Phase change memory cells delineated by regions of modified film resistivity.

Phase change memory cells delineated by regions of modified film resistivity

Номер патента: US20090179186A1
Опубликовано: 16-07-2009
Автор(ы): John Christopher Arnold, Tricia Breen Carmichael
Принадлежит: International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Phase change memory structure with multiple resistance states and methods of programming and sensing same

Номер патента: WO2008150576A1. Автор: Jun Liu,Mike Violette. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2008-12-11.

Phase-change memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20100019217A1. Автор: Woo-Yeong Cho,Chang-Soo Lee,Byung-Gil Choi,Du-Eung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-28.

Phase change memory device having phase change material layer containing phase change nano particles and method of fabricating the same

Номер патента: US20090278108A1. Автор: Yoon-Ho Khang,Dong-Seok Suh,Wil-Liam Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-12.

Adaptive Wordline Programming Bias of a Phase Change Memory

Номер патента: US20110080777A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Richard E. Fackenthal,Meenatchi Jagasivamani,Ravi Annavajjhala,Enzo M. Donze. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-04-07.

Adaptive Wordline Programming Bias of a Phase Change Memory

Номер патента: US20110292721A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Richard E. Fackenthal,Meenatchi Jagasivamani,Ravi Annavajjhala,Enzo M. Donze. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-01.

Adaptive Wordline Programming Bias of a Phase Change Memory

Номер патента: US20120268984A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Richard E. Fackenthal,Meenatchi Jagasivamani,Ravi Annavajjhala,Enzo M. Donze. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-25.

Reducing Temporal Changes in Phase Change Memories

Номер патента: US20110210300A1. Автор: Ilya V. Karpov,Semyon D. Savransky. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-01.

Reducing temporal changes in phase change memories

Номер патента: US8228722B2. Автор: Ilya V. Karpov,Semyon D. Savransky. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2012-07-24.

Reducing leakage currents in memories with phase-change material

Номер патента: US20060063297A1. Автор: Daniel Xu,Tyler Lowery. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-23.

Phase change memory with finite annular conductive path

Номер патента: US20100328994A1. Автор: Chung H. Lam,Bipin Rajendran,Matthew J. Breitwisch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-30.

Phase change memory devices, methods of manufacturing and methods of operating the same

Номер патента: US20110068317A1. Автор: Ji-hyun Hur,Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Hyuk-soon Choi,Yoon-Ho Kang,Hyo-sug Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-24.

Multi-level phase change memory

Номер патента: US09747975B2. Автор: Charles C. Kuo,Ilya V. Karpov. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2017-08-29.

Methods, devices and processes for multi-state phase change devices

Номер патента: US09437287B2. Автор: Davide Colombo,Davide Erbetta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Phase change memory dynamic resistance test and manufacturing methods

Номер патента: US20090175071A1. Автор: Chung Hon Lam,Bipin Rajendran,Ming-Hsiu Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-09.

Phase-change memory cell, phase-change memory, electronic device and preparation method

Номер патента: EP4343869A1. Автор: Xiang Li,Xin Chen. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-27.

Phase-change storage unit, phase-change memory, electronic device, and preparation method

Номер патента: US20240114808A1. Автор: Xiang Li,Xin Chen. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Phase change memory device using carbon nanotube and method for fabricating the same

Номер патента: US7749801B2. Автор: Kuk-Hwan Kim,Yang-Kyu Choi. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2010-07-06.

Techniques for a multi-step current profile for a phase change memory

Номер патента: US20210391005A1. Автор: Sanjay Rangan,Hemant P. Rao,Shylesh Umapathy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-12-16.

Techniques for a multi-step current profile for a phase change memory

Номер патента: US20220165335A1. Автор: Sanjay Rangan,Hemant P. Rao,Shylesh Umapathy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Techniques for a multi-step current profile for a phase change memory

Номер патента: US11810617B2. Автор: Sanjay Rangan,Hemant P. Rao,Shylesh Umapathy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Techniques for a multi-step current profile for a phase change memory

Номер патента: US11276462B2. Автор: Sanjay Rangan,Hemant P. Rao,Shylesh Umapathy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-15.

Multi-port phase change random access memory cell and multi-port phase change random access memory device including the same

Номер патента: TW200832407A. Автор: Qi Wang,Kwang-Jin Lee,Chang-Soo Lee,Du-Eung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-01.

Methods, structures, and devices for reducing operational energy in phase change memory

Номер патента: US20120002465A1. Автор: Roy E. Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Memory devices with reduced operational energy in phase change material and methods of operation

Номер патента: US09865339B2. Автор: Roy E. Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Phase change memory, electronic device, and preparation method for phase change memory

Номер патента: EP4354525A1. Автор: Xiang Li,Ping Ma. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

Phase change memory with supply voltage regulation circuit

Номер патента: US11107525B2. Автор: Michele La Placa,Fabio Enrico Carlo Disegni,Federico Goller. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-08-31.

Phase change memory, electronic device, and preparation method for phase change memory

Номер патента: US20240130253A1. Автор: Xiang Li,Ping Ma. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Phase-change memory cell with asymmetric structure, a memory device including the phase-change memory cell, and a method for manufacturing the phase-change memory cell

Номер патента: US20230240160A1. Автор: Andrea Redaelli,Mario Allegra. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-07-27.

Phase-change memory with supply-voltage regulation circuit

Номер патента: EP3767627A1. Автор: Mr. Michele LA PLACA,Mr. Fabio Enrico Carlo DISEGNI,Mr. Federico GOLLER. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-01-20.

Phase Change Memory Cell Design with Adjusted Seam Location

Номер патента: US20080179591A1. Автор: Alejandro Gabriel Schrott,Thomas Happ,Matthew J. Breitwisch. Владелец: Qimonda North America Corp. Дата публикации: 2008-07-31.

Phase change memory cell with heater and method therefor

Номер патента: US20120007031A1. Автор: Ramachandran Muralidhar,Dharmesh Jawarani,Leo Mathew,Tushar P. Merchant. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-01-12.

Phase-change memory cell

Номер патента: US12114580B2. Автор: Paolo Giuseppe Cappelletti,Gabriele Navarro. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-10-08.

Phase-change memory with selectors in bjt technology and differential-reading method thereof

Номер патента: US20200126616A1. Автор: Antonino Conte. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-04-23.

Phase change material with filament electrode

Номер патента: US20090275168A1. Автор: Eric A. Joseph,Gerhard Ingmar Meijer,Chung H. Lam,Alejandro G. Schrott,Matthew J. Breitwisch,Roger W. Cheek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-11-05.

Phase-change memory with selectors in bjt technology and differential-reading method thereof

Номер патента: US20190096480A1. Автор: Antonino Conte. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-03-28.

Reduced power consumption phase change memory and methods for forming the same

Номер патента: WO2007109021A1. Автор: Jun Liu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2007-09-27.

Phase-change memory cell and method for fabricating the same

Номер патента: US20240257871A1. Автор: Jian-Hong Lin,Pei-Chun Liao,Chun-Wei Chang,Yung-Huei Lee,Chih-Hung Nien,Wen-Hsien Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Multi-value recording phase-change memory device, multi-value recording phase-change channel transistor, and memory cell array

Номер патента: US20100283027A1. Автор: Takashi Ono,Sumio Hosaka,Masaki Yoshimaru,Mayumi Nakasato,Hayato Sone. Владелец: Semiconductor Technology Academic Research Center. Дата публикации: 2010-11-11.

High-density phase change cell array and phase change memory device having the same

Номер патента: US7136299B2. Автор: Jung Ho Kim,Eu Gene Chu,Ju Ho Mo,Seong Taek Park,Hyun Yong Lim,Pyeong Han Lee,Ja Choon Jeong. Владелец: BeyondMicro Inc. Дата публикации: 2006-11-14.

Logic gates and stateful logic using phase change memory

Номер патента: WO2021205456A1. Автор: Shahar Kvatinsky,Barak HOFFER,Eilam Yalon,Nicolas WAINSTEIN. Владелец: TECHNION RESEARCH & DEVELOPMENT FOUNDATION LIMITED. Дата публикации: 2021-10-14.

Phase change memory cell with high read margin at low power operation

Номер патента: EP1846961A1. Автор: Thomas Happ. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-10-24.

Logic gates and stateful logic using phase change memory

Номер патента: EP4133599A1. Автор: Shahar Kvatinsky,Barak HOFFER,Eilam Yalon,Nicolas WAINSTEIN. Владелец: Technion Research and Development Foundation Ltd. Дата публикации: 2023-02-15.

Phase change memory structures and methods

Номер патента: US20140097399A1. Автор: Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-10.

Phase change memory structures and methods

Номер патента: WO2012030379A3. Автор: Sanh D. Tang. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-05-24.

Phase change memory structures and methods

Номер патента: WO2012030379A2. Автор: Sanh D. Tang. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-03-08.

Cross-Point Self-Aligned Reduced Cell Size Phase Change Memory

Номер патента: US20120087181A1. Автор: Erh-Kun Lai,Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-12.

Set/reset methods for crystallization improvement in phase change memories

Номер патента: US20200365203A1. Автор: Neil Leslie Robertson,Gerardo A. Bertero,Michael K. Grobis,Mac D. Apodaca,Michael Nicolas Albert Tran,Zhaoqiang BAI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-11-19.

Methods, structures, and devices for reducing operational energy in phase change memory

Номер патента: US20120002465A1. Автор: Roy E. Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Sb—Te—Ti phase-change memory material and Ti—Sb2Te3 phase-change memory material

Номер патента: US10276234B2. Автор: Cheng Peng,Feng Rao,Min Zhu,Kun REN,Zhitang Song,Xilin ZHOU,Liangcai Wu,Songlin Feng. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2019-04-30.

Phase change memory device accounting for volume change of phase change material and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090225589A1. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-09-10.

Phase change memory cell with double active volume

Номер патента: US20230284541A1. Автор: Kevin W. Brew,Ching-Tzu Chen,Timothy Mathew Philip,Injo OK,Jin Ping HAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Phase change memory structures and methods

Номер патента: US09437816B2. Автор: Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Phase change memory cell with double active volume

Номер патента: WO2023165853A1. Автор: Ching-Tzu Chen,Timothy Mathew Philip,Injo OK,Jin Ping HAN,Kevin BREW. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-09-07.

Phase change memory device accounting for volume change of phase change material and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120077324A1. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-03-29.

Phase change memory device accounting for volume change of phase change material and method for manufacturing the same

Номер патента: US8093632B2. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-10.

Memory cell with a variable element and a phase change memory

Номер патента: US20240215462A1. Автор: Ning Li,Kangguo Cheng,Juntao Li,Kevin W. Brew,Timothy Mathew Philip,Injo OK,Nicole Saulnier,Jin Ping HAN,Andrew Herbert Simon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Nonvolatile logic gate circuit based on phase change memory

Номер патента: US09369130B2. Автор: Yi Li,Lei Xu,Xiaomin Cheng,Huajun Sun,Xiangshui Miao,Yingpeng ZHONG. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2016-06-14.

Phase change memory device

Номер патента: US9779805B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Roberto Gastaldi,Fabio Pellizzer,Roberto Bez. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Phase change memory with supply voltage regulation circuit

Номер патента: US20210012836A1. Автор: Michele La Placa,Fabio Enrico Carlo Disegni,Federico Goller. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-01-14.

Resistive memory architectures with multiple memory cells per access device

Номер патента: US09997701B2. Автор: Jun Liu,Michael P. Violette. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2018-06-12.

Self-aligned process for manufacturing a phase change memory cell and phase change memory cell thereby manufactured

Номер патента: EP1469532A1. Автор: Fabio Pellizzer. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2004-10-20.

Methods of forming a phase change memory with vertical cross-point structure

Номер патента: US20200303459A1. Автор: Federico Nardi,Christopher J. Petti,Gerrit Jan Hemink. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-09-24.

Phase change memory apparatus having row control cell

Номер патента: US20120081954A1. Автор: Kyoung Wook Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-04-05.

A non-volatile memory cell comprising a dielectric layer and a phase change material in series

Номер патента: WO2006078505A3. Автор: S Brad Herner. Владелец: S Brad Herner. Дата публикации: 2009-06-04.

Phase change memory device suitable for high temperature operation

Номер патента: WO2011060032A1. Автор: Chung H. Lam,Alejandro G. Schrott,Simone Raoux,Bipin Rajendran,Matthew J. Breitwisch,Daniel Krebs. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORP.. Дата публикации: 2011-05-19.

Semiconductor stack incorporating phase change material

Номер патента: US20140061580A1. Автор: Abu Sebastian,Daniel Krebs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Resistive memory architectures with multiple memory cells per access device

Номер патента: US09472755B2. Автор: Jun Liu,Michael P. Violette. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2016-10-18.

Phase change memory cell including multiple phase change material portions

Номер патента: EP1783844A3. Автор: Thomas Happ,Jan Boris Philip. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2010-12-08.

Phase-change memory cells

Номер патента: US20140369114A1. Автор: Charalampos Pozidis,Chung Hon Lam,Sangbum Kim,Daniel Krebs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-18.

Phase change random access memory (PRAM) device

Номер патента: US20060285380A1. Автор: Byung-Gil Choi,Choong-Keun Kwak,Du-Eung Kim,Beak-Hyung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-12-21.

Phase-change memory cells

Номер патента: US20150001457A1. Автор: Abu Sebastian,Daniel Krebs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

Thinned phase change material in bridge cell memory as a weight for artificial intelligence application

Номер патента: US20240147876A1. Автор: Michael RIZZOLO,Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Phase change memory device

Номер патента: US20060203541A1. Автор: Haruki Toda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Phase-change memory cell

Номер патента: US20230389450A1. Автор: Paolo Giuseppe Cappelletti,Gabriele Navarro. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-11-30.

Phase change random access memory and layout method of the same

Номер патента: US20090231899A1. Автор: Hae Chan PARK. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-09-17.

Phase change memory devices, method for encoding, and methods for storing data

Номер патента: US20130155766A1. Автор: Zhiyong Liu. Владелец: INTERMEC IP CORP. Дата публикации: 2013-06-20.

Phase change memory device

Номер патента: EP1878065A1. Автор: Shoaib Hasan Zaidi. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-01-16.

Phase change memory device

Номер патента: WO2006117063A1. Автор: Shoaib Hasan Zaidi. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-11-09.

Phase change memory using multiple phase change layers and multiple heat conductors

Номер патента: US20200395537A1. Автор: Wei Wang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Kevin W. Brew,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-17.

Phase change memory cell with self-aligned vertical heater and low resistivity interface

Номер патента: US20150188040A1. Автор: Barbara Zanderighi,Francesco Pipia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

Method, system, and device for heating a phase change memory cell

Номер патента: US09620709B2. Автор: Jun Liu,JIAN Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Phase change memory cell with self-aligned vertical heater and low resistivity interface

Номер патента: US09412941B2. Автор: Barbara Zanderighi,Francesco Pipia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Phase change memory array with integrated polycrystalline diodes

Номер патента: US20190165043A1. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Chung H. Lam,Matthew J. BrightSky,Fabio Carta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-30.

Phase change memory cell with an airgap to allow for the expansion and restriction of the pcm material

Номер патента: US20230284542A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Phase change material cell with stress inducer liner

Номер патента: US20120147666A1. Автор: Martin M. Frank,Alejandro G. Schrott,Bipin Rajendran,Catherine A. Dubourdieu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

Phase change material cell with piezoelectric or ferroelectric stress inducer liner

Номер патента: WO2012078456A1. Автор: Martin M. Frank,Alejandro G. Schrott,Bipin Rajendran,Catherine A. Dubourdieu. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-06-14.

Contact resistance of a metal liner in a phase change memory cell

Номер патента: US11957069B2. Автор: Oleg Gluschenkov,Soon-Cheon Seo,Alexander Reznicek,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Phase-change memory cell and method for fabricating the same

Номер патента: US11978511B2. Автор: Jian-Hong Lin,Pei-Chun Liao,Chun-Wei Chang,Yung-Huei Lee,Chih-Hung Nien,Wen-Hsien Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Phase change memory cell with an airgap to allow for the expansion and restriction of the PCM material

Номер патента: US11963469B2. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Multi-value recording phase-change memory device, multi-value recording phase-change channel transistor, and memory cell array

Номер патента: US7781753B2. Автор: Takashi Ono,Sumio Hosaka,Masaki Yoshimaru,Mayumi Nakasato,Hayato Sone. Владелец: Semiconductor Technology Academic Research Center. Дата публикации: 2010-08-24.

MEMORY CELLS, METHODS OF FORMING MEMORY CELLS, AND METHODS OF FORMING PROGRAMMED MEMORY CELLS& xA;

Номер патента: EP2257980A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-12-08.

Memory cells, methods of forming memory cells, and methods of forming programmed memory cells

Номер патента: WO2009099732A1. Автор: Jun Liu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2009-08-13.

Phase Change Memory Cell Structure

Номер патента: US20120187362A1. Автор: Chieh-Fang Chen,Ming-Hsiu Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-26.

Phase change memory with metastable set and reset states

Номер патента: US20160125938A1. Автор: Wanki Kim,Chung H. Lam,Sangbum Kim,Matthew J. BrightSky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-05.

Clamp elements for phase change memory arrays

Номер патента: US09520554B2. Автор: Fabio Pellizzer,Antonino Rigano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Multi-value recording phase-change memory device, multi-value recording phase-change channel transistor, and memory cell array

Номер патента: US7932508B2. Автор: Takashi Ono,Sumio Hosaka,Masaki Yoshimaru,Mayumi Nakasato,Hayato Sone. Владелец: Semiconductor Technology Academic Research Center. Дата публикации: 2011-04-26.

Phase-change memory device, phase-change channel transistor, and memory cell array

Номер патента: US20080049490A1. Автор: Takashi Ono,Sumio Hosaka,Masaki Yoshimaru,Mayumi Nakasato,Hayato Sone. Владелец: Semiconductor Technology Academic Research Center. Дата публикации: 2008-02-28.

Phase-change memory device, phase-change channel transistor and memory cell array

Номер патента: US8120007B2. Автор: Takashi Ono,Sumio Hosaka,Masaki Yoshimaru,Mayumi Nakasato,Hayato Sone. Владелец: Semiconductor Technology Academic Research Center. Дата публикации: 2012-02-21.

Phase change memory with gradual resistance change

Номер патента: US20200006646A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Phase change memory

Номер патента: US20100133503A1. Автор: Yung-Chang Lin,Chien-Li Kuo,Kuei-Sheng Wu,Chien-Hsien Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-06-03.

Phase change memory with gradual resistance change

Номер патента: US20200006645A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Multi-level phase change device

Номер патента: US09564585B1. Автор: Jeffrey Lille,Luiz M. Franca-Neto. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2017-02-07.

Phase change memory

Номер патента: US09515259B2. Автор: Yang Wu,Kai-Li Jiang,Shou-Shan Fan,Peng Liu,Jia-Ping Wang,Qun-Qing Li. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Phase-change memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120009757A1. Автор: Jin-Ki Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-12.

Phase change memory with gradual resistance change

Номер патента: US10720575B2. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-21.

Phase change memory with gradual resistance change

Номер патента: US10923653B2. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-16.

Phase-change memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120007036A1. Автор: Jin-Ki Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-12.

Phase change memory device

Номер патента: US8263963B2. Автор: Sung-Lae Cho,Byoung-Jae Bae,Jin-Il Lee,Hye-Young Park,Young-Lim Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-09-11.

Phase Change Memory Device

Номер патента: US20110180774A1. Автор: Sung-Lae Cho,Byoung-Jae Bae,Jin-Il Lee,Hye-Young Park,Young-Lim Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-07-28.

Method for fabricating phase change memory

Номер патента: US20140162428A1. Автор: Yoshihiro Hirota,Kenichi Oyama,Hajime Nakabayashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-06-12.

Resistive memory cell fabrication methods and devices

Номер патента: US20140363947A1. Автор: Jun Liu,Michael P. Violette. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-12-11.

Phase-change memory cell having a compact structure

Номер патента: US09735353B2. Автор: Simon Jeannot,Philippe Boivin. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2017-08-15.

Planar phase-change memory cell with parallel electrical paths

Номер патента: US8685785B2. Автор: Michele M. Franceschini,John P. Karidis. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-04-01.

Sb-te-ti phase-change memory material and ti-sb2te3 phase-change memory material

Номер патента: US20160099050A1. Автор: Cheng Peng,Feng Rao,Min Zhu,Kun REN,Zhitang Song,Xilin ZHOU,Liangcai Wu,Songlin Feng. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2016-04-07.

Pillar phase change memory cell

Номер патента: EP1844500A1. Автор: Thomas Happ. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-10-17.

Set/reset methods for crystallization improvement in phase change memories

Номер патента: US20200365204A1. Автор: Neil Leslie Robertson,Gerardo A. Bertero,Michael K. Grobis,Mac D. Apodaca,Michael Nicolas Albert Tran,Zhaoqiang BAI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-11-19.

Phase-Change Random Access Memory Device and Methods of Making the Same

Номер патента: US20240206351A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Bipolar switching operation of confined phase change memory for a multi-level cell memory

Номер патента: US20190325954A1. Автор: Wanki Kim,Yu Zhu,Yujun Xie,Matthew Joseph BrightSky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Phase change memory having gradual reset

Номер патента: US20230123642A1. Автор: Ning Li,Wanki Kim,Devendra K. Sadana. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-04-20.

Phase change memory having gradual reset

Номер патента: WO2021181173A1. Автор: Ning Li,Devendra Sadana,Wanki Kim. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2021-09-16.

Phase change memory having gradual reset

Номер патента: GB2609776A. Автор: LI NING,Sadana Devendra,KIM WANKI. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-02-15.

Phase change memory structures and methods

Номер патента: US20120074370A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-03-29.

Memory cell and manufacturing method thereof and memory device

Номер патента: US20200328254A1. Автор: Chun-Chih Liu,Yi-Cheng Lee,Yu-Cheng Liao. Владелец: Jiangsu Advanced Memory Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Phase change memory having gradual reset

Номер патента: AU2021234173A1. Автор: Ning Li,Devendra Sadana,Wanki Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Carbon-containing interfacial layer for phase-change memory

Номер патента: US20030164515A1. Автор: Daniel Xu. Владелец: Daniel Xu. Дата публикации: 2003-09-04.

Phase change memory device with reinforced adhesion force

Номер патента: US20090020741A1. Автор: Hae Chan PARK,Nam Kyun PARK,Cheol Seong Hwang,Byung Joon Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-01-22.

