Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • 3d memory device, measurement method thereof, and film measurement device

3d memory device, measurement method thereof, and film measurement device

Номер патента: US20230157014A1
Опубликовано: 18-05-2023
Автор(ы): Fengrui Li, Shuo Zhang, Wei Zhang, Yi Zhou, Yuanxiang Zou
Принадлежит: Yangtze Memory Technologies Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Film thickness measurement method, film thickness measurement device, and film formation system

Номер патента: US12018928B2. Автор: Atsushi Gomi,Kanto Nakamura,Toru Kitada,Kazunaga Ono. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device measurement method

Номер патента: US20220077004A1. Автор: Hongxiang Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Measurement method of surface shape and surface shape measurement device

Номер патента: US20230324168A1. Автор: Yoshiaki Kato,Yumiko Mori. Владелец: Mitutoyo Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Standard member for length measurement, method for producing the same, and electron beam length measuring device using the same

Номер патента: US20060237644A1. Автор: Yoshinori Nakayama. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2006-10-26.

Standard member for length measurement, method for producing the same, and electron beam length measuring device using the same

Номер патента: TW200416377A. Автор: Yoshinori Nakayama. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2004-09-01.

Semiconductor device measurement method using x-ray scattering and semiconductor device manufacturing method including the measurement method

Номер патента: US20230380783A1. Автор: Hidong Kwak,Jaeyong Lee,Minjung Shin,Chuhee LEE,Seungryeol Oh,Byunghyun HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Device for measuring frictional force and film thickness of lubricating oil film in different surface velocity directions

Номер патента: US11768149B2. Автор: Feng Guo,Jianjun Zhang,Chenglong LIU,Jiahao Zhang,Qinglun CHE,Hewei LU,Zhaogang JING. Владелец: QINGDAO UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-09-26.

Film thickness measurement method and film thickness measurement device

Номер патента: US09846028B2. Автор: Kenichi Ohtsuka,Tetsuhisa Nakano. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2017-12-19.

Film thickness measuring device and film thickness measuring method

Номер патента: US09841272B2. Автор: Hideyuki Aikyo,Hideyuki Ohtake,Jun Takayanagi,Atsuo Nabeshima,Yasunari Fujisawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Memory Device, Semiconductor Device, and Driving Method Thereof

Номер патента: US20080144349A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Konami Izumi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-19.

Non-volatile memory device and operation and fabricating methods thereof

Номер патента: US20150049557A1. Автор: Hiroshi Watanabe. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Radiated power measuring method, coupler for radiate power measurement, and radiated power measuring device

Номер патента: EP2194387B1. Автор: Takashi Kawamura,Tasuku Teshirogi,Toru Sakuma,Aya Hinotani. Владелец: Anritsu Corp. Дата публикации: 2016-03-16.

Surface measurement method, component manufacturing method, component inspection method, and component measurement device

Номер патента: US11781861B2. Автор: Shigenobu Maruyama,Kazushi Miyata,Jeremy JONG. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Matrix device, measurement method of characteristics thereof, and driving method thereof

Номер патента: US09797931B2. Автор: Hiroyuki Miyake,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Flow measuring device, measuring tube as well as method for manufacture of a flow measuring device

Номер патента: US09658088B2. Автор: Thomas Sulzer,Patrick Oudoire. Владелец: Endress and Hauser Flowtec AG. Дата публикации: 2017-05-23.

Measurement device, measurement method, and storage medium

Номер патента: US20230288486A1. Автор: Tadashi Kaga,Yuki Tominaga,Mao Hori. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Concentration measurement method, concentration measurement program, concentration measurement system, and concentration measurement device

Номер патента: US10274454B2. Автор: Akio Ishii,Yuichi Ito,Akio Nakayama,Hiroaki Murakami,Rumiko Furuya,Yoshitake ANDO,Yuji Gyoten. Владелец: Horiba Advanced Techno Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-30.

Concentration measurement method, concentration measurement program, concentration measurement system, and concentration measurement device

Номер патента: US20170234826A1. Автор: Akio Ishii,Yuichi Ito,Akio Nakayama,Hiroaki Murakami,Rumiko Furuya,Yoshitake ANDO,Yuji Gyoten. Владелец: Horiba Advanced Techno Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-17.

Particle group characteristic measurement device, particle group characteristic measurement method, storage medium recording program for particle group characteristic measurement device, particle diameter distribution measurement device, and particle diameter distribution measurement method

Номер патента: US20240102907A1. Автор: Shingo Fujiwara,Yasuhiro Tatewaki. Владелец: Horiba Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Measurement device based on a strain gauge, use thereof and modulation amplifier for such measurement devices

Номер патента: CN1111725C. Автор: 迈克尔·阿尔特怀恩. Владелец: HBM WEGER TECHNOLOGY KG. Дата публикации: 2003-06-18.

Memory device including predecoder and operating method thereof

Номер патента: US12112795B2. Автор: Chan Ho Lee,Tae Min CHOI,Kyu Won CHOI,Hyeong Cheol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Volatile semicondcutor memory device, refresh control circuit and method thereof

Номер патента: US09653142B1. Автор: Yuji Kihara. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Nonvolatile memory device and sub-block managing method thereof

Номер патента: US20150149710A1. Автор: Junjin Kong,Eun Chu Oh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-05-28.

Measuring method, method for manufacturing optical element, reference standard, and measuring device

Номер патента: US20100053630A1. Автор: Tetsuji Oota. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2010-03-04.

Improved vertical 3d memory device and accessing method

Номер патента: US20240237358A1. Автор: Corrado Villa,Efrem Bolandrina,Paolo Fantini,Stefan Frederik Schippers. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Improved vertical 3d memory device and accessing method

Номер патента: US20230097079A1. Автор: Corrado Villa,Efrem Bolandrina,Paolo Fantini,Stefan Frederik Schippers. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Vertical 3D memory device and accessing method

Номер патента: US11877457B2. Автор: Corrado Villa,Efrem Bolandrina,Paolo Fantini,Stefan Frederik Schippers. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Resistive memory device and reliability enhancement method thereof

Номер патента: US20220069209A1. Автор: Frederick Chen,Chia-Wen Cheng,Ping-Kun Wang,Ming-Che Lin,Chang-Tsung Pai,Tzu-Yun Huang,He-Hsuan CHAO. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Resistance memory device and apparatus, fabrication method thereof, operation method thereof, and system having the same

Номер патента: US20140365723A1. Автор: Mi Na Kim,Dong Yean Oh,Woon Ha YIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-12-11.

Nonvolatile semiconductor memory device, reading, writing and erasing methods thereof, and manufacturing method thereof

Номер патента: JP4117998B2. Автор: 祥光 山内. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2008-07-16.

Memory device, semiconductor device, and driving method thereof

Номер патента: WO2006080478A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Konami Izumi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2006-08-03.

Memory device, semiconductor device, and driving method thereof

Номер патента: KR101298954B1. Автор: 순페이 야마자키,코나미 이즈미,기요시 가토. Владелец: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼. Дата публикации: 2013-08-23.

NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND OPERATION AND FABRICATING METHODS THEREOF

Номер патента: US20150049557A1. Автор: Watanabe Hiroshi. Владелец: PHISON ELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2015-02-19.

MEMORY DEVICE AND A CLOCK DISTRIBUTION METHOD THEREOF

Номер патента: US20180082726A1. Автор: Kang Sang-Kyu. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-22.

Three dimensional memory device and production and preparation method thereof with the electric charge carrier injection trap for vertical channel

Номер патента: CN109314147A. Автор: Y·张,J·阿尔斯梅尔,J·凯. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-02-05.

Semiconductor memory device and power line arrangement method thereof

Номер патента: US8541893B2. Автор: Sung-Hoon Kim,Kwang-Il Park,Seong-Jin Jang,Young-Chul Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-09-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and data erase/write method thereof

Номер патента: US20080239799A1. Автор: Toshiharu Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-10-02.

Split gate memory device, semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: US09536889B2. Автор: Lingyue Zhang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Memory device, semiconductor device, and manufacturing method thereof

Номер патента: US12068245B2. Автор: Sheng-Chih Lai,Hung-Chang Sun,Yu-Wei Jiang,Kuo-Chang Chiang,TsuChing Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory device, circuit structure and production method thereof

Номер патента: US20230371252A1. Автор: Teng-Hao Yeh,Chia-Jung Chiu,Kuan-Yuan SHEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Memory device, package structure and fabricating method thereof

Номер патента: US11855006B2. Автор: Ching-Hua Hsieh,Chih-Wei Lin,Yi-Da Tsai,Chao-Wei Li,Sheng-Hsiang Chiu,Yu-Hao Chen,Sheng-Feng Weng,Chia-Min Lin,Wei-Lun Tsai,Kai-Ming CHIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

LENGTH MEASUREMENT DEVICE, LENGTH MEASUREMENT METHOD, PROGRAM, SHAPE ESTIMATION DEVICE, AND BODY FAT PERCENTAGE MEASUREMENT DEVICE

Номер патента: US20160235334A1. Автор: NEBUYA Satoru. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-18.

Length measuring device, length measuring method, program, shape estimating device, and body fat percentage measuring device

Номер патента: JP6420246B2. Автор: 吾 根武谷. Владелец: Kitasato Institute. Дата публикации: 2018-11-14.

Length measurement device, length measurement method, program, shape estimation device, and body fat percentage measurement device

Номер патента: EP3054262A1. Автор: Satoru NEBUYA. Владелец: Kitasato Institute. Дата публикации: 2016-08-10.

Positioning measurement method and apparatus

Номер патента: US20230370995A1. Автор: Yinghao JIN,Jinping HAO,Yinghao GUO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Measuring device, measuring system, measuring method, and computer readable recording medium

Номер патента: US20170134035A1. Автор: Yasuhiro Sasaki,Shohei Kinoshita,Shigeki Shinoda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2017-05-11.

Mobile device and system for identifying and/or classifying occupants of a vehicle and corresponding method thereof

Номер патента: US12065148B2. Автор: Riccardo TISSEUR,Donato GENOVESE,Benedetta CERRUTI. Владелец: Swiss Reinsurance Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Measurement device, measurement method, and program

Номер патента: EP4130652A1. Автор: Yosuke Muraki. Владелец: XTIA Ltd. Дата публикации: 2023-02-08.

Bending measurement apparatus, imaging apparatus, projection apparatus and projection imaging apparatus using the same, and bending measurement method

Номер патента: US20200141768A1. Автор: Yoshihito IGUCHI. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Strain distribution measurement system and strain distribution measurement method that measure strain distribution based on distribution of reflectance or polarization characteristic

Номер патента: US12055382B2. Автор: Norio Hirayama,Yukimitsu Iwanaga,Tomotaka Nagashima. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory device and in-memory search method thereof

Номер патента: US20240221830A1. Автор: Feng-Min Lee,Po-Hao Tseng,Tian-Cih BO. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor memory device detecting defect, and operating method thereof

Номер патента: US12100463B2. Автор: Sangwan Nam,KeeHo JUNG,Bongkil Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Electronic system for forward-looking measurements of frequencies and/or probabilities of accident occurrences based on localized automotive device measurements, and corresponding method thereof

Номер патента: EP4256502A1. Автор: Donato GENOVESE,Luigi DI LILLO,David GRIVEL. Владелец: Swiss Reinsurance Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-11.

Memory device and in-memory search method thereof

Номер патента: US20240274164A1. Автор: Feng-Min Lee,Po-Hao Tseng,Tian-Cih BO. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US09576640B2. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2017-02-21.

Memory device and computing in memory method thereof

Номер патента: US20210117187A1. Автор: Yuan-Hao Chang,Tei-Wei Kuo,Hung-Sheng Chang,Han-Wen Hu,Tse-Yuan Wang,Yueh-Han Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Memory device, memory system, and operation method thereof

Номер патента: US10740226B2. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sung-Eun Lee,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-08-11.

Memory device, memory system, and operation method thereof

Номер патента: US20180210826A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sung-Eun Lee,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-26.

Semiconductor memory device and word line driving method thereof

Номер патента: US20100061177A1. Автор: Kang-Seol Lee,Tae-Sik Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-11.

Memory Device and Erasing and Verification Method Thereof

Номер патента: US20210335426A1. Автор: Hongtao Liu,An ZHANG,Jianquan Jia,Kaiwei LI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Memory device and erasing and verification method thereof

Номер патента: US20230268007A1. Автор: Hongtao Liu,An ZHANG,Jianquan Jia,Kaiwei LI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Memory device and wrap around read method thereof

Номер патента: US20240265954A1. Автор: Chung-Zen Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory device and program speed control method thereof

Номер патента: US12067258B2. Автор: Dong Hun Kwak,Hyun Seob SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Flash memory device and bit line charging method thereof

Номер патента: US20210375369A1. Автор: Chih-Ting Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Memory device and program speed control method thereof

Номер патента: US20240361921A1. Автор: Dong Hun Kwak,Hyun Seob SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Memory device and erasing and verification method thereof

Номер патента: US20240363169A1. Автор: Hongtao Liu,An ZHANG,Jianquan Jia,Kaiwei LI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Memory device and erasing and verification method thereof

Номер патента: US12100456B2. Автор: Hongtao Liu,An ZHANG,Jianquan Jia,Kaiwei LI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory device with over-refresh and method thereof

Номер патента: US09685217B2. Автор: Sergiy Romanovskyy,Cormac Michael Oconnell. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor memory device and weak cell detection method thereof

Номер патента: US09824776B1. Автор: Youk-Hee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Memory device, testing method and using method thereof, and memory system

Номер патента: US11854640B2. Автор: Shu-Liang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Memory device, memory system, and operating method thereof

Номер патента: US20230420062A1. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Memory device, memory system, and operating method thereof

Номер патента: WO2023246931A1. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor memory device, erasing method and programing method thereof

Номер патента: US20170229184A1. Автор: Kazuki Yamauchi. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Memory device and data approximation search method thereof

Номер патента: US20230368821A1. Автор: Chih-Chang Hsieh,Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor memory device detecting defect, and operating method thereof

Номер патента: US20230121078A1. Автор: Sangwan Nam,KeeHo JUNG,Bongkil Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-20.

User device including a nonvolatile memory device and a data write method thereof

Номер патента: US11860774B2. Автор: Kyung Ho Kim,Sung Won Jung,Sangkwon Moon,Seunguk SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Memory controller, memory device, memory system, and operating method thereof

Номер патента: US20210019086A1. Автор: Dong Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Memory device including racetrack and operating method thereof

Номер патента: US20230335172A1. Автор: Youngnam HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

A ferroelectric memory device and a nondestructive accessing method thereof

Номер патента: GB2318230A. Автор: Byung-Gil Jeon,Chul-Sung Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-04-15.

Memory device, memory system, and program method thereof

Номер патента: US20240185925A1. Автор: Hongtao Liu,Chenhui Li,XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor memory device and data input/output method thereof

Номер патента: US20090287888A1. Автор: Tatsuya Ishizaki. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-11-19.

Memory device and refresh information coherence method thereof

Номер патента: US10692558B2. Автор: Jenn-Shiang Lai,Chih-Yen Lo. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2020-06-23.

Memory device, memory system, and operation method thereof

Номер патента: US20140362637A1. Автор: Sua Kim,Sung-hee Lee,Seung-Hwan Kim,Dae-sun Kim,Eui-chul Jeong,Dae-Sin Kim,Dong-Soo Woo,Na-Ra Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-12-11.

Non-volatile memory device, storage device and program method thereof

Номер патента: US20220230687A1. Автор: Jun-Ho SEO,Sangwon Hwang,Haneol JANG,Suk-Eun Kang,Youngwook JEONG,Wanha HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-21.

Memory device and program speed control method thereof

Номер патента: US20230350576A1. Автор: Dong Hun Kwak,Hyun Seob SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor memory device and latency signal generating method thereof

Номер патента: US20060250861A1. Автор: Young-Hyun Jun,Seong-Jin Jang,Ho-young Song,Kwang-II Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-11-09.

Memory device, memory system, and operation method thereof

Номер патента: WO2024103347A1. Автор: Bo Li,Xiaojiang Guo,Jialiang DENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory device, memory system and operating method thereof

Номер патента: US20150043294A1. Автор: Jong-Yeol Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-02-12.

Memory device, memory system, and operation method thereof

Номер патента: US20240170073A1. Автор: Bo Li,Xiaojiang Guo,Jialiang DENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory device and erasing and verification method thereof

Номер патента: US20220013177A1. Автор: Hongtao Liu,An ZHANG,Jianquan Jia,Kaiwei LI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-13.

Non-volatile memory device, storage device and program method thereof

Номер патента: US20210225451A1. Автор: Jun-Ho SEO,Sangwon Hwang,Haneol JANG,Suk-Eun Kang,Youngwook JEONG,Wanha HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-22.

Memory controller, memory device, memory system and operation method thereof

Номер патента: US20240168652A1. Автор: Kang Li,Zhen Huang,Zhe Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US20180174637A1. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2018-06-21.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US20130010554A1. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-01-10.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US20150036443A1. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2015-02-05.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US20170004870A1. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2017-01-05.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US20150279447A1. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2015-10-01.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US20160240241A1. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2016-08-18.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US20170125083A1. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2017-05-04.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US9466354B2. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US20160071571A1. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2016-03-10.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US9208852B2. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2015-12-08.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US9082482B2. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2015-07-14.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US8811052B2. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2014-08-19.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US20120236666A1. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-09-20.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US20130201774A1. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-08-08.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US20130010553A1. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-01-10.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission method

Номер патента: US8711595B2. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2014-04-29.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US8582337B2. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-11-12.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US8531860B2. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-09-10.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US8811054B2. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2014-08-19.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US8842457B2. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2014-09-23.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US20120243352A1. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US20120218842A1. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-08-30.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US20130223167A1. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-08-29.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US20120236665A1. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-09-20.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US8599624B2. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-12-03.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US20130010555A1. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-01-10.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US20120236667A1. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-09-20.

Vehicle memory system based on 3d memory and method operating thereof

Номер патента: US20220293202A1. Автор: Hong Yeol Lim,Myung Hyun Koo. Владелец: Hyundai AutoEver Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20190157280A1. Автор: Zhe Wang,Peng Cheng Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20200126999A1. Автор: Zhe Wang,Peng Cheng Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: WO2024130656A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240212753A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory device with embedded dynamic random-access memory

Номер патента: EP4401127A2. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Three-dimensional memory device having a shielding layer and method for forming the same

Номер патента: US11758729B2. Автор: Zhiliang Xia,Jun Chen,Zongliang Huo,Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

3d memory semiconductor devices and structures with memory cells

Номер патента: US20240224545A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han,Eli Lusky. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory device structure and fabrication method

Номер патента: US20240194260A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

3D memory semiconductor devices and structures with memory cells preliminary class

Номер патента: US12041792B1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han,Eli Lusky. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Staircase structure in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20210384118A1. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Semiconductor plug protected by protective dielectric layer in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: EP4362624A3. Автор: Yong Zhang,Fushan Zhang,Enbo Wang,Haohao YANG,Ruo Fang ZHANG,Qianbing Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

3D memory semiconductor device and structure

Номер патента: US12114494B2. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han,Eli Lusky. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Three-dimensional memory device with embedded dynamic random-access memory

Номер патента: WO2020220280A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-11-05.

Three-dimensional memory device erase operation

Номер патента: US20220293626A1. Автор: Feng Xu,LEI Jin,Jie Yuan,Shiyu Xia,Wenqiang CHEN,Xuezhun Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Three-dimensional memory device erase operation

Номер патента: US11521988B2. Автор: Feng Xu,LEI Jin,Jie Yuan,Shiyu Xia,Wenqiang CHEN,Xuezhun Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-06.

Three-dimensional memory devices having first semiconductor structure bonded with second semiconductor structure each including peripheral circuit and methods for forming the same

Номер патента: US12082408B2. Автор: WEI Liu,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Three-dimensional memory devices

Номер патента: US12020750B2. Автор: WEI Liu,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Transistor driven 3d memory

Номер патента: EP2641248A2. Автор: ANDREI Mihnea,George Samachisa. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2013-09-25.

Transistor driven 3d memory

Номер патента: WO2012068127A2. Автор: ANDREI Mihnea,George Samachisa. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2012-05-24.

Three dimensional memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200119025A1. Автор: Chieh-Fang Chen,Yu-Wei Jiang,Jia-Rong Chiou. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Vertical 3d memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210225938A1. Автор: Corrado Villa,Paolo Tessariol,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Vertical 3D memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11158673B2. Автор: Corrado Villa,Paolo Tessariol,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-26.

Three-dimensional (3D) memory cell separation among 3D integrated circuit (IC) tiers, and related 3D integrated circuits (3DICs), 3DIC processor cores, and methods

Номер патента: US09583179B2. Автор: Yang Du,Jing Xie. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

3d memory with vertical bit lines and staircase word lines and vertical switches and methods thereof

Номер патента: WO2013188172A1. Автор: Raul-Adrian Cernea,Roy E. Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2013-12-19.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240312522A1. Автор: WEI Liu,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Cache program operation of three-dimensional memory device with static random-access memory

Номер патента: US12019919B2. Автор: Yue Ping Li,Chun Yuan Hou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Three-dimensional (3d) memory cell with read/write ports and access logic on different tiers of the integrated circuit

Номер патента: EP2973706A1. Автор: Yang Du,Jing Xie. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Cache program operation of three-dimensional memory device with static random-access memory

Номер патента: EP3909048A1. Автор: Chun Yuan Hou,Yueping Li. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-17.

