Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • 3D NAND memory with decoder and local word line drivers

3D NAND memory with decoder and local word line drivers

Номер патента: US09418743B1
Опубликовано: 16-08-2016
Автор(ы): Shih-Hung Chen
Принадлежит: Macronix International Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

And-type SGVC architecture for 3D NAND flash

Номер патента: US09530503B2. Автор: Kuo-Pin Chang,Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Three-dimensional nand memory device and forming method thereof

Номер патента: WO2021237629A1. Автор: Zhong Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-12-02.

Prevention of floating gate 3d-nand cell residual by using hybrid plug process in super-deck structure

Номер патента: US20240013836A1. Автор: Jong Sun Sel,Chih Ting LIN. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2024-01-11.

Selection gate separation for 3d nand

Номер патента: WO2022040069A1. Автор: Tomohiko Kitajima,Chang Seok Kang. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-02-24.

Three-dimensional nand memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240215231A1. Автор: Wei Xu,Bo Xu,BIN Yuan,Zongliang Huo,Lei Xue,Yali Guo,Beibei Li,Simin Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

3D NAND memory using two separate SSL structures in an interlaced configuration for one bit line

Номер патента: US09536611B2. Автор: Yi-Hsuan Hsiao,Yen-Hao Shih. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Array arrangement for 3d nand memory

Номер патента: US20140269077A1. Автор: Yi-Hsuan Hsiao,Yen-Hao Shih. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

3D NAND memory device and method of forming the same

Номер патента: US11737263B2. Автор: Fushan Zhang,Enbo Wang,Yushi Hu,Haohao YANG,Ruo Fang ZHANG,Qianbing Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Consolidation of staircase area etch and cmos contact area etch in 3d nand

Номер патента: WO2023206158A1. Автор: Liu Liu,Chuan Sun,Jianze ZHAO. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2023-11-02.

Novel 3d nand memory device and method of forming the same

Номер патента: US20230337423A1. Автор: Fushan Zhang,Enbo Wang,Yushi Hu,Haohao YANG,Ruo Fang ZHANG,Qianbing Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Wordline sidewall contacts in 3d nand structures

Номер патента: US20240046966A1. Автор: Takaya Matsushita,Pradeep K. Subrahmanyan,Hsiang Yu Lee,Changwoo SUN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Wordline sidewall contacts in 3d nand structures

Номер патента: WO2024036141A1. Автор: Takaya Matsushita,Pradeep K. Subrahmanyan,Hsiang Yu Lee,Changwoo SUN. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-02-15.

新颖的3d nand存储器件及其形成方法

Номер патента: CN111293123. Автор: 杨号号,张若芳,王恩博,张富山,胡禺石,徐前兵. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-16.

3d nand結構中的字元線側壁接觸

Номер патента: TW202407981A. Автор: 李祥宇,宣昌佑,普拉迪Ｋ 蘇柏拉曼央,松下貴哉. Владелец: 美商應用材料股份有限公司. Дата публикации: 2024-02-16.

Word line driver array and memory

Номер патента: US12014801B2. Автор: YANG Zhao,Jaeyong Cha. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

One time programmable memory with a twin gate structure

Номер патента: US09659944B2. Автор: MEI Xue,Akira Ito,Qintao Zhang,Wenwei YANG. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

3d nand stacked non-volatile storage programming to conductive state

Номер патента: EP2917916A2. Автор: ANDREI Mihnea,Yanli Zhang,Xiying Costa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-09-16.

Long nanotube 3D NAND memory and preparation method thereof

Номер патента: CN110211961B. Автор: 王升,童浩,缪向水. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2021-06-11.

3D nand memory and forming method thereof

Номер патента: CN110176461A. Автор: 徐伟,周文斌,欧文,霍宗亮,黄攀,杨号号,严萍. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-27.

一种长纳米管3d nand存储器及其制备方法

Номер патента: CN110211961. Автор: 王升,童浩,缪向水. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2019-09-06.

3d nand存储器及其形成方法

Номер патента: CN110211965. Автор: 徐伟,周文斌,欧文,霍宗亮,黄攀,杨号号,严萍. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-06.

3d nand存储器及其形成方法

Номер патента: CN110176461. Автор: 徐伟,周文斌,欧文,霍宗亮,黄攀,杨号号,严萍. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-27.

Non-volatile memory with three dimensional stacked word line switches

Номер патента: US11943922B1. Автор: Fumiaki TOYAMA,Sudarshan Narayanan,Yuji TOTOKI,Guangyuan Li,Qinghua Zhao. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Compensation word line driver

Номер патента: US11869581B2. Автор: Shih-Hao Lin,Chia-Hao Pao,Kian-Long Lim. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Compensation Word Line Driver

Номер патента: US20220277789A1. Автор: Shih-Hao Lin,Chia-Hao Pao,Kian-Long Lim. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

3D NAND memory and forming method thereof

Номер патента: CN110211964B. Автор: 徐伟,周文斌,欧文,霍宗亮,黄攀,杨号号,严萍. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-18.

3D NAND memory and forming method thereof

Номер патента: CN110112134B. Автор: 徐伟,周文斌,欧文,霍宗亮,黄攀,杨号号,严萍. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-19.

3d nand存储器及其形成方法

Номер патента: CN110211964. Автор: 徐伟,周文斌,欧文,霍宗亮,黄攀,杨号号,严萍. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-06.

Separated lower select line in 3d nand architecture

Номер патента: US20160260663A1. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-08.

Separated lower select line in 3D NAND architecture

Номер патента: US09502349B2. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

3D NAND array architecture

Номер патента: US09437605B2. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

3D nand memory and forming method thereof

Номер патента: CN110197830A. Автор: 张慧,王攀,吴佳佳,肖梦,王香凝,耿静静,刘新鑫. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-03.

3d nand的台阶结构的形成方法以及3d nand存储器及其制造方法

Номер патента: CN111403398. Автор: 张磊,周玉婷,汤召辉,曾凡清. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-10.

3d nand存储器及其形成方法

Номер патента: CN110112134. Автор: 徐伟,周文斌,欧文,霍宗亮,黄攀,杨号号,严萍. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-09.

3D NAND memory and forming method thereof

Номер патента: CN109817634B. Автор: 王浩,张勇,肖莉红,卢峰,刘沙沙,邵明,杨号号,李兆松,王恩博. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-13.

3D nand memory and forming method thereof

Номер патента: CN109817623A. Автор: 汤召辉. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-28.

一种基于二维材料的3d nand存储器及其制备方法

Номер патента: CN114203724. Автор: 陈茂林,韩拯,任乃杰. Владелец: SHANXI UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-03-18.

存储单元及其制造方法、3d nand存储器及其制造方法

Номер патента: CN112614850. Автор: 张坤,周文犀. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-06.

一种基于二维材料的3d nand存储器及其制备方法

Номер патента: CN114203724A. Автор: 陈茂林,韩拯,任乃杰. Владелец: SHANXI UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-03-18.

3d nand存储器及其形成方法

Номер патента: CN112864167. Автор: 王浩,张勇,肖莉红,卢峰,刘沙沙,邵明,杨号号,李兆松,王恩博. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-28.

3d nand存储器及其形成方法

Номер патента: CN112802854. Автор: 汤召辉. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-14.

存储单元及其制造方法、3d nand存储器及其制造方法

Номер патента: CN112614850B. Автор: 张坤,周文犀. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

3d nand with io contacts in isolation trench

Номер патента: US20230076831A1. Автор: Liu Liu,Ahmed Reza,Deepak Thimmegowda,Zengtao Tony Liu,Sriram Balasubrahmanyam,Praveen Kumar Kalsani. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-09.

3d nand存储器及其形成方法

Номер патента: CN113394229. Автор: 张慧,王攀,吴佳佳,肖梦,王香凝,耿静静,刘新鑫. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-14.

一种3d nand存储器及其制造方法

Номер патента: CN113178452. Автор: 夏季,徐伟,周文斌,王贝寒,黄攀. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-27.

堆叠结构及其制造方法、3d nand存储器及其制造方法

Номер патента: CN112071851. Автор: 周文犀,吴林春,孔翠翠. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-11.

3d nand存储器及其形成方法

Номер патента: CN111668228. Автор: 夏季,徐伟,王贝寒,黄攀,徐文祥. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-15.

3d nand存储器及其形成方法

Номер патента: CN110197830. Автор: 张慧,王攀,吴佳佳,肖梦,王香凝,耿静静,刘新鑫. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-03.

3d nand存储器及其形成方法

Номер патента: CN109817634. Автор: 王浩,张勇,肖莉红,卢峰,刘沙沙,邵明,杨号号,李兆松,王恩博. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-28.

堆叠结构及其制造方法、3d nand存储器及其制造方法

Номер патента: CN112071851B. Автор: 周文犀,吴林春,孔翠翠. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

具有位于隔离沟槽中的io接触部的3d nand

Номер патента: CN115942747. Автор: L·刘,P·K·卡尔萨尼,A·礼萨,D·蒂梅高达,Z·T·刘,S·巴拉苏布拉满亚姆. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-04-07.

3d nand存储器及其形成方法

Номер патента: CN113410245. Автор: 夏季,徐伟,周文斌. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-17.

3d nand存储器及其形成方法

Номер патента: CN111785727. Автор: 夏季,徐伟,周文斌. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-16.

一种3d nand存储器及其制造方法

Номер патента: CN111403397. Автор: 夏季,徐伟,周文斌,王贝寒,黄攀. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-10.

一种3d nand存储器及其制造方法

Номер патента: CN111223872. Автор: 张坤,吴林春. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-02.

3d nand存储器及其形成方法

Номер патента: CN109817623. Автор: 汤召辉. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-28.

3d nand with io contacts in isolation trench

Номер патента: EP4148794A1. Автор: Liu Liu,Ahmed Reza,Deepak Thimmegowda,Zengtao Tony Liu,Sriram Balasubrahmanyam,Praveen Kumar Kalsani. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-15.

一种3d nand存储器及其制造方法

Номер патента: CN113178452B. Автор: 夏季,徐伟,周文斌,王贝寒,黄攀. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

具有位于隔离沟槽中的io接触部的3d nand

Номер патента: CN115942747A. Автор: L·刘,P·K·卡尔萨尼,A·礼萨,D·蒂梅高达,Z·T·刘,S·巴拉苏布拉满亚姆. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-04-07.

DEVICE FORMING MEMORY WITH NON-VOLATILE FLOATING DOOR, ELECTRICALLY MODIFIABLE WITH DOUBLE WORD LINE

Номер патента: FR2523354A1. Автор: Roger Green Stewart,Alfred Charles Ipri. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1983-09-16.

A kind of memory cell structure of 3D nand memories and forming method thereof

Номер патента: CN107507831A. Автор: 吴关平,陈子琪. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-22.

A kind of 3D nand memory part and its manufacturing method

Номер патента: CN106920794B. Автор: 万先进,吴关平,吕震宇,施文广,陈保友. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-30.

一种形成阶梯区的方法和一种半导体器件及3d nand

Номер патента: CN111403391A. Автор: 张磊,郭静,汤召辉,张珍珍,冯冠松. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-10.

一种形成阶梯区的方法和一种半导体器件及3d nand

Номер патента: CN111403391. Автор: 张磊,郭静,汤召辉,张珍珍,冯冠松. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-10.

Flash memory with novel bitline decoder and sourceline latch

Номер патента: US5920503A. Автор: Fu-Chang Hsu,Hsing-Ya Tsao,Peter W. Lee. Владелец: Aplus Flash Technology Inc. Дата публикации: 1999-07-06.

一种用于3d nand存储器的存储层薄膜厚度测量方法

Номер патента: CN107816949A. Автор: 陈子琪. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

3d nor and 3d nand memory integration

Номер патента: US20230106571A1. Автор: Chia-Jung Chiu,Kuan-Yuan SHEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

3D NAND with partial block erase

Номер патента: US09711229B1. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

Manufacturing method of 3D NAND memory device and 3D NAND memory device

Номер патента: CN111696992B. Автор: 夏志良,张中,周文犀. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-01.

Three-dimensional memory with conductive rails in conductive tiers, and related apparatus, systems, and methods

Номер патента: US11812610B2. Автор: Rita J. Klein,John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Three-dimensional memory with conductive rails in conductive tiers, and related apparatus, systems, and methods

Номер патента: US20240107768A1. Автор: Rita J. Klein,John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Way. Дата публикации: 2024-03-28.

3D NAND memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: CN111048516A. Автор: 黄波,薛磊,薛家倩,刘小欣,耿万波. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-21.

Method for filling polycrystalline silicon material in semiconductor device structure and preparing 3D NAND memory

Номер патента: CN112466888A. Автор: 刘佳,张天翼,章诗. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-09.

3d nand存储器件及3d nand存储器件的制造方法

Номер патента: CN113782536. Автор: 张中,周文犀,孙中旺. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-10.

3d nand存储器件及3d nand存储器件的制造方法

Номер патента: CN111696994. Автор: 张中,周文犀,孙中旺. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-22.

3d nand闪存的操作方法和3d nand闪存

Номер патента: CN111527544. Автор: 刘刚,闾锦,黄开谨. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-11.

3d nand存储器件及3d nand存储器件的制造方法

Номер патента: CN113782536B. Автор: 张中,周文犀,孙中旺. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-08.

一种3d nand存储器件及其制造方法

Номер патента: CN114038861. Автор: 陈亮,刘威,黄诗琪,王言虹. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-11.

Method for forming 3D NAND memory

Номер патента: CN111785733A. Автор: 毛晓明. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-16.

一种3d nand存储器件及其制造方法

Номер патента: CN114038860. Автор: 陈亮,刘威. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-11.

3d nand存储器的空洞检测方法

Номер патента: CN113410153. Автор: 陈金星,马霏霏,韩烽. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-17.

台阶结构的制作方法、3d nand存储器件的制造方法及3d nand存储器件

Номер патента: CN111696993. Автор: 夏志良,张中,周文犀,孙中旺. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-22.

3d nand存储器件的制造方法及3d nand存储器件

Номер патента: CN111696992. Автор: 夏志良,张中,周文犀. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-22.

3d nand存储器件及其制造方法

Номер патента: CN111048516. Автор: 黄波,薛磊,薛家倩,刘小欣,耿万波. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-21.

3d nand闪存及其制备方法

Номер патента: CN110071114. Автор: 肖莉红. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-30.

3d-nand闪存及其工作方法

Номер патента: CN109285840. Автор: 霍宗亮,刘峻. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-29.

3D NAND memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: CN111244096B. Автор: 张坤,夏志良. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-25.

3D NAND memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: CN110265402B. Автор: 张慧,王攀,肖梦,王香凝,耿静静,赵新梅,罗流洋. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-18.

3D NAND memory and forming method thereof

Номер патента: CN111668231B. Автор: 董明,曾凡清. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-30.

3D NAND preparation method for preventing silicon damage of selective epitaxial growth and obtained 3D NAND flash memory

Номер патента: CN107482016B. Автор: 陆智勇. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-17.

A kind of 3D nand memories part and its manufacturing method

Номер патента: CN107068687B. Автор: 万先进,吴关平,吕震宇,施文广,陈保友. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-12.

3D NAND memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: CN113113419A. Автор: 张红,卢峰,刘沙沙,李思晢,高晶,李兆松. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-13.

Three-dimensional nand memory device and fabrication method

Номер патента: US20240015973A1. Автор: Wei Xu,Bo Xu,Zongliang Huo,Lei Xue,Longxiang Yan,Fazhan WANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Three-dimensional nand memory device and fabrication method

Номер патента: US20240138148A1. Автор: Wei Xu,Zongliang Huo,Lei Xue,Longxiang Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

3d nand闪存的制备方法及其闪存器件

Номер патента: CN117119803. Автор: 高伟,金汉洙,申女,文才煥. Владелец: Lianhe Storage Technology Jiangsu Co ltd. Дата публикации: 2023-11-24.

3d nand存储器的分割块阵列

Номер патента: CN115458012. Автор: 刘浏,河昌完,迪帕克·蒂姆戈达,高焄,理查德·M·古拉特,大卫·梅亚德,阿萨努尔·拉赫曼. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-09.

一种3d nand存储器件及其制造方法

Номер патента: CN111430363. Автор: 杨涛,李福强,霍宗亮,夏志良,沈鑫帅. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-07-17.

一种3d nand存储器及其制造方法

Номер патента: CN113851484A. Автор: 夏志良,杜小龙,孙昌志,高庭庭,刘小欣,耿万波. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-28.

3d-nand闪存的形成方法

Номер патента: CN109192733. Автор: 夏志良,华文宇. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-11.

一种3d nand存储器件及其金属栅极制备方法

Номер патента: CN109148458. Автор: 蒋阳波,徐融,苏界,孙文斌,杨永刚,顾立勋. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-04.

一种3d nand存储器件及其金属栅极制备方法

Номер патента: CN109148458A. Автор: 蒋阳波,徐融,苏界,孙文斌,杨永刚,顾立勋. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-04.

一种3d nand存储器件及其金属栅极制备方法

Номер патента: CN109148458B. Автор: 蒋阳波,徐融,苏界,孙文斌,杨永刚,顾立勋. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-24.

3d nand存储器及其形成方法

Номер патента: CN114171533A. Автор: 孙凯,何欢,刘高山,朱黎晓. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-11.

3d nand闪存的制备方法及其闪存器件

Номер патента: CN117119803A. Автор: 高伟,金汉洙,申女,文才煥. Владелец: Lianhe Storage Technology Jiangsu Co ltd. Дата публикации: 2023-11-24.

3d nand存储器及其形成方法

Номер патента: CN114171533. Автор: 孙凯,何欢,刘高山,朱黎晓. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-11.

一种3d nand存储器及其制造方法

Номер патента: CN113851484. Автор: 夏志良,杜小龙,孙昌志,高庭庭,刘小欣,耿万波. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-28.

一种3d nand存储器件的制造方法

Номер патента: CN113013173. Автор: 刘小辉,於成星,沈保家,吴保润. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-22.

半导体器件结构中多晶硅材料填充及3d nand存储器制备方法

Номер патента: CN112466888. Автор: 刘佳,张天翼,章诗. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-09.

一种3d nand制作方法及存储器

Номер патента: CN110808255. Автор: 杨永刚. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-18.

3d-nand闪存

Номер патента: CN109148467. Автор: 夏志良,华文宇. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-04.

A kind of preparation technology in 3D nand flash memories raceway groove hole

Номер патента: CN107482017A. Автор: 王鹏,何佳,霍宗亮,夏志良,刘藩东,张若芳,吴林春. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-15.

一种3d nand制作方法及存储器

Номер патента: CN110808255B. Автор: 杨永刚. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

3D NAND with integral drain-end select gate (SGD)

Номер патента: US10790290B2. Автор: Qian Tao,Christopher J. Larsen,John Hopkins,Meng-Wei Kuo,Purnima Narayanan,Barbara L. Casey,David A. Daycock,Guoxing Duan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-09-29.

3d nand with integral drain-end select gate (sgd)

Номер патента: US20190103410A1. Автор: Qian Tao,Christopher J. Larsen,John Hopkins,Meng-Wei Kuo,Purnima Narayanan,Barbara L. Casey,David A. Daycock,Guoxing Duan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

半导体器件结构中多晶硅材料填充及3d nand存储器制备方法

Номер патента: CN112466888B. Автор: 刘佳,张天翼,章诗. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

3d nand存储器的分割块阵列

Номер патента: CN115458012A. Автор: 刘浏,河昌完,迪帕克·蒂姆戈达,高焄,理查德·M·古拉特,大卫·梅亚德,阿萨努尔·拉赫曼. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-09.

Integration approach for increase of the mobility and on-current in 3d nand cells

Номер патента: WO2024063949A1. Автор: Milan PESIC. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-03-28.

Integration approach for increase of the mobility and on-current in 3d nand cells

Номер патента: US20240107764A1. Автор: Milan PESIC. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

一种3d nand存储器及其制造方法

Номер патента: CN111341780A. Автор: 张坤,周文犀,吴林春,韩玉辉. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-26.

Selection gate structure and fabrication method for 3d nand

Номер патента: US20240315025A1. Автор: Chang Seok Kang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

3d nand闪存器件及其制作方法

Номер патента: CN116528589. Автор: 高伟,金汉洙,申女,文才煥. Владелец: Lianhe Storage Technology Jiangsu Co ltd. Дата публикации: 2023-08-01.

Selection gate structure and fabrication method for 3d nand

Номер патента: WO2024191969A2. Автор: Chang Seok Kang. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-09-19.

3d nand闪存存储器元件

Номер патента: CN114300469. Автор: 王子嵩. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-08.

一种3d nand存储器及其制造方法

Номер патента: CN113178454. Автор: 王迪,夏志良,周文犀,孙中旺. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-27.

一种3d nand存储器件及其制造方法

Номер патента: CN113113419. Автор: 张红,卢峰,刘沙沙,李思晢,高晶,李兆松. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-13.

3d nand存储器及其制造方法及存储器沟道结构的制备方法

Номер патента: CN112614852. Автор: 李拓,刘松,蒲浩. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-06.

一种3d nand存储器件及其制造方法

Номер патента: CN112466890. Автор: 何亚东. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-09.

一种3d nand存储器件的制造方法

Номер патента: CN112002695. Автор: 张文杰. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-27.

一种3d nand存储器及其制造方法

Номер патента: CN111627918. Автор: 王迪,夏志良,周文犀,孙中旺. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-04.

3d nand存储器及其形成方法

Номер патента: CN111540752. Автор: 董明,曾凡清. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-14.

一种3d nand存储器件的制造方法

Номер патента: CN111477632. Автор: 张磊,汤召辉,曾凡清,冯冠松. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-31.

一种3d nand存储器件及其制造方法

Номер патента: CN111463219. Автор: 黄波,薛磊,薛家倩,高庭庭,刘小欣,耿万波. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-28.

