TUNNEL POLARIZATION JUNCTION III-N TRANSISTORS.

TUNNEL POLARIZATION JUNCTION III-N TRANSISTORS

Номер патента: US20200194312A1
Опубликовано: 18-06-2020
Автор(ы): DASGUPTA Sansaptak, Radosavljevic Marko, Then Han Wui
Принадлежит: Intel Corporation
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Tunnel polarization junction III-N transistors

Номер патента: US11942378B2. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Tunnel polarization junction iii-n transistors

Номер патента: US20200194312A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

TUNNEL POLARIZATION JUNCTION III-N TRANSISTORS

Номер патента: US20220172996A1. Автор: Then Han Wui,Radosavljevic Marko,DASGUPTA Sansaptak. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2022-06-02.

III-N transistors with local stressors for threshold voltage control

Номер патента: US11670709B2. Автор: Nidhi Nidhi,Paul B. Fischer,Walid M. Hafez,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Rahul RAMASWAMY,Johann Christian Rode. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-06.

III-N transistors with enhanced breakdown voltage

Номер патента: US09666708B2. Автор: Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Iii-n transistors with enhanced breakdown voltage

Номер патента: US20170018640A1. Автор: Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-01-19.

Iii-n transistors with enhanced breakdown voltage

Номер патента: EP3123516A1. Автор: Ravi Pillarisetty,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Robert Chau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-01.

Enhancement-mode iii-n transistor with n-polarity and method of fabricating the same

Номер патента: WO2015009249A9. Автор: Ján KUZMÍK. Владелец: Centrum Vedecko-Technickych Informacii Sr (Cvti Sr). Дата публикации: 2015-03-26.

Graded channels for high frequency iii-n transistors

Номер патента: US20200119175A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Graded channels for high frequency iii-n transistors

Номер патента: WO2018004674A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-01-04.

Integrated Circuit Comprising Group III-N Transistors Monolithically Integrated on a Silicon Substrate and a Method for Manufacturing Thereof

Номер патента: US20160163695A1. Автор: Niels Posthuma,Stefaan Decoutere,Shuzhen You. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-06-09.

Integration of III-N transistors and semiconductor layer transfer

Номер патента: US11791221B2. Автор: Paul B. Fischer,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor structure and etch technique for monolithic integration of III-N transistors

Номер патента: US09502535B2. Автор: Bin Lu,Mohamed AZIZE,Ling Xia. Владелец: Cambridge Electronics Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Group III-N transistors for system on chip (SOC) architecture integrating power management and radio frequency circuits

Номер патента: US10290614B2. Автор: Gilbert Dewey,Valluri Rao,Ravi Pillarisetty,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Robert Chau,Jack Kavalieros,Niloy Mukherjee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-05-14.

III-N transistors with epitaxial layers providing steep subthreshold swing

Номер патента: US09660067B2. Автор: Robert S. Chau,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Iii-n transistors with epitaxial layers providing steep subthreshold swing

Номер патента: WO2015147802A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Robert Chau. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2015-10-01.

Laterally adjacent and diverse group iii-n transistors

Номер патента: US20190287858A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Seung Hoon Sung,Sanaz Gardner. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Iii-n transistors integrated with thin-film transistors having graded dopant concentrations and/or composite gate dielectrics

Номер патента: US20200312961A1. Автор: Nidhi Nidhi,Paul B. Fischer,Walid M. Hafez,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Rahul RAMASWAMY,Johann Christian Rode,Xiaojun Weng,Samuel Jack Beach. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Nonplanar III-N transistors with compositionally graded semiconductor channels

Номер патента: US09806203B2. Автор: Robert S. Chau,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Sanaz K. Gardner,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Nonplanar iii-n transistors with compositionally graded semiconductor channels

Номер патента: US20160293774A1. Автор: Robert S. Chau,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Sanaz K. Gardner,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Nonplanar III-N transistors with compositionally graded semiconductor channels

Номер патента: GB201509995D0. Автор: . Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-07-22.

