THREE-DIMENSIONAL (3D) MEMORY CELL SEPARATION AMONG 3D INTEGRATED CIRCUIT (IC) TIERS, AND RELATED 3D INTEGRATED CIRCUITS (3DICS), 3DIC PROCESSOR CORES, AND METHODS
Номер патента: US20140269022A1
Опубликовано: 18-09-2014
Автор(ы): Du Yang, Xie Jing
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 18-09-2014
Автор(ы): Du Yang, Xie Jing
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Multiple, alternating epitaxial silicon for horizontal access devices in vertical three dimensional (3d) memory
Номер патента: US20230397390A1. Автор: Yoshitaka Nakamura,Scott E. Sills,John F. Kaeding,Glen H. WALTERS,David K. Hwang,Si-Woo Lee,Yuanzhi MA,Matthew S. Thorum. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.