Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US20130010553A1
Опубликовано: 10-01-2013
Автор(ы): Atsuo Koshizuka
Принадлежит: Elpida Memory Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Memory device, operation method of a memory device, and operation method of a memory controller

Номер патента: EP4250124A1. Автор: Taeyoung Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-27.

Memory device, operation method of a memory device, and operation method of a memory controller

Номер патента: US20230305706A1. Автор: Taeyoung Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES, MEMORY SYSTEMS INCLUDING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES, AND OPERATING METHODS OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20190130950A1. Автор: Kim Young-Hun,KIM Sihong. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-02.

Data alignment circuit of a semiconductor memory device, a semiconductor memory device and a method of aligning data in a semiconductor memory device

Номер патента: US20180174636A1. Автор: Jung-hwan Choi,In-Dal Song,Jin-Seok Heo,Kyung-Soo Ha,Seong-Hwan Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-21.

Semiconductor memory device and operating method of the same

Номер патента: KR100955267B1. Автор: 정춘석. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-04-30.

Semiconductor memory device, and operating method of semiconductor memory device

Номер патента: TW200912951A. Автор: Kotaro Kashiwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-03-16.

Semiconductor memory device, semiconductor memory device system, and method of operating a semiconductor memory device

Номер патента: DE102004063531B4. Автор: Helmut Dr. Fischer,Martin Dr. Brox. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2011-06-01.

Semiconductor memory with column gates and method of controlling column gates

Номер патента: KR100353484B1. Автор: 사토야스하루,이케다히토시,고바야시히로유키,아이카와다다오. Владелец: 후지쯔 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2002-09-19.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20210280235A1. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Nonvolatile memory device and read method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20220051714A1. Автор: Minseok Kim,Jisu Kim,Doohyun Kim,Jinbae BANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Memory device and a method of operating the same

Номер патента: US09704571B2. Автор: Kwang-Hyun Kim,Dong-yang Lee,Do-Kyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Memory device and driving method of the memory device

Номер патента: US8854867B2. Автор: Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-07.

Semiconductor memory device and a method of operating the same

Номер патента: US09543952B2. Автор: Ki Won Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor memory device and a method of operating a bit line sense amplifier of the same

Номер патента: US9704545B2. Автор: Ki-Seok OH,Jonghyun Choi,Seong-Heon Yu,Dongwoo Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20230386562A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20210118479A1. Автор: Won Jae Choi,Gwan Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor memory, memory system, and operation method of memory system

Номер патента: US7483331B2. Автор: Toshiya Uchida. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-01-27.

Semiconductor memory, memory system, and operation method of memory system

Номер патента: KR100869984B1. Автор: 토시야 우치다. Владелец: 후지쯔 마이크로일렉트로닉스 가부시키가이샤. Дата публикации: 2008-11-21.

A synchronous semiconductor memory device and a method of driving the column decoder thereof

Номер патента: KR100196330B1. Автор: 서동일,한진만. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-06-15.

MEMORY DEVICE AND OPERATING METHOD OF THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200387453A1. Автор: KWON Tae Heui,CHOI Won Jae. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2020-12-10.

Memory device and operating method of memory device

Номер патента: KR102435906B1. Автор: 아르투르 안토냔. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-08-24.

Electronic memory device and test method of such a device

Номер патента: US09881692B2. Автор: Filippo Marinelli,Lubomir Plavec,Miloslav KUBAR. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2018-01-30.

Memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240046969A1. Автор: Yen-Huei Chen,Po-Sheng Wang,Kao-Cheng LIN,Cheng Hung Lee,Jonathan Tsung-Yung Chang,Yangsyu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor memory device and operating method of semiconductor memory device

Номер патента: TW200912926A. Автор: Kotaro Kashiwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-03-16.

A semiconductor memory device, and a method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: TWI389119B. Автор: Kotaro Kashiwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-03-11.

Semiconductor memory, memory system, and operation method of semiconductor memory

Номер патента: TWI313003B. Автор: Hiroyuki Kobayashi. Владелец: Fujitsu Microelectronics Ltd. Дата публикации: 2009-08-01.

Semiconductor memory, memory system and refresh method of semiconductor memory

Номер патента: EP1833057B1. Автор: Hiroyuki Kobayashi. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-08-19.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND OPERATING METHOD OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200027489A1. Автор: CHOI Hun-Dae,KIM HWAPYONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-01-23.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND OPERATING METHOD OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200402555A1. Автор: CHOI Hun-Dae,KIM HWAPYONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-12-24.

Semiconductor memory device and method for controlling clock latency according to reordering of burst data

Номер патента: US20080052482A1. Автор: Chul-woo Park,Joo-Sun Choi,Hi-choon Lee,Won-Il Bae,Won-Chang Jung,Sung-Min Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-28.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20180350440A1. Автор: Sang Hyun Jang,Kyoung Jin PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor memory device and driving method of semiconductor memory device

Номер патента: US20120113707A1. Автор: Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-10.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND DRIVING METHOD OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150078066A1. Автор: Takemura Yasuhiko. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-19.

Semiconductor memory device and a method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20220208252A1. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Kiheung KIM,Hangyun JUNG,Hyojin JUNG,Kyungsoo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-30.

Memory device and operating method of a memory device

Номер патента: US20230353132A1. Автор: Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Mingyu Lee,Youngchul Cho,Seungjin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-02.

MEMORY DEVICE AND OPERATING METHOD OF THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190333592A1. Автор: Lee Sang Heon,LEE Hee Youl,LEE Byung In. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2019-10-31.

Memory device and test method of the same

Номер патента: US10269443B2. Автор: Chih-Wei Chang,Chun-Chi Yu,Shen-Kuo Huang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-04-23.

Semiconductor memory apparatus and refresh control method of the same

Номер патента: US8169847B2. Автор: Young Hoon Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-05-01.

Method of operating memory device and refresh method of the same

Номер патента: US09589625B2. Автор: Hyun-Ki Kim,Hyung-Sik You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Memory device and operating method of memory device

Номер патента: US20230223073A1. Автор: Seong-Jin Cho,Hijung KIM,Jung Min YOU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-13.

Output circuit, semiconductor memory device having the same, and method of expanding a valid output data window

Номер патента: US20070121397A1. Автор: Woo-Jin Lee,Seong-Jin Jang,Hyun-Dong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-31.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20180090224A1. Автор: Hoon Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor memory device and control method of the same

Номер патента: TW201115587A. Автор: Kazushige Kanda. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2011-05-01.

MEMORY DEVICE AND OPERATING METHOD OF THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220059141A1. Автор: HONG Yong Hwan,KIM Byung Ryul. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2022-02-24.

OPERATION METHODS OF NONVOLATILE MEMORY DEVICES AND OPERATION METHODS OF MEMORY CONTROLLERS

Номер патента: US20190079882A1. Автор: KIM Hyung-Jin,KIM YOUNGWOOK,SHIN Soong-Man,Lee Keun-Hwan. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2019-03-14.

MEMORY DEVICE AND OPERATING METHOD OF MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190287574A1. Автор: ANTONYAN Artur. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-19.

Refresh circuit having variable restore time according to operating mode of semiconductor memory device and refresh method of the same

Номер патента: US20030198099A1. Автор: Jong-Yeol Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-10-23.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20060024918A1. Автор: Fukashi Morishita,Masakazu Hirose. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-02-02.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20080023743A1. Автор: Fukashi Morishita,Masakazu Hirose. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-01-31.

Three-dimensional semiconductor memory device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20220093626A1. Автор: Sangyeon HAN,Joongchan SHIN,Byeungmoo KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Phase change random access memory device and related methods of operation

Номер патента: US7961504B2. Автор: Hye-jin Kim,Kwang-Jin Lee,Du-Eung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-14.

Memory device adjusting skew of multi-phase clock signals, memory controller controlling the memory device, and operating method of the memory device

Номер патента: US20240144991A1. Автор: Kihan Kim,Yonghun Kim,Jaewoo JEONG,Changsik YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Phase change random access memory device and related methods of operation

Номер патента: US20080055971A1. Автор: Hye-jin Kim,Kwang-Jin Lee,Du-Eung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-06.

Phase change random access memory device and related methods of operation

Номер патента: US20110213922A1. Автор: Hye-jin Kim,Kwang-Jin Lee,Du-Eung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-01.

Phase change random access memory device and related methods of operation

Номер патента: US20130039124A1. Автор: Hye-jin Kim,Kwang-Jin Lee,Du-Eung Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-02-14.

Phase change random access memory device and related methods of operation

Номер патента: US8320168B2. Автор: Hye-jin Kim,Kwang-Jin Lee,Du-Eung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-11-27.

Phase change random access memory device and related methods of operation

Номер патента: US20100220521A1. Автор: Hye-jin Kim,Kwang-Jin Lee,Du-Eung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-02.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US11887694B2. Автор: Tae Heui Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20230022286A1. Автор: Tae Heui Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Memory device and precharging method thereof

Номер патента: US20240096398A1. Автор: Seungki HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor memory device, controller, and method of operating the semiconductor memory device and controller

Номер патента: US20230317183A1. Автор: Byoung Sung You. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor memory device and operating method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12073894B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Delay circuit of a semiconductor memory device, a semiconductor memory device and a method of operating the same

Номер патента: US20170372764A1. Автор: Jae-Hun Jung,Hye-Seung YU,SukYong Kang,Sung-Oh Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-28.

Delay circuit of a semiconductor memory device, a semiconductor memory device and a method of operating the same

Номер патента: US09966126B2. Автор: Jae-Hun Jung,Hye-Seung YU,SukYong Kang,Sung-Oh Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor memory device and test method of the same

Номер патента: US20130166959A1. Автор: Chul-Woo Yang,Byoung-In Joo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor memory device and operation method of swizzling data

Номер патента: US11742046B2. Автор: Jeongho Lee,Kwangjin Lee,Hee Hyun Nam,Youngkwang YOO,Jaeho SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240145008A1. Автор: Young Hwan Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Non-volatile memory device and a method of programming such device

Номер патента: US09646700B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Non-volatile memory device and operation method of the same

Номер патента: US20200258577A1. Автор: Hyun-Jin Kim,Soo-Woong Lee,Jae-Yong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-13.

Memory system comprising non-volatile memory device and related method of operation

Номер патента: US20130088928A1. Автор: Dong-Hun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-04-11.

Nonvolatile memory device and operating method of the same

Номер патента: US10373691B2. Автор: Bong-Kil Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-08-06.

A non-volatile memory device and a method of programming such device

Номер патента: WO2013085676A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2013-06-13.

A non-volatile memory device and a method of programming such device

Номер патента: EP2788987A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-10-15.

Multi-port memory device and a method of using the same

Номер патента: US11837319B2. Автор: Changho Choi,Hingkwan HUEN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-05.

Multi-port memory device and a method of using the same

Номер патента: US20240087620A1. Автор: Changho Choi,Hingkwan HUEN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor memory device and operation method of semiconductor memory device

Номер патента: JP5809595B2. Автор: 弘行 高橋,高橋　弘行. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-11-11.

Arrangements of memory devices and methods of operating the memory devices

Номер патента: US11817144B2. Автор: Hung-jen Liao,Cheng Hung Lee,Chien-yuan Chen,Hau-Tai Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Memory device and method of operating the memory device

Номер патента: US20210050051A1. Автор: In Gon YANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Arrangements of memory devices and methods of operating the memory devices

Номер патента: US20230386567A1. Автор: Hung-jen Liao,Cheng Hung Lee,Chien-yuan Chen,Hau-Tai Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

ELECTRONIC MEMORY DEVICE AND TEST METHOD OF SUCH A DEVICE

Номер патента: US20160141052A1. Автор: PLAVEC Lubomir,MARINELLI Filippo,KUBAR Miloslav. Владелец: EM MICROELECTRONIC-MARIN SA. Дата публикации: 2016-05-19.

Phase-change memory devices, systems, and methods of operating thereof

Номер патента: US11929117B2. Автор: Xuwen PAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Method and apparatus for information setting in a non-volatile memory device

Номер патента: US20060023508A1. Автор: Kenta Kato,Satoru Sugimoto. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2006-02-02.

Memory device and precharging method thereof

Номер патента: US20240096396A1. Автор: Seungki HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND OPERATING METHOD OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200168271A1. Автор: HWANG Youngnam,VASYLTSOV Ihor,Kim Jinmin,PARK Hyunsik,Yang Jaewon,PARK Yongha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-05-28.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190287606A1. Автор: DOZAKA Toshiaki. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-19.

Semiconductor memory device and connecting method of sense amplifier

Номер патента: US7113438B2. Автор: Khil Ohk Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-09-26.

Semiconductor memory apparatus and refresh control method of the same

Номер патента: TWI494920B. Автор: Young-Hoon Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2015-08-01.

MEMORY DEVICE AND DRIVING METHOD OF THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150016181A1. Автор: Takemura Yasuhiko. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-15.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND READ METHOD OF NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220051714A1. Автор: Kim Minseok,Kim Jisu,BANG JINBAE,KIM DOOHYUN. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-17.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20230108946A1. Автор: Se Chun Park,Sung Hyun Hwang,Jae Yeop Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-06.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US11929126B2. Автор: Se Chun Park,Sung Hyun Hwang,Jae Yeop Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Memory device, system and method of operating the same

Номер патента: US20230024971A1. Автор: Kang Li,Xing Zhou,Wei Huang,Chan Wang,Cong Luo,Xueqing Huang,Fengxiang Gao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Multi-channel semiconductor memory device and method of refreshing the same

Номер патента: US20110007594A1. Автор: Ho-Young Kim,Woo-pyo Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-01-13.

Device and method generating internal voltage in semiconductor memory device

Номер патента: US20090207674A1. Автор: Doo-Young Kim,Soo-bong Chang,Jung-Im Huh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-08-20.

Device and method generating internal voltage in semiconductor memory device

Номер патента: US20110090746A1. Автор: Doo-Young Kim,Soo-bong Chang,Jung-Im Huh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-04-21.

Semiconductor memory device detecting program failure, and method of operating the same

Номер патента: US11961571B2. Автор: Sung Hyun Hwang,Jae Yeop Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: TW548839B. Автор: Fukashi Morishita,Masakazu Hirose. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-08-21.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND REFRESH METHOD OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170352400A1. Автор: Kim Jae Il. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2017-12-07.

DELAY CIRCUIT OF A SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, A SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND A METHOD OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20170372764A1. Автор: Jung Jae-Hun,KANG SUKYONG,YU Hye-Seung,AHN SUNG-OH. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-28.

Delay circuit, semiconductor memory device, and control method of semiconductor memory device

Номер патента: JP3866594B2. Автор: 弘行 高橋,敦 中川,卓哉 廣田. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-01-10.

Semiconductor memory device and control method of semiconductor memory device

Номер патента: WO2003079367A1. Автор: Hiroyuki Takahashi,Atsushi Nakagawa,Takuya Hirota. Владелец: NEC ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2003-09-25.

Semiconductor memory device and the method of refresh for semiconductor memory

Номер патента: KR100833592B1. Автор: 문형욱. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-05-30.

A random access memory device, a semiconductor memory device, and a method of reducing power consumption in a dynamic memory device

Номер патента: DE102004044984B4. Автор: Joo-Sang Lee. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2010-08-19.

Semiconductor memory, memory controller, system and method of operating semiconductor memory

Номер патента: KR100918470B1. Автор: 구니노리 가와바타. Владелец: 후지쯔 마이크로일렉트로닉스 가부시키가이샤. Дата публикации: 2009-09-24.

Semiconductor memory device and refresh method of the same, and memory system for the same

Номер патента: KR20050104807A. Автор: 이정배,이윤상. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-11-03.

Semiconductor memory device and refresh method of the same, and memory system for the same

Номер патента: KR100653688B1. Автор: 이정배,이윤상. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-12-04.

Semiconductor memory device and driving method of FBC memory cell

Номер патента: JP4083160B2. Автор: 澤 隆 大. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-04-30.

Memory devices, operating methods of the memory devices, and test systems including the memory devices

Номер патента: EP4280213A2. Автор: Wonyoung Choi,Changkyu Seol,Jeongseok PARK,Hyeran Kim,Sungrae Kim,Gilyoung Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-22.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND A METHOD OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20150115999A1. Автор: LEE Ki Won. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-30.

Semiconductor memory device and operating method of the same

Номер патента: KR100921827B1. Автор: 공용호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-10-16.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20080023764A1. Автор: Fukashi Morishita,Masakazu Hirose. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-01-31.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230282274A1. Автор: Cheng Hung Lee,Chien-yuan Chen,Hau-Tai Shieh,Che-An Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor memory apparatus and refresh control method of the same

Номер патента: US20100260003A1. Автор: Young Hoon Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-10-14.

Memory devices, operating methods of the memory devices, and test systems including the memory devices

Номер патента: US20230377669A1. Автор: Wonyoung Choi,Changkyu Seol,Jeongseok PARK,Hyeran Kim,Sungrae Kim,Gilyoung Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory devices, operating methods of the memory devices, and test systems including the memory devices

Номер патента: EP4280213A3. Автор: Wonyoung Choi,Changkyu Seol,Jeongseok PARK,Hyeran Kim,Sungrae Kim,Gilyoung Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-27.

Memory device and method of refreshing memory device based on temperature

Номер патента: US11804254B2. Автор: Saemi Song,Dokyun Kim,Yeonkyu CHOI,Doohee Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Memory device for performing read protection operation of limiting read operation and method of operating the same

Номер патента: US20240153546A1. Автор: Byung Goo CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20210257018A1. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE, OPERATION METHOD OF THE NONVOLATILE MEMORY DEVICE, AND OPERATION METHOD OF MEMORY CONTROLLER CONTROLLING THE NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200035278A1. Автор: YUN Eun-jin,Kim Sung Joon,CHANG SANGHOAN. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-30.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240177766A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor memory device and layout method of the same

Номер патента: US20040095836A1. Автор: Hyun-su Choi,Nak-woo Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-05-20.

Peripheral circuit, semiconductor memory device and operating method of the semiconductor device and/or peripheral circuit

Номер патента: US09715934B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor memory device and operating method of biasing memory blocks

Номер патента: US09842653B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor memory device and related method of programming

Номер патента: US20100259993A1. Автор: Sang Gu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-10-14.

