

Immunity of Phase Change Material to Disturb in the Amorphous Phase

Номер патента: US20140328121A1. Автор: Tyler A. Lowrey,James Reed,Ward D. Parkinson,Gianpaolo Spadini,Sergey Kostylev,Ilya V. Karpov,Semyon D. Savransky,George A. Gordon. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2014-11-06.

Immunity of Phase Change Material to Disturb in the Amorphous Phase

Номер патента: US20140098604A1. Автор: Tyler A. Lowrey,James Reed,Ward D. Parkinson,Gianpaolo Spadini,Sergey Kostylev,Ilya V. Karpov,Semyon D. Savransky,George A. Gordon. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2014-04-10.

Immunity of Phase Change Material to Disturb in the Amorphous Phase

Номер патента: US20110240943A1. Автор: James Reed,Tyler Lowrey,Ward Parkinson,Gianpaolo Spadini,Sergey A. Kostylev,George Gordon,Ilya V. Karpov,Semyon D. Savransky. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2011-10-06.

Immunity of phase change material to disturb in the amorphous phase

Номер патента: US8634226B2. Автор: James Reed,Tyler Lowrey,Ward Parkinson,Gianpaolo Spadini,Sergey A. Kostylev,George Gordon,Ilya V. Karpov,Semyon D. Savransky. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2014-01-21.

Program-disturb management for phase change memory

Номер патента: US20150095560A1. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-04-02.

Mixed mode programming for phase change memory

Номер патента: US20150003149A1. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-01-01.

Mixed mode programming for phase change memory

Номер патента: US20130003450A1. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-03.

Phase change memory, writing method thereof and reading method thereof

Номер патента: US20140376308A1. Автор: Ming-Hsiu Lee,Chao-I Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-25.

Phase change memory mask

Номер патента: US20140269043A1. Автор: Daniel J. Chu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Write scheme in phase change memory

Номер патента: CA2793922A1. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2011-11-03.

Phase change memory current

Номер патента: WO2016195873A1. Автор: Raymond W. Zeng,Mase J. Taub,Sandeep K. Guliani,Kiran Pangal. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-12-08.

Non-volatile phase-change memory device including a distributed row decoder with n-channel MOSFET transistors and related row decoding method

Номер патента: US11908514B2. Автор: Antonino Conte,Francesco Tomaiuolo,Alin Razafindraibe,Thibault Mortier. Владелец: STMicroelectronics Grenoble 2 SAS. Дата публикации: 2024-02-20.

Phase change memory current

Номер патента: EP3304560A1. Автор: Raymond W. Zeng,Mase J. Taub,Sandeep K. Guliani,Kiran Pangal. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-11.

Techniques for a multi-step current profile for a phase change memory

Номер патента: US11810617B2. Автор: Sanjay Rangan,Hemant P. Rao,Shylesh Umapathy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Techniques for a multi-step current profile for a phase change memory

Номер патента: US11276462B2. Автор: Sanjay Rangan,Hemant P. Rao,Shylesh Umapathy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-15.

Reading Phase Change Memories

Номер патента: US20090116281A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Ward D. Parkinson,Roberto Gastaldi,Giulio Casagrande,Claudio Resta. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2009-05-07.

Mitigating write disturbance errors of phase-change memory module

Номер патента: US20220319593A1. Автор: Hyun Kim,Seung Yong Lee,Hyuk Jae Lee,Hyo Keun Lee. Владелец: Foundation for Research and Business of Seoul National University of Science and Technology. Дата публикации: 2022-10-06.

Paralleled Drive Devices Per Bitline in Phase-Change Memory Array

Номер патента: US20130336053A1. Автор: Christopher Scoville,Wolfgang Hokenmaier. Владелец: Being Advanced Memory Corp. Дата публикации: 2013-12-19.

Non-volatile phase-change memory device including a distributed row decoder with n-channel mosfet transistors and related row decoding method

Номер патента: US20240153553A1. Автор: Antonino Conte,Francesco Tomaiuolo,Alin Razafindraibe,Thibault Mortier. Владелец: STMicroelectronics Grenoble 2 SAS. Дата публикации: 2024-05-09.

Ternary content addressable memory using phase change devices

Номер патента: EP2368249A1. Автор: Chung Hon Lam,Bipin Rajendran,Robert Kevin Montoye,Brian Ji. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-09-28.

Ternary content addressable memory using phase change devices

Номер патента: WO2010100000A1. Автор: Chung Hon Lam,Bipin Rajendran,Robert Kevin Montoye,Brian Ji. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2010-09-10.

Device controlling phase change storage element and method thereof

Номер патента: US7796455B2. Автор: Wen-Pin Lin,Shyh-Shyuan Sheu,Lieh-Chiu Lin,Pei-Chia Chiang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-09-14.

Device controlling phase change storage element and method thereof

Номер патента: US20090080243A1. Автор: Wen-Pin Lin,Shyh-Shyuan Sheu,Lieh-Chiu Lin,Pei-Chia Chiang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-03-26.

Optimized phase change write method

Номер патента: US20090161416A1. Автор: Thomas Happ,Mark Lamorey. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-06-25.

Distributed computing with phase change material thermal management

Номер патента: US09792961B2. Автор: Manish Arora,Gabriel H. Loh,Michael J. Schulte,Srilatha Manne,Nuwan Jayasena. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Nonvolatile memory device including transfer element

Номер патента: US20200152265A1. Автор: Jungyu Lee,Bilal Ahmad Janjua,Ji-Hoon Lim,June-Hong PARK,Vivek Venkata Kalluru. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Reducing Temporal Changes in Phase Change Memories

Номер патента: US20110210300A1. Автор: Ilya V. Karpov,Semyon D. Savransky. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-01.

Reducing temporal changes in phase change memories

Номер патента: US8228722B2. Автор: Ilya V. Karpov,Semyon D. Savransky. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2012-07-24.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: WO2024087140A1. Автор: Jianping Li. Владелец: Yangtze Advanced Memory Industrial Innovation Center Co., Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Dedicated interface to factory program phase-change memories

Номер патента: SG166730A1. Автор: Kerry Dean Tedrow,Nicholas Hendrickson. Владелец: Numonyx Bv. Дата публикации: 2010-12-29.

Programming of phase-change memory cells

Номер патента: US9070438B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Abu Sebastian,Angeliki Pantazi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-06-30.

Resetting phase change memory bits

Номер патента: US20060181922A1. Автор: Rick Dodge,Federica Ottogalli,Egidio Buda,Marco Ferraro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-17.

Phase-change memory with multiple polarity bits having enhanced endurance and error tolerance

Номер патента: US20120087182A1. Автор: Jin-Ki Kim,Peter B. Gillingham. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2012-04-12.

Optoelectronic device using a phase change material

Номер патента: EP3622556A1. Автор: Syed Ghazi Sarwat,Harish Bhaskaran,Gerardo Rodriguez HERNANDEZ. Владелец: Oxford University Innovation Ltd. Дата публикации: 2020-03-18.

Optoelectronic device using a phase change material

Номер патента: WO2018206919A1. Автор: Syed Ghazi Sarwat,Harish Bhaskaran,Gerardo Rodriguez HERNANDEZ. Владелец: Oxford University Innovation Ltd. Дата публикации: 2018-11-15.

Phase change memory (pcm) architecture and a method for writing into pcm architecture

Номер патента: US20120250401A1. Автор: Godefridus Adrianus Maria Hurkx,Michiel Jos Van Duuren,Maurits Mario Nicolaas Storms,Erik Maria Van Bussel. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2012-10-04.

Phase-change memory with multiple polarity bits having enhanced endurance and error tolerance

Номер патента: US20130215677A1. Автор: Jin-Ki Kim,Peter B. Gillingham,William F. Petrie. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2013-08-22.

Phase-change memory with multiple polarity bits having enhanced endurance and error tolerance

Номер патента: US8780622B2. Автор: Jin-Ki Kim,Peter B. Gillingham,William F. Petrie. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2014-07-15.

Content-addressable memory having phase change material devices

Номер патента: US20070097740A1. Автор: Colin Murphy,Narbeh Derhacobian. Владелец: Cswitch Corp. Дата публикации: 2007-05-03.

Semiconductor device with an improved voltage controlled oscillator circuit

Номер патента: DE102005030658A1. Автор: Satoshi Suzuki,Takayuki Matsuzuka,Kenichiro Chomei. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2006-02-09.

Memory device for a hierarchical memory architecture

Номер патента: US09626327B2. Автор: Sean Eilert,Mark Leinwander. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Memory device for a hierarchical memory architecture

Номер патента: US20150370750A1. Автор: Sean Eilert,Mark Leinwander. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-12-24.

Phase change memory device using carbon nanotube and method for fabricating the same

Номер патента: US7749801B2. Автор: Kuk-Hwan Kim,Yang-Kyu Choi. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2010-07-06.

Phase change memory device having an improved word line resistance, and methods of making same

Номер патента: US8415197B2. Автор: Jang Uk Lee,Mi Ra CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-04-09.

Phase change memory device having an improved word line resistance, and methods of making same

Номер патента: US8283651B2. Автор: Jang Uk Lee,Mi Ra CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2012-10-09.

Phase change memory device having an improved word line resistance, and methods of making same

Номер патента: US20120329222A1. Автор: Jang Uk Lee,Mi Ra CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2012-12-27.

Implementing enhanced performance with read before write to phase change memory to avoid write cancellations

Номер патента: US09471227B2. Автор: Robert Eugeniu Mateescu,Cyril Guyot,Dejan Vucinic. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Lighting device with reflecting electroactive polymer drive

Номер патента: RU2488035C2. Автор: Рейнхольд ЭЛЬФЕРИХ,Бернд АКЕРМАНН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2013-07-20.

Computing device with phase change material thermal management

Номер патента: US20150271908A1. Автор: Manish Arora,Michael J. Schulte. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-09-24.

Apparatus and method for passive phase change thermal management

Номер патента: MY137459A. Автор: PULLEN David,Terrance J Dishongh,Damion T Searls. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-01-30.

Apparatus and method for passive phase change thermal management

Номер патента: EP1264343A2. Автор: Damion T. Searls,Terrance J. Dishongh,David H. Pullen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2002-12-11.

Thermal management system including an elastically deformable phase change device

Номер патента: US09733680B1. Автор: Andrew Douglas Delano,David William Voth. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2017-08-15.

Suppressing outlier drift coefficients while programming phase change memory synapses

Номер патента: GB2600890A. Автор: Burr Geoffrey. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-05-11.

Suppressing outlier drift coefficients while programming phase change memory synapses

Номер патента: WO2021038334A1. Автор: Geoffrey Burr. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2021-03-04.

Suppressing outlier drift coefficients while programming phase change memory synapses

Номер патента: US20210065794A1. Автор: Geoffrey Burr. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Ir photodetector with graphene and phase change layers and related methods

Номер патента: US20230082228A1. Автор: Michael N. Leuenberger,Muhammad Waqas Shabbir. Владелец: University of Central Florida Research Foundation Inc UCFRF. Дата публикации: 2023-03-16.

Phase change liquid cooling heat dissipation device

Номер патента: EP4239671A1. Автор: Xin Nie,Ruohan Yang,Yongheng WANG. Владелец: Thero New Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-06.

Phase change memory materials

Номер патента: EP2335297A1. Автор: Bruce G. Aitken,Charlene M. Smith. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2011-06-22.

Phase change memory materials

Номер патента: WO2010024936A1. Автор: Bruce G. Aitken,Charlene M. Smith. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2010-03-04.

Node for connection of flat body with voltage source with embedded control unit

Номер патента: RU2699814C1. Автор: Патрик Вебер. Владелец: СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС. Дата публикации: 2019-09-11.

Battery maintenance device with thermal buffer

Номер патента: US09419311B2. Автор: Kevin I. Bertness. Владелец: Midtronics Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Phase-change random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120326112A1. Автор: Jang Uk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-27.

Methods of manufacturing phase-change random access memory devices

Номер патента: US20100323492A1. Автор: Tae-Yon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-23.

Method of controlling devices with a large number of controlled elements using a "mouse"

Номер патента: RU2718613C1. Автор: Юрий Сергеевич Ковалев,Тимур Бергалиев,Марья Александровна Киселева,Сергей Владимирович Сахно. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью «Битроникс». Дата публикации: 2020-04-09.

Strained transistors and phase change memory

Номер патента: US20230329008A1. Автор: Olivier Weber,Remy Berthelon. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-10-12.

Strained transistors and phase change memory

Номер патента: US20210343788A1. Автор: Olivier Weber,Remy Berthelon. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2021-11-04.

Strained transistors and phase change memory

Номер патента: US11723220B2. Автор: Olivier Weber,Remy Berthelon. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-08-08.