Iii-n transistors with enhanced breakdown voltage

Номер патента: EP3123516B1. Автор: Ravi Pillarisetty,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Robert Chau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-04.

III-N transistors with contacts of modified widths

Номер патента: US11848362B2. Автор: Nidhi Nidhi,Walid M. Hafez,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Rahul RAMASWAMY,Johann Christian Rode. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

GRADED CHANNELS FOR HIGH FREQUENCY III-N TRANSISTORS

Номер патента: US20200119175A1. Автор: Then Han Wui,Radosavljevic Marko,DASGUPTA Sansaptak. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-04-16.

Integration of III-N transistors and non-III-N transistors by semiconductor regrowth

Номер патента: US11581313B2. Автор: Nidhi Nidhi,Paul B. Fischer,Walid M. Hafez,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Rahul RAMASWAMY,Johann Christian Rode,Sandrine CHARUE-BAKKER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-02-14.

Integration of iii-n transistors and non-iii-n transistors by semiconductor regrowth

Номер патента: US20200273860A1. Автор: Nidhi Nidhi,Paul B. Fischer,Walid M. Hafez,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Rahul RAMASWAMY,Johann Christian Rode,Sandrine CHARUE-BAKKER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Enhancement-depletion cascode arrangements for enhancement mode iii-n transistors

Номер патента: US20200373297A1. Автор: Nidhi Nidhi,Paul B. Fischer,Walid M. Hafez,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Rahul RAMASWAMY,Johann Christian Rode. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-11-26.

Group iii-n transistors including source to channel heterostructure design

Номер патента: US20200119176A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Side-by-side integration of iii-n transistors and thin-film transistors

Номер патента: US20200219878A1. Автор: Paul B. Fischer,Walid M. Hafez,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

Integrated Circuit Comprising Group III-N Transistors Monolithically Integrated on a Silicon Substrate and a Method for Manufacturing Thereof

Номер патента: US20160163695A1. Автор: Decoutere Stefaan,Posthuma Niels,You Shuzhen. Владелец: IMEC VZW. Дата публикации: 2016-06-09.

LATERALLY ADJACENT AND DIVERSE GROUP III-N TRANSISTORS

Номер патента: US20190287858A1. Автор: Then Han Wui,Radosavljevic Marko,DASGUPTA Sansaptak,SUNG Seung Hoon,Gardner Sanaz. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-09-19.

Semiconductor structure and etch technique for monolithic integration of iii-n transistors

Номер патента: EP3440704A4. Автор: Bin Lu,Mohamed AZIZE,Ling Xia. Владелец: Cambridge Electronics Inc. Дата публикации: 2020-03-25.

III-N transistor arrangements for reducing nonlinearity of off-state capacitance

Номер патента: US12027613B2. Автор: Nidhi Nidhi,Paul B. Fischer,Walid M. Hafez,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Rahul RAMASWAMY,Johann Christian Rode. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Iii-n transistors with integrated linearization devices

Номер патента: US20220068910A1. Автор: Nidhi Nidhi,Paul B. Fischer,Walid M. Hafez,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Rahul RAMASWAMY,Johann Christian Rode. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Self-aligned gate last III-N transistors

Номер патента: US09837499B2. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Seung Hoon Sung,Robert Chau,Sanaz Gardner,Marko Radosavlijevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Charge-induced threshold voltage tuning in III-N transistors

Номер патента: US11715790B2. Автор: Nidhi Nidhi,Paul B. Fischer,Walid M. Hafez,YANG Cao,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Rahul RAMASWAMY,Johann Christian Rode. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-01.

Charge-induced threshold voltage tuning in iii-n transistors

Номер патента: US20200335590A1. Автор: Nidhi Nidhi,Paul B. Fischer,Walid M. Hafez,YANG Cao,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Rahul RAMASWAMY,Johann Christian Rode. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

Iii-n transistors integrated with resonators of radio frequency filters

Номер патента: US20200227469A1. Автор: Paul B. Fischer,Zdravko Boos,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

SYSTEM-ON-CHIP (ONE-CHIP-SYSTEM) WITH POWER MANAGEMENT CIRCUIT AND HIGH FREQUENCY CIRCUIT HAVING A GROUP III-N TRANSISTOR

Номер патента: DE112011105978B4. Автор: Gilbert Dewey,Valluri Rao,Ravi Pillarisetty,Han Wui Then,Robert Chau,Marko Radsosavljevic,Jack Kavalieros. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-02-04.

