Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • 반도체 메모리 장치 및 그 워드선 구동방법

반도체 메모리 장치 및 그 워드선 구동방법

Номер патента: KR100327780B1
Опубликовано: 21-08-2002
Автор(ы): 이츠로 이와키리
Принадлежит: 오끼 덴끼 고오교 가부시끼가이샤
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Non-volatile semiconductor memory device for selectively re-checking word lines

Номер патента: US20030012052A1. Автор: Toshihiro Tanaka,Yutaka Shinagawa,Yasuhiro Taniguchi,Kazuyoshi Shiba,Nozomu Matsuzaki. Владелец: HITACHI Ltd AND HITACHI ULSI SYSTEMS CO Ltd. Дата публикации: 2003-01-16.

Nonvolatile memory device and method controlling word line setup time based on difference in setup voltage levels

Номер патента: US09502124B2. Автор: Kitae Park,Sang-Won Park,Dongkyo Shim,Sang-Won Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Word line driver, semiconductor memory apparatus and test method using the same

Номер патента: US09620198B1. Автор: Sang Yun Nam. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Sense amplifier activation timing scheme to suppress disturbance in memory cells of dram memory device

Номер патента: US11735250B2. Автор: Takahiko Sato. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20110286262A1. Автор: Makoto Kitayama. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-11-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080212393A1. Автор: Dong-Keun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-09-04.

Sub word line driver of semiconductor memory device

Номер патента: US20180182448A1. Автор: Young Min Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Memory device having a booster circuit and a booster circuit control method

Номер патента: US5610863A. Автор: Toyonobu Yamada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1997-03-11.

Memory device performing precharge operation, and operating method thereof

Номер патента: US20240312503A1. Автор: Duck Hwa Hong,Sang Hyun Ku,Do Hong Kim,Min Ho Seok,So Yoon KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor Memory Device and Method supplying word line voltage thereof

Номер патента: KR100648280B1. Автор: 경계현,허낙원. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-11-23.

Semiconductor memory device having stabilization circuit for word line activation voltage

Номер патента: KR970067368A. Автор: 쓰도무 이치가와. Владелец: 이데이 노부유키. Дата публикации: 1997-10-13.

A semiconductor memory device capable of adjusting a word line enable time

Номер патента: KR970067357A. Автор: 박용진,강상석,곽병헌,정창영. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-10-13.

Operation method for memory device

Номер патента: US20240274169A1. Автор: Shih-Chung Lee,Chi-Yuan Chin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory device with reduced area

Номер патента: US20240257877A1. Автор: Chia-En HUANG,Chun-Ying Lee,Chieh Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory device with reduced area

Номер патента: US20230386577A1. Автор: Chia-En HUANG,Chun-Ying Lee,Chieh Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Memory device with reduced area

Номер патента: US11984165B2. Автор: Chia-En HUANG,Chun-Ying Lee,Chieh Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Integrated circuit including embedded memory device for performing dual-transient word line assist using triple power source and device having same

Номер патента: KR102423288B1. Автор: 박성현,김용호,임우진,송태중. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-07-20.

Semiconductor memory device and word line driving method thereof

Номер патента: US20100061177A1. Автор: Kang-Seol Lee,Tae-Sik Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-11.

Semiconductor memory device having dummy word lines and operating method thereof

Номер патента: US09741408B2. Автор: Yeonghun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor memory device and method for detecting weak cells

Номер патента: US09922726B2. Автор: Young-Geun Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor memory device for stably reading and writing data

Номер патента: US09672900B2. Автор: Shigeki Ohbayashi,Yasumasa Tsukamoto,Koji Nii,Makoto Yabuuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor memory device and method of testing the same

Номер патента: US09455049B2. Автор: Sung-Yub LEE,Na-Yeon Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09627069B1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US09595309B2. Автор: Chang-Hyun Kim,Jae-Jin Lee,Min-Chang Kim,Do-Yun LEE,Hun-Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Non-volatile semiconductor memory device and writing method thereof

Номер патента: US09424934B2. Автор: Mathias Yves Gilbert BAYLE. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor memory device and a method for stepping up its word lines

Номер патента: US5875133A. Автор: Takashi Kumagai,Yasunobu Tokuda,Koji Miyashita. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1999-02-23.

Word line driver, method for driving the word line driver, and semiconductor memory device having the word line driver

Номер патента: US20090323455A1. Автор: Kang-Seol Lee,Tae-Sik Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-12-31.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP1005046A2. Автор: Fumihiro Kohno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-05-31.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20210257019A1. Автор: Jungho LIM,Nogeun Joo,Byeongchan Choi,Jeongtae HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Semiconductor memory device and method for reading data therefrom

Номер патента: US5459692A. Автор: Yasuhiro Shin,Hidetaka Kodama. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1995-10-17.

Semiconductor memory device and layout structure of sub-word line control signal generator

Номер патента: US20110075505A1. Автор: In-Chul Jeong,Dong-Su Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-03-31.

Semiconductor memory device and test method for the same

Номер патента: US20230115776A1. Автор: Haruyuki Okuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

Semiconductor memory device and test method for the same

Номер патента: US12073900B2. Автор: Haruyuki Okuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor memory apparatus

Номер патента: US09530471B1. Автор: Sun Hye Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US09508454B2. Автор: Seong-Sik PARK,Ho-Youb Cho,Yo-Han JEONG,Seong-Je Park,Chang-Won Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of reducing word line resistance of a semiconductor memory

Номер патента: US5631183A. Автор: Hyeun-Su Kim,Dong-Jae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-05-20.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09466339B2. Автор: Jong Soon Leem. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Decoding drive circuit and method therefor, word line decoding circuit and semiconductor memory

Номер патента: EP4243020A1. Автор: Weibing SHANG,Minghao LI,Xianjun Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-13.

Semiconductor memory device and operating method of biasing memory blocks

Номер патента: US09842653B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20190304515A1. Автор: Hee Youl Lee,Sung In Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09640274B1. Автор: Shigeo Kondo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor memory device and driving method thereof

Номер патента: US20120294097A1. Автор: Jin-Hong An,Myoung-Jin Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-22.

Semiconductor memory device and driving method thereof

Номер патента: US20120314525A1. Автор: Jin-Hong An,Myoung-Jin Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-13.

Nonvolatile semiconductor memory device having multi-level memory cells and page buffer used therefor

Номер патента: US20070195636A1. Автор: Ho Jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-23.

Semiconductor memory device, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US9384846B1. Автор: Keon Soo Shim,Bong Yeol PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Semiconductor memory device including dummy memory cells and method of operating the same

Номер патента: US09679657B2. Автор: Kyoung Jin PARK,Byeong Il HAN,Sung Ho Bae. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09502126B1. Автор: Dong Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US7826272B2. Автор: Takashi Sakoh. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-11-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080037335A1. Автор: Takashi Sakoh. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-02-14.

Nonvolatile memory device and method of driving word line of the nonvolatile memory

Номер патента: US09779790B2. Автор: Kitae Park,Sang-Won Park,Sang-Won Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Nonvolatile memory device and method of driving word line of the nonvolatile memory

Номер патента: US09431062B2. Автор: Kitae Park,Sang-Won Park,Sang-Won Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor memory device having burn-in test function

Номер патента: US5119337A. Автор: Mitsuru Shimizu,Shozo Saito,Syuso Fujii. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-06-02.

Sub word line driving circuit and a semiconductor memory device using the same

Номер патента: US5835439A. Автор: Jung Won Suh. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-11-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20100014375A1. Автор: Tomoaki Yabe,Akihito Tohata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-21.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20040027859A1. Автор: Jun Ohtani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-02-12.

Peripheral circuit, semiconductor memory device and operating method of the semiconductor device and/or peripheral circuit

Номер патента: US09715934B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

High density semiconductor memory devices

Номер патента: US20130141965A1. Автор: Youngmin KANG,Jaekyu Lee,Hyunju Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-06.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09575880B2. Автор: Yong Deok Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20180040378A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12100470B2. Автор: Hideyuki Kataoka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Magnetic memory device

Номер патента: US7903455B2. Автор: Tsutomu Sugawara,Daisuke Kurose,Masanori Furuta,Mai Nozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-03-08.

Magnetic memory device

Номер патента: US20090219753A1. Автор: Tsutomu Sugawara,Daisuke Kurose,Masanori Furuta,Mai Nozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-03.

Non-volatile semiconductor memory device with multiple pass voltage and improved verification and programming operating method thereof

Номер патента: US09761313B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor memory device with data and local redundancy memory cell arrays, and redundancy method thereof

Номер патента: US20080049526A1. Автор: Seung-Bum Ko,Han-Gyun Jung,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-28.

Semiconductor memory column decoder device and method

Номер патента: US09466380B2. Автор: Tomoharu Tanaka,Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Volatile memory device and electronic device comprising refresh information generator, information providing method thereof, and refresh control method thereof

Номер патента: US09928895B2. Автор: Yanggyoon Loh,Hoyoung SONG,Sangwoong Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Nand flash memory device capable of selectively erasing one flash memory cell and operation method thereof

Номер патента: US20230128347A1. Автор: Jong-ho Lee,Honam YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Variable resistance memory device including bidirectional switch, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US20180144793A1. Автор: Sungkyu Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-24.

Integrated circuit including embedded memory device for performing dual-transient word line assist using triple power source and device having the same

Номер патента: US20170194047A1. Автор: Sung Hyun Park,Yong Ho Kim,Tae Joong Song,Woojin Rim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-06.

Memory device including page buffer, memory system including page buffer, and operating method thereof

Номер патента: US20240242745A1. Автор: Yan Wang,Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory device capable of repairing defective word lines

Номер патента: US20230079020A1. Автор: Sangho Shin,Kan-Yuan Cheng,Hee-Seong KIM,Tien-Chieh Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-03-16.

Three-dimensional memory device containing horizontal and vertical word line interconnections and methods of forming the same

Номер патента: WO2021158252A1. Автор: Koichi Ito,Yoshinobu Tanaka,Hirofumi TOKITA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-08-12.

Nonvolatile memory device including a plurality of input/output units and an operating method thereof

Номер патента: US20180122496A1. Автор: Hyunjin Kim,Kwang Won Kim,Dongku Kang,Kyung-Min Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-03.

Nonvolatile memory device including a plurality of input/output units and an operating method thereof

Номер патента: US20210057037A1. Автор: Hyunjin Kim,Kwang Won Kim,Dongku Kang,Kyung-Min Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

Nonvolatile memory device including a plurality of input/output units and an operating method thereof

Номер патента: US20200105362A1. Автор: Hyunjin Kim,Kwang Won Kim,Dongku Kang,Kyung-Min Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor memory device and refresh control method thereof

Номер патента: US09672889B2. Автор: Sung-Soo Chi,Sung-Yub LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor memory device and refresh control method

Номер патента: US7760572B2. Автор: Gen Koshita. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-07-20.

Semiconductor memory device and refresh control method

Номер патента: US20100246304A1. Автор: Gen Koshita. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-09-30.

Semiconductor memory device outputting read-busy signal and memory system including the same

Номер патента: US09911479B2. Автор: Kwang Hyun Kim,Jae Hyeong Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor memory device, method of performing a refresh for semiconductor memory device and refresh counter in semiconductor memory device

Номер патента: US09601179B2. Автор: Young-Yong Byun,Whi-Young Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Block decoding circuits of semiconductor memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US20090196112A1. Автор: Yong-ho Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-08-06.

Semiconductor memory device and data masking method of the same

Номер патента: US20090161445A1. Автор: Sang Hee Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US9899095B2. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor memory device and erasing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210327805A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12125542B2. Автор: Takao Nakajima,Tadashi Someya,Masaki Fujiu,Fumihiro Kono,Kiyoaki Iwasa,Hayato Konno,Wataru Moriyama. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180090220A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Hiroe MINAGAWA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-29.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US20150380100A1. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US9536615B2. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US9165651B2. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-20.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US09484106B2. Автор: Katsuaki Matsui. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Method of fabricating a semiconductor memory having an address decoder

Номер патента: US5733807A. Автор: Yasutaka Shiozawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-03-31.

Semiconductor memory and method of fabricating the same

Номер патента: US5661676A. Автор: Yasutaka Shiozawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-08-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180277222A1. Автор: Shigeo Kondo. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Asymmetric semiconductor memory device having electrically floating body transistor

Номер патента: US09524970B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor memory device and erasing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US11804429B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor memory device and methods of performing a stress test on the semiconductor memory device

Номер патента: WO2010068591A1. Автор: Nan Chen,ChangHo Jung,Zhiqin Chen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20070171701A1. Автор: Ryoutaka Kitou. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-07-26.

Nonvolatile semiconductor memory device having electrically and collectively erasable characteristics

Номер патента: EP1158535A2. Автор: Minoru Yamashita,Hiromi Kawashima,Takao Akaogi,Nobuaki Takashina,Yasushi Kasa,Kiyoshi Itano,Shouichi Kawamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-11-28.

Method for testing semiconductor memory device

Номер патента: US7813195B2. Автор: Shun-Ke WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2010-10-12.

Semiconductor memory device comprising different type memory cells

Номер патента: US4799196A. Автор: Yoshihiro Takemae. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-01-17.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20160322369A1. Автор: Noboru Shibata,Hiroshi Sukegawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8116112B2. Автор: Tadashi Miyakawa,Daisaburo Takashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-02-14.

Circuit for checking memory cells of programmable MOS-integrated semiconductor memories

Номер патента: US4458338A. Автор: Burkhard Giebel,Lothar Schrader,Hans Moormann. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1984-07-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200194087A1. Автор: Toshifumi Watanabe,Naofumi ABIKO,Mario Sako. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Semiconductor memory device preventing a malfunction caused by a defective main word line

Номер патента: US6172934B1. Автор: Teruyuki Uchihira. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-01-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP1158532A2. Автор: Minoru Yamashita,Hiromi Kawashima,Takao Akaogi,Nobuaki Takashina,Yasushi Kasa,Kiyoshi Itano,Shouichi Kawamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-11-28.

Semiconductor memory device having shared bit line sense amplifier scheme and driving method thereof

Номер патента: TW200713306A. Автор: Dong-Keun Kim,Chang-Ho Do. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-04-01.

Semiconductor memory device with shortened time period of word line selection

Номер патента: US4707809A. Автор: Manabu Ando. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1987-11-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20140204653A1. Автор: Toshiharu Watanabe,Yoshiaki Asao. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-07-24.

Semiconductor memory device including a dummy word line

Номер патента: US20180182722A1. Автор: Sung Ho Kim,Young Min Kim,Sung Soo Chi,Duk Su Chun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Memory device, integrated circuit device and method

Номер патента: US12080346B2. Автор: JEN-CHIEH LIU,Meng-Fan Chang,Jui-Jen Wu,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Nonvolatile memory devices and methods forming the same

Номер патента: US09754957B2. Автор: Changhyun LEE,Byoungkeun Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Nonvolatile memory device for invalidating data stored therein, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US20200090746A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sang-Gu JO,Jae-Min Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-03-19.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING SUB WORD LINE DRIVER AND DRIVING METHOD THEREOF

Номер патента: US20140347951A1. Автор: KIM Hyun-Ki. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-27.

Semiconductor memory device having sense amplifier having improved activation timing thereof and operating method thereof

Номер патента: US4916671A. Автор: Tetsuichiro Ichiguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1990-04-10.

Asymmetric Semiconductor Memory Device Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20230354581A1. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor memory information storage device and writing control method thereof

Номер патента: TWI390402B. Автор: Toshio Suzuki. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2013-03-21.

Memory device

Номер патента: US20200202929A1. Автор: Jui-Jen Wu,Sheng-Tsai Huang,Fan-yi Jien,Junhua Zheng. Владелец: Alto Memory Technology Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor memory having hierarchical bit line and/or word line architecture

Номер патента: TW419668B. Автор: Gerhard Mueller,Hing Wong,Toshiaki Kirihata. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2001-01-21.