Semiconductor memory device and related method of programming

Номер патента: US20120120731A1. Автор: Sang Gu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-17.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20210257413A1. Автор: Hiroyuki Kanaya. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-08-19.

Memory devices, systems, and methods of forming arrays of memory cells

Номер патента: US20180190717A1. Автор: Shigeru Sugioka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Self-aligned spin orbit torque (sot) memory devices and their methods of fabrication

Номер патента: US20190304523A1. Автор: Mark Doczy,Kevin O'Brien,Noriyuki Sato,Kaan OGUZ,Charles Kuo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Nonvolatile memory device and operating method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20240282377A1. Автор: Woojae Jang,Jaeduk LEE,Sejun Park,YuJeong Seo,Chaehyeon LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory device and read method of memory device

Номер патента: US09741440B2. Автор: Kyung-Ryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

A secure non-volatile memory device and a method of protecting data therein

Номер патента: EP2074628A2. Автор: Guoqiao Tao. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-07-01.

A secure non-volatile memory device and a method of protecting data therein

Номер патента: WO2008038242A2. Автор: Guoqiao Tao. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2008-04-03.

Magnetoresistive memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20170069687A1. Автор: Tadashi Kai,Kenji Noma,Masahiko Nakayama,Yutaka Hashimoto,Yasuyuki Sonoda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Operating method of nonvolatile memory device and operating method of memory controller controlling the nonvolatile memory device

Номер патента: US20150036431A1. Автор: Hyung Suk Kim,Kiwhan Song,Boh-Chang KIM,Hai-Seok PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-02-05.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240127892A1. Автор: Yun Cheol Kim,Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Nonvolatile memory device, storage device including nonvolatile memory device, and operating method of storage device

Номер патента: US12020758B2. Автор: Kun-Woo Song,Jonghwa Kim,Kyungyong Jeoung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Magnetoresistance memory device and manufacturing method of magnetoresistance memory device

Номер патента: US20230071013A1. Автор: Kazuya Sawada,Toshihiko Nagase,Naoki Akiyama,Taichi IGARASHI,Kenichi Yoshino,Kazuhiro Tomioka,Takuya Shimano,Hisanori Aikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-09.

Memory device and read method of memory device

Номер патента: US20160035429A1. Автор: Kyung-Ryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-04.

Magnetic memory device and reading method of magnetic memory device

Номер патента: US8817529B2. Автор: Masaki Aoki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-08-26.

Magnetic memory device and manufacturing method of magnetic memory device

Номер патента: US20230247912A1. Автор: Takao Ochiai,Kazuhiro Tomioka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-03.

Memory device and read method of memory device

Номер патента: US20170032844A1. Автор: Kyung-Ryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-02.

Memory device and operating method of the same

Номер патента: US20240062818A1. Автор: Chi Lo,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Chun-Ying Lee,Chieh Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor memory device and control method of delay locked loop including the same

Номер патента: KR100996176B1. Автор: 유민영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-11-24.

System-in pakage comprising semiconductor memory device and confirming method of system-in pakage in/output pin

Номер патента: KR20130015725A. Автор: 고복림. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2013-02-14.

MEMORY DEVICE, OPERATING METHOD OF MEMORY DEVICE, AND OPERATING METHOD OF TEST SYSTEM INCLUDING MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190180835A1. Автор: JANG Seong-Gwon,YUN Joosung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2019-06-13.

Memory device with test circuit which generates asychronous signal based on delay and controls peripheral circuit based on asynchronous signal, operating method of memory device, and operating method of test system including memory device

Номер патента: US10847240B2. Автор: Seong-Gwon JANG,Joosung Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-24.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20220101928A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US11398281B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-07-26.

A voltage booster circuit for a semiconductor memory device and a method of boosting a voltage of a semiconductor memory device

Номер патента: DE102006059817A1. Автор: Young-Sun Min,Jong-Hyun Suwon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-19.

Semiconductor memory device and Testing method of the same

Номер патента: KR100937995B1. Автор: 장지은,윤석철. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-01-21.

Memory device including predecoder and operating method thereof

Номер патента: US12112795B2. Автор: Chan Ho Lee,Tae Min CHOI,Kyu Won CHOI,Hyeong Cheol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US12068039B2. Автор: Jae Il TAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230307063A1. Автор: Jae Il TAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20190304515A1. Автор: Hee Youl Lee,Sung In Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Apparatus for transmitting and receiving a signal, a method of operating the same, a memory device, and a method of operating the memory device

Номер патента: US12088291B2. Автор: Kyungryun Kim,Kyungsoo Ha,Changkyo LEE,Dongkeon Lee,Jinhoon Jang,Kiseok Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240249774A1. Автор: Sung Min Lee,Sang Tae Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20200294597A1. Автор: Hee Joung PARK,Won Chul SHIN,Kyeong Seung KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-09-17.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20200294596A1. Автор: Hee Joung PARK,Won Chul SHIN,Kyeong Seung KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-09-17.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20210295896A1. Автор: Jae Young Lee,Byung Ryul Kim,Yong Hwan HONG,Sun Hak KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US10410692B2. Автор: Hee Youl Lee,Sung In Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-10.

Apparatus for transmitting and receiving a signal, a method of operating the same, a memory device, and a method of operating the memory device

Номер патента: US20210006247A1. Автор: Kyungryun Kim,Kyungsoo Ha,Changkyo LEE,Dongkeon Lee,Jinhoon Jang,Kiseok Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-07.

APPARATUS FOR TRANSMITTING AND RECEIVING A SIGNAL, A METHOD OF OPERATING THE SAME, A MEMORY DEVICE, AND A METHOD OF OPERATING THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220140829A1. Автор: Lee Changkyo,Lee Dongkeon,Jang Jinhoon,Ha Kyungsoo,Oh Kiseok,Kim Kyungryun. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-05.

APPARATUS FOR TRANSMITTING AND RECEIVING A SIGNAL, A METHOD OF OPERATING THE SAME, A MEMORY DEVICE, AND A METHOD OF OPERATING THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200204179A1. Автор: Lee Changkyo,Lee Dongkeon,Jang Jinhoon,Ha Kyungsoo,Oh Kiseok,Kim Kyungryun. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-25.

Memory Devices, Memory Systems, Methods of Operating the Memory Device, and Methods of Operating the Memory Systems

Номер патента: KR102263046B1. Автор: 김경륜,윤상용. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-06-09.

Apparatus for transmitting and receiving a signal, a method of operating the same, a memory device, and a method of operating the memory device

Номер патента: US20230075459A1. Автор: Kyungryun Kim,Kyungsoo Ha,Changkyo LEE,Dongkeon Lee,Jinhoon Jang,Kiseok Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-09.

Nonvolatile memory device, storage device including nonvolatile memory device, and operating method of storage device

Номер патента: EP3992971A1. Автор: Kun-Woo Song,Jonghwa Kim,Kyungyong Jeoung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-04.

Memory Devices, Memory Systems, Methods of Operating the Memory Device, and Methods of Operating the Memory Systems

Номер патента: KR102219293B1. Автор: 이영택,변대석,윤치원,박현국. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2021-02-23.

Apparatus for transmitting and receiving a signal, a method of operating the same, a memory device, and a method of operating the memory device

Номер патента: US20240014817A1. Автор: Kyungryun Kim,Kyungsoo Ha,Changkyo LEE,Dongkeon Lee,Jinhoon Jang,Kiseok Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Apparatus for transmitting and receiving a signal, a method of operating the same, a memory device, and a method of operating the memory device

Номер патента: US11799479B2. Автор: Kyungryun Kim,Kyungsoo Ha,Changkyo LEE,Dongkeon Lee,Jinhoon Jang,Kiseok Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-24.

Apparatus for transmitting and receiving a signal, a method of operating the same, a memory device, and a method of operating the memory device

Номер патента: US11799478B2. Автор: Kyungryun Kim,Kyungsoo Ha,Changkyo LEE,Dongkeon Lee,Jinhoon Jang,Kiseok Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor memory device and erasing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210327805A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor memory device and control method of semiconductor memory device

Номер патента: US20190267097A1. Автор: Tomoya Sanuki,Yusuke Higashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor memory information storage apparatus and method of controlling writing

Номер патента: US20100115194A1. Автор: Toshio Suzuki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-05-06.

Semiconductor memory information storage apparatus and method of controlling writing

Номер патента: US8352674B2. Автор: Toshio Suzuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-01-08.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US11751384B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240023330A1. Автор: Jin Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor memory device, semiconductor memory system including the same, method of driving the semiconductor memory system

Номер патента: US11797382B2. Автор: Tae Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20230380160A1. Автор: Kun Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor memory device and erasing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US11804429B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor memory device and refreshing method of semiconductor memory device

Номер патента: US10892018B2. Автор: Seiji Sawada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-01-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and reading method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8248837B2. Автор: Kentaro Kinoshita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-08-21.

Semiconductor memory device and operating method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20230298668A1. Автор: Eun Hye Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor memory device and refreshing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20190172541A1. Автор: Seiji Sawada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor memory information storage apparatus and method of controlling writing

Номер патента: CA2693823C. Автор: Toshio Suzuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor memory device and control method of semiconductor memory device

Номер патента: US10424384B2. Автор: Tomoya Sanuki,Yusuke Higashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-24.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US11812615B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Non-volatile semiconductor memory device and a method of using the same

Номер патента: US5491656A. Автор: Kikuzo Sawada. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1996-02-13.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20230397415A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Nonvolatile semiconductor memory device and operation method of the same

Номер патента: US20140010016A1. Автор: Hiroaki Hazama,Masaaki Higuchi,Katsuyuki Sekine,Ryota Katsumata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-09.

Nonvolatile semiconductor memory device and a method of word lines thereof

Номер патента: US7313027B2. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-12-25.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240013838A1. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: EP4332972A1. Автор: Kui-Yon Mun,JooYoung HWANG,Seunghyun Choi,Gyeongmin Kim,Junyeong HAN,Keunsan Park,HeeTak Shin,Joon-Whan BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: EP4332969A1. Автор: JooYoung HWANG,Seunghyun Choi,Gyeongmin Kim,Junyeong HAN,Keunsan Park,HeeTak Shin,Joon-Whan BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

Electronic memory device and a method of manipulating the electronic memory device

Номер патента: US20210134366A1. Автор: Muhammad Irfan,Zahid Ullah,Ray C. C. Cheung. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2021-05-06.

Nonvolatile memory device, storage device including nonvolatile memory device, and operating method of storage device

Номер патента: US20240321366A1. Автор: Kun-Woo Song,Jonghwa Kim,Kyungyong Jeoung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory device, operation method of memory device, and operation method of test device configured to test memory device

Номер патента: US20240233857A1. Автор: Sang-Won Park,Bongsoon LIM,Won-Taeck JUNG,Kuihan KO,Heewon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240177780A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20230102395A1. Автор: Sung Hyun Hwang,Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Memory device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20240276730A1. Автор: Dong Hun Lee,Jung Shik JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240257885A1. Автор: Sung Hyun Hwang,Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Non-volatile memory device and recovery method of non-volatile memory device

Номер патента: US20240242770A1. Автор: Jae-Duk Yu,Yohan Lee,Jiho Cho,Hojoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Nonvolatile memory device and operation method of storage device including the nonvolatile memory device

Номер патента: US09990130B2. Автор: Donghun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Memory device, memory system, method of operating memory device, and method of operating memory system

Номер патента: US09916900B2. Автор: Yoon Kim,Dong-Chan Kim,Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-13.

Nonvolatile memory device, storage device including nonvolatile memory device and operating method of nonvolatile memory device

Номер патента: US09812214B2. Автор: Dongkyo Shim,Sang-Soo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Nonvolatile memory device and operation method of storage device including the nonvolatile memory device

Номер патента: US09720595B2. Автор: Donghun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Nonvolatile memory device, storage device including the nonvolatile memory device, and operating method of the storage device

Номер патента: US09659658B2. Автор: Dae Han Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Nonvolatile memory device and a method of operating the nonvolatile memory device

Номер патента: US09653168B2. Автор: Wandong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Memory device and operation method of the same

Номер патента: US20170270054A1. Автор: Seon-wook Kim,Il Park,Ho-Kyoon LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-21.

Nonvolatile memory device and programming method of nonvolatile memory

Номер патента: US11990189B2. Автор: Younghwi Yang,Joonsuc Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Memory device and operating method of the same

Номер патента: US11735280B2. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh,Chia-En HUANG,Tung-Cheng Chang,Chun-Ying Lee,Gu-Huan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Flash memory device and a method of verifying the same

Номер патента: US9196372B2. Автор: Seungwon Lee,Byeonghoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-24.

A secure non-volatile memory device and a method of protecting data therein

Номер патента: WO2008038243A1. Автор: Guoqiao Tao,Steven V. E. S. Van Dijk. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2008-04-03.

Nonvolatile memory device and program method of the same

Номер патента: US20180268907A1. Автор: Yong-Seok Kim,Byoung-taek Kim,Ji-Ho Cho,Won-Bo Shim,Sun-gyung HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-09-20.

A secure non-volatile memory device and a method of protecting data therein

Номер патента: EP2074629A1. Автор: Guoqiao Tao,Steven V. E. S. Van Dijk. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-07-01.

Nonvolatile memory device and programming method of nonvolatile memory

Номер патента: US20230207026A1. Автор: Younghwi Yang,Joonsuc Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-29.

Flash Memory Device and a Method of Verifying the Same

Номер патента: US20140071769A1. Автор: Seungwon Lee,Byeonghoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-03-13.

Non-volatile memory device and operating method of the same

Номер патента: US20230127162A1. Автор: Junhyung Kim,Jinyoung Park,Kibog PARK,Sungchul JUNG,Seokhyeong Kang,Wonho SONG,Jaehyeong JO. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2023-04-27.

Memory device and compensation method of data retention thereof

Номер патента: US20240304264A1. Автор: Chih-Chang Hsieh,Chih-Wei Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Nonvolatile memory device, memory system, method of operating nonvolatile memory device, and method of operating memory system

Номер патента: US09852804B2. Автор: Jong-Chul Park,Sang-Soo Park,Hyun-Young Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Memory device, memory system, method of operating the memory device, and method of operating the memory system

Номер патента: US09824765B2. Автор: Yoon Kim,Sang-Soo Park,Won-Bo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Memory device and operation method of the same

Номер патента: US09824029B2. Автор: Seon-wook Kim,Il Park,Ho-Kyoon LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Operation method of controller configured to control nonvolatile memory device and operation method of storage device

Номер патента: US12002519B2. Автор: Heewon Lee,Kwangwoo Lee,Yunjung LEE,Sangjin Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-04.

Memory apparatus and method of operation using periodic normal erase dummy cycle to improve stripe erase endurance and data retention

Номер патента: US20220399066A1. Автор: Ravi Kumar,Dengtao Zhao,Chin-Yi Chen,Anubhav Khandelwal,Muhammad Masuduzzaman. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-12-15.

Nor flash memory device and related methods of operation

Номер патента: US20100238739A1. Автор: Ji Ho Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-23.

Nonvolatile memory device, operation method of a nonvolatile memory device, and operation method of a controller

Номер патента: US20230410900A1. Автор: Sung-Won Yun,Hyejin YIM,Il Han Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-21.

Variable resistance memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20220102628A1. Автор: Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Memory device and repair method of the memory device

Номер патента: EP4407621A1. Автор: Daeseok Byeon,Taehong KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-31.

Memory device and repair method of the memory device

Номер патента: US20240257898A1. Автор: Daeseok Byeon,Taehong KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Nonvolatile memory device and operating method of the same

Номер патента: US20210151678A1. Автор: Donhee Ham,Hyeonjin Shin,Minhyun LEE,Haeryong Kim,Houk Jang,Chengye LIU,Henry HINTON. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2021-05-20.

Memory device and operation method of the same

Номер патента: US20190196904A1. Автор: Sung-Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Memory device and operating method of memory device

Номер патента: US09852061B2. Автор: Min Young Son,Jae Don Lee,Choong Hun Lee,Gyu Sang Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Memory device and operating method of the same

Номер патента: US20240290408A1. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh,Chia-En HUANG,Tung-Cheng Chang,Chun-Ying Lee,Gu-Huan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Resistive memory device and manufacturing method of the resistive memory device

Номер патента: US20230240157A1. Автор: In Ku Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Memory device and operating method of the memory device and host device

Номер патента: US11740966B2. Автор: Walter JUN,Young San KANG,Ye Jin CHO,Sung Tack HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Nonvolatile memory device, storage device including nonvolatile memory device, and operating method of nonvolatile memory device

Номер патента: US11646087B2. Автор: Hangil JEONG,Bong-Kil Jung,Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-09.

Nonvolatile memory device, storage device including nonvolatile memory device, and operating method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20210343352A1. Автор: Hangil JEONG,Bong-Kil Jung,Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-04.

Variable resistance memory device and related method of operation

Номер патента: US20110228585A1. Автор: Ho Jung Kim,Deok-kee Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-22.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240013837A1. Автор: Nam Cheol JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240038306A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: EP4332970A1. Автор: JooYoung HWANG,Seunghyun Choi,Gyeongmin Kim,Junyeong HAN,Keunsan Park,HeeTak Shin,Joon-Whan BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: EP4332968A2. Автор: Kui-Yon Mun,Junyeong HAN,HeeTak Shin,Joon-Whan BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: EP4332971A2. Автор: Kui-Yon Mun,JooYoung HWANG,Gyeongmin Kim,Keunsan Park,Joon-Whan BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: EP4332971A3. Автор: Kui-Yon Mun,JooYoung HWANG,Gyeongmin Kim,Keunsan Park,Joon-Whan BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-15.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: EP4332968A3. Автор: Kui-Yon Mun,Junyeong HAN,HeeTak Shin,Joon-Whan BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-15.