GROUP III-N TRANSISTORS FOR SYSTEM ON CHIP (SOC) ARCHITECTURE INTEGRATING POWER MANAGEMENT AND RADIO FREQUENCY CIRCUITS

Номер патента: US20190244936A1. Автор: Mukherjee Niloy,Then Han Wui,Chau Robert,Dewey Gilbert,Kavalieros Jack,Pillarisetty Ravi,Radosavljevic Marko,Rao Valluri. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-08.

III-N transistors with local stressors for threshold voltage control

Номер патента: US20200295172A1. Автор: Hafez Walid M.,Then Han Wui,Radosavljevic Marko,FISCHER Paul B.,DASGUPTA Sansaptak,Rode Johann Christian,Ramaswamy Rahul,Nidhi Nidhi. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-09-17.

Vertical iii-n transistors with lateral epitaxial overgrowth

Номер патента: US20180323298A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-11-08.

Iii-n transistors with epitaxial layers providing steep subthreshold swing

Номер патента: TWI556437B. Автор: 山薩塔克達斯古塔,馬可拉多撒福傑維克,漢威陳,羅伯特趙. Владелец: 英特爾股份有限公司. Дата публикации: 2016-11-01.

III-N transistors with epitaxial layers providing steep subthreshold swing

Номер патента: TW201709523A. Автор: 山薩塔克達斯古塔,馬可拉多撒福傑維克,漢威陳,羅伯特趙. Владелец: 英特爾股份有限公司. Дата публикации: 2017-03-01.

Epitaxial buffer layers for group III-N transistors on silicon substrates

Номер патента: US09583574B2. Автор: Robert S. Chau,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Niloy Mukherjee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Epitaxial buffer layers for group iii-n transistors on silicon substrates

Номер патента: EP2901471A1. Автор: Robert S. Chau,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Niloy Mukherjee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-08-05.

Epitaxial buffer layers for group iii-n transistors on silicon substrates

Номер патента: WO2014051779A1. Автор: Robert S. Chau,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Niloy Mukherjee. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2014-04-03.

Epitaxial buffer layers for group iii-n transistors on silicon substrates

Номер патента: US20170141219A1. Автор: Robert S. Chau,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Niloy Mukherjee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-18.

Epitaxial buffer layers for group iii-n transistors on silicon substrates

Номер патента: EP2901471B1. Автор: Robert S. Chau,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Niloy Mukherjee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-11-04.

Epitaxial buffer layers for group iii-n transistors on silicon substrates

Номер патента: EP2901471A4. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Niloy Mukherjee,Robert S Chau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-05-18.

Epitaxial buffer layers for group iii-n transistors on silicon substrates

CO-INTEGRATION OF EXTENDED-DRAIN AND SELF-ALIGNED III-N TRANSISTORS ON A SINGLE DIE

Номер патента: US20200395358A1. Автор: Hafez Walid M.,Then Han Wui,Radosavljevic Marko,FISCHER Paul B.,DASGUPTA Sansaptak,Rode Johann Christian,Ramaswamy Rahul,Nidhi Nidhi. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-12-17.

III-N TRANSISTORS WITH INTEGRATED LINEARIZATION DEVICES

Номер патента: US20220068910A1. Автор: Hafez Walid M.,Then Han Wui,Radosavljevic Marko,FISCHER Paul B.,DASGUPTA Sansaptak,Rode Johann Christian,Ramaswamy Rahul,Nidhi Nidhi. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2022-03-03.