Semiconductor device packages including a controller element

Номер патента: US09761562B2. Автор: Seng Kim Dalson Ye,Hong Wan Ng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Memory device capable of adjusting operation voltage and application processor for controlling the memory device

Номер патента: US09891855B2. Автор: Soo-Hwan Kim,Hui-Kap YANG,Myung-Kyoon Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

INTERNAL VOLTAGE GENERATING CIRCUIT OF PHASE CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20130121069A1. Автор: Shin Yoon-Jae. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2013-05-16.

INTERNAL VOLTAGE GENERATING CIRCUIT OF PHASE CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20140104940A1. Автор: Shin Yoon-Jae. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-04-17.

Phase-change random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140113427A1. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-04-24.

FOUR-OR-MORE-COMPONENT-BASED CHALCOGENIDE PHASE-CHANGE MATERIAL AND MEMORY DEVICE COMPRISING THE SAME

Номер патента: US20200083445A1. Автор: JHON Young Min,KIM Yong Tae,Kim Young-Hwan,Choi Minho,KIM Chun Keun,KWON Sehyun. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

PHASE-CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140175358A1. Автор: LEE Hyun Min,CHEONG Jung Taik. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-26.

PHASE-CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140175368A1. Автор: KIM Doo Kang. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-06-26.

NOVEL PHASE CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190165265A1. Автор: Yen Chun-Hsu,Hsu Yu-Chuan,Yang Chen-Hui. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-30.

Phase-change random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: KR101434593B1. Автор: 김정태,노대호,조병직. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2014-08-26.

Phase-change random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: KR101259842B1. Автор: 오재민,한기현,유명술. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2013-05-02.

Phase-change random access memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: KR100728951B1. Автор: 장헌용. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-06-15.

Method for manufacturing phase-change random access memory device

Номер патента: KR101899333B1. Автор: 이용석,조한우,윤효섭. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2018-10-31.

4 or more component based chalcogenide phase-change material and memory device comprising the same

Номер патента: KR102118734B1. Автор: 김영환,권세현,전영민,김용태,최민호,김춘근. Владелец: 한국과학기술연구원. Дата публикации: 2020-06-09.

Manufacturing method of phase change random access memory device

Номер патента: KR20100097298A. Автор: 이민용,김태중,채수진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-09-03.

Method for forming diode in phase change random access memory device

Номер патента: US20100099243A1. Автор: Ki Hong Lee,Ki Seon Park,Sun Hwan Hwang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-22.

Fabrication Method of Phase-Change Random Access Memory Device

Номер патента: KR101159169B1. Автор: 최미라. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2012-06-22.

Fabrication Method of Phase Change Random Access Memory Device

Номер патента: KR101124301B1. Автор: 김명섭,박남균. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2012-03-27.

Fabrication method of phase-change random access memory device

Номер патента: KR20110121388A. Автор: 최미라. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-11-07.

Manufacturing method of phase change random access memory device

Номер патента: KR20100097300A. Автор: 김현우. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-09-03.

Capacitive MEMS device with programmable offset voltage control

Номер патента: EP2058276A3. Автор: Evgeni Gousev,Daniel Felnhofer. Владелец: Qualcomm Mems Technologies Inc. Дата публикации: 2012-08-29.

Memory device capable of adjusting operation voltage and application processor for controlling the memory device

Номер патента: US20170315747A1. Автор: Soo-Hwan Kim,Hui-Kap YANG,Myung-Kyoon Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-02.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240020022A1. Автор: Se Chun Park,Chan Hui Jeong,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Low threshold voltage semiconductor device with dual threshold voltage control means

Номер патента: WO2007050312A3. Автор: Vijay Narayanan,Rajarao Jammy,Martin M Frank,Evgeni P Gousev,Eduard A Carter,Matthew W Copel,Paul C Jamison,Barry P Linder. Владелец: Barry P Linder. Дата публикации: 2009-04-30.

Memory device comprising a non-phase-changing amorphous chalcogenide memory layer and a metal chalcogenide ion-source layer

Номер патента: US09564583B2. Автор: Minoru Ishida,Katsuhisa Aratani,Akira Kouchiyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Graphene-inserted phase change memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09583702B2. Автор: Seunghyun Lee,Kenneth E. Goodson,Yongsung Kim,Scott Fong,Mehdi Asheghi,Eric Pop,H.-S. Philip Wong,Christopher M. Neumann,Aditya Sood,Chiyui Ahn. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2017-02-28.

Methods of manufacturing a phase change memory device including a heat sink

Номер патента: US09431610B2. Автор: Tae-Jin Park,Yoon-Jong Song,Chil-Hee Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Double self-aligned phase change memory device structure

Номер патента: US09640757B2. Автор: Jun-Fei Zheng. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Phase change memory device capable of satisfying reset current characteristic and contact resistance characteristic

Номер патента: US20100117044A1. Автор: Hye Jin Seo,Keum Bum Lee,Hyung Suk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-05-13.

Method of manufacturing a phase change memory device

Номер патента: US20150364678A1. Автор: Sung-Lae Cho,Dong-ho Ahn,Jung-Hwan Park,Hideki Horii,Jeong-hee Park,Zhe Wu,Jun-Ku Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-12-17.

Phase change memory stack with treated sidewalls

Номер патента: US09673256B2. Автор: SHU QIN,Yongjun Jeff Hu,Tsz W. Chan,Everett Allen McTeer,Swapnil Lengade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Applying inert ion beam etching for improving a profile and repairing sidewall damage for phase change memory devices

Номер патента: US20230165169A1. Автор: Robert L. Bruce,Sebastian Ulrich Engelmann,Luxherta Buzi,Lynne Marie Gignac,Thitima Suwannasiri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8999745B2. Автор: Il Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-07.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20150179929A1. Автор: Il Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20140166964A1. Автор: Il Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-19.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US09640758B2. Автор: Il Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Methods of manufacturing phase-change memory device and semiconductor device

Номер патента: US20130102120A1. Автор: Hye Jin Seo,Keum Bum Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-04-25.

Phase change memory cell with heat shield

Номер патента: US20140252294A1. Автор: Chung H. Lam,Alejandro G. Schrott,Matthew J. BrightSky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Phase change memory and method of fabricating the same

Номер патента: US20200373483A1. Автор: Ming-Feng Chang,Tzu-Hao YANG,Sheng-Hung Cheng. Владелец: Jiangsu Advanced Memory Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Phase change memory and method for making the same

Номер патента: US20220231224A1. Автор: Zhitang Song,Sannian Song. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2022-07-21.

Phase change memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120156840A1. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-21.

Methods of forming a phase change layer and methods of fabricating a phase change memory device including the same

Номер патента: US20130143380A1. Автор: Byoung-Deog Choi,Man-sug Kang,Jeong-hee Park,Doo-Hwan Park,Gyu-Hwan OH,Hye-Young Park,Jin-Ho Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-06.

Phase change memory cell with improved phase change material

Номер патента: US20150048291A1. Автор: Simone Raoux,Huai-Yu Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-19.

Phase change memory cell with improved phase change material

Номер патента: US09653683B2. Автор: Simone Raoux,Huai-Yu Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Phase change memory cells

Номер патента: US09773977B2. Автор: Roberto Bez,Damon E. Van Gerpen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Method of manufacturing phase change memory and phase change memory

Номер патента: US20210376237A1. Автор: Yu Zhu,Chung-Hon Lam,Kuo-Feng Lo. Владелец: Jiangsu Advanced Memory Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Phase-change memory cell with reduced heater size

Номер патента: US20230292637A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Methods of manufacturing a phase change memory device

Номер патента: US20140004680A1. Автор: Seong-Ho EUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-02.

Graphene-inserted phase change memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20160276585A1. Автор: Seunghyun Lee,Kenneth E. Goodson,Yongsung Kim,Scott Fong,Mehdi Asheghi,Eric Pop,Christopher M. Neumann,Aditya Sood,Chiyui Ahn,H.S. Philip Wong. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2016-09-22.

Phase Change Memory Cells And Methods Of Forming Phase Change Memory Cells

Номер патента: US20140252302A1. Автор: Damon E. Van Gerpen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-09-11.

Superlattice phase-change thin film with low density change, phase-change memory and preparation method therefor

Номер патента: US20220344584A1. Автор: MENG Xu,Ming Xu,Xiaomin Cheng,Xiangshui Miao,Jinlong Feng. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2022-10-27.

Metal oxide liner for cross-point phase change memory cell

Номер патента: US20220102625A1. Автор: Rajesh Venkatasubramanian,Hari Chandrasekaran,Hoi-sung Chung. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Phase change memory cell and phase change memory

Номер патента: US20150318469A1. Автор: Kai-Li Jiang,Shou-Shan Fan,Peng Liu,Qun-Qing Li. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-05.

Phase change memory element

Номер патента: US09847479B2. Автор: Frederick T. Chen,Ming-Jinn Tsai. Владелец: Gula Consulting LLC. Дата публикации: 2017-12-19.

Phase change memory cell and phase change memory

Номер патента: US09419216B2. Автор: Kai-Li Jiang,Shou-Shan Fan,Peng Liu,Qun-Qing Li. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Boron Surface Passivation of Phase Change Memory Material

Номер патента: US20240099166A1. Автор: Robert L. Bruce,Marinus Johannes Petrus Hopstaken,Luxherta Buzi,Charlie Tabachnick. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Phase-change memory cell implant for dummy array leakage reduction

Номер патента: US9837604B2. Автор: Max F. Hineman,Ugo Russo,Lequn J. Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Dielectric thin film on electrodes for resistance change memory devices

Номер патента: US09698344B2. Автор: DerChang Kau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Phase-change memory cell implant for dummy array leakage reduction

Номер патента: US20160181324A1. Автор: Max F. Hineman,Ugo Russo,Lequn J. Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Phase-change memory cell implant for dummy array leakage reduction

Номер патента: US20170125671A1. Автор: Max F. Hineman,Ugo Russo,Lequn J. Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-04.

Electrode configurations to increase electro-thermal isolation of phase-change memory elements and associated techniques

Номер патента: US09608042B2. Автор: Sanjay Rangan,Max F. Hineman,Giulio Albini,Fabio Pellizzer,Stephen W. Russell. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Phase-change memory cell implant for dummy array leakage reduction

Номер патента: US09559146B2. Автор: Max F. Hineman,Ugo Russo,Lequn J. Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Hydrogen and Hydrocarbon Plasma Treatment of Phase Change Memory Material

Номер патента: US20240099163A1. Автор: Robert L. Bruce,John M. Papalia,Luxherta Buzi,Lynne Marie Gignac. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Phase-change memory cell, and method for manufacturing the phase-change memory cell

Номер патента: US09991316B2. Автор: Carlo Luigi PRELINI,Paola Zuliani,Gianluigi CONFALONIERI,Annalisa GILARDINI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-06-05.

Phase change memory element

Номер патента: US09735352B2. Автор: Frederick T. Chen,Ming-Jinn Tsai. Владелец: Gula Consulting LLC. Дата публикации: 2017-08-15.

Phase change memory having a funnel-shaped heater and method of manufacturing the same

Номер патента: US09508927B1. Автор: Yu-Jen Lin,Yi-Fang Tao. Владелец: Ningbo Advanced Memory Technology Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Barrier film techniques and configurations for phase-change memory elements

Номер патента: US09419212B2. Автор: Dale W. Collins,Allen Mcteer,Christopher W. Petz,Yongjun J. Hu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Phase-change memory device having multiple diodes

Номер патента: US20140209847A1. Автор: Hae Chan PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-07-31.

Phase-change memory device having multiple diodes

Номер патента: US8384057B2. Автор: Hae Chan PARK. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-02-26.

Self-aligned cross-point phase change memory-switch array

Номер патента: US09590012B2. Автор: Jong Won Lee,DerChang Kau,Gianpaolo Spadini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Phase-change memory device having multiple diodes

Номер патента: US20120007034A1. Автор: Hae Chan PARK. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-12.

Phase-change memory device having multiple diodes

Номер патента: US20130146831A1. Автор: Hae Chan PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-06-13.

Phase-change memory device having multiple diodes

Номер патента: US8710480B2. Автор: Hae Chan PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-04-29.

Phase-change memory

Номер патента: US20200381617A1. Автор: DANIEL Benoit,Philippe Boivin,Remy Berthelon. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2020-12-03.

Phase-change memory device with conductive cladding

Номер патента: US20240147874A1. Автор: Kangguo Cheng,Guy M. Cohen,Ruilong Xie,Juntao Li,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Phase change memory cell with superlattice based thermal barrier

Номер патента: US20230077912A1. Автор: Takashi Ando,Kevin W. Brew,Praneet Adusumilli,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-16.

Self-aligned embedded phase change memory cell

Номер патента: US20200161370A1. Автор: Charles C. Kuo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Phase change memory structure having low-k dielectric heat-insulating material and fabrication method thereof

Номер патента: US20130175493A1. Автор: Zhitang Song,Liangcai Wu,Songlin Feng. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2013-07-11.