Semiconductor Memory Device for applying temperature-compensated word line voltage in read operation and method thereof

Номер патента: KR102083496B1. Автор: 이응석,송영선,박일한. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2020-03-02.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US11361824B1. Автор: Wen-Jer Tsai,Cheng-Hsien Cheng,Shaw-Hung Ku,Chun-Chang LU. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-14.

Semiconductor memory element, semiconductor device and control method thereof

Номер патента: US20030094647A1. Автор: Taro Osabe,Tomoyuki Ishii. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-22.

3-level nonvolatile semiconductor memory device for reducing coupling noise between memory cells and driving method thereof

Номер патента: JP5172168B2. Автор: 起台 朴,正達 崔. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-03-27.

Memory device and read operation method thereof

Номер патента: US20150023120A1. Автор: Kuen-Long Chang,Ken-Hui Chen,Su-Chueh Lo,Chia-Jung Chen,Chin-Hung Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-22.

Low power memory device with column and row line switches for specific memory cells

Номер патента: US20180233182A1. Автор: Chih-Cheng Hsiao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-08-16.

3d memory with vertical bit lines and staircase word lines and vertical switches and methods thereof

Номер патента: WO2013188172A1. Автор: Raul-Adrian Cernea,Roy E. Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2013-12-19.

Non-volatile memory device

Номер патента: US12131784B2. Автор: Sangwon Park,Byungsoo Kim,Bongsoon LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor memory device having shared bit line sense amplifier scheme and driving method thereof

Номер патента: KR100744657B1. Автор: 김동근,도창호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-08-01.

Semiconductor memory device having shared bit line sense amplifier scheme and driving method thereof

Номер патента: KR20070036574A. Автор: 김동근,도창호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-04-03.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230206975A1. Автор: Jihun Byun,Yongjae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-29.

Hybrid dynamic word line start voltage

Номер патента: US20240282381A1. Автор: Deping He,Kulachet Tanpairoj,Chun Sum Yeung. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Non-volatile semiconductor memory device for selectively re-checking word lines

Номер патента: KR101160634B1. Автор: 테츠후미 카와무라,요시타카 사사고. Владелец: 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤. Дата публикации: 2012-07-03.

Semiconductor memory element, semiconductor device and control method thereof

Номер патента: TW584961B. Автор: Taro Osabe,Tomoyuki Ishii. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2004-04-21.

Low power memory device

Номер патента: US09928886B2. Автор: Chih-Cheng Hsiao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-03-27.

Resistive memory device, resistive memory system, and method of operating resistive memory device

Номер патента: US09633726B2. Автор: Hyun-Kook PARK,Yeong-Taek Lee,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Memory device, operation method thereof and memory system having the same

Номер патента: US20130336079A1. Автор: In Chul JEONG,Ki Heung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-12-19.

Semiconductor memory information accumulation device and writing control method for it

Номер патента: TW200933363A. Автор: Toshio Suzuki. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2009-08-01.

Semiconductor memory information accumulation device and its write-in control method

Номер патента: EP2180409A4. Автор: Toshio Suzuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-28.

A semiconductor memory device having internal circuits for improving test efficiency and the test method thereof

Номер патента: KR100450682B1. Автор: 정우섭,김성율,초종복. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-10-01.

Semiconductor memory device having low power consumption type column decoder and read operation method thereof

Номер патента: US8531894B2. Автор: Yong Deok Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-09-10.

A synchronous semiconductor memory device with an wave pipeline scheme and a data path control method thereof

Номер патента: TW434540B. Автор: Nam-jong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-05-16.

Semiconductor memory device capable of controlling floating state of adjacent wl and operating method thereof

Номер патента: KR20230068264A. Автор: 박현국,최사라. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2023-05-17.

Semiconductor memory device having hierarchical structure of data input/output line and precharge method thereof

Номер патента: US20040085841A1. Автор: Kyu-Nam Lim,Kye Kyung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-05-06.

Semiconductor memory device having low power consumption type column decoder and read operation method thereof

Номер патента: US7952943B2. Автор: Yong Deok Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-05-31.

Word line voltage control for reduced voltage disturbance during memory operations

Номер патента: US20240212735A1. Автор: Makoto Kitagawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Resistive memory device including reference cell to compensate for a leakage current

Номер патента: USRE50133E1. Автор: Artur ANTONYAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory device, peripheral circuit thereof and single-byte data write method thereof

Номер патента: US09805776B2. Автор: Yih-Lang Lin. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Power-independent semiconductor memory module and method for controlling its word lines

Номер патента: DE19860871B4. Автор: Ki-hwan Choi,Jong-Min Suwon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-10-25.

Memory device, integrated circuit device and method

Номер патента: US20230377645A1. Автор: JEN-CHIEH LIU,Meng-Fan Chang,Jui-Jen Wu,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Combined semiconductor memory and logic device and memory test control circuit and memory test method therefor

Номер патента: DE19823583B4. Автор: Sang-Bong Park,Jong-Taek Kwak,Jong-Hak Won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-07-18.

Non-volatile memory device and control method

Номер патента: US11862230B2. Автор: Jianquan Jia,Kaikai You,Ying Cui. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Nonvolatile memory devices and methods forming the same

Номер патента: US20150214243A1. Автор: Changhyun LEE,Byoungkeun Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-30.

Nonvolatile memory devices and methods forming the same

Номер патента: US20140104945A1. Автор: Changhyun LEE,Byoungkeun Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-17.

Nonvolatile memory devices and methods forming the same

Номер патента: US20180019258A1. Автор: Changhyun LEE,Byoungkeun Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-18.

Neighboring word line program disturb countermeasure for charge-trapping memory

Номер патента: US09552251B2. Автор: Jian Chen,Yingda Dong,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-01-24.

Non-volatile memory device with single transistor memory cell

Номер патента: US20070253247A1. Автор: Michael Sommer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-11-01.

Circuit and method for memory device with defect current isolation

Номер патента: US6154401A. Автор: Brent Keeth,Stephen L. Casper,David Pinney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-11-28.

Low power memory device with column and row line switches for specific memory cells

Номер патента: US20200194046A1. Автор: Chih-Cheng Hsiao. Владелец: Chih-Cheng Hsiao. Дата публикации: 2020-06-18.

MEMORY DEVICE AND AN EDGE WORD LINE MANAGEMENT METHOD THEREOF

Номер патента: US20170117056A1. Автор: Hirano Makoto,LEE YEONG-TAEK,PARK HYUN-KOOK. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

Three dimension memory device

Номер патента: US20230082248A1. Автор: Teng-Hao Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-16.

Memory device with multiple layers

Номер патента: US10950617B2. Автор: Hideto Takekida. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-03-16.

Low power memory device

Номер патента: US20170372758A1. Автор: Chih-Cheng Hsiao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-12-28.

SEMICONDUCTOR MEMORY COLUMN DECODER DEVICE AND METHOD

Номер патента: US20130315001A1. Автор: Yamada Shigekazu,Tanaka Tomoharu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-11-28.

SEMICONDUCTOR MEMORY COLUMN DECODER DEVICE AND METHOD

Номер патента: US20170125106A1. Автор: Yamada Shigekazu,Tanaka Tomoharu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2017-05-04.

SEMICONDUCTOR MEMORY COLUMN DECODER DEVICE AND METHOD

Номер патента: US20160232974A9. Автор: Yamada Shigekazu,Tanaka Tomoharu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2016-08-11.

SEMICONDUCTOR MEMORY COLUMN DECODER DEVICE AND METHOD

Номер патента: US20180342299A1. Автор: Yamada Shigekazu,Tanaka Tomoharu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-11-29.

3d memory with vertical bit lines and staircase word lines and vertical switches and methods thereof

Номер патента: US20130339571A1. Автор: Roy E. Scheuerlein,Raul Adrian Cernea. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2013-12-19.

3D memory with vertical bit lines and staircase word lines and vertical switches and methods thereof

Номер патента: CN104520930A. Автор: R.E.朔伊尔莱因,R-A.塞尔尼. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2015-04-15.

Memory device with different types of capacitors and method for forming the same

Номер патента: US20220157821A1. Автор: Jung-Hsing Chien. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Systems and methods for a magnetic memory device that includes a single word line transistor

Номер патента: TW200721160A. Автор: Chia-Hua Ho. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-01.

Systems and methods for a magnetic memory device that includes a single word line transistor

Номер патента: TWI309823B. Автор: Chia Hua Ho. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-11.

Method and system for writing to and reading from a memory device

Номер патента: US20200335149A1. Автор: Markus R. Silvestri,Terry L. Street,Alberto Rodriguez,Ron Edward Dufort,Christopher P. Caporale. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

VOLATILE MEMORY DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE COMPRISING REFRESH INFORMATION GENERATOR, INFORMATION PROVIDING METHOD THEREOF, AND REFRESH CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20180174641A1. Автор: Song Hoyoung,LOH Yanggyoon,SHIN Sangwoong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2018-06-21.

VOLATILE MEMORY DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE COMPRISING REFRESH INFORMATION GENERATOR, INFORMATION PROVIDING METHOD THEREOF, AND REFRESH CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20170221546A1. Автор: Song Hoyoung,LOH Yanggyoon,SHIN Sangwoong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2017-08-03.

Volatile memory device and electronic device comprising refresh information generator, information providing method thereof, and refresh control method thereof

Номер патента: US10297306B2. Автор: Yanggyoon Loh,Hoyoung SONG,Sangwoong Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-21.

INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING EMBEDDED MEMORY DEVICE FOR PERFORMING DUAL-TRANSIENT WORD LINE ASSIST USING TRIPLE POWER SOURCE AND DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20170194047A1. Автор: Kim Yong Ho,Park Sung Hyun,Song Tae Joong,Rim Woojin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2017-07-06.

THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE CONTAINING HORIZONTAL AND VERTICAL WORD LINE INTERCONNECTIONS AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20210057336A1. Автор: TOKITA Hirofumi,Toyama Fumiaki,KIM Jee-Yeon,SHAO Shiqian. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-25.

THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE CONTAINING HORIZONTAL AND VERTICAL WORD LINE INTERCONNECTIONS AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20210242128A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,ITO Koichi,TOKITA Hirofumi. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-05.

Flash memory device capable of repairing a word line

Номер патента: KR100460993B1. Автор: 이주엽. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-12-09.

Memory Device and Memory System capable of over-writing and Operating Method thereof

Номер патента: KR102275710B1. Автор: 권문상,우영재,서성용,오은주,신한신,방경일. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-07-09.

Flash memory device for adjusting non-selected word line voltage during reading

Номер патента: US8018777B2. Автор: Yong-Hoon Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-13.

Voltage generating circuit, voltage generating device and semiconductor device using the same, and driving method thereof

Номер патента: CN1689230A. Автор: 丰田健治,上田路人,森本廉,森田清之. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-26.

Memory device for avoiding multi-turn on of memory cell, and operating method thereof

Номер патента: US20210020226A1. Автор: Jongryul Kim,Ji-Hoon Lim,Venkataramana Gangasani,Taehui Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-21.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE INCLUDING A PLURALITY OF INPUT/OUTPUT UNITS AND AN OPERATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20210057037A1. Автор: KANG Dongku,Kim Hyunjin,Kim Kwang Won,KANG KYUNG-MIN. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-25.

PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE HAVING PHASE-CHANGE REGION DIVIDED INTO MULTI LAYERS AND OPERATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160072059A1. Автор: KIM Jin Hyock,Kwon Young Seok,CHAE Su Jin,PARK Hae Chan. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-10.

Nonvolatile memory device including a plurality of input/output units and an operating method thereof

Номер патента: US20200105362A1. Автор: Hyunjin Kim,Kwang Won Kim,Dongku Kang,Kyung-Min Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

SENSE AMPLIFICATION CIRCUITS, OUTPUT CIRCUITS, NONVOLATILE MEMORY DEVICES, MEMORY SYSTEMS, MEMORY CARDS HAVING THE SAME, AND DATA OUTPUTTING METHODS THEREOF

Номер патента: US20160125948A1. Автор: Im Jaewoo,Lee Taesung. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-05.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE INCLUDING A PLURALITY OF INPUT/OUTPUT UNITS AND AN OPERATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20180122496A1. Автор: KANG Dongku,Kim Hyunjin,Kim Kwang Won,KANG KYUNG-MIN. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-03.

VARIABLE RESISTANCE MEMORY DEVICE INCLUDING BIDIRECTIONAL SWITCH, MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SAME, AND OPERATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20180144793A1. Автор: JO SUNGKYU. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-24.

PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE HAVING PHASE-CHANGE REGION DIVIDED INTO MULTI LAYERS AND OPERATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20140301137A1. Автор: KIM Jin Hyock,Kwon Young Seok,CHAE Su Jin,PARK Hae Chan. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-09.

Low-voltage low-power memory device with read, write, hold, and standby assist voltages and operation method thereof

Номер патента: US11404112B2. Автор: Jinn-Shyan Wang,Chien-Tung Liu,Hao-Ping Wang. Владелец: NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-08-02.

Nand flash memory device capable of selectively erasing one flash memory cell and operating method thereof

Номер патента: KR20230059673A. Автор: 이종호,유호남. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2023-05-03.

Memory device with conditional skip of verify operation during write and operating method thereof

Номер патента: EP3937176B1. Автор: Wontaeck Jung,Joonsuc Jang,Jisang LEE,Hyunggon KIM,Garam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-22.

Memory device, device and method for memory management

Номер патента: KR101028901B1. Автор: 이용석,정현모. Владелец: (주)인디링스. Дата публикации: 2011-04-12.

Storage device and storage system capable of controlling humidity, and operation method thereof

Номер патента: US20240231611A9. Автор: Dongyoung Lee,Jaewoong Choi,Jinsoo Bae,Dasol PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Storage device and storage system capable of controlling humidity, and operation method thereof

Номер патента: US20240134520A1. Автор: Dongyoung Lee,Jaewoong Choi,Jinsoo Bae,Dasol PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor memory device and layout method of the same

Номер патента: US20040095836A1. Автор: Hyun-su Choi,Nak-woo Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-05-20.

Semiconductor memory device and arrangement method thereof

Номер патента: US20080013357A1. Автор: Chul-woo Park,Sung-Hoon Kim,Jung-Bae Lee,Hyuk-joon Kwon,Youn-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-17.

Semiconductor memory device and arrangement method thereof

Номер патента: US7679985B2. Автор: Chul-woo Park,Sung-Hoon Kim,Jung-Bae Lee,Hyuk-joon Kwon,Youn-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-03-16.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09824758B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor memory device and core layout thereof

Номер патента: US7391669B2. Автор: Hye-jin Kim,Sang-beom Kang,Woo-Yeong Cho,Choong-Keun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-24.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US20060028856A1. Автор: Kinya Ashikaga. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-09.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US6972980B2. Автор: Kinya Ashikaga. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-06.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US20050098810A1. Автор: Kinya Ashikaga. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-12.

Semiconductor memory device and arrangement method thereof

Номер патента: US20080013397A1. Автор: Chul-woo Park,Sung-Hoon Kim,Jung-Bae Lee,Hyuk-joon Kwon,Youn-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-17.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230229344A1. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09607711B1. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09672914B1. Автор: Eun Young Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor memory device and test operation method thereof

Номер патента: US09607718B2. Автор: Sung-Soo Chi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Refresh circuit having variable restore time according to operating mode of semiconductor memory device and refresh method of the same

Номер патента: US20030198099A1. Автор: Jong-Yeol Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-10-23.

Non-volatile semiconductor memory device capable of improving failure-relief efficiency

Номер патента: US20130308384A1. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Non-volatile semiconductor memory device capable of improving failure-relief efficiency

Номер патента: US20150098273A1. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-09.

Semiconductor memory device and electric device with the same

Номер патента: US20050105335A1. Автор: Riichiro Shirota,Masayuki Ichige,Kikuko Sugimae,Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-05-19.