3d memory semiconductor devices and structures with memory-line pillars

Номер патента: US20240147740A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han,Eli Lusky. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

3D memory semiconductor devices and structures with memory-line pillars

Номер патента: US11963373B1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han,Eli Lusky. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

3D Memory with 3D Sense Amplifier

Номер патента: US20220189515A1. Автор: Sang-Yun Lee. Владелец: BeSang Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

3d memory semiconductor devices and structures

Номер патента: US20220013533A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han,Eli Lusky. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor plug protected by protective dielectric layer in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US10714493B2. Автор: Yong Zhang,Fushan Zhang,Enbo Wang,Haohao YANG,Ruo Fang ZHANG,Qianbin Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-14.

3d memory semiconductor devices and structures with bit-line pillars

Номер патента: US20240065005A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han,Eli Lusky. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

3D memory semiconductor devices and structures with bit-line pillars

Номер патента: US11910622B1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han,Eli Lusky. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor plug protected by protective dielectric layer in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: EP4362624A2. Автор: Yong Zhang,Fushan Zhang,Enbo Wang,Haohao YANG,Ruo Fang ZHANG,Qianbing Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-01.

3d memory device

Номер патента: US20180069017A1. Автор: Sabrina Barbato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-03-08.

3D memory with graphite conductive strips

Номер патента: US12041776B2. Автор: Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

3d memory with graphite conductive strips

Номер патента: US20240315033A1. Автор: Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Leakage current detection in 3D memory

Номер патента: US09905307B1. Автор: Chang SIAU,Gopinath Balakrishnan,Ashish Ghai,Ekamdeep Singh,Lakshmi Kalpana Vakati,Kapil Verma. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-02-27.

Memory device, peripheral circuit thereof and single-byte data write method thereof

Номер патента: US09805776B2. Автор: Yih-Lang Lin. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

3D memory semiconductor devices and structures with bit-line pillars

Номер патента: US11854646B1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han,Eli Lusky. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Three-dimensional memory devices having isolation structure for source select gate line and methods for forming the same

Номер патента: US20220077283A1. Автор: Yang Zhou,Meng Xiao,ZHEN Guo,HUI Zhang,Jingjing Geng,Jiajia Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

3d memory semiconductor devices and structures with bit-line pillars

Номер патента: US20230395097A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han,Eli Lusky. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Three-dimensional memory devices having isolation structure for source select gate line and methods for forming the same

Номер патента: US11990506B2. Автор: Yang Zhou,Meng Xiao,ZHEN Guo,HUI Zhang,Jingjing Geng,Jiajia Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Three-Dimensional Memory Device and Method

Номер патента: US20220359270A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Three-dimensional memory device and method

Номер патента: US20240312830A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Methods for forming three-dimensional memory device having channel structures with native oxide layer

Номер патента: WO2020073158A1. Автор: LEI Jin,Hongtao Liu,Qiguang Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-04-16.

Three-dimensional nand memory and fabrication method thereof

Номер патента: EP4285414A1. Автор: Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Three-dimensional memory device having bent backside word lines

Номер патента: EP3891812A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-13.

Contact structures having conductive portions in substrate in three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210159238A1. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Beihan Wang,Wenxiang Xu,Ji XIA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-27.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20230282280A1. Автор: Kun Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

3D memory structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09536573B2. Автор: Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Contact structures having conductive portions in substrate in three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US11792980B2. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Beihan Wang,Wenxiang Xu,Ji XIA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: WO2023164861A1. Автор: Kun Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-09-07.

Architecture of three-dimensional memory device and methods regarding the same

Номер патента: US12068192B2. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Nonvolatile memory devices, operating methods thereof and memory systems including the same

Номер патента: US09747995B2. Автор: Jae-Hoon Jang,Jaehun Jeong,Hansoo Kim,Donghyuk Chae,Sun-Il Shim,Youngho Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Three-dimensional memory devices having polysilicon layer and bonded semiconductor structures and methods for forming the same

Номер патента: US11935596B2. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG,Yanhong Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Three-dimensional memory devices and memory system

Номер патента: US11929119B2. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG,Yanhong Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Three-dimensional memory device having a shielding layer and method for forming the same

Номер патента: US11758731B2. Автор: Zhiliang Xia,Jun Chen,Zongliang Huo,Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230066312A1. Автор: WEI Liu,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US11996152B2. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG,Yanhong Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP4201164A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG,Yanhong Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-28.

3d memory with graphite conductive strips

Номер патента: US20230371257A1. Автор: Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Three dimensional (3d) memory device and fabrication method

Номер патента: US20240170393A1. Автор: Zhiliang Xia,Linchun Wu,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Cuicui Kong. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Transistor Driven 3D Memory

Номер патента: US20120120709A1. Автор: ANDREI Mihnea,George Samachisa. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2012-05-17.

Memory cell and manufacturing method thereof and memory device

Номер патента: US20200328254A1. Автор: Chun-Chih Liu,Yi-Cheng Lee,Yu-Cheng Liao. Владелец: Jiangsu Advanced Memory Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Three dimensional memory device

Номер патента: US9576976B1. Автор: Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Three-dimensional memory device and methods for forming the same

Номер патента: EP4288997A1. Автор: Mingkang ZHANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Multi-division 3d nand memory device

Номер патента: US20200051983A1. Автор: Zhong Zhang,Yan Ni LI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Multi-division 3D NAND memory device

Номер патента: US10790285B2. Автор: Zhong Zhang,Yan Ni LI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-29.

3d memory cells and array structures

Номер патента: US20240135992A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-04-25.

Multi-division 3d nand memory device

Номер патента: US20200395361A1. Автор: Zhong Zhang,Yan Ni LI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

3d memory device

Номер патента: US20230092768A1. Автор: LAN Yao,Meng Yan,Siping Hu,Lei Xue,Ziqun HUA,Pengan Yin,Yucheng Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-23.

3d memory cells and array architectures

Номер патента: US20240265969A1. Автор: Richard J. Huang,Fu-Chang Hsu,I-Wei Huang,Jui-Hsin Chang,Re-Peng Tsay,Chiahaur Chang. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Interconnections for 3D memory

Номер патента: US09786334B2. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09595564B1. Автор: Akihito Ikedo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Leakage Current Detection In 3D Memory

Номер патента: US20180061505A1. Автор: Chang SIAU,Gopinath Balakrishnan,Ashish Ghai,Ekamdeep Singh,Lakshmi Kalpana Vakati,Kapil Verma. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-01.

Multiple, alternating epitaxial silicon for horizontal access devices in vertical three dimensional (3d) memory

Номер патента: US20230397390A1. Автор: Yoshitaka Nakamura,Scott E. Sills,John F. Kaeding,Glen H. WALTERS,David K. Hwang,Si-Woo Lee,Yuanzhi MA,Matthew S. Thorum. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Three-dimensional memory device and method

Номер патента: US20230389326A1. Автор: Chung-Te Lin,Katherine H. Chiang,Chia-Yu Ling. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Three-dimensional memory device and method

Номер патента: US11856782B2. Автор: Chung-Te Lin,Katherine H. Chiang,Chia-Yu Ling. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240021247A1. Автор: Xin Zhang,Chuan Yang,Qian Gao,Yujun Huang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Three-dimensional memory device and method

Номер патента: US12027412B2. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Array substrate and control method thereof, manufacturing method thereof and electronic paper display device

Номер патента: US20240234437A9. Автор: Junhong CAO,Haoxuan ZHENG. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Multi-die memory apparatus and identification method thereof

Номер патента: US20210349645A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Circuit Structure and Driving Method Thereof, Chip and Authentication Method Thereof, and Electronic Device

Номер патента: US20190088325A1. Автор: HE Qian,Bin Gao,Huaqiang Wu,Yachuan PANG. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-03-21.

Anti-fuse storage layout and circuit thereof, and anti-fuse memory and design method thereof

Номер патента: US20230207456A1. Автор: Rumin JI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Metal mesh array and manufacturing method thereof, thin film sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240211082A1. Автор: Feng Qu,Kui Liang. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Nonvolatile memory device, operating method thereof and memory system including the same

Номер патента: US09947416B2. Автор: Jae-Woo Park,Chi Weon Yoon,Sang-Wan Nam,Donghyuk Chae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Mitigating neighbor interference to select gates in 3D memory

Номер патента: US11798638B2. Автор: Xiang Yang,Ohwon KWON,Kou Tei. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-24.

Memory device, and manufacturing method and driving method thereof

Номер патента: US20230232635A1. Автор: Shuai Guo,Shijie BAI,Mingguang ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Core shell quantum dot, production method thereof, and electronic device including the same

Номер патента: US11987739B2. Автор: Eun Joo Jang,Jihyun MIN,Sungwoo HWANG,Soo Kyung Kwon,Yong Wook Kim,Seon-Yeong Kim,Ji-Yeong KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Composite light-emitting material, production method thereof, and use thereof

Номер патента: US12054656B2. Автор: Jingjing Wang,Fei Li,Haizheng Zhong. Владелец: Zhijing Nanotech Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Passivation layer and preparation method thereof, flexible thin film transistor and preparation method thereof, and array substrate

Номер патента: US12040404B2. Автор: WEI ZHONG,Rongsheng Chen,Lelong YAN. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2024-07-16.

Array substrate and manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US09958748B2. Автор: Bo Feng,Yu Ma. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Array substrate and fabrication method thereof, display device and driving method thereof

Номер патента: US09928801B2. Автор: Xin Gu,Jaegeon You. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Diffractive optical element, design method thereof and application thereof to solar cell

Номер патента: US09547181B2. Автор: Yan Zhang,Guozhen Yang,Jinze WANG,Qingli HUANG,Bizhen Dong,Jiasheng Ye,Qingbo Meng. Владелец: Institute of Physics of CAS. Дата публикации: 2017-01-17.

MATRIX DEVICE, MEASUREMENT METHOD OF CHARACTERISTICS THEREOF, AND DRIVING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160071446A1. Автор: Miyake Hiroyuki. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-10.

MATRIX DEVICE, MEASUREMENT METHOD OF CHARACTERISTICS THEREOF, AND DRIVING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160071447A1. Автор: Takemura Yasuhiko,Miyake Hiroyuki. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-10.

Measuring device, measuring arrangement and method for determining a measured quantity

Номер патента: US09766103B2. Автор: Michael Daheim. Владелец: Krohne Messtechnik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-09-19.

Device measurement circuit and method thereof

Номер патента: TWI456224B. Автор: Ying Yen Chen,Jih Nung Lee,chun yu Yang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-10-11.

FLOW MEASURING DEVICE, MEASURING TUBE AS WELL AS METHOD FOR MANUFACTURE OF A FLOW MEASURING DEVICE

Номер патента: US20150053019A1. Автор: OUDOIRE Patrick,Sulzer Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-26.

Distance measuring device and distance measuring method

Номер патента: US20240241227A1. Автор: Takuya Yokoyama,Takahiro Kado. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Electrode and manufacturing method thereof, ion sensor, and living body component measuring device and method

Номер патента: CN114902038A. Автор: 小岛顺子,内山兼一. Владелец: Sysmex Corp. Дата публикации: 2022-08-12.

Sensor chip for SPFS measurement, SPFS measurement method using sensor chip for SPFS measurement, and SPFS measurement device equipped with sensor chip for SPFS measurement

Номер патента: US09970875B2. Автор: Masataka Matsuo,Kenji Ishida. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2018-05-15.

REAGENT FOR PROTHROMBIN TIME MEASUREMENT, METHOD FOR PRODUCTION THEREOF, AND METHOD FOR MEASUREMENT OF PROTHROMBIN TIME

Номер патента: US20170283853A1. Автор: Tanaka Yusuke,MICHISHITA Masato,BANDO Takahiko,KOHAMA Kiyoko. Владелец: SYSMEX CORPORATION. Дата публикации: 2017-10-05.

REAGENT FOR PROTHROMBIN TIME MEASUREMENT, METHOD FOR PRODUCTION THEREOF, AND METHOD FOR MEASUREMENT OF PROTHROMBIN TIME

Номер патента: US20170285046A1. Автор: Tanaka Yusuke,BANDO Takahiko,KOHAMA Kiyoko,YAMAGUCHI Haruki. Владелец: SYSMEX CORPORATION. Дата публикации: 2017-10-05.

Weight variation measuring system by body part, etc., measuring method, use system thereof, and use method

Номер патента: JP5400603B2. Автор: 忠男 倉田,澄子 倉田,紀子 倉田. Владелец: 紀子 倉田. Дата публикации: 2014-01-29.

The distance measurement method and device thereof and sweeping robot of sweeping robot

Номер патента: CN109407670A. Автор: 李可,林周雄,栾春,谭炳桉,徐传骆. Владелец: Jiangsu Midea Cleaning Appliances Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-01.

Terahertz Wave Characteristic Measurement Method, Material Detection Method, Measurement Instrument, Terahertz Wave Characteristic Measurement Device and Material Detection Device

Номер патента: US20120211659A1. Автор: Shigeru Kitamura,Hirohisa Uchida. Владелец: Arkray Inc. Дата публикации: 2012-08-23.

SENSOR CHIP FOR SPFS MEASUREMENT, SPFS MEASUREMENT METHOD USING SENSOR CHIP FOR SPFS MEASUREMENT, AND SPFS MEASUREMENT DEVICE EQUIPPED WITH SENSOR CHIP FOR SPFS MEASUREMENT

Номер патента: US20150011015A1. Автор: Ishida Kenji,MATSUO Masataka. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-08.

CONCENTRATION MEASUREMENT METHOD, CONCENTRATION MEASUREMENT PROGRAM, CONCENTRATION MEASUREMENT SYSTEM, AND CONCENTRATION MEASUREMENT DEVICE

Номер патента: US20170234826A1. Автор: ITO Yuichi,ISHII Akio,ANDO Yoshitake,MURAKAMI Hiroaki,NAKAYAMA Akio,Furuya Rumiko,Gyoten Yuji. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-17.

Measurement method of degradation/alteration degree of lubricant oil and measurement device thereof

Номер патента: US8854058B2. Автор: Tadashi Katafuchi. Владелец: Idemitsu Kosan Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-07.

Measuring method for degree of degradation of lubricating oil, and measuring device therefor, as well as lubricating oil monitoring system in machine and device

Номер патента: TW201142284A. Автор: Tadashi Katafuchi. Владелец: Idemitsu Kosan Co. Дата публикации: 2011-12-01.

Friction measuring method for non-contact type recording media, and friction measuring device for non-contact type recording media

Номер патента: TW200401108A. Автор: Naoki Hayashida,Kazushi Tanaka. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2004-01-16.

Measuring method for degree of degradation of lubricating oil, and measuring device therefor, as well as lubricating oil monitoring system in machine and device

Номер патента: EP2505998A4. Автор: Tadashi Katafuchi. Владелец: Idemitsu Kosan Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-04.

Spin orbit torque magnetic memory devices, operating methods thereof, and electronic apparatuses including the magnetic memory devices

Номер патента: US20240147868A1. Автор: Atsushi Okada,Soichiro Mizusaki,Kwangseok KIM,Jeongchun Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Measuring device, measurement station, production line and measuring method for measuring the distance projected in a preferred direction between a measurement plane and a measurement area

Номер патента: US20030061724A1. Автор: Lothar Mueller,Manfred Bodenmueller. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2003-04-03.

Regenerative clock repeater, synchronous semiconductor memory device comprising the same and method thereof

Номер патента: TW200502734A. Автор: Massimiliano Frulio,Stefano Sivero. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2005-01-16.

MEMORY DEVICE AND DIVIDED CLOCK CORRECTION METHOD THEREOF

Номер патента: US20200013441A1. Автор: Bae Seungjun,KANG DONG-SEOK. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-09.

MEMORY DEVICE AND DIVIDED CLOCK CORRECTION METHOD THEREOF

Номер патента: US20180090186A1. Автор: Bae Seungjun,KANG DONG-SEOK. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-29.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, MEMORY SYSTEM, AND REFRESH METHOD THEREOF

Номер патента: US20190139596A1. Автор: Bae Seungjun,SEO EUNSUNG,JANG MIN-SOO. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

Clock signal generator capable of generating stable clock signal, semiconductor memory device having the same, and method thereof

Номер патента: KR101400695B1. Автор: 박성근,최철준,강병윤,성혁준. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2014-06-27.

Resistive random access memory device and manufacturing and operating methods thereof

Номер патента: CN102270654B. Автор: 孙兵,高滨,康晋锋,刘晓彦,刘力锋,韩汝琦,陈沅沙. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-10-16.

High density flash memory device, cell string and fabricating method thereof

Номер патента: KR101025157B1. Автор: 이종호. Владелец: 서울대학교산학협력단. Дата публикации: 2011-03-31.

Magnetic memory device, magnetic memory and forming method thereof

Номер патента: CN112750855A. Автор: 李乾铭,宋明远,林世杰,葛卫伦. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-04.

Semiconductor memory device, memory system, and refresh method thereof

Номер патента: US10692561B2. Автор: Eunsung Seo,Seungjun Bae,Min-Soo Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-23.

NAND-type nonvolatile memory device, manufacturing method and driving method thereof

Номер патента: JP4262314B2. Автор: 崔正達,孟京武. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-05-13.

Magnetic memory device, magnetic memory, and initialization method thereof

Номер патента: JPWO2011052475A1. Автор: 哲広 鈴木,延行 石綿,俊輔 深見,聖万 永原,則和 大嶋,鈴木　哲広,石綿　延行. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Multi-valued resistor memory device and manufacturing and operating method thereof

Номер патента: JP5209852B2. Автор: 正 賢 李. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-12.

Semiconductor memory device and bit error detection method thereof

Номер патента: KR100681429B1. Автор: 민상렬,김장환,송동현,이시윤. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-02-15.

Memory device structure and fabricating method thereof

Номер патента: US09640432B2. Автор: Sheng-Fen Chiu,Shaobin Li,Jinshuang Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Memory device structure and fabricating method thereof

Номер патента: US20160365313A1. Автор: Sheng-Fen Chiu,Shaobin Li,Jinshuang Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-12-15.

SPLIT GATE MEMORY DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE AND FORMING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160027792A1. Автор: Zhang Lingyue. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation. Дата публикации: 2016-01-28.

Memory device, sram cell, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210366916A1. Автор: Chung-Yi Lin,Chee-Wee Liu,Hung-Yu YE,Yun-Ju PAN. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2021-11-25.

Ferroelectric capacitor with dielectric lining, semiconductor memory device employing same, and fabrication methods thereof

Номер патента: US6600185B1. Автор: Yasushi Igarashi,Kouichi Tani. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-29.

Flash memory device using semiconductor fin and method thereof

Номер патента: US7285820B2. Автор: Ji-hoon Park,Sung-Woo Park,Jeong-Uk Han,Sung-taeg Kang,Seong-Gyun Kim,Sang-Woo Kang,Bo-Young Seo,Seung-Beom Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-10-23.

Resistance change element, semiconductor memory device, manufacturing method and driving method thereof

Номер патента: JP5477281B2. Автор: 仁彦 伊藤. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2014-04-23.

Resistance change element, semiconductor memory device, manufacturing method and driving method thereof

Номер патента: JPWO2009116564A1. Автор: 仁彦 伊藤. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2011-07-21.

Flow sensor and flow rate measurement method

Номер патента: RU2768159C2. Автор: Марк Томас ДЖОНСОН,Дан Антон ВАН ДЕН ЭНДЕ,Корнелис Петрус ХЕНДРИКС,Арьен ВАН ДЕР ХОРСТ,Ахим ХИЛЬГЕРС,Рональд Антони ХОВЕНКАМП. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2022-03-23.

Multi-physical field measurement device for metal solidification process and housing thereof, and measurement method

Номер патента: US20230314349A1. Автор: Hui Xing,YANG Tang,Ya Zhang,Yue Wu,Qing Dong,Jiao Zhang,Baode Sun,Yanfeng HAN,Yongbing DAI,Chaopeng FU. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2023-10-05.

Magnetostrictive liquid level meter and liquid level measurement method thereof

Номер патента: US20220128393A1. Автор: Yang Xia,Zhongying Yang,Xiushan HU. Владелец: Beijing Connetech Electronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Throttling memory in response to an internal temperature of a memory device

Номер патента: US09746383B2. Автор: Jun Shi,Animesh Mishra,Pochang Hsu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Tin dioxide oxide thin film, preparation method thereof and application thereof in hydrogen detection

Номер патента: NL2030680A. Автор: Dan Xu,Di Zhu,Baofeng Zhao,Shuyuan Wang,Haibin Guan,Angang Song. Владелец: Energy Res Inst Shandong Academy Sciences. Дата публикации: 2022-10-24.

Tin dioxide oxide thin film, preparation method thereof and application thereof in hydrogen detection

Номер патента: NL2030680B1. Автор: Dan Xu,Di Zhu,Baofeng Zhao,Shuyuan Wang,Haibin Guan,Angang Song. Владелец: Energy Res Inst Shandong Academy Sciences. Дата публикации: 2022-10-28.