Integration of III-N transistors and semiconductor layer transfer

Номер патента: US20200273751A1. Автор: Then Han Wui,Radosavljevic Marko,FISCHER Paul B.,DASGUPTA Sansaptak. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-08-27.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND ETCH TECHNIQUE FOR MONOLITHIC INTEGRATION OF III-N TRANSISTORS

Номер патента: US20160300835A1. Автор: Lu Bin,Azize Mohamed,Xia Ling. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-13.

Schemata zum reduzieren der aus-zustand-kapazität in iii-n-transistor-anordnungen

Номер патента: DE102020106493A1. Автор: Nidhi Nidhi,Walid M. Hafez,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Rahul RAMASWAMY,Johann Christian Rode. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

METHODS AND DEVICES INTEGRATING III-N TRANSISTOR CIRCUITRY WITH SI TRANSISTOR CIRCUITRY

Номер патента: US20190006171A1. Автор: Rao Valluri R.,Jun Kimin,Then Han Wui,Pillarisetty Ravi,Radosavljevic Marko,Chau Robert S.,MORROW Patrick,FISCHER Paul B.,DASGUPTA Sansaptak. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-01-03.

Methods and devices integrating III-N transistor circuitry with Si transistor circuitry

Номер патента: US10453679B2. Автор: Paul B. Fischer,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Patrick Morrow,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Kimin Jun,Valluri R. Rao. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-22.

Methods and devices integrating iii-n transistor circuitry with si transistor circuitry

Номер патента: WO2017039587A1. Автор: Paul B. Fischer,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Patrick Morrow,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Kimin Jun,Valluri R. Rao,Marko RADOSAVELIJEVIC. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-03-09.

NON-PLANAR III-N TRANSISTOR

Номер патента: US20130277683A1. Автор: Mukherjee Niloy,Then Han Wui,Chau Robert,Chu-Kung Benjamin,Dewey Gilbert,Kavalieros Jack,Metz Matthew,Pillarisetty Ravi,Radosavljevic Marko. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-24.

INTEGRATION OF III-N TRANSISTORS AND POLYSILICON RESISTORS

Номер патента: US20200227407A1. Автор: Hafez Walid M.,Then Han Wui,Radosavljevic Marko,FISCHER Paul B.,DASGUPTA Sansaptak,Rode Johann Christian,Ramaswamy Rahul,Nidhi Nidhi. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-07-16.

III-N TRANSISTOR STRUCTURES WITH STEPPED CAP LAYERS

Номер патента: US20200273974A1. Автор: Keller Stacia,Mishra Umesh K.,Zheng Xun,Guidry Matthew,Romanczyk Brian. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2020-08-27.

CHARGE-INDUCED THRESHOLD VOLTAGE TUNING IN III-N TRANSISTORS

Номер патента: US20200335590A1. Автор: Cao Yang,Hafez Walid M.,Then Han Wui,Radosavljevic Marko,FISCHER Paul B.,DASGUPTA Sansaptak,Rode Johann Christian,Ramaswamy Rahul,Nidhi Nidhi. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-10-22.

Schemes for reducing off-state capacitance in iii-n transistor arrangements

Номер патента: US20200335592A1. Автор: Nidhi Nidhi,Walid M. Hafez,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Rahul RAMASWAMY,Johann Christian Rode. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

III-N TRANSISTORS WITH EPITAXIAL LAYERS PROVIDING STEEP SUBTHRESHOLD SWING

Номер патента: US20160365435A1. Автор: Then Han Wui,Radosavljevic Marko,Chau Robert S.,DASGUPTA Sansaptak. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-15.

Group III-N transistors on nanoscale template structures

Номер патента: US09716149B2. Автор: Robert S. Chau,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Sanaz Gardner. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

III-N TRANSISTORS INTEGRATED WITH THIN-FILM TRANSISTORS HAVING GRADED DOPANT CONCENTRATIONS AND/OR COMPOSITE GATE DIELECTRICS

Номер патента: US20200312961A1. Автор: Hafez Walid M.,Then Han Wui,Radosavljevic Marko,FISCHER Paul B.,DASGUPTA Sansaptak,Rode Johann Christian,Ramaswamy Rahul,Nidhi Nidhi,Beach Samuel Jack,Weng Xiaojun. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-10-01.