Non-volatile semiconductor memory device and improved verification and programming method for the same

Номер патента: US09646701B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor memory device and weak cell detection method thereof

Номер патента: US09824776B1. Автор: Youk-Hee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09972397B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Transistors with source and word line voltage adjusting circuitry for controlling leakage currents and its method thereof

Номер патента: US09466342B2. Автор: Shinji Miyano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Electronic device including a semiconductor memory having memory arrays with variable resistance storage elements and a bias voltage generator arranged between the arrays

Номер патента: US09865345B2. Автор: Dong-Keun Kim,Masahiro Takahashi,Tsuneo Inaba. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09449697B2. Автор: Masaru Yano,Pin-Yao Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09997248B2. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US20140321194A1. Автор: Takeshi SONEHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-30.

Semiconductor memory device with memory cell having charge accumulation layer and control gate and memory system

Номер патента: US20100271876A1. Автор: Tomoji Takada,Hidetaka Tsuji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-28.

Semiconductor memory device with memory cell having charge accumulation layer and control gate and memory system

Номер патента: US20090010057A1. Автор: Tomoji Takada,Hidetaka Tsuji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-08.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09842641B2. Автор: Nak-Kyu Park,Sun-Hye Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09640245B2. Автор: Nak-Kyu Park,Sun-Hye Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Refresh control circuit for target refresh operation of semiconductor memory device, and operating method thereof

Номер патента: US09953696B2. Автор: Jung-Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor memory system including semiconductor memory device for performing refresh operation

Номер патента: US09830984B2. Автор: Jung-Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor memory device for performing refresh operation and semiconductor memory system including the same

Номер патента: US09508415B2. Автор: Jung-Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US5177575A. Автор: Yutaka Ikeda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-01-05.

Semiconductor memory device and memory system including same

Номер патента: US09607678B2. Автор: Seung Hoon Oh,Jong Ho Lee,Tae Young Oh,Kwang Il Park,Su Yeon Doo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor memory device and word-line activation method

Номер патента: US20200294570A1. Автор: Jian-Sing Liou,Yi Heng LIU. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor memory of the dynamic random access type (DRAM) and method for actuating a memory cell

Номер патента: US20010028597A1. Автор: HELMUT Fischer,Thoralf Grätz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-10-11.

Semiconductor memory device and manufacturing method and read/write method therefor, and electronic device and memory circuit

Номер патента: EP4395490A1. Автор: Chao Zhao,Zhengyong Zhu,Guilei Wang,BokMoon Kang. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor memory device and method of controlling semiconductor memory device

Номер патента: US20220270693A1. Автор: Hideyuki Kataoka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Semiconductor memory device and method of controlling semiconductor memory device

Номер патента: US11676673B2. Автор: Hideyuki Kataoka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-13.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09454999B2. Автор: Han Soo Joo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09552883B1. Автор: SUNG Wook Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor memory device and method relieving defect of semiconductor memory device

Номер патента: US6018488A. Автор: Yoichi Suzuki,Masami Masuda,Yasumitsu Nozawa,Akihiro Mishima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-01-25.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240237348A1. Автор: Hwayeong LEE,Seulji SONG,Hunmo Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170263318A1. Автор: SANAD Bushnaq,Takayuki Akamine,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09767910B1. Автор: SANAD Bushnaq,Takayuki Akamine,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US09355714B2. Автор: Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09349465B2. Автор: Yoon Soo JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-24.

Semiconductor memory device having transistors between bonding pads and word lines

Номер патента: US11929352B2. Автор: Hiroshi Maejima,Takashi Maeda,Masumi SAITOH,Tetsuaki Utsumi,Toshifumi Hashimoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210366551A1. Автор: Jong Hoon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor memory devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20230165005A1. Автор: Seong-hun Jeong,Joon Sung Kim,Byoung Il Lee,Jun Eon Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US20060065920A1. Автор: Taro Osabe,Takeshi Sakata,Hideaki Kurata,Tomoyuki Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-03-30.

Semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US20070257306A1. Автор: Taro Osabe,Takeshi Sakata,Hideaki Kurata,Tomoyuki Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-11-08.

Semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US7238570B2. Автор: Taro Osabe,Takeshi Sakata,Hideaki Kurata,Tomoyuki Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-07-03.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20160260483A1. Автор: Tokumasa Hara,Masanobu Shirakawa,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Semiconductor memory device capable of controlling a floating state of adjacent word lines and an operating method thereof

Номер патента: US12124702B2. Автор: Hyunkook Park,Sara Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US12125543B2. Автор: Jong Woo Kim,Eun Woo JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor memory devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US12058863B2. Автор: Seong-hun Jeong,Joon Sung Kim,Byoung Il Lee,Jun Eon Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Control circuit, peripheral circuit, semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09859008B1. Автор: Da U Ni Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Non-valatile semiconductor memory device and location based erasure methods

Номер патента: US09704579B1. Автор: Mathias Bayle. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09620221B1. Автор: Myeong Cheol SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor memory device and method for biasing same

Номер патента: US09559216B2. Автор: Timothy Thurgate,Michael A. Van Buskirk,Srinivasa Rao Banna. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor memory device and method for accessing the same

Номер патента: US09542990B2. Автор: Zhijiong Luo,Zhengyong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor memory device and driving method thereof

Номер патента: US20050249004A1. Автор: Ju-Young Seo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-11-10.

Semiconductor memory device and writing method thereof

Номер патента: US20240347103A1. Автор: Hsi-Yuan Wang,Ying-Te Tu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor memory device having memory strings coupled to bit lines and operating method thereof

Номер патента: US09899093B2. Автор: Jong Won Lee,Jin Su Park,Hyun Su WOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09836216B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09530467B1. Автор: Jin Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20160148690A1. Автор: Chi Wook An. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-26.

Non-volatile semiconductor memory device and method of making the same

Номер патента: WO2008096802A1. Автор: Masaru Kito,Mitsuru Sato,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2008-08-14.

Semiconductor memory device and information processing apparatus

Номер патента: US20140078834A1. Автор: Hirotoshi Sasaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-03-20.

Microelectronic devices including control logic circuitry overlying memory arrays, and related memory devices and electronic systems

Номер патента: US20230301053A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor memory device for preventing mal-operation induced by misrecognizing addresses/data as commands and operating method thereof

Номер патента: US7944763B2. Автор: Ji-Hyae Bae. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-05-17.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09911499B2. Автор: Kenichi Abe,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor memory device and writing operation method thereof

Номер патента: US09911498B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Kenta Yasufuku,Akira Yamaga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09859011B1. Автор: Yoshikazu Harada,Yuko Utsunomiya,Kosuke Yanagidaira,Hayato Konno,Jiyun Nakai,Hiroe Kami. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09748260B2. Автор: Akihiro Nitayama,Masaru Kito,Mitsuru Sato,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09741437B2. Автор: Min Kyu Lee,Kyoung Hoon LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09704570B2. Автор: Kenichi Abe,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor memory device and semiconductor system

Номер патента: US09627075B1. Автор: Won-Sun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09627071B2. Автор: Min Kyu Lee,Kyoung Hoon LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09576665B2. Автор: Hiroshi Sukegawa,Takayuki Akamine,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US09552867B2. Автор: Chul-woo Park,Kwang-Il Park,Uk-Song KANG,Young-Soo Sohn,Hak-soo Yu,Jae-Youn Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor memory device improving threshold voltage of unselected memory block and operating method thereof

Номер патента: US09466372B2. Автор: Chi Wook An. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Buffer circuit, and semiconductor device and semiconductor memory device including same

Номер патента: US20010021119A1. Автор: Atsushi Kawasumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-09-13.

Nonvolatile semiconductor memory device and overerase correction method

Номер патента: EP1316965A9. Автор: Makoto Yamamoto,Susumu Takeuchi,Kiyohiko Sakakibara,Yukio Nakamoto,Kunio Tani,Tomohisa c/o Mitsubishi Electric Engineering Iba. Владелец: Mitsubishi Electric Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-01.

Semiconductor memory device and method thereof

Номер патента: US20080165596A1. Автор: Chang-yong Lee,Won-kyung Chung,Kwun-Soo Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-10.

Semiconductor memory device and method for adjusting threthold voltage thereof

Номер патента: US11100975B2. Автор: Yutaka Shimizu,Makoto Morimoto,Rui Ito,Ryuichi Fujimoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-08-24.

Semiconductor Memory Device and Operating Method Thereof

Номер патента: US20100277994A1. Автор: Ji-Hyae Bae. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-11-04.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09899098B1. Автор: Mizuki Kaneko,Junji Musha. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor memory device including multi-level cell and programming method thereof

Номер патента: US09859014B2. Автор: Sung Ho Kim,Min Sang Park,Gil Bok CHOI,Kyong Taek LEE,Yun Bong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09704587B1. Автор: Eun Young Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor memory device, erasing methods thereof, and data storage device including the same

Номер патента: US09646696B2. Автор: Chan Woo Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09570178B2. Автор: Byoung In JOO,Byoung Young KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09524793B1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230289072A1. Автор: Reum Oh,Seunghyun CHO,Younghwa Kim,Youngju Kim,Yujung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12068263B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Dynamic semiconductor memory device and method of controlling refresh thereof

Номер патента: US20030112690A1. Автор: Shyuichi Tsukada. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2003-06-19.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09990998B2. Автор: Noboru OOIKE,Go SHIKATA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09672913B1. Автор: Byoung In JOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09543022B2. Автор: Yusuke Umezawa,Toshifumi Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of measuring refractive index of semiconductor memory device and method of classifying product group using the same

Номер патента: US20240331788A1. Автор: Ho Jung KANG,Tae Un Youn,Nam Cheol JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor memory device with dummy memory mat and refresh operating method thereof

Номер патента: US09472259B2. Автор: Ga-Ram Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor memory devices and memory systems with enhanced error detection and correction

Номер патента: US20210191810A1. Автор: Kijun Lee,Sanguhn CHA,Sunghye CHO,Chanki Kim,Myungkyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-24.

Semiconductor memory device and refresh leveraging driving method thereof

Номер патента: US20140140154A1. Автор: Heon Lee,Dae-Jeong Kim,Inho Cho,Kwang-Woo LEE,Kabyong KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-22.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20230282276A1. Автор: Noboru Shibata,Tokumasa Hara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP1619690A3. Автор: Hitoshi Ikeda,Shinya Fujioka,Masato Matsumiya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-10-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8503214B2. Автор: Yasuo Kobayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-08-06.

Semiconductor memory device and refresh operating method

Номер патента: US20160064062A1. Автор: Ga-Ram Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240282365A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor memory device having source areas of memory cells supplied with a common voltage

Номер патента: US20020031009A1. Автор: Toshiro Futatsugi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-03-14.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050270845A1. Автор: Keita Takahashi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-08.

Semiconductor memory device and data storage method

Номер патента: US20090027993A1. Автор: Hironori Nakamura,Takayuki Kurokawa,Tatsuya Ishizaki,Kenichi Ushikoshi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-01-29.

Semiconductor memory devices having hierarchical bit-line structures

Номер патента: US20100124135A1. Автор: Jin-Young Kim,Ki-whan Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-20.

Semiconductor memory devices with diode-connected mos

Номер патента: US20240249784A1. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh,Chia-En HUANG,Tung-Cheng Chang,Chun-Ying Lee,Gu-Huan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240363555A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US09935116B2. Автор: Masaru Yano,Pin-Yao Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US09768184B2. Автор: Masaru Yano,Pin-Yao Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Techniques for providing a direct injection semiconductor memory device

Номер патента: US09679612B2. Автор: Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor memory device for performing test operation of circuits related to repair scheme and operating method thereof

Номер патента: US09589668B2. Автор: Sang-Hee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Writing method for nonvolatile semiconductor memory with soft-write repair for over-erased cells

Номер патента: US5742541A. Автор: Shinichi Sato,Takuji Tanigami. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1998-04-21.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230422510A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US20150089327A1. Автор: Chul-woo Park,Hak-soo Yu,Jae-Youn Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-26.

Techniques for controlling a direct injection semiconductor memory device

Номер патента: US20120176845A1. Автор: Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-07-12.

Semiconductor memory device which includes memory cell having charge accumulation layer and control gate

Номер патента: US20100296345A1. Автор: Hiroshi Maejima,Makoto Hamada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240304257A1. Автор: Hidehiro Shiga,Yuki Inuzuka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor memory device outputting status fail signal and operating method thereof

Номер патента: US09959938B2. Автор: Chan Woo Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semicondutor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09824755B2. Автор: Chul-woo Park,Kwang-Il Park,Young-Soo Sohn,Hak-soo Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09798600B2. Автор: Yoshikazu Saito,Yuichiro Ishii,Atsushi Miyanishi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US09460816B2. Автор: Chul-woo Park,Hak-soo Yu,Jae-Youn Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor memory device having selective and simultaneous write function

Номер патента: US5285413A. Автор: Shotaro Kobayashi,Mayu Miyauchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-02-08.

Semiconductor memory device controlling the supply voltage on BIT lines

Номер патента: US5363336A. Автор: Tomoaki Yabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-11-08.

3d semiconductor memory devices and structures

Номер патента: US20240260282A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

3d semiconductor memory devices and structures with memory cells

Номер патента: US20240260262A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

3d semiconductor memory devices and structures

Номер патента: US20240251572A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Nonvolatile Semiconductor Memory Device

Номер патента: US20100149875A1. Автор: Yoshiki Kawajiri,Natsuo Ajika,Masaaki Mihara,Shoji Shukuri. Владелец: Genusion Inc. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor memory device for performing program operation

Номер патента: US20240312524A1. Автор: Hyung Jin Choi,In Gon YANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09972405B2. Автор: Tae Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09812223B2. Автор: Tae Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Non-volatile semiconductor memory device and erasing method thereof

Номер патента: US09786376B2. Автор: Pin-Yao Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09633720B2. Автор: Masashi Yoshida,Tomoaki Nakano,Shigefumi Irieda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor memory device including peripheral circuit for performing program and read opeartions and operating method thereof

Номер патента: US09558794B2. Автор: Ho Seok Lee,Won Hee Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20070242528A1. Автор: Koji Inoue. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-10-18.

Memory device and test operation method thereof

Номер патента: US20200381070A1. Автор: Dong Hyun Lee,Seung Jin PARK,Chang Kyun PARK,Young Sik KOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12020753B2. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor memory device for applying voltage to select line based on number of times program loops are performed and method of operating the same

Номер патента: US12040022B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor memory apparatus and method for outputting data

Номер патента: US20020005547A1. Автор: Kenji Hibino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-17.

Non-volatile semiconductor memory device and a programming method thereof

Номер патента: US20110228610A1. Автор: Naoyuki Shigyo,Kunihiro Yamada,Hideto Horii,Michiru Hogyoku. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-22.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240268109A1. Автор: Yusuke Shima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20070247889A1. Автор: Takashi Miki,Yasuo Murakuki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240290407A1. Автор: Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20130235671A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09818489B2. Автор: Yuka Suzuki,Masami Hanyu,Yoshihiro Nagai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Three-dimensional (3D) non-volatile semiconductor memory device for loading improvement

Номер патента: US09805768B2. Автор: Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor memory device tunnel insulating layers included in the plurality of memory cells having different thicknesses according to distances of the plurality of memory cells from the X-decoder

Номер патента: US09646698B2. Автор: Yeonghun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Controller controlling semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09542269B1. Автор: Se Chun Park,Young Dong Roh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09508458B2. Автор: Sung-Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor memory device including flag cells

Номер патента: US09496055B2. Автор: Sang Oh Lim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09472292B1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160284410A1. Автор: Yeonghun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-29.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120002475A1. Автор: Hiroyuki Nagashima,Koki Ueno. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor memory apparatus and operating method

Номер патента: US20180261263A1. Автор: Jun Ho Cheon,Chang Yong AHN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-09-13.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140098612A1. Автор: Koji Hosono,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-04-10.

Semiconductor memory apparatus and operating method

Номер патента: US20170337950A1. Автор: Jun Ho Cheon,Chang Yong AHN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-23.