Phase change memory and method of fabricating the same

Номер патента: US20200303638A1. Автор: Ming-Feng Chang,Tzu-Hao YANG,Sheng-Hung Cheng. Владелец: Jiangsu Advanced Memory Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Phase change memory with concentric ring-shaped heater

Номер патента: US20220416161A1. Автор: Carl Radens,Oscar van der Straten,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Juntao Li,Praneet Adusumilli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Phase change memory and method of fabricating the same

Номер патента: US10811607B2. Автор: Ming-Feng Chang,Tzu-Hao YANG,Sheng-Hung Cheng. Владелец: Jiangsu Advanced Memory Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-20.

Phase change memory with conductive rings

Номер патента: US20220416157A1. Автор: Carl Radens,Oscar van der Straten,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Juntao Li,Zuoguang Liu,Praneet Adusumilli,Arthur Gasasira. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Method for vapor-phase growth of phase-change thin film, and device for vapor-phase growth of phase-change thin film

Номер патента: US20170125675A1. Автор: Takashi Kobayashi,Yoshihisa Fujisaki,Yoshitaka Sasago. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-05-04.

Method for fabricating a phase-change memory cell

Номер патента: US20190006421A1. Автор: Fabio Pellizzer,Michele Magistretti,Cristina Casellato,Monica Vigilante. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-03.

Method for vapor-phase growth of phase-change thin film, and device for vapor-phase growth of phase-change thin film

Номер патента: US09911916B2. Автор: Takashi Kobayashi,Yoshihisa Fujisaki,Yoshitaka Sasago. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Phase change memory and method of fabricating same

Номер патента: US09525130B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Yeur-Luen Tu,Shih-Chang Liu,Tsun-Kai Tsao,Ming-Huei Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Phase change memory stack with treated sidewalls

Номер патента: US10177198B2. Автор: SHU QIN,Yongjun Jeff Hu,Tsz W. Chan,Everett Allen McTeer,Swapnil Lengade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-08.

Phase change memory stack with treated sidewalls

Номер патента: US20170358629A1. Автор: SHU QIN,Yongjun Jeff Hu,Tsz W. Chan,Everett Allen McTeer,Swapnil Lengade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-14.

Phase-change memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240074334A1. Автор: Shao-Ming Yu,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Phase change memory with graded heater

Номер патента: US20220416162A1. Автор: Kevin W. Brew,Timothy Mathew Philip,Jin Ping HAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Vertical phase change memory device

Номер патента: US20240065119A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Phase change memory stack with treated sidewalls

Номер патента: US20190140023A1. Автор: SHU QIN,Yongjun Jeff Hu,Tsz W. Chan,Everett Allen McTeer,Swapnil Lengade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-09.

Projected phase change memory devices

Номер патента: US20210305503A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Timothy Mathew Philip,Nicole Saulnier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Novel Nanocomposite Phase-Change Memory Materials and Design and Selection of the Same

Номер патента: US20220407001A1. Автор: Mo Li,Ichiro Takeuchi,Changming Wu,Heshan Yu,Aaron Gilad Kusne. Владелец: US Department of Commerce. Дата публикации: 2022-12-22.

Phase-change memory cell with mixed-material switchable region

Номер патента: US20240196766A1. Автор: Wanki Kim,Cheng-Wei Cheng,Robert L. Bruce,Guy M. Cohen,Asit Ray,Matthew Joseph BrightSky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Phase change memory and method of fabricating the same

Номер патента: US7932102B2. Автор: Kyung-Chang Ryoo,Byung-Seo Kim,Yoon-Jong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-04-26.

Odd/even invert coding for phase change memory with thermal crosstalk

Номер патента: US20170220266A1. Автор: Imtiaz Ahmad,Areej Helmi Hamouda,Mohammad Gh. Alfailakawi. Владелец: University of Kuwait. Дата публикации: 2017-08-03.

Detecting Unidirectional Resistance Drift Errors In A Multilevel Cell of a Phase Change Memory

Номер патента: US20160085617A1. Автор: Yan Solihin. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2016-03-24.

Phase change memory

Номер патента: US20110193047A1. Автор: Kyung-Chang Ryoo,Byung-Seo Kim,Yoon-Jong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-11.

Method for fabricating a phase-change memory cell

Номер патента: US20150357563A1. Автор: Fabio Pellizzer,Michele Magistretti,Cristina Casellato,Monica Vigilante. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

Odd/even invert coding for phase change memory with thermal crosstalk

Номер патента: US09891843B2. Автор: Imtiaz Ahmad,Areej Helmi Hamouda,Mohammad G H. Alfailakawi. Владелец: University of Kuwait. Дата публикации: 2018-02-13.

Thermally optimized phase change memory cells and methods of fabricating the same

Номер патента: US09698346B2. Автор: Andrea Redaelli,Mattia Boniardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Metal nitride keyhole or spacer phase change memory cell structures

Номер патента: US09627612B2. Автор: Chung Hon Lam,Sangbum Kim,Matthew Joseph BrightSky,Norma Edith Sosa Cortes. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Forming sublithographic heaters for phase change memories

Номер патента: US09412939B2. Автор: Gianpaolo Spadini,Jong-Won S. Lee. Владелец: Carlow Innovations LLC. Дата публикации: 2016-08-09.

Methods Of Manufacturing Non-Volatile Phase-Change Memory Devices

Номер патента: US20120088347A1. Автор: Dong-ho Ahn,Young-Kuk Kim,Byoung-Deog Choi,Man-sug Kang,Jin-Ho Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-04-12.

Phase Change Memory with Various Grain Sizes

Номер патента: US20140110656A1. Автор: Fu-Liang Yang,Tzyh-Cheang Lee,Chun-Sheng Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-04-24.

Low current phase-change memory device

Номер патента: US20230397510A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Method for producing a pillar-shaped phase change memory device

Номер патента: US9954032B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Phase change memory structure comprising phase change alloy center-filled with dielectric material

Номер патента: US20130284999A1. Автор: Jun-Fei Zheng. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2013-10-31.

Phase-change memory device having a barrier layer and manufacturing method

Номер патента: US7411208B2. Автор: Sung-Lae Cho,Kyung-Chang Ryoo,Young-Nam Hwang,Gwan-Hyeob Koh,Se-Ho Lee,Su-Youn Lee,Chang-Wook Jeong,Su-Jin Ahn,Bong-Jin Kuh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-12.

Optimized phase change memory structure to improve nucleation time variation

Номер патента: US20230371408A1. Автор: LU LIU,Hemant P. Rao,Kumar R. Virwani. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Insulated phase change memory using porous dielectrics

Номер патента: US20230093026A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Kevin W. Brew,Timothy Mathew Philip,Anirban Chandra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Memory cell with post deposition method for regrowth of crystalline phase change material

Номер патента: US20130119339A1. Автор: Stephen M. Rossnagel,Chung H. Lam,Alejandro G. Schrott. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-16.

Dual trench isolation for a phase-change memory cell and method of making same

Номер патента: US20020081807A1. Автор: Daniel Xu. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2002-06-27.

Phase change memory cell with heater

Номер патента: US20240130256A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li,Min Gyu Sung,Julien Frougier,Arthur Roy Gasasira. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Small footprint phase change memory cell

Номер патента: US20140166967A1. Автор: Eric A. Joseph,Chung H. Lam,Hsiang-Lan Lung,Matthew J. Breitwisch. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-19.

Phase-change memory cell

Номер патента: US20180090542A1. Автор: Laurent Favennec,Emmanuel Gourvest,Yannick Le Friec. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2018-03-29.

Electrode recessed phase change memory pore cell

Номер патента: US20230189670A1. Автор: Wanki Kim,Robert L. Bruce,Chung Hon Lam,Fabio Carta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Memory device, semiconductor device, method for producing memory device, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US09825221B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Phase change memory structure to reduce leakage from the heating element to the surrounding material

Номер патента: US09660188B2. Автор: Shih-Chang Liu,Chern-Yow Hsu,Chang-Ming Wu,Po-ken Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Phase change material memory device

Номер патента: US6881603B2. Автор: Stefan K. Lai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-04-19.

Phase change memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100327250A1. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Phase-change memory and semiconductor recording/reproducing device

Номер патента: US09490428B2. Автор: Susumu Soeya,Toshimichi Shintani,Takahiro Odaka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Phase change memory with gradual conductance change

Номер патента: US20200219933A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

Phase change memory with multi-level programming

Номер патента: US20230301207A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Juntao Li,Ching-Tzu Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

3D phase change memory with high endurance

Номер патента: US09972660B2. Автор: Wanki Kim,Hsiang-Lan Lung,Chung Hon Lam,Matthew J. BrightSky. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Phase change memory with high endurance

Номер патента: US09793323B1. Автор: Wanki Kim,Hsiang-Lan Lung,Chung Hon Lam,Matthew J. BrightSky. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of manufacturing phase change memory and phase change memory

Номер патента: US20230024030A1. Автор: Chung-Hon Lam,Dong Gan. Владелец: Beijing Advanced Memory Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Method for manufacturing phase change memory

Номер патента: US20200098986A1. Автор: Takeshi Masuda,Robert Bruce,Koukou Suu,Chung Hon Lam,Fabio Carta,Fraczak Gloria Wing Yun FRACZAK,Matthew BRIGHTSKY. Владелец: Ulvac Technologies Inc. Дата публикации: 2020-03-26.

Phase change memory cell sidewall heater

Номер патента: US20240107900A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Juntao Li,Ching-Tzu Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Reducing contact resistance of phase change memory bridge cell

Номер патента: US20230165170A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li,Zuoguang Liu,Arthur Gasasira. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Bridge cell phase change memory

Номер патента: US20230200266A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Phase-change memory cell, and method for manufacturing the phase-change memory cell

Номер патента: US20170373120A1. Автор: Carlo Luigi PRELINI,Paola Zuliani,Gianluigi CONFALONIERI,Annalisa GILARDINI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-12-28.

Method for manufacturing a gate-control diode semiconductor memory device

Номер патента: US20130237010A1. Автор: Wei Zhang,Pengfei Wang,Xi Lin,Qingqing Sun. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-09-12.

Phase change memory with reduced programming current

Номер патента: US20230284543A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li,Zuoguang Liu,Arthur Gasasira. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Integrated phase change memory cell projection liner and etch stop layer

Номер патента: US20220165949A1. Автор: Robert L. Bruce,Kevin W. Brew,Injo OK,Nicole Saulnier,Matthew Joseph BrightSky,Iqbal Rashid Saraf. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Tone inversion integration for phase change memory

Номер патента: US20190139765A1. Автор: Robert L. Bruce,Hsinyu Tsai,Matthew J. BrightSky,John M. Papalia. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Tellurium (Te) Precursors for Making Phase Change Memory Materials

Номер патента: US20130129603A1. Автор: Manchao Xiao,Thomas Richard Gaffney. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2013-05-23.

Manufacturing method of phase change memory

Номер патента: US09472759B1. Автор: Shui-Chin Su. Владелец: Ningbo Advanced Memory Technology Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Phase change memory structure to reduce power consumption

Номер патента: US10879463B2. Автор: Shih-Chang Liu,Yi Jen Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-29.

Phase-change memory

Номер патента: US20140175370A1. Автор: Frederick T. Chen. Владелец: Higgs Opl Capital Llc. Дата публикации: 2014-06-26.

Phase change memory structure to reduce power consumption

Номер патента: US20200035919A1. Автор: Shih-Chang Liu,Yi Jen Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Memory device

Номер патента: US20220399488A1. Автор: Kunifumi Suzuki,Yuuichi Kamimuta. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-12-15.

Fabrication of phase change memory cell in integrated circuit

Номер патента: US20200295261A1. Автор: Chih-Chao Yang,Baozhen Li,Barry Linder,Andrew Tae Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

GaSbGe phase change memory materials

Номер патента: US09917252B2. Автор: Hsiang-Lan Lung,Huai-Yu Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Phase change memory cell with a wrap around and ring type of electrode contact and a projection liner

Номер патента: US20220181546A1. Автор: Muthumanickam Sankarapandian,Kevin W. Brew,Sanjay C. Mehta,Ruqiang Bao,Injo OK,Nicole Saulnier,Iqbal Rashid Saraf,Andrew Herbert Simon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-06-09.

Phase-change memory

Номер патента: US20130196467A1. Автор: Frederick T. Chen. Владелец: Higgs Opl Capital Llc. Дата публикации: 2013-08-01.

Gap filling method and method for forming semiconductor memory device using the same

Номер патента: US7855145B2. Автор: Sung-Lae Cho,Choong-Man Lee,Jin-Il Lee,Hye-Young Park,Young-Lim Park,Sang-Wook Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-21.