GROUP III-N TRANSISTOR ON NANOSCALE TEMPLATE STRUCTURES

Номер патента: US20150108496A1. Автор: Then Han Wui,Chu-Kung Benjamin,Radosavljevic Marko,Chau Robert S.,DASGUPTA Sansaptak,SUNG Seung Hoon,Gardner Sanaz. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-23.

GROUP III-N TRANSISTORS INCLUDING SOURCE TO CHANNEL HETEROSTRUCTURE DESIGN

Номер патента: US20200119176A1. Автор: Then Han Wui,Radosavljevic Marko,DASGUPTA Sansaptak. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-04-16.

Group iii-n transistor on nanoscale template structures

Номер патента: US20170323946A1. Автор: Robert S. Chau,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Sanaz Gardner. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-09.

Group III-N transistors on nanoscale template structures

Номер патента: CN108054084B. Автор: H·W·田,S·达斯古普塔,R·S·周,M·拉多萨夫列维奇,S·H·宋,S·K·加德纳,B·舒金. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-06-07.

Group III-N transistors on nanoscale template structures

Номер патента: GB2524411B. Автор: Chu-Kung Benjamin,Radosavljevic Marko,DASGUPTA Sansaptak,Wui Then Han,K Gardner Sanaz,Hoon Sung Seung,S Chau Robert. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-15.

Group iii-n transistors on nanoscale template structures

Номер патента: KR20170077264A. Автор: 로버트 에스. 차우,산삽탁 다스굽타,사나즈 케이. 가드너,마르코 라도사블예비치,승 훈 성,한 우이 텐,벤자민 추-컹. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2017-07-05.

Group iii-n transistors on nanoscale template structures

Номер патента: KR101972283B1. Автор: 로버트 에스. 차우,산삽탁 다스굽타,사나즈 케이. 가드너,마르코 라도사블예비치,승 훈 성,한 우이 텐,벤자민 추-컹. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2019-04-24.

SIDE-BY-SIDE INTEGRATION OF III-N TRANSISTORS AND THIN-FILM TRANSISTORS

Номер патента: US20200219878A1. Автор: Hafez Walid M.,Then Han Wui,Radosavljevic Marko,FISCHER Paul B.,DASGUPTA Sansaptak. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-07-09.

NONPLANAR III-N TRANSISTORS WITH COMPOSITIONALLY GRADED SEMICONDUCTOR CHANNELS

Номер патента: US20150064859A1. Автор: Then Han Wui,Chu-Kung Benjamin,Radosavljevic Marko,Chau Robert S.,DASGUPTA Sansaptak,SUNG Seung Hoon,GARDNER Sanaz K.. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-05.

III-N TRANSISTORS WITH POLARIZATION MODULATION

Номер патента: US20200083360A1. Автор: Then Han Wui,Radosavljevic Marko,DASGUPTA Sansaptak,Hafez Walid,FISCHER Paul. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-03-12.

NONPLANAR III-N TRANSISTORS WITH COMPOSITIONALLY GRADED SEMICONDUCTOR CHANNELS

Номер патента: US20140175515A1. Автор: Then Han Wui,Chu-Kung Benjamin,Radosavljevic Marko,Chau Robert S.,DASGUPTA Sansaptak,SUNG Seung Hoon,GARDNER Sanaz K.. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-26.

GROUP III-N TRANSISTORS ON NANOSCALE TEMPLATE STRUCTURES

Номер патента: US20160240617A1. Автор: Then Han Wui,Chu-Kung Benjamin,Radosavljevic Marko,Chau Robert S.,DASGUPTA Sansaptak,SUNG Seung Hoon,Gardner Sanaz. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-18.

Group iii-nitride polarization junction diodes

Номер патента: US20210005759A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-01-07.

INTEGRATION OF III-N TRANSISTORS AND NON-III-N TRANSISTORS BY SEMICONDUCTOR REGROWTH

Номер патента: US20200273860A1. Автор: Hafez Walid M.,Then Han Wui,Radosavljevic Marko,FISCHER Paul B.,DASGUPTA Sansaptak,Rode Johann Christian,Ramaswamy Rahul,Nidhi Nidhi,Charue-Bakker Sandrine. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-08-27.