一种3d nand存储器及其制造方法

Номер патента: CN111341780. Автор: 张坤,周文犀,吴林春,韩玉辉. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-26.

3d nand存储器件及其制造方法

Номер патента: CN111244096. Автор: 张坤,夏志良. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-05.

一种3d nand存储器及其制造方法

Номер патента: CN111162078. Автор: 张慧,王攀,吴佳佳,肖梦,耿静静. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-15.

3d nand闪存存储器元件

Номер патента: CN114300469A. Автор: 王子嵩. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-08.

一种3d nand存储器件及其制造方法

Номер патента: CN110176458. Автор: 杨川,吴智鹏,韩臣,刘力恒. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-27.

一种3d nand存储器件及其制造方法

Номер патента: CN110034124. Автор: 刘峻,刘毅华,范鲁明. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-19.

3d nand闪存器件及其制作方法

Номер патента: CN116528589B. Автор: 高伟,金汉洙,申女,文才煥. Владелец: Lianhe Storage Technology Jiangsu Co ltd. Дата публикации: 2023-11-03.

3d nand闪存器件及其制作方法

Номер патента: CN116528589A. Автор: 高伟,金汉洙,申女,文才煥. Владелец: Lianhe Storage Technology Jiangsu Co ltd. Дата публикации: 2023-08-01.

一种3d nand存储器件的制造方法

Номер патента: CN112599416. Автор: 张莉,钟磊,贺晓平. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-02.

一种刻蚀工艺及3d nand的制作工艺

Номер патента: CN112216702. Автор: 王乐,高毅. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-12.

一种3d nand存储器件及其制造方法

Номер патента: CN112018129. Автор: 周文华,邵克坚. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-01.

一种3d nand存储器件及其制造方法

Номер патента: CN111952319. Автор: 张文杰,周文华,赵亮亮,阳叶军,邵克坚. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-17.

一种3d nand存储器件及其制造方法

Номер патента: CN111916460. Автор: 张文杰. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-10.

3d nand存储器的形成方法

Номер патента: CN111785733. Автор: 毛晓明. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-16.

3d nand存储器及其形成方法

Номер патента: CN111668231. Автор: 董明,曾凡清. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-15.

一种3d nand存储器件及其制造方法

Номер патента: CN111463218. Автор: 王启光. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-28.

一种3d nand存储结构及其制备方法

Номер патента: CN111403405. Автор: 张坤,王迪,周文犀,吴林春,孙中旺. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-10.

一种用于标定3d nand位线与字线短接的方法

Номер патента: CN111243974. Автор: 张顺勇,汤光敏. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-05.

3d nand快閃記憶體元件

Номер патента: TW202215650A. Автор: 王子嵩. Владелец: 力晶積成電子製造股份有限公司. Дата публикации: 2022-04-16.

3d nand存储器的形成方法

Номер патента: CN110289265. Автор: 张慧,王攀,吴佳佳,肖梦,王香凝,耿静静,刘新鑫. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-27.

一种3d nand存储器件及其制造方法

Номер патента: CN110265402. Автор: 张慧,王攀,肖梦,王香凝,耿静静,赵新梅,罗流洋. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-20.

3D NAND storage structure and preparation method thereof

Номер патента: CN111403405B. Автор: 张坤,王迪,周文犀,吴林春,孙中旺. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-13.

一种刻蚀工艺及3d nand的制作工艺

Номер патента: CN112216702B. Автор: 王乐,高毅. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-29.

一种刻蚀工艺及3d nand的制作工艺

Номер патента: CN112216702A. Автор: 王乐,高毅. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-12.

Three-dimensional nand memory device and method of forming the same

Номер патента: EP4437811A1. Автор: Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Three-dimensional nand memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240215238A1. Автор: Wei Xu,Bo Xu,BIN Yuan,Zongke Xu,Zongliang Huo,Lei Xue,Yali Guo,Beibei Li,Simin Liu,Jiajia Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional nand memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240074180A1. Автор: MIN Yang,Zongliang Huo,Xiaoming Mao,Tianhui Zhang,Shasha Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Three-dimensional nand memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240074176A1. Автор: Jing Gao,Zongliang Huo,Xiaoming Mao,Shasha Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Three-dimensional nand memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240215236A1. Автор: Wei Xu,BIN Yuan,Zongliang Huo,Lei Xue,Beibei Li. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Word line dependent channel pre-charge for memory

Номер патента: EP3332407A1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-06-13.

Word line dependent channel pre-charge for memory

Номер патента: US09460805B1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-10-04.

Non-volatile memory with efficient word line hook-up

Номер патента: US11894056B2. Автор: Fumiaki TOYAMA,Shiqian SHAO. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-06.

Proactive refresh of edge data word line for semi-circle drain side select gate

Номер патента: US20230102668A1. Автор: Xiang Yang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-03-30.

Determination of word line to word line shorts between adjacent blocks

Номер патента: US09653175B2. Автор: Khanh Nguyen,Jagdish Sabde,Sagar Magia. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-16.

Determination of word line to word line shorts between adjacent blocks

Номер патента: US09514835B2. Автор: Khanh Nguyen,Jagdish Sabde,Sagar Magia. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-06.

3D NAND array with sides having undulating shapes

Номер патента: US09679849B1. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Determination of Word Line to Word Line Shorts Between Adjacent Blocks

Номер патента: US20160012904A1. Автор: Khanh Nguyen,Jagdish Sabde,Sagar Magia. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-01-14.

Determination of word line to word line shorts between adjacent blocks

Номер патента: US20170025182A1. Автор: Khanh Nguyen,Jagdish Sabde,Sagar Magia. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-01-26.

It is a kind of to use the 3D-NAND memory that door shearing is selected on wave

Номер патента: CN107658306B. Автор: 陈俊,肖莉红,吕震宇,姚兰,戴晓望,朱继锋,陶谦,胡禺石. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-26.

A kind of 3D nand memory

Номер патента: CN109148468A. Автор: 蒋阳波,苏界,孙文斌,夏余平,杨永刚,王二伟,宋冬门. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-04.

Memory array of three-dimensional nor memory strings with word line select device

Номер патента: US20240347109A1. Автор: Masahiro Yoshihara,Takashi Hirotani. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory array of three-dimensional nor memory strings with word line select device

Номер патента: WO2024215669A1. Автор: Masahiro Yoshihara,Takashi Hirotani. Владелец: SUNRISE MEMORY CORPORATION. Дата публикации: 2024-10-17.

Non-volatile memory with redundant control line driver

Номер патента: WO2023149912A1. Автор: QIN Zhen,Liang Li. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2023-08-10.

3d nand闪存器件及其包覆型硅纳米管的制备方法

Номер патента: CN110197829. Автор: 王升,童浩,缪向水. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2019-09-03.

3d nand存储器件的制造方法及3d nand存储器件

Номер патента: CN112185974. Автор: 张中,韩玉辉. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-05.

3d nand存储器及其形成方法

Номер патента: CN109524417. Автор: 肖莉红. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-26.

A kind of 3D nand memory part and its manufacturing method

Номер патента: CN110246846A. Автор: 袁刚,吴继君. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-17.

The preparation method of 3D NAND flash memory device and its cladded type nano-tube

Номер патента: CN110197829A. Автор: 王升,童浩,缪向水. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2019-09-03.

防止seg损坏的3d nand制备方法及获得的3d nand闪存

Номер патента: CN107658316A. Автор: 陆智勇. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-02.

3d nand存储器件的制造方法及3d nand存储器件

Номер патента: CN112185974B. Автор: 张中,韩玉辉. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-07.

Reducing weak- erase type read disturb in 3d nand non- volatile memory

Номер патента: EP2810279A1. Автор: Hitoshi Miwa,Yingda Dong,Man L. Mui. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2014-12-10.

3d nand闪存及制备方法

Номер патента: CN110137176. Автор: 肖莉红. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-16.

3d nand闪存及其制备方法

Номер патента: CN110061008. Автор: 肖莉红. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-26.

一种3d nand存储器

Номер патента: CN109148468. Автор: 蒋阳波,苏界,孙文斌,夏余平,杨永刚,王二伟,宋冬门. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-04.

3D nand flash memory and preparation method thereof

Номер патента: CN110061008A. Автор: 肖莉红. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-26.

3D nand flash memory and preparation method

Номер патента: CN110137176A. Автор: 肖莉红. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-16.

Pitch scalable 3d nand

Номер патента: US20190363098A1. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-28.

Method and apparatus to mitigate word line staircase etch stop layer thickness variations in 3d nand devices

Номер патента: EP4186095A1. Автор: Sha Tao,Qun Li,Hong Ma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-05-31.

一种3d nand存储器件及其制造方法

Номер патента: CN112768458. Автор: 陈金星,范光龙,陈广甸. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-07.

3d-nand闪存的形成方法

Номер патента: CN109300904. Автор: 霍宗亮,刘峻. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-01.

3d-nand闪存的形成方法

Номер патента: CN109166860. Автор: 华文宇,刘藩东. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-08.

3d nand中的擦除操作

Номер патента: CN113223586. Автор: 金光虎,东谷政昭,P.拉布金. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-08-06.

一种3d nand及其制作方法

Номер патента: CN110649030. Автор: 陈亮,刘威. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-03.

3d-nand闪存

Номер патента: CN109166858. Автор: 华文宇,刘藩东. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-08.

A kind of method of improvement 3D nand flash memory SEG growth qualities

Номер патента: CN107731841A. Автор: 王鹏,何佳,霍宗亮,夏志良,刘藩东,杨要华,吴林春. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-23.

The substep circulation lithographic method of 3D NAND gate polar curve slit grooves

Номер патента: CN107978605A. Автор: 刘欢,张彪,程强,陈世平,乐陶然,郭玉芳,邵克坚. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

A kind of 3D NAND flash memory structure and preparation method thereof

Номер патента: CN107731839B. Автор: 张坤,夏志良,刘藩东. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-19.

One kind reduces heat load method in prepared by 3D nand flash memories

Номер патента: CN107731825A. Автор: 何佳,霍宗亮,夏志良,刘藩东,杨要华,吴林春. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-23.

3d nand中的擦除操作

Номер патента: CN113223586A. Автор: 金光虎,东谷政昭,P.拉布金. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-08-06.

一种3d nand闪存的制作方法

Номер патента: CN107731824A. Автор: 徐强,张坤,何佳,霍宗亮,夏志良,刘藩东,杨要华. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-23.

3d nand中的擦除操作

Номер патента: CN113223586B. Автор: 金光虎,东谷政昭,P.拉布金. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-04.

3d nand存储器件台阶结构及其制造方法

Номер патента: CN107731847A. Автор: 王迪,夏志良,华文宇,骆中伟,李思晢,洪培真. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-23.

一种3d nand存储器的金属栅极制备方法

Номер патента: CN107507766A. Автор: 蒋阳波,张静平,吴良辉,宋冬门,游晓英. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-22.

Method and apparatus to mitigate word line staircase etch stop layer thickness variations in 3d nand devices

Номер патента: US20230232629A1. Автор: Sha Tao,Qun Li,Hong Ma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Variable programming clocks during a multi-stage programming operation in a nand memory device

Номер патента: US20230253048A1. Автор: Ravi Kumar,Sujjatul Islam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-10.

Non-volatile memory with redundant control line driver

Номер патента: US11908521B2. Автор: QIN Zhen,Liang Li. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

一种3d nand存储器件的制造方法

Номер патента: CN111430362B. Автор: 张文杰,姚森,阳叶军. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-25.

一种采用新型沟道孔电连接层材料的3d nand闪存制备方法及闪存

Номер патента: CN107994029A. Автор: 方振. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-04.

一种3d nand存储器件的制造方法

Номер патента: CN111430362. Автор: 张文杰,姚森,阳叶军. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-17.

3d nand存储器及其形成方法

Номер патента: CN110289263. Автор: 张慧,王攀,吴佳佳,肖梦,王香凝,耿静静,刘新鑫. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-27.

3d nand闪存及制备方法

Номер патента: CN110047839. Автор: 肖莉红. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-23.

一种3d nand存储器及其制造方法

Номер патента: CN109300906. Автор: 霍宗亮,刘峻. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-01.

一种3d nand存储器件及其制造方法

Номер патента: CN113113418. Автор: 肖莉红. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-13.

一种3d nand存储器件的制造方法

Номер патента: CN111430361. Автор: 张文杰,姚森,阳叶军. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-17.

一种3d nand存储单元模组、存储器以及制作方法

Номер патента: CN110277396. Автор: 焦圣杰. Владелец: Intel Semiconductor Dalian Ltd. Дата публикации: 2019-09-24.

一种3d nand存储器件及其制造方法

Номер патента: CN110265403. Автор: 李拓,李磊,张国栋,王秉国. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-20.

一种3d nand存储器件及其制造方法

Номер патента: CN110246846. Автор: 袁刚,吴继君. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-17.

3d nand闪存及制备方法

Номер патента: CN110047840. Автор: 肖莉红. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-23.

一种3d nand存储器件及其制造方法

Номер патента: CN109920791. Автор: 肖莉红. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-21.

A kind of 3D nand flash memory preparation method stacked based on oxide-graphene film and flash memory

Номер патента: CN107994030B. Автор: 方振,陈保友,黄竹青. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-22.

The forming method of 3D NAND flash memory structure

Номер патента: CN108417577B. Автор: 肖莉红,杨号号,董金文,王恩博,周玉婷,汤召辉. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-29.

A kind of 3D nand flash memories raceway groove hole polysilicon articulamentum forming method

Номер патента: CN107706191A. Автор: 王猛,赵治国,唐兆云,王家友,程媛,王香凝,陆智勇,赵新梅,李冠男,隋翔宇. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-16.

一种3d nand存储单元模组、存储器以及制作方法

Номер патента: CN110277396A. Автор: 焦圣杰. Владелец: Intel Semiconductor Dalian Ltd. Дата публикации: 2019-09-24.

3d nand array with divided string architecture

Номер патента: WO2017083584A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Fu-Chang Hsu. Дата публикации: 2017-05-18.

一种3d nand存储器及其制造方法

Номер патента: CN109300906A. Автор: 霍宗亮,刘峻. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-01.

一种基于氧化物-多晶硅薄膜堆叠的3d nand沟道孔成形方法

Номер патента: CN107994033A. Автор: 王猛,黄海辉,方振,黄竹青,戴绍龙,闫伟明,金永群. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-04.

Selection gate separation for 3d nand

Номер патента: WO2022212426A1. Автор: Qian Fu,Tomohiko Kitajima,Gill Yong Lee,Sung-Kwan Kang,Chang Seok Kang,Takehito KOSHIZAWA,Fredrick FISHBURN. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-10-06.

Word line decoder circuitry under a three-dimensional memory array

Номер патента: US20200294599A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Takuya Ariki,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-09-17.

Word line decoder circuitry under a three-dimensional memory array

Номер патента: US09721663B1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Takuya Ariki,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-01.

Word Line Decoder Circuitry under a Three-Dimensional Memory Array

Номер патента: US20190057741A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Takuya Ariki,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-02-21.

Word line decoder circuitry under a three-dimensional memory array

Номер патента: EP3660901A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Takuya Ariki,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-06-03.

Word line decoder circuitry under a three-dimensional memory array

Номер патента: EP3375012A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Takuya Ariki,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-09-19.

Word line decoder circuitry under a three-dimensional memory array

Номер патента: WO2017142617A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Takuya Ariki,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-24.

Flash memory with high integration

Номер патента: US20240274196A1. Автор: Riichiro Shirota. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Non-volatile memory with efficient word line hook-up

Номер патента: WO2023163731A1. Автор: Fumiaki TOYAMA,Shiqian SHAO. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-31.

Non-volatile memory with countermeasure for select gate disturb

Номер патента: US20200035312A1. Автор: Deepanshu Dutta,Dengtao Zhao. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-01-30.

Non-volatile memory with program skip for edge word line

Номер патента: EP4397152A1. Автор: Xiang Yang,Deepanshu Dutta. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-10.

Nonvolatile memory with block word line

Номер патента: US09978454B2. Автор: Won-Taeck JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

High read speed memory with gate isolation

Номер патента: US20120327717A1. Автор: Richard Fastow,Hagop Nazarian,Lei Xue. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2012-12-27.

Electrically erasable programmable read-only memory with electric field decreasing controller

Номер патента: US5402373A. Автор: Riichiro Shirota,Seiichi Aritome,Yoshihisa Iwata,Masaki Momodomi,Ryouhei Kirisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-03-28.

Non-volatile memory with staggered ramp down at the end of pre-charging

Номер патента: US11862249B2. Автор: Xiang Yang,Jiahui Yuan,Fanqi WU,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-02.

Non-volatile memory with staggered ramp down at the end of pre-charging

Номер патента: WO2023091184A1. Автор: Xiang Yang,Jiahui Yuan,Fanqi WU,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-05-25.

Pre-position dummy word line to facilitate write erase capability of memory apparatus

Номер патента: US12046305B2. Автор: Xiang Yang,Abhijith Prakash. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-23.

Operation nand non-volatile memory with boost electrodes

Номер патента: WO2008063970A3. Автор: Nima Mokhlesi. Владелец: Nima Mokhlesi. Дата публикации: 2008-07-31.

Nonvolatile memory device including memory cell array with upper and lower word line groups

Номер патента: US20120268988A1. Автор: Changkyu Seol,Junjin Kong,Hong Rak Son,Euncheol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-10-25.

Memory device for controlling word line voltage and operating method thereof

Номер патента: EP4187541A1. Автор: Hyunkook Park,Sara Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-31.

Memory with charge storage locations

Номер патента: WO2004107351A1. Автор: Ramachandran Muralidhar,Robert F. Steimle,Leo Matthew. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2004-12-09.

Non-volatile memory with different word line hook up regions based on pass through signals

Номер патента: US11817150B2. Автор: Fumiaki TOYAMA,Shiqian SHAO. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-14.

Non-volatile memory with dummy word line assisted pre-charge

Номер патента: US20240145006A1. Автор: Yanli Zhang,Peng Zhang,Dengtao Zhao,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-02.

Fast search for leaky word line

Номер патента: US20240055064A1. Автор: Yan Li,Liang Li,William Mak,Zhen Qin,Xingyan ZHOU. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

3D NAND memory and method for inhibiting programming crosstalk of top storage layer

Номер патента: CN113409858B. Автор: 王明,李达,魏文喆,刘红涛,许锋,贾信磊. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-05.

3d nand存储器及其抑制顶层存储层编程串扰的方法

Номер патента: CN113409858. Автор: 王明,李达,魏文喆,刘红涛,许锋,贾信磊. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-17.

3d nand闪存及制备方法

Номер патента: CN110600422. Автор: 郭帅. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-20.

3d nand存储器抑制顶层存储层编程串扰的方法

Номер патента: CN109935597. Автор: 王明,李达,魏文喆,刘红涛,许锋,贾信磊. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-25.

3d nand闪存及制备方法

Номер патента: CN110600422B. Автор: 郭帅. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-05.

Non-volatile memory with lower current program-verify

Номер патента: US20240136001A1. Автор: Toru Miwa,Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-25.

Novel 3D NAND Memory Device And Method of Forming The Same

Номер патента: US20240090223A1. Автор: Ming Wang,Yali SONG,Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Non-volatile memory with sub-planes having individually biasable source lines

Номер патента: US20240105262A1. Автор: Ramy Nashed Bassely SAID,Jiahui Yuan,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-28.

3d nand nonvolatile memory with staggered vertical gates

Номер патента: US20160056168A1. Автор: Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-25.

3D NAND nonvolatile memory with staggered vertical gates

Номер патента: US09349745B2. Автор: Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-24.

3D NAND memory device and method of forming the same

Номер патента: US11825656B2. Автор: Ming Wang,Yali SONG,Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

3d nand闪速存储器件及其集成方法

Номер патента: CN111758160. Автор: 陈嘉伟,李跃平,侯春源,顾沂. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-09.

Novel 3D NAND memory device and method of forming the same

Номер патента: CN111276486A. Автор: 王明,肖莉红,宋雅丽. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-12.

Novel 3D NAND memory device and method of forming the same

Номер патента: CN109690776B. Автор: 王明,肖莉红,宋雅丽. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-10.

Novel 3D NAND memory device and a fabrication method thereof

Номер патента: TW202023030A. Автор: 王明,宋雅麗,肖莉紅. Владелец: 大陸商長江存儲科技有限責任公司. Дата публикации: 2020-06-16.

Error mitigation for 3d nand flash memory

Номер патента: US20180068726A1. Автор: Seung-Hwan Song,Zvonimir Z. Bandic,Viacheslav Anatolyevich DUBEYKO. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Word line drivers for multiple-die memory devices

Номер патента: US12051459B2. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Word line drivers for multiple-die memory devices

Номер патента: US20240274184A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Word line driver circuit and memory

Номер патента: US12027232B2. Автор: Guifen Yang,Sungsoo CHI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

NAND memory with different pass voltage ramp rates for binary and multi-state memory

Номер патента: US12046314B2. Автор: Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin,Dong-il MOON. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-23.

Integrated semiconductor memory comprising at least one word line and comprising a multiplicity of memory cells

Номер патента: US20050281118A1. Автор: Herbert Benzinger,Stephan Schroder,Manfred Pröll,Jörg Kliewer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-12-22.

Integrated semiconductor memory comprising at least one word line and comprising a multiplicity of memory cells

Номер патента: US7180820B2. Автор: Herbert Benzinger,Stephan Schroder,Manfred Pröll,Jörg Kliewer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-02-20.