Full-automatic locating buoy apparatus and use method thereof

Номер патента: AU2020103686A4. Автор: HONGWEI LIU,Xing Min,Wenzhong Wang,Tao MA,Jiufu Liu,Zhao Cai,Aimin Liao,Minhan Liao. Владелец: Nanjing Hydraulic Research Institute of National Energy Administration Ministry of Transport Ministry of Water Resources. Дата публикации: 2021-02-04.

Measurement method, measurement device, measurement system, and measurement program

Номер патента: US11761812B2. Автор: Yoshihiro Kobayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Current measuring method and current measuring apparatus

Номер патента: US20020041190A1. Автор: Yoshihiro Hashimoto. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2002-04-11.

Protein microarray, use and detection method thereof

Номер патента: US20230266309A1. Автор: Guan-Da SYU. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2023-08-24.

Ultrasonic time measurement device, and ultrasonic time measurement method

Номер патента: US20240264195A1. Автор: Hideo Kanai,Yasuyuki Masunaga,Akira Morita,Kazuhiro Koizumi,Masami Kishiro,Hojun YAMAUCHI,Shiori YAMASHITA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Measurement device for living tissue, suction device, measurement method for living tissue, and program

Номер патента: US12023125B2. Автор: Hiroyuki Kubota,Hirotaka Naito,Yuta Yoshimura. Владелец: Japan Tobacco Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Electrode strip and sensor strip and manufacture method thereof and system thereof

Номер патента: US09880128B2. Автор: Ying-Che Huang,Ching-Yuan Chu,Lan-Hsiang Huang. Владелец: Apex Biotechnology Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Turbidity sensor and control method thereof

Номер патента: US09709505B2. Автор: Jeong Su Han,Ji Hoon Ha,Jun hoe Choi,Byung Ik Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Modified electrode, manufacturing method thereof and use thereof

Номер патента: US11828754B2. Автор: Chia-Yu Lin,Shu-Yu Lin,Shih-Ching Huang,Yi-Hsuan Lai,Tzu-Hsuan Wang,Ting-rong Ko. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2023-11-28.

Gas and earthquake detector, gas and earthquake remote monitoring system using the same and method thereof

Номер патента: US12051314B2. Автор: Sung-Hwan Choi,Young-Hwan Choi,Sung-An HA. Владелец: Nanokem Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Measuring device, measuring system, and measuring method

Номер патента: EP4417983A1. Автор: Hideyuki Nagai. Владелец: Hioki EE Corp. Дата публикации: 2024-08-21.

Benzeneboronic acid solid-phase extraction column packing and preparation method thereof

Номер патента: CA3109058A1. Автор: Yibiao Zou,Xinzhu Yan,Wulian Chen. Владелец: Anple Laboratory Technologies Shanghai Inc. Дата публикации: 2021-04-30.

Mode-dependent loss measurement device and mode-dependent loss measuring method

Номер патента: US11754466B2. Автор: Tetsuya Hayashi,Takemi Hasegawa,Yuki Kawaguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Measuring device, measuring method, and measuring program

Номер патента: EP4446706A1. Автор: Yoshihiro Kumagai. Владелец: Yokogawa Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-16.

Current measurement device and current measurement method

Номер патента: US09494622B2. Автор: Hiroyuki Tsubata. Владелец: Fuji Jukogyo KK. Дата публикации: 2016-11-15.

Staircase etch control in forming three-dimensional memory device

Номер патента: US12142575B2. Автор: Zhenyu Lu,Simon Shi-ning Yang,Dan Liu,Feng Pan,Xiaowang DAI,Steve Weiyi Yang,Yongna LI,Lidong SONG. Владелец: Yangtza Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Film forming method, computer storage medium, and film forming system

Номер патента: US09741559B2. Автор: Kousuke Yoshihara,Satoru Shimura,Fumiko Iwao. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Three-dimensional memory devices with drain select gate cut and methods for forming and operating the same

Номер патента: US12058857B2. Автор: Lichuan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Source structure of three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: EP4258843A3. Автор: Qian Tao,Zhenyu Lu,Simon Shi-ning Yang,Jun Chen,Yushi Hu,Steve Weiyi Yang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Three-dimensional memory and control method thereof

Номер патента: US11864379B2. Автор: LEI Jin,Jianquan Jia,Yali SONG,XiangNan Zhao,Yuanyuan MIN,Xuezhun Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US12075621B2. Автор: LEI Liu,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Source structure of three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: EP4258843A2. Автор: Qian Tao,Zhenyu Lu,Simon Shi-ning Yang,Jun Chen,Yushi Hu,Steve Weiyi Yang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-11.

3d memory cells and array structures

Номер патента: US20240233822A9. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory cell, 3D memory and preparation method therefor, and electronic device

Номер патента: US11825642B1. Автор: Jin Dai,Yong Yu,Jing Liang. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-11-21.

Input/output reference voltage training method in three-dimensional memory devices

Номер патента: US20240079054A1. Автор: Yan Lu,Xiang FU,Ling Ding,Shiyang Yang,Chunfei Deng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Input/output reference voltage training method in three-dimensional memory devices

Номер патента: EP4332967A1. Автор: Yan Lu,Xiang FU,Ling Ding,Shiyang Yang,Chunfei Deng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

Memory cell, 3d memory and preparation method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4380330A1. Автор: Jin Dai,Yong Yu,Jing Liang. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-06-05.

Nonvolatile memory devices, operating methods thereof and memory systems including the same

Номер патента: US20230268017A1. Автор: Jae-Hoon Jang,Jaehun Jeong,Hansoo Kim,Donghyuk Chae,Sun-Il Shim,Youngho Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Vertical 3D memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11818902B2. Автор: Corrado Villa,Paolo Tessariol,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Selection gate structure and fabrication method for 3d memory

Номер патента: WO2023014776A1. Автор: Tomohiko Kitajima,Gill Yong Lee,Sung-Kwan Kang,Chang Seok Kang. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-02-09.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: WO2022246789A1. Автор: LEI Liu,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-12-01.

3d memory cells and array structures

Номер патента: WO2024086679A3. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Hsu Fu Chang. Дата публикации: 2024-05-30.

3d memory cells and array structures

Номер патента: WO2024086679A2. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Hsu Fu Chang. Дата публикации: 2024-04-25.

3d memory cells and array architectures

Номер патента: US20240284666A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Interconnections for 3D memory

Номер патента: US12073907B2. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

3d memory cells and array architectures

Номер патента: US20230269926A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Content supply system and content supply method thereof and display device and control method thereof

Номер патента: US20110119147A1. Автор: Dae-Hyun Kim,Chang-Soo Lee,Sang-Hee Lee,Yeo-Ri Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-05-19.

User terminal and driving method thereof, control device and driving method thereof, and control system of controlled device

Номер патента: US09857944B2. Автор: Jung-Hyun Shim,Seung-Uk Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Memory device, error correction device and error correction method thereof

Номер патента: US11949429B2. Автор: Kuan-Chieh Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Sleep aid device and method thereof, server, and system

Номер патента: EP3622997A1. Автор: Wenchu Dong. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-18.

Display panel, manufacturing method thereof, and display device thereof

Номер патента: US20240010842A1. Автор: Jing Zhou. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Mobile terminal controlling method thereof, and recording medium thereof

Номер патента: US09779165B2. Автор: Kunwoo Lee,Kwanju Jung,Eunju Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-10-03.

Memory device and password storing method thereof

Номер патента: WO2008076999A3. Автор: Mitsuhiro Nagao. Владелец: Mitsuhiro Nagao. Дата публикации: 2008-08-14.

Memory device and glitch prevention method thereof

Номер патента: US20230024257A1. Автор: Minho Yoon. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

Electronic system for forward-looking measurements of frequencies and/or probabilities of accident occurrences based on localized automotive device measurements, and corresponding method thereof

Номер патента: EP4256502B1. Автор: Donato GENOVESE,Luigi DI LILLO,David GRIVEL. Владелец: Swiss Reinsurance Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Memory device and enhance programming method thereof

Номер патента: US20240347118A1. Автор: Ju-Chieh Cheng,Ngatik Cheung,Lung-Chi Cheng,Ying-Shan Kuo,Shan-Hsuan Tsai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor memory device and word line driving method thereof

Номер патента: TW201011778A. Автор: Kang-Seol Lee,Tae-Sik Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-16.

Semiconductor memory device and refresh leveraging driving method thereof

Номер патента: US20140140154A1. Автор: Heon Lee,Dae-Jeong Kim,Inho Cho,Kwang-Woo LEE,Kabyong KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-22.

Flash memory device and power failure handling method thereof

Номер патента: TW201243851A. Автор: Hung-Chiang Chen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2012-11-01.

Semiconductor memory device, and redundancy circuit and method thereof

Номер патента: TWI239532B. Автор: Gyu-Hong Kim,Hyun-Taek Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-09-11.

Non-volatile memory device and erasing operation method thereof

Номер патента: US20200381074A1. Автор: Jui-Wei Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Volatile memory device and self-refresh method thereof

Номер патента: US20190156881A1. Автор: Yuji Nakaoka. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

Control circuit, memory device and voltage control method thereof

Номер патента: US20140112088A1. Автор: Ying-Te Tu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2014-04-24.

Memory device and data refreshing method thereof

Номер патента: US20190221251A1. Автор: Yuji Nakaoka. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-07-18.

MEMORY DEVICE, TESTING METHOD AND USING METHOD THEREOF, AND MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20220084619A1. Автор: NING Shu-Liang. Владелец: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2022-03-17.

Nonvolatile memory device, programming method and reading method thereof, and memory system having the same

Номер патента: KR101893143B1. Автор: 주상현,이지상,장준석. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2018-08-31.

Memory device, operation method and configuration method thereof and memory system

Номер патента: CN115083498A. Автор: 王晶,王美,黄蔚,梁卿,杨荟. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-20.

Nonvolatile memory device, nonvolatile memory system, program method thereof, and operation method of controller controlling the same

Номер патента: US20130188426A1. Автор: Sang-Soo Park,Il Han Park,Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-07-25.

NON-VOLATILE MEMORY DEVICE, STORAGE DEVICE AND PROGRAM METHOD THEREOF

Номер патента: US20210225451A1. Автор: SEO Jun-Ho,HWANG Sangwon,KANG Suk-Eun,JANG Haneol,JEONG Youngwook,HWANG Wanha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-07-22.

USER DEVICE INCLUDING A NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND A DATA WRITE METHOD THEREOF

Номер патента: US20140372678A1. Автор: KIM Kyung Ho,SHIN Seunguk,MOON Sangkwon,JUNG Sung WON. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-18.

USER DEVICE INCLUDING A NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND A DATA WRITE METHOD THEREOF

Номер патента: US20200278926A1. Автор: KIM Kyung Ho,SHIN Seunguk,MOON Sangkwon,JUNG Sung WON. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-03.

USER DEVICE INCLUDING A NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND A DATA WRITE METHOD THEREOF

Номер патента: US20180341582A1. Автор: KIM Kyung Ho,SHIN Seunguk,MOON Sangkwon,JUNG Sung WON. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-29.

Phase change memory device with improved reliability, write method thereof, and system including the same

Номер патента: KR100764738B1. Автор: 이광진,김혜진,조우영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-10-09.

Memory device for processing operation, operating method thereof and data processing system

Номер патента: CN111679785A. Автор: 李硕汉,姜信行,金南升,吴成一,柳鹤洙. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-09-18.

Nonvolatile semiconductor memory device, data input / output control method thereof, and memory application system

Номер патента: JP4166979B2. Автор: 永 準 崔,錫 千 権. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-15.

Volatile memory device and self-refresh method by enabling a voltage boost signal

Номер патента: US10872651B2. Автор: Yuji Nakaoka. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-12-22.

MEMORY DEVICE, MEMORY SYSTEM, AND PROGRAMMING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130205073A1. Автор: HWANG Nam-oh,SONG Dong-hyun,JO Han-chan. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-08-08.

MEMORY DEVICE, MEMORY SYSTEM, AND OPERATING METHODS THEREOF

Номер патента: US20130304982A1. Автор: Kim So Young,JUNG Bu Il. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-14.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND SUB-BLOCK MANAGING METHOD THEREOF

Номер патента: US20140063938A1. Автор: KONG JUNJIN,OH Eun Chu. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-06.

CONTROLLER OF A NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND A COMMAND SCHEDULING METHOD THEREOF

Номер патента: US20140075102A1. Автор: LEE Sangcheol,OH Sangyoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-03-13.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND SENSE AMPLIFIER CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20150003146A1. Автор: Yoon Hyun-Chul,Chun Kichul. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2015-01-01.

MEMORY CONTROLLER, MEMORY DEVICE, MEMORY SYSTEM, AND OPERATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20210019086A1. Автор: Kim Dong Hyun. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-21.

MEMORY DEVICE WITH OVER-REFRESH AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20150026537A1. Автор: OCONNELL Cormac Michael,ROMANOVSKYY Sergiy. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd.. Дата публикации: 2015-01-22.

MEMORY DEVICE AND ROW-HAMMER REFRESH METHOD THEREOF

Номер патента: US20210035624A1. Автор: Okuno Shinya. Владелец: WINBOND ELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2021-02-04.

MEMORY DEVICE, MEMORY SYSTEM AND OPERATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150043294A1. Автор: YANG Jong-Yeol. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2015-02-12.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND REFRESH LEVERAGING DRIVING METHOD THEREOF

Номер патента: US20140140154A1. Автор: LEE Heon,KIM Dae-Jeong,LEE Kwang-Woo,KIM Kabyong,CHO Inho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-05-22.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND SUB-BLOCK MANAGING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150149710A1. Автор: KONG JUNJIN,OH Eun Chu. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-28.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND DATA PATH CONFIGURATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20190139594A1. Автор: KIM Soo hwan,Kim Kyungryun,RYU Jang-Woo,Yang Huikap. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

Memory device and refresh information coherence method thereof

Номер патента: US20200135255A1. Автор: Jenn-Shiang Lai,Chih-Yen Lo. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2020-04-30.

MEMORY DEVICE, MEMORY SYSTEM, AND OPERATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20180210826A1. Автор: Lee Sung-Eun,JO Sang-Gu,KWON Jung-Hyun. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-26.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, ERASING METHOD AND PROGRAMING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170229184A1. Автор: YAMAUCHI Kazuki. Владелец: WINBOND ELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2017-08-10.

NONVOLATILE MEMORY SYSTEM INCLUDING NONVOLATILE MEMORY DEVICE, MEMORY CONTROLLER AND OPERATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20140325122A1. Автор: Kim Shine,KIM SU-GON,AHN Seongjun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-10-30.

MEMORY DEVICE, MEMORY CONTROLLER AND OPERATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20180232267A1. Автор: KWON Jung-Hyun,KOO Ja-Hyun. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-16.

Memory Device and Erasing and Verification Method Thereof

Номер патента: US20210335426A1. Автор: Liu Hongtao,Jia Jianquan,Li Kaiwei,Zhang An. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-28.

Memory device, memory system, and operation method thereof

Номер патента: US20140362637A1. Автор: Sua Kim,Sung-hee Lee,Seung-Hwan Kim,Dae-sun Kim,Eui-chul Jeong,Dae-Sin Kim,Dong-Soo Woo,Na-Ra Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-12-11.

NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND INITIALIZATION INFORMATION READING METHOD THEREOF

Номер патента: US20190318787A1. Автор: LEE YOUN-YEOL,HAHN WOOK-GHEE. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-17.

MEMORY DEVICE, MEMORY CONTROLLER, AND CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20170337146A1. Автор: Chen Yen-Chung,HUANG Li-Chun,LIN WANG-SHENG. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-23.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND WEAK CELL DETECTION METHOD THEREOF

Номер патента: US20170337986A1. Автор: KIM Youk-Hee. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-23.

NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND INITIALIZATION INFORMATION READING METHOD THEREOF

Номер патента: US20200381059A1. Автор: LEE YOUN-YEOL,HAHN WOOK-GHEE. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-03.

Non-volatile memory device and high speed program method thereof

Номер патента: KR100645047B1. Автор: 임재우. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-11-10.

Voltage generating circuit for periphery, Semiconductor memory device having the circuit and method thereof

Номер патента: KR100396897B1. Автор: 김재훈,윤재윤. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2003-09-02.

Semiconductor memory device and control signal generating method thereof

Номер патента: KR100870727B1. Автор: 이충기,이형용. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-11-27.

Non-volatile memory device, memory system and operating method thereof

Номер патента: KR102314136B1. Автор: 김재홍,심영섭. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2021-10-18.

Non-volatile semiconductor memory device and multi-block erase method thereof

Номер патента: KR100634433B1. Автор: 이진엽,박대식. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-10-16.

Semiconductor memory device and sense amplifief control method thereof

Номер патента: KR102111076B1. Автор: 천기철,윤현철. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2020-05-15.

Semiconductor memory device and write latency control method thereof

Номер патента: KR100448702B1. Автор: 이정배,이찬용. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-09-16.

Memory device, memory system and operating method thereof

Номер патента: CN105895161B. Автор: 郑云在,申韩臣. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-06.

Memory device controller of and operating method thereof

Номер патента: KR20170004693A. Автор: 조성훈,박민상,이윤봉,최길복,박석광. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2017-01-11.

Non-volatile semiconductor memory device and multi-block erase method thereof

Номер патента: KR100632941B1. Автор: 최영준,김태균,이석헌. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-10-12.

Nonvolatile memory device and bias voltage applying method thereof

Номер патента: KR101596826B1. Автор: 김무성,임영호. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-02-23.

Flash memory device and multi-block erase method thereof

Номер патента: KR100744014B1. Автор: 이두섭. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-07-30.

Internal voltage generator of semiconductor memory device and internal voltage generating method thereof

Номер патента: KR100734253B1. Автор: 이승훈. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-07-02.

Page buffer circuit, nonvolatile memory device having same, and operating method thereof

Номер патента: KR101063571B1. Автор: 구철희,노준례. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-09-07.

Semiconductor memory device and over erase verify method thereof

Номер патента: KR100495655B1. Автор: 정휘택. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-09-20.

Semiconductor memory device and fail bit test method thereof

Номер патента: KR100888852B1. Автор: 김형민. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2009-03-17.

Phase change memory device and word line driving method thereof

Номер патента: KR100744114B1. Автор: 조우영,조백형,김두응,서종수. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-08-01.

Non-volatile memory device and erase and read methods thereof

Номер патента: US20100220525A1. Автор: Dong Kyu Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-02.

Flash memory device and systems and reading methods thereof

Номер патента: KR101468149B1. Автор: 강상구. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2014-12-03.

Nonvolatile memory device and erase operation control method thereof

Номер патента: JP2014035788A. Автор: Dong-Hun Kwak,東 勳 郭. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-02-24.

Flash memory device and systems and reading methods thereof

Номер патента: US8248858B2. Автор: Sanggu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-08-21.

Nonvolatile memory device and high-speed programming method thereof

Номер патента: JP4965106B2. Автор: 載禹 任. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-07-04.

Semiconductor memory device and control signal generating method thereof

Номер патента: US20080225608A1. Автор: Hyong-yong Lee,Chung-Ki LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-09-18.

Volatile memory device and sense amplifief control method thereof

Номер патента: KR102105894B1. Автор: 박철우,손영수,윤재윤,김수아. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2020-05-06.

Semiconductor memory device and bit line sensing method thereof

Номер патента: US6829189B2. Автор: Jei-Hwan Yoo,Jae-Yoon Shim,Kyu-Nam Lim,Young-Gu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-12-07.

Internal voltage generating circuit for periphery, semiconductor memory device having the circuit and method thereof

Номер патента: US7046571B2. Автор: Jae-hoon Kim,Jae-Youn Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-16.

Nonvolatile memory device and defected wordline detection method thereof

Номер патента: KR102170975B1. Автор: 변대석,정봉길. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2020-10-28.

Semiconductor memory device and word line driving method thereof

Номер патента: KR100327780B1. Автор: 이츠로 이와키리. Владелец: 오끼 덴끼 고오교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2002-08-21.

Semiconductor memory device and burn-in test method thereof

Номер патента: KR100827444B1. Автор: 손상기,임종형,김대선. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-05-06.

Burst read circuit in semiconductor memory device and burst data read method thereof

Номер патента: US7376044B2. Автор: Ji-Ho Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-20.

Flash memory device and wordline voltage generating method thereof

Номер патента: KR101785003B1. Автор: 김태영,김무성,김승범,권오석,강동구,임재우,유재덕. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2017-10-13.

Semiconductor memory device and voltage level control method thereof

Номер патента: KR100361658B1. Автор: 김형동,김광현. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2002-11-22.

Semiconductor memory device and bit line sensing method thereof

Номер патента: KR100410988B1. Автор: 심재윤,강영구,임규남,유제환. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2003-12-18.

Flash memory device and systems and reading methods thereof

Номер патента: US8023335B2. Автор: Sanggu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-20.

Semiconductor memory device and write data masking method thereof

Номер патента: US6201756B1. Автор: Won Seok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-03-13.

Flash memory device and word line enable method thereof

Номер патента: GB2432444B. Автор: Jin-Kook Kim,Jin-Yub Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-20.

Flash memory device and word line enable method thereof

Номер патента: CN1983448A. Автор: 李真烨,金镇国. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-06-20.