Phase change memory cell

Номер патента: US20240099168A1. Автор: Marie-Claire Cyrille,Gabriele Navarro,Guillaume Bourgeois. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-03-21.

Phase change memory cell

Номер патента: US20240099164A1. Автор: Marie-Claire Cyrille,Gabriele Navarro,Guillaume Bourgeois. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-03-21.

Cell-state determination in phase-change memory

Номер патента: WO2012029007A1. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Abu Sebastian,Evangelos S. Eleftheriou,Angeliki Pantazi. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-03-08.

Phase change material cell with piezoelectric or ferroelectric stress inducer liner

Номер патента: US20130309782A1. Автор: Martin M. Frank,Alejandro G. Schrott,Bipin Rajendran,Catherine A. Dubourdieu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Phase-change memory devices, systems, and methods of operating thereof

Номер патента: US11929117B2. Автор: Xuwen PAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Phase change memory device with reinforced adhesion force

Номер патента: US7687795B2. Автор: Hae Chan PARK,Nam Kyun PARK,Cheol Seong Hwang,Byung Joon Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-30.

Drift-insensitive or invariant material for phase change memory

Номер патента: US20130314983A1. Автор: Jing Li,Binquan Luan,Chung H. Lam,Glenn J. Martyna,Dennis M. Newns. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-28.

Nonvolatile logic gate circuit based on phase change memory

Номер патента: US20150236697A1. Автор: Yi Li,Lei Xu,Xiaomin Cheng,Huajun Sun,Xiangshui Miao,Yingpeng ZHONG. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2015-08-20.

Drift-insensitive or invariant material for phase change memory

Номер патента: US20130313501A1. Автор: Jing Li,Binquan Luan,Chung H. Lam,Glenn J. Martyna,Dennis M. Newns. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-28.

Storage nodes including a phase chang layer and methods of manufacturing and operating the same, phase change memory devices and methods of manufacturing and operating the same

Номер патента: US7871906B2. Автор: Jong-wook Lee,Jun-Ho Lee,Sung-Kwan Kang,Hion-suck Baik. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-01-18.

Phase change material for use in a phase change random access memory, the phase change material having uniformly distributed insulating impurities

Номер патента: US7956342B2. Автор: Yoon-Ho Khang,Dong-Seok Suh,Sang-mock Lee,Jin-seo Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-07.

Phase-change memory including phase-change elements in series with respective heater elements and methods for manufacturing, programming, and reading thereof

Номер патента: US12120967B2. Автор: Giovanni Campardo,Massimo Borghi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-10-15.

Phase change memory device with voltage control elements

Номер патента: US09525007B2. Автор: Fabio Pellizzer,Antonino Rigano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Phase change memory element and method of making the same

Номер патента: US7456460B2. Автор: Yi-Chou Chen,Hsiang-Lan Lung,Geoffrey W. Burr. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-25.

Pahse chang material for phase chang memory and preparation method therefor

Номер патента: US20180315921A1. Автор: Feng Rao,Yong Wang,Zhitang Song,Keyuan Ding. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2018-11-01.

Doped phase change material and pram including the same

Номер патента: US20080149908A1. Автор: Matthias Wuttig,Yoon-Ho Khang,Ki-Joon Kim,Dong-Seok Suh,Daniel Wamwangi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-26.

Resistive memory architectures with multiple memory cells per access device

Номер патента: US20200044151A1. Автор: Jun Liu,Michael P. Violette. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2020-02-06.

Resistive memory architectures with multiple memory cells per access device

Номер патента: US20170069838A1. Автор: Jun Liu,Michael P. Violette. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2017-03-09.

Resistive memory architectures with multiple memory cells per access device

Номер патента: US20150179931A1. Автор: Jun Liu,Michael P. Violette. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Resistive memory architectures with multiple memory cells per access device

Номер патента: US20210005811A1. Автор: Jun Liu,Michael P. Violette. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2021-01-07.

Resistive memory architectures with multiple memory cells per access device

Номер патента: US20180337330A1. Автор: Jun Liu,Michael P. Violette. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2018-11-22.

Resistive memory architectures with multiple memory cells per access device

Номер патента: US20220271224A1. Автор: Jun Liu,Michael P. Violette. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2022-08-25.

Method for manufacturing a phase change memory device

Номер патента: US20240215461A1. Автор: Gabriele Navarro,Guillaume Bourgeois. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-06-27.

Phase change material including deuterium

Номер патента: US20240324475A1. Автор: Kangguo Cheng,Amlan Majumdar,Juntao Li,Louis Zuoguang Liu,Arthur Roy Gasasira. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Phase-change memory device with drive circuit

Номер патента: US10658032B2. Автор: Davide Manfre,Fabio Enrico Carlo Disegni,Cesare Torti,Massimo Fidone. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-05-19.

Phase-Change Memory Device with Drive Circuit

Номер патента: US20190043574A1. Автор: Davide Manfre,Fabio Enrico Carlo Disegni,Cesare Torti,Massimo Fidone. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-02-07.

Method, system, and device for heating a phase change memory cell

Номер патента: US20160172586A1. Автор: Jun Liu,JIAN Li. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-06-16.

Method, system, and device for heating a phase change memory cell

Номер патента: US20150155484A1. Автор: Jun Liu,JIAN Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-06-04.

Phase-change memory device having reversed phase-change characteristics and phase-change memory having highly integrated three-dimensional architecture using same

Номер патента: US20200168792A1. Автор: Yun Heub Song. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2020-05-28.

Phase-change memory device having reversed phase-change characteristics and phase-change memory having highly integrated three-dimensional architecture using same

Номер патента: US20220029094A1. Автор: Yun Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-27.

Phase-change memory device having reversed phase-change characteristics and phase-change memory having highly integrated three-dimensional architecture using same

Номер патента: US11812661B2. Автор: Yun Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-07.

Isolating phase change material memory cells

Номер патента: US20030203558A1. Автор: Tyler Lowrey. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-30.

Multi-bit phase change memory devices

Номер патента: US20100220520A1. Автор: Hong-Sik Jeong,Gi-Tae Jeong,Young-Nam Hwang,Soon-Oh Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-02.

Phase-change memory device with drive circuit

Номер патента: US20180151223A1. Автор: Fabio Enrico Carlo Disegni,Cesare Torti,Davide Manfre',Massimo Fidone. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-05-31.

Phase-change memory device with drive circuit

Номер патента: US10115460B2. Автор: Davide Manfre′,Fabio Enrico Carlo Disegni,Cesare Torti,Massimo Fidone. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-10-30.

Phase change memory coding

Номер патента: US20140119110A1. Автор: Hsiang-Lan Lung,Ming-Hsiu Lee,Yen-Hao Shih,Chao-I Wu,Tien-Yen Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-01.

Phase change memory using multiple phase change layers and multiple heat conductors

Номер патента: US20220102627A1. Автор: Wei Wang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Kevin W. Brew,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Multi-layer phase change memory device

Номер патента: US11889773B2. Автор: Kevin W. Brew,Timothy Mathew Philip,Injo OK,Nicole Saulnier,Matthew Joseph BrightSky,Jin Ping HAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Phase change memory structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US11127790B2. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-21.

Multi-layer phase change memory device

Номер патента: WO2022142647A1. Автор: Kevin W. Brew,Timothy Mathew Philip,Injo OK,Nicole Saulnier,Matthew Joseph BrightSky,Jin Ping HAN. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2022-07-07.

Multi-layer phase change memory device

Номер патента: GB2617946A. Автор: OK Injo,Saulnier Nicole,Ping Han Jin,Joseph Brightsky Matthew,W Brew Kevin,Mathew Philip Timothy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-25.

Phase change memory structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US20190363136A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-28.

Phase change memory device

Номер патента: US20110305076A1. Автор: Haruki Toda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-15.

Phase change memory devices including two-dimensional material and methods of operating the same

Номер патента: US20180061490A1. Автор: Changhyun KIM,Hyeonjin Shin,Seongjun Park,Seunggeol NAM,Yeonchoo CHO,Jinseong Heo,Minhyun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-01.

Phase change memory element and method for forming the same

Номер патента: US20090250691A1. Автор: Chen-Ming Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-10-08.

Multi-terminal phase change memory device

Номер патента: US11812676B2. Автор: Lawrence A. Clevenger,Kevin W. Brew,Timothy Mathew Philip. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Phase change memory structure and the same

Номер патента: US11276818B2. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-15.

Phase change memory and phase change recording medium

Номер патента: US20060289850A1. Автор: Tomio Iwasaki,Hideyuki Matsuoka,Hiroshi Moriya,Norikatsu Takaura. Владелец: Norikatsu Takaura. Дата публикации: 2006-12-28.

Phase change memory and phase change recording medium

Номер патента: US20050156150A1. Автор: Tomio Iwasaki,Hideyuki Matsuoka,Hiroshi Moriya,Norikatsu Takaura. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-07-21.

Multi-level programming of phase change memory device

Номер патента: WO2023104452A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Juntao Li,Ching-Tzu Chen. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-06-15.

Multi-terminal phase change memory device

Номер патента: AU2021244850A1. Автор: Lawrence Clevenger,Kevin BREW,Timothy Matthew PHILIP. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-09-01.

Multi-terminal phase change memory device

Номер патента: AU2021244850B2. Автор: Lawrence Clevenger,Kevin BREW,Timothy Matthew PHILIP. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Multi-terminal phase change memory device

Номер патента: WO2021191696A1. Автор: Lawrence Clevenger,Kevin BREW,Timothy Matthew PHILIP. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2021-09-30.

Multi-terminal phase change memory device

Номер патента: CA3168067A1. Автор: Lawrence Clevenger,Kevin BREW,Timothy Matthew PHILIP. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-30.

Multi-terminal phase change memory device

Номер патента: GB2608771A. Автор: CLEVENGER Lawrence,Brew Kevin,Matthew Philip Timothy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-01-11.

Phase change memory structure and the same

Номер патента: US20200287130A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Phase change memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20080121863A1. Автор: Wei-Su Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-05-29.

Methods Of Forming Programmed Memory Cells

Номер патента: US20120212999A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-08-23.

Memory Cells

Номер патента: US20110095256A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-04-28.

Clamp elements for phase change memory arrays

Номер патента: US20180123039A1. Автор: Fabio Pellizzer,Antonino Rigano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-03.

Phase-change random access memory device and method of making the same

Номер патента: US20210249592A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

Memory device with improved phase change material nucleation rate

Номер патента: US20210305318A1. Автор: Dan Gealy,Kumar R. Virwani. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Phase-change memory cell having a compact structure

Номер патента: US20240081160A1. Автор: Simon Jeannot,Philippe Boivin. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2024-03-07.

Phase-change memory cell having a compact structure

Номер патента: US11957067B2. Автор: Simon Jeannot,Philippe Boivin. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2024-04-09.

Phase-change random access memory device and method of making the same

Номер патента: US11950518B2. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Phase change memory using multiple stacks of pcm materials

Номер патента: WO2021161117A1. Автор: TIAN Shen,Jingyun Zhang,Heng Wu,Kevin BREW. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2021-08-19.

Phase change memory using multiple stacks of PCM materials

Номер патента: GB2608308A. Автор: Wu Heng,Zhang Jingyun,Shen Tian,Wayne Brew Kevin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-12-28.

Keyhole-free sloped heater for phase change memory

Номер патента: US20130286726A1. Автор: Jong Won Lee,Tim Minvielle,Jinwook Lee,Soonwoo Cha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-10-31.

Chalcogenide phase change materials and their use

Номер патента: WO2011114173A1. Автор: Konstantin B. Borisenko. Владелец: ISIS INNOVATION LIMITED. Дата публикации: 2011-09-22.

Resistive memory cell

Номер патента: US20200098825A1. Автор: Philippe Boivin. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2020-03-26.

Resistive memory cell having an ovonic threshold switch

Номер патента: US20210384257A1. Автор: Philippe Boivin. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2021-12-09.

Resistive memory cell having an ovonic threshold switch

Номер патента: US20230240082A1. Автор: Philippe Boivin. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2023-07-27.

Phase change memory structure and the same

Номер патента: US20220199901A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Phase-change memory devices

Номер патента: US20240276892A1. Автор: Tung Ying Lee,yu chao Lin,Shao-Ming Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Resistive memory cell having an ovonic threshold switch

Номер патента: US12096640B2. Автор: Philippe Boivin. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2024-09-17.

Global heater for phase change memory

Номер патента: EP4430932A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

Multistage set procedure for phase change memory

Номер патента: US09892785B2. Автор: LU LIU,Sanjay Rangan,Kiran Pangal,Gayathri Rao Subbu,Nevil N Gajera. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Storage device with 2D configuration of phase change memory integrated circuits

Номер патента: US09773549B2. Автор: Peter Mueller,Evangelos Eleftheriou,Roman A. Pletka,Ioannis Koltsidas,Theodoros A. Antonakopoulos,Aspasia Palli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Storage device with 2d configuration of phase change memory integrated circuits

Номер патента: US20170117040A1. Автор: Peter Mueller,Evangelos Eleftheriou,Roman A. Pletka,Ioannis Koltsidas,Theodoros A. Antonakopoulos,Aspasia Palli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-27.

Phase change memory with inter-granular switching

Номер патента: US09672906B2. Автор: Hsiang-Lan Lung,Yung-Han Ho. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Storage device with 2D configuration of phase change memory integrated circuits

Номер патента: US09633721B2. Автор: Peter Mueller,Evangelos Eleftheriou,Roman A. Pletka,Ioannis Koltsidas,Theodoros A. Antonakopoulos,Aspasia Palli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Storage device with 2D configuration of phase change memory integrated circuits

Номер патента: US09595322B2. Автор: Peter Mueller,Evangelos Eleftheriou,Roman A. Pletka,Ioannis Koltsidas,Theodoros A. Antonakopoulos,Aspasia Palli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Multistage set procedure for phase change memory

Номер патента: US09583187B2. Автор: LU LIU,Sanjay Rangan,Kiran Pangal,Gayathri Rao Subbu,Nevil N Gajera. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Method, system and device for phase change memory with shunt

Номер патента: US09444043B2. Автор: Andrea Ghetti,Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Non-volatile phase-change resistive memory

Номер патента: US20140355338A1. Автор: Luca Perniola. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2014-12-04.

Phase change memory fabricated using self-aligned processing

Номер патента: US7362608B2. Автор: Thomas Happ,Ulrike Gruening-Von Schwerin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-04-22.

Phase change memory device, manufacturing method thereof and operating method thereof

Номер патента: US20090067228A1. Автор: Hee Bok Kang,Suk Kyoung Hong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-12.

Symmetric phase-change memory devices

Номер патента: US11769046B2. Автор: Guy M. Cohen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Phase-change memory (PCM) including liner reducing resistance drift

Номер патента: US11805711B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Kevin W. Brew,Joel P. de Souza. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

Phase change memory device

Номер патента: US20080067488A1. Автор: Tsuyoshi Kawagoe. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-03-20.

Phase change memory material and system for embedded memory applications

Номер патента: US20140376309A1. Автор: Che-Min Lin,Hsiang-Lan Lung,Huai-Yu Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-25.

Phase change memory device having Schottky diode and method of fabricating the same

Номер патента: US7804703B2. Автор: Gi-Tae Jeong,Dae-Won Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-28.

Phase change memory device with reduced unit cell size and improved transistor current flow and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080101112A1. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-05-01.

Reduced power consumption phase change memory

Номер патента: EP2383811B1. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-11-13.

Reduced power consumption phase change memory and methods for forming the same

Номер патента: EP2002491A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-12-17.

Reduced power consumption phase change memory

Номер патента: EP2383811B9. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-06-11.

Method for programming a phase change memory

Номер патента: US11800820B2. Автор: Gabriele Navarro,Chiara Sabbione,Guillaume Bourgeois,Anna-Lisa Serra. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-10-24.

Phase change memory materials, devices and methods

Номер патента: EP1969602A1. Автор: Robert E. Simpson,Daniel William Hewak,Richard J. Curry,Mohammed Khawar Arshad Mairaj. Владелец: University of Southampton. Дата публикации: 2008-09-17.

Reduced power consumption phase change memory and methods for forming the same

Номер патента: EP2002491B1. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-10-19.

Method for programming a phase change memory

Номер патента: US20220165946A1. Автор: Gabriele Navarro,Chiara Sabbione,Guillaume Bourgeois,Anna-Lisa Serra. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2022-05-26.

Spike-timing-dependent plasticity using inverse resistivity phase-change material

Номер патента: WO2023011885A1. Автор: Takashi Ando,Guy Cohen,Nanbo Gong. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-02-09.

Bottom electrode geometry for phase change memory

Номер патента: US20110299329A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-12-08.

Shallow trench type quadri-cell of phase-change random access memory (pram)

Номер патента: WO2010118346A3. Автор: Xia Li. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-03-03.

Resistance change memory device and method of sensing the same

Номер патента: US09916894B2. Автор: Tae Jung Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Memory cell architecture for multilevel cell programming

Номер патента: US09607691B1. Автор: Mattia Boniardi,Mario Allegra. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Accessing phase change memories

Номер патента: US20060002173A1. Автор: Charles Dennison,Ward Parkinson,Stephen Hudgens. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-05.

Phase change memory structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US11856795B2. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Phase change memory structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US20210320147A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Memory device including switching material and phase change material

Номер патента: US20240046986A1. Автор: Bonwon KOO,Kiyeon YANG,Changseung LEE,Young Jae Kang,Wooyoung Yang,Minwoo Choi,Yongyoung PARK,Hajun SUNG,Dongho Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-08.

Resistance drift mitigation in non-volatile memory cell

Номер патента: GB2616184A. Автор: Ando Takashi,Vega Reinaldo,Adusumilli Praneet,CHI Cheng,Chandra Anirban. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-08-30.

Resistance drift mitigation in non-volatile memory cell

Номер патента: US20220173312A1. Автор: CHENG Chi,Takashi Ando,Praneet Adusumilli,Reinaldo Vega,Anirban Chandra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-06-02.

Semiconductor logic circuits including non-volatile memory cell

Номер патента: GB2617994A. Автор: Ando Takashi,Gong Nanbo,M Cohen Guy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-25.

Second-layer phase change memory array on top of a logic device

Номер патента: EP1326158A3. Автор: Stanford R. Ovshinsky,Guy Wicker. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 2004-05-06.

Phase-change material-based xor logic gates

Номер патента: US20220173309A1. Автор: Takashi Ando,Guy M. Cohen,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-06-02.

Phase-change material-based xor logic gates

Номер патента: US20230189669A1. Автор: Takashi Ando,Guy M. Cohen,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Phase-change material-based xor logic gates

Номер патента: CA3194448A1. Автор: Takashi Ando,Guy Cohen,Nanbo Gong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-06-09.

Phase-change material-based xor logic gates

Номер патента: WO2022117264A1. Автор: Takashi Ando,Guy Cohen,Nanbo Gong. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2022-06-09.

Phase-change material-based XOR logic gates

Номер патента: US12058943B2. Автор: Takashi Ando,Guy M. Cohen,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Phase change storage device with multiple serially connected storage regions

Номер патента: US09882126B2. Автор: Sangbum Kim,Wei-Chih Chien,Matthew J. BrightSky,Chiao-Wen Yeh,Huai-Yu Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Architecture of a phase-change nonvolatile memory array

Номер патента: US6816404B2. Автор: Osama Khouri,Ferdinando Bedeschi,Fabio Pellizzer,Giorgio Bosisio. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2004-11-09.

Global heater for phase change memory

Номер патента: US20230180644A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Multistage set procedure for phase change memory

Номер патента: US20180182456A1. Автор: LU LIU,Sanjay Rangan,Nevil N. Gajera,Kiran Pangal,Gayathri Rao Subbu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-06-28.

Method, system and device for phase change memory with shunt

Номер патента: US20140198565A1. Автор: Andrea Ghetti,Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-17.

Global heater for phase change memory

Номер патента: WO2023104550A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Nanbo Gong. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-06-15.

Method of forming phase change material layer using ge(ii) source, and method of fabricating phase change memory device

Номер патента: US20130005112A1. Автор: Sung-Lae Cho,Do-Hyung Kim,Byoung-Jae Bae,Jin-Il Lee,Hye-Young Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-01-03.

A multi-stack three-dimensional phase-change memory and methods for making the same

Номер патента: WO2024098366A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Advanced Memory Industrial Innovation Center Co., Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Phase change memory structure and the same

Номер патента: US11974510B2. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Phase change memory using multiple stacks of pcm materials

Номер патента: US20210257547A1. Автор: TIAN Shen,Jingyun Zhang,Heng Wu,Kevin W. Brew. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-08-19.

Phase-change memory device and method

Номер патента: US11997933B2. Автор: Tung Ying Lee,yu chao Lin,Shao-Ming Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Method, system and device for phase change memory with shunt

Номер патента: US20150162531A1. Автор: Andrea Ghetti,Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-06-11.

Permutational memory cells

Номер патента: US09484088B2. Автор: Scott E. Sills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Memory cell comprising a phase-change material

Номер патента: US20190140175A1. Автор: Olivier Hinsinger. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2019-05-09.

Memory cell comprising a phase-change material

Номер патента: US20200403154A1. Автор: Olivier Hinsinger. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2020-12-24.

Memory cell comprising a phase-change material

Номер патента: US10797234B2. Автор: Olivier Hinsinger. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2020-10-06.

Memory cell comprising a phase-change material

Номер патента: US11329225B2. Автор: Olivier Hinsinger. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2022-05-10.

Thyristor memory cell integrated circuit

Номер патента: WO2015013118A3. Автор: Geoff W. Taylor. Владелец: Opel Solar, Inc.. Дата публикации: 2015-11-05.

Thyristor Memory Cell Integrated Circuit

Номер патента: US20150138881A1. Автор: Geoff W. Taylor. Владелец: Opel Solar Inc. Дата публикации: 2015-05-21.

Thyristor memory cell integrated circuit

Номер патента: EP3025349A2. Автор: Geoff W. Taylor. Владелец: Opel Solar Inc. Дата публикации: 2016-06-01.

Thyristor memory cell integrated circuit

Номер патента: WO2015013118A2. Автор: Geoff W. Taylor. Владелец: Opel Solar, Inc.. Дата публикации: 2015-01-29.

Multi-terminal phase change devices

Номер патента: WO2007056171A3. Автор: Vei-Han Chan,Antonietta Oliva,Narbeh Derhacobian,Louis C Ii Kordus. Владелец: Louis C Ii Kordus. Дата публикации: 2009-04-30.