3d nand的智能刷新

Номер патента: CN116844612A. Автор: 毛育红,罗伯特·李,哈里·坎南. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Selective removal of sidewall material for 3d nand integration

Номер патента: US20230164986A1. Автор: CHAO Gao,Yong Chen,Zhiyuan Yu,Hongpeng Yu,Sijia Li. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

3d nand的智能刷新

Номер патента: CN116844612. Автор: 毛育红,罗伯特·李,哈里·坎南. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

新型3d nand存储器件及其形成方法

Номер патента: CN111276486. Автор: 王明,肖莉红,宋雅丽. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-12.

新型3d nand存储器件及其形成方法

Номер патента: CN109690776. Автор: 王明,肖莉红,宋雅丽. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-26.

Word line driver, word line driver array, and semiconductor structure

Номер патента: US20230143797A1. Автор: Sungsoo CHI,Fengqin Zhang,Shuyan JIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-11.

Sub-word-line drivers and semiconductor memory devices including the same

Номер патента: US11735248B2. Автор: Sangwook Park,Donggeon Kim,Bok-yeon Won,Kyoungmin Kim,Seokjae Lee,Myeongsik Ryu,Inseok Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-22.

On-chip word line voltage generation for dram embedded in logic process

Номер патента: EP1105875A1. Автор: Wingyu Leung,Fu-Chieh Hsu. Владелец: Monolithic System Technology Inc. Дата публикации: 2001-06-13.

Sub-word-line drivers and semiconductor memory devices including the same

Номер патента: US20220406360A1. Автор: Sangwook Park,Donggeon Kim,Bok-yeon Won,Kyoungmin Kim,Seokjae Lee,Myeongsik Ryu,Inseok Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-22.

Sub word line driver of a semiconductor memory device

Номер патента: US9543306B1. Автор: HAN Kyu Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Word line drivers for multiple-die memory devices

Номер патента: US20240071467A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Word line drivers for multiple-die memory devices

Номер патента: US20240071468A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Word line drivers for multiple-die memory devices

Номер патента: US11984150B2. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Word line drivers for multiple-die memory devices

Номер патента: US20240071466A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Word line coupling prevention using 3d integrated circuit

Номер патента: US20150145139A1. Автор: Kuoyuan (Peter) Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-05-28.

Word line drive circuit, word line driver, and storage apparatus

Номер патента: EP4325497A1. Автор: Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-21.

Word-line driver and storage apparatus

Номер патента: EP4322166A1. Автор: Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-14.

Word line driver for dram embedded in a logic process

Номер патента: WO2007002509A3. Автор: Wingyu Leung. Владелец: Monolithic System Tech Inc. Дата публикации: 2007-06-21.

Word line driver for dram embedded in a logic process

Номер патента: EP1894202A2. Автор: Wingyu Leung. Владелец: Monolithic System Technology Inc. Дата публикации: 2008-03-05.

Sub word line driver of semiconductor memory device

Номер патента: US20180182448A1. Автор: Young Min Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Word line driver for dram embedded in a logic process

Номер патента: EP1894202A4. Автор: Wingyu Leung. Владелец: Mosys Inc. Дата публикации: 2009-03-25.

Word line driver for dram embedded in a logic process

Номер патента: WO2007002509A2. Автор: Wingyu Leung. Владелец: Monolithic System Technology, Inc.. Дата публикации: 2007-01-04.

Decoding architecture for word line tiles

Номер патента: US20240161801A1. Автор: Fabio Pellizzer,Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

3d memory with vertical bit lines and staircase word lines and vertical switches and methods thereof

Номер патента: WO2013188172A1. Автор: Raul-Adrian Cernea,Roy E. Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2013-12-19.

Nand memory with different pass voltage ramp rates for binary and multi-state memory

Номер патента: US20240071544A1. Автор: Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin,Dong-il MOON. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Nand memory with different pass voltage ramp rates for binary and multi-state memory

Номер патента: WO2024049532A1. Автор: Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin,Dong-II MOON. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-07.

Non-volatile memory with storage nodes having radii of curvature

Номер патента: CN112151550A. Автор: K·K·帕拉特,R·J·科瓦尔,H·T·梅布拉图. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-12-29.

Sub word-line driver circuit of semiconductor memory device and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US11818881B2. Автор: Sangwook Park,Donggeon Kim,Kyoungmin Kim,Myeongsik Ryu,Inseok Baek,Bokyeon Won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-14.

Variable resistance memory with lattice array using enclosing transistors

Номер патента: US11763885B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2023-09-19.

Three-dimensional NAND memory device and method of forming the same

Номер патента: US12041773B2. Автор: Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Zhongwang SUN,Rui Su. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Decoding architecture for word line tiles

Номер патента: WO2022221821A1. Автор: Fabio Pellizzer,Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-10-20.

Decoding architecture for word line tiles

Номер патента: US11894103B2. Автор: Fabio Pellizzer,Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Word line driver and memory device

Номер патента: US20230026502A1. Автор: Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

In-memory computation circuit using static random access memory (sram) array segmentation and local compute tile read based on weighted current

Номер патента: EP4300496A1. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2024-01-03.

In-memory computation circuit using static random access memory (sram) array segmentation and local compute tile read based on weighted current

Номер патента: US20230386565A1. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-11-30.

Three-dimensional nand memory device with split channel gates

Номер патента: WO2022082345A1. Автор: Xiaoxin LIU,Lei Xue,Tingting Gao,Wanbo Geng,Jiaqian XUE. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-04-28.

Write assist for memories with resistive bit lines

Номер патента: US20180261279A1. Автор: Russell Homer,Alfred Yeung,Abhiram Saligram Chandrashekar. Владелец: Ampere Computing LLC. Дата публикации: 2018-09-13.

Method and apparatus for word line driver with decreased gate resistance

Номер патента: US20120037997A1. Автор: Jung-Hsuan Chen,Shao-Yu Chou,Yen-Huei Chen,You-Cheng Xiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-02-16.

Write assist for memories with resistive bit lines

Номер патента: WO2018106866A1. Автор: Russell Homer,Alfred Yeung,Abhiram Saligram Chandrashekar. Владелец: Ampere Computing LLC. Дата публикации: 2018-06-14.

Apparatuses and methods involving a segmented source-series terminated line driver

Номер патента: EP3758229A1. Автор: Niraj Kumar,Gerrit Willem Den Besten. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2020-12-30.

Non-volatile memory with multiple latency tiers

Номер патента: US09773547B2. Автор: R. Stanley Williams,Naveen Muralimanohar,Gregg B. Lesartre,Erik Ordentlich,Richard H. Henze,Yoocharn Jeon,Martin Foltin. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-09-26.

Programmable amplitude line driver

Номер патента: US20070182615A1. Автор: Ivan Chan,Mehran Aliahmad,Russ Brown,Kristopher Kshonze. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2007-08-09.

Test key for validating the position of a word line overlaying a trench capacitor in DRAMs

Номер патента: US6946678B2. Автор: Yu-Wei Ting,Tie Jiang Wu,Chien-Chang Huang,Bo Ching Jiang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-09-20.

Test key and method for validating the position of a word line overlaying a trench capacitor in DRAMS

Номер патента: US6825053B2. Автор: Yu-Wei Ting,Tie Jiang Wu,Chien-Chang Huang,Bo Ching Jiang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-11-30.

Test key and method for validating the position of a word line overlaying a trench capacitor in DRAMs

Номер патента: US20050002221A1. Автор: BO Jiang,Yu-Wei Ting,Chien-Chang Huang,Tie Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-01-06.

Input/output line driver circuit

Номер патента: US20140306738A1. Автор: Nak Kyu Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-16.

Structures for word line multiplexing in three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20240071423A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui,Richard E. Facekenthal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Adaptive word line underdrive control for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (sram)

Номер патента: US20230008275A1. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-01-12.

Memory Array Word Line Routing

Номер патента: US20240274160A1. Автор: Yih Wang,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Yi-Ching Liu,Meng-Han LIN,Chenchen Jacob WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Electrical coupling of memory cell access devices to a word line

Номер патента: US20140256100A1. Автор: Jing Li,Chung H. Lam,Edward W. Kiewra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Electrical coupling of memory cell access devices to a word line

Номер патента: US20140252418A1. Автор: Jing Li,Chung H. Lam,Edward W. Kiewra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Word line dependent pass voltage ramp rate to improve performance of nand memory

Номер патента: WO2024049531A1. Автор: Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin,Towhidur Razzak. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-07.

Word line dependent pass voltage ramp rate to improve performance of nand memory

Номер патента: US20240071493A1. Автор: Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin,Towhidur Razzak. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Techniques for manufacturing split-cell 3d-nand memory devices

Номер патента: US20220005827A1. Автор: XU Chang,Belgacem Haba,Rajesh Katkar,Javier A. Delacruz,David Edward Fisch. Владелец: Invensas LLC. Дата публикации: 2022-01-06.

Techniques for manufacturing split-cell 3d-nand memory devices

Номер патента: EP4176466A1. Автор: XU Chang,Belgacem Haba,Rajesh Katkar,Javier A. Delacruz,David Edward Fisch. Владелец: Invensas LLC. Дата публикации: 2023-05-10.

Dry etch for nitride exhume processes in 3d nand fabrication

Номер патента: WO2024036276A1. Автор: Pradeep K. Subrahmanyan,Sankuei Lin,Changwoo SUN. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-02-15.

Dry etch for nitride exhume processes in 3d nand fabrication

Номер патента: US20240055269A1. Автор: Pradeep K. Subrahmanyan,Sankuei Lin,Changwoo SUN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Metal floating gate composite 3d nand memory devices and associated methods

Номер патента: WO2015094535A1. Автор: Nirmal Ramaswamy,Fatma A. Simsek-Ege. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2015-06-25.

Methods of tunnel oxide layer formation in 3D NAND memory structures and associated devices

Номер патента: US09847340B2. Автор: Gordon Haller,Sateesh KOKA,Shyam Surthi,John Hopkins,Anish Khandekar,Darwin Fan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Metal floating gate composite 3d nand memory devices and associated methods

Номер патента: EP3084829A1. Автор: Nirmal Ramaswamy,Fatma A. Simsek-Ege. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-26.

Methods of tunnel oxide layer formation in 3d nand memory structures and associated devices

Номер патента: EP3127156A1. Автор: Gordon Haller,Sateesh KOKA,Shyam Surthi,John Hopkins,Anish Khandekar,Darwin Fan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-08.

A kind of metal gates manufacture method of 3D nand memories

Номер патента: CN107425006A. Автор: 吴关平,吴俊�,余思,王家友,蒲浩,王秉国,郁赛华. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-01.

분할-셀 3d-nand 메모리 디바이스를 제조하는 기법

Номер патента: KR20230034989A. Автор: 벨가셈 하바,수 창,라제쉬 캇카르,데이빗 에드워드 피쉬,하비에르 에이. 델라크루즈. Владелец: 인벤사스 코포레이션. Дата публикации: 2023-03-10.

一种3d nand存储器件及其制造方法

Номер патента: CN114093811. Автор: 陈亮,刘威,黄诗琪. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-25.

3d nand存储器的空洞检测方法

Номер патента: CN113410152. Автор: 陈金星,马霏霏,韩烽. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-17.

3d nand存储器件的制造方法及3d nand存储器件

Номер патента: CN111430360. Автор: 徐伟,孙闯,侯婧文,曾明,王健舻. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-17.

一种3d nand存储器及其制备方法

Номер патента: CN110299362. Автор: 殷华湘,李春龙,侯朝昭. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2019-10-01.

Method for forming 3D NAND memory

Номер патента: CN112331671B. Автор: 高倩,鲍琨,何欢,黄亚俊,宋豪杰,马艳三. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-05.

3D NAND memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: CN110211960B. Автор: 李拓,李磊,张国栋,王秉国. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-03.

The method for controlling raceway groove critical size in 3D NAND flash memory structures

Номер патента: CN107946311A. Автор: 王鹏,何佳,霍宗亮,夏志良,刘藩东,张若芳. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-20.

一种3d nand存储器及其制备方法

Номер патента: CN110299362A. Автор: 殷华湘,李春龙,侯朝昭. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2019-10-01.

3d nand存储器的空洞检测方法

Номер патента: CN113410152A. Автор: 陈金星,马霏霏,韩烽. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-17.

制造分割单元3d-nand存储器装置的技术

Номер патента: CN116034639A. Автор: 常旭,B·哈巴,R·卡特卡尔,J·A·德拉克鲁斯,D·E·菲施. Владелец: Invensas LLC. Дата публикации: 2023-04-28.

制造分割单元3d-nand存储器装置的技术

Номер патента: CN116034639. Автор: 常旭,B·哈巴,R·卡特卡尔,J·A·德拉克鲁斯,D·E·菲施. Владелец: Invensas LLC. Дата публикации: 2023-04-28.

3d nand存储器件的制造方法及3d nand存储器件

Номер патента: CN111430360B. Автор: 徐伟,孙闯,侯婧文,曾明,王健舻. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-29.

3d nand的台阶结构的形成方法以及3d nand存储器及其制造方法

Номер патента: CN111276444. Автор: 周玉婷. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-12.

Dusg 3d nand闪存存储器及其形成方法

Номер патента: CN104392964A. Автор: 丰伟,吴华强,邓宁,钱鹤. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-03-04.

Double-top-layer selection grid electrode 3D NAND flash memory and forming method thereof

Номер патента: CN104392964B. Автор: 朱明�,丰伟,吴华强,朱一明,舒清明,邓宁,钱鹤. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2017-02-15.

Fabrication method for a three-dimensional memory array of thin-film ferroelectric transistors using high-aspect-ratio local word line damascene process

Номер патента: US20240260275A1. Автор: Usha Raghuram,Jie Zhou,Kavita Shah,Eli Harari,Shohei KAMISAKA,Yosuke Nosho,Iting Lin. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

微波退火制备 3d nand 的方法

Номер патента: CN107863347B. Автор: 三重野文健. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-09-11.

3d nand存储器及其形成方法

Номер патента: CN115004368. Автор: 高倩,鲍琨,何欢,黄亚俊,宋豪杰,马艳三. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-02.

3d nand存储器的形成方法

Номер патента: CN114188347. Автор: 高倩,鲍琨,何欢,黄亚俊,宋豪杰,马艳三. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-15.

금속 플로팅 게이트 복합 3d nand 메모리 디바이스 및 연관된 방법

Номер патента: KR101849029B1. Автор: 니르말 라마스와미,파트마 에이. 심섹-에지. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2018-04-13.

微波退火制备 3d nand 的方法

Номер патента: CN107863347A. Автор: 三重野文健. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-03-30.

3d nand存储器的形成方法

Номер патента: CN112331671. Автор: 高倩,鲍琨,何欢,黄亚俊,宋豪杰,马艳三. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-05.

一种3d nand存储器件

Номер патента: CN110246843. Автор: 张慧,王攀,吴佳佳,肖梦,王香凝,耿静静,刘新鑫. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-17.

一种3d nand存储器件及其制造方法

Номер патента: CN110211960. Автор: 李拓,李磊,张国栋,王秉国. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-06.

The construction method of the step contact hole of 3D nand flash memories

Номер патента: CN107833889A. Автор: 张文杰,周文华,宋宏光,陈保友,盖晨光. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-23.

금속 플로팅 게이트 복합 3d nand 메모리 디바이스 및 연관된 방법

Номер патента: KR20160065938A. Автор: 니르말 라마스와미,파트마 에이. 심섹-에지. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2016-06-09.

3D-NAND-Speichervorrichtungen aus einem Verbund aus Metall und schwebendem Gate sowie dazugehörige Verfahren

Номер патента: DE112014004790T5. Автор: Nirmal Ramaswamy,Fatma A. Simsek-Ege. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

金属浮栅复合3d nand存储器装置和相关方法

Номер патента: CN106104803A. Автор: N·拉马斯瓦米,F·A·辛塞克-埃格. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-09.

用於在3d nand製造中氮化物提取處理的乾式蝕刻

Номер патента: TW202412278A. Автор: 宣昌佑,普拉迪Ｋ 蘇柏拉曼央,林三貴. Владелец: 美商應用材料股份有限公司. Дата публикации: 2024-03-16.

Verfahren zur Tunneloxidschichtausbildung in 3D-Nand-Speicherstrukturen und assoziierte Bauelemente

Номер патента: DE112015000550T5. Автор: Gordon Haller,Sateesh KOKA,Shyam Surthi,John Hopkins,Anish Khandekar,Darwin Fan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-12-01.

一种3d nand存储器件

Номер патента: CN110246843A. Автор: 张慧,王攀,吴佳佳,肖梦,王香凝,耿静静,刘新鑫. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-17.

3d nand 메모리 구조체에서의 터널 산화물 층 형성 방법 및 관련 디바이스

Номер патента: KR20160113178A. Автор: 고든 할러,존 홉킨스,다윈 판,사티쉬 코카,샤이암 수티,아니쉬 칸데카르. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2016-09-28.

包括富硅氮化硅隔离介质层的3d nand导线孔的制备方法

Номер патента: CN107994024A. Автор: 郭帅,吴俊�,朱峰,李春龙,王家友. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-04.

Vertical bit line non-volatile memory with recessed word lines

Номер патента: US09450023B1. Автор: Michael Konevecki,Vance Dunton,Steve Radigan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-20.

Memory cell configuration for a DRAM memory with a contact bit terminal for two trench capacitors of different rows

Номер патента: US20040062124A1. Автор: Peter Beer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-04-01.

Reversible resistivity memory with crystalline silicon bit line

Номер патента: US09685484B1. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani,Perumal Ratnam,Chris Petti. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-06-20.

Method for forming self-aligned contacts and local interconnects simultaneously

Номер патента: US20070235798A1. Автор: Kuang-Chao Chen,Tuung Luoh,Ling-Wuu Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-11.

Resistive RAM including air gaps between word lines and between vertical bit lines

Номер патента: US09911790B1. Автор: Michiaki Sano,Seiji Shimabukuro,Kan Fujiwara. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-06.

A kind of flatening process in 3D nand flash memories raceway groove hole

Номер патента: CN107658222A. Автор: 张坤,夏志良,刘藩东,杨要华. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-02.

Planarization process of 3D NAND flash memory channel hole

Номер патента: CN107658222B. Автор: 张坤,夏志良,刘藩东,杨要华. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-24.

一种3d nand存储器件及其制造方法

Номер патента: CN110211966. Автор: 杨川,吴智鹏,韩臣,刘力恒. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-06.

一种3d nand闪存字线连接结构的制备方法

Номер патента: CN107978556A. Автор: 陈子琪,陈保友,盖晨光. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Three-dimensional nand memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240015974A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Methods of reducing program disturb by array source coupling in 3D NAND memory devices

Номер патента: US11769559B2. Автор: Chunyuan HOU,Weijun Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Systems, methods and media of optimization of temporary read errors in 3D NAND memory devices

Номер патента: US12136453B2. Автор: LEI Jin,Pan Xu,Wen Zhou,Da Li,Kun Yang,Jianquan Jia,Kaikai You,Zhe Luo,Xinlei Jia,Jiayin HAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Word line driver circuitry and compact memory using same

Номер патента: US09455007B2. Автор: Chien-Hung Liu,Yu-Tsung Lin,Jyun-Siang Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Systems, methods and media of optimization of temporary read errors in 3d nand memory devices

Номер патента: US20240046980A1. Автор: LEI Jin,Pan Xu,Wen Zhou,Da Li,Kun Yang,Jianquan Jia,Kaikai You,Zhe Luo,Xinlei Jia,Jiayin HAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Fast and efficient verify recovery and array discharge for 3d nand memory arrays

Номер патента: US20240071532A1. Автор: Rohit S. Shenoy,Shantanu R. Rajwade,Sagar UPADHYAY,Golnaz Karbasian,Tarek Ahmed AMEEN BESHARI. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Control method and system in 3d nand systems

Номер патента: US20240153547A1. Автор: Daesik Song. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Local word line driver and flash memory array device thereof

Номер патента: US20120170377A1. Автор: Takao Akaogi. Владелец: Eon Silicon Solutions Inc. Дата публикации: 2012-07-05.

3d nand memory with fast corrective read

Номер патента: US20240062832A1. Автор: Jun Wan,Yu-Chung Lien,Zhenming Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Temperature dependent voltage to unselected drain side select transistor during program of 3d nand

Номер патента: EP3278338A1. Автор: Jian Chen,Yingda Dong,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-02-07.

Temperature dependent voltage to unselected drain side select transistor during program of 3D NAND

Номер патента: US09443605B1. Автор: Jian Chen,Yingda Dong,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device and operating method for controlling driving direction of word line

Номер патента: US20240265970A1. Автор: Moon Soo Sung,Chang Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Temperature dependent voltage to unselected drain side select transistor during program of 3d nand

Номер патента: WO2016160071A1. Автор: Jian Chen,Yingda Dong,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-10-06.

一种3D NAND Flash减小数据保留错误的编程方法

Номер патента: CN114765043A. Автор: 杨洋,沙金,邓上鹏. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-07-19.

一种3D NAND Flash减小数据保留错误的编程方法

Номер патента: CN114765043. Автор: 杨洋,沙金,邓上鹏. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-07-19.

Memory and method for charging a word line thereof

Номер патента: US20090116293A1. Автор: Kuen-Long Chang,Chun-Hsiung Hung,Chun-yi Lee,Yung-Feng Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-07.

一种获得电荷俘获型3d nand闪存软信息的方法

Номер патента: CN111798902. Автор: 高美洲,裴永航. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-20.

3d nand闪存及其操作方法

Номер патента: CN111630600. Автор: 魏文喆,刘红涛,黄莹,黄德佳. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-04.

3d nand中出于数据安全目的的即时且永久的自毁方法

Номер патента: CN113948138. Автор: 刘晓华,李靓,王伟豪,D.J.里德. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2022-01-18.

3d nand闪存及其操作方法

Номер патента: CN113823347. Автор: 魏文喆,刘红涛,黄莹,黄德佳. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-21.

Word line booster circuit and method

Номер патента: US12131770B1. Автор: Atul Katoch. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

3D NAND flash memory and operation method thereof

Номер патента: CN113823347A. Автор: 魏文喆,刘红涛,黄莹,黄德佳. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-21.