Refresh method capable of reducing memory cell access time in semiconductor memory device

Номер патента: US20020141269A1. Автор: Jong-Yul Park,Seong-kue Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230307434A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Hiroshi Maejima,Katsuaki Isobe,Nobuaki OKADA,Takahiro Tsurudo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Methods of operating semiconductor memory devices and semiconductor memory devices

Номер патента: US20190172512A1. Автор: Ki-Seok OH,Seong-Hwan Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-06.

Memory access method and semiconductor memory device

Номер патента: US20090296498A1. Автор: Hiroshi Nakadai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-12-03.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: EP1750272A3. Автор: Syusuke Iwata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240296893A1. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor memory device and controlling method thereof

Номер патента: US20120250393A1. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-04.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20040004890A1. Автор: Hiroki Fujisawa,Hideyuki Yokou. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-08.

Data output circuit of semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US20070133313A1. Автор: Kwang Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20090021973A1. Автор: Mitsuaki Hayashi,Wataru Abe,Shuji Nakaya. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080291714A1. Автор: Hayashi Mitsuaki,Wataru Abe,Shuji Nakaya. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US7580316B2. Автор: Hayashi Mitsuaki,Wataru Abe,Shuji Nakaya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-08-25.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09953709B2. Автор: Yuji Nagai,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12148482B2. Автор: Takeshi Hioka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor memory device and controller

Номер патента: US8902657B2. Автор: Hiroshi Sukegawa,Toshio Fujisawa,Hitoshi Iwai,Tokumasa Hara,Shirou Fujita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-02.

Techniques for providing a semiconductor memory device

Номер патента: WO2012170409A2. Автор: Timothy Thurgate,Michael A. Van Buskirk,Srinivasa R. Banna. Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-12-13.

Semiconductor memory device and driving method thereof

Номер патента: US20080002514A1. Автор: Kwang-Myoung Rho,Young-Hoon Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-01-03.

Semiconductor memory device and driving method thereof

Номер патента: US7746723B2. Автор: Kwang-Myoung Rho,Young-Hoon Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-06-29.

Semiconductor memory device and production method thereof

Номер патента: US20160247571A1. Автор: Hideto Takekida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240257876A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20230317816A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US9449708B2. Автор: Ryota Hirai,Yasuhiro Shiino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20080043531A1. Автор: Yasushi Kameda,Ken Takeuchi,Koichi Kawai,Takuya Futatsuyama,Hitoshi Shiga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-02-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP2793231A3. Автор: Hitoshi Ikeda,Shinya Fujioka,Masato Matsumiya. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-02-25.

Microelectronic devices including contact structures, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: EP4417026A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-21.

Semiconductor memory device and driving method thereof

Номер патента: USRE44632E1. Автор: Kwang-Myoung Rho,Young-Hoon Oh. Владелец: 658868 N B Inc. Дата публикации: 2013-12-10.

Semiconductor memory structure

Номер патента: US20240265985A1. Автор: Shih-Hao Lin,Hsin-Wen Su,Kian-Long Lim,Chang-Ta Yang,Wen-Chun KENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200006379A1. Автор: Hiroshi TSUBOUCHI,Kenri Nakai,Kota NISHIKAWA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Techniques for refreshing a semiconductor memory device

Номер патента: WO2011140033A2. Автор: Yogesh Luthra. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2011-11-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240290382A1. Автор: Koji KATO,Tomoki Nakagawa,Toshifumi Hashimoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US7420868B2. Автор: Mitsuaki Hayashi,Wataru Abe,Shuji Nakaya. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-02.

Pad arrangement in semiconductor memory device and method of driving semiconductor device

Номер патента: US20040256641A1. Автор: Jung-Bae Lee,Mee-Hyun Ahn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20060239105A1. Автор: Hayashi Mitsuaki,Wataru Abe,Shuji Nakaya. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20090121281A1. Автор: Keita Takahashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-05-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240282391A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor memory device and method providing log information

Номер патента: US12045496B2. Автор: Kwanghyun KIM,Boayeong Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor memory device that applies same voltage to two adjacent word lines for access

Номер патента: US09947408B2. Автор: Tokumasa Hara,Masanobu Shirakawa,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09818467B2. Автор: Kosuke Hatsuda,Katsuhiko Hoya,Nao Matsuoka. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09792991B1. Автор: Tomoya Kawai,Hideto Horii,Shuichi Toriyama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor memory device that applies an initial pass voltage followed by a final pass voltage to non-selected word lines during a write operation

Номер патента: US09767908B2. Автор: SANAD Bushnaq,Masanobu Shirakawa,Hidehiro Shiga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09659663B2. Автор: Koji Hosono,Takuya Futatsuyama,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09620565B2. Автор: Keisuke Nakatsuka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09478289B1. Автор: Byung Ryul Kim,Yong Hwan HONG,Dae Il Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Techniques for providing a direct injection semiconductor memory device

Номер патента: US09425190B2. Автор: Serguei Okhonin,Mikhail Nagoga,Yogesh Luthra. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US09396818B2. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor memory device with sense amplifiers

Номер патента: US4748596A. Автор: Yasuo Itoh,Mitsugi Ogura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1988-05-31.

Semiconductor memory device and core layout thereof

Номер патента: US20060215480A1. Автор: Hye-jin Kim,Sang-beom Kang,Woo-Yeong Cho,Choong-Keun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-09-28.

Memory device and method of managing temperature of the same

Номер патента: US20240203505A1. Автор: Jung Ae Kim,Jee Yul KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US8493788B2. Автор: Mitsuaki Honma,Yuko NAMIKI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-07-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20210090642A1. Автор: Osamu Nagao. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20050058003A1. Автор: Kouichi Yamada. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20170263297A1. Автор: Kosuke Hatsuda,Katsuhiko Hoya,Nao Matsuoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20130148399A1. Автор: Kenichi Murooka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-06-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220285379A1. Автор: Takuya Suzuki,Ken Iyoda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-08.

Manufacturing method of non-volatile semiconductor memory device and non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20170256554A1. Автор: Hiroaki Naito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Semiconductor memory devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20140297986A1. Автор: Sang Kwon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-02.

Semiconductor memory devices with open bitline architectures and methods of controlling the bitlines of such semiconductor memory devices

Номер патента: US20070047350A1. Автор: Ji-hoon Park,Chang-Yeong Jeong,Sung-Wan Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

Echo clock generating circuit of semiconductor memory device and method thereof

Номер патента: US6353575B2. Автор: Kwang-Jin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-03-05.

Semiconductor memory device, electronic device and method for setting the same

Номер патента: US12086011B2. Автор: Ki-Seok OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory device including memory string and plurality of select transitstors and method including a write operation

Номер патента: US20240339139A1. Автор: Hiroki Date. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor memory device, electronic device and method for setting the same

Номер патента: US20240361823A1. Автор: Ki-Seok OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Low power semiconductor memory device

Номер патента: US09928900B2. Автор: Koichiro Ishibashi,Kenichi Osada,Shigezumi Matsui,Masanao Yamaoka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09905288B2. Автор: Seung-Woo Ryu,Sang-Kyu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Memory system for controlling semiconductor memory devices through plurality of channels

Номер патента: US09841916B2. Автор: Sung Yeob Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09799403B2. Автор: Hiroshi Nakamura,Hiroshi Shinohara,Kenichi Abe,Yasuyuki Baba,Toshifumi Minami,Atsuhiro Sato,Takuya Futatsuyama,Masanobu Shirakawa,Keisuke Yonehama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Memory system performing read of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09767913B2. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09741455B1. Автор: Mun-Phil Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor memory device capable of determining an initial program condition for different memory cells

Номер патента: US09679651B2. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Volatile semicondcutor memory device, refresh control circuit and method thereof

Номер патента: US09653142B1. Автор: Yuji Kihara. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09633732B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor memory device capable of performing read operation and write operation simultaneously

Номер патента: US09633712B1. Автор: Chung-Hao Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09613713B2. Автор: Koji Hosono,Takuya Futatsuyama,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor memory device and controlling method thereof

Номер патента: US09589651B1. Автор: Muneyuki TSUDA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09543020B2. Автор: Yuya Suzuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09530510B2. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09466376B1. Автор: Hee Youl Lee,Hyun Seung Yoo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor memory of the dynamic random access type (DRAM) and method for actuating a memory cell

Номер патента: US6366525B2. Автор: HELMUT Fischer,Thoralf Grätz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-04-02.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20180190366A1. Автор: Jung-Ho LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020161981A1. Автор: Haruki Toda,Kenji Tsuchida,Hitoshi Kuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-10-31.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12033702B2. Автор: Yoshikazu Harada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220199149A1. Автор: Kaoru Mori. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: EP3965106A3. Автор: Jeongho Lee,Kwangjin Lee,Hee Hyun Nam,Youngkwang YOO,Jaeho SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-08.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20170263293A1. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor memory device including memory string and plurality of select transistors and method including a write operation

Номер патента: US11335388B2. Автор: Hiroki Date. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-05-17.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170052737A1. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-23.

Semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US20110216599A1. Автор: Mitsuaki Honma,Yuko NAMIKI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-08.

Nonvolatile semiconductor memory and programming methods thereof

Номер патента: US20030178669A1. Автор: Yuichi Kunori. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2003-09-25.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120206968A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020015333A1. Автор: Kazuto Furumochi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-02-07.

Semiconductor memory device and method for writing data into the semiconductor memory device

Номер патента: US20070064499A1. Автор: Thomas Kern,Luca Ambroggi. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-03-22.

Semiconductor memory device including memory string and plurality of select transistors and method including a write operation

Номер патента: US12051483B2. Автор: Hiroki Date. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20030105916A1. Автор: Haruki Toda,Kenji Tsuchida,Hitoshi Kuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-06-05.

Semiconductor memory device, memory system having semiconductor memory device, and method for testing memory system

Номер патента: US7634697B2. Автор: Jin-Soo Park,Dong-Jun Kim,Kae-Won Ha,Keun-Soo Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-15.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20080198667A1. Автор: Takuya Futatsuyama,Yoshikazu HOSOMURA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-08-21.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09997215B2. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09818461B1. Автор: Yun-gi Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09805798B2. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Non-volatile semiconductor memory device and erase method thereof

Номер патента: US09779830B2. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Electronic device having semiconductor memory comprising variable resistance elements for storing data

Номер патента: US09721635B2. Автор: Yong-Ho Kim,Ji-Hyae Bae,Min-Hye Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor memory in which source line voltage is applied during a read operation

Номер патента: US09672929B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US09583203B2. Автор: Young-Il Kim,Sung-Wook Choi,Sang-Sun Lee,Jung-Hoon HAM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2017-02-28.

Three dimensional semiconductor memory device with line sharing scheme

Номер патента: US09484099B2. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09478261B1. Автор: Seung Hwan Baek,Sung Yong Lim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Methods for supplying power supply voltages in semiconductor memory devices and semiconductor memory devices using the same

Номер патента: US7936615B2. Автор: Jung Sunwoo,Yun-sang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-05-03.

Semiconductor memory device and semiconductor memory system including the same

Номер патента: US20170047109A1. Автор: Jung-Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-16.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200006381A1. Автор: Shinya Arai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230413562A1. Автор: Shinya Arai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Dynamic semiconductor memory device and method for initializing a dynamic semiconductor memory device

Номер патента: US6175531B1. Автор: HELMUT Fischer,Martin Buck,Bret Johnson,Sebastian Kühne,Heinrich Hemmert. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-01-16.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US20170076792A1. Автор: Shigeki Kobayashi,Takeshi Yamaguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20170271522A1. Автор: Toshihiko Saito. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20150364607A1. Автор: Toshihiko Saito. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20150097183A1. Автор: Toshihiko Saito. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-09.

Memory device and method for testing memory devices with repairable redundancy

Номер патента: US20060198215A1. Автор: Martin Perner,Volker Kilian. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-09-07.

Semiconductor memory device using VSS or VDD bit line precharge approach without reference cell

Номер патента: US7031213B2. Автор: Kyong-Jun Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20060262635A1. Автор: Hidenari Kanehara. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12048143B2. Автор: Hyunyong KIM,Jiyoung Ahn,Yoonyoung CHOI,Yongseok AHN,Joonkyu Rhee,Ju Hyung We,Minsub UM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US12068045B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Method of making a semiconductor memory device

Номер патента: US4830977A. Автор: Yoshiharu Takeuchi,Akira Endo,Hisao Katto,Yuji Arakawa,Nozomi Horino,June Sugiura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1989-05-16.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20040078515A1. Автор: Haruki Toda,Kenji Tsuchida,Hitoshi Kuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-04-22.

Memory system and semiconductor memory device

Номер патента: US10797073B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-10-06.

Semiconductor memory device including a sense amplifier having a reduced operating current

Номер патента: US20080112244A1. Автор: Yoji Idei,Kazuhiro Teramoto. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-05-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240170074A1. Автор: Tadahiko Horiuchi,Kazuhiko Oyama. Владелец: NSCore Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210327532A1. Автор: Jong Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Nonvolatile semiconductor memory device and writing method thereof

Номер патента: US20120020160A1. Автор: Hidefumi Nawata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-01-26.

Nonvolatile semiconductor memory device with read voltage setting controller

Номер патента: US09875804B2. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Resistive semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US09779809B2. Автор: Shigeki Kobayashi,Takeshi Yamaguchi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09761318B1. Автор: Shigeo Kondo. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor memory device and data write method thereof

Номер патента: US09754662B2. Автор: Yukio Komatsu. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor memory device including dummy memory cells and memory system including the same

Номер патента: US09691490B2. Автор: Eun Seok Choi,Jung Seok Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09680029B2. Автор: Toshihiko Saito. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09607698B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor memory device and driving method of the same

Номер патента: US09606743B2. Автор: Ryousuke Takizawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09601211B1. Автор: Chang Won YANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Three-dimensional semiconductor devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US09601204B2. Автор: Youngwoo Park,Jintaek Park,Jaeduk LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor memory device and testing method thereof

Номер патента: US09583215B2. Автор: Hoiju CHUNG,Yonghwan JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Layout of semiconductor memory device including sub wordline driver

Номер патента: US09583152B1. Автор: Jae Hong Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US09520166B2. Автор: Shigeki Kobayashi,Takeshi Yamaguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09478304B2. Автор: Dong Wook Lee,Myung Su KIM,Hwang Huh,Min Sang Park,Sung Hoon Cho,Sang Jo Lee,Gil Bok CHOI,Suk Kwang PARK,Yun Bong Lee,Chang Jin SUNWOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor memory device and method for refreshing memory cells

Номер патента: US09466351B2. Автор: In Chul JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US09412454B2. Автор: Kunihiro Yamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor memory device and method of controlling the semiconductor memory device

Номер патента: US7495990B2. Автор: Yoshiharu Kato,Satoru Kawamoto,Kazufumi Komura. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-02-24.

Semiconductor memory device having breaker associated with address decoder circuit for deactivating defective memory cell

Номер патента: US5285417A. Автор: Keita Maeda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-02-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: GB8403945D0. Автор: . Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1984-03-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: GB2138185A. Автор: Hideyuki Ozaki,Kazuhiro Shimotori,Hideshi Miyatake. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1984-10-17.

Semiconductor memory device and method of verifying the same

Номер патента: US20080123428A1. Автор: Makoto Senoo,Kazunari Kido,Yoshihiro Tsukidate,Shunichi Toyama. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-29.

Semiconductor memory device and test method thereof

Номер патента: US20040223384A1. Автор: Kenichi Imamiya,Koichi Kawai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-11-11.

Semiconductor memory device and test method thereof

Номер патента: US20050213402A1. Автор: Kenichi Imamiya,Koichi Kawai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-09-29.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20160055913A1. Автор: Hee Youl Lee,Kyung Sik Mun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-02-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070076482A1. Автор: Juri Kato. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Semiconductor integrated circuit with a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20200251174A1. Автор: Yoshihiro Yamaguchi,Ryouta Niwa,Katsumichi Katou,Nobuyuki Ishigooka,Masaki Sekimizu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Semiconductor memory device and method for adjusting internal voltage thereof

Номер патента: US20050270868A1. Автор: Jae-Hyuk Im,Kee-Teok Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-08.