Bottom electrode geometry for phase change memory

Номер патента: US20080121862A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-05-29.

Phase change memory materials

Номер патента: EP2335297A1. Автор: Bruce G. Aitken,Charlene M. Smith. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2011-06-22.

Phase change memory materials

Номер патента: WO2010024936A1. Автор: Bruce G. Aitken,Charlene M. Smith. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2010-03-04.

Optical recording medium having a plurality of discrete phase change data recording points

Номер патента: WO1997022468A1. Автор: Stanford R. Ovshinsky,Hellmut Fritzsche. Владелец: Energy Conversion Devices, Inc.. Дата публикации: 1997-06-26.

Phase-change recording element for write once applications

Номер патента: US20020160304A1. Автор: Yuan-Sheng Tyan,Giuseppe Farruggia,Thomas Cushman,Bruno Primerano,Fridrich Vazan,George Olin,James Barnard. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2002-10-31.

Phase-change recording element for write once application

Номер патента: EP1235213A3. Автор: Yuan-Sheng C/O Eastman Kodak Company Tyan,Thomas Richard c/o EASTMAN KODAK COMPANY Cushman,Giuseppe c/o Eastman Kodak Company Farruggia,George Russell c/o Eastman Kodak Company Olin,Bruno c/o Eastman Kodak Company Primerano,Fridrich C/O Eastman Kodak Company Vazan,James Arthur c/o Eastman Kodak Company Barnard. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2007-09-05.

Phase change memory device and computing system having the same

Номер патента: US20130058160A1. Автор: Joo-young Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-03-07.

Phase-change random access memory device

Номер патента: US20100124101A1. Автор: Kwang-Ho Kim,Mu-hui Park,Soo-Guil Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-20.

Methods and systems for verifying cell programming in phase change memory

Номер патента: US09747977B2. Автор: Raymond W. Zeng,Doyle Rivers,Daniel J. Chu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Content addressable memory cell and content addressable memory using phase change memory

Номер патента: US7978490B2. Автор: Kwang-Jin Lee,Du-Eung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-12.

Energy adjusted write pulses in phase-change memories

Номер патента: US7327623B2. Автор: Thomas Happ,Zaidi Shoaib. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-02-05.

Content addressable memory cell and content addressable memory using phase change memory

Номер патента: US20080068872A1. Автор: Kwang-Jin Lee,Du-Eung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-20.

Energy adjusted write pulses in phase-change memories

Номер патента: US20070014173A1. Автор: Thomas Happ,Zaidi Shoaib. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-01-18.

Energy adjusted write pulses in phase-change memory cells

Номер патента: US20080106928A1. Автор: Thomas Happ,Zaidi Shoaib. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-05-08.

Phase change memory device and control method

Номер патента: EP2291846A1. Автор: Ludovic Goux. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-03-09.

Driver circuit for phase-change memory cells and method of driving phase-change memory cells

Номер патента: US20230021601A1. Автор: Antonino Conte,Francesco Tomaiuolo,Agatino Massimo Maccarrone,Marco Ruta,Michelangelo Pisasale. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-01-26.

Method of programming a phase change memory and phase change memory device

Номер патента: US09472271B2. Автор: Quentin Hubert,Carine Jahan. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-10-18.

Phase change memory system, phase change memory device, and phase change memory device refresh method

Номер патента: US20210118500A1. Автор: Kwang Jin Lee,Yoon Sung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-22.

Memory device based on phase change memory for deep neural network and method for storing weight thereof

Номер патента: US20240161823A1. Автор: Joon-Sung Yang. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-05-16.

Apparatus and method for reading a phase-change memory cell

Номер патента: US09431102B2. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Phase change memory comprising a low-voltage column decoder

Номер патента: US20080062806A1. Автор: Thierry Giovinazzi,Christophe Rodat. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2008-03-13.

Method and apparatus for healing phase change memory devices

Номер патента: US09336878B2. Автор: Chao-I Wu,Hsiang-Pang Li,Tzu-Hsiang Su,Win San Khwa. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-10.

Memory apparatus with gated phase-change memory cells

Номер патента: US20130322168A1. Автор: Daniel Krebs,Gael Close. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Phase change memory devices and systems having reduced voltage threshold drift and associated methods

Номер патента: US09627055B1. Автор: Mattia Robustelli. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Program-disturb management for phase change memory

Номер патента: US09508426B2. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Phase change memory programming method and phase change memory

Номер патента: US8717809B2. Автор: Godferius Adrianus Maria Hurkx,Jesus Perez Gonzales. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2014-05-06.

Phase change memory programming method and phase change memory

Номер патента: US20120294074A1. Автор: Godferius Adrianus Maria Hurkx,Jesus Perez Gonzales. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2012-11-22.

Phase change memory programming method and phase change memory

Номер патента: WO2011095902A1. Автор: Godefridus Adrianus Hurkx,Jesus Perez Gonzalez. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2011-08-11.

Memory cell with temperature modulated read voltage

Номер патента: US20220230680A1. Автор: Chao-I Wu,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Enhancing nucleation in phase-change memory cells

Номер патента: US20190295642A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Anna Maria Conti,Davide Fugazza,Johannes A. Kalb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Enhancing nucleation in phase-change memory cells

Номер патента: US20160012888A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Anna Maria Conti,Davide Fugazza,Johannes A. Kalb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-01-14.

Enhancing nucleation in phase-change memory cells

Номер патента: EP3167451A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Anna Maria Conti,Davide Fugazza,Johannes A. Kalb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-17.

Technique and apparatus for performing write operations to a phase change material memory device

Номер патента: US20030081451A1. Автор: Tyler Lowrey,Ward Parkinson,Manzur Gill. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2003-05-01.

Phase change memory apparatus and read control method to reduce read disturb and sneak current phenomena

Номер патента: US20190066778A1. Автор: Yung-Feng Lin,Hsin-Yi Ho,Yun-Chen Chou. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Enhancing nucleation in phase-change memory cells

Номер патента: US20180268899A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Anna Maria Conti,Davide Fugazza,Johannes A. Kalb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-20.

Enhancing nucleation in phase-change memory cells

Номер патента: US20160254050A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Anna Maria Conti,Davide Fugazza,Johannes A. Kalb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Enhancing nucleation in phase-change memory cells

Номер патента: US09990989B2. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Anna Maria Conti,Davide Fugazza,Johannes A. Kalb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Phase change memory current

Номер патента: US09792986B2. Автор: Raymond W. Zeng,Mase J. Taub,Sandeep K. Guliani,Kiran Pangal. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Phase change random access memory apparatus and write control method for the same

Номер патента: US20110075474A1. Автор: Dong Keun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-31.

Phase change memory device, operation method thereof, and data storage device having the same

Номер патента: US20130155765A1. Автор: Dong Keun Kim,Sun Hyuck Yon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-06-20.

Phase change random access memory apparatus and write control method for the same

Номер патента: US8130540B2. Автор: Dong Keun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-03-06.

Method for multilevel programming of phase change memory cells using a percolation algorithm

Номер патента: US7639526B2. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-29.

Conditioning phase change memory cells

Номер патента: US09558817B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Set and reset operation in phase change memory and associated techniques and configurations

Номер патента: US9613698B2. Автор: DerChang Kau,Prashant Damle,Kiran Pangal,Davide Mantegazza,Davide Fugazza,Gerard H. Joyce. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Set and reset operation in phase change memory and associated techniques and configurations

Номер патента: US20160254052A1. Автор: DerChang Kau,Prashant Damle,Kiran Pangal,Davide Mantegazza,Davide Fugazza,Gerard H. Joyce. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-09-01.

Non-volatile memory device, in particular phase change memory, and reading method

Номер патента: US20190341103A1. Автор: Giovanni Campardo,Paola Zuliani,Roberto Annunziata. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-11-07.

Methods and apparatuses having a voltage generator with an adjustable voltage drop for representing a voltage drop of a memory cell and/or a current mirror circuit and replica circuit

Номер патента: US09728256B2. Автор: Umberto Di Vincenzo,Simone Lombardo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Integrated circuit with phase-change memory cells and method for addressing phase-change memory cells

Номер патента: WO2006043230A1. Автор: Martijn H. R. Lankhorst,Hendrik G. A. Huizing. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2006-04-27.

Integrated circuit with phase-change memory cells and method for addressing phase-change memory cells

Номер патента: EP1807840A1. Автор: Martijn H. R. Lankhorst,Hendrik G. A. Huizing. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-07-18.

Integrated circuit with phase-change memory cells and method for addressing phase-change memory cells

Номер патента: EP1807840B1. Автор: Martijn H. R. Lankhorst,Hendrik G. A. Huizing. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-05-26.

Phase change memory device

Номер патента: US20120120724A1. Автор: Hyuck-Soo Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-05-17.

Methods for a phase-change memory array

Номер патента: US20140376306A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Claudio Resta,Marco Ferraro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-12-25.

Content addressable memory using phase change devices

Номер патента: US20100002481A1. Автор: Chung H. Lam,Brian L. Ji,Bipin Rajendran,Robert K. Montoye. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-07.

Block erase for phase change memory

Номер патента: US7755935B2. Автор: Hsiang-Lan Lung,Chung Hon Lam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-07-13.

Phase-change memory device for improving resistance drift and dynamic resistance drift compensation method of the same

Номер патента: US11848049B2. Автор: Yunheub Song,Yoonseong CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-19.

Calibration system for writing and reading multiple states into phase change memory

Номер патента: WO2007103220A3. Автор: Pantas Sutardja. Владелец: Pantas Sutardja. Дата публикации: 2007-11-01.

Calibration system for writing and reading multiple states into phase change memory

Номер патента: WO2007103220A2. Автор: Pantas Sutardja. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2007-09-13.

Phase change memory system, phase change memory device, and phase change memory device refresh method

Номер патента: US11417395B2. Автор: Kwang Jin Lee,Yoon Sung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-16.

Three-dimensional convolution operation device and method based on three-dimensional phase change memory

Номер патента: US20220351026A1. Автор: Hao Tong,Qing Hu,Xiangshui Miao,Yuhui He. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2022-11-03.

Writing method and system for a phase change memory

Номер патента: US20080219046A1. Автор: Ming-Jung Chen,Te-Sheng Chao,Philip H. Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-09-11.

Writing method and system for a phase change memory

Номер патента: US7773409B2. Автор: Ming-Jung Chen,Te-Sheng Chao,Philip H. Yeh. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-08-10.

Content addressable memory cell

Номер патента: US7227765B2. Автор: Guido De Sandre,Fabio Pellizzer,Roberto Bez. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2007-06-05.

A content addressable memory cell

Номер патента: EP2261928A3. Автор: Guido De Sandre,Fabio Pellizzer,Roberto Bez. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2011-04-20.

Data storage method and phase change memory

Номер патента: US09899084B2. Автор: ZHEN Li,Junfeng Zhao,Qiang He,Xiangshui Miao,Shujie Zhang,Ronggang Xu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Refresh circuitry for phase change memory

Номер патента: US7894254B2. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-22.

Accessing a Phase Change Memory

Номер патента: US20100020595A1. Автор: Tyler Lowrey,Ward Parkinson. Владелец: Ward Parkinson. Дата публикации: 2010-01-28.

Semiconductor memory device including phase change memory device and method of accessing phase change memory device

Номер патента: US20200066342A1. Автор: Jin-yong Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-27.

Calibration system for writing and reading multiple states into phase change memory

Номер патента: US7679953B2. Автор: Pantas Sutardja. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2010-03-16.

Accessing a phase change memory

Номер патента: US8120943B2. Автор: Tyler Lowrey,Ward Parkinson. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2012-02-21.

Read and write circuit of three-dimensional phase-change memory

Номер патента: US20220383951A1. Автор: FAN YANG,Lingjun Zhou,Xingsheng Wang,Xiangshui Miao,Chengxu WANG. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2022-12-01.

Phase-change memory element and method of storing data therein

Номер патента: US20040145944A1. Автор: Boil Pashmakov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-29.

Method and apparatus for healing phase change memory devices

Номер патента: US20150371704A1. Автор: Chao-I Wu,Hsiang-Pang Li,Tzu-Hsiang Su,Win San Khwa. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-24.

Phase change memory, writing method thereof and reading method thereof

Номер патента: US20140376308A1. Автор: Ming-Hsiu Lee,Chao-I Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-25.

Using an mos select gate for a phase change memory

Номер патента: WO2004055826A1. Автор: Tyler A. Lowrey,Manzur Gill. Владелец: Ovonyx, Inc.. Дата публикации: 2004-07-01.

Using an mos select gate for a phase change memory

Номер патента: MY134505A. Автор: Tyler Lowrey,Manzur Gill. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2007-12-31.

Phase change memory

Номер патента: US20100165723A1. Автор: Wen-Pin Lin,Shyh-Shyuan Sheu,Pei-Chia Chiang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-07-01.

Phase change memory devices and systems, and related programming methods

Номер патента: US7529124B2. Автор: Hye-jin Kim,Kwang-Jin Lee,Woo-Yeong Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-05-05.

Phase change memory devices and systems, and related programming methods

Номер патента: US8159867B2. Автор: Hye-jin Kim,Kwang-Jin Lee,Woo-Yeong Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-04-17.

Method and apparatus for healing phase change memory devices

Номер патента: US9620210B2. Автор: Chao-I Wu,Hsiang-Pang Li,Win-San Khwa,Tzu-Hsiang Su. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Phase change memory

Номер патента: US20120230099A1. Автор: Wen-Pin Lin,Shyh-Shyuan Sheu,Pei-Chia Chinag. Владелец: Higgs Opl Capital Llc. Дата публикации: 2012-09-13.

Voltage control circuit for phase change memory

Номер патента: US20110149644A1. Автор: Roger Cuppens. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-06-23.

Method for reading phase change memories and phase change memory

Номер патента: US20080084735A1. Автор: Ward Parkinson. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2008-04-10.

Phase change memory apparatus and read control method to reduce read disturb and sneak current phenomena

Номер патента: US10297316B2. Автор: Yung-Feng Lin,Hsin-Yi Ho,Yun-Chen Chou. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-21.

Write scheme in phase change memory

Номер патента: CA2793922A1. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2011-11-03.

Phase change memory current

Номер патента: WO2016195873A1. Автор: Raymond W. Zeng,Mase J. Taub,Sandeep K. Guliani,Kiran Pangal. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-12-08.

Phase change memory device with selector mos transistors and source line clustering

Номер патента: US20190051348A1. Автор: Fabio Enrico Carlo Disegni,Cesare Torti,Davide Manfre'. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-02-14.

Phase change memory current

Номер патента: EP3304560A1. Автор: Raymond W. Zeng,Mase J. Taub,Sandeep K. Guliani,Kiran Pangal. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-11.

Apparatuses and/or methods for operating a memory cell as an anti-fuse

Номер патента: US9455033B2. Автор: Andrea Redaelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Phase Change Memory

Номер патента: US20100165722A1. Автор: Wen-Pin Lin,Shyh-Shyuan Sheu,Pei-Chia Chiang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Phase change memory

Номер патента: US8014194B2. Автор: Wen-Pin Lin,Shyh-Shyuan Sheu,Pei-Chia Chiang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2011-09-06.

Phase change memory device with improved performance that minimizes cell degradation

Номер патента: US20110255333A1. Автор: Hee Bok Kang,Suk Kyoung Hong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Self-adjusting phase change memory storage module

Номер патента: US09563371B2. Автор: Jing Li,Dinesh C. Verma. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Apparatuses and/or methods for operating a memory cell as an anti-fuse

Номер патента: US20200013472A1. Автор: Andrea Redaelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Apparatuses and/or methods for operating a memory cell as an anti-fuse

Номер патента: US20160180931A1. Автор: Andrea Redaelli. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-06-23.

Apparatuses and/or methods for operating a memory cell as an anti-fuse

Номер патента: US20140010005A1. Автор: Andrea Redaelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-01-09.

Apparatuses and/or methods for operating a memory cell as an anti-fuse

Номер патента: US09805817B2. Автор: Andrea Redaelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Phase change memory with bipolar junction transistor select device

Номер патента: US7848133B2. Автор: Richard Fackenthal,Meenatchi Jagasivamani. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-12-07.

Programming of phase-change memory cells

Номер патента: US9070438B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Abu Sebastian,Angeliki Pantazi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-06-30.

Phase change memory with bipolar junction transistor select device

Номер патента: US20090168503A1. Автор: Richard Fackenthal,Meenatchi Jagasivamani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-02.

Phase change memory device, system including the memory device, and method for operating the memory device

Номер патента: US11756614B2. Автор: Davide Manfre,Maurizio Francesco Perroni,Fabio Enrico Carlo Disegni,Cesare Torti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-09-12.

Phase change memory mask

Номер патента: EP2973579A1. Автор: Daniel J. Chu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-01-20.

Phase change memory mask

Номер патента: US20150085570A1. Автор: Daniel J. Chu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-03-26.

Phase change memory mask

Номер патента: US20170025171A1. Автор: Daniel J. Chu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Phase-change memory device

Номер патента: US20100149860A1. Автор: Ho-Seok EM. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-06-17.

Sensing circuit of a phase change memory and sensing method thereof

Номер патента: US7796454B2. Автор: Shyh-Shyuan Sheu,Lieh-Chiu Lin,Pei-Chia Chiang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-09-14.

Self-referenced and regulated sensing solution for phase change memory with ovonic threshold switch

Номер патента: US20230260574A1. Автор: Philippe Boivin,Jean-Michel PORTAL,Vincenzo DELLA MARCA,Jean-Pierre WALDER,Julien GASQUEZ. Владелец: Aix Marseille Universite. Дата публикации: 2023-08-17.

Self-referenced and regulated sensing solution for phase change memory with ovonic threshold switch

Номер патента: US11875847B2. Автор: Philippe Boivin,Jean-Michel PORTAL,Vincenzo DELLA MARCA,Jean-Pierre WALDER,Julien GASQUEZ. Владелец: Stmicroelectro Crolles 2 Sas. Дата публикации: 2024-01-16.

Immunity of phase change material to disturb in the amorphous phase

Номер патента: US09570163B2. Автор: Tyler A. Lowrey,James Reed,Ward D. Parkinson,Gianpaolo Spadini,Sergey Kostylev,Ilya V. Karpov,Semyon D. Savransky,George A. Gordon. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2017-02-14.

Seasoning phase change memories

Номер патента: US09536606B2. Автор: Ward D. Parkinson,Ilya V. Karpov,Semyon D. Savransky. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2017-01-03.

Writing multiple levels in a phase change memory

Номер патента: US09502107B2. Автор: Scott C. Lewis,Chung H. Lam,Thomas M. Maffitt,Jack R. MORRISH. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Cu-doped Sb-Te system phase change material, phase change memory and preparation method thereof

Номер патента: US11807798B2. Автор: Xiaomin Cheng,Xiangshui Miao,Yuntao ZENG. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-11-07.

Phase Change Memory Device

Номер патента: US20100290272A1. Автор: Hyuck-Soo Yoon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-11-18.

Memory device including phase change memory cell and operation method thereof

Номер патента: US11948632B2. Автор: Jungyu Lee,Jongryul Kim,Hyunkook Parak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-02.

Cu-DOPED Sb-Te SYSTEM PHASE CHANGE MATERIAL, PHASE CHANGE MEMORY AND PREPARATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20230287253A1. Автор: Xiaomin Cheng,Xiangshui Miao,Yuntao ZENG. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-09-14.

Three-dimensional convolution operation device and method based on three-dimensional phase change memory

Номер патента: US11989644B2. Автор: Hao Tong,Qing Hu,Xiangshui Miao,Yuhui He. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-05-21.

Non-volatile memory circuit including voltage divider with phase change memory devices

Номер патента: EP2377128A1. Автор: John C. Costello,Peter J. McElheny,Richard G. Smolen. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2011-10-19.

Non-volatile memory circuit including voltage divider with phase change memory devices

Номер патента: WO2010083087A1. Автор: John C. Costello,Peter J. McElheny,Richard G. Smolen. Владелец: Altera Corporation. Дата публикации: 2010-07-22.

Reading Phase Change Memories

Номер патента: US20110176358A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Ward D. Parkinson,Roberto Gastaldi,Giulio Casagrande,Claudio Resta. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2011-07-21.

Phase change memory device with dummy cell array

Номер патента: US20090190393A1. Автор: Hee Bok Kang,Suk Kyoung Hong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-30.

Pulsing synaptic devices based on phase-change memory to increase the linearity in weight update

Номер патента: WO2022268416A1. Автор: Wanki Kim,Sangbum Kim,Matthew Joseph BrightSky,Maxence Bouvier,Fabia CARTER. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2022-12-29.

Sensing phase-change memory/test cells for determining whether a cell resistance has changed due to thermal exposure

Номер патента: US09875794B2. Автор: Jason Snodgress,Jason Brand. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Phase-change memory

Номер патента: US11817146B2. Автор: Matthias Wuttig,Xiaoling Lu,Julian Pries,Shuai WEI,Yudong CHENG. Владелец: Rheinisch Westlische Technische Hochschuke RWTH. Дата публикации: 2023-11-14.

Phase-change memory

Номер патента: US20220215878A1. Автор: Matthias Wuttig,Xiaoling Lu,Julian Pries,Shuai WEI,Yudong CHENG. Владелец: Rheinisch Westlische Technische Hochschuke RWTH. Дата публикации: 2022-07-07.

Processors and Systems Using Phase-Change Memory with and without Bitline-sharing

Номер патента: US20130314984A1. Автор: Christopher Scoville,Wolfgang Hokenmaier. Владелец: Being Advanced Memory Corp. Дата публикации: 2013-11-28.

Multiple write configurations for a memory cell

Номер патента: US7852657B2. Автор: Thomas Happ,Jan Boris Philipp. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2010-12-14.

Non-volatile phase-change memory device including a distributed row decoder with n-channel MOSFET transistors and related row decoding method

Номер патента: US11908514B2. Автор: Antonino Conte,Francesco Tomaiuolo,Alin Razafindraibe,Thibault Mortier. Владелец: STMicroelectronics Grenoble 2 SAS. Дата публикации: 2024-02-20.

Method of accelerating phase change memory writes

Номер патента: EP2204816A3. Автор: Gutala Ravi,Ferdinando Bedeschi,Meenatchi Jagasivamani,Anthony Ko,Rich E. Fackenthal,Enzo Donze'. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2010-07-28.

