• Главная
  • Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor memory having both volatile and non-volatile functionality and method of operating

Номер патента: US11862245B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Non-volatile semiconductor memory device, drive method and manufacturing method

Номер патента: US7531866B2. Автор: Takashi Yuda. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-12.

Non-volatile semiconductor memory device, drive method and manufacturing method

Номер патента: US20060180849A1. Автор: Takashi Yuda. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-17.

Semiconductor memory element, semiconductor device and control method thereof

Номер патента: US20030094647A1. Автор: Taro Osabe,Tomoyuki Ishii. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240071478A1. Автор: Yoshinao Suzuki,Masami Masuda,Hideyuki Kataoka,Kazuyoshi Muraoka,Yoshikazu HOSOMURA,Mai SHIMIZU. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Method of maintaining the state of semiconductor memory having electrically floating body transistor

Номер патента: US09793277B2. Автор: Zvi Or-Bach,Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of maintaining the state of semiconductor memory having electrically floating body transistor

Номер патента: US09653467B2. Автор: Zvi Or-Bach,Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor memory device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20200075622A1. Автор: Satoshi Nagashima,Yumi Nakajima,Kotaro Fujii. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Memory device, memory system including the same, and method of operating the memory system

Номер патента: US20190237144A1. Автор: Kwang Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor memory having both volatile and non-volatile functionality

Номер патента: US09761311B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20070211533A1. Автор: Sang-jin Park,Sang-Min Shin,Young-soo Park,Young-Kwan Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-09-13.

Methods of writing junction-isolated depletion mode ferroelectric memory devices

Номер патента: US20040257853A1. Автор: Craig Salling,Brian Huber. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-12-23.

Three-dimensional memory devices with lateral block isolation structures and methods of forming the same

Номер патента: US20240194263A1. Автор: Akihiro Tobioka. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US7893473B2. Автор: Kenji Maruyama,Masao Kondo,Keisuke Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-02-22.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US12074215B2. Автор: Tomomi Yamanobe,Yoshinobu Takeshita,Kazutaka Kodama,Minako Oritu. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory device, memory system including the same and methods of operation

Номер патента: US20210257266A1. Автор: Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Failure-analyzing semiconductor device and semiconductor device manufacturing method using the same

Номер патента: US20010005329A1. Автор: Itaru Tamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-06-28.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20230105551A1. Автор: Ryo Kanai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20210296356A1. Автор: Ryo Kanai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20110204437A1. Автор: Shinichiro Matsunaga. Владелец: Fuji Electric Systems Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-25.

Memory system and semiconductor memory device

Номер патента: US10797073B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-10-06.

Memory system and semiconductor memory device

Номер патента: US20200091175A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Memory device, manufacturing method for memory device and method for data writing

Номер патента: US20110242895A1. Автор: Daisuke Watanabe,Toshiyuki Okayasu. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US9252289B2. Автор: Ayako Inoue,Kazuhiro Tsumura. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2016-02-02.

Three dimensional memory and methods of forming the same

Номер патента: US09780115B2. Автор: John K. Zahurak,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Memory devices having a carbon nanotube

Номер патента: US20090289322A1. Автор: Xiaofeng Wang,Dong-Woo Kim,Sun-Woo Lee,Hong-Sik Yoon,Seong-ho Moon,Subramanya Mayya. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-26.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20130119432A1. Автор: Hong-fei LU. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-16.

Asymmetric Semiconductor Memory Device Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20230354581A1. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20220384525A1. Автор: Yu-Ming Lin,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240147738A1. Автор: Yu-Ming Lin,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Memory device, sram cell, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210366916A1. Автор: Chung-Yi Lin,Chee-Wee Liu,Hung-Yu YE,Yun-Ju PAN. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09953685B2. Автор: Chia-Jung Hsu,Wein-Town Sun,Chun-Yuan Lo,Jui-Ming Kuo. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09799758B2. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20160211385A1. Автор: Shoji Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-21.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230143211A1. Автор: Chih-Jen Huang,Chao-Yang Chen. Владелец: Memorist Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230380173A1. Автор: Kiseok LEE,Keunnam Kim,Byeongjoo KU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory device and a method for forming the memory device

Номер патента: US20210043637A1. Автор: Bin Liu,Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Method of verifying layout of vertical memory device

Номер патента: US09929172B2. Автор: Sung-Hoon Kim,Ki-Won Kim,Jae-Ick SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20180215606A1. Автор: Yasuo Yamaguchi,Mika Okumura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-08-02.

Variable resistance memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20220102628A1. Автор: Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240064960A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120205612A1. Автор: Hirofumi Inoue,Eiji Ito,Hideyuki Tabata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Fusion memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US12119336B2. Автор: Daehyun Kim,Jinmin Kim,Hyunsik Park,Hei Seung Kim,Sangkil Lee,Hyunmog Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor memory device having a self-refreshing control circuit

Номер патента: US5453959A. Автор: Tomohiro Suzuki,Toshiyuki Sakuta. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1995-09-26.

Semiconductor memory device having serial data input and output circuit

Номер патента: CA1246741A. Автор: Junji Ogawa,Masaaki Noguchi,Yoshihiro Takemae. Владелец: Fujitsu Vlsi Ltd. Дата публикации: 1988-12-13.

Semiconductor memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210351196A1. Автор: Tzung-Ting Han,Chen-Yu Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor memory device with improved cell arrangement

Номер патента: US4855956A. Автор: Takahiko Urai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1989-08-08.

Memory system topologies including a buffer device and an integrated circuit memory device

Номер патента: US09865329B2. Автор: Ely Tsern,Ian Shaeffer,Craig Hampel. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-01-09.

Three dimensional stacked semiconductor memory

Номер патента: US20230284464A1. Автор: Daisaburo Takashima,Hidehiro Shiga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Systems and methods of testing memory devices

Номер патента: US12107022B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

3d non-volatile memory device, memory system including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150079746A1. Автор: Suk Goo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-03-19.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US8058679B2. Автор: Hiroki Shinkawata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-11-15.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20190115454A1. Автор: Akira Chiba. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-18.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20200294861A1. Автор: Junya Fujita,Ryota Fujitsuka. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Pattern forming device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20130221571A1. Автор: Takumi Ota. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-08-29.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20180047840A1. Автор: Norikazu Nakamura,Junji Kotani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor memory card, printed circuit board for memory card and method of fabricating the same

Номер патента: US09867288B2. Автор: Seol Hee Lim. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Electronic device and electronic device manufacturing method

Номер патента: US20230269913A1. Автор: Kumiko YOSHINAGA. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

TFT array substrate and manufacturing and repairing methods of the same

Номер патента: US09847354B2. Автор: Baoquan ZHOU. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09972715B2. Автор: Katsunori Ueno. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09985073B2. Автор: Hiroki Kasai. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09704912B2. Автор: Hiroki Kasai. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20170287954A1. Автор: Hiroshi Shibata. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-05.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20170117421A1. Автор: Masao Okihara. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-27.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09876126B2. Автор: Masao Okihara. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Tft array substrate and manufacturing and repairing methods of the same

Номер патента: US20120280257A1. Автор: Baoquan ZHOU. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-08.

Display screen, electronic device, and display screen manufacturing method

Номер патента: EP3905226A1. Автор: Yanfeng JIA. Владелец: Honor Device Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-03.

Semiconductor device and LTPS-TFT within and method of making the same

Номер патента: US8153495B2. Автор: Wen-Bin Hsu,Kuang-Chao Yeh. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-04-10.

Semiconductor device and LTPS-TFT within and method of making the same

Номер патента: US20060006387A1. Автор: Wen-Bin Hsu,Kuang-Chao Yeh. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2006-01-12.

Semiconductor device and ltps-tft within and method of making the same

Номер патента: US20090061570A1. Автор: Wen-Bin Hsu,Kuang-Chao Yeh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-05.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20170271396A1. Автор: Hiroki Kasai. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20180240841A1. Автор: Hiroki Kasai. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-23.

Imprint mask manufacturing method, imprint mask manufacturing device, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20120091370A1. Автор: Masamitsu Itoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-04-19.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20210210430A1. Автор: Chien Cheng Liu,Yun Chih Chang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-07-08.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US09691777B2. Автор: Shoichi Miyazaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor memory with U-shaped channel

Номер патента: US09741727B2. Автор: WEI Liu,Pengfei Wang,LEI Liu,Yi Gong. Владелец: Suzhou Oriental Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of adjusting operating conditions for semiconductor memory device

Номер патента: US11763904B2. Автор: Shinji Suzuki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Method of adjusting operating conditions for semiconductor memory device

Номер патента: US20230069683A1. Автор: Shinji Suzuki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Method of adjusting operating conditions for semiconductor memory device

Номер патента: US20220059175A1. Автор: Shinji Suzuki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Semiconductor memory device including a trench gate structure and method of forming the same

Номер патента: US11985812B2. Автор: Toshiyasu Fujimoto,Yuki Munetaka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

3-dimensional non-volatile memory device, memory system including the same, and method of manufacturing the device

Номер патента: US20130161724A1. Автор: Dong Kee Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-27.

Three-dimensional ferroelectric memory devices including a backside gate electrode and methods of making same

Номер патента: WO2020149937A1. Автор: Koji Sato. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-07-23.

Semiconductor element, semiconductor device, and semiconductor element manufacturing method

Номер патента: US20130328065A1. Автор: Masahiko Niwayama,Masao Uchida. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-12-12.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20170229448A1. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-10.

Bipolar transistor, semiconductor device, and bipolar transistor manufacturing method

Номер патента: US09627503B2. Автор: Kenji Sasaki. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20070126063A1. Автор: Tomonori Aoyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-07.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09905555B2. Автор: Tatsuya Naito,Masahito Otsuki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

3d non-volatile memory device, memory system including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130155771A1. Автор: Suk Goo Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-20.