Memory system, a memory device, a memory controller and method thereof

Номер патента: US7974143B2. Автор: Dong-yang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-05.

High voltage generating circuit and semiconductor memory device having the same and method thereof

Номер патента: US20110235441A1. Автор: Sang-Hyuk Kwon,Hi-choon Lee. Владелец: Sang-Hyuk Kwon. Дата публикации: 2011-09-29.

Nonvolatile semiconductor memory device and write characteristic recovery method thereof

Номер патента: JP2725575B2. Автор: 健一 小山. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1998-03-11.

Flash memory device and word line enable method thereof

Номер патента: GB0622982D0. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-12-27.

Code Length Equalization applied Memory Device and Code Length Equalization Method thereof

Номер патента: KR101172672B1. Автор: 김준우,문재균. Владелец: 한국과학기술원. Дата публикации: 2012-08-09.

Semiconductor memory device and memory cell access method thereof

Номер патента: KR100929155B1. Автор: 한용주. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2009-12-01.

Semiconductor memory device and signal line arrangement method thereof

Номер патента: KR100380387B1. Автор: 원종학. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2003-04-11.

Semiconductor memory device and sense amplifier control method thereof

Номер патента: US9269420B2. Автор: Hyun-Chul Yoon,Kichul Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-23.

Stacked memory device, memory chip and control method thereof

Номер патента: CN114664336B. Автор: 安友伟. Владелец: Zhuhai Boya Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-01-10.

Nonvolatile memory device and erase operation control method thereof

Номер патента: JP6293434B2. Автор: 東 勳 郭,東 勳 郭. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-14.

Flash memory device and data recover read method thereof

Номер патента: US20230142279A1. Автор: Joonsuc Jang,Se Hwan Park,Eunhyang Park,Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Dynamic memory device, memory module and refresh method thereof

Номер патента: KR960035635A. Автор: 마사까즈 아오끼,요지 이데이,히데또시 이와이,도시히로 세끼구찌,가쯔히로 시모히가시,가쯔유끼 사또,쥰 무라따,오사무 쯔찌야,히로마사 노다,요시따까 다다끼,마꼬도 사에끼. Владелец: 가부시끼가이샤 히다찌세이사꾸쇼. Дата публикации: 1996-10-24.

Semiconductor memory device and data path configuration method thereof

Номер патента: KR20190051653A. Автор: 김수환,유장우,김경륜,양희갑. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2019-05-15.

Multi-path accessible semiconductor memory device and mailbox access control method thereof

Номер патента: CN101226519B. Автор: 金镇国,金洙荣,南京佑,金容峻,吴致成. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-05-18.

Test mode control circuit in semiconductor memory device and test mode entering method thereof

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Byoungsul Kim,Jun-Ho Jo,Hakyong Lee,Kyu-Min Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US20130010555A1. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-01-10.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, METHOD OF CONTROLLING READ PREAMBLE SIGNAL THEREOF, AND DATA TRANSMISSION SYSTEM

Номер патента: US20130201774A1. Автор: KOSHIZUKA Atsuo. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2013-08-08.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, METHOD OF CONTROLLING READ PREAMBLE SIGNAL THEREOF, AND DATA TRANSMISSION SYSTEM

Номер патента: US20130215691A1. Автор: KOSHIZUKA Atsuo. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2013-08-22.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, METHOD OF CONTROLLING READ PREAMBLE SIGNAL THEREOF, AND DATA TRANSMISSION SYSTEM

Номер патента: US20130223167A1. Автор: KOSHIZUKA Atsuo. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2013-08-29.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission method

Номер патента: US20140029370A1. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2014-01-30.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, METHOD OF CONTROLLING READ PREAMBLE SIGNAL THEREOF, AND DATA TRANSMISSION SYSTEM

Номер патента: US20170004870A1. Автор: KOSHIZUKA Atsuo. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, METHOD OF CONTROLLING READ PREAMBLE SIGNAL THEREOF, AND DATA TRANSMISSION SYSTEM

Номер патента: US20150036443A1. Автор: KOSHIZUKA Atsuo. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, METHOD OF CONTROLLING READ PREAMBLE SIGNAL THEREOF, AND DATA TRANSMISSION SYSTEM

Номер патента: US20160071571A1. Автор: KOSHIZUKA Atsuo. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-10.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US20190096470A1. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: Longitude Licensing Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, METHOD OF CONTROLLING READ PREAMBLE SIGNAL THEREOF, AND DATA TRANSMISSION SYSTEM

Номер патента: US20170125083A1. Автор: KOSHIZUKA Atsuo. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, METHOD OF CONTROLLING READ PREAMBLE SIGNAL THEREOF, AND DATA TRANSMISSION SYSTEM

Номер патента: US20180174637A1. Автор: KOSHIZUKA Atsuo. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, METHOD OF CONTROLLING READ PREAMBLE SIGNAL THEREOF, AND DATA TRANSMISSION SYSTEM

Номер патента: US20160240241A1. Автор: KOSHIZUKA Atsuo. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-18.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, METHOD OF CONTROLLING READ PREAMBLE SIGNAL THEREOF, AND DATA TRANSMISSION SYSTEM

Номер патента: US20150279447A1. Автор: KOSHIZUKA Atsuo. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-01.

Circuit-board component and manufacturing method thereof, and light-emitting component and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230073554A1. Автор: Feng Zhai,Chun-Lung Hsiao. Владелец: Chongqing Konka Photoelectric Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-09.

Three-dimensional memory devices having hydrogen blocking layer and fabrication methods thereof

Номер патента: US11728236B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor devices, fabrication methods thereof, 3d memories and memory devices

Номер патента: US20240292625A1. Автор: LAN Yao,Jie Yan,Quan Zhang,Boru Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: EP4454434A1. Автор: Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Lei Xue. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Method for forming a three-dimensional (3D) memory device having bonded semiconductor structures

Номер патента: US12080697B2. Автор: WEI Liu,Shiqi HUANG,Bater Chelon,Siping Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240215272A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US12136599B2. Автор: He Chen,Yi Zhao,Shu Wu,Siping Hu,Ziqun HUA,Zhen Pan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Three-dimensional memory device with support structures in gate line slits and methods for forming the same

Номер патента: US20200395376A1. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Ping Yan,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Haohao YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Multi-deck three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP3867954A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-25.

Multi-deck three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US10600763B1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-24.

Multi-deck three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20200194403A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-18.

Three-dimensional memory device with deposited semiconductor plugs and methods for forming the same

Номер патента: US11758722B2. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Methods for forming three-dimensional memory devices with supporting structure for staircase region

Номер патента: US20220293533A1. Автор: Zhong Zhang,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Three-dimensional memory device with source contacts connected by an adhesion layer and methods for forming the same

Номер патента: US20210066461A1. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Ping Yan,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Zhengliang Xia. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Multi-stack three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP3867952A1. Автор: Lihong Xiao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-25.

Three-dimensional memory device with source contacts connected by an adhesion layer and methods for forming the same

Номер патента: US20210066336A1. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Ping Yan,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Qingqing WANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Three-dimensional memory devices

Номер патента: WO2024178583A1. Автор: Tao Yang,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-09-06.

Three-dimensional memory devices

Номер патента: WO2024178583A8. Автор: Tao Yang,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-10-03.

Three-dimensional memory devices

Номер патента: US20240292629A1. Автор: Tao Yang,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

3d memory device and method of forming seal structure

Номер патента: US20240234339A9. Автор: Teng-Hao Yeh,Cheng-Yu Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09425191B2. Автор: Yi-Hsuan Hsiao,Shih-Hung Chen,Hang-Ting Lue,Yen-Hao Shih. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: US20230380142A1. Автор: He Chen,WEI Liu,Yanhong Wang,Ziqun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Staircase structure in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: EP4401116A2. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Three-dimensional memory device having multi-deck structure and methods for forming the same

Номер патента: US20210091102A1. Автор: Juan Tang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-25.

Staircase structure in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: EP4401116A3. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Semiconductor structure for 3d memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240258250A1. Автор: Yu-Tang Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Three-dimensional memory device with backside source contact

Номер патента: EP4401139A2. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Methods for forming three-dimensional memory devices with backside source contacts

Номер патента: US12048151B2. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Ziqun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Three-dimensional memory devices having transferred interconnect layer and methods for forming same

Номер патента: EP3867953A1. Автор: Lihong Xiao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-25.

Three-dimensional memory devices

Номер патента: US20210375913A1. Автор: Kun Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Three-dimensional memory device with backside interconnect structures

Номер патента: US12082411B2. Автор: LEI Liu,Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Kun Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Three-dimensional memory device with backside source contact

Номер патента: EP4401139A3. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Self-aligned contacts in three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US12074105B2. Автор: Juan Tang,Hongbin Zhu,Zi Qun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Three-dimensional memory device with backside source contact

Номер патента: US12136618B2. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Three-dimensional memory devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US11302715B2. Автор: Jun Liu,Li Hong XIAO,Yu Ting ZHOU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-12.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240224526A1. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20210066333A1. Автор: Zhiliang Xia,Fandong LIU,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Three-dimensional memory devices having transferred interconnect layer and methods for forming same

Номер патента: WO2020124879A1. Автор: Lihong Xiao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-06-25.

Three-dimensional memory device with corrosion-resistant composite spacer

Номер патента: US20210104540A1. Автор: LU Zhang,Bo Xu,Chuan Yang,Ping Yan,Jing Gao,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-08.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US12058864B2. Автор: Wei Xu,Wenbin Zhou,Qingqing WANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Three-dimensional memory devices

Номер патента: US12114498B2. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Interconnect structure of three-dimensional memory device

Номер патента: US12137567B2. Автор: Zhenyu Lu,Feng Pan,Wenguang Shi,Steve Weiyi Yang,Yongna LI,Lidong SONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Vertical resistor in 3D memory device with two-tier stack

Номер патента: US09941297B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Masatoshi Nishikawa,Toru Miwa,Kota Funayama. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-10.

Vertical resistor in 3D memory device with two-tier stack

Номер патента: US09691781B1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Masatoshi Nishikawa,Toru Miwa,Kota Funayama. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-06-27.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US09666525B2. Автор: Jung-Hwan Lee,Sanghoon Ahn,Daeseok Byeon,Jeeyong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Vertical and 3D memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09589979B2. Автор: Shih-Ping Hong. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Three-dimensional memory devices having backside insulating structures and methods for forming the same

Номер патента: US11849585B2. Автор: Jin Yong Oh. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Three-dimensional memory devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20210225874A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240170425A1. Автор: Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Lei Xue. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: WO2024108435A1. Автор: Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Lei Xue. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-30.

Three-dimensional memory device having parallel trench type capacitor and a method of manufacturing the three-dimensional memory device

Номер патента: US20220149052A1. Автор: Won Seok Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-12.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20230422520A1. Автор: WEI Liu,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Dongxue Zhao,Dongyu FAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Manufacturing method of three-dimensional memory device with improved RC delay

Номер патента: US12016180B2. Автор: Qiguang Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Three-dimensional memory device wordlines with reduced blocking layer damage

Номер патента: US20240237337A9. Автор: Mahendra Pakala,Jaesoo AHN,Jose Alexandro Romero,Kunal Bhatnagar. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Three-dimensional memory devices with channel structures having plum blossom shape and methods for forming the same

Номер патента: US12052865B2. Автор: Xiaoxin LIU,Lei Xue,Tingting Gao,Wanbo Geng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Three-dimensional memory device having parallel trench type capacitor

Номер патента: US11690233B2. Автор: Won Seok Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-06-27.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210320124A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US12148714B2. Автор: Di Wang,Wenxi Zhou,Wei Xie,Tingting Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20230422524A1. Автор: Tao Yang,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Three-dimensional memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190157287A1. Автор: Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Deqin Yu,Yong Hui Gao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Method and structure for forming stairs in three-dimensional memory devices

Номер патента: US20210134830A1. Автор: Zhu Yang,CHEN ZUO,Jingjing Geng,Xiangning Wang,Xinxin LIU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: WO2024108427A1. Автор: Zhiliang Xia,Jing Gao,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-30.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240170424A1. Автор: Zhiliang Xia,Jing Gao,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Three-dimensional memory, fabricating method thereof and memory system

Номер патента: US20240164097A1. Автор: LEI Jin,Jianquan Jia,Kaiwei LI,Weiming Chen,Weiwei CHU,Wenhao Xiong,Junbao WANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Method and structure for forming stairs in three-dimensional memory devices

Номер патента: US20230095343A1. Автор: Zhu Yang,CHEN ZUO,Jingjing Geng,Xiangning Wang,Xinxin LIU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US12080665B2. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20240332232A1. Автор: WEI Liu,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Three-dimensional memory devices having through stair contacts and methods for forming the same

Номер патента: US12035530B2. Автор: Jianhua Sun,Ji XIA,Qinxiang Wei. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Three-dimensional memory devices having dummy channel structures and methods for forming the same

Номер патента: US11985824B2. Автор: Jianzhong Wu,Jingjing Geng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Through array contact structure of three-dimensional memory device

Номер патента: EP4383982A2. Автор: Zhenyu Lu,GuanPing WU,Wenguang Shi,Xianjin Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

Three-dimensional memory device having pocket structure in memory string and method for forming the same

Номер патента: US12029038B2. Автор: Yonggang YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US12069854B2. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG,Yanhong Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US12058858B2. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US12082407B2. Автор: WEI Liu,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230005864A1. Автор: WEI Liu,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-05.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US12113037B2. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG,Yanhong Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Method and structure for forming stairs in three-dimensional memory devices

Номер патента: US11950418B2. Автор: Zhu Yang,CHEN ZUO,Jingjing Geng,Xiangning Wang,Xinxin LIU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20220246544A1. Автор: He Chen,Yi Zhao,Shu Wu,Siping Hu,Ziqun HUA,Zhen Pan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-04.

Three-dimensional memory device having multi-deck structure and methods for forming the same

Номер патента: US11792979B2. Автор: Juan Tang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Three-dimensional memory and fabrication method thereof

Номер патента: US20220028890A1. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Wenxiang Xu,Ji XIA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-27.

Three-dimensional memory device with deposited semiconductor plugs and methods for forming the same

Номер патента: EP3931868A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-05.

Technologies for fabricating a 3d memory structure

Номер патента: US20230133927A1. Автор: Soo Doo Chae,Sang Cheol Han,Sunghil Lee,Iljung Park. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Staircase structure in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240274535A1. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Low resistance vertical channel 3d memory

Номер патента: US20190304985A1. Автор: Erh-Kun Lai,Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-03.

Three-dimensional memory device with backside interconnect structures

Номер патента: US20240341096A1. Автор: LEI Liu,Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Kun Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Three-dimensional memory devices with support structures and methods for forming the same

Номер патента: US12058865B2. Автор: Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Yuhui HAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Methods for forming three-dimensional memory devices with supporting structure for staircase region

Номер патента: US11901313B2. Автор: Zhong Zhang,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Three-dimensional memory devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20210104547A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-08.

Three-dimensional memory devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20200312870A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Local contacts of three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US12022656B2. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Jianzhong Wu,Wenxi Zhou,Tingting Zhao,Zhongwang SUN,Rui Su. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Stacked connections in 3D memory and methods of making the same

Номер патента: US11765898B2. Автор: Jun Liu,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Memory cell structure of a three-dimensional memory device

Номер патента: US12063780B2. Автор: Qian Tao,Zhenyu Lu,Jun Chen,Zhong Zhang,Yushi Hu,Jifeng Zhu,Xiaowang DAI,Jin Wen DONG,Ji XIA,Yan Ni LI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Three-dimensional memory device having source-select-gate cut structures and methods for forming the same

Номер патента: WO2022133990A1. Автор: Zhong Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-06-30.

Three-dimensional memory devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US11943923B2. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Three-dimensional memory device having source-select-gate cut structures and methods for forming the same

Номер патента: US11871573B2. Автор: Zhong Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Three-dimensional memory device having multi-deck structure and methods for forming the same

Номер патента: US20210126002A1. Автор: Juan Tang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240107762A1. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

3d memory device and method of forming seal structure

Номер патента: US20240136305A1. Автор: Teng-Hao Yeh,Cheng-Yu Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Three-dimensional memory devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20200312872A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Fabrication method of a lateral 3d memory device

Номер патента: US20240074141A1. Автор: Yoshitaka Nakamura,Scott E. Sills,David K. Hwang,Si-Woo Lee,Yuanzhi MA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

3d memory with conductive dielectric channel integrated with logic access transistors

Номер патента: US20230200065A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford,Partha MUKHOPADHYAY. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Interconnect structures of three-dimensional memory devices

Номер патента: US11903204B2. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Kun Bao,Haojie Song. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Staircase structures for three-dimensional memory device double-sided routing

Номер патента: US20200006377A1. Автор: Shao-Fu Sanford Chu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Three-dimensional memory devices having through array contacts and methods for forming the same

Номер патента: US20210104531A1. Автор: Hongbin Zhu,Yushi Hu,Ji XIA,Mei Lan GUO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-08.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US11805646B2. Автор: Qian Tao,Zhenyu Lu,Simon Shi-ning Yang,Jun Chen,Yushi Hu,Jifeng Zhu,Steve Weiyi Yang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Interconnect structures of three-dimensional memory devices

Номер патента: US20240114687A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Kun Bao,Haojie Song. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Three-dimensional memory devices having through stair contacts and methods for forming the same

Номер патента: US20230301105A1. Автор: Jianhua Sun,Ji XIA,Qinxiang Wei. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Inter-deck plug in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20200111807A1. Автор: Yong Zhang,Enbo Wang,Jialan He,Haohao YANG,Qianbin Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-09.

Three-dimensional memory devices

Номер патента: WO2024103569A1. Автор: LIANG XIAO,Yi Zhao,Shu Wu,Wenbin Zhou,Mingkang ZHANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-23.

Three-dimensional memory device having source-select-gate cut structures and methods for forming the same

Номер патента: US20240090227A1. Автор: Zhong Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Inter-deck plug in three-dimensional memory device and method for forming same

Номер патента: EP3815133A1. Автор: Yong Zhang,Enbo Wang,Jialan He,Haohao YANG,Qianbing Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-05.

Three-dimensional memory devices

Номер патента: US20230115194A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-13.

Methods for forming three-dimensional memory device without conductor residual caused by dishing

Номер патента: US20200381452A1. Автор: Zhao Hui Tang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Three-dimensional memory devices with stabilization structures between memory blocks and methods for forming the same

Номер патента: US12010834B2. Автор: Kun Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Local contacts of three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP3963630A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Jianzhong Wu,Wenxi Zhou,Tingting Zhao,Zhongwang SUN,Rui Su. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-09.

Transistor, 3d memory and manufacturing method therefor, electronic device

Номер патента: EP4380329A1. Автор: Jin Dai,Yong Yu,Jing Liang. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-06-05.

3d memory cells and array architectures

Номер патента: US20230397396A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US11935862B2. Автор: Kun Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Method for forming channel hole plug of three-dimensional memory device

Номер патента: US11943928B2. Автор: Qian Tao,Zhenyu Lu,Jun Chen,Meng Wang,Yushi Hu,Li Hong XIAO,LongDong LIU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Contact structures having conductive portions in substrate in three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210159244A1. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Beihan Wang,Wenxiang Xu,Ji XIA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-27.

Three-dimensional memory device with reduced local stress

Номер патента: US11800707B2. Автор: Tuo Li,Jingjing Geng,Shuangshuang PENG,Jiajia Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Three-dimensional memory device having epitaxially-grown semiconductor channel and method for forming the same

Номер патента: US11805647B2. Автор: Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Three-dimensional memory devices having isolation structure for source select gate line and methods for forming the same

Номер патента: US20220077181A1. Автор: Zhu Yang,CHEN ZUO,ZHEN Guo,BIN Yuan,Jingjing Geng,Xiangning Wang,Jiajia Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

3D memory device

Номер патента: US10418375B2. Автор: Sabrina Barbato. Владелец: Trinandable Srl. Дата публикации: 2019-09-17.

Self-aligned contacts in three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: WO2021007781A1. Автор: Juan Tang,Hongbin Zhu,Zi Qun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-01-21.

Three-dimensional memory device with source structure and methods for forming the same

Номер патента: US11785772B2. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Ping Yan,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Wenxiang Xu,Ji XIA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Methods for forming three-dimensional memory devices

Номер патента: US20200286911A1. Автор: Linchun Wu,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Self-aligned contacts in three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210020566A1. Автор: Juan Tang,Hongbin Zhu,Zi Qun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Methods for forming three-dimensional memory devices with supporting structure for staircase region

Номер патента: US20220037267A1. Автор: Zhong Zhang,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Self-aligned contacts in three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20230102519A1. Автор: Juan Tang,Hongbin Zhu,Zi Qun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Three-dimensional memory devices having isolation structure for source select gate line and methods for forming the same

Номер патента: US20230301106A1. Автор: Zhu Yang,CHEN ZUO,ZHEN Guo,BIN Yuan,Jingjing Geng,Xiangning Wang,Jiajia Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Local contacts of three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210225863A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Jianzhong Wu,Wenxi Zhou,Tingting Zhao,Zhongwang SUN,Rui Su. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20200273872A1. Автор: Zhiliang Xia,Fandong LIU,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US12035523B2. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Ping Yan,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Wenxiang Xu,Haohao YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US12033957B2. Автор: Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for forming channel hole in three-dimensional memory device using nonconformal sacrificial layer

Номер патента: EP3821465A1. Автор: GuanPing WU,Weihua Cheng,Hongbin Zhu,Baoyou Chen,Hai Hui Huang,Zhuqing Huang,Yu Qi Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-19.