Semiconductor memory device and control method of semiconductor memory device

Номер патента: US20190267097A1. Автор: Tomoya Sanuki,Yusuke Higashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor memory device, controller, and operating method thereof

Номер патента: US20220262442A1. Автор: Un Sang Lee,Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US20100008143A1. Автор: Akira Umezawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-14.

Semiconductor memory device and verification method for input data

Номер патента: US20170256322A1. Автор: Hidemitsu Kojima. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

A semiconductor memory device with an on-chip error correction circuit and a method of correcting a data error therein

Номер патента: GB9910278D0. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-06-30.

Charge trap-type 3-level non-volatile semiconductor memory device and method of driving the same

Номер патента: US20070030756A1. Автор: Jung-Dal Choi,Ki-tae Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160042800A1. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor memory device and method for operating semiconductor memory device

Номер патента: US7898835B2. Автор: Kotaro Kashiwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-03-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160293243A1. Автор: Jae-il Kim,No-Guen JOO,Do-Hong KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20060221754A1. Автор: Wataru Abe,Shuji Nakaya,Mituaki Hayashi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-05.

Method of arranging fuses in a fuse box of a semiconductor memory device and a semiconductor memory device including such an arrangement

Номер патента: US20080101141A1. Автор: Chul-Hwan Choo,Hi-choon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-01.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20090168527A1. Автор: Makoto Hamada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240312513A1. Автор: Hiroshi Yoshihara,Tomohiko Ito. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device including pass transistors with variable sizes

Номер патента: US12133389B2. Автор: SUNG Wook Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09865612B2. Автор: Shinya Arai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor memory device and verification method for input data

Номер патента: US09842656B2. Автор: Hidemitsu Kojima. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09640265B1. Автор: Mitsuaki Honma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09472263B2. Автор: Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Electronic device and method for fabricating the same

Номер патента: US09443581B2. Автор: Hyun-Jeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor memory

Номер патента: RU2643629C2. Автор: Наоки СИМИДЗУ. Владелец: Тосиба Мемори Корпорейшн. Дата публикации: 2018-02-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US4616342A. Автор: Junichi Miyamoto. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1986-10-07.

Semiconductor memory device with bit lines having reduced cross-talk

Номер патента: US6646312B1. Автор: Hidekazu Kikuchi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-11.

Semiconductor memory device having plate lines and precharge circuits

Номер патента: US6370057B1. Автор: Hironobu Akita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-04-09.

Semiconductor memory device having plate lines and precharge circuits

Номер патента: US20020075720A1. Автор: Hironobu Akita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-06-20.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20180068706A1. Автор: Deung Kak YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor memory device for performing refresh operation and operating method therof

Номер патента: US20170186480A1. Автор: Jae-Hoon Cha,Geun-il Lee,Sung-Yub LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-29.

Semiconductor memory device, semiconductor device, and data write method

Номер патента: US7570522B2. Автор: Tokumasa Hara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-08-04.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240087649A1. Автор: Kyosuke Sano,Sumiko Domae. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Dynamic Semiconductor memory device

Номер патента: US4481610A. Автор: Yoshihiro Takemae,Hatsuo Miyahara. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1984-11-06.

Layout of semiconductor memory device

Номер патента: US20230197153A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Li-Ping Huang,Chun-Yen TSENG,Yu-Tse Kuo,Hsin-Chih Yu,Shu-Ru Wang,Yu-Fang Chen,Meng-Ping Chuang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230320076A1. Автор: Jongmin Kim,Hyo-Sub Kim,Jihun Lee,Hui-jung Kim,Myeong-Dong LEE,Hongjun LEE,Kseok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor memory having variable memory size and method for refreshing the same

Номер патента: US20050152200A1. Автор: You-Mi Lee,Kyung-Woo Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-07-14.

Semiconductor memory device and control device for semiconductor memory device

Номер патента: US20230154532A1. Автор: Satoru Araki,Hiroshi Yoshida,Toshimasa Namekawa,Etsuo Fukuda,Tetsuo Endoh. Владелец: Power Spin Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor memory device, image processing system, and image processing method

Номер патента: US20090244077A1. Автор: Takahiko Sato. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-10-01.

Method of programming semiconductor memory device

Номер патента: US20180226129A1. Автор: Ji Seon Kim,Sang Tae Ahn,Eun Mee KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Method of programming semiconductor memory device

Номер патента: US20180005696A1. Автор: Ji Seon Kim,Sang Tae Ahn,Eun Mee KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20230223095A1. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Sanguhn CHA,Kiheung KIM,Hyojin JUNG,Kyungsoo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US12027194B2. Автор: Seungki HONG,Geuntae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor memory device with security function and control method thereof

Номер патента: US20110182101A1. Автор: Ji Hyae Bae. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-07-28.

Semiconductor memory unit

Номер патента: US4935898A. Автор: Masanori Odaka,Hiroshi Higuchi,Toshikazu Arai,Shuuichi Miyaoka. Владелец: Akita Electronics Co Ltd. Дата публикации: 1990-06-19.

Semiconductor memory device and method for operating semiconductor memory device

Номер патента: US20080320215A1. Автор: Kotaro Kashiwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-12-25.

Device and method generating internal voltage in semiconductor memory device

Номер патента: US20090207674A1. Автор: Doo-Young Kim,Soo-bong Chang,Jung-Im Huh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-08-20.

Device and method generating internal voltage in semiconductor memory device

Номер патента: US20110090746A1. Автор: Doo-Young Kim,Soo-bong Chang,Jung-Im Huh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-04-21.

Semiconductor memory device and its testing method

Номер патента: US20030058730A1. Автор: Katsushige Hayashi,Takanobu Suzuki,Tamaki Tsuruda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-03-27.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20230410913A1. Автор: Kazutaka IKEGAMI,Reiko SUMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US12118221B2. Автор: Taeyoung Oh,Kyungho Lee,Jongcheol Kim,Kiheung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US12136463B2. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Sanguhn CHA,Kiheung KIM,Hyojin JUNG,Kyungsoo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor memory device and a manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240373638A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Method of programming semiconductor memory device

Номер патента: US09966144B2. Автор: Ji Seon Kim,Sang Tae Ahn,Eun Mee KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

3D multi-layer non-volatile memory device with planar string and method of programming

Номер патента: US09859010B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US20240339150A1. Автор: Takuya Kadowaki. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09786380B2. Автор: Shinji Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor memory device for performing refresh operation and operating method therof

Номер патента: US09786351B2. Автор: Jae-Hoon Cha,Geun-il Lee,Sung-Yub LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12150291B2. Автор: Yu-Cheng Tung,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09710328B2. Автор: Hyung-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09691469B2. Автор: Seung-chan Kim,Hyeng-Ouk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor memory device to selectively perform a single sensing operation or a multi-sensing operation

Номер патента: US09570190B2. Автор: Ka Young CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Non-volatile semiconductor memory device and reading method for non-volatile semiconductor memory device that includes charging of data latch input node prior to latching of sensed data

Номер патента: US09543029B2. Автор: Takuyo Kodama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09502140B2. Автор: Katsuyuki Fujita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor memory device and test method thereof

Номер патента: US09472308B1. Автор: Jeong-Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09455257B2. Автор: Kenichi Murooka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09412431B2. Автор: Jung-Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor memory device and test method thereof

Номер патента: US20090268534A1. Автор: Jun Suzuki,Shuichi Kubouchi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-10-29.

Semiconductor Memory Device, Manufacturing Method Thereof And Electronic Device

Номер патента: US20230320071A1. Автор: Chao Zhao,Zhengyong Zhu,Guilei Wang,BokMoon Kang. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor memory device, manufacturing method thereof and electronic device

Номер патента: US11985811B2. Автор: Chao Zhao,Zhengyong Zhu,Guilei Wang,BokMoon Kang. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-05-14.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140301144A1. Автор: Hiroshi Maejima,Natsuki Sakaguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-09.

Write Assist for a Memory Device and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20190295632A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-09-26.

Write Assist for a Memory Device and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20210201991A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Input/output line sense amplifiers and/or input/output line drivers in semiconductor memory devices and methods of operating such devices

Номер патента: US20050068833A1. Автор: Jung-hwan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-03-31.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20100073986A1. Автор: Susumu Shuto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-03-25.

Semiconductor memory device to hold 5-bits of data per memory cell

Номер патента: US12027203B2. Автор: Tomonori Takahashi,Osamu Torii,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor memory device to hold 5-bits of data per memory cell

Номер патента: US20210134360A1. Автор: Tomonori Takahashi,Osamu Torii,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor memory device to hold 5-bits of data per memory cell

Номер патента: US10923186B2. Автор: Tomonori Takahashi,Osamu Torii,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-02-16.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20110292747A1. Автор: Ju-Young Seo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

Semiconductor device and data storage system including the same

Номер патента: US20240249775A1. Автор: Jiwon Kim,Sungmin Hwang,Jaeho Ahn,Sukkang SUNG,Joonsung Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20220050748A1. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Yesin RYU,Kiheung KIM,HyunGi Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20170287564A1. Автор: Byoung Jun PARK,Seong Jo Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-05.

Semiconductor memory device to hold 5-bits of data per memory cell

Номер патента: US20230290407A1. Автор: Tomonori Takahashi,Osamu Torii,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor memory device including capacitor

Номер патента: EP3823022A3. Автор: Dong Ku Kang,Chan Ho Kim,Bong Soon LIM,Kyung Hwa YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-14.

Semiconductor memory device and test method thereof

Номер патента: US20090016121A1. Автор: Yasushi Matsubara. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-01-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11562795B2. Автор: Kosuke Yanagidaira,Hiroshi TSUBOUCHI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-01-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11081188B2. Автор: Kosuke Yanagidaira,Hiroshi TSUBOUCHI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-08-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20040095824A1. Автор: Hironori Akamatsu,Marefusa Kurumada. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-20.

Semiconductor memory devices and methods of testing open failures thereof

Номер патента: US20170186496A1. Автор: Sang Kwon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-29.

Semiconductor memory and system

Номер патента: US20090016133A1. Автор: Hiroyuki Kobayashi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-01-15.

Semiconductor memory device, method of manufacturing semiconductor memory device and method of writing data into semiconductor memory device

Номер патента: US20100046271A1. Автор: Yuki Yamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-02-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12125545B2. Автор: Takashi Maeda,Hidehiro Shiga,Reiko SUMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor memory device, memory system including the same and operating method thereof

Номер патента: US09761287B2. Автор: Jin Su Park,Min gi HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US12148494B2. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Sanguhn CHA,Kiheung KIM,Hyojin JUNG,Kyung-Soo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor memory device, memory system including the same and operating method thereof

Номер патента: US09601169B2. Автор: Jin Su Park,Min gi HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Techniques for providing a semiconductor memory device

Номер патента: US09524971B2. Автор: Timothy Thurgate,Michael A. Van Buskirk,Srinivasa R. Banna. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09472291B2. Автор: Jung Ho Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor memory device having column select line driving scheme for reducing skew between column select lines and column select line driving method thereof

Номер патента: US6944069B2. Автор: Byung-Chul Kim,Seung-Bum Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-09-13.

Semiconductor memory device having column redundancy function

Номер патента: US6034914A. Автор: Tsuneo Inaba,Shinichiro Shiratake,Kenji Tsuchida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-03-07.

Sense amplifier arrangement for semiconductor memory

Номер патента: GB2227109A. Автор: Soo-In Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1990-07-18.

Voltage control in semiconductor memory device

Номер патента: US12027208B2. Автор: Hiroki Date. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080130374A1. Автор: Sadao Yoshikawa,Toshiki Rai. Владелец: Sanyo Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-05.

Semiconductor memory device, controller, and method of operating the semiconductor memory device and controller

Номер патента: US20230317183A1. Автор: Byoung Sung You. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP4365954A1. Автор: Dong-Sik Park,Changsik Kim,Junhwa SONG,Jae Won Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-08.

Semiconductor memory device having bit cells

Номер патента: US20180068715A1. Автор: Yongho Kim,Jonghoon Jung,Hoonki KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-08.

Storage devices and methods of operating storage devices

Номер патента: EP3955123A1. Автор: Jiwoon Park,Jaehyurk CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-16.

Storage devices and methods of operating storage devices

Номер патента: US20220051733A1. Автор: Jiwoon Park,Jaehyurk CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240242769A1. Автор: Hideyuki Kataoka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor memory devices and electronic devices including the semiconductor memory devices

Номер патента: US20230335181A1. Автор: Seunghan Kim,Gunhee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor memory devices with different word lines

Номер патента: US12051464B2. Автор: Chia-En HUANG,Gu-Huan Li,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20210191809A1. Автор: Kijun Lee,Yeonggeol Song,Sungrae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-24.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US11751384B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Multi-channel semiconductor memory device and method of refreshing the same

Номер патента: US20110007594A1. Автор: Ho-Young Kim,Woo-pyo Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-01-13.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US7893473B2. Автор: Kenji Maruyama,Masao Kondo,Keisuke Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-02-22.

Semiconductor memory device and portable electronic apparatus

Номер патента: US20050002240A1. Автор: Hiroshi Iwata,Akihide Shibata,Masaru Nawaki,Koji Hamaguchi,Yoshinao Morikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-01-06.

Three-dimensional memory device with word lines extending through sub-arrays, semiconductor device including the same and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230345732A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20120069628A1. Автор: Hiroshi Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-22.

Semiconductor memory device and method of testing the same

Номер патента: US20140050035A1. Автор: Shin Ho Chu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-02-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20190287618A1. Автор: Yuichiro Suzuki,Masahiko Iga,Keita Kimura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20230168819A1. Автор: Kijun Lee,Sunghye CHO,Yeonggeol Song,Myungkyu Lee,Sungrae Kim,Eunae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-01.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20200273528A1. Автор: Dae Seok Byeon,Young Sun Min,Young Ho Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20140006648A1. Автор: Eui Cheol Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080084730A1. Автор: Daisaburo Takashima,Katsuhiko Hoya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-10.

Apparatus and method for detecting leakage current of semiconductor memory device, and internal voltage generating circuit using the same

Номер патента: US20080219061A1. Автор: Yoon-Jae Shin,Jun-Gi Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-09-11.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20100080065A1. Автор: Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-01.

Semiconductor memory device and redundant output switch thereof

Номер патента: US20020176296A1. Автор: Chao-Shuenn Hsu,Ju-Fu Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2002-11-28.

Semiconductor memory and its test method

Номер патента: US20020054526A1. Автор: Kiyoshi Adachi,Takashi Utsumi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-05-09.

Semiconductor memory device capable of reducing power supply noise caused by output data therefrom

Номер патента: US5883847A. Автор: Mariko Takahashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-03-16.

Semiconductor memory devices and electronic devices including the semiconductor memory devices

Номер патента: US12119048B2. Автор: Seunghan Kim,Gunhee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor memory devices with different word lines

Номер патента: US20240355385A1. Автор: Chia-En HUANG,Gu-Huan Li,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor memory device which stores plural data in a cell

Номер патента: US09858992B2. Автор: Tomoharu Tanaka,Noboru Shibata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Systems and methods for testing a semiconductor memory device having a reference memory array

Номер патента: US09767919B1. Автор: Yutaka Ito,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory system, semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US09767873B2. Автор: Taesung Lee,Byunghoon Jeong,Seonkyoo Lee,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory device which stores plural data in a cell

Номер патента: US09627048B2. Автор: Tomoharu Tanaka,Noboru Shibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Circuit for driving sense amplifier of semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09620197B1. Автор: Young-Seok Park,Soo-bong Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09564230B2. Автор: Yoon Soo JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor memory device having integrated DOSRAM and NOSRAM

Номер патента: US09564217B1. Автор: Zhibiao Zhou,Shao-Hui Wu,Chi-Fa Ku,Chen-Bin Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor memory device and memory module having reconfiguration rejecting function

Номер патента: US09412464B2. Автор: Young Duk Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor memory device and method of controlling semiconductor memory device

Номер патента: US09406366B2. Автор: Masaki Aoki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US20200342925A1. Автор: Min Kyu Lee,Nack Hyun KIM,Shin Hye LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-29.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US20190214065A1. Автор: Min Kyu Lee,Nack Hyun KIM,Shin Hye LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-07-11.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US10748588B2. Автор: Min Kyu Lee,Nack Hyun KIM,Shin Hye LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-08-18.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20240021248A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210319830A1. Автор: Hyun Kyu Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Semiconductor memory device for reducing data read time difference between memory banks

Номер патента: US11983413B2. Автор: Jae Jin Lee. Владелец: FIDELIX Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Output circuit, semiconductor memory device having the same, and method of expanding a valid output data window

Номер патента: US20070121397A1. Автор: Woo-Jin Lee,Seong-Jin Jang,Hyun-Dong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-31.

Semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20200381038A1. Автор: Chang Ki Baek,Joon Woo CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor memory device for reducing data read time difference between memory banks

Номер патента: US20230266882A1. Автор: Jae Jin Lee. Владелец: FIDELIX Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor memory card, access device and method

Номер патента: US8161225B2. Автор: Takuji Maeda,Masahiro Nakanishi,Jun Ohara,Shinji Inoue,Manabu Inoue,Tomoaki Izumi,Koichi Horiuchi,Tetsushi Kasahara,Makoto Ochi,Yoshiho Gotoh,Kazuaki Tamura,Kiminori Matsuno,Shoichi Tsujita. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-04-17.

Memory device comprising a plurality of memory chips, authentication system and authentication method thereof

Номер патента: US20130340068A1. Автор: Won-seok Lee,Young-Kug Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-12-19.

Display device and anti-peep state switching film driving method thereof

Номер патента: US20240027799A1. Автор: Wanchun WU. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Display device and method for driving peep-proof state switching film thereof

Номер патента: EP4382998A1. Автор: Wanchun WU. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

Display device and anti-peep state switching film driving method thereof

Номер патента: US12025867B2. Автор: Wanchun WU. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor memory device supporting power down mode, computer system having same and control method thereof

Номер патента: KR19980073522A. Автор: 이병래. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-11-05.

Driving method for display device, and display device

Номер патента: EP4390913A1. Автор: Tao Fan,Haijiang YUAN,Zhenghui Yuan. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Driving method of display device, and display device

Номер патента: US20230368746A1. Автор: Tao Fan,Haijiang YUAN,Zhenghui Yuan. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for driving in-cell touch panel, drive device and display device

Номер патента: US09746973B2. Автор: Xue Dong,Haisheng Wang,Yingming Liu,Shengji Yang,Weijie Zhao,Xiaoliang DING,Hongjuan Liu,Tao Ren. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Display panel driving method and apparatus, electronic device, and storage medium

Номер патента: US20240221579A1. Автор: Yi Zhang. Владелец: Guangzhou China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Automatic Driving Decision Making Method, System And Device And Computer Storage Medium

Номер патента: US20230365163A1. Автор: Zhe XU,Xuelei Li,Hui Wei,Rengang Li,Ruyang Li,Yaqian ZHAO,Yaqiang ZHANG. Владелец: Inspur Beijing Electronic Information Industry Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Touch display driving method and device, display device and application processor

Номер патента: US09817504B2. Автор: Chen Meng,Wei Wang,HAO Zhang,Bo Gao,Di Wang,Xiaobo Xie,Lingyun SHI,Tiankuo SHI,Jialong Li,Zijiao XUE,Xiurong WANG,Yafei LI. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor memory card, access device and access method

Номер патента: JP4647492B2. Автор: 学 井上,昭一 辻田,雅浩 中西,卓治 前田,智紹 泉,哲志 笠原,和明 田村,公則 松野,信治 井上,芳稔 後藤,淳 大原,誠 越智,浩一 堀内. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-03-09.

Electronic device and method for displaying modification of virtual object and method thereof

Номер патента: US20240233274A9. Автор: HwaJun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Voltage supplying unit of developing device and image forming apparatus having the same, and a method thereof

Номер патента: US7962059B2. Автор: Min-seon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-14.

Voltage supplying unit of developing device and image forming apparatus having the same, and a method thereof

Номер патента: US20110211858A1. Автор: Min-seon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-01.

Voltage supplying unit of developing device and image forming apparatus having the same, and a method thereof

Номер патента: US20080013980A1. Автор: Min-seon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-17.

Driving method of display device, driving device and display device

Номер патента: US20210398467A1. Автор: Mingliang Wang. Владелец: Chongqing HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Wearable device and system capable of automatically notifying personal emergency, and method thereof

Номер патента: US09728062B2. Автор: Jen-Tsorng Chang. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Flash memory device that simulates operations of EEPROM and data programming and reading method thereof

Номер патента: US11403040B2. Автор: Hao Zhou,Hong Chang,Xiao-Lin Luo. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-08-02.

Electronic vaporization device, and heating control apparatus and heating control method thereof

Номер патента: EP4176745A1. Автор: Hua Tan,Zhihua Wen,Fenglei Xing,Houlin Chen. Владелец: Shenzhen Smoore Technology Ltd. Дата публикации: 2023-05-10.

A LITHIUM TANTALATE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE FOR A SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE AND A DEVICE USING THE SAME, AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF AND AN INSPECTION METHOD THEREOF

Номер патента: US20180006629A1. Автор: Kushibiki Junichi,ABE Jun,TANNO Masayuki,KUWABARA Yoshinori. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2018-01-04.

MEMORY DEVICE COMPRISING A PLURALITY OF MEMORY CHIPS, AUTHENTICATION SYSTEM AND AUTHENTICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20130340068A1. Автор: Lee Won-Seok,MOON Young-Kug. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-12-19.

Clock distribution network, semiconductor device and semiconductor system including the same, and clock distribution method thereof

Номер патента: US20240184323A1. Автор: Kyung Hoon Kim,Ji Hyo KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Image processing method and device, and training method of image processing model and training method thereof

Номер патента: US20240153038A1. Автор: Ran Duan,Hanwen Liu,Yunhua LU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

USER TERMINAL DEVICE AND SYSTEM FOR PERFORMING USER CUSTOMIZED HEALTH MANAGEMENT, AND METHODS THEREOF

Номер патента: US20130268292A1. Автор: KIM Hyun-Young,WI Tae-hwan. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-10-10.

USER TERMINAL DEVICE AND NETWORK SERVER APPARATUS FOR PROVIDING EVALUATION INFORMATION AND METHODS THEREOF

Номер патента: US20140081801A1. Автор: Choi Sun,Lee Keum-koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-03-20.

Device and method for recognizing free weight training motion and method thereof

Номер патента: US20210016150A1. Автор: Jae Hoon Jeong,Ha Yeon Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-01-21.

WEARABLE DEVICE AND SYSTEM CAPABLE OF AUTOMATICALLY NOTIFYING PERSONAL EMERGENCY, AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20160071391A1. Автор: CHANG JEN-TSORNG. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-10.

Display Device and Display Signal Input System and Display Signal Input Method Thereof

Номер патента: US20180173482A1. Автор: Nakai Tadashi. Владелец: BOE Technology Group Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-06-21.

INPUT AND OUTPUT RECORDING DEVICE AND METHOD, CPU AND DATA READ AND WRITE OPERATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20180239686A1. Автор: Liu Leibo,WEI Shaojun,LUO Ao. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-23.

USER TERMINAL DEVICE AND SYSTEM FOR PERFORMING USER CUSTOMIZED HEALTH MANAGEMENT, AND METHODS THEREOF

Номер патента: US20180301209A1. Автор: KIM Hyun-Young,WI Tae-hwan. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2018-10-18.

AFFILIATED COMPANY SERVER, SERVICE PROVIDING DEVICE AND TERMINAL, ELECTRONIC WALLET SYSTEM COMPRISING THE SAME, CONTROL METHOD THEREOF AND NON-TRANSITORY COMPUTER READABLE STORAGE MEDIUM HAVING COMPUTER PROGRAM RECORDED THEREON

Номер патента: US20160358202A1. Автор: Lee Jong Soo. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-08.

Mobile telephone supporting device and mobile telephone tracking face of caller and operating method thereof

Номер патента: KR100883467B1. Автор: 김창한. Владелец: (주)케이티에프테크놀로지스. Дата публикации: 2009-02-16.

System, device, and operating method for controlling drug infusion, and operating method thereof

Номер патента: KR102377823B1. Автор: 전용호. Владелец: 이오플로우(주). Дата публикации: 2022-03-24.

Display device and wearable device comprised in synchronizing system and controlling method thereof

Номер патента: KR20160122501A. Автор: 최경동. Владелец: 엘지전자 주식회사. Дата публикации: 2016-10-24.

Client device, base device and system utilizing audio signal for deta transmission and method thereof

Номер патента: TWI648684B. Автор: 林旻君,黃富榆,官峰輝. Владелец: 毅聲科技有限公司. Дата публикации: 2019-01-21.

User terminal device and system for performing user customized health management, and methods thereof

Номер патента: EP2648123A1. Автор: Tae-hwan Wi,Hyun-Young Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-09.

Light therapy device and light therapy apparatus for head irradiation and treatment method thereof

Номер патента: CN113457022A. Автор: 于晶,魏勋斌,索元震. Владелец: Zhejiang Lai'en Hass Medical Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-10-01.

Mobile device and system for automated trip familiarity recognition and corresponding method thereof

Номер патента: WO2022053617A1. Автор: Riccardo TISSEUR,Tobias TEKAMPE. Владелец: SWISS REINSURANCE COMPANY LTD.. Дата публикации: 2022-03-17.

User terminal device and system for performing user customized health management, and methods thereof

Номер патента: CN103366323A. Автор: 金贤英,魏泰焕. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-23.

User terminal device and network server apparatus for providing evaluation information and methods thereof

Номер патента: EP2898465A4. Автор: Sun Choi,Keum-Koo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-17.

Mobile Device And System For Automated Transport Mode Recognition And Corresponding Method Thereof

Номер патента: US20230076568A1. Автор: Riccardo TISSEUR,Elia GIACOMINI. Владелец: Swiss Reinsurance Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-09.

Electronic device and method for playing high dynamic range video and method thereof

Номер патента: EP3891997B1. Автор: Minki Kim,Donghyun Yeom,Jimin Kim,Hyungsuk Kim,Hyuntaek LEE,Jinbong RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-15.

Electronic device and method for displaying modification of virtual object and method thereof

Номер патента: US20240135650A1. Автор: HwaJun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Display device, and display signal input system and display signal input method thereof

Номер патента: EP3306462A4. Автор: Tadashi Nakai. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-16.

A method of manufacturing a video display device, and a video display device manufactured by the manufacturing method thereof

Номер патента: TWI550046B. Автор: Takehiro Kinoshita,Ritsuko Azuma,Kazuhiko Ooga,Kai Suzuki. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2016-09-21.

Virtual avatar driving method and apparatus, device, and storage medium

Номер патента: US20220058848A1. Автор: Haotian Peng,Ruizhi Chen. Владелец: Beijing Baidu Netcom Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-24.

Display panel driving method and driving device, display device, and storage medium

Номер патента: US11837187B2. Автор: MING Chen,Wei Sun,Yan Sun,Shuo Zhang,Xiaomang Zhang,Tiankuo SHI,Zhihua JI,Yanhui XI. Владелец: Beijing Boe Optoelectronics Technology Presy Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Driving method of display device, and display device

Номер патента: US11942054B2. Автор: Tao Fan,Haijiang YUAN,Zhenghui Yuan. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Driving method of display device and driving device

Номер патента: US11417259B2. Автор: Yue Li,Shuai Yang,Xingyao Zhou,Mengmeng ZHANG. Владелец: Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-16.

Driving method of display device and driving device

Номер патента: US20210233451A1. Автор: Yue Li,Shuai Yang,Xingyao Zhou,Mengmeng ZHANG. Владелец: Shanghai Tianma AM OLED Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Organic Light Emitting Display Device and Driving Circuit Applying Pulse Amplitude ModulationPAM Driving Method and Pulse Width ModulationPWM Driving Method

Номер патента: KR100797749B1. Автор: 김창운. Владелец: 리디스 테크놀로지 인코포레이티드. Дата публикации: 2008-01-24.

Driving method, driving device, and display device

Номер патента: US20190189070A1. Автор: Bei Zhou Huang. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-20.

Display device and its gamma curve compensation circuit and driving method

Номер патента: CN107274854A. Автор: 张啟皇. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-10-20.

Control circuit of display device, display device and electronic appliance having the same, and driving method of the same

Номер патента: TW200601220A. Автор: Tadafumi Ozaki. Владелец: Semiconductor Energy Lab Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-01.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240302982A1. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09477593B2. Автор: Hong-Sik Kim,Dong-Gun KIM,Yong-Kee KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US20160342332A1. Автор: Tai Kyu Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-24.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09875179B2. Автор: Tai Kyu Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Memory system performing cache bypassing operation and cache management method thereof

Номер патента: US20240256452A1. Автор: Shinhaeng KANG,Kyomin Sohn,Suk Han Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Information processing device including host device and semiconductor memory device having a block rearrangement to secure free blocks

Номер патента: US09870155B2. Автор: Kenichi Maeda,Atsushi Kunimatsu. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Information processing device including host device and semiconductor memory device having a plurality of address conversion information

Номер патента: US09542117B2. Автор: Kenichi Maeda,Atsushi Kunimatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Data reading method for semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20090077337A1. Автор: Daisuke Oda. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-19.

Semiconductor system and operating method thereof

Номер патента: US09575888B2. Автор: Eui Jin Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device and method of layouting auxiliary pattern

Номер патента: US09455271B1. Автор: Yuji Setta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor memory device using a ferroelectric characteristic of charge storage layer and operating method thereof

Номер патента: US12120883B2. Автор: Jin-Hong Park,Sang-Yong Park,Sungjoo Lee. Владелец: Research And Business Foundation Sungky. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor memory device having the structure of word-lines to avoid short circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230096256A1. Автор: Junya Suzuki,Takashi Sasaki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Light Emitting Device and Preparation Method Therefor, Light Emitting Substrate and Preparation Method Thereof

Номер патента: US20240213422A1. Автор: Jiawei ZHAO,Junjie MA,Yuanhao Sun,Yuanda LU,Shanwei Yang,Zhijun XIONG,Xueqiao LI. Владелец: BOE Jingxin Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Non-volatile memory device having asymmetrical control gates surrounding a floating gate and manufacturing method thereof

Номер патента: US9502257B2. Автор: Kyung Min Kim,Jung Goo Park,Jeong Ho Cho,Se Woon KIM. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Three-dimensional memory device with metal-barrier-metal word lines and methods of making the same

Номер патента: US11968826B2. Автор: Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Ramy Nashed Bassely SAID,Senaka Kanakamedala. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-23.

Transport stream generating device, transmitting device, receiving device, and a digital broadcast system having the same, and method thereof

Номер патента: US20090046795A1. Автор: Eui-jun Park,Yong-Sik Kwon,Yong-Deok Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-19.

3d nand memory device devices and related electronic systems

Номер патента: US20230361083A1. Автор: Kunal R. Parekh,Akira Goda,Paolo Tessariol. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor memory device and its manufacturing method

Номер патента: US20110084277A1. Автор: Nobuyoshi Takahashi,Koichi Kawashima,Yuichiro Higuchi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-04-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180026044A1. Автор: Katsuaki Isobe,Tetsuaki Utsumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-25.

3-d non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150311209A1. Автор: Ki Hong Lee,Sung Jin Whang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-29.

3-D non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9112044B2. Автор: Ki Hong Lee,Sung Jin Whang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-08-18.

3-D non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09515074B2. Автор: Ki Hong Lee,Sung Jin Whang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor memory devices with different thicknesses of word lines and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US11856783B2. Автор: Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Ya-Yun Cheng,Meng-Han LIN,Peng-Chun Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Reducing neighboring word line in interference using low-k oxide

Номер патента: US09831118B1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Jayavel Pachamuthu,Ching-Huang Lu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-11-28.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITH IMPROVED ACTIVE AREA/WORD LINE LAYOUT

Номер патента: US20160099248A1. Автор: Wu Nan. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-07.