Accelerating phase change memory writes

Номер патента: US20100169740A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Meenatchi Jagasivamani,Anthony Ko,Rich E. Fackenthal,Enzo Donze,Ravi Gutala. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2010-07-01.

Descending set verify for phase change memory

Номер патента: US09552876B2. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Linear phase change memory

Номер патента: US20230044919A1. Автор: Ning Li,Wanki Kim,Devendra K. Sadana. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Write Operation Method and Device for Phase Change Memory

Номер патента: US20150117096A1. Автор: Yansong Li. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-30.

Linear phase change memory

Номер патента: WO2023012011A1. Автор: Ning Li,Devendra Sadana,Wanki Kim. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-02-09.

Writing scheme for phase change material-content addressable memory

Номер патента: US20140026008A1. Автор: Jing Li,Chung H. Lam,Robert K. Montoye. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

High throughput programming system and method for a phase change non-volatile memory device

Номер патента: US09697896B2. Автор: Antonino Conte,Kailash Khairnar,Alberto Jose′ Di Martino. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Phase change memory and control method thereof

Номер патента: US7773411B2. Автор: Wen-Pin Lin,Shyh-Shyuan Sheu,Lieh-Chiu Lin,Pei-Chia Chiang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-08-10.

Phase change memory device, system including the memory device, and method for operating the memory device

Номер патента: US20210193220A1. Автор: Davide Manfre,Maurizio Francesco Perroni,Fabio Enrico Carlo Disegni,Cesare Torti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-06-24.

Method for low power accessing a phase change memory device

Номер патента: US20100165713A1. Автор: Claudio Resta,Ferdinando Bedeschui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-01.

Method, apparatus and system to determine access information for a phase change memory

Номер патента: US20120075924A1. Автор: Albert Fazio,DerChang Kau. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-29.

Method, apparatus and system to determine access information for a phase change memory

Номер патента: EP2619764A1. Автор: Albert Fazio,DerChang Kau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-07-31.

Reading phase change memories with select devices

Номер патента: US20090027951A1. Автор: DerChang Kau. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-29.

Multilevel programming of phase change memory

Номер патента: US20130083594A1. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Abu Sebastian,Evangelos S. Eleftheriou,Angeliki Pantazi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-04-04.

Multilevel programming of phase change memory

Номер патента: US20130077394A1. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Abu Sebastian,Evangelos S. Eleftheriou,Angeliki Pantazi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-03-28.

Multilevel programming of phase change memory

Номер патента: US8446760B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Abu Sebastian,Evangelos S. Eleftheriou,Angeliki Pantazi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-21.

High-speed and large-current adjustable pulse circuit, operating circuit and operating method of phase-change memory

Номер патента: US20240371438A1. Автор: FAN YANG,Xingsheng Wang,Xiangshui Miao,Yinghao Ma,Chengxu WANG,Menghua HUANG. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-11-07.

Implementing enhanced performance with read before write to phase change memory

Номер патента: US09754682B2. Автор: Robert Eugeniu Mateescu,Cyril Guyot,Dejan Vucinic. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Apparatus and method for programming a multi-level phase change memory (PCM) cell based on an actual resistance value and a reference resistance value

Номер патента: US09576655B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Abu Sebastian,Evangelos S. Eleftheriou,Angeliki Pantazi,Haris Pozidis. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2017-02-21.

Modified reset state for enhanced read margin of phase change memory

Номер патента: US09520190B2. Автор: Fabio Pellizzer,Daniele Ielmini,Andrea Redaelli,Agostino Pirovano,Mattia Boniardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Apparatuses and/or methods for operating a memory cell as an anti-fuse

Номер патента: US20170365353A1. Автор: Andrea Redaelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-21.

Single-ended phase-change memory device and reading method

Номер патента: EP3648108A1. Автор: Guido Torelli,Marco Pasotti,Riccardo Zurla,Alessandro Cabrini,Flavio Giovanni Volpe. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-05-06.

Single-ended phase-change memory device and reading method

Номер патента: US20200135273A1. Автор: Guido Torelli,Marco Pasotti,Riccardo Zurla,Alessandro Cabrini,Flavio Giovanni Volpe. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-04-30.

Phase change memory array blocks with alternate selection

Номер патента: WO2011134079A1. Автор: Hong Beom Pyeon. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2011-11-03.

Phase change memory devices and systems having reduced voltage threshold drift and associated methods

Номер патента: US20170243643A1. Автор: Mattia Robustelli. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Immunity of Phase Change Material to Disturb in the Amorphous Phase

Номер патента: US20140328121A1. Автор: Tyler A. Lowrey,James Reed,Ward D. Parkinson,Gianpaolo Spadini,Sergey Kostylev,Ilya V. Karpov,Semyon D. Savransky,George A. Gordon. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2014-11-06.

Immunity of Phase Change Material to Disturb in the Amorphous Phase

Номер патента: US20140098604A1. Автор: Tyler A. Lowrey,James Reed,Ward D. Parkinson,Gianpaolo Spadini,Sergey Kostylev,Ilya V. Karpov,Semyon D. Savransky,George A. Gordon. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2014-04-10.

Immunity of Phase Change Material to Disturb in the Amorphous Phase

Номер патента: US20110240943A1. Автор: James Reed,Tyler Lowrey,Ward Parkinson,Gianpaolo Spadini,Sergey A. Kostylev,George Gordon,Ilya V. Karpov,Semyon D. Savransky. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2011-10-06.

Immunity of phase change material to disturb in the amorphous phase

Номер патента: US8634226B2. Автор: James Reed,Tyler Lowrey,Ward Parkinson,Gianpaolo Spadini,Sergey A. Kostylev,George Gordon,Ilya V. Karpov,Semyon D. Savransky. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2014-01-21.

Phase change memory and operation method of the same

Номер патента: US20110044097A1. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-24.

Immunity of phase change material to disturb in the amorphous phase

Номер патента: US8861293B2. Автор: Tyler A. Lowrey,James Reed,Ward D. Parkinson,Gianpaolo Spadini,Sergey Kostylev,Ilya V. Karpov,Semyon D. Savransky,George A. Gordon. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2014-10-14.

Phase change memory mask

Номер патента: US20140269043A1. Автор: Daniel J. Chu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Non-volatile content addressable memory using phase-change-material memory elements

Номер патента: EP1908076A1. Автор: Louis L. C. Hsu,Hon-Sum Philip Wong,Brian L. Ji,Chung Hon Lam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-04-09.

Non-volatile content addressable memory using phase-change-material memory elements

Номер патента: EP1908076A4. Автор: Hon-Sum Philip Wong,Chung Hon Lam,Brian L Ji,Louis L C Hsu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-06-17.

Y-branch type phase-change all-optical boolean logic device and all-binary logic implementation method therefor

Номер патента: US20240319563A1. Автор: Han Li,Xiaomin Cheng,Xiangshui Miao,Yunlai ZHU,Zhuli HE. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-09-26.

Use of decreasing verify currents in a set programming cycle of a phase change memory

Номер патента: WO2011080770A1. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Ferdinando Bedeschi. Дата публикации: 2011-07-07.

Mitigating write disturbance errors of phase-change memory module

Номер патента: US20220319593A1. Автор: Hyun Kim,Seung Yong Lee,Hyuk Jae Lee,Hyo Keun Lee. Владелец: Foundation for Research and Business of Seoul National University of Science and Technology. Дата публикации: 2022-10-06.

Reading Phase Change Memories

Номер патента: US20090116281A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Ward D. Parkinson,Roberto Gastaldi,Giulio Casagrande,Claudio Resta. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2009-05-07.

Paralleled Drive Devices Per Bitline in Phase-Change Memory Array

Номер патента: US20130336053A1. Автор: Christopher Scoville,Wolfgang Hokenmaier. Владелец: Being Advanced Memory Corp. Дата публикации: 2013-12-19.

Device controlling phase change storage element and method thereof

Номер патента: US7796455B2. Автор: Wen-Pin Lin,Shyh-Shyuan Sheu,Lieh-Chiu Lin,Pei-Chia Chiang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-09-14.

Device controlling phase change storage element and method thereof

Номер патента: US20090080243A1. Автор: Wen-Pin Lin,Shyh-Shyuan Sheu,Lieh-Chiu Lin,Pei-Chia Chiang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-03-26.

Optimized phase change write method

Номер патента: US20090161416A1. Автор: Thomas Happ,Mark Lamorey. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-06-25.

Distributed computing with phase change material thermal management

Номер патента: US09792961B2. Автор: Manish Arora,Gabriel H. Loh,Michael J. Schulte,Srilatha Manne,Nuwan Jayasena. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Program-disturb management for phase change memory

Номер патента: US20150095560A1. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-04-02.

Mixed mode programming for phase change memory

Номер патента: US20150003149A1. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-01-01.

Mixed mode programming for phase change memory

Номер патента: US20130003450A1. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-03.

Resetting phase change memory bits

Номер патента: US20060181922A1. Автор: Rick Dodge,Federica Ottogalli,Egidio Buda,Marco Ferraro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-17.

Phase change memory structures and devices

Номер патента: EP3803993A1. Автор: Yao Jin,Stephen Russell,Andrea Redaelli,Pengyuan Zheng,Davide Fugazza,Yongiun J. HU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-04-14.

Phase-change memory with multiple polarity bits having enhanced endurance and error tolerance

Номер патента: US20120087182A1. Автор: Jin-Ki Kim,Peter B. Gillingham. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2012-04-12.

Phase change memory with conductive bridge filament

Номер патента: US11805714B2. Автор: Takashi Ando,Guy M. Cohen,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

Phase change memory (pcm) architecture and a method for writing into pcm architecture

Номер патента: US20120250401A1. Автор: Godefridus Adrianus Maria Hurkx,Michiel Jos Van Duuren,Maurits Mario Nicolaas Storms,Erik Maria Van Bussel. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2012-10-04.

Phase change memory with conductive bridge filament

Номер патента: US20210050518A1. Автор: Takashi Ando,Guy M. Cohen,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-02-18.

Phase-change memory with multiple polarity bits having enhanced endurance and error tolerance

Номер патента: US20130215677A1. Автор: Jin-Ki Kim,Peter B. Gillingham,William F. Petrie. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2013-08-22.

Phase-change memory with multiple polarity bits having enhanced endurance and error tolerance

Номер патента: US8780622B2. Автор: Jin-Ki Kim,Peter B. Gillingham,William F. Petrie. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2014-07-15.

Content-addressable memory having phase change material devices

Номер патента: US20070097740A1. Автор: Colin Murphy,Narbeh Derhacobian. Владелец: Cswitch Corp. Дата публикации: 2007-05-03.

Ternary content addressable memory using phase change devices

Номер патента: EP2368249A1. Автор: Chung Hon Lam,Bipin Rajendran,Robert Kevin Montoye,Brian Ji. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-09-28.

Ternary content addressable memory using phase change devices

Номер патента: WO2010100000A1. Автор: Chung Hon Lam,Bipin Rajendran,Robert Kevin Montoye,Brian Ji. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2010-09-10.

Integrated circuit for programming a memory cell

Номер патента: US20100002498A1. Автор: Thomas Happ,Jan Boris Philipp. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2010-01-07.

Content-addressable memory having phase change material devices

Номер патента: WO2007056272A3. Автор: Narbeh Derhacobian,Colin N Murphy. Владелец: Colin N Murphy. Дата публикации: 2009-05-14.

Content-addressable memory having phase change material devices

Номер патента: WO2007056272A2. Автор: Narbeh Derhacobian,Colin N. Murphy. Владелец: Cswitch Corporation. Дата публикации: 2007-05-18.

Non-volatile logic device based on phase-change magnetic materials and logic operation method thereof

Номер патента: US09543955B2. Автор: Yi Li,Xiangshui Miao,Yingpeng ZHONG. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-01-10.

Method to fabricate smooth-surfaced crystalline phase-change layer for atomic resolution storage device

Номер патента: US20020182363A1. Автор: Heon Lee,Robert Bicknell-Tassius. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2002-12-05.

Phase change memory devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US7599216B2. Автор: Yoon-Ho Khang,Dong-Seok Suh,Jin-seo Noh,Mi-Jeong Song,Vassili Leniachine. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-10-06.

Phase change of a recording layer under a temporary capping layer

Номер патента: EP1265235A3. Автор: Heon Lee,Robert Bicknell-Tassius. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-09-17.

Perpendicular magnetic recording head laminated with AFM-FM phase change material

Номер патента: US20120087042A1. Автор: Kunliang Zhang,Yuchen Zhou,Kenichi Takano,Moris Dovek,Joe Smyth,Kowang Liu,Liejie Guan. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2012-04-12.

Method of initializing phase-change optical disk and phase-change optical disk

Номер патента: US20010012262A1. Автор: Yutaka Kasami,Kazumine Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-09.

Phase-change optical information recording medium and information recording and reading method using the recording medium

Номер патента: US20050007938A1. Автор: Michiaki Shinotsuka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-13.

Phase-change optical information recording medium and information recording and reading method using the recording medium

Номер патента: US7048983B2. Автор: Michiaki Shinotsuka. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2006-05-23.

Set technique for phase change memory

Номер патента: US10884640B2. Автор: LU LIU,Sanjay Rangan,Hongmei Wang,Innocenzo Tortorelli,Enrico Varesi,Mattia Boniardi,Koushik Banerjee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-01-05.

Set technique for phase change memory

Номер патента: US20190102099A1. Автор: LU LIU,Sanjay Rangan,Hongmei Wang,Innocenzo Tortorelli,Enrico Varesi,Mattia Boniardi,Koushik Banerjee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Set technique for phase change memory

Номер патента: US20190324671A1. Автор: LU LIU,Sanjay Rangan,Hongmei Wang,Innocenzo Tortorelli,Enrico Varesi,Mattia Boniardi,Koushik Banerjee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Resistance change memory

Номер патента: US09741434B2. Автор: Akira Katayama,Masahiro Takahashi,Tsuneo Inaba,Dong Keun Kim,Ji Wang Lee,Byoung Chan Oh,Hyuck Sang YIM. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Resistance change memory

Номер патента: US09484091B2. Автор: Akira Katayama,Masahiro Takahashi,Dong Keun Kim,Byoung Chan Oh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Suppressing outlier drift coefficients while programming phase change memory synapses

Номер патента: GB2600890A. Автор: Burr Geoffrey. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-05-11.

Suppressing outlier drift coefficients while programming phase change memory synapses

Номер патента: WO2021038334A1. Автор: Geoffrey Burr. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2021-03-04.

Suppressing outlier drift coefficients while programming phase change memory synapses

Номер патента: US20210065794A1. Автор: Geoffrey Burr. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Resistance change memory

Номер патента: US09589621B2. Автор: Katsuyuki Fujita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Multi-function resistance change memory cells and apparatuses including the same

Номер патента: US09418734B2. Автор: Scott E. Sills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Resistance change memory

Номер патента: US20160155486A1. Автор: Mariko Iizuka,Kosuke Hatsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-06-02.

Resistance change memory

Номер патента: US09799385B2. Автор: Katsuyuki Fujita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Resistance change memory

Номер патента: US09552861B2. Автор: Mariko Iizuka,Kosuke Hatsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Resistance change memory

Номер патента: US09293171B2. Автор: Mariko Iizuka,Kosuke Hatsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-22.

Multi-function resistance change memory cells and apparatuses including the same

Номер патента: US09734906B2. Автор: Scott E. Sills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Resistance changing memory cell architecture

Номер патента: US20120051115A1. Автор: Masao Taguchi. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2012-03-01.

Nonvolatile phase change magnetic material, manufacturing method thereof, and nonvolatile phase change magnetic memory using the same

Номер патента: US8105704B2. Автор: Hidenori Takagi,Tomohiro Takayama. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2012-01-31.

Nonvolatile Phase Change Magnetic Material, Manufacturing Method Thereof, and Nonvolatile Phase Change Magnetic Memory Using the Same

Номер патента: US20080026257A1. Автор: Hidenori Takagi,Tomohiro Takayama. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2008-01-31.

Redundancy schemes for memory cell repair

Номер патента: US09911510B1. Автор: Young Suk Kim,Lalit Gupta,Fakhruddin Ali Bohra,Vivek Nautiyal,Pranay Prabhat,Jungtae Kwon,Shri Sagar Dwivedi,Satinderjit Singh. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Memory having p-type split gate memory cells and method of operation

Номер патента: US20090296491A1. Автор: Brian A. Winstead,Sung-taeg Kang,Cheong M. Hong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-03.

Reference voltage generator using flash memory cells

Номер патента: US5953256A. Автор: Michael S. Briner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-09-14.

Materials and components in phase change memory devices

Номер патента: US09741930B2. Автор: Davide Erbetta,Valter Soncini. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Single Crystal Phase Change Material

Номер патента: US20110108792A1. Автор: Alejandro G. Schrott,Chieh-Fang Chen,Chung Hon Lam. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-12.

Implementing enhanced performance with read before write to phase change memory to avoid write cancellations

Номер патента: US09471227B2. Автор: Robert Eugeniu Mateescu,Cyril Guyot,Dejan Vucinic. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Phase change memory cell including nanocomposite insulator

Номер патента: US7453081B2. Автор: Thomas Happ,Jan Boris Philipp. Владелец: Qimonda North America Corp. Дата публикации: 2008-11-18.

Odd/even invert coding for phase change memory with thermal crosstalk

Номер патента: US20170220266A1. Автор: Imtiaz Ahmad,Areej Helmi Hamouda,Mohammad Gh. Alfailakawi. Владелец: University of Kuwait. Дата публикации: 2017-08-03.

Detecting Unidirectional Resistance Drift Errors In A Multilevel Cell of a Phase Change Memory

Номер патента: US20160085617A1. Автор: Yan Solihin. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2016-03-24.

Odd/even invert coding for phase change memory with thermal crosstalk

Номер патента: US09891843B2. Автор: Imtiaz Ahmad,Areej Helmi Hamouda,Mohammad G H. Alfailakawi. Владелец: University of Kuwait. Дата публикации: 2018-02-13.

Resistance change memory

Номер патента: US20100046274A1. Автор: Yoshihiro Ueda,Kenji Tsuchida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-02-25.

Phase change memory device having carbon nano tube lower electrode material and method of manufacturing the same

Номер патента: US7589342B2. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-09-15.

Phase change liquid cooling heat dissipation device

Номер патента: EP4239671A1. Автор: Xin Nie,Ruohan Yang,Yongheng WANG. Владелец: Thero New Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-06.

The computer (1) during in operation gets heated up because of the rotating compounds. In existing cooling unit requires external power source to operate, which increase the cost for using that device. The present invention focuses on using phase change material which absorbs the heat during in operation and after operation phase change material starts cool. During cool it attains the real state of material, which doesn’t require any external power source. It obviously reduces the cost involved in the system as well as increase the life of the computers.

Номер патента: AU2020102051A4. Автор: Balaji Devarajan,Priya A. K.,Arulmurugan B.,Rajeshkumar L.,Priyadharshini Muthukrishnan,Bhuvaneswari Venkateswaran. Владелец: Venkateswaran Bhuvaneswari Mrs. Дата публикации: 2020-10-08.

Small electrode for phase change memories

Номер патента: US20090121212A1. Автор: Russell C. Zahorik. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-05-14.

Self-aligned nano-cross-point phase change memory

Номер патента: US20100163832A1. Автор: DerChang Kau. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2010-07-01.

Data recording method and device, and phase-change optical disc

Номер патента: EP1241665A3. Автор: Fumiya Ohmi. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-18.

Initialization of phase-change optical recording medium

Номер патента: EP1014353B1. Автор: Eiji Noda,Yuki Nakamura,Katsuyuki Yamada,Kenichi Aihara,Yujiro Kaneko,Michihisa Takahashi,Fumiya Ohmi,Kyohji Hattori,Yukio Die. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-16.

Method and apparatus for fabricating phase-change recording medium

Номер патента: EP1170740A3. Автор: Gian Anton Zardini,Eiji Hitachi Computer Peripherals Co. Ltd Sahota,Yasumi Hitachi Computer Horiguchi. Владелец: Pfeiffer Vacuum Systems (International) AG. Дата публикации: 2003-01-08.

Method and apparatus for fabricating phase-change recording medium

Номер патента: US20010054604A1. Автор: Eiji Sahota,Yasumi Horiguchi,Gian Zardini. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-27.

Sterile status indicator by means of phase change

Номер патента: US09789218B2. Автор: Corvin Motz,Gerold Zieris,Joachim Amann. Владелец: Aesculap AG. Дата публикации: 2017-10-17.

Phase-change material, memory unit and method for electrically storing/reading data

Номер патента: US20090185412A1. Автор: Sung-Li Wang,Chien-Yu Chen,Lung-Han Peng,Meng-Kuei Hsieh. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2009-07-23.

Optical data storage system with multiple rewritable phase change recording layers

Номер патента: US5761188A. Автор: Hal Jervis Rosen,Kurt Allan Rubin,Wade Wai-Chung Tang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1998-06-02.

Phase-change chamber with patterned regions of high and low affinity to a phase-change medium for electronic device cooling

Номер патента: US09685393B2. Автор: Bin Wang,Zhen Sun,Xiaodan Chen,Huihe Qiu. Владелец: Hong Kong University of Science and Technology HKUST. Дата публикации: 2017-06-20.

Phase change memory elements using energy conversion layers, memory arrays and systems including same, and methods of making and using same

Номер патента: US20120281466A1. Автор: Jun Liu,Mike Violette,Jon Daley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-08.

Method for making phase change memory

Номер патента: US8621746B2. Автор: Kai-Li Jiang,Shou-Shan Fan,Peng Liu,Qun-Qing Li. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-07.

Forming Heaters for Phase Change Memories

Номер патента: US20120121864A1. Автор: Silvia Borsari,Carla Maria Lazzari. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-05-17.

Method and apparatus for casting molten materials using phase-change material

Номер патента: US20020195733A1. Автор: John Cortum,Michael Mathiasmeier,Louis Stoecker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Delayed phase changing agent for invert emulsion drilling fluid

Номер патента: CA2514592C. Автор: Frank E. Evans,Robert L. Horton,Mark Luyster,Bethicia B. Prasek,Steve Mason,Taylor Green. Владелец: MI LLC. Дата публикации: 2010-03-23.

Phase change inks containing wax-soluble near-infrared dyes

Номер патента: US09738811B2. Автор: Jeffrey H. Banning,Stephan V. Drappel,Bo Wu,Jule W. Thomas, Jr.. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Gel comprising a phase-change material, method of preparing the gel, and thermal exchange implement comprising the gel

Номер патента: US09556373B2. Автор: Richard M. Formato,Dimitrios P. Bakllas. Владелец: Cold Chain Technologies LLC. Дата публикации: 2017-01-31.