Phase-change chamber with patterned regions of high and low affinity to a phase-change medium for electronic device cooling

Номер патента: US09685393B2. Автор: Bin Wang,Zhen Sun,Xiaodan Chen,Huihe Qiu. Владелец: Hong Kong University of Science and Technology HKUST. Дата публикации: 2017-06-20.

Multi-layer phase change material

Номер патента: US09543510B2. Автор: Hao Tong,Xiaomin Cheng,Xiangshui Miao. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-01-10.

Chemical mechanical polishing stop layer for fully amorphous phase change memory pore cell

Номер патента: US8492194B2. Автор: Chung H. Lam,Matthew J. Breitwisch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-23.

Method of inducing crystallization of chalcogenide phase-change material and application thereof

Номер патента: US20220336743A1. Автор: Hao Tong,Xiangshui Miao,Ruizhe Zhao. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2022-10-20.

Memory devices including phase change material elements

Номер патента: US09748475B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2017-08-29.

Memory device, semiconductor device, method for producing memory device, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US09461244B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Method, apparatus, and system for phase change memory packaging

Номер патента: SG146560A1. Автор: Amip Shah. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-10-30.

Phase change memory with a dielectric bi-layer

Номер патента: US20200066977A1. Автор: Robert Bruce,Kevin W. Brew,Injo OK,Nicole Saulnier,Iqbal Rashid Saraf. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Lateral phase change memory cell

Номер патента: US20230309425A1. Автор: Kevin W. Brew,Ching-Tzu Chen,Timothy Mathew Philip,Injo OK,Jin Ping HAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8860003B2. Автор: Jae Min Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-14.

Artificial intelligence (ai) devices with improved thermal stability and scaling behavior

Номер патента: US20230105007A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Alexander Reznicek,Youngseok Kim,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-04-06.

Electronic device assemblies and vehicles employing dual phase change materials

Номер патента: US09478478B2. Автор: Shailesh N. Joshi,Ercan Mehmet DEDE. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Phase change memory

Номер патента: US20240180047A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Phase change memory with diodes embedded in substrate

Номер патента: US9276209B2. Автор: Fu-Liang Yang,ChiaHua Ho,Fang-Shi Jordan Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-01.

Small electrode for phase change memories

Номер патента: US20090121212A1. Автор: Russell C. Zahorik. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-05-14.

Methods of forming memory devices

Номер патента: US12022752B2. Автор: Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Phase change multilayer heterostructure with multiple heaters

Номер патента: US20240081159A1. Автор: Kevin W. Brew,Ching-Tzu Chen,Timothy Mathew Philip,Injo OK,Jin Ping HAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor devices using semiconductor-metal phase change materials

Номер патента: EP4401149A2. Автор: Vincent Gambin,Benjamin Heying,Rachel A. KOLTUN. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2024-07-17.

Memory device and method of making the same

Номер патента: US20240074337A1. Автор: Chen-Feng Hsu,Cheng-Chun Chang,Xinyu Bao,Tung-Ying Lee,Hengyuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Heat sink with internal chamber for phase change material

Номер патента: WO2020148728A1. Автор: Salah Addin Burhan Al Omari. Владелец: UNITED ARAB EMIRATES UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-07-23.

Memory devices

Номер патента: US20240315152A1. Автор: Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Phase-change device, related manufacturing method, and related electronic device

Номер патента: US09691974B2. Автор: Lei Wang,Ying Li,YiPeng Chan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of fabricating semiconductor integrated circuit having phase-change layer

Номер патента: US09419221B2. Автор: Se Hun Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Phase-change memory and method of forming same

Номер патента: US20210202837A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Memory device with voltage boosting circuit

Номер патента: US11158360B1. Автор: Wen-Pin Hsieh,Shih-Hao Chen. Владелец: Digwise Technology Corp Ltd. Дата публикации: 2021-10-26.

Low-power phase-change memory technology with interfacial thermoelectric heating enhancement

Номер патента: US20220115590A1. Автор: Kenneth E. Goodson,Mehdi Asheghi,Raisul Islam,Asir Intisar Khan,Eric Pop,H.-S. Philip Wong,Heungdong Kwon. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2022-04-14.

Thermal management device with integrated thermoelectric generator and heat sync

Номер патента: US20240274740A1. Автор: Md. Hasan Zahir,Kashif IRSHAD. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated thermal management device with pv panel

Номер патента: US20240266456A1. Автор: Md. Hasan Zahir,Kashif IRSHAD. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2024-08-08.

Phase change material in substrate cavity

Номер патента: US20200118990A1. Автор: Cheng Xu,YING Wang,Chong Zhang,Junnan Zhao,Yikang Deng,Zhimin Wan,Kyu-Oh Lee,Chandra Mohan M. Jha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Thermal management device with integrated thermoelectric generator and heat sync

Номер патента: US12100778B2. Автор: Md. Hasan Zahir,Kashif IRSHAD. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2024-09-24.

Integrated thermal management device with PV panel

Номер патента: US12100777B2. Автор: Md. Hasan Zahir,Kashif IRSHAD. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2024-09-24.

Commutator structure comprising several channels of phase change material and interdigitated control electrodes

Номер патента: US09934922B2. Автор: Bruno Reig,Damien Saint-Patrice,Gabriele Navarro,Alexandre Leon,Vincent Puyal. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-04-03.

Phase change heatsink, manufacturing process thereof, and communication device having the heatsink

Номер патента: US20240349455A1. Автор: Haijiang Wang,Shuaijun Li. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2024-10-17.

Thermal management in electronic apparatus with phase-change material and silicon heat sink

Номер патента: US09502740B2. Автор: Gerald Ho Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-22.

Phase change memory cell with second conductive layer

Номер патента: US20210020833A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US20210249597A1. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

Phase-change material and associated resistive phase-change memory

Номер патента: US20220020923A1. Автор: Marie-Claire Cyrille,Gabriele Navarro. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2022-01-20.

Thermoelectric cooling and/or moderation of transient thermal load using phase change material

Номер патента: WO2006047240A3. Автор: Uttam Ghoshal. Владелец: NanoCoolers Inc. Дата публикации: 2007-10-04.

Heatsinks comprising a phase change material

Номер патента: US12082374B2. Автор: Jason Graham. Владелец: Simmonds Precision Products Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Photoresponsive, form-stable phase change composites and photodetectors made therefrom

Номер патента: US09834714B2. Автор: Zhenqiang Ma,Shaoqin GONG,Yunming Wang,Hongyi Mi. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2017-12-05.

Phase change memory cell with a metal layer

Номер патента: US11038106B1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-15.

Dome-shaped phase change memory mushroom cell

Номер патента: US20230413694A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li,Louis Zuoguang Liu,Arthur Roy Gasasira. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240040938A1. Автор: Shao-Ming Yu,Tung-Ying Lee,Yuan-Tien Tu,Yu-Chao Lin,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Phase change memory cell resistive liner

Номер патента: US20220310913A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li,Zuoguang Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

Phase change memory apparatus and fabrication method thereof

Номер патента: US8883590B2. Автор: Jang Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-11-11.

Structure and method to form bi-layer composite phase-change-memory cell

Номер патента: US20200144501A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Myung-Hee Na,Injo OK,Nicole Saulnier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Three-dimensional memory device and method of manufacturing thereof

Номер патента: WO2023168696A1. Автор: Jun Liu,Heng Zhang,Weifeng LEI. Владелец: Yangtze Advanced Memory Industrial Innovation Center Co., Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Back side phase change memory

Номер патента: WO2024041049A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li,Julien Frougier. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-02-29.

Integration of selector on confined phase change memory

Номер патента: US20200411757A1. Автор: Wanki Kim,Chung H. Lam,Robert L. Bruce,Fabio Carta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Heater for phase change material memory cell

Номер патента: US20240114807A1. Автор: Injo OK,Jin Ping HAN,Victor W.C. Chan,Samuel Sung Shik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Fabrication of phase change memory cell in integrated circuit

Номер патента: US20210020836A1. Автор: Chih-Chao Yang,Baozhen Li,Barry Linder,Andrew Tae Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Phase change memory apparatus and fabrication method thereof

Номер патента: US20130157434A1. Автор: Jang Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-06-20.

Memory device having electrically insulated reset gate

Номер патента: US9825097B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Phase change memory devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US7599216B2. Автор: Yoon-Ho Khang,Dong-Seok Suh,Jin-seo Noh,Mi-Jeong Song,Vassili Leniachine. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-10-06.

Phase change material based temperature sensor

Номер патента: US20090001336A1. Автор: Robert Mcmahon,Chung Hon Lam,Nazmul Habib. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-01.

Optical phase change apparatus and method of changing a phase of an optical signal

Номер патента: US20240348336A1. Автор: Jonathan Lavoie,Leonhard NEUHAUS,Xiruo YAN,Luiz SACKNIES SILVA M VILLALOBOS. Владелец: Xanadu Quantum Technologies Lnc. Дата публикации: 2024-10-17.

Forced air cooling system with phase change material

Номер патента: US20190390096A1. Автор: Giti Karimi-Moghaddam,Pietro CAIROLI,Taosha Jiang. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2019-12-26.

Phase-change microcapsule, separator, electrode plate, battery, and electrical device

Номер патента: EP4262006A1. Автор: Shaojun Niu,Fengsheng Han. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-18.

Thermal energy storage with phase change materials having an adjustable transition temperature

Номер патента: US20230187686A1. Автор: Gao Liu,Ravi Prasher,Joseph Papp,Jonathan Lau,Sumanjeet Kaur,Christopher Dames,Drew Lilley,Piyachai Khomein. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2023-06-15.

Phase-change microcapsule, separator, electrode plate, battery, and electrical device

Номер патента: US20230395903A1. Автор: Shaojun Niu,Fengsheng Han. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Phase change of a recording layer under a temporary capping layer

Номер патента: EP1265235A3. Автор: Heon Lee,Robert Bicknell-Tassius. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-09-17.

Method to fabricate smooth-surfaced crystalline phase-change layer for atomic resolution storage device

Номер патента: US20020182363A1. Автор: Heon Lee,Robert Bicknell-Tassius. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2002-12-05.

Phase change flame retardant fiber material and preparation method for thermal management of lithium-ion battery in enclosed space

Номер патента: US20230340702A1. Автор: Fan Yi,Peng Dong,Zhirong Wang,Junling Wang,Yuxin Zhou,Wenxi Wang,Yuhui Xia,Haoze Yang. Владелец: NANJING TECH UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-10-26.

Data recording method and device, and phase-change optical disc

Номер патента: EP1241665A3. Автор: Fumiya Ohmi. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-18.

Phase-Change emulsion heat-transfer medium, preparation method therefor, and battery heat management system

Номер патента: GB2595152A. Автор: Zhang Zhengguo,FANG Xiaoming,Wang Fangxian,Ling Ziye. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2021-11-17.

Phase Change Magnetic Ink And Process For Preparing Same

Номер патента: US20120162306A1. Автор: Peter G. Odell,Gabriel Iftime,C. Geoffrey Allen,Caroline Turek. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Method and apparatus for fabricating phase-change recording medium

Номер патента: EP1170740A3. Автор: Gian Anton Zardini,Eiji Hitachi Computer Peripherals Co. Ltd Sahota,Yasumi Hitachi Computer Horiguchi. Владелец: Pfeiffer Vacuum Systems (International) AG. Дата публикации: 2003-01-08.

Method and apparatus for fabricating phase-change recording medium

Номер патента: US20010054604A1. Автор: Eiji Sahota,Yasumi Horiguchi,Gian Zardini. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-27.

Perpendicular magnetic recording head laminated with AFM-FM phase change material

Номер патента: US20120087042A1. Автор: Kunliang Zhang,Yuchen Zhou,Kenichi Takano,Moris Dovek,Joe Smyth,Kowang Liu,Liejie Guan. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2012-04-12.

Method of initializing phase-change optical disk and phase-change optical disk

Номер патента: US20010012262A1. Автор: Yutaka Kasami,Kazumine Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-09.

Battery pack with phase change material

Номер патента: US09742047B2. Автор: Troy C. Thorson,Michael Kolden,Jeremy R. Ebner,Cameron R. Schulz,Todd M. Gehring. Владелец: Milwaukee Electric Tool Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Battery package filled with phase change material and battery using the same

Номер патента: US09401500B2. Автор: Chi Hoon Choi,Jin Woo Kwak,Kyong Hwa Song,Han Saem Lee,Byung Sam Choi. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2016-07-26.

Pouch with thermal insulator and phase change material

Номер патента: WO2024081081A1. Автор: Erica Viola Lewis,Nigel Adrien Myers,Mark Daniel Goldman,Jason Jaspreet Singh HAER. Владелец: Lunar Energy, Inc.. Дата публикации: 2024-04-18.

Optical recording medium having a plurality of discrete phase change data recording points

Номер патента: WO1997022468A1. Автор: Stanford R. Ovshinsky,Hellmut Fritzsche. Владелец: Energy Conversion Devices, Inc.. Дата публикации: 1997-06-26.