III-N TRANSISTOR ARRANGEMENTS FOR REDUCING NONLINEARITY OF OFF-STATE CAPACITANCE

Номер патента: US20200373421A1. Автор: Hafez Walid M.,Then Han Wui,Radosavljevic Marko,FISCHER Paul B.,DASGUPTA Sansaptak,Rode Johann Christian,Ramaswamy Rahul,Nidhi Nidhi. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-11-26.

III-N TRANSISTORS WITH ENHANCED BREAKDOWN VOLTAGE

Номер патента: US20170018640A1. Автор: Then Han Wui,Chu-Kung Benjamin,Pillarisetty Ravi,Radosavljevic Marko,Chau Robert S.,DASGUPTA Sansaptak,SUNG Seung Hoon. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-19.

GROUP III-N TRANSISTORS ON NANOSCALE TEMPLATE STRUCTURES

Номер патента: US20160064491A1. Автор: Then Han Wui,Chu-Kung Benjamin,Radosavljevic Marko,Chau Robert S.,DASGUPTA Sansaptak,SUNG Seung Hoon,Gardner Sanaz. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

III N transistors processed after self-aligning grid

Номер патента: CN107078157A. Автор: H·W·田,S·达斯古普塔,R·周,M·拉多萨夫列维奇,S·M·宋,S·加德纳. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-18.

Non-planar III-N transistor

Номер патента: US09461160B2. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Robert Chau,Jack Kavalieros,Niloy Mukherjee,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

EPITAXIAL BUFFER LAYERS FOR GROUP III-N TRANSISTORS ON SILICON SUBSTRATES

Номер патента: US20140094223A1. Автор: Mukherjee Niloy,Then Han Wui,Radosavljevic Marko,Chau Robert S.,DASGUPTA Sansaptak. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-03.

GROUP III-N TRANSISTORS ON NANOSCALE TEMPLATE STRUCTURES

Номер патента: US20140170998A1. Автор: Then Han Wui,Chu-Kung Benjamin,Radosavljevic Marko,Chau Robert S.,DASGUPTA Sansaptak,SUNG Seung Hoon,GARDNER Sanaz K.. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-19.

GROUP III-N TRANSISTORS ON NANOSCALE TEMPLATE STRUCTURES

Номер патента: US20140291693A1. Автор: Then Han Wui,Chu-Kung Benjamin,Radosavljevic Marko,Chau Robert S.,DASGUPTA Sansaptak,SUNG Seung Hoon,Gardner Sanaz. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-02.

SELF-ALIGNED GATE LAST III-N TRANSISTORS

Номер патента: US20170207310A1. Автор: Then Han Wui,Chau Robert,Radosavljevic Marko,DASGUPTA Sansaptak,SUNG Seung Hoon,Gardner Sanaz. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-20.

III-N TRANSISTORS INTEGRATED WITH RESONATORS OF RADIO FREQUENCY FILTERS

Номер патента: US20200227469A1. Автор: Boos Zdravko,Then Han Wui,Radosavljevic Marko,FISCHER Paul B.,DASGUPTA Sansaptak. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-07-16.

ENHANCEMENT-DEPLETION CASCODE ARRANGEMENTS FOR ENHANCEMENT MODE III-N TRANSISTORS

Номер патента: US20200373297A1. Автор: Hafez Walid M.,Then Han Wui,Radosavljevic Marko,FISCHER Paul B.,DASGUPTA Sansaptak,Rode Johann Christian,Ramaswamy Rahul,Nidhi Nidhi. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-11-26.

FILTER-CENTRIC III-N FILMS ENABLING RF FILTER INTEGRATION WITH III-N TRANSISTORS

Номер патента: US20200227470A1. Автор: Boos Zdravko,Then Han Wui,Radosavljevic Marko,FISCHER Paul B.,DASGUPTA Sansaptak. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-07-16.