Composition of microwavable phase change material

Номер патента: US9765201B2. Автор: Anil Kumar Mehta,Devendra Jain,Suman Kumari. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-09-19.

Apparatus and method for passive phase change thermal management

Номер патента: MY137459A. Автор: PULLEN David,Terrance J Dishongh,Damion T Searls. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-01-30.

Apparatus and method for passive phase change thermal management

Номер патента: EP1264343A2. Автор: Damion T. Searls,Terrance J. Dishongh,David H. Pullen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2002-12-11.

Phase change material based temperature sensor

Номер патента: US20090001336A1. Автор: Robert Mcmahon,Chung Hon Lam,Nazmul Habib. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-01.

Optical phase change apparatus and method of changing a phase of an optical signal

Номер патента: US20240348336A1. Автор: Jonathan Lavoie,Leonhard NEUHAUS,Xiruo YAN,Luiz SACKNIES SILVA M VILLALOBOS. Владелец: Xanadu Quantum Technologies Lnc. Дата публикации: 2024-10-17.

Forced air cooling system with phase change material

Номер патента: US20190390096A1. Автор: Giti Karimi-Moghaddam,Pietro CAIROLI,Taosha Jiang. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2019-12-26.

Thermal management system including an elastically deformable phase change device

Номер патента: US09733680B1. Автор: Andrew Douglas Delano,David William Voth. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2017-08-15.

Ir photodetector with graphene and phase change layers and related methods

Номер патента: US20230082228A1. Автор: Michael N. Leuenberger,Muhammad Waqas Shabbir. Владелец: University of Central Florida Research Foundation Inc UCFRF. Дата публикации: 2023-03-16.

Optoelectronic device using a phase change material

Номер патента: EP3622556A1. Автор: Syed Ghazi Sarwat,Harish Bhaskaran,Gerardo Rodriguez HERNANDEZ. Владелец: Oxford University Innovation Ltd. Дата публикации: 2020-03-18.

Optoelectronic device using a phase change material

Номер патента: WO2018206919A1. Автор: Syed Ghazi Sarwat,Harish Bhaskaran,Gerardo Rodriguez HERNANDEZ. Владелец: Oxford University Innovation Ltd. Дата публикации: 2018-11-15.

Switch based on a phase change material

Номер патента: US20240122083A1. Автор: Antonio Clemente,Bruno Reig,Cecilia Dupre,Benoit Charbonnier. Владелец: Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Altermatives. Дата публикации: 2024-04-11.

Phase change heat storage rubber, method for preparing the same, and using method thereof

Номер патента: US20220081601A1. Автор: Liqiang Zhang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-03-17.

Method and system for mitigating write amplification in a phase change memory-based storage device

Номер патента: WO2019010044A1. Автор: Shu Li,Ping Zhou. Владелец: ALIBABA GROUP HOLDING LIMITED. Дата публикации: 2019-01-10.

Phase change memory cell with projection liner

Номер патента: GB2616808A. Автор: OK Injo,Bhosale Prasad,Bao Ruqiang,Saulnier Nicole,Herbert Simon Andrew,Brew Kevin,Rashid Saraf Iqbal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Phase change memory unit and phase change memory

Номер патента: EP4391016A1. Автор: Xiang Li,Hao Tong,Xin Chen,Ping Ma,Yanrong GUO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Phase change memory cell with projection liner

Номер патента: WO2022123367A1. Автор: Ruqiang Bao,Injo OK,Nicole Saulnier,Kevin BREW,Prasad Bhosale,Iqbal Rashid Saraf,Andrew Herbert Simon. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2022-06-16.

Phase change storage unit and phase change memory

Номер патента: US20240268242A1. Автор: Xiang Li,Hao Tong,Xin Chen,Ping Ma,Yanrong GUO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Thermal energy storage with phase change materials having an adjustable transition temperature

Номер патента: US20230187686A1. Автор: Gao Liu,Ravi Prasher,Joseph Papp,Jonathan Lau,Sumanjeet Kaur,Christopher Dames,Drew Lilley,Piyachai Khomein. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2023-06-15.

Phase-change microcapsule, separator, electrode plate, battery, and electrical device

Номер патента: EP4262006A1. Автор: Shaojun Niu,Fengsheng Han. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-18.

Phase-change microcapsule, separator, electrode plate, battery, and electrical device

Номер патента: US20230395903A1. Автор: Shaojun Niu,Fengsheng Han. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor photonic devices using phase change materials

Номер патента: US20190339585A1. Автор: John Heck,Haisheng Rong,Charles Dennison,DerChang Kau,Harel Frish,Jeffrey Driscoll,George A. GHIURCAN,Jonathan K. Doylend,Michael E. Favaro. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

Phase change flame retardant fiber material and preparation method for thermal management of lithium-ion battery in enclosed space

Номер патента: US20230340702A1. Автор: Fan Yi,Peng Dong,Zhirong Wang,Junling Wang,Yuxin Zhou,Wenxi Wang,Yuhui Xia,Haoze Yang. Владелец: NANJING TECH UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-10-26.

Heat sink with internal chamber for phase change material

Номер патента: WO2020148728A1. Автор: Salah Addin Burhan Al Omari. Владелец: UNITED ARAB EMIRATES UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-07-23.

Multifunctional composite phase change material supported by nickel-plated foam and mxene collaboratively, and preparation method thereof

Номер патента: NL2033966A. Автор: XUE Bai,Cheng Ziling. Владелец: Univ Guizhou. Дата публикации: 2023-03-07.

Multifunctional composite phase change material supported by nickel-plated foam and mxene collaboratively, and preparation method thereof

Номер патента: NL2033966B1. Автор: XUE Bai,Cheng Ziling. Владелец: Univ Guizhou. Дата публикации: 2023-07-28.

Phase-Change emulsion heat-transfer medium, preparation method therefor, and battery heat management system

Номер патента: GB2595152A. Автор: Zhang Zhengguo,FANG Xiaoming,Wang Fangxian,Ling Ziye. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2021-11-17.

Calibration and control system for a climate system utilizing closed loop feedback and a phase change cell

Номер патента: US09909935B1. Автор: Rachele Barbara Cocks,Michael Terry Biers,Joseph David Bender,Dominick Samuel Lee,John Russell Holder. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2018-03-06.

Filter support with a phase-changing medium

Номер патента: EP2732261A1. Автор: Menno Willem Jose Prins,Mikhail Mikhaylovich Ovsyanko,Arie Rombertus Van Doorn,Freek VAN HEMERT. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2014-05-21.

Inspection apparatus for thermo-hygrometer based on phase change and methods for controlling and inspecting the same

Номер патента: US09846262B2. Автор: Jong Cheol Kim,Sang Wook Lee,Yong-Gyoo Kim,Byung Il Choi,Sang Bong WOO. Владелец: Korea Research Institute of Standards and Science KRISS. Дата публикации: 2017-12-19.

Thermal control using phase-change material

Номер патента: WO2017192235A1. Автор: Philip Campbell,Larry W. Akers,Joseph F. Wrinn,David GRAZIOSE. Владелец: Teradyne, Inc.. Дата публикации: 2017-11-09.

Method for reducing rub-off from a toner image using a phase change composition with a rotary brush

Номер патента: US20030030711A1. Автор: John Crichton,Dana Marsh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-13.

Phase change material in substrate cavity

Номер патента: US20200118990A1. Автор: Cheng Xu,YING Wang,Chong Zhang,Junnan Zhao,Yikang Deng,Zhimin Wan,Kyu-Oh Lee,Chandra Mohan M. Jha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Battery pack with phase change material

Номер патента: US09742047B2. Автор: Troy C. Thorson,Michael Kolden,Jeremy R. Ebner,Cameron R. Schulz,Todd M. Gehring. Владелец: Milwaukee Electric Tool Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Thermal management in electronic apparatus with phase-change material and silicon heat sink

Номер патента: US09502740B2. Автор: Gerald Ho Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-22.

Battery package filled with phase change material and battery using the same

Номер патента: US09401500B2. Автор: Chi Hoon Choi,Jin Woo Kwak,Kyong Hwa Song,Han Saem Lee,Byung Sam Choi. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2016-07-26.

Three-dimensional phase-change memory and methods

Номер патента: WO2024098376A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Advanced Memory Industrial Innovation Center Co., Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Pouch with thermal insulator and phase change material

Номер патента: WO2024081081A1. Автор: Erica Viola Lewis,Nigel Adrien Myers,Mark Daniel Goldman,Jason Jaspreet Singh HAER. Владелец: Lunar Energy, Inc.. Дата публикации: 2024-04-18.

Resolving doppler unambiguity in tdm-mimo radars based on spatial phase change rate

Номер патента: US20240103128A1. Автор: Mattias Simonsson,Anders MANNESSON,Stefan Adalbjörnsson,Anders LLOYD,Bertil Roslund. Владелец: AXIS AB. Дата публикации: 2024-03-28.

Pouch with thermal insulator and phase change material

Номер патента: US12051792B2. Автор: Erica Viola Lewis,Nigel Adrien Myers,Mark Daniel Goldman,Jason Jaspreet Singh HAER. Владелец: Lunar Energy Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Pouch with thermal insulator and phase change material

Номер патента: US11735786B1. Автор: Erica Viola Lewis,Nigel Adrien Myers,Mark Daniel Goldman,Jason Jaspreet Singh HAER. Владелец: Lunar Energy Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Photoresponsive, form-stable phase change composites and photodetectors made therefrom

Номер патента: US09834714B2. Автор: Zhenqiang Ma,Shaoqin GONG,Yunming Wang,Hongyi Mi. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2017-12-05.

Resolving doppler unambiguity in TDM-MIMO radars based on spatial phase change rate

Номер патента: US12146981B2. Автор: Mattias Simonsson,Anders MANNESSON,Stefan Adalbjörnsson,Anders LLOYD,Bertil Roslund. Владелец: AXIS AB. Дата публикации: 2024-11-19.

Phase-change metasurface for programmable waveguide mode conversion

Номер патента: WO2021216282A1. Автор: Mo Li,Changming Wu. Владелец: UNIVERSITY OF WASHINGTON. Дата публикации: 2021-10-28.

Image transfer product including a phase change material

Номер патента: EP3259645A1. Автор: Samuel R. Shuman,Peter Asplund,Scott Bridges. Владелец: Day International Corp. Дата публикации: 2017-12-27.

Image transfer product including a phase change material

Номер патента: US20160238968A1. Автор: Samuel R. Shuman,Peter Asplund,Scott Bridges. Владелец: Day International Corp. Дата публикации: 2016-08-18.

Flexible, heat-conducting, insulating, and viscous phase change heat dissipation sheet, and preparation method therefor and battery thermal management system thereof

Номер патента: US20240213580A1. Автор: YI WU,Xiaoming Fang,Zhengguo Zhang,Ziye LING. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2024-06-27.

Phase Change Inhibited Materials for Lithium-ion Battery Cooling

Номер патента: AU2020100654A4. Автор: Dongya Lu,Qinglong Gong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-06-04.

Chalcogenide phase change material based all-optical switch and manufacturing method therefor

Номер патента: US11609443B2. Автор: Yi Wang,Hao Tong,Xiangshui Miao,Yitao LU. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-03-21.

Chalcogenide phase change material based all-optical switch and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200379276A1. Автор: Yi Wang,Hao Tong,Xiangshui Miao,Yitao LU. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2020-12-03.

Cooling fin using phase change material and battery module including the same

Номер патента: US20240213570A1. Автор: Kihoon AHN. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Phase-change heat dissipater and power module

Номер патента: US20230360999A1. Автор: Hao Zheng,YE Yang,Nianan PAN,Jie Ding,Xiaohu Wang,Wentao Shu,Qiyao Zhu. Владелец: Sungrow Power Supply Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Battery with selective phase change features

Номер патента: AU2024220103A1. Автор: Lewis Romeo Hom. Владелец: Wisk Aero LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Image transfer product including a phase change material

Номер патента: US09835986B2. Автор: Samuel R. Shuman,Peter Asplund,Scott Bridges. Владелец: Day International Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Phase change ink for ophthalmic lens marking

Номер патента: US09567472B2. Автор: Bo Wu,Jule W. Thomas, Jr.. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Thermal energy storage, dissipation and EMI suppression for integrated circuits using porous graphite sheets and phase change material

Номер патента: US09501112B2. Автор: Mark Gallina,Steven Lofland,Daryl Nelson,Kevin Daniel,Daniel Chiang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Water dispersible phase change ink suitable for use as a photo-mask

Номер патента: US09481803B2. Автор: Bo Wu,Jule W. Thomas, Jr.. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Encapsulated phase change porous layer

Номер патента: US20200258811A1. Автор: Shailesh N. Joshi. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2020-08-13.

Spatial light modulator using phase-change materials with improved fill factor

Номер патента: US11808937B1. Автор: Jeong-Sun Moon,Kyung-Ah Son,Hwa Chang Seo,Kangmu Lee. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2023-11-07.

Composite phase change material

Номер патента: CA2812332C. Автор: Dezhong Yang,Hao Du,Jianjun Shuang. Владелец: Chevron HK Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Phase-change materials and optical limiting devices utilizing phase-change materials

Номер патента: WO2010141168A1. Автор: Anthony Bresenhan Kaye,Richard Forsberg Haglund. Владелец: ITT Manufacturing Enterprises, Inc.. Дата публикации: 2010-12-09.

A composite phase change material

Номер патента: GB2501393A. Автор: Dezhong Yang,Hao Du,Jianjun Shuang. Владелец: Chevron HK Ltd. Дата публикации: 2013-10-23.

Phase change switch with multi face heater configuration

Номер патента: US11563174B2. Автор: Hans Taddiken,Hans-Dieter Wohlmuth,Christoph Glacer,Matthias Markert,Christoph Kadow,Dominik Heiss,Martin Bartels. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-01-24.

Phase Change Switch with Multi Face Heater Configuration

Номер патента: US20210320250A1. Автор: Hans Taddiken,Hans-Dieter Wohlmuth,Christoph Glacer,Matthias Markert,Christoph Kadow,Dominik Heiss,Martin Bartels. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-10-14.

Switch based on phase-change material

Номер патента: US20240186090A1. Автор: Bruno Reig,Stephane Monfray,Alain Fleury,Frederic Gianesello,Philippe Cathelin,Vincent Puyal. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-06-06.

Vertical 3d pcm memory cell and program read scheme

Номер патента: WO2022104591A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Advanced Memory Industrial Innovation Center Co., Ltd. Дата публикации: 2022-05-27.

Methods Of Forming An Array Of Elevationally-Extending Strings Of Memory Cells Individually Comprising A Programmable Charge-Storage Transistor

Номер патента: US20190206884A1. Автор: Joseph Neil Greeley,Tom J. John,Wei Yeeng Ng,Ian Laboriante,Ho Yee Hui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

A modular phase change material system

Номер патента: GB201115174D0. Автор: . Владелец: Dublin Institute of Technology. Дата публикации: 2011-10-19.

Heat supply system coupling passive phase change energy storage sunlight room and air source heat pump

Номер патента: US20240263806A1. Автор: Jing Zhao,Dehan LIU,Shilei LYU. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-08-08.

Heat supply system coupling passive phase change energy storage sunlight room and air source heat pump

Номер патента: US12130022B2. Автор: Jing Zhao,Dehan LIU,Shilei LYU. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-10-29.

Systems and methods of using phase change material in power plants

Номер патента: US09476648B2. Автор: Ying Sun,Matthew McCarthy,Young I. Cho,Qinghua Xie,Baolan Shi,Han Hu,Philipp Boettcher. Владелец: DREXEL UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-10-25.

Phase change initiator for use with an exothermic phase change material

Номер патента: WO2010089586A2. Автор: Richard Thom,Jim Shaikh,Adam Kyte. Владелец: Feed Me Bottles Ltd. Дата публикации: 2010-08-12.

Multi-component phase change material flame retardant, method for preparing, and application thereof

Номер патента: US20240327711A1. Автор: Li He,Dan Wang,Guolin Liu,Fei REN,Congling Shi,Honglei Che,Xiaodong QIAN,Jingyun JING,Mei Wan. Владелец: China Academy of Safety Science and Technology CASST. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for producing crockery filled with phase-change material

Номер патента: EP3860407A1. Автор: Karim Redjal. Владелец: PROMECO NV. Дата публикации: 2021-08-11.

Method for producing crockery filled with phase-change material

Номер патента: WO2020070709A1. Автор: Karim Redjal. Владелец: PROMECO NV. Дата публикации: 2020-04-09.

High-efficient central chiller plant system with variable load by phase change material thermal energy storage

Номер патента: US12055303B2. Автор: Kam Biu Richard CHAN. Владелец: Boca International Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Process for preparing phase change microcapsule having thermally conductive shell

Номер патента: US09480960B2. Автор: Yi-Hsiuan Yu,Yen-Feng Shih,Hou-An Hsieh,Yen-Lin Tseng. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2016-11-01.

Solar phase-change energy storage heating ventilation partition wall and modular heating system thereof

Номер патента: US20230417425A1. Автор: Jing Zhao,Dehan LIU,Shilei LYU. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-12-28.

Thermal energy storage system combining sensible heat solid material and phase change material

Номер патента: US20160201995A1. Автор: Oriol LEHMKUHL BARBA,Carlos David PÉREZ SEGARRA,Joaquim RIGOLA SERRANO,Jesús CASTRO GONZÁLEZ,Carles OLIET CASASAYAS,Ivette RODRÍGUEZ PÉREZ,Xavi TRIAS MIQUEL,Roser CAPDEVILA PARAMIO,Ramiro ALBA QUEIPO,Manuel Miguel ORDOÑO MARTÍNEZ,Asensi OLIVA LLENA,Pedro Andrés GALIONE KLOT. Владелец: Universitat Politecnica de Catalunya UPC. Дата публикации: 2016-07-14.

Thermal energy storage system combining sensible heat solid material and phase change material

Номер патента: US09841243B2. Автор: Oriol LEHMKUHL BARBA,Carlos David PÉREZ SEGARRA,Joaquim RIGOLA SERRANO,Jesús CASTRO GONZÁLEZ,Carles OLIET CASASAYAS,Ivette RODRÍGUEZ PÉREZ,Xavi TRIAS MIQUEL,Roser CAPDEVILA PARAMIO,Ramiro ALBA QUEIPO,Manuel Miguel ORDOÑO MARTÍNEZ,Asensi OLIVA LLENA,Pedro Andrés GALIONE KLOT. Владелец: Universitat Politecnica de Catalunya UPC. Дата публикации: 2017-12-12.

Gel comprising a phase-change material, method of preparing the gel, thermal exchange implement comprising the gel, and method of preparing the thermal exchange implement

Номер патента: US09598622B2. Автор: Richard M. Formato,Dimitrios P. Bakllas,Amrut N. Biswal. Владелец: Cold Chain Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-21.

Solid state martensitic transformation phase change material components for thermal energy storage and transient heat transfer systems

Номер патента: US12071583B2. Автор: Brian Donovan,Darin J. Sharar,Ronald Warzoha. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 2024-08-27.

Phase change materials (pcms) with solid to solid transitions

Номер патента: WO2020161507A1. Автор: David Oliver,Andrew John Bissell,Colin Richard Pulham,Rowan Clark,Hannah Logan. Владелец: SUNAMP LIMITED. Дата публикации: 2020-08-13.

Phase change materials (pcms) with solid to solid transitions

Номер патента: EP3921383A1. Автор: David Oliver,Andrew John Bissell,Colin Richard Pulham,Rowan Clark,Hannah Logan. Владелец: Sunamp Ltd. Дата публикации: 2021-12-15.

Phase change materials (pcms) with solid to solid transitions

Номер патента: CA3128739A1. Автор: David Oliver,Andrew John Bissell,Colin Richard Pulham,Rowan Clark,Hannah Logan. Владелец: Sunamp Ltd. Дата публикации: 2020-08-13.

Phase change materials (pcms) with solid to solid transitions

Номер патента: US20220195281A1. Автор: David Oliver,Andrew John Bissell,Colin Richard Pulham,Rowan Clark,Hannah Logan. Владелец: Sunamp Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Chemical phase change heat stores

Номер патента: WO1985000214A1. Автор: Norman A. Dutton,Richard J. Howling. Владелец: Lingard Engineering Limited. Дата публикации: 1985-01-17.

Wind turbine nacelle with phase change material which controls temperature using AI

Номер патента: AU2021102254A4. Автор: Mohanraj A.,Selvakumar A.,Balaji Devarajan,Bharathi E.,Ghayathri J.,Jagan Raj Jayapandiyan,Venkatesan M.,Gopinath P.,Murugesan P.,Meenakshi Devi P.,Mani R.,Vasanthakumar R.,Karthigai S.,Prasath S.,Rajakumareswaran V.. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-06-17.

Heating and cooling systems and apparatuses with phase change materials

Номер патента: US11994348B2. Автор: Erik HATFIELD,Daniel Larsen,Hannah MALLALIEU,Jordan KENNIE. Владелец: Stash Energy Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Degradable, biodegradable, and/or compostable packages containing phase change material

Номер патента: WO2022251336A1. Автор: Reyad I. Sawafta,Byron C. OWENS. Владелец: Phase Change Energy Solutions, Inc.. Дата публикации: 2022-12-01.

A phase change material composition and method of preparation thereof

Номер патента: US20210292629A1. Автор: Tao Tang,Qiang Zhu,Jian Wei Xu,Ying YingLesley LOW,Xian Yun Debbie SOO. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2021-09-23.

Phase change material

Номер патента: US20230265332A1. Автор: LIN Cong,Yulong Ding,Derek Chapman,Boyang ZOU. Владелец: Hubbard Products Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Phase-change heat exchanger and heat exchange core thereof

Номер патента: AU2023201948B2. Автор: Hao Zheng,YE Yang,Xiaohu Wang,Wentao Shu,Lele TAN. Владелец: Sungrow Power Supply Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Insulated chamber with phase change material

Номер патента: US09927169B2. Автор: Milton F Baker,Dale C Barnett,Robert W Dotterer,David N Figel,Stephen C Keiser. Владелец: CARON PRODUCTS AND SERVICES Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Phase change material evaporator charging control

Номер патента: US09464837B2. Автор: Mingyu Wang,Prasad S. Kadle,Edward Wolfe, IV. Владелец: MAHLE International GmbH. Дата публикации: 2016-10-11.