3D non-volatile memory device, memory system including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US8928144B2. Автор: Suk Goo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-01-06.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20110062528A1. Автор: Tomonori Aoyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-03-17.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US9876124B2. Автор: Yoshikatsu Miura,Masatoshi Aketa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20180114868A1. Автор: Yoshikatsu Miura,Masatoshi Aketa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-04-26.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20170077318A1. Автор: Yoshikatsu Miura,Masatoshi Aketa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09887260B2. Автор: Yasushi Niimura,Shunji Takenoiri,Toshiaki SAKATA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Method of manufacturing a three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US09799657B2. Автор: Kihyun Hwang,Bio Kim,Jintae Noh,Hanvit Yang,Su-Jin Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Memory devices having reduced word line current and method of operating and manufacturing the same

Номер патента: US20090147588A1. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-06-11.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09735109B2. Автор: Hidenao Kuribayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Memory device, memory circuit and manufacturing method of memory circuit

Номер патента: US20230189499A1. Автор: Chen-Shuo Huang. Владелец: AUO Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Memory device including a ferroelectric semiconductor channel and methods of forming the same

Номер патента: US12127410B2. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-22.

Electrode assembly manufacturing device and electrode assembly manufacturing method

Номер патента: US20240313252A1. Автор: Yonggu Lee,Jongsik Park. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Gas laser device and electronic device manufacturing method

Номер патента: US20240339797A1. Автор: Yoichi Sasaki,Michael Von Dadelszen,Jeffrey P. Sercel,Hiroshi Umeda. Владелец: GIGAPHOTON INC. Дата публикации: 2024-10-10.

Laser device and electronic device manufacturing method

Номер патента: US12113326B2. Автор: Yoichi Sasaki,Kouji Kakizaki,Hakaru Mizoguchi. Владелец: GIGAPHOTON INC. Дата публикации: 2024-10-08.

Extreme ultraviolet light generation chamber device and electronic device manufacturing method

Номер патента: US20240241448A1. Автор: Atsushi Ueda. Владелец: GIGAPHOTON INC. Дата публикации: 2024-07-18.

Extreme ultraviolet light generation chamber device and electronic device manufacturing method

Номер патента: NL2036440A. Автор: UEDA Atsushi. Владелец: GIGAPHOTON INC. Дата публикации: 2024-07-22.

Electronic device and method for changing a working state of the electronic device

Номер патента: US09703360B2. Автор: Peng GU. Владелец: Futaihua Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of manufacture of vertical split gate flash memory device

Номер патента: US6087222A. Автор: Shui-Hung Chen,Di-Son Kuo,Chrong Jung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2000-07-11.

Line narrowing module, gas laser device, and electronic device manufacturing method

Номер патента: US20240039236A1. Автор: Hitoshi OHGA. Владелец: GIGAPHOTON INC. Дата публикации: 2024-02-01.

Electrode assembly manufacturing device and electrode assembly manufacturing method

Номер патента: EP4307416A1. Автор: Yonggu Lee,Jongsik Park. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-01-17.

Gas laser device and electronic device manufacturing method

Номер патента: US20240136787A1. Автор: Yousuke FUJIMAKI. Владелец: GIGAPHOTON INC. Дата публикации: 2024-04-25.

Ultraviolet laser device and electronic device manufacturing method

Номер патента: US20240128701A1. Автор: Atsushi Fuchimukai. Владелец: GIGAPHOTON INC. Дата публикации: 2024-04-18.

Gas laser device and electronic device manufacturing method

Номер патента: US20240146011A1. Автор: Shinichi Matsumoto,Koji ASHIKAWA. Владелец: GIGAPHOTON INC. Дата публикации: 2024-05-02.

Laser device and electronic device manufacturing method

Номер патента: US20220376455A1. Автор: Yoichi Sasaki,Kouji Kakizaki,Hakaru Mizoguchi. Владелец: GIGAPHOTON INC. Дата публикации: 2022-11-24.

Chamber device, and electronic device manufacturing method

Номер патента: US20230387641A1. Автор: Junichi Fujimoto,Jeffrey P. Sercel,Kazuki Nagai,Takahiro Tatsumi. Владелец: GIGAPHOTON INC. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090194807A1. Автор: Hiroki Yamashita,Hiroshi Akahori,Wakako Takeuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-06.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20220208856A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-06-30.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20140239373A1. Автор: Atsushi Murakoshi,Daisuke Matsushita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

Finfet device integrated with tfet and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200006326A1. Автор: Deming Sun. Владелец: Chengdu Image Design Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US11963350B2. Автор: Sang Hyon KWAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor device and method of manufacturing such a device

Номер патента: US20090174034A1. Автор: Wibo D. Van Noort,Francois Neuilly,T. M. Donkers Johannes J.. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-07-09.

Semiconductor device, semiconductor memory device, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20210296238A1. Автор: Mitsuo Ikeda,Akihiro Kajita,Daisuke Ikeno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Method of fabricating a non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US7553728B2. Автор: Makoto Mizukami,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-30.

Method of forming metal line of semiconductor memory device

Номер патента: US20080003814A1. Автор: Eun Soo Kim,Seung Hee Hong,Cheol Mo Jeong,Jung Geun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-01-03.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09741587B2. Автор: Yoshikazu Takahashi,Tsunehiro Nakajima,Norihiro NASHIDA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US8466518B2. Автор: Tomoyuki Kirimura. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-06-18.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20120038000A1. Автор: Tomoyuki Kirimura. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-02-16.

Three-dimensional memory device with different thickness insulating layers and method of making thereof

Номер патента: US09716105B1. Автор: Masanori Tsutsumi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-25.

A memory device and method of controlling leakage current within such a memory device

Номер патента: GB2513701A. Автор: Bo Zheng,Gus Yeung,Fakhruddin Ali Bohra. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2014-11-05.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240071898A1. Автор: Koji Osaki,Yuichiro HINATA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor devices and semiconductor device manufacturing methods

Номер патента: US8541841B2. Автор: Tae-Hee Lee,Won-joo Kim,Sang-Moo Choi,Yoon-dong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-09-24.

Buried decoupling capacitors, devices and systems including same, and methods of fabrication

Номер патента: US20080048231A1. Автор: Badih El-Kareh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-02-28.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20160351442A1. Автор: Koichiro Nishizawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-12-01.

Memory device, integrated circuit and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240357805A1. Автор: Te-Hsun Hsu. Владелец: Ipcell Corp Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Nonvolatile semiconductor memory device using a variable resistance film and method of manufacturing the same

Номер патента: US8222075B2. Автор: Eiji Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-17.

Integrated circuit memory devices having non-volatile memory transistors and methods of fabricating the same

Номер патента: US20020197788A1. Автор: Kazunobu Kuwazawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

Electronic device and electronic device manufacturing method

Номер патента: US9112162B2. Автор: Akihito Miyamoto,Yuko OKUMOTO. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2015-08-18.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US8921919B2. Автор: Shoichi Watanabe,Hiroyuki Kuroe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-30.

Electronic device and electronic device manufacturing method

Номер патента: US20150102333A1. Автор: Akihito Miyamoto,Yuko OKUMOTO. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2015-04-16.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20170365629A1. Автор: Koichi Kaneko,Hirokazu Fujimaki. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-21.

Electronic device and electronic device manufacturing method

Номер патента: US20150076482A1. Автор: Akihito Miyamoto,Yuko OKUMOTO. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2015-03-19.

Electronic device and electronic device manufacturing method

Номер патента: US9117942B2. Автор: Akihito Miyamoto,Yuko OKUMOTO. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2015-08-25.

Etching apparatus for use in manufacture of flat panel display device and manufacturing method using the same

Номер патента: US20070151950A1. Автор: Chun Il Kim. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Etching apparatus for use in manufacture of flat panel display device and manufacturing method using the same

Номер патента: US7807018B2. Автор: Chun Il Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-05.

Flash memory device with enlarged control gate structure, and methods of making same

Номер патента: WO2007117851A1. Автор: Chandra Mouli,Di Li. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2007-10-18.

Semiconductor device and semiconductor-device manufacturing method

Номер патента: US09865639B2. Автор: Kan Shimizu,Keishi Inoue. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20140151873A1. Автор: Takayuki Tanaka,Kana Iwami. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-06-05.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US8987903B2. Автор: Takayuki Tanaka,Kana Iwami. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-03-24.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20210280543A1. Автор: Taiichi Ogumi. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09761463B2. Автор: Takamitsu Yoshida,Atsuko Kawasaki,Kazumasa Tanida,Kuniaki Utsumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Led-chip sorting device and led chip manufacturing method

Номер патента: US20240213062A1. Автор: Jongha HWANG,Yusung Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20230253275A1. Автор: Nobuhiro HIGASHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20230197470A1. Автор: Takashi Katsuki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

3d nand memory device devices and related electronic systems

Номер патента: US20230361083A1. Автор: Kunal R. Parekh,Akira Goda,Paolo Tessariol. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20020127869A1. Автор: Taizo Oku,Junichi Aoki,Youichi Yamamoto,Takashi Koromokawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-12.

Three-dimensional memory device with dielectric wall support structures and method of forming the same

Номер патента: WO2022072005A1. Автор: Tomohiro Kubo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-04-07.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09735110B2. Автор: Ryosuke Nakagawa,Yuichi Nakao. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Microelectronic devices, and related electronic systems and methods of forming microelectronic devices

Номер патента: US11810838B2. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Microelectronic devices, and related electronic systems and methods of forming microelectronic devices

Номер патента: WO2023278971A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-01-05.

Method of fabricating flat-cell mask read-only memory devices

Номер патента: US20030153153A1. Автор: Hee-Jueng Lee,Myung-Ho Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-08-14.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20230411357A1. Автор: Jun Tanaka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device and semiconductor-device manufacturing method

Номер патента: EP2575174A3. Автор: Kan Shimizu,Keishi Inoue. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-08-21.

Semiconductor device and semiconductor-device manufacturing method

Номер патента: US20200161362A1. Автор: Kan Shimizu,Keishi Inoue. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Semiconductor device and semiconductor-device manufacturing method

Номер патента: US20180130842A1. Автор: Kan Shimizu,Keishi Inoue. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-05-10.

