Method and apparatus for fabricating a memory device with a dielectric etch stop layer
Номер патента: US20050239246A1
Опубликовано: 27-10-2005
Автор(ы): H. Manning
Принадлежит: Individual
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 27-10-2005
Автор(ы): H. Manning
Принадлежит: Individual
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for fabricating a floating gate memory device
Номер патента: US20050277250A1. Автор: Shyi-Shuh Pan,Chong-Jen Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-15.