Three dimensional memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190067315A1. Автор: Yu-Wei Jiang,Jia-Rong Chiou. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Three-dimensional memory device with source contacts connected by an adhesion layer and methods for forming the same

Номер патента: US11758723B2. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Ping Yan,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Qingqing WANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Three-dimensional memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210305272A1. Автор: Jin LYU,Kai Jin Huang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Methods for forming three-dimensional memory devices

Номер патента: US20240321777A1. Автор: Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Process for word line connections in 3D memory

Номер патента: US09825048B2. Автор: Raul Adrian Cernea. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-11-21.

Low dielectric constant insulating material in 3D memory

Номер патента: US09721964B2. Автор: Guan-Ru Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Three-dimensional memory devices having through array contacts and methods for forming the same

Номер патента: US20200066739A1. Автор: Hongbin Zhu,Yushi Hu,Ji XIA,Mei Lan GUO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Three-dimensional memory devices having through array contacts and methods for forming the same

Номер патента: US20200161322A1. Автор: Hongbin Zhu,Yushi Hu,Ji XIA,Mei Lan GUO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP4285413A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Methods for forming three-dimensional memory devices with backside source contacts

Номер патента: US11963349B2. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Ziqun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20230413541A1. Автор: Kun Zhang,Wenxi Zhou,Shuangshuang WU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Methods for forming structurally- reinforced semiconductor plug in three-dimensional memory device

Номер патента: US20200058674A1. Автор: Yangbo Jiang,Liang Hui Wu,Ya Jun Wang,Jingping Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

Through array contact structure of three-dimensional memory device

Номер патента: US11785776B2. Автор: Zhenyu Lu,GuanPing WU,Wenguang Shi,Xianjin Wan,Baoyou Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Self-aligned contacts in three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210183765A1. Автор: Juan Tang,Hongbin Zhu,Zi Qun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Methods for forming three-dimensional memory device without conductor residual caused by dishing

Номер патента: US20200251487A1. Автор: Zhao Hui Tang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP4282004A1. Автор: Kun Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-29.

Channel structures having protruding portions in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US12035524B2. Автор: Xiaoxin LIU,Lei Xue,Tingting Gao,Wanbo Geng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230007879A1. Автор: Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

3D capacitor with 3D memory

Номер патента: US09716137B1. Автор: Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Forming 3D memory cells after word line replacement

Номер патента: US09716101B2. Автор: Zhenyu Lu,Daxin Mao,Johann Alsmeier,Yingda Dong,Henry Chien,Hiro Kinoshita,Wenguang Shi,Kensuke Yamaguchi,Xiaolong Hu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11837498B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Three-dimensional memory device without gate line slits and method for forming the same

Номер патента: US20200395375A1. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Ping Yan,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Haohao YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US11991880B2. Автор: Qian Tao,Zhenyu Lu,Jun Chen,Yushi Hu,Jifeng Zhu,Xiaowang DAI,Yu Ru Huang,Yongna LI,Lidong SONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Three-dimensional memory device having staircase structure and method for forming the same

Номер патента: US20230413542A1. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Ling Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Memory cell, memory array and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230397426A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang,TsuChing Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20190074291A1. Автор: Qian Tao,Zhenyu Lu,Jun Chen,Yushi Hu,Jifeng Zhu,Xiaowang DAI,Yu Ru Huang,Yongna LI,Lidong SONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-07.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200294850A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-09-17.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20210118891A1. Автор: Bo Xu,Lei DING,Chuan Yang,Ping Yan,Sen Zhang,Jing Gao,Lan Fang YU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20190148401A1. Автор: Ding Lei,Bo Xu,Chuan Yang,Ping Yan,Sen Zhang,Jing Gao,Lan Fang YU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: EP3844806A1. Автор: Jun Liu,Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-07.

Three-dimensional memory devices having through array contacts and methods for forming the same

Номер патента: US20210082931A1. Автор: Hongbin Zhu,Yushi Hu,Ji XIA,Mei Lan GUO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Methods for forming three-dimensional memory devices with channel structures having plum blossom shape

Номер патента: US11877449B2. Автор: Xiaoxin LIU,Weihua Cheng,Lei Xue,Tingting Gao,Wanbo Geng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US11844216B2. Автор: Jun Liu,Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US11800710B2. Автор: Zongliang Huo,Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20220293627A1. Автор: BIN Yuan,Zongke Xu,Qiangwei Zhang,Xiangning Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Three-dimensional memory device wordlines with reduced blocking layer damage

Номер патента: WO2024086177A1. Автор: Mahendra Pakala,Jaesoo AHN,Jose Alexandro Romero,Kunal Bhatnagar. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-04-25.

Three-dimensional memory devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20210104548A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-08.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240105507A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Three-dimensional memory device with support structures in slit structures and method for forming the same

Номер патента: US20200395374A1. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Ping Yan,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Haohao YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Three-dimensional memory device wordlines with reduced blocking layer damage

Номер патента: US20240138147A1. Автор: Mahendra Pakala,Jaesoo AHN,Jose Alexandro Romero,Kunal Bhatnagar. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210098484A1. Автор: Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210098587A1. Автор: Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240206179A1. Автор: LIANG XIAO,Yihuan WANG,Mingkang ZHANG,Yingcheng Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Provision of etch stop for wordlines in a memory device

Номер патента: US9520402B1. Автор: Jun Liu,Gordon A. Haller. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Three-dimensional memory devices, systems, and methods for forming the same

Номер патента: US20240040789A1. Автор: XIN Wang,Wenshan Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230413570A1. Автор: WEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

3d memory cells and array architectures

Номер патента: WO2024039982A2. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: NEO Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2024-02-22.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230065806A1. Автор: WEI Liu,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

3d memory structure and method of forming the same

Номер патента: US20230369100A1. Автор: Chia-Jung Chiu,Kuan-Yuan SHEN,Chung-Hao Fu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Transistor, 3d memory and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: US20240130106A1. Автор: Jin Dai,Yong Yu,Jing Liang. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-04-18.

Staircase structure in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US12002757B2. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

3d memory cells and array architectures

Номер патента: WO2024039982A3. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: NEO Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2024-03-28.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US12033967B2. Автор: WEI Liu,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor Memory Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20240244824A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Yifei Yan,Ken-Li Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: WO2023272578A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG,Yanhong Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-01-05.

Three-dimensional memory devices having through stair contacts and methods for forming the same

Номер патента: US20240023333A1. Автор: Jianhua Sun,Ji XIA,Qinxiang Wei. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Three-dimensional memory device and method

Номер патента: US11856781B2. Автор: Sheng-Chih Lai,Hung-Chang Sun,Yu-Wei Jiang,TsuChing Yang,Kuo Chang Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

3D memory with graphite conductive strips

Номер патента: US11839080B2. Автор: Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US11812611B2. Автор: Qiguang Wang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Three dimensional (3d) memory device and fabrication method

Номер патента: US20230402394A1. Автор: Jing Liu,Jing Gao,Zhaosong Li,Chuanhai SHAN,Zhouyang LU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230062524A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Ziqun HUA,Hongbin Zhu,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230060149A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230064388A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Ziqun HUA,Hongbin Zhu,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20200411545A1. Автор: Qiguang Wang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Three-dimensional memory device and method

Номер патента: US20240114690A1. Автор: Sheng-Chih Lai,Hung-Chang Sun,Yu-Wei Jiang,TsuChing Yang,Kuo Chang Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Adhesive composition and film adhesive, and semiconductor package using film adhesive and producing method thereof

Номер патента: US20240279517A1. Автор: Kenji Tokuhisa. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

3d memory multi-stack connection method

Номер патента: US20230422512A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN,Ya-Hui Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Film-forming apparatus and film-forming method

Номер патента: US09735003B2. Автор: Yuusuke Sato,Takumi Yamada. Владелец: Nuflare Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Channel structures having protruding portions in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US11925019B2. Автор: Xiaoxin LIU,Lei Xue,Tingting Gao,Wanbo Geng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Vertical memory device

Номер патента: US11903185B2. Автор: Sun-Young Kim,Kun-Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Vertical memory device

Номер патента: US11233060B2. Автор: Sun-Young Kim,Kun-Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-01-25.

Three-dimensional memory device and methods for forming the same

Номер патента: EP4289005A1. Автор: Mingkang ZHANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Capacitors in memory devices

Номер патента: US20230337421A1. Автор: Jung-Chuan Ting,Chih-Ting Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Vertical memory device

Номер патента: US20210013210A1. Автор: Sun-Young Kim,Kun-Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Poly-silicon based word line for 3d memory

Номер патента: WO2022245639A1. Автор: Tomohiko Kitajima,Gill Yong Lee,Chang Seok Kang. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-11-24.

Process for fabricating 3d memory

Номер патента: US20180130822A1. Автор: Chun-Min Cheng,Jung-Yi Guo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-10.

Memory and fabrication method thereof and memory system

Номер патента: US20240347452A1. Автор: Zhaoyun TANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Select transistors with tight threshold voltage in 3D memory

Номер патента: US09941293B1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-10.

3D memory structure

Номер патента: US09911754B1. Автор: Chun-Min Cheng,Jung-Yi Guo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

High conductivity channel for 3D memory

Номер патента: US09793283B1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-17.

Memory cell structure of three-dimensional memory device

Номер патента: WO2019042103A1. Автор: Qian Tao,Zhenyu Lu,Jun Chen,Zhong Zhang,Yushi Hu,Jifeng Zhu,Xiaowang DAI,Jinwen Dong,Ji XIA,Yanni LI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-03-07.

Three dimensional memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200203363A1. Автор: Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Stacked connections in 3D memory and methods of making the same

Номер патента: US11910602B2. Автор: Jun Liu,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240098994A1. Автор: Lei Li,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Linchun Wu,Zongliang Huo,Shuangshuang WU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Method for forming a three-dimensional memory device

Номер патента: US20190067324A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Fandong LIU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Three-dimensional memory device and fabrication method for improved yield and reliability

Номер патента: US20240179901A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuhui HAN,Changzhi Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Local contacts of three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210272982A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Jianzhong Wu,Wenxi Zhou,Tingting Zhao,Zhongwang SUN,Rui Su. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

3d memory cells and array architectures

Номер патента: WO2024039416A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: NEO Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2024-02-22.

Self-aligned vertical integration of three-terminal memory devices

Номер патента: US11792987B2. Автор: YANG Pan,Thorsten Lill,Meihua Shen,Hui-Jung Wu,John Hoang,Gereng GUNAWAN. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Low dielectric constant insulating material in 3d memory

Номер патента: US20150357342A1. Автор: Guan-Ru Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-10.

Three-dimensional memory devices, systems, and methods for forming the same

Номер патента: US20240063140A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Bingjie Yan,Jingtao XIE. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

3d memory cells and array architectures and processes

Номер патента: US20230269927A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Self-aligned vertical integration of three-terminal memory devices

Номер патента: WO2020086566A1. Автор: YANG Pan,Thorsten Lill,Meihua Shen,Hui-Jung Wu,John Hoang,Gereng GUNAWAN. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2020-04-30.

3d memory cells and array architectures and processes

Номер патента: US20240121938A1. Автор: Richard J. Huang,Fu-Chang Hsu. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8860003B2. Автор: Jae Min Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-14.

Three-dimensional memory device with support structures in gate line slits and methods for forming the same

Номер патента: US20210167086A1. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Ping Yan,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Haohao YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

Joint opening structures of three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US11956953B2. Автор: Zhenyu Lu,Feng Pan,GuanPing WU,Wenguang Shi,Xianjin Wan,Baoyou Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Method for Forming Staircase Structure of Three-Dimensional Memory Device

Номер патента: US20200219894A1. Автор: Jian Xu,Li Hong XIAO,Yu Ting ZHOU,Sizhe Li,Zhao Hui Tang,Zhaosong Li. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-09.

Method for Forming Staircase Structure of Three-Dimensional Memory Device

Номер патента: US20190326312A1. Автор: Jian Xu,Li Hong XIAO,Yu Ting ZHOU,Sizhe Li,Zhao Hui Tang,Zhaosong Li. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-24.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: WO2024060219A1. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Wei Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-03-28.

Fabrication method of three-dimensional memory device

Номер патента: US20230064048A1. Автор: Kun Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240107761A1. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Wei Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240107760A1. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Wei Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Three-dimensional memory devices, systems, and methods for forming the same

Номер патента: US20240064978A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Bingjie Yan,Jingtao XIE. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Through array contact structure of three-dimensional memory device

Номер патента: US20230389323A1. Автор: Zhenyu Lu,GuanPing WU,Wenguang Shi,Xianjin Wan,Baoyou Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: WO2024060218A1. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Wei Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-03-28.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP4367666A1. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Wei Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Three-dimensional memory devices and system having the same

Номер патента: US20240170389A1. Автор: Zhu Yang,ZHEN Guo,BIN Yuan,Zongke Xu,Zongliang Huo,Qiangwei Zhang,Beibei Li,Xiangning Wang,Jiajia Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20230411285A1. Автор: Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Method for forming channel hole in three-dimensional memory device using nonconformal sacrificial layer

Номер патента: US20200119042A1. Автор: GuanPing WU,Weihua Cheng,Hongbin Zhu,Baoyou Chen,Hai Hui Huang,Zhuqing Huang,Yu Qi Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240188292A1. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Shuangshuang WU,Cuicui Kong,Yuhui HAN,Bingjie Yan,Jingtao XIE. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Method of forming three-dimensional memory device

Номер патента: US20230088149A1. Автор: Chia-Jung Chiu,Kuan-Yuan SHEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-23.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP4367990A1. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Wei Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210242233A1. Автор: Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Three-dimensional memory device

Номер патента: US11832446B2. Автор: Hock Chun Chin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Three-dimensional memory device

Номер патента: US20220077179A1. Автор: Hock Chun Chin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Three-dimensional memory devices and system having the same

Номер патента: US20240206164A1. Автор: Han Yang,Lei Zhang,Zongliang Huo,Wenbin Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Mask and fabricating method thereof, and displaying base plate and fabricating method thereof

Номер патента: US20220149282A1. Автор: Pengcheng LU,Yunlong Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Thin-film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and manufacturing method thereof, and display apparatus

Номер патента: US09899532B2. Автор: WEI Liu,Chunsheng Jiang,Xuyuan Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Organic electric memory device based on phosphonic acid or trichlorosilane-modified ITO glass substrate and preparation method thereof

Номер патента: US09818963B1. Автор: Jianmei Lu,Jinghui HE. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-11-14.

Through electrode, manufacturing method thereof, and semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09818645B2. Автор: Wei Feng,Katsuya Kikuchi,Naoya Watanabe,Masahiro Aoyagi,Tung Thanh BUI. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-11-14.

Conductive flexible substrate and manufacture thereof, and OLED display device and manufacture method thereof

Номер патента: US09634269B2. Автор: Yifan Wang,Qinghua Zou,Taipi Wu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Organic thin film transistor and preparation method thereof, array substrate and preparation method thereof, and display device

Номер патента: US09583722B2. Автор: Qiang SHI,Honhang FONG,Yingtao Xie,Shihong OUYANG,Shucheng CAI,Ze Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Pin diode and manufacturing method thereof, and x-ray detector using pin diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US09484486B2. Автор: Sung Jin Choi. Владелец: Hydis Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Staircase formation in three-dimensional memory device

Номер патента: US11961760B2. Автор: Yu Ting ZHOU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

High selectivity isolation structure for improving effectiveness of 3d memory fabrication

Номер патента: US20230328996A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Sheng-Chih Lai,Hung-Chang Sun,Yu-Wei Jiang,Kuo-Chang Chiang,Tsu Ching Yang,Chen-Jun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Staircase formation in three-dimensional memory device

Номер патента: US11997851B2. Автор: Jun Hu,Baoyou Chen,Shi Zhang,Xiang Hui ZHAO,Zui Xin ZENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Methods for forming stairs in three-dimensional memory devices

Номер патента: US20220223469A1. Автор: Zhu Yang,CHEN ZUO,BIN Yuan,Zongke Xu,Xiangning Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Solar cell and manufacturing method thereof, and photovoltaic system

Номер патента: EP4404279A2. Автор: HONG Chen,Shuai ZHANG,Wanli Li,Yang Zou,Xiaopeng Wu,Chengfa Liu,Yugang Lu,Yaqian Zhang,Kunzhou WANG. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Wafer-level package structure of light emitting diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US8445919B2. Автор: Wei Wang,Wenbin Wang,Junjie Li,Guoqing Yu,Qiuhong Zou. Владелец: China Wafer Level CSP Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-21.

Array substrate and manufacturing method thereof, and display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210217837A1. Автор: Qi Yao,Zhiwei Liang,Yingwei Liu,Renquan Gu,Wusheng Li,Muxin DI,Jaiil Ryu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-15.

Thin film transistor and a manufacturing method thereof, array substrate and a manufacturing method thereof, display device

Номер патента: US9773813B2. Автор: Zhenyu Xie. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Inductor structure having conductive sheets having fan plate shape arranged in ring structure and fabrication method thereof, electronic package and fabrication method thereof, and method for fabricating packaging carrier

Номер патента: US12062685B2. Автор: Shih-Ping Hsu. Владелец: Phoenix Pioneer Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, display device

Номер патента: US9954070B2. Автор: Gang Wang,Baoxia ZHANG,Yongqian Li,Cuili Gai,Zhongyuan Wu,Kun CAO,Quanhu LI,Longyan Wang,Jingwen Yin. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Encapsulant film and manufacturing method thereof, solar cell module and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4235812A1. Автор: Xinwei NIU,Hongyue CHEN,Yanfang Zhou. Владелец: JA Solar Technology Yangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-30.

Thin film transistor and a manufacturing method thereof, array substrate and a manufacturing method thereof, display device

Номер патента: US20160141311A1. Автор: Zhenyu Xie. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-19.

Through substrate via structure and manufacturing method thereof, redistribution layer structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12087665B2. Автор: Hsiang-Hung Chang,Wei-Lan Chiu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2024-09-10.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, display device

Номер патента: US09954070B2. Автор: Gang Wang,Baoxia ZHANG,Yongqian Li,Cuili Gai,Zhongyuan Wu,Kun CAO,Quanhu LI,Longyan Wang,Jingwen Yin. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Organic semiconductor element, manufacturing method thereof, compound, composition for forming organic semiconductor film, organic semiconductor film, and manufacturing method thereof

Номер патента: US09932441B2. Автор: Tetsu Kitamura. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Array substrate, fabrication method thereof and display device

Номер патента: US09859350B2. Автор: Yongqian Li,Cuili Gai,Longyan Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Light emitting device and manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US09748513B2. Автор: Changyan WU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

High density flash memory device, cell string and fabricating method thereof

Номер патента: WO2008069539A1. Автор: Jong-ho Lee. Владелец: Kyungpook National University Industry-Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2008-06-12.

Magnetic module for power inductor, power inductor, and manufacturing method thereof

Номер патента: US09478334B2. Автор: Jung Min Park,Young Ghyu Ahn,Sang Soo Park,Min Cheol Park. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Composite cathode active material, preparation method thereof, cathode sheet and lithium ion secondary battery

Номер патента: US20220336796A1. Автор: YULI Li,Siming Yang,Jixian Lv. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Electrode material, preparation method thereof and supercapacitor based thereof

Номер патента: US20150235775A1. Автор: Ping Sun,Zhongxing WANG,Qingyuan Wang,Jiliang Zhu,Zifan Zeng,Juncheng Zhu. Владелец: Sichuan University. Дата публикации: 2015-08-20.

Aluminum (Al) anode plate material for Al-air battery and preparation method thereof, Al anode plate for Al-air battery and preparation method and use thereof

Номер патента: NL2026590B1. Автор: LI Ying,Li Yonggang,TIAN Lin,Xie Gang,Yu Xiaohua,YANG Ni,Yang Yagang,Li Rongxing. Владелец: Kunming Metallurgical Res Institute Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-20.

Battery cushion and forming method thereof, and battery module and forming method thereof

Номер патента: US12051818B2. Автор: Guangjun Wang,Yonghuang YE,Shaojun Niu,Jiawel Zheng. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Mofs-derived carbon aerogels, preparation method thereof and application thereof in lithium ion battery

Номер патента: NL2034247B1. Автор: ZHANG Liying,Fang Xiang,Li Zuoxi. Владелец: Soochow Mofs Science And Tech Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Aluminum (Al) anode plate material for Al-air battery and preparation method thereof, Al anode plate for Al-air battery and preparation method and use thereof

Номер патента: NL2026590A. Автор: LI Ying,Li Yonggang,TIAN Lin,Xie Gang,Yu Xiaohua,YANG Ni,Yang Yagang,Li Rongxing. Владелец: Kunming Metallurgical Res Institute Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-22.

Cathode active material and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190148725A1. Автор: Moon Ho Choi,Kyoung Jun Lee,Seung Hyun Choi,Gyeong Jae HEO,Hyun Jong YU,Jong Hwan Park,Jung Bae Park. Владелец: Ecopro BM Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Solid electrolyte and preparation method thereof, and electrochemical device and electronic device comprising solid electrolyte

Номер патента: WO2020151378A1. Автор: Jianming Zheng,Leimin Xu,Molin ZHOU,Jianli GAI. Владелец: Ningde Amperex Technology Limited. Дата публикации: 2020-07-30.

