Nonvolatile memory device, system including the same and method of fabricating the same
Номер патента: US12094846B2
Опубликовано: 17-09-2024
Автор(ы): Jae Ho AHN, Ji Won Kim, Joon-Sung LIM, Suk Kang SUNG, Sung-Min Hwang
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 17-09-2024
Автор(ы): Jae Ho AHN, Ji Won Kim, Joon-Sung LIM, Suk Kang SUNG, Sung-Min Hwang
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Integrated circuit having conductive paths of different heights formed from the same layer structure and method for forming the same
Номер патента: US20010016407A1. Автор: Aaron Schoenfeld,Rajesh Somasekharan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-23.