Methods and devices integrating III-N transistor circuitry with Si transistor circuitry
Номер патента: US10453679B2
Опубликовано: 22-10-2019
Автор(ы): Han Wui Then, Kimin Jun, Marko Radosavljevic, Patrick Morrow, Paul B. Fischer, Ravi Pillarisetty, Robert S. Chau, Sansaptak DASGUPTA, Valluri R. Rao
Принадлежит: Intel Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 22-10-2019
Автор(ы): Han Wui Then, Kimin Jun, Marko Radosavljevic, Patrick Morrow, Paul B. Fischer, Ravi Pillarisetty, Robert S. Chau, Sansaptak DASGUPTA, Valluri R. Rao
Принадлежит: Intel Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
METHODS AND DEVICES INTEGRATING III-N TRANSISTOR CIRCUITRY WITH SI TRANSISTOR CIRCUITRY
Номер патента: US20190006171A1. Автор: Rao Valluri R.,Jun Kimin,Then Han Wui,Pillarisetty Ravi,Radosavljevic Marko,Chau Robert S.,MORROW Patrick,FISCHER Paul B.,DASGUPTA Sansaptak. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-01-03.