Word line voltage detection circuit for enchanced read operation

Номер патента: US20230079077A1. Автор: Saied Hemati,Binh Ngo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-16.

Memory program-verify with adaptive sense time based on distance from a word line driver

Номер патента: US20240194278A1. Автор: Xiang Yang,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

High voltage tolerant word-line driver

Номер патента: US09875783B2. Автор: Cyrille Dray,Liqiong Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Systems and Methods for Memory Operation Using Local Word Lines

Номер патента: US20230307024A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hidehiro Fujiwara,Yi-Hsin Nien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Negative word line enabled pre-boosting strategy to improve nand program performance

Номер патента: US20240355401A1. Автор: Xiang Yang,Wei Cao,Peng Zhang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-24.

Sub-Word Line Driver Placement For Memory Device

Номер патента: US20230267989A1. Автор: Hung-jen Liao,Ching-Wei Wu,Yi-Tzu Chen,Hau-Tai Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Sub-word line driver placement for memory device

Номер патента: US11929109B2. Автор: Hung-jen Liao,Ching-Wei Wu,Yi-Tzu Chen,Hau-Tai Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Sub-word line driver placement for memory device

Номер патента: US20220199145A1. Автор: Hung-jen Liao,Ching-Wei Wu,Yi-Tzu Chen,Hau-Tai Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Hybrid dynamic word line start voltage

Номер патента: US20240282381A1. Автор: Deping He,Kulachet Tanpairoj,Chun Sum Yeung. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Sub-Word Line Driver Placement For Memory Device

Номер патента: US20240185911A1. Автор: Hung-jen Liao,Ching-Wei Wu,Yi-Tzu Chen,Hau-Tai Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Sub-word line driver placement for memory device

Номер патента: US20220130446A1. Автор: Hung-jen Liao,Ching-Wei Wu,Yi-Tzu Chen,Hau-Tai Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Word line driver for vector-by-matrix multiplication array

Номер патента: US20240095508A1. Автор: Hieu Van Tran,Thuan Vu,Stanley Hong,Kha Nguyen,Hien Pham,Han Tran,Ahn Ly. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Leakage detection for three-dimensional nand memory

Номер патента: US20220399073A1. Автор: Kun Yang,Min She,Albert I. Ming CHANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-15.

Non-volatile memory (nvm) with word line driver/decoder using a charge pump voltage

Номер патента: US20140269140A1. Автор: Padmaraj Sanjeevarao,David W. Chrudimsky. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-09-18.

Word line drivers in non-volatile memory device and method having a shared power bank and processor-based systems using same

Номер патента: US20110110163A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-05-12.

Non-volatile memory with multi-level cell array and associated read control method

Номер патента: EP3910636A1. Автор: Wei-Ming Ku,Chia-Fu Chang,Hung-Yi Liao. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-17.

Non-volatile memory with multi-level cell array and associated read control method

Номер патента: US20210358543A1. Автор: Wei-Ming Ku,Chia-Fu Chang,Hung-Yi Liao. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

Double program debug method for nand memory using self-verification by internal firmware

Номер патента: EP4437542A1. Автор: Youxin He. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Mixing normal and reverse order programming in NAND memory devices

Номер патента: US11967382B2. Автор: Qing Li,Xiaoyu Yang,Henry Chin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-23.

Mixing normal and reverse order programming in nand memory devices

Номер патента: US20230253046A1. Автор: Qing Li,Xiaoyu Yang,Henry Chin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-10.

Non-volatile memory with tier-wise ramp down after program-verify

Номер патента: WO2024049529A1. Автор: Xiang Yang,Dengtao Zhao,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-07.

Non-volatile memory with adaptive dummy word line bias

Номер патента: US20240177778A1. Автор: PENG Wang,Jie Liu,Xiaoyu Yang,Feng Gao,Yihang Liu,Xiaochen Zhu,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-30.

Non-volatile memory with reverse state program

Номер патента: EP4405950A1. Автор: Liang Li,Ming Wang,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-31.

Double program debug method for nand memory using self-verification by internal firmware

Номер патента: US20240105273A1. Автор: Youxin He. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Row decoder and a memory device having the same

Номер патента: US20170084335A1. Автор: Wook-ghee Hahn,Chang-Yeon YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-23.

Row decoder and a memory device having the same

Номер патента: US09818483B2. Автор: Wook-ghee Hahn,Chang-Yeon YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Non-volatile memory with multi-word line select for defect detection operations

Номер патента: US09449694B2. Автор: Khanh Nguyen,Jagdish Sabde,Sagar Magia,Rajan Paudel. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-20.

Leakage detection for three-dimensional NAND memory

Номер патента: US11923032B2. Автор: Kun Yang,Min She,Albert I. Ming CHANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Double program debug method for nand memory using self-verification by internal firmware

Номер патента: WO2023137576A1. Автор: Youxin He. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-07-27.

Double program debug method for NAND memory using self-verification by internal firmware

Номер патента: US11887678B2. Автор: Youxin He. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Non-volatile memory with different word line to word line pitches

Номер патента: WO2024072503A1. Автор: Xiang Yang,Wei Cao,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Non-volatile memory with one sided phased ramp down after program-verify

Номер патента: WO2024025657A1. Автор: Xiang Yang,Yanli Zhang,Peng Zhang,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-01.

Non-volatile memory with one sided phased ramp down after program-verify

Номер патента: US20240029806A1. Автор: Xiang Yang,Yanli Zhang,Peng Zhang,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-25.

Non-volatile memory with one sided phased ramp down after program-verify

Номер патента: US11972819B2. Автор: Xiang Yang,Yanli Zhang,Peng Zhang,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-30.

Non-volatile memory with loop dependant ramp-up rate

Номер патента: WO2024151342A1. Автор: Toru Miwa,Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

Non-volatile memory with overdrive voltage zoning to compensate for reduced margins

Номер патента: US20240127895A1. Автор: JIA Li,PENG Wang,Zhenni Wan,Bo Lei,Yihang Liu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-18.

Non-volatile memory with reverse state program

Номер патента: US11790994B2. Автор: Liang Li,Ming Wang,Jiahui Yuan. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Non-volatile memory with tier-wise ramp down after program-verify

Номер патента: US11972820B2. Автор: Xiang Yang,Dengtao Zhao,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-30.

Non-volatile memory with tier-wise ramp down after program-verify

Номер патента: US20240071529A1. Автор: Xiang Yang,Dengtao Zhao,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Word line charge integration

Номер патента: WO2024137192A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-06-27.

Non-volatile memory with efficient testing during erase

Номер патента: WO2023158450A1. Автор: Dana Lee,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-24.

Asymmetric vreadk to reduce neighboring word line interference in a memory device

Номер патента: US20240371444A1. Автор: Xiang Yang,Peng Zhang,Dengtao Zhao. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Non-volatile memory with engineered channel gradient

Номер патента: US11881271B2. Автор: Xiang Yang,Jiacen Guo,Xiaochen Zhu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-23.

Non-volatile memory with engineered channel gradient

Номер патента: US20230386585A1. Автор: Xiang Yang,Jiacen Guo,Xiaochen Zhu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-30.

Non-volatile memory with reverse state program

Номер патента: WO2023048773A1. Автор: Liang Li,Ming Wang,Jiahui Yuan. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2023-03-30.

Dual bit line driver for memory

Номер патента: US20030012053A1. Автор: Christophe Chevallier. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-01-16.

Non-volatile memory with precise programming

Номер патента: US12051473B2. Автор: Liang Li,Ming Wang. Владелец: Western Digital Technolologies Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Second word line combined with y-mux signal in high voltage memory program

Номер патента: US20230377629A1. Автор: Yoshitaka Yamauchi,Hiroki Noguchi,Perng-Fei Yuh,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Row decoder for NAND memories

Номер патента: US20060050575A1. Автор: Carlo Borromeo,Raffaele Mastrangelo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-09.

Method and system for improving word line data retention for memory blocks

Номер патента: US11721402B2. Автор: Vinayak Bhat,Nikhil ARORA,Amiya Banerjee. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-08.

Method and system for improving word line data retention for memory blocks

Номер патента: US11386969B1. Автор: Vinayak Bhat,Nikhil ARORA,Amiya Banerjee. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-12.

Reducing Hot Electron Injection Type Of Read Disturb In 3D Non-Volatile Memory For Edge Word Lines

Номер патента: US20160358662A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-08.

Semi-circle drain side select gate maintenance by selective semi-circle dummy word line program

Номер патента: US20230046677A1. Автор: Xiang Yang,Gerrit Jan Hemink,Deepanshu Dutta,Shubhajit Mukherjee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-02-16.

用于dram及3d nand装置的设计辅助检验

Номер патента: CN114223017. Автор: 李晓春,李胡成,S·S·帕克,俊青·珍妮·黄. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2022-03-22.

Design assisted verification for DRAM and 3D NAND devices

Номер патента: CN114223017A. Автор: 李晓春,李胡成,S·S·帕克,俊青·珍妮·黄. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2022-03-22.

Dram 및 3d nand 디바이스에 대한 디자인 지원 검사

Номер патента: KR102621488B1. Автор: 후쳉 리,시아오춘 리,준킹 후앙 (제니),션 상봉 박. Владелец: 케이엘에이 코포레이션. Дата публикации: 2024-01-04.

Design-assisted inspection for DRAM and 3D NAND devices

Номер патента: US11783470B2. Автор: Xiaochun Li,Junqing Huang,Hucheng Lee,Sangbong Park. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Hospitality venue navigation, guide, and local based services applications utilizing RF beacons

Номер патента: US09491584B1. Автор: Ehud Mendelson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-08.

Combined hybrid and local dimming control of light emitting diodes

Номер патента: US09468065B2. Автор: Ari Kalevi Väänänen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Method and apparatus for synchronizing master and local time base systems

Номер патента: CA1049151A. Автор: Stanley Lehr,Philmore Coralnick,Gary W. Blauth. Владелец: Singer Co. Дата публикации: 1979-02-20.

Hardware and software friendly system and method for decoder-side motion vector refinement with decoder-side bi-predictive optical flow based per-pixel correction to bi-predictive motion compensation

Номер патента: US11490096B2. Автор: Sriram Sethuraman,Jeeva Raj A,Sagar KOTECHA. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-01.

Distributed data storage system data decoding and decryption

Номер патента: US11233643B1. Автор: Jason K. Resch,Wesley B. Leggette. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2022-01-25.

Tracking implementing geopositioning and local modes

Номер патента: EP2171494A1. Автор: Jack Steenstra,Kirk S. Taylor,Liren Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2010-04-07.

Combined Hybrid and Local Dimming Control of Light Emitting Diodes

Номер патента: US20160113085A1. Автор: Ari Kalevi Väänänen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-04-21.

Device, system and method for distributing and locally persisting provider objects

Номер патента: WO2024088807A1. Автор: Gilles Gagniard,Yves GREALOU,Yannick DEVAUX,Nicolas Monteil. Владелец: AMADEUS S.A.S.. Дата публикации: 2024-05-02.

3D NAND memory device and control method thereof

Номер патента: US12057176B2. Автор: Ke Liang,Liang Qiao,Zhipeng DONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Determination of word line to local source line shorts

Номер патента: US09484086B2. Автор: Sagar Magia,Jagdish M. Sabde. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-01.

2D/3D NAND memory array with bit-line hierarchical structure for multi-page concurrent SLC/MLC program and program-verify

Номер патента: US09613704B2. Автор: Peter Wung Lee. Владелец: Aplus Flash Technology, Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

3d nand memory device and control method thereof

Номер патента: US20240087654A1. Автор: Ke Liang,Liang Qiao,Zhipeng DONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Inference operation method and controlling circuit of 3d nand artificial intelligence accelerator

Номер патента: US20220068387A1. Автор: Po-Kai Hsu,Teng-Hao Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Apparatus and method to improve read window budget in a three dimensional nand memory

Номер патента: US20230317180A1. Автор: Ali Khakifirooz,Sung-taeg Kang,Rohit S. Shenoy,Golnaz Karbasian,Rifat Ferdous. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2023-10-05.

3d nand存储器的验证统计电路、方法及3d nand存储器

Номер патента: CN112331255. Автор: 曹毅. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-05.

3d nand闪存的控制方法和控制器

Номер патента: CN111727477. Автор: 魏文喆,刘红涛,王启光,黄莹. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-29.

3d nand快閃記憶體的控制方法和控制器

Номер патента: TWI813886B. Автор: 魏文喆,王啟光,劉紅濤,黃瑩. Владелец: 大陸商長江存儲科技有限責任公司. Дата публикации: 2023-09-01.

Control method and controller of 3D NAND flash

Номер патента: US20210350853A1. Автор: Ying Huang,Hongtao Liu,Qiguang Wang,Wenzhe WEI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

3d nand闪存编程方法

Номер патента: CN112365913. Автор: 聂虹,陈精纬. Владелец: China Flash Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-12.

3D NAND flash memory programming method

Номер патента: CN112365913A. Автор: 聂虹,陈精纬. Владелец: China Flash Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-12.

Digital Neutron Dosimeter Based On 3D NAND Flash Memory

Номер патента: US20230408715A1. Автор: Mark Samuilovich Akselrod,Vasiliy Vasilyevich Fomenko,Jonathan Mitchell Harrison. Владелец: Landauer Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

一种3d nand闪存参考电压优化调节方法、系统及计算机可读存储介质

Номер патента: CN114242136. Автор: 刘畅,朱广平,韩国军,张孝谊. Владелец: GUANGDONG UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2022-03-25.

Method of improving programming operations in 3d nand systems

Номер патента: US20240168640A1. Автор: Feng Xu,Da Li,Jianquan Jia,Zhe Luo,XiangNan Zhao,Yaoyao TIAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

一种3d nand闪存参考电压优化调节方法、系统及计算机可读存储介质

Номер патента: CN114242136A. Автор: 刘畅,朱广平,韩国军,张孝谊. Владелец: GUANGDONG UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2022-03-25.

一种用于减少3D NAND系统中Vpass干扰的方法

Номер патента: CN118016126. Автор: 崔莹,刘红涛,宋雅丽,远杰,闵园园. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-10.

Word line dependent temperature compensation scheme during sensing to counteract cross-temperature effect

Номер патента: US09543028B2. Автор: Biswajit Ray,Changyuan Chen,Mohan DUNGA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-01-10.

Program scheme in 3d nand flash memory

Номер патента: US20190295652A1. Автор: Lee-Yin Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-26.

Pseudo block operation mode in 3d nand

Номер патента: WO2014201246A1. Автор: Man Mui,Gautam Dusija,Chris Avila,Xiying Costa,Alexander Kwok-Tung Mak. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-12-18.

Pseudo Block Operation Mode In 3D NAND

Номер патента: US20150092493A1. Автор: Man Mui,Gautam Dusija,Chris Avila,Xiying Costa,Alexander Kwok-Tung Mak. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-04-02.

Pseudo single pass nand memory programming

Номер патента: US20190096490A1. Автор: Xin Guo,Purval S. Sule,Aliasgar S. Madraswala,David B. Carlton. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

3D NAND flash and operation method thereof

Номер патента: US11342023B2. Автор: Ying Huang,Hongtao Liu,Wenzhe WEI,Dejia Huang,Song Min Jiang. Владелец: Yangzte Memory Technologies Ltd. Дата публикации: 2022-05-24.

3d nand存储器件及其控制方法

Номер патента: CN117711465. Автор: 董志鹏,乔梁,梁轲. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-15.

3d nand闪存及其操作方法

Номер патента: CN111758130. Автор: 魏文喆,刘红涛,黄莹,黄德佳,蒋颂敏. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-09.

Nand memory device wordlines pre-charging and operating method of the same

Номер патента: EP4398251A1. Автор: Yohan Lee,Sangsoo Park,Jonghoon Park,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

3d nand flash and operation method thereof

Номер патента: US20210366545A1. Автор: Ying Huang,Hongtao Liu,Wenzhe WEI,Dejia Huang,Song Min Jiang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

一种3d nand存储器擦除时的电压控制方法及装置

Номер патента: CN114822652. Автор: 陈子龙,付祥,高帅,安阳,姜柯,曹华敏,黄新运,王颀,张黄鹏,向斌. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-29.

Separate peak current checkpoints for closed and open block read icc countermeasures in nand memory

Номер патента: US20240355400A1. Автор: Mark Shlick,Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-24.

一种3d nand存储器擦除时的电压控制方法及装置

Номер патента: CN110993009. Автор: 陈子龙,付祥,高帅,安阳,姜柯,曹华敏,黄新运,王颀,张黄鹏,向斌. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-10.

Separate peak current checkpoints for closed and open block read icc countermeasures in nand memory

Номер патента: WO2024226121A1. Автор: Mark Shlick,Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-31.

一种3d nand存储器擦除时的电压控制方法及装置

Номер патента: CN110993009A. Автор: 陈子龙,付祥,高帅,安阳,姜柯,曹华敏,黄新运,王颀,张黄鹏,向斌. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-10.

3d nand存储器件及其控制方法

Номер патента: CN117711465A. Автор: 董志鹏,乔梁,梁轲. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-15.

3D NAND flash and operation method thereof

Номер патента: US10978153B1. Автор: Ying Huang,Hongtao Liu,Wenzhe WEI,Dejia Huang,Song Min Jiang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-13.

Memory device and word line driver thereof

Номер патента: US11875854B2. Автор: Hang-Ting Lue,Chih-Ming Lin,Wu-Chin Peng,Teng Hao Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Memory device and word line driver thereof

Номер патента: EP4254414A1. Автор: Hang-Ting Lue,Chih-Ming Lin,Wu-Chin Peng,Teng Hao Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-04.

Memory device and word line driver thereof

Номер патента: US20230317167A1. Автор: Hang-Ting Lue,Chih-Ming Lin,Wu-Chin Peng,Teng Hao Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Integrated four-phase digital memory circuit with decoders

Номер патента: US3886532A. Автор: Horst A R Wegener,Douglas R Askegard. Владелец: Sperry Rand Corp. Дата публикации: 1975-05-27.

Programming for three-dimensional nand memory

Номер патента: US20240112739A1. Автор: Chao Zhang,Haibo Li,Joohyun Jin. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Programming for three-dimensional nand memory

Номер патента: US20220319607A1. Автор: Chao Zhang,Haibo Li,Joohyun Jin. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Programming for three-dimensional NAND memory

Номер патента: US11887671B2. Автор: Chao Zhang,Haibo Li,Joohyun Jin. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Word-line driver for memory

Номер патента: US20140233321A1. Автор: Vikas RANA. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2014-08-21.

Architecture and method for nand memory operation

Номер патента: US20240177787A1. Автор: Haibo Li,Changhyun LEE,XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Sequence detection for flash memory with inter-cell interference

Номер патента: US20130107622A1. Автор: Xueshi Yang,Zining Wu. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2013-05-02.

Reusing partial bad blocks in NAND memory

Номер патента: US09460815B2. Автор: Abhijeet Manohar,Vijay Sivasankaran,Vivek Shivhare. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-10-04.

Non-volatile memory with programmable resistance non-data word line

Номер патента: US20240103742A1. Автор: Ravi Kumar,Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin,Towhidur Razzak. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-28.

Non-volatile memory with early dummy word line ramp down after precharge

Номер патента: US12112812B2. Автор: Xiang Yang,Dengtao Zhao,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Non-volatile memory with dynamic repurpose of word line

Номер патента: US09910749B2. Автор: Bin Wu,Nian Niles Yang,Jiahui Yuan,Xinde Hu,Grishma Shah,Lanlan Gu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-06.

Non-volatile memory with efficient programming

Номер патента: US09721662B1. Автор: Chris Avila,Nian Niles Yang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-01.

Architecture and method for nand memory programming

Номер патента: US20240194280A1. Автор: Weijun Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Sequence Detection for Flash Memory With Inter-Cell Interference

Номер патента: US20120099372A1. Автор: Xueshi Yang,Zining Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-26.

Writing method for nonvolatile semiconductor memory with soft-write repair for over-erased cells

Номер патента: US5742541A. Автор: Shinichi Sato,Takuji Tanigami. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1998-04-21.

Loop dependent word line ramp start time for program verify of multi-level nand memory

Номер патента: WO2024049533A1. Автор: Toru Miwa,Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-07.

Loop dependent word line ramp start time for program verify of multi-level NAND memory

Номер патента: US11875043B1. Автор: Toru Miwa,Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-16.

Non-volatile memory with short prevention

Номер патента: US12046294B2. Автор: Feng Gao,Yihang Liu,Xiaochen Zhu,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-23.

Non-Volatile Memory With Linear Estimation of Initial Programming Voltage

Номер патента: US20100020614A1. Автор: Yan Li,Loc Tu,Charles Moana Hook. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-28.

Memory with low and fixed pre-charge loading

Номер патента: US6980456B2. Автор: Chung-Kuang Chen,Hsiang-Pang Li. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-27.

Non-volatile memory with multi-level cell array and associated program control method

Номер патента: EP3910637A1. Автор: Chia-Fu Chang,Hung-Yi Liao. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-17.

Realization of neural networks with ternary inputs and binary weights in nand memory arrays

Номер патента: US20200311523A1. Автор: Tung Thanh Hoang,Martin LUEKER-BODEN,Won Ho Choi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-10-01.

Non-volatile memory with multi-level cell array and associated program control method

Номер патента: US20210350862A1. Автор: Chia-Fu Chang,Hung-Yi Liao. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

NAND memory addressing

Номер патента: US09881675B2. Автор: Terry Grunzke,Tommaso Vali,Umberto Siciliani,Ali Mohammadzadeh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Non-volatile memory with floating grid and without thick oxide

Номер патента: US4887238A. Автор: Albert Bergemont. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1989-12-12.