Pouch with thermal insulator and phase change material

Номер патента: US12051792B2. Автор: Erica Viola Lewis,Nigel Adrien Myers,Mark Daniel Goldman,Jason Jaspreet Singh HAER. Владелец: Lunar Energy Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Phase-change recording element for write once applications

Номер патента: US20020160304A1. Автор: Yuan-Sheng Tyan,Giuseppe Farruggia,Thomas Cushman,Bruno Primerano,Fridrich Vazan,George Olin,James Barnard. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2002-10-31.

Phase-change recording element for write once application

Номер патента: EP1235213A3. Автор: Yuan-Sheng C/O Eastman Kodak Company Tyan,Thomas Richard c/o EASTMAN KODAK COMPANY Cushman,Giuseppe c/o Eastman Kodak Company Farruggia,George Russell c/o Eastman Kodak Company Olin,Bruno c/o Eastman Kodak Company Primerano,Fridrich C/O Eastman Kodak Company Vazan,James Arthur c/o Eastman Kodak Company Barnard. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2007-09-05.

Pouch with thermal insulator and phase change material

Номер патента: US11735786B1. Автор: Erica Viola Lewis,Nigel Adrien Myers,Mark Daniel Goldman,Jason Jaspreet Singh HAER. Владелец: Lunar Energy Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Phase change switch device

Номер патента: WO2023227773A1. Автор: Valentyn Solomko,Dominik Heiss,Semen Syroiezhin,Christian BUTSCHKOW,Jochen Braumueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-30.

Flexible, heat-conducting, insulating, and viscous phase change heat dissipation sheet, and preparation method therefor and battery thermal management system thereof

Номер патента: US20240213580A1. Автор: YI WU,Xiaoming Fang,Zhengguo Zhang,Ziye LING. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2024-06-27.

Phase Change Inhibited Materials for Lithium-ion Battery Cooling

Номер патента: AU2020100654A4. Автор: Dongya Lu,Qinglong Gong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-06-04.

Methods of forming a phase change material

Номер патента: US20120108037A1. Автор: Keith R. Hampton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-05-03.

Methods of forming a phase change material

Номер патента: US20130017664A1. Автор: Keith R. Hampton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-17.

Phase change material, a phase change random access memory device including the phase change material, a semiconductor structure including the phase change material, and methods of forming the phase change material

Номер патента: US20100051895A1. Автор: Keith R. Hampton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-03-04.

Phase change material (PCM) memory devices with bipolar junction transistors and methods for making thereof

Номер патента: TW200849480A. Автор: Albert Wu,Chien-Chuan Wei. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2008-12-16.

Terahertz wave control element

Номер патента: US20230093066A1. Автор: Hiroshi Ono,Tomoyuki Sasaki,Kohei Goto,Kimiaki Tsutsui,Nobuhiro Kawatsuki. Владелец: Nagaoka University of Technology NUC. Дата публикации: 2023-03-23.

Terahertz wave control element

Номер патента: US11899316B2. Автор: Hiroshi Ono,Tomoyuki Sasaki,Kohei Goto,Kimiaki Tsutsui,Nobuhiro Kawatsuki. Владелец: Nagaoka University of Technology NUC. Дата публикации: 2024-02-13.

Method for munufacturing memory device and method for manufacturing phase change random access memory device using the same

Номер патента: KR101181169B1. Автор: 서혜진,이형석,이금범. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2012-09-18.

Phase-change random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: KR20140140746A. Автор: 이현민,조한우. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2014-12-10.

Manufacturing Method of Phase Change Random Access Memory Device

Номер патента: KR101069657B1. Автор: 이동렬. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-10-04.

Phase-change random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: KR20150007520A. Автор: 정하창,이기아. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2015-01-21.

Phase-change random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: KR20140148068A. Автор: 김민석,윤효섭. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2014-12-31.

Phase-change-material-based optical modulation device with dynamic color display and preparation method thereof

Номер патента: CN107942540B. Автор: 高平,罗先刚,李雄,马晓亮,蒲明博,宋世超. Владелец: Institute of Optics and Electronics of CAS. Дата публикации: 2020-04-10.

Phase-change random access memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7061005B2. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-13.

Fabrication Method of Phase-Change Random Access Memory Device

Номер патента: KR101124300B1. Автор: 이민용,서혜진,이금범. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2012-03-27.

Phase change random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110073830A1. Автор: Min Seok Kim,Hyo Seob Yoon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-31.

Phase-change random access memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: KR101026476B1. Автор: 장헌용. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-04-01.

Wafer bonded access device for multi-layer phase change memory using lock-and-key alignment

Номер патента: US20110049455A1. Автор: Kuan-Neng Chen,Matthew J. Breitwisch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-03-03.

Phase-change memory device with tapered thermal transfer layer

Номер патента: US20240237560A1. Автор: Yu-Wen Wang,Fu-Ting Sung,Tsung-Hsueh Yang,Chang-Chih Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Phase change memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100059731A1. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-11.

Phase change memory device based on nano current channel

Номер патента: US11765987B2. Автор: Han Li,Xiaomin Cheng,Xiangjun Liu,Xiangshui Miao,Yuntao ZENG,Yunlai ZHU. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-09-19.

Phase change material layers and phase change memory devices including the same

Номер патента: US20090179185A1. Автор: Matthias Wuttig,Yoon-Ho Khang,Cheol-Kyu Kim,Ki-Joon Kim,Dong-Seok Suh,Youn-Seon Kang,Tae-Yon Lee,Daniel Wamwangi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-07-16.

Phase change memory device

Номер патента: US20090194759A1. Автор: Chien-Min Lee,Chin-Fu Kao,Tsung-Shune Chin,Ming-Jinn Tsai. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2009-08-06.

Phase change memory devices with,bipolar transitstors and manufacturing methods thereof

Номер патента: WO2008097910A2. Автор: Albert Wu,Chien-Chuan Wei,Roger Switzer. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2008-08-14.

Phase change memory devices with,bipolar transitstors and manufacturing methods thereof

Номер патента: WO2008097910A9. Автор: Albert Wu,Chien-Chuan Wei,Roger Switzer. Владелец: Roger Switzer. Дата публикации: 2008-10-09.

Three terminal phase change memory with self-aligned contacts

Номер патента: US12108692B2. Автор: TIAN Shen,Jingyun Zhang,Heng Wu,Kevin W. Brew. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Phase change memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12048258B2. Автор: Kuo-Chyuan Tzeng,Yuan-Tai Tseng,Chang-Chih Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Phase change memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240349630A1. Автор: Kuo-Chyuan Tzeng,Yuan-Tai Tseng,Chang-Chih Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Method of manufacturing memory device and method of manufacturing phase-change memory device using the same

Номер патента: US20100197111A1. Автор: Hye Jin Seo,Keum Bum Lee,Hyung Suk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-08-05.

Phase change memory device having carbon nano tube lower electrode material and method of manufacturing the same

Номер патента: US7589342B2. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-09-15.

Phase change memory device

Номер патента: US20080067487A1. Автор: Tsuyoshi Kawagoe. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-03-20.

Phase change memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110312149A1. Автор: Heon Yong Chang,Myoung Sub KIM,Gap Sok DO. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-12-22.

Phase change memory cell having pillar bottom electrode with improved thermal insulation

Номер патента: WO2023066649A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-04-27.

Phase change memory cell having pillar bottom electrode with improved thermal insulation

Номер патента: EP4420497A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-28.

Phase-change memory cell implant for dummy array leakage reduction

Номер патента: EP3238283A1. Автор: Max F. Hineman,Ugo Russo,Lequn J. Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-01.

Phase change heterostructure, and phase change memory device including the same

Номер патента: US20240065118A1. Автор: Kiyeon YANG,Changseung LEE,Wooyoung Yang,Minwoo Choi,Hajun SUNG,Changyup Park,Youngjae Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Phase-change memory cell implant for dummy array leakage reduction

Номер патента: WO2016105750A1. Автор: Max F. Hineman,Ugo Russo,Lequn J. Liu. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-06-30.

Electronic chip with two phase change memories

Номер патента: US20230309423A1. Автор: Remy Berthelon,Franck Arnaud. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-09-28.

Short bridge phase change memory cells and method of making

Номер патента: US20090289243A1. Автор: Song S. Xue,Haiwen Xi. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2009-11-26.

Phase-change memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060006374A1. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-01-12.

Phase-change memory structure and phase-change memory device including the same

Номер патента: US20240107778A1. Автор: Kiyeon YANG,Changseung LEE,Hajun SUNG,Dongho Ahn,Youngjae Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Phase change memory and method of fabricating same

Номер патента: US20130048936A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Yeur-Luen Tu,Shih-Chang Liu,Tsun-Kai Tsao,Ming-Huei Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-02-28.

Phase change random access memory

Номер патента: US7504652B2. Автор: Chien-Chao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2009-03-17.

Phase-change memory with an insulating layer on a cavity sidewall

Номер патента: US11800821B2. Автор: DANIEL Benoit,Philippe Boivin,Remy Berthelon. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-10-24.

Integrated schottky diode phase change memory device

Номер патента: WO2022117279A1. Автор: Lawrence Clevenger,Kevin BREW,Timothy Matthew PHILIP. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2022-06-09.

Phase-change memory device with conductive cladding

Номер патента: WO2024093753A1. Автор: Kangguo Cheng,Guy M. Cohen,Ruilong Xie,Juntao Li,Julien Frougier. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-05-10.

Integrated schottky diode phase change memory device

Номер патента: EP4256631A1. Автор: Lawrence Clevenger,Timothy Mathew Philip,Kevin BREW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-11.

Method and system for mitigating write amplification in a phase change memory-based storage device

Номер патента: WO2019010044A1. Автор: Shu Li,Ping Zhou. Владелец: ALIBABA GROUP HOLDING LIMITED. Дата публикации: 2019-01-10.

Single mask adder phase change memory element

Номер патента: US20120168709A1. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Chung H. Lam,Matthew J. Breitwisch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Phase change memory devices and their methods of fabrication

Номер патента: US7598112B2. Автор: Jae-hee Oh,Jae-Hyun Park,Won-Cheol Jeong,Se-Ho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-10-06.

Integrated diode memory device

Номер патента: US11800819B2. Автор: Lawrence A. Clevenger,Kevin W. Brew,Timothy Mathew Philip. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Vertical phase change memory device

Номер патента: WO2024037524A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-02-22.

Phase-change memory cell with mixed-material switchable region

Номер патента: WO2024120160A1. Автор: Wanki Kim,Cheng-Wei Cheng,Robert L. Bruce,Guy M. Cohen,Asit Ray,Matthew Joseph BrightSky. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-06-13.

3d phase change memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240224541A1. Автор: Zih-Song Wang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Phase-change memory

Номер патента: US20240276894A1. Автор: Philippe Boivin,Roberto Simola,Yohann MOUSTAPHA-RABAULT. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2024-08-15.

Selection element-integrated phase-change memory and method for producing same

Номер патента: US11980109B2. Автор: Yun Heub Song,Jae Kyeong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-07.

Phase change memory device and fabrication thereof

Номер патента: US20100213432A1. Автор: Chien-Min Lee,Ming-Jeng Huang,Jen-Chi Chuang,Jia-Yo Lin,Min-Chih Wang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2010-08-26.

Phase change memory device having protective layer for protecting phase change material and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090242867A1. Автор: Dae Ho Rho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-10-01.

Phase change memory unit and phase change memory

Номер патента: EP4391016A1. Автор: Xiang Li,Hao Tong,Xin Chen,Ping Ma,Yanrong GUO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Write-Once Memory Array including Phase-Change Elements and Threshold Switch Isolation

Номер патента: US20100012918A1. Автор: Ward Parkinson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-21.

Phase change memory and manufacturing method therefor

Номер патента: WO2004055916A3. Автор: Charles H Dennison. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2004-08-12.

Phase change memory unit and preparation method therefor

Номер патента: US20240065120A1. Автор: Ming Li,Min Zhong,Gaoming FENG. Владелец: Shanghai IC R&D Center Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Phase change material for a phase change memory device and method for adjusting the resistivity of the material

Номер патента: WO2010125540A3. Автор: Robertus Adrianus Maria Wolters,Michael Antoine Armand In 'T Zandt,Harry Wondergem. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2011-04-07.

Phase Change Material for a Phase Change Memory Device and Method for Adjusting the Resistivity of the Material

Номер патента: US20120091416A1. Автор: Hendrikus Jan Wondergem,Michael Antoine Armand In 'T Zandt,Robertus Adrainus Maria Wolters. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Phase change material for a phase change memory device and method for adjusting the resistivity of the material

Номер патента: US8792265B2. Автор: Robertus Andrianus Maria Wolters,Hendrikus Jan Wondergem,Michael Antoine Armand In 'T Zandt. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-07-29.