Method of rewriting data of memory device, memory controller controlling the memory device, and controlling method of the memory controller

Номер патента: US20200202953A1. Автор: Eun Chu Oh,Young-geun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

Nonvolatile memory device, storage device including nonvolatile memory device, and operating method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20230253057A1. Автор: Hangil JEONG,Bong-Kil Jung,Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Nonvolatile memory device, storage device including nonvolatile memory device, and operating method of nonvolatile memory device

Номер патента: US11942166B2. Автор: Hangil JEONG,Bong-Kil Jung,Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-26.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: EP4343767A2. Автор: Kui-Yon Mun,JooYoung HWANG,Seunghyun Choi,Gyeongmin Kim,Junyeong HAN,Keunsan Park,HeeTak Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-27.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: EP4343767A3. Автор: Kui-Yon Mun,JooYoung HWANG,Seunghyun Choi,Gyeongmin Kim,Junyeong HAN,Keunsan Park,HeeTak Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-22.

Memory devices and related methods of forming a memory device

Номер патента: US20240213150A1. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory device and operation method of the same

Номер патента: US20100214818A1. Автор: Makoto Kitagawa,Tsunenori Shiimoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-08-26.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20220122687A1. Автор: Tae Ho Kim,Jae Hyeon Shin,Sungmook Lim,In Gon YANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Resistive memory device and operating method of the resistive memory device

Номер патента: US11948633B2. Автор: Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Nonvolatile memory device and program method of the same

Номер патента: US20180190363A1. Автор: Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-05.

Integrated trench and via electrode for memory device applications and methods of fabrication

Номер патента: US11869843B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Noriyuki Sato,Niloy Mukherjee,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Tanay GOSAVI,Mauricio Manfrini,Somilkumar J. Rathi. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Nonvolatile memory device and operation method of storage device including the nonvolatile memory device

Номер патента: US20170315723A1. Автор: Donghun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-02.

Nonvolatile memory device and program method of the same

Номер патента: US20210217477A1. Автор: Yong-Seok Kim,Byoung-taek Kim,Ji-Ho Cho,Won-Bo Shim,Sun-gyung HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-15.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20210183458A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20200043533A1. Автор: Jong Wook Kim,Tae Un Youn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-02-06.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240038304A1. Автор: Nam Cheol JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US11875845B2. Автор: Myeong Cheol SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Non-volatile memory device and corresponding method of operation

Номер патента: US20240096412A1. Автор: Vincenzo Russo,Thomas Jouanneau,Antonino Conte,Francesco Tomaiuolo,Agatino Massimo Maccarrone. Владелец: STMicroelectronics Alps SAS. Дата публикации: 2024-03-21.

Non-volatile memory device and related method of operation

Номер патента: US9305657B2. Автор: Ki-tae Park,Myung-Hoon Choi,Jae-Woo Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-04-05.

Non-volatile memory device and corresponding method of operation

Номер патента: EP4339953A1. Автор: Vincenzo Russo,Thomas Jouanneau,Antonino Conte,Francesco Tomaiuolo,Agatino Massimo Maccarrone. Владелец: STMicroelectronics Alps SAS. Дата публикации: 2024-03-20.

Nonvolatile memory device and operating method of the same

Номер патента: EP4325502A1. Автор: PARK Garam,Jinwoo Lee,Myunghun Woo,Seyun KIM,Sunho Kim,Hyunjae SONG,Dongho Ahn,Yumin KIM,Seungyeul YANG,Jooheon Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-21.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20230238065A1. Автор: Soo Yeol CHAI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Memory device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US11980034B2. Автор: Dong Hun Lee,Jung Shik JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US11984173B2. Автор: Sung Hyun Hwang,Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Memory device, memory system including the memory device, and operating method of the memory system

Номер патента: US20200381054A1. Автор: Sung Ho Kim,Jong Han AHN,Seong Cheon YU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Nonvolatile memory device and operating method of the same

Номер патента: US20240065000A1. Автор: Jinwoo Lee,Garam Park,Myunghun Woo,Seyun KIM,Sunho Kim,Hyunjae SONG,Dongho Ahn,Yumin KIM,Seungyeul YANG,Jooheon Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Resistive memory device and manufacturing method of the resistive memory device

Номер патента: US20230240084A1. Автор: In Ku Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240012568A1. Автор: Sung Yong Lim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Non-volatile memory device and erasing method of the same

Номер патента: US20200411105A1. Автор: Ji-Young Lee,Il-han Park,Young-sik RHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-31.

Memory device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20230301090A1. Автор: Hyun Sub KIM,Jin Ho Bin,Young Tae Yoo,Chul Young Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Nonvolatile memory device and operating method of the same

Номер патента: US20210193225A1. Автор: Jong-Chul Park,Youn-yeol Lee,Seul-bee LEE,Kyung-sub LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-24.

Non-volatile memory device and operating method of the same

Номер патента: US20210035641A1. Автор: Youngjin Cho,Jinhong Kim,Seyun KIM,Soichiro Mizusaki,Jungho YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-04.

Memory device and test method of memory device

Номер патента: US20230402123A1. Автор: Jaewon Park,Sukhan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-14.

Memory device and operating method of the same

Номер патента: US20230343404A1. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh,Chia-En HUANG,Tung-Cheng Chang,Gu-Huan Li,Chun-Ying LEE LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Memory device and operating method of the same

Номер патента: US12002528B2. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh,Chia-En HUANG,Tung-Cheng Chang,Chun-Ying Lee,Gu-Huan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Memory device and operating method of thereof

Номер патента: US20240161824A1. Автор: Kyungmin Lee,Daeshik Kim,Youngkeol KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240203500A1. Автор: Chan Hui Jeong,Dong Hun Kwak,Jae Yeop Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Nonvolatile memory device and operating method of the same

Номер патента: US12027215B2. Автор: Youngjin Cho,Jinhong Kim,Seyun KIM,Soichiro Mizusaki,Yumin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Resistance random access memory device and fabricating method of the same

Номер патента: US20200212300A1. Автор: Won Bin Kim,Jae Myeong Lee,Sangmyeong Lee,Hyun Suk Jung,Ohyeong GONG. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2020-07-02.

Semiconductor memory device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20070173006A1. Автор: Yasuhiko Takahashi,Masahiro Moniwa,Kousuke Okuyama,Hiraku Chakihara. Владелец: Hiraku Chakihara. Дата публикации: 2007-07-26.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210257413A1. Автор: Kanaya Hiroyuki. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-19.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND A METHOD OF CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20140003134A1. Автор: MORI ATSUSHI. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2014-01-02.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND RELATED METHODS OF OPERATION

Номер патента: US20130322162A1. Автор: PARK Chul-woo,Sohn Dong-Hyun,Kim Chan-kyung,Kang Sang-beom,Oh Hyung-rok,KANG DONG-SEOK,Lee Yun-Sang. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-05.

Semiconductor memory device and arrangement method of the same

Номер патента: KR100653699B1. Автор: 한공흠,임보탁,남효윤. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-12-04.

Semiconductor memory devices and related methods of operation

Номер патента: CN103456356A. Автор: 朴哲佑,李润相,姜东锡,姜尚范,金燦景,孙东贤,吴泂录. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-12-18.

Semiconductor memory device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20110275207A1. Автор: Yasuhiko Takahashi,Masahiro Moniwa,Kousuke Okuyama,Hiraku Chakihara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-10.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US12125525B2. Автор: Yu-Hao Hsu,Tsung-Hsien Huang,Wei-jer Hsieh,Tsung-Yuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US8873301B2. Автор: Tae Heui Kwon,Hwang Huh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-28.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210358944A1. Автор: LEE Nam Jae. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2021-11-18.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND A METHOD OF OPERATING A BIT LINE SENSE AMPLIFIER OF THE SAME

Номер патента: US20170032831A1. Автор: CHOI Jonghyun,Yu Seong-Heon,SOHN DONGWOO,OH Kl-SEOK. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-02.

Semiconductor memory device and operation method of the same

Номер патента: KR100843706B1. Автор: 김두곤. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-07-04.

Memory device and method of operating the memory device

Номер патента: US20220084612A1. Автор: Hyung Jin Choi,Jae Hyeon Shin,Sungmook Lim,In Gon YANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Memory device, control method of memory device, and control method of memory control apparatus

Номер патента: WO2007023544A1. Автор: Masahiro Niimi. Владелец: Spansion Japan Limited. Дата публикации: 2007-03-01.

MEMORY DEVICE AND OPERATING METHOD OF THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200043533A1. Автор: Kim Jong Wook,YOUN Tae Un. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2020-02-06.

MEMORY DEVICE AND OPERATING METHOD OF MEMORY DEVICE

Номер патента: US20180374515A1. Автор: ANTONYAN Artur. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-27.

Memory device and operating method of memory device

Номер патента: KR20220138961A. Автор: 최정식. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2022-10-14.

High performance semiconductor memory devices

Номер патента: US20030202405A1. Автор: Jeng-Jye Shau. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-30.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20140010008A1. Автор: Byoung In JOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-01-09.

Device and method to reduce wordline RC time constant in semiconductor memory devices

Номер патента: US7570504B2. Автор: Huy Thanh Vo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-08-04.

Semiconductor memory device and a method of operating the same

Номер патента: EP3985748B1. Автор: Jiho Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-16.

Semiconductor memory device and driving method of semiconductor memory device

Номер патента: US20100073987A1. Автор: Katsuhiko Hoya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-03-25.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND OPERATING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20140063924A1. Автор: AOKI Nobutoshi,NAKAI Tsukasa,OZEKI Jyunichi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-03-06.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND DRIVING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20150194202A1. Автор: TAKIZAWA Ryosuke. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-09.

Non-volatile semiconductor memory device array and method of manufacturing the same

Номер патента: JP2905769B2. Автор: ウン リム チョイ. Владелец: ERU JII SEMIKON CO Ltd. Дата публикации: 1999-06-14.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: CN102412257B. Автор: 黄胜煌,陈文正,林春荣,刘明德,高雅真,黄国峰,赖志煌. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-01.

Cell array of semiconductor memory device and a method of forming the same

Номер патента: US7795643B2. Автор: Jung-Dal Choi,Chang-Hyun Lee,Jang-Sik Lee,Jong-Sun Sel,Chang-seok Kang,Vie-Na Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-14.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US12089414B2. Автор: Yih Wang,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Shih-Lien Linus Lu,Chia-En HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory device

Номер патента: US20240365554A1. Автор: Yih Wang,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Shih-Lien Linus Lu,Chia-En HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Magnetic memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09842637B2. Автор: Juhyun Kim,Ki Woong Kim,Yong Sung Park,Sechung Oh,Woo Chang Lim,JoonMyoung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Memory device and method of reading memory data

Номер патента: US20090190396A1. Автор: Jun Jin Kong,Seung-Hwan Song,Jong Han Kim,Young Hwan Lee,Kyoung Lae Cho,Yoon Dong PARK,Dong Hun Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-07-30.

Memory device

Номер патента: US11968844B2. Автор: Chien-Min Lee,Xinyu Bao,Shy-Jay Lin,Tung-Ying Lee,Yen-Lin Huang,Ming-Yuan Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Single transistor type magnetic random access memory device and method of operating and manufacturing the same

Номер патента: US20030076707A1. Автор: Dong-Wook Kim,In-kyeong Yoo,June-key Lee,Jung-hyun Sok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-04-24.

Magnetic memory device and method of writing magnetic memory device

Номер патента: US20180151212A1. Автор: Seung-jae Lee,Kyung-Jin Lee,Woo Chang Lim,Gyungchoon GO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-31.

Single transistor type magnetic random access memory device and method of operating and manufacturing the same

Номер патента: US20050169048A1. Автор: Dong-Wook Kim,In-kyeong Yoo,June-key Lee,Jung-hyun Sok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-08-04.

Single transistor type magnetic random access memory device and method of operating and manufacturing the same

Номер патента: US20050036379A1. Автор: Dong-Wook Kim,In-kyeong Yoo,June-key Lee,Jung-hyun Sok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-02-17.

Methods of writing and forming memory device

Номер патента: US20240215262A1. Автор: Chien-Min Lee,Xinyu Bao,Shy-Jay Lin,Tung-Ying Lee,Yen-Lin Huang,Ming-Yuan Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Operating method of nonvolatile memory device and operating method of memory controller controlling the nonvolatile memory device

Номер патента: US20150036431A1. Автор: Hyung Suk Kim,Kiwhan Song,Boh-Chang KIM,Hai-Seok PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-02-05.

Nonvolatile memory device, operation method of the nonvolatile memory device, and operation method of memory controller controlling the nonvolatile memory device

Номер патента: US10818328B2. Автор: Eun-Jin Yun,Sung Joon Kim,Sanghoan Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-27.

Memory devices, circuits and methods of adjusting a sensing current for the memory device

Номер патента: US11915733B2. Автор: JEN-CHIEH LIU,Meng-Fan Chang,Jui-Jen Wu,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Memory device and control method of memory device

Номер патента: US20130077400A1. Автор: Kenji Sakurada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-28.

Memory devices, circuits and methods of adjusting a sensing current for the memory device

Номер патента: US20240177757A1. Автор: JEN-CHIEH LIU,Meng-Fan Chang,Jui-Jen Wu,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Magnetic memory device and reading method of magnetic memory device

Номер патента: US20130155761A1. Автор: Masaki Aoki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-06-20.

MEMORY DEVICE AND OPERATING METHOD OF MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210090651A1. Автор: Kim Jinyoung,Kim Jongryul,Na Taehui. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-03-25.

MAGNETIC MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF MAGNETIC MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220302373A1. Автор: Yoshino Kenichi. Владелец: Kioxia Corporation. Дата публикации: 2022-09-22.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND A METHOD OF PROGRAMMING THE NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200202943A1. Автор: LEE Seung-jae,JOE Sung-Min,Lee Sun-gun. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-25.

MAGNETIC MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF MAGNETIC MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170263858A1. Автор: TOMIOKA Kazuhiro,Hashimoto Yutaka,Nagase Toshihiko,Watanabe Daisuke,Yoshikawa Masatoshi,Yoshino Kenichi,Sonoda Yasuyuki,TSUBATA Shuichi,EEH Youngmin,SAWADA Kazuya,OIKAWA Tadaaki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2017-09-14.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE, NONVOLATILE MEMORY SYSTEM INCLUDING NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND OPERATING METHOD OF NONVOLATILE MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20160284415A1. Автор: Park Hyun-Wook,Park Kitae,JEONG JAEYONG. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-29.

MEMORY DEVICE AND OPERATING METHOD OF THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220375514A1. Автор: SON Myeong Cheol. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2022-11-24.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20230317816A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09997248B2. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor memory device and method of verifying the same

Номер патента: US20080123428A1. Автор: Makoto Senoo,Kazunari Kido,Yoshihiro Tsukidate,Shunichi Toyama. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-29.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210327532A1. Автор: Jong Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

3D multi-layer non-volatile memory device with planar string and method of programming

Номер патента: US09859010B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12087753B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory device and method of operating the same whereby the voltage of a floated common source line is increased by increasing the voltage of a source select line coupled to an unselected memory block

Номер патента: US12073893B2. Автор: Hee Youl Lee,Kwang Min LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory device and test operation method thereof

Номер патента: US20200381070A1. Автор: Dong Hyun Lee,Seung Jin PARK,Chang Kyun PARK,Young Sik KOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240321365A1. Автор: Hee Youl Lee,Kwang Min LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Stack type semiconductor memory device

Номер патента: US09960082B2. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20130235671A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-12.

Semiconductor memory devices with diode-connected mos

Номер патента: US20240249784A1. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh,Chia-En HUANG,Tung-Cheng Chang,Chun-Ying Lee,Gu-Huan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device, semiconductor memory device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230307010A1. Автор: Yoshiyuki Takasu,Fumiharu Nakajima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210304828A1. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20210098066A1. Автор: In Gon YANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US11557355B2. Автор: Han Soo Joo,Sung Hoon Cho,Jae Sung Sim,Se Kyoung Choi,Hee Chang CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-01-17.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20180137919A1. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-17.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210319830A1. Автор: Hyun Kyu Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210241838A1. Автор: Han Soo Joo,Sung Hoon Cho,Jae Sung Sim,Se Kyoung Choi,Hee Chang CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20220180951A1. Автор: Han Soo Joo,Sung Hoon Cho,Jae Sung Sim,Se Kyoung Choi,Hee Chang CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20240196609A1. Автор: In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Seok Min JEON,Mi Seong PARK,Won Geun CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor memory device for performing suspend operation and method of operating the same

Номер патента: US10613753B2. Автор: Tai Kyu Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-04-07.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240046984A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20190019562A1. Автор: Se Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-01-17.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20240021248A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20180004421A1. Автор: Tai Kyu Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-04.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of reusing same

Номер патента: US20120014178A1. Автор: Yuji Nagashima,Hiroyuki Tanikawa,Bunsho Kuramori. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-19.

Semiconductor memory device and method of verifying the same

Номер патента: US7593266B2. Автор: Makoto Senoo,Kazunari Kido,Yoshihiro Tsukidate,Shunichi Toyama. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-22.

Magnetic random access memory device and method of forming the same

Номер патента: US7645619B2. Автор: Jun-Soo Bae,Jang-eun Lee,Hyun-Jo Kim,Young-ki Ha,Se-Chung Oh,Kyung-Tae Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-12.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240038751A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US9406402B2. Автор: Tae Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US11784178B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor memory, checking method and manufacturing method of semiconductor memory

Номер патента: TW546663B. Автор: Akira Seitoh. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-08-11.

Semiconductor memory devices with diode-connected mos

Номер патента: US20230307074A1. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh,Chia-En HUANG,Tung-Cheng Chang,Chun-Ying Lee,Gu-Huan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240004558A1. Автор: Jae Woong Kim,Shin Won SEO,Dong Jae JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor memory devices with diode-connected MOS

Номер патента: US11955191B2. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh,Chia-En HUANG,Tung-Cheng Chang,Chun-Ying Lee,Gu-Huan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

A nonvolatile semiconductor memory device and a method of retrieving a faulty thereof

Номер патента: TW594776B. Автор: Shigeru Atsumi,Toru Tanzawa,Tadayuki Taura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-06-21.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20230337415A1. Автор: Yoosang Hwang,MinSu CHOI,Keunnam Kim,Myeong-Dong LEE,Hyeon-Woo Jang,Sooho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor memory device, semiconductor memory system including the same, method of driving the semiconductor memory system

Номер патента: US20210055989A1. Автор: Tae Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SAME, METHOD OF DRIVING THE SEMICONDUCTOR MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20220308961A1. Автор: Kim Tae Ho. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2022-09-29.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, CONTROLLER, AND METHOD OF OPERATING MEMORY SYSTEM INCLUDING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROLLER

Номер патента: US20210304837A1. Автор: KIM Jin Sub. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-30.