Phase change heat exchanger

Номер патента: US5220954A. Автор: William J. Longardner,Robert L. Longardner. Владелец: Shape Inc. Дата публикации: 1993-06-22.

Ultra-low temperature phase change gel

Номер патента: US20230028657A1. Автор: Tao Tang,Xiaoshan FAN. Владелец: Pregis New Materials Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Shape-stabilized phase change materials for energy storage

Номер патента: US20210102106A1. Автор: Mohammad Mizanur Rahman,Md. Hasan Zahir,Mohammed Mozahar HOSSAIN,Salhi BILLEL. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2021-04-08.

Modular passive solar energy heating unit employing phase change heat storage material state

Номер патента: CA1209429A. Автор: Douglas C. Taff,Robert B. Holdridge. Владелец: Individual. Дата публикации: 1986-08-12.

Phase change memory cell with heat shield

Номер патента: US20140252294A1. Автор: Chung H. Lam,Alejandro G. Schrott,Matthew J. BrightSky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Phase change memory and method for making the same

Номер патента: US20220231224A1. Автор: Zhitang Song,Sannian Song. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2022-07-21.

Phase change memory cell with improved phase change material

Номер патента: US20150048291A1. Автор: Simone Raoux,Huai-Yu Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-19.

Phase change memory cells

Номер патента: US09773977B2. Автор: Roberto Bez,Damon E. Van Gerpen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Phase change memory cell with improved phase change material

Номер патента: US09653683B2. Автор: Simone Raoux,Huai-Yu Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Phase Change Memory Cells And Methods Of Forming Phase Change Memory Cells

Номер патента: US20140252302A1. Автор: Damon E. Van Gerpen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-09-11.

Phase-change memory cell implant for dummy array leakage reduction

Номер патента: US9837604B2. Автор: Max F. Hineman,Ugo Russo,Lequn J. Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Phase-change memory cell implant for dummy array leakage reduction

Номер патента: EP3238283A1. Автор: Max F. Hineman,Ugo Russo,Lequn J. Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-01.

Phase-change memory cell implant for dummy array leakage reduction

Номер патента: US20160181324A1. Автор: Max F. Hineman,Ugo Russo,Lequn J. Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Phase-change memory cell implant for dummy array leakage reduction

Номер патента: WO2016105750A1. Автор: Max F. Hineman,Ugo Russo,Lequn J. Liu. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-06-30.

Phase-change memory cell implant for dummy array leakage reduction

Номер патента: US20170125671A1. Автор: Max F. Hineman,Ugo Russo,Lequn J. Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-04.

Three terminal phase change memory with self-aligned contacts

Номер патента: US12108692B2. Автор: TIAN Shen,Jingyun Zhang,Heng Wu,Kevin W. Brew. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Phase-change memory cell implant for dummy array leakage reduction

Номер патента: US09559146B2. Автор: Max F. Hineman,Ugo Russo,Lequn J. Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Short bridge phase change memory cells and method of making

Номер патента: US20090289243A1. Автор: Song S. Xue,Haiwen Xi. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2009-11-26.

Method for forming pcm and rram 3-d memory cells

Номер патента: US20170133435A1. Автор: Daniel Robert SHEPARD. Владелец: HGST Inc. Дата публикации: 2017-05-11.

Phase-change memory cell, and method for manufacturing the phase-change memory cell

Номер патента: US09991316B2. Автор: Carlo Luigi PRELINI,Paola Zuliani,Gianluigi CONFALONIERI,Annalisa GILARDINI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for forming PCM and RRAM 3-D memory cells

Номер патента: US09837472B2. Автор: Daniel Robert SHEPARD. Владелец: HGST Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for forming PCM and RRAM 3-D memory cells

Номер патента: US09570516B2. Автор: Daniel Robert SHEPARD. Владелец: HGST Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Phase change memory cell and phase change memory

Номер патента: US20150318469A1. Автор: Kai-Li Jiang,Shou-Shan Fan,Peng Liu,Qun-Qing Li. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-05.

Phase change memory cell and phase change memory

Номер патента: US09419216B2. Автор: Kai-Li Jiang,Shou-Shan Fan,Peng Liu,Qun-Qing Li. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Metal oxide liner for cross-point phase change memory cell

Номер патента: US20220102625A1. Автор: Rajesh Venkatasubramanian,Hari Chandrasekaran,Hoi-sung Chung. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Metal nitride keyhole or spacer phase change memory cell structures

Номер патента: US09627612B2. Автор: Chung Hon Lam,Sangbum Kim,Matthew Joseph BrightSky,Norma Edith Sosa Cortes. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Self-aligned embedded phase change memory cell

Номер патента: US20200161370A1. Автор: Charles C. Kuo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Phase change memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100059731A1. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-11.

Phase change memory cell with superlattice based thermal barrier

Номер патента: US20230077912A1. Автор: Takashi Ando,Kevin W. Brew,Praneet Adusumilli,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-16.

Method for fabricating a phase-change memory cell

Номер патента: US20190006421A1. Автор: Fabio Pellizzer,Michele Magistretti,Cristina Casellato,Monica Vigilante. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-03.

Phase-change memory

Номер патента: US20240276894A1. Автор: Philippe Boivin,Roberto Simola,Yohann MOUSTAPHA-RABAULT. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2024-08-15.

Electrode recessed phase change memory pore cell

Номер патента: US20230189670A1. Автор: Wanki Kim,Robert L. Bruce,Chung Hon Lam,Fabio Carta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Method for fabricating a phase-change memory cell

Номер патента: US20150357563A1. Автор: Fabio Pellizzer,Michele Magistretti,Cristina Casellato,Monica Vigilante. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

Thermally optimized phase change memory cells and methods of fabricating the same

Номер патента: US09698346B2. Автор: Andrea Redaelli,Mattia Boniardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Fabrication of phase change memory cell in integrated circuit

Номер патента: US20200295261A1. Автор: Chih-Chao Yang,Baozhen Li,Barry Linder,Andrew Tae Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Phase change memory structure having low-k dielectric heat-insulating material and fabrication method thereof

Номер патента: US20130175493A1. Автор: Zhitang Song,Liangcai Wu,Songlin Feng. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2013-07-11.

Phase change memory and method of fabricating the same

Номер патента: US20200373483A1. Автор: Ming-Feng Chang,Tzu-Hao YANG,Sheng-Hung Cheng. Владелец: Jiangsu Advanced Memory Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Phase-change memory cell

Номер патента: US20180090542A1. Автор: Laurent Favennec,Emmanuel Gourvest,Yannick Le Friec. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2018-03-29.

Forming phase change memory cells

Номер патента: US20100163827A1. Автор: Fabio Pellizzer,Yudong Kim. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2010-07-01.

Hydrogen and Hydrocarbon Plasma Treatment of Phase Change Memory Material

Номер патента: US20240099163A1. Автор: Robert L. Bruce,John M. Papalia,Luxherta Buzi,Lynne Marie Gignac. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Phase change memory cell structures and methods

Номер патента: US20110291065A1. Автор: Joseph N. Greeley,Eugene P. Marsh,Timothy A. Quick. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

Phase change heterostructure, and phase change memory device including the same

Номер патента: US20240065118A1. Автор: Kiyeon YANG,Changseung LEE,Wooyoung Yang,Minwoo Choi,Hajun SUNG,Changyup Park,Youngjae Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Phase change memory cell having pillar bottom electrode with improved thermal insulation

Номер патента: WO2023066649A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-04-27.

Phase-change memory cell with mixed-material switchable region

Номер патента: US20240196766A1. Автор: Wanki Kim,Cheng-Wei Cheng,Robert L. Bruce,Guy M. Cohen,Asit Ray,Matthew Joseph BrightSky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Phase change memory cell having pillar bottom electrode with improved thermal insulation

Номер патента: EP4420497A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-28.

Graphene-inserted phase change memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09583702B2. Автор: Seunghyun Lee,Kenneth E. Goodson,Yongsung Kim,Scott Fong,Mehdi Asheghi,Eric Pop,H.-S. Philip Wong,Christopher M. Neumann,Aditya Sood,Chiyui Ahn. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2017-02-28.

Methods of manufacturing a phase change memory device including a heat sink

Номер патента: US09431610B2. Автор: Tae-Jin Park,Yoon-Jong Song,Chil-Hee Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Memory cell with post deposition method for regrowth of crystalline phase change material

Номер патента: US20130119339A1. Автор: Stephen M. Rossnagel,Chung H. Lam,Alejandro G. Schrott. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-16.

Small footprint phase change memory cell

Номер патента: US20140166967A1. Автор: Eric A. Joseph,Chung H. Lam,Hsiang-Lan Lung,Matthew J. Breitwisch. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-19.

Phase-change memory cell with mixed-material switchable region

Номер патента: WO2024120160A1. Автор: Wanki Kim,Cheng-Wei Cheng,Robert L. Bruce,Guy M. Cohen,Asit Ray,Matthew Joseph BrightSky. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-06-13.

Integrated phase change memory cell projection liner and etch stop layer

Номер патента: US20220165949A1. Автор: Robert L. Bruce,Kevin W. Brew,Injo OK,Nicole Saulnier,Matthew Joseph BrightSky,Iqbal Rashid Saraf. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Wafer bonded access device for multi-layer phase change memory using lock-and-key alignment

Номер патента: US20110049455A1. Автор: Kuan-Neng Chen,Matthew J. Breitwisch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-03-03.

3D phase change memory with high endurance

Номер патента: US09972660B2. Автор: Wanki Kim,Hsiang-Lan Lung,Chung Hon Lam,Matthew J. BrightSky. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Phase change memory with high endurance

Номер патента: US09793323B1. Автор: Wanki Kim,Hsiang-Lan Lung,Chung Hon Lam,Matthew J. BrightSky. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Heater for phase change material memory cell

Номер патента: US12150393B2. Автор: Victor W. C. Chan,Injo OK,Jin Ping HAN,Samuel Sung Shik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-11-19.

Boron Surface Passivation of Phase Change Memory Material

Номер патента: US20240099166A1. Автор: Robert L. Bruce,Marinus Johannes Petrus Hopstaken,Luxherta Buzi,Charlie Tabachnick. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Phase change memory cell sidewall heater

Номер патента: US20240107900A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Juntao Li,Ching-Tzu Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Phase change memory cell sidewall heater

Номер патента: WO2024060645A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Juntao Li,Ching-Tzu Chen. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-03-28.

Phase-change memory device with tapered thermal transfer layer

Номер патента: US20240237560A1. Автор: Yu-Wen Wang,Fu-Ting Sung,Tsung-Hsueh Yang,Chang-Chih Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of manufacturing phase change memory and phase change memory

Номер патента: US20210376237A1. Автор: Yu Zhu,Chung-Hon Lam,Kuo-Feng Lo. Владелец: Jiangsu Advanced Memory Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Double self-aligned phase change memory device structure

Номер патента: US09640757B2. Автор: Jun-Fei Zheng. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Vertical phase change bridge memory cell

Номер патента: US11683998B2. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-20.

Embedded heater in a phase change memory material

Номер патента: US11910731B2. Автор: Robert L. Bruce,Ching-Tzu Chen,Jin Ping HAN,Philip Joseph Oldiges. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Phase-change memory cell, and method for manufacturing the phase-change memory cell

Номер патента: US20170373120A1. Автор: Carlo Luigi PRELINI,Paola Zuliani,Gianluigi CONFALONIERI,Annalisa GILARDINI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-12-28.

Embedded heater in a phase change memory material

Номер патента: EP4292141A1. Автор: Robert Bruce,Jin-Ping Han,Ching-Tzu Chen,Philip Joseph Oldiges. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-20.

Phase change memory cell with resistive liner

Номер патента: WO2022207630A3. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li,Zuoguang Liu. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2022-11-10.

Phase change memory cell with resistive liner

Номер патента: CA3207064A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li,Zuoguang Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-10-06.

Methods of manufacturing a phase change memory device

Номер патента: US20140004680A1. Автор: Seong-Ho EUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-02.

Phase change memory cell with sidewall projection liner

Номер патента: EP4410076A1. Автор: Andrew Simon,Injo OK,Kevin BREW,Matthew T. Shoudy,Timothy Philip. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

Method and structure for peltier-controlled phase change memory

Номер патента: WO2006121473A1. Автор: Lia Krusin-Elbaum,Dennis M. Newns. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2006-11-16.

Superlattice phase-change thin film with low density change, phase-change memory and preparation method therefor

Номер патента: US20220344584A1. Автор: MENG Xu,Ming Xu,Xiaomin Cheng,Xiangshui Miao,Jinlong Feng. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2022-10-27.

Phase change memory cell with spacer

Номер патента: WO2023021178A1. Автор: Andrew Simon,Muthumanickam Sankarapandian,Injo OK,Nicole Saulnier,Steven McDermott,Iqbal SARAF. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2023-02-23.

Phase change memory cell with spacer

Номер патента: EP4388835A1. Автор: Andrew Simon,Muthumanickam Sankarapandian,Injo OK,Nicole Saulnier,Steven McDermott,Iqbal SARAF. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-26.

Phase change memory element

Номер патента: US09847479B2. Автор: Frederick T. Chen,Ming-Jinn Tsai. Владелец: Gula Consulting LLC. Дата публикации: 2017-12-19.

Method of manufacturing a phase change memory device

Номер патента: US20150364678A1. Автор: Sung-Lae Cho,Dong-ho Ahn,Jung-Hwan Park,Hideki Horii,Jeong-hee Park,Zhe Wu,Jun-Ku Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-12-17.

Bridge cell phase change memory

Номер патента: US20230200266A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Electronic chip with two phase change memories

Номер патента: US20230309423A1. Автор: Remy Berthelon,Franck Arnaud. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-09-28.

Planarization stop layer in phase change memory integration

Номер патента: US20110062559A1. Автор: Yu Zhu,Matthew J. Breitwisch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-03-17.

Phase change memory structure to reduce leakage from the heating element to the surrounding material

Номер патента: US09660188B2. Автор: Shih-Chang Liu,Chern-Yow Hsu,Chang-Ming Wu,Po-ken Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Electrode configurations to increase electro-thermal isolation of phase-change memory elements and associated techniques

Номер патента: US09608042B2. Автор: Sanjay Rangan,Max F. Hineman,Giulio Albini,Fabio Pellizzer,Stephen W. Russell. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Barrier film techniques and configurations for phase-change memory elements

Номер патента: US09419212B2. Автор: Dale W. Collins,Allen Mcteer,Christopher W. Petz,Yongjun J. Hu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Phase change memory with gradual conductance change

Номер патента: US20200219933A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

Phase-change memory cell with reduced heater size

Номер патента: US20230292637A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Applying inert ion beam etching for improving a profile and repairing sidewall damage for phase change memory devices

Номер патента: US20230165169A1. Автор: Robert L. Bruce,Sebastian Ulrich Engelmann,Luxherta Buzi,Lynne Marie Gignac,Thitima Suwannasiri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8999745B2. Автор: Il Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-07.

Phase change memory device based on nano current channel

Номер патента: US11765987B2. Автор: Han Li,Xiaomin Cheng,Xiangjun Liu,Xiangshui Miao,Yuntao ZENG,Yunlai ZHU. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-09-19.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20150179929A1. Автор: Il Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Phase change memory device capable of satisfying reset current characteristic and contact resistance characteristic

Номер патента: US20100117044A1. Автор: Hye Jin Seo,Keum Bum Lee,Hyung Suk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-05-13.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20140166964A1. Автор: Il Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-19.

Phase change memory device

Номер патента: US20090194759A1. Автор: Chien-Min Lee,Chin-Fu Kao,Tsung-Shune Chin,Ming-Jinn Tsai. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2009-08-06.

Phase change material layers and phase change memory devices including the same

Номер патента: US20090179185A1. Автор: Matthias Wuttig,Yoon-Ho Khang,Cheol-Kyu Kim,Ki-Joon Kim,Dong-Seok Suh,Youn-Seon Kang,Tae-Yon Lee,Daniel Wamwangi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-07-16.

Phase change memory element

Номер патента: US09735352B2. Автор: Frederick T. Chen,Ming-Jinn Tsai. Владелец: Gula Consulting LLC. Дата публикации: 2017-08-15.

Phase change memory stack with treated sidewalls

Номер патента: US09673256B2. Автор: SHU QIN,Yongjun Jeff Hu,Tsz W. Chan,Everett Allen McTeer,Swapnil Lengade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US09640758B2. Автор: Il Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Phase change memory having a funnel-shaped heater and method of manufacturing the same

Номер патента: US09508927B1. Автор: Yu-Jen Lin,Yi-Fang Tao. Владелец: Ningbo Advanced Memory Technology Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Dual trench isolation for a phase-change memory cell and method of making same

Номер патента: US20020081807A1. Автор: Daniel Xu. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2002-06-27.

Memory cells with darlington pair bipolar junction transistor selector devices

Номер патента: US20240196628A1. Автор: Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Praneet Adusumilli,Fabio Carta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Methods of forming a phase change layer and methods of fabricating a phase change memory device including the same

Номер патента: US20130143380A1. Автор: Byoung-Deog Choi,Man-sug Kang,Jeong-hee Park,Doo-Hwan Park,Gyu-Hwan OH,Hye-Young Park,Jin-Ho Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-06.

Phase change memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12048258B2. Автор: Kuo-Chyuan Tzeng,Yuan-Tai Tseng,Chang-Chih Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Phase change memory and method of fabricating same

Номер патента: US20130048936A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Yeur-Luen Tu,Shih-Chang Liu,Tsun-Kai Tsao,Ming-Huei Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-02-28.

Phase change memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240349630A1. Автор: Kuo-Chyuan Tzeng,Yuan-Tai Tseng,Chang-Chih Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory cells, memory arrays, and methods of forming memory cells and arrays

Номер патента: US09484536B2. Автор: Fabio Pellizzer,Andrea Redaelli,Giorgio Servalli,Carmela Cupeta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Nonvolatile phase change memory cell having a reduced contact area

Номер патента: US7728318B2. Автор: Usha Raghuram,S. Brad Herner. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2010-06-01.

Phase change memory cell galvanic corrosion prevention

Номер патента: US11800817B2. Автор: Lawrence A. Clevenger,Hari Prasad Amanapu,Kevin W. Brew,Adra Carr,Injo OK,Nicole Saulnier,Prasad Bhosale,Steven Michael McDermott. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Post deposition method for regrowth of crystalline phase change material

Номер патента: EP2534710A1. Автор: Stephen M. Rossnagel,Alejandro G. Schrott,Lam H. Chung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-12-19.

Phase-change memory

Номер патента: US12004432B2. Автор: Philippe Boivin,Roberto Simola,Yohann MOUSTAPHA-RABAULT. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2024-06-04.

Phase change memory cell with heater

Номер патента: US20240130256A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li,Min Gyu Sung,Julien Frougier,Arthur Roy Gasasira. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Phase change memory cell with heater

Номер патента: WO2024083094A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li,Min Gyu Sung,Julien Frougier,Arthur Roy Gasasira. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-04-25.

Phase change memory with conductive rings

Номер патента: US20220416157A1. Автор: Carl Radens,Oscar van der Straten,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Juntao Li,Zuoguang Liu,Praneet Adusumilli,Arthur Gasasira. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Phase change memory structures

Номер патента: WO2009042293A1. Автор: Ramachandran Muralidhar,Rajesh A. Rao,Tushar P. Merchant. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2009-04-02.

Single mask adder phase change memory element

Номер патента: US20120168709A1. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Chung H. Lam,Matthew J. Breitwisch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Self-aligned small contact phase-change memory method and device

Номер патента: US20060124916A1. Автор: Hsiang Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-15.

Phase change memory devices and their methods of fabrication

Номер патента: US7598112B2. Автор: Jae-hee Oh,Jae-Hyun Park,Won-Cheol Jeong,Se-Ho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-10-06.

Phase change memory cell with ovonic threshold switch

Номер патента: US11910734B2. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Robert L. Bruce,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Phase change memory cell

Номер патента: GB2617734A. Автор: Mehta Sanjay,Sankarapandian Muthumanickam,OK Injo,Bao Ruqiang,Saulnier Nicole,Herbert Simon Andrew,Brew Kevin,Rashid Saraf Iqbal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-18.

Phase change memory cell with ovonic threshold switch

Номер патента: US20230309422A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Robert L. Bruce,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Post deposition method for regrowth of crystalline phase change material

Номер патента: WO2011100079A1. Автор: Stephen M. Rossnagel,Alejandro G. Schrott,Lam H. Chung. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2011-08-18.

Phase change memory and method of fabricating the same

Номер патента: US20200303638A1. Автор: Ming-Feng Chang,Tzu-Hao YANG,Sheng-Hung Cheng. Владелец: Jiangsu Advanced Memory Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Phase change memory with concentric ring-shaped heater

Номер патента: US20220416161A1. Автор: Carl Radens,Oscar van der Straten,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Juntao Li,Praneet Adusumilli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Phase change memory and method of fabricating the same

Номер патента: US10811607B2. Автор: Ming-Feng Chang,Tzu-Hao YANG,Sheng-Hung Cheng. Владелец: Jiangsu Advanced Memory Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-20.

Phase change memory cell with a wrap around and ring type of electrode contact and a projection liner

Номер патента: US20220181546A1. Автор: Muthumanickam Sankarapandian,Kevin W. Brew,Sanjay C. Mehta,Ruqiang Bao,Injo OK,Nicole Saulnier,Iqbal Rashid Saraf,Andrew Herbert Simon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-06-09.

Phase change memory with graded heater

Номер патента: US20220416162A1. Автор: Kevin W. Brew,Timothy Mathew Philip,Jin Ping HAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Graphene-inserted phase change memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20160276585A1. Автор: Seunghyun Lee,Kenneth E. Goodson,Yongsung Kim,Scott Fong,Mehdi Asheghi,Eric Pop,Christopher M. Neumann,Aditya Sood,Chiyui Ahn,H.S. Philip Wong. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2016-09-22.

Fabrication of phase change memory cell in integrated circuit

Номер патента: US20210020836A1. Автор: Chih-Chao Yang,Baozhen Li,Barry Linder,Andrew Tae Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Novel Nanocomposite Phase-Change Memory Materials and Design and Selection of the Same

Номер патента: US20220407001A1. Автор: Mo Li,Ichiro Takeuchi,Changming Wu,Heshan Yu,Aaron Gilad Kusne. Владелец: US Department of Commerce. Дата публикации: 2022-12-22.