Programming selective word lines during an erase operation in a memory device

Номер патента: US20230289062A1. Автор: Jonathan S. Parry,Kishore Kumar Muchherla,Violante Moschiano,Akira Goda,Ugo Russo,Silvia Beltrami,Niccolo' Righetti,Jeffrey S. McNeil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Programming selective word lines during an erase operation in a memory device

Номер патента: US12131028B2. Автор: Jonathan S. Parry,Kishore Kumar Muchherla,Violante Moschiano,Akira Goda,Ugo Russo,Silvia Beltrami,Niccolo' Righetti,Jeffrey S. McNeil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor memory device having dummy word lines and operating method thereof

Номер патента: US09741408B2. Автор: Yeonghun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Inter-word-line programming in arrays of analog memory cells

Номер патента: US20140160865A1. Автор: Eyal Gurgi,Yoav Kasorla,Yael Shur. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-06-12.

Nonvolatile memory with efficient look-ahead read

Номер патента: US20220359017A1. Автор: Deepanshu Dutta,Ravi J. Kumar,Sujjatul Islam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-11-10.

Non-volatile memory with reduced word line switch area

Номер патента: US20240111440A1. Автор: Yuki Mizutani,Kazutaka Yoshizawa,Eiichi Fujikura,Kiyokazu Shishido. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Non-volatile memory with early dummy word line ramp down after precharge

Номер патента: WO2024035476A1. Автор: Xiang Yang,Dengtao Zhao,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-15.

Non-volatile memory with early dummy word line ramp down after precharge

Номер патента: US20240055059A1. Автор: Xiang Yang,Dengtao Zhao,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-15.

Non-volatile memory with reduced word line switch area

Номер патента: US12032837B2. Автор: Yuki Mizutani,Kazutaka Yoshizawa,Eiichi Fujikura,Kiyokazu Shishido. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

Programming Of Drain Side Word Line To Reduce Program Disturb And Charge Loss

Номер патента: US20160099058A1. Автор: Wei Zhao,Yingda Dong,Ching-Huang Lu,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-04-07.

Programming of drain side word line to reduce program disturb and charge loss

Номер патента: EP3204948A1. Автор: Wei Zhao,Yingda Dong,Ching-Huang Lu,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-16.

Programming of drain side word line to reduce program disturb and charge loss

Номер патента: WO2016057202A1. Автор: Wei Zhao,Yingda Dong,Ching-Huang Lu,Jiahui Yuan. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2016-04-14.

Non volatile flash memory with improved verification recovery and column seeding

Номер патента: EP3876235A1. Автор: Xiang Yang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-08.

Word line zone dependent pre-charge voltage

Номер патента: US20230223084A1. Автор: Yu-Chung Lien,Jiahui Yuan,Fanqi WU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-07-13.

AC stress mode to screen out word line to word line shorts

Номер патента: US09460809B2. Автор: Jagdish Sabde,Sagar Magia. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-10-04.

3d nand闪存阈值电压分布预测方法、设备及存储系统

Номер патента: CN114171095A. Автор: 吴非,谢长生,刘伟华,董卜榕,付内东. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2022-03-11.

3d nand闪存阈值电压分布预测方法、设备及存储系统

Номер патента: CN114171095. Автор: 吴非,谢长生,刘伟华,董卜榕,付内东. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2022-03-11.

一种3d nand存储器的读取方法及装置

Номер патента: CN113257323. Автор: 王礼维. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-13.

降低3d nand存储器编程干扰的方法

Номер патента: CN110211625. Автор: 李伟,王明,魏文喆,刘红涛,闵园园. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-06.

一种3d nand存储器的读取方法及装置

Номер патента: CN110556148. Автор: 王礼维. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-10.

Optimized erase operation for non-volatile memory with partially programmed block

Номер патента: EP2867899A1. Автор: Koichi Nishimura,Ken Oowada,Yingda Dong,Deepanshu Dutta. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-05-06.

Optimized erase operation for non-volatile memory with partially programmed block

Номер патента: WO2014003887A1. Автор: Koichi Nishimura,Ken Oowada,Yingda Dong,Deepanshu Dutta. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2014-01-03.

Flash memory with improved read performance

Номер патента: US20160064092A1. Автор: Jon S. Choy,Anirban Roy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-03.

Flash memory with improved read performance

Номер патента: US09401217B2. Автор: Jon S. Choy,Anirban Roy. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-07-26.

Sensing for nand memory based on word line position

Номер патента: WO2012044635A2. Автор: Haibo Li. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2012-04-05.

Word line dependent two strobe sensing mode for nonvolatile storage elements

Номер патента: EP3213325A1. Автор: Gerrit Jan Hemink,Deepanshu Dutta,Xiaochang Miao. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-09-06.

Non-volatile memory with faster post-erase defect testing

Номер патента: US20240290412A1. Автор: Parth AMIN,Anubhav Khandelwal,Sai Gautham THOPPA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Local word line driver

Номер патента: US09570133B2. Автор: Chun-Hsiung Hung,Chung-Kuang Chen,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Memory with single transistor sub-word line drivers, and associated systems, devices, and methods

Номер патента: US20240071469A1. Автор: Tae H. Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Local word line driver

Номер патента: US09449666B2. Автор: Chun-Hsiung Hung,Chung-Kuang Chen,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Sub-word line driver having common gate boosted voltage

Номер патента: US12131769B2. Автор: Tae H. Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Sub-word line driver circuit

Номер патента: US20200350011A1. Автор: Tae H. Kim,Charles L. Ingalls. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Sub-word line driver having common gate boosted voltage

Номер патента: US20240055043A1. Автор: Tae H. Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

一种轮换式交替访问3d nand存储器可靠性并行测试方法

Номер патента: CN117809731. Автор: 王博,王亚男,郑雪松,梅博,莫日根,王文炎,杨智博,吉俐,张雷浩. Владелец: China Academy of Space Technology CAST. Дата публикации: 2024-04-02.

Method for testing 3D NAND word line resistance

Номер патента: CN106683708A. Автор: 张顺勇,汤光敏,李品欢. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-17.

3D NAND Flash存储器的测试算法及其装置

Номер патента: CN111653305. Автор: 刘飞,霍宗亮,王颀,张桔萍. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-09-11.

Phase change memory with bipolar junction transistor select device

Номер патента: US7848133B2. Автор: Richard Fackenthal,Meenatchi Jagasivamani. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-12-07.

Apparatus and method for selective sub word line activation for reducing testing time

Номер патента: US9595351B2. Автор: Don Hyun Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Apparatus and method for selective sub word line activation for reducing testing time

Номер патента: US09595351B2. Автор: Don Hyun Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Phase change memory with bipolar junction transistor select device

Номер патента: US20090168503A1. Автор: Richard Fackenthal,Meenatchi Jagasivamani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-02.

Apparatus to suppress concurrent read and write word line access of the same memory element in a memory array

Номер патента: US20140177346A1. Автор: Greg M. Hess,Hitesh Gupta,Aravind Kandala. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Word line driver, method for driving the word line driver, and semiconductor memory device having the word line driver

Номер патента: US20090323455A1. Автор: Kang-Seol Lee,Tae-Sik Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-12-31.

Word line driver for semiconductor memories

Номер патента: WO2000026941A9. Автор: Jong-Hoon Oh. Владелец: Hyundai Electronics America. Дата публикации: 2000-09-28.

Apparatuses and methods for providing word line voltages

Номер патента: US20130215701A1. Автор: Harish N. Venkata. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-08-22.

Multi-bank memory with word-line banking, bit-line banking and i/o multiplexing utilizing tilable interconnects

Номер патента: EP1194930A1. Автор: Adam Kablanian. Владелец: Virage Logic Corp. Дата публикации: 2002-04-10.

基于3d nand flash存储阵列的tcam及其操作方法

Номер патента: CN115273924. Автор: 黄鹏,康晋锋,刘晓彦,刘力锋,项亚臣,韩润泽,杨昊璋. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-11-01.

Memory circuit and word line driver

Номер патента: US20240371435A1. Автор: Wei-jer Hsieh,Zhi-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

基于3d nand flash存储阵列的tcam及其操作方法

Номер патента: CN115273924A. Автор: 黄鹏,康晋锋,刘晓彦,刘力锋,项亚臣,韩润泽,杨昊璋. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-11-01.

Phase change memory word line driver

Номер патента: US20130336055A1. Автор: Hong Beom Pyeon. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2013-12-19.

Word Line Driver for Low Voltage Operation

Номер патента: US20210249059A1. Автор: Sanjeev Kumar Jain. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

一种基于电流监测的3d nand存储器辐照效应测试装置及方法

Номер патента: CN117854577. Автор: 王博,王亚男,郑雪松,梅博,莫日根,王文炎,杨智博,吉俐,张雷浩. Владелец: China Academy of Space Technology CAST. Дата публикации: 2024-04-09.

Memory circuit and word line driver

Номер патента: US12112796B2. Автор: Wei-jer Hsieh,Zhi-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

基于3d nand flash存储阵列的tcam及其操作方法

Номер патента: CN111462792. Автор: 黄鹏,康晋锋,刘晓彦,刘力锋,项亚臣,韩润泽,杨昊璋. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-07-28.

Semiconductor memory device of divided word line

Номер патента: US5282175A. Автор: Kenji Anami,Shuji Murakami,Koreaki Fujita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-01-25.

Semiconductor device for detecting defect in word line driver

Номер патента: US20240290415A1. Автор: Byeong Cheol Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Row address decoder and word line driver unit with pull-down transistors operable in saturation region for rapidly driving word lines

Номер патента: US5295116A. Автор: Shinichi Iwashita. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-03-15.

Semiconductor memory device and layout structure of sub-word line control signal generator

Номер патента: US20110075505A1. Автор: In-Chul Jeong,Dong-Su Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-03-31.

Word line drivers for memory devices

Номер патента: US20240194256A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui,Brenton P. Van Leeuwen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Word line driver circuit and resistance variable memory apparatus having the same

Номер патента: US09508411B2. Автор: Yoon Jae Shin,Chang Yong AHN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Word line driver circuitry, and associated methods, devices, and systems

Номер патента: US11270746B2. Автор: Tae H. Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-08.

Headerless word line driver with shared word line underdrive control

Номер патента: WO2020101748A1. Автор: Tawfik Ahmed,Russell J. Schreiber,Ilango Jeyasubramanian. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2020-05-22.

Headerless word line driver with shared word line underdrive control

Номер патента: EP3881321A1. Автор: Tawfik Ahmed,Russell J. Schreiber,Ilango Jeyasubramanian. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2021-09-22.

Semiconductor device with hierarchical word line scheme

Номер патента: US09691438B2. Автор: Seol Hee LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Local word line decoder for memory with 2 MOS devices

Номер патента: US5867445A. Автор: Howard C. Kirsch,Yen-Tai Lin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 1999-02-02.

Cache memory device including word line driver circuit and method

Номер патента: US6738278B2. Автор: Jin Sung Kim,Kwang-Il Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-05-18.

Memory device with global and local latches

Номер патента: US11922998B2. Автор: Atul Katoch,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Memory device with global and local latches

Номер патента: US20240087641A1. Автор: Atul Katoch,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Word line drivers sharing a transistor, and related memory devices and systems

Номер патента: US20210057008A1. Автор: Tae H Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Word line fault detection

Номер патента: US20120327699A1. Автор: Ravindraraj Ramaraju,Alexander B. Hoefler. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-27.

Word line driver circuit with reduced leakage

Номер патента: EP2179418A1. Автор: Dennis E. Dudeck,Donald Albert Evans,Hai Quang Pham,Wayne E. Werner,Ronald James Wozniak. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2010-04-28.

Word line driver circuits for memory devices and methods of operating same

Номер патента: US20210225425A1. Автор: Youngsik Kim,Sangyun Kim,Seunghyun CHO,Sunggeun Do,Gongheum HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-22.

Word line driving unit with a boost voltage generator and memory device including the same

Номер патента: US10090032B2. Автор: Ching-Wei Wu,He-Zhou Wan,Ming-En Bu,Weiyang Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-02.

Word Line Driving Unit With a Boost Voltage Generator and Memory Device Including the Same

Номер патента: US20170345473A1. Автор: Ching-Wei Wu,He-Zhou Wan,Ming-En Bu,Weiyang Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-30.

Method and apparatus for managing seed value for data scrambling in nand memory

Номер патента: US20210375374A1. Автор: Saugata Das Purkayastha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-02.

Array word line driver system

Номер патента: US4413191A. Автор: Russell J. Houghton. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1983-11-01.

Dual power rail word line driver and dual power rail word line driver array

Номер патента: US20100302880A1. Автор: Chia-Wei Wang,Paul William Hollis,Joseph Patrick Geisler,Matthew B. Rutledge. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2010-12-02.

Memory circuit and word line driver

Номер патента: US20230260571A1. Автор: Wei-jer Hsieh,Zhi-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

一种3D Nand Flash扫描检测方法和系统

Номер патента: CN107481764A. Автор: 龙承东. Владелец: SHENZHEN CHIPSBANK TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-15.

Phase change memory word line driver

Номер патента: US20150049543A1. Автор: Hong Beom Pyeon. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2015-02-19.

Recording operation for magnetoresistive random access memory with spin transfer torque with reduced size of bit cell

Номер патента: RU2471260C2. Автор: Сеунг Х. КАНГ,Сей Сеунг ЙООН,Мехди Хамиди САНИ,Сеонг-Оок ДЗУНГ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2012-12-27.

RAM row decode circuitry that utilizes a precharge circuit that is deactivated by a feedback from an activated word line driver

Номер патента: US5400283A. Автор: George B. Raad. Владелец: Micron Semiconductor Inc. Дата публикации: 1995-03-21.

Method of reducing word line resistance of a semiconductor memory

Номер патента: US5631183A. Автор: Hyeun-Su Kim,Dong-Jae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-05-20.

Clocked memory with latching predecoder circuitry

Номер патента: EP2672485A3. Автор: Ravindraraj Ramaraju,Hema Ramamurthy. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-11-01.

Memory with improved data reliability

Номер патента: US20110261633A1. Автор: Vikas Chandra,Robert Campbell Aitken,Cezary Pietrzyk. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2011-10-27.

Dynamic cascode-managed high-voltage word-line driver circuit

Номер патента: US9025403B1. Автор: Abraham Mathews,Donald W. Plass,Gregory J. Fredeman,Kenneth J. Reyer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-05-05.

Nand logic word line selection

Номер патента: WO2012087484A3. Автор: Balaji Srinivasan,Fatih Hamzaoglu,Swaroop Ghosh,Dinesh SOMASOKHAR. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2013-02-14.

Nand logic word line selection

Номер патента: WO2012087484A2. Автор: Balaji Srinivasan,Fatih Hamzaoglu,Swaroop Ghosh,Dinesh SOMASOKHAR. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2012-06-28.

Sensing scheme for a memory with shared sense components

Номер патента: US20230148359A1. Автор: Yuan He,Tae H. Kim,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-11.

Sensing scheme for a memory with shared sense components

Номер патента: US20240274180A1. Автор: Yuan He,Tae H. Kim,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Variable delay word line enable

Номер патента: US12119050B2. Автор: Hyunsung HONG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor memory device and layout structure of sub-word line control signal generator

Номер патента: US20090034313A1. Автор: In-Chul Jeong,Dong-Su Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-05.

Dynamic random access memory (DRAM) having a structure for emplying a word line low voltage

Номер патента: US20020044488A1. Автор: Jong-Hyun Choi,Sang-Seok Kang,Jong-eon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-04-18.

Adaptive word line control circuit

Номер патента: US12106800B2. Автор: Wei Min Chan,Chien-Chen Lin,Pei-Yuan LI,Shang Lin Wu,Hsiang-Yun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Word-line enable pulse generator, SRAM and method for adjusting word-line enable time of SRAM

Номер патента: US09786363B1. Автор: Hyunsung HONG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Word line driver, semiconductor memory apparatus and test method using the same

Номер патента: US09620198B1. Автор: Sang Yun Nam. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Dynamic word line driver for cache

Номер патента: US6122710A. Автор: Manoj Kumar,Huy Van Pham. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2000-09-19.

Word line driving circuit

Номер патента: US5557580A. Автор: Takashi Inui,Shunichi Sukegawa,Kiyoshi Nakai,Yukihide Suzuki,Shigeki Numaga. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1996-09-17.

Word-line enable pulse generator, sram and method for adjusting word-line enable time of sram

Номер патента: US20180122459A1. Автор: Hyunsung HONG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-03.

Word line layer dependent stress and screen voltage

Номер патента: US20240161849A1. Автор: Liang Li,CHAO Xu,Yidan Liu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Random access memory with cmos-compatible nonvolatile storage element and parallel storage capacitor

Номер патента: US20120262980A1. Автор: G. R. Mohan Rao. Владелец: S Aqua Semiconductor LLC. Дата публикации: 2012-10-18.

Silicon-on-insulator (soi) circuitry for low-voltage memory bit-line and word-line decoders

Номер патента: US20230162789A1. Автор: Lior Dagan. Владелец: Weebit Nano Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Memory with shielding effect

Номер патента: US20040240247A1. Автор: Wen-Chieh Lee,Chang-Ting Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-02.

Precharge-enable self boosting word line driver for an embedded DRAM

Номер патента: US6058050A. Автор: John Wu,Peter B. Gillingham,Lidong Chen. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2000-05-02.

Process and temperature compensated word line underdrive scheme for sram

Номер патента: US20240071480A1. Автор: Ashish Kumar,Dipti ARYA. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-02-29.

Variable delay word line enable

Номер патента: US20210043249A1. Автор: Hyunsung HONG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Multiport memory with matching address control

Номер патента: US20140198590A1. Автор: Perry H. Pelley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-07-17.

FB DRAM memory with state memory

Номер патента: US7848134B2. Автор: Michael Markert,Stefan Dietrich,Heinz Hoenigschmid,Milena Ivanov. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2010-12-07.

FB DRAM Memory with State Memory

Номер патента: US20100020586A1. Автор: Michael Markert,Stefan Dietrich,Heinz Hoenigschmid,Milena Ivanov. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2010-01-28.

Memory device detecting defect of word line path and operating method thereof

Номер патента: US20240296898A1. Автор: Daeseok Byeon,Taehong KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory with write assist scheme

Номер патента: US20220139450A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

Memory array with compensated word line access delay

Номер патента: US12080330B2. Автор: John D. Porter,Si Hong Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Precharge-enabled self boosting word line driver for an embedded dram

Номер патента: CA2225355C. Автор: John Wu,Peter Gillingham,Lidong Chen. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2005-11-15.

Adaptive word line control circuit

Номер патента: US20230260570A1. Автор: Irene Lin,Wei Min Chan,Chien-Chen Lin,Pei-Yuan LI,Shang Lin Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Row address decoder and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20120075942A1. Автор: Gyung Tae Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-03-29.

Row address decoder and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20090303811A1. Автор: Gyung Tae Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-12-10.

Row address decoder and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US8072835B2. Автор: Gyung Tae Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-12-06.

Memory with selectable single cell or twin cell configuration

Номер патента: US20060140040A1. Автор: Harald Lorenz,Thomas Vogelsang,Wolfgang Hokenmaier. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-06-29.

DRAM memory with a shared sense amplifier structure

Номер патента: US20040208073A1. Автор: Manfred Proell,Stephan Schroeder,Marcin Gnat,Aurel Campenhausen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-10-21.

Memory with selectable single cell or twin cell configuration and method of operating a memory

Номер патента: WO2006069761A1. Автор: Harald Lorenz,Thomas Vogelsang,Wolfgang Hokenmaier. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-07-06.

Data memory with redundant memory cells used for buffering a supply voltage

Номер патента: US6724667B2. Автор: Sabine Kling,Andreas Baenisch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-04-20.

Random access memory with pseudo-differential sensing

Номер патента: US09552869B1. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Adam J. McPadden,Edgar R. Cordero. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Resistive switching memory with cell access by analog signal controlled transmission gate

Номер патента: US09472272B2. Автор: Daniel Wang,Venkatesh P. Gopinath,Deepak Kamalanathan. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Static random access memory with bitline boost

Номер патента: US09460778B2. Автор: Jin Seung SON,Prashant Umakant KENKARE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Josephson magnetic random access memory with an inductive-shunt

Номер патента: US09443576B1. Автор: Donald L. Miller. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2016-09-13.

Memory array with compensated word line access delay

Номер патента: US20240071431A1. Автор: John D. Porter,Si Hong Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Word-line-potential control circuit

Номер патента: US20120236662A1. Автор: Osamu Hirabayashi,Miyako Shizuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-20.

SRAM memory with improved end-of-read triggering

Номер патента: US10748604B2. Автор: Pablo Royer,Adam Makosiej. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2020-08-18.

Memory with redundancy

Номер патента: US09672938B2. Автор: Ravindraraj Ramaraju,George P. Hoekstra,Perry H. Pelley. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Duo-level word line driver

Номер патента: US20230343391A1. Автор: Yi-Chun Shih,Chia-Fu Lee,Po-Hao Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Resistive random access memory with high-reliability and manufacturing and control methods thereof

Номер патента: US9899078B2. Автор: Meng-Heng Lin,Bo-Lun Wu,Chien-Min Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Sensing scheme for a memory with shared sense components

Номер патента: US11915735B2. Автор: Yuan He,Tae H. Kim,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Word line cache mode

Номер патента: US10366733B1. Автор: Gregg D. Wolff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-30.

Sensing scheme for a memory with shared sense components

Номер патента: WO2022174208A1. Автор: Yuan He,Tae H. Kim,Scott James Derner. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-08-18.

Sensing scheme for a memory with shared sense components

Номер патента: US20220254397A1. Автор: Yuan He,Tae H. Kim,Scott James Demer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-11.

Plate line drivers with a shared bias device

Номер патента: US20240212734A1. Автор: Makoto Kitagawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

FET Memory with drift reversal

Номер патента: US4534017A. Автор: David R. Thomas,Paul C. Tien. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1985-08-06.