Non-volatile semiconductor memory and method of operating the same

Номер патента: EP1425756A1. Автор: Woong-Lim Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-09.

Semiconductor memory device, semiconductor memory system including the same, method of driving the semiconductor memory system

Номер патента: US11379302B2. Автор: Tae Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-07-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220037305A1. Автор: LEE Nam Jae. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2022-02-03.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210174839A1. Автор: LEE Nam Jae. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2021-06-10.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220302099A1. Автор: LEE Nam Jae. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2022-09-22.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND REFRESHING METHOD OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190172541A1. Автор: SAWADA Seiji. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-06.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210217769A1. Автор: LEE Nam Jae. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2021-07-15.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND REPAIR METHODS OF THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20210295944A1. Автор: WOO Su Hae,LIM Jae IL. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2021-09-23.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190267097A1. Автор: HIGASHI Yusuke,SANUKI Tomoya. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-29.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220352202A1. Автор: LEE Nam Jae. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2022-11-03.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: KR101169397B1. Автор: 김종섭,이성훈,박성일,진영구,홍기하. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2012-07-30.

Method of making non-volatile semiconductor memory arrays

Номер патента: US5966601A. Автор: Chen Ling,Siu-han Liao. Владелец: Holtek Microelectronics Inc. Дата публикации: 1999-10-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: JP5376789B2. Автор: 史隆 荒井,誠 水上. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-12-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and driving method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: JP5378255B2. Автор: 友子 藤原,傑 鬼頭,義政 三ヶ尻. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-12-25.

Semiconductor memory device and test method of semiconductor memory device

Номер патента: JP2010003389A. Автор: Hideo Inaba,秀雄 稲葉. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-01-07.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US11569263B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-01-31.

PERIPHERAL CIRCUIT, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND OPERATING METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE AND/OR PERIPHERAL CIRCUIT

Номер патента: US20170125100A1. Автор: LEE Hee Youl. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

Semiconductor memory integrated circuit and layout method of the same

Номер патента: TW200541051A. Автор: Hi-choon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-12-16.

Semiconductor Memory Device and Programming Method of NAND Flash Memory

Номер патента: US20150261605A1. Автор: YAMAUCHI Kazuki. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor memory device and programming method of nand flash memory

Номер патента: KR101731576B1. Автор: 카즈키 야마우치. Владелец: 윈본드 일렉트로닉스 코포레이션. Дата публикации: 2017-04-28.

Semiconductor memory device and programming method of flash memory

Номер патента: KR101582304B1. Автор: 리치로 시로다. Владелец: 윈본드 일렉트로닉스 코포레이션. Дата публикации: 2016-01-04.

Semiconductor memory device and programming method of NAND flash memory

Номер патента: US10068659B2. Автор: Kazuki Yamauchi. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-09-04.

A semiconductor memory device with mos transistors, each including a floating gate and a control gate, control method thereof and a memory card including the same

Номер патента: KR100677802B1. Автор: 노조미 가사이,다꾸야 후지모또,요시하루 히라따. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2007-02-02.

Semiconductor memory for storing several bits at same address - has comparator circuits for determining concordance of data from cell blocks and data at terminal

Номер патента: DE4328605A1. Автор: Yoshio Fudeyasu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-03-03.

Semiconductor memory device and programming method of nand flash memory

Номер патента: TWI537970B. Автор: 山內一貴. Владелец: 華邦電子股份有限公司. Дата публикации: 2016-06-11.

Semiconductor memory and burn-in test method of semiconductor memory

Номер патента: KR100750576B1. Автор: 노부미 고다마,요시아키 오쿠야마,신야 후지오카,야스히로 다카다,다쓰히로 와타나베. Владелец: 후지쯔 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2007-08-21.

Nor-type memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200343260A1. Автор: Chen-Chih WANG,Li-Wei Ho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-10-29.

NOR-type memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11049874B2. Автор: Chen-Chih WANG,Li-Wei Ho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-06-29.

Artificial synapse device based on resistive change memory device, and method for manufacturing same

Номер патента: US20240237566A1. Автор: Jea Gun Park,Soo Min JIN,Dae Seong WOO,Sang Hong PARK,Sung Mok JUNG. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-07-11.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20130286742A1. Автор: KOGA Mitsuhiro,Komatsu Yukio,KOMINE Yuji,IWASAKI Tomonari. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-10-31.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND OPERATION METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20140010016A1. Автор: KATSUMATA Ryota,Higuchi Masaaki,Sekine Katsuyuki,HAZAMA Hiroaki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-01-09.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND OPERATING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20140063967A1. Автор: AHN Jung Ryul,Baik Seung Hwan. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-03-06.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20140071765A1. Автор: Ishii Hiroyuki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-03-13.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND OPERATION METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20160027512A1. Автор: NAKAMURA Mitsutoshi,Hagishima Daisuke,Kondo Shigeo,HOGYOKU Michiru. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2016-01-28.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE FOR AND METHOD OF APPLYING TEMPERATURE-COMPENSATED WORD LINE VOLTAGE DURING READ OPERATION

Номер патента: US20140140130A1. Автор: PARK Il-Han,SONG YOUNG-SUN,LEE EUNG-SUK. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2014-05-22.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND A METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20220093626A1. Автор: Shin Joongchan,Kang Byeungmoo,Han Sangyeon. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND PROGRAMMING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20160232975A1. Автор: OH Hae Soon. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-11.

Semiconductor memory device and the method of operating the same

Номер патента: KR101213922B1. Автор: 이근우,이희열. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2012-12-18.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: KR20220090139A. Автор: 이남재. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2022-06-29.

Semiconductor memory device and write method of the same

Номер патента: US20110012185A1. Автор: Kiyohito Nishihara. Владелец: Kiyohito Nishihara. Дата публикации: 2011-01-20.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: CN1828774B. Автор: 小渕雅宏. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-05-12.

Non-volatile semiconductor memory device and making method of the same

Номер патента: KR100197029B1. Автор: 토시하루 카타야마,나오꼬 오오타니. Владелец: 다니구찌 이찌로오, 기타오카 다카시. Дата публикации: 1999-06-15.

Semiconductor memory device and a method of operating the same

Номер патента: US11132148B2. Автор: Sung Ho Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-28.

Redundant apparatus for semiconductor memory device and control method of the same

Номер патента: KR100245086B1. Автор: 김생환,황용. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-03-02.

Semiconductor memory device and redundancy method of the same

Номер патента: KR100877701B1. Автор: 이윤상. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2009-01-08.

Non-volatile semiconductor memory device and controlling method of the same

Номер патента: CN100426416C. Автор: 金田义宣. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-15.

Non-volatile semiconductor memory device and controlling method of the same

Номер патента: US20050002235A1. Автор: Yoshinobu Kaneda. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-06.

Nonvolatile semiconductor memory device and a method of word lines thereof

Номер патента: US20080084750A1. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-04-10.

Semiconductor Memory device and arranging method of the same

Номер патента: KR100615575B1. Автор: 권혁준,박철우,김성훈,이정배,박윤식. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-08-25.

Thyristor-based semiconductor memory device and its method of manufacture

Номер патента: US7157342B1. Автор: Scott Robins,Marc Tarabbia. Владелец: T RAM Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-01-02.

Memory device and method of operating the memory device

Номер патента: US20210319838A1. Автор: Byoung In JOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Memory device and method of testing the memory device for failure

Номер патента: US20240120020A1. Автор: Jung Ryul Ahn,Byung Wook Bae. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Storage node of a resistive random access memory device with a resistance change layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US8362455B2. Автор: Sang-jun Choi,Jung-hyun Lee,Chang-Soo Lee,Hyung-Jin Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-01-29.

Memory device and method of manufacturing the memory device

Номер патента: US20240244842A1. Автор: Dae Sung EOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory device and method of operating the memory device

Номер патента: US20240185921A1. Автор: Young Hwan Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Memory device related to verifying memory cells in an erase state and method of operating the memory device

Номер патента: US20240153568A1. Автор: Chan Sik Park,Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Memory device, memory system including the same, and method of operating the memory system

Номер патента: US20190237144A1. Автор: Kwang Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Storage node of a resistive random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080169459A1. Автор: Sang-jun Choi,Jung-hyun Lee,Chang-Soo Lee,Hyung-Jin Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-17.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20210304831A1. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US11355207B2. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-06-07.

Flash memory device and method for driving the same

Номер патента: US20080247247A1. Автор: Sang-Gu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-09.

Nonvolatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190157284A1. Автор: Il-han Park,Bong-Soon Lim,June-Hong PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-23.

Van der Waals heterostructure memory device and switching method

Номер патента: US11705200B2. Автор: Tao Liu,Wei Chen,DU Xiang. Владелец: Singapore Suzhou Research, National University of. Дата публикации: 2023-07-18.

Van der waals heterostructure memory device and switching method

Номер патента: US20210391009A1. Автор: Tao Liu,Wei Chen,DU Xiang. Владелец: Singapore Suzhou Research Institute, National University of. Дата публикации: 2021-12-16.

Memory device storing logical page data and operating method of the memory device

Номер патента: US12106806B2. Автор: Jeong Hwan Kim,Jae Woong Kim,In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Woo Pyo Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240028220A1. Автор: Jong Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230143211A1. Автор: Chih-Jen Huang,Chao-Yang Chen. Владелец: Memorist Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20180033492A1. Автор: Ji Hyun Seo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-01.

SONOS memory device and method of erasing data from the same

Номер патента: US20040251490A1. Автор: Chung-woo Kim,Soo-doo Chae,Jo-won Lee,Moon-kyung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-12-16.

Partial page fail bit detection in flash memory devices

Номер патента: WO2008005735A2. Автор: Gerrit Jan Hemink. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2008-01-10.

Flash memory device capable of reduced programming time

Номер патента: US20060126399A1. Автор: Myong-Jae Kim,Ji-Ho Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-06-15.

Flash memory device capable of reduced programming time

Номер патента: US20080181011A1. Автор: Myong-Jae Kim,Ji-Ho Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-31.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240282394A1. Автор: Chang Beom WOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US09972399B2. Автор: Ji Hyun Seo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Non-volatile memory device and method of programming the same

Номер патента: US09858993B2. Автор: Dong-ku Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240334706A1. Автор: Ki Deok KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US12135882B2. Автор: Hyung Jin Choi,Se Chun Park,Chan Hui Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

OPERATION METHOD OF CONTROLLER CONFIGURED TO CONTROL NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND OPERATION METHOD OF STORAGE DEVICE

Номер патента: US20220172785A1. Автор: LEE Heewon,YOO Sangjin,LEE Yunjung,LEE Kwangwoo. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-02.

MEMORY DEVICES THAT APPLY A PROGRAMMING POTENTIAL TO A MEMORY CELL IN A STRING COUPLED TO A SOURCE AND DATA LINE CONCURRENTLY WITH BIASING THE DATA LINE TO A GREATER POTENTIAL THAN THE SOURCE

Номер патента: US20170206977A1. Автор: Goda Akira,Parat Krishna,ZHAO Yijie. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2017-07-20.

Operating memory devices to apply a programming potential to a memory cell in a string coupled to a source and data line concurrently with biasing the data line to a greater potential than the source

Номер патента: US9646702B2. Автор: Krishna Parat,Akira Goda,Yijie Zhao. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2017-05-09.

A secure non-volatile memory device and a method of protecting data therein

Номер патента: EP2074629B1. Автор: Guoqiao Tao,Steven V. E. S. Van Dijk. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2012-10-24.

Device and method of deleting information from a microcircuit addressing system

Номер патента: RU2731959C1. Автор: Владимир Анатольевич Тищенко,Григорий Иванович Андреев,Максим Владимирович Фесенко,Борис Васильевич Хлопов,Михаил Михайлович Крутов,Валерия Сергеевна Самойлова,Денис Владимирович Грачев. Владелец: Акционерное общество "Центральный научно-исследовательский радиотехнический институт имени академика А.И. Берга". Дата публикации: 2020-09-09.

Memory device and method of managing memory data error

Номер патента: WO2009139574A3. Автор: Jae Hong Kim,Jun Jin Kong,Yong June Kim,Kyoung Lae Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2010-06-24.

Resistive memory device and method of operating the resistive memory device

Номер патента: US20240005989A1. Автор: In Ku Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Resistive memory device and method of operating the resistive memory device

Номер патента: US11804265B2. Автор: In Ku Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Data buffering operation of three-dimensional memory device with static random-access memory

Номер патента: US11922058B2. Автор: Yue Ping Li,Chun Yuan Hou,Wei Jun Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Memory device and method of operating the memory device

Номер патента: US11908532B2. Автор: Jong Woo Kim,Young Cheol SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Memory device and method of operating the memory device

Номер патента: US20230420056A1. Автор: Kwang Min LIM,Tae Un Youn,Hye Lyoung LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Memory device, memory system including memory device, and method of operating memory system

Номер патента: US20240004557A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Memory device for setting channel initialization time based on inhabition count value and method of the memory device

Номер патента: US11804273B2. Автор: Jong Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Electronic device, memory device, and method of operating memory device

Номер патента: US20200357464A1. Автор: Seung Yun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Access suppression in a memory device

Номер патента: US20160034403A1. Автор: Gus Yeung,Yew Keong Chong,Andy Wangkun CHEN,Sriram Thyagarajan,Michael Alan Filippo. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2016-02-04.

Memory device, operation method of the memory device and semiconductor die

Номер патента: US20240062817A1. Автор: Katherine H. Chiang,Yun-Feng KAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Method of testing non-volatile memory device and method of managing non-volatile memory device

Номер патента: US9214206B2. Автор: Dong-ku Kang,Sang-In Park,Boh-Chang KIM,Bu-il NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-12-15.

Non-volatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US20080158940A1. Автор: Jun-Ho Lee,Dong-Seok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-03.

Non-volatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US8054672B2. Автор: Jun-Ho Lee,Dong-Seok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-11-08.

Cell string of flash memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070064496A1. Автор: Sang Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-03-22.

Bloch line memory device

Номер патента: US4845671A. Автор: Ryo Suzuki,Youji Maruyama,Tadashi Ikeda,Teruaki Takeuchi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1989-07-04.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240069746A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230393759A1. Автор: Hyung Jin Choi,Se Chun Park,Chan Hui Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Nanowire memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120178233A1. Автор: Jung-Hoon Lee,Jin-Gyoo Yoo,Cheol-soon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-07-12.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US10846236B2. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-11-24.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20180225220A1. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Nonvolatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20150249095A1. Автор: Young-Jin Lee,Min-Soo Kim,Byung-Ho Lee,Jin-Hae Choi,Joo-Hee Han,Sung-Jin Whang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-09-03.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20210366550A1. Автор: Sung Hoon Cho,Jae Sung Sim,Se Kyoung Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230395169A1. Автор: Jong Hoon Lee,Se Chun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20180061501A1. Автор: Seung Hwan Baek,Sung Yong Lim,Yeon Ji SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Nonvolatile memory device with vertical string including semiconductor and resistance change layers, and method of operating the same

Номер патента: US20210350851A1. Автор: Youngjin Cho,Cheol Seong Hwang,Soichiro Mizusaki,Jungho YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-11.

Memory device configured to apply first and second pass voltages to unselected word lines based on an operating voltage

Номер патента: US11875863B2. Автор: Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230402096A1. Автор: Jong Kyung Park,Dong Hun Kwak,Jae Yeop Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Electronic devices including pillars including a memory material, and related memory devices, systems, and methods

Номер патента: US20230276624A1. Автор: Pankaj Sharma,Naveen KAUSHIK,Sidhartha Gupta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Memory device and method of operating the memory device

Номер патента: US20240161834A1. Автор: Hyun Seung Yoo,Hye Eun Heo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230317168A1. Автор: Sung Kun Park,Myoung Kwan CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Memory device and method of operating the memory device

Номер патента: US20240127898A1. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210066583A1. Автор: Taeho Kim,Woo Young Park,Hyunchul SOHN,Jinyeol LEE. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2021-03-04.

Non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11825755B2. Автор: Taeho Kim,Woo Young Park,Hyunchul SOHN,Jinyeol LEE. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2023-11-21.

Variable resistance memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200136037A1. Автор: Ji-Hyun Jeong,Si-Ho Song,Ilmok Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-30.

Variable resistance memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190123272A1. Автор: Ji-Hyun Jeong,Si-Ho Song,Ilmok Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-25.

Memory device and manufacturing method of memory device

Номер патента: US20210091108A1. Автор: Hirofumi Inoue,Hidetoshi Saito,Shinichiro Shiratake,Mutsumi Okajima,Kiyomi Naruke. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Nonvolatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US20210035635A1. Автор: Youngjin Cho,Soichiro Mizusaki,Jungho YOON,Cheolseong HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-04.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20220101933A1. Автор: Hyung Jin Choi,Hee Joo LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Memory device performing erase operation and method of operating the same

Номер патента: US20240185927A1. Автор: Yeong Jo MUN,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Memory device and error correction method in memory device

Номер патента: US20220383969A1. Автор: Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Memory device and error correction method in memory device

Номер патента: US20220270692A1. Автор: Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-25.

Memory device and error correction method in memory device

Номер патента: US11705212B2. Автор: Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-18.

Memory device and error correction method in memory device

Номер патента: US11456040B2. Автор: Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-27.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240185932A1. Автор: Byoung In JOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240161841A1. Автор: Seung Geun JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Memory device for performing program operation and method of operating the same

Номер патента: US20240161839A1. Автор: Hyung Jin Choi,Gwi Han KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240220142A1. Автор: Jung Ho Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Erase method of nonvolatile memory device, and operation method of storage device

Номер патента: US20220059168A1. Автор: Sang-Wan Nam,Jun-Ho SEO,Yong-Lae Kim,Haneol JANG,Hyukje Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-24.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE, STORAGE DEVICE INCLUDING NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND READING METHOD OF NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20180053554A1. Автор: NAM Sang-Wan,YOON Chiweon,BYEON Daeseok. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-22.