Sulfur-carbon composite and preparing method thereof

Номер патента: US20170179471A1. Автор: Yo-Seop KIM,Hae-Min YOO. Владелец: OCI Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-22.

Graphene composition having liquid crystalline properties and preparation method thereof

Номер патента: US8449791B2. Автор: Ji Eun Kim,Tae Hee Han,Ju Young Kim,Sun Hwa Lee,Sang Ouk Kim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2013-05-28.

Nano-porous electrode for super capacitor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09847183B2. Автор: Myung Gi Jeong,Chanhwa Chung,Serhiy Cherevko. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration. Дата публикации: 2017-12-19.

3d memory device and programming method thereof

Номер патента: US20230352106A1. Автор: Amedeo IANTORNO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Three-dimensional memory device programming with reduced disturbance

Номер патента: US11710529B2. Автор: Jianquan Jia,Kaikai You,Yali SONG,XiangNan Zhao,Yuanyuan MIN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-25.

Three dimensional memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240203463A1. Автор: Murat Kerem Akarvardar,Xiaochen PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

3D Hybrid Bonding 3D Memory Devices with NPU/CPU for AI Inference Application

Номер патента: US20240370715A1. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Germanium-containing high-refractive-index thin film and production method thereof

Номер патента: US20110281090A1. Автор: Akira Watanabe,Akira Hirooka,Makoto Hirooka,Eiko Hirooka,Takehiro Nagasawa,Tokuji Miyashita. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2011-11-17.

Vector-by-matrix multiplier modules based on non-volatile 2d and 3d memory arrays

Номер патента: US20190213234A1. Автор: Mirko Prezioso,Farnood Merrikh Bayat. Владелец: Mentium Technologies Inc. Дата публикации: 2019-07-11.

Nonvolatile memory device, memory system, method of operating nonvolatile memory device, and method of operating memory system

Номер патента: US09852804B2. Автор: Jong-Chul Park,Sang-Soo Park,Hyun-Young Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Data buffering operation of three-dimensional memory device with static random-access memory

Номер патента: US11922058B2. Автор: Yue Ping Li,Chun Yuan Hou,Wei Jun Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

3D memory with error checking and correction function

Номер патента: US09984769B2. Автор: Joon-Sung Yang,Hyunseung HAN. Владелец: SUNGKYUNKWAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-05-29.

Tier mode for access operations to 3d memory

Номер патента: WO2016105858A9. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-08-18.

Reducing Hot Electron Injection Type Of Read Disturb In 3D Memory Device Having Connected Source-End Select Gates

Номер патента: US20190057749A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-02-21.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US11978519B2. Автор: Jung Ae Kim,Jee Yul KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

3d memory device with local column decoding

Номер патента: WO2023235216A1. Автор: Brent Steven Haukness,Thomas Vogelsang,Torsten Partsch. Владелец: RAMBUS INC.. Дата публикации: 2023-12-07.

Reducing hot electron injection type of read disturb during read recovery phase in 3D memory

Номер патента: US09761320B1. Автор: Wei Zhao,Ching-Huang Lu,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-09-12.

Memory device with relaxed timing parameter according to temperature, operating method thereof, and memory controller and memory system using the memory device

Номер патента: US09465757B2. Автор: Chul-woo Park,Uk-Song KANG,Jong-Pil Son,Seong-Young Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

3d memory device

Номер патента: US20210233583A1. Автор: Makoto Hirano,Jinyoung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-29.

Electronic system, operating method thereof, and operating method of memory device

Номер патента: EP4213021A1. Автор: Seung Jun Yang,Hye Joon YI,Mi Jung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-19.

Volatile memory device and electronic device comprising refresh information generator, information providing method thereof, and refresh control method thereof

Номер патента: US09928895B2. Автор: Yanggyoon Loh,Hoyoung SONG,Sangwoong Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

CAM cell, CAM device and operation method thereof, and method for searching and comparing data

Номер патента: US12068030B2. Автор: Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory device and operation method thereof, and memory system

Номер патента: US20240355399A1. Автор: Li Xiang,Shuai Wang,Zhuo Chen,Chunyuan HOU,Zhipeng DONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Cam cell, cam device and operation method thereof, and method for searching and comparing data

Номер патента: US20240363164A1. Автор: Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Memory system and operation method thereof and power management module

Номер патента: US20240295916A1. Автор: MeiFa CHEN,Guiyuan Duan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Three-dimensional memory device programming with reduced disturbance

Номер патента: US20230326536A1. Автор: Jianquan Jia,Kaikai You,Yali SONG,XiangNan Zhao,Yuanyuan MIN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Method of producing retardation film and method of producing circularly polarizing plate, and film-stretching apparatus

Номер патента: US20170066175A1. Автор: Takashi Shimizu,Satoshi Hirata,Makoto Nakaichi,Ryuuichi Kira. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Nonvolatile memory device, program method thereof, and storage device including the same

Номер патента: US09583197B2. Автор: Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Reducing Hot Electron Injection Type Of Read Disturb In 3D Memory Device During Signal Switching Transients

Номер патента: US20190074062A1. Автор: Wei Zhao,Yingda Dong,Ching-Huang Lu,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-03-07.

Three-dimensional memory device and method for detecting leakage state

Номер патента: US20220351802A1. Автор: Weihua Shi. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

Phase change memory device, operation method thereof, and data storage device having the same

Номер патента: US20130155765A1. Автор: Dong Keun Kim,Sun Hyuck Yon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-06-20.

Nonvolatile memory device, operating method thereof, and data storage device including the same

Номер патента: US09728264B2. Автор: Tae Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of programming memory device and related memory device

Номер патента: EP3899949A1. Автор: SHAN Li,LEI Jin,Hongtao Liu,Yali SONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-27.

Memory device for supporting cache read operation, operating method thereof, and memory system including the same

Номер патента: US20220342817A1. Автор: Gwan Park,Jeong Gil CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Controller for storing performance information based on test operation result, operating method thereof and computing system including the same

Номер патента: US12039185B2. Автор: Jeong Ho Jeon,Kang Rak KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Controller for managing sequence for map data, operating method thereof and memory system

Номер патента: US10831671B2. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-11-10.

Sense amplifier and driving method thereof, and semiconductor memory device having the sense amplifier

Номер патента: US20100302878A1. Автор: Hee Bok Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-02.

Pixel circuit and driving method thereof, display apparatus

Номер патента: US09852685B2. Автор: Zhongyuan Wu,Liye Duan,Kun CAO,Lirong WANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Nonvolatile memory device, operating method thereof, and test system for optimizing erase loop operations

Номер патента: US09786374B2. Автор: Jae Won Cha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Memory system, operating method thereof, and electronic device

Номер патента: US20190347196A1. Автор: Kyung Min Kim,Dae Hong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Memory device, the operation method thereof and memory system

Номер патента: US12112802B2. Автор: JING Wei,Zhihong Li,Masao Kuriyama. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Resistive memory device, resistive memory, and operating method of the resistive memory device

Номер патента: US09646685B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Hyun-Kook PARK,Yeong-Taek Lee,Yong-kyu Lee,Hyo-Jin KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Memory system, program method thereof, and computing system including the same

Номер патента: US09460796B2. Автор: Song-ho Yoon,Woon-Jae Chung,In-Hwan Choi,Jun-Ho Jang,Kyung-wook Ye. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Cell-assembled motherboard and fabrication method thereof, and liquid crystal display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US09488872B2. Автор: Mingchao Wang. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Memory device, operating method thereof, and operating method of memory system including the same

Номер патента: US10515675B2. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sung-Eun Lee,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-24.

Error correction device and methods thereof

Номер патента: WO2007112163A2. Автор: Anis M. Jarrar,Jim C. Nash. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-10-04.

Measurement device, measurement method, recording medium, and phonograph record

Номер патента: US20230109304A1. Автор: Tadayoshi Okuda. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Memory device, operating method thereof, and operating method of memory system including the same

Номер патента: US20200005842A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sung-Eun Lee,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Memory device, operating method thereof, and operating method of memory system including the same

Номер патента: US20180151205A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sung-Eun Lee,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-31.

Smart vending apparatus, and control method thereof

Номер патента: EP3723057A1. Автор: TAO Ji,Da Xu,Jiang DAI. Владелец: Hefei Midea Intelligent Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-14.

Styrene derivative and preparation method thereof, and modified organic silicone resin and preparation method and use thereof

Номер патента: US11634522B2. Автор: FEI Yang,Pengju Liu,Xiufeng Yue,Lixia Deng,Shengqiao HE,Libing GUO. Владелец: Institute Of Chemistry Co Ltd Henan Academy Of Sciences. Дата публикации: 2023-04-25.

Pixel unit and driving method thereof, display panel and driving method thereof, and display apparatus

Номер патента: US20190371243A1. Автор: Yan Li,MING Yang,Xue Dong,MINGHUA XUAN,Xiaochuan Chen,Shengji Yang,Xiaoling Xu,Jing LV,Can Zhang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Styrene derivative and preparation method thereof, and modified organic silicone resin and preparation method and use thereof

Номер патента: US20230025924A1. Автор: FEI Yang,Pengju Liu,Xiufeng Yue,Lixia Deng,Shengqiao HE,Libing GUO. Владелец: Institute Of Chemistry Co Ltd Henan Academy Of Sciences. Дата публикации: 2023-01-26.

Array substrate and manufacturing method thereof, display panel and driving method thereof

Номер патента: US09984637B2. Автор: Yue Shi,Kaidi Fang,Hao CHU. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Display panel and manufacturing method thereof, mask and manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US09880426B2. Автор: Huifang Yuan. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Sensing circuit for external compensation, sensing method thereof and display apparatus

Номер патента: US09734760B2. Автор: Zhongyuan Wu,Liye Duan. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Humidity sensitive nano-photonics and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240125974A1. Автор: Jae Kyoung Kim,Jun Suk RHO,Trevon Badloe,Young Hwan YANG,Byoung Su KO. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2024-04-18.

Tourniquet and method thereof having compliance logging feature, and a system thereof

Номер патента: EP3435886A1. Автор: Patrick James LYNCH,Trevor Alan Gililland,James Ryan Gielen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-02-06.

Tourniquet and method thereof having compliance logging feature, and a system thereof

Номер патента: CA3058147C. Автор: Patrick James LYNCH,Trevor Alan Gililland,James Ryan Gielen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-08-10.

Liquid crystal display device, driving system thereof and driving method thereof

Номер патента: US20220165227A1. Автор: FENG Jiang,Meng Feng,Bing Li,Lijun Xiao,Junmin Zhang,Mengchao SHUAI,Jianmin XIANG,Hangyu CHEN. Владелец: Wuhan BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-26.

Liquid crystal display device, driving system thereof and driving method thereof

Номер патента: US11398199B2. Автор: FENG Jiang,Meng Feng,Bing Li,Lijun Xiao,Junmin Zhang,Mengchao SHUAI,Jianmin XIANG,Hangyu CHEN. Владелец: Wuhan BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-26.

Tourniquet and method thereof having compliance logging feature, and a system thereof

Номер патента: WO2017172756A1. Автор: Patrick James LYNCH,Trevor Alan Gililland,James Ryan Gielen. Владелец: Patrick James LYNCH. Дата публикации: 2017-10-05.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US11567863B2. Автор: Sung Jin Park,Jee Yul KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-01-31.

Method and system for registering circuit design layout and scanning electron microscope image, circuit design layout and imaging error calculation method thereof, and electronic device

Номер патента: US20220092799A1. Автор: GE Yan,QIANG LI. Владелец: Shenzhen Jingyuan Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-24.

Array substrate, manufacturing method thereof, and applied display panel thereof

Номер патента: US20190011753A1. Автор: Yu-Jen Chen. Владелец: Chongqing HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-10.

Device for controlling data output for high-speed memory device and method thereof

Номер патента: US20060104126A1. Автор: Nak Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-05-18.

Refresh control circuit and method thereof and bank address signal change circuit and methods thereof

Номер патента: US20060250874A1. Автор: Jong-Won Lee,Tao-Seong Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-11-09.

Optimized industrial bioreactor and method thereof, with mutually dependent, coupled process control loops

Номер патента: US20240240133A1. Автор: Leandro BUCHMANN. Владелец: BUEHLER AG. Дата публикации: 2024-07-18.

Control circuit of blind-mating display having two type-C interfaces, control device thereof, and control method thereof

Номер патента: US12130764B2. Автор: Jingsheng Chen,Liping HE,Longhua Dai,Honghai Li,Mingliang Sun,Wenqing Xiao. Владелец: Shenzhen Xinlongpeng Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Method and system for registering circuit design layout and scanning electron microscope image, circuit design layout and imaging error calculation method thereof, and electronic device

Номер патента: US12062196B2. Автор: GE Yan,QIANG LI. Владелец: Shenzhen Jingyuan Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Light guide plate and manufacturing method thereof, backlight module

Номер патента: US09791615B2. Автор: YONG Song,Hong Zhu,Gang Yang,Jun Long,Rui Li,Hongkun Zhang,Hongjun Yu. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Touch control apparatus, control method thereof and electronic device having touch control apparatus

Номер патента: US09658705B2. Автор: FENG Yang,Jian Zhong,Yanqing Li,Xianjun Wang,Guowei Xiang,Yihai Liang,Baijun Song. Владелец: HANWANG TECHNOLOGY CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Liquid crystal display panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US09632351B2. Автор: Sang-Uk Lim,Byoung Sun NA,Wan-Soon Im,Seong Young Lee,Hee June KWAK,Seok Kyu Yoon,Seung Soo Baek. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Multimedia apparatus, music composing method thereof, and song correcting method thereof

Номер патента: US09607594B2. Автор: Sang-Bae Chon,Sun-Min Kim,Sang-mo SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor memory device, operating method thereof, and data storage device including the same

Номер патента: US09588708B2. Автор: Gi Pyo UM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Electronic calculating apparatus for generating an interaction index map of an image, method thereof and non-transitory machine-readable medium thereof

Номер патента: US09524303B2. Автор: Yi-Chong Zeng. Владелец: INSTITUTE FOR INFORMATION INDUSTRY. Дата публикации: 2016-12-20.

Liquid crystal display and manufacturing method thereof

Номер патента: US09494828B2. Автор: Sang-Myoung LEE,Do Yeong PARK,Seung Jun YU,Young goo Song,Sang Woo WHANGBO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240215273A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory and fabrication method thereof

Номер патента: US12052871B2. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Wenxiang Xu,Ji XIA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor structure for 3d memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240268112A1. Автор: Chia-Jung Chiu,Kuan-Yuan SHEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure for 3d memory and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4412423A1. Автор: Chia-Jung Chiu,Kuan-Yuan SHEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Three-dimensional memory device having source-select-gate cut structures and methods for forming the same

Номер патента: US12048149B2. Автор: Zhong Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

3d memory device with a dram chip

Номер патента: US20240237361A1. Автор: Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Three-dimensional memory devices

Номер патента: EP3942611A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-26.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US12048148B2. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240251558A1. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory device structure and fabrication method

Номер патента: US20240196631A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Three-dimensional memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240268111A1. Автор: Pi-Shan Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: WO2023246209A1. Автор: WEI Liu,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Dongxue Zhao,Dongyu FAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-12-28.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240172429A1. Автор: Kun Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Three-dimensional memory devices with drain-select-gate cut structures and methods for forming the same

Номер патента: US12082414B2. Автор: Jianzhong Wu,Zongke Xu,Jingjing Geng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Three-dimensional memory devices with channel structures having plum blossom shape

Номер патента: US12089405B2. Автор: Xiaoxin LIU,Weihua Cheng,Lei Xue,Tingting Gao,Wanbo Geng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Bottom select gate contacts for center staircase structures in three-dimensional memory devices

Номер патента: US12133385B2. Автор: Qiang Tang,Jason Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: WO2023246210A1. Автор: Tao Yang,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-12-28.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: WO2023028869A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Ziqun HUA,Hongbin Zhu,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-03-09.

Staircase structure in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230276620A1. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Zhongwang SUN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US11877453B2. Автор: Kun Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US11871567B2. Автор: Kun Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Three-dimensional memory device without gate line slits and method for forming the same

Номер патента: US11963356B2. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Ping Yan,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Haohao YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Three-dimensional memory devices

Номер патента: US20240164100A1. Автор: LIANG XIAO,Yi Zhao,Shu Wu,Wenbin Zhou,Mingkang ZHANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Staircase structure in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: EP4391762A2. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Zhongwang SUN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

3D memory with conductive dielectric channel integrated with logic access transistors

Номер патента: US12133387B2. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford,Partha MUKHOPADHYAY. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Protective liner layers in 3D memory structure

Номер патента: US11723199B2. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Sheng-Chih Lai,Hung-Chang Sun,Yu-Wei Jiang,Kuo-Chang Chiang,Tsu Ching Yang,Chen-Jun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Concentric staircase structure in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US11849575B2. Автор: Zhong Zhang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Cuicui Kong. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Methods for forming three-dimensional memory devices

Номер патента: US11877448B2. Автор: Kun Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP4282003A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-29.

Three-dimensional memory device with source structure and methods for forming the same

Номер патента: US11805650B2. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Wenxiang Xu,Ji XIA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Three-dimensional memory devices with drain-select-gate cut structures and methods for forming the same

Номер патента: EP4290998A3. Автор: Jianzhong Wu,Zongke Xu,Jingjing Geng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-14.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US11950419B2. Автор: BIN Yuan,Zongke Xu,Qiangwei Zhang,Xiangning Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2022018476A1. Автор: Fabio Pellizzer,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-01-27.

Three-dimensional memory devices with drain-select-gate cut structures and methods for forming the same

Номер патента: EP4290998A2. Автор: Jianzhong Wu,Zongke Xu,Jingjing Geng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240206167A1. Автор: SHENG Peng,Jing Gao,Kai Yu,Wenbo Zhang,Lei Xue,Zhaohui Cheng,Zhiyong Lu,Zhangyi LI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Three-dimensional memory device with support structures in gate line slits and methods for forming the same

Номер патента: US20230292511A1. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Ping Yan,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Haohao YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Reference signal measurement method and terminal devices

Номер патента: EP3883275A1. Автор: Pu YUAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-22.

Direct word line contact and methods of manufacture for 3d memory

Номер патента: US20230371246A1. Автор: Tomohiko Kitajima,Gill Yong Lee,Sung-Kwan Kang,Chang Seok Kang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Direct word line contact and methods of manufacture for 3d memory

Номер патента: WO2023224816A1. Автор: Tomohiko Kitajima,Gill Yong Lee,Sung-Kwan Kang,Chang Seok Kang. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-11-23.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US11839079B2. Автор: Qiguang Wang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Three dimensional (3d) memory device and fabrication method

Номер патента: US20240215237A1. Автор: Wei Yuan,Yi Yang,SHAN Li,Zhiliang Xia,Xiaoxin LIU,Zongliang Huo,Xiaolong Du,Tingting Gao,Zhihao SONG,Changzhi Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: EP4205175A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Shiqi HUANG,Yanhong Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-05.

Measurement method, measurement configuration method, and related communication apparatus

Номер патента: EP4408070A1. Автор: Hong Li,LI ZHANG,Jing HAN,Zhongyi SHEN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Reference signal measurement method and terminal device

Номер патента: US12035344B2. Автор: Pu YUAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Measurement method and apparatus, device, and storage medium

Номер патента: US20240323741A1. Автор: Peng Sun,Ang Yang,Yuanyuan Wang,Chenglu Jia. Владелец: Vivo Mobile Communication Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Measurement method and apparatus, device, and storage medium

Номер патента: EP4447530A1. Автор: Peng Sun,Ang Yang,Yuanyuan Wang,Chenglu Jia. Владелец: Vivo Mobile Communication Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Methods for forming three-dimensional memory devices

Номер патента: WO2021237881A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Ziqun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-12-02.

Measurement method and apparatus

Номер патента: US12028728B2. Автор: Rui Wang,Qinghai Zeng,Hongping Zhang,Tingting GENG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

SSB measurement method and apparatus

Номер патента: US12120559B2. Автор: Jia Liu,Qinghai Zeng,Lili Zheng,Hongping Zhang,Jingxin Wei. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Protective liner layers in 3d memory structure

Номер патента: US20230328980A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Sheng-Chih Lai,Hung-Chang Sun,Yu-Wei Jiang,Kuo-Chang Chiang,Tsu Ching Yang,Chen-Jun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Three-dimensional memory device and fabrication method

Номер патента: US20240206162A1. Автор: Sheng Xia,Yuping Xia,Xiaofen Zheng,Jiandong Wang,Wenbin Sun,Junyang Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

3d memory cells and array architectures and processes

Номер патента: WO2024039417A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: NEO Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2024-02-22.

Wireless power transmission device and operation method thereof

Номер патента: US20240235276A9. Автор: Po-Chang Chen,Fu-chi Lin,Wen-Ti Lo. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2024-07-11.