COMPLEMENTARY GROUP III-NITRIDE TRANSISTORS WITH COMPLEMENTARY POLARIZATION JUNCTIONS

Номер патента: US20200411677A1. Автор: Then Han Wui,Radosavljevic Marko,DASGUPTA Sansaptak. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-12-31.

GROUP III-NITRIDE POLARIZATION JUNCTION DIODES

Номер патента: US20210005759A1. Автор: Then Han Wui,Radosavljevic Marko,DASGUPTA Sansaptak. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2021-01-07.

NON-PLANAR III-N TRANSISTOR

Номер патента: US20160343844A1. Автор: Mukherjee Niloy,Then Han Wui,Chau Robert,Chu-Kung Benjamin,Dewey Gilbert,Kavalieros Jack,Metz Matthew,Pillarisetty Ravi,Radosavljevic Marko. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-24.

GROUP III-N TRANSISTORS FOR SYSTEM ON CHIP (SOC) ARCHITECTURE INTEGRATING POWER MANAGEMENT AND RADIO FREQUENCY CIRCUITS

Номер патента: US20130271208A1. Автор: Mukherjee Niloy,Then Han Wui,Chau Robert,Dewey Gilbert,Kavalieros Jack,Pillarisetty Ravi,Radosavljevic Marko,Rao Valluri. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2013-10-17.

Group iii-nitride light emitting devices including a polarization junction

Номер патента: US20220077349A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Group III-nitride light emitting devices including a polarization junction

Номер патента: US11799057B2. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Group iii-nitride light emitting devices including a polarization junction

Номер патента: US20200411722A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

INVERSE POLARIZED JUNCTION ISOLATION STRUCTURE OF ACTIVE DEVICES IN AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: FR2595869A1. Автор: Gerard J Shaw,Jok Ying Go. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1987-09-18.

N-polar III-nitride transistors

Номер патента: US09490324B2. Автор: Umesh Mishra,Srabanti Chowdhury,Carl Joseph Neufeld. Владелец: Transphorm Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

GROUP III-NITRIDE LIGHT EMITTING DEVICES INCLUDING A POLARIZATION JUNCTION

Номер патента: US20220077349A1. Автор: Then Han Wui,Radosavljevic Marko,DASGUPTA Sansaptak. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2022-03-10.

GROUP III-NITRIDE LIGHT EMITTING DEVICES INCLUDING A POLARIZATION JUNCTION

Номер патента: US20200411722A1. Автор: Then Han Wui,Radosavljevic Marko,DASGUPTA Sansaptak. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-12-31.

Integration von III-N-Transistoren und Halbleiterschichtübertragung

Номер патента: DE102020104662A1. Автор: Paul Fischer,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor devices with raised doped crystalline structures

Номер патента: US20190148533A1. Автор: Robert S. Chau,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Sanaz K. Gardner,Seung Hoon Sung. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor devices with raised doped crystalline structures

Номер патента: EP3298628A1. Автор: Robert S. Chau,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Sanaz K. Gardner,Seung Hoon Sung. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-28.

Broad-band polarizing junction

Номер патента: EP0285879B1. Автор: Eberhard Dr.-Ing. Schuegraf. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1993-06-16.

Planare transistoren mit wrap-around-gates und wrap-around-source- und drain-kontakten

Номер патента: DE102020102334A1. Автор: Nidhi Nidhi,Paul B. Fischer,Walid M. Hafez,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Rahul RAMASWAMY,Johann Christian Rode. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Devices for integrated front-end circuits

Номер патента: US12132052B2. Автор: Brian Romanczyk,Matthew Guidry. Владелец: Monde Wireless Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Devices for integrated front-end circuits

Номер патента: WO2024025561A1. Автор: Brian Romanczyk,Matthew Guidry. Владелец: Monde Wireless Inc.. Дата публикации: 2024-02-01.

