III-N transistor arrangements for reducing nonlinearity of off-state capacitance
Номер патента: US12027613B2
Опубликовано: 02-07-2024
Автор(ы): Han Wui Then, Johann Christian Rode, Marko Radosavljevic, Nidhi Nidhi, Paul B. Fischer, Rahul RAMASWAMY, Sansaptak DASGUPTA, Walid M. Hafez
Принадлежит: Intel Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 02-07-2024
Автор(ы): Han Wui Then, Johann Christian Rode, Marko Radosavljevic, Nidhi Nidhi, Paul B. Fischer, Rahul RAMASWAMY, Sansaptak DASGUPTA, Walid M. Hafez
Принадлежит: Intel Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Group iii-n transistors including source to channel heterostructure design
Номер патента: US20200119176A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-04-16.