3d phase change memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240224541A1. Автор: Zih-Song Wang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for vapor-phase growth of phase-change thin film, and device for vapor-phase growth of phase-change thin film

Номер патента: US20170125675A1. Автор: Takashi Kobayashi,Yoshihisa Fujisaki,Yoshitaka Sasago. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-05-04.

Phase change memory and method of fabricating the same

Номер патента: US7932102B2. Автор: Kyung-Chang Ryoo,Byung-Seo Kim,Yoon-Jong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-04-26.

Phase change memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120156840A1. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-21.

Methods of manufacturing phase-change memory device and semiconductor device

Номер патента: US20130102120A1. Автор: Hye Jin Seo,Keum Bum Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-04-25.

Phase change memory device

Номер патента: US20080067487A1. Автор: Tsuyoshi Kawagoe. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-03-20.

Phase change memory

Номер патента: US20110193047A1. Автор: Kyung-Chang Ryoo,Byung-Seo Kim,Yoon-Jong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-11.

Phase change memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110312149A1. Автор: Heon Yong Chang,Myoung Sub KIM,Gap Sok DO. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-12-22.

Method for vapor-phase growth of phase-change thin film, and device for vapor-phase growth of phase-change thin film

Номер патента: US09911916B2. Автор: Takashi Kobayashi,Yoshihisa Fujisaki,Yoshitaka Sasago. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Phase change memory and method of fabricating same

Номер патента: US09525130B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Yeur-Luen Tu,Shih-Chang Liu,Tsun-Kai Tsao,Ming-Huei Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Forming sublithographic heaters for phase change memories

Номер патента: US09412939B2. Автор: Gianpaolo Spadini,Jong-Won S. Lee. Владелец: Carlow Innovations LLC. Дата публикации: 2016-08-09.

Phase-change memory device having a barrier layer and manufacturing method

Номер патента: US7411208B2. Автор: Sung-Lae Cho,Kyung-Chang Ryoo,Young-Nam Hwang,Gwan-Hyeob Koh,Se-Ho Lee,Su-Youn Lee,Chang-Wook Jeong,Su-Jin Ahn,Bong-Jin Kuh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-12.

One-mask phase change memory process integration

Номер патента: WO2012019843A1. Автор: Chung Hon Lam,Matthew Joseph Breitwisch,Eric Andrew Joseph,Hasiang-Lan Lung. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2012-02-16.

Phase change memory structure comprising phase change alloy center-filled with dielectric material

Номер патента: US20130284999A1. Автор: Jun-Fei Zheng. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2013-10-31.

Integrated schottky diode phase change memory device

Номер патента: EP4256631A1. Автор: Lawrence Clevenger,Timothy Mathew Philip,Kevin BREW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-11.

Method of inducing crystallization of chalcogenide phase-change material and application thereof

Номер патента: US20220336743A1. Автор: Hao Tong,Xiangshui Miao,Ruizhe Zhao. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2022-10-20.

Phase-change memory structure and phase-change memory device including the same

Номер патента: US20240107778A1. Автор: Kiyeon YANG,Changseung LEE,Hajun SUNG,Dongho Ahn,Youngjae Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Write-Once Memory Array including Phase-Change Elements and Threshold Switch Isolation

Номер патента: US20100012918A1. Автор: Ward Parkinson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-21.

Commutator structure comprising several channels of phase change material and interdigitated control electrodes

Номер патента: US09934922B2. Автор: Bruno Reig,Damien Saint-Patrice,Gabriele Navarro,Alexandre Leon,Vincent Puyal. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-04-03.

Phase change memory and manufacturing method therefor

Номер патента: WO2004055916A3. Автор: Charles H Dennison. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2004-08-12.

Phase change memory unit and preparation method therefor

Номер патента: US20240065120A1. Автор: Ming Li,Min Zhong,Gaoming FENG. Владелец: Shanghai IC R&D Center Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Integrated schottky diode phase change memory device

Номер патента: WO2022117279A1. Автор: Lawrence Clevenger,Kevin BREW,Timothy Matthew PHILIP. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2022-06-09.

Phase Change Memory with Various Grain Sizes

Номер патента: US20140110656A1. Автор: Fu-Liang Yang,Tzyh-Cheang Lee,Chun-Sheng Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-04-24.

Lateral phase change memory cell

Номер патента: US20230309425A1. Автор: Kevin W. Brew,Ching-Tzu Chen,Timothy Mathew Philip,Injo OK,Jin Ping HAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Structure and method to form bi-layer composite phase-change-memory cell

Номер патента: US20200144501A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Myung-Hee Na,Injo OK,Nicole Saulnier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Integrated phase change memory cell projection liner and etch stop layer

Номер патента: GB2616551A. Автор: OK Injo,Saulnier Nicole,Wayne Brew Kevin,Rashid Saraf Iqbal,Joseph Brightsky Matthew,L Bruce Robert. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-13.

Confined bridge cell phase change memory

Номер патента: US11980111B2. Автор: Muthumanickam Sankarapandian,Kevin W. Brew,Injo OK,Nicole Saulnier,Andrew Herbert Simon,Steven Michael McDermott. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Heater for phase change material memory cell

Номер патента: US20240114807A1. Автор: Injo OK,Jin Ping HAN,Victor W.C. Chan,Samuel Sung Shik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Lateral phase change memory

Номер патента: US20110003454A1. Автор: Richard Dodge,Guy Wicker. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2011-01-06.

Method of manufacturing memory device and method of manufacturing phase-change memory device using the same

Номер патента: US20100197111A1. Автор: Hye Jin Seo,Keum Bum Lee,Hyung Suk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-08-05.

Memory devices including phase change material elements

Номер патента: US09748475B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2017-08-29.

Phase-change memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060006374A1. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-01-12.

Phase change memory cell spacer

Номер патента: US11930724B2. Автор: Muthumanickam Sankarapandian,Injo OK,Nicole Saulnier,Iqbal Rashid Saraf,Andrew Herbert Simon,Steven Michael McDermott. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-12.

Phase change memory cell with resistive liner

Номер патента: GB2619651A. Автор: Cheng Kangguo,Xie Ruilong,Li Juntao,Liu Zuoguang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-13.

Phase-change memory with an insulating layer on a cavity sidewall

Номер патента: US11800821B2. Автор: DANIEL Benoit,Philippe Boivin,Remy Berthelon. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-10-24.

Dome-shaped phase change memory mushroom cell

Номер патента: US20230413694A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li,Louis Zuoguang Liu,Arthur Roy Gasasira. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Dome-shaped phase change memory mushroom cell

Номер патента: WO2023248048A1. Автор: Kangguo Cheng,Louis Liu,Juntao Li,Arthur Gasasira. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2023-12-28.

Phase change memory cell resistive liner

Номер патента: US20220310913A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li,Zuoguang Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

Memory device including phase-change material

Номер патента: US20230380195A1. Автор: Kiyeon YANG,Changseung LEE,Dongho Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-23.

Method for forming a memory device with at least one memory cell, in particular a phase change memory cell, and memory device

Номер патента: US20070287251A1. Автор: Ulrike Gruening-Von Schwerin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-12-13.

Phase change memory cell with sidewall projection liner

Номер патента: WO2023052319A1. Автор: Andrew Simon,Injo OK,Kevin BREW,Matthew T. Shoudy,Timothy Philip. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2023-04-06.

Phase change memory cell resistive liner

Номер патента: WO2022207630A2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li,Zuoguang Liu. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2022-10-06.

Phase-change memory

Номер патента: US20200381617A1. Автор: DANIEL Benoit,Philippe Boivin,Remy Berthelon. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2020-12-03.

Method and structure for peltier-controlled phase change memory

Номер патента: EP1878064A1. Автор: Lia Krusin-Elbaum,Dennis M. Newns. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-01-16.

Multi-bit memory cell structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090146129A1. Автор: Kwang-Jeon Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-11.

Phase change memory with diodes embedded in substrate

Номер патента: US9276209B2. Автор: Fu-Liang Yang,ChiaHua Ho,Fang-Shi Jordan Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-01.

Phase-change memory and method of forming same

Номер патента: US12075713B2. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Phase change material switch with ovonic threshold switching material selector and methods for forming the same

Номер патента: US20240276893A1. Автор: Kuo-Pin Chang,Kuo-Ching Huang,Yu-Wei Ting,Hung-Ju Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory cell based on a phase-change material

Номер патента: US20240334712A1. Автор: DANIEL Benoit. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2024-10-03.

Phase-change memory and semiconductor recording/reproducing device

Номер патента: US09490428B2. Автор: Susumu Soeya,Toshimichi Shintani,Takahiro Odaka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Phase change memory unit and preparation method therefor

Номер патента: US20230363299A1. Автор: Ming Li,Min Zhong,Shoumian Chen,Gaoming FENG. Владелец: Shanghai IC Equipment Material Industry Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Method of manufacturing phase change memory and phase change memory

Номер патента: US20230024030A1. Автор: Chung-Hon Lam,Dong Gan. Владелец: Beijing Advanced Memory Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Phase change memory with multi-level programming

Номер патента: US20230301207A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Juntao Li,Ching-Tzu Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Reducing shunts in memories with phase-change material

Номер патента: US20050136557A1. Автор: Chien Chiang,Daniel Xu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-23.

Self-aligned cross-point phase change memory-switch array

Номер патента: US09590012B2. Автор: Jong Won Lee,DerChang Kau,Gianpaolo Spadini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Phase change random access memory

Номер патента: US7504652B2. Автор: Chien-Chao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2009-03-17.

Optimized phase change memory structure to improve nucleation time variation

Номер патента: US20230371408A1. Автор: LU LIU,Hemant P. Rao,Kumar R. Virwani. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Methods Of Manufacturing Non-Volatile Phase-Change Memory Devices

Номер патента: US20120088347A1. Автор: Dong-ho Ahn,Young-Kuk Kim,Byoung-Deog Choi,Man-sug Kang,Jin-Ho Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-04-12.

Method for manufacturing phase change memory

Номер патента: US20200098986A1. Автор: Takeshi Masuda,Robert Bruce,Koukou Suu,Chung Hon Lam,Fabio Carta,Fraczak Gloria Wing Yun FRACZAK,Matthew BRIGHTSKY. Владелец: Ulvac Technologies Inc. Дата публикации: 2020-03-26.

Phase change memory cell with second conductive layer

Номер патента: US20210020833A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Low current phase-change memory device

Номер патента: US20230397510A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Phase-change memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240074334A1. Автор: Shao-Ming Yu,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Bilayer encapsulation of a memory cell

Номер патента: US20230380307A1. Автор: Errol Todd Ryan,Zhiguo Sun,Kyuchul Chong,David M. Fryauf. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Vertical phase change memory device

Номер патента: WO2024037524A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-02-22.

Reducing contact resistance of phase change memory bridge cell

Номер патента: US20230165170A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li,Zuoguang Liu,Arthur Gasasira. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Phase change memory device having an improved word line resistance, and methods of making same

Номер патента: US8415197B2. Автор: Jang Uk Lee,Mi Ra CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-04-09.

Phase change memory device having an improved word line resistance, and methods of making same

Номер патента: US8283651B2. Автор: Jang Uk Lee,Mi Ra CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2012-10-09.

Selection element-integrated phase-change memory and method for producing same

Номер патента: US11980109B2. Автор: Yun Heub Song,Jae Kyeong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-07.

Insulated phase change memory using porous dielectrics

Номер патента: WO2023041296A1. Автор: Lawrence Clevenger,Timothy Mathew Philip,Kevin BREW,Anirban Chandra. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-03-23.

Phase change memory device and fabrication thereof

Номер патента: US20100213432A1. Автор: Chien-Min Lee,Ming-Jeng Huang,Jen-Chi Chuang,Jia-Yo Lin,Min-Chih Wang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2010-08-26.

Phase change memory device having protective layer for protecting phase change material and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090242867A1. Автор: Dae Ho Rho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-10-01.

Vertical phase change memory device

Номер патента: US20240065119A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Phase change memory device having an improved word line resistance, and methods of making same

Номер патента: US20120329222A1. Автор: Jang Uk Lee,Mi Ra CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2012-12-27.

Projected phase change memory devices

Номер патента: US20210305503A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Timothy Mathew Philip,Nicole Saulnier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Swich based on a phase-change material

Номер патента: US20240298554A1. Автор: Bruno Reig,Denis Mercier. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-09-05.

Dielectric thin film on electrodes for resistance change memory devices

Номер патента: US09698344B2. Автор: DerChang Kau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Process for manufacturing a phase change memory array in Cu-damascene technology and phase change memory array manufactured thereby

Номер патента: US7259040B2. Автор: Fabio Pellizer,Roberto Bez. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2007-08-21.

Forming phase change memories

Номер патента: MY135719A. Автор: Chien Chiang,Tyler Lowrey,Charles Dennison. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2008-06-30.

Phase change memory cell with a metal layer

Номер патента: US11038106B1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-15.

Phase change material memory device

Номер патента: US6881603B2. Автор: Stefan K. Lai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-04-19.

Insulated phase change memory using porous dielectrics

Номер патента: US20230093026A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Kevin W. Brew,Timothy Mathew Philip,Anirban Chandra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Phase change memory structure to reduce power consumption

Номер патента: US10879463B2. Автор: Shih-Chang Liu,Yi Jen Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-29.

Phase change memory stack with treated sidewalls

Номер патента: US10177198B2. Автор: SHU QIN,Yongjun Jeff Hu,Tsz W. Chan,Everett Allen McTeer,Swapnil Lengade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-08.

Phase change memory stack with treated sidewalls

Номер патента: US20170358629A1. Автор: SHU QIN,Yongjun Jeff Hu,Tsz W. Chan,Everett Allen McTeer,Swapnil Lengade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-14.

Programmable phase-change memory and method therefor

Номер патента: EP1829110A2. Автор: Karen Attenborough,Hans Boeve,Niek Lambert,Victor Van Acht. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-09-05.

Programmable phase-change memory and method therefor

Номер патента: US20120230100A1. Автор: Karen Attenborough,Hans Boeve,Niek Lambert,Victor Van Acht. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-13.

Phase change material for a phase change memory device and method for adjusting the resistivity of the material

Номер патента: WO2010125540A3. Автор: Robertus Adrianus Maria Wolters,Michael Antoine Armand In 'T Zandt,Harry Wondergem. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2011-04-07.

Phase Change Material for a Phase Change Memory Device and Method for Adjusting the Resistivity of the Material

Номер патента: US20120091416A1. Автор: Hendrikus Jan Wondergem,Michael Antoine Armand In 'T Zandt,Robertus Adrainus Maria Wolters. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Phase change material for a phase change memory device and method for adjusting the resistivity of the material

Номер патента: US8792265B2. Автор: Robertus Andrianus Maria Wolters,Hendrikus Jan Wondergem,Michael Antoine Armand In 'T Zandt. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-07-29.

Memory Cells, Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Cells and Arrays

Номер патента: US20170018708A1. Автор: Fabio Pellizzer,Andrea Redaelli,Giorgio Servalli,Carmela Cupeta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-19.

Insulated phase change memory using porous dielectrics

Номер патента: US11980110B2. Автор: Lawrence A. Clevenger,Kevin W. Brew,Timothy Mathew Philip,Anirban Chandra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Method for producing a pillar-shaped phase change memory device

Номер патента: US9954032B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Phase-change memory

Номер патента: US20140175370A1. Автор: Frederick T. Chen. Владелец: Higgs Opl Capital Llc. Дата публикации: 2014-06-26.

Phase change memory structure to reduce power consumption

Номер патента: US20200035919A1. Автор: Shih-Chang Liu,Yi Jen Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Phase change memory stack with treated sidewalls

Номер патента: US20190140023A1. Автор: SHU QIN,Yongjun Jeff Hu,Tsz W. Chan,Everett Allen McTeer,Swapnil Lengade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-09.

Phase-change memory

Номер патента: US20130196467A1. Автор: Frederick T. Chen. Владелец: Higgs Opl Capital Llc. Дата публикации: 2013-08-01.

Memory Cells, Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Cells and Arrays

Номер патента: US20190019949A1. Автор: Fabio Pellizzer,Andrea Redaelli,Giorgio Servalli,Carmela Cupeta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-17.

Phase change memory with reduced programming current

Номер патента: US20230284543A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li,Zuoguang Liu,Arthur Gasasira. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Strained transistors and phase change memory

Номер патента: US20230329008A1. Автор: Olivier Weber,Remy Berthelon. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-10-12.

Phase change memory with wrap-around projection liner

Номер патента: WO2023036718A1. Автор: Hsueh-Chung Chen,Yann Mignot,Injo OK,Mary Claire Silvestre. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2023-03-16.

Tone inversion integration for phase change memory

Номер патента: US20190139765A1. Автор: Robert L. Bruce,Hsinyu Tsai,Matthew J. BrightSky,John M. Papalia. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Tellurium (Te) Precursors for Making Phase Change Memory Materials

Номер патента: US20130129603A1. Автор: Manchao Xiao,Thomas Richard Gaffney. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2013-05-23.

Strained transistors and phase change memory

Номер патента: US20210343788A1. Автор: Olivier Weber,Remy Berthelon. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2021-11-04.

Phase change memory devices with,bipolar transitstors and manufacturing methods thereof

Номер патента: WO2008097910A2. Автор: Albert Wu,Chien-Chuan Wei,Roger Switzer. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2008-08-14.

Phase change memory devices with,bipolar transitstors and manufacturing methods thereof

Номер патента: WO2008097910A9. Автор: Albert Wu,Chien-Chuan Wei,Roger Switzer. Владелец: Roger Switzer. Дата публикации: 2008-10-09.

Phase change memory with wrap-around projection liner

Номер патента: EP4399953A1. Автор: Hsueh-Chung Chen,Yann Mignot,Injo OK,Mary Claire Silvestre. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-17.

GaSbGe phase change memory materials

Номер патента: US09917252B2. Автор: Hsiang-Lan Lung,Huai-Yu Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Manufacturing method of phase change memory

Номер патента: US09472759B1. Автор: Shui-Chin Su. Владелец: Ningbo Advanced Memory Technology Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Phase-change memory device with conductive cladding

Номер патента: WO2024093753A1. Автор: Kangguo Cheng,Guy M. Cohen,Ruilong Xie,Juntao Li,Julien Frougier. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-05-10.

Multi-layer phase change material

Номер патента: US09543510B2. Автор: Hao Tong,Xiaomin Cheng,Xiangshui Miao. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-01-10.

Chemical mechanical polishing stop layer for fully amorphous phase change memory pore cell

Номер патента: US8492194B2. Автор: Chung H. Lam,Matthew J. Breitwisch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-23.

Ge precursor, GST thin layer formed using the same, phase-change memory device including the GST thin layer, and method of manufacturing the GST thin layer

Номер патента: US7518007B2. Автор: Jung-hyun Lee,Bum-seok Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-14.

Phase change memory and method of fabricating same

Номер патента: CN102956821A. Автор: 杜友伦,蔡嘉雄,刘世昌,沈明辉,曹淳凯. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-03-06.

Phase change memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100327250A1. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Method, apparatus, and system for phase change memory packaging

Номер патента: SG146560A1. Автор: Amip Shah. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-10-30.

Phase change memory with a dielectric bi-layer

Номер патента: US20200066977A1. Автор: Robert Bruce,Kevin W. Brew,Injo OK,Nicole Saulnier,Iqbal Rashid Saraf. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Phase-change memory device having multiple diodes

Номер патента: US20140209847A1. Автор: Hae Chan PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-07-31.

Phase-change memory device having multiple diodes

Номер патента: US20120007034A1. Автор: Hae Chan PARK. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-12.

Phase-change memory device having multiple diodes

Номер патента: US20130146831A1. Автор: Hae Chan PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-06-13.

Phase-change memory device having multiple diodes

Номер патента: US8384057B2. Автор: Hae Chan PARK. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-02-26.

Phase-change memory device having multiple diodes

Номер патента: US8710480B2. Автор: Hae Chan PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-04-29.

Phase-change memory device with conductive cladding

Номер патента: US20240147874A1. Автор: Kangguo Cheng,Guy M. Cohen,Ruilong Xie,Juntao Li,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Phase-change memory device and method of manufacturing same

Номер патента: US20070120106A1. Автор: Shinpei Iijima,Tsutomu Hayakawa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-05-31.

Liner for phase change memory (pcm) array and associated techniques and configurations

Номер патента: EP3084830A1. Автор: Qian Tao,Vishwanath Bhat,Zhe Song,Noel Rocklein. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-26.

Liner for phase change memory (pcm) array and associated techniques and configurations

Номер патента: WO2015094810A1. Автор: Qian Tao,Vishwanath Bhat,Zhe Song,Noel Rocklein. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2015-06-25.

Electronic device assemblies and vehicles employing dual phase change materials

Номер патента: US09478478B2. Автор: Shailesh N. Joshi,Ercan Mehmet DEDE. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Phase change memory device having tapered portion of the bottom memory layer

Номер патента: US11805712B2. Автор: Shao-Ming Yu,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Shunted phase change memory

Номер патента: US20070242504A1. Автор: Guy Wicker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-18.

Shunted phase change memory

Номер патента: US7916514B2. Автор: Guy Wicker. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2011-03-29.

Memory arrays having confined phase change material structures laterally surrounded with silicon nitride

Номер патента: US9755145B2. Автор: Fabio Pellizzer,Andrea Redaelli,Giorgio Servalli,Carmela Cupeta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Phase change memory apparatus and fabrication method thereof

Номер патента: US20100327252A1. Автор: Jang Uk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Phase change memory apparatus and fabrication method thereof

Номер патента: US20130157434A1. Автор: Jang Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-06-20.

Lateral phase change memory

Номер патента: US20120241704A1. Автор: Richard Dodge,Guy Wicker. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2012-09-27.

Phase change memory

Номер патента: US20240180047A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Phase change multilayer heterostructure with multiple heaters

Номер патента: US20240081159A1. Автор: Kevin W. Brew,Ching-Tzu Chen,Timothy Mathew Philip,Injo OK,Jin Ping HAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Heat retentive food servingware with temperature self-regulating phase change core

Номер патента: AU3822897A. Автор: Brian L. Clothier,Amil J. Ablah. Владелец: Thermal Solutions Inc. Дата публикации: 1998-02-20.

Semiconductor devices using semiconductor-metal phase change materials

Номер патента: EP4401149A2. Автор: Vincent Gambin,Benjamin Heying,Rachel A. KOLTUN. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2024-07-17.