Memory device, memory system, method of operating memory device, and method of operating memory system

Номер патента: US20170062059A1. Автор: Yoon Kim,Dong-Chan Kim,Ji-Sang LEE. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-02.

Memory device, memory system, method of operating the memory device, and method of operating the memory system

Номер патента: US20170069389A1. Автор: Yoon Kim,Sang-Soo Park,Won-Bo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-09.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE, STORAGE DEVICE INCLUDING NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND OPERATING METHOD OF NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170125116A1. Автор: Park Sang-Soo,SHIM DONGKYO. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE, MEMORY SYSTEM, METHOD OF OPERATING NONVOLATILE MEMORY DEVICE, AND METHOD OF OPERATING MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20170162270A1. Автор: Park Sang-Soo,PARK Jong-Chul,YOO Hyun-Young. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-08.

MEMORY DEVICE, MEMORY SYSTEM, METHOD OF OPERATING MEMORY DEVICE, AND METHOD OF OPERATING MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20180204621A1. Автор: KIM Dong-chan,LEE JI-SANG,KIM Yoon. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-19.

METHOD OF REWRITING DATA OF MEMORY DEVICE, MEMORY CONTROLLER CONTROLLING THE MEMORY DEVICE, AND CONTROLLING METHOD OF THE MEMORY CONTROLLER

Номер патента: US20200202953A1. Автор: OH Eun Chu,LEE Young-geun. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-25.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE, STORAGE DEVICE INCLUDING NONVOLATILE MEMORY DEVICE, AND OPERATING METHOD OF NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200258580A1. Автор: PARK Jooyong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-08-13.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND OPERATION METHOD OF STORAGE DEVICE INCLUDING THE NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170315723A1. Автор: Kwak DongHun. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

Nonvolatile memory device and operation method of storage device including the nonvolatile memory device

Номер патента: US20150331627A1. Автор: Donghun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-19.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE, STORAGE DEVICE INCLUDING THE NONVOLATILE MEMORY DEVICE, AND OPERATING METHOD OF THE STORAGE DEVICE

Номер патента: US20150332770A1. Автор: KIM Dae Han. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-19.

MEMORY DEVICE, THE CONTROL METHOD OF THE MEMORY DEVICE AND THE METHOD FOR CONTROLLING THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190361823A1. Автор: KWON SEOK CHEON. Владелец: Essencore Limited. Дата публикации: 2019-11-28.

Methods of erasing a memory device and a method of programming a memory device for low-voltage and low-power applications

Номер патента: EP0902438A1. Автор: Jan Van Houdt,Dirk Wellekens. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 1999-03-17.

Method of erasing a memory device and a method of programming a memory device for low-voltage and low-power applications

Номер патента: US6058043A. Автор: Jan Van Houdt,Dirk Wellekens. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2000-05-02.

Methods of erasing a memory device and a method of programming a memory device for low-voltage and low-power applications

Номер патента: US6144586A. Автор: Jan Van Houdt,Dirk Wellekens. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2000-11-07.

Methods of erasing a memory device and a method of programming a memory device for low-voltage and low-power applications

Номер патента: US6246612B1. Автор: Jan Van Houdt,Dirk Wellekens. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2001-06-12.

Memory device, Memory system, Method of operating the memory device and Method of operating the memory system

Номер патента: KR102295528B1. Автор: 김동찬,김윤,이지상. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2021-08-30.

Memory device and operating method of the memory device and host device

Номер патента: KR20220144093A. Автор: 홍성택,전진완,강영산,조예진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-10-26.

Nonvolatine memory device, memory system, method of operating nonvolatile memory device, and method of operating memory system

Номер патента: KR102420588B1. Автор: 박종철,박상수,유현영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-07-13.

Memory device and operating method of the memory device and host device

Номер патента: US20220334921A1. Автор: Walter JUN,Young San KANG,Ye Jin CHO,Sung Tack HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor device, memory device and forming method of semiconductor device

Номер патента: TW202329416A. Автор: 陳亮. Владелец: 大陸商長江存儲科技有限責任公司. Дата публикации: 2023-07-16.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20210312993A1. Автор: Hyun Chul Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-07.

Memory device with enhanced error correction

Номер патента: US20200235757A1. Автор: Stella Achtenberg,Omer FAINZILBER,Dudy David Avraham. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-07-23.

Method of quickly determining work line failure type

Номер патента: US6707732B2. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-03-16.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND A METHOD OF ADJUSTING A THRESHOLD VOLTAGE OF A GROUND SELECTION TRANSISTOR THEREOF

Номер патента: US20130215679A1. Автор: Kim Dongchan,Lee Ae-Jeong,Lee Bongyong,Sim Jaesung. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-22.

MEMORY DEVICE AND A METHOD OF OPERATING SUCH A MEMORY DEVICE IN A SPECULATIVE READ MODE

Номер патента: US20140016419A1. Автор: Hold Betina. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2014-01-16.

VARIABLE RESISTANCE NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND DRIVING METHOD OF VARIABLE RESISTANCE NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140050003A1. Автор: SHIMAKAWA Kazuhiko,Tomotani Hiroshi. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-20.

Non-volatile Memory Device And A Method Of Programming Such Device

Номер патента: US20150003166A1. Автор: Tran Hieu Van,Ly Anh,Vu Thuan,Nguyen Hung Quoc. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-01.

MEMORY DEVICE AND READ METHOD OF MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170032844A1. Автор: KIM KYUNG-RYUN. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-02.

MEMORY DEVICE AND READ METHOD OF MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160035429A1. Автор: KIM KYUNG-RYUN. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

METHOD OF ESTIMATING DETERIORATION STATE OF MEMORY DEVICE AND RELATED METHOD OF WEAR LEVELING

Номер патента: US20150043282A1. Автор: Kong Jun-Jin,SHIN DONG-MIN,SHIN BEOM-KYU,KIM UNG-HWAN,KIM EUN-CHEOL,LEE MYUNG-KYU. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-12.

MEMORY DEVICE AND OPERATING METHOD OF THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220059167A1. Автор: Yang In Gon,SHIN Jae Hyeon,LIM Sungmook. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2022-02-24.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND OPERATING METHOD OF NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190051351A1. Автор: SONG TAEJOONG,PYO SUK-SOO,Jung Hyuntaek. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-14.

Memory device for adjusting delay on data clock path, memory system including the memory device, and operating method of the memory system

Номер патента: US20220075564A1. Автор: Jihye Kim,Byongmo Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-10.

MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210091108A1. Автор: Okajima Mutsumi,Inoue Hirofumi,SAITO Hidetoshi,Naruke Kiyomi,SHIRATAKE Shinichiro. Владелец: Kioxia Corporation. Дата публикации: 2021-03-25.

MEMORY DEVICE AND OPERATION METHOD OF MEMORY DEVICE AND MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20150098287A1. Автор: LEE Joo-hyeon. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2015-04-09.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE, NONVOLATILE MEMORY SYSTEM INCLUDING NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND OPERATING METHOD OF NONVOLATILE MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20150103597A1. Автор: Park Hyun-Wook,Park Kitae,JEONG JAEYONG. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-16.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND A METHOD OF PROGRAMMING THE NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190096488A1. Автор: LEE Seung-jae,JOE Sung-Min,Lee Sun-gun. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-28.

MEMORY DEVICE AND OPERATING METHOD OF THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20180102172A1. Автор: YI Su-Min. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-12.

MEMORY DEVICE AND OPERATING METHOD OF THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210183458A1. Автор: LEE Hee Youl. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2021-06-17.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND OPERATING METHOD OF NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170162266A1. Автор: SON Hong Rak,KONG JUNJIN,SEOL CHANGKYU,RA YOUNGSUK,SO HYEJEONG. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-08.

MEMORY DEVICE AND OPERATING METHOD OF THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200168279A1. Автор: LEE Sang Min,LEE Heung Yeul. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2020-05-28.

MEMORY DEVICE AND OPERATING METHOD OF MEMORY DEVICE AND MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20140301150A1. Автор: YOON Hyun-Su,KWEAN Ki-Chang. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-10-09.

Nonvolatile memory device and a method of operating the nonvolatile memory device

Номер патента: US20160225454A1. Автор: Wandong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-04.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND OPERATING METHOD OF DATA STORAGE DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20170221570A1. Автор: HONG Ji Man. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-03.

NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND PROGRAM METHOD OF A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210335431A1. Автор: KIM Dong-chan,Lee Bong-Yong,AHN Su-Jin,CHOI CHANG-MIN. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-28.

THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE AND OPERATING METHOD OF A STORAGE DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20150332773A1. Автор: Kwak DongHun. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-19.

Non-volatile memory device, operating method thereof, memory system including the non-volatile memory device, and operating method of the memory system

Номер патента: US20160372199A1. Автор: Jae-Hong Kim,Young-Seop Shim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-22.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND ERASING METHOD OF NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170372785A1. Автор: HAHN WOOKGHEE. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-28.

MEMORY DEVICE, MEMORY SYSTEM INCLUDING THE MEMORY DEVICE, AND OPERATING METHOD OF THE MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20200365212A1. Автор: LEE Dong Uk. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-19.

Memory device, memory system including the memory device, and operating method of the memory system

Номер патента: US20200381054A1. Автор: Sung Ho Kim,Jong Han AHN,Seong Cheon YU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Memory device and operation method of memory device and memory system

Номер патента: CN104517643A. Автор: 李周炫. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2015-04-15.

Nonvolatile memory device and program method of nonvolatile memory device

Номер патента: KR101868393B1. Автор: 곽동훈,이호철,김선아,이천안. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2018-06-21.

Apparatus of Memory Device Testing and Method of the same

Номер патента: KR100579049B1. Автор: 김병술. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-05-12.

Nonvolatile memory device and erasing method of nonvolatile memory device

Номер патента: CN110580929A. Автор: 李知英,卢永植,朴一汉. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-17.

Semiconductor memory device and control method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240320109A1. Автор: Yoshihiko Shindo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device and operating method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240118813A1. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang,Hun Wook LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Storage device including non-volatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: US20240241642A1. Автор: Young-rok Oh,Daesung CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Storage device comprising volatile and nonvolatile memory devices, and related methods of operation

Номер патента: US09772940B2. Автор: Eun-Ju Park,Wan-soo Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

A computer-implemented method of providing at least one electronic signature for a plurality of electronic documents and data processing device or system for the same

Номер патента: EP4158520A1. Автор: Jan Flora. Владелец: Penneo AS. Дата публикации: 2023-04-05.

Memory device and operating method of same

Номер патента: US09817588B2. Автор: Hung-Sheng Chang,Hsiang-Pang Li,Yu-Ming Chang,Li-Chun Huang,Nai-Ping Kuo,Wei-Chieh Huang,Ting-Yu Liu,Chien-Hsin Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Memory device and controlling method of the same

Номер патента: US09715344B2. Автор: Kyung-Ho Kim,Seung-Uk Shin,Sang-Kwon Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Memory device, memory module including the memory device, and operating method of memory controller

Номер патента: US12141478B2. Автор: Dohan Kim,Hoyoung Lee,Daejeong Kim,Insu Choi,Namhyung Kim,Deokho Seo,Taekyeong Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-12.

Cache device for coupling to a memory device and a method of operation of such a cache device

Номер патента: US8200902B2. Автор: Nigel Charles Paver,Stuart David Biles,Dam Sunwoo,Prakash Shyamlal Ramrakhyani. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2012-06-12.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: US20240070033A1. Автор: Kui-Yon Mun,JooYoung HWANG,Seunghyun Choi,Gyeongmin Kim,Junyeong HAN,Keunsan Park,HeeTak Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: US20240069782A1. Автор: Kui-Yon Mun,Junyeong HAN,HeeTak Shin,Joon-Whan BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Operating method of memory device for managing map data of each of plurality of storage devices, computing system including memory device, and operating method of computing system

Номер патента: US20230359394A1. Автор: Kyunghan LEE,Chon Yong Lee,Jae-gon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-09.

Operating method of memory device for managing map data of each of plurality of storage devices, computing system including memory device, and operating method of computing system

Номер патента: EP4273702A1. Автор: Kyunghan LEE,Chon Yong Lee,Jae-gon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-08.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: US20240070067A1. Автор: JooYoung HWANG,Seunghyun Choi,Gyeongmin Kim,Junyeong HAN,Keunsan Park,HeeTak Shin,Joon-Whan BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: US20240078027A1. Автор: Kui-Yon Mun,JooYoung HWANG,Gyeongmin Kim,Keunsan Park,Joon-Whan BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: US20240069750A1. Автор: Kui-Yon Mun,JooYoung HWANG,Seunghyun Choi,Gyeongmin Kim,Junyeong HAN,Keunsan Park,HeeTak Shin,Joon-Whan BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: US20240069777A1. Автор: Gyeongmin Kim,Keunsan Park,HeeTak Shin,Joon-Whan BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: US20240070066A1. Автор: JooYoung HWANG,Seunghyun Choi,Gyeongmin Kim,Junyeong HAN,Keunsan Park,HeeTak Shin,Joon-Whan BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Computer-implemented method of providing at least one electronic signature for a plurality of electronic documents and data processing device or system for the same

Номер патента: US20230102230A1. Автор: Jan Flora. Владелец: Penneo AS. Дата публикации: 2023-03-30.

Memory device and controlling method of the same

Номер патента: USRE49921E1. Автор: Akihisa Fujimoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Memory device performing pruning, method of operating the same, and electronic device performing pruning

Номер патента: US20240202526A1. Автор: Ho-Youn Kim,Jong-yoon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of automatic control of tested vehicle loading level for evaluating reliability thereof and device for implementation thereof

Номер патента: RU2671066C1. Автор: Виктор Семенович Устименко,Виктор Геннадьевич Корнилов,Юлия Владиславовна Волкова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "3 Центральный научно-исследовательский институт" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2018-10-29.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240302982A1. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Information processing apparatus, method of controlling the same, and storage medium with features for updating code and data areas of non-volatile memory

Номер патента: US11907049B2. Автор: Hidemi Sasaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND OPERATING METHOD OF THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220066685A1. Автор: HONG Yong Hwan,KIM Byung Ryul. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2022-03-03.

MEMORY CONTROLLER, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, AND CONTROL METHOD OF MEMORY CONTROLLER

Номер патента: US20150286411A1. Автор: ICHISHIMA Jun. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-10-08.

Memory controller, semiconductor memory device, and control method of memory controller

Номер патента: CN104979001A. Автор: 市岛旬. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-14.

Electronic device for manufacturing semiconductor memory device and operating method of electronic device

Номер патента: KR20230016112A. Автор: 김동호,김정민,김상욱,이지용,이수용,양승훈,임창묵,허양우. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2023-02-01.

Radiation imaging apparatus and method of controlling the same, radiation image processing apparatus and method thereof, and computer-readable storage medium

Номер патента: US09949708B2. Автор: Naoto Takahashi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND DRIVING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20160246531A1. Автор: TAKIZAWA Ryousuke. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-25.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND A METHOD OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20200363992A1. Автор: AHN Sung Ho. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2020-11-19.

A method of automatic computer controlled reading of a publication

Номер патента: WO2006064329A1. Автор: Robert H. Rines. Владелец: Rines Robert Harvey. Дата публикации: 2006-06-22.

Non-volatile memory devices, systems including same and associated methods

Номер патента: WO2008115970A2. Автор: Frank J. Sepulveda. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2008-09-25.

Storage device and operating method of storage device

Номер патента: US20210034297A1. Автор: Dong-Min Kim,Jeong-Woo Park,Kyoung Back Lee,Youngmoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-04.

Memory device and method of controlling power of the same

Номер патента: US20190146695A1. Автор: Nam-Hoon Kim,Jae Won SONG,Se Jeong Jang,Jae Sub Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-16.

Memory device and operation method of the same

Номер патента: US20210209018A1. Автор: Chih-Wea Wang,Yung-Hui YU. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-07-08.

Real-time imaging method of NAPDH-dependent metabolic activity in cell and use thereof

Номер патента: US10308973B1. Автор: Dae Eun Cheong,Sung Hwan You,Geun-Joong Kim,Jeong Sun Kim,Eung Sam Kim,Eun Seo Jo. Владелец: INDUSTRY FOUNDATION OF CHONNAM NATIONAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-06-04.

Storage device with data deduplication, operation method of storage device, and operation method of storage server

Номер патента: US11947419B2. Автор: JooYoung HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-02.

Data collection server, device, and data collection and transmission system

Номер патента: EP3337098B1. Автор: Hiroshi Kaiho,Kyoichi Kamijima. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2024-03-13.

Data collection server, device, and data collection and transmission system

Номер патента: US10382633B2. Автор: Hiroshi Kaiho,Kyoichi Kamijima. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2019-08-13.

Device and method of impulses determination, using the sagnac interferometer in the telemetry system with high speed of data transmission

Номер патента: RU2622278C2. Автор: Збигнев Станислав СОБОЛЕВСКИЙ,Дуглас Марк НАЙТ,Джон Лорето МАЙДА,Нил Грегори СКИННЕР. Владелец: ХЭЛЛИБЕРТОН ЭНЕРДЖИ СЕРВИСИЗ, ИНК.. Дата публикации: 2017-06-13.

RADIATION IMAGING APPARATUS AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME, RADIATION IMAGE PROCESSING APPARATUS AND METHOD THEREOF, AND COMPUTER-READABLE STORAGE MEDIUM

Номер патента: US20160206270A1. Автор: Takahashi Naoto. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-21.

Method and apparatus for reducing write cycles in nand-based flash memory devices

Номер патента: US20100312953A1. Автор: William J. Allen,Franz Michael Schuette. Владелец: OCZ Technology Group Inc. Дата публикации: 2010-12-09.

A biofeedback system for use in a method of preventing, diagnosing and treating stress and cognitive decline due to entertainment, communications and data processing electronic display devices

Номер патента: DE202019000434U1. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-05-24.

Method of sharing memory in a multi-processor system including a cloning of code and data

Номер патента: US6813522B1. Автор: Stephen C. Schwarm,Dar Efroni. Владелец: EMC Corp. Дата публикации: 2004-11-02.