Semiconductor device and semiconductor-device manufacturing method

Номер патента: US10586823B2. Автор: Kan Shimizu,Keishi Inoue. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2020-03-10.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20230335452A1. Автор: Takafumi Yamada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20200350236A1. Автор: Atsushi Kyutoku,Soichiro UMEDA. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20180204779A1. Автор: Yoshihiro Yasuda. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-19.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20220392822A1. Автор: Nobuyoshi Kimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: NL2023711A. Автор: UMEDA Soichiro,KYUTOKU Atsushi. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2020-07-08.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20210202342A1. Автор: Koichi Masuda,Tetsuo Yamashita,Hiroki Muraoka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US11133234B2. Автор: Taiichi Ogumi. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-28.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20190131198A1. Автор: Taiichi Ogumi. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US11594464B2. Автор: Koichi Masuda,Tetsuo Yamashita,Hiroki Muraoka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-02-28.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20230268310A1. Автор: Satoru Itakura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20160020161A1. Автор: Kenji Suzuki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-21.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: NL2023711B1. Автор: UMEDA Soichiro,KYUTOKU Atsushi. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2020-08-27.

Electronic device and electronic device manufacturing method

Номер патента: US20240178113A1. Автор: Motohito Hori,Yoshinari Ikeda. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240162173A1. Автор: Yoshiaki Yanagawa,Takushi Shigetoshi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20220115300A1. Автор: Ryuichi Ishii. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-04-14.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US6787892B2. Автор: Akihisa Iguchi,Yuuki Furuya,Kentarou Arai. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-07.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US9415455B2. Автор: Kenji Suzuki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20180040579A1. Автор: Hirokazu Saito. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-08.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20180315726A1. Автор: Hirokazu Saito. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-01.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US9812417B2. Автор: Hirokazu Saito. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US9754876B2. Автор: Kenichirou Kusano. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20230307415A1. Автор: Gen Toyota,Satoshi Hongo,Tatsuo Migita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor package, semiconductor device and semiconductor package manufacturing method

Номер патента: US20200381341A1. Автор: Kazuya Hirasawa. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20150214134A1. Автор: Kazuyuki Higashi,Koji Ogiso,Tatsuo Migita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-07-30.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20210176863A1. Автор: Hiroki Kogawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US11600589B2. Автор: Masanori Shindo. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-07.

Lead frame, semiconductor device, and lead frame manufacturing method

Номер патента: US11791250B2. Автор: Shintaro Hayashi. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20210242155A1. Автор: Masanori Shindo. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Lead frame, semiconductor device, and lead frame manufacturing method

Номер патента: US20200144166A1. Автор: Shintaro Hayashi. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor memory device having enlarged cell contact area and method of fabricating the same

Номер патента: US09859284B2. Автор: Kuo-Chen Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device having bit lines less liable to have influences of the adjacent bit lines

Номер патента: US4962476A. Автор: Koji Kawada. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1990-10-09.

Display device and display device manufacturing method

Номер патента: EP4436348A1. Автор: Huei-Siou CHEN,Yi-Cheng Liu,Maochung LIN,Chiu Yen SU. Владелец: Taizhou Guanyu Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Three-dimensional memory device with backside support pillar structures and methods of forming the same

Номер патента: US20240292628A1. Автор: Akihiro Tobioka. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Three-dimensional memory device with backside support pillar structures and methods of forming the same

Номер патента: US20240315040A1. Автор: Akihiro Tobioka. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20230120152A1. Автор: Ryoichi Kato,Shinji Tada,Yuma Murata. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240203832A1. Автор: Koji Watanabe,Tetsu Ohtou,Tomonari Yamamoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Non-volatile memory device containing oxygen-scavenging material portions and method of making thereof

Номер патента: US09812505B2. Автор: Yukihiro Sakotsubo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-11-07.

Three-dimensional memory device containing annular etch-stop spacer and method of making thereof

Номер патента: US09768192B1. Автор: Tadashi Nakamura. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20180204813A1. Автор: Taiichi Ogumi. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-19.

Semiconductor module, semiconductor device, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240312899A1. Автор: Ryoichi Kato,Yuma Murata,Akito NAKAGOME. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240315037A1. Автор: Koichi Sakata,Keisuke Nakatsuka,Keita Hasegawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Power storage pack, semiconductor device, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240312881A1. Автор: Kouki Yamamoto,Toshifumi Ishida. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09911705B2. Автор: Masayoshi Tarutani,Yosuke Nakata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09653390B2. Автор: Masayoshi Tarutani,Yosuke Nakata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor chip, and manufacturing method and application of the chip

Номер патента: US20060125060A1. Автор: Kiyonori Oyu. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2006-06-15.

Resistive random access memory device with resistance-based storage element and method of fabricating same

Номер патента: US09647037B2. Автор: Yu Lu,Xia Li,Seung Hyuk KANG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Memory device comprising a top via electrode and methods of making such a memory device

Номер патента: US11812670B2. Автор: Haiting Wang,Yanping SHEN,Sipeng Gu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Memory device comprising a top via electrode and methods of making such a memory device

Номер патента: US20210336126A1. Автор: Haiting Wang,Yanping SHEN,Sipeng Gu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Memory device comprising a top via electrode and methods of making such a memory device

Номер патента: US20230078730A1. Автор: Haiting Wang,Yanping SHEN,Sipeng Gu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Three-dimensional memory device with vertical field effect transistors and method of making thereof

Номер патента: US11569215B2. Автор: Peter Rabkin,Kwang-Ho Kim. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-01-31.

Display device and display device manufacturing method

Номер патента: US11848351B2. Автор: Jinwoo Choi,Minwoo Kim,Hyung-il Jeon,Daeho Song. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20230022159A1. Автор: Yoshiaki Goto,Keiichi NIWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

Display device and display device manufacturing method

Номер патента: EP3780109A1. Автор: Yong Hoon Kwon,Jung Hyun Kim,Woo Suk SEO,Si Joon SONG,Eui Jeong KANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-17.

Non-volatile memory and method of fabricating the same

Номер патента: US20210083006A1. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Array substrate and manufacturing method for the same

Номер патента: US20170186651A1. Автор: Longqiang Shi. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-29.

Array substrate and manufacturing method for the same

Номер патента: US09905470B2. Автор: Longqiang Shi. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Device emitting or detecting terahertz waves, and manufacturing method for device

Номер патента: US20210091722A1. Автор: Yasushi Koyama. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor memory device including a 3-dimensional memory cell array and a method of operating the same

Номер патента: US20160071596A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-03-10.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US12075617B2. Автор: Toshiyuki Kanaya. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Method of manufacturing silicon rich oxide (SRO) and semiconductor device employing SRO

Номер патента: US20070072424A1. Автор: Jung-hyun Lee,Sang-Bong Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-29.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11758725B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor memory device with a buried drain and its memory array

Номер патента: US8994095B2. Автор: Wei Zhang,Pengfei Wang,Qingqing Sun,Shijin Ding. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-03-31.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20180315603A1. Автор: Guang Li YANG,Dae Sub Jung,De Yan CHEN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

Three-dimensional nand memory device and fabrication method

Номер патента: US20240237338A9. Автор: Wei Xu,Zongliang Huo,Lei Xue,Longxiang Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Methods of forming semiconductor structures

Номер патента: US20200075713A1. Автор: Wayne I. Kinney,Manuj Nahar,Michael Mutch. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-05.

Non-volatile semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050161730A1. Автор: Hideo Kurihara,Satoshi Shinozaki,Mitsuteru Iijima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-07-28.

Non-volatile semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060249771A1. Автор: Hideo Kurihara,Satoshi Shinozaki,Mitsuteru Iijima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-11-09.

Phase change memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120156840A1. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-21.

Semiconductor devices having airgaps and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09773795B2. Автор: Jinhyun Shin,Jae-Hwang Sim,Hojun SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Antiferroelectric memory devices and methods of making the same

Номер патента: US20210066348A1. Автор: Rahul Sharangpani,Bhagwati PRASAD. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-03-04.

Spark ignition device and ground electrode therefor and methods of construction thereof

Номер патента: WO2011123229A1. Автор: Frederick J. Quitmeyer. Владелец: FEDERAL-MOGUL IGNITION COMPANY. Дата публикации: 2011-10-06.

Electrode assembly manufacturing device and electrode assembly manufacturing method

Номер патента: EP3614478A1. Автор: Sang Wook Kim,Dong Hyeuk PARK,Su Ho Jeon,Nam Hyuck KIM,Il Un Chu. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2020-02-26.

Battery cell, battery, electrical device, and battery cell manufacturing method

Номер патента: US20240047785A1. Автор: Wei Chen,Dongyang SHI,Baiqing Li. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Electrode unit manufacturing device, and electrode unit manufacturing method

Номер патента: EP4418351A1. Автор: Noriyuki Matsumoto,Tetsuya Koyama,Tatsuya Kinugawa. Владелец: Toyota Industries Corp. Дата публикации: 2024-08-21.

Lighting device and lighting device manufacturing method

Номер патента: US09978581B2. Автор: Masataka Kamahara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-22.

Battery module manufacturing device and battery module manufacturing method

Номер патента: US20240145754A1. Автор: Lu Wu,Hong Zhu,Yue Cui,Sitong CHEN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Water heater tank arrangement, control device and shaft extension therefor and methods of making the same

Номер патента: US5159658A. Автор: James R. Tuttle. Владелец: Robertshaw Controls Co. Дата публикации: 1992-10-27.

Battery cell, battery, electrical device, and battery cell manufacturing method

Номер патента: EP4318740A1. Автор: Xiaoming Ge,Manman Wang,Yulei FAN. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Micro-small cell assembly device and electrode stack manufacturing method using same

Номер патента: EP4391132A1. Автор: Min Jung Kim,Tai Joon Seo,Ha Ye Lin CHOI. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Laser device and electronic device manufacturing method

Номер патента: US20240042544A1. Автор: Takuma YAMANAKA. Владелец: GIGAPHOTON INC. Дата публикации: 2024-02-08.

Coil component, electronic device, and coil component manufacturing method

Номер патента: US11823829B2. Автор: Katsuyuki Horie,Tetsuya Oga. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2023-11-21.

Plug attaching device, and secondary battery manufacturing method using the same

Номер патента: US11909075B2. Автор: Seigo FUJISHIMA. Владелец: Prime Planet Energy and Solutions Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Plug attaching device, and secondary battery manufacturing method using the same

Номер патента: US20220376370A1. Автор: Seigo FUJISHIMA. Владелец: Prime Planet Energy and Solutions Inc. Дата публикации: 2022-11-24.

