Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device
Номер патента: KR101169397B1
Опубликовано: 30-07-2012
Автор(ы): 김종섭, 박성일, 이성훈, 진영구, 홍기하
Принадлежит: 삼성전자주식회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 30-07-2012
Автор(ы): 김종섭, 박성일, 이성훈, 진영구, 홍기하
Принадлежит: 삼성전자주식회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
ONON Sidewall Structure for Memory Device and Method for Making the Same
Номер патента: US20240296890A1. Автор: Chen-Ming Huang,Shih-Hsien Chen,Chia-Sheng Lin,Po-Wei Liu,Hung-Ling Shih,Yu-Chun Chang,Wei-Lin Chang,Wen-Tuo Huang,Yu-Hsiang Yang,Shihkuang YANG,Yu-Ling Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.