Charge storage memory device capable of verifying reliability of controller

Номер патента: KR101764509B1. Автор: 민상렬,우영재. Владелец: 서울대학교산학협력단. Дата публикации: 2017-08-02.

Memory device and managed memory system with wireless debug communication port and methods for operating the same

Номер патента: WO2020131362A1. Автор: Jonathan S. Parry,Robert W. Strong. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-06-25.

Storage device, computing device including storage device and memory device, and operating method of computing device

Номер патента: US20230359567A1. Автор: Kyunghan LEE,Chon Yong Lee,Jae-gon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-09.

Storage device, computing device including storage device and memory device, and operating method of computing device

Номер патента: EP4276634A1. Автор: Kyunghan LEE,Chon Yong Lee,Jae-gon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-15.

Memory device and managed memory system with wireless debug communication port and methods for operating the same

Номер патента: EP3899728A1. Автор: Jonathan S. Parry,Robert W. Strong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-27.

Non-volatile memory devices, systems including same and associated methods

Номер патента: WO2008115970A3. Автор: Frank J. Sepulveda. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2010-01-07.

MEMORY DEVICE, MEMORY SYSTEM, METHOD OF OPERATING A MEMORY DEVICE, AND METHOD OF OPERATING A MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20160124641A1. Автор: YOON SANG-YONG,KIM KYUNG-RYUN. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-05.

MEMORY DEVICE, MEMORY SYSTEM, METHOD OF OPERATING THE MEMORY DEVICE, AND METHOD OF OPERATING THE MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20160124642A1. Автор: Jang Joon-Suc,KIM KYUNG-RYUN. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-05.

Memory device, controller, host apparatus, data processing system, computer-readable non-transitory recording medium, operation method of memory device, and operation method of host apparatus

Номер патента: US20180165012A1. Автор: Masayuki Imagawa,Harunobu KISHIDA. Владелец: MegaChips Corp. Дата публикации: 2018-06-14.

High-speed memory device, socket mounting structure for mounting a high-speed memory device and mounting method of mounting high-speed memory device

Номер патента: US6735090B1. Автор: Masahiko Kasashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-05-11.

Making Method of Sample for Evaluation of Laser Irradiation Position and Making Apparatus Thereof and Evaluation Method of Stability of Laser Irradiation Position and Evaluation Apparatus Thereof

Номер патента: US20120184055A1. Автор: Miyuki Masaki,Ryusuke Kawakami. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-19.

Memory device with enhanced error correction via data rearrangement, data partitioning, and content aware decoding

Номер патента: US20200382143A1. Автор: Eran Sharon,Ran ZAMIR,Stella Achtenberg,Ofir Pele,Omer FAINZILBER,DUDY Avraham,Tommer Kuper Lotan. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Memory device with enhanced error correction via data rearrangement, data partitioning, and content aware decoding

Номер патента: WO2020247022A1. Автор: Eran Sharon,Ran ZAMIR,Stella Achtenberg,Ofir Pele,Omer FAINZILBER,DUDY Avraham,Tommer Kuper Lotan. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2020-12-10.

MEMORY DEVICE AND RECLAIMING METHOD OF THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190146688A1. Автор: JUN WALTER,OH Hee-Tai. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-16.

MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150178159A1. Автор: MUKAI Masamichi. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-25.

STORAGE DEVICE COMPRISING VOLATILE AND NONVOLATILE MEMORY DEVICES, AND RELATED METHODS OF OPERATION

Номер патента: US20150186054A1. Автор: Choi Wan-soo,PARK Eun-Ju. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-02.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20230129734A1. Автор: Dong Won Choi,Kyung Min Park,Jun Hyuk Park,Sung Gon Jin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240341098A1. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12048155B2. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210028104A1. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12087686B2. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12133379B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12144179B2. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-12.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240266339A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Delay locked loop circuit for a synchronous semiconductor memory device and a method of generating information about a load connected to a data pin of a synchronous semiconductor memory device

Номер патента: US20080219065A1. Автор: Jae-Jun Lee,Hoe-ju Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-11.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12035533B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240334704A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240292620A1. Автор: Takahiro Kotou. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20230320086A1. Автор: Sang Soo Kim,Kun Young Lee,Sang Wan JIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor memory device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20130256626A1. Автор: Tetsuya Mizuguchi,Yoshihisa Kagawa,Satoshi Sasaki,Ichiro Fujiwara,Naomi Yamada,Akira Kouchiyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-10-03.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20220320305A1. Автор: Won Tae KOO,Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240313073A1. Автор: Won Tae KOO,Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20230320098A1. Автор: Geun-Won Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor memory with trench capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US6787837B2. Автор: Yoshinori Matsubara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-09-07.

Semiconductor memory with trench capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US6930012B2. Автор: Yoshinori Matsubara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-08-16.

Semiconductor memory device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US12108599B2. Автор: Geun-Won Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor memory device and a method of fabricating the same

Номер патента: US12048141B2. Автор: Kiseok LEE,Hui-jung Kim,Min Hee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of re-establishing the pdn connection, central reset server, mobility management network element and data transmission gateway

Номер патента: RU2666633C2. Автор: Юй ИНЬ,Цайся ЦИ. Владелец: Хуавэй Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-09-11.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20230298992A1. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20230380168A1. Автор: Eun Seok Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US11903208B2. Автор: Nam Jae LEE,Nam Kuk KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240015965A1. Автор: Dae Hyun Kim,Changhan Kim,Ga Ram CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor memory device and manufacturing method of a semiconductor memory device

Номер патента: US20230328983A1. Автор: Hyo Sub YEOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240172440A1. Автор: Jae Taek Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20180277560A1. Автор: Shinya Naito,Tomofumi Zushi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20230413553A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US11856777B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20230292507A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20220157849A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20130270623A1. Автор: Tatsuya Kato,Ryota Suzuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-10-17.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US11963351B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240081066A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12027511B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240023331A1. Автор: Jae Ho Kim,Jae Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US11469242B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-11.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20220415918A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210036002A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20220068962A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Three-dimensional semiconductor memory device and a method of fabricating the same

Номер патента: US8409977B2. Автор: Jinsoo Lim,Hansoo Kim,Sunil Shim,Jaehoon Jang,Sungmi Hwang,Wonseok Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-04-02.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240032292A1. Автор: Jae Taek Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240098999A1. Автор: Toshiyuki Sasaki,Junichi Hashimoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20130341706A1. Автор: Kouji Matsuo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-12-26.

Semiconductor memory device and a method of fabricating the same

Номер патента: US20220375941A1. Автор: Kiseok LEE,Hui-jung Kim,Min Hee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-24.

Semiconductor memory device and a method of fabricating the same

Номер патента: EP4092742A1. Автор: Kiseok LEE,Hui-jung Kim,Min Hee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-23.

Vertical memory devices and related methods of manufacture

Номер патента: US20160197092A1. Автор: Shih-Ping Hong. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-07.

Methods of monitoring a media imaging system, media imaging monitoring systems, articles of manufacture, and data signals

Номер патента: US20040145774A1. Автор: Travis Parry,Robert Sesek. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2004-07-29.

Method of establishing a path in a data network, path computing elements, network elements and data network

Номер патента: WO2008080766A1. Автор: Richard Douville,Emmanuel Dotaro. Владелец: ALCATEL LUCENT. Дата публикации: 2008-07-10.

Control method of melting process in electric-arc furnace, and signal processing device, programme code and data carrier for implementation of that method

Номер патента: RU2507724C2. Автор: Арно ДЕББЕЛЕР,Клаус КРЮГЕР,Томас МАЧУЛЛАТ,Детлеф РИГЕР,Бьерн ДИТТМЕР,Саша ЛИДБЕТТЕР. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2014-02-20.

Memory device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20240324222A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory device and manufacturing method of memory device

Номер патента: US20210288253A1. Автор: Yoshinori Kumura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-16.

Memory device and manufacturing method of memory device

Номер патента: US20230108500A1. Автор: Yoshinori Kumura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-04-06.

Magnetic memory device and manufacturing method of magnetic memory device

Номер патента: US12069959B2. Автор: Kuniaki Sugiura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Flash memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20100163951A1. Автор: Cheon Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Magnetic memory device, and manufacturing method of magnetic memory device

Номер патента: US20240315049A1. Автор: Kazuya Sawada,Naoki Akiyama,Kenichi Yoshino,Takuya Shimano,Hyungjun Cho. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Magnetoresistive memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09773838B2. Автор: Satoshi Inaba. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Method of increasing absorption of ammonium ions with vermiculite, absorbent material, use thereof and method of removing ammonia from environment

Номер патента: RU2418743C2. Автор: Олав ЭКЛУНД,Веса ТОРОПАЙНЕН,Алексей ШЕБАНОВ,Нина ЭКЕРБАК,Стен ЭНГБЛОМ. Владелец: Аб Иркесхёгсколан Вид Эбо Академи/Иркесхёгсколан Новиа. Дата публикации: 2011-05-20.

Magnetoresistive memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20170263856A1. Автор: Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Magnetoresistive memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20160322421A1. Автор: Yuichi Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-03.

Memory device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20240324202A1. Автор: Jae Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

A method of obtaining extracts of spatholobus suberectus dunn (ssd), fractions and compostions thereof and using against viral diseases

Номер патента: WO2023174207A9. Автор: Li Liu,ZHIWEI CHEN,Jianping Chen. Владелец: VERSITECH LIMITED. Дата публикации: 2024-10-24.

Embedded non-volatile memory device and fabrication method of the same

Номер патента: US20210134811A1. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Variable resistance memory device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US09768232B2. Автор: Sung-Ho Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Resistance access memory device and fabricating method of the same

Номер патента: US11844294B2. Автор: JUNG Hyun Suk,Jun Young Kim,Jin Hyuk Choi,Won Bin Kim,Jae Myeong Lee,Han Gil SANG,Sangmyeong Lee,Oh Young GONG. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-12-12.

Method of detecting the unauthorized use of an identification assigned to a mobile radio station in a radio transmission system

Номер патента: CA1236532A. Автор: Stefan Scheinert,Werner Dreykorn-Lindner. Владелец: Individual. Дата публикации: 1988-05-10.

Memory device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20240081059A1. Автор: Jin Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20240081071A1. Автор: In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Mi Seong PARK,Won Geun CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20230301078A1. Автор: Yun Cheol HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20240170400A1. Автор: Jae Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Phase change memory devices and their methods of fabrication

Номер патента: US7598112B2. Автор: Jae-hee Oh,Jae-Hyun Park,Won-Cheol Jeong,Se-Ho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-10-06.

Memory device and manufacturing method of memory device

Номер патента: US20160293839A1. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Memory Device Interconnects and Method of Manufacture

Номер патента: US20200075477A1. Автор: Wen Yu,Fei Wang,Shenqing Fang,Connie Pin-Chin Wang. Владелец: Monterey Research, Llc. Дата публикации: 2020-03-05.

Memory Device Interconnects and Method of Manufacture

Номер патента: US20140145337A1. Автор: Wen Yu,Fei Wang,Connie Wang,Shenqing Fang. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-05-29.

Memory Device Interconnects and Method of Manufacture

Номер патента: US20140151887A1. Автор: Wen Yu,Fei Wang,Connie Wang,Shenqing Fang. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-06-05.

Magnetoresistive memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20160071907A1. Автор: Satoshi Inaba. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-10.

Memory device interconnects and method of manufacture

Номер патента: US10833009B2. Автор: Wen Yu,Fei Wang,Shenqing Fang,Connie Pin-Chin Wang. Владелец: Monterey Research LLC. Дата публикации: 2020-11-10.

Memory device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20230389316A1. Автор: Sang Heon Lee,In Su Park,Sung Jae Chung,Byung In Lee,Eun Mee KWON,Hyung Jun Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Memory device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20230299006A1. Автор: Jin Ho Bin,Ji Yeon Baek,Chul Young Kim,Sul Gi JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20230395495A1. Автор: Jeong Hwan Kim,Jung Shik JANG,Mi Seong PARK,Won Geun CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Memory device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20240040794A1. Автор: Dae Hyun Kim,Sung Hyun Yoon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Magnetic memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20200083289A1. Автор: Tadashi Kai,Junichi Ito,Tadaomi Daibou,Masahiro Koike,Yasushi Nakasaki,Shogo ITAI,Takamitsu Ishihara,Megumi Yakabe. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Magnetic memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US10707356B2. Автор: Tadashi Kai,Junichi Ito,Tadaomi Daibou,Masahiro Koike,Yasushi Nakasaki,Shogo ITAI,Takamitsu Ishihara,Megumi Yakabe. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-07-07.

Magnetoresistive memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20160104834A1. Автор: Tadashi Kai,Katsuya Nishiyama,Yutaka Hashimoto,Masaru Toko,Kuniaki Sugiura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-04-14.

Method of recycling domestic waste by using pyrolysis reactor, system for implementation thereof and pyrolysis reactor

Номер патента: RU2380615C1. Автор: Аркади Михаель ФИРЕР,Денис Алексеевич ЗАГОРСКИЙ,Аркади Михаель ФИРЕР (US),Денис Алексеевич ЗАГОРСКИЙ (RU). Владелец: ГринЛайтс Энерджи Солюшнс, Общество с ограниченной ответственностью. Дата публикации: 2010-01-27.

Method of creating infrared medium for preparation of products, device for implementation thereof and source of infrared radiation used in device (embodiments)

Номер патента: RU2743212C1. Автор: Игорь Владимирович Рябов,Арно Валериевич Багратуни. Владелец: Арно Валериевич Багратуни. Дата публикации: 2021-02-16.

Methods of synthesizing and screening inhibitors of bacterial nad synthetase enzyme, compounds thereof, and methods of treating bacterial and microbial infections with inhibitors of bacterial nad synthetase enzyme

Номер патента: AU2031799A. Автор: Lawrence J Delucas,Laurent Schmitt,Wayne J Brouillette,Jose Gabriel Garcia,Christie G. Brouillette,Walter Cristofoli,Yancho Devedjiev,Mark J. Jedrzejas,Donald Muccio. Владелец: UAB RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 1999-08-02.

Three-dimensional nonvolatile memory device and a method of fabricating the same

Номер патента: US11910600B2. Автор: Seonghun Jeong,Byoungil Lee,Bosuk Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

A method of obtaining extracts of spatholobus suberectus dunn (ssd), fractions and compostions thereof and using against viral diseases

Номер патента: WO2023174207A1. Автор: Li Liu,ZHIWEI CHEN,Jianping Chen. Владелец: VERSITECH LIMITED. Дата публикации: 2023-09-21.

Embedded non-volatile memory device and fabrication method of the same

Номер патента: WO2019018231A1. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2019-01-24.

Method of pressure fusing a nut to a support sheet and product thereof, and machinery for practicing the method

Номер патента: CA1173638A. Автор: Guenther Krueger. Владелец: Individual. Дата публикации: 1984-09-04.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20240237342A1. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20240373634A1. Автор: Jae Young Oh,Eun Seok Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20230309305A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12100651B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US12052864B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: EP1480273A3. Автор: Jung-hyun Lee,Young-soo Park,Won-Tae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-02-08.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20240341097A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210111181A1. Автор: Sang Bum Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11444092B2. Автор: Sang Bum Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-09-13.

Method for forming semiconductor memory device

Номер патента: US20240276704A1. Автор: Yifei Yan. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12089417B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of manufacturing a semiconductor memory device having capacitor electrodes and a vertical contact plug

Номер патента: US11769721B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Cell structure for a semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20100096681A1. Автор: Yong-Sun Ko,Hak Kim,Yong-Kug Bae,Kyoung-Yun Baek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-22.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240357797A1. Автор: Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Storage node, method of fabricating the same, semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070045701A1. Автор: Jung-hyun Lee,Sang-Bong Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

Method for local positioning of an information security intruder node in mobile data transmission systems

Номер патента: RU2744808C2. Автор: Андрей Викторович Тельный,Юрий Михайлович Монахов,Михаил Юрьевич Монахов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Владимирский Государственный Университет имени Александра Григорьевича и Николая Григорьевича Столетовых" (ВлГУ). Дата публикации: 2021-03-16.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US11882704B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20230354603A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US11894300B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor memory device with high electron mobility channels and method of manufacturing the same

Номер патента: US11882703B2. Автор: Hyung Jin Choi,Jae Hyeon Shin,Sungmook Lim,In Gon YANG,Gil Bok CHOI,Dae Hwan YUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220230957A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-07-21.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230240086A1. Автор: Tae Hoon Kim,Si Jung YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120187503A1. Автор: Jongwon Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-26.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240049465A1. Автор: In Ku Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210098367A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20240162148A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8723242B2. Автор: Kazuhiro Asada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-13.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110233618A1. Автор: Kazuhiro Asada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-29.

Submersible system, method for operation control thereof and electric drive (embodiments)

Номер патента: RU2702312C2. Автор: Донат ПИКРОН,Даниэль САН-ЛОРЕН,Тома ФЕРЛАН,Самюэль БУШАР,Денис ОТТ. Владелец: Франклин Эмпайр. Дата публикации: 2019-10-07.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20240074189A1. Автор: Hyun Sub KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor memory device and method of forming the same

Номер патента: US20180277546A1. Автор: Li-Wei Feng,Ying-Chiao Wang,Chien-Ting Ho,Tsung-Ying Tsai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11778807B2. Автор: Jungwoo Song,Jun Ho Lee,Yong Kwan Kim,Kwangmin Kim,Sangyeon HAN,Hyuckjin Kang,Seguen Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20220077182A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20110031549A1. Автор: Masaki Kondo,Kazuaki Isobe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-10.

Semiconductor memory device and method of manufacturing same

Номер патента: US20010009285A1. Автор: Ki-Soon Bae,Hoon-Chi Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-07-26.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabrication of the same

Номер патента: US5726470A. Автор: Yasuo Sato. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1998-03-10.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070134914A1. Автор: Sang-Woo Lee,Kyung-In Choi,Jong-Won Hong,Seung-Gil Yang,Hyun-Bae Lee,Seong-hwee Cheong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-06-14.

Semiconductor memory devices including an air gap and methods of fabricating the same

Номер патента: US9166012B2. Автор: Jong-Min Lee,Jinhyun Shin,Jae-Hwang Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11943909B2. Автор: Feng-Yi Chang,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240049469A1. Автор: Gil Bok CHOI,Dae Hwan YUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor memory device including select transistor with low dielectric core insulating layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US11812613B2. Автор: Gil Bok CHOI,Dae Hwan YUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11980027B2. Автор: Sang Bum Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230422475A1. Автор: LING Li,Tsun-Min Cheng,Ronghui Lin,Wen-Yi Teng,Liandie Zhuang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240006495A1. Автор: Chang Soo Lee,Min Sik Jang,Hee Soo Kim,Sung Soon Kim,Young Ho Yang,Hee Do Na. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Three-dimensional semiconductor memory device with vertical channels in a connection region having a lower channel pattern contacting the substrate

Номер патента: US11864382B2. Автор: Jongwon Kim,Young-jin JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20150357346A1. Автор: Chaeho Kim,Phil Ouk NAM,Junkyu Yang,Jaeyoung Ahn,Woon Kyung Lee,Jaegoo Lee,Byong-hyun JANG,Juhyung Kim,KlHYUN HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-12-10.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230389315A1. Автор: Jae Young Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20090051020A1. Автор: Masaru Koyanagi,Takashi Taira. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-02-26.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11799003B2. Автор: Chang Soo Lee,Min Sik Jang,Hee Soo Kim,Sung Soon Kim,Young Ho Yang,Hee Do Na. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240090214A1. Автор: Jae Taek Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

A semiconductor memory device junction and method of forming the same

Номер патента: TW200931644A. Автор: Hyun-Soo Shon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-16.

Semiconductor memory device and a method of manufacturing the same

Номер патента: TW201117207A. Автор: Tetsuya Mizuguchi,Yoshihisa Kagawa,Satoshi Sasaki,Ichiro Fujiwara,Naomi Yamada,Akira Kouchiyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-05-16.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240081060A1. Автор: Changhan Kim,In Ku Kang,Dong Hyoub KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Nonvolatile semiconductor memory device and fabrication method of the nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US11963371B2. Автор: Kotaro Noda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20170271580A1. Автор: Gwan-Hyeob Koh,Dae-Hwan Kang,Il-mok PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-21.

Memory device, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US11737287B2. Автор: Yu-Chao Lin,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20130248963A1. Автор: Hideto Takekida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-26.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210175167A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130270623A1. Автор: Suzuki Ryota,Kato Tatsuya. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-17.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210020658A1. Автор: EOM Dae Sung. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2021-01-21.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220045045A1. Автор: LEE Nam Jae. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2022-02-10.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210028104A1. Автор: Lee Jin Won,LEE Nam Jae. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2021-01-28.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210028188A1. Автор: LEE Nam Jae,KIM Nam Kuk. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2021-01-28.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210028189A1. Автор: HAMADA Tatsufumi,Sotome Shinichi,KUKI Tomohiro,AKEBOSHI Yuya,MITSUNO Yosuke. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-28.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210036002A1. Автор: LEE Nam Jae. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2021-02-04.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220068807A1. Автор: Lee Jin Won,LEE Nam Jae. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2022-03-03.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220068962A1. Автор: LEE Nam Jae. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2022-03-03.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200075621A1. Автор: NAKAKI Hiroshi. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2020-03-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220149053A1. Автор: LEE Nam Jae. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2022-05-12.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210175242A1. Автор: KIM Jin Ha. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2021-06-10.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220310644A1. Автор: Lee Dong Hwan,CHOI Eun Seok,Kim Seo Hyun. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2022-09-29.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220310653A1. Автор: LEE Nam Jae,KIM Nam Kuk. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2022-09-29.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND FABRICATION METHOD OF THE NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210202580A1. Автор: NODA Kotaro. Владелец: Kioxia Corporation. Дата публикации: 2021-07-01.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND FABRICATION METHOD OF THE NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210210556A1. Автор: NODA Kotaro. Владелец: Kioxia Corporation. Дата публикации: 2021-07-08.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20180240810A1. Автор: TSUDA Muneyuki. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2018-08-23.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200251491A1. Автор: OZAWA Ayumu. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2020-08-06.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20180277560A1. Автор: NAITO Shinya,Zushi Tomofumi. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: KR20220064869A. Автор: 이남재. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: KR20100080202A. Автор: 김대일. Владелец: 주식회사 동부하이텍. Дата публикации: 2010-07-08.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20230005952A1. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Semiconductor memory device and a method of manufacturing the same, a method of manufacturing a vertical MISFET and a vertical MISFET, and a method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US7190031B2. Автор: Makoto Mizuno,Akio Nishida,Keiji Okamoto,Tadanori Yoshida,Mitsuhiro Noguchi,Masahiro Moniwa,Kousuke Okuyama,Hiraku Chakihara,Yasuhiko Takahshi. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-13.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: TWI704683B. Автор: 中木寛. Владелец: 日商東芝記憶體股份有限公司. Дата публикации: 2020-09-11.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: TWI731611B. Автор: 松本壮太,西村貴仁. Владелец: 日商鎧俠股份有限公司. Дата публикации: 2021-06-21.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US11296111B2. Автор: Tatsufumi Hamada,Shinichi Sotome,Yosuke MITSUNO,Tomohiro KUKI,Yuya Akeboshi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-04-05.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: JP4257352B2. Автор: 努 早川. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-04-22.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: JP4577695B2. Автор: 伸治 小原. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-11-10.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210134832A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20220359564A1. Автор: Jae Young Oh,Eun Seok Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: TW202230355A. Автор: 五月女真一,満野陽介,濱田龍文,九鬼知博,明星裕也. Владелец: 日商鎧俠股份有限公司. Дата публикации: 2022-08-01.

Three dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110204421A1. Автор: Byoungkeun Son,Kyunghyun Kim,Sukhun Choi,ChangSup Mun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-25.

SEMICONDUCTOR DEVICE, NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170077108A1. Автор: Fujita Masanari,Watanabe Makoto,WADA Hideo,Imamura Takeshi,FUJII Kenichi,INOKUMA Hideki,KANEKO Hajime,MATSUURA Osamu,KAWAGUCHI Genki,ITOH Takanobu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor memory device and arrangement method of memory cell array thereof

Номер патента: KR100763336B1. Автор: 김현경,김경호,김창현,이정배,이윤상. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-10-04.

Method of rock blasting and borehole charge for its implementation

Номер патента: RU2766994C1. Автор: Владимир Матвеевич Закалинский,Рафаэль Якубович Мингазов,Григорий Владимирович Шубин,Борис Николаевич Заровняев,Аркадий Владимирович Дугарцыренов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Северо-Восточный федеральный университет имени М.К.Аммосова". Дата публикации: 2022-03-16.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20120126302A1. Автор: Mitsuhiko Noda,Hidenobu Nagashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-05-24.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20130221310A1. Автор: Shintani Toshimichi,Morikawa Takahiro. Владелец: NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2013-08-29.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20130248963A1. Автор: TAKEKIDA Hideto. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-09-26.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND A METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130256626A1. Автор: Mizuguchi Tetsuya,SASAKI Satoshi,KOUCHIYAMA AKIRA,Yamada Naomi,Kagawa Yoshihisa,FUJIWARA Ichiro. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-03.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND A METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20130313629A1. Автор: SHIM Sunil,JANG Jaehoon,KIM Hansoo,Cho Wonseok,LIM Jinsoo,Hwang Sungmi. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-28.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20130341706A1. Автор: MATSUO Kouji. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-12-26.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND A METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140048868A1. Автор: SHIN Yoocheol,Kim Juhyung. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-20.

Semiconductor memory device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20220020767A1. Автор: LIM Geun-won. Владелец: . Дата публикации: 2022-01-20.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND A METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20210125998A1. Автор: Lee Hyeran,KIM SungWoo,LEE Sang-jun,KIM Seok-hyun,Kim Bong-Soo,Kim Youngjun,Park Jinhyung,KANG Joon Young,SONG HO-JU. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-29.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND A METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200194453A1. Автор: LIM Geun-won. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-18.

Semiconductor memory device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20150243887A1. Автор: Takuya Konno,Chika Tanaka,Kikuko Sugimae,Masumi SAITOH. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-08-27.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF p-CHANNEL MOS TRANSISTOR

Номер патента: US20150255475A1. Автор: Noguchi Mitsuhiro,TOMINO Hirokazu. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-10.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND RELATED METHOD OF MANUFACTURE

Номер патента: US20150262826A1. Автор: Park Youngwoo,KIM Hansoo,SON Byoungkeun,Lim Jin-Soo,JANG SUNG-HWAN,YUN JONG IN. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20150263034A1. Автор: SHINGU Masao,Higuchi Masaaki,Sekine Katsuyuki,Ishigaki Hirokazu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-09-17.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND A METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20220375941A1. Автор: KIM Hui-Jung,LEE KISEOK,CHO Min Hee. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-24.

Ferro-electric capacitor semiconductor memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: KR100197564B1. Автор: 박주한. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-06-15.

Semiconductor memory device and fabrication method of the same

Номер патента: KR100192551B1. Автор: 정희철. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-06-15.

Semiconductor memory device and a method of manufacturing thesame

Номер патента: KR20090000315A. Автор: 김석구. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-01-07.

A semiconductor memory device and a method of forming the same

Номер патента: KR101873331B1. Автор: 김형수,윤국한,곽병용. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2018-07-02.

Methods of treating bacterial infections

Номер патента: RU2666605C2. Автор: Санджай ГАРГ,Стефен ПЕЙДЖ. Владелец: Неокули Пти Лтд. Дата публикации: 2018-09-11.

A semiconductor memory device and a method of forming the same

Номер патента: KR101780050B1. Автор: 김형수,강만석,홍은기,변경문. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2017-09-20.

Semiconductor memory device and the method of manufacturing the same

Номер патента: KR102107389B1. Автор: 황기현,노진태,안재영,김비오,신수진. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2020-05-07.

Method of and control arrangement for selecting a control channel by a mobile radio station

Номер патента: CA1274280A. Автор: Werner Schmidt,Alfons Eizenhofer. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1990-09-18.

A semiconductor memory device and a method of forming the same

Номер патента: KR20120060029A. Автор: 황인석,박종철,정상섭. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2012-06-11.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: JP2011176226A. Автор: Hiroyuki Nitta,博行 新田. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

Semiconductor memory device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20110235407A1. Автор: Yong-Shik Kim,Han-Byung Park,Sun-Me Lim,Hee-Bum Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-29.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20040159879A1. Автор: Kenichi Tanaka,Kenji Hakozaki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-08-19.

Method of and control arrangement for selecting a control channel by a mobile radio station

Номер патента: CA1274280C. Автор: Werner Schmidt,Alfons Eizenhofer. Владелец: Individual. Дата публикации: 1990-09-18.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: KR20220062945A. Автор: 이남재. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2022-05-17.

Semiconductor memory device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US11152387B2. Автор: Geun-Won Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-19.

Non-volatile semiconductor memory device and fabrication method of the same

Номер патента: KR100744586B1. Автор: 하시모토히로시,다카하시고지. Владелец: 후지쯔 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2007-08-01.

Semiconductor memory device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20230209805A1. Автор: KiSoo Park,Daeyoung MOON,Jamin KOO,Kyuwan KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-29.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20040104422A1. Автор: Akira Shimizu,Toshitake Yaegashi,Riichiro Shirota,Yasuhiko Matsunaga,Masayuki Ichige,Fumitaka Arai,Hisataka Meguro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-03.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: KR20230028011A. Автор: 정혜영,김재택. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2023-02-28.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: KR20220068059A. Автор: 이남재. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2022-05-25.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150311299A1. Автор: Kyung Min Kim,Jung Goo Park,Jeong Ho Cho,Se Woon KIM. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Variable resistance memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210167130A1. Автор: Seulji SONG,Kyusul PARK,Woohyun Park,Ilmok Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-03.

Flash memory device with a plurality of source plates

Номер патента: US8217447B2. Автор: Cheon-Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2012-07-10.

Nonvolatile memory device having STI structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20020182806A1. Автор: Sun-Young Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-05.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230051615A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070102751A1. Автор: Sang-Bum Lee. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-10.

Memory device and method of manufacturing memory device

Номер патента: US20240260269A1. Автор: Hyun Mi HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory device having planarized fins and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240341077A1. Автор: Ying-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Memory device having planarized fins and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240341078A1. Автор: Ying-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device layout, memory device layout, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09806070B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Memory device and electronic apparatus including the same

Номер патента: US09716129B1. Автор: Gwan-Hyeob Koh,Dae-Hwan Kang,Kyu-Rie SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240381653A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Electromechanical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US7705372B2. Автор: Dong-won Kim,Sung-Young Lee,Eunjung Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-04-27.

Method of manufacturing memory device using self-aligned double patterning (sadp)

Номер патента: US20240234144A9. Автор: Chih-Ching Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of manufacturing memory device using self-aligned double patterning (sadp)

Номер патента: US20240234145A9. Автор: Chih-Ching Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Flash memory device and manufacturing method the same

Номер патента: US20100163969A1. Автор: Cheon-Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Three-dimensional memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230309306A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Shi-Wei He,Yun-Fan CHOU,Guoguo Kong,Meng Qi ZHUANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Enzymes, micro-organisms and uses thereof, and a method of degrading a polyolefin

Номер патента: US20240218146A1. Автор: Kari Koivuranta,Sandra CASTILLO,Heli NYGREN,Irina Tsitko. Владелец: Valtion teknillinen tutkimuskeskus. Дата публикации: 2024-07-04.

Novel split gate (sg) memory device and novel methods of making the sg-memory device

Номер патента: US20210151451A1. Автор: Hui Zang,Ruilong Xie,Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240244838A1. Автор: Hsiu-Han Liao,Yao-Ting Tsai,Che-Fu Chuang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Electromechanical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20100165737A1. Автор: Dong-won Kim,Sung-Young Lee,Eunjung Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-01.

Cleavable lipidic compounds, compositions containing thereof, and uses thereof

Номер патента: WO2022013439A1. Автор: Jean Haensler,Luc Even,Manon RIPOLL. Владелец: Sanofi Pasteur. Дата публикации: 2022-01-20.

Non-volatile memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US20070090449A1. Автор: Dong-gun Park,Choong-ho Lee,Byung-yong Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-04-26.

Multi-bit nonvolatile memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20060157753A1. Автор: Sung-min Kim,Eun-Jung Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-07-20.

Memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20080230829A1. Автор: Tzyh-Cheang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-09-25.

Preparation method of exosome-modified perovskite quantum dots, product and application thereof

Номер патента: LU505970B1. Автор: Shizhen Zhang. Владелец: The Second Affiliated Hospital Of Guangzhou Medical Univ. Дата публикации: 2024-06-28.

Flash memory device

Номер патента: US7670906B2. Автор: Tae-Woong Jeong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-03-02.

Flash memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090140314A1. Автор: Jin-Ha Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-04.

Flash memory device

Номер патента: US20080157167A1. Автор: Tae-Woong Jeong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Methods of treating and preventing congestive heart failure with hydralazine compounds and isosorbide dinitrate or isosorbide mononitrate

Номер патента: EP1212053A1. Автор: Jay N. Cohn,Peter Carson. Владелец: Nitromed Inc. Дата публикации: 2002-06-12.

Non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20100171166A1. Автор: Woong Lee,Won-Jun Jang,Ho-Min Son,Jung-Geun Jee,Sang-Kyoung Lee,Jung-Yoon Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-08.

Non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US8431983B2. Автор: Woong Lee,Won-Jun Jang,Ho-Min Son,Jung-Geun Jee,Sang-Kyoung Lee,Jung-Yoon Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-04-30.

Wireless transmission system

Номер патента: WO2002099997A1. Автор: John David Porter,David Benedict Crosby,Stephen David Greaves. Владелец: Cambridge Broadband Limited. Дата публикации: 2002-12-12.

Phase-change random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140175358A1. Автор: Hyun Min Lee,Jung Taik Cheong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887354B2. Автор: Jin-Woo Lee,Ji-Hyun Jeong,Gwan-Hyeob Koh,Dae-Hwan Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09806185B2. Автор: Dong Kee Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Secure fibre-optic transmission system with selection and localisation of emergency situations

Номер патента: RU2586074C1. Автор: Владимир Владимирович Шубин,Кирилл Иванович Балашов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский Федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики" - ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ". Дата публикации: 2016-06-10.

Method of reconfiguring a set of components of an electronic circuit, corresponding reconfiguring system and data transmission method

Номер патента: WO2009095620A1. Автор: Jean-Philippe Diguet,Pierre Bomel,Guy Daniel Gogniat. Владелец: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (C.N.R.S). Дата публикации: 2009-08-06.

Semiconductor memory cell capacitor structure and method of forming the same

Номер патента: JP2722061B2. Автор: セオン ジェオン−ミン,キム フワン−ミェオン. Владелец: ERU JII SEMIKON CO Ltd. Дата публикации: 1998-03-04.

Nonvolatile semiconductor memory with resistance elements and method of manufacturing the same

Номер патента: US8088661B2. Автор: Fumitaka Arai,Atsuhiro Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-01-03.

Data transmission method, device and system of unmanned aerial vehicle system and ground image transmission module

Номер патента: US11792129B2. Автор: Zhaozao Li. Владелец: Autel Robotics Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240215254A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8999745B2. Автор: Il Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-07.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20150179929A1. Автор: Il Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Magnetic memory devices

Номер патента: US20110233698A1. Автор: Ki Joon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-29.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20140166964A1. Автор: Il Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-19.

Variable resistance memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20140103283A1. Автор: Kwon Hong,Kee-Jeung Lee,Beom-Yong Kim,Woo-young Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-04-17.

Memory device

Номер патента: US20240306387A1. Автор: Jae Taek Kim,Hye Yeong JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of forming memory device

Номер патента: US20240357826A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US09640758B2. Автор: Il Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Preparation method of glass film, photoelectric device and packaging method thereof, display device

Номер патента: US09620659B2. Автор: Dan Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Memory device

Номер патента: US12058867B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Non-volatile memory device with charge trapping layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20090108332A1. Автор: Ki Hong Lee,Jae Young Park,Moon Sig Joo,Ki Seon Park,Yong Top Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Method of broadcasting and receiving time-sliced data

Номер патента: WO2010009927A3. Автор: Andrew Augustine Wajs,Benjamin Lian. Владелец: Irdeto Access B.V.. Дата публикации: 2010-05-14.