Pulse width extension device, laser device, and electronic device manufacturing method

Номер патента: US20230061530A1. Автор: Shinichi Matsumoto,Hirotaka Miyamoto,Hitoshi OHGA. Владелец: GIGAPHOTON INC. Дата публикации: 2023-03-02.

Connector device and wire harness manufacturing method

Номер патента: EP4109681A1. Автор: Terumitsu Sugimoto,Sadaharu Okuda,Syuji Kimura. Владелец: Yazaki Corp. Дата публикации: 2022-12-28.

Battery cell manufacturing device and battery cell manufacturing method

Номер патента: EP4117070A1. Автор: Seokho JANG. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-01-11.

Waterproof plug insertion device and connector housing manufacturing method with waterproof plug

Номер патента: US20190393641A1. Автор: Kazuhiko Takada,Yusuke MACHIDA. Владелец: Yazaki Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Electronic component, diaphragm, electronic device, and electronic component manufacturing method

Номер патента: US20190088403A1. Автор: Shingo Ito. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Terminal insertion device and wiring module manufacturing method

Номер патента: US20180083405A1. Автор: Hideoki HORIKI. Владелец: Sumitomo Wiring Systems Ltd. Дата публикации: 2018-03-22.

Semiconductor Memory Device with a Buried Drain and Its Memory Array

Номер патента: US20120273866A1. Автор: Wei Zhang,Pengfei Wang,Qingqing Sun,Shijin Ding. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-11-01.

Battery, electric device, and manufacturing method for battery

Номер патента: EP4404326A1. Автор: Lei Wang,PENG Wang,Xingdi CHEN,Xingchang WANG. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Semiconductor memory device for performing blind program operation and method of operating the same

Номер патента: US20240212760A1. Автор: Yeong Jo MUN,Dong Hun Kwak,Hyun Seob SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of initializing and programing 3d non-volatile memory device

Номер патента: US20170133095A1. Автор: Sang Ho Lee,Byung Gook Park,Dae Woong KWON,Do Bin KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-11.

Method of initializing and programing 3d non-volatile memory device

Номер патента: US20180197615A1. Автор: Sang Ho Lee,Byung Gook Park,Dae Woong KWON,Do Bin KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-12.

Method of initializing and programming 3D non-volatile memory device

Номер патента: US9947413B2. Автор: Sang Ho Lee,Byung Gook Park,Dae Woong KWON,Do Bin KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Power control system and method of a fuel cell

Номер патента: US12080924B2. Автор: Byung Jun Sung. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory device for generating pump clock and operating method of the memory device

Номер патента: US12020757B2. Автор: Min Su Kim,Won Jae Choi,Hyun Chul Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Memory device related to a verify operation and method of operating the memory device

Номер патента: US20240170078A1. Автор: Jong Hoon Lee,Se Chun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Method of smart saving high-density data and memory device

Номер патента: US20170060467A1. Автор: Marco Castellano,Marco Leo,Paolo Rosingana,Alessandro Giuliano Locardi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-03-02.

Extreme ultraviolet light generation chamber device and electronic device manufacturing method

Номер патента: NL2036152A. Автор: UEDA Atsushi. Владелец: GIGAPHOTON INC. Дата публикации: 2024-06-14.

Extreme ultraviolet light generation chamber device and electronic device manufacturing method

Номер патента: US20240196505A1. Автор: Atsushi Ueda. Владелец: GIGAPHOTON INC. Дата публикации: 2024-06-13.

Target supply device and electronic device manufacturing method

Номер патента: US20240260164A1. Автор: Masaki Nakano. Владелец: GIGAPHOTON INC. Дата публикации: 2024-08-01.

Target supply device and electronic device manufacturing method

Номер патента: NL2036459A. Автор: Nakano Masaki. Владелец: GIGAPHOTON INC. Дата публикации: 2024-08-09.

Display device and display device manufacturing method

Номер патента: US09915982B2. Автор: Kenichi Murakami,Daigo Dohi. Владелец: Furuno Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Display device and display device manufacturing method

Номер патента: US12059849B2. Автор: Seungmin Lee,Donghwan SHIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Touch-based mobile device and method for performing touch lock function of the mobile device

Номер патента: US09584643B2. Автор: Seung Woo Shin,Il Geun BOK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Extreme ultraviolet light generation chamber device and electronic device manufacturing method

Номер патента: US20240160107A1. Автор: Yoshiyuki Honda. Владелец: GIGAPHOTON INC. Дата публикации: 2024-05-16.

Display device and display device manufacturing method

Номер патента: US12004362B2. Автор: Tsuyoshi Kamada,Shigeru Aomori,Yasushi Asaoka. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

Extreme ultraviolet light generation chamber device and electronic device manufacturing method

Номер патента: NL2035896A. Автор: Honda Yoshiyuki. Владелец: GIGAPHOTON INC. Дата публикации: 2024-05-28.

Extreme ultraviolet light generation device and electronic device manufacturing method

Номер патента: NL2026231A. Автор: SAUMAGNE Georg. Владелец: GIGAPHOTON INC. Дата публикации: 2021-05-17.

Display device and display device manufacturing method

Номер патента: US20220143931A1. Автор: Seungmin Lee,Donghwan SHIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Electronic device, electronic component, contactless electronic device, and electronic device manufacturing method

Номер патента: EP4095591A1. Автор: Manabu Furuya,Taku Kinoshita. Владелец: Seed Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-30.

Touch-based mobile device and method for performing touch lock function of the mobile device

Номер патента: US20110256848A1. Автор: Seung Woo Shin,Il Geun BOK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-20.

Illumination device and illumination process with measurement and display of the distance

Номер патента: US20240077189A1. Автор: Hanno Kretschmann,Ralf Buchtal. Владелец: Draegerwerk AG and Co KGaA. Дата публикации: 2024-03-07.

[scan device and a method for enhacing the life of the same]

Номер патента: US20040105130A1. Автор: Chin-Chung Lien. Владелец: Veutron Corp. Дата публикации: 2004-06-03.

Method of erasing data of nonvolatile semiconductor memory unit

Номер патента: US20040125656A1. Автор: Tomoshi Futatsuya,Takashi Hayasaka,Shinichi Mizoguchi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-01.

Method of erasing data of nonvolatile semiconductor memory unit

Номер патента: US6831864B2. Автор: Tomoshi Futatsuya,Takashi Hayasaka,Shinichi Mizoguchi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-12-14.

Memory device

Номер патента: WO1995032505A1. Автор: M. James Bullen,Robert B. Mclaughlin,Lawrence C. Plumhoff. Владелец: Image Telecommunications Corporation. Дата публикации: 1995-11-30.

Semiconductor memory devices including asymmetric word line pads

Номер патента: US09911750B2. Автор: Jaegoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Composite semiconductor memory device with error correction

Номер патента: EP2550661A1. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2013-01-30.

Electronic device and method for fabricating the same

Номер патента: US11925034B2. Автор: Jeong Hwan Song,Tae Jung Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor memory device and method for fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US20080089104A1. Автор: Hiroyasu Tanaka,Ryota Katsumata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US5101380A. Автор: Kazuo Tanaka,Hirofumi Yasuda,Toshihiko Kondo. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1992-03-31.

Semiconductor memory device

Номер патента: CA1137221A. Автор: Takashi Watanabe,Tsuneo Mano,Junichi Inoue. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1982-12-07.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20090152618A1. Автор: Masayuki Tanaka,Koji Nakahara,Kazuhiro Matsuo,Takeo Furuhata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20090174007A1. Автор: Jun Nishimura,Yoshiaki Asao. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-09.

Inductive energy harvesting and signal development for a memory device

Номер патента: US20220037920A1. Автор: Dmitri A. Yudanov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030080374A1. Автор: Hajime Arai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-01.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US20220102239A1. Автор: Hideki Takahashi,Ryo KAMODA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Interconnects for stacked non-volatile memory device and method

Номер патента: US20120112155A1. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2012-05-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09704747B2. Автор: Ji Yeon Ryu,Byong Jin Kim,Jae Beum Shim. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor memory

Номер патента: US20060258108A1. Автор: Shinichi Sato,Katsuya Hironaka. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-11-16.

Maximum likelihood statistical method of operations for multi-bit semiconductor memory

Номер патента: US20080165595A1. Автор: Chung H. Lam. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-10.

DRAM memory device with oxide semiconductor access transistor and method of controlling plate line potential

Номер патента: US11776616B2. Автор: Masaharu Wada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Methods of programming memory cells in non-volatile memory devices

Номер патента: US09818477B2. Автор: Jae-Hong Kim,Jin-Man Han,Young-Seop Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Non-volatile memory device, memory system including the same, and method of operating the same

Номер патента: US09514830B2. Автор: Sang Hwa Han,Hee Woong Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Methods of enhancing speed of reading data from memory device

Номер патента: US20210280258A1. Автор: Li Xiang,Ke Liang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Methods of enhancing speed of reading data from memory device

Номер патента: EP4235672A3. Автор: Li Xiang,Ke Liang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-18.

Methods of enhancing speed of reading data from memory device

Номер патента: EP4235672A2. Автор: Li Xiang,Ke Liang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-30.

Methods of enhancing speed of reading data from memory device

Номер патента: US20210166769A1. Автор: Li Xiang,Ke Liang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

Methods of enhancing speed of reading data from memory device

Номер патента: EP3915115A1. Автор: Li Xiang,Ke Liang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09620521B2. Автор: Kazuhiro Nojima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1953813A3. Автор: Kunio Hosoya,Saishi Fujikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-06.

Semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20110175143A1. Автор: Takashi Okada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-07-21.

Variable resistance memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09685609B2. Автор: Seung-Jae Jung,Youn-Seon Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20180247951A1. Автор: Jun Fujiki,Shinya Arai,Kotaro Fujii. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-08-30.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20210126003A1. Автор: Jun Fujiki,Shinya Arai,Kotaro Fujii. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Method of fabricating three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US11805710B2. Автор: Heejung Kim,Taehong Min,Chorong Park,Joohee SEO,Eunsuk HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the device

Номер патента: US20030227802A1. Автор: Eiji Yoshida,Mitsuru Sato,Hideaki Aochi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-11.

Variable resistance memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200219934A1. Автор: ByeongJu Bae,Duckhee Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-09.