Single-Crystal Phase Change Material on Insulator for Reduced Cell Variability

Номер патента: US20140069577A1. Автор: Guy Cohen,Simone Raoux. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Configurable circuits using phase change switches

Номер патента: US20080029753A1. Автор: Yang Xu,Mehdi Asheghi,Lawrence Pileggi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-07.

Phase Change Magnetic Ink And Process For Preparing Same

Номер патента: US20120162306A1. Автор: Peter G. Odell,Gabriel Iftime,C. Geoffrey Allen,Caroline Turek. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Phase change material switch with efficient heat spreader and methods for forming the same

Номер патента: US20240276897A1. Автор: Kuo-Chyuan Tzeng,Yu-Wen Wang,Han-Yu Chen,Chang-Chih Huang,Yi-Han CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Phase-change random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140175358A1. Автор: Hyun Min Lee,Jung Taik Cheong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Phase-change device, related manufacturing method, and related electronic device

Номер патента: US09691974B2. Автор: Lei Wang,Ying Li,YiPeng Chan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Phase change material-based data center cooling system

Номер патента: US09681589B1. Автор: James R. Hamilton,Peter G. Ross,Michael P. Czamara. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of fabricating semiconductor integrated circuit having phase-change layer

Номер патента: US09419221B2. Автор: Se Hun Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Phase change memory apparatus and fabrication method thereof

Номер патента: US8883590B2. Автор: Jang Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-11-11.

Phase-change memory and method of forming same

Номер патента: US20210202837A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Phase-Change Memory and Method of Forming Same

Номер патента: US20230320239A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Method of Forming Phase-Change Memory Layers on Recessed Electrodes

Номер патента: US20230309424A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Phase change memory with ovonic threshold switch

Номер патента: US20100136742A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2010-06-03.

Integrated circuits with memory cells and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09537092B2. Автор: Alex See,Shyue Seng Tan,Zheng Zou. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Plasma treating methods of fabricating phase change memory devices, and memory devices so fabricated

Номер патента: US8039297B2. Автор: Dong-ho Ahn,Young-Kuk Kim,Mi-Lim Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-18.

Low-power phase-change memory technology with interfacial thermoelectric heating enhancement

Номер патента: US20220115590A1. Автор: Kenneth E. Goodson,Mehdi Asheghi,Raisul Islam,Asir Intisar Khan,Eric Pop,H.-S. Philip Wong,Heungdong Kwon. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2022-04-14.

Multi-bit memory cell structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US7972896B2. Автор: Kwang-Jeon Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-07-05.

Thermal management system with phase change and auxiliary cooling systems

Номер патента: US20220418168A1. Автор: Tianyi Gao. Владелец: Baidu USA LLC. Дата публикации: 2022-12-29.

Removable phase change material to produce conformable interface for recharging an implanted neurostimulator

Номер патента: US20230310869A1. Автор: Robert J. Monson,Andrew Thomas Fried. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2023-10-05.

Chemical liquid, manufacturing method of modified substrate, manufacturing method of laminate, and chemical liquid container

Номер патента: US20240337013A1. Автор: Atsushi Mizutani,Koichi Sato,Akihiro HAKAMATA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Data center and phase change coolant distribution unit thereof

Номер патента: US20240365517A1. Автор: Shu-Jung Yang,Chih-Yao Wang,Heng-Chieh Chien. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2024-10-31.

Phase change heatsink, manufacturing process thereof, and communication device having the heatsink

Номер патента: US20240349455A1. Автор: Haijiang Wang,Shuaijun Li. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2024-10-17.

Method for manufcturing phase change memory device

Номер патента: KR100960011B1. Автор: 조상훈. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-05-28.

Phase change material switch with improved thermal confinement and methods for forming the same

Номер патента: US20230403954A1. Автор: Kuo-Pin Chang,Kuo-Chyuan Tzeng,Kuo-Ching Huang,Yu-Wei Ting,Tsung-Hao YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Reducing oxidation of phase change memory electrodes

Номер патента: US20080020508A1. Автор: Charles Dennison. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-24.

Phase change memory with heater

Номер патента: US11895934B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Back side phase change memory

Номер патента: WO2024041049A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li,Julien Frougier. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-02-29.

Integration of selector on confined phase change memory

Номер патента: US20200411757A1. Автор: Wanki Kim,Chung H. Lam,Robert L. Bruce,Fabio Carta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Switch based on phase-change material

Номер патента: US20240023468A1. Автор: Bruno Reig,Stephane Monfray,Alain Fleury,Philippe Cathelin,Vincent Puyal. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-01-18.

Switch based on phase-change material

Номер патента: US20240023465A1. Автор: Bruno Reig,Stephane Monfray,Alain Fleury,Philippe Cathelin,Vincent Puyal. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-01-18.

Switch based on phase-change material

Номер патента: US20240023467A1. Автор: Bruno Reig,Stephane Monfray,Alain Fleury. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-01-18.

Strained transistors and phase change memory

Номер патента: US11723220B2. Автор: Olivier Weber,Remy Berthelon. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-08-08.

Phase-change material and associated resistive phase-change memory

Номер патента: US20220020923A1. Автор: Marie-Claire Cyrille,Gabriele Navarro. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2022-01-20.

Phase change memory devices with,bipolar transitstors and manufacturing methods thereof

Номер патента: WO2008097910A3. Автор: Albert Wu,Chien-Chuan Wei,Roger Switzer. Владелец: Roger Switzer. Дата публикации: 2008-11-27.

Thermoelectric cooling and/or moderation of transient thermal load using phase change material

Номер патента: WO2006047240A3. Автор: Uttam Ghoshal. Владелец: NanoCoolers Inc. Дата публикации: 2007-10-04.

Heatsinks comprising a phase change material

Номер патента: US12082374B2. Автор: Jason Graham. Владелец: Simmonds Precision Products Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Mechanical resonator with a spring-mass system comprising a phase-change material

Номер патента: US09584092B2. Автор: Mark A. Lantz,Johan B. C. Engelen,Wabe W. Koelmans. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Phase change switch device

Номер патента: WO2023227773A1. Автор: Valentyn Solomko,Dominik Heiss,Semen Syroiezhin,Christian BUTSCHKOW,Jochen Braumueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-30.

Phase change nano electro-mechanical relay

Номер патента: US11742162B2. Автор: James Best,Gianluca Piazza. Владелец: CARNEGIE MELLON UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-08-29.

Phase change nano electro-mechanical relay

Номер патента: US20240062975A1. Автор: James Best,Gianluca Piazza. Владелец: CARNEGIE MELLON UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-02-22.

Integration of selector on confined phase change memory

Номер патента: US11968913B2. Автор: Wanki Kim,Chung H. Lam,Robert L. Bruce,Fabio Carta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Artificial intelligence device cell with improved phase change material region

Номер патента: WO2023046363A1. Автор: Injo OK,Nicole Saulnier,Kevin BREW,Iqbal Rashid Saraf. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-03-30.

Apparatus and method for ultra-fast crystallization in phase - change rf switches

Номер патента: WO2022172277A1. Автор: Shahar Kvatinsky,Eilam Yalon,Nicolas WAINSTEIN. Владелец: TECHNION RESEARCH & DEVELOPMENT FOUNDATION LIMITED. Дата публикации: 2022-08-18.

Artificial intelligence device cell with improved phase change material region

Номер патента: EP4406389A1. Автор: Injo OK,Nicole Saulnier,Kevin BREW,Iqbal Rashid Saraf. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-31.

Laser Chalcogenide Phase Change Device

Номер патента: US20090179201A1. Автор: Robert Hainsey,Andy E. Hooper,Allen Kawasaki. Владелец: Electro Scientific Industries Inc. Дата публикации: 2009-07-16.

Regenerative preheater for phase change cooling applications

Номер патента: US20230247795A1. Автор: Bahgat Sammakia,Sadegh Khalili. Владелец: Research Foundation of State University of New York. Дата публикации: 2023-08-03.

Etching process for phase-change films

Номер патента: US20090246964A1. Автор: Yi-Chou Chen,Huai-Yu Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-01.

Laser chalcogenide phase change device and method

Номер патента: WO2009088910A3. Автор: Robert Hainsey,Andy E. Hooper,Allen Kawasaki. Владелец: ELECTRO SCIENTIFIC INDUSTRIES, INC.. Дата публикации: 2009-09-11.

Laser chalcogenide phase change device and method

Номер патента: WO2009088910A2. Автор: Robert Hainsey,Andy E. Hooper,Allen Kawasaki. Владелец: ELECTRO SCIENTIFIC INDUSTRIES, INC.. Дата публикации: 2009-07-16.

Switch based on a phase-change material

Номер патента: US20240298552A1. Автор: Bruno Reig,Denis Mercier. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-09-05.

Apparatus and method for ultra-fast crystallization in phase - change rf switches

Номер патента: US20240313766A1. Автор: Shahar Kvatinsky,Eilam Yalon,Nicolas WAINSTEIN. Владелец: Technion Research and Development Foundation Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Phase-change material distributed switch systems

Номер патента: EP3195403A1. Автор: Michael J. Lee,Robert Miles Young,Matthew Russell King,Pavel Borodulin,Nabil Abdel-Meguid El-Hinnawy. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2017-07-26.

A multifunctional tunable metasurface using vo2 phase changing material

Номер патента: WO2024197816A1. Автор: Huanhuan Gu. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device with phase-change material and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20240357948A1. Автор: Kuo-Pin Chang,Kuo-Ching Huang,Yu-Wei Ting,Tsung-Hao YEH,Hung-Ju Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Phase-change material based reconfigurable antenna

Номер патента: US09923267B1. Автор: Arash Ahmadivand,Nezih Pala,Burak Gerislioglu,Mustafa Karabiyik. Владелец: Florida International University FIU. Дата публикации: 2018-03-20.

Phase change cooler and electronic equipment provided with same

Номер патента: US09605907B2. Автор: Hitoshi Sakamoto,Minoru Yoshikawa,Kenichi Inaba,Takeya Hashiguchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Phase change material switch device and related methods

Номер патента: US20230343531A1. Автор: Valentyn Solomko,Dominik Heiss,Semen Syroiezhin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-10-26.

Phase-change random access memory device and method of forming the same

Номер патента: US20230403956A1. Автор: Yao-Wen Chang,Huan-Chieh CHEN,Chia-Wen Zhong,Chin I WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Methods of forming a phase change material

Номер патента: US20120108037A1. Автор: Keith R. Hampton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-05-03.

Phase change material switch device and related methods

Номер патента: EP4266482A1. Автор: Valentyn Solomko,Dominik Heiss,Semen Syroiezhin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-10-25.

Semiconductor Device Including a Phase Change Material

Номер патента: US20150318272A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Guenther Ruhl,Hans-Joerg Timme. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-11-05.

Semiconductor device including a phase change material

Номер патента: US09972613B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Guenther Ruhl,Hans-Joerg Timme. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-15.

Phase change memory devices employing cell diodes and methods of fabricating the same

Номер патента: KR20060110559A. Автор: 박재현,오재희,정원철,이세호. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-10-25.

Oxazoline containing compositions of solid ink with phase change

Номер патента: RU2598472C2. Автор: Адела ГОРЕДЕМА,Гуэрино Г. САКРИПАНТЕ,Рина КАРЛИНИ,Кэролайн М. ТУРЕК,Эдвард Г. ЗВАРТЦ. Владелец: Ксерокс Корпорэйшн. Дата публикации: 2016-09-27.

Phase-change recording film with stable crystallization rate, target and process for producing the phase-change recording film

Номер патента: US20080220197A1. Автор: Hung-Chuan MAI,Jonq-Ren Lee,Yuan-Chang Lai,Tsung-Eong Hsieh. Владелец: Solar Applied Material Technology Corp. Дата публикации: 2008-09-11.

Dynamic thermal infrared stealth composite material based on dual phase change and preparation method thereof

Номер патента: US20210324254A1. Автор: Jian Chen,Chuanchang LI,Baoshan XIE. Владелец: CHANGSHA UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2021-10-21.

State of charge sensor for phase change material thermal energy storage

Номер патента: US20240310082A1. Автор: Joseph D. Rendall,Anthony C. Gehl,Jerald A. Atchley,Diana Hun,Som S. Shrestha,Zhenglai Shen. Владелец: UT-BATTELLE, LLC. Дата публикации: 2024-09-19.

Phase change solvents for thermoplastic elastomers

Номер патента: WO2004011550A3. Автор: Mark William Hamersky,Steven Daryl Smith. Владелец: Procter & Gamble. Дата публикации: 2004-04-08.

Phase change solvents for thermoplastic elastomers

Номер патента: WO2004011550A2. Автор: Mark William Hamersky,Steven Daryl Smith. Владелец: The Procter & Gamble Company. Дата публикации: 2004-02-05.

Novel phase change solvents

Номер патента: EP1562998B1. Автор: Mark William Hamersky,Steven Daryl Smith. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2010-05-12.

System and Method of Generating a Momentum Change in a Vehicle by Phase Changing Matter in a Closed System

Номер патента: US20240191701A1. Автор: Ivaylo Trendafilov Vasilev. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-06-13.

Phase change solvents for thermoplastic elastomers

Номер патента: EP1525262A2. Автор: Mark William Hamersky,Steven Daryl Smith. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2005-04-27.

Gel comprising a phase-change material, method of preparing the gel, thermal exchange implement comprising the gel

Номер патента: EP3122335A1. Автор: Richard M. Formato,Dimitrios P. Bakllas,Amrut N. Biswal. Владелец: Cold Chain Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-01.

Methods of modifying surface of film with inverse miniemulsion

Номер патента: US20240287270A1. Автор: Zhenqian Zhang. Владелец: CHANGZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-08-29.

Polyurethane phase-change nanocapsule, phase-change polyurethane pouring sealant and preparation method therefor

Номер патента: US20240309256A1. Автор: Zhi Yu,Jianjun Chen,Jun Song,Hengchao HUANG,Mingsong Miao,You Rao. Владелец: Guangzhou Baiyun Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Crockery comprising microwave-activatable phase-change material

Номер патента: US20240298825A1. Автор: Karim Redjal,Pascal Gabriëlle Nestor Mertens. Владелец: PROMECO NV. Дата публикации: 2024-09-12.

Methods of modifying surface of film with inverse miniemulsion

Номер патента: US12104031B2. Автор: Zhenqian Zhang. Владелец: CHANGZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-10-01.

Treated fiber reinforced form stable phase change

Номер патента: US09890313B2. Автор: Anil Kumar Mehta,Devendra Jain,Suman Kumari,Nidhi Agarwal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-02-13.

Method of Operating A Linear Friction Welding System With Phase Change Assembly

Номер патента: US20200156181A1. Автор: Stephen A. Johnson. Владелец: APCI LLC. Дата публикации: 2020-05-21.

Method for realizing anti-icing of aircraft surface by lubricating with phase-change material

Номер патента: NL2029566B1. Автор: Liu Hong,Li Xiaofei,Huang Xiaobin,Kong Weiliang. Владелец: Univ Shanghai Jiaotong. Дата публикации: 2023-06-01.

Electrostatic phase change generating apparatus

Номер патента: WO2009047645A3. Автор: . Владелец: Albonia Innovative Technologies Ltd.. Дата публикации: 2011-01-20.

Novel modular gypsum board based on phase-change material and construction method therefor

Номер патента: LU505579B1. Автор: Xiao Dong,Yun Zhang,Zhiqing Chen,Chi XU,Deyu KONG,Dianle Qiu. Владелец: Zhejiang Province Institute Of Architectural Design And Res. Дата публикации: 2024-05-21.

Phase change material injection device and structure for removing moisture of head lamp with the same

Номер патента: US09534841B2. Автор: Jeong Gyu Yang,Byung-Ook Park,Sae-Jun Park. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Phase change materials for refrigeration and ice making

Номер патента: US09528730B2. Автор: Patrick J. Boarman. Владелец: Whirlpool Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Electrosurgical devices with phase change materials

Номер патента: US09526566B1. Автор: Eric Johnson. Владелец: Ethicon Endo Surgery LLC. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of encapsulating a phase change material

Номер патента: US20230295918A1. Автор: Georgios Polyzos,Jaswinder K. Sharma. Владелец: UT Battelle LLC. Дата публикации: 2023-09-21.

Control method and device for phase-change energy storage type cold and heat combined supply system with multi-heat source heat pump

Номер патента: AU2023266311B1. Автор: Xu Jing,Ma Lin,Wu Hui,Zhang Weiya,Zhou Dongxu,Zhou Hengjun,Xia Jiahua,Fan Kefei,Gao Shengyu,Liang Zhengdong. Владелец: Nanjing Jiangbei New Area Public Utilities Holding Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Phase change material composition and method of fabricating and packaging the same

Номер патента: US09803123B1. Автор: Orville Thomas Neal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-31.

Phase change material composition and method of fabricating and packaging the same

Номер патента: US09695349B1. Автор: Orville Thomas Neal. Владелец: Neal Energy Management LLC. Дата публикации: 2017-07-04.

Polymer composition containing heat-accumulating phase change material, process for preparing said composition and product containing said composition

Номер патента: RU2415899C2. Автор: Херман РЕЕЗИГТ,Бартоломеус Вильхельмус Мария РАУВЕРС,Хендрик ГЛАСТРА. Владелец: Капзо Интернэшнл Б.В.. Дата публикации: 2011-04-10.

Phase-changing inks containing crystalline trans-cinnamon diesters and polyterpene resins

Номер патента: RU2593865C2. Автор: Адела ГОРЕДЕМА,Рина КАРЛИНИ,Каролин М. ТУРЕК,Эдвард Г. ЦВАРТЦ. Владелец: Ксерокс Корпорэйшн. Дата публикации: 2016-08-10.

Coordination of pressure and temperature during ink phase change

Номер патента: US20120200621A1. Автор: Eric J. Shrader,Scott J. Limb,John Steven Paschkewitz. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2012-08-09.

Dispersive return pad with phase change material for active thermal management during an ablation procedure

Номер патента: AU2019312205B2. Автор: Ruoya Wang,Jennifer J. BARRETT. Владелец: Avent Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Dispersive return pad with phase change material for active thermal management during an ablation procedure

Номер патента: GB2590323A. Автор: Wang Ruoya,J Barrett Jennifer. Владелец: Avent Inc. Дата публикации: 2021-06-23.

Dispersive return pad with phase change material for active thermal management during an ablation procedure

Номер патента: WO2020023577A1. Автор: Ruoya Wang,Jennifer J. BARRETT. Владелец: Avent, Inc.. Дата публикации: 2020-01-30.

Dispersive return pad with phase change material for active thermal management during an ablation procedure

Номер патента: AU2019312205A1. Автор: Ruoya Wang,Jennifer J. BARRETT. Владелец: Avent Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Passive temperature control method of biological tissue based on optical phase change nanoparticles

Номер патента: GB2607645A. Автор: Yao Gang,Chen Qin,Li Huaxin,QI Hong,Ren Yatao. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2022-12-14.

Composition and method for preparing microencapsulated phase change materials

Номер патента: EP4423159A1. Автор: Wei Li,Liang Zhang,Jiguang Zhang,Minbiao HU. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-04.

Phase changing device for camshaft

Номер патента: RU2560860C2. Автор: Манабу ТАТЕНО. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2015-08-20.

Aerostat with phase change adjustment airbag

Номер патента: GB2612398A. Автор: Zheng Wei,Zhang Xiaojun,Li Zhibin,WU Hongxin,ZHU Rongchen,ZHOU Donghua,Zhang Guilin,Miao Jinggang,Yin Yongjuan,Wen Junchen. Владелец: Zhi Bin Li. Дата публикации: 2023-05-03.

Thermoset additive manufactured articles incorporating a phase change material and method to make them

Номер патента: US20190248065A1. Автор: Daniel L. Dermody,Craig F. GORIN,Aleksander J. Pyzik,Sharon Allen,Niranjan MALVADKAR,Daniel P. Sophiea,Sanjay C. SOLANKI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-08-15.

Preparation method of shape stabilized phase change material via microporous carbon derived from chitin aerogel and application in thermal storage

Номер патента: LU502456B1. Автор: HUI Li,Xiaomin DENG,Lingbin Kong,Junchi Wang,Xiaobo Yan,Wenyao Guo. Владелец: Univ Shandong Jianzhu. Дата публикации: 2023-01-06.

A device for effecting an exothermic reaction to drive a phase change from a liquid to a gas

Номер патента: WO2017218961A1. Автор: Brian P. Roarty. Владелец: Roarty Brian P. Дата публикации: 2017-12-21.

Shape stable phase change materials

Номер патента: GB2626197A. Автор: Busch Rainer,Stuart Biggin Ian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-17.

Pigment dispersion and curable phase change inks containing the same

Номер патента: US20120123040A1. Автор: Michelle N. Chrétien,Barkev Keoshkerian,Naveen Chopra,Daryl W. Vanbesien. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2012-05-17.

Phase change ink compositions and sulfonated compounds for use in the same

Номер патента: US20130276666A1. Автор: Peter G. Odell,James D. Mayo,Salma Falah Toosi,Mihaela Maria Birau,C. Geoffrey Allen,Biby Abraham. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2013-10-24.

Die casting machine with dispenser for solid lubricant, adapted to cause phase change of the lubricant prior to be dispensed to the shot sleeve

Номер патента: EP1476263A1. Автор: Dean Edwards. Владелец: Chem Trend LP. Дата публикации: 2004-11-17.

Phase change materials

Номер патента: WO2024153920A1. Автор: Rainer Busch,Ian Stuart Biggin. Владелец: Ian Stuart Biggin. Дата публикации: 2024-07-25.

Pressure roller two-layer coating for phase-change ink-jet printer for direct on paper printing

Номер патента: US20100020146A1. Автор: Paul J. McConville,Santokh S. Badesha,David J. Gervasi,James E. Williams,Jignesh P. Sheth. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2010-01-28.

Systems and methods for full spectrum solar thermal energy harvesting and storage by molecular and phase change material hybrids

Номер патента: US12061018B2. Автор: T. Randall Lee,Hadi Ghasemi,Varun Kashyap,Siwakorn SAKUNKAEWKASEM. Владелец: UNIVERSITY OF HOUSTON SYSTEM. Дата публикации: 2024-08-13.

Phase change material with shape stabilisation, method for producing thereof and use thereof

Номер патента: EP4455248A1. Автор: Kinga Pielichowska,Martyna SZATKOWSKA. Владелец: Akademia Gomiczo Hutnicza. Дата публикации: 2024-10-30.