Nonvolatile semiconductor memory device with different doping concentration word lines

Номер патента: US8441061B2. Автор: Takashi Nakao,Kazuaki Iwasawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-05-14.

Three-dimensional memory device having parallel trench type capacitor

Номер патента: US11690233B2. Автор: Won Seok Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-06-27.

Three-dimensional memory device having parallel trench type capacitor and a method of manufacturing the three-dimensional memory device

Номер патента: US20220149052A1. Автор: Won Seok Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-12.

Amorphous silicon layer in memory device which reduces neighboring word line interference

Номер патента: US09859298B1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device for reducing the damage of interlevel dielectric layer, and fabrication method thereof

Номер патента: KR100338780B1. Автор: 원석준,유차영. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-06-01.

Semiconductor memory device having plural cell capacitors stacked on one another and manufacturing method thereof

Номер патента: US8969935B2. Автор: Hiroyuki Uchiyama. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2015-03-03.

Dynamic random access memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240224509A1. Автор: Wen-Yueh Chang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09882063B2. Автор: LI ZHANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Vertical memory device

Номер патента: US11830805B2. Автор: Bongsoon LIM,Dongha Shin,Jeawon JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-28.

Memory device with air gaps for reducing capacitive coupling

Номер патента: US20210407908A1. Автор: Chih-Wei Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-12-30.

Memory device

Номер патента: US20190148456A1. Автор: Jin-Woo Lee,Dong-ho Ahn,Hideki Horii,Jeong-hee Park,Zhe Wu,Soon-Oh Park,Dong-Jun Seong,Seol Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-16.

SEMICONDUCTOR MEMORY STORAGE ARRAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20140077150A1. Автор: HO Chia-Hua,LEE MING-DAOU,CHIU WEN-CHENG,HSU CHO-LUN. Владелец: NATIONAL APPLIED RESEARCH LABORATORIES. Дата публикации: 2014-03-20.

Amorphous silicon layer in memory device which reduces neighboring word line interference

Номер патента: WO2017222605A1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-12-28.

Three-dimensional memory device with punch-through-resistant word lines and methods for forming the same

Номер патента: US11778818B2. Автор: Hiroaki Namba,Michiaki Sano,Ryo Mochizuki,Yasuo Kasagi,Junji Oh,Yujin TERASAWA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-03.

Network device and terminal for multi-net aggregation transmission, and operating method thereof

Номер патента: EP3301968B1. Автор: Youn-pil Jeung,Sunghoon SEO,Han Jin JOH,Hong Suk Oh. Владелец: KT Corp. Дата публикации: 2019-12-18.

Network device and terminal for multi-net aggregation transmission, and operating method thereof

Номер патента: EP3301969A4. Автор: Youn-pil Jeung,Sunghoon SEO,Han Jin JOH,Hong Suk Oh. Владелец: KT Corp. Дата публикации: 2018-07-04.

Network device and terminal for multi-net aggregation transmission, and operating method thereof

Номер патента: EP3301968A4. Автор: Youn-pil Jeung,Sunghoon SEO,Han Jin JOH,Hong Suk Oh. Владелец: KT Corp. Дата публикации: 2018-07-04.

THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE INCLUDING LINER FREE MOLYBDENUM WORD LINES AND METHODS OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20200051993A1. Автор: Rabkin Peter,Higashitani Masaaki,Makala Raghuveer S.. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-13.

THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE CONTAINING PLURAL WORK FUNCTION WORD LINES AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20210183882A1. Автор: Zhang Peng,Zhao Wei,Zhang Yanli,Makala Raghuveer S.,Baraskar Ashish,MOON Dong-il. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-17.

THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE CONTAINING PLURAL WORK FUNCTION WORD LINES AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20210183883A1. Автор: Zhang Peng,Zhao Wei,Zhang Yanli,Makala Raghuveer S.,Baraskar Ashish,MOON Dong-il. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-17.

THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE INCLUDING LINER FREE MOLYBDENUM WORD LINES AND METHODS OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20200295039A1. Автор: Rabkin Peter,Higashitani Masaaki,Makala Raghuveer S.. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-17.

Three-dimensional memory device with metal-barrier-metal word lines and methods of making the same

Номер патента: WO2022231662A1. Автор: Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Ramy Nashed Bassely SAID,Senaka Kanakamedala. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-11-03.

Potential generating circuit, potential generating device and semiconductor device using the same, and driving method thereof

Номер патента: US6809953B2. Автор: Toru Iwata,Kiyoyuki Morita,Kenji Toyoda,Kiyoshi Morimoto,Jun Kajiwara,Michihito Ueda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-26.

Nonvolatile memory device using the resistive switching of graphene oxide and the fabrication method thereof

Номер патента: KR101157105B1. Автор: 이상욱,강태원,파닌 겐나디,캐피타노바 알리샤. Владелец: 동국대학교 산학협력단. Дата публикации: 2012-06-22.

Semiconductor structures of anti-fuse devices and core devices with different dielectric layers and preparation method thereof

Номер патента: US12033938B2. Автор: Xianlei CAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

TRANSPORT STREAM GENERATING DEVICE, TRANSMITTING DEVICE, RECEIVING DEVICE, AND A DIGITAL BROADCAST SYSTEM HAVING THE SAME, AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20130177108A1. Автор: Kwon Yong-sik,PARK Eui-jun,Chang Yong-deok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-07-11.

WEARABLE DEVICE AND MANAGING DEVICE TO MANAGE STATUS OF USER, AND METHODS THEREOF

Номер патента: US20140135644A1. Автор: Kim Sang-tae. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2014-05-15.

Wireless Device and Network Node for a Wireless Communication System and Methods Thereof

Номер патента: US20180317212A1. Автор: Siomina Iana,Kazmi Muhammad,Callender Christopher. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-01.

Substrate cleaning device and method, producing device of display means and producing method thereof

Номер патента: CN102651327A. Автор: 田中润一,山元良高,寺门秀晃,安藤佳大,西部幸伸,广濑治道,田中康一. Владелец: Shibaura Mechatronics Corp. Дата публикации: 2012-08-29.

Protective device and method of lighting assembly, lighting assembly and protective method thereof

Номер патента: US11122665B1. Автор: Dengfeng HE. Владелец: Shaanxi Wasentech Intelligent Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-14.

Terminal device and server for remote diagnosis for communication terminal and method thereof

Номер патента: WO2009116694A1. Автор: Min-Gyu Han,Hyoungsuk Kim,Chung-Il Lee. Владелец: Chung-Il Lee. Дата публикации: 2009-09-24.

Wireless device and network node for a wireless communication system and methods thereof

Номер патента: EP3536061A4. Автор: Iana Siomina,Christopher Callender,Muhammad Kazmi. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2020-06-17.

Solid hydrogen storage device and fuel cell integrated power supply system and use method thereof

Номер патента: CN114843549A. Автор: 叶建华,王�琦,李志念,冯小阳,郭秀梅,袁宝龙,卢淼,武媛芳. Владелец: GRIMN Engineering Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-02.

Transport stream generating device, transmitting device, receiving device, and a digital broadcast system having the same, and method thereof

Номер патента: US9106455B2. Автор: Eui-jun Park,Yong-Sik Kwon,Yong-Deok Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-08-11.

Rapid molding device and system for ultrahigh molecular weight polymer and control method thereof

Номер патента: CN112008971A. Автор: 马永梅,曹新宇,向前,张京楠,郑鲲,叶钢,马远远,武炎. Владелец: Institute of Chemistry CAS. Дата публикации: 2020-12-01.

Terminal device and server for remote diagnosis for communication terminal and method thereof

Номер патента: KR20090100681A. Автор: 김형석,이충일,한민규. Владелец: 한민규. Дата публикации: 2009-09-24.

Wireless communication device and network controller for affiliation with associated groups and method thereof

Номер патента: US20060030348A1. Автор: Peter Drozt,Laura Christensen,William Felderman. Владелец: Felderman William A. Дата публикации: 2006-02-09.

Sound effect device and sound effect reproduction method and sound effect listening method thereof

Номер патента: CN110896515A. Автор: 黄新民. Владелец: Tang Band Industries Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-20.

Electronic device and its manufacturing method, and substrate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: TWI544589B. Автор: Motonobu Sato,Mizuhisa Nihei. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-08-01.

Semiconductor memory device and semiconductor memory array comprising the same

Номер патента: US09991266B2. Автор: Zhibiao Zhou,Ding-Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030011025A1. Автор: Naoki Tsuji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-16.

Pillar-shaped semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US09536892B2. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor memory device and driving method for the same

Номер патента: US7948800B2. Автор: Keita Takahashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-05-24.

Semiconductor memory device and driving method for the same

Номер патента: US20090185427A1. Автор: Keita Takahashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-07-23.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US12040369B2. Автор: LIANG Yi,Chi REN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor memory device and apparatus including the same

Номер патента: US12080649B2. Автор: Hyeonjin Shin,Kyung-Eun Byun,Changseok Lee,Minhyun LEE,Hyeonsuk Shin,Seokmo Hong. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory device and method for forming semiconductor memory device

Номер патента: US20240268097A1. Автор: PENG Guo,Yuanbao WANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240244831A1. Автор: Yongjin Lee,Min Hee Cho,Sanghoon Uhm,Younggeun SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240292594A1. Автор: Sanghyun Lee,Dongjun Lee,Jinwoo Han,Kiseok LEE,Sung-Min Park,Seokhan Park,Iljae Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device and semiconductor device

Номер патента: US20240284665A1. Автор: Hong-Soo Kim,Jong-Kook Park,Tae-keun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240090211A1. Автор: Sung-Min Hwang,Soyeon Kim,Dong-Sik Lee,Seunghyun CHO,Jae-Joo Shim,Bongtae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20180047741A1. Автор: Hideto Onuma,Masayuki Shishido,Akira KURAMOTO,Tatsuya Fujishima,Nobuhito KUGE. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240315002A1. Автор: Kwang-Ho Park,Seungjae Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240251544A1. Автор: Ilyoung Yoon,Sangjun Park,Kijong Park,Sungjoo An,Seungmin SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230007879A1. Автор: Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240298445A1. Автор: Yusuke Morikawa,Tatsufumi Hamada,Yosuke MITSUNO,Tomohiro KUKI,Ryouji MASUDA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060244025A1. Автор: Tomomi Yamanobe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-02.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240114674A1. Автор: Chang Sik Kim,Jae Won Na,Jun Hwa Song,Ji Hee Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11751376B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110287624A1. Автор: Hiroyuki Nitta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-11-24.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12100651B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230320102A1. Автор: Zhiqiang Wu,Han-Jong Chia,Chun-Fu CHENG,Meng-Han LIN,Chung-Wei Wu,Yu-Chien Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20170278862A1. Автор: Hideaki Aochi,Jun Fujiki,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-28.

Semiconductor memory device and a method of fabricating the same

Номер патента: US12048141B2. Автор: Kiseok LEE,Hui-jung Kim,Min Hee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20230189524A1. Автор: Junghwan Park,Joon Sung Kim,Sun Young Lee,Min Gu Kang,Seorim MOON,Seok Cheon Baek,Cheol RYOU,Sang Don ZOO,Cheol-Min LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080296647A1. Автор: Tomohiko Tatsumi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-04.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100301405A1. Автор: Shigeto Oota,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-02.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240365531A1. Автор: Sangho Lee,Taejin Park,Hui-jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor memory devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09443734B2. Автор: Jung-Hwan Park,Kyu-Hyun Lee,Ki-Seok Lee,Hyo-Jin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor Memory Device Having Auxiliary Conduction Region Of Deduced Area

Номер патента: US20020175349A1. Автор: Yoshinao Morikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-11-28.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12063779B2. Автор: Ryota Katsumata,Yoshihiro AKUTSU. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US12058850B2. Автор: Sangho Lee,Taejin Park,Hui-jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09876029B2. Автор: Hideaki Aochi,Jun Fujiki,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09768185B2. Автор: Ryota Katsumata,Yoshihiro AKUTSU. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory device and production method thereof

Номер патента: US09679911B2. Автор: Kei Sakamoto,Shigeki Kobayashi,Takamasa OKAWA,Ryosuke SAWABE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor memory device and production method thereof

Номер патента: US09646987B2. Автор: Takashi Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor Memory Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20240244824A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Yifei Yan,Ken-Li Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230164974A1. Автор: PENG Guo,Yuanbao WANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030080374A1. Автор: Hajime Arai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-01.

Semiconductor memory device having coplanar digit line contacts and storage node contacts in memory array and method for fabricating the same

Номер патента: US09881924B2. Автор: Sanh Tang,Shih-Fan Kuan,Kuo-Chen Wang,Lars Heineck. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor memory cell, semiconductor memory device, and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US09865693B1. Автор: Wang Xiang,Weichang Liu,Zhen Chen,Shen-De Wang,Wei Ta. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Nonvolatile semiconductor memory device having word line hookup region with dummy word lines

Номер патента: US09620519B2. Автор: Hirofumi Inoue,Yasuyuki Baba,Kazuichi Komenaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240224494A1. Автор: Kyunghwan Lee,Yongseok Kim,Huijung Kim,Minhee Cho,Sungwon Yoo,Ilgweon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010020710A1. Автор: Jiro Matsufusa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-09-13.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100230742A1. Автор: Yukihiro Yamashita. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20160260722A1. Автор: Hirofumi Inoue,Yasuyuki Baba,Kazuichi Komenaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20220310697A1. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Chen-Yi Weng,Ching-Hua Hsu,Si-Han Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240251545A1. Автор: Jin-Seong Park,Seung Hee Lee,Dong-Gyu Kim,Tae Won Kim,Yu Rim KIM,Yong-Suk Tak,Dong-Hyeon Lee. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-07-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090065844A1. Автор: Toshihiko Iinuma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240357823A1. Автор: Dae Sung EOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20220077182A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor Memory Devices Having Strain Layers Therein That Increase Device Performance And Methods of Forming Same

Номер патента: US20110254103A1. Автор: Young-Nam Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11700723B2. Автор: Jaehoon Kim,Seungjae Jung,Kwangho Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-11.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090294827A1. Автор: Motoi Ashida. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-12-03.

Memory cell array in a semiconductor memory device

Номер патента: US20080251847A1. Автор: Keun Woo Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-10-16.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7608488B2. Автор: Susumu Yoshikawa,Yasuyuki Baba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-27.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09508739B2. Автор: Naoki Yasuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210210426A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-07-08.

Semiconductor memory devices having contact plugs

Номер патента: US20240206157A1. Автор: Wonchul Lee,Dongsoo Woo,Hyejin Seong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12048155B2. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12035533B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20230129734A1. Автор: Dong Won Choi,Kyung Min Park,Jun Hyuk Park,Sung Gon Jin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240315048A1. Автор: Hui-Lin WANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240315142A1. Автор: Hui-Lin WANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240349490A1. Автор: Hyungki CHO,Huije Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240334682A1. Автор: Seok Han PARK,Jin Woo Han,Ki Seok Lee,Hyun Geun Choi,Bo Won YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240341098A1. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor memory devices including asymmetric word line pads

Номер патента: US09911750B2. Автор: Jaegoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12144179B2. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-12.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09559112B2. Автор: Youngwoo Park,Jungdal CHOI,Jaegoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12137561B2. Автор: Sung-Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor memory device and method for fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US7821049B2. Автор: Hiroyuki Kanaya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-10-26.