Non-volatile memory device with filament confinement

Номер патента: US20230052035A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-02-16.

Memory device having ultra-lightly doped region

Номер патента: US20240196595A1. Автор: Chung-Lin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10593676B2. Автор: Tzu-Ming Ou Yang,Shu-Ming LEE. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-03-17.

Semiconductor memory structure and method for forming the same

Номер патента: US20220223599A1. Автор: Hsing-Hao Chen,Jiun-Sheng YANG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-07-14.

Three-dimensional memory device with backside interconnect structures

Номер патента: US12082411B2. Автор: LEI Liu,Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Kun Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory devices, memory systems including the same and methods of operating the same

Номер патента: US09953702B2. Автор: Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor memory device and method of performing setting operation in semiconductor memory device

Номер патента: US9312003B2. Автор: Yoshihisa Iwata,Chika Tanaka,Reika Ichihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-04-12.

Semiconductor memory device and method for performing data compression test of the same

Номер патента: US20110103164A1. Автор: Jong-Chern Lee,Jae-Woong Yun,Hee-Jin BYUN. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-05-05.

Memory device, memory system including the same, operation method of the memory system

Номер патента: US09892778B1. Автор: Sang-Jin Byeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor memory device comprising a test circuit and a method of operation thereof

Номер патента: US5436911A. Автор: Shigeru Mori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-07-25.

Memory device, a memory system and an operating method of the memory device

Номер патента: US12073914B2. Автор: Kyungryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Apparatus and method of generating DBI signal in semiconductor memory apparatus

Номер патента: US7408483B2. Автор: Dong-Uk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-08-05.

System and method of command based and current limit controlled memory device power up

Номер патента: US09640227B2. Автор: Jeff Yu,Ted Pekny. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Memory device for performing in-memory-search and operating method thereof

Номер патента: US20240274165A1. Автор: Feng-Min Lee,Po-Hao Tseng,Tian-Cih BO. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory devices having variable repair units therein and methods of repairing same

Номер патента: US20210124659A1. Автор: Hyunki Kim,Yesin RYU,Yoonna OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-29.

Methods of charging local input/output lines of memory devices, and related devices and systems

Номер патента: US20230116292A1. Автор: JIN Lan,Genta Takaya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Methods of charging local input/output lines of memory devices, and related devices and systems

Номер патента: US20210335402A1. Автор: JIN Lan,Genta Takaya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Memory device, a memory system and an operating method of the memory device

Номер патента: EP4123648A1. Автор: Kyungryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-25.

Memory device, storage device including the same, and method of operating the storage device

Номер патента: US11977735B2. Автор: Sangsoo Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-07.

Magnetic bubble memory device and method for operating the same

Номер патента: CA1187175A. Автор: Tsutomu Miyashita,Kazuo Matsuda,Makoto Ohashi,Yoshio Satoh,Kazunari Komenou. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1985-05-14.

Memory device, memory system having the same and method of operating the same

Номер патента: US11922989B2. Автор: Jungmin YOU,Seongjin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-05.

Memory device, memory system having the same and method of operating the same

Номер патента: US20240170037A1. Автор: Jungmin YOU,Seongjin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

System and method of command based and current limit controlled memory device power up

Номер патента: US9305609B2. Автор: Jeff Yu,Ted Pekny. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-04-05.

Methods of charging local input/output lines of memory devices, and related devices and systems

Номер патента: US20230377619A1. Автор: JIN Lan,Genta Takaya. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-11-23.

Operation method of system-on-chip configured to control memory device

Номер патента: EP3822797A2. Автор: Yongseob Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-19.

Operation method of system-on-chip configured to control memory device

Номер патента: US20210151084A1. Автор: Yongseob Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-20.

Operation method of system-on-chip configured to control memory device

Номер патента: EP3822797A3. Автор: Yongseob Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-30.

Memory devices having variable repair units therein and methods of repairing same

Номер патента: US20230069753A1. Автор: Hyunki Kim,Yesin RYU,Yoonna OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory devices having variable repair units therein and methods of repairing same

Номер патента: US11791014B2. Автор: Hyunki Kim,Yesin RYU,Yoonna OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Memory device, memory system including the same and method of operating the same

Номер патента: US20240144990A1. Автор: Seongjin Cho,Hijung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Method of forming floating gate array of flash memory device

Номер патента: US20070141785A1. Автор: Jong Choi. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

Resistance variable memory device with sputtered metal-chalcogenide region and method of fabrication

Номер патента: US20070287219A1. Автор: Kristy Campbell,Joseph Brooks,Jon Daley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-13.

Display device and display device manufacturing method

Номер патента: US20240260386A1. Автор: Takahiro Adachi,Yasushi Asaoka,Sentaro KIDA. Владелец: Sharp Display Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Resonance device and resonance device manufacturing method

Номер патента: US20230208392A1. Автор: Yoshiyuki Higuchi,Masakazu FUKUMITSU. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Laser ablation device and display device manufacturing method using the same

Номер патента: US20230226643A1. Автор: Joonhyung Kim,Woohyun Kim,Seungil Jang,Daewoang Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Polymer holder, electrode system and manufacturing and handling methods of polymer holder

Номер патента: EP3563760A1. Автор: Juha MYLLYKANGAS,Arto Nikula,Arto Remes. Владелец: Bittum Biosignals Oy. Дата публикации: 2019-11-06.

Electrode removal device and vehicle positioning system and method of use

Номер патента: US20180014367A1. Автор: Damon Trent Ginn,Clarence David Sullivan. Владелец: Nucor Steel Gallatin LLC. Дата публикации: 2018-01-11.

Electronic device and time-lapse image generation method of electronic device

Номер патента: US11930277B2. Автор: Jonghun WON,Seunghun KIM,Haesun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-12.

Protective case for electronic device and protective case manufacturing method

Номер патента: US20240097732A1. Автор: Bo Zhang. Владелец: Shenzhen Zhangla Innovation Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device and it's manufacturing method

Номер патента: US7087956B2. Автор: Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-08-08.

Display device, electronic device, and display device manufacturing method

Номер патента: EP4358148A1. Автор: Sanggun Choi,Myounggeun Cha,Donghwan SHIM,Soyoung Koo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-24.

Receiving device and method for dynamically adjusting the attenuation of the received signal

Номер патента: US20210367632A1. Автор: Hsin Hung Liu. Владелец: Moxa Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Camera device and method for determining field of view of the camera device

Номер патента: US9473705B2. Автор: Hsiao-Ping Chiu,Hsueh-Tsen Tsai. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Camera device and method for determining field of view of the camera device

Номер патента: US20130335577A1. Автор: Hsiao-Ping Chiu,Hsueh-Tsen Tsai. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-19.

Memory device using a multilayer ferroelectric stack and method of forming the same

Номер патента: WO2020231482A1. Автор: Yanli Zhang,Johann Alsmeier. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-11-19.

Memory device using a multilayer ferroelectric stack and method of forming the same

Номер патента: US11968839B2. Автор: Yanli Zhang,Johann Alsmeier. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-23.

High-voltage composite positive electrode material and manufacturing method thereof

Номер патента: AU2023203287A1. Автор: Han-Wei Hsieh,Ding-De He. Владелец: Advanced Lithium Electrochemistry Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

High-voltage composite positive electrode material and manufacturing method thereof

Номер патента: AU2023203287B2. Автор: Han-Wei Hsieh,Ding-De He. Владелец: Advanced Lithium Electrochemistry Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device, semiconductor device, and data write method

Номер патента: US7570522B2. Автор: Tokumasa Hara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-08-04.

Nonvolatile semiconductor memory device with read voltage setting controller

Номер патента: US09875804B2. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US20190103169A1. Автор: Dong Uk Lee,Jae Hyuk BANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-04-04.

Page buffer, semiconductor memory device with page buffer, and method of operating semiconductor memory device

Номер патента: US11842773B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US10515704B2. Автор: Dong Yeob CHUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-24.

Semiconductor memory device for performing suspend operation and method of operating the same

Номер патента: US10613753B2. Автор: Tai Kyu Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-04-07.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US20220238173A1. Автор: Jae Wook Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20180004421A1. Автор: Tai Kyu Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-04.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240203492A1. Автор: Yu Wang,Ke Jiang,Zhichao DU,Weijun Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Nonvolatile memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20240274206A1. Автор: Sangsoo Park,Jonghoon Park,Yongseok Kwon,Jaeduk Yu,Jauang YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Storage device and a storage system including the same

Номер патента: US20210191883A1. Автор: Ji Soo Kim,Seung-jae Lee,Ye Jin Yoon,Min Gon Shin,Hwa Soo LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-24.

Storage device and a storage system including the same

Номер патента: EP3839776A1. Автор: Ji Soo Kim,Seung-jae Lee,Ye Jin Yoon,Min Gon Shin,Hwa Soo LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-23.

Random telegraph signal noise reduction scheme for semiconductor memories

Номер патента: US11887675B2. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Cross-temperature compensation based on media endurance in memory devices

Номер патента: US20240069745A1. Автор: Hyungseok Kim,Sampath K. Ratnam,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Programming method of non volatile memory device

Номер патента: US09953703B2. Автор: Wook-ghee Hahn,Chang-Yeon YU,Joo-kwang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Controlling method of a memory card

Номер патента: US20210026765A1. Автор: Kuniaki Ito,Takashi Wakutsu,Shuichi Sakurai,Yasufumi Tsumagari. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-01-28.

Controlling method of a memory card

Номер патента: US20240061771A1. Автор: Kuniaki Ito,Takashi Wakutsu,Shuichi Sakurai,Yasufumi Tsumagari. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Controlling method of a memory card

Номер патента: US12135641B2. Автор: Kuniaki Ito,Takashi Wakutsu,Shuichi Sakurai,Yasufumi Tsumagari. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-11-05.

Controlling method of a memory card

Номер патента: US11836075B2. Автор: Kuniaki Ito,Takashi Wakutsu,Shuichi Sakurai,Yasufumi Tsumagari. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

Bridge device and information processing apparatus including bridge device

Номер патента: US20200076645A1. Автор: Toshio Yoshihara,Daisuke Matsunaga,Yasutomo Tanaka,Yasushi Shinto. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-03-05.

Memory controller, method of controlling the same, and semiconductor memory device having both

Номер патента: US20160196209A1. Автор: Jungug Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-07.

Peripheral circuit, semiconductor memory device and operating method of the semiconductor device and/or peripheral circuit

Номер патента: US09715934B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Device and system for and a method of monitoring a cable for a physical disturbance

Номер патента: US09778227B2. Автор: Ernst Jacobus Gustav Pretorius. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-03.

Heat exchanger, information processing device, and flat tube manufacturing method

Номер патента: US20180135920A1. Автор: Hideo Kubo,Hidehisa Sakai,Tsuyoshi So,Yoshiteru Ochi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-05-17.

Device and method for measuring the water content of the ground, vegetation and/or snow

Номер патента: WO2022175793A1. Автор: Luca Stevanato,Marcello Lunardon,Sandra Moretto. Владелец: Finapp S.R.L.. Дата публикации: 2022-08-25.

Detection device, and corresponding system for determining the orientation of the wheels of a vehicle

Номер патента: EP2659224A1. Автор: Piero Cerruti,Fausto Manganelli. Владелец: Space SRL. Дата публикации: 2013-11-06.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20090176328A1. Автор: Tsuyoshi Makita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-09.

Display device and method for compensation of image data of the same

Номер патента: US09875685B2. Автор: Choong-Sun Shin,Won-Tae Choi,Oh-Jo Kwon,Jeong-Kyoo Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

A device and a method for non-contacting sensing of the rotational state of a rotor

Номер патента: WO2002012836A1. Автор: Tord Kjellin,Staffan Ralberg. Владелец: Elster Messtechnik GmbH. Дата публикации: 2002-02-14.

A device and a method for non-contacting sensing of the rotational state of a rotor

Номер патента: EP1325286A1. Автор: Tord Kjellin,Staffan c/o Hansson RALBERG. Владелец: Elster Messtechnik GmbH. Дата публикации: 2003-07-09.

Display panel and manufacturing a translucent carrier element of the display panel

Номер патента: US09865184B2. Автор: Uwe Jungnickel,Wolfgang Stegmann. Владелец: Braun GmbH. Дата публикации: 2018-01-09.

Memory device, storage device including the same and method of operating the storage device

Номер патента: EP3985516A1. Автор: Hosung Ahn,Younsoo Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-20.

Memory device, storage device including the same and method of operating the storage device

Номер патента: US11868645B2. Автор: Hosung Ahn,Younsoo Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Memory device, storage device including the same and method of operating the storage device

Номер патента: US20220113896A1. Автор: Hosung Ahn,Younsoo Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-14.

Touch panel, display device, and touch panel manufacturing method

Номер патента: US09952713B2. Автор: Yuji Takahashi. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Display panel, display device and display panel manufacturing method

Номер патента: US20210405444A1. Автор: Qin Liu. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Display panel and manufacturing a translucent carrier element of the display element

Номер патента: CA2777227C. Автор: Uwe Jungnickel,Wolfgang Stegmann. Владелец: Braun GmbH. Дата публикации: 2016-02-09.

Exposure method, exposure device, and micro device manufacturing method

Номер патента: US20090280441A1. Автор: Kei Nara. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2009-11-12.

Dimming device, image display device, and display device, and dimming device manufacturing method

Номер патента: US20200355976A1. Автор: Yui Ishii. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2020-11-12.

Surface light source device, display device and optical sheet manufacturing method

Номер патента: US20210349352A1. Автор: Tatsuya Ito. Владелец: Funai Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Surface light source device, display device and optical sheet manufacturing method

Номер патента: EP3910413A1. Автор: Tatsuya Ito. Владелец: Funai Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-17.

Photoacoustic element, photoacoustic imaging device, and photoacoustic element manufacturing method

Номер патента: US20220334084A1. Автор: Shunya FUKUI. Владелец: Tamron Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Opthalmic surgical device and method with image data reflected off of the eye

Номер патента: US4870964A. Автор: Paul F. Bailey, Jr.,Isidro G. Nilsson,George M. Alf. Владелец: Individual. Дата публикации: 1989-10-03.

Device and method for measuring the water content of the ground, vegetation and/or snow

Номер патента: AU2022223740A9. Автор: Luca Stevanato,Marcello Lunardon,Sandra Moretto. Владелец: Finapp Srl. Дата публикации: 2024-05-09.

Device and method for measuring the water content of the ground, vegetation and/or snow

Номер патента: CA3205199A1. Автор: Luca Stevanato,Marcello Lunardon,Sandra Moretto. Владелец: Finapp Srl. Дата публикации: 2022-08-25.

Device and method for measuring the water content of the ground, vegetation and/or snow

Номер патента: AU2022223740A1. Автор: Luca Stevanato,Marcello Lunardon,Sandra Moretto. Владелец: Finapp Srl. Дата публикации: 2023-08-03.

Device and method for measuring the water content of the ground, vegetation and/or snow

Номер патента: EP4295149A1. Автор: Luca Stevanato,Marcello Lunardon,Sandra Moretto. Владелец: Finapp Srl. Дата публикации: 2023-12-27.

Device and Method for Calibration, Monitoring and Control of the Integrated Photonic Systems

Номер патента: US20230185117A1. Автор: Yaniv BEN HAIM,Yosef BEN EZRA. Владелец: Newphotonics Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Device and method for measuring the water content of the ground, vegetation and/or snow

Номер патента: US20240085397A1. Автор: Luca Stevanato,Marcello Lunardon,Sandra Moretto. Владелец: Finapp Srl. Дата публикации: 2024-03-14.

Computing device and method for controlling temperature of processor of the computing device

Номер патента: US20140118925A1. Автор: Yu-Chen Huang. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-01.

Device and method for recording and analysing images of the skin

Номер патента: US12011250B2. Автор: Heiko Redtel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor memory device having selective ECC function

Номер патента: US09646718B2. Автор: Jong-Wook Park,Ki-Won Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: CA1164561A. Автор: Masanobu Yoshida,Kohichi Maeda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1984-03-27.

Method of read operation of nonvolatile semiconductor memory and nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: TW519753B. Автор: Mitsuteru Iijima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-02-01.

Method of read operation of nonvolatile semiconductor memory and nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: EP1235229B1. Автор: Mitsuteru Fujitsu Limited Iijima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-06-08.

Semiconductor storage device having nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US09946472B2. Автор: Takashi Tsunehiro,Akifumi Suzuki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Memory device and data search method for in-memory search

Номер патента: US20240021254A1. Автор: Po-Hao Tseng,Tian-Cih BO. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Memory system for controlling semiconductor memory devices through plurality of channels

Номер патента: US09841916B2. Автор: Sung Yeob Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170052737A1. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-23.

Semiconductor memory device for reducing data read time difference between memory banks

Номер патента: US11983413B2. Автор: Jae Jin Lee. Владелец: FIDELIX Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor memory device for reducing data read time difference between memory banks

Номер патента: US20230266882A1. Автор: Jae Jin Lee. Владелец: FIDELIX Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020018359A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Hiroyuki Mizuno,Kenichi Osada,Suguru Tachibana. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-14.

Intergrated semiconductor circuit with a semiconductor memory configuration embedded in a semiconductor chip

Номер патента: US20020047167A1. Автор: Andreas Bänisch,Marco Troost. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-25.

Integrated semiconductor memory with determination of a chip temperature

Номер патента: US7440349B2. Автор: Georg Braun,Aaron Nygren. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-10-21.

Integrated semiconductor memory with determination of a chip temperature

Номер патента: US20070133329A1. Автор: Georg Braun,Aaron Nygren. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-06-14.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US20170344301A1. Автор: Reum Oh,Hak-soo Yu,Je Min RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-30.

Device and method to reduce wordline RC time constant in semiconductor memory devices

Номер патента: US7570504B2. Автор: Huy Thanh Vo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-08-04.

Semiconductor memory circuit, semiconductor memory module using the same, and acoustic signal reproducing system

Номер патента: US5329484A. Автор: Hideo Tsuiki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-07-12.

Multi-site testing of computer memory devices and serial io ports

Номер патента: US20140026006A1. Автор: Chinsong Sul. Владелец: Silicon Image Inc. Дата публикации: 2014-01-23.

Semiconductor device failure analysis system and semiconductor memory device

Номер патента: US20140043360A1. Автор: Mami Kodama,Yoshikazu Iizuka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Semiconductor memory device having dummy sense amplifiers and methods of utilizing the same

Номер патента: US20100118633A1. Автор: Dong-Min Kim,Sang-Seok Kang,Min-Ki HONG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-05-13.

Memory system and method of controlling the same

Номер патента: US7596048B2. Автор: Yohei Kamiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-09-29.

Operating method of memory system including memory controller and nonvolatile memory device

Номер патента: US20220208271A1. Автор: Joonsuc Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-30.

Method of performing internal processing operation of memory device

Номер патента: US12073871B2. Автор: Pavan Kumar Kasibhatla,Hak-soo Yu,Seong-il O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory system and operation method of the same

Номер патента: US09990312B2. Автор: Jung-Hyun Kwon,Yong-Ju Kim,Sung-Eun Lee,Jing-Zhe Xu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of performing internal processing operation of memory device

Номер патента: US20240379150A1. Автор: Pavan Kumar Kasibhatla,Hak-soo Yu,Seong-il O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: CA1214553A. Автор: Masanobu Yoshida,Kiyoshi Itano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-11-25.

Memory controller and method of operating the memory controller

Номер патента: US20200379679A1. Автор: Young Chan Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Processing multi-cycle commands in memory devices, and related methods, devices, and systems

Номер патента: WO2021112955A8. Автор: Vijayakrishna J. Vankayala. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-06-30.

Processing multi-cycle commands in memory devices, and related methods, devices, and systems

Номер патента: US20210166742A1. Автор: Vijayakrishna J. Vankayala. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-03.

System and method of transferring data over available pins

Номер патента: US09984741B2. Автор: Bhyrav M. Mutnury,Stuart Allen Berke,Vadhiraj Sankaranarayanan. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2018-05-29.