Contents addressable memory with accelerated entry data shunting

Номер патента: US20020181263A1. Автор: Miki Yanagawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Non-volatile memory with slow voltage ramp compensation

Номер патента: US20240321379A1. Автор: Long Pham,Parth AMIN,Sai Gautham THOPPA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated semiconductor memory with redundancy arrangement

Номер патента: US5459690A. Автор: Johann Rieger,Johann Stecker. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1995-10-17.

Bipolar transistor memory with capacitive storage

Номер патента: US3876992A. Автор: Wilbur David Pricer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1975-04-08.

Memory with error checking and correcting unit

Номер патента: US20240145022A1. Автор: YING Wang,Liang Zhang,Hongwen Li,Weibing SHANG,Kangling JI,Sungsoo CHI,Daoxun WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Random access memory with cmos-compatible nonvolatile storage element and parallel storage capacitor

Номер патента: WO2009154833A2. Автор: G.R. Mohan Rao. Владелец: S. Aqua Semiconductor Llc. Дата публикации: 2009-12-23.

Memory with multiple reference cells

Номер патента: US20110058414A1. Автор: Chia-Ching Li,Hsin-Yi Ho. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-10.

Processors and Systems Using Phase-Change Memory with and without Bitline-sharing

Номер патента: US20130314984A1. Автор: Christopher Scoville,Wolfgang Hokenmaier. Владелец: Being Advanced Memory Corp. Дата публикации: 2013-11-28.

Dynamic random access memory with shaped word-line waveform

Номер патента: US20200185021A1. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Circuit and method for an SRAM with two phase word line pulse

Номер патента: US7505345B2. Автор: Hung-jen Liao,Cheng Hung Lee,Fu-Chieh Hsu,Chia Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2009-03-17.

Transmitting control line driver, oled panel having same, and display device

Номер патента: US20180090065A1. Автор: Ying-Hsiang TSENG,Lina XIAO. Владелец: EverDisplay Optronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Decoding circuit for non-binary groups of memory line drivers

Номер патента: EP1869679A2. Автор: Roy E. Scheuerlein,Christopher J. Petti,Luca G. Fasoli. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2007-12-26.

Memory array with compensated word line access delay

Номер патента: US20240071456A1. Автор: John D. Porter,Si Hong Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Multiport memory with matching address and data line control

Номер патента: US20140198561A1. Автор: Perry H. Pelley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-07-17.

Decoding circuit for non-binary groups of memory line drivers

Номер патента: WO2006107409A3. Автор: Roy E Scheuerlein,Christopher J Petti,Luca G Fasoli. Владелец: Sandisk. Дата публикации: 2007-04-19.

Decoding circuit for non-binary groups of memory line drivers

Номер патента: WO2006107409A2. Автор: Roy E. Scheuerlein,Christopher J. Petti,Luca G. Fasoli. Владелец: Sandisk 3D Llc.. Дата публикации: 2006-10-12.

Memory circuit structure with supply voltage transmitted via word line

Номер патента: US20230082931A1. Автор: Vivek Raj,Shivraj Gurpadappa Dharne,Vinayak Rajendra Ganji. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Random access memory with divided memory banks and data read/write architecture therefor

Номер патента: US5497351A. Автор: Yukihito Oowaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-03-05.

Memory with multiple word line design

Номер патента: EP3036744A1. Автор: Sei Seung Yoon,Rakesh Kumar Sinha,Ritu Chaba,Chirag Gulati. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-06-29.

Word line compensation for non-volatile memory arrays

Номер патента: WO2017136438A1. Автор: Yingchang Chen,Chang SIAU,Anurag Nigam,Thomas Yan,Jeffrey Koonyee Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-10.

Apparatus turning on word line decoder by reference bit line equalization

Номер патента: US20050036360A1. Автор: Chung-Zen Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-17.

Overhead reduction in data transfer protocol for NAND memory

Номер патента: US11755211B2. Автор: Min Peng,Hua-Ling Cynthia Hsu,Sahil Sharma,Daniel Tuers,YenLung Li,Grishma Shah. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Non-volatile memory device for detecting defects of bit lines and word lines

Номер патента: EP4181143A3. Автор: Sangwan Nam,Junyoung Ko,Heewon Kim,Youse Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-26.

Non-volatile memory device for detecting defects of bit lines and word lines

Номер патента: US12131798B2. Автор: Sangwan Nam,Junyoung Ko,Heewon Kim,Youse Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-29.

Word line auto-booting in a spin-torque magnetic memory having local source lines

Номер патента: US09601175B2. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Word line compensation for memory arrays

Номер патента: US09595323B1. Автор: Yingchang Chen,Chang SIAU,Anurag Nigam,Thomas Yan,Jeffrey Koonyee Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-14.

Dynamic random access memory with well-balanced read-out voltage on bit line pair and operating method therefor

Номер патента: US4982367A. Автор: Hideshi Miyatake. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1991-01-01.

Integrated semiconductor memory with internal voltage booster of lesser dependency on power supply voltage

Номер патента: US5499209A. Автор: Daisaburo Takashima,Yukihito Oowaki,Masako Ohta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-03-12.

Josephson magnetic random access memory with an inductive-shunt

Номер патента: EP3374995A1. Автор: Donald L. Miller. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2018-09-19.

Dynamic memory with long retention time

Номер патента: US11798613B2. Автор: Chun Shiah,Chao-Chun Lu,Bor-Doou Rong. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Dynamic memory with long retention time

Номер патента: US20230420028A1. Автор: Chun Shiah,Chao-Chun Lu,Bor-Doou Rong. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Memory with read cycle write back

Номер патента: US20100302837A1. Автор: Andrew C. Russell,Prashant U. Kenkare,Shayan Zhang,Jack M. Higman,Pelley H. Perry. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-02.

Integrated circuit memory with built-in self-test (bist)

Номер патента: US20210407617A1. Автор: Arijit Banerjee,Russell Schreiber,Vance Threatt,James A. Wingfield,Keith A. Kasprak,William A. Halliday,Srinivas R. Sathu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Dynamic memory with sustainable storage architecture

Номер патента: US20200185022A1. Автор: Chun Shiah,Chao-Chun Lu,Bor-Doou Rong. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Dynamic memory with long retention time

Номер патента: EP4080511A2. Автор: Chun Shiah,Chao-Chun Lu,Bor-Doou Rong. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-26.

Method for testing a multiplicity of word lines of a semiconductor memory configuration

Номер патента: US6370069B2. Автор: Helmut Schneider,Joachim Schnabel,Eckhard Brass,Thilo Schaffroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-04-09.

Cross-point ferroelectric memory that reduces the effects of bit line to word line shorts

Номер патента: WO2006007578B1. Автор: Richard Hiram Womack. Владелец: Richard Hiram Womack. Дата публикации: 2006-04-06.

Cross-point ferroelectric memory that reduces the effects of bit line to word line shorts

Номер патента: EP1774532A1. Автор: Richard Hiram Womack. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2007-04-18.

Cross-point ferroelectric memory that reduces the effects of bit line to word line shorts

Номер патента: US20060002178A1. Автор: Richard Womack. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2006-01-05.

Cross-point ferroelectric memory that reduces the effects of bit line to word line shorts

Номер патента: WO2006007578A1. Автор: Richard Hiram Womack. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2006-01-19.

Techniques for memory cell reset using dummy word lines

Номер патента: US20230395123A1. Автор: Yuan He,Wenlun Zhang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Boosting word lines

Номер патента: US20130258744A1. Автор: Sergiy Romanovskyy. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Half-turn word line return for plated-wire memory array

Номер патента: US3742469A. Автор: C Crosby. Владелец: Sperry Rand Corp. Дата публикации: 1973-06-26.

Off-state word line voltage control for fixed plate voltage operation

Номер патента: US11749329B1. Автор: Makoto Kitagawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Memory circuitry with auxiliary word line to obtain predictable array output when an invalid address is requested

Номер патента: US20020194443A1. Автор: Robert Barry,Steven Eustis,Peter Croce. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-12-19.

Method for activating a plurality of word lines in a refresh cycle, and electronic memory device

Номер патента: US20060126414A1. Автор: Manfred Moser,Richard Antretter. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-06-15.

Semiconductor memory having a redundancy circuit for word lines and method for operating the memory

Номер патента: US20020021604A1. Автор: Jorg Stender. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-02-21.

Semiconductor storage device having a divided word line structure

Номер патента: US6084821A. Автор: Tetsushi Hoshita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-07-04.

Efficient process for 3D NAND memory with socketed floating gate cells

Номер патента: US09431411B1. Автор: Raul Adrian Cernea. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-08-30.

Fabricating 3D NAND memory having monolithic crystalline silicon vertical NAND channel

Номер патента: US09443865B2. Автор: Peter Rabkin,Johann Alsmeier,Masaaki Higashitani,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-13.

Structure of 3d nand memory device and method of forming the same

Номер патента: US20200135752A1. Автор: Li Hong XIAO,Li Xun Gu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

一种保护3d nand芯片的封装结构及方法

Номер патента: CN117015246. Автор: 李太龙,邵滋人,付永朝,李启力. Владелец: Unimos Microelectronics(shanghai) Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

3D NAND with oxide semiconductor channel

Номер патента: US09634097B2. Автор: Peter Rabkin,Johann Alsmeier,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-25.

A kind of 3D nand memory part and its manufacturing method

Номер патента: CN106920796B. Автор: 宋立东,潘锋,吕震宇,杨伟毅,李勇娜,施文广. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-15.

3D NAND memory device and method of forming the same

Номер патента: US12033944B2. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Zhongwang SUN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

3d nand memory device and method of forming the same

Номер патента: US20230282579A1. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Zhongwang SUN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

3D NAND memory device and method of forming the same

Номер патента: US12046555B2. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Zhongwang SUN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

一种保护3d nand芯片的封装结构及方法

Номер патента: CN117015246A. Автор: 李太龙,邵滋人,付永朝,李启力. Владелец: Unimos Microelectronics(shanghai) Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

一种减小3d nand产品尺寸的封装结构及其制造方法

Номер патента: CN110993590. Автор: 李凯. Владелец: Huatian Technology Xian Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-10.

Stack for 3d-nand memory cell

Номер патента: WO2021211361A1. Автор: Abhijit Basu Mallick,Susmit Singha Roy,Bo QI,Huiyuan WANG,Takehito KOSHIZAWA. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-10-21.

一种次良品3d nand降容使用的方法

Номер патента: CN110993522. Автор: 李凯. Владелец: Huatian Technology Xian Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-10.

3D NAND memory device and method of forming the same

Номер патента: US11563029B2. Автор: Jin Yong Oh,Youn Cheul Kim. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-24.

A kind of 3D nand memories part and its manufacture method

Номер патента: CN107527919A. Автор: 夏志良,付祥,曹华敏,黄新运,王颀,张黄鹏. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-29.

3d nand with oxide semiconductor channel

Номер патента: WO2016085565A1. Автор: Peter Rabkin,Johann Alsmeier,Masaaki Higashitani. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2016-06-02.

3d nand structures including group iii-n material channels

Номер патента: US20200119030A1. Автор: Prashant Majhi,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and 3d nand memory

Номер патента: US20230253511A1. Автор: LAN Yao,Lu Zhou,Quan Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

3d nand with oxide semiconductor channel

Номер патента: EP3224862A1. Автор: Peter Rabkin,Johann Alsmeier,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-04.

一种高堆叠层数3d nand闪存的制作方法及3d nand闪存

Номер патента: CN110010620. Автор: 李超,吴关平,陈子琪. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-12.

3d nand structures with decreased pitch

Номер патента: US20200203374A1. Автор: Xinhai Han,Thomas Kwon. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

Electro-thermal method to manufacture monocrystalline vertically oriented silicon channels for three-dimensional (3D) NAND memories

Номер патента: US11521985B2. Автор: Victor Moroz,Salvatore AMOROSO. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2022-12-06.

Electro-thermal method to manufacture monocrystalline vertically oriented silicon channels for three-dimensional (3d) nand memories

Номер патента: WO2021138541A9. Автор: Victor Moroz,Salvatore AMOROSO. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2022-03-17.

Electro-thermal method to manufacture monocrystalline vertically oriented silicon channels for three-dimensional (3d) nand memories

Номер патента: US20210249437A1. Автор: Victor Moroz,Salvatore AMOROSO. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Three-dimensional nand memory device and fabrication method

Номер патента: US20240237338A9. Автор: Wei Xu,Zongliang Huo,Lei Xue,Longxiang Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

3D NAND memory device and method of forming the same

Номер патента: US12068250B2. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Zhongwang SUN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

A kind of production method and 3D nand flash memory of high stacking number 3D nand flash memory

Номер патента: CN110010620A. Автор: 李超,吴关平,陈子琪. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-12.

Structure of 3D NAND memory device and method of forming the same

Номер патента: US11856776B2. Автор: Li Hong XIAO,Li Xun Gu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Structure of 3d nand memory device and method of forming the same

Номер патента: US20220013541A1. Автор: Li Hong XIAO,Li Xun Gu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-13.

3d nand memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240038663A1. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Zhongwang SUN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

3d nand memory device and method of forming the same

Номер патента: US20220013459A1. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Zhongwang SUN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-13.

一种使用激光环切解决3d nand晶圆薄片裂片问题的方法

Номер патента: CN110323183. Автор: 彭东平,梁启鹏. Владелец: Peyton Technology (shenzhen) Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-11.

3d nand闪存的制作方法和连接结构

Номер патента: CN109637976. Автор: 孙超,田武. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-16.

Method for fabricating 3d nand using a nickel or cobalt alloy

Номер патента: EP4143882A1. Автор: Vincent Mevellec,Mikaïlou Thiam,Dominique SUHR. Владелец: Aveni SA. Дата публикации: 2023-03-08.

一种3d nand存储器件及其制造方法

Номер патента: CN109935593. Автор: 宋立东,潘锋,吕震宇,杨伟毅,李勇娜,施文广. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-25.

Method for word line separation in 3D-NAND device

Номер патента: CN110678981A. Автор: 段子青,K·陈,A·B·玛里克,陈一宏. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-01-10.

Plasma enhanced chemical vapor deposition of films for improved vertical etch performance in 3D NAND memory devices

Номер патента: CN106057636A. Автор: S·H·金,韩新海,R·金,金柏涵,P·P·贾,A·阔,T·J·权,B·H·祁. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-10-26.

Method for separating word lines in a three-dimensional anti-gate (3D-NAND) component

Номер патента: TW201907548A. Автор: 陳一宏,勁文 陳,段子青,愛柏亥吉巴蘇 馬里克. Владелец: 美商應用材料股份有限公司. Дата публикации: 2019-02-16.

3d nand闪存的制作方法和连接结构

Номер патента: CN109637976B. Автор: 孙超,田武. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-04.

Charge-trap layer separation and word-line isolation for enhanced 3-D NAND structure

Номер патента: US09960045B1. Автор: Nitin K. Ingle,Vinod Robert Purayath. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

3D NAND memory device and method of forming the same

Номер патента: US11862558B2. Автор: Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Zhongwang SUN,Rui Su. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Tungsten wordline fill in high aspect ratio 3d nand architecture

Номер патента: US20240249949A1. Автор: Lawrence Schloss,Ravi Vellanki,Erica Maxine Chen,Robert Craig McKinney. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Atomic layer deposition on 3d nand structures

Номер патента: US20240266177A1. Автор: YU PAN,Juwen Gao,Xiaolan Ba,Ruopeng DENG,Tianhua YU. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

在3d nand结构上的原子层沉积

Номер патента: CN113424300. Автор: 潘宇,巴晓兰,邓若鹏,高举文,于天骅. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2021-09-21.

一种3d nand存储器件及其制造方法、半导体机台

Номер патента: CN113013171. Автор: 王秉国. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-22.

用于3d nand闪存存储器的自对准型纳米点

Номер патента: CN110291634. Автор: 平尔萱,索拉布·乔普拉,松原·君,托马斯·琼万·权. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-09-27.

3D NAND detection structure and forming method thereof

Номер патента: CN108511358B. Автор: 张勇,肖莉红,李思晢,戴晓望,周玉婷,汤召辉,胡禺石,沈淼,郭美澜,孙坚华. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-29.

Engineered dielectric profile for high aspect-ratio 3d nand structures

Номер патента: US20230282578A1. Автор: Randy J. Koval,Henok T. Mebrahtu,Agus Tjandra,Vijay Saradhi Mangu,Ee Ee Eng. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2023-09-07.

用于3d nand闪存存储器的自对准型纳米点

Номер патента: CN110291634A. Автор: 平尔萱,索拉布·乔普拉,松原·君,托马斯·琼万·权. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-09-27.

Self-aligned nanodots for 3d nand flash memory

Номер патента: WO2018148170A1. Автор: SUNG Won Jun,Er-Xuan Ping,Saurabh Chopra,Thomas Jongwan Kwon. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2018-08-16.

Large grain and halogen-free silicon cell channel for 3d nand string

Номер патента: US20230422506A1. Автор: Jessica S. Kachian. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Self-aligned nanodots for 3d nand flash memory

Номер патента: US20180233359A1. Автор: Er-Xuan Ping,Saurabh Chopra,Thomas Jongwan Kwon,Sungwon JUN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-08-16.

3d nand 플래시 메모리를 위한 자기 정렬 나노도트들

Номер патента: KR20190107759A. Автор: 토마스 종완 권,사우라브 초프라,에르-수안 핑,성 원 준. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2019-09-20.

Procédé pour la fabrication d’une mémoire 3D-NAND

Номер патента: FR3115046B1. Автор: Frédéric Raynal,Vincent Mevellec,Mikaïlou Thiam,Amine LAKHDARI. Владелец: Aveni SA. Дата публикации: 2023-12-01.

3d nand記憶體元件的結構及其形成方法

Номер патента: TW202017159A. Автор: 肖莉紅,顧立勳. Владелец: 大陸商長江存儲科技有限責任公司. Дата публикации: 2020-05-01.

Atomic layer deposition on 3D NAND structures

Номер патента: US11972952B2. Автор: YU PAN,Juwen Gao,Xiaolan Ba,Ruopeng DENG,Tianhua YU. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

Method for Fabricating Word Lines of NAND Memory and NAND Memory Comprising Word Lines Fabricated by Adopting the Same

Номер патента: US20200402842A1. Автор: Guanqun Huang,Shaokang Yao,Xiaohua Ju. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-12-24.

3d nand存储器中存储沟道层的阶梯覆盖改进

Номер патента: CN111261508. Автор: 杨永刚,王二伟. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-09.

多晶硅掺杂受控3d nand蚀刻

Номер патента: CN109585451B. Автор: J·李,Y·金,J·霍普金斯,Y·宇文,R·阿布德尔拉赫曼,K·施罗特里. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-21.

3d-nand存储器单元的堆叠

Номер патента: CN115380379A. Автор: 戚波,苏米特·辛格·罗伊,王慧圓,阿卜希吉特·巴苏·马尔利克,越泽武仁. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-11-22.

新型3d nand存储器件及形成其的方法

Номер патента: CN112510052B. Автор: 金允哲,吴振勇. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

3d nand高长径比串和沟道

Номер патента: CN117979703. Автор: 常旭,B·哈巴,R·坎卡尔. Владелец: Exelsis. Дата публикации: 2024-05-03.

3d nand高长径比串和沟道

Номер патента: CN117956803. Автор: 常旭,B·哈巴,R·坎卡尔. Владелец: Exelsis. Дата публикации: 2024-04-30.

3d-nand器件中用于字线分离的方法

Номер патента: CN116546817. Автор: 段子青,K·陈,A·B·玛里克,陈一宏. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-08-04.

3d nand结构片的选择性蚀刻液

Номер патента: CN115894077. Автор: 张庭,冯凯,彭飞,冯帆,贺兆波,王书萍,倪高国,叶瑞,杜程,班昌胜. Владелец: Hubei Xingfu Electronic Materials Co ltd. Дата публикации: 2023-04-04.

高深宽比3d nand蚀刻的侧壁凹陷的减少

Номер патента: CN115244663. Автор: 宋安琪,尼基尔·多乐,柳川拓海. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2022-10-25.

半导体器件、其制作方法以及3d nand存储器

Номер патента: CN114446937. Автор: 张权,周璐,姚兰. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-06.

材料的填充方法、半导体结构和3d nand存储器

Номер патента: CN113725149. Автор: 程磊,熊少游,付家赫. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-30.

3d nand 스트럭터 시트의 선택적 식각액

Номер патента: KR20240118082A. Автор: 판 펑,팅 장,카이 펑,페이 펑,슈핑 왕,샤오핑 리,자오보 허,루이 예,창성 반. Владелец: 후베이 시노포러스 일렉트로닉 머터리얼즈 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2024-08-02.

外延层和3d nand存储器的形成方法、退火设备

Номер патента: CN112997272. Автор: 郭海峰,肖莉红,程腾,朱宏斌,王孝进,赖琳. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-18.

新型3d nand存储器件及形成其的方法

Номер патента: CN112510052. Автор: 金允哲,吴振勇. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-16.

多晶硅掺杂受控3d nand蚀刻

Номер патента: CN109585451. Автор: J·李,Y·金,J·霍普金斯,Y·宇文,R·阿布德尔拉赫曼,K·施罗特里. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-04-05.

一种3d nand存储器存储单元结构

Номер патента: CN109473441. Автор: 吴关平,陈子琪. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-15.

一种3d nand存储器结构及其晶圆减薄方法

Номер патента: CN109461650. Автор: 刘峻,刘毅华,范鲁明. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-12.

Polysilicon doping controlled 3D NAND etching

Номер патента: US10096610B1. Автор: Jie Li,Younghee Kim,Kunal Shrotri,John Hopkins,Yu Yuwen,Ramey Abdelrahaman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-10-09.