Method of broadcasting and receiving time-sliced data

Номер патента: WO2010009927A2. Автор: Andrew Augustine Wajs,Benjamin Lian. Владелец: Irdeto Access B.V.. Дата публикации: 2010-01-28.

Nonvolatile memory device, method of manufacturing the nonvolatile memory device, and method of manufacturing flat panel display device provided with the nonvolatile memory device

Номер патента: US8216900B2. Автор: Dae Young Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2012-07-10.

High integration memory device, memory module mounting the memory device, and control method of the memory module

Номер патента: TW526498B. Автор: Jun-Young Jeon,Chul-Hong Park,Eun-Youp Kong,Hai-Jeong Shon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-04-01.

DATA COLLECTION SERVER, DEVICE, AND DATA COLLECTION AND TRANSMISSION SYSTEM

Номер патента: US20180160010A1. Автор: Kamijima Kyoichi,KAIHO Hiroshi. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

Radiological imaging device, method and program of control associated with the device

Номер патента: US20010038679A1. Автор: Serge Muller,Jean-Pierre Saladin,Luc Miotti. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-08.

Method of receiving of OFDM signal having repetitive preamble signal

Номер патента: US20070030797A1. Автор: Seung-Kwon Baek. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2007-02-08.

Three-dimensional memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220165747A1. Автор: Chih-Kai Yang,Tzung-Ting Han. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-26.

Memory device and coding method of memory cell thereof

Номер патента: TWI248170B. Автор: Chun-Yi Yang. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-21.

High-speed video circuit multi-channel fusion and data mixed-encoding transmission system and method

Номер патента: CN107743183B. Автор: 王鹏,李硕,张晔,苏健,程甘霖,梁楠,尹娜,万旻,王蕴龙,郭宇琨,富帅. Владелец: Beijing Institute of Space Research Mechanical and Electricity. Дата публикации: 2020-05-12.

Non-volatile memory device having asymmetrical control gates surrounding a floating gate and manufacturing method thereof

Номер патента: US9502257B2. Автор: Kyung Min Kim,Jung Goo Park,Jeong Ho Cho,Se Woon KIM. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Nonvolatile Memory Device Having An Electrode Interface Coupling Region

Номер патента: US20140134794A1. Автор: Imran Hashim,Yun Wang,Tony P. Chiang. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-05-15.

Nonvolatile Memory Device Having An Electrode Interface Coupling Region

Номер патента: US20130217179A1. Автор: Imran Hashim,Yun Wang,Tony P. Chiang. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-08-22.

Memory devices and methods of making the same

Номер патента: US20230065317A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210104537A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Variable resistance memory device with variable resistance material layer

Номер патента: US9935267B2. Автор: Min Seok Kim,Hyo Seob Yoon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Nonvolatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090258473A1. Автор: Hyun Park,Sang-gyun Woo,Byung-hong Chung,Cha-Won Koh,Jeong-lim Nam,Seok-Hwan Oh,Yool Kang,Jai-Hyuk Song. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-15.

Control device, diagnostic imaging device, method for processing of control device, and program

Номер патента: EP3520705A1. Автор: Ema Itoh,Isao Mori. Владелец: Terumo Corp. Дата публикации: 2019-08-07.

Electronic devices including a metal silicide material over a source contact, and related memory devices, systems, and methods of forming

Номер патента: US20240081057A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Andrew L. Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Ferroelectric memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240055517A1. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Po-Ting Lin,Kuo-Chang Chiang,Yu-Chuan Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Memory devices having an electrode with tapered sides

Номер патента: US11844292B2. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-12-12.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210104539A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Memory cell, memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230371400A1. Автор: Chien-Min Lee,Shy-Jay Lin,Kai-Tai Chang,Tung-Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Memory devices and method of forming the same

Номер патента: US11818969B2. Автор: Juan Boon Tan,Jianxun Sun,Tupei Chen. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-11-14.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230290729A1. Автор: Dae Hyun Kim,Sei Yon KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Gate structure in non-volatile memory device

Номер патента: US20140159137A1. Автор: Jung-Dal Choi,Kwang-Soo Seol,Jang-Gn Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-12.

Split gate type nonvolatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20060244042A1. Автор: Jeong-Uk Han,Yong-Tae Kim,Seung-Beom Yoon,Hee-Seog Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-11-02.

Split gate type nonvolatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20080318406A1. Автор: Jeong-Uk Han,Yong-Tae Kim,Seung-Beom Yoon,Hee-Seog Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-25.

Method of manufacturing memory device using self-aligned double patterning (sadp)

Номер патента: US20240136185A1. Автор: Chih-Ching Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Ferroelectric memory device, manufacturing method of the ferroelectric memory device and semiconductor chip

Номер патента: US20220285396A1. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin,Yen-Chieh Huang Rainer. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230328993A1. Автор: Sun Woo Kim,Jin Ho Bin,Ji Yeon Baek,Chul Young Kim,Ah Reum BAHK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Nonvolatile memory device and method of forming the same

Номер патента: US7700426B2. Автор: Tae-Kyung Kim,Sung-Nam Chang,Dong-Seog Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-04-20.

Method of manufacturing memory device using self-aligned double patterning (sadp)

Номер патента: US20240136186A1. Автор: Chih-Ching Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Resistive memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230389338A1. Автор: In Ku Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Pick-up structure of memory device and method for manufacturing memory device

Номер патента: US20240147717A1. Автор: Hsin-Hung Chou,Kao-Tsair Tsai,Cheng-Shuai Li. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240081072A1. Автор: Jung Shik JANG,Won Geun CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Method of manufacturing memory device having active area in strip

Номер патента: US20230284441A1. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Ferroelectric memory device, manufacturing method of the ferroelectric memory device and semiconductor chip

Номер патента: US20230269947A1. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin,Yen-Chieh Huang Rainer. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240049466A1. Автор: In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Mi Seong PARK,Won Geun CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11974428B2. Автор: Hsiu-Han Liao,Yao-Ting Tsai,Che-Fu Chuang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

Memory cell with improved insulating structure and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20240206156A1. Автор: Chung-Lin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Nonvolatile memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20100187595A1. Автор: Young-sun Kim,Sung-Hae Lee,Byong-sun Ju,Suk-Jin Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-29.

A method of producing functions in a terminal for a telecommunications network and a terminal and data supply device therefor

Номер патента: SG71844A1. Автор: Gerd Siegmund. Владелец: Cit Alcatel. Дата публикации: 2000-04-18.

SEMICONDUCTOR DEVICE LAYOUT, MEMORY DEVICE LAYOUT, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160211251A1. Автор: LIAW Jhon Jhy. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-21.

METHODS OF FORMING PATTERNS, METHODS OF MANUFACTURING A MAGNETIC MEMORY DEVICE USING THE METHODS OF FORMING PATTERNS, AND MAGNETIC MEMORY DEVICES MANUFACTURED USING THE SAME

Номер патента: US20160336509A1. Автор: SONG YOONJONG,JEONG Daeeun,SHIN Hyunchul. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-17.

Catalyst, preparation method thereof and nonoxidative methane conversion process

Номер патента: RU2438779C1. Автор: Зинфер Ришатович Исмагилов,Михаил Анатольевич Керженцев,Екатерина Владимировна Матус,Ольга Борисовна Сухова,Ирина Петровна Андриевская,Зинфер Ришатович Исмагилов (RU),Михаил Анатольевич Керженцев (RU),Екатерина Владимировна Матус (RU),Ольга Борисовна Сухова (RU),Ирина Петровна Андриевская (RU). Владелец: Учреждение Российской Академии наук Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения РАН. Дата публикации: 2012-01-10.

Air conditioner, heat dissipation device, method and device of controller of air conditioner and storage medium

Номер патента: CN111023473A. Автор: 黄锦伦. Владелец: TCL Air Conditioner Zhongshan Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-17.

Compensation Method of Decreasing Line Pressure Control of Automatic Transmission using Running Control Compensation Value of Friction Element and Transmission System thereof

Номер патента: KR20170064050A. Автор: 조명수. Владелец: 현대 파워텍 주식회사. Дата публикации: 2017-06-09.

Non-volatile memory device having an asymmetrical gate dielectric layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050205923A1. Автор: Sanghun Jeon,Jeong Han,Soodoo Chae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-09-22.

Magnetic memory devices

Номер патента: US8405077B2. Автор: Ki Joon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-03-26.

A method of constructing a spreading code associated with a user of a digital code division multiple access digital transmission system and a corresponding method of generating a switchboard.

Номер патента: FR2712444A1. Автор: Rene Olivier,Strat Evelyne Le. Владелец: Alcatel Mobile Communication France SA. Дата публикации: 1995-05-19.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20230389300A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Tzu-Ming Ou Yang,Yuan-Hao Su. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Transistor, memory device and manufacturing method of memory device

Номер патента: US20240081077A1. Автор: Po-Tsun Liu,Hsin-Yi Huang,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Meng-Han LIN,Zhen-Hao Li,Tsung-Che Chiang. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-03-07.

Methods of treating generalized pustular psoriasis with an antagonist of CCR6 or CXCR2

Номер патента: AU2019205786B2. Автор: JU Yang,Chao Yu,Rajinder Singh,Venkat Reddy Mali,Penglie Zhang,Jeffrey Mcmahon,James J. Campbell,Antoni Krasinski,Karen Ebsworth. Владелец: Chemocentryx Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Enzymes, micro-organisms and uses thereof, and a method of degrading a polyolefin

Номер патента: EP4323509A2. Автор: Kari Koivuranta,Sandra CASTILLO,Heli NYGREN,Irina Tsitko. Владелец: Valtion teknillinen tutkimuskeskus. Дата публикации: 2024-02-21.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230320094A1. Автор: Jung Shik JANG,Mi Seong PARK,Won Geun CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Cleavable lipidic compounds, compositions containing thereof, and uses thereof

Номер патента: CA3189373A1. Автор: Jean Haensler,Luc Even,Manon RIPOLL. Владелец: Sanofi Pasteur Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Cleavable lipidic compounds, compositions containing thereof, and uses thereof

Номер патента: US20230293447A1. Автор: Jean Haensler,Luc Even,Manon RIPOLL. Владелец: Sanofi Pasteur Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Nonvolatile memory device and method of forming the same

Номер патента: US8420482B2. Автор: Sungkweon Baek,Kihyun Hwang,Kwangmin Park,Juwan Lim,Seungjae Baik. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-04-16.

Three terminal memory cells and method of making the same

Номер патента: US20230320104A1. Автор: Eng Huat Toh,Juan Boon Tan,Jianxun Sun,Jia Rui Thong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-10-05.

Memory device

Номер патента: US11956968B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230094910A1. Автор: Jae Taek Kim,Hye Yeong JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

MAGNETIC MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF MAGNETIC MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220085282A1. Автор: SUGIURA Kuniaki. Владелец: Kioxia Corporation. Дата публикации: 2022-03-17.

MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220093635A1. Автор: LEE Nam Jae. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2022-03-24.

MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220149065A1. Автор: Lee Dong Hun,JANG Jung Shik. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2022-05-12.

MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220271055A1. Автор: KIM Jang Won,JANG Jung Shik,PARK Mi Seong,Choi Won Geun. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2022-08-25.

MEMORY DEVICES, SYSTEMS, AND METHODS OF FORMING ARRAYS OF MEMORY CELLS

Номер патента: US20180190717A1. Автор: SUGIOKA Shigeru. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-05.

MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160293839A1. Автор: Yamamoto Kazuhiko,SUZUKI Kunifumi. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

SEMICONDUCTOR DEVICE, MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20180366573A1. Автор: Han Tzung-Ting,Chan Yao-Fu,Chou Fu-Hsing. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2018-12-20.

Floating gate non-volatile memory device, and a method of manufacturing the device

Номер патента: KR100474631B1. Автор: 가이도 조제프 마리아 도만스,로버터스 도미니쿠스 조셉 버하아,로저 쿠펜스. Владелец: 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.. Дата публикации: 2005-05-16.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002469A1. Автор: IMAMOTO Akihiro,Abiko Naofumi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of frame alignment marker selection

Номер патента: RU2341027C1. Автор: Владислав Валентинович Квашенников. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Калужский научно-исследовательский институт телемеханических устройств". Дата публикации: 2008-12-10.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120049258A1. Автор: TANAKA Masayuki,Matsuo Kazuhiro,NAKAHARA Koji. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-03-01.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120126306A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-05-24.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND ERASING METHOD OF NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120230120A1. Автор: TORII Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-09-13.

Semiconductor memory device and operation method of semiconductor memory device

Номер патента: JP4863157B2. Автор: 直彦 杉林,昇 崎村,雄士 本田. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2012-01-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method of nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: JP3974149B2. Автор: 義幸 田中,豊 岡本. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-09-12.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20120001246A1. Автор: . Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY AND VOLTAGE OUTPUT MEASURING METHOD OF THE SEMICONDUCTOR MEMORY

Номер патента: US20130250702A1. Автор: Iwata Yoshihisa,SAKURAI Katsuaki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-09-26.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND RELATED METHOD OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120086072A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-04-12.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND RELATED METHOD OF PROGRAMMING

Номер патента: US20120120731A1. Автор: KANG Sang Gu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-05-17.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND RELATED METHOD OF PROGRAMMING

Номер патента: US20120320675A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-12-20.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20130166959A1. Автор: YANG Chul-Woo,JOO Byoung-In. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-27.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND DRIVING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20130250664A1. Автор: TAKIZAWA Ryosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-09-26.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND WRITING METHOD OF ID CODES AND UPPER ADDRESSES

Номер патента: US20130279253A1. Автор: Ogawa Akira,NAKAYA Yoshichika. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-24.

Catalyst, preparation method thereof and hydrogenation method

Номер патента: RU2403973C1. Автор: Александр Степанович Носков,Анатолий Владимирович Романенко,Павел Анатольевич Симонов,Виктор Анатольевич Чумаченко,Алихан Сергеевич Машнин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЭФКО-НаноТех". Дата публикации: 2010-11-20.

Method of preparing pectin extract from citrus cakes

Номер патента: RU2248990C2. Автор: О.И. Квасенков,Е.А. Юшина. Владелец: Кубанский государственный аграрный университет. Дата публикации: 2005-03-27.

Method of ajustment of on-helmet viewfinder system

Номер патента: RU2251720C2. Автор: ева Галина Григорьевна Бел,Галина Григорьевна Беляева. Владелец: Казенное предприятие "Центральное конструкторское бюро "Арсенал". Дата публикации: 2005-05-10.

Semiconductor device, memory device and operating method of memory cell and memory device

Номер патента: TWI251261B. Автор: Erh-Kun Lai,Hang-Ting Lue,Yen-Hao Shih,Chia-Hua Ho,Min-Ta Wu. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-11.

Semiconductor device, memory device and operating method of memory cell and memory device

Номер патента: TW200638466A. Автор: Erh-Kun Lai,Hang-Ting Lue,Yen-Hao Shih,Kuang Yeu Hsieh,Chia-Hua Ho,Min-Ta Wu. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-01.

Method of producing combined body of paste food of konjak and derivative thereof and animal protein

Номер патента: JPS5247948A. Автор: Kiichirou Sarui. Владелец: Individual. Дата публикации: 1977-04-16.

MEMORY SYSTEM INCLUDING NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND CONTROLLING METHOD OF CONTROLLING NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130117635A1. Автор: KIM Dongsub,CHO KYOUNG LAE,Ok Dong Ju. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-09.

MEMORY DEVICE, SYSTEMS AND DEVICES INCLUDING A MEMORY DEVICE, METHODS OF OPERATING A MEMORY DEVICE, AND/OR METHODS OF OPERATING SYSTEMS AND DEVICES INCLUDING A MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120039132A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-02-16.

A method of dynamic allocation and use of the radio frequency spectrum for the cognitive system of data transmission of highly disturbed areas by impulse sources of interference and the arrangement of the auxiliary system for its implementation

Номер патента: CZ307123B6. Автор: Pavel Fiala,Robert Urban. Владелец: VYSOKE UCENI TECHNICKE V BRNE. Дата публикации: 2018-01-24.

Trench flash memory device and the method of fabricating the same

Номер патента: TW536791B. Автор: Chih-Wei Hung,Ko-Hsing Chang. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2003-06-11.

OPERATING METHOD OF NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND OPERATING METHOD OF MEMORY SYSTEM INCLUDING NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120294092A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-11-22.

MAKING METHOD OF SAMPLE FOR EVALUATION OF LASER IRRADIATION POSITION AND MAKING APPARATUS THEREOF AND EVALUATION METHOD OF STABILITY OF LASER IRRADIATION POSITION AND EVALUATION APPARATUS THEREOF

Номер патента: US20120033234A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-02-09.

Making Method of Sample for Evaluation of Laser Irradiation Position and Making Apparatus Thereof and Evaluation Method of Stability of Laser Irradiation Position and Evaluation Apparatus Thereof

Номер патента: US20120184055A1. Автор: KAWAKAMI Ryusuke,MASAKI Miyuki. Владелец: . Дата публикации: 2012-07-19.

MEMORY MODULES AND MEMORY DEVICES HAVING MEMORY DEVICE STACKS, AND METHOD OF FORMING SAME

Номер патента: US20120262977A1. Автор: Hofstra Joseph. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-10-18.

MEMORY DEVICE AND DRIVING METHOD OF THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120262982A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-10-18.

MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130077400A1. Автор: SAKURADA Kenji. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-03-28.

Non-volatile Memory Device And A Method Of Programming Such Device

Номер патента: US20130148428A1. Автор: Tran Hieu Van,Ly Anh,Vu Thuan,Nguyen Hung Quoc. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-13.

MEMORY DEVICE AND A METHOD OF OPERATING SUCH A MEMORY DEVICE IN A SPECULATIVE READ MODE

Номер патента: US20130148443A1. Автор: Hold Betina. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2013-06-13.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.