Roll-to-roll surface treatment device, and film deposition method and film deposition device using same

Номер патента: US20190226080A1. Автор: Hideharu Okami. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2019-07-25.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240206176A1. Автор: BIN Yuan,Zongke Xu,Qiangwei Zhang,Xiangning Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Three-dimensional memory device and fabrication method

Номер патента: US20240206163A1. Автор: Yuping Xia,Xiaofen Zheng,Jiandong Wang,Wenbin Sun,Yonggang YANG,Siliu Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory device structure and fabrication method

Номер патента: US20240196630A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Yongna LI,Huaguo SHENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240224517A1. Автор: Yang Chen,Zhiliang Xia,Di Wang,Qingfu Zhang,Zongliang Huo,Jingtao XIE. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Light transmitting display system, image output method thereof and processing device thereof

Номер патента: US20220030216A1. Автор: Shin-Hong Kuo,Yi-Shou Tsai,Kuan-Ting Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2022-01-27.

Pixel sensor, control method thereof and detector

Номер патента: US20210152726A1. Автор: Xuecheng Hou,Kunjing CHUNG. Владелец: Beijing BOE Sensor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Cable parking system for a network element and method thereof

Номер патента: US20240349441A1. Автор: Daniel Rivaud,Fabien Colton,Simon J. E. Shearman. Владелец: Ciena Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Broadcast signal transmitting apparatus, broadcasting data using FEC and methods thereof

Номер патента: US09521652B2. Автор: Woosuk Ko,Hotaek Hong,Sangchul Moon. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-12-13.

User equipment for random access and method thereof, base station for random access and method thereof

Номер патента: EP4256887A1. Автор: Yi Wang,Min Wu,Qi Xiong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-11.

User equipment that configures PDCP duplication and PDCP duplication configuration method thereof, and base station that configures PDCP duplication and PDCP duplication configuration method thereof

Номер патента: US12041484B2. Автор: Renmao Liu,Fangying XIAO. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Broadcast receiving apparatus and audio output method thereof

Номер патента: US09681224B2. Автор: Soo Han Kim,Young Joon Kim,Hyun Sik Yang,Ji Hui Park,Yoon Il. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Nucleic acid sequence measuring method, nucleic acid sequence measuring device, manufacturing method for nucleic acid sequence measuring device, and nucleic acid sequence measuring apparatus

Номер патента: US09797003B2. Автор: Takeo Tanaami,Tomoyuki Taguchi,Takashi TADENUMA. Владелец: Yokogawa Electric Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Blood pressure information measuring system, blood pressure information measuring method, blood pressure information measuring program, blood pressure information measuring device, server device, computation method, and computation program

Номер патента: US20190387977A1. Автор: Kosuke Shimizu. Владелец: Arblet Inc. Дата публикации: 2019-12-26.

Blood pressure information measuring system, blood pressure information measuring method, blood pressure information measuring program, blood pressure information measuring device, server device, computation method, and computation program

Номер патента: WO2018142821A1. Автор: 滉允 清水. Владелец: 株式会社Arblet. Дата публикации: 2018-08-09.

Blood pressure information measuring system, blood pressure information measuring method, blood pressure information measuring program, blood pressure information measuring device, server device, computation method, and computation program

Номер патента: US11925442B2. Автор: Kosuke Shimizu. Владелец: Arblet Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Measuring method for gastric electrograph and intestinal electrograph and its measuring device

Номер патента: CN1130051A. Автор: 浅野文隆,山田嘉夫. Владелец: Gram Corp. Дата публикации: 1996-09-04.

Ion current measurement method for ignition plug with resonance structure and respective measurement device

Номер патента: RU2439363C2. Автор: Андре АНЬЕРАЙ,Клеман НУВЕЛЬ,Клеман НУВЕЛЬ (FR),Андре АНЬЕРАЙ (FR). Владелец: Рено С.А.С. Дата публикации: 2012-01-10.

Heat-resistant high-toughness fiber, production method thereof, and heat-resistant high-toughness film

Номер патента: US20240318359A1. Автор: Yusuke Satoh,Zongyang ZHOU. Владелец: Teijin Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Film formation apparatus and film formation method for forming metal film

Номер патента: US09677185B2. Автор: Hiroshi Yanagimoto,Yuki Sato,Motoki Hiraoka. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Polymer, preparation method thereof, composition and film comprising the same

Номер патента: US09410005B2. Автор: No Ma Kim,Jeong Ae Yoon,Su Jeong Kim,In Ho Hwang. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Sodium channel blockers, preparation method thereof and use thereof

Номер патента: RU2645711C2. Автор: Хё Син КИМ,Ха Юнг Ким,Ин Ву КИМ,Сун Ах ЮН,Юн Су НА,Хюнг Гын ЛИ,Мин Джэ ЧО,Джун Хи ЛИ,Юн Су ЁО,Кюнг Ха ЧУНГ,Джи Дук КИМ. Владелец: Дэвунг Фармасьютикал Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-02-28.

Novel phosphinic acids and sulphur-containing derivatives thereof, and synthesis methods thereof

Номер патента: RU2451021C2. Автор: Юэхой ЧЖОУ,Джеффри Чарльз Генри ДИК,Бобан ЯКОВЛЕВИЧ,Сирил Кристиан Анри БУРЖЕ,Аллан Джеймс РОБЕРТСОН,Донато НУЧЧАРОНЕ. Владелец: Сайтек Кэнада Инк.. Дата публикации: 2012-05-20.

Termoplastic elastomeric composition and preparation method thereof

Номер патента: RU2406739C2. Автор: Юити ХАРА,Энди Хайшунг ТСОУ,Йосихиро СОЕДА,Мэттью Брайан МИСМЕР. Владелец: Эксонмобил Кемикал Пэйтенс, Инк.. Дата публикации: 2010-12-20.

Benzoylpyrazole compounds, synthesis method thereof and herbicides containing said compounds

Номер патента: RU2462457C2. Автор: Масамицу ЦУКАМОТО,Хироси КИКУГАВА,Терумаса КОМИЕДЗИ,Хироси ХАТА. Владелец: Исихара Сангио Кайся, Лтд.. Дата публикации: 2012-09-27.

Room temperature fast-curable organopolysiloxane composition and curing method thereof

Номер патента: RU2458089C2. Автор: Мамору ТЕСИГАВАРА,Цунео КИМУРА,Такафуми САКАМОТО. Владелец: Син-Эцу Кемикал Ко., Лтд.. Дата публикации: 2012-08-10.

Cationic oligonucleotides, automated synthesis methods thereof and use thereof

Номер патента: RU2451022C2. Автор: Жан-Поль БЕР,Мицухару КОТЕРА,Бенедикт ПОН,Эмили ВУАРИН,Жан-Серж РЕМИ. Владелец: Полиплюс Трансфексьон. Дата публикации: 2012-05-20.

Phenylaminobenzoxazole-substituted carboxylic acids, synthesis method thereof and use thereof as medicinal agents

Номер патента: RU2434003C2. Автор: Зигфрид ШТЕНГЕЛИН,Герхард ХЕССЛЕР,Элизабет ДЕФОССА,Томас КЛАБУНДЕ,Андреас ХЕРЛИНГ,Маркус ФОЛЛЬМАНН,Гвидо ХАШКЕ,Штефан БАРТОШЕК,Виктория ДРОЗОУ. Владелец: Санофи-Авентис. Дата публикации: 2011-11-20.

Amphiphilic homopolymers and synthesis method thereof

Номер патента: RU2599576C2. Автор: Михаил Исаакович Штильман,Андрей Николаевич Кусков,Аристидис Тсатсакис,Павел Павлович Куликов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Научно-Производственный Центр "Амфион". Дата публикации: 2016-10-10.

Energy-Providing Bone-Repair Degradable Porous Scaffold, Preparation Method Thereof, and Application Thereof

Номер патента: US20170246343A1. Автор: Haoming Liu,Shengmin Zhang,Mingle Cai. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-08-31.

Energy-providing bone-repair degradable porous scaffold, preparation method thereof, and application thereof

Номер патента: US09855366B2. Автор: Haoming Liu,Shengmin Zhang,Mingle Cai. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2018-01-02.

COMPOSITE MATERIAL BASED ON ALLOYS OF Sn-Sb-Cu AND PREPARATION METHOD THEREOF

Номер патента: RU2585588C1. Автор: Николай Владимирович Коберник,Алексей Георгиевич Колмаков,Игорь Евгеньевич Калашников,Любовь Ивановна Кобелева,Людмила Константиновна Болотова,Роман Сергеевич Михеев,Игорь Валентинович Катин,Павел Андреевич Быков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2016-05-27.

Alkylaminothiazole derivatives, synthesis method thereof and use thereof in therapy

Номер патента: RU2401262C2. Автор: ДОРССЕЛАР Вивьян ВАН,Сильви БАЛЬТЗЕР. Владелец: Санофи-Авентис. Дата публикации: 2010-10-10.

Composition of nanostructured aprepitant, synthesis method thereof and pharmaceutical compositions containing same

Номер патента: RU2595841C2. Автор: Ференц ДАРВАС,Геновева ФИЛИПЧЕИ,Жольт ЭТВЁШ,Габор ХЕЛТОВИЧ. Владелец: Драггабилити Текнолоджиз Айпи Холдко (Джерси) Лтд.. Дата публикации: 2016-08-27.

Pharmaceutical combination, composition and combination formulation containing glucokinase activator and k-atp channel blocker, preparation method thereof and use thereof

Номер патента: ZA202007678B. Автор: Li Chen,Yongguo Li,Gaosen Wang,Huisheng Gao. Владелец: Hua Medicine Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Polyimide and film using same

Номер патента: US20160369054A1. Автор: Young Sik Jeong,Hak Gee Jung,Hyo Jun Park,Chang Sik Ha,Pradip Kumar TAPASWI. Владелец: KOLON INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2016-12-22.

Balloon with four aluminous foil leaves and a fabricating method thereof

Номер патента: US20020142117A1. Автор: San Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-03.

Alkynylpurine compounds and production methods thereof

Номер патента: US20060100429A1. Автор: Taketo Hayashi,Andras Nagy,András Kotschy,Hiroharu Kumazawa,Takehiko Kawakami,Antal CSÁMPAI. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2006-05-11.

Alkynylpurine compounds and production methods thereof

Номер патента: EP1515970A1. Автор: Taketo c/o Sumito Chemical CO. LTD HAYASHI,Takehiko c/o Sumitomo Chemical CO. LTD KAWAKAMI,Hiroharu c/o Sumitomo Chemical CO. LTD KUMAZAWA,Andras c/o Dept General & Inorganic Chem KOTSCHY,Antal C/o Dep. of Gen. and Inorg. Chem. CSAMPAI,Andras C/o Dep. of Gen. and Inorg. Chem. NAGY. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-23.

Alkynylpurine compounds and production methods thereof

Номер патента: AU2003238696A1. Автор: Taketo Hayashi,Andras Nagy,András Kotschy,Hiroharu Kumazawa,Takehiko Kawakami,Antal CSÁMPAI. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-31.

Alkynylpurine compounds and production methods thereof

Номер патента: EP1515970B1. Автор: Takehiko c/o Sumitomo Chemical CO. LTD KAWAKAMI,Hiroharu c/o Sumitomo Chemical CO. LTD KUMAZAWA,Andras c/o Dept General & Inorganic Chem KOTSCHY,Antal C/o Dep. of Gen. and Inorg. Chem. CSAMPAI,Andras C/o Dep. of Gen. and Inorg. Chem. NAGY,Taketo c/o Sumitomo Chemical CO. LTD HAYASHI. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-18.

Nanoparticles for delivering drug, whose surface is modified with peptide for targeting brain cancer, preparation method thereof and use thereof

Номер патента: US12128041B2. Автор: Hyo Young Kim,Dokyoung KIM,Rae Hyung KANG. Владелец: Kyung Hee University. Дата публикации: 2024-10-29.

Polyimide and film using same

Номер патента: US09657140B2. Автор: Young Sik Jeong,Hak Gee Jung,Hyo Jun Park,Chang Sik Ha,Pradip Kumar TAPASWI. Владелец: KOLON INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2017-05-23.

Cycloalkyl acid derivative, preparation method thereof, and pharmaceutical application thereof

Номер патента: US09637484B2. Автор: Jiong Lan,Piaoyang Sun,Qing Dong,Qiyue Hu,Guoqing Cao,Jianbiao PENG,Chunyan GU,Xiaotao Li,Bonian Liu,Chunzhou HAN,Fangfang JIN. Владелец: Jiangsu Hengrui Medicine Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Crystalline forms of tricyclic compound acid salt or hydrate thereof, and method for making thereof

Номер патента: US09522911B2. Автор: Chun-Ho Park,In-Hae Ye,Jong-Hee Choi,Dong-il KANG. Владелец: Jeil Pharmaceutical Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Additive poly(3-tri(n-alkoxy)silyltricyclo[4.2.1.02.5]non-7-ene), synthesis method thereof and method for separation of gaseous hydrocarbons using membrane based thereof

Номер патента: RU2685429C1. Автор: Михаил Сергеевич Нечаев,Андрей Федорович Асаченко,Евгений Шмерович Финкельштейн,Елена Сергеевна Егорова,Максим Владимирович Бермешев,Юрий Павлович Ямпольский,Максим Анатольевич Топчий,Павел Сергеевич Грибанов,Дмитрий Александрович Алентьев,Людмила Эриковна Старанникова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Ордена Трудового Красного Знамени Институт нефтехимического синтеза им. А.В. Топчиева Российской академии наук (ИНХС РАН). Дата публикации: 2019-04-18.

Biotoxin sorbent and preparation method thereof

Номер патента: RU2426445C1. Автор: Чжихун ЛИ,Цзюань ЯО,Бинь ТАНЬ,Сюэфэн ЮЙ,Миньхуа ЮЙ,Цзиньлинь ЧЖУ,Сюэфэн ЮЙ (CN),Чжихун ЛИ (CN),Миньхуа ЮЙ (CN),Цзюань ЯО (CN),Бинь ТАНЬ (CN),Цзиньлинь ЧЖУ (CN). Владелец: Эйнджел Йист Ко., Лтд. Дата публикации: 2011-08-20.

Composite material containing fibres, shape of which provides adhesion thereof, and production method thereof

Номер патента: RU2597375C2. Автор: Марк С. ВИЛЕНСКИ,Майкл П. КОЗАР. Владелец: Зе Боинг Компани. Дата публикации: 2016-09-10.

Gypsum products using dispersant with two repeating elementary units, and preparation method thereof

Номер патента: RU2420471C2. Автор: Майкл П. ШЕЙК,Дэннис М. ЛЕТТКЕМАН,Джон В. УИЛСОН,Брайан РЭНДАЛЛ,Дэвид Р. БЛЭКБЕРН,Цинсиа ЛЮ. Владелец: ЮНАЙТЕД СТЭЙТС ДЖИПСУМ КОМПАНИ. Дата публикации: 2011-06-10.

5-BROMO-2-(α-HYDROXYPENTYL)BENZOIC ACID SODIUM SALTS IN DIFFERENT CRYSTAL FORMS AND PREPARATION METHOD THEREOF

Номер патента: RU2643802C2. Автор: Цзюньбяо ЧАН,Чуаньцзюнь СУН. Владелец: Чжэцзян Аусун Фармасьютикал Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-02-06.

Bicycle, assembly method thereof and storage method thereof

Номер патента: RU2669329C2. Автор: Йоханнес ХЕННЕКЕНС,Лаури Микаел ОХРА-АХО,Сэмюел ЭЛЛИС,Грег ФОЛЕТТА. Владелец: Форд Глобал Технолоджис, ЛЛК. Дата публикации: 2018-10-10.

Diamides of 4,7-disubstituted 1,10-phenanthroline-2,9-dicarboxylic acids, synthesis method thereof and extraction mixture based thereon

Номер патента: RU2601554C2. Автор: Марина Дмитриевна Решетова,Василий Александрович Бабаин,Михаил Юрьевич Аляпышев,Наталия Евгеньевна Борисова,Людмила Игоревна Ткаченко,Андрей Алексеевич Костин,Екатерина Владимировна Кенф. Владелец: Открытое акционерное общество "Радиевый институт им. В.Г.Хлопина". Дата публикации: 2016-11-10.

Compound of 3-hydroxyl pyridine, preparation method thereof and pharmaceutical use thereof

Номер патента: US20180117021A1. Автор: YU Jing,Ming Guo,Suixiong Cai,Guangfeng Wang,Yunlong Zhou,Lingling JIAO,Ping MIN. Владелец: SHENYANG SUNSHINE PHARMACEUTICAL CO Ltd. Дата публикации: 2018-05-03.

Biomacromolecule, preparation method thereof, and use thereof in film material

Номер патента: LU102464B1. Автор: Yan Li,Xiaodeng Yang. Владелец: Univ Qilu Technology. Дата публикации: 2021-08-04.

Polyurethane nanofiber waterproof moisture-permeable film, preparation method thereof and application thereof

Номер патента: US20240158957A1. Автор: Yong Jin,PENG Wang,Pan Jiang,Xinglei Zhao,Ting Hua. Владелец: Jiaxing Sibaite Nanofiber Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Weather-resistant composite floor and preparation method thereof, and artificial mineral board and preparation method thereof

Номер патента: US20200047469A1. Автор: Qinghua FANG. Владелец: Zhejiang Tianzhen Bamboo & Wood Development Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Reaction apparatus and processing method thereof, and preparation device of microspheres for embolization and preparation method thereof

Номер патента: US20220331769A1. Автор: Yadan MA. Владелец: Suzhou Hengrui Hongyuan Medical Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Deicing and anti-icing fluid based on ultra-long chain viscoelastic surfactant and preparation method thereof

Номер патента: CA3042596C. Автор: Hongyao YIN,Yujun FENG. Владелец: Sichuan University. Дата публикации: 2021-04-13.

Stent manufacturing method thereof and indwelling method thereof

Номер патента: US20010056296A1. Автор: Akira Ogawa,Yoichi Sugita,Kenji Kyo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-27.

Brake pressure control apparatus which regulates deceleration rate while braking according to brake pressure and method thereof

Номер патента: US20110204710A1. Автор: Won-Bae Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-25.

Pyrrolopyrazole derivatives, preparation method thereof and application thereof in medicine

Номер патента: US20220259215A1. Автор: Feng Ren,Yongmei Xu,Chunlin Chen,Jinna Cai,Xianlian WANG. Владелец: Medicilon Preclinical Research Shanghai LLC. Дата публикации: 2022-08-18.

Structural analog of cyclotheonellazole a, and synthetic method therefor and application method thereof

Номер патента: US20240246998A1. Автор: Limin Li,Shengquan Hu,Zhengzhi WU,Bohua LONG,Zhiyue Li,Liuyang Pu. Владелец: Second People's Hospital Of Shenzhen Shenzhen Institute Of Geriatrics. Дата публикации: 2024-07-25.

Nutrition gum and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2006126786A1. Автор: Seung Hee Shin. Владелец: Seung Hee Shin. Дата публикации: 2006-11-30.

Contact lenses and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20240293984A1. Автор: Han-Yi Chang,Ting-yu LI. Владелец: Pegavision Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Gas-phase aldehyde hydrogenation catalyst, preparation method thereof and application thereof

Номер патента: US20240335828A1. Автор: Yu Liang,Gang Wang,Zidong Wang,Famin Sun,Ruifeng Li,Xianjun Wu,Hongyu Tian,Shurong NI,Endong Xia. Владелец: Petrochina Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

NH2-POSS-bisDOPO Flame Retardant as Well as Preparation Method Thereof and Application Thereof

Номер патента: LU500137B1. Автор: Mingyu Wen,Jiazhi Zhu,Junxian Xu. Владелец: Univ Beihua. Дата публикации: 2021-11-08.

Precursor compound of tetracyclic hydrocarbon and preparation method thereof, and tetracyclic hydrocarbon and preparation method and use thereof

Номер патента: US20240327318A1. Автор: LI Wang,Jijun Zou,Xiangwen ZHANG,Lun PAN,Xinfang Zhang,Chengxiang SHI. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-10-03.

Novel compound, preparation method thereof, and antibiotic composition comprising same

Номер патента: AU2021384582A9. Автор: Marco Ciufolini,Jusuk LEE,Young-Jin Son,Dahyun KIM,Hee-Jong HWANG. Владелец: A&j Science Co ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Compound of 5-hydroxyl-1,7-naphthyridine substituted by aryl or heteroaryl, preparation method thereof and pharmaceutical use thereof

Номер патента: US09994566B2. Автор: YU Jing,Ming Guo,Suixiong Cai,Guangfeng Wang,Yunlong Zhou,Lingling JIAO,Ping MIN. Владелец: SHENYANG SUNSHINE PHARMACEUTICAL CO Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Measurement device, measurement method, program and recording medium

Номер патента: US09867559B2. Автор: Hideo Sato. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Polymer membrane for gas separation or enrichment comprising hybrid nanoporous material, uses thereof, and a preparation method thereof

Номер патента: US09861932B2. Автор: Jong San Chang,Young Kyu HWANG,U-Hwang LEE,Kyung Ho Cho,Seung Eun Nam,Do Young HONG,Sue Kyung Lee,You In Park,Hye Rim SONG. Владелец: Korea Research Institute of Chemical Technology KRICT. Дата публикации: 2018-01-09.

Green manure covering device for pomelo orchards and covering method thereof

Номер патента: LU505141B1. Автор: Jie Wu. Владелец: Univ Guizhou Education. Дата публикации: 2024-03-21.