高纵横比3d nand架构中的钨字线填充

Номер патента: CN115868002. Автор: 劳伦斯·施洛斯,拉维·韦兰基,罗伯特·麦金尼,埃里卡·玛克辛·陈. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-03-28.

制造3d-nand闪存的方法

Номер патента: CN116568864. Автор: M·蒂亚姆,F·雷诺尔,V·梅威尔莱克,A·莱克达利. Владелец: MacDermid Enthone Inc. Дата публикации: 2023-08-08.

氮化硅/氧化硅的3d nand结构片的选择性蚀刻液

Номер патента: CN115873599. Автор: 张庭,冯凯,姜飞,彭飞,冯帆,贺兆波,王书萍,倪高国,叶瑞,杜程,班昌胜. Владелец: Hubei Xingfu Electronic Materials Co ltd. Дата публикации: 2023-03-31.

3d-nand存储器单元的堆叠

Номер патента: CN115380379. Автор: 戚波,苏米特·辛格·罗伊,王慧圓,阿卜希吉特·巴苏·马尔利克,越泽武仁. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-11-22.

3d nand高长径比串和沟道

Номер патента: CN111354736. Автор: 常旭,B·哈巴,R·坎卡尔. Владелец: Invensas LLC. Дата публикации: 2020-06-30.

3d-nand器件中用于字线分离的方法

Номер патента: CN110678981. Автор: 段子青,K·陈,A·B·玛里克,陈一宏. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-01-10.

3d nand制造中的阶梯封装

Номер патента: CN110024125. Автор: 巴德里·N·瓦拉达拉简,巴特·J·范施拉芬迪克,纳格拉杰·尚卡尔,刘龙植. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2019-07-16.

3D NAND device and fabrication method thereof

Номер патента: US09711529B2. Автор: Lei Ye,Huayong Hu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

The forming method of 3D NAND device

Номер патента: CN106206447A. Автор: 胡华勇,叶蕾. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-12-07.

氮化硅/氧化硅的3d nand结构片的选择性蚀刻液

Номер патента: CN115873599A. Автор: 张庭,冯凯,姜飞,彭飞,冯帆,贺兆波,王书萍,倪高国,叶瑞,杜程,班昌胜. Владелец: Hubei Xingfu Electronic Materials Co ltd. Дата публикации: 2023-03-31.

3d nand 제조시 계단형 봉지

Номер патента: KR20230167767A. Автор: 나그라 샹카,바드리 엔. 바라다라잔,용식 유,바트 제이. 반 슈라벤디즈크. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2023-12-11.

3d nand 제조시 계단형 봉지

Номер патента: KR102607355B1. Автор: 나그라 샹카,바드리 엔. 바라다라잔,용식 유,바트 제이. 반 슈라벤디즈크. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2023-11-27.

3d nand 제조시 계단형 봉지

Номер патента: KR20220079696A. Автор: 나그라 샹카,바드리 엔. 바라다라잔,용식 유,바트 제이. 반 슈라벤디즈크. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2022-06-13.

多晶硅掺杂受控3d nand蚀刻

Номер патента: CN109585451A. Автор: J·李,Y·金,J·霍普金斯,Y·宇文,R·阿布德尔拉赫曼,K·施罗特里. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-04-05.

Staircase encapsulation in 3d nand fabrication

Номер патента: WO2018098197A1. Автор: Bart J. van Schravendijk,Bhadri N. Varadarajan,Nagraj Shankar,Yongsik Yu. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2018-05-31.

Process for Fabricating a 3D-NAND Flash Memory

Номер патента: US20230335496A1. Автор: Frédéric Raynal,Vincent Mevellec,Mikaïlou Thiam,Amine LAKHDARI. Владелец: MacDermid Enthone Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

3d nand结构片的选择性蚀刻液

Номер патента: CN115894077A. Автор: 张庭,冯凯,彭飞,冯帆,贺兆波,王书萍,倪高国,叶瑞,杜程,班昌胜. Владелец: Hubei Xingfu Electronic Materials Co ltd. Дата публикации: 2023-04-04.

外延层和3d nand存储器的形成方法、退火设备

Номер патента: CN112997272B. Автор: 郭海峰,肖莉红,程腾,朱宏斌,王孝进,赖琳. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-29.

氮化硅/氧化硅的3d nand结构片的选择性蚀刻液

Номер патента: CN115873599B. Автор: 张庭,冯凯,姜飞,彭飞,冯帆,贺兆波,王书萍,倪高国,叶瑞,杜程,班昌胜. Владелец: Hubei Xingfu Electronic Materials Co ltd. Дата публикации: 2024-05-17.

氮化硅/氧化硅的3d nand结构片的选择性蚀刻液

Номер патента: WO2024077874A1. Автор: 张庭,冯凯,李少平,姜飞,彭飞,冯帆,贺兆波,王书萍,叶瑞,班昌胜. Владелец: 湖北兴福电子材料股份有限公司. Дата публикации: 2024-04-18.

制造3d-nand闪存的方法

Номер патента: CN116568864A. Автор: M·蒂亚姆,F·雷诺尔,V·梅威尔莱克,A·莱克达利. Владелец: MacDermid Enthone Inc. Дата публикации: 2023-08-08.

Process for fabricating a 3d-nand flash memory

Номер патента: EP4225977A1. Автор: Frédéric Raynal,Vincent Mevellec,Mikaïlou Thiam,Amine LAKHDARI. Владелец: MacDermid Enthone Inc. Дата публикации: 2023-08-16.

Process for fabricating a 3d-nand flash memory

Номер патента: WO2022074221A1. Автор: Frédéric Raynal,Vincent Mevellec,Mikaïlou Thiam,Amine LAKHDARI. Владелец: Aveni. Дата публикации: 2022-04-14.

3d nand高长径比串和沟道

Номер патента: CN117979703A. Автор: 常旭,B·哈巴,R·坎卡尔. Владелец: Exelsis. Дата публикации: 2024-05-03.

3d nand高长径比串和沟道

Номер патента: CN111354736A. Автор: 常旭,B·哈巴,R·坎卡尔. Владелец: Invensas LLC. Дата публикации: 2020-06-30.

3d nand高长径比串和沟道

Номер патента: CN117956803A. Автор: 常旭,B·哈巴,R·坎卡尔. Владелец: Exelsis. Дата публикации: 2024-04-30.

3d nand结构片的选择性蚀刻液

Номер патента: WO2024077875A1. Автор: 张庭,冯凯,李少平,彭飞,冯帆,贺兆波,王书萍,叶瑞,班昌胜. Владелец: 湖北兴福电子材料股份有限公司. Дата публикации: 2024-04-18.

材料的填充方法、半导体结构和3d nand存储器

Номер патента: CN113725149B. Автор: 程磊,熊少游,付家赫. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

3d nand용 반도체 산화물 채널 및 그 제조 방법

Номер патента: KR20240069610A. Автор: 찰스 데젤라,안드레아 일리베리,바룬 샤르마,에릭 제임스 셰로,마이클 기븐스,바트 버뮬렌. Владелец: 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.. Дата публикации: 2024-05-20.

Semiconducting oxide channel for 3d nand and method of making

Номер патента: US20240153767A1. Автор: Eric Shero,Michael Givens,Varun Sharma,Charles DEZELAH,Bart Vermeulen,Andrea Illiberi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-05-09.

3d-nand記憶體單元的堆疊

Номер патента: TW202144611A. Автор: 蘇史密辛哈 羅伊,亞伯希吉特巴蘇 馬禮克,越澤武仁,波 戚,王慧圓. Владелец: 美商應用材料股份有限公司. Дата публикации: 2021-12-01.

半导体器件、其制作方法以及3d nand存储器

Номер патента: CN114446937A. Автор: 张权,周璐,姚兰. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-06.

Three dimensional storage cell array with highly dense and scalable word line design approach

Номер патента: US20180331034A1. Автор: Mark Helm,Deepak Thimmegowda,Aaron Yip,Yongna LI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Three dimensional storage cell array with highly dense and scalable word line design approach

Номер патента: US20170287833A1. Автор: Mark Helm,Deepak Thimmegowda,Aaron Yip,Yongna LI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-05.

Three dimensional storage cell array with highly dense and scalable word line design approach

Номер патента: WO2017171969A1. Автор: Mark Helm,Deepak Thimmegowda,Aaron Yip,Yongna LI. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-10-05.

Three dimensional storage cell array with highly dense and scalable word line design approach

Номер патента: EP3440700A1. Автор: Mark Helm,Deepak Thimmegowda,Aaron Yip,Yongna LI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-13.

Line driver with transformer coupling and impedance control

Номер патента: EP1122923A3. Автор: Oleksiy Zabroda. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2005-05-25.

Line driver circuit

Номер патента: WO1994008398A1. Автор: Marcos Katz,Markku Henriksson,Hemmo RISTIMÄKI,Kari Sahlman. Владелец: Nokia Telecommunications Oy. Дата публикации: 1994-04-14.

Line driver impedance calibration for multi-wire data bus

Номер патента: WO2024050401A1. Автор: Armin TAJALLI. Владелец: Kandou Us, Inc.. Дата публикации: 2024-03-07.

Line driver impedance calibration for multi-wire data bus

Номер патента: US12063034B2. Автор: Armin TAJALLI. Владелец: Kandou Labs SA. Дата публикации: 2024-08-13.

Line driver with separate pre-driver for feed-through capacitance

Номер патента: US20150222261A1. Автор: Kexin LUO,Yu Shen,Inyeol Lee,Fangqing Chu,Huaizhou Yang. Владелец: Lattice Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-08-06.

Line driver with output impedance synthesis

Номер патента: WO2002025814A1. Автор: Victor Koren. Владелец: Tioga Technologies Inc.. Дата публикации: 2002-03-28.

Line driver with current source output and high immunity to rf signals

Номер патента: WO2002073804A3. Автор: Hendrik Boezen,Aloysius J M Boomkamp,Den Heuvel Abraham K Van,Ruurd A Visser,Haas Clemens G J De,Gerrit J Bollen. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2003-12-31.

Non-volatile memory with flat cell structures and air gap isolation

Номер патента: US09698149B2. Автор: Yuan Zhang,James Kai,Henry Chien,Vinod Robert Purayath,George Matamis. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-04.

Improving power efficiency of line driver

Номер патента: RU2514852C2. Автор: Жуйцзе СЯО,Гочжу ЛУН,Чжилэй ЧЖАО. Владелец: Хуавэй Текнолоджиз, Ко., Лтд.. Дата публикации: 2014-05-10.

Detection and localization device comprising a plurality of photodiodes

Номер патента: RU2730441C1. Автор: Арно ДАВНЕЛЬ,Мишель ЖУФФРУА,Ландри ШОПЕН,Винсент ФРЭЙС. Владелец: Сафран Электроникс Энд Дифенс. Дата публикации: 2020-08-21.

Line driver with active termination and associated method

Номер патента: US20160173033A1. Автор: Wen-Hua Chang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2016-06-16.

Memory with extended charge trapping layer

Номер патента: EP2659511A2. Автор: Chun Chen,Shenqing Fang,Tung-Sheng Chen. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2013-11-06.

Line Driver With Tuned On-Chip Termination

Номер патента: US20100066405A1. Автор: Menping Chang,Soon Lim. Владелец: Micrel Inc. Дата публикации: 2010-03-18.

Line driver with active termination and associated method

Номер патента: US09515610B2. Автор: Wen-Hua Chang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

An improved decoding and processing system for advanced determination and display of city and state caller information

Номер патента: CA2456489C. Автор: Mark Gosselin. Владелец: Cequint Inc. Дата публикации: 2012-12-18.

High speed line driver with direct and complementary outputs

Номер патента: US6087854A. Автор: Dale A. Potter. Владелец: Lattice Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-07-11.

Three-dimensional nand memory device and method of forming the same

Номер патента: US20230068091A1. Автор: LI ZHANG,Yi Zhou,Xinsheng Wang,Yuping Xia,Fei Xie,Gaosheng Zhang,Hsing-An LO,Xiongyu WANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Rail-to-rail line driver using differential cascode bootstraping

Номер патента: US20150137887A1. Автор: Yuan Yao,Hui Pan,Jing Wang,Junhua Tan,Mostafa Mohammad Hany Ali Hammad. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2015-05-21.

Multi-mode line driver circuit for the physical layer of a network connection, particularly of an ethernet communication, supporting different signal levels for different communication standards

Номер патента: WO2022090093A3. Автор: Sebastian Hoeppner,Stefan HAENZSCHE,Franz Marcus SCHUEFFNY,Martin Kreissig. Владелец: Siliconally Gmbh. Дата публикации: 2022-06-23.

Three-dimensional nand memory device and method of forming the same

Номер патента: WO2023028751A1. Автор: LI ZHANG,Yi Zhou,Xinsheng Wang,Yuping Xia,Fei Xie,Gaosheng Zhang,Hsing-An LO,Xiongyu WANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-03-09.

System and method for assisting handoff between wide area and local area networks

Номер патента: WO2005122609A2. Автор: Feng Wang,Huitao Liu. Владелец: Sbc Knowledge Ventures, L.P.. Дата публикации: 2005-12-22.

Tri-state control for a line driver

Номер патента: EP2798802A1. Автор: Sang-min Lee,Michael Peter Mack. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-11-05.

Method and arrangement for shortening the recovery time of a line driver

Номер патента: EP1214838A1. Автор: Hans Johansson,Ulf Lundin. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2002-06-19.

Method and arrangement for shortening the recovery time of line driver

Номер патента: AU6486700A. Автор: Hans Johansson,Ulf Lundin. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2001-04-10.

Method and arrangement for shortening the recovery time of a line driver

Номер патента: EP1214838B1. Автор: Hans Johansson,Ulf Lundin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-02-23.

Method and arrangement for shortening the recovery time of a line driver

Номер патента: WO2001019069A1. Автор: Hans Johansson,Ulf Lundin. Владелец: Telefonaktiebolaget lM Ericsson (publ). Дата публикации: 2001-03-15.

Tri-state control for a line driver

Номер патента: WO2013101934A1. Автор: Sang-min Lee,Michael Peter Mack. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-07-04.

Line driver for coupling a data transceiver to a line

Номер патента: US20060067515A1. Автор: Olivier Latte. Владелец: STMicroelectronics Belgium NV. Дата публикации: 2006-03-30.

Differential line driver circuit

Номер патента: US20020070770A1. Автор: Thomas Ferianz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-13.

System and method for energy efficient line driver boost stage with high output swing

Номер патента: US20240364267A1. Автор: Jan Mulder,Jan Roelof Westra,Zeng ZENG. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

System and method for energy efficient line driver boost stage with high output swing

Номер патента: EP4456422A1. Автор: Jan Mulder,Jan Westra,Zeng ZENG. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

System and method for energy efficient line driver boost stage with high output swing

Номер патента: US20240364266A1. Автор: Jan Mulder,Jan Roelof Westra,Zeng ZENG. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Local applications and local application distribution

Номер патента: US9781153B2. Автор: Eric Pate. Владелец: AT&T INTELLECTUAL PROPERTY I LP. Дата публикации: 2017-10-03.

Fast-settling line driver design for high resolution video IR and visible images

Номер патента: US8582008B2. Автор: Atul Joshi,Hakan Durmus,Vincent M. Douence. Владелец: Teledyne Scientific and Imaging LLC. Дата публикации: 2013-11-12.

Transmission line driver

Номер патента: US7643563B2. Автор: Chen-Chih Huang,Chin-Wen Huang,Ming-Yuh Yeh. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2010-01-05.

Method for training line drivers in a communication system

Номер патента: US20060146986A1. Автор: Ronald Bentley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-07-06.

Tx line driver with common mode idle state and selectable slew rates

Номер патента: CA2536641C. Автор: Eric D. Groen,Charles W. Boecker,William C. Black. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2009-02-24.

Line driver impedance calibration for multi-wire data bus

Номер патента: US20240072795A1. Автор: Armin TAJALLI. Владелец: Kandou Labs SA. Дата публикации: 2024-02-29.

Multi-mode line driver circuit for the physical layer of a network connection, particularly of an ethernet communication, supporting different signal levels for different communication standards

Номер патента: US20230362285A1. Автор: Sebastian Hoeppner,Stefan HAENZSCHE,Franz Marcus SCHUEFFNY,Martin Kreissig. Владелец: Siliconally Gmbh. Дата публикации: 2023-11-09.

Method and arrangement for reducing power consumption of a line driver

Номер патента: EP1412763A1. Автор: Stefan Barkaro. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2004-04-28.

Decoding and processing system for advanced determination and display of city and state caller information

Номер патента: US20040037413A1. Автор: Mark Gosselin. Владелец: Consumerware Inc. Дата публикации: 2004-02-26.

Method and arrangement for reducing power consumption of a line driver

Номер патента: WO2002103374A1. Автор: Stefan Barkaro. Владелец: Telefonaktiebolaget lM Ericsson (publ). Дата публикации: 2002-12-27.

Low voltage high speed cmos line driver without tail current source

Номер патента: US20180069514A1. Автор: Simon Forey,Rajasekhar Nagulapalli,Parmanand Mishra. Владелец: Inphi Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Method and apparatus for improving power output efficiency of line driver

Номер патента: US20120294438A1. Автор: LIANG Chen,LI Wang,Liru Dai. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-22.

Line Driver with Reduced Dependency on Process, Voltage, and Temperature

Номер патента: US20110199129A1. Автор: Andrew Chen,Derek Tam,Joseph Aziz. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2011-08-18.

Line driver with reduced dependency on process, voltage, and temperature

Номер патента: US8598917B2. Автор: Andrew Chen,Derek Tam,Joseph Aziz. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-12-03.

SRAM Structures with Improved Write Word Line Placement

Номер патента: US20240314997A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Low voltage high speed CMOS line driver without tail current source

Номер патента: US09847762B1. Автор: Simon Forey,Rajasekhar Nagulapalli,Parmanand Mishra. Владелец: Inphi Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Radio communication using multiple antennas and localization variables

Номер патента: US09654162B2. Автор: Frederic Broyde,Evelyne Clavelier. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Method for local contacting and local doping of a semiconductor layer

Номер патента: US8828790B2. Автор: Andreas Wolf,Ralf Preu,Jochen Rentsch,Marc Hofmann,Daniel Biro,Andreas Grohe,Jan-Frederik Nekarda. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2014-09-09.

Method and arrangement for minimizing power dissipation in a line driver

Номер патента: WO2001078248A1. Автор: Allan Olson,Torbjorn Randahl,Albin Johansson,Anders Soderbarg,Tore André. Владелец: Telefonaktiebolaget lM Ericsson (publ). Дата публикации: 2001-10-18.

Three-dimensional nand memory device and method of forming the same

Номер патента: US20230335521A1. Автор: He Chen,LIANG XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Line drivers for wireline transmission devices

Номер патента: US20190334492A1. Автор: Dirk Pfaff,Xin Jie WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-31.

Line drivers for wireline transmission devices

Номер патента: US20200067470A1. Автор: Dirk Pfaff,Xin Jie WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Line drivers for wireline transmission devices

Номер патента: US10868506B2. Автор: Dirk Pfaff,Xin Jie WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-15.

Line driver with output impedance synthesis

Номер патента: EP1330874A1. Автор: Victor Koren. Владелец: Tioga Technologies Inc. Дата публикации: 2003-07-30.

Local etching apparatus and local etching method

Номер патента: US20010036741A1. Автор: Michihiko Yanagisawa,Chikai Tanaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-01.

Word line architecture for three dimensional nand flash memory

Номер патента: US20210134828A1. Автор: Hiroki Yabe,Koichiro Hayashi,Toru Miwa,Naoki Ookuma,Takuya Ariki. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-05-06.

Method of reducing vpass disturb in 3d nand systems

Номер патента: US20240160356A1. Автор: Hongtao Liu,Jie Yuan,Ying Cui,Yali SONG,Yuanyuan MIN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

基于深度学习的3d nand存储器层叠结构关键尺寸测量方法

Номер патента: CN114963979. Автор: 宋毅,杨德坤,张佩婷. Владелец: Wuhan University WHU. Дата публикации: 2022-08-30.

提升3D NAND Flash性能的方法

Номер патента: CN109669638. Автор: 汤仁君,肖孟,李皓智,谢汇,管冬生. Владелец: Hefei Core Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-23.

一种用于减少3D NAND系统中Vpass干扰的方法

Номер патента: CN118016126A. Автор: 崔莹,刘红涛,宋雅丽,远杰,闵园园. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-10.

提升3D NAND Flash性能的方法

Номер патента: CN109669638A. Автор: 汤仁君,肖孟,李皓智,谢汇,管冬生. Владелец: Hefei Core Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-23.

一种加速3d nand闪存中的子块擦除的方法

Номер патента: CN114138189. Автор: 沈志荣,舒继武,龚红彬. Владелец: XIAMEN UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-03-04.

一种3D NAND Flash

Номер патента: CN110046105. Автор: 霍宗亮,叶甜春,侯旭,高帅,王颀. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2019-07-23.

3D NAND Flash

Номер патента: CN110046105B. Автор: 霍宗亮,叶甜春,侯旭,高帅,王颀. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-10-22.

一种加速3d nand闪存中的子块擦除的方法

Номер патента: CN114138189A. Автор: 沈志荣,舒继武,龚红彬. Владелец: XIAMEN UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-03-04.

Three-dimensional nand memory device and system and method for performing read operations thereof

Номер патента: US20240192857A1. Автор: Hongtao Liu,Lei GUAN,XiangNan Zhao,Yuanyuan MIN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Non-volatile memory with programmable resistance non-data word line

Номер патента: US12099728B2. Автор: Ravi Kumar,Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin,Towhidur Razzak. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-24.

Differential line driver circuit and method therefor

Номер патента: US09501443B2. Автор: Matthijs Pardoen. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-11-22.