Devices for integrated front-end circuits

Номер патента: US20240038761A1. Автор: Brian Romanczyk,Matthew Guidry. Владелец: Monde Wireless Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Integration von III-N-Transistoren und Nicht-III-N-Transistoren durch Halbleiterneuwachstum

Номер патента: DE102020101433A1. Автор: Nidhi Nidhi,Paul B. Fischer,Walid M. Hafez,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Rahul RAMASWAMY,Johann Christian Rode,Sandrine CHARUE-BAKKER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Integrated Circuit Structure of Group III Nitride Semiconductor, Manufacturing Method Thereof, and Use Thereof

Номер патента: US20230044911A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

P-i-n diode and connected group iii-n device and their methods of fabrication

Номер патента: US20200066849A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Transistors with backside field plate structures

Номер патента: US11502191B2. Автор: Nidhi Nidhi,Walid M. Hafez,Han Wui Then,Rahul RAMASWAMY,Johann Christian Rode. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-11-15.

Transistors with backside field plate structures

Номер патента: US20200266291A1. Автор: Nidhi Nidhi,Walid M. Hafez,Han Wui Then,Rahul RAMASWAMY,Johann Christian Rode. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-08-20.

Transistoren mit rückseiten-feldplattenstrukturen

Номер патента: DE102020103530A1. Автор: Nidhi Nidhi,Walid M. Hafez,Han Wui Then,Rahul RAMASWAMY,Johann RODE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-08-20.

Ladungsinduzierte Schwellenspannungsabstimmung in III-N-Transistoren

Номер патента: DE102020108219A1. Автор: Nidhi Nidhi,Paul B. Fischer,Walid M. Hafez,YANG Cao,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Rahul RAMASWAMY,Johann Christian Rode. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

Iii-n material structure for gate-recessed transistors

Номер патента: US20150171205A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Uday Shah,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-06-18.

Iii-n material structure for gate-recessed transistors

Номер патента: US20160064540A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Uday Shah,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

Iii-n material structure for gate-recessed transistors

Номер патента: US20170104094A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Uday Shah,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-13.

III-N material structure for gate-recessed transistors

Номер патента: US09530878B2. Автор: Jack T. Kavalieros,Uday Shah,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Pn diodes and connected group iii-n devices and their methods of fabrication

Номер патента: US20190189611A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Electronic devices and components for high efficiency power circuits

Номер патента: US09401341B2. Автор: Yifeng Wu. Владелец: Transphorm Inc. Дата публикации: 2016-07-26.

Switching circuits having ferrite beads

Номер патента: US09991884B2. Автор: ZHAN Wang,Yifeng Wu,James Honea. Владелец: Transphorm Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Switching circuits having ferrite beads

Номер патента: US09660640B2. Автор: ZHAN Wang,Yifeng Wu,James Honea. Владелец: Transphorm Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Switching circuits having ferrite beads

Номер патента: US09543940B2. Автор: ZHAN Wang,Yifeng Wu,James Honea. Владелец: Transphorm Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Nitride semiconductor polarization controlled device

Номер патента: US09660134B1. Автор: Thomas Wunderer,John E. Northrup,Jeng Ping Lu,Noble M Johnson. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Cascode normally off switch with driver and self bias

Номер патента: WO2023215657A1. Автор: Henry Frazier Pruett,Tushar H. DHAYAGUDE. Владелец: Transphorm Technology, Inc.. Дата публикации: 2023-11-09.

Amplifiers for biological sensing applications

Номер патента: US20230333049A1. Автор: Daniel Bedau. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Low power hybrid reverse bandgap reference and digital temperature sensor

Номер патента: US12061493B2. Автор: You Li,David Duarte,Yongping Fan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

One kind being used for tunnel polarized light type optical lens

Номер патента: CN209341162U. Автор: 陈益,陈国火,黄蒙召. Владелец: Hangzhou Digital Optoelectronic Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-03.

Waveguide apparatus and method for dual polarized and dual frequency signals

Номер патента: CA1206255A. Автор: James M. Janky,Albert L. Horley. Владелец: Vitalink Communications Corp. Дата публикации: 1986-06-17.

TUNNEL POLARIZATION JUNCTION III-N TRANSISTORS

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты