Method and apparatus to mitigate word line staircase etch stop layer thickness variations in 3d nand devices
Номер патента: US20230232629A1
Опубликовано: 20-07-2023
Автор(ы): Hong Ma, Qun Li, Sha Tao
Принадлежит: Intel Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 20-07-2023
Автор(ы): Hong Ma, Qun Li, Sha Tao
Принадлежит: Intel Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method and apparatus to mitigate word line staircase etch stop layer thickness variations in 3d nand devices
Номер патента: EP4186095A1. Автор: Sha Tao,Qun Li,Hong Ma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-05-31.