Electromagnetic detection and localization of storage bin hazards and human entry

Номер патента: CA3157289A1. Автор: Joe LoVetri,Mohammad Asefi,Ian JEFFREY,Colin Gerlad GILMORE,Jitendra Paliwal,William Kurt Hildebrand,Eric Conner Hawley. Владелец: Gilmore Colin Gerlad. Дата публикации: 2021-04-15.

Electromagnetic detection and localization of storage bin hazards and human entry

Номер патента: US12105179B2. Автор: Joe LoVetri,Mohammad Asefi,Ian JEFFREY,Colin Gerald GILMORE,Jitendra Paliwal,William Kurt Hildebrand,Eric Conner Hawley. Владелец: Gsi Electronique Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for diagnosing the risk of functional thyroid disorder in indigenous and local populations of the arctic zone of the russian federation

Номер патента: RU2688207C1. Автор: Ольга Александровна Ставинская,Виктория Анатольевна Попкова,Елена Васильевна Типисова,Ирина Николаевна Горенко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Федеральный исследовательский центр комплексного изучения Арктики имени академика Н.П. Лавёрова Российской академии наук ФГБУН ФИЦКИА РАН. Дата публикации: 2019-05-21.

Method of detection and localization of mobile sources of ionizing radiation

Номер патента: RU2680671C1. Автор: Михаил Николаевич Благовещенский,Олег Николаевич Шутов,Алексей Алексеевич Кулизнев,Ираида Николаевна Разумова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Гамма". Дата публикации: 2019-02-25.

Device, system and method for distributing and locally persisting provider objects

Номер патента: US20240232735A9. Автор: Yves GREALOU,Yannick GUIRAUD DEVAUX,Gilles Louis Claude GAGNIARD,Nicolas Michel MONTEIL. Владелец: Amadeus SAS. Дата публикации: 2024-07-11.

Introducer and localization wire visualization

Номер патента: EP3973887A1. Автор: Shawn St. Pierre. Владелец: Hologic Inc. Дата публикации: 2022-03-30.

Introducer and localization wire visualization

Номер патента: US12121304B2. Автор: Shawn St. Pierre. Владелец: Hologic Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for detecting and localizing damage in thin-walled structures using lamb waves

Номер патента: RU2757056C1. Автор: Дмитрий Михайлович Денисов,Николай Леонидович Львов,Михаил Юрьевич Гавриков,Станислав Сергеевич Хабаров,Сергей Иванович Муякшин,Владимир Викторович Чернов,Игорь Николаевич Диденкулов,Павел Николаевич Вьюгин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-инновационный центр "Институт развития исследований, разработок и трансфера технологий". Дата публикации: 2021-10-11.

Device for obtaining electron microscopic image and local element analysis of radioactive sample by electron microscopy in radiation protection chamber

Номер патента: RU2678504C1. Автор: Андрей Викторович Жуков,Алексей Александрович Соболев,Вячеслав Евгеньевич Кирюхин,Вячеслав Викторович Светухин,Александр Николаевич Фомин,Вячеслав Владимирович Макарычев,Вячеслав Сергеевич Власенко,Александр Георгиевич Ульяненков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный университет". Дата публикации: 2019-01-29.

Realization of neural networks with ternary inputs and ternary weights in nand memory arrays

Номер патента: WO2021076183A1. Автор: Tung Thanh Hoang,Martin LUEKER-BODEN,Won Ho Choi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-04-22.

Realization of neural networks with ternary inputs and ternary weights in nand memory arrays

Номер патента: US20210110244A1. Автор: Tung Thanh Hoang,Martin LUEKER-BODEN,Won Ho Choi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-04-15.

Calibration and localization of a light detection and ranging (lidar) device using a previously calibrated and localized lidar device

Номер патента: WO2021178163A1. Автор: Volker Grabe,Colin Braley,Christian Lauterbach,Mingcheng Chen. Владелец: Waymo LLC. Дата публикации: 2021-09-10.

Gate line driver circuit for display element array

Номер патента: US20130235003A1. Автор: Szu-Hsien Lee,Shih Chang Chang,Young Bae Park,Chun-Yao Huang,Kyung Wook KIM. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2013-09-12.

Calibration and localization of a light detection and ranging (lidar) device using a previously calibrated and localized lidar device

Номер патента: EP4103965A1. Автор: Volker Grabe,Colin Braley,Christian Lauterbach,Mingcheng Chen. Владелец: Waymo LLC. Дата публикации: 2022-12-21.

Object and camera localization system and localization method for mapping of the real world

Номер патента: EP4413325A1. Автор: Daniel Chantal Mills,Neetika Gupta,Srinivas Krishna,Laura Thomas,Naimul Mefraz Khan. Владелец: Awe Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Calibration and localization of a light detection and ranging (lidar) device using a previously calibrated and localized lidar device

Номер патента: US12066578B2. Автор: Volker Grabe,Colin Braley,Christian Lauterbach,Mingcheng Chen. Владелец: Waymo LLC. Дата публикации: 2024-08-20.

Global entry point and local entry point for callee function

Номер патента: US09471340B2. Автор: Michael K. Gschwind,Ulrich Weigand. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Method and apparatus for analyzing interactions between workloads and locality dependent subsystems

Номер патента: US5726913A. Автор: Knut Grimsrud. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1998-03-10.

Data-line driver circuit for current-programmed electro-luminescence display device

Номер патента: US20040222748A1. Автор: Wei-Chieh Hsueh. Владелец: Toppoly Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2004-11-11.

Method of classifying lesion of chest x-ray radiograph based on data normalization and local patch and apparatus thereof

Номер патента: US12056880B2. Автор: Sangjoon Park,Yujin OH,JongChul YE,Gwanghyun Kim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-08-06.

Method and system for performing read and write operations in cells of a nand memory

Номер патента: EP4462261A1. Автор: Suman Prakash BALAKRISHNAN,Anantha Sharma,Sharath Kumar Kodase,Sandeep Kumar ANANTHAPALLI,Pandi KANNIAH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-13.

Target recognition and localization methods using a laser sensor for wheeled mobile robots

Номер патента: US09739616B2. Автор: II James W. Post,Junmin Wang,Andrew John Fox,Madhu Soodhanan Govindarajan. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Method and system for performing read and write operations in cells of a nand memory

Номер патента: US20240377987A1. Автор: Suman Prakash BALAKRISHNAN,Anantha Sharma,Sharath Kumar Kodase,Sandeep Kumar ANANTHAPALLI,Pandi KANNIAH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-14.

Systems and methods for internationalization and localization

Номер патента: US09658998B2. Автор: David Dillard,Smitha Sebastian. Владелец: American Express Travel Related Services Co Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Portable data collection device with dataform decoding and image capture capability

Номер патента: US6019286A. Автор: Ynjiun P. Wang,Angi Ye,C. Jim Li. Владелец: Metanetics Corp. Дата публикации: 2000-02-01.

Device, system and method for distributing and locally persisting provider objects

Номер патента: US20240135272A1. Автор: Yves GREALOU,Yannick GUIRAUD DEVAUX,Gilles Louis Claude GAGNIARD,Nicolas Michel MONTEIL. Владелец: Amadeus SAS. Дата публикации: 2024-04-25.

Information processing system, image forming system, and information processing method that combine and automate cloud and local tasks

Номер патента: US12008282B1. Автор: Hidenori Shoji. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Method for detecting and localizing a falsified area in jpeg images

Номер патента: US20230386003A1. Автор: Nikita Viktorovich ARLAZAROV,Irina Andreevna KUNINA,Dmitrij Valerevich POLEVOJ,Aleksandr Vasilevich CHUJKO. Владелец: Smart Engines Service LLC. Дата публикации: 2023-11-30.

Determining locations in nand memory for boot-up code

Номер патента: US20240241790A1. Автор: Giuseppe Cariello,Jameer Mulani,Nitul Gohain. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Method and ethernet physical layer device for detecting, classifying and localizing cable faults of an ethernet physical cable, particularly an automotive ethernet phy, using a time domain reflectometry algorithm

Номер патента: US20240272218A1. Автор: Stephan Hartmann,Sebastian Höppner,Dilip Kumar,Emrah ONAT. Владелец: Siliconally Gmbh. Дата публикации: 2024-08-15.

System and method for defect classification and localization with self-supervised pretraining

Номер патента: WO2024164361A1. Автор: Hon Chung LEE,Jiayu SHU. Владелец: Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Company Limited. Дата публикации: 2024-08-15.

一种3d nand闪存寿命预警方法、系统及存储介质

Номер патента: CN115966235A. Автор: 陈浩,石颖,吴福根,董华锋,龚东亮,罗镕德. Владелец: GUANGDONG UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-04-14.

一种3d nand闪存寿命预警方法、系统及存储介质

Номер патента: CN115966235. Автор: 陈浩,石颖,吴福根,董华锋,龚东亮,罗镕德. Владелец: GUANGDONG UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-04-14.

一种3d nand结构片干法蚀刻后的深沟槽清洗液

Номер патента: CN112592777. Автор: 张庭,冯凯,李鑫,万杨阳,贺兆波,尹印,王书萍,钟昌东,倪高国. Владелец: Hubei Sinophorus Electronic Materials Co ltd. Дата публикации: 2021-04-02.

Deep groove cleaning solution after 3D NAND structure piece dry etching

Номер патента: CN112592777B. Автор: 张庭,冯凯,李鑫,万杨阳,贺兆波,尹印,王书萍,钟昌东,倪高国. Владелец: Hubei Sinophorus Electronic Materials Co ltd. Дата публикации: 2021-09-07.

一种3d nand晶圆切割工艺

Номер патента: CN115954267. Автор: 张力,何洪文,李子悦. Владелец: Hefei Peidun Storage Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-04-11.

一种3d nand晶圆切割工艺

Номер патента: CN115954267A. Автор: 张力,何洪文,李子悦. Владелец: Hefei Peidun Storage Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-04-11.

Method of combined treatment of patients with primarily operable and locally advanced inoperable breast cancer

Номер патента: RU2664597C1. Автор: Андрей Дмитриевич Каприн,Андрей Александрович Костин,Людмила Ивановна Москвичева,Лариса Владимировна Болотина,Анна Леонидовна Корниецкая. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный медицинский исследовательский центр радиологии" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБУ "НМИЦ радиологии" Минздрава России). Дата публикации: 2018-08-21.

Local heat-consuming unit and local heat-generating unit for district heat distribution system

Номер патента: RU2710633C2. Автор: Пер РОСЕН. Владелец: Э.Он Свериге Аб. Дата публикации: 2019-12-30.

Hot-rolled, cold-rolled and cladded steel plate having improved uniform and local ductility at high deformation rate

Номер патента: RU2543590C2. Автор: Ясуаки ТАНАКА,Тосиро ТОМИДА,Каори КАВАНО. Владелец: Ниппон Стил Энд Сумитомо Метал Корпорейшн. Дата публикации: 2015-03-10.

Oral evacuating unit with a disposable tip and local lighting

Номер патента: RU2652904C2. Автор: Андрей Викторович Корыткин. Владелец: Андрей Викторович Корыткин. Дата публикации: 2018-05-03.

Method for detecting and localizing brain silences using eeg

Номер патента: US20240252096A1. Автор: Pulkit Grover,Alireza Chamanzar,Marlene Behrmann Cohen. Владелец: CARNEGIE MELLON UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of prevention of area flooding during large and local floods within catchment area of rivers, and system for its implementation

Номер патента: RU2569821C2. Автор: Пулат Аббасович Аббасов. Владелец: Пулат Аббасович Аббасов. Дата публикации: 2015-11-27.

System and process for selectively and locally treating the surface of parts, especially via deposition of material

Номер патента: US12053996B2. Автор: Nicolas Amouroux,Hossam Elaarag,Mustapha El Fouzari. Владелец: Westlake Compounds Holding SAS. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor Memory With Improved Block Switching

Номер патента: US20120002476A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

The method for testing resistance of 3D nand memory bit line

Номер патента: CN109767807A. Автор: 张顺勇,汤光敏. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-17.

A kind of flattening method of 3D nand memory part

Номер патента: CN107564916B. Автор: 夏志良,张帜,华文宇,骆中伟,李思晢. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-12.

3D NAND memory and forming method thereof

Номер патента: CN109742038B. Автор: 刘青松,程强,袁野,任连娟. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-11.

A kind of 3D nand memory part and its manufacturing method

Номер патента: CN109768049A. Автор: 夏季,肖莉红. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-17.

Nanowire gate electrode of nonvolatile 3D NAND memory and preparation method thereof

Номер патента: CN109860036B. Автор: 杨哲,童浩,缪向水. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2020-11-24.

3D nand memories and preparation method

Номер патента: CN103680611B. Автор: 何其旸. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-31.

一种轮换式交替访问3d nand存储器可靠性并行测试方法

Номер патента: CN117809731A. Автор: 王博,王亚男,郑雪松,梅博,莫日根,王文炎,杨智博,吉俐,张雷浩. Владелец: China Academy of Space Technology CAST. Дата публикации: 2024-04-02.

3d nand存储器位线的电阻测试方法

Номер патента: CN109767807. Автор: 张顺勇,汤光敏. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-17.

具有puc结构的3d nand闪存器件及其制备方法

Номер патента: CN115802753. Автор: 杨涛,霍宗亮,夏志良. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-03-14.

3D nand memory and forming method thereof

Номер патента: CN109727981A. Автор: 肖莉红,卢峰,刘沙沙,李兆松,王恩博. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-07.

具有puc结构的3d nand闪存器件及其制备方法

Номер патента: CN115802753A. Автор: 杨涛,霍宗亮,夏志良. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-03-14.

3d nand存储器件中导电插塞的形成方法及3d nand存储器件

Номер патента: CN109727908. Автор: 肖莉红. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-07.

A kind of manufacturing method of 3D nand memory part

Номер патента: CN109920792A. Автор: 汤召辉. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-21.

3D NAND memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: CN109935547B. Автор: 王启光. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-09.

The preparation method of channel structure in a kind of 3D nand flash memories

Номер патента: CN107591409A. Автор: 王鹏,何佳,霍宗亮,夏志良,刘藩东,张若芳,吴林春. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Method for forming 3D NAND memory

Номер патента: CN109904169B. Автор: 霍宗亮,薛家倩. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-30.

A kind of two-sided gate electrode and preparation method thereof of non-volatile 3D nand memory

Номер патента: CN109830482A. Автор: 杨哲,童浩,缪向水,周凌珺. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2019-05-31.

一种3d nand闪存结构及其制作方法

Номер патента: CN105810639A. Автор: 刘钊,熊涛,舒清明,许毅胜. Владелец: Shanghai Geyi Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-27.

3d堆叠的nand存储器及其制造方法、电子设备

Номер патента: CN118785716A. Автор: 赵超,王桂磊,毛淑娟. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-10-15.

一种非易失性3d nand存储器的侧墙栅电极及其制备方法

Номер патента: CN109830432. Автор: 杨哲,童浩,缪向水. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2019-05-31.

一种3d nand存储器件及其制造方法

Номер патента: CN109768049. Автор: 夏季,肖莉红. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-17.

一种提高通道内3d nand flash并行度的方法及系统

Номер патента: CN114333948. Автор: 沈力,刘奇浩,李绪金. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-12.

一种提高通道内3d nand flash并行度的方法及系统

Номер патента: CN114333948B. Автор: 沈力,刘奇浩,李绪金. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-20.

一种提高通道内3d nand flash并行度的方法及系统

Номер патента: CN114333948A. Автор: 沈力,刘奇浩,李绪金. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-12.

一种非易失性3d nand存储器的纳米线栅电极及其制备方法

Номер патента: CN109860036. Автор: 杨哲,童浩,缪向水. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2019-06-07.

A kind of 3D NAND flash memory structure and preparation method thereof

Номер патента: CN105810639B. Автор: 刘钊,熊涛,舒清明,许毅胜. Владелец: Shanghai Geyi Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-08.

一种3d nand器件栅线缝隙氧化物的沉积的方法

Номер патента: CN107546230A. Автор: 万先进,吴关平,吴俊�,余思,王家友,蒲浩,王秉国,郁赛华. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-05.

用於3d nand應用中之插塞填充沉積之設備及方法

Номер патента: TWI838458B. Автор: 亞歷山卓 迪摩斯,福憲 金,大衛 柯亨. Владелец: 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司. Дата публикации: 2024-04-11.

一种基于电流监测的3d nand存储器辐照效应测试装置及方法

Номер патента: CN117854577A. Автор: 王博,王亚男,郑雪松,梅博,莫日根,王文炎,杨智博,吉俐,张雷浩. Владелец: China Academy of Space Technology CAST. Дата публикации: 2024-04-09.

Способ записи данных в память на основе 3D NAND флэш-памяти

Номер патента: RU2813620C1. Автор: Игорь Александрович Ходаковский,Юрий Петрович Внуков,Александр Валерьевич Харин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Таврида СВК". Дата публикации: 2024-02-14.

3d nand闪存的制作方法

Номер патента: CN104218002B. Автор: 王晶,高晶,肖胜安. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-04.

3d堆叠的nand存储器及其制造方法、电子设备

Номер патента: CN118870820A. Автор: 赵超,王桂磊,李玉科,毛淑娟. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-10-29.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

一种3d nand存储器件及其制造方法

Номер патента: CN109935595. Автор: 肖莉红,许健,李思晢,周玉婷,汤召辉. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-25.

一种3d nand存储器件的制造方法

Номер патента: CN109920792. Автор: 汤召辉. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-21.

3d nand存储器的形成方法

Номер патента: CN109904169. Автор: 霍宗亮,薛家倩. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-18.

一种3d nand存储器件及其制造方法

Номер патента: CN109872997. Автор: 张文杰,袁野,宋宏光,王玉岐,刘立芃. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-11.

3d nand存储器的阵列共源极的形成方法

Номер патента: CN109860037. Автор: 程强,袁野,刘淼,任连娟,王玉岐,郭玉芳. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-07.

3d nand存储器及其形成方法

Номер патента: CN109830483. Автор: 霍宗亮,薛家倩. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-31.

3d nand存储器及其形成方法

Номер патента: CN109727981. Автор: 肖莉红,卢峰,刘沙沙,李兆松,王恩博. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-07.

NON-VOLATILE MEMORY WITH OVONIC THRESHOLD SWITCH AND RESISTIVE MEMORY ELEMENT

Номер патента: US20120002461A1. Автор: Karpov Elijah I.,Spadini Gianpaolo Paolo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

3D NAND flash structure and production method thereof

Номер патента: CN104201176A. Автор: 高晶,肖胜安. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-10.

一种3d nand存储器件及其制造方法

Номер патента: CN107579039B. Автор: 吴关平,陈子琪. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-18.

3d nand快閃記憶體及其操作方法

Номер патента: TW202424982A. Автор: 魏文喆,劉紅濤,黃瑩,蔣頌敏,黃德佳. Владелец: 大陸商長江存儲科技有限責任公司. Дата публикации: 2024-06-16.

一种3d nand闪存结构及其制作方法

Номер патента: CN105810683A. Автор: 刘钊,熊涛,舒清明,许毅胜. Владелец: Shanghai Geyi Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-27.

一种3d nand存储器件及其制造方法

Номер патента: CN109935547. Автор: 王启光. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-25.

3d nand存储器的形成方法

Номер патента: CN109887924. Автор: 霍宗亮,薛家倩. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-14.

3d nand存储器的形成方法

Номер патента: CN109860196. Автор: 霍宗亮,薛家倩. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-07.

一种非易失性3d nand存储器的双面栅电极及其制备方法

Номер патента: CN109830482. Автор: 杨哲,童浩,缪向水,周凌珺. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2019-05-31.

3d nand存储器的形成方法

Номер патента: CN109817635. Автор: 霍宗亮,薛家倩. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-28.

3d nand快閃記憶體及其操作方法

Номер патента: TWI839021B. Автор: 魏文喆,劉紅濤,黃瑩,蔣頌敏,黃德佳. Владелец: 大陸商長江存儲科技有限責任公司. Дата публикации: 2024-04-11.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Subscriber Line Interface Circuitry Line Driver

Номер патента: US20120002801A1. Автор: Frey Douglas R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHODS TO OVERLAY REMOTE AND LOCAL VIDEO FEEDS

Номер патента: US20120002061A1. Автор: Gay Michael F.,Bailey Anthony. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ALIGNMENT OF DIGITAL IMAGES AND LOCAL MOTION DETECTION FOR HIGH DYNAMIC RANGE (HDR) IMAGING

Номер патента: US20120002890A1. Автор: Mathew Binu K.. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for data protection in radio and local computer network

Номер патента: RU2266621C1. Автор: С.А. Осмоловский. Владелец: Осмоловский Станислав Антонович. Дата публикации: 2005-12-20.

Vehicle alarm signalling and local positioning system

Номер патента: RU2309064C1. Автор: Сергей Александрович Косарев,Александр Юрьевич Шептовецкий,Юрий Витальевич Райгородский. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "АЛЬТОНИКА" (ООО "АЛЬТОНИКА"). Дата публикации: 2007-10-27.

Method for simulating combined radiation injuries involving whole-body gamma- and local beta-radiation

Номер патента: RU2534802C1. Автор: Александр Николаевич Гребенюк,Владимир Иванович Легеза,Нина Ивановна Заргарова,Ольга Олеговна ВЛАДИМИРОВА. Владелец: Ольга Олеговна ВЛАДИМИРОВА. Дата публикации: 2014-12-10.

Antibacterial and necrolytic external and local pharmaceutical composition

Номер патента: RU2367455C2. Автор: Сергей Дмитриевич Соколов,Аллан Герович Бениашвили,Леонид Александрович Блатун,Владимир Ильич Коган,Нинель Ивановна Косякова,Евгений Вольфович Межбурд. Владелец: Закрытое акционерное общество "Биологические исследования и системы". Дата публикации: 2009-09-20.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.