Insulated phase change memory using porous dielectrics

Номер патента: US11980110B2. Автор: Lawrence A. Clevenger,Kevin W. Brew,Timothy Mathew Philip,Anirban Chandra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Confined bridge cell phase change memory

Номер патента: US11980111B2. Автор: Muthumanickam Sankarapandian,Kevin W. Brew,Injo OK,Nicole Saulnier,Andrew Herbert Simon,Steven Michael McDermott. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Insulated phase change memory using porous dielectrics

Номер патента: WO2023041296A1. Автор: Lawrence Clevenger,Timothy Mathew Philip,Kevin BREW,Anirban Chandra. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-03-23.

Phase change memory cell with heater

Номер патента: WO2024083094A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li,Min Gyu Sung,Julien Frougier,Arthur Roy Gasasira. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-04-25.

Lateral phase change memory

Номер патента: US20110003454A1. Автор: Richard Dodge,Guy Wicker. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2011-01-06.

Method and structure for peltier-controlled phase change memory

Номер патента: WO2006121473A1. Автор: Lia Krusin-Elbaum,Dennis M. Newns. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2006-11-16.

Forming phase change memory cells

Номер патента: US20100163827A1. Автор: Fabio Pellizzer,Yudong Kim. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2010-07-01.

Phase change storage unit and phase change memory

Номер патента: US20240268242A1. Автор: Xiang Li,Hao Tong,Xin Chen,Ping Ma,Yanrong GUO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Ge precursor, GST thin layer formed using the same, phase-change memory device including the GST thin layer, and method of manufacturing the GST thin layer

Номер патента: US7518007B2. Автор: Jung-hyun Lee,Bum-seok Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-14.

Phase-change memory device and method of manufacturing same

Номер патента: US20070120106A1. Автор: Shinpei Iijima,Tsutomu Hayakawa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-05-31.

Phase change memory devices with,bipolar transitstors and manufacturing methods thereof

Номер патента: WO2008097910A3. Автор: Albert Wu,Chien-Chuan Wei,Roger Switzer. Владелец: Roger Switzer. Дата публикации: 2008-11-27.

Phase-change memory and method of forming same

Номер патента: US12075713B2. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Vertical phase change bridge memory cell

Номер патента: US11683998B2. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-20.

Embedded heater in a phase change memory material

Номер патента: US11910731B2. Автор: Robert L. Bruce,Ching-Tzu Chen,Jin Ping HAN,Philip Joseph Oldiges. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Method for forming a memory device with at least one memory cell, in particular a phase change memory cell, and memory device

Номер патента: US20070287251A1. Автор: Ulrike Gruening-Von Schwerin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-12-13.

Phase change memory elements using energy conversion layers, memory arrays and systems including same, and methods of making and using same

Номер патента: US20120281466A1. Автор: Jun Liu,Mike Violette,Jon Daley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-08.

Embedded heater in a phase change memory material

Номер патента: EP4292141A1. Автор: Robert Bruce,Jin-Ping Han,Ching-Tzu Chen,Philip Joseph Oldiges. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-20.

Phase change memory device having tapered portion of the bottom memory layer

Номер патента: US11805712B2. Автор: Shao-Ming Yu,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Phase change memory unit and preparation method therefor

Номер патента: US20230363299A1. Автор: Ming Li,Min Zhong,Shoumian Chen,Gaoming FENG. Владелец: Shanghai IC Equipment Material Industry Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Phase change memory cell structures and methods

Номер патента: US20110291065A1. Автор: Joseph N. Greeley,Eugene P. Marsh,Timothy A. Quick. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

Phase change memory cell sidewall heater

Номер патента: WO2024060645A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Juntao Li,Ching-Tzu Chen. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-03-28.

Phase change memory structures

Номер патента: WO2009042293A1. Автор: Ramachandran Muralidhar,Rajesh A. Rao,Tushar P. Merchant. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2009-04-02.

Phase change memory cell with resistive liner

Номер патента: WO2022207630A3. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li,Zuoguang Liu. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2022-11-10.

Phase change memory with wrap-around projection liner

Номер патента: EP4399953A1. Автор: Hsueh-Chung Chen,Yann Mignot,Injo OK,Mary Claire Silvestre. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-17.

Phase change memory cell with resistive liner

Номер патента: CA3207064A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li,Zuoguang Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-10-06.

Phase change memory cell with spacer

Номер патента: EP4388835A1. Автор: Andrew Simon,Muthumanickam Sankarapandian,Injo OK,Nicole Saulnier,Steven McDermott,Iqbal SARAF. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-26.

Semiconductor device with phase-change material and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20240357948A1. Автор: Kuo-Pin Chang,Kuo-Ching Huang,Yu-Wei Ting,Tsung-Hao YEH,Hung-Ju Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Process for manufacturing a phase change memory array in Cu-damascene technology and phase change memory array manufactured thereby

Номер патента: US7259040B2. Автор: Fabio Pellizer,Roberto Bez. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2007-08-21.

Forming phase change memories

Номер патента: MY135719A. Автор: Chien Chiang,Tyler Lowrey,Charles Dennison. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2008-06-30.

Plasma treating methods of fabricating phase change memory devices, and memory devices so fabricated

Номер патента: US8039297B2. Автор: Dong-ho Ahn,Young-Kuk Kim,Mi-Lim Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-18.

Post deposition method for regrowth of crystalline phase change material

Номер патента: EP2534710A1. Автор: Stephen M. Rossnagel,Alejandro G. Schrott,Lam H. Chung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-12-19.

Post deposition method for regrowth of crystalline phase change material

Номер патента: WO2011100079A1. Автор: Stephen M. Rossnagel,Alejandro G. Schrott,Lam H. Chung. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2011-08-18.

Programmable phase-change memory and method therefor

Номер патента: US20120230100A1. Автор: Karen Attenborough,Hans Boeve,Niek Lambert,Victor Van Acht. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-13.

Phase change memory with wrap-around projection liner

Номер патента: WO2023036718A1. Автор: Hsueh-Chung Chen,Yann Mignot,Injo OK,Mary Claire Silvestre. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2023-03-16.

Phase change memory cell with sidewall projection liner

Номер патента: EP4410076A1. Автор: Andrew Simon,Injo OK,Kevin BREW,Matthew T. Shoudy,Timothy Philip. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

Phase change memory cell with spacer

Номер патента: WO2023021178A1. Автор: Andrew Simon,Muthumanickam Sankarapandian,Injo OK,Nicole Saulnier,Steven McDermott,Iqbal SARAF. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2023-02-23.

Heater for phase change material memory cell

Номер патента: US12150393B2. Автор: Victor W. C. Chan,Injo OK,Jin Ping HAN,Samuel Sung Shik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-11-19.

Self-aligned small contact phase-change memory method and device

Номер патента: US20060124916A1. Автор: Hsiang Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-15.

Phase change memory cell with ovonic threshold switch

Номер патента: US11910734B2. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Robert L. Bruce,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Phase change memory cell

Номер патента: GB2617734A. Автор: Mehta Sanjay,Sankarapandian Muthumanickam,OK Injo,Bao Ruqiang,Saulnier Nicole,Herbert Simon Andrew,Brew Kevin,Rashid Saraf Iqbal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-18.

Phase change memory cell with ovonic threshold switch

Номер патента: US20230309422A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Robert L. Bruce,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Programmable phase-change memory and method therefor

Номер патента: EP1829110A2. Автор: Karen Attenborough,Hans Boeve,Niek Lambert,Victor Van Acht. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-09-05.

Bone-sealed audio device having insertion part with adhesive and phase-changing material

Номер патента: US09554216B2. Автор: Henning Knak Poulsen. Владелец: Oticon AS. Дата публикации: 2017-01-24.

One-mask phase change memory process integration

Номер патента: WO2012019843A1. Автор: Chung Hon Lam,Matthew Joseph Breitwisch,Eric Andrew Joseph,Hasiang-Lan Lung. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2012-02-16.

Liner for phase change memory (pcm) array and associated techniques and configurations

Номер патента: EP3084830A1. Автор: Qian Tao,Vishwanath Bhat,Zhe Song,Noel Rocklein. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-26.

Semiconductor photonic devices using phase change materials

Номер патента: US20190339585A1. Автор: John Heck,Haisheng Rong,Charles Dennison,DerChang Kau,Harel Frish,Jeffrey Driscoll,George A. GHIURCAN,Jonathan K. Doylend,Michael E. Favaro. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

Phase change memory and method of fabricating same

Номер патента: CN102956821A. Автор: 杜友伦,蔡嘉雄,刘世昌,沈明辉,曹淳凯. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-03-06.

Phase change memory cell galvanic corrosion prevention

Номер патента: US11800817B2. Автор: Lawrence A. Clevenger,Hari Prasad Amanapu,Kevin W. Brew,Adra Carr,Injo OK,Nicole Saulnier,Prasad Bhosale,Steven Michael McDermott. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Phase change memory cell with projection liner

Номер патента: WO2022123367A1. Автор: Ruqiang Bao,Injo OK,Nicole Saulnier,Kevin BREW,Prasad Bhosale,Iqbal Rashid Saraf,Andrew Herbert Simon. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2022-06-16.

Phase change memory cell with projection liner

Номер патента: GB2616808A. Автор: OK Injo,Bhosale Prasad,Bao Ruqiang,Saulnier Nicole,Herbert Simon Andrew,Brew Kevin,Rashid Saraf Iqbal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Phase-change memory

Номер патента: US12004432B2. Автор: Philippe Boivin,Roberto Simola,Yohann MOUSTAPHA-RABAULT. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2024-06-04.

Liner for phase change memory (pcm) array and associated techniques and configurations

Номер патента: WO2015094810A1. Автор: Qian Tao,Vishwanath Bhat,Zhe Song,Noel Rocklein. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2015-06-25.

Phase interpolator with linear phase change

Номер патента: US09503252B2. Автор: Ming-Chieh Huang,Chan-Hong Chern,Chih-Chang Lin,Tsung-Ching (Jim) Huang,Tao Wen (David) Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Shunted phase change memory

Номер патента: US20070242504A1. Автор: Guy Wicker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-18.

Heat retentive food servingware with temperature self-regulating phase change core

Номер патента: AU3822897A. Автор: Brian L. Clothier,Amil J. Ablah. Владелец: Thermal Solutions Inc. Дата публикации: 1998-02-20.

Single-Crystal Phase Change Material on Insulator for Reduced Cell Variability

Номер патента: US20140069577A1. Автор: Guy Cohen,Simone Raoux. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Multifunctional composite phase change material supported by nickel-plated foam and mxene collaboratively, and preparation method thereof

Номер патента: NL2033966A. Автор: XUE Bai,Cheng Ziling. Владелец: Univ Guizhou. Дата публикации: 2023-03-07.

Multifunctional composite phase change material supported by nickel-plated foam and mxene collaboratively, and preparation method thereof

Номер патента: NL2033966B1. Автор: XUE Bai,Cheng Ziling. Владелец: Univ Guizhou. Дата публикации: 2023-07-28.

Configurable circuits using phase change switches

Номер патента: US20080029753A1. Автор: Yang Xu,Mehdi Asheghi,Lawrence Pileggi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-07.

Phase change material switch with efficient heat spreader and methods for forming the same

Номер патента: US20240276897A1. Автор: Kuo-Chyuan Tzeng,Yu-Wen Wang,Han-Yu Chen,Chang-Chih Huang,Yi-Han CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Calibration and control system for a climate system utilizing closed loop feedback and a phase change cell

Номер патента: US09909935B1. Автор: Rachele Barbara Cocks,Michael Terry Biers,Joseph David Bender,Dominick Samuel Lee,John Russell Holder. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2018-03-06.

Phase change material-based data center cooling system

Номер патента: US09681589B1. Автор: James R. Hamilton,Peter G. Ross,Michael P. Czamara. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Method for manufcturing phase change memory device

Номер патента: KR100960011B1. Автор: 조상훈. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-05-28.

Method for making phase change memory

Номер патента: US8621746B2. Автор: Kai-Li Jiang,Shou-Shan Fan,Peng Liu,Qun-Qing Li. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-07.

Nonvolatile phase change memory cell having a reduced contact area

Номер патента: US7728318B2. Автор: Usha Raghuram,S. Brad Herner. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2010-06-01.

Memory device including phase-change material

Номер патента: US20230380195A1. Автор: Kiyeon YANG,Changseung LEE,Dongho Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-23.

Shunted phase change memory

Номер патента: US7916514B2. Автор: Guy Wicker. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2011-03-29.

Self-aligned nano-cross-point phase change memory

Номер патента: US20100163832A1. Автор: DerChang Kau. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2010-07-01.

Lateral phase change memory

Номер патента: US20120241704A1. Автор: Richard Dodge,Guy Wicker. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2012-09-27.

Method and structure for peltier-controlled phase change memory

Номер патента: EP1878064A1. Автор: Lia Krusin-Elbaum,Dennis M. Newns. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-01-16.

Sectionalization and redundancy point with voltage of up to 1 kv with three power contact groups, connected structurally to one common point

Номер патента: RU2739365C1. Автор: Александр Владимирович Виноградов,Максим Владимирович Бородин,Александр Иванович Псарев,Александр Александрович Линсберг. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Орловский государственный аграрный университет имени Н.В. Парахина". Дата публикации: 2020-12-23.

Electric device with phase change material and metod of manufacturing the same

Номер патента: US20060017076A1. Автор: Franciscus Widdershoven,Erwin Meinders,Martijn Lankhorst,Robertus Wolter,Wilhelmus Sebastianus Ketelaars. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-01-26.

Phase-Change Memory and Method of Forming Same

Номер патента: US20230320239A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Method of Forming Phase-Change Memory Layers on Recessed Electrodes

Номер патента: US20230309424A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Phase change memory with ovonic threshold switch

Номер патента: US20100136742A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2010-06-03.

Filter support with a phase-changing medium

Номер патента: EP2732261A1. Автор: Menno Willem Jose Prins,Mikhail Mikhaylovich Ovsyanko,Arie Rombertus Van Doorn,Freek VAN HEMERT. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2014-05-21.

Thermal management system with phase change and auxiliary cooling systems

Номер патента: US20220418168A1. Автор: Tianyi Gao. Владелец: Baidu USA LLC. Дата публикации: 2022-12-29.

Phase change material switch with ovonic threshold switching material selector and methods for forming the same

Номер патента: US20240276893A1. Автор: Kuo-Pin Chang,Kuo-Ching Huang,Yu-Wei Ting,Hung-Ju Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Inspection apparatus for thermo-hygrometer based on phase change and methods for controlling and inspecting the same

Номер патента: US09846262B2. Автор: Jong Cheol Kim,Sang Wook Lee,Yong-Gyoo Kim,Byung Il Choi,Sang Bong WOO. Владелец: Korea Research Institute of Standards and Science KRISS. Дата публикации: 2017-12-19.

Device for generating a phase-shifted signal with smooth phase change between elementary pulses

Номер патента: RU2661908C1. Автор: Иван Николаевич Маснев,Геннадий Симонович Нахмансон,Андрей Викторович Суслин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет" (ФГБОУ ВО "ВГУ"). Дата публикации: 2018-07-23.

Low heat loss and small contact area composite electrode for a phase change media memory device

Номер патента: US20030189200A1. Автор: Heon Lee,Dennis Lazaroff. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2003-10-09.

Thermal control using phase-change material

Номер патента: WO2017192235A1. Автор: Philip Campbell,Larry W. Akers,Joseph F. Wrinn,David GRAZIOSE. Владелец: Teradyne, Inc.. Дата публикации: 2017-11-09.

Method for reducing rub-off from a toner image using a phase change composition with a rotary brush

Номер патента: US20030030711A1. Автор: John Crichton,Dana Marsh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-13.

Removable phase change material to produce conformable interface for recharging an implanted neurostimulator

Номер патента: US20230310869A1. Автор: Robert J. Monson,Andrew Thomas Fried. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2023-10-05.

Data center and phase change coolant distribution unit thereof

Номер патента: US20240365517A1. Автор: Shu-Jung Yang,Chih-Yao Wang,Heng-Chieh Chien. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2024-10-31.

Phase change memory devices employing cell diodes and methods of fabricating the same

Номер патента: KR20060110559A. Автор: 박재현,오재희,정원철,이세호. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-10-25.

Phase-change memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: KR20060001094A. Автор: 장헌용. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-01-06.

Phase-change memory device and method

Номер патента: US11925127B2. Автор: Tung Ying Lee,yu chao Lin,Shao-Ming Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US20230354722A1. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Phase-Change Memory Device and Method

Номер патента: US20240164223A1. Автор: Tung Ying Lee,yu chao Lin,Shao-Ming Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US11744165B2. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Resolving doppler unambiguity in tdm-mimo radars based on spatial phase change rate

Номер патента: US20240103128A1. Автор: Mattias Simonsson,Anders MANNESSON,Stefan Adalbjörnsson,Anders LLOYD,Bertil Roslund. Владелец: AXIS AB. Дата публикации: 2024-03-28.

Mechanical resonator with a spring-mass system comprising a phase-change material

Номер патента: US09584092B2. Автор: Mark A. Lantz,Johan B. C. Engelen,Wabe W. Koelmans. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Resolving doppler unambiguity in TDM-MIMO radars based on spatial phase change rate

Номер патента: US12146981B2. Автор: Mattias Simonsson,Anders MANNESSON,Stefan Adalbjörnsson,Anders LLOYD,Bertil Roslund. Владелец: AXIS AB. Дата публикации: 2024-11-19.

Phase change memory cell spacer

Номер патента: US11930724B2. Автор: Muthumanickam Sankarapandian,Injo OK,Nicole Saulnier,Iqbal Rashid Saraf,Andrew Herbert Simon,Steven Michael McDermott. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-12.

Phase change memory cell with resistive liner

Номер патента: GB2619651A. Автор: Cheng Kangguo,Xie Ruilong,Li Juntao,Liu Zuoguang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-13.

Dome-shaped phase change memory mushroom cell

Номер патента: WO2023248048A1. Автор: Kangguo Cheng,Louis Liu,Juntao Li,Arthur Gasasira. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2023-12-28.

Reducing oxidation of phase change memory electrodes

Номер патента: US20080020508A1. Автор: Charles Dennison. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-24.

Forming Heaters for Phase Change Memories

Номер патента: US20120121864A1. Автор: Silvia Borsari,Carla Maria Lazzari. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-05-17.

Phase change memory cell with sidewall projection liner

Номер патента: WO2023052319A1. Автор: Andrew Simon,Injo OK,Kevin BREW,Matthew T. Shoudy,Timothy Philip. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2023-04-06.

Phase change memory with heater

Номер патента: US11895934B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Integrated phase change memory cell projection liner and etch stop layer

Номер патента: GB2616551A. Автор: OK Injo,Saulnier Nicole,Wayne Brew Kevin,Rashid Saraf Iqbal,Joseph Brightsky Matthew,L Bruce Robert. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-13.

Integration of selector on confined phase change memory

Номер патента: US11968913B2. Автор: Wanki Kim,Chung H. Lam,Robert L. Bruce,Fabio Carta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Three-dimensional phase-change memory and methods

Номер патента: WO2024098376A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Advanced Memory Industrial Innovation Center Co., Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Phase change memory cell resistive liner

Номер патента: WO2022207630A2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li,Zuoguang Liu. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2022-10-06.

Phase change memory apparatus and fabrication method thereof

Номер патента: US20100327252A1. Автор: Jang Uk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Artificial intelligence device cell with improved phase change material region

Номер патента: WO2023046363A1. Автор: Injo OK,Nicole Saulnier,Kevin BREW,Iqbal Rashid Saraf. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-03-30.

Image transfer product including a phase change material

Номер патента: EP3259645A1. Автор: Samuel R. Shuman,Peter Asplund,Scott Bridges. Владелец: Day International Corp. Дата публикации: 2017-12-27.

Image transfer product including a phase change material

Номер патента: US20160238968A1. Автор: Samuel R. Shuman,Peter Asplund,Scott Bridges. Владелец: Day International Corp. Дата публикации: 2016-08-18.

Chalcogenide phase change material based all-optical switch and manufacturing method therefor

Номер патента: US11609443B2. Автор: Yi Wang,Hao Tong,Xiangshui Miao,Yitao LU. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-03-21.

Chalcogenide phase change material based all-optical switch and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200379276A1. Автор: Yi Wang,Hao Tong,Xiangshui Miao,Yitao LU. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2020-12-03.

Nanofluid phase-change heat exchange type grinding device with online grinding temperature measuring function

Номер патента: CN104771202A. Автор: 杨敏,李长河,张彦彬,王要刚,李本凯. Владелец: QINGDAO UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2015-07-15.

Display device with at least one multifunction control element

Номер патента: DE50111137D1. Автор: Matthias Heimermann,Carsten Schnier,Heino Dr Wengelnik. Владелец: VOLKSWAGEN AG. Дата публикации: 2006-11-16.

Electrosurgical devices with phase change materials

Номер патента: US09526566B1. Автор: Eric Johnson. Владелец: Ethicon Endo Surgery LLC. Дата публикации: 2016-12-27.

Elongated interventional device with variable stiffness

Номер патента: US09987462B2. Автор: Franciscus Johannes Gerardus Hakkens,Jacob Roger Haartsen,Maurice Hubertus Elisabeth Van Der Beek,Martinus Bernardus Van Der Mark. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2018-06-05.

Systems and methods of using phase change material in power plants

Номер патента: US09476648B2. Автор: Ying Sun,Matthew McCarthy,Young I. Cho,Qinghua Xie,Baolan Shi,Han Hu,Philipp Boettcher. Владелец: DREXEL UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-10-25.

Heat supply system coupling passive phase change energy storage sunlight room and air source heat pump

Номер патента: US20240263806A1. Автор: Jing Zhao,Dehan LIU,Shilei LYU. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-08-08.

State of charge sensor for phase change material thermal energy storage

Номер патента: US20240310082A1. Автор: Joseph D. Rendall,Anthony C. Gehl,Jerald A. Atchley,Diana Hun,Som S. Shrestha,Zhenglai Shen. Владелец: UT-BATTELLE, LLC. Дата публикации: 2024-09-19.

Heat supply system coupling passive phase change energy storage sunlight room and air source heat pump

Номер патента: US12130022B2. Автор: Jing Zhao,Dehan LIU,Shilei LYU. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-10-29.

Oxazoline containing compositions of solid ink with phase change

Номер патента: RU2598472C2. Автор: Адела ГОРЕДЕМА,Гуэрино Г. САКРИПАНТЕ,Рина КАРЛИНИ,Кэролайн М. ТУРЕК,Эдвард Г. ЗВАРТЦ. Владелец: Ксерокс Корпорэйшн. Дата публикации: 2016-09-27.

Phase-change recording film with stable crystallization rate, target and process for producing the phase-change recording film

Номер патента: US20080220197A1. Автор: Hung-Chuan MAI,Jonq-Ren Lee,Yuan-Chang Lai,Tsung-Eong Hsieh. Владелец: Solar Applied Material Technology Corp. Дата публикации: 2008-09-11.

Dynamic thermal infrared stealth composite material based on dual phase change and preparation method thereof

Номер патента: US20210324254A1. Автор: Jian Chen,Chuanchang LI,Baoshan XIE. Владелец: CHANGSHA UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2021-10-21.

Phase change initiator for use with an exothermic phase change material

Номер патента: WO2010089586A2. Автор: Richard Thom,Jim Shaikh,Adam Kyte. Владелец: Feed Me Bottles Ltd. Дата публикации: 2010-08-12.

Multi-component phase change material flame retardant, method for preparing, and application thereof

Номер патента: US20240327711A1. Автор: Li He,Dan Wang,Guolin Liu,Fei REN,Congling Shi,Honglei Che,Xiaodong QIAN,Jingyun JING,Mei Wan. Владелец: China Academy of Safety Science and Technology CASST. Дата публикации: 2024-10-03.

Phase change solvents for thermoplastic elastomers

Номер патента: WO2004011550A3. Автор: Mark William Hamersky,Steven Daryl Smith. Владелец: Procter & Gamble. Дата публикации: 2004-04-08.

Phase change solvents for thermoplastic elastomers

Номер патента: WO2004011550A2. Автор: Mark William Hamersky,Steven Daryl Smith. Владелец: The Procter & Gamble Company. Дата публикации: 2004-02-05.

Novel phase change solvents

Номер патента: EP1562998B1. Автор: Mark William Hamersky,Steven Daryl Smith. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2010-05-12.

System and Method of Generating a Momentum Change in a Vehicle by Phase Changing Matter in a Closed System

Номер патента: US20240191701A1. Автор: Ivaylo Trendafilov Vasilev. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-06-13.

Phase change solvents for thermoplastic elastomers

Номер патента: EP1525262A2. Автор: Mark William Hamersky,Steven Daryl Smith. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2005-04-27.

Polyurethane phase-change nanocapsule, phase-change polyurethane pouring sealant and preparation method therefor

Номер патента: US20240309256A1. Автор: Zhi Yu,Jianjun Chen,Jun Song,Hengchao HUANG,Mingsong Miao,You Rao. Владелец: Guangzhou Baiyun Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Crockery comprising microwave-activatable phase-change material

Номер патента: US20240298825A1. Автор: Karim Redjal,Pascal Gabriëlle Nestor Mertens. Владелец: PROMECO NV. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for producing crockery filled with phase-change material

Номер патента: EP3860407A1. Автор: Karim Redjal. Владелец: PROMECO NV. Дата публикации: 2021-08-11.