Device and method for compensating defect in semiconductor memory

Номер патента: US20060203579A1. Автор: Jun-Lin Yeh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Methods of testing repair circuits of memory devices

Номер патента: US20240290414A1. Автор: Taeyun Kim,Taewon Kim,Sanghee KANG,Kiho Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Device and method of controlling refresh operation for dynamic random access memory (DRAM)

Номер патента: US09672894B2. Автор: Young-hun Kim,In-Chul Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Throttling memory in response to an internal temperature of a memory device

Номер патента: US09746383B2. Автор: Jun Shi,Animesh Mishra,Pochang Hsu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor memory system with the function of the replacement to the other chips

Номер патента: US5469390A. Автор: Toshio Sasaki,Toshihiro Tanaka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1995-11-21.

Sense amplifier activation timing scheme to suppress disturbance in memory cells of dram memory device

Номер патента: US11735250B2. Автор: Takahiko Sato. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Non-volatile semiconductor memory device having a low defective rate

Номер патента: US6577534B2. Автор: Takahiro Tsuruda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-06-10.

Semiconductor memory

Номер патента: US20120230090A1. Автор: Masahiro Takahashi,Yoshihiro Ueda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-13.

Memory device with redundancy having common row interface

Номер патента: WO2005091304A1. Автор: Jong-Hoon Oh. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-09-29.

Semiconductor memory and capacity configuration method for storage block thereon

Номер патента: EP4148736A1. Автор: Jixing Chen,Weibing SHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-15.

Semiconductor memory

Номер патента: US4916669A. Автор: Katsuyuki Sato. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1990-04-10.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, CONTROLLER, AND METHOD OF OPERATING MEMORY SYSTEM INCLUDING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROLLER

Номер патента: US20210304837A1. Автор: KIM Jin Sub. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor memory device

Номер патента: US5936881A. Автор: Shoichiro Kawashima,Ryuhei Sasagawa,Makoto Hamaminato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1999-08-10.

Memory device including voltage regions and method of operating same

Номер патента: SG10201804015PA. Автор: Oh Tae-Young,Kim Young-Hwa,CHO SEOK-JIN,JANG JIN-HOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-27.

Memory system and method of performing background operation

Номер патента: US20240289039A1. Автор: Yong Seok WON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Stacked memory devices, systems, and methods

Номер патента: US20240345737A1. Автор: Joe M. Jeddeloh. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Stacked memory devices, systems, and methods

Номер патента: US09990144B2. Автор: Joe M. Jeddeloh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Memory device and operation methods thereof

Номер патента: US09978435B1. Автор: San-Ha Park. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Independently controlled virtual memory devices in memory modules

Номер патента: EP2313891A1. Автор: Norman P. Jouppi,Jung Ho Ahn,Jacob B. Leverich. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2011-04-27.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20180342302A1. Автор: Kuen-Long Chang,Ken-Hui Chen,Su-Chueh Lo,Chun-Yu Liao. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-29.

Timing optimization for memory devices employing error detection coded transactions

Номер патента: US20150058706A1. Автор: Kuljit Singh Bains. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-02-26.

Dust cover, suspension device and dust cover manufacturing method

Номер патента: EP4292803A2. Автор: Shoji Shimizu,Hiroo KAWANO. Владелец: Excell Corp. Дата публикации: 2023-12-20.

Dust cover, suspension device and dust cover manufacturing method

Номер патента: EP4292803A3. Автор: Shoji Shimizu,Hiroo KAWANO. Владелец: Excell Corp. Дата публикации: 2023-12-27.

Dust cover, suspension device and dust cover manufacturing method

Номер патента: EP3951215A1. Автор: Shoji Shimizu,Hiroo KAWANO. Владелец: Excell Corp. Дата публикации: 2022-02-09.

Mold clamping force setting device and mold clamping force setting method of injection molding machine

Номер патента: US09597827B2. Автор: Daisuke Hirose. Владелец: FANUC Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Dry ice making device, and exhaust structure and exhaust method of dry ice making device

Номер патента: EP4431453A1. Автор: QI Lin,Tongying SHI. Владелец: Xiamen Jin Rui Yi Industrial&trading Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Adhesive label manufacturing device and adhesive label manufacturing method

Номер патента: EP2210814A3. Автор: Minoru Hoshino,Yoshinori Sato,Norimitsu Sanbongi,Shuji Tozaki. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2011-03-23.

Adhesive label manufacturing device and adhesive label manufacturing method

Номер патента: EP2210814B1. Автор: Minoru Hoshino,Yoshinori Sato,Norimitsu Sanbongi,Shuji Tozaki. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2012-04-18.

Tubular sensor, constituent measuring device, and tubular sensor manufacturing method

Номер патента: US09521972B2. Автор: Hideo Kawamoto. Владелец: Terumo Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Air filter, light source device, and air filter manufacturing method

Номер патента: US20190366253A1. Автор: Ryotaro Matui,Koji Maejima,Kyoichi MURAYAMA,Yasumasa Hakamata. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2019-12-05.

Vapor generator, vapor generation device, and vapor generator manufacturing method

Номер патента: US20240318928A1. Автор: Atsushi Murata. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Molten glass transport device, glass article manufacturing device, and glass article manufacturing method

Номер патента: EP4446287A1. Автор: Kazuyuki TENYAMA. Владелец: Nippon Electric Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Device and method for the actuating and unlatching of the shaft doors of an elevator

Номер патента: AU1073992A. Автор: Richard H. Pilsbury. Владелец: INVENTIO AG. Дата публикации: 1992-08-13.

Device and method for conditioning the flow surface of the headbox of a fiber web machine

Номер патента: WO2012175801A1. Автор: Seppo Romo. Владелец: METSO PAPER, INC.. Дата публикации: 2012-12-27.

Image forming device and printed matter manufacturing method

Номер патента: EP4094945A1. Автор: Jun Yamanobe. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2022-11-30.

A printing head with a nozzle-cleaning device and a method for decoration by means of the printing head

Номер патента: EP2085225B1. Автор: Gian Mario Guidotti. Владелец: Ingegneria Ceramica SRL. Дата публикации: 2011-04-06.

Banana fermentation product and manufacturing method and use of the same

Номер патента: US20180055905A1. Автор: Po-Chun Hsu,Yung-Hsiang Lin,Cheng-Yu Ho. Владелец: TCI Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-01.

Banana fermentation product and manufacturing method and use of the same

Номер патента: US10426811B2. Автор: Po-Chun Hsu,Yung-Hsiang Lin,Cheng-Yu Ho. Владелец: TCI Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-01.

Device and method to thermally affect delimited regions of the body of a patient

Номер патента: US20130261509A1. Автор: Patrick Gross,Clifford Weiss. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2013-10-03.

A device and a system and a method of examining a tubular channel

Номер патента: WO2011032928A1. Автор: Wilhelmus Hubertus Paulus Maria Heijnen. Владелец: Maersk Oil Qatar A/S. Дата публикации: 2011-03-24.

A device and a system and a method of examining a tubular channel

Номер патента: EP2478180A1. Автор: Robert BOUKE PETERS,Wilhelmus Hubertus Paulus Maria Heijnen. Владелец: Maersk Oil Qatar As. Дата публикации: 2012-07-25.

Centrifugal filtration device and cell separation system and methods of use thereof

Номер патента: CA2873077C. Автор: Chong ZHENG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-03-06.

Packaging of microfluidic devices and microfluidic integrated systems and method of fabrication

Номер патента: US11926522B1. Автор: Michael A. Huff. Владелец: Corp for National Research Initiatives. Дата публикации: 2024-03-12.

Device and method for measuring information processing speed of the brain

Номер патента: WO2008091399A9. Автор: David M Eagleman,Matthew P Fiesta,Chess A Stetson. Владелец: Chess A Stetson. Дата публикации: 2008-09-12.

Decorative member manufacturing device and decorative member manufacturing method

Номер патента: EP3858618A1. Автор: Tomohiro Mizuno. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-08-04.

Sealing device and sealing device manufacturing method

Номер патента: US5884919A. Автор: Takayuki Saito. Владелец: Nok Corp. Дата публикации: 1999-03-23.

Glass sheet, display device, and glass sheet manufacturing method

Номер патента: EP4276082A1. Автор: Masabumi Ito,Yuichi Masuda,Hiroyuki Ezura. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-15.

Check valve and air conditioning device, and check valve manufacturing method

Номер патента: EP3951223A1. Автор: Hideki Takeda,Tsukasa TANIGAWA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-02-09.

Resin container manufacturing device and resin container manufacturing method

Номер патента: EP4364920A1. Автор: Atsushi Sakurai. Владелец: Nissei ASB Machine Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-08.

Metal product manufacturing device and metal product manufacturing method

Номер патента: CA3085425A1. Автор: Kenzo Takahashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-05-16.

Metal product manufacturing device and metal product manufacturing method

Номер патента: AU2018364870A1. Автор: Kenzo Takahashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-05-28.

Laser processing device and processed article manufacturing method

Номер патента: US20230398638A1. Автор: Hideo Ichihashi,Keita Mizuma,Shun Hirano,Takeshi Yachiguchi,Hikaru Kimura. Владелец: Towa Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Plastic bottle manufacturing device and plastic bottle manufacturing method

Номер патента: US11897178B2. Автор: Seiji Kuwano. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Machining device, and moving body manufacturing method

Номер патента: EP3702091A1. Автор: Masayuki Shiraishi,Yosuke Tatsuzaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2020-09-02.

Machining device, and moving body manufacturing method

Номер патента: AU2018357516A1. Автор: Masayuki Shiraishi,Yosuke Tatsuzaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Glass article manufacturing device and glass article manufacturing method

Номер патента: EP4023615A1. Автор: Takanori Iwasaki,Taiki Tanaka,Takehiro Yonezawa. Владелец: Nippon Electric Glass Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-06.

Glass article manufacturing device and glass article manufacturing method

Номер патента: US20230015041A1. Автор: Takanori Iwasaki,Taiki Tanaka,Takehiro Yonezawa. Владелец: Nippon Electric Glass Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Supply device and procedure for press actuators, with recovery of the raising energy

Номер патента: US5074192A. Автор: Victor Gheorghita. Владелец: Pomini Farrel SpA. Дата публикации: 1991-12-24.

Devices and methods for transnasal dilation and irrigation of the sinuses

Номер патента: CA2843145A1. Автор: Eric A. Goldfarb,Hung V. Ha,Ketan P. Muni,Mina Wai-Bing Chow. Владелец: Acclarent Inc. Дата публикации: 2013-01-31.

Catheter device and method for selective occlusion of arteries of the descending aorta or iliac vasculature

Номер патента: US20240090901A1. Автор: Sundaram Ravikumar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-03-21.

Catheter device and method for selective occlusion of arteries of the descending aorta or iliac vasculature

Номер патента: EP4362863A1. Автор: Sundaram Ravikumar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-05-08.

Systems, devices, and methods for diagnosing and treating conditions of the spine

Номер патента: US20130138027A1. Автор: Mark A. Reiley. Владелец: SI Bone Inc. Дата публикации: 2013-05-30.

Systems, devices, and methods for diagnosing and treating conditions of the spine

Номер патента: WO2011028268A1. Автор: Mark A. Reiley. Владелец: Reiley Mark A. Дата публикации: 2011-03-10.

Injectable securement device and related delivery system and method of use

Номер патента: US20150025540A1. Автор: Jeffrey Olson. Владелец: University of Colorado. Дата публикации: 2015-01-22.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US12101944B2. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070212835A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-13.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110195558A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-11.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100144115A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-10.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7678663B2. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-03-16.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070176228A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-02.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7297594B2. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-11-20.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050164427A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-28.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7432154B2. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-10-07.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240298436A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Li-Wei Feng,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory device having ultra-lightly doped region and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240196597A1. Автор: Chung-Lin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4012758A1. Автор: Xiao Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-06-15.

Method of manufacturing a semiconductor device having trench capacitor

Номер патента: US5200353A. Автор: Masahide Inuishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-04-06.

Non-volatile memory device with filament confinement

Номер патента: US11716914B2. Автор: Juan Boon Tan,Jianxun Sun,Tupei Chen. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-08-01.

Semiconductor memory device having stacked-capacitor type memory cells

Номер патента: CA1270328C. Автор: Taiji Ema,Takashi Yabu. Владелец: . Дата публикации: 1990-06-12.

Semiconductor memory device having stacked-capacitor type memory cells

Номер патента: CA1270328A. Автор: Taiji Ema,Takashi Yabu. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1990-06-12.

Semiconductor memory with insulation film embedded in groove formed on substrate

Номер патента: US5561311A. Автор: Katsuhiko Hieda,Fumio Horiguchi,Takeshi Hamamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-10-01.

Semiconductor memory structure and method for forming the same

Номер патента: US11696435B2. Автор: Hsing-Hao Chen,Jiun-Sheng YANG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-07-04.

Communication processor, method of volte implementation, mobile terminal, data card

Номер патента: RU2666621C1. Автор: Гуань ЧЭНЬ. Владелец: ЗетТиИ Корпорейшн. Дата публикации: 2018-09-11.

Method of operating a telecommunications network

Номер патента: EP4427448A1. Автор: Fadi El-Moussa,Simon BEDDUS,Claudia CRISTINA. Владелец: British Telecommunications plc. Дата публикации: 2024-09-11.

Single event upset tolerant memory device

Номер патента: US20240201863A1. Автор: Kumar Rahul,Nui Chong,Santosh Yachareni,John J. Wuu,Cheang Whang CHANG. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Single event upset tolerant memory device

Номер патента: US12045469B2. Автор: Kumar Rahul,Nui Chong,Santosh Yachareni,John J. Wuu,Cheang Whang CHANG. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

First-in first-out semiconductor memory device

Номер патента: US5255238A. Автор: Junichi Kono,Toshio Okochi,Hiroshi Ichige. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1993-10-19.

Storage device and operating method of storage device

Номер патента: US20240345758A1. Автор: Minji Kim,Jinwoo Park,Sangwon Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Storage device and method of operating the same

Номер патента: US12105964B2. Автор: Gyeong Min Park,Jong Tack JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Storage device and method of operating the same

Номер патента: US20240232003A1. Автор: Seon Ha PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory module and method of operating the same

Номер патента: US20240272800A1. Автор: Sung Woo HYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Controller, memory system and operating method of the controller

Номер патента: US20200310982A1. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor memory device with parallel addressing and data-correcting functions

Номер патента: US4672614A. Автор: Masaaki Yoshida. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1987-06-09.

Apparatus for monitoring data access to internal memory device and internal memory device

Номер патента: US09934165B2. Автор: Gang Shan. Владелец: Montage Technology Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Data Storage Devices and Related Methods to Secure Host Memory Buffers with Low Latency

Номер патента: US20220108037A1. Автор: Shay Benisty. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-07.

Parallel scheduling of write commands to multiple memory devices

Номер патента: US09952779B2. Автор: Barak Baum,Etai Zaltsman,Moti Altahan,Roman Gindin,Yoni Labenski,Yoram Harel. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

A system for and method of monitoring an item

Номер патента: NZ545290A. Автор: Grant Langley Hohepa Shaw. Владелец: Shaw Ip Pty Ltd. Дата публикации: 2010-12-24.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US10922200B2. Автор: Jin Woong Kim,Se Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-16.

Digital multi-function peripheral and data protection method of external memory

Номер патента: US09672386B2. Автор: Minoru Takemura. Владелец: Toshiba TEC Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Hardware latency monitoring for memory device input/output requests

Номер патента: US20240231633A1. Автор: Aviv Kfir,Liron Mula,Oren Duer,Shridhar Rasal. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20240248643A1. Автор: Suhyun KIM,Hyunsook Lee,Seonghoon Woo,Tae-Eun Park,Haejong JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US20240211169A1. Автор: Hyeong Soo Kim,Joon Seop Sim,Soo Hong Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: EP4246330A1. Автор: Tae-hwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-20.

Cache memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US5719804A. Автор: Naoshi Higaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1998-02-17.

Cache memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US5831889A. Автор: Naoshi Higaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1998-11-03.

Managing Memory Devices in a Storage Network

Номер патента: US20230280911A1. Автор: Gary W. Grube,Manish Motwani,Jason K. Resch,Ilya Volvovski,Timothy W. Markison. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Generating codewords with diverse physical addresses for 3DXP memory devices

Номер патента: US11734190B2. Автор: Jian Huang,Zhenming Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Method of adjusting drive mechanism of wind turbine, and method of adjusting drive mechanism

Номер патента: US12072019B2. Автор: Hirofumi Komori. Владелец: Nabtesco Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Inkjet recording apparatus and method of investigating ejection failure determination performance

Номер патента: US20100214345A1. Автор: Hirofumi Saita. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2010-08-26.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Memory With Improved Block Switching

Номер патента: US20120002476A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002478A1. Автор: Isobe Katsuaki,Kojima Masatsugu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

TEST SIGNAL GENERATING DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS USING THE SAME AND MULTI-BIT TEST METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002491A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002472A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002485A1. Автор: Ono Takashi,MARUYAMA Takafumi,NISHIKAWA Kazuyo,Suwa Hitoshi,Nitta Tadashi,Ueminami Masahiro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Circuit and method for eliminating bit line leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002496A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTANCE-CHANGE SEMICONDUCTOR MEMORY

Номер патента: US20120002462A1. Автор: Inaba Tsuneo. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

INTERLEAVED MEMORY PROGRAM AND VERIFY METHOD, DEVICE AND SYSTEM

Номер патента: US20120002474A1. Автор: . Владелец: ROUND ROCK RESEARCH, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

CHARGE EQUILIBRIUM ACCELERATION IN A FLOATING GATE MEMORY DEVICE VIA A REVERSE FIELD PULSE

Номер патента: US20120002482A1. Автор: Kalavade Pranav,Franklin Nathan R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

COMMUNICATION BETWEEN A HOST DEVICE AND AN ACCESSORY VIA AN INTERMEDIATE DEVICE

Номер патента: US20120003934A1. Автор: Lydon Gregory T.,Tikalsky Terry,Ananny John,Laefer Jay S.. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

COMMUNICATION BETWEEN A HOST DEVICE AND AN ACCESSORY VIA AN INTERMEDIATE DEVICE

Номер патента: US20120003935A1. Автор: Lydon Gregory T.,Tikalsky Terry,Ananny John,Laefer Jay S.. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM INCLUDING AN IMPLANTABLE MEDICAL DEVICE AND ELECTRONIC VALVE INDICATOR AND LOCATOR DEVICE

Номер патента: US20120004538A1. Автор: Bertrand William J.,Speckman Lori C.. Владелец: Medtronic, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING NANOSCALE FLOATING GATE

Номер патента: US20120001248A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

CIRCUIT FOR THE OPTIMIZATION OF THE PROGRAMMING OF A FLASH MEMORY

Номер патента: US20120002479A1. Автор: . Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PROGRAMMING A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002481A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

STAMPER, METHOD OF MANUFACTURING THE STAMPER, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM MANUFACTURING METHOD USING THE STAMPER

Номер патента: US20120000885A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003812A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

INPUT/OUTPUT DEVICE AND DRIVING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001874A1. Автор: KUROKAWA Yoshiyuki,IKEDA Takayuki. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DYNAMICALLY CHANGING A PARAMETER OF A FRAME

Номер патента: US20120002073A1. Автор: Chen Chi-De. Владелец: ABILITY ENTERPRISE CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002132A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

WIRELESS COMMUNICATION SYSTEM, TRANSMISSION DEVICE, AND RECEIVING DEVICE

Номер патента: US20120002661A1. Автор: Kubo Hiroshi,Nishimoto Hiroshi,Yamaoka Tomoya. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

FUEL CELL DEVICE AND SYSTEM

Номер патента: US20120003556A1. Автор: Devoe Alan,Devoe Lambert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FUEL CELL DEVICE AND SYSTEM

Номер патента: US20120003558A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003570A1. Автор: Devoe Alan,Devoe Lambert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003571A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

EXPANDABLE SUPPORT DEVICE AND METHOD OF USE

Номер патента: US20120004726A1. Автор: GREENHALGH E. Skott,ROMANO John-Paul. Владелец: STOUT MEDICAL GROUP, L.P.. Дата публикации: 2012-01-05.

Multilayered blade and manufacturing method thereof

Номер патента: MY130381A. Автор: Tadakatsu Nabeya. Владелец: Read Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-29.