Bimetallic coordination metal-organic framework material, preparing method thereof, and application thereof

Номер патента: US20230286894A1. Автор: Jun He,Zhiqing LIU,Zhengtao Xu,Gengyuan Zhang,Jieying HU,Liangming Tang,Xinhe Ye. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2023-09-14.

Self-lubricating and wear-resistant aluminum matrix composite gear and preparation method thereof

Номер патента: LU503156B1. Автор: Xinxin Wang,Yingjie He,Jiabao CHEN,Shaozhu Wang,Wenying Guo,Wenhao Xue,Yingzheng Li. Владелец: Univ Qingdao Technology. Дата публикации: 2023-06-08.

Unidirectional nanopore dehydration-based functional polymer membrane or hydrogel membrane, preparation method thereof and device thereof

Номер патента: US12037474B2. Автор: Xuan Dong,Haiyan Wang,Meng Zhang,Yuqing Zhang,Zhenzhen WEI,Jixin Li,Zhihao ZHONG,Hengda WANG,Fengya JING,Shuxiang ZHAO,Yujie WENG,Zhengguo WEI. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-16.

Benzofuran compounds, compositions, kits and/or methods thereof

Номер патента: US20150133498A1. Автор: Karla-Sue C. Marriott. Владелец: Savannah State University. Дата публикации: 2015-05-14.

Braking force measuring method

Номер патента: US20240240612A1. Автор: Osamu Nohara,Hirofumi Komori. Владелец: Nabtesco Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Chiral diene ligands, a fabrication method thereof and applications thereof

Номер патента: US8586810B2. Автор: Hsyueh-Liang Wu,Chia-Chen Liu,Chun-Chih Chen,Wei-Ting Wei,Jo-Hsuan Fang. Владелец: National Taiwan Normal University NTNU. Дата публикации: 2013-11-19.

Chiral diene ligands, a fabrication method thereof and applications thereof

Номер патента: US20130096348A1. Автор: Hsyueh-Liang Wu,Chia-Chen Liu,Chun-Chih Chen,Wei-Ting Wei,Jo-Hsuan Fang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-18.

Polycarbonate, method for preparing thereof, and application thereof

Номер патента: US20200339747A1. Автор: Yamin Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Hydrophilic acrylic-modified polyurethane and method for preparing same, and water-based paint composition prepared therefrom and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230235112A1. Автор: Jae Hoon Lee,Hoon Ryu,Jun Seop Im,Seong Ye SEO. Владелец: Samyang Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Fluorescent polycarboxylate superplasticizer and preparation method thereof

Номер патента: US20200299191A1. Автор: Wei Li,Chunyang Zheng,Shanshan Qian,Haidong Jiang,Chunman Huang,Yangcheng HU,Jiezhong Gan. Владелец: Jiangsu China Railway ARIT New Materials Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Unidirectional nanopore dehydration-based functional polymer membrane or hydrogel membrane, preparation method thereof and device thereof

Номер патента: US20230295387A1. Автор: Xuan Dong,Haiyan Wang,Meng Zhang,Yuqing Zhang,Zhenzhen WEI,Jixin Li,Zhihao ZHONG,Hengda WANG,Fengya JING,Shuxiang ZHAO,Yujie WENG,Zhengguo WEI. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-09-21.

Compound of 5-hydroxyl-1,7-naphthyridine substituted by aryloxy or heteroaryloxy, preparation method thereof and pharmaceutical use thereof

Номер патента: US20180118739A1. Автор: YU Jing,Ming Guo,Suixiong Cai,Guangfeng Wang,Yunlong Zhou,Lingling JIAO,Ping MIN. Владелец: SHENYANG SUNSHINE PHARMACEUTICAL CO Ltd. Дата публикации: 2018-05-03.

Measurement device, measurement method, and recording medium storing a measurement program

Номер патента: US20140257117A1. Автор: Toshihiko Ogura,Hironori Sato,Hideo Utsuno,Keisuke Yamada,Hiroshi Matsuhisa. Владелец: OMRON HEALTHCARE CO LTD. Дата публикации: 2014-09-11.

Measurement device, measurement method, and recording medium storing a measurement program

Номер патента: US10085650B2. Автор: Toshihiko Ogura,Hironori Sato,Hideo Utsuno,Keisuke Yamada,Hiroshi Matsuhisa. Владелец: OMRON HEALTHCARE CO LTD. Дата публикации: 2018-10-02.

Infrared-excited infrared luminescent material, preparation method thereof, security articles for anti-counterfeit

Номер патента: US20240263071A1. Автор: Sang Geun Lee,Shi Surk KIM,Woo Sung Lim,Si Bo Kim. Владелец: Nano CMS Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Nanotube dispersion, nanotube film using the nanotube dispersion and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230340281A1. Автор: Sang Seok Lee,Dong Su Lee,Jungwon Kim,Jangyup Son,Seokhoon AHN,Se Gyu Jang,Yongho Joo,Dae-Young Jeon,Sukang Bae. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-10-26.

Biodegradable material, and film product and application thereof

Номер патента: US20240309205A1. Автор: XING Yu,Kai Su,Xiaolu Chen,Jingjing Shen,Jianjun Miao,Zhanping Yang,Yinchun Liang,Riting SU. Владелец: Zhuhai Cellulose Fibers Co ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

1,3-di-oxo-indene derivative, pharmaceutically acceptable salt or optical isomer thereof, preparation method thereof, and pharmaceutical composition containing same as an antiviral, active ingredient

Номер патента: EP4360710A3. Автор: JOHAN Neyts,HENDRIK Jan Thibaut,Pil Ho Kim,Young Sik Jung,Soo Bong Han,Hae Soo Kim,Chong Kgo Lee,Ihl Young Choi. Владелец: Korea Research Institute of Chemical Technology KRICT. Дата публикации: 2024-08-07.

Biodegradable material, and film product and application thereof

Номер патента: EP4442760A1. Автор: XING Yu,Kai Su,Xiaolu Chen,Jingjing Shen,Jianjun Miao,Zhanping Yang,Yinchun Liang,Riting SU. Владелец: Nantong Celluose Fibers Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Multi-temperature air conditioning system, control method thereof and transport refrigeration vehicle

Номер патента: EP4438355A2. Автор: Fei Xie,Hai Tian. Владелец: Carrier Corp. Дата публикации: 2024-10-02.

Escherichia coli compositions and methods thereof

Номер патента: US20240325513A1. Автор: Rosalind PAN,Robert G.K. DONALD. Владелец: PFIZER INC. Дата публикации: 2024-10-03.

Multi-temperature air conditioning system, control method thereof and transport refrigeration vehicle

Номер патента: EP4438354A2. Автор: Kun Chen,Hai Tian,Chengwei TANG. Владелец: Carrier Corp. Дата публикации: 2024-10-02.

Polyisocyanate modified with sulphamic acid, preparation method thereof and use thereof

Номер патента: US09975985B2. Автор: ZHEN Wang,Xueshun JI,Yunquan Jin,Zhengchao LIN,Ruiquan QI. Владелец: Wanhua Chemical Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Indocyanine compound, synthesis method and purification method thereof, diagnostic composition using the indocyanine compound, and device for measuring biokinetics and device for visualizing circulation using the diagnostic composition

Номер патента: US09844606B2. Автор: Hitoshi Hirata,Tetsuya Arai,Katsunori Teranishi. Владелец: Mie University NUC. Дата публикации: 2017-12-19.

1,3-Di-oxo-indene derivative, pharmaceutically acceptable salt or optical isomer thereof, preparation method thereof, and pharmaceutical composition containing same as an antiviral, active ingredient

Номер патента: US09833423B2. Автор: JOHAN Neyts,HENDRIK Jan Thibaut,Young Sik Jung,Soo Bong Han,Hae Soo Kim,Chong Kgo Lee,Ihl Young Choi,Phil Ho Kim. Владелец: Korea Research Institute of Chemical Technology KRICT. Дата публикации: 2017-12-05.

High strength flake graphite cast iron having excellent workability and preparation method thereof

Номер патента: US09689059B2. Автор: Ki Hwan JUNG,Sik Yang,Jae Hyoung HWANG,Jong Kwon CHUNG. Владелец: Doosan Infracore Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Game system, a controlling method of the game system thereof, and a non-transitory computer-readable storage medium thereof

Номер патента: US09675885B2. Автор: Atsushi Fukushima,Jirou Taoka. Владелец: Capcom Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Gasket and the manufacturing method thereof

Номер патента: US09664286B2. Автор: JONG CHUL LEE,Eui Hwan Son. Владелец: Kuk Il Inntot Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Biodegradable and thermosensitive poly(organophosphazene) hydrogel, preparation method thereof and use thereof

Номер патента: US09526699B2. Автор: Soo-Chang Song,Chang-Won Kim,Sun-Mi Lee,Mi-Ran Park. Владелец: Korea Institute of Science and Technology KIST. Дата публикации: 2016-12-27.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Electrical resistance measurement connector, electrical resistance measurement connector device and manufacturing method thereof, and circuit board electrical resistance measurement device and measurement method

Номер патента: JP4380373B2. Автор: 潔 木村,杉郎 下田,富士雄 原. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2009-12-09.

Method for forming a memory device, semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: TWI264800B. Автор: Chin-Ta Su,Shing-Ann Luo,Chien-Hung Lu,Kuang-Wen Liu,Lee-Jen Chen. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-21.

FLASH MEMORY DEVICE AND WORDLINE VOLTAGE GENERATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120081957A1. Автор: KIM Tae-Young,KANG Dongku,Kim Moosung,Kim Seung-bum,Kwon Ohsuk,Im Jaewoo,Yu Jae-Duk. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-04-05.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE, MEMORY SYSTEM, AND READ METHOD THEREOF

Номер патента: US20120134208A1. Автор: Kim Seung Bum,Jeong Jae Yong,LEE Ju Seok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-05-31.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND BAD AREA MANAGING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120254680A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-10-04.

RESISTIVE MEMORY DEVICE AND SENSING MARGIN TRIMMING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120314478A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-12-13.

Semiconductor memory device and signal line arrangement method thereof

Номер патента: KR100549013B1. Автор: 장수봉. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-02-02.

Semiconductor memory device and data input / output method thereof

Номер патента: JP4552380B2. Автор: 利幸 西原. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-09-29.

Phase-change memory device unit construction and manufacturing method thereof

Номер патента: CN101335328B. Автор: 宋志棠,封松林,饶峰,吴良才. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2011-06-29.

Semiconductor memory device and pass / fail inspection method thereof

Номер патента: KR19990074594A. Автор: 염진선. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-10-05.

Charge-trapping memory devices and programming and erasing method thereof

Номер патента: TWI250528B. Автор: Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-01.

Charge-trapping memory devices and programming and erasing method thereof

Номер патента: TW200614252A. Автор: Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2006-05-01.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, METHOD OF CONTROLLING READ PREAMBLE SIGNAL THEREOF, AND DATA TRANSMISSION SYSTEM

Номер патента: US20120218842A1. Автор: KOSHIZUKA Atsuo. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-08-30.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, METHOD OF CONTROLLING READ PREAMBLE SIGNAL THEREOF, AND DATA TRANSMISSION SYSTEM

Номер патента: US20120236665A1. Автор: . Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-09-20.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, METHOD OF CONTROLLING READ PREAMBLE SIGNAL THEREOF, AND DATA TRANSMISSION SYSTEM

Номер патента: US20120236666A1. Автор: . Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-09-20.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, METHOD OF CONTROLLING READ PREAMBLE SIGNAL THEREOF, AND DATA TRANSMISSION SYSTEM

Номер патента: US20120236667A1. Автор: . Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-09-20.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, METHOD OF CONTROLLING READ PREAMBLE SIGNAL THEREOF, AND DATA TRANSMISSION SYSTEM

Номер патента: US20120243352A1. Автор: . Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-09-27.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, METHOD OF CONTROLLING READ PREAMBLE SIGNAL THEREOF, AND DATA TRANSMISSION SYSTEM

Номер патента: US20130010553A1. Автор: KOSHIZUKA Atsuo. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2013-01-10.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, METHOD OF CONTROLLING READ PREAMBLE SIGNAL THEREOF, AND DATA TRANSMISSION SYSTEM

Номер патента: US20130010554A1. Автор: KOSHIZUKA Atsuo. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2013-01-10.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, METHOD OF CONTROLLING READ PREAMBLE SIGNAL THEREOF, AND DATA TRANSMISSION SYSTEM

Номер патента: US20130010556A1. Автор: . Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2013-01-10.

MEASUREMENT METHOD OF DEGRADATION/ALTERATION DEGREE OF LUBRICANT OIL AND MEASUREMENT DEVICE THEREOF

Номер патента: US20120229151A1. Автор: Katafuchi Tadashi. Владелец: IDEMITSU KOSAN CO., LTD.. Дата публикации: 2012-09-13.

MEASURING METHOD FOR DEGREE OF DEGRADATION OF LUBRICATING OIL, AND MEASURING DEVICE THEREFOR, AS WELL AS LUBRICATING OIL MONITORING SYSTEM IN MACHINE AND DEVICE

Номер патента: US20120229152A1. Автор: Katafuchi Tadashi. Владелец: IDEMISU KOSAN CO., LTD. Дата публикации: 2012-09-13.

Fluid fin flow guiding type bend speed measurement device and speed measurement method of fluid fin flow guiding type bend speed measurement device

Номер патента: CN103837703B. Автор: 陈宇,李想,王寅,卢熠,陈献春,何多微,蒋孝科,林阿平,蓝德智. Владелец: FUJIAN EPRI POWER COMMISSIONING Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-01.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

POWER MONITORING DEVICE FOR IDENTIFYING STATE OF ELECTRIC APPLIANCE AND POWER MONITORING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120004871A1. Автор: . Владелец: NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

INPUT/OUTPUT DEVICE AND DRIVING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001874A1. Автор: KUROKAWA Yoshiyuki,IKEDA Takayuki. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPUTER SYSTEM AND CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001913A1. Автор: Lee Kyung-Hee. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE CAPTURE APPARATUS, CONTROL METHOD THEREOF, AND RECORDING MEDIUM

Номер патента: US20120002098A1. Автор: . Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER STRUCTURE AND FILMS FOR ID DOCUMENTS HAVING IMPROVED PROPERTIES FOR LASER ENGRAVING

Номер патента: US20120001413A1. Автор: Meyer Klaus,PUDLEINER Heinz,Tziovaras Georgios,Nickel Joerg,Yesildag Mehmet-Cengiz. Владелец: BAYER MATERIALSCIENCE AG. Дата публикации: 2012-01-05.

Measurement Device and Method Utilizing the Same

Номер патента: US20120000796A1. Автор: . Владелец: National Yunlin University of Science and Technology. Дата публикации: 2012-01-05.

INCREASING ACCURACY OF DETERMINING QUANTITATIVE COMPOSITION OF TERNARY VITREOUS CHALCOGENIDES OF GLASS AND FILMS OF VARIABLE COMPOSITION Ax(ByC1-y)1-x

Номер патента: RU2489707C1. Автор: Геннадий Алексеевич Бордовский,Павел Павлович Серёгин,Алла Валентиновна Марченко,Михаил Юрьевич Кожокарь. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский государственный педагогический университет имени А.И. Герцена". Дата публикации: 2013-08-10.

LIGHT-EMITTING DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001219A1. Автор: Park Kyungwook. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

AMINE AQUEOUS SOLUTION FOR FORMING AN ACTIVE LAYER OF POLYAMIDE REVERSE OSMOSIS COMPOSITE MEMBRANE, POLYAMIDE REVERSE OSMOSIS COMPOSITE MEMBRANE PREPARED THEREBY, AND PREPARATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003387A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

POLYURETHANE RESIN AQUEOUS DISPERSION AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120004361A1. Автор: Watanabe Masahiko,Takahashi Manabu,Takigawa Shinya. Владелец: UBE INDUSTRIES, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LUMINESCENT GLASS ELEMENT, PRODUCING METHOD THEREOF AND LUMINESCING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001091A1. Автор: . Владелец: OCEAN'S KING LIGHTING SCIENCE & TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LUMINESCENT GLASS ELEMENT, PRODUCING METHOD THEREOF AND LUMINESCING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001092A1. Автор: Zhou Mingjie,Ma Wenbo,LIU Yugang. Владелец: OCEAN'S KING LIGHTING SCIENCE & TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LUMINESCENT GLASS ELEMENT, PRODUCING METHOD THEREOF AND LUMINESCING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001093A1. Автор: . Владелец: OCEAN'S KING LIGHTING SCIENCE & TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CHIP-SIZED PACKAGE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001328A1. Автор: Huang Chien-Ping,Ke Chun-Chi,Chang Chiang-Cheng. Владелец: SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LUMINESCENT GLASS ELEMENT, PRODUCING METHOD THEREOF AND LUMINESCING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001535A1. Автор: . Владелец: OCEAN'S KING LIGHTING SCIENCE & TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Display device, pixel circuit and display drive method thereof

Номер патента: US20120001948A1. Автор: Uchino Katsuhide,Toyomura Naobumi. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

VIDEO PROCESSING APPARATUS AND CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002013A1. Автор: Asanuma Tomoya. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

HUMIDITY SENSOR PACKAGE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120000284A1. Автор: Hasegawa Hideki,Yokoyama Shinya,Waga Satoshi,Tondokoro Atsushi,Sakashita Tadashi,Morita Sumihito,Kamimura Hideki,Yamatani Masaya. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001152A1. Автор: Kim Young Sun,KIM Ki Sung,KIM Gi Bum,KIM Tae Hun,SHIN Young Chul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER LEVEL PACKAGE HAVING A PRESSURE SENSOR AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001274A1. Автор: Chen Chien-An,Huang Chun-An,Chiu Shih-Kuang,Liao Hsin-Yi,Chang Hong-Da. Владелец: SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

WAVELENGTH-TUNABLE SPECTROMETER AND WAVELENGTH TUNING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002198A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM FOR CALCULATING FUEL AMOUNT OF TRAVELLING ROUTE AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20120004838A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE FORMING APPARATUS, IMAGE READING APPARATUS, AND CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002235A1. Автор: Hinaga Keiichi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FREQUENCY CALIBRATION CIRCUIT FOR AUTOMATICALLY CALIBRATING FREQUENCY AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002764A1. Автор: Hsiao Fu-Yuan,Pan Ke-Ning. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Crosslinked Dextran Composite Magnetic Microparticles and Preparation Process and Using Method Thereof

Номер патента: US20120003321A1. Автор: . Владелец: XI'AN GOLDMAG NANOBIOTECH CO. LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRIC DOUBLE LAYER CAPACITOR, LITHIUM ION CAPACITOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002348A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DETECTOR ASSEMBLY FOR USE IN ENVIRONMENTS CONTAINING BACKGROUND MAGNETIC NOISE AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20120004878A1. Автор: . Владелец: U.S. Government as represented by the Secretary of the Army. Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002469A1. Автор: IMAMOTO Akihiro,Abiko Naofumi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SECONDARY BATTERY AND PRODUCTION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003512A1. Автор: SATO Yutaka,Tsunaki Takuro,Kohno Ryuji,HIRANO Fujio,Koseki Mitsuru. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Novel dipeptidyl peptidase iv inhibitors, synthesis methods thereof and pharmaceutical compositions containing said inhibitors

Номер патента: RU2443687C2. Автор: Баласубраманиан Гопалан,Мохаммед РАШИД,Дхамджевар РАВИ,Свами Кешавапура Хосаманэ СРИДХАРА,Ахмад ИШТИЯК. Владелец: Матрикс Лэборетериз Лтд.. Дата публикации: 2012-02-27.

CHARGE EQUILIBRIUM ACCELERATION IN A FLOATING GATE MEMORY DEVICE VIA A REVERSE FIELD PULSE

Номер патента: US20120002482A1. Автор: Kalavade Pranav,Franklin Nathan R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Polyester polymer composition, preparation method thereof and moulded article

Номер патента: RU2415164C2. Автор: Кацуя МАРУЯМА,Казунобу МАРУО,Томомити КАНДА,Цунеаки МАСУДА. Владелец: Мицубиси Гэс Кемикал Компани, Инк.. Дата публикации: 2011-03-27.

Peptide copolymer, synthesis method thereof and pharmaceutical composition based on said copolymer

Номер патента: RU2402576C1. Автор: Андрей Сергеевич Иванов,Владимир Егорович Федоров,Сергей Владимирович Перминов,Виктория Сергеевна Сергеева,Юрий Владимирович Скорняков,Иван Геннадиевич Алексеев. Владелец: Закрытое Акционерное Общество "Фарм-Синтез". Дата публикации: 2010-10-27.

RESISTANCE CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002458A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Fluorinated potassium xanthogenates, synthesis methods thereof and use in flotation benefication of sulphide ore

Номер патента: RU2454404C2. Автор: Сергей Александрович Кондратьев,Виктор Иванович Ростовцев,Юрий Сергеевич Каргаполов,Светлана Алексеевна Муха,Сергей Александрович Кондратьев (RU),Юрий Сергеевич Каргаполов (RU),Светлана Алексеевна Муха (RU),Виктор Иванович Ростовцев (RU). Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт горного дела Сибирского отделения РАН. Дата публикации: 2012-06-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.