Device isolation method of semiconductor memory device and flash memory device fabricating method using the same

Номер патента: US20050142796A1. Автор: Sung Jung,Jum Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20240237342A1. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210028104A1. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor memory device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20180190586A1. Автор: Feng-Yi Chang,Shih-Fang Tzou,Fu-Che Lee,Feng-Ming Huang,Chien-Cheng Tsai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20230307369A1. Автор: Susumu Hashimoto,Koichi Sakata,Shinya Arai,Keisuke Nakatsuka,Nobuhito Ichiki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240266339A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20230309305A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140252453A1. Автор: Yoshio Ozawa,Masaaki Higuchi,Katsuyuki Sekine,Ryota Fujitsuka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12087686B2. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20240357800A1. Автор: Sangho Lee,Moonyoung JEONG,Yoongi Hong,SiHyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12133379B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240334704A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20240373634A1. Автор: Jae Young Oh,Eun Seok Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09443868B1. Автор: Toshiyuki Takewaki,Ming Hu,Masahisa Sonoda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20120068244A1. Автор: Yoshiki Kato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-22.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210020654A1. Автор: Dong Hyuk Kim,Sung Lae OH,Soo Nam JUNG,Tae Sung Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US12052864B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120135593A1. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-31.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230320080A1. Автор: Woojin JEONG,Hui-jung Kim,Junhyeok Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240292602A1. Автор: Sang Ho Lee,Moon Young Jeong,Yoon Gi HONG,Dong Soo WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180261603A1. Автор: Li-Wei Feng,Ying-Chiao Wang,Wen-Chieh Lu,Chien-Ting Ho,Li-Wei Liu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-13.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10074656B1. Автор: Li-Wei Feng,Ying-Chiao Wang,Wen-Chieh Lu,Chien-Ting Ho,Li-Wei Liu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-11.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8106445B2. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-01-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100084702A1. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240292598A1. Автор: Jihoon Kim,Suncheul KIM,Taeyeon KWON,Younjae CHO,Hongsung MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8836010B2. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-16.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030011024A1. Автор: Naho Nishioka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-16.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120168851A1. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Contact formation for a memory device

Номер патента: US20240357837A1. Автор: ZHAO Zhao,Farrell M. Good,Nirav Vora,Kolya Yastrebenetsky,Darwin A. Clampitt,Stephen W. Russell,Steven P. Turini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20240341097A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09627400B2. Автор: Kenji Koshiishi,Junji Kataoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20220208856A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-06-30.

Semiconductor memory device having composite dielectric film structure and methods of forming the same

Номер патента: US12014966B2. Автор: Ming Chyi Liu,Sheng-Chieh Chen,Wei-Ming Wang,Chih-Ren Hsieh,Ming-Lun Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100133613A1. Автор: Hironobu FURUHASHI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-06-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240196593A1. Автор: Sangho Lee,Moonyoung JEONG,Yoongi Hong,Hyungjun NOH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140048761A1. Автор: Shigeki Kobayashi,Hiroyuki Fukumizu,Yasuhiro Nojiri,Masaki Yamato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-02-20.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020033495A1. Автор: Jeong-Seok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-03-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240292617A1. Автор: In Su Park,Jung Shik JANG,Won Geun CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Buried word line and connection pad for memory device

Номер патента: US8698233B2. Автор: Hyoung Soon Yune,Joo Hong Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-04-15.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US12080791B2. Автор: Ki Seok Lee,Min Hee Cho,Min Su Lee,Sang Hoon Uhm,Min Tae RYU,Won Sok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory device having composite dielectric film structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240290672A1. Автор: Ming Chyi Liu,Sheng-Chieh Chen,Wei-Ming Wang,Chih-Ren Hsieh,Ming-Lun Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12082410B2. Автор: Hyung Joon Kim,Hyun Jung Lee,Yong-Hoon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: EP1480273A3. Автор: Jung-hyun Lee,Young-soo Park,Won-Tae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-02-08.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020000590A1. Автор: Shintaro Yamamichi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-03.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210202263A1. Автор: Takashi Shimizu,Masaaki Higuchi,Takahiro Hirai,Takeshi SONEHARA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

Non-volatile semiconductor memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20020145155A1. Автор: Kenji Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-10-10.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020175358A1. Автор: Shintaro Yamamichi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-11-28.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US12101944B2. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US12100617B2. Автор: Yu-Cheng Tung,Tsung-Wen Chen,Chao-Wei Lin,Janbo Zhang,Chia-Yi Chu,Ken-Li Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor memory device having bit lines and isolation fins disposed on the substrate

Номер патента: US12114487B2. Автор: Yu-Cheng Tung,Li-Wei Feng,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240334677A1. Автор: Sangho Lee,Moonyoung JEONG,Yoongi Hong,Ilgweon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US12133479B2. Автор: Chia-Ching Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240371994A1. Автор: Ki Seok Lee,Min Hee Cho,Min Su Lee,Sang Hoon Uhm,Min Tae RYU,Won Sok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US11955565B2. Автор: Chi REN,Chun-Sung Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09935108B2. Автор: Yongju Jung,Chul-Ho Kim,Cheolhong KIM,HunKook LEE,SiHyun Kim,Seunghak Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US09922985B2. Автор: Hae Wan Yang,Sheng Fen Chiu,Guan Hua LI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor memory device having enlarged cell contact area and method of fabricating the same

Номер патента: US09859284B2. Автор: Kuo-Chen Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09754888B2. Автор: Toshiyuki Sasaki,Kazuhito FURUMOTO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20240098998A1. Автор: Ryota Fujitsuka,Tomonari SHIODA,Takanori Yamanaka,Saori MATSUSHITA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor memory device and method for fabricating thereof

Номер патента: US20210335798A1. Автор: Satoru Yamada,Hyun Cheol Kim,Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Sung Won YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-28.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: EP4369882A1. Автор: Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Dohyung Kim,Sukkang SUNG,Woosung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-15.

Semiconductor memory device and method for fabricating thereof

Номер патента: US11711918B2. Автор: Satoru Yamada,Hyun Cheol Kim,Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Sung Won YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230397430A1. Автор: Kyunghwan Lee,Yongseok Kim,Kiseok LEE,Hyuncheol Kim,Keunnam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210111181A1. Автор: Sang Bum Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11444092B2. Автор: Sang Bum Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-09-13.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150372003A1. Автор: Kotaro Noda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-24.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020089037A1. Автор: Jeong-Seok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-07-11.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20140027836A1. Автор: Tadashi Iguchi,Ryota Katsumata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-30.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240276722A1. Автор: In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Mi Seong PARK,Won Geun CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070176228A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-02.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050164427A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-28.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7297594B2. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-11-20.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10411137B2. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-09-10.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150221660A1. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2015-08-06.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150069491A1. Автор: Takamasa Usui,Yoshiaki Himeno,Jun Iijima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Nonvolatile semiconductor memory device, semiconductor device and manufactoring method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100171169A1. Автор: Isao Kamioka,Yoshio Ozawa,Daisuke Matsushita,Yuuichiro Mitani,Ryuji Ooba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-08.

Semiconductor memory device capable of preventing oxidation of plug and method for fabricating the same

Номер патента: US20030001186A1. Автор: Soon-Yong Kweon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-01-02.

Delay locked loop circuit for a synchronous semiconductor memory device and a method of generating information about a load connected to a data pin of a synchronous semiconductor memory device

Номер патента: US20080219065A1. Автор: Jae-Jun Lee,Hoe-ju Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-11.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090014778A1. Автор: Keita Takahashi,Koichi Kawashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-15.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090179257A1. Автор: Masaru Kito,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-16.

Non-volatile semiconductor memory device, and manufacture method for non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100001338A1. Автор: Kenichiro Nakagawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-01-07.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20230029468A1. Автор: LIANG Yi,Zhiguo Li,Chi REN,Xiaojuan GAO. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240315008A1. Автор: Jae Hyun Choi,Junsoo Kim,Taeyoon AN,Jun-Bum LEE,Jihye Kwon,Hyun Seung CHOI,Dongsik Kong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP4432803A1. Автор: Jae Hyun Choi,Junsoo Kim,Taeyoon AN,Jun-Bum LEE,Jihye Kwon,Hyun Seung CHOI,Dongsik Kong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US7791121B2. Автор: Keita Takahashi,Koichi Kawashima. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-09-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240357801A1. Автор: Jinwoo Han,Moonyoung JEONG,Kiseok LEE,Hanjin Lim,Seokhan Park,Keunnam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP4451821A1. Автор: Jinwoo Han,Moonyoung JEONG,Kiseok LEE,Hanjin Lim,Seokhan Park,Keunnam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-23.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09786683B1. Автор: Kiwamu Sakuma,Keiji Ikeda,Masumi SAITOH. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Pillar-shaped semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US09773801B2. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09768266B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Hanmei Choi,Kihyun Hwang,Sunghoi Hur,Juyul Lee,Kwang Soo SEOL,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US12150305B2. Автор: Hyo Sub YEOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09589974B2. Автор: Takamasa Usui,Yoshiaki Himeno,Jun Iijima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09564499B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Ki-Hyun Hwang,Kwang-Soo Seol,Hanmei Choi,Sunghoi Hur,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park,Ju-Yul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09536970B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Hanmei Choi,Kihyun Hwang,Sunghoi Hur,Juyul Lee,Kwang Soo SEOL,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park,Dongchul Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230411387A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230028009A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220059615A1. Автор: Jae Ho Jung,Jong Uk Kim,Kwang Min Park,Zhe Wu,Ja Bin LEE,Dong Sung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-24.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US11895927B2. Автор: Chia-Chang Hsu,Yung-Shen Chen,Cheng-Yi Lin,Chia-hung Lin,Tang-Chun Weng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210175241A1. Автор: Ki Hong Lee,Seung Wook Ryu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Method for forming semiconductor memory device

Номер патента: US20240276704A1. Автор: Yifei Yan. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7432154B2. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-10-07.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240122078A1. Автор: Chia-Chang Hsu,Yung-Shen Chen,Cheng-Yi Lin,Chia-hung Lin,Tang-Chun Weng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20230247836A1. Автор: Hyung Joon Kim,Kyungwook Park,Sangmin Kang,Bio Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240315009A1. Автор: Jaejin Lee,Jihoon Kim,Youngjun Kim,Dohyung Kim,Yeonju OH,Dongju Chang,Taekjung Kim,Seohyeong JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240315013A1. Автор: Seok Han PARK,Jin Woo Han,Ki Seok Lee,Hyun Geun Choi,Bo Won YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device and semiconductor device

Номер патента: US20240324220A1. Автор: Masaki Nakamura,Yutaka Shimizu,Hideo Wada,Go Oike,Yoshikazu HOSOMURA,Hironobu HAMANAKA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20240315015A1. Автор: Masashi ARINO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240315043A1. Автор: Shosuke Fujii. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US12096704B2. Автор: YUAN Zhou,Guoan Du,Guohai ZHANG,Xian Feng Du. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory device having voids between word lines and a source line

Номер патента: US09728552B1. Автор: Atsushi Fukumoto,Hajime Nagano,Fumiki Aiso. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor memory device having stacked word lines and conductive pillar

Номер патента: US09634064B2. Автор: Shigeki Kobayashi,Takeshi Yamaguchi,Masaki Yamato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240099000A1. Автор: Kotaro Nomura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Non-volatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20100123183A1. Автор: Katsuhiko Yamamoto,Tadashi Terasaki,Hirotaka Hamamura,Yoshiki Yonamoto. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2010-05-20.

WORD LINE DRIVING SIGNAL CONTROL CIRCUIT, SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS HAVING THE SAME, AND WORD LINE DRIVING METHOD

Номер патента: US20120314519A1. Автор: LEE In Pyo. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-12-13.

Semiconductor memory device capable of high-speed word line drive

Номер патента: JP3642804B2. Автор: 泰星 張,東一 徐. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-04-27.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD FOR WORD LINE DECODING AND ROUTING

Номер патента: US20130322199A1. Автор: Guo Jing,Chen Hua,HUANG Yongchang,MA Jiping. Владелец: NVIDIA CORPORATION. Дата публикации: 2013-12-05.

Semiconductor memory information storage device and its defective part coping method

Номер патента: JP5057796B2. Автор: 俊生 鈴木. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-10-24.

Transformer device and magnetic core structural body for transformer and producing method thereof

Номер патента: TWI254329B. Автор: Takanori INAGAKI,Shinichiro Itoh. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2006-05-01.

Transformer device and magnetic core structural body for transformer and producing method thereof

Номер патента: TW200525561A. Автор: Takanori INAGAKI,Shinichiro Itoh. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2005-08-01.

OLED (Organic Light Emitting Diode) display device and packaging structure thereof and as well as packaging method thereof

Номер патента: CN102237494A. Автор: 高昕伟. Владелец: Sichuan CCO Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-09.

Nonvolatile Memory Device Using The Resistive Switching of Graphene Oxide And The Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20120205606A1. Автор: Kang Tae Won,Lee Sang Wuk,Panin Gennady,Kapitanova Olesya. Владелец: Dongguk University Industry-Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2012-08-16.

SENSE AMPLIFICATION CIRCUITS, OUTPUT CIRCUITS, NONVOLATILE MEMORY DEVICES, MEMORY SYSTEMS, MEMORY CARDS HAVING THE SAME, AND DATA OUTPUTTING METHODS THEREOF

Номер патента: US20120243342A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-09-27.

Nonvolatile memory device with reduced floating gate and increased coupling ratio and manufacturing method thereof

Номер патента: TW498431B. Автор: Hung-Huei Tzeng. Владелец: Vanguard Int Semiconduct Corp. Дата публикации: 2002-08-11.

User Device, Base Device and System Utilizing Audio Signal to Transmit Data, and Method Thereof

Номер патента: US20130110723A1. Автор: Huang Fu-Yu,Lin Min-Chun,Kuan Feng-Hui. Владелец: EASON TECH. CO., LTD.. Дата публикации: 2013-05-02.

Traveling device, and crawler pile frame and disassembling method and boarding method thereof

Номер патента: CN102424072A. Автор: 张利,安贵平,陈白禹. Владелец: Beijing Sany Heavy Machinery Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-25.

Electronic device and display system with integrated touch screen and control method thereof

Номер патента: TWI402726B. Автор: Chien Yang Chang. Владелец: Mitac Int Corp. Дата публикации: 2013-07-21.

Liquid crystal display device and it's data processing circuit and driving method

Номер патента: TW200849180A. Автор: Shun-Ming Huang. Владелец: Innolux Display Corp. Дата публикации: 2008-12-16.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTIVE RAM DEVICES AND METHODS

Номер патента: US20120001144A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Memory With Improved Block Switching

Номер патента: US20120002476A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTANCE-CHANGE SEMICONDUCTOR MEMORY

Номер патента: US20120002462A1. Автор: Inaba Tsuneo. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTANCE CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002458A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002469A1. Автор: IMAMOTO Akihiro,Abiko Naofumi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002475A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002478A1. Автор: Isobe Katsuaki,Kojima Masatsugu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002472A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

CHARGE EQUILIBRIUM ACCELERATION IN A FLOATING GATE MEMORY DEVICE VIA A REVERSE FIELD PULSE

Номер патента: US20120002482A1. Автор: Kalavade Pranav,Franklin Nathan R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002470A1. Автор: Honma Mitsuaki,Futatsuyama Takuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

TEST SIGNAL GENERATING DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS USING THE SAME AND MULTI-BIT TEST METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002491A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Circuit and method for eliminating bit line leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002496A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

STRESS-ENGINEERED RESISTANCE-CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120001148A1. Автор: . Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Display device and display method

Номер патента: US20120001877A1. Автор: Morii Hideki,Yanagi Toshihiro,Miyata Hidekazu. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

ILLUMINATION DEVICE AND METHOD FOR EMBEDDING DATA SYMBOLS IN A LUMINANCE OUTPUT

Номер патента: US20120002974A1. Автор: Wendt Matthias,Radermacher Harald Josef Günther,SCHENK Tim Corneel Wilhelmus,Kuppen Johan Wilhelmus Hermanus. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002485A1. Автор: Ono Takashi,MARUYAMA Takafumi,NISHIKAWA Kazuyo,Suwa Hitoshi,Nitta Tadashi,Ueminami Masahiro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE AND METHOD FOR DETECTING MOVEMENT OF OBJECT

Номер патента: US20120002842A1. Автор: MURASHITA Kimitaka,WATANABE Yuri,Fujimura Koichi. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.