Method for producing crockery filled with phase-change material

Номер патента: WO2020070709A1. Автор: Karim Redjal. Владелец: PROMECO NV. Дата публикации: 2020-04-09.

Method of Operating A Linear Friction Welding System With Phase Change Assembly

Номер патента: US20200156181A1. Автор: Stephen A. Johnson. Владелец: APCI LLC. Дата публикации: 2020-05-21.

High-efficient central chiller plant system with variable load by phase change material thermal energy storage

Номер патента: US12055303B2. Автор: Kam Biu Richard CHAN. Владелец: Boca International Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Gel comprising a phase-change material, method of preparing the gel, thermal exchange implement comprising the gel

Номер патента: EP3122335A1. Автор: Richard M. Formato,Dimitrios P. Bakllas,Amrut N. Biswal. Владелец: Cold Chain Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-01.

Electrostatic phase change generating apparatus

Номер патента: WO2009047645A3. Автор: . Владелец: Albonia Innovative Technologies Ltd.. Дата публикации: 2011-01-20.

Treated fiber reinforced form stable phase change

Номер патента: US09890313B2. Автор: Anil Kumar Mehta,Devendra Jain,Suman Kumari,Nidhi Agarwal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-02-13.

Phase change material injection device and structure for removing moisture of head lamp with the same

Номер патента: US09534841B2. Автор: Jeong Gyu Yang,Byung-Ook Park,Sae-Jun Park. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Phase change materials for refrigeration and ice making

Номер патента: US09528730B2. Автор: Patrick J. Boarman. Владелец: Whirlpool Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Method for realizing anti-icing of aircraft surface by lubricating with phase-change material

Номер патента: NL2029566B1. Автор: Liu Hong,Li Xiaofei,Huang Xiaobin,Kong Weiliang. Владелец: Univ Shanghai Jiaotong. Дата публикации: 2023-06-01.

Novel modular gypsum board based on phase-change material and construction method therefor

Номер патента: LU505579B1. Автор: Xiao Dong,Yun Zhang,Zhiqing Chen,Chi XU,Deyu KONG,Dianle Qiu. Владелец: Zhejiang Province Institute Of Architectural Design And Res. Дата публикации: 2024-05-21.

Process for preparing phase change microcapsule having thermally conductive shell

Номер патента: US09480960B2. Автор: Yi-Hsiuan Yu,Yen-Feng Shih,Hou-An Hsieh,Yen-Lin Tseng. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2016-11-01.

Solar phase-change energy storage heating ventilation partition wall and modular heating system thereof

Номер патента: US20230417425A1. Автор: Jing Zhao,Dehan LIU,Shilei LYU. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-12-28.

Thermal energy storage system combining sensible heat solid material and phase change material

Номер патента: US20160201995A1. Автор: Oriol LEHMKUHL BARBA,Carlos David PÉREZ SEGARRA,Joaquim RIGOLA SERRANO,Jesús CASTRO GONZÁLEZ,Carles OLIET CASASAYAS,Ivette RODRÍGUEZ PÉREZ,Xavi TRIAS MIQUEL,Roser CAPDEVILA PARAMIO,Ramiro ALBA QUEIPO,Manuel Miguel ORDOÑO MARTÍNEZ,Asensi OLIVA LLENA,Pedro Andrés GALIONE KLOT. Владелец: Universitat Politecnica de Catalunya UPC. Дата публикации: 2016-07-14.

Method of encapsulating a phase change material

Номер патента: US20230295918A1. Автор: Georgios Polyzos,Jaswinder K. Sharma. Владелец: UT Battelle LLC. Дата публикации: 2023-09-21.

Control method and device for phase-change energy storage type cold and heat combined supply system with multi-heat source heat pump

Номер патента: AU2023266311B1. Автор: Xu Jing,Ma Lin,Wu Hui,Zhang Weiya,Zhou Dongxu,Zhou Hengjun,Xia Jiahua,Fan Kefei,Gao Shengyu,Liang Zhengdong. Владелец: Nanjing Jiangbei New Area Public Utilities Holding Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Thermal energy storage system combining sensible heat solid material and phase change material

Номер патента: US09841243B2. Автор: Oriol LEHMKUHL BARBA,Carlos David PÉREZ SEGARRA,Joaquim RIGOLA SERRANO,Jesús CASTRO GONZÁLEZ,Carles OLIET CASASAYAS,Ivette RODRÍGUEZ PÉREZ,Xavi TRIAS MIQUEL,Roser CAPDEVILA PARAMIO,Ramiro ALBA QUEIPO,Manuel Miguel ORDOÑO MARTÍNEZ,Asensi OLIVA LLENA,Pedro Andrés GALIONE KLOT. Владелец: Universitat Politecnica de Catalunya UPC. Дата публикации: 2017-12-12.

Phase change material composition and method of fabricating and packaging the same

Номер патента: US09803123B1. Автор: Orville Thomas Neal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-31.

Phase change inks containing wax-soluble near-infrared dyes

Номер патента: US09738811B2. Автор: Jeffrey H. Banning,Stephan V. Drappel,Bo Wu,Jule W. Thomas, Jr.. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Phase change material composition and method of fabricating and packaging the same

Номер патента: US09695349B1. Автор: Orville Thomas Neal. Владелец: Neal Energy Management LLC. Дата публикации: 2017-07-04.

Gel comprising a phase-change material, method of preparing the gel, thermal exchange implement comprising the gel, and method of preparing the thermal exchange implement

Номер патента: US09598622B2. Автор: Richard M. Formato,Dimitrios P. Bakllas,Amrut N. Biswal. Владелец: Cold Chain Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-21.

Phase-changing inks containing crystalline trans-cinnamon diesters and polyterpene resins

Номер патента: RU2593865C2. Автор: Адела ГОРЕДЕМА,Рина КАРЛИНИ,Каролин М. ТУРЕК,Эдвард Г. ЦВАРТЦ. Владелец: Ксерокс Корпорэйшн. Дата публикации: 2016-08-10.

Dispersive return pad with phase change material for active thermal management during an ablation procedure

Номер патента: AU2019312205B2. Автор: Ruoya Wang,Jennifer J. BARRETT. Владелец: Avent Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Solid state martensitic transformation phase change material components for thermal energy storage and transient heat transfer systems

Номер патента: US12071583B2. Автор: Brian Donovan,Darin J. Sharar,Ronald Warzoha. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 2024-08-27.

Dispersive return pad with phase change material for active thermal management during an ablation procedure

Номер патента: GB2590323A. Автор: Wang Ruoya,J Barrett Jennifer. Владелец: Avent Inc. Дата публикации: 2021-06-23.

Dispersive return pad with phase change material for active thermal management during an ablation procedure

Номер патента: WO2020023577A1. Автор: Ruoya Wang,Jennifer J. BARRETT. Владелец: Avent, Inc.. Дата публикации: 2020-01-30.

Dispersive return pad with phase change material for active thermal management during an ablation procedure

Номер патента: AU2019312205A1. Автор: Ruoya Wang,Jennifer J. BARRETT. Владелец: Avent Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Passive temperature control method of biological tissue based on optical phase change nanoparticles

Номер патента: GB2607645A. Автор: Yao Gang,Chen Qin,Li Huaxin,QI Hong,Ren Yatao. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2022-12-14.

Composition and method for preparing microencapsulated phase change materials

Номер патента: EP4423159A1. Автор: Wei Li,Liang Zhang,Jiguang Zhang,Minbiao HU. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-04.

Polymer composition containing heat-accumulating phase change material, process for preparing said composition and product containing said composition

Номер патента: RU2415899C2. Автор: Херман РЕЕЗИГТ,Бартоломеус Вильхельмус Мария РАУВЕРС,Хендрик ГЛАСТРА. Владелец: Капзо Интернэшнл Б.В.. Дата публикации: 2011-04-10.

Chemical phase change heat stores

Номер патента: WO1985000214A1. Автор: Norman A. Dutton,Richard J. Howling. Владелец: Lingard Engineering Limited. Дата публикации: 1985-01-17.

Wind turbine nacelle with phase change material which controls temperature using AI

Номер патента: AU2021102254A4. Автор: Mohanraj A.,Selvakumar A.,Balaji Devarajan,Bharathi E.,Ghayathri J.,Jagan Raj Jayapandiyan,Venkatesan M.,Gopinath P.,Murugesan P.,Meenakshi Devi P.,Mani R.,Vasanthakumar R.,Karthigai S.,Prasath S.,Rajakumareswaran V.. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-06-17.

Preparation method of shape stabilized phase change material via microporous carbon derived from chitin aerogel and application in thermal storage

Номер патента: LU502456B1. Автор: HUI Li,Xiaomin DENG,Lingbin Kong,Junchi Wang,Xiaobo Yan,Wenyao Guo. Владелец: Univ Shandong Jianzhu. Дата публикации: 2023-01-06.

Heating and cooling systems and apparatuses with phase change materials

Номер патента: US11994348B2. Автор: Erik HATFIELD,Daniel Larsen,Hannah MALLALIEU,Jordan KENNIE. Владелец: Stash Energy Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

A device for effecting an exothermic reaction to drive a phase change from a liquid to a gas

Номер патента: WO2017218961A1. Автор: Brian P. Roarty. Владелец: Roarty Brian P. Дата публикации: 2017-12-21.

PHASE CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120081955A1. Автор: KIM Dong Keun. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-04-05.

PHASE-CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120175582A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-07-12.

PHASE-CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120205607A1. Автор: Lee Tae-Yon. Владелец: . Дата публикации: 2012-08-16.

PHASE-CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120286228A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-11-15.

PHASE-CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120305875A1. Автор: SHIM Kew Chan. Владелец: . Дата публикации: 2012-12-06.

PHASE-CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120326112A1. Автор: LEE Jang Uk. Владелец: . Дата публикации: 2012-12-27.

PHASE-CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120326114A1. Автор: HAN Ky Hyun,OH Jae Min,YOO Myoung Sul. Владелец: . Дата публикации: 2012-12-27.

PHASE-CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130015421A1. Автор: Sim Joon Seop,OH YOUNG HOON,Son Jae Hyun,Lee Dae Woong. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-17.

PHASE-CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130134371A1. Автор: Park Nam Kyun. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-30.

METHOD OF MANUFACTURING PHASE-CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130171798A1. Автор: Baek Seung Beom,LEE Hyung Suk. Владелец: . Дата публикации: 2013-07-04.

PHASE-CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130193402A1. Автор: RYU Choon Kun. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-01.

Phase-change random access memory device unit and preparation method thereof

Номер патента: CN102237488B. Автор: 宋志棠,刘波,吴关平,徐成. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2013-12-04.

Phase-change random access memory device unit and preparation method thereof

Номер патента: CN102237488A. Автор: 宋志棠,刘波,吴关平,徐成. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2011-11-09.

Electric power steering device with power supply voltage control device

Номер патента: JP3205651B2. Автор: 直之 前田. Владелец: ティーアールダブリュ オートモーティブ ジャパン株式会社. Дата публикации: 2001-09-04.

STRESS-ENGINEERED RESISTANCE-CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120001148A1. Автор: . Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20120001246A1. Автор: . Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTANCE CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002458A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Three-dimensional phase-change memory devices and controlling method thereof

Номер патента: WO2024216434A1. Автор: Jianping Li,Xiaojun Sun,Zuqi DONG. Владелец: Yangtze Advanced Memory Industrial Innovation Center Co., Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Three-dimensional phase-change memory devices and controlling method thereof

Номер патента: WO2024216432A1. Автор: Jianping Li,Xiaojun Sun,Zuqi DONG. Владелец: Yangtze Advanced Memory Industrial Innovation Center Co., Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

CHARGE EQUILIBRIUM ACCELERATION IN A FLOATING GATE MEMORY DEVICE VIA A REVERSE FIELD PULSE

Номер патента: US20120002482A1. Автор: Kalavade Pranav,Franklin Nathan R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Composite low-temperature phase change cold storage agent and preparation method therefor

Номер патента: ZA202307360B. Автор: ZHEN Wang,HAO Yi,Cong GUO,Liling LU,Guangfeng Dong,Songliang Ma,Jingrong Fang,Xiaocheng Xiang,Shaoxian Song. Владелец: SDIC XINJIANG LUOBUPO POTASH CO Ltd. Дата публикации: 2024-02-28.

Microcontroller metering converter of resistance into binary code with voltage-controlled generator

Номер патента: RU2502076C1. Автор: Алексей Николаевич Хабаров,Александр Витальевич Вострухин,Святослав Алексеевич Навроцкий. Владелец: Святослав Алексеевич Навроцкий. Дата публикации: 2013-12-20.

Three-phase transformer unit with voltage regulation

Номер патента: RU2326462C2. Автор: Андрей Владимирович Виноградов. Владелец: Андрей Владимирович Виноградов. Дата публикации: 2008-06-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.